特開 2024-96387 リードフレーム、リードフレームの製造方法及び半導体装置の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024096387

(43)【公開日】2024-07-12

(54)【発明の名称】リードフレーム、リードフレームの製造方法及び半導体装置の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 23/50 20060101AFI20240705BHJP

【ＦＩ】

H01L23/50 R

【審査請求】有

【請求項の数】9

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2024076162

(22)【出願日】2024-05-08

(62)【分割の表示】P 2020048164の分割

【原出願日】2020-03-18

(71)【出願人】

【識別番号】000002897

【氏名又は名称】大日本印刷株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100120031

【弁理士】

【氏名又は名称】宮嶋 学

(74)【代理人】

【識別番号】100127465

【弁理士】

【氏名又は名称】堀田 幸裕

(74)【代理人】

【識別番号】100141830

【弁理士】

【氏名又は名称】村田 卓久

(72)【発明者】

【氏名】永田 昌博

(72)【発明者】

【氏名】松尾 幸一

(72)【発明者】

【氏名】榊 真史

(57)【要約】

【課題】裏面側樹脂を有するリードフレームを用いて作製された半導体装置において、半導体装置の側面に向けて開口する凹部を容易に形成することが可能なリードフレームの製造方法を提供する。
【解決手段】リードフレーム１０の製造方法は、金属基板３１を準備する工程と、金属基板３１の裏面側から厚み方向の途中までエッチングすることにより、裏面側凹部３６を形成する工程と、周囲領域１０ｂを含む裏面側の領域１０ｃを露出した状態で、金属基板３１の裏面側に裏面側樹脂１８を形成し、裏面側樹脂１８によって裏面側凹部３６を覆う工程と、金属基板３１の表面側から厚み方向の途中までエッチングする工程と、金属基板３１の裏面側から厚み方向の途中までエッチングすることにより、周囲領域１０ｂにパッケージ間凹部１９を形成する工程と、裏面側樹脂１８を所定の厚みだけ研磨する工程と、を備えている。
【選択図】図６

【特許請求の範囲】

【請求項1】

リードフレームの製造方法において、
金属基板を準備する工程と、
前記金属基板の裏面側に裏面側凹部を形成する工程と、
パッケージ領域周囲の領域を含む前記金属基板の裏面側の領域が露出するように、前記金属基板の裏面側に裏面側樹脂を形成し、前記裏面側樹脂によって前記裏面側凹部を覆う工程と、
前記金属基板を表面側から薄肉化する工程と、
前記パッケージ領域周囲を前記金属基板の裏面側から薄肉化する工程と、
前記裏面側樹脂を所定の厚みだけ研磨する工程と、を備え、
前記パッケージ領域周囲を前記金属基板の裏面側から薄肉化する工程は、前記裏面側樹脂によって前記裏面側凹部を覆う工程よりも後の工程であり、かつ、前記裏面側樹脂を所定の厚みだけ研磨する工程よりも前の工程である、リードフレームの製造方法。

【請求項2】

前記金属基板を表面側から薄肉化する工程と、前記パッケージ領域周囲を前記金属基板の裏面側から薄肉化する工程とが、同時に行われる、請求項１記載のリードフレームの製造方法。

【請求項3】

前記裏面側凹部を形成する工程の後、前記金属基板の裏面側を粗化する工程が設けられている、請求項１又は２記載のリードフレームの製造方法。

【請求項4】

リードフレームの製造方法において、
金属基板を準備する工程と、
前記金属基板を表面側及び裏面側から薄肉化する工程と、
前記金属基板の表面側を被覆材で覆うとともに、パッケージ領域周囲の領域を含む前記金属基板の裏面側の領域が露出するように、前記金属基板の裏面側に裏面側樹脂を形成する工程と、
前記パッケージ領域周囲を前記金属基板の裏面側から薄肉化する工程と、
前記裏面側樹脂を所定の厚みだけ研磨する工程と、を備え、
前記パッケージ領域周囲を前記金属基板の裏面側から薄肉化する工程は、前記裏面側樹脂を形成する工程よりも後の工程であり、かつ、前記裏面側樹脂を所定の厚みだけ研磨する工程よりも前の工程である、リードフレームの製造方法。

【請求項5】

前記裏面側樹脂の表面は、前記金属基板の表面と同一平面上に位置する、請求項４記載のリードフレームの製造方法。

【請求項6】

前記金属基板を表面側及び裏面側から薄肉化する工程の後、前記金属基板の裏面側を粗化する工程が設けられている、請求項４又は５記載のリードフレームの製造方法。

【請求項7】

前記パッケージ領域は、ダイパッドと、前記ダイパッドの周囲に配置されたリード部とを有し、前記リード部の外側にパッケージ間凹部が形成されている、請求項１乃至６のいずれか一項記載のリードフレームの製造方法。

【請求項8】

前記パッケージ間凹部は、前記リード部の幅方向全域に形成される、請求項７記載のリードフレームの製造方法。

【請求項9】

前記パッケージ間凹部は、前記リード部の幅方向の一部のみに形成される、請求項７記載のリードフレームの製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、リードフレーム、リードフレームの製造方法及び半導体装置の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

近年、基板に実装される半導体装置の小型化及び薄型化が要求されてきている。このような要求に対応すべく、従来、リードフレームを用い、その搭載面に搭載した半導体素子を封止樹脂によって封止するとともに、裏面側にリードの一部分を露出させて構成された、いわゆるＱＦＮ（Quad Flat Non-lead）タイプの半導体装置が種々提案されている。

【0003】

しかしながら、従来、リードフレームが薄くなるにしたがって、リードフレームの強度を維持することが難しくなり、エッチング後にリードフレームが変形してしまうことが問題となる。

【0004】

また近年、チップサイズを変更することなく、リードの数（ピン数）を増やすことが求められてきている。これに対して、従来、リードの幅を細くすることが行われているが、リードが細くなるにしたがって、リードに変形が生じやすくなり、ワイヤボンディングを安定して行いにくくなるという問題が生じる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【特許文献1】特開２０１９－５７５９０号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

特許文献１には、リードフレームの裏面に樹脂部を設けた後、樹脂部の不要部を除去する技術が開示されている。しかしながら、従来、裏面に樹脂部を設けたリードフレームを用いて半導体装置を作製する場合、裏面が樹脂部で覆われているため、半導体装置のリード部に、側面に向けて開口する凹部（ディンプル）を形成することが難しい。

【0007】

本開示は、裏面側樹脂を有するリードフレームを用いて作製された半導体装置において、半導体装置の側面に向けて開口する凹部を容易に形成することが可能な、リードフレーム、リードフレームの製造方法及び半導体装置の製造方法を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0008】

本開示によるリードフレームの製造方法は、リードフレームの製造方法において、金属基板を準備する工程と、前記金属基板の裏面側から前記金属基板を厚み方向の途中までエッチングすることにより、裏面側凹部を形成する工程と、パッケージ領域周囲の領域を含む裏面側の領域を露出した状態で、前記金属基板の裏面側に裏面側樹脂を形成し、前記裏面側樹脂によって前記裏面側凹部を覆う工程と、前記金属基板の表面側から前記金属基板を厚み方向の途中までエッチングする工程と、前記金属基板の裏面側から前記金属基板を厚み方向の途中までエッチングすることにより、前記パッケージ領域周囲の領域にパッケージ間凹部を形成する工程と、前記裏面側樹脂を所定の厚みだけ研磨する工程と、を備えている。

