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特開2024-96006両面有機発光表示装置

書誌要約請求の範囲詳細な説明課題実施例実施するための形態図面の説明

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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024096006

(43)【公開日】2024-07-11

(54)【発明の名称】両面有機発光表示装置

(51)【国際特許分類】

H10K 50/85 20230101AFI20240704BHJP

H10K 59/123 20230101ALI20240704BHJP

H10K 59/131 20230101ALI20240704BHJP

H10K 59/35 20230101ALI20240704BHJP

H10K 71/12 20230101ALI20240704BHJP

H10K 50/828 20230101ALI20240704BHJP

H10K 50/818 20230101ALI20240704BHJP

H10K 50/80 20230101ALI20240704BHJP

H10K 59/122 20230101ALI20240704BHJP

H10K 50/844 20230101ALI20240704BHJP

H10K 50/842 20230101ALI20240704BHJP

H10K 71/16 20230101ALI20240704BHJP

G09F 9/30 20060101ALI20240704BHJP

G09F 9/40 20060101ALI20240704BHJP

H10K 59/95 20230101ALI20240704BHJP

【ＦＩ】

H10K50/85

H10K59/123

H10K59/131

H10K59/35 452

H10K71/12

H10K50/828

H10K50/818

H10K50/80

H10K59/122

H10K50/844

H10K50/842 141

H10K71/16 164

G09F9/30 365

G09F9/40 303

G09F9/30 349A

G09F9/30 309

H10K59/95

【審査請求】有

【請求項の数】20

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023208664

(22)【出願日】2023-12-11

(31)【優先権主張番号】10-2022-0189153

(32)【優先日】2022-12-29

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(71)【出願人】

【識別番号】501426046

【氏名又は名称】エルジーディスプレイカンパニーリミテッド

(74)【代理人】

【識別番号】110002077

【氏名又は名称】園田・小林弁理士法人

(72)【発明者】

【氏名】キム，ヒジン

(72)【発明者】

【氏名】イ，ハクミン

【テーマコード（参考）】

3K107

5C094

【Ｆターム（参考）】

3K107AA01

3K107BB01

3K107CC04

3K107CC21

3K107CC36

3K107DD04

3K107DD39

3K107DD58

3K107DD71

3K107DD74

3K107DD89

3K107EE06

3K107EE07

3K107EE42

3K107EE46

3K107FF13

3K107GG06

5C094AA02

5C094BA03

5C094BA27

5C094CA19

5C094DA07

5C094DA08

5C094DA13

5C094DB01

5C094EA05

5C094EA06

5C094EB02

5C094ED11

5C094FA01

5C094FA02

5C094FB01

5C094FB04

5C094JA11

(57)【要約】（修正有）

【課題】高い開口率および発光効率と向上した寿命を有する両面有機発光表示装置を提供する。
【解決手段】第１領域で透明基板の上部に位置する第１駆動素子および第２駆動素子と；第２領域で前記第１および第２駆動素子の上部に位置し、前記第１駆動素子に連結される第１電極、前記第１電極の上部に位置する第２電極、前記第１および第２電極の間に位置する第１有機発光層を含む第１有機発光ダイオードと；前記第１および２領域で前記第１有機発光ダイオード上に位置し、前記第２電極の上部に位置し前記第２駆動素子に連結される第３電極、前記第２および第３電極の間に位置する第２有機発光層を含む第２有機発光ダイオードを含み、前記第１有機発光ダイオードからの光は前記第１電極を通じて第１方向に放出され、前記第２有機発光ダイオードからの光は前記第３電極を通じて前記第１方向に反対の第２方向に放出される。
【選択図】図４

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１領域と第２領域を含む画素領域を含む第１透明基板と；
前記第１領域で前記第１透明基板の上部に位置する第１駆動素子および第２駆動素子と；
前記第２領域で前記第１および第２駆動素子の上部に位置する第１有機発光ダイオードであって、前記第１駆動素子に連結される第１電極、前記第１電極と対向し前記第１電極の上部に位置する第２電極、ならびに前記第１および第２電極の間に位置する第１有機発光層を含む第１有機発光ダイオードと；
前記第１および２領域で前記第１有機発光ダイオード上に位置する第２有機発光ダイオードであって、前記第２電極と対向し、前記第２電極の上部に位置し、且つ前記第２駆動素子に連結される第３電極、ならびに前記第２および第３電極の間に位置する第２有機発光層を含む第２有機発光ダイオードと、を含み、
前記第１有機発光ダイオードからの第１の光は前記第１電極を通じて第１方向に放出され、前記第２有機発光ダイオードからの第２の光は前記第３電極を通じて前記第１方向と反対の第２方向に放出される、両面有機発光表示装置。

【請求項2】

第３方向に延びるゲート配線と；
前記第３方向と交差する第４方向に延びる第１および第２データ配線と、をさらに含む、請求項１に記載の両面有機発光表示装置。

【請求項3】

前記第１駆動素子と前記第２駆動素子それぞれは前記第１有機発光ダイオードから前記第３方向に位置する、請求項２に記載の両面有機発光表示装置。

【請求項4】

前記第１駆動素子と前記第２駆動素子それぞれは前記第１有機発光ダイオードから前記第４方向に位置する、請求項２に記載の両面有機発光表示装置。

【請求項5】

前記第２電極に連結される低準位電圧配線と；
前記第１駆動素子に連結される第１高準位電圧配線と；
前記第２駆動素子に連結される第２高準位電圧配線と、をさらに含む、請求項２に記載の両面有機発光表示装置。

【請求項6】

前記低準位電圧配線、前記第１高準位電圧配線、および前記第２高準位電圧配線それぞれは前記第３方向に沿って延びる、請求項５に記載の両面有機発光表示装置。

【請求項7】

前記第１有機発光ダイオードは、前記第１データ配線および前記第１高準位電圧配線の間の空間に配置される、請求項６に記載の両面有機発光表示装置。

【請求項8】

前記低準位電圧配線、前記第１高準位電圧配線、および前記第２高準位電圧配線それぞれは前記第４方向に沿って延びる、請求項５に記載の両面有機発光表示装置。

【請求項9】

前記第１有機発光ダイオードは、前記第１データ配線、前記第２データ配線、前記低準位電圧配線、および前記第１高準位電圧配線に囲まれた空間に配置される、請求項８に記載の両面有機発光表示装置。

【請求項10】

前記第２有機発光ダイオードは前記低準位電圧配線、前記第１高準位電圧配線、前記第２高準位電圧配線それぞれと重なる、請求項５に記載の両面有機発光表示装置。

【請求項11】

前記第２有機発光ダイオードは前記第１有機発光ダイオードより大きい面積を有する、請求項１に記載の両面有機発光表示装置。

【請求項12】

前記第１有機発光層と前記第２有機発光層のうち少なくとも一つは溶液工程によって形成される、請求項１に記載の両面有機発光表示装置。

【請求項13】

前記第１有機発光層は溶液工程で形成され、前記第２有機発光層は蒸着工程によって形成される、請求項１２に記載の両面有機発光表示装置。

【請求項14】

前記第１電極と前記第３電極それぞれは透明電極であり、前記第２電極は反射電極である、請求項１に記載の両面有機発光表示装置。

【請求項15】

前記第１有機発光ダイオードは正常構造を有し、前記第２有機発光ダイオードは逆構造を有する、請求項１に記載の両面有機発光表示装置。

【請求項16】

前記第１有機発光層は、第１発光物質層、前記第１電極と前記第１発光物質層の間に位置する第１正孔輸送層、および前記第１発光物質層と前記第２電極の間に位置する第１電子輸送層を含み、
前記第２有機発光層は、第２発光物質層、前記第２電極と前記第２発光物質層の間に位置する第２電子輸送層、および前記第２発光物質層と前記第３電極の間に位置する第２正孔輸送層を含む、請求項１に記載の両面有機発光表示装置。

【請求項17】

前記第１の光は第１波長範囲を有し、前記第２の光は第２波長範囲を有し、前記第１波長範囲と前記第２波長範囲は同一である、請求項１に記載の両面有機発光表示装置。

【請求項18】

前記第１の光は第１波長範囲を有し、前記第２の光は第２波長範囲を有し、前記第１波長範囲と前記第２波長範囲はそれぞれ異なる、請求項１に記載の両面有機発光表示装置。

【請求項19】

前記第１電極の縁を覆うバンク層をさらに備え、
前記第１領域の前記第２電極は前記バンク層上に配置され、前記第２領域の前記第２電極は前記第１有機発光層上に配置される、請求項１に記載の両面有機発光表示装置。

【請求項20】

前記第３電極上の保護層と、
前記保護層上のシール層と、
前記シール層上の第２透明基板と、をさらに備える、請求項１に記載の両面有機発光表示装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は有機発光表示装置に関し、さらに詳細には、高い開口率および発光効率と向上した寿命を有する両面有機発光表示装置に関する。

【背景技術】

【0002】

最近表示装置の大型化につれて空間占有が少ない平面表示素子の要求が増大しているが、このような平面表示素子の中の一つとして有機発光ダイオード（ｏｒｇａｎｉｃｌｉｇｈｔｅｍｉｔｔｉｎｇｄｉｏｄｅ：ＯＬＥＤ）の技術が速い速度で発展している。

【0003】

有機発光ダイオードは電子注入電極（負極）と正孔注入電極（正極）の間に形成された発光物質層に負極と正極から電子と正孔が注入されると、電子と正孔が対をなした後に消滅しながら光を出す素子である。プラスチックのようなフレキシブルな（ｆｌｅｘｉｂｌｅ）透明基板の上にも素子を形成できるだけでなく、低い電圧で（１０Ｖ以下）駆動が可能で、また、電力消耗が比較的に少なく、色感が優れているという長所がある。

【0004】

有機発光ダイオードは、基板の上部に形成され正極である第１電極、第１電極と離隔して対向する第２電極、第１電極と第２電極の間に位置する有機発光層を含む。

【0005】

一方、最近では表示装置の両側の面で映像表示が具現される両面表示装置が提案された。

【0006】

しかし、有機発光ダイオードの第１電極または第２電極は不透明な物質からなるため、従来の有機発光表示装置は両面表示装置として利用されるのには限界がある。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0007】

本発明は従来有機発光表示装置が両面表示装置に利用され得ない問題を解決しようとする。

【課題を解決するための手段】

【0008】

前記のような課題の解決のために、本発明は、第１領域と第２領域を含む画素領域が定義された透明基板と；前記第１領域で前記透明基板の上部に位置する第１駆動素子および第２駆動素子と；前記第２領域で前記第１および第２駆動素子の上部に位置し、前記第１駆動素子に連結される第１電極、前記第１電極と対向し前記第１電極の上部に位置する第２電極、前記第１および第２電極の間に位置する第１有機発光層を含む第１有機発光ダイオードと；前記第１および２領域で前記第１有機発光ダイオード上に位置し、前記第２電極と対向し、前記第２電極の上部に位置し前記第２駆動素子に連結される第３電極、前記第２および第３電極の間に位置する第２有機発光層を含む第２有機発光ダイオードを含み、前記第１有機発光ダイオードからの光は前記第１電極を通じて第１方向に放出され、前記第２有機発光ダイオードからの光は前記第３電極を通じて前記第１方向に反対の第２方向に放出される両面有機発光表示装置を提供する。

