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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024096016
(43)【公開日】2024-07-11
(54)【発明の名称】発光表示装置
(51)【国際特許分類】
   G09F 9/30 20060101AFI20240704BHJP
   G09F 9/302 20060101ALI20240704BHJP
   H10K 59/122 20230101ALI20240704BHJP
   H10K 59/121 20230101ALI20240704BHJP
   H10K 59/123 20230101ALI20240704BHJP
   H10K 50/125 20230101ALI20240704BHJP
   H10K 59/35 20230101ALI20240704BHJP
   H10K 50/856 20230101ALI20240704BHJP
【FI】
G09F9/30 349Z
G09F9/30 365
G09F9/302 C
G09F9/30 349D
G09F9/30 338
H10K59/122
H10K59/121
H10K59/123
H10K50/125
H10K59/35
H10K50/856
【審査請求】有
【請求項の数】20
【出願形態】OL
(21)【出願番号】P 2023211867
(22)【出願日】2023-12-15
(31)【優先権主張番号】10-2022-0188261
(32)【優先日】2022-12-29
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(71)【出願人】
【識別番号】501426046
【氏名又は名称】エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド
(74)【代理人】
【識別番号】110002077
【氏名又は名称】園田・小林弁理士法人
(72)【発明者】
【氏名】キム, ホジン
(72)【発明者】
【氏名】ペク, スンミン
(72)【発明者】
【氏名】リム, ヒョンジュン
(72)【発明者】
【氏名】クァク, ボンチュン
【テーマコード(参考)】
3K107
5C094
【Fターム(参考)】
3K107AA01
3K107BB01
3K107CC29
3K107CC33
3K107CC35
3K107CC36
3K107DD03
3K107DD89
3K107DD90
3K107EE03
3K107EE07
3K107EE33
3K107FF15
5C094AA25
5C094BA03
5C094CA20
5C094DA15
5C094DB01
5C094EA04
5C094EA07
5C094EC04
5C094ED11
(57)【要約】      (修正有)
【課題】隣接したサブピクセル間の漏洩電流を防止できる発光表示装置を提供する。
【解決手段】第1電極の縁を覆い、互いに隣り合うサブピクセルの境界に沿って形成されたトレンチを有するバンクと;前記トレンチは、第1サブピクセルの第1対角方向に突出したコーナー部とこれに隣接した第3サブピクセルの傾斜したコーナー部間の境界に形成された第2対角方向の第1コーナー溝と;前記第1サブピクセルの突出したコーナー部とこれに両側で隣接した第2、4サブピクセルそれぞれの傾斜したコーナー部間の境界に形成された発光表示装置を提供する。
【選択図】図4
【特許請求の範囲】
【請求項1】
多数の行ラインおよび列ラインに沿ってマトリクス形態で配列された多数のサブピクセルが定義された基板と、
前記基板上に、前記サブピクセルごとに形成された第1電極と、
前記第1電極の縁を覆い、互いに隣り合う前記サブピクセルの境界に沿って形成されたトレンチを有するバンクと、
前記第1電極上に位置し、前記トレンチによって前記サブピクセルごとに分離された発光層と、
前記多数のサブピクセルの発光層上に形成された第2電極を含み、
前記サブピクセルは四角形の突出したコーナー部と傾斜した3個のコーナー部を有し、
前記多数のサブピクセルは、行方向に隣り合う第1、2サブピクセルと、前記第1、2サブピクセルそれぞれと列方向に隣り合う第4、3サブピクセルを含み、
前記トレンチは、
前記第1サブピクセルの第1対角方向に突出したコーナー部とこれに隣接した前記第3サブピクセルの傾斜したコーナー部との間の境界に形成された第2対角方向の第1コーナー溝と、
前記第1サブピクセルの突出したコーナー部とこれに両側で隣接した前記第2、4サブピクセルそれぞれの傾斜したコーナー部との間の境界に形成され、前記第1コーナー溝と第1、2接点それぞれで連結された第1対角方向の第2コーナー溝と、
前記第1、2サブピクセル間の境界および前記第3、4サブピクセル間の境界それぞれに形成された前記列方向の第1サイド溝と、
前記第2、3サブピクセル間の境界および前記第1、4サブピクセル間の境界それぞれに形成された前記行方向の第2サイド溝と、を含み、
前記第2、3サブピクセル間の境界に形成された第2サイド溝は前記第1接点に連結され、前記第3、4サブピクセル間の境界に形成された第1サイド溝は前記第2接点に連結された、発光表示装置。
【請求項2】
前記第1、2サブピクセル間の境界に形成された第1サイド溝は、前記第1接点に連結された第2コーナー溝に連結され、
前記第1、4サブピクセル間の境界に形成された第2サイド溝は、前記第2接点に連結された第2コーナー溝に連結される、請求項1に記載の発光表示装置。
【請求項3】
前記多数のサブピクセルの前記突出したコーナー部の突出方向は同一である、請求項1に記載の発光表示装置。
【請求項4】
前記多数の行ラインそれぞれに配列されたサブピクセルの前記突出したコーナー部の突出方向は前記第1、2対角方向に交互となる、請求項1に記載の発光表示装置。
【請求項5】
前記多数の列ラインそれぞれに配列されたサブピクセルの前記突出したコーナー部の突出方向は前記第1、2対角方向に交互となる、請求項1に記載の発光表示装置。
【請求項6】
前記突出したコーナー部は正四角形である、請求項1に記載の発光表示装置。
【請求項7】
前記サブピクセルの突出したコーナー部は4個の直角二等辺三角形部分が結合された正四角形であり、
前記サブピクセルの3個の傾斜したコーナー部に、対応する3個の前記直角二等辺三角形部分を結合すれば、正四角形のサブピクセルを形成する、請求項6に記載の発光表示装置。
【請求項8】
前記サブピクセルの前記コーナー部に位置する薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタと前記第1電極の間に位置しコンタクトホールを有する少なくとも一つの絶縁層をさらに含み、
前記コーナー部で、前記コンタクトホールを通じて前記第1電極と前記薄膜トランジスタが接続される、請求項1~請求項7のいずれか一項に記載の発光表示装置。
【請求項9】
前記トレンチは前記少なくとも一つの絶縁層の内部に延びた、請求項8に記載の発光表示装置。
【請求項10】
前記少なくとも一つの絶縁層は、第1絶縁層と前記第1絶縁層上の第2絶縁層と前記第2絶縁層上の第3絶縁層を含み、
前記多数のサブピクセルは赤色サブピクセルと緑色サブピクセルと青色サブピクセルを含み、
前記赤色サブピクセルには前記第1絶縁層と第2絶縁層の間に介在された第1反射板が位置し、
前記緑色サブピクセルには前記第2絶縁層と第3絶縁層の間に介在された第2反射板が位置し、
前記青色サブピクセルには前記第3絶縁層と前記第1電極の間に介在された第3反射板が位置する、請求項9に記載の発光表示装置。
【請求項11】
前記発光層は白色光を発光する、請求項1~請求項7のいずれか一項に記載の発光表示装置。
【請求項12】
多数の行ラインおよび列ラインに沿ってマトリクス形態で配列された多数のサブピクセルが定義された基板と、
前記基板上に、前記サブピクセルごとに形成された第1電極と、
前記第1電極の縁を覆い、互いに隣り合う前記サブピクセルの境界に沿って形成されたトレンチを有するバンクと、
前記第1電極上に位置し、前記トレンチによって前記サブピクセルごとに分離された発光層と、
前記多数のサブピクセルの発光層上に形成された第2電極を含み、
前記トレンチは、
隣り合う前記列ラインの境界に沿う第1トレンチラインと、
隣り合う前記行ラインの境界に沿う第2トレンチラインを含み、
前記第1トレンチラインは、列方向の第1サイド溝と、隣り合う前記第1サイド溝の間に連結され、行方向の一側に突出した二等辺部分をなし、それぞれ第2、1対角方向を有して第1接点で互いに連結される第1、2コーナー溝を含み、
前記第2トレンチラインは、行方向の第2サイド溝と、隣り合う前記第2サイド溝の間に連結され、列方向の一側に突出した二等辺部分をなし、第2接点で互いに連結される前記第1、2コーナー溝を含み、
前記第1トレンチラインの突出した二等辺部分と前記第2トレンチラインの突出した二等辺部分は前記第1コーナー溝を共有する、発光表示装置。
【請求項13】
前記第2サイド溝は前記第1接点に連結され、前記第1サイド溝は前記第2接点に連結される、請求項12に記載の発光表示装置。
【請求項14】
前記第1トレンチラインに位置する多数の前記突出した二等辺部分の突出方向は同一であり、
前記第2トレンチラインに位置する多数の前記突出した二等辺部分の突出方向は同一である、請求項12に記載の発光表示装置。
【請求項15】
前記第2トレンチラインに位置する多数の前記突出した二等辺部分の突出方向は前記列方向の両側に交互となり、
前記第1トレンチラインに位置する多数の前記突出した二等辺部分の突出方向は同一である、請求項12に記載の発光表示装置。
