特開 2024-96025 積層型電子部品

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024096025

(43)【公開日】2024-07-11

(54)【発明の名称】積層型電子部品

(51)【国際特許分類】

   H01G 4/30 20060101AFI20240704BHJP

【ＦＩ】

H01G4/30 201L

H01G4/30 515

【審査請求】未請求

【請求項の数】14

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023215862

(22)【出願日】2023-12-21

(31)【優先権主張番号】10-2022-0188435

(32)【優先日】2022-12-29

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(71)【出願人】

【識別番号】594023722

【氏名又は名称】サムソン エレクトロ－メカニックス カンパニーリミテッド．

(74)【代理人】

【識別番号】100108453

【弁理士】

【氏名又は名称】村山 靖彦

(74)【代理人】

【識別番号】100110364

【弁理士】

【氏名又は名称】実広 信哉

(72)【発明者】

【氏名】金 珍友

(72)【発明者】

【氏名】朴 文秀

(72)【発明者】

【氏名】盧 承▲ヒョン▼

(72)【発明者】

【氏名】▲黄▼ 問▲キョン▼

(72)【発明者】

【氏名】金 忠煥

(72)【発明者】

【氏名】金 賢佑

【テーマコード（参考）】

5E001

5E082

【Ｆターム（参考）】

5E001AB03

5E001AC04

5E001AD04

5E001AE01

5E001AE02

5E001AE03

5E001AE04

5E001AF06

5E001AG02

5E001AJ02

5E082AA01

5E082AB03

5E082EE04

5E082EE23

5E082FF05

5E082FG03

5E082FG26

5E082FG46

(57)【要約】

【課題】本発明は、積層型電子部品に関する。
【解決手段】本発明の一実施形態による積層型電子部品の本体において、上記第１及び第２内部電極が上記第１方向から見た時に重なる領域を容量形成部、上記容量形成部の第２方向の一面及び他面に配置され、上記第１及び第２内部電極の端部の何れか一つのみを含む領域を第１マージン部とし、上記誘電体層において、上記容量形成部に含まれる領域のうち中央部に位置した領域を第１領域、上記第１マージン部に含まれる領域を第２領域としたときに、Ｍｇ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｌｉ、Ｃｕ、Ｎａ、Ｂｉ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｖ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｙ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｔｂ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｄｙのうち一つ以上の元素は、上記第２領域には含まれるが、上記第１領域には実質的に含まれない。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

誘電体層、及び前記誘電体層を挟んで第１方向に交互に配置される第１内部電極及び第２内部電極を含み、第１方向に向かい合う第１面及び第２面、前記第１面及び前記第２面と連結されて第２方向に向かい合う第３面及び第４面、前記第１面～前記第４面と連結されて第３方向に向かい合う第５面及び第６面を有する本体と、
前記第３面に配置され、前記第１内部電極と連結される第１外部電極と、
前記第４面に配置され、前記第２内部電極と連結される第２外部電極と、を含み、
前記本体において、前記第１内部電極及び前記第２内部電極が前記第１方向から見た時に重なる領域を容量形成部、前記容量形成部の第２方向の一面及び他面に配置され、前記第１内部電極及び前記第２内部電極の端部の何れか一つのみを含む領域を第１マージン部とし、
前記誘電体層において、前記容量形成部に含まれる領域のうち中央部に位置した領域を第１領域とし、前記第１マージン部に含まれる領域を第２領域としたときに、
Ｍｇ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｌｉ、Ｃｕ、Ｎａ、Ｂｉ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｖ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｙ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｔｂ、Ｈｏ、Ｅｒ、及びＤｙのうち１つ以上の元素は、前記第２領域には含まれるが、前記第１領域には実質的に含まれない、積層型電子部品。

【請求項2】

前記中央部は、前記容量形成部に含まれる誘電体層の領域を第２方向に５等分した時に１／５地点から４／５地点までの領域、及び第１方向に３等分した時に１／３地点から２／３地点までの領域である、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項3】

前記第２領域には含まれるが、前記第１領域には実質的に含まれない元素はＭｇである、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項4】

前記第２領域はＴｉをさらに含み、
前記第２領域に含まれるＭｇの含量はＴｉ１００モルに対して１モル以上５モル以下である、請求項３に記載の積層型電子部品。

【請求項5】

前記第２領域はＴｉをさらに含み、
前記第２領域には含まれるが、前記第１領域には実質的に含まれない元素は、Ｓｉ、Ａｌ、Ｌｉ、Ｃｕ、Ｎａ、及びＢｉのうち１つ以上であり、
前記第２領域に含まれるＳｉ、Ａｌ、Ｌｉ、Ｃｕ、Ｎａ、及びＢｉのうち１つ以上の含量はＴｉ１００モルに対して２モル以上７モル以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項6】

前記第２領域には含まれるが、前記第１領域には実質的に含まれない元素はＳｉである、請求項５に記載の積層型電子部品。

【請求項7】

前記第２領域はＴｉをさらに含み、
前記第２領域には含まれるが、前記第１領域には実質的に含まれない元素は、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｖ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｙ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｔｂ、Ｈｏ、Ｅｒ、及びＤｙのうち１つ以上であり、
前記第２領域に含まれるＭｎ、Ｃｒ、Ｖ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｙ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｔｂ、Ｈｏ、Ｅｒ、及びＤｙのうち１つ以上の含量はＴｉ１００モルに対して１モル以上３モル以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項8】

前記第２領域には含まれるが、前記第１領域には実質的に含まれない元素はＭｎである、請求項７に記載の積層型電子部品。

【請求項9】

誘電体層、及び前記誘電体層を挟んで第１方向に交互に配置される第１内部電極及び第２内部電極を含み、第１方向に向かい合う第１面及び第２面、前記第１面及び前記第２面と連結されて第２方向に向かい合う第３面及び第４面、前記第１面～前記第４面と連結されて第３方向に向かい合う第５面及び第６面を有する本体と、
前記第３面に配置され、前記第１内部電極と連結される第１外部電極と、
前記第４面に配置され、前記第２内部電極と連結される第２外部電極と、を含み、
前記本体において、前記第１内部電極及び前記第２内部電極が第１方向から見た時に重なる領域を容量形成部、前記容量形成部の第２方向の一面及び他面に配置され、前記第１内部電極または前記第２内部電極の端部を含む領域を第１マージン部、前記容量形成部の第３方向の一面及び他面に配置される領域を第２マージン部とし、
前記誘電体層において、前記容量形成部に含まれる領域のうち中央部に位置した領域を第１領域、前記第１マージン部に含まれる領域を第２領域、前記第２マージン部に含まれる領域を第３領域としたとき、
Ｓｉ、Ａｌ、Ｌｉ、Ｃｕ、Ｎａ、Ｂｉ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｖ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｙ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｔｂ、Ｈｏ、Ｅｒ、及びＤｙのうち１つ以上の元素は、前記第２領域及び前記第３領域のうち一つ以上には含まれるが、前記第１領域には実質的に含まれない、積層型電子部品。

【請求項10】

前記中央部は、前記容量形成部に含まれる誘電体層の第２方向及び第３方向に５等分した時に１／５地点から４／５地点までの領域、及び第１方向に３等分した時に１／３地点から２／３地点までの領域である、請求項９に記載の積層型電子部品。

【請求項11】

前記第２領域及び前記第３領域はＴｉをさらに含み、
前記第２領域及び前記第３領域のうち一つ以上には含まれるが、前記第１領域には実質的に含まれない元素は、Ｓｉ、Ａｌ、Ｌｉ、Ｃｕ、Ｎａ、及びＢｉのうち１つ以上であり、
前記第２領域及び前記第３領域のうち一つ以上に含まれるＳｉ、Ａｌ、Ｌｉ、Ｃｕ、Ｎａ、及びＢｉのうち１つ以上の含量はＴｉ１００モルに対して２モル以上７モル以下である、請求項９に記載の積層型電子部品。