【0009】

本発明の両面有機発光表示装置において、第３方向に延びるゲート配線と；前記第３方向と交差する第４方向に延びる第１および第２データ配線をさらに含むことを特徴とする。

【0010】

本発明の両面有機発光表示装置において、前記第１駆動素子と前記第２駆動素子それぞれは前記第１有機発光ダイオードから前記第３方向に位置することを特徴とする。

【0011】

本発明の両面有機発光表示装置において、前記第１駆動素子と前記第２駆動素子それぞれは前記第１有機発光ダイオードから前記第４方向に位置することを特徴とする。

【0012】

本発明の両面有機発光表示装置において、前記第２電極に連結される低準位電圧配線と；前記第１駆動素子に連結される第１高準位電圧配線と；前記第２駆動素子に連結される第２高準位電圧配線をさらに含むことを特徴とする。

【0013】

本発明の両面有機発光表示装置において、前記低準位電圧配線、前記第１高準位電圧配線、前記第２高準位電圧配線それぞれは前記第３方向に沿って延びることを特徴とする。

【0014】

本発明の両面有機発光表示装置において、前記低準位電圧配線、前記第１高準位電圧配線、前記第２高準位電圧配線それぞれは前記第４方向に沿って延びることを特徴とする。

【0015】

本発明の両面有機発光表示装置において、前記第２有機発光ダイオードは前記低準位電圧配線、前記第１高準位電圧配線、前記第２高準位電圧配線それぞれと重なることを特徴とする。

【0016】

本発明の両面有機発光表示装置において、前記第２有機発光ダイオードは前記第１有機発光ダイオードより大きい面積を有することを特徴とする。

【0017】

本発明の両面有機発光表示装置において、前記第１有機発光層と前記第２有機発光層のうち少なくとも一つは溶液工程によって形成されることを特徴とする。

【0018】

本発明の両面有機発光表示装置において、前記第１有機発光層は溶液工程で形成され、前記第２有機発光層は蒸着工程によって形成されることを特徴とする。

【0019】

本発明の両面有機発光表示装置において、前記第１電極と前記第３電極それぞれは透明電極であり、前記第２電極は反射電極であることを特徴とする。

【0020】

本発明の両面有機発光表示装置において、前記第１有機発光ダイオードは正常構造を有し、前記第２有機発光ダイオードは逆構造を有することを特徴とする。

【0021】

本発明の両面有機発光表示装置において、前記第１有機発光層は、第１発光物質層、前記第１電極と前記第１発光物質層間に位置する第１正孔輸送層、前記第１発光物質層と前記第２電極の間に位置する第１電子輸送層を含み、前記第２有機発光層は、第２発光物質層、前記第２電極と前記２発光物質層間に位置する第２電子輸送層、前記第２発光物質層と前記第３電極の間に位置する第２正孔輸送層を含むことを特徴とする。

【0022】

本発明の両面有機発光表示装置において、前記第１有機発光層は第１波長範囲の光を放出し、前記第２有機発光層は第２波長範囲の光を放出し、前記第１波長範囲と前記第２波長範囲は同一であることを特徴とする。

【0023】

本発明の両面有機発光表示装置において、前記第１有機発光層は第１波長範囲の光を放出し、前記第２有機発光層は第２波長範囲の光を放出し、前記第１波長範囲と前記第２波長範囲はそれぞれ異なることを特徴とする。

【0024】

本発明の両面有機発光表示装置は、第１駆動素子に連結される第１電極、低準位電圧配線に連結される第２電極、第１および第２電極の間に位置する第１有機発光層を含む第１有機発光ダイオードと、第２電極を共有し第２駆動素子に連結される第３電極、第２および第３電極の間に位置する第２有機発光層を含む第２有機発光ダイオードを含む。したがって、第１有機発光ダイオードと第２有機発光ダイオードは独立的に駆動されて両面映像表示が具現される。

【0025】

また、第１および第２駆動素子による開口率の減少が第２方向（前面）に発光される第２有機発光ダイオードに反映されないので、第２有機発光ダイオードのエネルギー効率が改善されて寿命が増加する。

【0026】

したがって、本発明の両面有機発光表示装置は高い開口率および発光効率と向上した寿命を有して低電力駆動が可能である効果を有する。

【図面の簡単な説明】

【0027】

【図1】本発明の実施例に係る両面有機発光表示装置で一つの画素領域に対する概略的な回路図である。

【図2】本発明の第１実施例に係る両面有機発光表示装置で一つの画素領域に対する概略的な平面図である。

【図3】本発明の第２実施例に係る両面有機発光表示装置で一つの画素領域に対する概略的な平面図である。

【図4】本発明の第１実施例に係る両面有機発光表示装置で一つの画素領域構造に対する概略的な平面図である。

【図5】図４の切断線Ｉ－Ｉ’による断面図である。

【図6】有機発光ダイオードの概略的な断面図である。

【図7】本発明の第２実施例に係る両面有機発光表示装置で一つの画素領域構造に対する概略的な平面図である。

【図8】図７の切断線II－II’による断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0028】

本発明の利点および特徴、そしてそれらを達成する方法は添付される図面と共に詳細に後述されている実施例を参照すると明確になるであろう。しかし、本発明は以下で開示される実施例に限定されるものではなく互いに異なる多様な形態で具現され得、ただし本実施例は本発明の開示を完全なものとし、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に知らせるために提供されるものである。

【0029】

本発明の実施例を説明するための図面に開示された形状、大きさ、比率、角度、個数等は例示的なものであるので本発明は図示された事項に限定されるものではない。明細書全体に亘って同一の参照符号は同一の構成要素を指し示す。また、本発明を説明するにおいて、関連した公知技術に対する具体的な説明が本発明の要旨を不要に曖昧にさせ得る恐れがあると判断される場合、その詳細な説明は省略する。本明細書上で言及した「含む」、「有する」、「なる」等が使われる場合、「のみ」が使われない限り他の部分が追加され得る。構成要素を単数で表現した場合、特に明示的な記載事項がない限り複数を含む場合を含む。

【0030】

構成要素を解釈するにおいて、別途の明示的記載がなくても誤差範囲を含むものと解釈する。

【0031】

位置関係に対する説明の場合、例えば、「～上に」、「～上部に」、「～下部に」、「～横に」等で両部分の位置関係が説明される場合、「すぐに」または「直接」が使われない限り、両部分間に一つ以上の他の部分が位置してもよい。

【0032】

時間関係に対する説明の場合、例えば、「～後に」、「～に引き続き」、「～次に」、「～前に」等で時間的前後関係が説明される場合、「すぐに」または「直接」が使われない以上連続的ではない場合も含むことができる。

【0033】

第１、第２等が多様な構成要素を叙述するために使われるが、これらの構成要素はこれらの用語によって制限されない。これらの用語は単に一つの構成要素を他の構成要素と区別するために使うものである。したがって、以下で言及される第１構成要素は本発明の技術的思想内で第２構成要素であってもよい。

【0034】

本発明の多様な実施例のそれぞれ特徴が部分的にまたは全体的に互いに結合または組み合わせ可能で、技術的に多様な連動および駆動が可能であり、各実施例が互いに対して独立的に実施可能であってもよく、連関関係で共に実施してもよい。

【0035】

以下、本発明に係る好ましい実施例を図面を参照して説明する。

【0036】

図１は、本発明の実施例に係る両面有機発光表示装置で一つの画素領域に対する概略的な回路図である。

【0037】

図１に図示した通り、両面有機発光表示装置には、ゲート配線ＧＬ、第１データ配線ＤＬ１、第２データ配線ＤＬ２、低準位電圧配線Ｖｓｓ、第１高準位電圧配線Ｖｄｄ１、第２高準位電圧配線Ｖｄｄ２、第１スイッチング素子Ｔｓ１、第２スイッチング素子Ｔｓ、第１駆動素子Ｔｄ１、第２駆動素子Ｔｄ２、第１有機発光ダイオードＤ１、第２有機発光ダイオードＤ２が形成される。

【0038】

また、第１ストレージキャパシタＣｓｔ１と第２ストレージキャパシタＣｓｔ２がさらに形成され得る。

【0039】

ゲート配線ＧＬと第１データ配線ＤＬ１により画素が定義され、画素領域Ｐは赤色画素領域、緑色画素領域および青色画素領域を含むことができる。

【0040】

第１スイッチング素子Ｔｓ１はゲート配線ＧＬおよび第１データ配線ＤＬ１に連結され、第１駆動素子Ｔｄ１および第１ストレージキャパシタＣｓｔ１は第１スイッチング素子Ｔｓ１と第１高準位電圧配線Ｖｄｄ１の間に連結され、第１有機発光ダイオードＤ１は第１駆動素子Ｔｄ１および低準位電圧配線Ｖｓｓに連結される。

【0041】

第２スイッチング素子Ｔｓ２はゲート配線ＧＬおよび第２データ配線ＤＬ２に連結され、第２駆動素子Ｔｄ２および第２ストレージキャパシタＣｓｔ２は第２スイッチング素子Ｔｓ２と第２高準位電圧配線Ｖｄｄ２の間に連結され、第２有機発光ダイオードＤ２は第２駆動素子Ｔｄ２および低準位電圧配線Ｖｓｓに連結される。

【0042】

このような両面有機発光表示装置では、ゲート配線ＧＬに印加されたゲート信号により第１スイッチング薄膜トランジスタＴｓ１がターンオン（ｔｕｒｎ－ｏｎ）されると、第１データ配線ＤＬ１に印加された第１データ信号が第１スイッチング素子Ｔｓ１を通じて第１駆動素子Ｔｄ１のゲート電極と第１ストレージキャパシタＣｓｔ１の一電極に印加される。

【0043】

第１駆動素子Ｔｄ１はゲート電極に印加された第１データ信号によりターン－オンされ、その結果、第１データ信号に比例する電流が第１高準位電圧配線Ｖｄｄ１から第１駆動素子Ｔｄ１を通じて第１有機発光ダイオードＤ１に流れることになり、第１有機発光ダイオードＤ１は第１駆動素子Ｔｄ１を通じて流れる電流に比例する輝度で発光する。

【0044】

この時、第１ストレージキャパシタＣｓｔ１には第１データ信号に比例する電圧で充電されて、一フレーム（ｆｒａｍｅ）の間第１駆動素子Ｔｄ１のゲート電極の電圧が一定に維持されるようにする。