【0009】

本開示によるリードフレームの製造方法において、前記金属基板の表面側から前記金属基板をエッチングする工程と、前記パッケージ間凹部を形成する工程とが、同時に行われても良い。

【0010】

本開示によるリードフレームの製造方法において、前記裏面側凹部を形成する工程の後、前記金属基板の裏面側を粗化する工程が設けられていても良い。

【0011】

本開示によるリードフレームの製造方法は、リードフレームの製造方法において、金属基板を準備する工程と、前記金属基板の表面側及び裏面側をエッチングする工程と、前記金属基板の表面側を被覆材で覆うとともに、パッケージ領域周囲の領域を含む裏面側の領域を露出した状態で、前記金属基板の裏面側に裏面側樹脂を形成する工程と、前記金属基板の裏面側から前記金属基板を厚み方向の途中までエッチングすることにより、前記パッケージ領域周囲の領域にパッケージ間凹部を形成する工程と、前記裏面側樹脂を所定の厚みだけ研磨する工程と、を備えている。

【0012】

本開示によるリードフレームの製造方法において、前記裏面側樹脂の表面は、前記金属基板の表面と同一平面上に位置しても良い。

【0013】

本開示によるリードフレームの製造方法において、前記金属基板の表面側及び裏面側をエッチングする工程の後、前記金属基板の裏面側を粗化する工程が設けられていても良い。

【0014】

本開示によるリードフレームの製造方法において、前記パッケージ領域は、ダイパッドと、前記ダイパッドの周囲に配置されたリード部とを有し、前記リード部の外側に前記パッケージ間凹部が形成されていても良い。

【0015】

本開示によるリードフレームの製造方法において、前記パッケージ間凹部は、前記リード部の幅方向全域に形成されても良い。

【0016】

本開示によるリードフレームの製造方法において、前記パッケージ間凹部は、前記リード部の幅方向の一部のみに形成されても良い。

【0017】

本開示によるリードフレームは、複数のパッケージ領域を有するリードフレームにおいて、各パッケージ領域は、ダイパッドと、前記ダイパッドの周囲に配置されたリード部と、前記ダイパッドと前記リード部の周囲であって、前記リードフレームの裏面側に配置された裏面側樹脂と、を備え、前記リード部の外側及び前記パッケージ領域周囲の領域に、前記裏面側樹脂が充填されていないパッケージ間凹部が形成されている。

【0018】

本開示による半導体装置の製造方法は、半導体装置の製造方法において、本開示によるリードフレームを準備する工程と、前記リードフレーム上に半導体素子を搭載する工程と、前記半導体素子と前記リードフレームとを接続部材により電気的に接続する工程と、前記リードフレームと、前記半導体素子と、前記接続部材とを封止樹脂により封止する工程と、を備えている。

【発明の効果】

【0019】

本開示によれば、裏面側樹脂を有するリードフレームを用いて作製された半導体装置において、半導体装置の側面に向けて開口する凹部を容易に形成することができる。

【図面の簡単な説明】

【0020】

【図1】図１は、第１の実施の形態によるリードフレームを示す平面図。

【図2】図２は、第１の実施の形態によるリードフレームを示す底面図。

【図3】図３（ａ）（ｂ）は、第１の実施の形態によるリードフレームを示す断面図（それぞれ図１のIIIA－IIIA線、IIIB－IIIB線断面図）。

【図4】図４は、第１の実施の形態による半導体装置を示す平面図。

【図5】図５は、第１の実施の形態による半導体装置を示す断面図（図４のＶ－Ｖ線断面図）。

【図6】図６（ａ）－（ｉ）は、第１の実施の形態によるリードフレームの製造方法を示す断面図。

【図7】図７（ａ）－（ｆ）は、第１の実施の形態による半導体装置の製造方法を示す断面図。

【図8】図８は、第１の実施の形態による半導体装置が配線基板に実装された状態を示す断面図。

【図9】図９は、リード部の一変形例を示す拡大底面図。

【図10】図１０は、第２の実施の形態によるリードフレームを示す断面図。

【図11】図１１は、第２の実施の形態による半導体装置を示す断面図。

【図12】図１２（ａ）－（ｊ）は、第２の実施の形態によるリードフレームの製造方法を示す断面図。

【図13】図１３は、第３の実施の形態によるリードフレームを示す断面図。

【図14】図１４は、第３の実施の形態による半導体装置を示す断面図。

【図15】図１５（ａ）－（ｉ）は、第３の実施の形態によるリードフレームの製造方法を示す断面図。

【図16】図１６は、第４の実施の形態によるリードフレームを示す断面図。

【図17】図１７は、第４の実施の形態による半導体装置を示す断面図。

【図18】図１８（ａ）－（ｊ）は、第４の実施の形態によるリードフレームの製造方法を示す断面図。

【発明を実施するための形態】

【0021】

（第１の実施の形態）
以下、第１の実施の形態について、図１乃至図９を参照して説明する。なお、以下の各図において、同一部分には同一の符号を付しており、一部詳細な説明を省略する場合がある。

【0022】

本明細書中、Ｘ方向、Ｙ方向とは、リードフレーム１０の各辺に平行な二方向であり、Ｘ方向とＹ方向とは互いに直交している。また、Ｚ方向は、Ｘ方向及びＹ方向の両方に対して垂直な方向である。また、「内」、「内側」とは、各パッケージ領域１０ａの中心方向を向く側をいい、「外」、「外側」とは、各パッケージ領域１０ａの中心から離れる側をいう。また、「表面」とは、半導体素子２１が搭載される側（Ｚ方向プラス側）の面をいい、「裏面」とは、「表面」の反対側（Ｚ方向マイナス側）の面であって外部の図示しない配線基板に接続される側の面をいう。

【0023】

また、本明細書中、ハーフエッチングとは、被エッチング材料をその厚み方向に途中までエッチングすることをいう。ハーフエッチング後の被エッチング材料の厚みは、ハーフエッチング前の被エッチング材料の厚みの例えば３０％以上７５％以下、好ましくは４０％以上６０％以下となる。

【0024】

（リードフレームの構成）
まず、図１乃至図３により、本実施の形態によるリードフレームの概略について説明する。図１乃至図３は、本実施の形態によるリードフレームを示す図である。

【0025】

図１及び図２に示すように、リードフレーム１０は、外枠４０と、外枠４０の内側に配置されたパッケージ領域（単位リードフレーム）１０ａを含んでいる。

【0026】

この場合、パッケージ領域１０ａは、多列及び多段に（マトリックス状に）複数配置されている。しかしながら、これに限らずパッケージ領域１０ａは１つ以上存在していれば良い。なお、パッケージ領域１０ａは、それぞれ半導体装置２０（後述）に対応する領域であり、図１及び図２において仮想線の内側に位置する領域である。また、図１及び図２の仮想線は半導体装置２０の外周縁に対応している。

