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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024096035
(43)【公開日】2024-07-11
(54)【発明の名称】有機発光ダイオード表示装置
(51)【国際特許分類】
H10K 50/858 20230101AFI20240704BHJP
H10K 59/122 20230101ALI20240704BHJP
G09F 9/30 20060101ALI20240704BHJP
H10K 59/131 20230101ALI20240704BHJP
【ＦＩ】
H10K50/858
H10K59/122
G09F9/30 365
G09F9/30 338
H10K59/131
【審査請求】有
【請求項の数】17
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023218023
(22)【出願日】2023-12-25
(31)【優先権主張番号】10-2022-0189152
(32)【優先日】2022-12-29
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(71)【出願人】
【識別番号】501426046
【氏名又は名称】エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド
(74)【代理人】
【識別番号】100094112
【弁理士】
【氏名又は名称】岡部 讓
(74)【代理人】
【識別番号】100106183
【弁理士】
【氏名又は名称】吉澤 弘司
(74)【代理人】
【識別番号】100114915
【弁理士】
【氏名又は名称】三村 治彦
(74)【代理人】
【識別番号】100125139
【弁理士】
【氏名又は名称】岡部 洋
(74)【代理人】
【識別番号】100209808
【弁理士】
【氏名又は名称】三宅 高志
(72)【発明者】
【氏名】フ ジェスン
(72)【発明者】
【氏名】ハン ジュンス
(72)【発明者】
【氏名】アン ジュンハ
(72)【発明者】
【氏名】チェ ジェヒュク
【テーマコード（参考）】
3K107
5C094
【Ｆターム（参考）】
3K107AA01
3K107BB01
3K107CC05
3K107CC14
3K107CC33
3K107DD02
3K107DD89
3K107EE03
3K107EE29
3K107FF15
5C094AA07
5C094BA03
5C094BA27
5C094CA19
5C094DB01
5C094ED01
5C094FA03
5C094FA04
5C094JA09
(57)【要約】
【課題】光抽出効率を向上させ、輝点不良を低減した有機発光ダイオード表示装置を提供する。
【解決手段】本発明の有機発光ダイオード表示装置は、表示領域と前記表示領域外郭の非表示領域を含む基板と、前記表示領域内発光領域と非発光領域を有する複数の副画素と、前記複数の副画素それぞれの前記発光領域に備えられる複数のマイクロレンズとを含み、前記表示領域内の前記複数の副画素のうち最外郭副画素の前記発光領域は前記複数のマイクロレンズが複数個除去された第１平坦部を備える。
【選択図】図３
【解決手段】本発明の有機発光ダイオード表示装置は、表示領域と前記表示領域外郭の非表示領域を含む基板と、前記表示領域内発光領域と非発光領域を有する複数の副画素と、前記複数の副画素それぞれの前記発光領域に備えられる複数のマイクロレンズとを含み、前記表示領域内の前記複数の副画素のうち最外郭副画素の前記発光領域は前記複数のマイクロレンズが複数個除去された第１平坦部を備える。
【選択図】図３
【特許請求の範囲】
【請求項1】
表示領域および前記表示領域の外郭の非表示領域を含む基板と、
それぞれが前記表示領域内の発光領域および非発光領域を有する複数の副画素と,
それぞれの前記サブピクセルの発光領域に複数のマイクロレンズを含むオーバーコート層とを含み、
前記複数の副画素のうち最外郭副画素において、前記オーバーコート層は、前記発光領域においていくつかの前記マイクロレンズが除去された第１平坦部を有備える、有機発光ダイオード表示装置。
それぞれが前記表示領域内の発光領域および非発光領域を有する複数の副画素と,
それぞれの前記サブピクセルの発光領域に複数のマイクロレンズを含むオーバーコート層とを含み、
前記複数の副画素のうち最外郭副画素において、前記オーバーコート層は、前記発光領域においていくつかの前記マイクロレンズが除去された第１平坦部を有備える、有機発光ダイオード表示装置。
【請求項2】
前記第１平坦部は前記表示領域の左側および右側短辺の前記最外郭副画素ごとに備えられる、請求項１に記載の有機発光ダイオード表示装置。
【請求項3】
前記表示領域の左側および右側短辺方向に配置される第１垂直配線をさらに含み、前記最外郭副画素の前記マイクロレンズは前記第１垂直配線と離隔して配置される、請求項１に記載の有機発光ダイオード表示装置。
【請求項4】
前記最外郭副画素に水平方向に隣り合って配置される副画素と前記最外郭副画素の間に配置される第２垂直配線をさらに含み、前記最外郭副画素に水平方向に隣り合って配置される副画素の前記マイクロレンズは前記第２垂直配線と重なって配置される、請求項３に記載の有機発光ダイオード表示装置。
【請求項5】
前記第１平坦部は前記表示領域の左側短辺の前記最外郭副画素の左側にのみ備えられ、前記表示領域の右側短辺の前記最外郭副画素の右側にのみ備えられる、請求項１に記載の有機発光ダイオード表示装置。
【請求項6】
前記複数の副画素において、前記オーバーコート層は前記発光領域の角部においていくつかの前記マイクロレンズが除去された第２平坦部をさらに含む、請求項１に記載の有機発光ダイオード表示装置。
【請求項7】
前記複数の副画素に隣接または重なって水平に配置される複数の水平配線および前記複数の副画素の前記発光領域の間ごとに配置される複数の垂直配線をさらに含み、前記第２平坦部は前記水平配線と前記垂直配線が重なる領域に配置される、請求項６に記載の有機発光ダイオード表示装置。
【請求項8】
発光領域と非発光領域を有する複数の副画素が備えられた基板と、
前記基板の上部の前記非発光領域に配置され、薄膜トランジスタを含む回路部と、
前記薄膜トランジスタの上部に配置され、前記発光領域に複数のマイクロレンズを含むオーバーコート層と、
前記オーバーコート層の上部の前記発光領域に配置され、前記薄膜トランジスタに連結される発光ダイオードと、
前記発光領域に対応して開口部を有するバンクとを含み、
前記複数の副画素は第１方向に沿って順次配置された第１～第ｎ副画素（ｎは１より大きい整数）を含み、
前記第１～第ｎ副画素それぞれで前記バンクは前記第１方向に沿って対向する第１および第２側面を有し、
前記第１副画素で前記マイクロレンズは前記バンクの第１側面と離隔し、前記バンクの第２側面と重なり、
前記第ｎ副画素で前記マイクロレンズは前記バンクの第１側面と重なり、前記バンクの第２側面と離隔する、有機発光ダイオード表示装置。
前記基板の上部の前記非発光領域に配置され、薄膜トランジスタを含む回路部と、
前記薄膜トランジスタの上部に配置され、前記発光領域に複数のマイクロレンズを含むオーバーコート層と、
前記オーバーコート層の上部の前記発光領域に配置され、前記薄膜トランジスタに連結される発光ダイオードと、
前記発光領域に対応して開口部を有するバンクとを含み、
前記複数の副画素は第１方向に沿って順次配置された第１～第ｎ副画素（ｎは１より大きい整数）を含み、
前記第１～第ｎ副画素それぞれで前記バンクは前記第１方向に沿って対向する第１および第２側面を有し、
前記第１副画素で前記マイクロレンズは前記バンクの第１側面と離隔し、前記バンクの第２側面と重なり、
前記第ｎ副画素で前記マイクロレンズは前記バンクの第１側面と重なり、前記バンクの第２側面と離隔する、有機発光ダイオード表示装置。
【請求項9】
前記基板の上部に前記第１方向に沿って配置される少なくとも一つの水平配線と、
第２方向に沿って配置され、前記少なくとも一つの水平配線と重なって重畳部を構成する少なくとも一つの垂直配線とをさらに含み、
前記第１～第ｎ副画素のそれぞれで、前記マイクロレンズは前記重畳部と離隔する、請求項８に記載の有機発光ダイオード表示装置。
第２方向に沿って配置され、前記少なくとも一つの水平配線と重なって重畳部を構成する少なくとも一つの垂直配線とをさらに含み、
前記第１～第ｎ副画素のそれぞれで、前記マイクロレンズは前記重畳部と離隔する、請求項８に記載の有機発光ダイオード表示装置。
【請求項10】
前記第１～第ｎ副画素のそれぞれにおいて、前記マイクロレンズは前記重畳部に隣接した前記バンクの開口部の角部と離隔する、請求項９に記載の有機発光ダイオード表示装置。
【請求項11】
前記発光ダイオードは第１電極と発光層および第２電極を含み、
前記第１～第ｎ副画素のそれぞれにおいて、前記第１電極と前記バンクの開口部のそれぞれは前記重畳部に対応する角部が前記発光領域側に引き入れられる、請求項１０に記載の有機発光ダイオード表示装置。
前記第１～第ｎ副画素のそれぞれにおいて、前記第１電極と前記バンクの開口部のそれぞれは前記重畳部に対応する角部が前記発光領域側に引き入れられる、請求項１０に記載の有機発光ダイオード表示装置。
【請求項12】
前記少なくとも一つの水平配線はゲート配線と補助配線を含み、
前記少なくとも一つの垂直配線は電源配線とデータ配線および基準配線を含み、
前記補助配線は前記電源配線と前記データ配線および前記基準配線のうち少なくとも一つと重なって前記重畳部を構成する、請求項９に記載の有機発光ダイオード表示装置。
前記少なくとも一つの垂直配線は電源配線とデータ配線および基準配線を含み、
前記補助配線は前記電源配線と前記データ配線および前記基準配線のうち少なくとも一つと重なって前記重畳部を構成する、請求項９に記載の有機発光ダイオード表示装置。
【請求項13】