【請求項12】

前記第２領域及び前記第３領域のうち一つ以上には含まれるが、前記第１領域には実質的に含まれない元素はＳｉである、請求項１１に記載の積層型電子部品。

【請求項13】

前記第２領域及び前記第３領域はＴｉをさらに含み、
前記第２領域及び前記第３領域のうち一つ以上には含まれるが、前記第１領域には実質的に含まれない元素は、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｖ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｙ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｔｂ、Ｈｏ、Ｅｒ、及びＤｙのうち１つ以上であり、
前記第２領域及び前記第３領域のうち一つ以上に含まれるＭｎ、Ｃｒ、Ｖ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｙ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｔｂ、Ｈｏ、Ｅｒ、及びＤｙのうち１つ以上の含量はＴｉ１００モルに対して１モル以上３モル以下である、請求項９に記載の積層型電子部品。

【請求項14】

前記第２領域及び前記第３領域のうち一つ以上には含まれるが、前記第１領域には実質的に含まれない元素はＭｎである、請求項１３に記載の積層型電子部品。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、積層型電子部品に関する。

【背景技術】

【0002】

積層型電子部品の一つである積層セラミックキャパシタ（ＭＬＣＣ：Ｍｕｌｔｉｌａｙｅｒ Ｃｅｒａｍｉｃ Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）は、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ：Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）及びプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ：Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ）などの映像機器、コンピュータ、スマートフォン、及び携帯電話などの種々の電子製品のプリント回路基板に取り付けられ、電気を充電または放電させる役割を果たすチップ形態のコンデンサである。

【0003】

積層セラミックキャパシタは、内部電極が重なって静電容量を形成する容量形成部と、それ以外の領域であるマージン部と、を含むことができる。容量形成部とマージン部は、内部電極の積層度の差によって圧着及び焼成過程で段差が生じることがあり、このような段差は、マージン部の構造的脆弱部を形成しやすい。

【0004】

従来は、かかる段差を解決するために、段差補償用パターンをマージン部に選択的に付与する試みがあった。また、マージン部と容量形成部の境界で電場が集中し、ＢＤＶ特性が劣化するという問題を解決するために、段差補償用パターンの成分を調節する試みがあった。しかしながら、段差補償用パターンと容量形成部の誘電体層に含まれる元素の種類が同一である条件下において、その割合のみを調節した結果、マージン部に特化した特性を付与するには限界がある状況である。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

本発明の様々な目的の１つは、積層型電子部品の容量形成部とマージン部の段差を解消するために段差補償部を形成する過程で、ＢＤＶ特性が劣化することを抑えることにある。

【0006】

本発明の様々な目的の１つは、積層型電子部品の容量形成部とマージン部の段差を解消するために段差補償部を形成する過程で、高温信頼性が劣化することを抑えることにある。

【0007】

但し、本発明の目的は上述の内容に限定されず、本発明の具体的な実施形態を説明する過程でより容易に理解されることができる。

【課題を解決するための手段】

【0008】

本発明の一実施形態による積層型電子部品は、誘電体層、及び上記誘電体層を挟んで第１方向に交互に配置される第１内部電極及び第２内部電極を含み、第１方向に向かい合う第１面及び第２面、上記第１面及び第２面と連結されて第２方向に向かい合う第３及び第４面、上記第１面～第４面と連結されて第３方向に向かい合う第５面及び第６面を有する本体と、上記第３面に配置され、上記第１内部電極と連結される第１外部電極と、上記第４面に配置され、上記第２内部電極と連結される第２外部電極と、を含み、上記本体において、上記第１内部電極及び第２内部電極が上記第１方向から見た時に重なる領域を容量形成部、上記容量形成部の第２方向の一面及び他面に配置され、上記第１内部電極及び第２内部電極の端部の何れか一つのみを含む領域を第１マージン部とし、上記誘電体層において、上記容量形成部に含まれる領域のうち中央部に位置した領域を第１領域とし、上記第１マージン部に含まれる領域を第２領域としたときに、Ｍｇ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｌｉ、Ｃｕ、Ｎａ、Ｂｉ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｖ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｙ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｔｂ、Ｈｏ、Ｅｒ、及びＤｙのうち一つ以上の元素は、上記第２領域には含まれるが、上記第１領域には実質的に含まれない。

【0009】

本発明の他の一実施形態による積層型電子部品は、誘電体層、及び上記誘電体層を挟んで第１方向に交互に配置される第１及び第２内部電極を含み、第１方向に向かい合う第１面及び第２面、上記第１面及び第２面と連結されて第２方向に向かい合う第３面及び第４面、上記第１面～第４面と連結されて第３方向に向かい合う第５面及び第６面を有する本体と、上記第３面に配置され、上記第１内部電極と連結される第１外部電極と、上記第４面に配置され、上記第２内部電極と連結される第２外部電極と、を含み、上記本体において、上記第１内部電極及び第２内部電極が第１方向から見た時に重なる領域を容量形成部、上記容量形成部の第２方向の一面及び他面に配置され、上記第１内部電極または第２内部電極の端部を含む領域を第１マージン部、上記容量形成部の第３方向の一面及び他面に配置される領域を第２マージン部とし、上記誘電体層において、上記容量形成部に含まれる領域のうち中央部に位置した領域を第１領域、上記第１マージン部に含まれる領域を第２領域、上記第２マージン部に含まれる領域を第３領域としたときに、Ｓｉ、Ａｌ、Ｌｉ、Ｃｕ、Ｎａ、Ｂｉ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｖ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｙ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｔｂ、Ｈｏ、Ｅｒ、及びＤｙのうち１つ以上の元素は、上記第２領域及び上記第３領域のうち一つ以上には含まれるが、上記第１領域には実質的に含まれない。

【発明の効果】

【0010】

本発明の様々な効果の一つは、容量形成部に含まれる誘電体層の領域と、マージン部に含まれる誘電体層の領域に含まれる元素の種類を異ならせることで、段差補償のためのマージン部を形成する場合にも、ＢＤＶ特性または高温信頼性が劣化することを抑えることである。

【0011】

但し、本発明の多様で且つ有益な利点と効果は上述の内容に限定されず、本発明の具体的な実施形態を説明する過程でより容易に理解されることができる。

【図面の簡単な説明】

【0012】

【図1】本発明の一実施形態による積層型電子部品を概略的に示した斜視図である。

【図2】図１のＩ－Ｉ’の断面図である。

【図3】図１のＩＩ－ＩＩ’の断面図である。

【図4】本発明の一実施形態による本体を製造する方法を概略的に示した分解斜視図である。

【図5】本発明の一実施形態によるセラミック積層本体を概略的に示した斜視図である。

【図6】図２のＡ領域を拡大した拡大図である。

【図7】図３のＢ領域を拡大した拡大図である。

【発明を実施するための形態】

【0013】

以下では、添付の図面を参照して本発明の好ましい実施形態について説明する。しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形されることができ、本発明の範囲は以下で説明する実施形態に限定されない。また、本発明の実施形態は、当該技術分野で平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及び大きさなどはより明確な説明のために拡大縮小表示（または強調表示や簡略化表示）がされることがある。

【0014】

なお、本発明を明確に説明すべく、図面において説明と関係ない部分は省略し、様々な層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して示し、同一思想の範囲内において機能が同一である構成要素に対しては同一の参照符号を用いて説明する。さらに、明細書全体において、ある構成要素を「含む」とは、特に異なる趣旨の説明がされていない限り、他の構成要素を除外する趣旨ではなく、他の構成要素をさらに含むことができるということを意味する。

