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▶ エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッドの特許一覧
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024096055
(43)【公開日】2024-07-11
(54)【発明の名称】表示装置
(51)【国際特許分類】
G09F 9/30 20060101AFI20240704BHJP
H10K 59/122 20230101ALI20240704BHJP
H10K 59/65 20230101ALI20240704BHJP
H10K 71/20 20230101ALI20240704BHJP
H10K 50/84 20230101ALI20240704BHJP
【ＦＩ】
G09F9/30 349Z
G09F9/30 338
H10K59/122
H10K59/65
H10K71/20
H10K50/84
【審査請求】有
【請求項の数】10
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023220086
(22)【出願日】2023-12-26
(31)【優先権主張番号】10-2022-0190608
(32)【優先日】2022-12-30
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(71)【出願人】
【識別番号】501426046
【氏名又は名称】エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド
(74)【代理人】
【識別番号】110002077
【氏名又は名称】園田・小林弁理士法人
(72)【発明者】
【氏名】チョ， ハンサップ
(72)【発明者】
【氏名】チョン， ユホ
(72)【発明者】
【氏名】ホン， ソンギ
【テーマコード（参考）】
3K107
5C094
【Ｆターム（参考）】
3K107AA01
3K107BB01
3K107CC28
3K107CC41
3K107CC45
3K107DD89
3K107DD90
3K107EE68
3K107FF15
3K107GG11
5C094AA31
5C094BA27
5C094DA13
(57)【要約】 （修正有）
【課題】カメラまたはセンサが配置される領域で透過率が改善された表示装置を提供する。
【解決手段】本明細書の一実施例に係る表示装置１００は、発光領域及び透過領域を含む光学領域ＤＡ１及び光学領域を囲む一般領域ＮＡを含む表示領域ＤＡ及び非表示領域ＮＤＡを含む基板、表示領域で基板上に配置される平坦化層、平坦化層上に配置され、アノード、発光層及びカソードを含む複数の発光素子、平坦化層上でアノードの末端を覆うように配置されるバンク、及び光学領域で発光領域及び透過領域のうち透過領域で発光層上に配置される蒸着防止層を含み、バンクは、光学領域で発光領域及び透過領域のうち発光領域に配置される。
【選択図】図１ａ
【解決手段】本明細書の一実施例に係る表示装置１００は、発光領域及び透過領域を含む光学領域ＤＡ１及び光学領域を囲む一般領域ＮＡを含む表示領域ＤＡ及び非表示領域ＮＤＡを含む基板、表示領域で基板上に配置される平坦化層、平坦化層上に配置され、アノード、発光層及びカソードを含む複数の発光素子、平坦化層上でアノードの末端を覆うように配置されるバンク、及び光学領域で発光領域及び透過領域のうち透過領域で発光層上に配置される蒸着防止層を含み、バンクは、光学領域で発光領域及び透過領域のうち発光領域に配置される。
【選択図】図１ａ
【特許請求の範囲】
【請求項1】
発光領域及び透過領域を含む光学領域と前記光学領域を囲む一般領域とを含む表示領域、並びに非表示領域を含む基板；
前記表示領域で前記基板上に配置される平坦化層；
前記平坦化層上に配置され、アノード、発光層及びカソードを含む複数の発光素子；
前記平坦化層上でアノードの末端を覆うように配置されるバンク；及び
前記光学領域の前記発光領域及び前記透過領域のうち前記透過領域で前記発光層上に配置される蒸着防止層を含み、
前記バンクは、前記光学領域の前記発光領域及び前記透過領域のうち前記発光領域に配置される、表示装置。
前記表示領域で前記基板上に配置される平坦化層；
前記平坦化層上に配置され、アノード、発光層及びカソードを含む複数の発光素子；
前記平坦化層上でアノードの末端を覆うように配置されるバンク；及び
前記光学領域の前記発光領域及び前記透過領域のうち前記透過領域で前記発光層上に配置される蒸着防止層を含み、
前記バンクは、前記光学領域の前記発光領域及び前記透過領域のうち前記発光領域に配置される、表示装置。
【請求項2】
前記光学領域で前記基板の下部に配置される光学電子装置をさらに含む、請求項１に記載の表示装置。
【請求項3】
前記光学領域の前記透過領域で前記蒸着防止層は、平らな面に配置される、請求項１に記載の表示装置。
【請求項4】
前記光学領域の前記透過領域で前記発光層の下面は、前記平坦化層と接する、請求項１に記載の表示装置。
【請求項5】
前記光学領域で前記蒸着防止層と前記バンクは、互いに重畳しない、請求項１に記載の表示装置。
【請求項6】
前記光学領域の前記発光領域に配置された前記カソードの側面と前記光学領域の前記透過領域に配置された前記蒸着防止層の側面は、互いに接する、請求項１に記載の表示装置。
【請求項7】
前記蒸着防止層は、厚さが一定である、請求項１に記載の表示装置。
【請求項8】
前記蒸着防止層は、
厚さが一定である第１部分；及び
前記第１部分を囲むように配置され、前記第１部分より厚さが薄い第２部分を含む、請求項７に記載の表示装置。
厚さが一定である第１部分；及び
前記第１部分を囲むように配置され、前記第１部分より厚さが薄い第２部分を含む、請求項７に記載の表示装置。
【請求項9】
前記第２部分の厚さは、前記第１部分から離れるほど減少する、請求項８に記載の表示装置。
【請求項10】
前記第１部分と前記第２部分は、一体であり、同じ物質からなる、請求項８に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本明細書は、表示装置に関し、より詳細には、カメラまたはセンサが配置される領域で積層された膜の浮き上がりを防止できる表示装置を提供するものである。
【背景技術】
【0002】
情報化時代に入るに伴い、電気的情報信号を視覚的に表示する表示装置分野が急速に発展しており、様々な表示装置に対して、薄型化、軽量化及び低消費電力化等の性能を開発させるための研究が続いている。
【0003】
代表的な表示装置としては、液晶表示装置（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ；ＬＣＤ）、電界放出表示装置（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ；ＦＥＤ）、電気湿潤表示装置（Ｅｌｅｃｔｒｏ－Ｗｅｔｔｉｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ；ＥＷＤ）及び有機発光表示装置（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ；ＯＬＥＤ）等が挙げられる。
【0004】
有機発光表示装置に代表される電界発光表示装置は、自体発光表示装置であって、液晶表示装置とは異なり別途の光源が不要であり、軽量薄型に製造が可能である。また、電界発光表示装置は、低電圧駆動により消費電力の側面で有利であるだけではなく、色相具現、応答速度、視野角、明暗対比比（Ｃｏｎｔｒａｓｔ Ｒａｔｉｏ；ＣＲ）にも優れており、多様な分野で活用が期待されている。
【0005】
近年、モバイル端末機のマルチメディア機能が向上している。例えば、表示装置の前面にカメラまたはセンサが基本的に内蔵される。しかし、表示装置の前面に配置されたカメラまたはセンサは、画面デザインを制限して画面デザインを難しくしている。表示装置の前面にカメラまたはセンサが占める空間を減らすためにノッチ（ｎｏｔｃｈ）またはパンチホール（ｐｕｎｃｈ ｈｏｌｅ）を含むデザインが表示装置に採択されたことがあるが、カメラまたはセンサによって画面の大きさが依然として制限され、フルスクリーンディスプレイ（Ｆｕｌｌ－ｓｃｒｅｅｎ ｄｉｓｐｌａｙ）を具現することが難しい。
【0006】
フルスクリーンディスプレイを具現するために、表示装置の画面内に低解像度の画素が配置される領域を設け、低解像度の画素が配置される領域にカメラおよび／または各種のセンサを配置する方案が提案されている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
本明細書の一実施例において解決しようとする課題は、カメラまたはセンサが配置される領域で透過率が改善された表示装置を提供することである。
【0008】
本明細書の他の実施例において解決しようとする課題は、カメラまたはセンサが配置される領域で積層された膜の浮き上がりを防止できる表示装置を提供することである。
【0009】
本明細書のまた他の実施例において解決しようとする課題は、カメラまたはセンサが配置される領域でＵＶ信頼性の評価時にＵＶ光の透過による有機物質のアウトガス（ｏｕｔｇａｓｓｉｎｇ）の発生による発光部の画素収縮現象を防止できる表示装置を提供することである。
【0010】
本明細書の課題は、以上において言及した課題に制限されず、言及されていないまた他の課題は、下記の記載から当業者に明確に理解され得るだろう。
【課題を解決するための手段】
【0011】
本明細書の一実施例に係る表示装置は、発光領域及び透過領域を含む光学領域及び光学領域を囲む一般領域を含む表示領域及び非表示領域を含む基板、表示領域で基板上に配置される平坦化層、平坦化層上に配置され、アノード、発光層及びカソードを含む複数の発光素子、平坦化層上でアノードの末端を覆うように配置されるバンク、及び光学領域で発光領域及び透過領域のうち透過領域で発光層上に配置される蒸着防止層を含み、バンクは、光学領域で発光領域及び透過領域のうち発光領域に配置される。
【0012】
その他の実施例の具体的な事項は、詳細な説明及び図面に含まれている。
【0013】
本明細書の一実施例に係る表示装置は、表示領域で発光素子またはタッチ電極の下端にカメラまたはセンサが配置されることで、その上部のディスプレイまたはタッチが切れなくて済む。
【0014】
本明細書の一実施例に係る表示装置は、カメラまたはセンサが配置された領域と重畳される領域に蒸着防止層を配置し、以後、金属電極を蒸着することで、蒸着防止層上に金属電極のような不透明な構成要素が配置されない透過領域を位置させることができる。これによって、カメラまたはセンサが配置された領域での光透過率が改善されて表示装置の視感度を改善することができる。
【0015】
本明細書に係る効果は、以上において例示された内容により制限されず、さらに多様な効果が本明細書内に含まれている。
【図面の簡単な説明】
【0016】
【図1a】本明細書の一実施例に係る表示装置の概略的な平面図である。
【図1b】本明細書の一実施例に係る表示装置の概略的な平面図である。
【図1c】本明細書の一実施例に係る表示装置の概略的な平面図である。
【図1d】本明細書の一実施例に係る表示装置の概略的な平面図である。
【図2】本明細書の一実施例に係る表示装置のシステム構成図である。
【図3】本明細書の一実施例に係る表示パネルのサブ画素の等価回路図である。
【図4】本明細書の一実施例に係る表示パネルにおいて、表示領域のサブ画素の配置を示す図である。
【図5a】本明細書の一実施例に係る表示パネルにおいて、第１光学領域及び一般領域それぞれでの信号ラインの配置を例に挙げて示す図である。
【図5b】本明細書の一実施例に係る表示パネルにおいて、第２光学領域及び一般領域それぞれでの信号ラインの配置を例に挙げて示す図である。
【図6】本明細書の一実施例に係る一般領域に配置された一つの画素領域の断面構造を示す断面図である。
【図7】本明細書の一実施例に係る光学領域内の発光領域及び透過領域の断面構造を示す断面図である。
【図8a】本明細書の一実施例に係る透過領域と蒸着防止層の位置関係を示す図である。
【図8b】本明細書の一実施例に係る透過領域を拡大して示す拡大図である。
【図9】本明細書の他の実施例に係る光学領域内の発光領域及び透過領域の断面構造を示す断面図である。
【図10a】本明細書の他の実施例に係る透過領域と蒸着防止層の位置関係を示す図である。
【図10b】本明細書の他の実施例に係る透過領域を拡大して示す拡大図である。
【図11】本明細書の他の実施例に係るフレキシブル表示装置の第１光学領域を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【0017】
本明細書の利点及び特徴、そして、それらを達成する方法は、添付の図面と共に詳細に後述されている実施例を参照すると、明確になるだろう。しかし、本明細書は、以下において開示される実施例に制限されるものではなく、互いに異なる多様な形状に具現され、単に、本実施例は、本明細書の開示が完全なものとなるようにし、本明細書の属する技術の分野における通常の知識を有する者に本明細書の一実施例の範疇を完全に知らせるために提供される。
【0018】
本明細書の実施例を説明するための図面に開示された形状、面積、比率、角度、個数等は、例示的なものであるので、本明細書の実施例が図示された事項に制限されるものではない。明細書全体にわたって、同じ参照符号は、同じ構成要素を指す。また、本明細書の一実施例を説明するにあたって、関連した公知技術についての具体的な説明が本明細書の一実施例の要旨を不要に濁す恐れがあると判断される場合、その詳細な説明は省略する。本明細書上において言及された「含む」、「有する」、「なされる」等が使用される場合、「～だけ」が使用されない以上、他の部分が加えられ得る。構成要素を単数で表現した場合、特に明示的な記載事項がない限り、複数を含む場合を含む。
【0019】
構成要素を解釈するにあたって、別途の明示的な記載がなくても誤差範囲を含むものと解釈する。
【0020】