【請求項16】
前記第1トレンチラインに位置する多数の前記突出した二等辺部分の突出方向は前記行方向の両側に交互となり、
前記第2トレンチラインに位置する多数の前記突出した二等辺部分の突出方向は同一である、請求項12に記載の発光表示装置。
【請求項17】
前記第1トレンチラインの突出した二等辺部分は直角二等辺部分であり、
前記第2トレンチラインの突出した二等辺部分は直角二等辺部分である、請求項12に記載の発光表示装置。
【請求項18】
前記第1トレンチラインの突出した二等辺部分と前記第2トレンチラインの突出した二等辺部分で囲まれた前記サブピクセルのコーナー部に位置する薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタと前記第1電極の間に位置しコンタクトホールを有する少なくとも一つの絶縁層をさらに含み、
前記コーナー部で、前記コンタクトホールを通じて前記第1電極と前記薄膜トランジスタが接続される、請求項12~請求項17のいずれか一項に記載の発光表示装置。
【請求項19】
前記トレンチは前記少なくとも一つの絶縁層の内部に延びた、請求項18に記載の発光表示装置。
【請求項20】
前記少なくとも一つの絶縁層は、第1絶縁層と前記第1絶縁層上の第2絶縁層と前記第2絶縁層上の第3絶縁層を含み、
前記多数のサブピクセルは赤色サブピクセルと緑色サブピクセルと青色サブピクセルを含み、
前記赤色サブピクセルには前記第1絶縁層と第2絶縁層の間に介在された第1反射板が位置し、
前記緑色サブピクセルには前記第2絶縁層と第3絶縁層の間に介在された第2反射板が位置し、
前記青色サブピクセルには前記第3絶縁層と前記第1電極の間に介在された第3反射板が位置する、請求項19に記載の発光表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は発光表示装置に関する。
【背景技術】
【0002】
最近、薄型化、軽量化、低消費電力化などの優秀な特性を有する平板表示装置(flat panel display)が広く開発されて多様な分野に適用されている。
【0003】
平板表示装置の中で、発光表示装置は電子注入電極である負極と正孔注入電極である正極の間に形成された発光層に電荷を注入して電子と正孔が対をなした後、消滅しながら光を出す発光素子を使う。
【0004】
このような発光表示装置において、発光層は別途のマスクなしに蒸着工程を通じて基板の全面に形成されることになる。
【0005】
この場合、互いに隣接したサブピクセルの間が発光層を通じて電気的に連結されて隣接サブピクセルに漏洩電流が流れ得る。このような漏洩電流の発生可能性は、表示装置が高解像度となるにつれて増加することになる。このように、漏洩電流が発生することになると、表示装置の画質が低下する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
本発明は、隣接したサブピクセル間の漏洩電流を防止できる方案を提供することに課題がある。
【課題を解決するための手段】
【0007】
前述したような課題を達成するために、本発明は多数の行ラインおよび列ラインに沿ってマトリクス形態で配列された多数のサブピクセルが定義された基板と;前記基板上に、前記サブピクセルごとに形成された第1電極と;前記第1電極の縁を覆い、互いに隣り合う前記サブピクセルの境界に沿って形成されたトレンチを有するバンクと;前記第1電極上に位置し、前記トレンチによって前記サブピクセルごとに分離された発光層と;前記多数のサブピクセルの発光層上に形成された第2電極を含み、前記サブピクセルは四角形の突出したコーナー部と傾斜した3個のコーナー部を有し、前記多数のサブピクセルは、行方向に隣り合う第1、2サブピクセルと、前記第1、2サブピクセルそれぞれと列方向に隣り合う第4、3サブピクセルを含み、前記トレンチは、前記第1サブピクセルの第1対角方向に突出したコーナー部とこれに隣接した前記第3サブピクセルの傾斜したコーナー部間の境界に形成された第2対角方向の第1コーナー溝と;前記第1サブピクセルの突出したコーナー部とこれに両側で隣接した前記第2、4サブピクセルそれぞれの傾斜したコーナー部間の境界に形成され、前記第1コーナー溝と第1、2接点それぞれで連結された第1対角方向の第2コーナー溝と;前記第1、2サブピクセル間の境界および前記第3、4サブピクセル間の境界それぞれに形成された前記列方向の第1サイド溝と;前記第2、3サブピクセル間の境界および前記第1、4サブピクセル間の境界それぞれに形成された前記行方向の第2サイド溝を含み、前記第2、3サブピクセル間の境界に形成された第2サイド溝は前記第1接点に連結され、前記第3、4サブピクセル間の境界に形成された第1サイド溝は前記第2接点に連結された発光表示装置を提供する。
【0008】
ここで、前記第1、2サブピクセル間の境界に形成された第1サイド溝は、前記第1接点に連結された第2コーナー溝に連結され、前記第1、4サブピクセル間の境界に形成された第2サイド溝は、前記第2接点に連結された第2コーナー溝に連結され得る。
【0009】
前記多数のサブピクセルの前記突出したコーナー部の突出方向は同一であり得る。
【0010】
前記多数の行ラインそれぞれに配列されたサブピクセルの前記突出したコーナー部の突出方向は前記第1、2対角方向に交互となり得る。
【0011】
前記多数の列ラインそれぞれに配列されたサブピクセルの前記突出したコーナー部の突出方向は前記第1、2対角方向に交互となり得る。
【0012】
前記突出したコーナー部は正四角形であり得る。
【0013】
前記サブピクセルの突出したコーナー部は4個の直角二等辺三角形部分が結合された正四角形であり、前記サブピクセルの3個の傾斜したコーナー部に対応する3個の前記直角二等辺三角形部分を結合すれば正四角形のサブピクセルを形成することができる。
【0014】
前記サブピクセルの前記コーナー部に位置する薄膜トランジスタと;前記薄膜トランジスタと前記第1電極の間に位置しコンタクトホールを有する少なくとも一つの絶縁層をさらに含み、前記コーナー部で、前記コンタクトホールを通じて前記第1電極と前記薄膜トランジスタが接続され得る。
【0015】
前記トレンチは前記少なくとも一つの絶縁層の内部に延長され得る。
【0016】
前記少なくとも一つの絶縁層は、第1絶縁層と前記第1絶縁層上の第2絶縁層と前記第2絶縁層上の第3絶縁層を含み、前記多数のサブピクセルは赤色サブピクセルと緑色サブピクセルと青色サブピクセルを含み、前記赤色サブピクセルには前記第1絶縁層と第2絶縁層の間に介在された第1反射板が位置し、前記緑色サブピクセルには前記第2絶縁層と第3絶縁層の間に介在された第2反射板が位置し、前記青色サブピクセルには前記第3絶縁層と前記第1電極の間に介在された第3反射板が位置することができる。
【0017】
前記発光層は白色光を発光することができる。
【0018】
他の側面で、本発明は多数の行ラインおよび列ラインに沿ってマトリクス形態で配列された多数のサブピクセルが定義された基板と;前記基板上に、前記サブピクセルごとに形成された第1電極と;前記第1電極の縁を覆い、互いに隣り合う前記サブピクセルの境界に沿って形成されたトレンチを有するバンクと;前記第1電極上に位置し、前記トレンチによって前記サブピクセルごとに分離された発光層と;前記多数のサブピクセルの発光層上に形成された第2電極を含み、前記トレンチは、隣り合う前記列ラインの境界に沿う第1トレンチラインと;隣り合う前記行ラインの境界に沿う第2トレンチラインを含み、前記第1トレンチラインは、列方向の第1サイド溝と、隣り合う前記第1サイド溝の間に連結され、行方向の一側に突出した二等辺部分をなし、それぞれ第2、1対角方向を有して第1接点で互いに連結される第1、2コーナー溝を含み、前記第2トレンチラインは、行方向の第2サイド溝と、隣り合う前記第2サイド溝の間に連結され、列方向の一側に突出した二等辺部分をなし、第2接点で互いに連結される前記第1、2コーナー溝を含み、前記第1トレンチラインの突出した二等辺部分と前記第2トレンチラインの突出した二等辺部分は前記第1コーナー溝を共有する発光表示装置を提供する。
【0019】
前記第2サイド溝は前記第1接点に連結され、前記第1サイド溝は前記第2接点に連結され得る。
【0020】
前記第1トレンチラインに位置する多数の前記突出した二等辺部分の突出方向は同一であり、前記第2トレンチラインに位置する多数の前記突出した二等辺部分の突出方向は同一であり得る。
【0021】
前記第2トレンチラインに位置する多数の前記突出した二等辺部分の突出方向は前記列方向の両側に交互となり、前記第1トレンチラインに位置する多数の前記突出した二等辺部分の突出方向は同一であり得る。
【0022】
前記第1トレンチラインに位置する多数の前記突出した二等辺部分の突出方向は前記行方向の両側に交互となり、前記第2トレンチラインに位置する多数の前記突出した二等辺部分の突出方向は同一であり得る。
【0023】
前記第1トレンチラインの突出した二等辺部分は直角二等辺部分であり、前記第2トレンチラインの突出した二等辺部分は直角二等辺部分であり得る。
【0024】
前記第1トレンチラインの突出した二等辺部分と前記第2トレンチラインの突出した二等辺部分で囲まれた前記サブピクセルのコーナー部に位置する薄膜トランジスタと;前記薄膜トランジスタと前記第1電極の間に位置しコンタクトホールを有する少なくとも一つの絶縁層をさらに含み、前記コーナー部で、前記コンタクトホールを通じて前記第1電極と前記薄膜トランジスタが接続され得る。
【0025】
前記トレンチは前記少なくとも一つの絶縁層の内部に延長され得る。