【0015】

図面において、第１方向は、誘電体層を挟んで第１及び第２内部電極が交互に配置される方向または厚さ（Ｔ）方向、上記第１方向に垂直な方向である第２方向及び第３方向のうち、上記第２方向は長さ（Ｌ）方向、上記第３方向は幅（Ｗ）方向と定義されることができる。

【0016】

図１は本発明の一実施形態による積層型電子部品を概略的に示した斜視図であり、図２は図１のＩ－Ｉ’の断面図であり、図３は図１のＩＩ－ＩＩ’の断面図であり、図６は図２のＡ領域を拡大した拡大図である。

【0017】

以下では、図１から図３、図６、及び図７を参照して、本発明の一実施形態及び本発明の他の一実施形態による積層型電子部品１００について説明する。

【0018】

本発明の一実施形態による積層型電子部品１００は、誘電体層、及び上記誘電体層を挟んで第１方向に交互に配置される第１及び第２内部電極１２１、１２２を含み、第１方向に向かい合う第１及び第２面１、２、上記第１及び第２面と連結されて第２方向に向かい合う第３及び第４面３、４、上記第１～第４面と連結されて第３方向に向かい合う第５及び第６面５、６を有する本体１１０と、上記第３面に配置され、上記第１内部電極と連結される第１外部電極１３１と、上記第４面に配置され、上記第２内部電極と連結される第２外部電極１３２と、を含み、上記本体において、上記第１及び第２内部電極が上記第１方向から見た時に重なる領域を容量形成部Ａｃ、上記容量形成部の第２方向の一面及び他面に配置され、上記第１及び第２内部電極の端部１２１ｂ、１２２ｂの何れか一つのみを含む領域を第１マージン部ＬＭ１、ＬＭ２、上記誘電体層において、上記容量形成部に含まれる領域のうち中央部に位置した領域を第１領域１１１ａ、上記第１マージン部に含まれる領域を第２領域１１１ｂとしたときに、Ｍｇ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｌｉ、Ｃｕ、Ｎａ、Ｂｉ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｖ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｙ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｔｂ、Ｈｏ、Ｅｒ、及びＤｙのうち１つ以上の元素は、上記第２領域には含まれるが、上記第１領域には実質的に含まれない。

【0019】

本体１１０は、誘電体層と、上記誘電体層を挟んで第１方向に交互に配置される第１及び第２内部電極１２１、１２２と、を含む。

【0020】

本体１１０の具体的な形状は特に制限されないが、図示されたように、本体１１０は、六面体形状またはそれに類似の形状からなることができる。焼成過程における、本体１１０に含まれているセラミック粉末の収縮により、本体１１０は、完全な直線を有する六面体形状ではないが、実質的に六面体形状を有することができる。

【0021】

本体１１０は、第１方向に互いに向かい合う第１及び第２面１、２と、上記第１及び第２面１、２と連結されて第２方向に互いに向かい合う第３及び第４面３、４と、第１及び第２面１、２と連結され、且つ第３及び第４面３、４と連結されて第３方向に互いに向かい合う第５及び第６面５、６と、を有することができる。

【0022】

本体１１０を成す複数の誘電体層は焼成された状態であって、隣接する誘電体層の間の境界は、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ：Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を用いずには確認が困難な程度に一体化されていることができる。

【0023】

本発明の一実施形態によると、上記誘電体層を形成する原料は、十分な静電容量を得ることができれば特に制限されない。例えば、チタン酸バリウム系材料、鉛複合ペロブスカイト系材料、またはチタン酸ストロンチウム系材料などが使用できる。上記チタン酸バリウム系材料は、ＢａＴｉＯ_３系セラミック粉末を含むことができ、上記セラミック粉末の例として、ＢａＴｉＯ_３、ＢａＴｉＯ_３にＣａ（カルシウム）、Ｚｒ（ジルコニウム）などが一部固溶された（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）ＴｉＯ_３（０＜ｘ＜１）、Ｂａ（Ｔｉ_１－ｙＣａ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｙ＜１）、（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）（Ｔｉ_１－ｙＺｒ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１）、またはＢａ（Ｔｉ_１－ｙＺｒ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｙ＜１）などが挙げられる。

【0024】

また、上記誘電体層を形成する原料は、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）などの粉末に、本発明の目的に応じて、種々のセラミック添加剤、有機溶剤、結合剤、分散剤などが添加されることができる。

【0025】

一方、誘電体層の平均厚さｔｄは特に限定する必要はない。例えば、誘電体層の平均厚さｔｄは、０．２μｍ以上２μｍ以下であることができる。

【0026】

誘電体層の平均厚さｔｄは、上記第１内部電極１２１と第２内部電極１２２との間に配置される誘電体層の平均厚さｔｄを意味し得る。

【0027】

誘電体層の平均厚さｔｄは、本体１１０の長さ及び厚さ方向（Ｌ－Ｔ）の断面を１万倍率の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ、Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）でイメージスキャンして測定することができる。より具体的には、スキャンされた画像での１つの誘電体層において、長さ方向に等間隔である３０個の地点でその厚さを測定し、平均値を測定することができる。上記等間隔である３０個の地点は、容量形成部Ａｃで指定されることができる。また、このような平均値の測定を１０個の誘電体層に拡張して行うと、誘電体層の平均厚さをさらに一般化することができる。

【0028】

内部電極１２１、１２２は、誘電体層と第１方向に交互に配置される。

【0029】

内部電極１２１、１２２は第１及び第２内部電極１２１、１２２を含むことができる。第１及び第２内部電極１２１、１２２は、本体１１０を構成する誘電体層を挟んで互いに対向するように交互に配置され、本体１１０の第３及び第４面３、４にそれぞれ連結されることができる。具体的には、第１内部電極１２１の一端は第３面と連結され、第２内部電極１２２の一端は第４面と連結されることができる。すなわち、一実施形態において、内部電極１２１、１２２は第３面３または第４面４と接することができる。

【0030】

第１内部電極１２１は、第４面４から離隔して第３面３を介して露出し、第２内部電極１２２は、第３面３から離隔して第４面４を介して露出することができる。本体の第３面３には第１外部電極１３１が配置されて第１内部電極１２１と連結され、本体の第４面４には第２外部電極１３２が配置されて第２内部電極１２２と連結されることができる。

【0031】

すなわち、第１内部電極１２１は、第２外部電極１３２とは連結されず、第１外部電極１３１と連結されており、第２内部電極１２２は、第１外部電極１３１とは連結されず、第２外部電極１３２と連結される。したがって、第１内部電極１２１は第４面４から一定距離離隔して形成され、第２内部電極１２２は第３面３から一定距離離隔して形成されることができる。この時、第１及び第２内部電極１２１、１２２は、その間に配置された誘電体層により互いに電気的に分離されることができる。

【0032】

内部電極１２１、１２２を形成する材料は特に制限されず、電気伝導性に優れた材料を用いることができる。例えば、内部電極１２１、１２２は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、スズ（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、及びこれらの合金のうち１つ以上を含むことができる。

【0033】

また、内部電極１２１、１２２は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、スズ（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、及びこれらの合金のうち１つ以上を含む内部電極用導電性ペーストをセラミックグリーンシートに印刷することで形成されることができる。上記内部電極用導電性ペーストの印刷方法としては、スクリーン印刷法またはグラビア印刷法などを用いることができるが、本発明はこれに限定されるものではない。