【0027】

次に、図１乃至図３を参照してリードフレーム１０の構成についてさらに説明する。

【0028】

図１乃至図３に示すように、リードフレーム１０の各パッケージ領域１０ａは、ダイパッド１１と、ダイパッド１１周囲に設けられ、半導体素子２１と外部回路（図示せず）とを接続する複数の細長いリード部１２と、ダイパッド１１とリード部１２の周囲であって、リードフレーム１０の裏面側に配置された裏面側樹脂１８と、を備えている。隣接するパッケージ領域１０ａ同士の間には、支持リード（支持部材）１３が配置されている。この支持リード１３は、ダイパッド１１とリード部１２とを支持するものであり、Ｘ方向及びＹ方向に沿ってそれぞれ延びている。

【0029】

ダイパッド１１は、平面略正方形形状を有している。この場合、ダイパッド１１は、ハーフエッチングされておらず、加工前の金属基板（後述する金属基板３１）と同一の厚みを有している。ダイパッド１１の平面形状は、正方形に限らず、長方形等の多角形としても良い。なお、ダイパッド１１の表面側が部分的にハーフエッチングされて薄肉化されていてもよい。

【0030】

ダイパッド１１の四隅にはそれぞれ吊りリード１４が連結されており、ダイパッド１１は、この４本の吊りリード１４を介して支持リード１３に連結支持されている。各支持リード１３は、パッケージ領域１０ａの周囲であってパッケージ領域１０ａよりも外側に配置されている。各支持リード１３は、細長い棒形状を有している。また支持リード１３には、複数のリード部１２が支持リード１３の長手方向に沿って間隔を空けて連結されている。支持リード１３は、裏面側から薄肉化されており、支持リード１３の裏面は裏面側樹脂１８に接触している。また４つのパッケージ領域１０ａに囲まれた部分には裏面側から薄肉化されたコーナー部１４ａが設けられ、これら４つのパッケージ領域１０ａからそれぞれ延びる４本の吊りリード１４がコーナー部１４ａにおいて互いに連結されている。各パッケージ領域１０ａのダイパッド１１は、４本の吊りリード１４を介して各コーナー部１４ａに連結支持されている。各コーナー部１４ａには、それぞれ４本の支持リード１３が連結されている。

【0031】

各パッケージ領域１０ａ周囲の領域には、周囲領域１０ｂが形成されている。周囲領域１０ｂとは、各パッケージ領域１０ａよりも外側に位置する領域であって、各パッケージ領域１０ａに隣接して形成された領域をいう。この周囲領域１０ｂは、互いに隣接する２つのパッケージ領域１０ａ同士の間に位置している。すなわち、隣接する２つのパッケージ領域１０ａは、周囲領域１０ｂを介して互いに連結されている。また、最外周にあるパッケージ領域１０ａにおいては、周囲領域１０ｂは、当該パッケージ領域１０ａの周囲に位置する外枠４０にも隣接する。支持リード１３は、周囲領域１０ｂ内に位置している。

【0032】

図３（ａ）（ｂ）に示すように、ダイパッド１１は、表面側に位置するダイパッド表面１１ａと、裏面側に位置するダイパッド裏面１１ｂとを有している。ダイパッド表面１１ａには、後述する半導体素子２１が搭載される。ダイパッド裏面１１ｂは、リードフレーム１０から外方に露出する。また、ダイパッド１１のうちリード部１２を向く側には、第１ダイパッド側面１１ｃと、第２ダイパッド側面１１ｄとが形成されている。第１ダイパッド側面１１ｃは、ダイパッド表面１１ａ側に位置しており、リードフレーム１０から外方に露出している。第２ダイパッド側面１１ｄは、ダイパッド裏面１１ｂ側に位置しており、裏面側樹脂１８に密着している。

【0033】

各リード部１２は、それぞれ後述するようにボンディングワイヤ２２を介して半導体素子２１に接続されるものであり、ダイパッド１１との間に空間を介して配置されている。また、一のパッケージ領域１０ａのリード部１２と、当該パッケージ領域１０ａに隣接するパッケージ領域１０ａのリード部１２とは、リード連結部１６によって互いに連結されている。リード連結部１６は、各パッケージ領域１０ａの外側であって、周囲領域１０ｂ内に位置している。各リード連結部１６は、支持リード１３の一部を構成している。裏面側から見たとき（図２）、互いに隣接するリード連結部１６同士の間には、裏面側樹脂１８が配置され、リード連結部１６同士は裏面側樹脂１８を介して互いに分離している。また、一のパッケージ領域１０ａのリード部１２と、当該パッケージ領域１０ａに隣接するパッケージ領域１０ａのリード部１２と、これらを連結するリード連結部１６とは、一体化されている。

【0034】

各リード部１２は、ダイパッド１１の周囲において支持リード１３の長手方向に沿って互いに間隔を空けて配置されている。このリード部１２の裏面には、それぞれ外部の配線基板（図示せず）に電気的に接続される外部端子１７が形成されている。各外部端子１７は、半導体装置２０（後述）の製造後に、それぞれ半導体装置２０から外方に露出するようになっている。

【0035】

図３（ａ）に示すように、リード部１２は、内側（ダイパッド１１側）に位置するインナーリード５１と、外側（リード連結部１６側）に位置する端子部５３とを有している。このうちインナーリード５１は、端子部５３からダイパッド１１側に延びており、その表面側の先端部には内部端子１５が形成されている。この内部端子１５は、後述するようにボンディングワイヤ２２を介して半導体素子２１に電気的に接続される領域である。なお、内部端子１５上には、ボンディングワイヤ２２と密着性を向上させるめっき層２５が設けられている。めっき層２５は、例えば銀めっきからなっていても良い。

【0036】

インナーリード５１は、裏面側からハーフエッチングにより薄肉化されている。インナーリード５１は、インナーリード表面５１ａと、インナーリード裏面５１ｂとを有している。インナーリード表面５１ａの一部には、内部端子１５が形成される。インナーリード裏面５１ｂは、裏面側樹脂１８に密着している。また、インナーリード５１のうちダイパッド１１を向く側には、インナーリード側面５１ｃが形成されている。インナーリード側面５１ｃは、リードフレーム１０から外方に露出している。

【0037】

端子部５３は、リード連結部１６側に延びており、その基端部はリード連結部１６に連結されている。なお、端子部５３の裏面には、上述した外部端子１７が形成されている。端子部５３のうち外部端子１７が形成された部分は、ハーフエッチングされることなく、ダイパッド１１と同一の厚みを有している。

【0038】

本実施の形態において、リード部１２の端子部５３の外側（インナーリード５１の反対側）及び周囲領域１０ｂに、パッケージ間凹部１９が形成されている。パッケージ間凹部１９には、裏面側樹脂１８が充填されておらず、金属面が露出している。パッケージ間凹部１９は、リードフレーム１０の裏面側であって、一のパッケージ領域１０ａのリード部１２と、当該リード部１２に連結されたリード連結部１６と、隣接するパッケージ領域１０ａのリード部１２とに跨がって連続的に形成されている。