【0026】
前記少なくとも一つの絶縁層は、第1絶縁層と前記第1絶縁層上の第2絶縁層と前記第2絶縁層上の第3絶縁層を含み、前記多数のサブピクセルは赤色サブピクセルと緑色サブピクセルと青色サブピクセルを含み、前記赤色サブピクセルには前記第1絶縁層と第2絶縁層の間に介在された第1反射板が位置し、前記緑色サブピクセルには前記第2絶縁層と第3絶縁層の間に介在された第2反射板が位置し、前記青色サブピクセルには前記第3絶縁層と前記第1電極の間に介在された第3反射板が位置することができる。
【発明の効果】
【0027】
本発明では、サブピクセルの境界に沿ってトレンチを形成して、隣り合うサブピクセル間で発光層が互いに物理的に分離され得る。これに伴い、隣り合うサブピクセル間で発光層を通じての漏洩電流の発生が防止され得る。
【0028】
そして、本発明では、正四角形のサブピクセルに基づいてこの直角コーナー部を変形して、3個のコーナー部がチャンファ(面取り)の形態を有し残りの1個のコーナー部が突出した正四角形の形態を有するサブピクセルを形成することになる。これに伴い、互いに隣り合うサブピクセルが集合する部分でこれらの境界に形成されたトレンチは交差角が90度、135度、135度を有する「Y」字状に形成され得るようになり、OPC設計が適用されたマスク工程を通じて望む幅のトレンチを形成できるようになるので、その結果、トレンチによって隣り合うサブピクセル間で発光層が分離され得る。
【0029】
また、本発明では、正四角形に基づいてこのコーナー部を形態変更したサブピクセルを利用することになるため、正四角形の開口率と実質的に同一であるか非常に近接した高い水準の開口率を実現することができる。
【0030】
また、本発明では、正四角形に基づいてこのコーナー部を形態変更したサブピクセルを利用することになるため、RGBW構造、ペンタイル構造、デルタ構造を含んだ多様なピクセル構造を具現できる。
【0031】
また、本発明では、突出したコーナー部が行ラインまたは列ラインで互いに反対となる対角方向に交互に配置され得る。この場合、同一方向のサブピクセルパターンが繰り返されなくなり、同じパターンが視認される現象を改善することができる。
【図面の簡単な説明】
【0032】
図1】本発明の第1実施例に係る発光表示装置を概略的に図示した平面図である。
図2図1の切断線II-II’に沿って図示した断面図である。
図3】本発明の第1実施例に係る発光表示装置のサブピクセルの形態を概略的に図示した図面である。
図4】本発明の第1実施例に係る発光表示装置で互いに隣り合う4個のサブピクセルおよびこれらの境界に形成されたトレンチを概略的に図示した図面である。
図5図4のサブピクセルの突出した形態の第1コーナー部およびこの周辺を拡大した図面である。
図6】長方形形態のサブピクセルと正四角形形態のサブピクセルの開口率を比較した図面である。
図7】本発明の第2実施例に係る発光表示装置を概略的に図示した平面図である。
図8】本発明の第3実施例に係る発光表示装置を概略的に図示した平面図である。
【発明を実施するための形態】
【0033】
本発明の利点および特徴、そしてそれらを達成する方法は、添付される図面と共に詳細に後述されている実施例を参照すると明確になるであろう。しかし、本発明は以下で開示される実施例に限定されるものではなく、互いに異なる多様な形態で具現され得、ただし本実施例は本発明の開示を完全なものとし、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に知らせるために提供されるものであり、本発明は請求項の範疇によって定義されるのみである。
【0034】
本発明の実施例を説明するための図面に開示された形状、大きさ、比率、角度、個数等は例示的なものであるので、本発明は図示された事項に限定されるものではない。明細書全体に亘って同一参照符号は同一構成要素を指し示す。
【0035】
また、本発明を説明するにおいて、関連した公知技術に対する具体的な説明が本発明の要旨を不要に曖昧にさせ得る恐れがあると判断される場合、その詳細な説明は省略する。本明細書上で言及した「含む」、「有する」、「なる」等が使われる場合、「~のみ」が使われない以上他の部分が追加され得る。構成要素を単数で表現した場合、特に明示的な基材事項がない限り複数を含む場合を含む。
【0036】
構成要素を解釈するにおいて、別途の明示的記載がなくても誤差範囲を含むと解釈する。
【0037】
位置関係に対する説明の場合、例えば、「~上に」、「~上部に」、「~下部に」、「~横に」などで両部分の位置関係が説明される場合、「すぐに」または「直接」が使われない以上両部分間に一つ以上の他の部分が位置してもよい。
【0038】
時間関係に対する説明の場合、例えば、「~後に」、「~に引き続き」、「~次に」、「~前に」などで時間的前後関係が説明される場合、「すぐに」または「直接」が使われない以上連続的でない場合も含むことができる。
【0039】
第1、第2等が多様な構成要素を叙述するために使われるが、これら構成要素はこれらの用語によって制限されない。これらの用語は単に一つの構成要素を他の構成要素と区別するために使うものである。したがって、以下で言及される第1構成要素は本発明の技術的思想内で第2構成要素であってもよい。
【0040】
本発明の多様な実施例のそれぞれの特徴が部分的にまたは全体的に互いに結合または組み合わせ可能であり、技術的に多様な連動および駆動が可能であり、各実施例が互いに対して独立的に実施可能であってもよく、相関関係で共に実施してもよい。
【0041】
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する。一方、以下の実施例では同一または類似する構成に対しては同一または類似する図面番号が付与され、その具体的な説明は省略されてもよい。
【0042】
<第1実施例>
【0043】
図1は、本発明の第1実施例に係る発光表示装置を概略的に図示した平面図である。図2図1の切断線II-II’に沿って図示した断面図で、サブピクセルの断面構造を概略的に図示している。
【0044】
具体的な説明に先立ち、説明の便宜のために、図1で行ラインが延びた方向を行方向(または水平方向)LD1とし、行方向LD1に交差する(または垂直な)列ラインが延びた方向を列方向LD2とする。そして、行方向LD1および列方向LD2の間の2個の対角方向において、左上側および右下側に向かう方向を第1対角方向DD1とし、左下側および右上側に向かう方向を第2対角方向DD2とする。
【0045】
図1および2を参照すると、本実施例に係る発光表示装置10は映像を表示する表示領域に、多数のサブピクセルSPが多数の行ラインおよび列ラインに沿ってマトリクス形態で配列され得る。
【0046】
多数のサブピクセルSPは、カラー映像を表示する単位ピクセルを構成する互いに異なるカラーであって、第1、2、3カラー例えば赤色、緑色、青色をそれぞれ表示するR、G、BサブピクセルSPを含むことができる。他の例として、多数のサブピクセルSPは白色を表示するサブピクセルをさらに含むことができる。
【0047】
本実施例では、説明の便宜のために、R、G、BサブピクセルSPが配置された場合を例に挙げる。
【0048】
このようなサブピクセルSPは発光素子である発光ダイオードODと、発光ダイオードODを駆動するための駆動素子として多数の薄膜トランジスタTRおよび少なくとも一つのストレージキャパシタを含むことができる。
【0049】
各サブピクセルSPは発光ダイオードODが配置された第1領域A1と、発光ダイオードODと薄膜トランジスタTRが接続される第2領域A2を含むことができる。一つの実施例において、第1領域A1は、複数のチャンファ(面取り)形態のコーナーを有する領域であり、第2領域A2は、図1の発光表示装置の平面図における第1領域A1から斜め方向(例えば、DD1)に伸延する領域である。
【0050】
このようなサブピクセルSPの構成について、図2を参照して詳察する。
【0051】
図2を参照すると、本実施例の発光表示装置10は上部発光方式の表示装置であり得る。すなわち、基板101の上部方向に光が出射するように構成され得る。もちろん、本実施例の発光表示装置10は下部発光方式の表示装置であってもよい。
【0052】
基板101としてはガラス基板やプラスチック基板のような絶縁基板が使われ得る。他の例として、基板101として、半導体として機能する単結晶の結晶質シリコンからなるシリコン基板(またはシリコンウェハ)が使われ得、この場合、高解像度を必要とする小型の表示装置を効果的に具現できる長所がある。
【0053】
本実施例では、説明の便宜のために、絶縁基板を使った場合を例に挙げる。
【0054】
基板101上には各サブピクセルSPに多数の薄膜トランジスタTRが形成され得る。一方、本実施例では、説明の便宜のために、各サブピクセルSP内に発光ダイオードODと連結される一つの薄膜トランジスタTRを図示した。一方、この薄膜トランジスタTRは駆動薄膜トランジスタであり得るが、これに限定されはしない。
【0055】
一方、具体的に図示してはいないが、薄膜トランジスタTRは半導体層とゲート絶縁膜およびゲート電極そしてソース電極およびドレイン電極を含むことができる。ここで、薄膜トランジスタTRとしてゲート電極が半導体層の下部に位置するいわゆるボトムゲート構造の薄膜トランジスタ、またはゲート電極が半導体層の上部に位置するいわゆるトップゲート構造の薄膜トランジスタが使われ得る。
【0056】
一方、基板101として半導体基板が使われる場合、半導体層として機能するアクティブ領域は半導体基板の内部に形成され得る。
【0057】