位置関係についての説明である場合、例えば、「～上に」、「～上部に」、「～下部に」、「～隣に」等と二部分の位置関係が説明される場合、「すぐ」または「直接」が使用されない以上、二部分の間に一つ以上の他の部分が位置してもよい。
【0021】
素子または層が他の素子または層の「上（ｏｎ）」と称されるものは、他の素子のすぐ上または中間に他の層または他の素子を介在した場合をいずれも含む。
【0022】
また、第１、第２等が多様な構成要素を述べるために使用されるが、これらの構成要素は、これらの用語により制限されない。これらの用語は、単に一つの構成要素を他の構成要素と区別するために使用するものである。従って、以下において言及される第１構成要素は、本明細書の技術的思想内で第２構成要素であってもよい。
【0023】
明細書全体にわたって、同じ参照符号は、同じ構成要素を指す。
【0024】
図面で示された各構成の面積及び厚さは、説明の便宜のために示されたものであり、本明細書の一実施例は、示された構成の面積及び厚さに必ずしも限定されるものではない。
【0025】
本明細書の様々な実施例のそれぞれの特徴は、部分的または全体的に互いに結合または組み合わせ可能であり、技術的に多様な連動及び駆動が可能であり、各実施例が互いに対して独立して実施可能であってもよく、関連関係で共に実施してもよい。
【0026】
以下においては、図面を参照して本明細書の一実施例について説明する。
【0027】
【0028】
図１ａ乃至図１ｄを参照すると、本明細書の一実施例に係る表示装置１００は、映像を表示する表示パネルＤＰ及び一つ以上の光学電子装置１７０、１７０ａ、１７０ｂを含むことができる。光学電子装置１７０、１７０ａ、１７０ｂは、カメラまたはセンサのように光を受信する受光装置を含むことができる。
【0029】
表示パネルＤＰは、ユーザに映像を表示するためのパネルである。
【0030】
表示パネルＤＰは、映像を表示するための表示素子、表示素子を駆動するための駆動素子、及び表示素子及び駆動素子に各種の信号を伝達する配線等を備えることができる。表示素子は、表示パネルＤＰの種類によって異に定義され得、例えば、表示パネルＤＰが有機発光表示パネルである場合、表示素子は、アノード、発光層及びカソードを含む有機発光素子であってよい。例えば、表示パネルＤＰが液晶表示パネルである場合、表示素子は、液晶表示素子であってよい。
【0031】
以下においては、表示パネルＤＰが有機発光表示パネルであるものと仮定するが、表示パネルＤＰが有機発光表示パネルに制限されるものではない。
【0032】
一方、表示パネルＤＰは、基板、及び基板上の多数の絶縁膜、トランジスタ層及び発光素子層等を含んで構成され得る。表示パネルＤＰは、映像表示のために、多数のサブ画素及び多数のサブ画素を駆動するための各種の信号ラインを含むことができる。信号ラインは、多数のデータライン、多数のゲートライン、多数の電源ライン等を含むことができる。このとき、多数のサブ画素それぞれは、トランジスタ層に位置するトランジスタ及び発光素子層に位置する発光素子を含むことができる。
【0033】
表示パネルＤＰは、表示領域ＤＡ及び非表示領域ＮＤＡを含むことができる。
【0034】
表示領域ＤＡは、表示パネルＤＰで映像が表示される領域である。
【0035】
表示領域ＤＡには、多数の画素を構成する多数のサブ画素及び多数のサブ画素を駆動するための回路が配置され得る。多数のサブ画素は、表示領域ＤＡを構成する最小単位であり、多数のサブ画素それぞれに表示素子が配置され得、多数のサブ画素は、画素を構成できる。例えば、多数のサブ画素それぞれにアノード、発光層及びカソードを含む有機発光素子が配置され得るが、これに制限されない。また、多数のサブ画素を駆動するための回路には、駆動素子及び配線等が含まれ得る。例えば、回路は、薄膜トランジスタ、ストレージキャパシタ、ゲートライン、データライン等からなり得るが、これに制限されない。
【0036】
非表示領域ＮＤＡは、映像が表示されない領域である。
【0037】
非表示領域ＮＤＡは、ベンディングされて前面で見えないか、ケース（図示しない）により隠され得、ベゼル領域ともいう。
【0038】
図１ａ乃至図１ｄにおいて、非表示領域ＮＤＡが四角形状の表示領域ＤＡを囲んでいるものと示したが、表示領域ＤＡと非表示領域ＮＤＡの形態及び配置は、図１ａ乃至図１ｄに示された例に制限されない。即ち、表示領域ＤＡ及び非表示領域ＮＤＡは、フレキシブル表示装置１００を搭載した電子装置のデザインに適した形態であってよい。例えば、表示領域ＤＡの例示的な形態は、五角形、六角形、円形、楕円形等であってもよい。
【0039】
非表示領域ＮＤＡには、表示領域ＤＡの有機発光素子を駆動するための多様な配線及び回路等が配置され得る。例えば、非表示領域ＮＤＡには、表示領域ＤＡの多数のサブ画素及び回路に信号を伝達するためのリンク配線、ＧＩＰ（Ｇａｔｅ－Ｉｎ－Ｐａｎｅｌ）配線、またはゲートドライバＩＣ、データドライバＩＣのような駆動ＩＣ等が配置され得るが、これに制限されない。
【0040】
表示装置１００は、多様な信号を生成するか表示領域ＤＡ内の画素を駆動するための、多様な付加要素をさらに含むことができる。画素を駆動するための付加要素は、インバータ回路、マルチプレクサ、静電気放電（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｓｔａｔｉｃ Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ；ＥＳＤ）回路等を含むことができる。表示装置１００は、画素の駆動以外の機能と関連した付加要素も含むことができる。例えば、表示装置１００は、タッチ感知機能、ユーザ認証機能（例；指紋認識）、マルチレベル圧力感知機能、触覚フィードバック（ｔａｃｔｉｌｅ ｆｅｅｄｂａｃｋ）機能等を提供する付加要素をさらに含むことができる。前記言及された付加要素は、非表示領域ＮＤＡおよび／または連結インターフェースと連結された外部回路に位置し得る。
【0041】
【0042】
【0043】
光は、表示パネルＤＰの前面（視聴面）に入射し、表示パネルＤＰを透過して表示パネルＤＰの下（視聴面の反対側）に位置する一つ以上の光学電子装置１７０、１７０ａ、１７０ｂに伝達され得る。
【0044】
一つ以上の光学電子装置１７０、１７０ａ、１７０ｂは、表示パネルＤＰを透過した光を受信して、受信された光によって定められた機能を果たす装置であってよい。
【0045】
例えば、光学電子装置１７０、１７０ａ、１７０ｂは、カメラまたは近接センサのいずれか一つ以上を含むことができる。
【0046】
前述したように、光学電子装置１７０、１７０ａ、１７０ｂは、光受信が必要な装置であるが、表示パネルＤＰの下部に位置し得る。即ち、光学電子装置１７０、１７０ａ、１７０ｂは、表示パネルＤＰの視聴面の反対側に位置し得る。光学電子装置１７０、１７０ａ、１７０ｂは、フレキシブル表示装置１００の前面に露出されない。従って、ユーザがフレキシブル表示装置１００の前面を見たとき、光学電子装置１７０、１７０ａ、１７０ｂが見えない。
【0047】
一例として、表示パネルＤＰの下部に位置するカメラは、前面を撮影する前面カメラであり、カメラレンズで見ることもできる。
【0048】
光学電子装置１７０、１７０ａ、１７０ｂは、表示パネルＤＰの表示領域ＤＡと重畳されるように配置され得る。即ち、光学電子装置１７０、１７０ａ、１７０ｂは、表示領域ＤＡ内に位置し得る。
【0049】
【0050】
一つ以上の光学領域ＤＡ１、ＤＡ２は、一つ以上の光学電子装置１７０、１７０ａ、１７０ｂと重畳される領域であってよい。
【0051】
図１ａの例示によれば、表示領域ＤＡは、一般領域ＮＡ及び第１光学領域ＤＡ１を含むことができる。ここで、第１光学領域ＤＡ１の少なくとも一部は、第１光学電子装置１７０と重畳され得る。
【0052】
図１ａに第１光学領域ＤＡ１が円形である構造を示したが、本明細書の実施例に係る第１光学領域ＤＡ１の形状は、これに限定されるものではない。
【0053】
例えば、図１ｂに示されたように、第１光学領域ＤＡ１の形状は、八角形になされ得、この他にも多様な多角形状になされ得る。
【0054】
図１ｃの例示によれば、表示領域ＤＡは、一般領域ＮＡ、第１光学領域ＤＡ１及び第２光学領域ＤＡ２を含むことができる。図１ｃの例示において、第１光学領域ＤＡ１及び第２光学領域ＤＡ２の間には、一般領域ＮＡが存在し得る。ここで、第１光学領域ＤＡ１の少なくとも一部は、第１光学電子装置１７０ａと重畳され得、第２光学領域ＤＡ２の少なくとも一部は、第２光学電子装置１７０ｂと重畳され得る。
【0055】
図１ｄの例示によれば、表示領域ＤＡは、一般領域ＮＡ、第１光学領域ＤＡ１及び第２光学領域ＤＡ２を含むことができる。図１ｄの例示において、第１光学領域ＤＡ１及び第２光学領域ＤＡ２の間には、一般領域ＮＡが存在しない。即ち、第１光学領域ＤＡ１及び第２光学領域ＤＡ２は、互いに接し得る。ここで、第１光学領域ＤＡ１の少なくとも一部は、第１光学電子装置１７０ａと重畳され得、第２光学領域ＤＡ２の少なくとも一部は、第２光学電子装置１７０ｂと重畳され得る。
【0056】
一つ以上の光学領域ＤＡ１、ＤＡ２は、映像表示構造及び光透過構造が全て形成されていなければならない。即ち、一つ以上の光学領域ＤＡ１、ＤＡ２は、表示領域ＤＡの一部の領域であるので、一つ以上の光学領域ＤＡ１、ＤＡ２には、映像表示のためのサブ画素が配置されなければならない。一つ以上の光学領域ＤＡ１、ＤＡ２には、一つ以上の光学電子装置１７０、１７０ａ、１７０ｂに光を透過させるための光透過構造が形成されなければならない。
【0057】
一つ以上の光学電子装置１７０、１７０ａ、１７０ｂは、光受信が必要な装置であるが、表示パネルＤＰの裏（下、視聴面の反対側）に位置して、表示パネルＤＰを透過した光を受信するようになる。
【0058】
一つ以上の光学電子装置１７０、１７０ａ、１７０ｂは、表示パネルＤＰの前面（視聴面）に露出されない。従って、ユーザがフレキシブル表示装置１００の前面を見たとき、光学電子装置１７０、１７０ａ、１７０ｂがユーザに見えない。
【0059】
例えば、第１光学電子装置１７０、１７０ａは、カメラであってよく、第２光学電子装置１７０ｂは、近接センサ、照度センサ等の感知センサであってよい。例えば、感知センサは、赤外線を感知する赤外線センサであってよい。
【0060】
これと逆に、第１光学電子装置１７０、１７０ａが感知センサであり、第２光学電子装置１７０ｂがカメラであってよい。
【0061】
以下においては、説明の便宜のために、第１光学電子装置１７０、１７０ａがカメラであり、第２光学電子装置１７０ｂが感知センサであるものと例を挙げる。ここで、カメラは、カメラレンズまたはイメージセンサであってよい。
【0062】
第１光学電子装置１７０、１７０ａがカメラである場合、このカメラは、表示パネルＤＰの裏（下）に位置するが、表示パネルＤＰの前面方向を撮影する前面カメラであってよい。従って、ユーザは、表示パネルＤＰの視聴面を見ながら、視聴面に見えないカメラを通して撮影をすることができる。
【0063】
表示領域ＤＡに含まれた一般領域ＮＡ及び一つ以上の光学領域ＤＡ１、ＤＡ２は、映像表示が可能な領域であるが、一般領域ＮＡは、光透過構造が形成される必要がない領域であり、一つ以上の光学領域ＤＡ１、ＤＡ２は、光透過構造が形成されなければならない領域である。
【0064】
従って、一つ以上の光学領域ＤＡ１、ＤＡ２は、一定水準以上の透過率を有しなければならず、一般領域ＮＡは、光透過性を有しないか一定水準未満の低い透過率を有し得る。
【0065】
例えば、一つ以上の光学領域ＤＡ１、ＤＡ２と一般領域ＮＡは、解像度、サブ画素配置構造、単位面積当たりのサブ画素個数、電極構造、ライン構造、電極配置構造、またはライン配置構造等が互いに異なり得る。
【0066】
例えば、一つ以上の光学領域ＤＡ１、ＤＡ２での単位面積当たりのサブ画素個数は、一般領域ＮＡでの単位面積当たりのサブ画素個数より小さくてよい。即ち、一つ以上の光学領域ＤＡ１、ＤＡ２の解像度は、一般領域ＮＡの解像度より低くてよい。このとき、単位面積当たりのサブ画素個数は、解像度を測定する単位であり、１インチ（ｉｎｃｈ）内の画素個数を意味するＰＰＩ（Ｐｉｘｅｌｓ Ｐｅｒ Ｉｎｃｈ）ともいえる。
【0067】
例えば、第１光学領域ＤＡ１内の単位面積当たりのサブ画素個数は、一般領域ＮＡ内の単位面積当たりのサブ画素個数より小さくてよい。第２光学領域ＤＡ２内の単位面積当たりのサブ画素個数は、第１光学領域ＤＡ１内の単位面積当たりのサブ画素個数以上であってよい。
【0068】
第１光学領域ＤＡ１は、円形、楕円形、四角形、六角形、または八角形等、多様な模様を有し得る。第２光学領域ＤＡ２は、円形、楕円形、四角形、六角形、または八角形等、多様な模様を有し得る。第１光学領域ＤＡ１及び第２光学領域ＤＡ２は、同じ模様を有してもよく、異なる模様を有してもよい。
【0069】
図１ｃを参照すると、第１光学領域ＤＡ１及び第２光学領域ＤＡ２が接している場合、第１光学領域ＤＡ１及び第２光学領域ＤＡ２を含む全体光学領域もまた円形、楕円形、四角形、六角形、または八角形等、多様な模様を有し得る。
【0070】
以下においては、説明の便宜のために、第１光学領域ＤＡ１及び第２光学領域ＤＡ２それぞれは、円形であるものを例に挙げる。
【0071】
本明細書の一実施例に係るフレキシブル表示装置１００において、外部に露出されずに表示パネルＤＰの下部に隠されている第１光学電子装置１７０、１７０ａがカメラである場合、本明細書の実施例に係るフレキシブル表示装置１００は、ＵＤＣ（Ｕｎｄｅｒ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃａｍｅｒａ）技術が適用されたディスプレイといえる。
【0072】
これによれば、本明細書の実施例に係るフレキシブル表示装置１００の場合、表示パネルＤＰにカメラの露出のためのノッチ（Ｎｏｔｃｈ）またはカメラホールが形成されなくてもよいため、表示領域ＤＡの面積減少が発生しない。
【0073】
これによって、表示パネルＤＰにカメラの露出のためのノッチ（Ｎｏｔｃｈ）またはカメラホールが形成されなくてもよいため、ベゼル領域の大きさが減ることができ、デザインの制約事項がなくなり、デザイン設計の自由度が高くなり得る。
【0074】
