知財求人 - 知財ポータルサイト「IP Force」
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024000972
(43)【公開日】2024-01-09
(54)【発明の名称】二軸配向ポリエステルフィルム
(51)【国際特許分類】
B32B 27/36 20060101AFI20231226BHJP
B32B 27/00 20060101ALI20231226BHJP
【ＦＩ】
B32B27/36
B32B27/00 L
【審査請求】未請求
【請求項の数】13
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023090637
(22)【出願日】2023-06-01
(31)【優先権主張番号】P 2022099411
(32)【優先日】2022-06-21
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(71)【出願人】
【識別番号】000003159
【氏名又は名称】東レ株式会社
(72)【発明者】
【氏名】安島 怜甫
(72)【発明者】
【氏名】金子 裕介
【テーマコード（参考）】
4F100
【Ｆターム（参考）】
4F100AK42A
4F100AK42B
4F100AK42C
4F100AT00
4F100BA03
4F100CA24A
4F100CA24C
4F100CA24H
4F100DD07A
4F100DD07C
4F100EH202
4F100EJ38
4F100GB41
4F100JL14
4F100JN01
4F100YY00
(57)【要約】 （修正有）
【課題】露光面における粒子含有層の厚みを含有される粒子の粒径よりも小さくし、厚み方向における粒子の重なりを減らすことで、露光時の紫外光の散乱を低減し、高ハンドリング性を維持した上で、レジストパターン壁面に生じる凹凸の発生を抑制できるドライフィルムレジスト支持体に好適な二軸配向ポリエステルフィルムを提供する。
【解決手段】下記（１）と（２）を満たす、二軸配向積層ポリエステルフィルム。
（１）少なくとも片方の表層に式１～３を満たすポリエステル層Ａ（Ａ層）とフィルム表面を有さないＣ層とを有する少なくとも３層以上で構成される積層ポリエステルフィルムである。
（２）Ａ層に含有される最も粒径が大きい粒子Ａの粒径をＤＡ（μｍ）、Ａ層の厚みをＴＡ（μｍ）とするとき、ＤＡが式１を、ＴＡが式２を、ＤＡ－ＴＡが式３を満たす。
０．１０＜ＤＡ≦０．３０（式１）
０．０５＜ＴＡ（式２）
０．０２≦ＤＡ－ＴＡ≦０．１５（式３）
【選択図】なし
【解決手段】下記（１）と（２）を満たす、二軸配向積層ポリエステルフィルム。
（１）少なくとも片方の表層に式１～３を満たすポリエステル層Ａ（Ａ層）とフィルム表面を有さないＣ層とを有する少なくとも３層以上で構成される積層ポリエステルフィルムである。
（２）Ａ層に含有される最も粒径が大きい粒子Ａの粒径をＤＡ（μｍ）、Ａ層の厚みをＴＡ（μｍ）とするとき、ＤＡが式１を、ＴＡが式２を、ＤＡ－ＴＡが式３を満たす。
０．１０＜ＤＡ≦０．３０（式１）
０．０５＜ＴＡ（式２）
０．０２≦ＤＡ－ＴＡ≦０．１５（式３）
【選択図】なし
【特許請求の範囲】
【請求項1】
下記（１）と（２）を満たすことを特徴とする、ドライフィルムレジスト支持体用途に用いる二軸配向積層ポリエステルフィルム。
（１）少なくとも片方の表層に下記式１～３を満たすポリエステル層Ａ（Ａ層）とフィルム表面を有さないＣ層とを有する少なくとも３層以上で構成される積層ポリエステルフィルムであること。
（２）前記Ａ層に含有される最も粒径が大きい粒子である粒子Ａの粒径をＤＡ（μｍ）、Ａ層の厚みをＴＡ（μｍ）とするとき、ＤＡが下記式１を、ＴＡが下記式２を、ＤＡ－ＭＡが下記式３を満たすこと。
０．１０＜ＤＡ≦０．３０（式１）
０．０５＜ＴＡ（式２）
０．０２≦ＤＡ－ＴＡ≦０．１５ （式３）
（１）少なくとも片方の表層に下記式１～３を満たすポリエステル層Ａ（Ａ層）とフィルム表面を有さないＣ層とを有する少なくとも３層以上で構成される積層ポリエステルフィルムであること。
（２）前記Ａ層に含有される最も粒径が大きい粒子である粒子Ａの粒径をＤＡ（μｍ）、Ａ層の厚みをＴＡ（μｍ）とするとき、ＤＡが下記式１を、ＴＡが下記式２を、ＤＡ－ＭＡが下記式３を満たすこと。