薄膜トランジスタTR上には少なくとも一つ以上の絶縁層が形成され得る。本実施例では、説明の便宜のために、3個の絶縁層である第1絶縁層111~第3絶縁層113が形成された場合を例に挙げる。
【0058】
第1絶縁層111は薄膜トランジスタTRを覆って実質的に基板101の全面に形成され得る。第1絶縁層111は有機絶縁物質または無機絶縁物質からなり得る。
【0059】
第1絶縁層111上には、RサブピクセルSP内に第1反射板121が形成され得る。
【0060】
第1反射板121が形成された第1絶縁層111上には実質的に基板101の全面に亘って第2絶縁層112が形成され得る。第2絶縁層112は有機絶縁物質または無機絶縁物質からなり得る。
【0061】
第2絶縁層112上には、GサブピクセルSP内に第2反射板122が形成され得る。
【0062】
第2反射板122が形成された第2絶縁層112上には実質的に基板101の全面に亘って第3絶縁層113が形成され得る。第3絶縁層113は有機絶縁物質または無機絶縁物質からなり得る。
【0063】
第3絶縁層113上には、BサブピクセルSP内に第3反射板123が形成され得る。
【0064】
一方、第1絶縁層~第3絶縁層111~113には薄膜トランジスタTRの一電極、例えばドレイン電極を露出するコンタクトホールCHが形成され得る。
【0065】
そして、第1反射板~第3反射板121~123は、反射特性の金属物質としては、例えばAl、Ag、Ti、APC(Al-Pd-Cu)合金などの多様な金属物質が使われ得るが、これに限定されはしない。
【0066】
このような第1反射板~第3反射板121~123はそれぞれ、該当サブピクセルSPでその上部に位置する発光ダイオードODで発生して下部に進行する光を上部方向に反射するように機能することができる。
【0067】
これに関連して、第1反射板~第3反射板121~123はそれぞれ該当サブピクセルの第1領域A1に対応して形成され得る。例えば、第1反射板~第3反射板121~123はそれぞれ、該当サブピクセルの第1領域A1内の発光領域EAに対応して配置されるように形成され得る。
【0068】
第3反射板123が形成された基板101上には、サブピクセルSPごとに発光ダイオードODの第1電極140が形成され得る。第1電極140は各サブピクセルSP単位でパターン化された形態で形成され得る。
【0069】
ここで、第1電極140は、各サブピクセルSPの第1領域A1および第2領域A2のすべてに形成され得る。
【0070】
第1電極140は、例えばITO、IZO、ITZOなどのような透明導電物質で形成され得る。
【0071】
RサブピクセルSP(R)とGサブピクセルSP(G)にそれぞれ形成された第1電極140は第3絶縁層113上に形成され得る。そして、BサブピクセルSP(B)に形成された第1電極140は、このサブピクセルSP(B)の第3反射板123上に形成され得る。他の例として、第3反射板123上に絶縁層が実質的に基板の全面に形成され得、この絶縁層上にサブピクセルSPごとに第1電極140が形成されてもよい。
【0072】
各サブピクセルSPに形成された第1電極140は、該当サブピクセルSPの薄膜トランジスタTRのドレイン電極とコンタクトホールCHを通じて連結され得る。他の例として、第1電極140と薄膜トランジスタTRの間に少なくとも一つの導電性の連結パターン(または金属パターン)が位置し、第1電極140と薄膜トランジスタTRが電気的に連結され得る。これに関連して、例えば、第1反射板~第3反射板121~123のうち少なくとも一つと同一物質で同一層に形成された連結パターンが備えられ、この連結パターンを媒介として第1電極140と薄膜トランジスタTRは互いに接続され得る。
【0073】
第1電極140上には各サブピクセルSPの縁に沿ってサブピクセルSPを囲むバンク(または隔壁)143が形成され得る。バンク143は無機絶縁物質や有機絶縁物質からなり得る。
【0074】
このようなバンク143は各サブピクセルSPの第1電極140を露出する開口を有し、第1電極140の縁を覆うように構成され得る。このようなバンク143の開口によって、サブピクセルSP内で光が実質的に発生する発光領域EAが第1領域A1内に定義(画定)され得る。
【0075】
そして、バンク143は各サブピクセルSPの第2領域A2を覆うように形成され得る。
【0076】
このように、バンク143が位置するサブピクセルSP部分は実質的に非発光領域に該当する。
【0077】
一方、本実施例の発光表示装置10では、バンク143にトレンチTCが形成され得る。このようなトレンチTCは各サブピクセルSPの境界に沿ってこれを囲むように形成されてサブピクセルSPを区画することができる。
【0078】
換言すると、トレンチTCは隣り合うサブピクセルSP間の境界に形成されて、サブピクセルSPを互いに物理的に分割することができる。
【0079】
さらに、トレンチTCはバンク143の下に位置する絶縁層の内部に延長され得る。例えば、第1絶縁層~第3絶縁層111~113のうち第3絶縁層113を含んだ少なくとも一つの絶縁層にトレンチTCが形成され得る。本実施例では、トレンチTCが第1絶縁層~第3絶縁層111~113に形成された場合を例に挙げる。
【0080】
バンク143の上部およびこの開口を通じて露出した第1電極140の上部には発光層145が形成され得る。発光層145は、例えば、有機物質を使って形成された有機発光層であり得る。そして、発光層145は発光物質層を含んだ多層構造で形成され得る。
【0081】
このような発光層145は、各サブピクセルSPを囲むトレンチTCによりサブピクセルSP単位で分離(または断絶または分割)されて各サブピクセルSPに対応するパターン形態で形成され得る。ここで、発光層145は単一層スタック構造や多層スタック構造からなり得る。発光層145が単一層スタック構造からなる場合、トレンチTCによりサブピクセル単位で完全に分離され得る。発光層145が多層スタック構造、例えば第1、2スタックの2層スタック構造からなる場合、下層の第1スタックと第1、2スタックの間の電荷生成層はトレンチTCにより完全に分離され得、上層の第2スタックは下の部分の一部が分離されるか全体が分離されないことがある。
【0082】
これに関連して、例えば、発光層145を形成するための発光層物質を蒸着工程を通じて実質的に基板101の表示領域の全面に蒸着することになる。この場合、発光層物質はトレンチTC部分では蒸着されず、トレンチTCの内側面を囲む形態で蒸着され得る。
【0083】
これに伴い、発光層物質はトレンチTCで連結が切れた形態を有するようになることによって、発光層145はトレンチTCを境界として互いに分離されて各サブピクセルSPにパターン形態で形成され、発光層145は各サブピクセルSP全体に亘って形成され得る。この時、具体的に図示してはいないが、トレンチTCの底面には発光層物質が堆積物の形態で残存することができる。
【0084】
一方、発光層145は実質的にトレンチTCの該当サブピクセルSP側の内側面に沿っても形成され得るため、隣り合う発光層145間の離隔距離はトレンチTCの幅より実質的に小さくなり得る。
【0085】
発光層145は、例えば、白色を発光する白色発光層で構成され得る。これに伴い、すべてのサブピクセルSPは同一の白色光を発光することができる。
【0086】
前記のように、本実施例では、サブピクセルSPの境界に沿ってトレンチTCを形成して、隣り合うサブピクセルSP間には発光層145が互いに物理的に分離され得る。これに伴い、隣り合うサブピクセルSP間に発光層145を通じての漏洩電流の発生が防止され得る。
【0087】
発光層145上には第2電極150が実質的に基板101の全面に形成され得る。
【0088】
これに関連して、前述した通り、サブピクセルSP間の境界ではトレンチTCが存在するが、トレンチTC部分で発光層145間の離隔距離はトレンチTCの幅より狭い。これに伴い、第2電極150はトレンチTC部分で切れずに形成され得るようになり、その結果、第2電極150はすべてのサブピクセルSPに沿って連続的に形成され得る。
【0089】
このような第2電極150は、半透過特性を有する金属物質で形成され得るが、例えば、マグネシウム(Mg)、銀(Ag)、またはマグネシウム(Mg)と銀(Ag)の合金(Mg:Ag)のような金属物質で形成され得る。
【0090】
このように、各サブピクセルSPには発光層145を挟んで下部および上部に該当反射板121、122、123と第2電極150が位置することによって、マイクロキャビティ(micro cavity)構造が具現され得る。
【0091】
これに関連して、RサブピクセルSP(R)とGサブピクセルSP(G)とBサブピクセルSP(B)は互いに異なるカラー、すなわち互いに異なる波長の光を出光することになるので、互いに異なるキャビティ厚さ(または共振距離)(すなわち、該当反射板と第2電極間の距離)を有することができる。
【0092】
これに対し、赤色、緑色、青色を表示するR、G、BサブピクセルSPは、該当カラー波長(または半波長)に比例するキャビティ厚さを有するようになるが、各サブピクセルSPのキャビティ厚さは該当カラーの半波長の整数倍でマッチングされ得る。
【0093】
これに関連して、最も大きい波長である赤色のRサブピクセルSP(R)は第1反射板121を基板側に最も近く配置して該当第1キャビティ厚さを有することができるようになり、中間波長である緑色のGサブピクセルSP(G)は第2反射板122を第1反射板121より高い位置に配置して該当第2キャビティ厚さを有することができるようになり、最も小さい波長である青色のBサブピクセルSP(B)は第3反射板123を最も高い位置に配置して該当第3キャビティ厚さを有することができるようになる。