本明細書の一実施例に係るフレキシブル表示装置１００に、一つ以上の光学電子装置１７０、１７０ａ、１７０ｂが表示パネルＤＰの裏に隠されて位置するにもかかわらず、一つ以上の光学電子装置１７０、１７０ａ、１７０ｂは、正常に光を受信して定められた機能を正常に遂行できなければならない。
【0075】
また、本明細書の一実施例に係るフレキシブル表示装置１００において、一つ以上の光学電子装置１７０、１７０ａ、１７０ｂが表示パネルＤＰの裏に隠されて位置し、表示領域ＤＡと重畳されて位置するにもかかわらず、表示領域ＤＡで一つ以上の光学電子装置１７０、１７０ａ、１７０ｂと重畳される一つ以上の光学領域ＤＡ１、ＤＡ２で正常な映像表示が可能でなければならない。
【0076】
そこで、本明細書の一実施例に係るフレキシブル表示装置１００は、光学電子装置１７０、１７０ａ、１７０ｂと重畳される第１光学領域ＤＡ１及び第２光学領域ＤＡ２の透過率を向上させることができる構造を有し得る。
【0077】
図２は、本明細書の一実施例に係る表示装置のシステム構成図である。
【0078】
図２を参照すると、表示装置１００は、映像表示のための構成要素として、表示パネルＤＰ及びディスプレイ駆動回路を含むことができる。
【0079】
ディスプレイ駆動回路は、表示パネルＤＰを駆動するための回路であって、データ駆動回路ＤＤＣ、ゲート駆動回路ＧＤＣ、及びディスプレイコントローラＤＣＴＲ等を含むことができる。
【0080】
表示パネルＤＰは、映像が表示される表示領域ＤＡと映像が表示されない非表示領域ＮＤＡを含むことができる。非表示領域ＮＤＡは、表示領域ＤＡの外郭領域であってよく、ベゼル（ｂｅｚｅｌ）領域ともいえる。非表示領域ＮＤＡの全体または一部は、表示装置１００の前面で見える領域であるか、ベンディングされて表示装置１００の前面で見えることはない領域であってもよい。
【0081】
表示パネルＤＰは、基板ＳＵＢと基板ＳＵＢ上に配置された複数のサブ画素ＳＰを含むことができる。また、表示パネルＤＰは、複数のサブ画素ＳＰを駆動するために、様々な種類の信号ラインをさらに含むことができる。
【0082】
本明細書の一実施例に係る表示装置１００は、液晶表示装置等であってもよく、表示パネルＤＰが自ら発光する自体発光表示装置であってよい。本明細書の実施例に係る表示装置１００が自体発光表示装置である場合、複数のサブ画素ＳＰそれぞれは、発光素子を含むことができる。
【0083】
例えば、本明細書の実施例に係る表示装置１００は、発光素子が有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ：Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）に具現された有機発光表示装置であってよい。他の例を挙げて、本明細書の実施例に係る表示装置１００は、発光素子が無機物基盤の発光ダイオードに具現された無機発光表示装置であってよい。また他の例を挙げて、本明細書の実施例に係る表示装置１００は、発光素子が自ら光を出す半導体結晶である量子ドット（Ｑｕａｎｔｕｍ Ｄｏｔ）に具現された量子ドットディスプレイ装置であってよい。
【0084】
表示装置１００のタイプによって複数のサブ画素ＳＰそれぞれの構造が変わり得る。例えば、表示装置１００がサブ画素ＳＰが光を自ら出す自体発光表示装置である場合、各サブ画素ＳＰは、自ら光を出す発光素子、一つ以上のトランジスタ及び一つ以上のキャパシタを含むことができる。
【0085】
例えば、様々な種類の信号ラインは、データ信号（データ電圧または映像信号ともいう）を伝達する複数のデータラインＤＬ及びゲート信号（スキャン信号ともいう）を伝達する複数のゲートラインＧＬ等を含むことができる。
【0086】
複数のデータラインＤＬ及び複数のゲートラインＧＬは、互いに交差し得る。複数のデータラインＤＬそれぞれは、第１方向に延びて配置され得る。複数のゲートラインＧＬそれぞれは、第２方向に延びて配置され得る。
【0087】
ここで、第１方向は列（Ｃｏｌｕｍｎ）方向であり、第２方向は行（Ｒｏｗ）方向であってよい。または、第１方向は行方向であり、第２方向は列方向であってよい。
【0088】
データ駆動回路ＤＤＣは、複数のデータラインＤＬを駆動するための回路であって、複数のデータラインＤＬにデータ信号を出力できる。ゲート駆動回路ＧＤＣは、複数のゲートラインＧＬを駆動するための回路であって、複数のゲートラインＧＬにゲート信号を出力できる。
【0089】
ディスプレイコントローラＤＣＴＲは、データ駆動回路ＤＤＣ及びゲート駆動回路ＧＤＣを制御するための装置であって、複数のデータラインＤＬに対する駆動タイミングと複数のゲートラインＧＬに対する駆動タイミングを制御できる。
【0090】
ディスプレイコントローラＤＣＴＲは、データ駆動回路ＤＤＣを制御するためにデータ駆動制御信号ＤＣＳをデータ駆動回路ＤＤＣに供給し、ゲート駆動回路ＧＤＣを制御するためにゲート駆動制御信号ＧＣＳをゲート駆動回路ＧＤＣに供給できる。
【0091】
ディスプレイコントローラＤＣＴＲは、ホストシステムＨＳＹＳから入力映像データを受信して、入力映像データに基づいて映像データＤａｔａをデータ駆動回路ＤＤＣに供給できる。
【0092】
データ駆動回路ＤＤＣは、ディスプレイコントローラＤＣＴＲの駆動タイミング制御によって複数のデータラインＤＬにデータ信号を供給できる。
【0093】
データ駆動回路ＤＤＣは、ディスプレイコントローラＤＣＴＲからデジタル形態の映像データＤａｔａを受信し、受信された映像データＤａｔａをアナログ形態のデータ信号に変換して複数のデータラインＤＬに出力できる。
【0094】
ゲート駆動回路ＧＤＣは、ディスプレイコントローラＤＣＴＲのタイミング制御によって複数のゲートラインＧＬにゲート信号を供給できる。ゲート駆動回路ＧＤＣは、各種のゲート駆動制御信号ＧＣＳと共にターン－オンレベル電圧に該当する第１ゲート電圧及びターン－オフレベル電圧に該当する第２ゲート電圧の供給を受けて、ゲート信号を生成し、生成されたゲート信号を複数のゲートラインＧＬに供給できる。
【0095】
ゲート駆動回路ＧＤＣは、ディスプレイコントローラＤＣＴＲから供給されたゲート駆動制御信号ＧＣＳによってゲートラインＧＬにゲート信号を供給する。ゲート駆動回路ＧＤＣは、ＧＩＰ（Ｇａｔｅ Ｉｎ Ｐａｎｅｌ）方式で表示パネル１００の一側または両側に配置されてもよい。
【0096】
ゲート駆動回路ＧＤＣは、ディスプレイコントローラＤＣＴＲの制御下にゲート信号を複数のゲートラインＧＬに順次に出力する。ゲート駆動回路ＧＤＣは、シフトレジスタ（Ｓｈｉｆｔ ｒｅｇｉｓｔｅｒ）を利用してゲート信号をシフトさせることでその信号をゲートラインＧＬに順次に供給できる。
【0097】
ゲート信号は、有機発光表示装置でスキャン信号ＳＣと、発光制御信号ＥＭを含むことができる。スキャン信号ＳＣは、第１ゲート電圧と第２ゲート電圧との間でスイングするスキャン信号パルスを含む。発光制御信号ＥＭは、第３ゲート電圧と第４ゲート電圧との間でスイングする発光制御信号パルスを含むことができる。
【0098】
スキャンパルスは、データ電圧Ｖｄａｔａに同期されてデータが書き込まれるラインのサブ画素ＳＰを選択する。発光制御信号ＥＭは、各サブ画素ＳＰの発光時間を定義する。
【0099】
ゲート駆動回路ＧＤＣは、発光制御信号ＥＭを出力する発光制御信号駆動部ＥＤＣとスキャン信号ＳＣを出力する少なくとも一つ以上のスキャン駆動部ＳＤＣを含むことができる。
【0100】
発光制御信号駆動部ＥＤＣは、ディスプレイコントローラＤＣＴＲからのスタートパルスとシフトクロックに応答して発光制御信号ＥＭを出力し、シフトクロックによって発光制御信号パルスを順次にシフトする。
【0101】
少なくとも一つ以上のスキャン駆動部ＳＤＣは、ディスプレイコントローラＤＣＴＲからのスタートパルス（ｓｔａｒｔ ｐｕｌｓｅ）とシフトクロック（Ｓｈｉｆｔ ｃｌｏｃｋ）に応答してスキャン信号ＳＣを出力し、シフトクロックタイミングに合わせてスキャン信号パルスをシフトする。
【0102】
ＧＩＰ方式で配置されるゲート駆動回路ＧＤＣは、シフトレジスタが表示領域ＤＡの両側で対称に構成され得る。また、ゲート駆動回路ＧＤＣは、表示領域ＤＡの一側のシフトレジスタは、少なくとも一つのスキャン駆動部ＳＤＣ及び発光制御信号駆動部３１０を含み、表示領域ＤＡの他側のシフトレジスタは、少なくとも一つのスキャン駆動部ＳＤＣをそれぞれ含むように構成され得る。ただし、これに限定されず、発光制御信号駆動部ＥＤＣ及び少なくとも一つのスキャン駆動部ＳＤＣは、実施例によって異に配置され得る。
【0103】
データ駆動回路ＤＤＣは、テープオートメーテッドボンディング（ＴＡＢ：Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）方式で表示パネルＤＰと連結されるか、チップオングラス（ＣＯＧ：Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）またはチップオンパネル（ＣＯＰ：Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｐａｎｅｌ）方式で表示パネルＤＰのボンディングパッドに連結されるか、チップオンフィルム（ＣＯＦ：Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｆｉｌｍ）方式で具現されて表示パネルＤＰと連結され得る。
【0104】
ゲート駆動回路ＧＤＣは、テープオートメーテッドボンディング（ＴＡＢ）方式で表示パネルＤＰと連結されるか、チップオングラス（ＣＯＧ）またはチップオンパネル（ＣＯＰ）方式で表示パネルＤＰのボンディングパッド（Ｂｏｎｄｉｎｇ Ｐａｄ）に連結されるか、チップオンフィルム（ＣＯＦ）方式によって表示パネルＤＰと連結され得る。または、ゲート駆動回路ＧＤＣは、ゲートインパネル（ＧＩＰ：ＧＡＴＥ Ｉｎ Ｐａｎｅｌ）タイプで表示パネルＤＰの非表示領域ＮＤＡに形成され得る。ゲート駆動回路ＧＤＣは、基板上に配置されるか基板に連結され得る。即ち、ゲート駆動回路ＧＤＣは、ＧＩＰタイプである場合、基板の非表示領域ＮＤＡに配置され得る。ゲート駆動回路ＧＤＣは、チップオングラス（ＣＯＧ）タイプ、チップオンフィルム（ＣＯＦ）タイプ等である場合、基板に連結され得る。
【0105】
一方、データ駆動回路ＤＤＣ及びゲート駆動回路ＧＤＣのうち少なくとも一つの駆動回路は、表示パネルＤＰの表示領域ＤＡに配置されてもよい。例えば、データ駆動回路ＤＤＣ及びゲート駆動回路ＧＤＣのうち少なくとも一つの駆動回路は、サブ画素ＳＰと重畳されないように配置されてもよく、サブ画素ＳＰと一部または全体が重畳されるように配置されてもよい。
【0106】
データ駆動回路ＤＤＣは、表示パネルＤＰの一側（例：上側または下側）に連結されてもよい。駆動方式、パネル設計方式等によって、データ駆動回路ＤＤＣは、表示パネルＤＰの両側（例：上側と下側）に全て連結されるか、表示パネルＤＰの４側面のうち二以上の側面に連結されてもよい。
【0107】
ゲート駆動回路ＧＤＣは、表示パネルＤＰの一側（例：左側または右側）に連結されてもよい。駆動方式、パネル設計方式等によって、ゲート駆動回路ＧＤＣは、表示パネルＤＰの両側（例：左側と右側）に全て連結されるか、表示パネルＤＰの４側面のうち二以上の側面に連結されてもよい。
【0108】
ディスプレイコントローラＤＣＴＲは、データ駆動回路ＤＤＣと別途の部品に具現されてもよく、またはデータ駆動回路ＤＤＣと共に統合されて集積回路に具現され得る。
【0109】
ディスプレイコントローラＤＣＴＲは、通常のディスプレイ技術で利用されるタイミングコントローラ（Ｔｉｍｉｎｇ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）であるか、タイミングコントローラを含んで他の制御機能もさらに遂行できる制御装置であってよく、またはタイミングコントローラとは異なる制御装置であってもよく、または制御装置内の回路であってもよい。ディスプレイコントローラＤＣＴＲは、ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）、ＦＰＧＡ（Ｆｉｅｌｄ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ ＧＡＴＥ Ａｒｒａｙ）、ＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｉｆｉｃ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）、またはプロセッサ（Ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ）等の多様な回路や電子部品に具現され得る。
【0110】
ディスプレイコントローラＤＣＴＲは、印刷回路基板、延性印刷回路等に実装され、印刷回路基板、延性印刷回路等を通してデータ駆動回路ＤＤＣ及びゲート駆動回路ＧＤＣと電気的に連結され得る。
【0111】
ディスプレイコントローラＤＣＴＲは、予め定められた一つ以上のインターフェースによってデータ駆動回路ＤＤＣと信号を送受信できる。ここで、例えば、インターフェースは、ＬＶＤＳ（Ｌｏｗ Ｖｏｌｔａｇｅ Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ Ｓｉｇｎａｌｉｎｇ）インターフェース、ＥＰＩ（Ｅｍｂｅｄｄｅｄ Ｃｌｏｃｋ Ｐｏｉｎｔ－ｔｏ－Ｐｏｉｎｔ Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）、ＳＰＩ（Ｓｅｒｉａｌ Ｐｅｒｉｐｈｅｒａｌ Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）等を含むことができる。
【0112】
本明細書の実施例に係る表示装置１００は、映像表示機能だけではなくタッチセンシング機能をさらに提供するために、タッチセンサと、タッチセンサをセンシングして指またはペン等のタッチオブジェクトによりタッチが発生したかを検出するかタッチ位置を検出するタッチセンシング回路を含むことができる。
【0113】