【0045】

また、ゲート配線ＧＬに印加されたゲート信号により第２スイッチング薄膜トランジスタＴｓ２がターンオン（ｔｕｒｎ－ｏｎ）されると、第２データ配線ＤＬ２に印加された第２データ信号が第２スイッチング素子Ｔｓ２を通じて第２駆動素子Ｔｄ２のゲート電極と第２ストレージキャパシタＣｓｔ２の一電極に印加される。

【0046】

第２駆動素子Ｔｄ２はゲート電極に印加された第２データ信号によりターン－オンされ、その結果、第２データ信号に比例する電流が第２高準位電圧配線Ｖｄｄ２から第２駆動素子Ｔｄ２を通じて第２有機発光ダイオードＤ２に流れることになり、第２有機発光ダイオードＤ２は第２駆動素子Ｔｄ２を通じて流れる電流に比例する輝度で発光する。

【0047】

この時、第２ストレージキャパシタＣｓｔ２には第２データ信号に比例する電圧で充電されて、一フレーム（ｆｒａｍｅ）の間第２駆動素子Ｔｄ２のゲート電極の電圧が一定に維持されるようにする。

【0048】

したがって、両面有機発光表示装置は望む映像を表示することができる。

【0049】

図２は、本発明の第１実施例に係る両面有機発光表示装置で一つの画素領域に対する概略的な平面図である。

【0050】

図２に図示された通り、両面有機発光表示装置で、ゲート配線ＧＬは第１方向（ｘ）に延び、第１データ配線ＤＬ１は第１方向（ｙ）と交差する第２方向（ｙ）に延びる。例えば、第１方向（ｘ）と第２方向（ｙ）は互いに垂直であり得る。

【0051】

両面有機発光表示装置には第１有機発光ダイオードＤ１の第１電極（下部電極、第１正極）に対応する第１開口部ｏｐ１と第１有機発光ダイオードＤ１と第２有機発光ダイオードＤ２が共有する第２電極（中間電極、負極）に対応する第２開口部ｏｐ２が形成される。第１開口部ｏｐ１は第１有機発光ダイオードＤ１の発光領域であり得、第２開口部ｏｐ２は第２有機発光ダイオードＤ２の発光領域であり得る。

【0052】

第２開口部ｏｐ２は第１開口部ｏｐ１と完全に重なり、第１開口部ｏｐ１より大きい面積を有する。すなわち、第１有機発光ダイオードＤ１は第１開口率を有し、第２有機発光ダイオードＤ２は第１開口率より大きい第２開口率を有する。

【0053】

また、両面有機発光表示装置は第１有機発光ダイオードＤ１を駆動するための第１画素駆動回路部ＰＤＣ１と第２有機発光ダイオードＤ２を駆動するための第２画素駆動回路部ＰＤＣ２が備えられ、第１および第２画素駆動回路部ＰＤＣ１、ＰＤＣ２は第１開口部ｏｐ１から第１方向（ｘ）に位置する。

【0054】

例えば、第１および第２画素駆動回路部ＰＤＣ１、ＰＤＣ２それぞれはスイッチング素子、駆動素子、ストレージキャパシタを含むことができる。

【0055】

すなわち、第１および第２画素駆動回路部ＰＤＣ１、ＰＤＣ２は第１開口部ｏｐ１と重ならずに第２開口部ｏｐ２と重なる。換言すると、第１有機発光ダイオードＤ１は第１および第２画素駆動回路部ＰＤＣ１、ＰＤＣ２と重ならず、第２有機発光ダイオードＤ２は第１および第２画素駆動回路部ＰＤＣ１、ＰＤＣ２と重なる。

【0056】

画素領域Ｐには第１領域と第２領域が定義され、第１および第２画素駆動回路部ＰＤＣ１、ＰＤＣ２は第１領域に位置し、第１有機発光ダイオードＤ１は第２領域に位置する。第１駆動素子Ｔｄ１を含む第１画素駆動回路部ＰＤＣ１と第２駆動素子Ｔｄ２を含む第２画素駆動回路部ＰＤＣ２は第１有機発光ダイオードＤ１から第１方向（ｘ）に位置する。一方、第２有機発光ダイオードＤ２は第１および第２領域に位置する。

【0057】

したがって、第２有機発光ダイオードＤ２の開口率が増加する。

【0058】

図３は、本発明の第２実施例に係る両面有機発光表示装置で一つの画素領域に対する概略的な平面図である。

【0059】

図３に図示された通り、両面有機発光表示装置で、ゲート配線ＧＬは第１方向（ｘ）に延び、第１データ配線ＤＬ１は第１方向（ｙ）と交差する第２方向（ｙ）に延びる。例えば、第１方向（ｘ）と第２方向（ｙ）は互いに垂直であり得る。

【0060】

【0061】

【0062】

また、両面有機発光表示装置は第１有機発光ダイオードＤ１を駆動するための第１画素駆動回路部ＰＤＣ１と第２有機発光ダイオードＤ２を駆動するための第２画素駆動回路部ＰＤＣ２が備えられ、第１および第２画素駆動回路部ＰＤＣ１、ＰＤＣ２は第１開口部ｏｐ１から第２方向（ｙ）に位置する。

【0063】

【0064】

画素領域Ｐには第１領域と第２領域が定義され、第１および第２画素駆動回路部ＰＤＣ１、ＰＤＣ２は第１領域に位置し、第１有機発光ダイオードＤ１は第２領域に位置する。第１駆動素子Ｔｄ１を含む第１画素駆動回路部ＰＤＣ１と第２駆動素子Ｔｄ２を含む第２画素駆動回路部ＰＤＣ２は第１有機発光ダイオードＤ１から第２方向（ｙ）に位置する。一方、第２有機発光ダイオードＤ２は第１および第２領域に位置する。

【0065】

したがって、第２有機発光ダイオードＤ２の開口率が増加する。

【0066】

図４は、本発明の第１実施例に係る両面有機発光表示装置で一つの画素領域構造に対する概略的な平面図である。

【0067】

図４に図示された通り、両面有機発光表示装置１００は、ゲート配線ＧＬ、低準位電圧配線Ｖｓｓ、第１高準位電圧配線Ｖｄｄ１、第２高準位電圧配線Ｖｄｄ２、第１データ配線ＤＬ１、第２データ配線ＤＬ２、第１駆動素子（図１のＴｄ１）、第２駆動素子（図１のＴｄ２）、第１有機発光ダイオードＤ１、第２有機発光ダイオードＤ２を含む。

【0068】

ゲート配線ＧＬは第１方向（ｘ）に沿って延び、第１データ配線ＤＬ１、第２データ配線ＤＬ２、低準位電圧配線Ｖｓｓ、第１高準位電圧配線Ｖｄｄ１、第２高準位電圧配線Ｖｄｄ２は第１方向（ｘ）と交差する第２方向（ｙ）に延びる。例えば、第２方向（ｙ）は第１方向（ｘ）に垂直であり得る。

【0069】

第１駆動素子Ｔｄ１は第１高準位電圧配線Ｖｄｄ１に連結され、第２駆動素子Ｔｄ２は第２高準位電圧配線Ｖｄｄ２に連結される。

【0070】

第１有機発光ダイオードＤ１は第１駆動素子Ｔｄ１と低準位電圧配線Ｖｓｓに連結され、第２有機発光ダイオードＤ２は第２駆動素子Ｔｄ２と低準位電圧配線Ｖｓｓに連結される。

【0071】

また、両面有機発光表示装置３００は、ゲート配線ＧＬ、第１データ配線ＤＬ、第１駆動素子Ｔｄ１に連結された第１スイッチング素子（図１のＴｓ１）と、ゲート配線ＧＬ、第２データ配線ＤＬ、第２駆動素子Ｔｄ２に連結された第２スイッチング素子（図１のＴｓ２）をさらに含むことができる。

【0072】

低準位電圧配線Ｖｓｓ、第１データ配線ＤＬ１、第１高準位電圧配線Ｖｄｄ１、第２データ配線ＤＬ２、第２高準位電圧配線Ｖｄｄ２は一定の間隔離隔して第１方向（ｘ）に沿って順次配列され得る。

【0073】

低準位電圧配線Ｖｓｓまたは第１データ配線ＤＬ１と第２高準位電圧配線Ｖｄｄ２はゲート配線ＧＬと交差して画素領域Ｐを定義し、第１スイッチング素子Ｔｓ１、第２スイッチング素子Ｔｓ２、第１駆動素子Ｔｄ１、第２駆動素子Ｔｄ２、第１有機発光ダイオードＤ１、第２有機発光ダイオードＤ２は各画素領域Ｐに配置される。

【0074】

第１有機発光ダイオードＤ１は正極である第１電極２１０、第１有機発光層、負極である第２電極２３０を含み、第２有機発光ダイオードＤ２は負極である第２電極２３０、第２有機発光層、正極である第３電極２５０を含む。すなわち、第２有機発光ダイオードＤ２は第１有機発光ダイオードＤ１と負極である第２電極２３０を共有して第１有機発光ダイオードＤ１上に位置する。

【0075】

第１有機発光ダイオードＤ１と第２有機発光ダイオードＤ２は負極である第２電極２３０を共有し、第１有機発光ダイオードＤ１は第１駆動素子Ｔｄ１により駆動され、第２有機発光ダイオードＤ２は第２駆動素子Ｔｄ２により駆動される。すなわち、第１有機発光ダイオードＤ１と第２有機発光ダイオードＤ２は独立的に駆動される。

【0076】

第１有機発光ダイオードＤ１は第１データ配線ＤＬ１と第１高準位電圧配線Ｖｄｄ１の間空間に位置し、第２有機発光ダイオードＤ２は第１有機発光ダイオードＤ１より大きい平面積を有する。例えば、第２有機発光ダイオードＤ２の一端は低準位電圧配線Ｖｓｓと重なり、他端は第２高準位電圧配線Ｖｄｄ２と重なり得る。

【0077】

すなわち、第１有機発光ダイオードＤ１はゲート配線ＧＬ、第１および第２データ配線ＤＬ１、ＤＬ２、低準位電圧配線Ｖｓｓ、第１および第２高準位電圧配線Ｖｄｄ１、Ｖｄｄ２と重ならず、第２有機発光ダイオードＤ２はゲート配線ＧＬ、第１および第２データ配線ＤＬ１、ＤＬ２、低準位電圧配線Ｖｓｓ、第１および第２高準位電圧配線Ｖｄｄ１、Ｖｄｄ２それぞれと重なり得る。

【0078】

第１有機発光ダイオードＤ１は第１方向（ｘ）と第２方向（ｙ）に対する第１法線方向に光を放出し、第２有機発光ダイオードＤ２は第１法線方向と反対である第２法線方向に光を放出する。

【0079】

したがって、本発明の両面有機発光表示装置１００は第１法線方向に第１映像が表示され第２法線方向に第２映像が表示される両面映像表示を具現することができる。

【0080】

図５は、図４の切断線Ｉ－Ｉ’による断面図である。

【0081】

図５に図示された通り、画素領域が定義された第１透明基板１１０上に、第１駆動素子Ｔｄ１、第２駆動素子Ｔｄ２、第１有機発光ダイオードＤ１、第２有機発光ダイオードＤ２が形成される。