【0094】
このように、マイクロキャビティ構造を利用することによって、カラー純度と光効率を向上させることができる。
【0095】
さらに、互いに異なるカラーのサブピクセルSPに対して該当反射板121、122、123の位置を差別化して該当マイクロキャビティ厚さを実現することになるため、サブピクセルSPの発光ダイオードODは実質的に同じ厚さを有することができ、発光ダイオードODが実質的に同じ特性を有することができる。
【0096】
第2電極150上には、第2電極150が形成された基板101をカプセル化(encapsulation)する密封層160が基板101の全面に沿って形成され得る。密封層160は外部から流入する水分や酸素の浸透を遮断することによって信頼性を向上させる機能を奏することができる。
【0097】
さらに、密封層160は第2電極150が形成された基板101を平坦化することができる。
【0098】
このような密封層160は、無機絶縁物質および有機絶縁物質のうち少なくとも一つを使って単一層構造や多層構造で形成され得る。
【0099】
密封層160上には、各サブピクセルSPに対応して該当カラーを具現するためのカラーフィルタ層170が備えられ得る。
【0100】
これに対し、カラーフィルタ層170はR、G、BサブピクセルSPそれぞれに対応して該当カラーとして赤色、緑色、青色を発生させるためのR、G、Bカラーフィルタパターン170r、170g、170bを含むことができる。
【0101】
これに伴い、R、G、BサブピクセルSPはより高い純度の該当カラーを表示することができる。
【0102】
一方、具体的に図示してはいないが、密封層160上にはブラックマトリクスが隣り合うカラーフィルタパターンの間に形成され得る。
【0103】
前述した通り、本実施例の発光表示装置10では、サブピクセルSPの境界に沿ってトレンチTCを形成して発光層145をサブピクセルSPごとに物理的に分離することができる。
【0104】
このようなトレンチTCは、蒸着物質をサブピクセルSPごとに分離するために一定幅以下に形成される必要があるが、例えば略200nm以下に形成されることが好ましい。
【0105】
このようにナノメートル大きさの微細なトレンチTCはマスク工程を通じて形成されるが、トレンチTCの形状に対応する形状のパターンが形成された露光マスクを通じて露光しエッチングしてトレンチTCを形成することができる。
【0106】
一方、露光工程時の回折などの影響によりパターンの形状がそのまま転写されないためトレンチTCの形状が変形され、これを改善するために変形される値を予め計算してパターンを補正するOPC(optical proximity correction)設計をすることになる。
【0107】
一般的にサブピクセルSPは長方形形態で形成されて行方向と列方向に反復配置され、この場合、行方向と列方向に互いに隣接した4個のサブピクセルが集合する(または接する)部分にクロス形態のトレンチが形成される。
【0108】
ところが、クロス形態のトレンチは交差角が90度である4個のコーナー部を有するようになるのでOPC設計を適用することに限界があり、これに伴い、望む幅を実現することが非常に難しい。
【0109】
このため、本実施例では、OPC設計が適用可能であるように、サブピクセルSPおよびこの境界に沿って形成されてこの形態を定義するトレンチTCを構成することになる。
【0110】
このようなサブピクセルSPおよびトレンチTCの構造および配置について、図1とともに図3~5をさらに参照してより詳細に説明する。
【0111】
図3は、本発明の第1実施例に係る発光表示装置のサブピクセルの形態を概略的に図示した図面である。図4は、本発明の第1実施例に係る発光表示装置で互いに隣り合う4個のサブピクセルおよびこれらの境界に形成されたトレンチを概略的に図示した図面である。図5は、図4のサブピクセルの突出した形態の第1コーナー部およびこの周辺を拡大した図面である。
【0112】
一方、説明の便宜のために、本実施例のサブピクセルSPにおいて、この右側縁部分(または角部分またはエッジ部分)を第1サイド部とし、これに反対となる左側縁部分を第3サイド部とし、下側縁部分を第2サイド部とし、これに反対となる上側縁部分を第4サイド部とする。すなわち、時計回り方向に沿って位置する右側、下側、左側、上側の縁部分を第1、2、3、4サイド部とする。
【0113】
まず、本実施例のサブピクセルSPの形態に関連して図3を参照すると、本実施例のサブピクセルSPは正四角形形態のサブピクセルSPoを基本として構成され得る。
【0114】
これに対し、図3の左側部分には正四角形のサブピクセルSPoが図示されており、この形態を変形した本実施例のサブピクセルSPは右側に図示されている。
【0115】
このようなサブピクセルSPoは第1対角方向DD1の互いに反対となる両側である右下側と左上側に内角が直角(すなわち、90度)である直角二等辺三角形形態の第1コーナー部a1と第3コーナー部a3が位置し、第2対角方向DD2の互いに反対となる両側である左下側と右上側に内角が直角である直角二等辺三角形形態の第2コーナー部a2と第4コーナー部a4が位置する。
【0116】
このような正四角形サブピクセルSPoに対して、この3個のコーナー部として、例えば第2、3、4コーナー部a2、a3、a4を切り出し、このコーナー部a2、a3、a4を第1コーナー部a1の右側と対角側と下側に配置することができる。
【0117】
このようにすれば、図3の右側部分に図示した本実施例のサブピクセルSPが形成され得る。このような本実施例のサブピクセルSPは、第1対角方向DD1の一側、例えば右下側に取っ手の形を有する卓球ラケットの形態で形成されると見ることができる。
【0118】
これに対し、本実施例のサブピクセルSPは3個のコーナー部として第2、3、4コーナー部C2、C3、C4はそれぞれ、直角二等辺三角形部分が切り取られた形態であってチャンファ(chamfer、面取り)の形態(または台形)を有することができる。
【0119】
これに関連して、サブピクセルSPで互いに隣り合う下側の第2サイド部と左側の第3サイド部の間に位置する第2コーナー部C2は第1対角方向DD1で傾斜した境界線(または境界面)を有するチャンファ形態を有することができる。そして、互いに隣り合う左側の第3サイド部と上側の第4サイド部の間に位置する第3コーナー部C3は第2対角方向DD2に傾斜した境界線を有するチャンファ形態を有することができる。また、互いに隣り合う上側の第4サイド部と右側の第1サイド部の間に位置する第4コーナー部C4は第1対角方向DD1に傾斜した境界線を有するチャンファ形態を有することができる。
【0120】
そして、サブピクセルSPの残りの一個のコーナー部として互いに隣り合う第1サイド部と第2サイド部の間に位置する第1コーナー部C1は、4個の直角二等辺三角形が結合された正四角形の突出した形態を有することができる。
【0121】
これに対し、第1コーナー部C1は実質的に第2、3、4コーナー部C2、C3、C4の変形されたチャンファ形態を補完する正四角形形態を有するようになるので、第2、3、4コーナー部C2、C3、C4の境界線に対応する(または実質的に同一の)3個の境界線を有するようになると言える。
【0122】
すなわち、第1コーナー部C1は、第3コーナー部C3の境界線に対応するものであって突出した方向の前方(例えば、図面でa3の前方)に位置し、第2対角方向DD2に傾斜した境界線と、第2コーナー部C2の境界線に対応するものであって第1コーナー部C1の一側方(例えば、図面でa2の一側方)に位置し、第1対角方向DD1に傾斜した境界線と、第4コーナー部C4の境界線に対応するものであって第1コーナー部C1の他側方(例えば、図面でa4の一側方)に位置し、第1対角方向DD1に傾斜した境界線を有することができる。
【0123】
このように、本実施例のサブピクセルSPは4個のコーナー部のうち一つの第1コーナー部C1が第1対角方向DD1の一側に突出した形態を有し、残りである第2、3、4コーナー部C2、C3、C4は該当対角方向に傾斜したチャンファ形態を有することができる。
【0124】
このようなサブピクセルSPの形態により、サブピクセルSPは第2、3、4コーナー部C2、C3、C4を有する第1領域A1と第1コーナー部C1を有する第2領域A2に区分され得る。
【0125】
これに関連して、サブピクセルSPで第1コーナー部C1が占める領域が実質的に第2領域A2と定義され得る。これに伴い、第2領域A2はサブピクセルSPの対角方向の一側に正四角形形態で構成され得る。
【0126】
そして、サブピクセルSPの第1領域A1は実質的に4個の傾斜したチャンファ形態のコーナー部を有することができる。これに対し、第1領域A1はサブピクセルSPの第2、3、4コーナー部C2、C3、C4をその3個の外側コーナー部として有し、第2領域A2との境界に位置する傾斜した形態のコーナー部をその1個の内側コーナー部として有していると言える。
【0127】
このような構造のサブピクセルSPは、表示領域内で行方向LD1と列方向LD2に沿って反復配置されてマトリクス形態で配置され得る。
【0128】
サブピクセルSPの配置とトレンチTCの構造および配置について図1および図4を参照して詳察する。
【0129】
各サブピクセルSPの境界には、すなわち隣り合うサブピクセルSP間の境界にはトレンチTCが形成され得る。これに伴い、各サブピクセルSPは隣り合うサブピクセルSPと区分され得る。
【0130】