前記オーバーコート層は前記非発光領域に備えられるダミーレンズをさらに含み、前記ダミーレンズは前記開口部と離隔する、請求項８に記載の有機発光ダイオード表示装置。
【請求項14】
前記第１副画素において、前記ダミーレンズは前記バンクの第２側面に対応する前記非発光領域にのみ備えられ、
前記第ｎ副画素において、前記ダミーレンズは前記バンクの第１側面に対応する前記非発光領域にのみ備えられる、請求項１３に記載の有機発光ダイオード表示装置。
前記第ｎ副画素において、前記ダミーレンズは前記バンクの第１側面に対応する前記非発光領域にのみ備えられる、請求項１３に記載の有機発光ダイオード表示装置。
【請求項15】
前記ダミーレンズは前記マイクロレンズと同じ大きさおよび形状を有する、請求項１３に記載の有機発光ダイオード表示装置。
【請求項16】
前記第１～第ｎ副画素のうち少なくとも一つで前記マイクロレンズは、隣接したマイクロレンズの中心を連結した線が前記第１方向に対して特定の角度を有するように回転する、請求項８に記載の有機発光ダイオード表示装置。
【請求項17】
前記マイクロレンズの回転角度は０度より大きいか同じであり、６０度より小さい、請求項１６に記載の有機発光ダイオード表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は表示装置に関し、特に、光抽出効率が向上した有機発光ダイオード表示装置に関する。
【背景技術】
【0002】
情報化社会が発展するにつれて画像を表示するための表示装置に対する要求が多様な形態で増加しており、液晶表示装置（ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ ｄｉｓｐｌａｙ ｄｅｖｉｃｅ：ＬＣＤ）と有機発光ダイオード表示装置（ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ ｄｉｓｐｌａｙ ｄｅｖｉｃｅ：ＯＬＥＤ）のようなフラットパネル表示装置（ｆｌａｔ ｐａｎｅｌ ｄｉｓｐｌａｙ ｄｅｖｉｃｅ：ＦＰＤ）が開発されて多様な分野に適用されている。
【0003】
フラットパネル表示装置の中で、有機電界発光表示装置（ｏｒｇａｎｉｃ ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ ｄｉｓｐｌａｙ ｄｅｖｉｃｅ）とも呼ばれる有機発光ダイオード表示装置は、電子注入電極である負極と正孔注入電極である正極の間に形成された発光層に電荷を注入して、電子と正孔の結合によって励起子が形成された後に消滅しながら光を出す素子である。このような有機発光ダイオード表示装置はプラスチックのようなフレキシブルな基板（ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）の上にも形成できるだけでなく、自発光型であるためコントラスト比（ｃｏｎｔｒａｓｔ ｒａｔｉｏ）が大きく応答時間が数マイクロ秒（μｓ）程度であるため動画像の具現が容易であり、視野角の制限がなく低温でも安定し、直流５Ｖ～１５Ｖの比較的低い電圧で駆動が可能であるため、駆動回路の製作および設計が容易である。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
このような有機発光ダイオード表示装置の発光層で生成された光が多くの構成要素を通過して外部に放出される過程で、構成要素の間の界面で全反射などにより一部の光が外部に放出できない場合、光抽出効率が減少することになり、これは輝度低下および消費電力の増加につながる。
【0005】
したがって、本発明は、マイクロレンズを備え、光抽出効率が向上した有機発光ダイオード表示装置を提供しようとする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
前記の目的を達成するために、本発明の有機発光ダイオード表示装置は、表示領域および前記表示領域外郭の非表示領域を含む基板と、前記表示領域内発光領域と非発光領域を有する複数の副画素とを含み、前記複数の副画素それぞれは複数のマイクロレンズを含み、前記表示領域内の前記複数の副画素のうち最外郭副画素の前記発光領域は前記複数のマイクロレンズが複数個除去された第１平坦部を備える。
【0007】
前記第１平坦部は前記表示領域の左側および右側短辺での最外郭副画素ごとに備えられる。
【0008】
本発明の有機発光ダイオード表示装置は、前記表示領域の左側および右側短辺方向に配置される第１垂直配線をさらに含み、前記最外郭副画素の前記マイクロレンズは前記第１垂直配線と離隔して配置される。
【0009】
本発明の有機発光ダイオード表示装置は、前記最外郭副画素に水平方向に隣り合って配置される副画素と前記最外郭副画素の間に配置される第２垂直配線をさらに含み、前記最外郭副画素に水平方向に隣り合って配置される副画素の前記マイクロレンズは前記第２垂直配線と重なって配置される。
【0010】
前記第１平坦部は前記表示領域の左側短辺での最外郭副画素の左側にのみ備えられ、前記表示領域の右側短辺での最外郭副画素の右側にのみ備えられる。
【0011】
前記複数の副画素の前記発光領域は角部に前記マイクロレンズが複数個除去された第２平坦部をさらに含む。
【0012】
本発明の有機発光ダイオード表示装置は、前記複数の副画素に隣接または重なって水平に配置される複数の水平配線および前記複数の副画素の前記発光領域の間ごとに配置される複数の垂直配線をさらに含み、前記第２平坦部は前記水平配線と前記垂直配線が重なる領域に配置される。
【0013】
本発明の他の有機発光ダイオード表示装置は、発光領域と非発光領域を有する複数の副画素が備えられた基板と、前記基板の上部の前記非発光領域に配置され、薄膜トランジスタを含む回路部と、前記薄膜トランジスタの上部に配置され、前記発光領域に複数のマイクロレンズを含むオーバーコート層と、そして前記オーバーコート層の上部の前記発光領域に配置され、前記薄膜トランジスタに連結される発光ダイオードと、前記発光領域に対応して開口部を有するバンクを含み、前記複数の副画素は第１方向に沿って順次配置された第１～第ｎ副画素（ｎは１より大きい整数）を含み、前記第１～第ｎ副画素それぞれで前記バンクは前記第１方向に沿って対向する第１～第２側面を有し、前記第１副画素で前記マイクロレンズは前記バンクの第１側面と離隔し、前記バンクの第２側面と重なり、前記第ｎ副画素で前記マイクロレンズは前記バンクの第１側面と重なり、前記バンクの第２側面と離隔する。
【0014】
本発明の有機発光ダイオード表示装置は、前記基板の上部に前記第１方向に沿って配置される少なくとも一つの水平配線と、第２方向に沿って配置され、前記少なくとも一つの水平配線と重なって重畳部を構成する少なくとも一つの垂直配線とをさらに含み、前記第１～第ｎ副画素のそれぞれで、前記マイクロレンズは前記重畳部と離隔する。
【0015】
前記第１～第ｎ副画素のそれぞれで、前記マイクロレンズは前記重畳部に隣接した前記バンクの開口部の角部と離隔する。
【0016】
前記発光ダイオードは第１電極と発光層および第２電極を含み、前記第１～第ｎ副画素のそれぞれで、前記第１電極と前記バンクの開口部のそれぞれは前記重畳部に対応する角部が前記発光領域側に引き入れられる。
【0017】
前記少なくとも一つの水平配線はゲート配線と補助配線を含み、前記少なくとも一つの垂直配線は電源配線とデータ配線および基準配線を含み、前記補助配線は前記電源配線と前記データ配線および前記基準配線のうち少なくとも一つと重なって前記重畳部を構成する。
【0018】
前記オーバーコート層は前記非発光領域に備えられるダミーレンズをさらに含み、前記ダミーレンズは前記開口部と離隔する。
【0019】
前記第１副画素で、前記ダミーレンズは前記バンクの第２側面に対応する非発光領域にのみ備えられ、前記第ｎ副画素で、前記ダミーレンズは前記バンクの第１側面に対応する非発光領域にのみ備えられる。
【0020】
前記ダミーレンズは前記マイクロレンズと同じ大きさおよび形状を有する。
【0021】
前記第１～第ｎ副画素のうち少なくとも一つで前記マイクロレンズは、隣接したマイクロレンズの中心を連結した線が前記第１方向に対して特定の角度を有するように回転される。
【0022】
前記マイクロレンズの回転角度は０度より大きいか同じであり、６０度より小さい。
【発明の効果】
【0023】
本発明の有機発光ダイオード表示装置では、各副画素の発光領域内に複数のマイクロレンズを具備することによって、光抽出効率および輝度を向上させることができる。したがって、向上した効率および輝度を通じて低電力化が可能であるので消費電力を低減することができる。
【0024】
また、表示領域の縁側に配置される第１副画素と最後の副画素で、バンクの開口部の外側縁と離隔するようにマイクロレンズを配置することによって、マイクロレンズの形成工程中に下部の絶縁膜の流失を防止して第１電極と下部の配線間の電気的短絡を防止することができる。これによって輝点不良を防止して、画質を向上させることができる。
【0025】
また、配線の重畳部付近で第１電極とバンクの開口部の角部が発光領域側に引き入れられるようにすることによって第１電極と配線の重畳部が離隔するので、二重段差による第１電極と下部配線間の電気的短絡をさらに防止することができる。
【0026】
また、バンクの開口部の外側にダミーレンズを具備することによって、縦の帯状のムラを改善することができる。
【0027】
また、少なくとも一つの副画素のマイクロレンズを回転させて規則的な配列によって発生する虹パターンおよび／または円形リング（ｒｉｎｇ）パターンを防止または最小化して表示装置の画質を向上させることができる。
【0028】
また、発光領域にマイクロレンズが配置されない平坦部を具備することによってバンクの開口部の大きさを正確に測定して管理することができ、これによって光抽出効率の低下を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【0029】
【図1】本発明の実施例に係る有機発光ダイオード表示装置の一つの副画素に対する概略的な等価回路図である。