【0082】

また、第２有機発光ダイオードＤ２を覆う保護層（ｐｒｏｔｅｃｔｉｏｎｌａｙｅｒ、１７０）、保護層１７０上のシール層１８０、シール層１８０上の第２透明基板１９０が第２有機発光ダイオードＤ２の上部に備えられ得る。

【0083】

第１および第２透明基板１１０、１９０それぞれはガラス基盤またはフレキシブル基板であり得る。例えば、フレキシブル基板は、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ；ＰＩ）基板、ポリエーテルスルホン（Ｐｏｌｙｅｔｈｅｒｓｕｌｆｏｎｅ；ＰＥＳ）基板、ポリエチレンナフタレート（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅｎａｐｈｔｈａｌａｔｅ；ＰＥＮ）基板、ポリエチレンテレフタレート（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅＴｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ；ＰＥＴ）基板およびポリカーボネート（ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ；ＰＣ）基板のうちいずれか一つであり得る。

【0084】

第１透明基板１１０上にバッファ層１１２が形成され、第１駆動素子Ｔｄ１と第２駆動素子Ｔｄ２がバッファ層１１２上に形成される。例えば、バッファ層１１２は窒化シリコンまたは窒化シリコンのような無機絶縁物質からなり得る。バッファ層１１２は省略され得、この場合、第１駆動素子Ｔｄ１と第２駆動素子Ｔｄ２は第１透明基板１１０上に形成され得る。

【0085】

バッファ層１１２上に第１半導体層１２０と第２半導体層１２２が形成される。例えば、第１半導体層１２０と第２半導体層１２２それぞれは酸化物半導体物質からなり得る。第１半導体層１２０と第２半導体層１２２それぞれが酸化物半導体物質からなる場合、第１半導体層１２０と第２半導体層１２２それぞれの下部に遮光パターン（図示せず）が形成され得る。遮光パターンは第１半導体層１２０と第２半導体層１２２に光が入射することを防止して第１半導体層１２０と第２半導体層１２２が光によって劣化することを防止する。

【0086】

これとは異なり、第１半導体層１２０と第２半導体層１２２それぞれは多結晶シリコンからなってもよく、この場合、第１半導体層１２０と第２半導体層１２２それぞれの両端に不純物がドーピングされ得る。

【0087】

第１半導体層１２０と第２半導体層１２２上に絶縁物質からなるゲート絶縁膜１２４が第１透明基板１１０の前面に形成される。ゲート絶縁膜１２４はシリコン酸化物（ＳｉＯｘ）またはシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）のような無機絶縁物質からなり得る。

【0088】

ゲート絶縁膜１２４上に金属のような導電性物質からなる第１ゲート電極１２６と第２ゲート電極１２８が形成される。第１ゲート電極１２６は第１半導体層１２０の中央に対応し、第２ゲート電極１２８は第２半導体層１２２の中央に対応する。

【0089】

また、ゲート絶縁膜１２４上にゲート配線ＧＬが形成される。

【0090】

図５でゲート絶縁膜１２４は第１透明基板１１０の前面に形成されているが、ゲート絶縁膜１２４は第１ゲート電極１２６および第２ゲート電極１２８それぞれと同じ形状でパターニングされてもよい。

【0091】

第１ゲート電極１２６と第２ゲート電極１２８上には絶縁物質からなる層間絶縁膜１３０が第１透明基板１１０の前面に形成される。層間絶縁膜１３０はシリコン酸化物またはシリコン窒化物のような無機絶縁物質で形成されるか、ベンゾシクロブテン（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）やフォトアクリル（ｐｈｏｔｏ－ａｃｒｙｌ）のような有機絶縁物質で形成され得る。

【0092】

層間絶縁膜１３０は第１半導体層１２０の両側上面を露出する第１および第２半導体層コンタクトホール１３２、１３４と第２半導体層１２２の両側上面を露出する第３および第４半導体層コンタクトホール１３６、１３８を有する。第１および第２半導体層コンタクトホール１３２、１３４は第１ゲート電極１２６の両側で第１ゲート電極１２６と離隔して位置し、第３および第４半導体層コンタクトホール１３６、１３８は第２ゲート電極１２８の両側で第２ゲート電極１２８と離隔して位置する。

【0093】

図５で、第１～第４半導体層コンタクトホール１３２、１３４、１３６、１３８は層間絶縁膜１３０とゲート絶縁膜１２４に形成されている。これとは異なり、ゲート絶縁膜１２４が第１および第２ゲート電極１２６、１２８それぞれと同じ形状でパターニングされる場合、第１～第４半導体層コンタクトホール１３２、１３４、１３６、１３８は層間絶縁膜１３０内にのみ形成され得る。

【0094】

層間絶縁膜１３０上に金属のような導電性物質からなる第１ソース電極１４２、第１ドレイン電極１４４、第２ソース電極１４６、第２ドレイン電極１４８が形成される。第１ソース電極１４２と第１ドレイン電極１４４は第１ゲート電極１２６を中心に離隔して位置し、それぞれ第１および第２半導体層コンタクトホール１３２、１３４を通じて第１半導体層１２０の両側と接触する。第２ソース電極１４６と第２ドレイン電極１４８は第２ゲート電極１２８を中心に離隔して位置し、それぞれ第３および第４半導体層コンタクトホール１３６、１３８を通じて第２半導体層１２２の両側と接触する。

【0095】

第１半導体層１２０、第１ゲート電極１２６、第１ソース電極１４２および第１ドレイン電極１４４は第１駆動素子Ｔｄ１をなし、第２半導体層１２２、第２ゲート電極１２８、第２ソース電極１４６および第２ドレイン電極１４８は第２駆動素子Ｔｄ２をなす。第１および第２駆動素子それぞれは薄膜トランジスタ（ｔｈｉｎｆｉｌｍｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、ＴＦＴ）であり得る。

【0096】

図５で、第１半導体層１２０の上部に第１ゲート電極１２６、第１ソース電極１４２および第１ドレイン電極１４４が位置し、第２半導体層１２２の上部に第２ゲート電極１２８、第２ソース電極１４６および第２ドレイン電極１４８が位置する。すなわち、第１駆動素子Ｔｄ１と第２駆動素子Ｔｄ２それぞれはコプラナー（ｃｏｐｌａｎａｒ）構造を有する。

【0097】

これとは異なり、第１駆動素子Ｔｄ１と第２駆動素子Ｔｄ２それぞれで、半導体層の下部にゲート電極が位置し、半導体層の上部にソース電極とドレイン電極が位置することができる。すなわち、第１駆動素子Ｔｄ１と第２駆動素子Ｔｄ２それぞれは逆スタガド（ｉｎｖｅｒｔｅｄｓｔａｇｇｅｒｅｄ）構造を有することができる。この場合、半導体層は非晶質シリコンからなり得る。

【0098】

また、層間絶縁膜１３０上には低準位電圧配線Ｖｓｓ、第１データ配線ＤＬ１、第１高準位電圧配線Ｖｄｄ１、第２データ配線ＤＬ２、第２高準位電圧配線Ｖｄｄ２が形成される。低準位電圧配線Ｖｓｓ、第１データ配線ＤＬ１、第１高準位電圧配線Ｖｄｄ１、第２データ配線ＤＬ２、第２高準位電圧配線Ｖｄｄ２それぞれは第１ソース電極１４２と同一物質からなり得る。

【0099】

第１高準位電圧配線Ｖｄｄ１は第１ソース電極１４２と連結される。例えば、第１ソース電極１４２は第１高準位電圧配線Ｖｄｄ１から延長され得る。第２高準位電圧配線Ｖｄｄ２は第２ソース電極１４６と連結される。例えば、第２ソース電極１４６は第２高準位電圧配線Ｖｄｄ２から延長され得る。

【0100】

画素領域Ｐそれぞれにはゲート配線ＧＬおよび第１データ配線ＤＬ１に連結される第１スイッチング素子Ｔｓ１とゲート配線および第２データ配線ＤＬ２に連結される第２スイッチング素子Ｔｓ２がさらに形成される。第１および第２スイッチング素子Ｔｓ１、Ｔｓ２それぞれは薄膜トランジスタであり得る。第１スイッチング素子Ｔｓ１は第１駆動素子Ｔｄ１に連結され、第２スイッチング素子Ｔｓ２は第２駆動素子Ｔｄ２に連結される。

【0101】

例えば、第１スイッチング素子Ｔｓ１は半導体層、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極を含み、ゲート電極はゲート配線ＧＬに連結され、ソース電極は第１データ配線ＤＬ１に連結され得る。また、ドレイン電極は第１駆動素子Ｔｄ１の第１ドレイン電極１４４に連結され得る。

【0102】

第２スイッチング素子Ｔｓ２は半導体層、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極を含み、ゲート電極はゲート配線ＧＬに連結され、ソース電極は第２データ配線ＤＬ２に連結され得る。また、ドレイン電極は第２駆動素子Ｔｄ２の第２ドレイン電極１４８に連結され得る。

【0103】

また、画素領域Ｐそれぞれには、一フレーム（ｆｒａｍｅ）の間第１駆動素子Ｔｄ１の第１ゲート電極１２６の電圧を一定に維持されるようにするための第１ストレージキャパシタＣｓｔ１と第２駆動素子Ｔｄ２の第２ゲート電極１２８の電圧を一定に維持されるようにするための第２ストレージキャパシタＣｓｔ２がさらに構成され得る。

【0104】

第１ソース電極１４２、第１ドレイン電極１４４、第２ソース電極１４６、第２ドレイン電極１４８、低準位電圧配線Ｖｓｓ、第１データ配線ＤＬ１、第１高準位電圧配線Ｖｄｄ１、第２データ配線ＤＬ２、第２高準位電圧配線Ｖｄｄ２上に平坦化層１５０が第１透明基板１１０の前面に形成される。平坦化層１５０は上面が平坦であり、第１駆動素子Ｔｄ１の第１ドレイン電極１４４を露出する第１ドレインコンタクトホール１５２を有する。

【0105】

平坦化層１５０上にそれぞれの画素領域Ｐ別に分離された第１電極２１０が形成される。第１電極２１０は第１ドレインコンタクトホール１５２を通じて第１駆動素子Ｔｄ１の第１ドレイン電極１４４に連結される。