本実施例で、サブピクセルSPは突出したコーナー部がすべて同一方向(または同じ方位)を有するように配置され得る。換言すると、サブピクセルSPの突出した形態のコーナー部は第1対角方向DD1の右下側に位置する第1コーナー部C1であり得る。
【0131】
この場合、各サブピクセルSPの傾斜した形態の残りのコーナー部である第2、3、4コーナー部C2、C3、C4は、例えば時計回り方向に沿って配置され得るが、これらはそれぞれ第2対角方向DD2の左下側、第1対角方向DD1の左上側、第2対角方向DD2の右上側に位置することができる。
【0132】
もちろん、第1コーナー部C1と他の位置のコーナー部が突出した形態となるように構成されてもよい。
【0133】
このように各サブピクセルSPの第1コーナー部C1は、前記にて図3を参照して説明した通り、4個の直角二等辺三角形が結合された正四角形の形態を有することができるようになる。これに伴い、この第1コーナー部C1は、隣り合うサブピクセルSPの傾斜した形態の第2、3、4コーナー部C2、C3、C4で囲まれた空間(または領域)内にパズルのピースのように形が合わせられる形態となり得る。
【0134】
これに対し、例えば、第1サブピクセルSP1の第1コーナー部C1は、第2サブピクセルSP2の第2コーナー部C2と第3サブピクセルSP3の第3コーナー部C3と第4サブピクセルSP4の第4コーナー部C4により囲まれた凹入された形態の空間内に置かれ得る。
【0135】
他の側面から見ると、第1サブピクセルSP1の第1コーナー部C1は、これと接する第1サブピクセルSP1の第1領域A1の内側コーナー部および第2、3、4サブピクセルSP2、SP3、SP4の第1領域A1の第2、3、4コーナー部C2、C3、C4により囲まれて定義される内部空間に置かれると言える。
【0136】
このように、第1サブピクセルSP1の第1コーナー部C1は、実質的にこれに隣接した3個のサブピクセルSP2、SP3、SP4の3個のコーナー部C2、C3、C4がチャンファ形態に変形されることにより残された3個の二等辺三角形部分を占めることによって、突出した正四角形形態を有するようになると見ることができる。
【0137】
このような第1コーナー部C1は、第2、3、4サブピクセルSP2、SP3、SP4の第2、3、4コーナー部C2、C3、C4それぞれに対応する(突き合わせられる)縁部分であって、インコーナー(in-corner)サイド部を有することができる。
【0138】
これに対し、例えば、第1コーナー部C1は第3サブピクセルSP3の第3コーナー部C3と向き合って第2対角方向DD2の境界線を形成する第1インコーナーサイド部と、第2サブピクセルSP2の第2コーナー部C2と向かい合って第1対角方向DD1の境界線を形成する第2インコーナーサイド部と、第4サブピクセルSP4の第4コーナー部C4と向かい合って第1対角方向DD1の境界線を形成する第3インコーナーサイド部を有することができる。
【0139】
一方、行方向LD1に隣接した第1、2サブピクセルSP1、SP2の間(より詳細には、これらの向かい合う第1、3サイド部の間)と第3、4サブピクセルSP3、SP4の間(より詳細には、これらの向かい合う第1、3サイド部の間)には列方向LD2の境界線が形成され得る。
【0140】
そして、列方向LD2に隣接した第1、4サブピクセルSP1、SP4の間(より詳細には、これらの向かい合う第2、4サイド部の間)と第2、3サブピクセルSP2、SP3の間(より詳細には、これらの向かい合う第2、4サイド部の間)には行方向LD1の境界線が形成され得る。
【0141】
前記のようなサブピクセルSPの構造および配置によると、各列ラインサブピクセルSPの一側、例えば右側に位置し列ラインに沿って延びた境界線(または隣り合う列ライン間の境界線)は、第1コーナー部C1でこの形状に沿って右側に突出した形態を有することができる。すなわち、列ラインの境界線は列方向LD2に沿って延びた部分と、これらの間に連結され直角二等辺形態で突出した部分で構成され得る。
【0142】
そして、各行ラインサブピクセルSPの一側、例えば下側に位置し行ラインに沿って延びた境界線(または隣り合う行ライン間の境界線)は、第1コーナー部C1でこの形状に沿って下側に突出した形態を有することができる。すなわち、行ラインの境界線は行方向LD1に沿って延びた部分と、これらの間に連結され直角二等辺形態で突出した部分で構成され得る。
【0143】
この時、行ライン境界線と列ライン境界線は、第1コーナー部C1の前方境界部分すなわち第2対角方向DD2の境界部分を共有できるようになる。
【0144】
このように一部が突出した形態の列ライン境界線と行ライン境界線が交差することによって、これらによって囲まれたサブピクセルSPが定義され得る。
【0145】
前記のような構造および配置を有するサブピクセルSPの境界に沿ってこれを囲むように形成されたトレンチTCは、サイド溝TCSとコーナー溝TCCを含むことができる。
【0146】
サイド溝TCSはサブピクセルSPのサイド部の外側境界に位置することができ、コーナー溝TCCはサブピクセルSPのコーナー部の外側境界に位置することができる。
【0147】
これに関連して、サイド溝TCSはサブピクセルSPの行方向LD1の両側すなわち右側と左側のサイド部の境界に位置でき、サブピクセルSPの列方向LD2の両側すなわち下側と上側のサイド部の境界に位置することができる。
【0148】
換言すると、サイド溝TCSは行方向LD1に隣り合うサブピクセルSPのサイド部の間の境界に位置することができ、列方向LD2に隣り合うサブピクセルSPのサイド部の間の境界に位置することができる。
【0149】
ここで、説明の便宜のために、各サブピクセルSPで行方向LD1の両側サイド部の間の境界線に位置するサイド溝TCSを第1サイド溝TCS1とし、列方向LD2の両側サイド部の間の境界線に位置するサイド溝TCSを第2サイド溝TCS2とする。
【0150】
これに対し、例えば、第1サブピクセル~第4サブピクセルSP1~SP4それぞれの右側および左側サイド部の境界線には列方向LD2に延びた形態の第1サイド溝TCS1が形成され得る。すなわち、行方向LD1に隣り合う第1、2サブピクセルSP1、SP2の間と第3、4サブピクセルSP3、SP4の間には第1サイド溝TCS1が介在され得る。
【0151】
そして、第1サブピクセル~第4サブピクセルSP1~SP4それぞれの下側および上側サイド部の境界線には行方向LD1に延びた形態の第2サイド溝TCS2が形成され得る。すなわち、列方向LD2に隣り合う第1、4サブピクセルSP1、SP4の間と第2、3サブピクセルSP2、SP3の間には第2サイド溝TCS2が介在され得る。
【0152】
コーナー溝TCCはサブピクセルSPの第1対角方向DD1の両側の第1、3コーナー部C1、C3の境界線に位置でき、第2対角方向DD2の両側である第2、4コーナー部C2、C4の境界線に位置することができる。
【0153】
これに対し、コーナー溝TCCは第1対角方向DD1に隣り合うサブピクセルSPのコーナー部間の境界線に位置でき、さらに行方向LD1に隣り合うサブピクセルSPのコーナー部間の境界線に位置することができ、列方向LD2に隣り合うサブピクセルSPのコーナー部間の境界線に位置することができる。
【0154】
ここで、説明の便宜のために、第1対角方向DD1の第1、3コーナー部C1、C3間の境界線に位置し、第2対角方向DD2に延びたコーナー溝TCCを第1コーナー溝TCC1とする。そして、第2対角方向DD2の第1、2コーナー部C1、C2の間と第1、4コーナー部C1、C4の間に位置するコーナー溝TCCを第2コーナー溝TCC2とする。
【0155】
各サブピクセルSPにおいて、第1対角方向DD1の第2コーナー溝TCC2はこれに対応するチャンファ形態の第2、4コーナー部C2、C4の傾斜した境界線に配置され得る。例えば、第2サブピクセルSP2のチャンファ形態の第2コーナー部C2と第1サブピクセルSP1の第1コーナー部C1との間に第2コーナー溝TCC2が位置し、第4サブピクセルSP4のチャンファ形態の第4コーナー部C4と第1サブピクセルSP1の第1コーナー部C1との間に別の第2コーナー溝TCC2が位置することができる。そして、第1コーナー溝TCC1はこれに対応するチャンファ形態の第3コーナー部C3の傾斜した境界線に配置され得る。
【0156】
一方、各サブピクセルSPの第1コーナー部C1はその突出した四角形形態によって、第2対角方向DD2の境界線とこの両端で垂直に接する第1対角方向DD1の境界線を有することができる。これに伴い、第1コーナー部C1の境界には、第2対角方向DD2の第1コーナー溝TCC1とこの一端および他端に接して互いに向かい合う第1対角方向DD1の2個の第2コーナー溝TCC2が配置され得る。
【0157】
ここで、第2サブピクセルSP2との境界線に位置する第2コーナー溝TCC2と第1コーナー溝TCC1が接する地点を第1接点(または第1交点)IC1として、第4サブピクセルSP4との境界線に位置する第2コーナー溝TCC2と第1コーナー溝TCC1が接する地点を第2接点(または第2交点)IC2とする。このような第1接点IC1および第2接点IC2は、第1コーナー部C1の突出方向の前方に位置する2個の頂点に対応すると見ることができる。
【0158】
一つの実施例において、第2コーナー溝TCC2は、第1サイド溝TCS1の終端に接続される第1終端と、第1接点IC1で第1コーナー溝TCC1の第1終端に接続される第2終端を有することができる。第1コーナー溝TCC1の第2終端は、第2接点IC2で別の第2コーナー溝TCC2の第1終端に接続され得る。また、別の第2コーナー溝TCC2の第2終端は、第2サイド溝TCS2の終端に接続され得る。