【0034】

本発明の一実施形態によると、本体１１０は、容量形成部Ａｃと、第１マージン部ＬＭ１、ＬＭ２と、を含む。

【0035】

図２及び図３を参照すると、容量形成部Ａｃは、第１方向から見た時に、上記第１及び第２内部電極が重なる領域である。上記容量形成部は、積層型電子部品１００の静電容量の形成に寄与する部分であり、上記第１及び第２内部電極の重なる領域の間には誘電体層が配置されることができる。一方、図２を参照すると、上記容量形成部に含まれる第１及び第２内部電極の領域を内部電極の本体部１２１ａ、１２２ａと定義することができ、上記容量形成部から第２方向に延びて本体１１０の第３面及び第４面の何れか一つと接する第１及び第２内部電極の領域を内部電極の端部１２１ｂ、１２２ｂと定義することができる。

【0036】

図２を参照すると、第１マージン部ＬＭ１、ＬＭ２は、容量形成部Ａｃの第２方向の一面及び他面に配置され、第１及び第２内部電極の端部１２１ｂ、１２２ｂの何れか一つのみを含む領域である。上記第１マージン部は、第１及び第２内部電極１２１、１２２のうち一つが第２方向に延びて形成された区間であり、本体１１０と外部電極１３１、１３２が電気的に連結されるようにする役割を果たすことができる。また、上記第１マージン部は、上記容量形成部が外部電極１３１、１３２から一定間隔離れるようにし、外部の物理的、化学的ストレスから上記容量形成部を保護する役割を果たすことができる。一方、上記容量形成部は、誘電体層を挟んで複数の第１及び第２内部電極１２１、１２２を繰り返し積層することで形成されることができる。

【0037】

本発明の他の一実施形態によると、本体１１０は、上記容量形成部と、第１マージン部及び第２マージン部ＷＭ１、ＷＭ２と、を含む。

【0038】

第２マージン部ＷＭ１、ＷＭ２は、上記容量形成部Ａｃの第３方向の一面及び他面に配置された領域である。上記マージン部は、本体１１０の第５面５に配置された第２マージン部ＷＭ１と、第６面６に配置された第２マージン部ＷＭ２と、を含むことができる。すなわち、第２マージン部ＷＭ１、ＷＭ２は、上記本体１１０の第３方向（幅方向）の両端面（ｅｎｄ ｓｕｒｆａｃｅｓ）に配置されることができる。

【0039】

第２マージン部ＷＭ１、ＷＭ２は、図３に示されたように、本体１１０を幅－厚さ（Ｗ－Ｔ）方向に切断した断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）において、第１及び第２内部電極の本体部１２１ａ、１２２ａの両端と本体１１０の境界面の間の領域を意味し得る。

【0040】

第２マージン部ＷＭ１、ＷＭ２は、基本的に、物理的または化学的ストレスによる内部電極の損傷を防止する役割を果たすことができる。

【0041】

第２マージン部ＷＭ１、ＷＭ２は、セラミックグリーンシート上に、マージン部が形成されるべき箇所を除いて導電性ペーストを塗布して内部電極を形成することにより形成されたものであることができる。

【0042】

また、内部電極１２１、１２２による段差を抑えるために、積層後に内部電極が本体の第５及び第６面５、６に露出するように切断した後、単一の誘電体層または２つ以上の誘電体層を容量形成部Ａｃの両側面に第３方向（幅方向）に積層することで第２マージン部ＷＭ１、ＷＭ２が形成されてもよい。

【0043】

一方、第２マージン部ＷＭ１、ＷＭ２の幅は特に限定する必要はない。但し、積層型電子部品の小型化及び高容量化をより容易に達成するために、マージン部ＷＭ１、ＷＭ２の平均幅は１５μｍ以下であることができる。

【0044】

第２マージン部ＷＭ１、ＷＭ２の平均幅は、マージン部ＷＭ１、ＷＭ２の第３方向の平均サイズを意味し、容量形成部Ａｃの側面において等間隔の５個の地点で測定したマージン部ＷＭ１、ＷＭ２の第３方向のサイズを平均した値であることができる。

【0045】

一実施形態において、上記容量形成部Ａｃの第１方向の一面には上部カバー部１１２が配置されることができ、上記容量形成部Ａｃの第１方向の他面には下部カバー部１１３を含むことができる。

【0046】

上記上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３は、単一の誘電体層または２つ以上の誘電体層を容量形成部Ａｃの上下面にそれぞれ厚さ方向に積層することで形成されることができ、基本的に、物理的または化学的ストレスによる内部電極の損傷を防止する役割を果たすことができる。

【0047】

上記上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３は、内部電極を含まず、誘電体層と同一の材料を含むことができる。

【0048】

すなわち、上記上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３はセラミック材料を含むことができ、例えば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）系セラミック材料を含むことができる。

【0049】

一方、カバー部１１２、１１３の平均厚さは特に限定する必要はない。但し、積層型電子部品の小型化及び高容量化をより容易に達成するために、カバー部１１２、１１３の平均厚さｔｐは１５μｍ以下であることができる。

【0050】

カバー部１１２、１１３の平均厚さは第１方向のサイズを意味し、容量形成部Ａｃの上部または下部において等間隔の５個の地点で測定したカバー部１１２、１１３の第１方向のサイズを平均した値であることができる。

【0051】

本体１１０の第３面３及び第４面上には外部電極１３１、１３２が配置される。外部電極１３１、１３２は、本体１１０の第３及び第４面３、４にそれぞれ配置され、第１及び第２内部電極１２１、１２２とそれぞれ連結された第１及び第２外部電極１３１、１３２を含むことができる。

【0052】

本実施形態では、積層型電子部品１００が２つの外部電極１３１、１３２を有する構造を説明しているが、外部電極１３１、１３２の個数や形状などは、内部電極１２１、１２２の形態やその他の目的によって変わり得る。

【0053】

一方、外部電極１３１、１３２は、金属などのように電気伝導性を有するものであれば如何なる物質を用いて形成されてもよく、電気的特性、構造的安定性などを考慮して具体的な物質が決定されることができ、さらには、多層構造を有することができる。

【0054】

例えば、外部電極１３１、１３２は、本体１１０に配置される電極層と、電極層上に形成されためっき層と、を含むことができる。

【0055】

電極層のより具体的な例として、電極層は、導電性金属及びガラスを含む焼成電極であってもよく、導電性金属及び樹脂を含む樹脂系電極であってもよい。

【0056】

また、電極層は、本体上に焼成電極及び樹脂系電極が順に形成された形態であることができる。また、電極層は、本体上に導電性金属を含むシートを転写する方式により形成されてもよく、焼成電極上に導電性金属を含むシートを転写する方式により形成されてもよい。

【0057】

電極層に含まれる導電性金属として、電気伝導性に優れた材料を用いることができるが、特に限定されない。例えば、導電性金属は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、及びこれらの合金のうち１つ以上であることができる。

【0058】

めっき層は、実装特性を向上させる役割を果たす。めっき層の種類は特に限定されず、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｄ、及びこれらの合金のうち１つ以上を含むめっき層であることができ、複数の層で形成されることができる。

【0059】

めっき層のより具体的な例として、めっき層は、Ｎｉめっき層またはＳｎめっき層であることができ、電極層上にＮｉめっき層及びＳｎめっき層が順に形成された形態であってもよく、Ｓｎめっき層、Ｎｉめっき層、及びＳｎめっき層が順に形成された形態であってもよい。また、めっき層は、複数のＮｉめっき層及び／または複数のＳｎめっき層を含んでもよい。

【0060】

一方、本発明の一実施形態によると、誘電体層は、配置された位置によって区分される領域に分けられる。

【0061】

具体的には、本発明の一実施形態では、誘電体層を、容量形成部Ａｃに含まれる領域のうち中央部に位置した領域である第１領域１１１ａと、第１マージン部ＬＭ１、ＬＭ２に含まれる第２領域１１１ｂとに区分することができる。