【0106】

第１電極２１０は正極（ａｎｏｄｅ）であり得、仕事関数（ｗｏｒｋｆｕｎｃｔｉｏｎ）値が比較的大きい導電性物質、例えば透明導電性酸化物（ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅｏｘｉｄｅ；ＴＣＯ）からなり得る。具体的には、第１電極２１０はインジウム－スズ－酸化物（ｉｎｄｉｕｍ－ｔｉｎ－ｏｘｉｄｅ；ＩＴＯ）、インジウム－亜鉛－酸化物（ｉｎｄｉｕｍ－ｚｉｎｃ－ｏｘｉｄｅ；ＩＺＯ）、インジウム－スズ－亜鉛－酸化物（ｉｎｄｉｕｍ－ｔｉｎ－ｚｉｎｃｏｘｉｄｅ；ＩＴＺＯ）、スズ酸化物（ＳｎＯ）、亜鉛酸化物（ＺｎＯ）、インジウム－銅－酸化物（ｉｎｄｉｕｍ－ｃｏｐｐｅｒ－ｏｘｉｄｅ；ＩＣＯ）およびアルミニウム：酸化亜鉛（Ａｌ：ＺｎＯ；ＡＺＯ）の中の一つからなり得る。すなわち、第１電極２１０は透明電極である。

【0107】

第１電極２１０は画素領域Ｐより小さい面積を有する。例えば、第１電極２１０はゲート配線ＧＬ、第１データ配線ＤＬ１、第１高準位電圧配線Ｖｄｄ１により定義される領域内に位置することができる。

【0108】

平坦化層１５０上には第１電極２１０の縁を覆うバンク層１６０が形成される。バンク層１６０は第１厚さを有する第１バンク１６２と第１厚さより大きい第２厚さを有して第１バンク１６２上に位置する第２バンク１６４を含む。例えば、第１バンク１６２は第１透明基板１１０から第１高さを有し、第２バンク１６４は第１透明基板１１０から第１高さより大きい第２高さを有する。

【0109】

バンク層１６０は第１電極２１０に対応する第１開口部ｏｐ１と第１開口部ｏｐ１より大きい面積を有して画素領域Ｐに対応する第２開口部ｏｐ２を含む。すなわち、第１バンク１６２は第１電極２１０の中央を露出する第１開口部ｏｐ１を有し、第２バンク１６４は画素領域Ｐに対応する第２開口部ｏｐ２を有する。

【0110】

低準位電圧配線Ｖｓｓを露出する共通コンタクトホール１６６と第２駆動素子Ｔｄ２の第２ドレイン電極１４８を露出する第２ドレインコンタクトホール１６８がバンク層１６０、平坦化層１５０を通じて形成される。

【0111】

第１電極２１０上には第１有機発光層２２０が形成される。第１有機発光層２２０は第１発光物質層（ｅｍｉｔｔｉｎｇｍａｔｅｒｉａｌｌａｙｅｒ；ＥＭＬ）の単層構造を有することができる。これとは異なり、第１有機発光層２２０は正孔注入層（ｈｏｌｅｉｎｊｅｃｔｉｏｎｌａｙｅｒ；ＨＩＬ）、正孔輸送層（ｈｏｌｅｔｒａｎｓｐｏｒｔｌａｙｅｒ；ＨＴＬ）、電子遮断層（ｅｌｅｃｔｒｏｎｂｌｏｃｋｉｎｇｌａｙｅｒ；ＥＢＬ）、正孔遮断層（ｈｏｌｅｂｌｏｃｋｉｎｇｌａｙｅｒ；ＨＢＬ）、電子輸送層（ｅｌｅｃｔｒｏｎｔｒａｎｓｐｏｒｔｌａｙｅｒ；ＥＴＬ）、電子注入層（ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｎｊｅｃｔｉｏｎｌａｙｅｒ；ＥＩＬ）のうち少なくとも一つをさらに含んで多層構造を有することができる。

【0112】

これとは異なり、第１有機発光層２２０は互いに離隔した二以上の発光物質層を含むことができる。二以上の発光物質層は同一色の発光物質層であるか互いに異なる色の発光物質層であり得る。

【0113】

第１有機発光層２２０の少なくとも一部は溶液工程によって形成され得る。例えば、第１有機発光層２２０はインクジェット工程またはスピンコート工程によって形成され得る。これとは異なり、第１有機発光層２２０は蒸着工程によって形成され得る。図５で第１有機発光層２２０は溶液工程によって形成されており、第１有機発光層２２０は第１開口部ｏｐ１内に形成され、縁の厚さが中央の厚さより大きくてもよい。

【0114】

第１有機発光層２２０とバンク層１６０が形成された第１透明基板１１０の上部に第２電極２３０が形成される。第２電極２３０は共通コンタクトホール１６６を通じて低準位電圧配線Ｖｓｓに連結される。

【0115】

第２電極２３０は画素領域別に分離され得る。これとは異なり、第１画素領域の第２電極２３０は低準位電圧配線Ｖｓｓを挟んで隣接した第２画素領域の第２電極と一体に形成され得る。

【0116】

第２電極２３０は第１開口部ｏｐ１で第１有機発光層２２０上に位置し、第２開口部ｏｐ２で第１バンク１６２上に位置する。すなわち、第２電極２３０は第１電極２１０および第１有機発光層２２０より大きい面積を有する。第２電極２３０の面積は第２開口部ｏｐ２の面積と同じであってもよい。

【0117】

第２電極２３０は仕事関数値が比較的小さい導電性物質からなって負極（ｃａｔｈｏｄｅ）として利用され得る。例えば、第２電極２３０はアルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、銀（Ａｇ）、またはこれらの合金や組み合わせのような高伝導度、高反射特性を有する物質からなり得る。すなわち、第２電極２３０は反射電極である。

【0118】

すなわち、第１有機発光ダイオードＤ１は平坦化層１５０上に位置し、第１電極２１０と、第１電極２１０上に順次積層される第１有機発光層２２０および第２電極２３０を含む。第１有機発光ダイオードＤ１は赤色画素領域、緑色画素領域および青色画素領域それぞれに位置して赤色、緑色および青色光をそれぞれ発光することができる。これとは異なり、第１有機発光ダイオードＤ１は白色光を発光することができる。

【0119】

第２電極２３０上に第２有機発光層２４０が形成される。第２有機発光層２４０は第２電極２３０と実質的に同じ面積を有する。

【0120】

第１有機発光層２２０は第１波長範囲の光を放出し、第２有機発光層２４０は第１波長と同一または異なる第２波長範囲の光を放出することができる。例えば、第１波長範囲の光と第２波長範囲の光それぞれは赤色、緑色、青色光の中の一つであり得る。

【0121】

第２有機発光層２４０は第２発光物質層の単層構造を有することができる。これとは異なり、第２有機発光層２４０は正孔注入層、正孔輸送層、電子遮断層、正孔遮断層、電子輸送層、電子注入層のうち少なくとも一つをさらに含んで多層構造を有することができる。

【0122】

これとは異なり、第２有機発光層２４０は互いに離隔した二以上の発光物質層を含むことができる。二以上の発光物質層は同一色の発光物質層であるか互いに異なる色の発光物質層であり得る。

【0123】

第２有機発光層２４０の少なくとも一部は溶液工程によって形成され得る。例えば、第２有機発光層２４０はインクジェット工程またはスピンコート工程によって形成され得る。これとは異なり、第２有機発光層２４０は蒸着工程によって形成され得る。図５で第２有機発光層２４０は溶液工程によって形成されており、第２有機発光層２４０は第２開口部ｏｐ２内に形成され、縁の厚さが中央の厚さより大きくてもよい。

【0124】

第１有機発光層２２０は第１バンク１６２により囲まれた領域内に位置する反面、第２電極２３０と第２有機発光層２４０それぞれは第２バンク１６４により囲まれた領域内に位置する。

【0125】

一実施例において、第１有機発光層２２０は溶液工程によって形成され、第２有機発光層２４０は蒸着工程によって形成され得る。

【0126】

第２有機発光層２４０上に第３電極２５０が形成される。

【0127】

第３電極２５０はそれぞれの画素領域別に分離されて形成される。第３電極２５０は第２ドレインコンタクトホール１６８を通じて第２駆動素子Ｔｄ２の第２ドレイン電極１４８に連結される。

【0128】

第３電極２５０は正極（ａｎｏｄｅ）であり得、仕事関数（ｗｏｒｋｆｕｎｃｔｉｏｎ）値が比較的大きい導電性物質、例えば透明導電性酸化物（ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅｏｘｉｄｅ；ＴＣＯ）からなり得る。具体的には、第３電極２５０はインジウム－スズ－酸化物（ｉｎｄｉｕｍ－ｔｉｎ－ｏｘｉｄｅ；ＩＴＯ）、インジウム－亜鉛－酸化物（ｉｎｄｉｕｍ－ｚｉｎｃ－ｏｘｉｄｅ；ＩＺＯ）、インジウム－スズ－亜鉛－酸化物（ｉｎｄｉｕｍ－ｔｉｎ－ｚｉｎｃｏｘｉｄｅ；ＩＴＺＯ）、スズ酸化物（ＳｎＯ）、亜鉛酸化物（ＺｎＯ）、インジウム－銅－酸化物（ｉｎｄｉｕｍ－ｃｏｐｐｅｒ－ｏｘｉｄｅ；ＩＣＯ）およびアルミニウム：酸化亜鉛（Ａｌ：ＺｎＯ；ＡＺＯ）の中の一つからなり得る。すなわち、第３電極２５０は透明電極である。

【0129】

第３電極２５０は第２電極２３０および第２有機発光層２４０より大きい面積を有する。第３電極２５０は第２開口部より大きい面積を有して第２バンク１６４の上部面の一部を覆うことができる。

【0130】

第２有機発光ダイオードＤ２は第２電極２３０と、第２電極２３０上に順次積層される第２有機発光層２４０および第３電極２５０を含む。第２有機発光ダイオードＤ２は赤色画素領域、緑色画素領域および青色画素領域それぞれに位置して赤色、緑色および青色光をそれぞれ発光することができる。これとは異なり、第２有機発光ダイオードＤ２は白色光を発光することができる。

【0131】

第２有機発光ダイオードＤ２は第１有機発光ダイオードＤ１より大きい面積を有して第１および第２駆動素子Ｔｄ１、Ｔｄ２と重なり得る。したがって、第１および第２駆動素子Ｔｄ１、Ｔｄ２により第２有機発光ダイオードＤ２の開口率が減少しない。

【0132】

換言すると、第１駆動素子Ｔｄ１を含む第１画素駆動回路部ＰＤＣ１と第２駆動素子Ｔｄ２を含む第２画素駆動回路部ＰＤＣ２は画素領域Ｐの第１領域で第１透明基板１１０の上部に位置し、第１有機発光ダイオードＤ１は画素領域Ｐの第２領域で第１透明基板１１０の上部、例えば第１および第２画素駆動回路部ＰＤＣ１、ＰＤＣ２の上部に位置する。また、第２有機発光ダイオードＤ２は画素領域Ｐ２の第１および第２領域で第１有機発光ダイオードＤ１上に位置する。

【0133】

有機発光ダイオードの概略的な断面図である図６を参照すると、本発明の両面有機発光表示装置に含まれる有機発光ダイオードは、第２電極２３０を共有して積層された第１および第２有機発光ダイオードＤ１、Ｄ２を含む。