【図2】本発明の実施例に係る有機発光ダイオード表示装置の概略的な断面図である。
【図3】本発明の第１実施例に係る有機発光ダイオード表示装置の概略的な平面図である。
【図4】本発明の第１実施例に係る有機発光ダイオード表示装置の第１画素に対する概略的な平面図である。
【図5】本発明の第１実施例に係る有機発光ダイオード表示装置の第ｍ画素に対する概略的な平面図である。
【図6】本発明の第１実施例に係る有機発光ダイオード表示装置の第２画素～第（ｍ－１）画素のうちいずれか一つに対する概略的な平面図である。
【図11】本発明の第２実施例に係る有機発光ダイオード表示装置の概略的な平面図である。
【図12】本発明の第３実施例に係る有機発光ダイオード表示装置の概略的な平面図である。
【図13】本発明の第４実施例に係る有機発光ダイオード表示装置の概略的な平面図である。
【発明を実施するための形態】
【0030】
本発明の利点および特徴、そしてそれらを達成する方法は添付される図面と共に詳細に後述されている実施例を参照すると明確になるであろう。しかし、本発明は以下で開示される実施例に限定されるものではなく互いに異なる多様な形態で具現され得、ただし本実施例は本発明の開示を完全なものとし、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に教えるために提供される。
【0031】
本発明の実施例を説明するための図面に開示された形状、大きさ、比率、角度、個数等は例示的なものであるので本発明は図示された事項に限定されるものではない。明細書全体に亘って同一の参照符号は同一の構成要素を指し示す。また、本発明を説明するにおいて、関連した公知技術に対する具体的な説明が本発明の要旨を不要に曖昧にさせ得る恐れがあると判断される場合、その詳細な説明は省略する。本発明上で言及した「含む」、「有する」、「なる」等が使われる場合、「のみ」が使われない限り他の部分が追加され得る。構成要素を単数で表現した場合、特に明示的な記載事項がない限り複数を含む場合を含む。
【0032】
構成要素を解釈するにおいて、別途の明示的記載がなくても誤差範囲を含むものと解釈する。
【0033】
位置関係に対する説明において、例えば、「～上に」、「～上部に」、「～下部に」、「～横に」等で両部分の位置関係が説明される場合、「すぐに」または「直接」が使われない限り、両部分間に一つ以上の他の部分が位置してもよい。
【0034】
第１、第２等が多様な構成要素を叙述するために使われるが、これらの構成要素はこれらの用語によって制限されない。これらの用語は単に一つの構成要素を他の構成要素と区別するために使うものである。したがって、以下で言及される第１構成要素は本発明の技術的思想内で第２構成要素であってもよい。
【0035】
以下、添付した図面を参照して本発明の好ましい実施例について詳細に説明する。
【0036】
本発明の実施例に係る有機発光ダイオード表示装置は表示領域上にマトリクス形態で配置された複数の画素を含み、各画素は複数の副画素を含み、各副画素は実質的に同じ構成を有する。このような副画素の構成について図１と図２を参照して説明する。
【0037】
図１は、本発明の実施例に係る有機発光ダイオード表示装置の一つの副画素に対する概略的な等価回路図である。
【0038】
図１に図示した通り、本発明の実施例に係る有機発光ダイオード表示装置の副画素ＳＰは第１、第２、第３トランジスタＴ１、Ｔ２、Ｔ３、すなわち、スイッチングトランジスタＴ１と駆動トランジスタＴ２、センシングトランジスタＴ３ストレージキャパシタＣｓｔ、発光ダイオードＤｅ、そしてセンシングトランジスタＴ３を含む。スイッチングトランジスタＴ１と駆動トランジスタＴ２およびセンシングトランジスタＴ３はｎ－型トランジスタであり得る。しかし、本発明はこれに制限されず、スイッチングトランジスタＴ１と駆動トランジスタＴ２およびはｐ－型トランジスタであってもよい。
【0039】
具体的には、ゲート信号ＳＣＡＮを供給するゲート配線とデータ信号Ｖｄａｔａを供給するデータ配線が互いに交差し、ゲート配線とデータ配線の交差地点にスイッチングトランジスタＴ１が位置する。スイッチングトランジスタＴ１のゲートはゲート配線に連結されてゲート信号ＳＣＡＮが印加され、スイッチングトランジスタＴ１のドレインはデータ配線に連結されてデータ信号Ｖｄａｔａが印加される。
【0040】
また、駆動トランジスタＴ２のゲートはスイッチングトランジスタＴ１のソースおよびストレージキャパシタＣｓｔの第１キャパシタ電極に連結され、駆動トランジスタＴ２のドレインは高電位電圧ＥＶＤＤを供給する高電位配線に連結され、駆動トランジスタＴ２のソースは発光ダイオードＤｅのアノードとストレージキャパシタＣｓｔの第２キャパシタ電極およびセンシングトランジスタＴ３のソースに連結される。
【0041】
センシングトランジスタＴ３のゲートはゲート配線に連結され、センシングトランジスタＴ３のドレインは基準電圧Ｖｒｅｆを供給する基準配線に連結される。これとは異なり、センシングトランジスタＴ３のゲートは別途のセンシング配線に連結されてもよい。
【0042】
ここで、各薄膜トランジスタＴ１、Ｔ２、Ｔ３のソースとドレインの位置はこれに制限されず、その位置は互いに変わってもよい。
【0043】
一方、発光ダイオードＤｅのカソードは低電位電圧ＥＶＳＳを供給する低電位配線に連結される。これとは異なり、発光ダイオードＤｅのカソードは基底電圧（ｇｒｏｕｎｄ）に連結されてもよい。
【0044】
一フレーム（ｆｒａｍｅ）の発光区間の間、スイッチングトランジスタＴ１はゲート配線を通じて伝達されたゲート信号ＳＣＡＮによりスイッチングされてデータ配線を通じて伝達されたデータ信号Ｖｄａｔａを駆動トランジスタＴ２のゲートに供給し、駆動トランジスタＴ２はデータ信号Ｖｄａｔａによりスイッチングされて発光ダイオードＤｅの電流を制御する。この時、ストレージキャパシタＣｓｔはデータ信号Ｖｄａｔａに対応する電荷を一フレームの間維持して発光ダイオードＤｅを流れる電流の量を一定にし、発光ダイオードＤｅが表示する諧調を一定に維持させる役割をする。
【0045】
また、一フレームはセンシング区間をさらに含み、センシング区間の間、センシングトランジスタＴ３はゲート配線を通じて伝達されるゲート信号ＳＣＡＮによりスイッチングされて基準電圧Ｖｒｅｆを駆動トランジスタＴ２のソースに供給し、駆動トランジスタＴ２のソースの電圧変化を基準配線を通じて感知し、電圧変化量を判定範囲と比較することによって駆動トランジスタＴ２のしきい電圧Ｖｔｈを算出する。これに伴い、リアルタイムでしきい電圧Ｖｔｈを算出して映像データを補償することによって、駆動トランジスタＴ２の特性変化を補償して画質の低下を防止することができる。
【0046】
図２は本発明の実施例に係る有機発光ダイオード表示装置の概略的な断面図であり、一つの副画素に対する断面を図示し、下部発光方式有機発光ダイオード表示装置を例として説明する。
【0047】
図２に図示した通り、本発明の実施例に係る有機発光ダイオード表示装置は基板１１０と薄膜トランジスタＴｒおよび発光ダイオードＤｅを含む。
【0048】
基板１１０上には発光領域ＥＡと非発光領域ＮＥＡを有する副画素ＳＰが備えられる。発光領域ＥＡには発光ダイオードＤｅが配置され、非発光領域ＮＥＡには薄膜トランジスタＴｒが配置される。
【0049】
具体的には、基板１１０の上部の非発光領域ＮＥＡに遮光層１１２が配置される。基板１１０は透明な絶縁物質からなり、一例として、ガラス基板やプラスチック基板であり得る。プラスチック基板としてはポリイミドが使われ得、これに制限されない。
【0050】
遮光層１１２はアルミニウム（Ａｌ）や銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）またはこれらの合金のうち少なくとも一つで形成され得、単一層または多重層構造であり得る。一例として、遮光層１１２はモリブデン－チタン合金（ＭｏＴｉ）の下部層と銅（Ｃｕ）の上部層を含む二重層構造を有することができ、上部層の厚さが下部層の厚さより厚くてもよい。しかし、本発明の実施例はこれに制限されない。
【0051】
遮光層１１２の上部には絶縁物質でバッファ層１２０が配置される。バッファ層１２０は実質的に基板１１０の全面（ｅｎｔｉｒｅ ｓｕｒｆａｃｅ）に位置する。バッファ層１２０は酸化シリコン（ＳｉＯ２）や窒化シリコン（ＳｉＮｘ）のような無機物質で形成され得、単一層または多重層構造を有することができる。
【0052】
バッファ層１２０の上部にはパターニングされた半導体層１２２が配置される。半導体層１２２は遮光層１１２と重なって位置する。このような半導体層１２２は酸化物半導体物質からなり得、遮光層１１２は半導体層１２２に入射する光を遮断して半導体層１２２が光によって劣化することを防止する。
【0053】
これとは異なり、半導体層１２２は多結晶シリコンからなってもよい。この場合、半導体層１２２の両端部には不純物がドーピングされていてもよい。
【0054】
半導体層１２２の上部にはゲート絶縁膜１２４とゲート電極１２６が順に配置される。ゲート絶縁膜１２４とゲート電極１２６は半導体層１２２の中央に対応して位置し、ゲート絶縁膜１２４はゲート電極１２６と同じ形状でパターニングされ得る。これとは異なり、ゲート絶縁膜１２４は実質的に基板１１０の全面に位置してもよい。
【0055】
ゲート絶縁膜１２４は酸化シリコン（ＳｉＯ２）や窒化シリコン（ＳｉＮｘ）のような無機絶縁物質で形成され得る。半導体層１２２が酸化物半導体物質からなる場合、ゲート絶縁膜１２４は酸化シリコン（ＳｉＯ２）で形成され得る。これとは異なり、半導体層１２２が多結晶シリコンからなる場合、ゲート絶縁膜１２４は酸化シリコン（ＳｉＯ２）や窒化シリコン（ＳｉＮｘ）で形成され得る。
【0056】