【0039】

パッケージ間凹部１９は、リード部１２の裏面のうち、外部端子１７よりも外側に形成されている。またパッケージ領域１０ａの外周に対応する線が、パッケージ間凹部１９を横切っている。このパッケージ間凹部１９は平面視で長方形形状を有し、リード部１２及びリード連結部１６の長手方向に沿って延びている（図２）。

【0040】

パッケージ間凹部１９は、ハーフエッチングにより裏面側から薄肉化されることにより形成されている。すなわちパッケージ間凹部１９は、リード部１２及びリード連結部１６の裏面側から厚み方向（Ｚ方向）の途中まで凹む非貫通凹部から構成されている。なお、パッケージ間凹部１９の表面側は薄肉化されておらず、ダイパッド１１のダイパッド表面１１ａと同一平面上に位置している。

【0041】

また、パッケージ間凹部１９は、リード部１２及びリード連結部１６の幅方向全域にわたって形成されている（図２）。この場合、パッケージ間凹部１９は、リード部１２の裏面のうち外部端子１７よりも外側の部分と、リード連結部１６の裏面全体とに形成されている。

【0042】

図１及び図２に示すように、裏面側樹脂１８は、一のパッケージ領域１０ａと、当該パッケージ領域１０ａ周囲の周囲領域１０ｂと、隣接するパッケージ領域１０ａとに跨がるように連続的に形成されている。

【0043】

各パッケージ領域１０ａにおいて、裏面側樹脂１８は、ダイパッド１１及びリード部１２の周囲に配置されている。すなわち、図１に示すように、表面側から見て、裏面側樹脂１８は、ダイパッド１１の一辺と、当該辺に対向する複数のリード部１２と、２本の吊りリード１４と、パッケージ領域１０ａの外周縁とによって取り囲まれる領域に位置している。また、図２に示すように、裏面側から見て、裏面側樹脂１８は、ダイパッド１１の各辺と、複数のリード部１２と、パッケージ領域１０ａの外周縁とによって取り囲まれる領域に位置している。なお、図１及び図２において、裏面側樹脂１８を網掛けで示している（後述する図４、図９についても同様）。

【0044】

図３（ａ）（ｂ）に示すように、裏面側樹脂１８は、リードフレーム１０の裏面側に配置されている。すなわち裏面側樹脂１８は、リードフレーム１０のうち、厚み方向（Ｚ方向）の中間位置よりも表面側（Ｚ方向プラス側）には存在せず、厚み方向の中間位置よりも裏面側（Ｚ方向マイナス側）にのみ存在している。なお、上記中間位置は、リードフレーム１０の厚み方向の中央に限らず、厚み方向の中央よりも表面側又は裏面側に位置しても良い。

【0045】

図３（ａ）に示すように、裏面側樹脂１８は、断面視で、端子部５３と、インナーリード裏面５１ｂと、第２ダイパッド側面１１ｄとによって取り囲まれた領域に配置されている。また裏面側樹脂１８は、表面側に位置する樹脂表面１８ａと、裏面側に位置する樹脂裏面１８ｂとを有している。このうち樹脂表面１８ａは、第１ダイパッド側面１１ｃとインナーリード側面５１ｃとの間の空間から外方に露出する。樹脂裏面１８ｂは、リードフレーム１０の裏面側から外方に露出する。また樹脂裏面１８ｂ、ダイパッド裏面１１ｂ及び外部端子１７は、互いに同一平面上に位置している。

【0046】

図３（ｂ）に示すように、リード部１２が存在しない箇所の断面において、裏面側樹脂１８は、一のパッケージ領域１０ａのダイパッド１１から、隣接する他のパッケージ領域１０ａのダイパッド１１まで連続的に形成されている。また、周囲領域１０ｂにおいて、裏面側樹脂１８は、裏面側から薄肉化されることなく、樹脂裏面１８ｂは、ダイパッド裏面１１ｂ及び外部端子１７と同一平面上に位置している（図３（ａ）（ｂ））。

【0047】

裏面側樹脂１８としては、シリコーン樹脂やエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂、あるいはＰＰＳ樹脂等の熱可塑性樹脂を用いることができる。なお、裏面側樹脂１８と後述する封止樹脂２３との密着性を高めるため、裏面側樹脂１８として、封止樹脂２３と同一の材料を用いることが好ましい。

【0048】

以上説明したリードフレーム１０は、全体として銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４２％のＦｅ合金）等の金属から構成されている。また、リードフレーム１０の厚みは、製造する半導体装置２０の構成にもよるが、８０μｍ以上２５０μｍ以下とすることができる。

【0049】

（半導体装置の構成）
次に、図４及び図５により、本実施の形態による半導体装置について説明する。図４及び図５は、本実施の形態による半導体装置（ＱＦＮタイプ）を示す図である。

【0050】

図４及び図５に示すように、半導体装置（半導体パッケージ）２０は、ダイパッド１１と、ダイパッド１１の周囲に配置された複数のリード部１２と、ダイパッド１１上に搭載された半導体素子２１と、リード部１２と半導体素子２１とを電気的に接続する複数のボンディングワイヤ（接続部材）２２とを備えている。また、ダイパッド１１とリード部１２の周囲であって、半導体装置２０の裏面側に裏面側樹脂１８が配置されている。さらに、ダイパッド１１、リード部１２、半導体素子２１及びボンディングワイヤ２２は、封止樹脂２３によって樹脂封止されている。

【0051】

このうちダイパッド１１、リード部１２及び裏面側樹脂１８は、上述したリードフレーム１０から作製されたものである。また各リード部１２の裏面のうち、半導体装置２０の外周２０ａに対応する位置に、それぞれ凹部２６が形成されている。この凹部２６は、上述したパッケージ間凹部１９の一部からなる。各凹部２６は、リード部１２のうち外部端子１７よりも外側の領域に形成されている。また、凹部２６は、リード部１２の裏面側に開口するとともに、リード部１２の側面にも開口している。この凹部２６は、半導体装置２０の外周２０ａ側から見た場合、四角形形状を有している。なお、封止樹脂２３及び裏面側樹脂１８は凹部２６内には充填されていない。

【0052】

このほか、ダイパッド１１、リード部１２及び裏面側樹脂１８の構成は、半導体装置２０に含まれない領域を除き、上述した図１乃至図３に示すものと同様であるため、ここでは詳細な説明を省略する。

【0053】

また、半導体素子２１としては、従来一般に用いられている各種半導体素子を使用することが可能であり、特に限定されないが、例えば集積回路、大規模集積回路、トランジスタ、サイリスタ、ダイオード等を用いることができる。この半導体素子２１は、各々ボンディングワイヤ２２が取り付けられる複数の電極２１ａを有している。また、半導体素子２１は、例えばダイボンディングペースト等の接着剤２４により、ダイパッド１１の表面に固定されている。

【0054】

各ボンディングワイヤ２２は、例えば金、銅等の導電性の良い材料からなっている。各ボンディングワイヤ２２は、それぞれその一端が半導体素子２１の電極２１ａに接続されるとともに、その他端が各リード部１２の内部端子１５上に位置するめっき層２５にそれぞれ接続されている。