【0134】

第１有機発光ダイオードＤ１は第１電極（２１０、下部電極、第１正極）、第１電極２１０と対向する第２電極（２３０、中間電極、負極）、第１および第２電極２１０、２３０の間に位置する第１有機発光層２２０を含む。第１電極２１０からの正孔と第２電極２３０からの電子が第１有機発光層２２０で結合された後、第１有機発光層２２０から光が放出される。

【0135】

第１有機発光層２２０は、第１電極２１０と第２電極２３０の間に位置する第１発光物質層２２６を含む。

【0136】

また、第１有機発光層２２０は第１電極２１０と第１発光物質層２２６の間に位置する第１正孔輸送層２２４と、第１発光物質層２２６と第２電極２３０の間に位置する第１電子輸送層２２８をさらに含むことができる。

【0137】

また、第１有機発光層２２０は第１電極２１０と第１正孔輸送層２２４の間に位置する第１正孔注入層２２２をさらに含むことができる。

【0138】

すなわち、第１有機発光ダイオードＤ１は第１電極（２１０、第１正極）上に正孔注入層２２２、第１正孔輸送層２２４、第１発光物質層２２６、第１電子輸送層２２８、第２電極２３０が順次積層された構造を有することができる。第１有機発光ダイオードＤ１は正常（ｎｏｒｍａｌ）構造の有機発光ダイオードであり得る。

【0139】

第２有機発光ダイオードＤ２は第２電極２３０、第２電極２３０と対向する第３電極（２５０、上部電極、第２正極）、第２および第３電極２３０、２５０の間に位置する第２有機発光層２４０を含む。第２電極２３０からの電子と第３電極２５０からの正孔が第２有機発光層２４０で結合された後、第２有機発光層２４０から光が放出される。

【0140】

第２有機発光層２４０は、第２電極２３０と第３電極２５０の間に位置する第２発光物質層２４４を含む。

【0141】

また、第２有機発光層２４０は第２電極２３０と第２発光物質層２４４の間に位置する第２電子輸送層２４２と、第２発光物質層２４４と第３電極２５０の間に位置する第２正孔輸送層２４６をさらに含むことができる。

【0142】

また、第２有機発光層は第３電極２５０と第２正孔輸送層２４６の間に位置する第２正孔注入層２４８をさらに含むことができる。

【0143】

すなわち、第２有機発光ダイオードＤ２は第２電極（２３０、負極）上に第２電子輸送層２４２、第２発光物質層２４４、第２正孔輸送層２４６、第２正孔注入層２４８、第３電極２５０が順次積層された構造を有することができる。第２有機発光ダイオードＤ２は逆（ｉｎｖｅｒｔｅｄ）構造の有機発光ダイオードであり得る。

【0144】

再び図５を参照すると、第３電極２５０上に保護層１７０が形成される。例えば、保護層１７０は無機絶縁物質からなり得る。

【0145】

また、保護層１７０上にシール層１８０が形成される。シール層１８０は有機絶縁物質からなり得る。

【0146】

保護層１７０とシール層１８０により外部の水分が第１および第２有機発光ダイオードＤ１、Ｄ２に浸透することが防止され得る。

【0147】

シール層１８０上に第２透明基板１９０が配置される。例えば、シール層１８０は接着特性を有してシール層１８０により第２透明基板１９０が保護層１７０に付着され得る。

【0148】

両面有機発光表示装置１００は赤色、緑色および青色画素領域に対応するカラーフィルタ層（図示されず）を含むことができる。カラーフィルタ層は、赤色画素領域、緑色画素領域、青色画素領域それぞれに対応して赤色カラーフィルタ、緑色カラーフィルタ、青色カラーフィルタを含むことができる。両面有機発光表示装置１００がカラーフィルタ層を含む場合、有機発光表示装置１００の色純度が向上し得る。また、第１および第２有機発光ダイオードＤ１、Ｄ２それぞれが白色有機発光ダイオードである場合、カラーフィルタ層によってフルカラー映像が具現され得る。

【0149】

例えば、第１透明基板１１０と第１有機発光ダイオードＤ１の間に第１カラーフィルタ層が位置することができ、第２有機発光ダイオードＤ２と第２透明基板１９０の間に第２カラーフィルタ層が位置することができる。

【0150】

両面有機発光表示装置１００は外部光の反射を減らすための偏光板（図示されず）をさらに含むことができる。偏光板は円形偏光板であり得る。例えば、第１透明基板１１０の外側に第１偏光板が位置することができ、第２透明基板１９０の外側に第２偏光板が位置することができる。

【0151】

前述した通り、本発明の両面有機発光表示装置１００で、第１有機発光ダイオードＤ１と第２有機発光ダイオードＤ２は負極である第２電極２３０を共有して独立的に駆動される。第１有機発光ダイオードＤ１では第１電極２１０を通じて第１映像が表示され、第２有機発光ダイオードＤ２では第３電極２５０を通じて第２映像が表示される。

【0152】

また、第２有機発光ダイオードＤ２は相対的に大きい開口部を有し、第２有機発光ダイオードＤ２のエネルギー効率と寿命が向上する。

【0153】

また、負極である第２電極２３０を伝導度が優秀で反射率が高い金属物質で形成できるため、両面有機発光表示装置１００の発光効率（輝度）が向上する。

【0154】

図７は、本発明の第２実施例に係る両面有機発光表示装置で一つの画素領域構造に対する概略的な平面図である。

【0155】

図７に図示された通り、両面有機発光表示装置３００は、ゲート配線ＧＬ、低準位電圧配線Ｖｓｓ、第１高準位電圧配線Ｖｄｄ１、第２高準位電圧配線Ｖｄｄ２、第１データ配線ＤＬ１、第２データ配線ＤＬ２、第１駆動素子（図１のＴｄ１）、第２駆動素子（図１のＴｄ２）、第１有機発光ダイオードＤ１、第２有機発光ダイオードＤ２を含む。

【0156】

ゲート配線ＧＬ、低準位電圧配線Ｖｓｓ、第１高準位電圧配線Ｖｄｄ１、第２高準位電圧配線Ｖｄｄ２は第１方向（ｘ）に沿って延び、第１データ配線ＤＬ１、第２データ配線ＤＬ２は第１方向（ｘ）と交差する第２方向（ｙ）に延びる。例えば、第２方向（ｙ）は第１方向（ｘ）に垂直であり得る。

【0157】

第１駆動素子Ｔｄ１は第１高準位電圧配線Ｖｄｄ１に連結され、第２駆動素子Ｔｄ２は第２高準位電圧配線Ｖｄｄ２に連結される。

【0158】

【0159】

【0160】

ゲート配線ＧＬ、第２高準位電圧配線Ｖｄｄ２、第１高準位電圧配線Ｖｄｄ１、低準位電圧配線Ｖｓｓは一定の間隔離隔して第２方向（ｙ）に沿って順次配列され得る。第１データ配線ＤＬ１、第２データ配線ＤＬ２は一定の間隔離隔して第１方向（ｘ）に沿って順次配列され得る。

【0161】

第１データ配線ＤＬ１と第２データ配線ＤＬ２はゲート配線ＧＬと交差して画素領域Ｐを定義し、第１スイッチング素子Ｔｓ１、第２スイッチング素子Ｔｓ２、第１駆動素子Ｔｄ１、第２駆動素子Ｔｄ２、第１有機発光ダイオードＤ１、第２有機発光ダイオードＤ２は各画素領域Ｐに配置される。

【0162】

第１有機発光ダイオードＤ１は正極である第１電極４１０、第１有機発光層、負極である第２電極４３０を含み、第２有機発光ダイオードＤ２は負極である第２電極４３０、第２有機発光層、正極である第３電極４５０を含む。すなわち、第２有機発光ダイオードＤ２は第１有機発光ダイオードＤ１と負極である第２電極４３０を共有して第１有機発光ダイオードＤ１上に位置する。

【0163】

第１有機発光ダイオードＤ１と第２有機発光ダイオードＤ２は負極である第２電極４３０を共有し、第１有機発光ダイオードＤ１は第１駆動素子Ｔｄ１により駆動され、第２有機発光ダイオードＤ２は第２駆動素子Ｔｄ２により駆動される。すなわち、第１有機発光ダイオードＤ１と第２有機発光ダイオードＤ２は独立的に駆動される。

【0164】

第１有機発光ダイオードＤ１は第１データ配線ＤＬ１、第２データ配線ＤＬ２、低準位電圧配線Ｖｓｓ、第１高準位電圧配線Ｖｄｄ１により囲まれた領域に位置し、第２有機発光ダイオードＤ２は第１有機発光ダイオードＤ１より大きい平面積を有する。例えば、第２有機発光ダイオードＤ２の一端は低準位電圧配線Ｖｓｓと重なり、他端は第２高準位電圧配線Ｖｄｄ２を越えて位置することができる。例えば、第２有機発光ダイオードＤ２の他端はゲート配線ＧＬと重なり得る。

【0165】

【0166】

【0167】

【0168】

図８は、図７の切断線II－II’による断面図である。

【0169】

図８に図示された通り、画素領域が定義された第１透明基板３１０上に、第１駆動素子Ｔｄ１、第２駆動素子Ｔｄ２、第１有機発光ダイオードＤ１、第２有機発光ダイオードＤ２が形成される。

【0170】

また、第２有機発光ダイオードＤ２を覆う保護層３７０、保護層３７０上のシール層３８０、シール層３８０上の第２透明基板３９０が第２有機発光ダイオードＤ２の上部に備えられ得る。

【0171】

第１および第２透明基板３１０、３９０それぞれはガラス基盤またはフレキシブル基板であり得る。例えば、フレキシブル基板は、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ；ＰＩ）基板、ポリエーテルスルホン（Ｐｏｌｙｅｔｈｅｒｓｕｌｆｏｎｅ；ＰＥＳ）基板、ポリエチレンナフタレート（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅｎａｐｈｔｈａｌａｔｅ；ＰＥＮ）基板、ポリエチレンテレフタレート（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅＴｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ；ＰＥＴ）基板およびポリカーボネート（ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ；ＰＣ）基板のうちいずれか一つであり得る。

【0172】

第１透明基板３１０上にバッファ層３１２が形成され、第１駆動素子Ｔｄ１と第２駆動素子Ｔｄ２がバッファ層３１２上に形成される。例えば、バッファ層３１２は窒化シリコンまたは窒化シリコンのような無機絶縁物質からなり得る。バッファ層３１２は省略され得、この場合、第１駆動素子Ｔｄ１と第２駆動素子Ｔｄ２は第１透明基板３１０上に形成され得る。

【0173】

バッファ層３１２上に第１半導体層３２０と第２半導体層３２２が形成される。例えば、第１半導体層３２０と第２半導体層３２２それぞれは酸化物半導体物質からなり得る。第１半導体層３２０と第２半導体層３２２それぞれが酸化物半導体物質からなる場合、第１半導体層３２０と第２半導体層３２２それぞれの下部に遮光パターン（図示せず）が形成され得る。遮光パターンは第１半導体層３２０と第２半導体層３２２に光が入射することを防止して第１半導体層３２０と第２半導体層３２２が光によって劣化することを防止する。