【0159】
第1コーナー部C1の第1接点IC1には、この周辺に位置し列方向に互いに隣接したサブピクセルとして、例えば第2、3サブピクセルSP2、SP3の間の第2サイド溝TCS2が連結され得る。すなわち、第2サイド溝TCS2の一終端が第1接点IC1に連結され得る。
【0160】
そして、第1コーナー部C1の第2接点IC2には、この周辺に位置し行方向に互いに隣接したサブピクセルとして、例えば第3、4サブピクセルSP3、SP4の間の第1サイド溝TCS1が連結され得る。すなわち、第1サイド溝TCS1の一終端が第2接点IC2に連結され得る。
【0161】
前記のようなトレンチTCの構造および配置によると、各列ラインサブピクセルSPの一側、例えば右側に位置し列ラインに沿って延びた境界線(または隣り合う列ラインの間の境界線)に配置されたトレンチTCは、第1コーナー部C1でこの形状に沿って右側に突出した形態を有することができる。このように列ラインの境界線に沿って延びたトレンチTCは第1トレンチラインと言える。
【0162】
このような第1トレンチラインは、列方向LD2の第1サイド溝TCS1と、隣り合う第1サイド溝TCS1の間に連結され、直角二等辺形態で突出した部分をなす第1、2コーナー溝TCC1、TCC2で構成され得る。
【0163】
そして、各行ラインサブピクセルSPの一側、例えば下側に位置し行ラインに沿って延びた境界線(または隣り合う行ラインの間の境界線)に配置されたトレンチTCは、第1コーナー部C1でこの形状に沿って下側に突出した形態を有することができる。このように行ラインの境界線に沿って延びたトレンチTCは第2トレンチラインと言える。
【0164】
このような第2トレンチラインは、行方向LD1の第2サイド溝TCS2と、隣り合う第2サイド溝TCS2の間に連結され、直角二等辺形態で突出した部分をなす第1、2コーナー溝TCC1、TCC2で構成され得る。
【0165】
この時、互いに交差する形態の第1トレンチラインと第2トレンチラインは、第1コーナー部C1の第1コーナー溝TCC1を共有できるようになる。
【0166】
このように、一部が突出した形態の第1トレンチラインと第2トレンチラインが交差することによって、これらによって囲まれたサブピクセルSPが定義され得る。
【0167】
前記のように、本実施例では、突出した第1コーナー部C1を中心として、この第1コーナー部C1が属する第1サブピクセルSP1を含んだ互いに隣接した第1サブピクセル~第4サブピクセルSP1~SP4が配置され得る。
【0168】
これに伴い、第1サブピクセル~第4サブピクセルSP1~SP4の互いに隣り合う第1コーナー部~第4コーナー部C1~C4は、突出した第1コーナー部C1を中心として、第2、3、4コーナー部C2、C3、C4が第1コーナー部C1の周辺に沿って囲む形態に配置され得る。
【0169】
このような配置構造によって、第2対角方向DD2に隣り合う第2、4サブピクセルSP2、SP4は第1サブピクセルSP1の第1コーナー部C1が間に介在されて離隔される。
【0170】
これに伴い、第1サブピクセルSP1の第1コーナー部C1およびこの隣り合う列ラインに位置した第2、3サブピクセルSP2、SP3の第2、3コーナー部C2、C3が第1接点IC1を中心に互いに隣接するように配置される。そして、第1サブピクセルSP1の第1コーナー部C1およびこの隣り合う行ラインに位置した第3、4サブピクセルSP3、SP4の第3、4コーナー部C3、C4が第2接点IC2を中心に隣接するように配置される。
【0171】
これによって、第1、2、3サブピクセルSP1、SP2、SP3間の境界は「Y」字状を有するようになり、この境界に位置するトレンチTCは「Y」字状を有するようになる。
【0172】
これに対し、図5を共に参照してみると、第1接点IC1で互いに異なる3方向のトレンチTC部分である第1コーナー溝TCC1と第2コーナー溝TCC2と第2サイド溝TCS2が会って「Y」字状のトレンチTCを形成することになり、この3個のトレンチの部分の間の交差角(または夾角)は90度、135度、135度となる。
【0173】
同様に、第2、3、4サブピクセルSP2、SP3、SP4間の境界は「Y」字状を有するようになり、この境界に位置するトレンチTCは「Y」字状を有するようになる。
【0174】
これに対し、第2接点IC2で互いに異なる3方向のトレンチTC部分である第1コーナー溝TCC1と第2コーナー溝TCC2と第1サイド溝TCS1が会って「Y」字状のトレンチTCを形成することになり、この3個のトレンチの部分の間の交差角は90度、135度、135度となる。
【0175】
このように、本実施例では、互いに隣り合うサブピクセルが集合する部分であり、これらの境界に形成されたトレンチTCは交差角が90度、135度、135度を有する「Y」字状に形成され得る。このような交差角はOPC設計に適用可能な水準に該当するので、OPC設計が適用されたマスク工程を通じて望む幅のトレンチTCを形成することができる。
【0176】
これに関連して、前述した通り、長方形形態のサブピクセルが配置された表示装置では、交差角がすべて90度である4個のコーナー部が互いに集合することになってOPC設計を適用するのに限界がある。
【0177】
反面、本実施例の場合には、一つのコーナー部のみ90度の交差角を有し、残りの2個のコーナー部では135度の広い交差角を有するようになるのでOPC設計が適用可能となる。
【0178】
一方、本実施例では、前述した通り、サブピクセルSPは正四角形形態を変形したものであって、実質的に正四角形と同じ面積を有するようになる。これに伴い、長方形形態のサブピクセルを使う場合に比べて、開口率が増加する長所を有するようになる。
【0179】
これに関連して図6を参照して詳察する。図6は長方形形態のサブピクセルと正四角形形態のサブピクセルの開口率を比較した図面である。
【0180】
図6を参照すると、左側部分に図示された長方形形態のサブピクセルSPcは発光領域EAcとその周辺の非発光領域NEAcを含む。そして、右側部分に図示された正四角形形態のサブピクセルSPaは発光領域EAaとその周辺の非発光領域NEAaを含む。
【0181】
ここで、長方形のサブピクセルSPcの面積と正四角形のサブピクセルSPaの面積を同一に設定する。そして、長方形のサブピクセルSPcの非発光領域NEAcの幅と、正四角形のサブピクセルSPaの非発光領域NEAaの幅は同一に設定する。
【0182】
この場合、長方形サブピクセルSPcの非発光領域NEAcの周りが正四角形サブピクセルSPaの非発光領域NEAaの周りより大きいので、長方形サブピクセルSPcの非発光領域NEAcの面積が正四角形サブピクセルSPaの非発光領域NEAaの面積より大きい。
【0183】
これに伴い、正四角形サブピクセルSPaの発光領域EAaの面積は長方形サブピクセルSPcの発光領域EAcの面積より大きい。
【0184】
これに関連して、例えば、長方形サブピクセルSPcの横および縦が2.42umと7.26umであり、非発光領域NEAcの幅は0.41umであり、正四角形サブピクセルSPaの横および縦がすべて4.19umであり、非発光領域NEAaの幅は0.41umである場合、サブピクセルSPc、SPaの面積は同一に17.56umであり、長方形の発光領域EAcの面積は10.30umであり、正四角形の発光領域EAaの面積は11.35umである。これに伴い、長方形サブピクセルSPcの開口率は58.6%であり、正四角形サブピクセルSPaの開口率は64.6%となって、正四角形サブピクセルSPaの開口率は長方形のサブピクセルSPcに比べて非常に高い水準を有するようになる。
【0185】
本実施例のサブピクセルは、前述した通り、正四角形に基づいてこのコーナー部を形態変更したものであるので、正四角形の開口率と実質的に同一であるか非常に近接した水準を有するようになる。
【0186】
したがって、本実施例の発光表示装置は開口率を向上させることができる。
【0187】
一方、本実施例ではサブピクセルが正四角形に基づいてコーナー部の形態を変更したものであって、RGBW構造、ペンタイル構造、デルタ構造を含んだ多様なピクセル構造を具現できる。これに関連して、例えば、RGBW構造に関連して、本実施例のサブピクセルを2行*2列にR、G、B、Wサブピクセルで配置することによって具現できる。そして、RGBGペンタイル構造に関連して、本実施例のサブピクセルを1列の2個の行にR、Bサブピクセルで配置し、2列の2個の行にG、Gサブピクセルで配置することによって具現できる。
【0188】
<第2実施例>
【0189】
図7は、本発明の第2実施例に係る発光表示装置を概略的に図示した平面図である。
【0190】
以下の説明では、前述した第1実施例と同一または類似する構成に対しては具体的な説明を省略することができる。
【0191】
図7を参照すると、本実施例の発光表示装置10で、各サブピクセルSPは発光領域を有する第1領域A1と、第1領域A1の一対角方向の一側に位置する突出した第2領域A2で構成され得る。
【0192】
サブピクセルSPは4個のコーナー部を有することになり、このうち3個のコーナー部は傾斜したチャンファ形態を有し残りの1個のコーナー部Cpは突出した正四角形形態を有することができる。
【0193】
第1領域A1はチャンファ形態の3個のコーナー部を有することになり、第2領域A2は突出した形態の1個のコーナー部Cpを有することができる。
【0194】
第1領域A1内の発光領域には発光ダイオードが備えられ得る。第2領域A2では、発光ダイオードと薄膜トランジスタが接続され得る。
【0195】