【0055】

封止樹脂２３としては、シリコーン樹脂やエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂、あるいはＰＰＳ樹脂等の熱可塑性樹脂を用いることができる。封止樹脂２３全体の厚みは、３００μｍ以上１５００μｍ以下程度とすることができる。また、封止樹脂２３の一辺（半導体装置２０の一辺）は、例えば１ｍｍ以上１６ｍｍ以下することができる。ダイパッド１１とリード部１２との間の空間において、封止樹脂２３は、裏面側樹脂１８の樹脂表面１８ａに密着している。なお、図４において、ダイパッド１１、リード部１２及び裏面側樹脂１８よりも表面側に位置する封止樹脂２３の表示を省略している。

【0056】

（リードフレームの製造方法）
次に、図１乃至図３に示すリードフレーム１０の製造方法について、図６（ａ）－（ｉ）を用いて説明する。

【0057】

まず図６（ａ）に示すように、平板状の金属基板３１を準備する。この金属基板３１としては、銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４２％のＦｅ合金）等の金属からなる基板を使用することができる。なお金属基板３１は、その両面に対して脱脂等を行い、洗浄処理を施したものを使用することが好ましい。

【0058】

次に、金属基板３１の表裏全体にそれぞれ感光性レジストを塗布し、乾燥する。続いて、金属基板３１上の感光性レジストに対してフォトマスクを介して露光し、現像することにより、所望の開口部３２ｂ、３３ｂを有するエッチング用レジスト層３２、３３を形成する（図６（ｂ））。

【0059】

次に、ハーフエッチングにより、金属基板３１の裏面側から金属基板３１を厚み方向の途中まで薄肉化する。この場合、裏面側のエッチング用レジスト層３３を耐腐蝕膜として、金属基板３１の裏面側に腐蝕液でエッチングを施す（図６（ｃ））。なお、このとき表面側のエッチング用レジスト層３２を図示しないフィルムで覆っても良い。これにより、金属基板３１の裏面側に非貫通凹部である裏面側凹部３６を形成する。この裏面側凹部３６は、裏面側樹脂１８に対応する形状を有する。なお、腐蝕液は、使用する金属基板３１の材質に応じて適宜選択することができ、例えば、金属基板３１として銅を用いる場合、通常、塩化第二鉄水溶液を使用し、この塩化第二鉄水溶液を金属基板３１の一方の面又は両面からスプレーエッチングしても良い。

【0060】

次に、表面側のエッチング用レジスト層３２を残して、裏面側のエッチング用レジスト層３３を剥離除去し、次いで金属基板３１を水洗及び乾燥させる（図６（ｄ））。

【0061】

続いて、パッケージ領域１０ａの周囲に位置する周囲領域１０ｂを含む裏面側の領域１０ｃを露出した状態で、金属基板３１の裏面側に裏面側樹脂１８を形成し、裏面側樹脂１８によって裏面側凹部３６を覆う（図６（ｅ））。この際、金属基板３１の裏面側に、例えば熱硬化性樹脂又は熱可塑性樹脂を用いてスクリーン印刷を施し、裏面側樹脂１８を所定のパターン状に形成しても良い。これにより、裏面側樹脂１８が裏面側凹部３６内に充填される。なお、ダイパッド裏面１１ｂに対応する部分１１ｅからの裏面側樹脂１８の厚みＴ１は、２５μｍ以上２００μｍ以下としても良い。この場合、裏面側の領域１０ｃは、金属基板３１の裏面であって、周囲領域１０ｂと、リード部１２の外部端子１７に対応する部分１７ａよりも外側の部分とを含む。この裏面側の領域１０ｃは、裏面側樹脂１８に覆われることなく、金属基板３１の裏面が露出する。

【0062】

次に、ハーフエッチングにより、金属基板３１の表面側から金属基板３１を厚み方向の途中まで薄肉化する。この場合、表面側のエッチング用レジスト層３２を耐腐蝕膜として、金属基板３１の表面側に腐蝕液でエッチングを施す（図６（ｆ））。これにより、ダイパッド１１及びリード部１２の外形が形成される。また、金属基板３１の表面側がハーフエッチングされることにより、ダイパッド１１とリード部１２との間に隙間が形成され、裏面側樹脂１８が表面側に露出する。なお、腐蝕液としては、金属基板３１の裏面側をエッチングする際に用いたものと同様のものを用いることができる（図６（ｃ））。

【0063】

これと同時に、ハーフエッチングにより、金属基板３１の裏面側から金属基板３１を厚み方向の途中まで薄肉化する。この場合、裏面側の裏面側樹脂１８を耐腐蝕膜として、金属基板３１の裏面側に腐蝕液でエッチングを施す（図６（ｆ））。これにより、金属基板３１のうち周囲領域１０ｂを含む裏面側の領域１０ｃに、パッケージ間凹部１９を形成する。このパッケージ間凹部１９は、周囲領域１０ｂと、リード部１２のうち外部端子１７よりも外側の領域とに形成される。

【0064】

このように、金属基板３１の表面側から金属基板３１をエッチングする工程と、パッケージ間凹部１９を形成する工程とを、同時に行うことにより、表面側のエッチング用レジスト層３２と裏面側の裏面側樹脂１８とを利用して、一度のエッチングによりダイパッド１１及びリード部１２の形状と、パッケージ間凹部１９とを効率良くまとめて形成することができる。なお、これに限らず、金属基板３１の表面側から金属基板３１をエッチングする工程と、金属基板３１の裏面側からパッケージ間凹部１９を形成する工程とを別工程で行っても良い。

【0065】

次に、裏面側樹脂１８を所定の厚みだけ研磨して、金属基板３１の裏面を露出させる（図６（ｇ））。具体的には、裏面側樹脂１８を裏面側から研磨してゆき、金属基板３１の裏面が出現した際、裏面側樹脂１８の研磨を終了する。このとき、ダイパッド１１のダイパッド裏面１１ｂ及びリード部１２の外部端子１７を構成する金属面が裏面側に露出する。なお、裏面側樹脂１８を研磨する方法としては、例えば、半導体素子２１を所定の厚さに仕上げるための裏面研削（バックグラインドと言われている）と同様の方法を挙げることができる。

【0066】

次に、エッチング用レジスト層３２を剥離除去し、次いで金属基板３１を水洗及び乾燥させる（図６（ｈ））。

【0067】

その後、リード部１２のインナーリード５１に電解めっきを施す。これによりリード部１２のインナーリード５１上に金属（例えば銀）を析出させて、めっき層２５を形成する。このようにして図１乃至図３に示すリードフレーム１０が得られる（図６（ｉ））。

【0068】

（半導体装置の製造方法）
次に、図４及び図５に示す半導体装置２０の製造方法について、図７（ａ）－（ｆ）を用いて説明する。

【0069】

まず、例えば図６（ａ）－（ｉ）に示す方法により、リードフレーム１０を作製する（図７（ａ））。

【0070】

次に、リードフレーム１０のダイパッド１１上に、半導体素子２１を搭載する。この場合、例えばダイボンディングペースト等の接着剤２４を用いて、半導体素子２１をダイパッド１１上に載置して固定する（ダイアタッチ工程）（図７（ｂ））。