【0174】

これとは異なり、第１半導体層３２０と第２半導体層３２２それぞれは多結晶シリコンからなってもよく、この場合、第１半導体層３２０と第２半導体層３２２それぞれの両端に不純物がドーピングされ得る。

【0175】

第１半導体層３２０と第２半導体層３２２上に絶縁物質からなるゲート絶縁膜３２４が第１透明基板３１０の前面に形成される。ゲート絶縁膜３２４はシリコン酸化物（ＳｉＯｘ）またはシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）のような無機絶縁物質からなり得る。

【0176】

ゲート絶縁膜３２４上に金属のような導電性物質からなる第１ゲート電極３２６と第２ゲート電極３２８が形成される。第１ゲート電極３２６は第１半導体層３２０の中央に対応し、第２ゲート電極３２８は第２半導体層３２２の中央に対応する。

【0177】

また、ゲート絶縁膜３２４上にゲート配線ＧＬ、低準位電圧配線Ｖｓｓ、第１高準位電圧配線Ｖｄｄ１、第２高準位電圧配線Ｖｄｄ２が形成される。例えば、第１高準位電圧配線Ｖｄｄ１と第２高準位電圧配線Ｖｄｄ２は第１ゲート電極３２６と第２ゲート電極３２８の間に位置することができる。

【0178】

例えば、第１ゲート電極３２６、第２ゲート電極３２８、ゲート配線ＧＬ、低準位電圧配線Ｖｓｓ、第１高準位電圧配線Ｖｄｄ１、第２高準位電圧配線Ｖｄｄ２は同一物質からなり得る。

【0179】

図８でゲート絶縁膜３２４は第１透明基板３１０の前面に形成されているが、ゲート絶縁膜３２４は第１ゲート電極３２６および第２ゲート電極３２８それぞれと同じ形状でパターニングされてもよい。

【0180】

第１ゲート電極３２６、第２ゲート電極３２８、ゲート配線ＧＬ、低準位電圧配線Ｖｓｓ、第１高準位電圧配線Ｖｄｄ１、第２高準位電圧配線Ｖｄｄ２上には絶縁物質からなる層間絶縁膜３３０が第１透明基板３１０の前面に形成される。層間絶縁膜３３０はシリコン酸化物またはシリコン窒化物のような無機絶縁物質で形成されるか、ベンゾシクロブテン（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）やフォトアクリル（ｐｈｏｔｏ－ａｃｒｙｌ）のような有機絶縁物質で形成され得る。

【0181】

層間絶縁膜３３０は第１半導体層３２０の両側上面を露出する第１および第２半導体層コンタクトホール３３２、３３４と第２半導体層３２２の両側上面を露出する第３および第４半導体層コンタクトホール３３６、３３８を有する。第１および第２半導体層コンタクトホール３３２、３３４は第１ゲート電極３２６の両側で第１ゲート電極３２６と離隔して位置し、第３および第４半導体層コンタクトホール３３６、３３８は第２ゲート電極３２８の両側で第２ゲート電極３２８と離隔して位置する。

【0182】

図８で、第１～第４半導体層コンタクトホール３３２、３３４、３３６、３３８は層間絶縁膜３３０とゲート絶縁膜３２４に形成されている。これとは異なり、ゲート絶縁膜３２４が第１および第２ゲート電極３２６、３２８それぞれと同じ形状でパターニングされる場合、第１～第４半導体層コンタクトホール３３２、３３４、３３６、３３８は層間絶縁膜３３０内にのみ形成され得る。

【0183】

層間絶縁膜３３０上に金属のような導電性物質からなる第１ソース電極３４２、第１ドレイン電極３４４、第２ソース電極３４６、第２ドレイン電極３４８が形成される。第１ソース電極３４２と第１ドレイン電極３４４は第１ゲート電極３２６を中心に離隔して位置し、それぞれ第１および第２半導体層コンタクトホール３３２、３３４を通じて第１半導体層３２０の両側と接触する。第２ソース電極３４６と第２ドレイン電極３４８は第２ゲート電極３２８を中心に離隔して位置し、それぞれ第３および第４半導体層コンタクトホール３３６、３３８を通じて第２半導体層３２２の両側と接触する。

【0184】

第１半導体層３２０、第１ゲート電極３２６、第１ソース電極３４２および第１ドレイン電極３４４は第１駆動素子Ｔｄ１をなし、第２半導体層３２２、第２ゲート電極３２８、第２ソース電極３４６および第２ドレイン電極３４８は第２駆動素子Ｔｄ２をなす。第１および第２駆動素子それぞれは薄膜トランジスタ（ｔｈｉｎｆｉｌｍｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、ＴＦＴ）であり得る。

【0185】

図８で、第１半導体層３２０の上部に第１ゲート電極３２６、第１ソース電極３４２および第１ドレイン電極３４４が位置し、第２半導体層３２２の上部に第２ゲート電極３２８、第２ソース電極３４６および第２ドレイン電極３４８が位置する。すなわち、第１駆動素子Ｔｄ１と第２駆動素子Ｔｄ２それぞれはコプラナー（ｃｏｐｌａｎａｒ）構造を有する。

【0186】

【0187】

また、層間絶縁膜３３０上には第１データ配線ＤＬ１、第２データ配線ＤＬ２が形成される。第１データ配線ＤＬ１、第２データ配線ＤＬ２それぞれは第１ソース電極３４２と同一物質からなり得る。

【0188】

第１高準位電圧配線Ｖｄｄ１は第１ソース電極３４２と連結される。例えば、層間絶縁膜３３０には第１高準位電圧配線Ｖｄｄ１を露出する第１コンタクトホールが形成され、第１ソース電極３４２は第１コンタクトホールを通じて第１高準位電圧配線Ｖｄｄ１に連結され得る。第２高準位電圧配線Ｖｄｄ２は第２ソース電極３４６と連結される。例えば、層間絶縁膜３３０には第２高準位電圧配線Ｖｄｄ２を露出する第２コンタクトホールが形成され、第２ソース電極３４６は第２コンタクトホールを通じて第２高準位電圧配線Ｖｄｄ２に連結され得る。

【0189】

【0190】

例えば、第１スイッチング素子Ｔｓ１は半導体層、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極を含み、ゲート電極はゲート配線ＧＬに連結され、ソース電極は第１データ配線ＤＬ１に連結され得る。また、ドレイン電極は第１駆動素子Ｔｄ１の第１ドレイン電極３４４に連結され得る。

【0191】

第２スイッチング素子Ｔｓ２は半導体層、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極を含み、ゲート電極はゲート配線ＧＬに連結され、ソース電極は第２データ配線ＤＬ２に連結され得る。また、ドレイン電極は第２駆動素子Ｔｄ２の第２ドレイン電極３４８に連結され得る。

【0192】

また、画素領域Ｐそれぞれには、一フレーム（ｆｒａｍｅ）の間第１駆動素子Ｔｄ１の第１ゲート電極３２６の電圧を一定に維持されるようにするための第１ストレージキャパシタＣｓｔ１と第２駆動素子Ｔｄ２の第２ゲート電極３２８の電圧を一定に維持されるようにするための第２ストレージキャパシタＣｓｔ２がさらに構成され得る。

【0193】

第１ソース電極３４２、第１ドレイン電極３４４、第２ソース電極３４６、第２ドレイン電極３４８、第１データ配線ＤＬ１、第２データ配線ＤＬ２上に平坦化層３５０が第１透明基板３１０の前面に形成される。平坦化層３５０は上面が平坦であり、第１駆動素子Ｔｄ１の第１ドレイン電極３４４を露出する第１ドレインコンタクトホール３５２を有する。

【0194】

平坦化層３５０上にそれぞれの画素領域Ｐ別に分離された第１電極４１０が形成される。第１電極４１０は第１ドレインコンタクトホール３５２を通じて第１駆動素子Ｔｄ１の第１ドレイン電極３４４に連結される。

【0195】

第１電極４１０は正極（ａｎｏｄｅ）であり得、仕事関数（ｗｏｒｋｆｕｎｃｔｉｏｎ）値が比較的大きい導電性物質、例えば透明導電性酸化物（ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅｏｘｉｄｅ；ＴＣＯ）からなり得る。具体的には、第１電極４１０はインジウム－スズ－酸化物（ｉｎｄｉｕｍ－ｔｉｎ－ｏｘｉｄｅ；ＩＴＯ）、インジウム－亜鉛－酸化物（ｉｎｄｉｕｍ－ｚｉｎｃ－ｏｘｉｄｅ；ＩＺＯ）、インジウム－スズ－亜鉛－酸化物（ｉｎｄｉｕｍ－ｔｉｎ－ｚｉｎｃｏｘｉｄｅ；ＩＴＺＯ）、スズ酸化物（ＳｎＯ）、亜鉛酸化物（ＺｎＯ）、インジウム－銅－酸化物（ｉｎｄｉｕｍ－ｃｏｐｐｅｒ－ｏｘｉｄｅ；ＩＣＯ）およびアルミニウム：酸化亜鉛（Ａｌ：ＺｎＯ；ＡＺＯ）の中の一つからなり得る。すなわち、第１電極４１０は透明電極である。

【0196】

第１電極４１０は画素領域Ｐより小さい面積を有する。例えば、第１電極４１０は第１データ配線ＤＬ１、第２データ配線ＤＬ２、低準位電圧配線Ｖｓｓ、第１高準位電圧配線Ｖｄｄ１により定義される領域内に位置することができる。

【0197】

平坦化層３５０上には第１電極４１０の縁を覆うバンク層３６０が形成される。バンク層３６０は第１厚さを有する第１バンク３６２と第１厚さより大きい第２厚さを有する第２バンク３６４を含む。例えば、第１バンク３６２は第１透明基板３１０から第１高さを有し、第２バンク３６４は第１透明基板３１０から第１高さより大きい第２高さを有する。

【0198】

バンク層３６０は第１電極４１０に対応する第１開口部ｏｐ１と第１開口部ｏｐ１より大きい面積を有して画素領域Ｐに対応する第２開口部ｏｐ２を含む。すなわち、第１バンク３６２は第１電極４１０の中央を露出する第１開口部ｏｐ１を有し、第２バンク３６４は画素領域Ｐに対応する第２開口部ｏｐ２を有する。

【0199】

低準位電圧配線Ｖｓｓを露出する共通コンタクトホール３６６と第２駆動素子Ｔｄ２の第２ドレイン電極３４８を露出する第２ドレインコンタクトホール３６８がバンク層３６０、平坦化層３５０、層間絶縁膜３３０を通じて形成される。