【0062】

積層型電子部品１００の第１マージン部ＬＭ１、ＬＭ２は、容量形成部Ａｃとは内部電極１２１、１２２の積層度が異なる。よって、内部電極１２１、１２２を誘電体層を挟んで第１方向に交互に配置され、圧着及び焼成過程を経る場合、収縮挙動の違いにより段差が生じる可能性がある。また、容量形成部Ａｃと第１マージン部ＬＭ１、ＬＭ２の境界は、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２の何れか一つの端が位置する領域であるため、電場が集中する可能性がある。これにより、積層型電子部品１００の信頼性が低下する恐れがある。

【0063】

従来は、第１内部電極１２１の端と第４面との間、第２内部電極１２２の端と第３面との間に、段差解消用誘電体パターンを形成した後、段差解消用誘電体パターンの特定の金属元素の含量を、容量形成部に含まれる誘電体層の特定の金属元素の含量より高く調節することで、内部電極の端に電場が集中する現象を抑える試みがあった。また、マージン部と容量形成部に含まれるＳｉ、Ｍｎ及び希土類元素の含量を調節することで、積層型電子部品の信頼性の低下を防止しようとする試みがあった。すなわち、従来は、誘電体層のうち容量形成部に含まれる領域と、マージン部に含まれる領域に添加される元素が同一である状態で、その割合を調節して積層型電子部品の信頼性の低下を抑える試みがあった。

【0064】

容量形成部とマージン部に含まれる誘電体層の各領域に含まれる元素の種類が同一である条件下においてその含量のみを異ならせる従来技術とは異なって、本発明では、容量形成部Ａｃに含まれる誘電体層の領域と、マージン部に含まれる誘電体層の各領域に含まれる一部の元素の種類を異ならせることで、積層型電子部品の信頼性を向上させようとする。

【0065】

本発明の一実施形態によると、Ｍｇ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｌｉ、Ｃｕ、Ｎａ、Ｂｉ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｖ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｙ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｔｂ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｄｙのうち１つ以上の元素は、第２領域１１１ｂには含まれるが、第１領域１１１ａには実質的に含まれない。

【0066】

本明細書において、特定の元素が特定の領域に「実質的に含まれない」とは、該当領域の全元素の総含量に対する特定の元素の含量が０．５ａｔ％未満となるように含まれることを意味し得る。すなわち、ＴＥＭ－ＥＤＸ（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ－Ｅｎｅｒｇｙ Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ Ｘ－ｒａｙ ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）のような元素含量測定方法により測定した結果で、ノイズのレベルで測定されることを除いては、特定の元素を含まないことを意味し得る。

【0067】

上記Ｍｇ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｌｉ、Ｃｕ、Ｎａ、Ｂｉ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｖ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｙ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｔｂ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｄｙのうち一つ以上の元素は、第１領域１１１ａには実質的に含まれず、第２領域１１１ｂに含まれる。これにより、第２領域１１１ｂの誘電体の粒成長を抑え、結晶粒界の割合を増加させることで、第１及び第２内部電極１２１、１２２の何れか一つの端に電場が集中する現象による絶縁破壊電圧（ＢＤＶ、Ｂｒｅａｋ Ｄｏｗｎ Ｖｏｌｔａｇｅ）特性の劣化を抑えるか、第２領域１１１ｂの焼結性を向上させて第１マージン部ＬＭ１、ＬＭ２の緻密度を向上させることで、ＢＤＶ特性の劣化を抑えるか、高温での絶縁抵抗（ＩＲ、Ｉｎｓｕｌａｔｉｏｎ Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）の劣化を抑えることで、ＨＡＬＴ（Ｈｉｇｈ Ａｃｃｅｌｅｒａｔｅｄ Ｌｉｆｅ Ｔｅｓｔ）信頼性を向上させる役割を果たすことができる。

【0068】

図６は図２のＡ領域の拡大図である。図６のＰ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４線は、容量形成部に含まれる誘電体層を第２方向に５等分した線であり、Ｑ１、Ｑ２線は、第１方向に３等分した線である。図６を参照すると、第１領域１１１ａが位置する中央部は、容量形成部に含まれる誘電体層の領域を第２方向に５等分した時に１／５地点（Ｐ１）から４／５地点（Ｐ４）までの領域、及び第１方向に３等分した時に１／３地点（Ｑ１）から２／３地点（Ｑ２）までの領域を意味し得る。すなわち、第１領域１１１ａは、第１マージン部ＬＭ１、ＬＭ２及び内部電極１２１、１２２から一定の間隔を置いて離隔した領域を意味し得る。一方、図６は容量形成部の第１方向の中央に位置した誘電体層を示したものであるが、第１領域１１１ａが位置する中央部についての説明は、任意の誘電体層に同様に適用されることができる。

【0069】

一実施形態において、第２領域１１１ｂには含まれるが、第１領域１１１ａには実質的に含まれない元素は、Ｍｇであることができる。これにより、第１領域１１１ａに含まれる誘電体の結晶粒よりも、第２領域１１１ｂに含まれる誘電体の結晶粒を微細化することができ、第１及び第２内部電極１２１、１２２の何れか一つの端に電場が集中する現象を緩和することができる。これにより、積層型電子部品１００のＢＤＶ特性が改善される。

【0070】

一実施形態によって、第２領域１１１ｂには含まれるが、第１領域１１１ａには実質的に含まれない元素がＭｇである場合、第２領域１１１ｂはＴｉをさらに含み、第２領域１１１ｂに含まれるＭｇの含量は、Ｔｉ１００モルに対して１モル以上５モル以下であることができる。第２領域１１１ｂに含まれるＭｇの含量がＴｉ１００モルに対して１モル未満である場合、第２領域１１１ｂの誘電体の結晶粒を十分に微細化できず、積層型電子部品１００のＢＤＶ特性を改善することが困難である恐れがある。また、第２領域１１１ｂに含まれるＭｇの含量がＴｉ１００モルに対して５モルを超える場合、第１領域１１１ａにＭｇが拡散し、積層型電子部品１００のＢＤＶ特性が劣化する恐れがある。

【0071】

一実施形態において、第２領域１１１ｂには含まれるが、第１領域１１１ａには実質的に含まれない元素は、Ｓｉ、Ａｌ、Ｌｉ、Ｃｕ、Ｎａ、及びＢｉのうち１つ以上であることができる。Ｓｉ、Ａｌ、Ｌｉ、Ｃｕ、Ｎａ、及びＢｉのうち１つ以上の元素が、第２領域１１１ｂには含まれるが、第１領域１１１ａには実質的に含まれないことで、第１マージン部ＬＭ１、ＬＭ２の緻密度を向上させ、積層型電子部品１００のＢＤＶ特性の劣化を抑えることができる。

【0072】

一実施形態において、第２領域１１１ｂはＴｉをさらに含み、第２領域に含まれるＳｉ、Ａｌ、Ｌｉ、Ｃｕ、Ｎａ、及びＢｉのうち１つ以上の含量は、Ｔｉ１００モルに対して２モル以上７モル以下であることができる。Ｓｉ、Ａｌ、Ｌｉ、Ｃｕ、Ｎａ、及びＢｉのうち１つ以上の含量がＴｉ１００モルに対して２モル未満である場合、第２領域１１１ｂの誘電体の結晶粒を十分に微細化できず、積層型電子部品１００のＢＤＶ特性を改善することが困難である恐れがある。また、Ｓｉ、Ａｌ、Ｌｉ、Ｃｕ、Ｎａ、及びＢｉのうち１つ以上の含量がＴｉ１００モルに対して７モルを超える場合、第１領域１１１ａにＳｉ、Ａｌ、Ｌｉ、Ｃｕ、Ｎａ、及びＢｉのうち１つ以上が拡散し、積層型電子部品１００のＢＤＶ特性が劣化する恐れがある。