ゲート電極１２６は金属のような導電性物質からなり、アルミニウム（Ａｌ）や銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）またはこれらの合金のうち少なくとも一つで形成され得、単一層または多重層構造であり得る。一例として、金属のような導電性物質からなってモリブデン－チタン合金（ＭｏＴｉ）の下部層と銅（Ｃｕ）の上部層を含む二重層構造を有することができ、上部層の厚さが下部層の厚さより厚くてもよい。しかし、本発明の実施例はこれに制限されない。
【0057】
ゲート電極１２６の上部には絶縁物質からなる層間絶縁膜１３０が実質的に基板１１０の全面に配置される。層間絶縁膜１３０は酸化シリコン（ＳｉＯ２）や窒化シリコン（ＳｉＮｘ）のような無機絶縁物質で形成されるか、フォトアクリル（ｐｈｏｔｏ ａｃｒｙｌ）やベンゾシクロブテン（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）のような有機絶縁物質で形成され得る。
【0058】
層間絶縁膜１３０は半導体層１２２の両縁部の上面をそれぞれ露出するコンタクトホールを有する。コンタクトホールはゲート電極１２６の両側にゲート電極１２６と離隔して位置する。
【0059】
層間絶縁膜１３０の上部には金属のような導電性物質でソースおよびドレイン電極１３２、１３４が配置される。ソースおよびドレイン電極１３２、１３４はアルミニウム（Ａｌ）や銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）またはこれらの合金のうち少なくとも一つで形成され得、単一層または多重層構造であり得る。一例として、ソースおよびドレイン電極１３２、１３４はモリブデン－チタン合金（ＭｏＴｉ）の下部層と銅（Ｃｕ）の上部層を含む二重層構造を有することができ、上部層の厚さが下部層の厚さより厚くてもよい。これとは異なり、ソースおよびドレイン電極１３２、１３４は三重層構造を有してもよい。しかし、本発明の実施例はこれに制限されない。
【0060】
ソースおよびドレイン電極１３２、１３４はゲート電極１２６を中心に離隔して位置し、層間絶縁膜１３０のコンタクトホールを通じて半導体層１２２の両端部と接触する。
【0061】
半導体層１２２と、ゲート電極１２６、そしてソースおよびドレイン電極１３２、１３４は薄膜トランジスタＴｒをなす。ここで、薄膜トランジスタＴｒは半導体層１２２の一側、すなわち、半導体層１２２の上部にゲート電極１２６とソースおよびドレイン電極１３２、１３４が位置するコプラナー（ｃｏｐｌａｎａｒ）構造を有する。
【0062】
これとは異なり、薄膜トランジスタＴｒは半導体層の下部にゲート電極が位置し、半導体層の上部にソースおよびドレイン電極が位置する逆スタガド（ｉｎｖｅｒｔｅｄ ｓｔａｇｇｅｒｅｄ）構造を有することができる。この場合、半導体層は酸化物半導体物質または非晶質シリコンからなり得る。
【0063】
薄膜トランジスタＴｒは図１の駆動トランジスタＴ２であり得る。一方、基板１１０上の非発光領域ＮＥＡには薄膜トランジスタＴｒと実質的に同じ構造を有する少なくとも一つの薄膜トランジスタ、例えば、図１のスイッチングトランジスタＴ１とセンシングトランジスタＴ３がさらに備えられ得る。
【0064】
ソースおよびドレイン電極１３２、１３４の上部には絶縁物質でパッシベーション層１４０が実質的に基板１１０の全面に配置される。パッシベーション層１４０は酸化シリコン（ＳｉＯ２）や窒化シリコン（ＳｉＮｘ）のような無機絶縁物質で形成され得る。
【0065】
パッシベーション層１４０の上部にはカラーフィルタ１４５が配置される。カラーフィルタ１４５は発光領域ＥＡに位置し、赤、緑、青色フィルタの中の一つであり得る。
【0066】
カラーフィルタ１４５の上部には絶縁物質でオーバーコート層１５０が実質的に基板１１０の全面に配置される。オーバーコート層１５０はパッシベーション層１４０と共にソース電極１３２を露出するソースコンタクトホール１５２を有する。
【0067】
オーバーコート層１５０は有機絶縁物質からなり、一例として、オーバーコート層１５０はフォトアクリルで形成され得る。しかし、本発明の実施例はこれに制限されない。
【0068】
発光領域ＥＡでオーバーコート層１５０は上面に複数のマイクロレンズ１５４を含む。複数のマイクロレンズ１５４はマイクロレンズアレイ（ｍｉｃｒｏ ｌｅｎｓ ａｒｒａｙ：ＭＬＡ）を構成し、複数のマイクロレンズ１５４それぞれは凹部を有する。ここで、二つのマイクロレンズ１５４の隣接する部分凸部をなし、各凹部は凸部により囲まれ得る。これに伴い、マイクロレンズアレイは凹部と凸部が交互に位置するように構成され得る。
【0069】
一方、オーバーコート層１５０は非発光領域ＮＥＡで実質的に平坦な上面を有する。
【0070】
オーバーコート層１５０の上部の発光領域ＥＡには比較的仕事関数が高い導電性物質で第１電極１６２が配置される。一例として、第１電極１６２はインジウム－ティン－オキサイド（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ：ＩＴＯ）やインジウム－ジンク－オキサイド（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ：ＩＺＯ）のような透明導電性物質で形成され得、これに制限されない。
【0071】
第１電極１６２は非発光領域ＮＥＡまで延びてソースコンタクトホール１５２を通じてソース電極１３２と接触する。
【0072】
発光領域ＥＡで第１電極１６２は、マイクロレンズ１５４を含むオーバーコート層１５０の上面のモルフォロジー（ｍｏｒｐｈｏｌｏｇｙ）に沿って形成される。これに伴い、第１電極１６２は凹凸形態の上面を有する。
【0073】
第１電極１６２の上部には絶縁物質でバンク１６０が配置される。バンク１６０は有機絶縁物質で形成され得、第１電極１６２の縁と重なり、第１電極１６２の縁を覆う。バンク１６０は発光領域ＥＡに対応して開口部１６０ａを有し、開口部１６０ａを通じて第１電極１６２の中央部が露出される。
【0074】
次に、バンク１６０の開口部１６０ａを通じて露出した第１電極１６２の上部には発光層１６４が配置される。発光層１６４は実質的に基板１１０の全面に位置する。これに伴い、発光層１６４は発光領域ＥＡで第１電極１６２の上部に位置して第１電極１６２と接触し、非発光領域ＮＥＡでバンク１６０の上部に位置してバンク１６０の上面と接触する。また、発光層１６４はバンク１６０の側面と接触する。
【0075】
発光層１６４は白色光を放出し、一つの発光部（ｌｉｇｈｔ－ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｕｎｉｔ）を構成する少なくとも一つの正孔補助層（ｈｏｌｅ ａｕｘｉｌｉａｒｙ ｌａｙｅｒ）と少なくとも一つの発光物質層（ｌｉｇｈｔ－ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｍａｔｅｒｉａｌ ｌａｙｅｒ）および少なくとも一つの電子補助層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ａｕｘｉｌｉａｒｙ ｌａｙｅｒ）を含むことができる。正孔補助層は正孔注入層（ｈｏｌｅ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ：ＨＩＬ）と正孔輸送層（ｈｏｌｅ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｌａｙｅｒ：ＨＴＬ）のうち少なくとも一つを含むことができ、電子補助層は電子注入層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ：ＥＩＬ）と電子輸送層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｌａｙｅｒ：ＥＴＬ）のうち少なくとも一つを含むことができる。
【0076】
このような発光層１６４は互いに異なる色の光を放出する二個以上の発光部が積層されたスタック構造を有することができ、両発光部の間には電荷生成層（ｃｈａｒｇｅ ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ）が備えられ得る。
【0077】
発光領域ＥＡで発光層１６４は第１電極１６２の上面のモルフォロジーに沿って形成される。これに伴い、発光領域ＥＡで発光層１６４は実質的にオーバーコート層１５０の上面のモルフォロジーに沿って形成され、発光層１６４は凹凸形態の上面を有する。
【0078】
ここで、発光層１６４は、マイクロレンズ１５４の凹部に対応する厚さが二つのマイクロレンズ１５４が隣接する凸部に対応する厚さより厚く、凹部と凸部の間で最も薄い厚さを有することができる。
【0079】
発光層１６４の上部には比較的仕事関数が低い導電性物質からなる第２電極１６６が実質的に基板１１０の全面に配置される。第２電極１６６は発光領域ＥＡで第１電極１６２の上部に位置し、非発光領域ＮＥＡでバンク１６０の上部に位置する。
【0080】
第２電極１６６はアルミニウム（ａｌｕｍｉｎｕｍ）やマグネシウム（ｍａｇｎｅｓｉｕｍ）、銀（ｓｉｌｖｅｒ）またはこれらの合金で形成され得る。
【0081】
発光領域ＥＡで第２電極１６６は発光層１６４の上面のモルフォロジーに沿って形成される。これに伴い、発光領域ＥＡで第２電極１６６を実質的にオーバーコート層１５０の上面のモルフォロジーに沿って形成され、第２電極１６６は凹凸形態の上面を有する。
【0082】
第１電極１６２と発光層１６４および第２電極１６６は発光ダイオードＤｅをなす。ここで、第１電極１６２はアノード（ａｎｏｄｅ）の役割をし、第２電極１６６はカソード（ｃａｔｈｏｄｅ）の役割をすることができ、これに制限されない。
【0083】
第１電極１６２は光を透過する透明導電物質からなり、第２電極１６６は光を反射する金属物質からなって、発光層１６４からの光は第１電極１６２を通じて放出され、カラーフィルタ１４５と基板１１０を通過して外部に出力され得る。
【0084】