【0200】

第１電極４１０上には第１有機発光層４２０が形成される。第１有機発光層４２０は第１発光物質層の単層構造を有することができる。これとは異なり、第１有機発光層４２０は正孔注入層、正孔輸送層、電子遮断層、正孔遮断層、電子輸送層、電子注入層のうち少なくとも一つをさらに含んで多層構造を有することができる。

【0201】

これとは異なり、第１有機発光層４２０は互いに離隔した二以上の発光物質層を含むことができる。二以上の発光物質層は同一色の発光物質層であるか互いに異なる色の発光物質層であり得る。

【0202】

第１有機発光層４２０の少なくとも一部は溶液工程によって形成され得る。例えば、第１有機発光層４２０はインクジェット工程またはスピンコート工程によって形成され得る。これとは異なり、第１有機発光層４２０は蒸着工程によって形成され得る。図８で第１有機発光層４２０は蒸着工程によって形成されており、第１有機発光層４２０の縁が第１バンク３６２の上面の一部を覆う。

【0203】

第１有機発光層４２０とバンク層３６０が形成された第１透明基板３１０の上部に第２電極４３０が形成される。第２電極４３０は共通コンタクトホール３６６を通じて低準位電圧配線Ｖｓｓに連結される。

【0204】

第２電極４３０は画素領域別に分離され得る。これとは異なり、第１画素領域の第２電極４３０は低準位電圧配線Ｖｓｓを挟んで隣接した第２画素領域の第２電極と一体に形成され得る。

【0205】

第２電極４３０は第１開口部ｏｐ１で第１有機発光層４２０上に位置し、第２開口部ｏｐ２で第１バンク３６２上に位置する。すなわち、第２電極４３０は第１電極４１０および第１有機発光層４２０より大きい面積を有する。第２電極４３０の面積は第２開口部ｏｐ２の面積と同じであってもよい。

【0206】

第２電極４３０は仕事関数値が比較的小さい導電性物質からなって負極（ｃａｔｈｏｄｅ）として利用され得る。例えば、第２電極４３０はアルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、銀（Ａｇ）、またはこれらの合金や組み合わせのような高伝導度、高反射特性を有する物質からなり得る。すなわち、第２電極４３０は反射電極である。

【0207】

すなわち、第１有機発光ダイオードＤ１は平坦化層３５０上に位置し、第１電極４１０と、第１電極４１０上に順次積層される第１有機発光層４２０および第２電極４３０を含む。第１有機発光ダイオードＤ１は赤色画素領域、緑色画素領域および青色画素領域それぞれに位置して赤色、緑色および青色光をそれぞれ発光することができる。これとは異なり、第１有機発光ダイオードＤ１は白色光を発光することができる。

【0208】

第２電極４３０上に第２有機発光層４４０が形成される。第２有機発光層４４０は第２電極４３０と実質的に同じ面積を有する。第２電極４３０の縁は第２有機発光層４４０により覆われ得る。

【0209】

第１有機発光層４２０は第１波長範囲の光を放出し、第２有機発光層４４０は第１波長と同一または異なる第２波長範囲の光を放出することができる。例えば、第１波長範囲の光と第２波長範囲の光それぞれは赤色、緑色、青色光の中の一つであり得る。

【0210】

第２有機発光層４４０は第２発光物質層の単層構造を有することができる。これとは異なり、第２有機発光層４４０は正孔注入層、正孔輸送層、電子遮断層、正孔遮断層、電子輸送層、電子注入層のうち少なくとも一つをさらに含んで多層構造を有することができる。

【0211】

これとは異なり、第２有機発光層４４０は互いに離隔した二以上の発光物質層を含むことができる。二以上の発光物質層は同一色の発光物質層であるか互いに異なる色の発光物質層であり得る。

【0212】

第２有機発光層４４０の少なくとも一部は溶液工程によって形成され得る。例えば、第２有機発光層４４０はインクジェット工程またはスピンコート工程によって形成され得る。これとは異なり、第２有機発光層４４０は蒸着工程によって形成され得る。図８で第２有機発光層４４０は蒸着工程によって形成されており、第２有機発光層４４０の縁が第２バンク３６４上で第２電極４３０の縁を覆う。

【0213】

第２有機発光層４４０上に第３電極４５０が形成される。

【0214】

第３電極４５０はそれぞれの画素領域別に分離されて形成される。第３電極４５０は第２ドレインコンタクトホール３６８を通じて第２駆動素子Ｔｄ２の第２ドレイン電極３４８に連結される。

【0215】

第３電極４５０は正極（ａｎｏｄｅ）であり得、仕事関数（ｗｏｒｋｆｕｎｃｔｉｏｎ）値が比較的大きい導電性物質、例えば透明導電性酸化物（ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅｏｘｉｄｅ；ＴＣＯ）からなり得る。具体的には、第３電極４５０はインジウム－スズ－酸化物（ｉｎｄｉｕｍ－ｔｉｎ－ｏｘｉｄｅ；ＩＴＯ）、インジウム－亜鉛－酸化物（ｉｎｄｉｕｍ－ｚｉｎｃ－ｏｘｉｄｅ；ＩＺＯ）、インジウム－スズ－亜鉛－酸化物（ｉｎｄｉｕｍ－ｔｉｎ－ｚｉｎｃｏｘｉｄｅ；ＩＴＺＯ）、スズ酸化物（ＳｎＯ）、亜鉛酸化物（ＺｎＯ）、インジウム－銅－酸化物（ｉｎｄｉｕｍ－ｃｏｐｐｅｒ－ｏｘｉｄｅ；ＩＣＯ）およびアルミニウム：酸化亜鉛（Ａｌ：ＺｎＯ；ＡＺＯ）の中の一つからなり得る。すなわち、第３電極４５０は透明電極である。

【0216】

第３電極４５０は第２電極４３０および第２有機発光層４４０より大きい面積を有する。第３電極４５０は第２開口部より大きい面積を有して第２バンク３６４の上部面の一部を覆うことができる。

【0217】

第２有機発光ダイオードＤ２は第２電極４３０と、第２電極４３０上に順次積層される第２有機発光層４４０および第３電極４５０を含む。第２有機発光ダイオードＤ２は赤色画素領域、緑色画素領域および青色画素領域それぞれに位置して赤色、緑色および青色光をそれぞれ発光することができる。これとは異なり、第２有機発光ダイオードＤ２は白色光を発光することができる。

【0218】

【0219】

換言すると、第１駆動素子Ｔｄ１を含む第１画素駆動回路部ＰＤＣ１と第２駆動素子Ｔｄ２を含む第２画素駆動回路部ＰＤＣ２は画素領域Ｐの第１領域で第１透明基板３１０の上部に位置し、第１有機発光ダイオードＤ１は画素領域Ｐの第２領域で第１透明基板３１０の上部、例えば第１および第２画素駆動回路部ＰＤＣ１、ＰＤＣ２の上部に位置する。また、第２有機発光ダイオードＤ２は画素領域Ｐ２の第１および第２領域で第１有機発光ダイオードＤ１上に位置する。

【0220】

図６を参照すると、第１有機発光ダイオードＤ１の第１有機発光層４２０は正孔注入層２２２、第１正孔輸送層２２４、第１発光物質層２２６、第１電子輸送層２２８、第２電極２３０が順次積層された構造を有することができ、第２有機発光ダイオードＤ２の第２有機発光層４４０は第２電子輸送層２４２、第２発光物質層２４４、第２正孔輸送層２４６、第２正孔注入層２４８が順次積層された構造を有することができる。

【0221】

再び図８を参照すると、第３電極４５０上に保護層３７０が形成される。例えば、保護層３７０は無機絶縁物質からなり得る。

【0222】

また、保護層３７０上にシール層３８０が形成される。シール層３８０は有機絶縁物質からなり得る。

【0223】

保護層３７０とシール層３８０により外部の水分が第１および第２有機発光ダイオードＤ１、Ｄ２に浸透することが防止され得る。

【0224】

シール層３８０上に第２透明基板３９０が配置される。例えば、シール層３８０は接着特性を有してシール層３８０により第２透明基板３９０が保護層３７０に付着され得る。

【0225】

両面有機発光表示装置３００は赤色、緑色および青色画素領域に対応するカラーフィルタ層（図示されず）を含むことができる。カラーフィルタ層は、赤色画素領域、緑色画素領域、青色画素領域それぞれに対応して赤色カラーフィルタ、緑色カラーフィルタ、青色カラーフィルタを含むことができる。両面有機発光表示装置３００がカラーフィルタ層を含む場合、有機発光表示装置３００の色純度が向上し得る。また、第１および第２有機発光ダイオードＤ１、Ｄ２それぞれが白色有機発光ダイオードである場合、カラーフィルタ層によってフルカラー映像が具現され得る。

【0226】

例えば、第１透明基板３１０と第１有機発光ダイオードＤ１の間に第１カラーフィルタ層が位置することができ、第２有機発光ダイオードＤ２と第２透明基板３９０の間に第２カラーフィルタ層が位置することができる。

【0227】

両面有機発光表示装置３００は外部光の反射を減らすための偏光板（図示されず）をさらに含むことができる。偏光板は円形偏光板であり得る。例えば、第１透明基板３１０の外側に第１偏光板が位置することができ、第２透明基板３９０外側に第２偏光板が位置することができる。

【0228】

前述した通り、本発明の両面有機発光表示装置３００で、第１有機発光ダイオードＤ１と第２有機発光ダイオードＤ２は負極である第２電極４３０を共有して独立的に駆動される。第１有機発光ダイオードＤ１では第１電極４１０を通じて第１映像が表示され、第２有機発光ダイオードＤ２では第３電極４５０を通じて第２映像が表示される。

【0229】

また、第２有機発光ダイオードＤ２は相対的に大きい開口部を有し、第２有機発光ダイオードＤ２のエネルギー効率と寿命が向上する。

【0230】

また、負極である第２電極４３０を伝導度が優秀で反射率が高い金属物質で形成できるため、両面有機発光表示装置３００の発光効率（輝度）が向上する。

【0231】

前記では本発明の好ましい実施例を参照して説明したが、該当技術分野の通常の技術者は下記の特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想および領域から逸脱しない範囲内で本発明を多様に修正および変更できることが理解できるであろう。

【符号の説明】

【0232】

１００、３００：両面有機発光表示装置
Ｄ１：第１有機発光ダイオード
Ｄ２：第２有機発光ダイオード
Ｔｄ１：第１駆動素子
Ｔｄ２：第２駆動素子
Ｔｓ１：第１スイッチング素子
Ｔｄｓ２：第２スイッチング素子
ＧＬ：ゲート配線
ＤＬ１：第１データ配線
ＤＬ２：第２データ配線
Ｖｓｓ：低準位電圧配線
Ｖｄｄ１：第１高準位電圧配線
Ｖｄｄ２：第２高準位電圧配線
１１０、３１０：第１透明基板
１９０、３９０：第２透明基板
２１０、４１０：第１電極
２２０、４２０：第１有機発光層
２３０、４３０：第２電極
２４０、４４０：第２有機発光層
２５０、４５０：第３電極

【図1】