【0073】

一実施形態において、第２領域１１１ｂには含まれるが、第１領域１１１ａには実質的に含まれない元素は、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｖ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｙ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｔｂ、Ｈｏ、Ｅｒ、及びＤｙのうち１つ以上であることができる。Ｍｎ、Ｃｒ、Ｖ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｙ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｔｂ、Ｈｏ、Ｅｒ、及びＤｙのうち１つ以上の元素が、第２領域１１１ｂには含まれるが、第１領域１１１ａには含まれないことで、高温での絶縁抵抗（ＩＲ、Ｉｎｓｕｌａｔｉｏｎ Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）の劣化を抑えることにより、ＨＡＬＴ（Ｈｉｇｈ Ａｃｃｅｌｅｒａｔｅｄ Ｌｉｆｅ Ｔｅｓｔ）信頼性を向上させることができる。

【0074】

一実施形態において、第２領域１１１ｂはＴｉをさらに含み、第２領域に含まれるＭｎ、Ｃｒ、Ｖ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｙ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｔｂ、Ｈｏ、Ｅｒ、及びＤｙのうち１つ以上の含量は、Ｔｉ１００モルに対して１モル以上３モル以下であることができる。

【0075】

一実施形態において、第２領域１１１ｂはＴｉをさらに含み、第２領域に含まれるＭｎ、Ｃｒ、Ｖ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｙ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｔｂ、Ｈｏ、Ｅｒ、及びＤｙのうち１つ以上の含量がＴｉ１００モルに対して１モル未満である場合、積層型電子部品１００の高温信頼性を改善させる効果が不十分である恐れがある。第２領域に含まれるＭｎ、Ｃｒ、Ｖ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｙ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｔｂ、Ｈｏ、Ｅｒ、及びＤｙのうち１つ以上の含量がＴｉ１００モルに対して３モルを超える場合、第１領域１１１ａにＭｎ、Ｃｒ、Ｖ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｙ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｔｂ、Ｈｏ、Ｅｒ、及びＤｙのうち１つ以上が拡散し、積層型電子部品１００の高温信頼性が劣化する恐れがある。一実施形態において、第２領域１１１ｂには含まれるが、第１領域１１１ａには実質的に含まれない元素はＭｎであることが好ましいが、高温信頼性向上の効果は、第２領域１１１ｂには含まれるが、第１領域１１１ａには実質的に含まれない元素がＣｒ、Ｖ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｙ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｔｂ、Ｈｏ、Ｅｒ、及びＤｙのうち１つ以上である場合にも、同様に奏されることができる。

【0076】

本発明の他の一実施形態による積層型電子部品１００は、誘電体層、及び上記誘電体層を挟んで第１方向に交互に配置される第１及び第２内部電極１２１、１２２を含み、第１方向に向かい合う第１及び第２面１、２、上記第１及び第２面と連結されて第２方向に向かい合う第３及び第４面３、４、上記第１～第４面と連結されて第３方向に向かい合う第５及び第６面５、６を有する本体１１０と、上記第３面に配置され、上記第１内部電極と連結される第１外部電極１３１と、上記第４面に配置され、上記第２内部電極と連結される第２外部電極１３２と、を含み、上記本体において、上記第１及び第２内部電極が第１方向から見た時に重なる領域を容量形成部Ａｃ、上記容量形成部の第２方向の一面及び他面に配置され、上記第１または第２内部電極の端部を含む領域を第１マージン部ＬＭ１、ＬＭ２、上記容量形成部の第３方向の一面及び他面に配置される領域を第２マージン部ＷＭ１、ＷＭ２とし、上記誘電体層において、上記容量形成部に含まれる領域を第１領域１１１ａ、上記第１マージン部に含まれる領域を第２領域１１１ｂ、上記第２マージン部に含まれる領域を第３領域１１１ｃとしたときに、Ｓｉ、Ａｌ、Ｌｉ、Ｃｕ、Ｎａ、Ｂｉ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｖ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｙ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｔｂ、Ｈｏ、Ｅｒ、及びＤｙのうち１つ以上の元素は、上記第２領域及び上記第３領域のうち一つ以上には含まれるが、上記第１領域には実質的に含まれない。

【0077】

図７は図３のＢ領域の拡大図である。図７のＲ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４線は、容量形成部に含まれる誘電体層を第３方向に５等分した線であり、Ｑ１、Ｑ２線は、第１方向に３等分した線である。図７を参照すると、第１領域１１１ａが位置する中央部は、容量形成部に含まれる誘電体層の領域を第３方向に５等分した時に１／５地点（Ｒ１）から４／５地点（Ｒ４）までの領域、及び第１方向に３等分した時に１／３地点（Ｑ１）から２／３地点（Ｑ２）までの領域であることができる。図７と上述の図６についての説明を組み合わせると、第１領域１１１ａが位置する中央部は、容量形成部に含まれる誘電体層の領域を第２及び第３方向に５等分した時に１／５地点から４／５地点までの領域、及び第１方向に３等分した時に１／３地点から２／３地点までの領域を意味し得る。すなわち、第１領域１１１ａは、第１マージン部ＬＭ１、ＬＭ２、第２マージン部ＷＭ１、ＷＭ２、及び内部電極１２１、１２２から一定の間隔を置いて離隔した領域を意味し得る。一方、図７は容量形成部の第１方向の中央に位置した誘電体層を示したものであるが、第１領域１１１ａが位置する中央部についての説明は、任意の誘電体層に同様に適用されることができる。

【0078】

本発明の他の一実施形態では、誘電体層を、容量形成部Ａｃに含まれる領域のうち中央部に位置した領域である第１領域１１１ａと、第１マージン部ＬＭ１、ＬＭ２に含まれる第２領域１１１ｂと、第２マージン部ＷＭ１、ＷＭ２に含まれる第３領域１１１ｃとに区分することができる。

【0079】

本発明の他の一実施形態によると、第２領域１１１ｂ及び第３領域１１１ｃのうち一つ以上は、第１領域１１１ａに含まれない元素を一つ以上含むことができる。この時、第２領域１１１ｂ及び第３領域１１１ｃのうち一つ以上には含まれるが、第１領域１１１ａには実質的に含まれない元素は、Ｓｉ、Ａｌ、Ｌｉ、Ｃｕ、Ｎａ、Ｂｉ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｖ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｙ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｔｂ、Ｈｏ、Ｅｒ、及びＤｙのうち１つ以上であることができる。これにより、第２領域１１１ｂと第３領域１１１ｃのうち一つ以上に含まれた誘電体の粒成長を抑え、結晶粒界の割合を増加させることで、第１及び第２内部電極１２１、１２２の何れか一つの端に電場が集中する現象による絶縁破壊電圧（ＢＤＶ、Ｂｒｅａｋ Ｄｏｗｎ Ｖｏｌｔａｇｅ）特性の劣化を抑えるか、第２領域１１１ｂ及び第３領域１１１ｃのうち一つ以上の焼結性を向上させて第１マージン部ＬＭ１、ＬＭ２及び第２マージン部ＷＭ１、ＷＭ２のうち一つ以上の緻密度を向上させることで、ＢＤＶ特性の劣化を抑えるか、高温での絶縁抵抗（ＩＲ、Ｉｎｓｕｌａｔｉｏｎ Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）の劣化を抑えることで、ＨＡＬＴ（Ｈｉｇｈ Ａｃｃｅｌｅｒａｔｅｄ Ｌｉｆｅ Ｔｅｓｔ）信頼性を向上させることができる。