【0071】

次に、半導体素子２１の各電極２１ａと、各リード部１２に形成されためっき層２５とを、それぞれボンディングワイヤ（接続部材）２２によって互いに電気的に接続する（ワイヤボンディング工程）（図７（ｃ））。

【0072】

次に、リードフレーム１０に対して、例えば熱硬化性樹脂又は熱可塑性樹脂を射出成形又はトランスファ成形することにより、封止樹脂２３を形成する（図７（ｄ））。このようにして、リードフレーム１０、リード部１２、半導体素子２１及びボンディングワイヤ２２を封止する。

【0073】

次に、各半導体素子２１間の周囲領域１０ｂに位置する封止樹脂２３及びリード連結部１６をダイシングすることにより、リードフレーム１０を各半導体装置２０毎に分離する（図７（ｅ））。この際、例えばダイヤモンド砥石からなるブレード３８を回転させながら、周囲領域１０ｂに位置する封止樹脂２３及びリード連結部１６（支持リード１３）を切断しても良い。これにより、パッケージ間凹部１９のうち周囲領域１０ｂに位置する部分が除去され、各リード部１２のうち外部端子１７よりも外側の領域に、パッケージ間凹部１９の一部からなる凹部２６が形成される。この凹部２６は、リード部１２の裏面側及び側面側に開口する。

【0074】

このようにして、図４及び図５に示す半導体装置２０が得られる（図７（ｆ））。

【0075】

その後、半導体装置２０は配線基板８０に接続される（図８）。このとき、ダイパッド１１のダイパッド裏面１１ｂは、半田部８１によって配線基板８０に接続される。また、リード部１２の外部端子１７、凹部２６及び外面１２ａに設けられた半田めっきが、半田フィレット８２を形成する。これにより、リード部１２と配線基板８０とを安定して接続することができ、半導体装置２０の接続信頼性を向上することができる。また、半田フィレット８２が凹部２６の内部に充填されるので、外観検査時にリード部１２と配線基板８０とが接続されたことを外側から容易に確認することができる。

【0076】

本実施の形態によれば、周囲領域１０ｂを含む金属基板３１の裏面側の領域１０ｃを露出した状態で、金属基板３１の裏面側に裏面側樹脂１８を形成し、この裏面側樹脂１８によって裏面側凹部３６を覆う（図６（ｅ））。次いで、金属基板３１の裏面側から金属基板３１を厚み方向の途中までエッチングすることにより、周囲領域１０ｂにパッケージ間凹部１９を形成する（図６（ｆ））。その後、裏面側樹脂１８を所定の厚みだけ研磨する（図６（ｇ））。半導体装置２０を作製する際、このパッケージ間凹部１９は、部分的に切断されて、リード部１２の裏面側及び側面側に開口する凹部２６を形成する（図７（ｅ））。このように本実施の形態によれば、裏面側樹脂１８を有するリードフレーム１０を用いて作製された半導体装置２０において、半導体装置２０の側面に向けて開口する凹部２６を容易に形成することができる。

【0077】

また、本実施の形態によれば、金属基板３１の表面側から金属基板３１をエッチングする工程と、金属基板３１の裏面にパッケージ間凹部１９を形成する工程とが、同時に行われる（図６（ｆ））。これにより、金属基板３１からダイパッド１１及びリード部１２を形成するエッチングとパッケージ間凹部１９を形成するエッチングとを一度の作業で行うことができる。

【0078】

また、本実施の形態によれば、エッチングにより裏面側樹脂１８を表面側に露出させる工程及び金属基板３１の裏面にパッケージ間凹部１９を形成する工程（図６（ｆ））は、裏面側樹脂１８を研磨する工程（図６（ｇ））よりも前に行われる。これにより、金属基板３１の表面側をエッチングする際、パッケージ間凹部１９に対応する裏面側の領域１０ｃを除く金属基板３１の裏面側が裏面側樹脂１８によって覆われるので、金属基板３１の裏面側を他の部材で覆う工程を別途設ける必要がない。

【0079】

また、本実施の形態によれば、エッチング用レジスト層３２、３３を形成するためのフォトリソグラフィの工程を１回とすることができるので（図６（ｂ））、リードフレーム１０の製造工程を簡潔にすることができる。

【0080】

なお、上記実施の形態において、パッケージ間凹部１９は、リード部１２及びリード連結部１６の幅方向全域にわたって形成されている場合を例にとって説明したが（図２）、これに限られるものではない。図９に示すように、パッケージ間凹部１９は、リード部１２及びリード連結部１６の幅方向略中央に位置していても良い。この場合、パッケージ領域１０ａ内の外部端子１７は、底面から見て外側に向けて開放された凹形状（Ｕ字形状）となる。また周囲領域１０ｂにおいて、パッケージ間凹部１９の幅方向両側には、裏面側から薄肉化されていない縁部１２ｂが形成されている。なお、半導体装置２０を作製した後、リード部１２の外面は、半導体装置２０の外側から見て、逆凹形状（逆Ｕ字形状）となる。

【0081】

（第２の実施の形態）
次に、図１０乃至図１２を参照して第２の実施の形態について説明する。図１０乃至図１２は第２の実施の形態を示す図である。図１０乃至図１２に示す第２の実施の形態は、主として、ダイパッド１１及びリード部１２のうち裏面側樹脂１８に接触する部分が粗面化されている点が異なるものであり、他の構成は上述した第１の実施の形態と略同一である。図１０乃至図１２において、図１乃至図９に示す第１の実施の形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。

【0082】

（リードフレーム及び半導体装置の構成）
図１０は本実施の形態によるリードフレーム１０Ａを示す断面図であり、図１１は本実施の形態による半導体装置２０Ａを示す断面図である。

【0083】

図１０に示すリードフレーム１０Ａ及び図１１に示す半導体装置２０Ａにおいて、ダイパッド１１及びリード部１２のうち、裏面側樹脂１８に接触する部分が粗面化されている。具体的には、ダイパッド１１の第２ダイパッド側面１１ｄと、各リード部１２の端子部５３の内側面５３ａと、各リード部１２のインナーリード裏面５１ｂとがそれぞれ粗面化されている。

【0084】

この粗面化された部分は、後述するように金属基板３１の表面を粗面化処理（例えばマイクロエッチング処理）することにより形成される。すなわち、ダイパッド１１及びリード部１２の粗面化された部分のあらさは、ダイパッド１１及びリード部１２の他の部分よりも粗い。粗面化された部分の平均あらさは、例えばＲａ＝０．２μｍ以上０．６μｍ以下とすることができる。平均あらさＲａは、ＪＩＳ Ｂ０６０１で規定される算術平均あらさである。なお、図１０及び図１１において、便宜上、粗面化された部分を太い破線で示している（後述する図１２、図１６乃至図１８についても同様）。

【0085】

なお、図示していないが、ダイパッド１１のダイパッド裏面１１ｂとリード部１２の外部端子１７も同様に粗面化されていても良い。

【0086】

（リードフレームの製造方法）
次に、図１０に示すリードフレーム１０Ａの製造方法について、図１２（ａ）－（ｊ）を用いて説明する。図１２（ａ）－（ｊ）において、図６（ａ）－（ｉ）と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。