各サブピクセルSPの境界に沿ってこれを囲むトレンチTCが形成され得る。このように、トレンチTCは隣り合うサブピクセルSP間の境界に形成され、これらを分離することができる。
【0196】
本実施例では、突出したコーナー部Cpが行ラインに沿ってその方向が交互となるように構成され得る。
【0197】
これに関連して、前述した第1実施例では、すべてのサブピクセルSPは突出したコーナー部が同一方向を有するように構成される。
【0198】
これと異なる例として、本実施例では各行ラインに沿って配列されたサブピクセルSPは突出したコーナー部Cpの方向が第1対角方向DD1と第2対角方向DD2に交互となるように構成され得る。
【0199】
例えば、図7で2行に配列されたサブピクセルSPに対して、奇数番目の列ラインに位置するサブピクセルSPは突出したコーナー部が右下側に位置して第1対角方向DD1に向かい、偶数番目の列ラインに位置するサブピクセルSPは突出したコーナー部が右上側に位置して第2対角方向DD2に向かうようになる。
【0200】
このようなサブピクセルSPの構造および配置によると、各列ラインサブピクセルSPの一側、例えば右側に位置し列ラインに沿って延びた境界線(または隣り合う列ラインの間の境界線)に配置されたトレンチTCに該当する第1トレンチラインは、突出したコーナー部Cpでこの形状に沿って右側に突出した形態を有することができる。
【0201】
このような第1トレンチラインは、列方向LD2の第1サイド溝TCS1と、隣り合う第1サイド溝TCS1の間に連結され、直角二等辺形態で突出した部分をなす第1、2コーナー溝TCC1、TCC2で構成され得る。
【0202】
そして、各行ラインサブピクセルSPの一側、例えば下側に位置し行ラインに沿って延びた境界線(または隣り合う行ラインの間の境界線)に配置されたトレンチTCに該当する第2トレンチラインは、突出したコーナー部Cpでこの形状に沿って下側と上側に交互に突出した形態を有することができる。
【0203】
このような第2トレンチラインは、行方向LD1の第2サイド溝TCS2と、隣り合う第2サイド溝TCS2の間に連結され、直角二等辺形態で突出した部分をなす第1、2コーナー溝TCC1、TCC2で構成され得る。
【0204】
この時、第1トレンチラインと第2トレンチラインは、突出したコーナー部Cpの第1、2コーナー溝TCC1、TCC2を交互に共有できるようになる。
【0205】
このように一部が突出した形態の第1トレンチラインと第2トレンチラインが交差することによって、これらによって囲まれたサブピクセルSPが定義され得る。
【0206】
前記のように構成された本実施例では、突出したコーナー部Cpが行ラインで互いに反対となる対角方向に交互に配置され得る。このようにすれば、同一方向のサブピクセルパターンが繰り返されなくなり、同じパターンが視認される現象を改善することができる。
【0207】
もちろん、本実施例の発光表示装置10は、第1実施例で言及した効果および長所を有することができる。
【0208】
<第3実施例>
【0209】
図8は、本発明の第3実施例に係る発光表示装置を概略的に図示した平面図である。
【0210】
以下の説明では、前述した第1、2実施例と同一または類似する構成に対しては具体的な説明を省略することができる。
【0211】
図8を参照すると、本実施例の発光表示装置10で、各サブピクセルSPは発光領域を有する第1領域A1と、第1領域A1の日対角方向の一側に位置する突出した第2領域A2で構成され得る。
【0212】
サブピクセルSPは4個のコーナー部を有することになり、このうち3個のコーナー部は傾斜したチャンファ形態を有し残りの1個のコーナー部Cpは突出した正四角形形態を有することができる。
【0213】
第1領域A1はチャンファ形態の3個のコーナー部を有することになり、第2領域A2は突出した形態の1個のコーナー部Cpを有することができる。
【0214】
第1領域A1内の発光領域には発光ダイオードが備えられ得る。第2領域A2では、発光ダイオードと薄膜トランジスタが接続され得る。
【0215】
各サブピクセルSPの境界に沿ってこれを囲むトレンチTCが形成され得る。このように、トレンチTCは隣り合うサブピクセルSP間の境界に形成され、これらを分離することができる。
【0216】
本実施例では、突出したコーナー部Cpが列ラインに沿ってその方向が交互となるように構成され得る。
【0217】
これに関連して、前述した第1実施例では、すべてのサブピクセルSPは突出したコーナー部が同一方向を有するように構成される。
【0218】
これと異なる例として、本実施例では各列ラインに沿って配列されたサブピクセルSPは突出したコーナー部Cpの方向が第1対角方向DD1と第2対角方向DD2に交互となるように構成され得る。
【0219】
例えば、図8で2列に配列されたサブピクセルSPに対して、奇数番目の行ラインに位置するサブピクセルSPは突出したコーナー部が右下側に位置して第1対角方向DD1に向かい、偶数番目の行ラインに位置するサブピクセルSPは突出したコーナー部が左下側に位置して第2対角方向DD2に向かうようになる。
【0220】
このようなサブピクセルSPの構造および配置によると、各列ラインサブピクセルSPの一側、例えば右側に位置し列ラインに沿って延びた境界線(または隣り合う列ラインの間の境界線)に配置されたトレンチTCに該当する第1トレンチラインは、突出したコーナー部Cpでこの形状に沿って右側と左側に交互に突出した形態を有することができる。
【0221】
このような第1トレンチラインは、列方向LD2の第1サイド溝TCS1と、隣り合う第1サイド溝TCS1の間に連結され、直角二等辺形態で突出した部分をなす第1、2コーナー溝TCC1、TCC2で構成され得る。
【0222】
そして、各行ラインサブピクセルSPの一側、例えば下側に位置し行ラインに沿って延びた境界線(または隣り合う行ラインの間の境界線)に配置されたトレンチTCに該当する第2トレンチラインは、突出したコーナー部Cpでこの形状に沿って下側に突出した形態を有することができる。
【0223】
このような第2トレンチラインは、行方向LD1の第2サイド溝TCS2と、隣り合う第2サイド溝TCS2の間に連結され、直角二等辺形態で突出した部分をなす第1、2コーナー溝TCC1、TCC2で構成され得る。
【0224】
この時、第1トレンチラインと第2トレンチラインは、突出したコーナー部Cpの第1、2コーナー溝TCC1、TCC2を交互に共有できるようになる。
【0225】
このように一部が突出した形態の第1トレンチラインと第2トレンチラインが交差することによって、これらによって囲まれたサブピクセルSPが定義され得る。
【0226】
前記のように構成された本実施例では、突出したコーナー部Cpが列ラインで互いに反対となる対角方向に交互に配置され得る。このようにすれば、同一方向のサブピクセルパターンが繰り返されなくなり、同じパターンが視認される現象を改善することができる。
【0227】
もちろん、本実施例の発光表示装置10は、第1実施例で言及した効果および長所を有することができる。
【0228】
前述した通り、本発明の実施例によると、サブピクセルの境界に沿ってトレンチを形成して、隣り合うサブピクセル間には発光層が互いに物理的に分離することができる。これに伴い、隣り合うサブピクセル間で発光層を通じての漏洩電流の発生が防止され得る。
【0229】
そして、正四角形のサブピクセルに基づいてこの直角コーナー部を変形して、3個のコーナー部がチャンファ形態を有し残りの1個のコーナー部が突出した正四角形形態を有するサブピクセルを形成することになる。これに伴い、互いに隣り合うサブピクセルが集合する部分でこれらの境界に形成されたトレンチは交差角が90度、135度、135度を有する「Y」字状に形成され得るようになり、OPC設計が適用されたマスク工程を通じて望む幅のトレンチを形成できるようになるので、その結果、トレンチによって隣り合うサブピクセル間で発光層が分離され得る。
【0230】
また、正四角形に基づいてこのコーナー部を形態変更したサブピクセルを利用することになるため、正四角形の開口率と実質的に同一であるか非常に近接した高い水準の開口率を実現することができる。
【0231】
また、正四角形に基づいてこのコーナー部を形態変更したサブピクセルを利用することになるため、RGBW構造、ペンタイル構造、デルタ構造を含んだ多様なピクセル構造を具現できる。
【0232】
また、突出したコーナー部が行ラインまたは列ラインで互いに反対となる対角方向に交互に配置され得る。この場合、同一方向のサブピクセルパターンが繰り返されなくなり、同じパターンが視認される現象を改善することができる。
【0233】
前述した本発明の実施例は本発明の一例として、本発明の精神に含まれる範囲内から自由な変形が可能である。したがって、本発明は、添付された特許請求の範囲およびこれと等価となる範囲内での本発明の変形を含む。
【符号の説明】
【0234】
10:発光表示装置
101:基板
111:第1絶縁層
112:第2絶縁層
113:第3絶縁層
121:第1反射板
122:第2反射板
123:第3反射板
140:第1電極
143:バンク
160:密封層
170:カラーフィルタ層
SP:サブピクセル
SP1、SP2、SP3、SP4:第1、2、3、4サブピクセル
A1、A2:第1、2領域
EA:発光領域
C1、C2、C3、C4:第1、2、3、4コーナー部
Cp:突出したコーナー部
TC:トレンチ
TCS:サイド溝
TCS1、TCS2:第1、2サイド溝
TCC:コーナー溝
TCC1、TCC2:第1、2コーナー溝
図1
図2
図3
図4
図5
図6
図7
図8