【0080】

一実施形態において、第２領域１１１ｂ及び第３領域１１１ｃはＴｉをさらに含み、第２領域１１１ｂ及び第３領域１１１ｃのうち一つ以上には含まれるが、第１領域１１１ａには実質的に含まれない元素は、Ｓｉ、Ａｌ、Ｌｉ、Ｃｕ、Ｎａ、及びＢｉのうち１つ以上であることができる。これにより、第２領域１１１ｂと第３領域１１１ｃのうち一つ以上に含まれた誘電体の粒成長を抑え、結晶粒界の比重を増加させることで、第１及び第２内部電極１２１、１２２の何れか一つの端で電場が集中する現象による絶縁破壊電圧（ＢＤＶ、Ｂｒｅａｋ Ｄｏｗｎ Ｖｏｌｔａｇｅ）特性の劣化を抑えることができる。

【0081】

この時、第２領域１１１ｂに含まれるＳｉ、Ａｌ、Ｌｉ、Ｃｕ、Ｎａ、及びＢｉのうち１つ以上の含量は、Ｔｉ１００モルに対して２モル以上７モル以下であることが好ましい。

【0082】

また、第２領域１１１ｂ及び第３領域１１１ｃのうち一つ以上には含まれるが、第１領域には実質的に含まれない元素はＳｉであることが好ましいが、Ａｌ、Ｌｉ、Ｃｕ、Ｎａ、及びＢｉのうち１つ以上である場合にも、その効果は同様に奏されることができる。

【0083】

一実施形態において、第２領域１１１ｂ及び第３領域１１１ｃのうち一つ以上には含まれるが、第１領域１１１ａには実質的に含まれない元素は、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｖ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｙ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｔｂ、Ｈｏ、Ｅｒ、及びＤｙのうち１つ以上であることができる。これにより、第２領域１１１ｂ及び第３領域１１１ｃのうち一つ以上の焼結性を向上させ、第１マージン部ＬＭ１、ＬＭ２及び第２マージン部ＷＭ１、ＷＭ２のうち一つ以上の緻密度を向上させることで、ＢＤＶ特性の劣化を抑えることができる。

【0084】

この時、第２領域１１１ｂ及び上記第３領域１１１ｃのうち一つ以上に含まれるＭｎ、Ｃｒ、Ｖ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｙ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｔｂ、Ｈｏ、Ｅｒ、及びＤｙのうち１つ以上の含量は、Ｔｉ１００モルに対して１モル以上３モル以下であることが好ましい。

【0085】

また、第２領域１１１ｂ及び第３領域１１１ｃのうち一つ以上には含まれるが、第１領域には実質的に含まれない元素はＭｎであることが好ましいが、Ｃｒ、Ｖ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｙ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｔｂ、Ｈｏ、Ｅｒ、及びＤｙのうち１つ以上である場合にも、その効果は同様に奏されることができる。

【0086】

図４は本発明の一実施形態による本体を製造する方法を概略的に示した分解斜視図であり、図５は本発明の一実施形態によるセラミック積層本体を概略的に示した斜視図である。

【0087】

以下では、図４及び図５を参照して本発明の本体１１０を製造する方法の一例について説明する。

【0088】

図４を参照すると、本体１１０の焼成前状態であるセラミック積層本体１０を形成するために、誘電体セラミックグリーンシート１１上に内部電極パターン１２を形成し、それを複数個積層及び圧着する過程が行われることができる。この時、内部電極パターン１２は、誘電体セラミックグリーンシート１１上の全体を覆うのではなく、第２方向の一端と他端に第１方向に沿って交互に露出するように配置されることができる。内部電極パターン１２は、焼成後に第１及び第２内部電極１２１、１２２として形成されることができ、誘電体セラミックグリーンシート１１は焼成後に誘電体層になることができる。

【0089】

誘電体セラミックグリーンシート１１は、誘電体層を形成する原料を含むことができる。例えば、チタン酸バリウム系材料、鉛複合ペロブスカイト系材料、またはチタン酸ストロンチウム系材料などが使用できる。上記チタン酸バリウム系材料は、ＢａＴｉＯ_３系セラミック粉末を含むことができ、上記セラミック粉末の例として、ＢａＴｉＯ_３、ＢａＴｉＯ_３にＣａ（カルシウム）、Ｚｒ（ジルコニウム）などが一部固溶された（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）ＴｉＯ_３（０＜ｘ＜１）、Ｂａ（Ｔｉ_１－ｙＣａ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｙ＜１）、（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）（Ｔｉ_１－ｙＺｒ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１）、またはＢａ（Ｔｉ_１－ｙＺｒ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｙ＜１）などが挙げられる。また、本発明の目的に応じて、種々のセラミック添加剤、有機溶剤、結合剤、分散剤などが添加されることができる。

【0090】

内部電極パターン１２は、内部電極１２１、１２２を形成する材料を含むことができる。ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、スズ（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、及びこれらの合金のうち一つ以上を含むことができ、必要に応じて、種々の添加剤をさらに含むことができる。

【0091】

誘電体セラミックグリーンシート１１上において、内部電極パターン１２が配置されていない領域には補償パターン１３が配置されることができる。補償パターン１３は、誘電体セラミックグリーンシート１１に含まれない元素を一つ以上含むことができる。誘電体セラミックグリーンシート１１に含まれないが、補償パターン１３に含まれる元素は、本発明の一実施形態のように、Ｍｇ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｌｉ、Ｃｕ、Ｎａ、Ｂｉ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｖ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｙ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｔｂ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｄｙのうち１つ以上であることができ、本発明の他の一実施形態のように、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｖ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｙ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｔｂ、Ｈｏ、Ｅｒ、及びＤｙのうち１つ以上であることができる。すなわち、誘電体セラミックグリーンシート１１に含まれないが、補償パターン１３に含まれる元素を調節することで、本発明の第１領域１１１ａには含まれないが、第２領域１１１ｂ及び第３領域１１１ｃのうち一つ以上に含まれる元素の種類と含量を調節することができる。

【0092】

補償パターン１３は、内部電極パターン１２が配置されていない誘電体セラミックグリーンシート１１上の全体を覆うように配置されることができる。具体的には、内部電極パターン１２が誘電体セラミックグリーンシート１１の第２方向の一端と第３方向の両端から離隔して形成される場合、補償パターン１３は、内部電極パターン１２が形成されていない誘電体セラミックグリーンシート１１上の全体を覆うように形成されることができる。この時、内部電極パターン１２の第２方向の一端と誘電体セラミックグリーンシートの第２方向の一端との間の距離は、焼成後に第１マージン部ＬＭ１、ＬＭ２が形成されるようにすることができ、内部電極パターン１２の第３方向の一端と誘電体セラミックグリーンシートの第３方向の一端との間の距離は、焼成後に第２マージン部ＷＭ１、ＷＭ２が形成されるようにすることができる。

【0093】

一方、補償パターン１３の元素は、焼成過程を経て誘電体セラミックグリーンシート１１に拡散し、誘電体層の第１～第３領域１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃを形成することができる。しかし、本発明では、補償パターン１３には含まれるが、誘電体セラミックグリーンシート１１には含まれない元素が、焼成過程で容量形成部Ａｃに含まれる誘電体層の第１領域１１１ａには拡散されない。これは、補償パターン１３には含まれるが、誘電体セラミックグリーンシート１１には含まれない元素の分布と焼成条件を変更することで調節されることができる。