第２電極１６６の上部にはエンカプセレーション層１７０が実質的に基板１１０の全面に配置される。エンカプセレーション層１７０は透明で接着特性を有する有機または無機絶縁物質からなるフェイスシールの形態であるか、無機膜／有機膜／無機膜が積層された多層膜構造を有することができる。
【0085】
エンカプセレーション層１７０の上部には対向基板１８０が配置される。対向基板１８０はガラス基板または金属基板であり得る。これとは異なり、対向基板１８０はフィルム形態からなってもよい。
【0086】
エンカプセレーション層１７０と対向基板１８０は外部の酸素または水分が発光ダイオードＤｅ内部に浸透したり外部からの衝撃が発光ダイオードＤｅに加えられることを防止する。
【0087】
前述した通り、オーバーコート層１５０は発光領域ＥＡで上面に複数のマイクロレンズ１５４を有し、オーバーコート層１５０の上部に配置される第１電極１６２、発光層１６４、そして第２電極１６６は実質的にオーバーコート層１５０の上面のモルフォロジーに沿って形成される。したがって、発光領域ＥＡで第１電極１６２、発光層１６４、そして第２電極１６６もオーバーコート層１５０のマイクロレンズ１５４に対応する凹凸パターン、すなわち、マイクロレンズを有する。
【0088】
このようなマイクロレンズ１５４は、光の進行経路を変更して発光層１６４で発光後に全反射されて消滅していた光が外部に抽出されるようにすることによって、光抽出効率を向上させることができる。
【0089】
ところで、マイクロレンズ１５４は基板１１０上に有機物質を塗布してオーバーコート層１５０を形成した後、写真食刻工程およびアッシング工程を遂行して形成されるが、表示領域の縁側ではオーバーコート層１５０の厚さが相対的に薄く形成される。これに伴い、アッシング工程中にマイクロレンズ１５４に対応するオーバーコート層１５０とパッシベーション層１４０が流失され得、これによって第１電極１６２と配線間の電気的短絡（ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ ｓｈｏｒｔ）が発生して輝点不良が発生する可能性がある。したがって、本発明の実施例では表示領域の縁側に配置される副画素ＳＰのマイクロレンズ１５４を他の副画素ＳＰのマイクロレンズ１５４と異なるように配置する。
【0090】
このような本発明の第１実施例に係る有機発光ダイオード表示装置について図３を参照して説明する。
【0091】
【0092】
図３に図示した通り、本発明の第１実施例に係る有機発光ダイオード表示装置は、映像を表示する表示領域ＤＡと表示領域ＤＡ外郭の非表示領域ＮＤＡを含む。
【0093】
このような本発明の有機発光ダイオード表示装置は上側と下側に長辺を有し、左側と右側に短辺を有する四角形状を有することができる。長辺は水平方向に延びて水平方向に平行であり、短辺は垂直方向に延びて垂直方向に平行であり得る。
【0094】
ここで、水平方向はＸ方向であって、第１方向または表示領域ＤＡの長辺方向と定義され得、垂直方向はＹ方向であって、第２方向または表示領域ＤＡの短辺方向と定義され得る。
【0095】
表示領域ＤＡには複数の画素Ｐ（１）～Ｐ（ｍ）が備えられ、非表示領域ＮＤＡにはゲート駆動部ＧＤが備えられ得る。ゲート駆動部ＧＤは表示領域ＤＡの左右両側に配置され得、複数の画素Ｐ（１）～Ｐ（ｍ）の構成要素とともに形成されるゲートインパネル（ｇａｔｅ－ｉｎ－ｐａｎｅｌ）タイプであり得る。
【0096】
具体的には、表示領域ＤＡには水平方向に沿ってｍ個（ｍは０より大きい整数）の画素Ｐ（１）～Ｐ（ｍ）が配置され、各画素Ｐ（１）～Ｐ（ｍ）は複数の副画素ＳＰ（１）～ＳＰ（ｎ）を含み、表示領域ＤＡには水平方向に沿ってｎ個（ｎは１より大きい整数）の副画素ＳＰ（１）～ＳＰ（ｎ）が配置される。例えば、一つの画素Ｐ（ｍ）が４個の副画素を含む場合、表示領域ＤＡには水平方向に沿って４ｍ個の副画素が配置される。
【0097】
ここで、表示領域ＤＡの最外郭副画素の発光領域ＥＡはマイクロレンズ１５４が複数個除去された平坦部を具備する。すなわち、表示領域ＤＡの左側短辺での最外郭副画素である第１副画素ＳＰ（１）と右側短辺での最外郭副画素である第ｎ副画素ＳＰ（ｎ）の発光領域ＥＡはマイクロレンズ１５４が複数個除去された平坦部を具備する。これに伴い、第１副画素ＳＰ（１）と第ｎ副画素ＳＰ（ｎ）のマイクロレンズ配置は第２副画素ＳＰ（２）～第（ｎ－１）副画素ＳＰ（ｎ－１）のマイクロレンズ配置と異なる。
【0098】
【0099】
図４～図６は本発明の第１実施例に係る有機発光ダイオード表示装置の概略的な平面図であり、図４は第１画素を図示し、図５は第ｍ画素を図示し、図６は第２画素～第（ｍ－１）画素の中の一つを図示し、図１と図３を共に参照して説明する。
【0100】
図４～図６に図示した通り、本発明の第１実施例に係る有機発光ダイオード表示装置では、Ｘ方向である第１方向に沿って水平配線であるゲート配線ＧＬが延び、Ｙ方向である第２方向に沿って垂直配線であるデータ配線ＤＬ、電源配線ＰＬ、そして基準配線ＲＬが延び、これらは互いに交差して複数の画素Ｐと複数の副画素ＳＰを定義する。ここで、電源配線ＰＬは図１の高電位電圧ＥＶＤＤを供給する高電位配線であり得る。
【0101】
この時、二つの電源配線ＰＬの間に一つの基準配線ＲＬが位置し、一つの電源配線ＰＬと一つの基準配線ＲＬの間に二つのデータ配線ＤＬが位置し、各副画素ＳＰは実質的に電源配線ＰＬとデータ配線ＤＬの間または基準配線ＲＬとデータ配線ＤＬの間に位置する。
【0102】
各副画素ＳＰは実質的に四角形状を有することができる。しかし、本発明の実施例はこれに制限されず、各副画素ＳＰの形状は変わり得る。
【0103】
前述した通り、一つの画素は複数の副画素ＳＰを含み、一例として、一つの画素は４個の副画素ＳＰ、すなわち、第１、第２、第３、第４副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３、ＳＰ４を含むことができる。第１、第２、第３、第４副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３、ＳＰ４は第１方向に沿って順次配列される。ここで、第１副画素ＳＰ１は赤色副画素であり、第２副画素ＳＰ２は青色副画素であり、第３副画素ＳＰ３は白色副画素であり、第４副画素ＳＰ４は緑色副画素であり得る。しかし、本発明の実施例はこれに制限されず、一つの画素に含まれる副画素の個数および赤、緑、青、白色副画素の配置順序は変わり得る。
【0104】
このような第１、第２、第３、第４副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３、ＳＰ４の面積は互いに異なり得る。一例として、第１および第３副画素ＳＰ１、ＳＰ３の面積が第２および第４副画素ＳＰ２、ＳＰ４の面積より大きくてもよい。また、第３副画素ＳＰ３の面積が第１副画素ＳＰ１の面積より大きいか同じであり、第２副画素ＳＰ２の面積が第４副画素ＳＰ４の面積より大きいか同じであってもよい。しかし、本発明の実施例はこれに制限されず、第１、第２、第３、第４副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３、ＳＰ４の面積関係は変わり得る。これとは異なり、第１、第２、第３、第４副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３、ＳＰ４の面積はすべて同一であってもよい。
【0105】
ここで、隣接した二つの副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３、ＳＰ４の間には実質的に一つの電源配線ＰＬや、二つのデータ配線ＤＬ、または一つの基準配線ＲＬが位置する。例えば、第１および第２副画素ＳＰ１、ＳＰ２の間と第３および第４副画素ＳＰ３、ＳＰ４の間には二つのデータ配線ＤＬが位置し、第２および第３副画素ＳＰ２、ＳＰ３の間には一つの基準配線ＲＬが位置し、第４副画素ＳＰ４と次の画素の第１副画素ＳＰ１の間には一つの電源配線ＰＬが位置する。これに伴い、隣接した電源配線ＰＬの間には一つの画素Ｐが配置される。しかし、本発明の実施例はこれに制限されない。
【0106】
また、第１方向に沿って水平配線である第１補助配線ＡＬ１と第２補助配線ＡＬ２がさらに配置される。第１補助配線ＡＬ１と第２補助配線ＡＬ２はゲート配線ＧＬと平行し、電源配線ＰＬ、データ配線ＤＬ、そして基準配線ＲＬのうち少なくとも一つと交差して重なる。
【0107】
第１補助配線ＡＬ１は各副画素ＳＰの上端に配置されて第１画素Ｐ（１）の第１副画素ＳＰ１の第１副画素ＳＰ（１）から第ｍ画素Ｐ（ｍ）の第４副画素ＳＰ４の第ｎ副画素ＳＰ（ｎ）まで延びる。第１補助配線ＡＬ１は電源配線ＰＬ、データ配線ＤＬ、そして基準配線ＲＬと交差する。これに伴い、第１補助配線ＡＬ１は電源配線ＰＬ、データ配線ＤＬ、そして基準配線ＲＬと重なって第１重畳部ＯＡ１が備えられる。
【0108】
第２補助配線ＡＬ２は第２方向に沿ってゲート配線ＧＬと第１補助配線ＡＬ１の間に位置し、各画素Ｐの第１副画素ＳＰ１から第４副画素ＳＰ４まで延びる。第２補助配線ＡＬ２はデータ配線ＤＬおよび基準配線ＲＬと交差する。これに伴い、第２補助配線ＡＬ２はデータ配線ＤＬおよび基準配線ＲＬと重なって第２重畳部ＯＡ２が備えられる。一方、第２補助配線ＡＬ２は電源配線ＰＬと離隔する。しかし、本発明の実施例はこれに制限されない。
【0109】
第１補助配線ＡＬ１は電源配線ＰＬに電気的に連結され得る。第２補助配線ＡＬ２は回路部ＣＰに電気的に連結され、第２補助配線ＡＬ２は基準配線ＲＬにも電気的に連結され得る。しかし、本発明はこれに制限されない。
【0110】
第１補助配線ＡＬ１は第２方向に延びた補助パターンＡＬ１ａを含み、補助パターンＡＬ１ａは電源配線ＰＬと重なる。第１方向に補助パターンＡＬ１ａの幅は電源配線ＰＬの幅より狭く、補助パターンＡＬ１ａの二つの辺は電源配線ＰＬ上に置かれる。各副画素ＳＰは発光領域ＥＡと非発光領域ＮＥＡを含む。各副画素ＳＰの発光領域ＥＡには図１の発光ダイオードＤｅが備えられ、非発光領域ＮＥＡには回路部ＣＰが備えられる。発光ダイオードＤｅはアノードである第１電極１６２を含み、回路部ＣＰは図１の第１、第２、第３トランジスタＴ１、Ｔ２、Ｔ３とストレージキャパシタＣｓｔを含むことができる。