【0087】

まず、上述した図６（ａ）、（ｂ）に示す工程と略同様にして、金属基板３１を準備し（図１２（ａ））、金属基板３１の表裏にそれぞれエッチング用レジスト層３２、３３を形成する（図１２（ｂ））。

【0088】

次に、上述した図６（ｃ）に示す工程と略同様にして、ハーフエッチングにより、金属基板３１の裏面側から金属基板３１を厚み方向の途中まで薄肉化し、裏面側凹部３６を形成する（図１２（ｃ））。次いで、上述した図６（ｄ）に示す工程と略同様にして、裏面側のエッチング用レジスト層３３を剥離除去する（図１２（ｄ））。

【0089】

続いて、金属基板３１の裏面側を粗化する（図１２（ｅ））。このとき金属基板３１の裏面に対してマイクロエッチング液を供給し、金属基板３１の裏面全域に粗面を形成する。ここでマイクロエッチング液とは、金属表面を僅かに溶かし、微細な凹凸の粗面を形成する表面処理剤である。例えば銅又は銅合金からなる金属基板３１を粗面化する場合、過酸化水素水と硫酸を主成分とするマイクロエッチング液を用いても良い。

【0090】

続いて、上述した図６（ｅ）に示す工程と略同様にして、周囲領域１０ｂを含む裏面側の領域１０ｃを露出した状態で、金属基板３１の裏面側に裏面側樹脂１８を形成し、裏面側樹脂１８によって裏面側凹部３６を覆う（図１２（ｆ））。

【0091】

次に、上述した図６（ｆ）に示す工程と略同様にして、ハーフエッチングにより、金属基板３１の表面側から金属基板３１を厚み方向の途中まで薄肉化する（図１２（ｇ））。これにより、ダイパッド１１及びリード部１２の外形が形成される。また、ダイパッド１１とリード部１２との間に隙間が形成され、裏面側樹脂１８が表面側に露出する。同時に、ハーフエッチングにより、金属基板３１の裏面側から金属基板３１を厚み方向の途中まで薄肉化する。これにより、金属基板３１のうち周囲領域１０ｂを含む裏面側の領域１０ｃに、パッケージ間凹部１９を形成する。

【0092】

続いて、上述した図６（ｇ）に示す工程と略同様にして、裏面側樹脂１８を所定の厚みだけ研磨して、金属基板３１の裏面を露出させる（図１２（ｈ））。

【0093】

次に、上述した図６（ｈ）に示す工程と略同様にして、エッチング用レジスト層３２を剥離除去し、次いで金属基板３１を水洗及び乾燥させる（図１２（ｉ））。

【0094】

その後、上述した図６（ｉ）に示す工程と略同様にして、リード部１２のインナーリード５１にめっき層２５を形成する。このようにして図１０に示すリードフレーム１０Ａが得られる（図１２（ｊ））。

【0095】

（半導体装置の製造方法）
本実施の形態による半導体装置２０Ａの製造方法は、図７（ａ）－（ｆ）に示す半導体装置２０の製造方法と略同様にして行うことができる。

【0096】

本実施の形態によれば、ダイパッド１１及びリード部１２のうち裏面側樹脂１８に接触する部分が粗面化されている。これにより、ダイパッド１１及びリード部１２を構成する金属と、裏面側樹脂１８を構成する樹脂との密着性を高め、裏面側樹脂１８がダイパッド１１及びリード部１２から剥離することを抑制することができる。

【0097】

（第３の実施の形態）
次に、図１３乃至図１５を参照して第３の実施の形態について説明する。図１３乃至図１５は第３の実施の形態を示す図である。図１３乃至図１５に示す第３の実施の形態は、主として、裏面側樹脂１８がリードフレーム１０の厚み方向（Ｚ方向）全域に形成されている点等が異なるものである。図１３乃至図１５において、図１乃至図９に示す第１の実施の形態及び図１０乃至図１２に示す第２の実施の形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。

【0098】

（リードフレーム及び半導体装置の構成）
図１３は本実施の形態によるリードフレーム１０Ｂを示す断面図であり、図１４は本実施の形態による半導体装置２０Ｂを示す断面図である。

【0099】

図１３に示すリードフレーム１０Ｂ及び図１４に示す半導体装置２０Ｂにおいて、裏面側樹脂１８が、リードフレーム１０の厚み方向（Ｚ方向）の中間位置よりも裏面側（Ｚ方向マイナス側）だけでなく、厚み方向の中間位置よりも表面側（Ｚ方向プラス側）にも存在している。すなわち裏面側樹脂１８は、ダイパッド１１の第１ダイパッド側面１１ｃとリード部１２のインナーリード側面５１ｃとの間の空間にも充填されている。裏面側樹脂１８の樹脂表面１８ａと、ダイパッド１１のダイパッド表面１１ａと、リード部１２のインナーリード表面５１ａとは、互いに同一平面上に位置している。

【0100】

なお、本実施の形態によるリードフレーム１０Ｂにおいても、周囲領域１０ｂには支持リード（支持部材）１３が設けられている。

【0101】

（リードフレームの製造方法）
次に、図１３に示すリードフレーム１０Ｂの製造方法について、図１５（ａ）－（ｉ）を用いて説明する。図１５（ａ）－（ｉ）において、図６（ａ）－（ｉ）と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。

【0102】

まず、上述した図６（ａ）、（ｂ）に示す工程と略同様にして、金属基板３１を準備し（図１５（ａ））、金属基板３１の表裏にそれぞれエッチング用レジスト層３２、３３を形成する（図１５（ｂ））。

【0103】

次に、エッチング用レジスト層３２、３３を耐腐蝕膜として金属基板３１に腐蝕液でエッチングを施す。これにより、ダイパッド１１及びリード部１２の外形が形成される（図１５（ｃ））。

【0104】

次いで、エッチング用レジスト層３２、３３を剥離除去する（図１５（ｄ））。

【0105】

続いて、金属基板３１の表面側を樹脂フィルム等の被覆材３９で覆うとともに、周囲領域１０ｂを含む裏面側の領域１０ｃを露出した状態で、金属基板３１の裏面側に裏面側樹脂１８を形成する（図１５（ｅ））。これにより、裏面側樹脂１８によって領域１０ｃを除く金属基板３１の裏面側を覆うとともに、ダイパッド１１とリード部１２との間の領域に裏面側樹脂１８を充填する。

【0106】

次に、金属基板３１の表面側を被覆材３９で覆った状態で、ハーフエッチングにより、金属基板３１の裏面側から金属基板３１を厚み方向の途中まで薄肉化する（図１５（ｆ））。これにより、金属基板３１のうち周囲領域１０ｂを含む裏面側の領域１０ｃに、パッケージ間凹部１９を形成する。