【0094】

一方、内部電極パターン１２が配置されていない誘電体セラミックグリーンシート１１がセラミック積層本体１０の最上端及び最下端に配置されることができ、焼成後にカバー部１１２、１１３を形成する部分を形成することができる。

【0095】

図５を参照すると、セラミック積層本体１０は、内部電極パターン１２及び誘電体セラミックグリーンシート１１が第１方向に交互に配置され、第１方向に互いに向かい合う第１及び第２面１、２、上記第１及び第２面１、２と連結されて第２方向に互いに向かい合う第３及び第４面３、４、第１及び第２面１、２と連結され、且つ第３及び第４面３、４と連結されて第３方向に互いに向かい合う第５及び第６面５、６が形成されることができる。図５での第１～第６面は、焼成後に本体１１０の第１～第６面となることができる。

【0096】

（実施例）
表１から表３は、誘電体層の第２領域１１１ｂには含まれるが、第１領域１１１ａには含まれない特定の元素の含量による、積層型電子部品１００のＢＤＶ特性及び高温信頼性を評価した結果を作成したものである。表１及び表２の評価は第２領域１１１ｂを基準として作成したものであるが、第３領域１１１ｃにも適用することができる。すなわち、特定の元素が第３領域１１１ｃには含まれるが、第１領域１１１ａには含まれない場合も同様に適用されることができる。

【0097】

表１から表３では、各試験番号毎に特定の元素の含量を除き、何れも実質的に同一のサンプルを用いて評価を進行した。

【0098】

第１領域及び第２領域１１１ａ、１１１ｂに含まれる元素の含量は、積層型電子部品１００の第３方向の中心部まで研磨して第１方向及び第２方向の断面を露出させた後、第１方向及び第２方向の断面を第１方向に３等分し、上部、下部、及び中間部に区分した後、上部、下部、及び中間部のそれぞれにおいて、第２方向に等間隔である３個以上の５μｍ／５μｍ領域でＴＥＭ－ＥＤＸ（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ－Ｅｎｅｒｇｙ Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ Ｘ－ｒａｙ ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）で測定した含量の平均値を取った。

【0099】

ＢＤＶは、１００個のサンプルに対して、２５℃、１００Ｖ／ｓの昇圧条件で測定し、２０ｍＡで絶縁抵抗（ＩＲ、Ｉｎｓｕｌａｔｉｏｎ Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）値が１００００Ω以下に低下した時の電圧を絶縁破壊電圧として測定し、平均値を取った。

【0100】

ＭＴＴＦ（Ｍｅａｎ Ｔｉｍｅ Ｔｏ Ｆａｉｌｕｒｅ）は、８０個のサンプルに対して、１０５℃、８Ｖｒ下で絶縁抵抗（ＩＲ、Ｉｎｓｕｌａｔｉｏｎ Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）値が１００００Ω以下に低下した時までの時間を測定し、平均値を取った。

【0101】

表１は、第２領域１１１ｂには含まれるが、第１領域１１１ａには含まれない元素をＭｇとし、第２領域１１１ｂに含まれるＭｇの含量（Ｔｉ１００モルに対する）を調節しながら積層型電子部品のＢＤＶ特性を評価した結果を作成したものである。

【0102】

【表1】

【0103】

表１を参照すると、第２領域１１１ｂには含まれるが、第１領域１１１ａには含まれない元素がＭｇである場合、第２領域１１１ｂに含まれるＭｇの含量（Ｔｉ１００モルに対する）が１モル以上である時に、積層型電子部品のＢＤＶ特性が改善されることが確認できる。また、試験番号６及び７を参照すると、第２領域１１１ｂに含まれるＭｇの含量（Ｔｉ１００モルに対する）が５モルを超える時に、積層型電子部品１００のＢＤＶ特性が劣化することが確認できる。よって、本発明の一実施形態のように、第２領域１１１ｂに含まれるＭｇの含量（Ｔｉ１００モルに対する）を１モル以上５モル以下に調節することで、積層型電子部品１００のＢＤＶ特性を向上させることができる。

【0104】

表２は、第２領域１１１ｂには含まれるが、第１領域１１１ａには含まれない元素をＳｉとし、第２領域１１１ｂに含まれるＳｉの含量（Ｔｉ１００モルに対する）を調節しながら積層型電子部品のＢＤＶ特性を評価した結果を作成したものである。

【0105】

【表2】

【0106】

表２を参照すると、第２領域１１１ｂには含まれるが、第１領域１１１ａには含まれない元素がＳｉである場合、第２領域１１１ｂに含まれるＳｉの含量（Ｔｉ１００モルに対する）が１モル以上である時に、積層型電子部品のＢＤＶ特性が改善されることが確認できる。また、試験番号８及び９を参照すると、第２領域１１１ｂに含まれるＳｉの含量（Ｔｉ１００モルに対する）が７モルを超える時に、積層型電子部品１００のＢＤＶ特性が劣化することが確認できる。よって、本発明の一実施形態のように、第２領域１１１ｂに含まれるＳｉの含量（Ｔｉ１００モルに対する）を１モル以上７モル以下に調節することで、積層型電子部品１００のＢＤＶ特性を向上させることができる。

【0107】

表３は、第２領域１１１ｂには含まれるが、第１領域１１１ａには含まれない元素をＭｎとし、第２領域１１１ｂに含まれるＭｎの含量（Ｔｉ１００モルに対する）を調節しながら積層型電子部品の高温信頼性を評価した結果を作成したものである。

【0108】

【表3】

【0109】

表３を参照すると、第２領域１１１ｂには含まれるが、第１領域１１１ａには含まれない元素がＭｎである場合、第２領域１１１ｂに含まれるＭｎの含量（Ｔｉ１００モルに対する）が１モル以上である時に、積層型電子部品の高温信頼性が著しく改善されることが確認できる。また、試験番号４及び５を参照すると、第２領域１１１ｂに含まれるＭｎの含量（Ｔｉ１００モルに対する）が３モルを超える時に、積層型電子部品１００の高温信頼性が著しく劣化することが確認できる。よって、本発明の一実施形態のように、第２領域１１１ｂに含まれるＭｎの含量（Ｔｉ１００モルに対する）を１モル以上３モル以下に調節することで、積層型電子部品１００の高温信頼性を著しく向上させることができる。

【0110】

以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明は上述の実施形態及び添付図面により限定されず、添付の特許請求の範囲により限定される。したがって、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から外れない範囲内で、当技術分野の通常の知識を有する者によって様々な形態の置換、変形、及び変更が可能であり、これも本発明の範囲に属するといえる。

【0111】

また、本発明で用いられた一実施例という表現は、互いに同一の実施例を意味せず、それぞれ互いに異なる固有の特徴を強調して説明するために提供されるものである。しかし、上記提示された一実施例は、他の実施例の特徴と結合して実施される場合を排除しない。例えば、特定の一実施例で説明された事項が他の実施例で説明されていなくても、他の実施例でその事項と反対の説明がされているかその事項と矛盾する説明がされていない限り、他の実施例に関連する説明であると解釈することもできる。

【0112】

本発明で用いられた用語は、一例を説明するために説明されたものであるにすぎず、本発明を限定しようと意図するものではない。このとき、単数の表現は文脈上明確に異なる意味でない限り、複数を含む。

【符号の説明】

【0113】

１０ セラミック積層本体
１００ 積層型電子部品
１１０ 本体
１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃ 第１領域、第２領域、第３領域
１２１、１２２ 第１及び第２内部電極
１３１、１３２ 第１及び第２外部電極
ＬＭ１、ＬＭ２ 第１マージン部
ＷＭ１、ＷＭ２ 第２マージン部
１１２、１１３ カバー部

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】