【0111】
第１電極１６２は非発光領域ＮＥＡまで延び、回路部ＣＰに電気的に連結され、より詳細には、回路部ＣＰの第２トランジスタＴ２に電気的に連結される。
【0112】
発光領域ＥＡは第１電極１６２を露出するバンクの開口部１６０ａにより定義され得る。バンクの開口部１６０ａは第１電極１６２より小さい面積を有し、第１電極１６２の縁内に位置する。
【0113】
ここで、電源配線ＰＬとデータ配線ＤＬおよび基準配線ＲＬは第１電極１６２と重なり、バンクの開口部１６０ａと離隔され得る。この時、電源配線ＰＬと基準配線ＲＬのそれぞれは第１電極１６２と重なる部分の幅が他の部分より広くてもよい。しかし、本発明の実施例はこれに制限されない。
【0114】
また、第１補助配線ＡＬ１と第２補助配線ＡＬ２は第１電極１６２と重なってバンクの開口部１６０ａと離隔され得る。
【0115】
各副画素ＳＰの発光領域ＥＡには複数のマイクロレンズ１５４が備えられる。マイクロレンズ１５４は開口部１６０ａ内部だけでなく開口部１６０ａの外側にも配置され、バンクと重なる。この時、マイクロレンズ１５４はバンクと部分的に重なる。
【0116】
一方、マイクロレンズ１５４は第１電極１６２と重なり、第１電極１６２の縁とは重ならずに離隔する。
【0117】
また、マイクロレンズ１５４は第１補助配線ＡＬ１および第２補助配線ＡＬ２のうち少なくとも一つと重なり得る。本発明の第１実施例ではマイクロレンズ１５４が第１補助配線ＡＬ１と重なって第２補助配線ＡＬ２と離隔したものとして図示したが、本発明の実施例はこれに制限されず、マイクロレンズ１５４は第１補助配線ＡＬ１および第２補助配線ＡＬ２のすべてと重なってもよい。マイクロレンズ１５４は平面的に六角形状を有し、ハニカム構造をなすことができる。これとは異なり、マイクロレンズ１５４は平面的に円形、楕円形、四角形などの形状を有することができる。
【0118】
各副画素ＳＰの開口部１６０ａの外側には少なくとも一つのダミーレンズ１５６が備えられる。すなわち、ダミーレンズ１５６は発光領域ＥＡの間の非発光領域ＮＥＡに備えられる。
【0119】
ダミーレンズ１５６は開口部１６０ａと離隔してバンクと完全に重なる。また、ダミーレンズ１５６は隣接した配線ＰＬ、ＤＬ、ＲＬと重なる。
【0120】
ここで、ダミーレンズ１５６は開口部１６０ａの左右側、すなわち、第１方向に沿って対向する側にのみ備えられ、開口部１６０ａの上下側、すなわち、第２方向に沿って対向する側には備えられない。したがって、ダミーレンズ１５６は第１方向に沿って対向する第１電極１６２の左右の縁と重なり、第２方向に沿って対向する第１電極１６２の上下の縁とは離隔する。
【0121】
ダミーレンズ１５６はマイクロレンズ１５４と同じ大きさおよび形状を有することができる。すなわち、ダミーレンズ１５６は平面的に六角形状を有することができる。これとは異なり、ダミーレンズ１５６の大きさおよび形状はマイクロレンズ１５４と異なってもよい。例えば、ダミーレンズ１５６の大きさはマイクロレンズ１５４より大きくてもよい。しかし、本発明の実施例はこれに制限されない。
【0122】
このようなダミーレンズ１５６はバンクによる縦の帯状のムラを防止することができる。
【0123】
具体的には、バンクを形成する過程で、ダミーレンズ１５６はバンク物質が予め満たされるダムの役割を遂行してバンク物質が均一に広がるようにする。これに伴い、バンク物質が開口部１６０ａ内に流れ落ちて不均一にマイクロレンズ１５４を満たすことを防止することができ、縦の帯状のムラを改善することができる。
【0124】
また、前述した通り、ダミーレンズ１５６は開口部１６０ａの左右側にのみ備えられ、上下側には備えられない。これは不良発生によるリペア工程時、リペアポイントにダミーレンズ１５６が配置されないようにすることによって、電気的短絡の発生を防止するためである。
【0125】
一方、表示領域ＤＡの左側短辺での最外郭副画素、すなわち、第１画素Ｐ（１）の第１副画素ＳＰ１の第１副画素ＳＰ（１）で、マイクロレンズ１５４は電源配線ＰＬに隣接した開口部１６０ａの縁、すなわち、開口部１６０ａの左側縁と重ならずに離隔する。しかも、第１副画素ＳＰ（１）で、開口部１６０ａの左側にはダミーレンズ１５６が備えられない。
【0126】
したがって、第１副画素ＳＰ（１）の発光領域ＥＡはマイクロレンズ１５４が複数個除去された第１平坦部ＦＰ１を有する。このような第１平坦部ＦＰ１は第１副画素ＳＰ（１）の左側にのみ備えられる。
【0127】
同様に、表示領域ＤＡの右側短辺での最外郭副画素、すなわち、第ｍ画素Ｐ（ｍ）の第４副画素ＳＰ４の第ｎ副画素ＳＰ（ｎ）で、マイクロレンズ１５４は電源配線ＰＬに隣接した開口部１６０ａの縁、すなわち、開口部１６０ａの右側縁と重ならずに離隔する。しかも、第ｎ副画素ＳＰ（ｎ）で、開口部１６０ａの右側にはダミーレンズ１５６が備えられない。
【0128】
したがって、ｎの副画素ＳＰ（ｎ）の発光領域ＥＡはマイクロレンズ１５４が複数個除去された第１平坦部ＦＰ１を有する。このような第１平坦部ＦＰ１はｎの副画素ＳＰ（ｎ）の右側にのみ備えられる。
【0129】
また、各副画素ＳＰで、第１および第２重畳部ＯＡ１、ＯＡ２にはマイクロレンズ１５４が備えられない。このような第１および第２重畳部ＯＡ１、ＯＡ２では重なる二つの配線の二重段差によってオーバーコート層の厚さが相対的に薄く形成される。これに伴い、アッシング工程中にマイクロレンズ１５４に対応するオーバーコート層とパッシベーション層が流失され得、これによって第１電極１６２と配線間の電気的短絡が発生して輝点不良が発生する可能性がある。
【0130】
したがって、第１および第２重畳部ＯＡ１、ＯＡ２にはマイクロレンズ１５４を配置しない。これに伴い、マイクロレンズ１５４は第１および第２重畳部ＯＡ１、ＯＡ２に対応する開口部１６０ａの縁、すなわち、開口部１６０ａの角部と重ならずに離隔する。しかも、各副画素ＳＰで、第１および第２重畳部ＯＡ１、ＯＡ２にはダミーレンズ１５６が備えられない。
【0131】
このような複数の副画素ＳＰの発光領域ＥＡは角部にマイクロレンズ１５４が複数個除去された第２平坦部ＦＰ２を有する。
【0132】
このように、本発明の第１実施例に係る有機発光ダイオード表示装置では、表示領域ＤＡの左右の縁側に配置される第１副画素ＳＰ（１）と第ｎ副画素ＳＰ（ｎ）で、電源配線ＰＬに隣接した開口部１６０ａの縁と離隔するようにマイクロレンズ１５４を配置する。これに伴い、表示領域ＤＡの左右側短辺での最外郭副画素ＳＰ（１）、ＳＰ（ｎ）の発光領域ＥＡはマイクロレンズ１５４が複数個除去された第１平坦部ＦＰ１を具備する。
【0133】
一方、各副画素ＳＰの開口部１６０ａの外側にはダミーレンズ１５６を具備して縦の帯状のムラを改善できるが、第１副画素ＳＰ（１）とｎの副画素ＳＰ（ｎ）で、電源配線ＰＬに隣接した開口部１６０ａの縁側にはダミーレンズ１５６を具備しない。
【0134】
また、各副画素ＳＰで、第１および第２重畳部ＯＡ１、ＯＡ２に対応する開口部１６０ａの角部と離隔するようにマイクロレンズ１５４を配置する。しかも、第１および第２重畳部ＯＡ１、ＯＡ２にはダミーレンズ１５６を具備しない。したがって、第１および第２重畳部ＯＡ１、ＯＡ２に対応して、複数の副画素ＳＰの発光領域ＥＡは角部にマイクロレンズ１５４が複数個除去された第２平坦部ＦＰ２を含む。
【0135】
【0136】
具体的には、表示領域ＤＡの左側の第１列のすべての副画素は発光領域ＥＡの左側に第１平坦部ＦＰ１を具備し、表示領域ＤＡの右側の第１列のすべての副画素は発光領域ＥＡの右側に第１平坦部ＦＰ１を具備する。このような第１平坦部ＦＰ１が備えられる領域は、電源配線ＰＬと第１補助配線ＡＬ１が重なる二重段差領域である。
【0137】
【0138】
図７は図４のＩ－Ｉ’線に対応する断面図であり、図８は図５のＩＩ－ＩＩ’線に対応する断面図であり、図９は図６のＩＩＩ－ＩＩＩ’線に対応する断面図であり、図１０は図６のＩＶ－ＩＶ’線に対応する断面図であり、図３～図６を共に参照して説明する。
【0139】
図７～図１０に図示した通り、基板１１０は複数の副画素、すなわち、第１、第２、第３、第４副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３、ＳＰ４を含む。基板１１０上には第１導電層である電源配線ＰＬ、データ配線ＤＬ、そして基準配線ＲＬが配置される。電源配線ＰＬ、データ配線ＤＬ、そして基準配線ＲＬ上にはバッファ層１２０が配置され、バッファ層１２０上に第２導電層であるゲート配線ＧＬと第１補助配線ＡＬ１および第２補助配線ＡＬ２が配置される。
【0140】
ここで、バッファ層１２０と第２導電層間、すなわち、バッファ層１２０とゲート配線ＧＬ、第１補助配線ＡＬ１、そして第２補助配線ＡＬ２の間には、図１０に図示した通り、ゲート絶縁膜１２４がさらに備えられ得、このようなゲート絶縁膜１２４は実質的に基板１１０の全面に配置され得る。
【0141】
ゲート配線ＧＬと第１補助配線ＡＬ１および第２補助配線ＡＬ２は電源配線ＰＬ、データ配線ＤＬ、そして基準配線ＲＬのうち少なくとも一つと交差して重なる。第１補助配線ＡＬ１は補助パターンＡＬ１ａを含み、補助パターンＡＬ１ａは電源配線ＰＬの上部に位置し、電源配線ＰＬと重なる。
【0142】
ゲート配線ＧＬと第１補助配線ＡＬ１および第２補助配線ＡＬ２の上部にはパッシベーション層１４０が配置される。
【0143】
パッシベーション層１４０上には発光領域ＥＡに対応してカラーフィルタ１４５が配置される。ここで、カラーフィルタ１４５の一部は非発光領域ＮＥＡまで延長され得る。
【0144】
カラーフィルタ１４５は赤、緑、青色フィルタ１４５Ｒ、１４５Ｇ、１４５Ｂを含むことができる。赤色フィルタ１４５Ｒは第１副画素ＳＰ１に配置され、青色フィルタ１４５Ｂは第２副画素ＳＰ２に配置され、緑色フィルタ１４５Ｇは第４副画素ＳＰ４に配置され得、第３副画素ＳＰ３にはカラーフィルタが配置されなくてもよい。
【0145】