タッチセンシング回路は、タッチセンサを駆動しセンシングしてタッチセンシングデータを生成して出力するタッチ駆動回路と、タッチセンシングデータを利用してタッチ発生を感知するかタッチ位置を検出できるタッチコントローラ等をさらに含むことができる。
【0114】
タッチセンサは、複数のタッチ電極を含むことができる。タッチセンサは、複数のタッチ電極とタッチ駆動回路を電気的に連結するための複数のタッチラインをさらに含むことができる。
【0115】
タッチセンサは、表示パネルＤＰの外部にタッチパネルの形態に存在してもよく、表示パネルＤＰの内部に存在してもよい。タッチセンサがタッチパネルの形態に表示パネルＤＰの外部に存在する場合、タッチセンサは外付けタイプという。タッチセンサが外付けタイプである場合、タッチパネルと表示パネルＤＰは、別に作製され、組み立て過程で結合され得る。外付けタイプのタッチパネルは、タッチパネル用基板及びタッチパネル用基板上の複数のタッチ電極等を含むことができる。
【0116】
タッチセンサは、表示パネルＤＰの内部に存在する場合、表示パネルＤＰの作製工程中にディスプレイ駆動と関連した信号ライン及び電極等と共に基板ＳＵＢ上にタッチセンサが形成され得る。
【0117】
タッチ駆動回路ＴＤＣは、複数のタッチ電極のうち少なくとも一つにタッチ駆動信号を供給し、複数のタッチ電極のうち少なくとも一つをセンシングしてタッチセンシングデータを生成できる。
【0118】
タッチセンシング回路は、セルフ－キャパシタンス（Ｓｅｌｆ－Ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）センシング方式またはミューチュアル－キャパシタンス（Ｍｕｔｕａｌ－Ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）センシング方式でタッチセンシングを遂行することができる。
【0119】
タッチセンシング回路がセルフ－キャパシタンスセンシング方式でタッチセンシングを遂行する場合、タッチセンシング回路は、各タッチ電極とタッチオブジェクト（例：指、ペン等）との間のキャパシタンスに基づいてタッチセンシングを遂行することができる。
【0120】
セルフ－キャパシタンスセンシング方式によれば、複数のタッチ電極それぞれは、駆動タッチ電極の役割も果たし、センシングタッチ電極の役割も果たすことができる。タッチ駆動回路ＴＤＣは、複数のタッチ電極の全体または一部を駆動し、複数のタッチ電極の全体または一部をセンシングできる。
【0121】
タッチセンシング回路がミューチュアル－キャパシタンスセンシング方式でタッチセンシングを遂行する場合、タッチセンシング回路は、タッチ電極の間のキャパシタンスに基づいてタッチセンシングを遂行することができる。
【0122】
ミューチュアル－キャパシタンスセンシング方式によれば、複数のタッチ電極は、駆動タッチ電極とセンシングタッチ電極とに分けられる。タッチ駆動回路は、駆動タッチ電極を駆動し、センシングタッチ電極をセンシングできる。
【0123】
タッチセンシング回路に含まれたタッチ駆動回路及びタッチコントローラは、別途の装置に具現されてもよく、一つの装置に具現されてもよい。また、タッチ駆動回路とデータ駆動回路ＤＤＣは、別途の装置に具現されてもよく、一つの装置に具現されてもよい。
【0124】
表示装置１００は、ディスプレイ駆動回路および／またはタッチセンシング回路に各種の電源を供給する電源供給回路等をさらに含むことができる。
【0125】
本明細書の実施例に係る表示装置１００は、スマートフォン、タブレット等のモバイル端末機であるか多様な大きさのモニタやテレビ（ＴＶ）等であってよく、これに制限されず、情報や映像を表出できる多様なタイプ、多様な大きさのディスプレイであってよい。
【0126】
前述したように、表示パネルＤＰにおいて、表示領域ＤＡは、一般領域ＮＡ及び一つ以上の光学領域ＤＡ１、ＤＡ２を含むことができる。
【0127】
一般領域ＮＡ及び一つ以上の光学領域ＤＡ１、ＤＡ２は、映像表示が可能な領域である。しかし、一般領域ＮＡは、光透過構造が形成される必要がない領域であり、一つ以上の光学領域ＤＡ１、ＤＡ２は、光透過構造が形成されなければならない領域である。
【0128】
前述したように、表示パネルＤＰにおいて、表示領域ＤＡは、一般領域ＮＡと共に、一つ以上の光学領域ＤＡ１、ＤＡ２を含むことができるが、説明の便宜のために、表示領域ＤＡが第１光学領域ＤＡ１及び第２光学領域ＤＡ２を全て含む場合（図１ｃ、図１ｄ）を仮定する。
【0129】
図３は、本明細書の一実施例に係る表示パネルでサブ画素の等価回路図である。
【0130】
図３は、説明のために画素回路を例示的に示すだけであり、発光信号ＥＭ（ｎ）が印加されて発光素子ＥＤ、１２０の発光を制御できる構造であれば制限されない。例えば、画素回路は、さらなるスキャン信号及びこれに連結されたスイッチング薄膜トランジスタ、さらなる初期化電圧が印加されるスイッチング薄膜トランジスタを含むことができ、スイッチング素子の連結関係やキャパシタの連結位置も多様に配置され得る。以下においては、説明の便宜のために、図３の画素回路構造を有する表示装置を説明する。
【0131】
図３を参照すると、複数のサブ画素ＳＰそれぞれは、駆動トランジスタＴｄを有する画素回路、及び画素回路に連結された発光素子ＥＤ、１２０を含むことができる。
【0132】
表示パネルＤＰの表示領域ＤＡに含まれた一般領域ＮＡ、第１光学領域ＤＡ１及び第２光学領域ＤＡ２に配置されたサブ画素ＳＰそれぞれは、発光素子ＥＤ、１２０と、発光素子ＥＤ、１２０を駆動するための駆動トランジスタＴｄと、駆動トランジスタＴｄを動作させるための複数のスキャントランジスタＴ１～Ｔ７と、一フレームの間、一定の電圧を維持させるためのキャパシタＣｓｔ等を含むことができる。
【0133】
画素回路は、発光素子ＥＤ、１２０に流れる駆動電流を制御して発光素子ＥＤ、１２０を駆動できる。画素回路は、駆動トランジスタＴｄ、第１～第７トランジスタＴ１～Ｔ７及びキャパシタＣｓｔを含むことができる。トランジスタＤＴ、Ｔ１～Ｔ７それぞれは、第１電極、第２電極及びゲート電極を含むことができる。第１電極及び第２電極のうち一つはソース電極であり、第１電極及び第２電極のうち他の一つはドレイン電極であってよい。
【0134】
トランジスタＤＴ、Ｔ１～Ｔ７それぞれは、Ｐ ＴＹＰＥの薄膜トランジスタまたはＮ ＴＹＰＥの薄膜トランジスタであってよい。図３の実施例においては、第１トランジスタＴ１と第７トランジスタＴ７は、Ｎ ＴＹＰＥの薄膜トランジスタであり、その他の残りのトランジスタＤＴ、Ｔ２～Ｔ６は、Ｐ ＴＹＰＥの薄膜トランジスタであるものと構成されている。ただし、これに限定されず、実施例によってトランジスタＤＴ、Ｔ１～Ｔ７の全部または一部がＰ ＴＹＰＥの薄膜トランジスタであるか、Ｎ ＴＹＰＥの薄膜トランジスタであってよい。また、Ｎ ＴＹＰＥの薄膜トランジスタは、酸化物薄膜トランジスタであってよく、Ｐ ＴＹＰＥの薄膜トランジスタは、多結晶シリコン薄膜トランジスタであってよい。
【0135】
以下においては、第１トランジスタＴ１と第７トランジスタＴ７は、Ｎ ＴＹＰＥの薄膜トランジスタであり、その他の残りのトランジスタＤＴ、Ｔ２～Ｔ６は、Ｐ ＴＹＰＥの薄膜トランジスタであるものと例示して説明する。従って、第１トランジスタＴ１と第７トランジスタＴ７は、ハイ電圧が印加されてターンオン動作し、その他の残りのトランジスタＤＴ、Ｔ２～Ｔ６は、ロー電圧が印加されてターンオン動作する。
【0136】
一例によれば、画素回路を構成する第１トランジスタＴ１は補償トランジスタ、第２トランジスタＴ２はデータ供給トランジスタ、第３及び第４トランジスタＴ３、Ｔ４は発光制御トランジスタ、第５トランジスタＴ５はバイアストランジスタ、第６及び第７トランジスタＴ６、Ｔ７は初期化トランジスタとして機能できる。
【0137】
発光素子ＥＤ、１２０は、アノード電極（あるいはアノード電極）及びカソード電極を含むことができる。発光素子ＥＤ、１２０のアノード電極は、第５ノードＮ５に連結され、カソード電極は、低電位駆動電圧ＥＶＳＳに連結され得る。
【0138】
駆動トランジスタＴｄは、第２ノードＮ２に連結される第１電極、第３ノードＮ３に連結される第２電極及び第１ノードＮ１に連結されるゲート電極を含むことができる。駆動トランジスタＴｄは、第１ノードＮ１の電圧（または、後述するキャパシタＣｓｔに格納されたデータ電圧）に基づいて駆動電流Ｉｄを発光素子ＥＤ、１２０に提供できる。
【0139】
第１トランジスタＴ１は、第１ノードＮ１に連結される第１電極、第３ノードＮ３に連結される第２電極、及び第１スキャン信号ＳＣ１（ｎ）を受信するゲート電極を含むことができる。第１トランジスタＴ１は、第１スキャン信号ＳＣ１（ｎ）に応答してターンオンされ、データ電圧Ｖｄａｔａは、第１ノードＮ１及び第３ノードＮ３の間にダイオード連結されることで駆動トランジスタＴｄの閾値電圧Ｖｔｈをサンプリングできる。このような第１トランジスタＴ１は、補償トランジスタであってよい。
【0140】
キャパシタＣｓｔは、第１ノードＮ１と第４ノードＮ４との間に連結されるか形成され得る。キャパシタＣｓｔは、提供される高電位駆動電圧ＥＶＤＤを格納するか維持させることができる。また、場合によって、キャパシタＣｓｔは、一つ以上のキャパシタをさらに含んでもよい。
【0141】
第２トランジスタＴ２は、データラインＤＬに連結される（または、データ電圧Ｖｄａｔａを受信する）第１電極、第２ノードＮ２に連結される第２電極、及び第２スキャン信号ＳＣ２（ｎ）を受信するゲート電極を含むことができる。第２トランジスタＴ２は、第２スキャン信号ＳＣ２（ｎ）に応答してターンオンされ、データ電圧Ｖｄａｔａを第２ノードＮ２に伝達できる。このような第２トランジスタＴ２は、データ供給トランジスタであってよい。
【0142】
第３トランジスタＴ３及び第４トランジスタＴ４（または、第１及び第２発光制御トランジスタ）は、高電位駆動電圧ＥＶＤＤ及び発光素子ＥＤ、１２０の間に連結され、駆動トランジスタＴｄにより生成される駆動電流Ｉｄが移動する電流移動経路を形成することができる。
【0143】
第３トランジスタＴ３は、第４ノードＮ４に連結されて高電位駆動電圧ＥＶＤＤを受信する第１電極、第２ノードＮ２に連結される第２電極、及び発光制御信号ＥＭ（ｎ）を受信するゲート電極を含むことができる。
【0144】
第４トランジスタＴ４は、第３ノードＮ３に連結される第１電極、第５ノードＮ５（または、発光素子ＥＤ、１２０のアノード電極）に連結される第２電極、及び発光制御信号ＥＭ（ｎ）を受信するゲート電極を含むことができる。
【0145】
第３及び第４トランジスタＴ３、Ｔ４は、発光制御信号ＥＭ（ｎ）に応答してターンオンされ、この場合、駆動電流Ｉｄが発光素子ＥＤ、１２０に提供され、発光素子ＥＤ、１２０は、駆動電流Ｉｄに対応する輝度をもって発光できる。
【0146】
第５トランジスタＴ５は、バイアス電圧Ｖｏｂｓを受信する第１電極、第２ノードＮ２に連結される第２電極、及び第３スキャン信号ＳＣ３（ｎ）を受信するゲート電極を含むことができる。このような第５トランジスタＴ５は、バイアストランジスタであってよい。
【0147】
第６トランジスタＴ６は、第１初期化電圧Ｖａｒを受信する第１電極、第５ノードＮ５に連結される第２電極、及び第３スキャン信号ＳＣ３（ｎ）を受信するゲート電極を含むことができる。
【0148】
第６トランジスタＴ６は、発光素子ＥＤ、１２０が発光する前に（または、発光素子ＥＤ、１２０が発光した以後に）、第３スキャン信号ＳＣ３（ｎ）に応答してターンオンされ、第１初期化電圧Ｖａｒを利用して発光素子ＥＤ、１２０のアノード電極（または画素電極）を初期化させることができる。発光素子ＥＤ、１２０は、アノード電極とカソード電極との間に形成される寄生キャパシタを有することができる。そして、発光素子ＥＤ、１２０が発光する間、寄生キャパシタが充電されて発光素子ＥＤ、１２０のアノード電極が特定の電圧を有することができる。従って、第６トランジスタＴ６を通して第１初期化電圧Ｖａｒを発光素子ＥＤ、１２０のアノード電極に印加することで発光素子ＥＤ、１２０に蓄積された電荷量を初期化させることができる。
【0149】
本明細書において、第５及び第６トランジスタＴ５、Ｔ６のゲート電極は、第３スキャン信号ＳＣ３（ｎ）を共通して受信するものと構成されている。しかし、必ずしもこれに限定されるものではなく、第５及び第６トランジスタＴ５、Ｔ６のゲート電極は、別個のスキャン信号を受信してそれぞれ独立して制御されるように構成され得る。
【0150】
第７トランジスタＴ７は、第２初期化電圧Ｖｉｎｉを受信する第１電極、第１ノードＮ１に連結される第２電極、及び第４スキャン信号ＳＣ４（ｎ）を受信するゲート電極を含むことができる。
【0151】
第７トランジスタＴ７は、第４スキャン信号ＳＣ４（ｎ）に応答してターンオンされ、第２初期化電圧Ｖｉｎｉを利用して駆動トランジスタＴｄのゲート電極を初期化させることができる。駆動トランジスタＴｄのゲート電極は、キャパシタＣｓｔに格納された高電位駆動電圧ＥＶＤＤにより不要な電荷が残留し得る。従って、第７トランジスタＴ７を通して第２初期化電圧Ｖｉｎｉを駆動トランジスタＴｄのゲート電極に印加することで残留する電荷量を初期化させることができる。
【0152】
一方、第１光学領域ＤＡ１と第２光学領域ＤＡ２のうち少なくとも一つの透過率を高めるための一つの方法として、前述したように画素密集度差等設計方式が適用され得る。画素密集度差等設計方式によれば、第１光学領域ＤＡ１と第２光学領域ＤＡ２のうち少なくとも一つの単位面積当たりのサブ画素の個数が一般領域ＮＡの単位面積当たりのサブ画素個数より少ないように、表示パネルＤＰが設計され得る。
【0153】
しかし、場合によっては、これとは異なり、第１光学領域ＤＡ１と第２光学領域ＤＡ２のうち少なくとも一つの透過率を高めるための他の方法として、画素大きさ差等設計方式が適用され得る。画素大きさ差等設計方式によれば、第１光学領域ＤＡ１と第２光学領域ＤＡ２のうち少なくとも一つの単位面積当たりのサブ画素個数が一般領域ＮＡの単位面積当たりのサブ画素個数と同一または類似し、第１光学領域ＤＡ１と第２光学領域ＤＡ２のうち少なくとも一つに配置された各サブ画素ＳＰの大きさ（即ち、発光領域の大きさ）が一般領域ＮＡに配置された各サブ画素ＳＰの大きさ（即ち、発光領域の大きさ）より小さくなるように、表示パネルＤＰが設計され得る。