【0107】

続いて、上述した図６（ｇ）に示す工程と略同様にして、裏面側樹脂１８を所定の厚みだけ研磨して、金属基板３１の裏面を露出させる（図１５（ｇ））。

【0108】

次に、金属基板３１の表面側の被覆材３９を剥離除去し、次いで金属基板３１を水洗及び乾燥させる（図１５（ｈ））。

【0109】

その後、上述した図６（ｉ）に示す工程と略同様にして、リード部１２のインナーリード５１にめっき層２５を形成する。このようにして図１３に示すリードフレーム１０Ｂが得られる（図１５（ｉ））。

【0110】

（半導体装置の製造方法）
本実施の形態による半導体装置２０Ｂの製造方法は、図７（ａ）－（ｆ）に示す半導体装置２０の製造方法と略同様にして行うことができる。

【0111】

本実施の形態によれば、裏面側樹脂１８がリードフレーム１０Ｂの厚み方向（Ｚ方向）全域に形成されている。これにより、ダイパッド１１及びリード部１２を構成する金属と、裏面側樹脂１８を構成する樹脂との密着性を高め、裏面側樹脂１８がダイパッド１１及びリード部１２から剥離することを抑制することができる。

【0112】

（第４の実施の形態）
次に、図１６乃至図１８を参照して第４の実施の形態について説明する。図１６乃至図１８は第４の実施の形態を示す図である。図１６乃至図１８に示す第４の実施の形態は、主として、ダイパッド１１及びリード部１２のうち裏面側樹脂１８に接触する部分が粗面化されている点が異なるものであり、他の構成は上述した第３の実施の形態と略同一である。図１６乃至図１８において、図１乃至図９に示す第１の実施の形態、図１０乃至図１２に示す第２の実施の形態、及び図１３乃至図１５に示す第３の実施の形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。

【0113】

（リードフレーム及び半導体装置の構成）
図１６は本実施の形態によるリードフレーム１０Ｃを示す断面図であり、図１７は本実施の形態による半導体装置２０Ｃを示す断面図である。

【0114】

図１６に示すリードフレーム１０Ｃ及び図１７に示す半導体装置２０Ｃにおいて、ダイパッド１１及びリード部１２のうち、裏面側樹脂１８に接触する部分が粗面化されている。具体的には、ダイパッド１１の第１ダイパッド側面１１ｃと、ダイパッド１１の第２ダイパッド側面１１ｄと、各リード部１２の端子部５３の内側面５３ａと、各リード部１２のインナーリード裏面５１ｂと、各リード部１２のインナーリード側面５１ｃとがそれぞれ粗面化されている。

【0115】

この粗面化された部分は、後述するように金属基板３１の表面を粗面化処理（例えばマイクロエッチング処理）することにより形成される。この粗面の構成については、上述した第２の実施の形態の場合（図１０及び図１１）と略同様である。

【0116】

（リードフレームの製造方法）
次に、図１６に示すリードフレーム１０Ｃの製造方法について、図１８（ａ）－（ｊ）を用いて説明する。図１８（ａ）－（ｊ）において、図６（ａ）－（ｉ）及び図１５（ａ）－（ｉ）と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。

【0117】

まず、上述した図１５（ａ）、（ｂ）に示す工程と略同様にして、金属基板３１を準備し（図１８（ａ））、金属基板３１の表裏にそれぞれエッチング用レジスト層３２、３３を形成する（図１８（ｂ））。

【0118】

次に、上述した図１５（ｃ）に示す工程と略同様にして、エッチング用レジスト層３２、３３を耐腐蝕膜として金属基板３１に腐蝕液でエッチングを施す。これにより、ダイパッド１１及びリード部１２の外形が形成される（図１８（ｃ））。

【0119】

次いで、表面側のエッチング用レジスト層３２を残して、裏面側のエッチング用レジスト層３３を剥離除去し、次いで金属基板３１を水洗及び乾燥させる（図１８（ｄ））。

【0120】

続いて、金属基板３１の裏面側を粗化する（図１８（ｅ））。このとき金属基板３１の裏面に対してマイクロエッチング液を供給し、金属基板３１の裏面全域に粗面を形成する。ここでマイクロエッチング液とは、金属表面を僅かに溶かし、微細な凹凸の粗面を形成する表面処理剤である。銅又は銅合金からなる金属基板３１を粗面化する場合、過酸化水素水と硫酸を主成分とするマイクロエッチング液を用いても良い。

【0121】

続いて、表面側のエッチング用レジスト層３２を剥離除去するとともに、上述した図１５（ｅ）に示す工程と略同様にして、金属基板３１の表面側を樹脂フィルム等の被覆材３９で覆う。次いで、周囲領域１０ｂを含む裏面側の領域１０ｃを露出した状態で、金属基板３１の裏面側に裏面側樹脂１８を形成する（図１８（ｆ））。これにより、裏面側樹脂１８によって領域１０ｃを除く金属基板３１の裏面側を覆うとともに、ダイパッド１１とリード部１２との間の領域に裏面側樹脂１８を充填する。

【0122】

次に、上述した図１５（ｆ）に示す工程と略同様にして、金属基板３１の表面側を被覆材３９で覆った状態で、ハーフエッチングにより、金属基板３１の裏面側から金属基板３１を厚み方向の途中まで薄肉化する（図１８（ｇ））。これにより、金属基板３１のうち周囲領域１０ｂを含む裏面側の領域１０ｃに、パッケージ間凹部１９を形成する。

【0123】

続いて、上述した図１５（ｇ）に示す工程と略同様にして、裏面側樹脂１８を所定の厚みだけ研磨して、金属基板３１の裏面を露出させる（図１８（ｈ））。

【0124】

次に、上述した図１５（ｈ）に示す工程と略同様にして、金属基板３１の表面側の被覆材３９を剥離除去し、次いで金属基板３１を水洗及び乾燥させる（図１８（ｉ））。

【0125】

その後、上述した図１５（ｉ）に示す工程と略同様にして、リード部１２のインナーリード５１にめっき層２５を形成する。このようにして図１６に示すリードフレーム１０Ｃが得られる（図１８（ｊ））。

【0126】

（半導体装置の製造方法）
本実施の形態による半導体装置２０Ｃの製造方法は、図７（ａ）－（ｆ）に示す半導体装置２０の製造方法と略同様にして行うことができる。

【0127】

本実施の形態によれば、ダイパッド１１及びリード部１２のうち裏面側樹脂１８に接触する部分が粗面化されている。また、裏面側樹脂１８がリードフレーム１０Ｃの厚み方向（Ｚ方向）全域に形成されている。これにより、ダイパッド１１及びリード部１２を構成する金属と、裏面側樹脂１８を構成する樹脂との密着性を高め、裏面側樹脂１８がダイパッド１１及びリード部１２から剥離することを抑制することができる。

【0128】

上記各実施の形態及び変形例に開示されている複数の構成要素を必要に応じて適宜組合せることも可能である。あるいは、上記各実施の形態及び変形例に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。

【符号の説明】

【0129】

１０ リードフレーム
１０ａ パッケージ領域
１１ ダイパッド
１２ リード部
１５ 内部端子
１７ 外部端子
１８ 裏面側樹脂
２０ 半導体装置
２１ 半導体素子
２２ ボンディングワイヤ（接続部材）
２３ 封止樹脂
２４ 接着剤
２５ めっき層
３１ 金属基板
３６ 裏面側凹部

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】