カラーフィルタ１４５は隣接した配線と重なり得る。具体的には、赤色フィルタ１４５Ｒは電源配線ＰＬおよび一データ配線ＤＬと重なり、青色フィルタ１４５Ｂは他のデータ配線ＤＬおよび基準配線ＲＬと重なり、緑色フィルタ１４５Ｇはさらに他のデータ配線ＤＬおよび他の電源配線ＰＬと重なり得る。また、赤色フィルタ１４５Ｒと緑色フィルタ１４５Ｇのそれぞれは隣接した第１補助配線ＡＬ１の補助パターンＡＬ１ａと重なり得る。
【0146】
赤、青、緑色フィルタ１４５Ｒ、１４５Ｂ、１４５Ｇが互いに離隔したものとして図示されているが、これに制限されない。隣接した赤、青、緑色フィルタ１４５Ｒ、１４５Ｂ、１４５Ｇは互いに重なり得る。例えば、隣接した赤色および青色フィルタ１４５Ｒ、１４５Ｂは互いに重なり、隣接した緑色および赤色フィルタ１４５Ｇ、１４５Ｒは互いに重なり得る。
【0147】
カラーフィルタ１４５の上部にはオーバーコート層１５０が配置される。各副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３、ＳＰ４の発光領域ＥＡでオーバーコート層１５０は上面に複数のマイクロレンズ１５４を有する。各マイクロレンズ１５４は凹部を含み、二つのマイクロレンズ１５４の隣接する部分が凸部をなす。第１、第２、第４副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ４でマイクロレンズ１５４はカラーフィルタ１４５と重なる。
【0148】
一方、表示領域ＤＡの左側短辺での最外郭副画素、すなわち、第１画素Ｐ（１）の第１副画素ＳＰ１の第１副画素ＳＰ（１）と表示領域ＤＡの右側短辺での最外郭副画素、すなわち、第ｍ画素Ｐ（ｍ）の第４副画素ＳＰ４のｎ副画素ＳＰ（ｎ）で、マイクロレンズ１５４は隣接した電源配線ＰＬと重ならずに離隔する。また、第１副画素ＳＰ（１）と第ｎ副画素ＳＰ（ｎ）で、マイクロレンズ１５４は電源配線ＰＬの上部の第１補助配線ＡＬ１の補助パターンＡＬ１ａとも重ならずに離隔する。
【0149】
したがって、第１副画素ＳＰ（１）の発光領域ＥＡと第ｎ副画素ＳＰ（ｎ）の発光領域ＥＡはマイクロレンズ１５４が複数個除去された第１平坦部ＦＰ１を有する。第１平坦部ＦＰ１でオーバーコート層１５０は平坦な上面を有する。
【0150】
各副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３、ＳＰ４の非発光領域ＮＥＡで、オーバーコート層１５０の上面にはダミーレンズ１５６が備えられる。ダミーレンズ１５６はマイクロレンズ１５４と同じ大きさおよび形状を有する。第１、第２、第４副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ４でこのようなダミーレンズ１５６はカラーフィルタ１４５と重なる。
【0151】
各副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３、ＳＰ４でダミーレンズ１５６は隣接した配線ＰＬ、ＤＬ、ＲＬの上部に配置されてこれらと重なり得る。反面、第１副画素ＳＰ（１）と第ｎ副画素ＳＰ（ｎ）で、ダミーレンズ１５６は隣接した電源配線ＰＬの上部に配置されない。これに伴い、第１副画素ＳＰ（１）と第ｎ副画素ＳＰ（ｎ）で電源配線ＰＬの上部のオーバーコート層１５０は平坦な上面を有する。
【0152】
一方、図１０でのように、各副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３、ＳＰ４で、マイクロレンズ１５４は互いに重なる二つの配線ＤＬ、ＡＬ１と重ならずに離隔する。すなわち、各副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３、ＳＰ４で、マイクロレンズ１５４は第１および第２重畳部ＯＡ１、ＯＡ２と離隔する。また、各副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３、ＳＰ４で、第１および第２重畳部ＯＡ１、ＯＡ２の上部にはダミーレンズ１５６が備えられない。
【0153】
したがって、各副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３、ＳＰ４の発光領域ＥＡは角部にマイクロレンズ１５４が複数個除去された第２平坦部ＦＰ２を有する。このような第２平坦部ＦＰ２は第１および第２重畳部ＯＡ１、ＯＡ２に対応して備えられ、第２平坦部ＦＰ２でオーバーコート層１５０は平坦な上面を有する。
【0154】
次に、第１、第２、第３、第４副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３、ＳＰ４それぞれのオーバーコート層１５０の上部には第１電極１６２が配置される。第１電極１６２は隣接した配線ＰＬ、ＤＬ、ＲＬと重なる。
【0155】
また、第１電極１６２はマイクロレンズ１５４と重なってマイクロレンズ１５４を覆う。
【0156】
反面、第１電極１６２はダミーレンズ１５６の少なくとも一つと部分的に重なり得る。これに伴い、第１電極１６２の縁はダミーレンズ１５６内に置かれ得る。しかし、本発明の実施例はこれに制限されない。第１電極１６２の上部にはバンク１６０が備えられる。バンク１６０は各副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３、ＳＰ４の発光領域ＥＡに対応して開口部１６０ａを有し、第１電極１６２は開口部１６０ａを通じて露出する。
【0157】
第１、第２、第３、第４副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３、ＳＰ４のそれぞれでバンク１６０はマイクロレンズ１５４と重なる。ここで、バンク１６０はマイクロレンズ１５４と部分的に重なり得る。
【0158】
また、バンク１６０はダミーレンズ１５６と重なり、ダミーレンズ１５６を覆うことができる。これに伴い、バンク１６０の開口部１６０ａはダミーレンズ１５６と離隔する。この時、少なくとも一つのダミーレンズ１５６はバンク１６０と完全に重なってバンク１６０により完全に覆われ得る。
【0159】
一方、第１副画素ＳＰ（１）と第ｎ副画素ＳＰ（ｎ）で、バンク１６０の開口部１６０ａの外側縁、すなわち、電源配線ＰＬに対応するバンク１６０の開口部１６０ａの縁はマイクロレンズ１５４と離隔する。これに伴い、第１副画素ＳＰ（１）と第ｎ副画素ＳＰ（ｎ）で、電源配線ＰＬに対応するバンク１６０の側面はマイクロレンズ１５４と離隔し、オーバーコート層１５０の平坦な上面上に位置することができる。また、第１副画素ＳＰ（１）と第ｎ副画素ＳＰ（ｎ）で、電源配線ＰＬに対応するバンク１６０はダミーレンズ１５６と重ならない。
【0160】
また、図１０でのように、各副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３、ＳＰ４で、第１および第２重畳部ＯＡ１、ＯＡ２に対応するバンク１６０の開口部１６０ａの縁はマイクロレンズ１５４と離隔する。これに伴い、各副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３、ＳＰ４で、第１および第２重畳部ＯＡ１、ＯＡ２に対応するバンク１６０の側面はマイクロレンズ１５４と離隔し、オーバーコート層１５０の平坦な上面上に位置することができる。また、各副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３、ＳＰ４で、第１および第２重畳部ＯＡ１、ＯＡ２に対応するバンク１６０はダミーレンズ１５６と重ならない。
【0161】
次に、第１電極１６２およびバンク１６０の上部に発光層１６４が配置される。発光層１６４は実質的に基板１１０の全面に位置する。発光層１６４は白色光を放出し、互いに異なる色の光を発光する発光部を含むスタック構造を有することができる。
【0162】
発光層１６４の上部には第２電極１６６が配置される。第２電極１６６は実質的に基板１１０の全面に位置する。
【0163】
第１電極１６２、第２電極１６６、そしてその間の発光層１６４は発光ダイオードＤｅをなす。
【0164】
前述した通り、オーバーコート層１５０は発光領域ＥＡで上面にマイクロレンズ１５４を有し、オーバーコート層１５０の上部に配置される第１電極１６２、発光層１６４、そして第２電極１６６はオーバーコート層１５０の上面のモルフォロジーに沿って形成される。これに伴い、第１電極１６２、発光層１６４、そして第２電極１６６も発光領域ＥＡで複数のマイクロレンズ１５４の形態を有し、このようなマイクロレンズ１５４は、光の進行経路を変更して光抽出効率を向上させることができる。
【0165】
このように、本発明の第１実施例に係る有機発光ダイオード表示装置では、表示領域ＤＡの左右の縁側に配置される第１副画素ＳＰ（１）と第ｎ副画素ＳＰ（ｎ）で、電源配線ＰＬに隣接した開口部１６０ａの縁と離隔するようにマイクロレンズ１５４を配置することによって、表示領域ＤＡの左右側短辺での最外郭副画素ＳＰ（１）、ＳＰ（ｎ）は、二重段差領域に対応して発光領域ＥＡに第１平坦部ＦＰ１を有し、マイクロレンズ１５４形成のためのアッシング工程中にオーバーコート層１５０とパッシベーション層１４０の流失を防止することができる。したがって、第１電極１６２と電源配線ＰＬ間の電気的短絡を防止することができる。したがって、輝点不良を防止して画質を向上させることができる。
【0166】
この時、第１副画素ＳＰ（１）と第ｎ副画素ＳＰ（ｎ）で、電源配線ＰＬに隣接した開口部１６０ａの縁側にはダミーレンズ１５６を具備しない。
【0167】
また、各副画素ＳＰで、第１および第２重畳部ＯＡ１、ＯＡ２に対応する開口部１６０ａの角部と離隔するようにマイクロレンズ１５４を配置することによって、各副画素ＳＰの発光領域ＥＡは角部に第２平坦部ＦＰ２を有し、垂直配線ＰＬ、ＤＬ、ＲＬと水平配線ＡＬ１、ＡＬ２が交差および重なって発生する二重段差によるオーバーコート層１５０とパッシベーション層１４０の流失を防止することができる。したがって、第１電極１６２と下部配線間の電気的短絡を防止することができる。したがって、輝点不良を防止して画質を向上させることができる。