【0154】
以下においては、説明の便宜のために、第１光学領域ＤＡ１と第２光学領域ＤＡ２のうち少なくとも一つの透過率を高めるための二つの方法（画素密集度差等設計方式、画素大きさ差等設計方式）のうち画素密集度差等設計方式が適用されたことを仮定して説明する。
【0155】
図４は、本明細書の一実施例に係る表示パネルにおいて、表示領域のサブ画素の配置を示す図である。
【0156】
即ち、図４は、本明細書の実施例に係る表示パネルの表示領域に含まれた三つの領域ＮＡ、ＤＡ１、ＤＡ２でのサブ画素ＳＰの配置を示している。
【0157】
図４を参照すると、表示領域に含まれた一般領域ＮＡ、第１光学領域ＤＡ１及び第２光学領域ＤＡ２それぞれには、複数のサブ画素ＳＰが配置され得る。
【0158】
一例として、複数のサブ画素ＳＰは、赤色光を発光する赤色サブ画素Ｒｅｄ ＳＰ、緑色光を発光する緑色サブ画素Ｇｒｅｅｎ ＳＰ及び青色光を発光する青色サブ画素Ｂｌｕｅ ＳＰを含むことができる。
【0159】
これによって、一般領域ＮＡ、第１光学領域ＤＡ１及び第２光学領域ＤＡ２それぞれは、赤色サブ画素Ｒｅｄ ＳＰの発光領域ＥＡ、緑色サブ画素Ｇｒｅｅｎ ＳＰの発光領域ＥＡ及び青色サブ画素Ｂｌｕｅ ＳＰの発光領域ＥＡを含むことができる。
【0160】
図４を参照すると、一般領域ＮＡは、光透過構造を含まず、発光領域ＥＡを含むことができる。
【0161】
しかし、第１光学領域ＤＡ１及び第２光学領域ＤＡ２は、発光領域ＥＡを含むだけではなく、光透過構造も含んでいなければならない。
【0162】
従って、第１光学領域ＤＡ１は、発光領域ＥＡと第１透過領域ＴＡ１を含むことができ、第２光学領域ＤＡ２は、発光領域ＥＡと第２透過領域ＴＡ２を含むことができる。
【0163】
発光領域ＥＡと透過領域ＴＡ１、ＴＡ２は、光透過が可能か否かによって区別され得る。即ち、発光領域ＥＡは、光透過が不可能な領域であり得、透過領域ＴＡ１、ＴＡ２は、光透過が可能な領域であり得る。
【0164】
また、発光領域ＥＡと透過領域ＴＡ１、ＴＡ２は、特定のメタル層の形成の有無によって区別され得る。例えば、発光領域ＥＡには、カソード電極が形成されており、透過領域ＴＡ１、ＴＡ２には、カソード電極が形成されないことがある。また、発光領域ＥＡには、遮光層が形成されているが、透過領域ＴＡ１、ＴＡ２には、遮光層が形成されないことがある。
【0165】
このとき、第１光学領域ＤＡ１は第１透過領域ＴＡ１を含み、第２光学領域ＤＡ２は第２透過領域ＴＡ２を含むため、第１光学領域ＤＡ１及び第２光学領域ＤＡ２はいずれも光が透過できる領域である。
【0166】
このとき、第１光学領域ＤＡ１の透過率（透過程度）と第２光学領域ＤＡ２の透過率（透過程度）は同一であり得る。
【0167】
この場合、第１光学領域ＤＡ１の第１透過領域ＴＡ１と第２光学領域ＤＡ２の第２透過領域ＴＡ２は、模様または大きさが同一であり得る。または、第１光学領域ＤＡ１の第１透過領域ＴＡ１と第２光学領域ＤＡ２の第２透過領域ＴＡ２は、模様や大きさが異なっても、第１光学領域ＤＡ１内の第１透過領域ＴＡ１の比率と第２光学領域ＤＡ２内の第２透過領域ＴＡ２の比率が同一であり得る。
【0168】
これとは異なり、第１光学領域ＤＡ１の透過率（透過程度）と第２光学領域ＤＡ２の透過率（透過程度）は、互いに異なり得る。
【0169】
この場合、第１光学領域ＤＡ１の第１透過領域ＴＡ１と第２光学領域ＤＡ２の第２透過領域ＴＡ２は、模様または大きさが異なり得る。または、第１光学領域ＤＡ１の第１透過領域ＴＡ１と第２光学領域ＤＡ２の第２透過領域ＴＡ２は、模様や大きさが同一であっても、第１光学領域ＤＡ１内の第１透過領域ＴＡ１の比率と第２光学領域ＤＡ２内の第２透過領域ＴＡ２の比率が互いに異なり得る。
【0170】
例えば、第１光学領域ＤＡ１が重畳される第１光学電子装置がカメラであり、第２光学領域ＤＡ２が重畳される第２光学電子装置が感知センサである場合、カメラは、感知センサよりさらに大きな光量を必要とし得る。
【0171】
従って、第１光学領域ＤＡ１の透過率（透過程度）は、第２光学領域ＤＡ２の透過率（透過程度）より高くなり得る。
【0172】
この場合、第１光学領域ＤＡ１の第１透過領域ＴＡ１は、第２光学領域ＤＡ２の第２透過領域ＴＡ２よりさらに大きな大きさを有し得る。または、第１光学領域ＤＡ１の第１透過領域ＴＡ１と第２光学領域ＤＡ２の第２透過領域ＴＡ２は大きさが同一であっても、第１光学領域ＤＡ１内の第１透過領域ＴＡ１の比率が第２光学領域ＤＡ２内の第２透過領域ＴＡ２の比率より大きくなり得る。
【0173】
以下においては、説明の便宜のために、第１光学領域ＤＡ１の透過率（透過程度）が第２光学領域ＤＡ２の透過率（透過程度）より大きな場合を例に挙げて説明する。
【0174】
また、図４に示されたように、本明細書の一実施例においては、透過領域ＴＡ１、ＴＡ２は透明領域ともいえ、透過率は透明度ともいえる。
【0175】
また、図４に示されたように、本明細書の一実施例においては、第１光学領域ＤＡ１及び第２光学領域ＤＡ２が表示パネルの表示領域の上端に位置し、左右に並んで配置される場合を仮定する。
【0176】
図４を参照すると、第１光学領域ＤＡ１及び第２光学領域ＤＡ２が配置される横表示領域を第１横表示領域ＨＡ１といい、第１光学領域ＤＡ１及び第２光学領域ＤＡ２が配置されない横表示領域を第２横表示領域ＨＡ２という。
【0177】
図４を参照すると、第１横表示領域ＨＡ１は、一般領域ＮＡ、第１光学領域ＤＡ１及び第２光学領域ＤＡ２を含むことができる。これに対して、第２横表示領域ＨＡ２は、一般領域ＮＡだけを含むことができる。
【0178】
図５ａは、本明細書の一実施例に係る表示パネルにおいて、第１光学領域及び一般領域それぞれでの信号ラインの配置を例に挙げて示す図である。
【0179】
図５ｂは、本明細書の一実施例に係る表示パネルにおいて、第２光学領域及び一般領域それぞれでの信号ラインの配置を例に挙げて示す図である。
【0180】
即ち、図５ａは、本明細書の一実施例に係る表示パネルにおいて、第１光学領域ＤＡ１及び一般領域ＮＡそれぞれでの信号ラインの配置を示しており、図５ｂは、本明細書の一実施例に係る表示パネルにおいて、第２光学領域ＤＡ２及び一般領域ＮＡそれぞれでの信号ラインの配置を示している。
【0181】
【0182】
【0183】
【0184】
表示パネルには、多様な種類の横ラインＨＬ１、ＨＬ２が配置され、多様な種類の縦ラインＶＬｎ、ＶＬ１、ＶＬ２が配置され得る。
【0185】
本明細書の一実施例において、横方向と縦方向は、交差する二つの方向を意味するものであって、横方向と縦方向は、見る方向によって異なり得る。一例として、本明細書の一実施例において、横方向は、一つのゲートラインが延びて配置される方向を意味し、縦方向は、一つのデータラインが延びて配置される方向を意味し得る。このように、横と縦を例に挙げる。
【0186】
【0187】
表示パネルに配置される横ラインは、ゲートラインであってよい。即ち、第１横ラインＨＬ１と第２横ラインＨＬ２は、ゲートラインであってよい。ゲートラインは、サブ画素の構造によって多様な種類のゲートラインを含むことができる。
【0188】
図５ａ及び図５ｂを参照すると、表示パネルに配置される縦ラインは、一般領域にのみ配置される一般縦ラインＶＬｎ、第１光学領域ＤＡ１と一般領域を全て通る第１縦ラインＶＬ１及び第２光学領域ＤＡ２と一般領域を全て通る第２縦ラインＶＬ２を含むことができる。
【0189】
表示パネルに配置される縦ラインは、データライン、駆動電圧ライン等を含むことができ、それだけではなく、基準電圧ライン、初期化電圧ライン等をさらに含むことができる。即ち、一般縦ラインＶＬｎ、第１縦ラインＶＬ１及び第２縦ラインＶＬ２は、データライン、駆動電圧ライン等を含むことができ、それだけではなく、基準電圧ライン、初期化電圧ライン等をさらに含むことができる。
【0190】
本明細書の一実施例において、第２横ラインＨＬ２で「横」という用語は、信号が左側（または右側）から右側（または左側）に伝達されるという意味であるだけで、第２横ラインＨＬ２が正確な横方向にのみ直線形態に延びるという意味ではなくてよい。即ち、図５ａ及び図５ｂにおいて、第２横ラインＨＬ２は、一直線形態に示されているが、これとは異なり、第２横ラインＨＬ２は、折れたか曲げられた部分を含むことができる。同様に、第１横ラインＨＬ１もまた折れたか曲げられた部分を含むことができる。
【0191】
本明細書の一実施例において、一般縦ラインＶＬｎで「縦」という用語は、信号が上側（または下側）から下側（または上側）に伝達されるという意味であるだけで、一般縦ラインＶＬｎが正確な縦方向にのみ直線形態に延びるという意味ではない。即ち、図５ａ及び図５ｂにおいて、一般縦ラインＶＬｎは、一直線形態に示されているが、これとは異なり、一般縦ラインＶＬｎは、折れたか曲げられた部分を含むことができる。同様に、第１縦ラインＶＬ１及び第２縦ラインＶＬ２もまた折れたか曲げられた部分を含むことができる。
【0192】
図５ａを参照すると、第１横領域ＨＡ１に含まれる第１光学領域ＤＡ１は、発光領域と第１透過領域を含むことができる。第１光学領域ＤＡ１内で、第１透過領域の外領域が発光領域を含むことができる。
【0193】
図５ａを参照すると、第１光学領域ＤＡ１の透過率の改善のために、第１光学領域ＤＡ１を通る第１横ラインＨＬ１は、第１光学領域ＤＡ１内の第１透過領域を回避して通ることができる。
【0194】
従って、第１光学領域ＤＡ１を通る第１横ラインＨＬ１それぞれは、各第１透過領域の外郭の枠の外を迂回する曲線区間またはベンディング区間等を含むことができる。
【0195】
これによって、第１横領域ＨＡ１に配置される第１横ラインＨＬ１と第２横領域ＨＡ２に配置される第２横ラインＨＬ２は、模様または長さ等が互いに異なり得る。即ち、第１光学領域ＤＡ１を通る第１横ラインＨＬ１と第１光学領域ＤＡ１を通らない第２横ラインＨＬ２は、模様または長さ等が互いに異なり得る。
【0196】
また、第１光学領域ＤＡ１の透過率の改善のために、第１光学領域ＤＡ１を通る第１縦ラインＶＬ１は、第１光学領域ＤＡ１内の第１透過領域を回避して通ることができる。
【0197】
従って、第１光学領域ＤＡ１を通る第１縦ラインＶＬ１それぞれは、各第１透過領域の外郭の枠の外を迂回する曲線区間またはベンディング区間等を含むことができる。
【0198】
これによって、第１光学領域ＤＡ１を通る第１縦ラインＶＬ１と第１光学領域ＤＡ１を通ることなく一般領域に配置される一般縦ラインＶＬｎは、模様または長さ等が互いに異なり得る。
【0199】
図５ａを参照すると、第１横領域ＨＡ１内の第１光学領域ＤＡ１に含まれた第１透過領域は、斜線方向に配列され得る。
【0200】
図５ａを参照すると、第１横領域ＨＡ１内の第１光学領域ＤＡ１で、左右に隣接した二つの第１透過領域の間には発光領域が配置され得る。第１横領域ＨＡ１内の第１光学領域ＤＡ１で、上下に隣接した二つの第１透過領域の間には発光領域が配置され得る。
【0201】
図５ａを参照すると、第１横領域ＨＡ１に配置される第１横ラインＨＬ１、即ち、第１光学領域ＤＡ１を通る第１横ラインＨＬ１は、全て第１透過領域の外郭の枠の外を迂回する曲線区間またはベンディング区間を少なくとも一つは含むことができる。
【0202】
図５ｂを参照すると、第１横領域ＨＡ１に含まれる第２光学領域ＤＡ２は、発光領域と第２透過領域ＴＡ２を含むことができる。第２光学領域ＤＡ２内で、第２透過領域ＴＡ２の外領域が発光領域を含むことができる。
【0203】
第２光学領域ＤＡ２内の発光領域及び第２透過領域ＴＡ２の位置及び配列状態は、図５ａでの第１光学領域ＤＡ１内の発光領域及び第２透過領域の位置及び配列状態と同一であってもよい。
【0204】
これとは異なり、図５ｂに示されたように、第２光学領域ＤＡ２内の発光領域及び第２透過領域ＴＡ２の位置及び配列状態は、図５ａでの第１光学領域ＤＡ１内の発光領域及び第２透過領域の位置及び配列状態と異なり得る。
【0205】
例えば、図５ｂを参照すると、第２光学領域ＤＡ２内で、第２透過領域ＴＡ２は、横方向（左右方向）に配列され得る。横方向（左右方向）に隣接した二つの第２透過領域ＴＡ２の間には、発光領域が配置されなくてよい。また、第２光学領域ＤＡ２内の発光領域は、縦方向（上下方向）に隣接した第２透過領域ＴＡ２の間に配置され得る。即ち、二つの第２透過領域ＴＡ２の行の間に発光領域が配置され得る。
【0206】
第１横ラインＨＬ１は、第１横領域ＨＡ１内の第２光学領域ＤＡ２とその周辺の一般領域を通るとき、図５ａと同じ形態に通ることができる。
【0207】
【0208】
【0209】
図５ｂを参照すると、第１横ラインＨＬ１は、第１横領域ＨＡ１内の第２光学領域ＤＡ２とその周辺の一般領域を通るとき、曲線区間やベンディング区間なしに、上下に隣接した第２透過領域ＴＡ２の間を直線形態に通ることができる。
【0210】
言い換えれば、一つの第１横ラインＨＬ１は、第１光学領域ＤＡ１内で曲線区間またはベンディング区間を有するが、第２光学領域ＤＡ２内では曲線区間またはベンディング区間を有しなくてよい。
【0211】
第２光学領域ＤＡ２の透過率の改善のために、第２光学領域ＤＡ２を通る第２縦ラインＶＬ２は、第２光学領域ＤＡ２内の第２透過領域ＴＡ２を回避して通ることができる。
【0212】
従って、第２光学領域ＤＡ２を通る第２縦ラインＶＬ２それぞれは、各第２透過領域ＴＡ２の外郭の枠の外を迂回する曲線区間またはベンディング区間等を含むことができる。
【0213】
これによって、第２光学領域ＤＡ２を通る第２縦ラインＶＬ２と第２光学領域ＤＡ２を通ることなく一般領域に配置される一般縦ラインＶＬｎは、模様または長さ等が互いに異なり得る。
【0214】
図５ａに示されたように、第１光学領域ＤＡ１を通過する第１横ラインＨＬ１は、第１透過領域の外郭の枠の外を迂回する曲線区間またはベンディング区間を有することができる。
【0215】
従って、第１光学領域ＤＡ１及び第２光学領域ＤＡ２を通過する第１横ラインＨＬ１の長さは、第１光学領域ＤＡ１及び第２光学領域ＤＡ２を通過せず一般領域にのみ配置される第２横ラインＨＬ２の長さより少しはさらに長くなり得る。
【0216】