【0168】
この時、第１および第２重畳部ＯＡ１、ＯＡ２にはダミーレンズ１５６を具備しない。
【0169】
一方、前記の実施例では第１方向に配列された一つの行の画素および副画素について説明したが、本発明の実施例はこれに制限されない。すなわち、第２方向に配列された同一列の画素および副画素は図４～図１０に図示されたものと実質的に同じ構造を有する。
【0170】
本発明の実施例で、少なくとも一つの副画素内のマイクロレンズは回転するように備えられ得る。このような本発明の第２実施例について図１１を参照して説明する。
【0171】
【0172】
図１１に図示した通り、少なくとも一つの副画素に備えられたマイクロレンズ１５４は第１および第２方向に対して時計回り方向または反時計回り方向に回転する。ここで、第１方向はＸ方向で、第２方向はＹ方向である。
【0173】
例えば、マイクロレンズ１５４は第１および第２方向に対して角度θを有して時計回り方向に回転することができる。したがって、隣接したマイクロレンズ１５４の中心を連結した線は第１および／または第２方向に対して角度θを有する。
【0174】
ここで、角度θは０度より大きいか同じであり、６０度より小さい範囲で選択され得る。
【0175】
この時、すべての副画素のマイクロレンズ１５４が回転してもよく、このような場合、隣接した副画素のマイクロレンズ１５４は互いに異なる回転角度を有する。
【0176】
例えば、マトリクス形態で配置された２０個の副画素内のマイクロレンズ１５４が３度差の回転角度を有して時計回り方向または反時計回り方向に回転してランダムに配置され得る。しかし、本発明の実施例はこれに制限されない。
【0177】
このように、本発明の第２実施例に係る有機発光ダイオード表示装置では、少なくとも一つの副画素内のマイクロレンズ１５４を第１および第２方向に対して特定の角度で回転して配置する。これに伴い、マイクロレンズ１５４の規則的な配列によって発生する反射光の回折模様が相殺または最小化されるか、反射光の回折模様が非規則またはランダムになるので、反射光の放射形態の虹パターンと放射形態の円形リング（ｒｉｎｇ）パターンの発生が抑制されるか最小化され得る。したがって、表示装置の画質を向上させることができる。
【0178】
本発明の実施例に係る有機発光ダイオード表示装置はバンクの開口部の大きさ測定のための平坦部を具備することができる。このような本発明の第３実施例に係る有機発光ダイオード表示装置について図１２を参照して説明する。
【0179】
図１２は本発明の第３実施例に係る有機発光ダイオード表示装置の概略的な平面図であり、図６のＡ２領域に対応する拡大図面であり、図６と図９を共に参照して説明する。本発明の第３実施例に係る有機発光ダイオード表示装置は、バンクの開口部の大きさ測定のための平坦部を除いては第１実施例と実質的に同じ構成を有し、同一部分に同一符号を付与し、これに対する説明は省略または簡略にする。
【0180】
図１２に図示した通り、第１、第２、第３、第４副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３、ＳＰ４のうち少なくとも一つは発光領域ＥＡに少なくとも一つの第３平坦部（ｆｌａｔ ｐｏｒｔｉｏｎ）ＦＰ３を有する。
【0181】
一例として、第１副画素ＳＰ１は発光領域ＥＡに二つの第３平坦部ＦＰ３を有することができる。
【0182】
二つの第３平坦部ＦＰ３は第１方向に沿って対向する発光領域ＥＡの両側にそれぞれ配置され、同一直線上に位置することができる。第３平坦部ＦＰ３内にはマイクロレンズ１５４が配置されず、第３平坦部ＦＰ３内でオーバーコート層１５０は実質的に平坦な上面を有する。
【0183】
また、第１副画素ＳＰ１でバンク１６０の対向する両側面は二つの第３平坦部ＦＰ３上にそれぞれ置かれる。
【0184】
このような二つの第３平坦部ＦＰ３はバンク１６０の開口部１６０ａの大きさを測定するのに使われ得る。
【0185】
バンク１６０の開口部１６０ａの大きさにより発光領域ＥＡの大きさおよびマイクロレンズ１５４の個数が決定されるが、開口部１６０ａの大きさが設定された範囲より小さく形成される場合、光抽出に寄与するマイクロレンズ１５４の個数が減って光抽出効率が低下し得るので、開口部１６０ａの大きさを特定範囲内で管理することが必要である。
【0186】
この時、開口部１６０ａの大きさの測定はパターニングされたバンク１６０の光学イメージ撮影を通じてなされるが、マイクロレンズ１５４により撮影された光学イメージが歪曲され得る。したがって、本発明の第３実施例では、発光領域ＥＡ内にマイクロレンズ１５４が実質的に配置されない第３平坦部ＦＰ３を具備し、発光領域ＥＡの境界、すなわち、開口部１６０ａの境界が第３平坦部ＦＰ３上に位置するようにすることによって、グレーレベルの歪曲なしにバンク１６０の開口部１６０ａの大きさと開口部１６０ａの間の距離、すなわち、バンク１６０の幅を正確に測定することができる。
【0187】
このような第３平坦部ＦＰ３は４個のマイクロレンズ１５４の面積より大きいか同じであり、９個のマイクロレンズ１５４の面積より小さいか同じであり得、これに制限されない。
【0188】
【0189】
このように、本発明の第３実施例では、発光領域ＥＡにオーバーコート層１５０の上面の少なくとも一部が平坦な第３平坦部ＦＰ３を具備し、バンク１６０の側面が第３平坦部ＦＰ３上に位置するようにすることによって、グレーレベルの歪曲なしに開口部１６０ａの大きさとバンク１６０の幅を正確に測定することができる。これに伴い、バンク１６０の開口部１６０ａを特定範囲内で管理することができるため、表示装置の光抽出効率の低下を防止することができる。
【0190】
本発明の実施例に係る有機発光ダイオード表示装置で第１電極とバンクの開口部は少なくとも一つの面取り（ｃｏｒｎｅｒ ｃｕｔｔｉｎｇ）構造を有することができる。このような本発明の第４実施例に係る有機発光ダイオード表示装置について図１３と図１４を参照して説明する。
【0191】
図１３は本発明の第４実施例に係る有機発光ダイオード表示装置の概略的な平面図であり、図１４は図１３のＶ－Ｖ’線に対応する断面図であり、図１３と図１４は第２画素～第（ｍ－１）画素の中の一つを図示する。本発明の第４実施例に係る有機発光ダイオード表示装置は、面取り構造を除いては第１実施例と実質的に同じ構成を有し、同一部分に同一符号を付与し、これに対する説明は省略また簡略にする。
【0192】
図１３と図１４に図示した通り、本発明の第４実施例に係る有機発光ダイオード表示装置で、第１、第２、第３、第４副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３、ＳＰ４のそれぞれの第１電極１６２とバンク１６０の開口部１６０ａは少なくとも一つの角部に面取り構造を有することができる。
【0193】
具体的には、各副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３、ＳＰ４で第１電極１６２とバンク１６０の開口部１６０ａのそれぞれは第１および第２重畳部ＯＡ１、ＯＡ２に対応して面取り構造を有する。この時、第１電極１６２とバンク１６０の開口部１６０ａそれぞれの角部が角ばった形態で部分的に除去されて発光領域ＥＡ側に引き入れられ得る。
【0194】
このような面取り構造に対応してマイクロレンズ１５４およびダミーレンズ１５６が備えられない。これに伴い、マイクロレンズ１５４は面取り構造を有するバンク１６０の縁と離隔して配置される。また、マイクロレンズ１５４は面取り構造を有する第１電極１６２の縁と離隔して配置される。
【0195】
したがって、各副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３、ＳＰ４の発光領域ＥＡは面取り構造に対応して第２平坦部ＦＰ２を有し、第２平坦部ＦＰ２でオーバーコート層１５０は平坦な上面を有する
【0196】
ここで、第１電極１６２とバンク１６０の開口部１６０ａは角ばった形態の面取り構造を有するものとして図示されているが、本発明の実施例はこれに制限されない。これとは異なり、第１電極１６２とバンク１６０の開口部１６０ａのそれぞれは第１および第２重畳部ＯＡ１、ＯＡ２に対応して曲線や斜線形態の面取り構造を有してもよい。
【0197】
このように、本発明の第４実施例に係る有機発光ダイオード表示装置では、第１電極１６２とバンクの開口部１６０ａのそれぞれが第１および第２重畳部ＯＡ１、ＯＡ２に対応して発光領域ＥＡ側に引き入れられる面取り構造を有するようにすることによって、第１および第２重畳部ＯＡ１、ＯＡ２に対応して第１電極１６２と下部配線が重ならずに離隔するため、配線の二重段差による第１電極１６２と下部配線間の電気的短絡をさらに防止することができる。
【0198】
前記では本発明の好ましい実施例を参照して説明したが、該当技術分野の通常の技術者は下記の特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想および領域から逸脱しない範囲内で本発明を多様に修正および変更できることが理解できるであろう。
【符号の説明】
【0199】
ＳＰ：サブピクセル
ＥＡ：発光領域
ＮＥＡ：非発光領域
ＧＬ：ゲート配線
ＤＬ：データ配線
ＰＬ：電源配線
ＲＬ：基準配線
ＡＬ１：第１補助配線
ＡＬ１ａ：補助パターン
ＡＬ２：第２補助配線
１５４：マイクロレンズ
１５６：ダミーレンズ
１６０：バンク
１６０ａ：開口部
１６２：第１電極
ＥＡ：発光領域
ＮＥＡ：非発光領域
ＧＬ：ゲート配線
ＤＬ：データ配線
ＰＬ：電源配線
ＲＬ：基準配線
ＡＬ１：第１補助配線
ＡＬ１ａ：補助パターン
ＡＬ２：第２補助配線
１５４：マイクロレンズ
１５６：ダミーレンズ
１６０：バンク
１６０ａ：開口部
１６２：第１電極
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