これによって、第１光学領域ＤＡ１及び第２光学領域ＤＡ２を通過する第１横ラインＨＬ１の抵抗（以下、第１抵抗ともいう）は、第１光学領域ＤＡ１及び第２光学領域ＤＡ２を通過せず一般領域にのみ配置される第２横ラインＨＬ２の抵抗（以下、第２抵抗ともいう）より若干大きくなり得る。
【0217】
図５ａ及び図５ｂを参照すると、光透過構造によって、第１光学電子装置１７０ａと少なくとも一部が重畳される第１光学領域ＤＡ１は複数の第１透過領域ＴＡ１を含み、第２光学電子装置１７０ｂと少なくとも一部が重畳される第２光学領域ＤＡ２は複数の第２透過領域ＴＡ２を含むため、第１光学領域ＤＡ１及び第２光学領域ＤＡ２は、一般領域ＮＡに比して単位面積当たりのサブ画素個数が少なくなり得る。
【0218】
第１光学領域ＤＡ１及び第２光学領域ＤＡ２を通過する第１横ラインＨＬ１が連結されるサブ画素の個数と、第１光学領域ＤＡ１及び第２光学領域ＤＡ２を通過せず一般領域ＮＡにのみ配置される第２横ラインＨＬ２が連結されるサブ画素の個数は、互いに異なり得る。
【0219】
第１光学領域ＤＡ１及び第２光学領域ＤＡ２を通過する第１横ラインＨＬ１が連結されるサブ画素の個数（第１個数）は、第１光学領域ＤＡ１及び第２光学領域ＤＡ２を通過せず一般領域にのみ配置される第２横ラインＨＬ２が連結されるサブ画素の個数（第２個数）より少なくなり得る。
【0220】
第１個数と第２個数間の差は、第１光学領域ＤＡ１及び第２光学領域ＤＡ２それぞれの解像度と一般領域の解像度の差によって変わり得る。例えば、第１光学領域ＤＡ１及び第２光学領域ＤＡ２それぞれの解像度と一般領域の解像度の差が大きくなるほど、第１個数と第２個数間の差は大きくなり得る。
【0221】
前述したように、第１光学領域ＤＡ１及び第２光学領域ＤＡ２を通過する第１横ラインＨＬ１が連結されるサブ画素の個数（第１個数）が第１光学領域ＤＡ１及び第２光学領域ＤＡ２を通過せず一般領域にのみ配置される第２横ラインＨＬ２が連結されるサブ画素の個数（第２個数）より少ないため、第１横ラインＨＬ１が周辺の他の電極やラインと重畳される面積が第２横ラインＨＬ２が周辺の他の電極やラインと重畳される面積より小さくなり得る。
【0222】
従って、第１横ラインＨＬ１が周辺の他の電極やラインと形成する寄生キャパシタンス（以下、第１キャパシタンスという）は、第２横ラインＨＬ２が周辺の他の電極やラインと形成する寄生キャパシタンス（以下、第２キャパシタンス）より大きく小さくなり得る。
【0223】
第１抵抗及び第２抵抗間の大小関係（第１抵抗≧第２抵抗）及び第１キャパシタンス及び第２キャパシタンス間の大小関係（第１キャパシタンス≪第２キャパシタンス）を考慮するとき、第１光学領域ＤＡ１及び第２光学領域ＤＡ２を通過する第１横ラインＨＬ１のＲＣ（Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ－Ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）値（以下、第１ＲＣ値ともいう）は、第１光学領域ＤＡ１及び第２光学領域ＤＡ２を通過せず一般領域にのみ配置される第２横ラインＨＬ２のＲＣ値（以下、第２ＲＣ値ともいう）より遥かに小さくなり得る（第１ＲＣ値≪第２ＲＣ値）。
【0224】
第１横ラインＨＬ１の第１ＲＣ値と第２横ラインＨＬ２の第２ＲＣ値間の差（以下において、ＲＣロード（ＲＣ Ｌｏａｄ）偏差という）によって、第１横ラインＨＬ１を通した信号伝達特性と第２横ラインＨＬ２を通した信号伝達特性が変わり得る。
【0225】
以下においては、表示装置１００の一般領域ＮＡの断面構造についてのより詳細な説明のために図６を共に参照する。
【0226】
図６は、本明細書の一実施例に係る一般領域に配置された一つの画素領域の断面構造を示す断面図である。
【0227】
一般領域ＮＡにおいて、基板ＳＵＢの上部にトランジスタ層ＴＲＬが配置され、トランジスタ層ＴＲＬの上部に平坦化層ＰＬＮが配置され得る。また、平坦化層ＰＬＮの上部に発光素子層ＥＤＬが配置され、発光素子層ＥＤＬの上部に封止層ＥＮＣＡＰが配置され、封止層ＥＮＣＡＰの上部にタッチ感知層ＴＳＬが配置され、タッチ感知層ＴＳＬの上部に保護層ＰＡＣが配置され得る。また、保護層ＰＡＣの上部に有機物層ＰＣＬが配置され、有機物層ＰＣＬの上部に偏光層ＰＯＬが配置され得る。
【0228】
基板ＳＵＢは、表示装置１００に含まれた多様な構成要素を支持するための構成であり、絶縁物質からなり得る。基板ＳＵＢは、第１基板１１０ａと第２基板１１０ｂ及び層間絶縁膜１１０ｃを含むことができる。層間絶縁膜１１０ｃは、第１基板１１０ａと第２基板１１０ｂとの間に配置され得る。このように基板ＳＵＢを第１基板１１０ａと第２基板１１０ｂ及び層間絶縁膜１１０ｃで構成することで、水分浸透を防止できる。例えば、第１基板１１０ａ及び第２基板１１０ｂは、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ；ＰＩ）基板であってよい。
【0229】
一般領域ＮＡでトランジスタ層ＴＲＬには、駆動トランジスタＴｄと少なくとも一つのスイッチングトランジスタＴｓ等のトランジスタと、少なくとも一つのキャパシタ等のトランジスタを形成するための各種のパターン１３１、１３２、１３３、１３４、２３１、２３２、２３３、２３４、各種の絶縁膜１１１ａ、１１１ｂ、１１２、１１３ａ、１１３ｂ、１１４及び各種の金属パターンＴＭ、ＧＭ、１３５が配置され得る。
【0230】
以下、トランジスタ層ＴＲＬの積層構造についてさらに詳細に説明する。
【0231】
マルチバッファ層（ｍｕｌｔｉ－ｂｕｆｆｅｒ ｌａｙｅｒ）１１１ａが第２基板１１０ｂ上に配置され、アクティブバッファ層１１１ｂがマルチバッファ層１１１ａ上に配置され得る。
【0232】
マルチバッファ層１１１ａ上に金属層１３５が配置され得る。
【0233】
ここで、金属層１３５は、ライトシールド（ｌｉｇｈｔ ｓｈｉｅｌｄ）の役割を果たすことができ、遮光層とも称され得る。
【0234】
金属層１３５上にアクティブバッファ層１１１ｂが配置され得る。
【0235】
アクティブバッファ層１１１ｂ上に駆動トランジスタＴｄの第１アクティブ層１３４が配置され得る。例えば、第１アクティブ層１３４は、多結晶シリコン（ｐ－Ｓｉ）、アモルファスシリコン（ａ－Ｓｉ）、または酸化物半導体で形成され得るが、これに制限されるものではない。一方、駆動トランジスタＴｄは、アクティブバッファ層１１１ｂ上に形成され、第１アクティブ層１３４、第１アクティブ層１３４を覆う第１ゲート絶縁膜１１２、第１ゲート絶縁膜１１２上に配置された第１ゲート電極１３１、第１ゲート電極１３１を覆う第１層間絶縁膜１１３ａ、第１層間絶縁膜１１３ａ上に配置された第２ゲート絶縁膜１１３ｂ、第２ゲート絶縁膜１１３ｂ上に配置された第３層間絶縁膜１１３ｃ、第３層間絶縁膜１１３ｃ上に配置された第１ソース電極１３２及び第１ドレイン電極１３３を含む。
【0236】
第１アクティブ層１３４上に第１ゲート絶縁膜１１２が配置され得る。第１ゲート絶縁膜１１２は、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）またはこれらの複層からなり得る。
【0237】
また、第１ゲート絶縁膜１１２上に駆動トランジスタＴｄの第１ゲート電極１３１が配置され得る。第１ゲート電極１３１は、第１ゲート絶縁層１１２上で第１アクティブ層１３４と重畳するように配置される。第１ゲート電極１３１は、多様な導電性物質、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、またはこれらの合金等で形成され得るが、これに制限されるものではない。
【0238】
駆動トランジスタＴｄの形成位置と異なる位置で、第１ゲート絶縁膜１１２上にゲート物質層ＧＭが配置され得る。
【0239】
第１ゲート電極１３１及びゲート物質層ＧＭ上に第１層間絶縁膜１１３ａが配置され得る。第１層間絶縁膜１１３ａ上に金属パターンＴＭが配置され得る。第１層間絶縁膜１１３ａ上に配置された金属パターンＴＭを覆いながら第２層間絶縁膜１１３ｂが配置され得る。
【0240】
第２層間絶縁膜１１３ｂは、第１アクティブ層１３４から第２アクティブ層２３４を離隔させ、第２アクティブ層２３４を形成できる基盤を提供する。
【0241】
第２層間絶縁膜１１３ｂ上には、スイッチングトランジスタＴｓの第２アクティブ層２３４が配置され得る。例えば、第２アクティブ層２３４は、多結晶シリコン、アモルファスシリコン、または酸化物半導体で形成され得るが、これに制限されるものではない。
【0242】
第２アクティブ層２３４上に第２ゲート絶縁膜１１３ｃが配置され得る。また、第２ゲート絶縁膜１１３ｃ上にスイッチングトランジスタＴｓの第２ゲート電極２３１が配置され得る。第２ゲート電極２３１は、第２ゲート膜１１３ｃ上で第２アクティブ層２３４と重畳するように配置される。
【0243】
第２ゲート絶縁膜１１３ｃは、スイッチングトランジスタＴｓの第２アクティブ層２３４を覆う。第２ゲート絶縁膜１１３ｃは、第２アクティブ層２３４上に形成されるため、無機膜に具現される。例えば、第２ゲート絶縁膜１１３ｃは、酸化シリコン（ＳｉＯ２）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、またはこれらの複層等であってよい。
【0244】
第２ゲート電極２３１は、金属物質で構成される。例えば、第２ゲート電極２３１は、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）及び銅（Ｃｕ）のいずれか一つまたはこれらの合金からなる単一層または多重層であってよいが、これに限定されない。
【0245】
一方、スイッチングトランジスタＴｓは、第２層間絶縁膜１１３ｂ上に形成され、第２アクティブ層２３４、第２アクティブ層２３４を覆う第２ゲート絶縁膜１１３ｃ、第２ゲート絶縁膜１１３ｃ上に配置された第２ゲート電極２３１、第２ゲート電極２３１を覆う第３層間絶縁膜１１３ｃ、第３層間絶縁膜１１３ｃ上に配置された第２ソース電極２３２及び第２ドレイン電極２３３を含む。
【0246】
スイッチングトランジスタＴｓは、第１層間絶縁膜１１３ａの下部に位置し、第２アクティブ層２３４と重畳するゲート物質層ＧＭをさらに含む。ゲート物質層ＧＭは、第２アクティブ層２３４に入射する光を遮断してスイッチングトランジスタＴｓの信頼性を確保することができる。ゲート物質層ＧＭは、第１ゲート電極１３１と同じ物質で形成され、第１ゲート絶縁膜１１２の上部表面に形成され得る。ゲート物質層ＧＭは、第２ゲート電極２３４と電気的に連結されてデュアルゲートを構成することもできる。第３層間絶縁膜１１３ｄ上には、駆動トランジスタＴｄの第１ソース電極１３２及び第１ドレイン電極１３３とスイッチングトランジスタＴｓの第２ソース電極２３２及び第２ドレイン電極２３３が配置され得る。
【0247】
第２ソース電極２３２及び第２ドレイン電極２３３は、第１ソース電極１３２及び第１ドレイン電極１３３と共に第３層間絶縁膜１１３ｄ上で同じ物質で同時に形成することでマスク工程数を減らすことができる。
【0248】
第１ソース電極１３２及び第１ドレイン電極１３３は、第３層間絶縁膜１１３ｄ、第２ゲート絶縁膜１１３ｃ、第２層間絶縁膜１１３ｂ、第１層間絶縁膜１１３ａ及び第１ゲート絶縁膜１１２に備えられたコンタクトホールを通して、第１アクティブ層１３４の一側と他側にそれぞれ連結され得る。
【0249】
第２ソース電極２３２及び第２ドレイン電極２３３は、第３層間絶縁膜１１３ｄ及び第２ゲート絶縁膜１１３ｃに備えられたコンタクトホールを通して、第２アクティブ層２３４の一側と他側にそれぞれ連結され得る。
【0250】
第１ソース電極１３２及び第１ドレイン電極１３３と第２ソース電極２３２及び第２ドレイン電極２３３は、多様な導電性物質、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、またはこれらの合金等からなる単一層または多重層であってよいが、これに制限されるものではない。
【0251】
第１アクティブ層１３４で第１ゲート電極１３１と重畳される部分は、チャネル領域である。第１ソース電極１３２及び第１ドレイン電極１３３のうちの一つは、第１アクティブ層１３４でチャネル領域の一側と連結され、残りの一つは、第１アクティブ層１３４でチャネル領域の他側と連結される。第２アクティブ層２３４は、第１アクティブ層１３４と同じ形態に構成され得、第２アクティブ層２３４が酸化物半導体物質で具現される場合、不純物がドーピングされていない真性の第２チャネル領域と不純物がドーピングされて導体化された第２ソース領域及び第２ドレイン領域を含む。
【0252】
第１ソース電極１３２及び第１ドレイン電極１３３と第２ソース電極２３２及び第２ドレイン電極２３３上にパッシベーション層１１４が配置され得る。パッシベーション層１１４は、駆動トランジスタＴｄを保護するためのものであり、無機膜、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）またはこれらの複層からなり得る。
【0253】
一方、第１ゲート絶縁膜１１２上にゲート物質層ＧＭと金属パターンＴＭを重畳するように配置してキャパシタＣｓｔを具現できる。金属パターンＴＭは、例えば、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）及び銅（Ｃｕ）のいずれか一つまたはこれらの合金からなる単一層または多重層であってよい。
【0254】
キャパシタＣｓｔは、データラインＤＬを通して印加されるデータ電圧を一定期間格納してから発光素子ＥＤ、１２０に提供する。キャパシタＣｓｔは、互いに対応する二つの電極とその間に配置される誘電体を含む。ゲート物質層ＧＭと金属パターンＴＭとの間には、第１層間絶縁膜１１３ａが位置する。
【0255】
キャパシタＣｓｔ中、ゲート物質層ＧＭまたは金属パターンＴＭは、スイッチングトランジスタＴｓ、第２ソース電極２３２または第２ドレイン電極２３３と電気的に連結され得る。しかし、これに限定されず、画素駆動回路によってキャパシタＣｓｔの連結関係は変わり得る。
【0256】
また、マルチバッファ層１１１ａ上に金属層１３５をゲート物質層ＧＭと金属パターンＴＭにさらに重畳するように配置して二重のキャパシタＣｓｔに構成することもできる。
【0257】
本明細書の実施例において、少なくとも一つのスイッチングトランジスタＴｓは、酸化物半導体をアクティブ層として使用する。酸化物半導体をアクティブ層として使用するトランジスタは、漏れ電流の遮断効果に優れ、多結晶シリコンをアクティブ層として使用するトランジスタに比して相対的に製造コストが安価である。従って、消費電力を減少させ、製造コストを下げるために、本明細書の実施例に係る画素回路は、酸化物半導体物質を使用した駆動トランジスタまたは少なくとも一つのスイッチングトランジスタを含む。
【0258】
駆動トランジスタを含んで画素回路を構成するトランジスタのいずれも酸化物半導体を利用してアクティブ層を具現することもでき、一部のトランジスタのみ酸化物半導体を利用して具現することもできる。
【0259】
ただし、酸化物半導体を用いたトランジスタは、信頼性を確保することが難しく、多結晶シリコンを用いたトランジスタは、動作速度が速く、信頼性に優れるので、本明細書の実施例は、酸化物半導体を用いたトランジスタ及び多結晶シリコンを用いたトランジスタをいずれも含む。ただし、これに限定されず、設計によって、酸化物半導体を用いたトランジスタだけを適用するか、多結晶シリコンを用いたトランジスタだけを適用して画素回路を構成することもできる。
【0260】
トランジスタ層ＴＲＬの上部に平坦化層ＰＬＮが位置し得る。
【0261】
平坦化層ＰＬＮは、第１平坦化層１１５ａ及び第２平坦化層１１５ｂを含むことができる。平坦化層ＰＬＮは、駆動トランジスタＴｄを保護し、その上部を平坦化する。
【0262】
第１平坦化層１１５ａは、パッシベーション層１１４上に配置され得る。
【0263】
第１平坦化層１１５ａ上に連結電極１２５が配置され得る。
【0264】
連結電極１２５は、第１平坦化層１１５ａに備えられたコンタクトホールを通して第１ソース電極１３２及び第１ドレイン電極１３３のうちの一つと連結され得る。
【0265】
連結電極１２５上に第２平坦化層１１５ｂが配置され得る。
【0266】
第２平坦化層１１５ｂの上部に発光素子層ＥＤＬが位置し得る。
【0267】
以下、発光素子層ＥＤＬの積層構造を詳細に検討する。
【0268】
第２平坦化層１１５ｂ上にアノード１２１が配置され得る。このとき、アノード１２１は、第２平坦化層１１５ｂに備えられたコンタクトホールを通して連結電極１２５と電気的に連結され得る。アノード１２１は、金属性物質で形成され得る。
【0269】
表示装置１００が発光素子ＥＤ、１２０で発光された光が発光素子ＥＤ、１２０が配置された基板ＳＵＢの上部に発光される上部発光（ｔｏｐ ｅｍｉｓｓｉｏｎ）方式である場合、アノード１２１は、透明導電層及び透明導電層上の反射層をさらに含むことができる。透明導電層は、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ等のような透明導電性酸化物からなり得、反射層は、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）またはこれらの合金等からなり得る。
【0270】
バンク１１６がアノード１２１を覆いながら配置され得る。バンク１１６は、サブ画素の発光領域に対応する部分がオープン（ｏｐｅｎ）され得る。バンク１１６がオープンされた部分（以下、オープン領域という）にアノード１２１の一部が露出され得る。このとき、バンク１１６は、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）のような無機絶縁物質またはベンゾシクロブテン系樹脂、アクリル系樹脂またはイミド系樹脂のような有機絶縁物質からなり得るが、これに制限されるものではない。
【0271】
図示してはいないが、バンク１１６上にはスペーサーがさらに位置し得る。スペーサーは、バンク１１６と同じ物質で構成され得る。
【0272】
発光層１２２がバンク１１６のオープン領域とその周辺に配置され得る。これによって、発光層１２２は、バンク１１６のオープン領域を通して露出されたアノード１２１上に配置され得る。
【0273】
発光層１２２上にカソード１２３が配置され得る。
【0274】
アノード１２１、発光層１２２及びカソード１２３により発光素子ＥＤ、１２０が形成され得る。発光層１２２は、多数の有機膜を含むことができる。
【0275】
上述した発光素子層ＥＤＬの上部に封止層ＥＮＣＡＰが位置し得る。
【0276】
封止層ＥＮＣＡＰは、単一層構造または多層構造を有し得る。例えば、封止層ＥＮＣＡＰは、第１封止層１１７ａ、第２封止層１１７ｂ及び第３封止層１１７ｃを含むことができる。
【0277】
このとき、第１封止層１１７ａ及び第３封止層１１７ｃは無機膜で構成され、第２封止層１１７ｂは有機膜で構成され得る。第１封止層１１７ａ、第２封止層１１７ｂ及び第３封止層１１７ｃの中で第２封止層１１７ｂが最も厚く、平坦化層の役割を果たすことができる。
【0278】
第１封止層１１７ａはカソード１２３上に配置され、発光素子ＥＤ、１２０と最も隣接するように配置され得る。第１封止層１１７ａは、低温蒸着が可能な無機絶縁材質で形成され得る。例えば、第１封止層１１７ａは、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、酸化窒化シリコン（ＳｉＯＮ）または酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）等で構成され得る。第１封止層１１７ａが低温雰囲気で蒸着されるため、蒸着工程時、高温雰囲気に脆弱な有機物を含む発光層１２２が損傷されることを防止できる。
【0279】
第２封止層１１７ｂは、第１封止層１１７ａより小さな面積に形成され得る。この場合、第２封止層１１７ｂは、第１封止層１１７ａの両末端を露出させるように形成され得る。第２封止層１１７ｂは、フレキシブル表示装置の反りによる各層間の応力を緩和させる緩衝の役割及び平坦化性能を強化する役割を果たすことができる。
【0280】
例えば、第２封止層１１７ｂは、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド、ポリエチレン、またはシリコンオキシカーボン（ＳｉＯＣ）等の有機絶縁材質で構成され得る。例えば、第２封止層１１７ｂは、インクジェット方式を通して形成されてもよいが、これに制限されない。
【0281】
第３封止層１１７ｃは、第２封止層１１７ｂが形成された基板ＳＵＢの上部に第２封止層１１７ｂ及び第１封止層１１７ａそれぞれの上部面及び側面を覆うように形成され得る。このとき、第３封止層１１７ｃは、外部の水分や酸素が第１封止層１１７ａ及び第２封止層１１７ｂに浸透することを最小化または遮断することができる。例えば、第３封止層１１７ｃは、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、酸化窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、または酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）等のような無機絶縁材質で構成され得る。
【0282】
図示してはいないが、封止層ＥＮＣＡＰ上にはカラーフィルタが配置され得るが、これに制限されない。
【0283】
上述した封止層ＥＮＣＡＰの上部にタッチ感知層ＴＳＬが配置され得る。
【0284】
封止層ＥＮＣＡＰの上部にタッチバッファ膜１１８ａが配置され、タッチバッファ膜１１８ａ上にタッチライン１４０が配置され得る。
【0285】
タッチライン１４０は、互いに異なる層に位置するタッチセンサメタル１４１とブリッジメタル１４２を含むことができる。タッチセンサメタル１４１とブリッジメタル１４２との間には、タッチ層間絶縁膜１１８ｂが配置され得る。
【0286】
例えば、タッチセンサメタル１４１は、互いに隣接するように配置される第１タッチセンサメタル、第２タッチセンサメタル及び第３タッチセンサメタルを含むことができる。第１タッチセンサメタル及び第２タッチセンサメタルは、互いに電気的に連結されるが、第１タッチセンサメタル及び第２タッチセンサメタルの間に第３タッチセンサメタルがある場合、第１タッチセンサメタル及び第２タッチセンサメタルは、他の層にあるブリッジメタル１４２を通して電気的に連結され得る。ブリッジメタル１４２は、タッチ層間絶縁膜１１８ｂにより第３タッチセンサメタルと絶縁され得る。
【0287】
タッチ感知層ＴＳＬの形成時に、工程に利用される薬液（現像液または食刻液等）または外部からの水分等が発生し得る。タッチバッファ膜１１８ａを配置し、その上にタッチ感知層ＴＳＬを配置することで、タッチ感知層ＴＳＬの製造時の薬液や水分等が有機物を含む発光層１２２に浸透することを防止できる。これによって、タッチバッファ膜１１８ａは、薬液または水分に脆弱な発光層１２２の損傷を防止できる。
【0288】
タッチバッファ膜１１８ａは、高温に脆弱な有機物を含む発光層１２２の損傷を防止するために、一定の温度（例；１００℃以下の低温）で形成可能で１～３の低い誘電率を有する有機絶縁材質で形成され得る。例えば、タッチバッファ膜１１８ａは、アクリル系列、エポキシ系列またはシロキサン（ｓｉｌｏｘａｎｅ）系列の材質で形成され得る。フレキシブル表示装置の反りによって、封止層ＥＮＣＡＰが損傷され得、タッチバッファ膜１１８ａの上部に位置するタッチセンサメタル１４１が割れ得る。フレキシブル表示装置が反っても、有機絶縁材質で構成されて平坦化性能を有するタッチバッファ膜１１８ａは、封止層ＥＮＣＡＰの損傷及びタッチライン１４０を構成するメタル１４１、１４２の割れ現象を防止できる。
【0289】
保護層ＰＡＣ、１１９がタッチライン１４０を覆うように配置され得る。保護層１１９は、有機絶縁膜で構成され得る。
【0290】
保護層１１９を覆うように有機物層ＰＣＬ、１５０が配置される。
【0291】
表示装置１００の最上層に有機絶縁膜からなる保護層１１９だけが配置される場合、保護層１１９だけでは保護層１１９の下部に配置されたタッチ感知層ＴＳＬによる段差を完璧に補完できず、ユーザにタッチライン１４０に起因した斑が視認される問題が発生し得る。
【0292】
保護層１１９の上部に有機絶縁膜からなる有機物層１５０を追加することで表示装置１００の最上層での段差を防止して表示装置１００の視認性を改善することができる。
【0293】
有機物層１５０は、封止層ＥＮＣＡＰの第２封止層１１７ｂと同じ物質で形成され得、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド、ポリエチレン、またはシリコンオキシカーボン（ＳｉＯＣ）等の有機絶縁材質で構成され得る。有機物層１５０は、インクジェット方式を通して形成されてもよいが、これに制限されない。
【0294】
有機物層１５０上には、偏光層ＰＯＬ、１６０が配置される。
【0295】
偏光層１６０は、基板ＳＵＢの表示領域ＤＡ上で外部光の反射を抑制する。表示装置１００が外部で使用される場合、外部の自然光が流入して発光素子のアノード１２１に含まれた反射層により反射するか、または発光素子１２０の下部に配置された金属で構成された電極により反射し得る。このように反射した光により表示装置１００の映像が視認されないことがある。偏光層１６０は、外部から流入した光を特定の方向に偏光し、反射した光がまた表示装置１００の外部に放出できないようにする。
【0296】
図示してはいないが、偏光層１６０上には、カバーガラスが接着層により接着され得る。接着層は、表示装置１００の各構成要素を互いに接着させる役割を果たすことができ、例えば、感圧接着剤、光透明接着剤（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｃｌｅａｒ Ａｄｈｅｓｉｖｅ、ＯＣＲ）、光透明レジン（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｃｌｅａｒ Ｒｅｓｉｎ、ＯＣＲ）等、光学的に透明なディスプレイ用接着剤を使用して形成され得るが、これに制限されない。
【0297】
カバーガラスは、外部の衝撃から表示装置１００の構成要素を保護し、スクラッチ等の損傷が発生することを防止できる。
【0298】
【0299】
図７は、本明細書の一実施例に係る光学領域内の発光領域及び透過領域の断面構造を示す断面図である。図８ａは、本明細書の一実施例に係る透過領域と蒸着防止層の位置関係を示す図である。図８ｂは、本明細書の一実施例に係る透過領域を拡大して示す拡大図である。
【0300】
以下においては、説明の便宜のために、表示パネルＤＰで表示領域ＤＡが一般領域ＮＡ及び第１光学領域ＤＡ１を含む場合（図１ａ、図１ｂ）を例に挙げて説明するが、第１光学領域ＤＡ１についての説明は、第２光学領域ＤＡ２にも同一に適用され得る。
【0301】
図７を参照すると、第１光学領域ＤＡ１は、発光領域ＥＡ及び透過領域ＴＡを含む。
【0302】
第１光学領域ＤＡ１の発光領域ＥＡ及び透過領域ＴＡはいずれも、基本的に、基板ＳＵＢ、トランジスタ層ＴＲＬ、平坦化層ＰＬＮ、発光素子層ＥＤＬ、封止層ＥＮＣＡＰ、タッチセンサ層ＴＳＬ、保護層ＰＡＣ、有機物層ＰＣＬ及び偏光層ＰＯＬを含むことができる。
【0303】
第１光学領域ＤＡ１に含まれる基板ＳＵＢ、トランジスタ層ＴＲＬ、平坦化層ＰＬＮ、発光素子層ＥＤＬ、封止層ＥＮＣＡＰ、タッチセンサ層ＴＳＬ、保護層ＰＡＣ、有機物層ＰＣＬ及び偏光層ＰＯＬは、表示パネルＤＰの一般領域ＮＡに配置された同じ参照符号を有する構成要素と実質的に同一であるので、重複した説明は省略する。
【0304】
第１光学領域ＤＡ１で発光領域ＥＡは、表示パネルＤＰの一般領域ＮＡの構造と実質的に同一であるので、重複した説明は省略する。
【0305】
以下においては、第１光学領域ＤＡ１に配置された透過領域ＴＡを説明する。
【0306】
第１光学領域ＤＡ１の発光領域ＥＡに配置された基板ＳＵＢと各種の絶縁膜１１１ａ、１１１ｂ、１１２、１１３ａ、１１３ｂ、１１４、１１５ａ、１１５ｂ、１１７ａ、１１７ｂ、１１７ｃ、ＰＡＣは、第１光学領域ＤＡ１の透過領域ＴＡにも同一に配置され得る。
【0307】
ただし、第１光学領域ＤＡ１の発光領域ＥＡに配置された絶縁物質以外に、電気的な特性や不透明な特性を有する物質層は、第１光学領域ＤＡ１の透過領域ＴＡには配置されなくてよい。
【0308】
本明細書の一実施例によれば、透過領域ＴＡの透過率を確保するために、透過領域ＴＡにはカソード１２３が配置されない。
【0309】
これを具現するために、透過領域ＴＡの発光層１２２上に蒸着防止層１５０が配置される。
【0310】
例えば、蒸着防止層１５０は、透過領域ＴＡに対応するようにマスク（ｆｉｎｅ ｍｅｔａｌ ｍａｓｋ、ＦＭＭ）を利用して蒸着できる。具体的に、透過領域ＴＡを露出するようにＦＭＭを位置させた後、蒸着防止層１５０を形成することができる。
【0311】
透過領域ＴＡの発光層１２２上に蒸着防止層１５０を配置した後、カソード１２３を蒸着する場合、蒸着防止層１５０は、その上部に配置された層との接着力が低いため、蒸着防止層１５０が配置された領域には、カソード１２３が蒸着されないことがある。
【0312】
従って、本明細書の一実施例に係る透過領域ＴＡには、カソード１２３が配置されなくてよい。
【0313】
また、透過領域ＴＡには、トランジスタと関連した金属物質層１３５、１３１、ＧＭ、ＴＭ、１３２、１３３、１２５と半導体層１３４が配置されない。また、発光素子１２０に含まれたアノード１２１も透過領域ＴＡに配置されなくてよい。また、タッチラインは、透過領域ＴＡに配置されなくてよい。
【0314】
即ち、第１光学領域の透過領域ＴＡは、光学電子装置１７０と重畳されるため、光学電子装置１７０の正常な動作のために透過領域ＴＡには金属電極のような不透明な構成要素を配置しないことで透過領域ＴＡの透過率を高めることができる。
【0315】
また、第１光学領域ＤＡ１の透過領域ＴＡには、金属電極のような構成要素が配置されないことで、第１光学領域ＤＡ１の透過領域ＴＡは、平らな層だけで構成され得る。
【0316】
一方、ＵＤＣモデルまたはＵＤＩＲモデルで透過領域ＴＡの透過率を確保するためにカソードを除去すれば、ＵＶ信頼性が脆弱になり得る。即ち、ＵＶ光の透過による有機物質のアウトガス（ｏｕｔｇａｓｓｉｎｇ）の発生による発光部の画素収縮（ｓｈｒｉｎｋａｇｅ）不良が発生し得る。
【0317】
そこで、本明細書の一実施例によれば、透過領域ＴＡの有機物質の一部を除去して有機物質の体積を減らすことでＵＶ光の透過による有機物質のアウトガスの発生を抑制できる。
【0318】
本明細書の一実施例によれば、第１光学領域ＤＡ１の透過領域ＴＡで、発光層１２２の下面は、平坦化層ＰＬＮと接し得る。即ち、透過領域ＴＡには、バンク１１６が配置されなくてよい。これによって、透過領域ＴＡに配置された有機物質の体積を減らすことができる。
【0319】
例えば、透過領域でバンクのような有機物質の体積を減らす場合、以後、透過領域に配置される蒸着防止層は、発光層の上部だけではなくバンクの側面にも配置され得る。蒸着防止層は、蒸着防止層の上部または下部に配置された層との接着力が低いため、蒸着防止層の下部に段差がある場合、段差に起因する膜の浮き上がりが発生し得る。
【0320】
そこで、本明細書の一実施例によれば、光学領域ＤＡ１で蒸着防止層１５０は平らな面に配置され得る。即ち、本明細書の一実施例によれば、光学領域ＤＡ１で蒸着防止層１５０の下部は平らであり得、蒸着防止層１５０は、バンク１１６と互いに重畳しなくなり得る。
【0321】
本明細書の一実施例によれば、蒸着防止層１５０の下部には段差が存在しないため、蒸着防止層１５０の配置による膜の浮き上がりを予防できる。
【0322】
一方、蒸着防止層１５０が配置されることで、以後、カソード１２３の蒸着時、カソード１２３は、蒸着防止層１５０の上部には配置されなくなる。即ち、カソード１２３は、光学領域ＤＡ１の発光領域ＥＡにのみ配置され得る。発光領域ＥＡに配置されたカソード１２３の側面と光学領域ＤＡ１の透過領域ＴＡに配置された蒸着防止層１５０の側面は互いに接し得るが、これに制限されない。
【0323】
【0324】
即ち、透過領域ＴＡ全体に蒸着防止層１５０が配置されることで透過領域ＴＡでカソード１２３のような不透明な電極が配置されず、透過率を改善することができる。
【0325】
図８ａに透過領域ＴＡが三角形である構造を示したが、本明細書の一実施例に係る透過領域ＴＡの形状は、これに限定されるものではない。例えば、透過領域ＴＡは、円形、楕円形、四角形、六角形、または八角形等、多様な模様を有し得る。
【0326】
【0327】
図９は、本明細書の他の実施例に係る表示装置２００の光学領域ＤＡ１内の発光領域ＥＡ及び透過領域ＴＡの断面構造を示す断面図である。図１０ａは、本明細書の他の実施例に係る透過領域ＴＡと蒸着防止層２５０の位置関係を示す図である。図１０ｂは、本明細書の他の実施例に係る透過領域ＴＡを拡大して示す拡大図である。
【0328】
【0329】
【0330】
このとき、第１部分２５３と第２部分２５５は一体になされ、同じ物質からなり得る。
【0331】
例えば、第２部分２５５の厚さは、第１部分２５３から離れるほど減少し得る。
【0332】
具体的に、本明細書の他の実施例によれば、蒸着防止層２５０の形成時、ＦＭＭを使用して蒸着防止層２５０を蒸着するようになる。このとき、工程マージンを考慮してＦＭＭを透過領域ＴＡの平らな面の一部と重畳されるように配置し、蒸着防止層２５０を形成する場合、ＦＭＭで露出された領域は、厚さが一定である第１部分２５３に形成され、ＦＭＭと重畳された領域は、工程マージンにより第１部分２５３から離れるほど厚さが減少する第２部分２５５に形成される。
【0333】
図１０ａ及び図１０ｂを共に参照すると、透過領域ＴＡの面積は、第１部分２５３及び第２部分２５５で構成される蒸着防止層２５０の面積と同一であり得る。このとき、図１０ａの幅ｗは、図１０ｂで第１部分２５３から離れるほど厚さが減少する第２部分２５５の幅ｗに対応する。
【0334】
従って、第２部分２５５の厚さは、発光領域ＥＡに隣接するほど減少するため、本明細書の他の実施例に係る第１部分２５３及び第２部分２５５で構成された蒸着防止層２５０は、発光領域ＥＡに配置されたバンク１１６等、段差が形成された部分には配置されず、光学領域ＤＡ１の平らな面にのみさらに容易に配置され得る。
【0335】
本明細書の他の実施例によれば、蒸着防止層２５０の配置による膜の浮き上がり不良を予防する効果がさらに改善され得る。
【0336】
【0337】
まず、図１１を参照すると、第１光学領域ＤＡ１は、中心領域３１０と中心領域３１０の外郭に位置するベゼル領域３２０を含むことができる。
【0338】
第１光学領域ＤＡ１は、複数個の横ラインＨＬを含むことができる。複数の横ラインＨＬによってベゼル領域３２０に位置するトランジスタと中心領域３１０に位置する発光素子が連結され得る。
【0339】
実施例に係るフレキシブル表示装置３００は、ルーティング構造３４０を含むことができる。ルーティング構造３４０を含むことで、中心領域３１０が所定領域ａだけ拡張され得る。ルーティング構造３４０により所定領域ａに位置する画素がベゼル領域３２０に位置するトランジスタと連結され得るためである。
【0340】
ルーティング構造３４０を含む第１光学領域ＤＡ１の構造を具体的に検討すると、次のとおりである。
【0341】
図１２を参照すると、第１光学領域は、中心領域３１０とベゼル領域３２０に位置する複数の発光素子ＥＤを含むことができる。第１光学領域が複数の発光素子ＥＤを含むことで、第１光学領域が画面を表示することができる。
【0342】
第１光学領域は、ベゼル領域３２０に位置する複数のトランジスタ３５０を含むことができる。中心領域３１０は、トランジスタ３５０が位置しなくてよい。中心領域３１０にトランジスタが位置しないことで、中心領域３１０がより高い透過率を有することができる。
【0343】
第１光学領域は、複数の行を含み、第１行Ｒ１及び第２行Ｒ２を含むことができる。第１光学領域に含まれる複数の行は、第１光学領域を横方向に横切る任意の領域であって、トランジスタ３５０のパターンによって規定され得る。
【0344】
フレキシブル表示装置は、中心領域３１０に位置して第１行Ｒ１に位置する発光素子ＥＤ及びベゼル領域３２０に位置して第２行Ｒ２に位置するトランジスタ３５０を含むことができる。
【0345】
フレキシブル表示装置は、第１行Ｒ１に位置する発光素子ＥＤと第２行Ｒ２に位置するトランジスタ３５０を電気的に連結するルーティング構造３４０を含むことができる。
【0346】
ルーティング構造３４０によって、互いに異なる行に位置するトランジスタ３５０と発光素子ＥＤが連結され得るので、発光素子ＥＤより多くの数のトランジスタ３５０が配置された行に位置したトランジスタ３５０と、それより多くの数の発光素子ＥＤが配置された行に位置した発光素子ＥＤを互いに連結できる。
【0347】
中心領域３１０が第１行Ｒ１で含む発光素子ＥＤの数は、中心領域３１０が第２行Ｒ２で含む発光素子ＥＤの数よりさらに大きくなり得る。従って、第１行Ｒ１に含まれる発光素子ＥＤを駆動するためにはさらに多くの数のトランジスタ３５０が必要であり、第２行Ｒ２に含まれる発光素子ＥＤを駆動するためにはさらに少ない数のトランジスタ３５０が必要である。従って、ベゼル領域３２０の第２行Ｒ２に位置するトランジスタ３５０のうち第２行Ｒ２に位置する発光素子ＥＤと電気的に連結されていない余剰トランジスタ３５０がルーティング構造３４０により第１行Ｒ１に位置する発光素子ＥＤと電気的に連結され得る。
【0348】
中心領域３１０は、中心領域３１０全体で単位面積当たりの画素の数字が実質的に同一であり得る。単位面積当たりの画素の数字が実質的に同一であるとは、例えば、一つの画素パターンが中心領域３１０全体で実質的に均一であることを意味し得る。従って、中心領域３１０と重畳される面積が第２行Ｒ２より大きな第１行Ｒ１には、より多くの数の発光素子ＥＤが位置し得る。
【0349】
例えば、ベゼル領域３２０が第１行Ｒ１で含むトランジスタ３５０の数は、ベゼル領域３２０が第２行Ｒ２で含むトランジスタ３５０の数と実質的に同一であり得る。前記例示において、中心領域３１０が第１行Ｒ１で含む発光素子ＥＤの数がさらに多く、中心領域３１０が第２行Ｒ２で含む発光素子ＥＤの数がさらに少なければ、第２行Ｒ２に含まれるトランジスタ３５０の一部は、第２行Ｒ２に位置する発光素子ＥＤと電気的に連結されず、第１行Ｒ１に位置する発光素子ＥＤと電気的に連結され得る。
【0350】
そして、ベゼル領域３２０は、ベゼル領域３２０全体で単位面積当たりのトランジスタ３５０の数字が実質的に同一であり得る。単位面積当たりのトランジスタのパターンが実質的に同一であるとは、ベゼル領域３２０全体で一つのトランジスタパターンが実質的に均一であることを意味し得る。
【0351】
ベゼル領域３２０が第１行Ｒ１と重畳される領域の面積は、ベゼル領域３２０が第２行Ｒ２と重畳される領域の面積と実質的に同一であり得る。このような例示において、ベゼル領域３２０の第１行Ｒ１に位置するトランジスタ３５０の数は、ベゼル領域の第２行Ｒ２に位置するトランジスタ３５０の数と実質的に同一であり得る。
【0352】
ベゼル領域３２０がこのような場合、ベゼル領域３２０の行に位置するトランジスタ３５０の数字が一定に維持され得、ルーティング構造３４０により特定の行の余剰トランジスタが他の行の余剰発光素子と電気的に連結され得るので、実施例に係るフレキシブル表示装置が比較例のフレキシブル表示装置よりさらに広い中心領域３１０を有することができる。
【0353】
本明細書の多様な実施例に係る表示装置は、下記のように説明され得る。
【0354】
本明細書の一実施例に係る表示装置は、発光領域及び透過領域を含む光学領域及び光学領域を囲む一般領域を含む表示領域及び非表示領域を含む基板、表示領域で基板上に配置される平坦化層、平坦化層上に配置され、アノード、発光層及びカソードを含む複数の発光素子、平坦化層上でアノードの末端を覆うように配置されるバンク、及び光学領域で発光領域及び透過領域のうち透過領域で発光層上に配置される蒸着防止層を含み、バンクは、光学領域で発光領域及び透過領域のうち発光領域に配置される。
【0355】
本明細書の他の特徴によれば、光学領域で基板の下部に配置される光学電子装置をさらに含むことができる。
【0356】
本明細書の他の特徴によれば、光学領域の透過領域で蒸着防止層は、平らな面に配置され得る。
【0357】
本明細書の他の特徴によれば、光学領域の透過領域で発光層の下面は、平坦化層と接し得る。
【0358】
本明細書の他の特徴によれば、光学領域で蒸着防止層とバンクは、互いに重畳しなくなり得る。
【0359】
本明細書の他の特徴によれば、光学領域の発光領域に配置されたカソードの側面と光学領域の透過領域に配置された蒸着防止層の側面は、互いに接し得る。
【0360】
本明細書の他の特徴によれば、蒸着防止層は、厚さが一定であり得る。
【0361】
本明細書の他の特徴によれば、蒸着防止層は、厚さが一定である第１部分、及び第１部分を囲むように配置され、第１部分より厚さが薄い第２部分を含むことができる。
【0362】
本明細書の他の特徴によれば、第２部分の厚さは、第１部分から離れるほど減少し得る。
【0363】
本明細書の他の特徴によれば、第１部分と第２部分は一体になされ、同じ物質からなり得る。
【0364】
以上、添付の図面を参照して、本明細書の実施例をさらに詳細に説明したが、本明細書は、必ずしもこのような実施例に限定されるものではなく、本明細書の技術思想を外れない範囲内で多様に変形実施され得る。従って、本明細書に開示された実施例は、本明細書の技術思想を制限するためのものではなく、説明するためのものであり、このような実施例によって本明細書の技術思想の範囲が制限されるものではない。それゆえ、以上において記述した実施例は、全ての面で例示的なものであり、制限的ではないものと理解すべきである。本明細書の保護範囲は、下記の請求の範囲によって解釈されるべきであり、それと同等な範囲内にある全ての技術思想は、本明細書の権利範囲に含まれるものと解釈されるべきである。
【図1a】
【図1b】
【図1c】
【図1d】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5a】
【図5b】
【図6】
【図7】
【図8a】
【図8b】
【図9】
【図10a】
【図10b】
【図11】
【図12】