０．１０＜ＤＡ≦０．３０（式１）
０．０５＜ＴＡ（式２）
０．０２≦ＤＡ－ＴＡ≦０．１５ （式３）
【請求項2】
前記Ａ層のフィルム表面（Ａ）において、高さ５ｎｍ以上１５ｎｍ未満の突起個数をｎ（個／ｍｍ２）としたとき、ｎが１．５×１０４以上３．０×１０４以下であり、高さ１５ｎｍ以上２５ｎｍ未満の突起個数をｎ´（個／ｍｍ２）としたとき、ｎ´が０．３×１０３以上１．５×１０３以下である請求項１に記載の二軸配向ポリエステルフィルム。
【請求項3】
前記フィルム表面（Ａ）の算術平均粗さをＳＲａ（Ａ）、１０点平均表面粗さをＳＲｚ（Ａ）、算術平均表面傾斜をΔａ（Ａ）、幾何平均表面傾斜をΔｑ（Ａ）としたとき、ＳＲａ（Ａ）が１．５ｎｍ以上４．０ｎｍ以下、ＳＲｚ（Ａ）が３０ｎｍ以上７０ｎｍ以下、Δａ（Ａ）が１．０μｍ／ｍｍ以上１．８μｍ／ｍｍ以下、Δｑ（Ａ）が２．０μｍ／ｍｍ以上２．８μｍ／ｍｍ以下である請求項１または請求項２に記載の二軸配向ポリエステルフィルム。
【請求項4】
前記フィルム表面（Ａ）が、粒径０．０１μｍ以上の不活性粒子を含有する長径１．０μｍ以上の凝集物を有しており、当該凝集物を核とするボイドの個数が５個／１０ｍｍ２未満である請求項１又は２に記載の二軸配向ポリエステルフィルム。
【請求項5】
前記Ａ層が粒子を含有しており、当該層に含有する粒子について、横軸に粒子径、縦軸に粒子の存在個数をプロットしたとき、粒子径が１０～１５０ｎｍの範囲と、粒子径が１００～３００ｎｍの範囲のそれぞれに１つ以上の極大値を有する請求項１又は２に記載の二軸配向ポリエステルフィルム。
【請求項6】
前記Ａ層とは反対側のフィルム表層が下記（３）を満たすポリエステル層Ｂ（Ｂ層）である請求項１又は２に記載の二軸配向ポリエステルフィルム。
（３）Ｂ層のフィルム表面（Ｂ）の算術平均粗さをＳＲａ（Ｂ）、１０点平均表面粗さをＳＲｚ（Ｂ）とするとき、前記ＳＲａ（Ａ）とＳＲａ（Ｂ）の差の絶対値が２．０ｎｍ以下であり、前記ＳＲｚ（Ａ）とＳＲｚ（Ｂ）の差の絶対値が５０ｎｍ以下である。
（３）Ｂ層のフィルム表面（Ｂ）の算術平均粗さをＳＲａ（Ｂ）、１０点平均表面粗さをＳＲｚ（Ｂ）とするとき、前記ＳＲａ（Ａ）とＳＲａ（Ｂ）の差の絶対値が２．０ｎｍ以下であり、前記ＳＲｚ（Ａ）とＳＲｚ（Ｂ）の差の絶対値が５０ｎｍ以下である。
【請求項7】
フィルムヘイズが０．５％以下である請求項１又は２に記載の二軸配向ポリエステルフィルム。
【請求項8】
前記Ｂ層が粒子を含有しており、当該層に含有する粒子について、横軸に粒子径、縦軸に粒子の存在比率をプロットしたとき、粒子径が１０～２００ｎｍの範囲に１つ以上の極大値を有する請求項１又は２に記載の二軸配向ポリエステルフィルム。
【請求項9】
前記表面（Ａ）と前記表面（Ｂ）間の静止摩擦係数μｓが０．７以上１．３以下かつ、前記表面（Ａ）と前記表面（Ｂ）間の動摩擦係数μｄが０．６以上１．２以下である請求項１又は２に記載の二軸配向ポリエステルフィルム。
【請求項10】
前記Ｃ層において、長手方向０．８８ｃｍ×幅方向１．１６ｃｍの領域をレーザー顕微鏡により１０回観察したときに存在する長径１５．０μｍ以上の粗大物の数が５個以下であり、長径１０．０μｍ以上１５．０μｍ未満の粗大物の数が３０個以下であり、長径１．０μｍ以上１０．０μｍ未満の粗大物の数が１０００個以下である請求項１又は２に記載の二軸配向ポリエステルフィルム。
【請求項11】
１５０℃における寸法変化率が長手方向で３．０％以下、幅方向で２．０％以下であり、１００℃における寸法変化率が長手方向、幅方向ともに１．０％以下である請求項１又は２に記載の二軸配向ポリエステルフィルム。
【請求項12】
ドライフィルムレジスト支持体用途に用いる際、前記表面（Ａ）側から紫外線露光されるように用いる請求項１又は２に記載の二軸配向ポリエステルフィルム。
【請求項13】
共押出し法により溶融製膜して得る請求項１又は２に記載の二軸配向ポリエステルフィルム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、二軸配向ポリエステルフィルムに関する。
【背景技術】
【0002】
ドライフィルムレジスト（以下ＤＦＲと呼ぶ場合がある）は、プリント配線基板、半導体パッケージ、フレキシブル基板などの回路を形成するために用いられている。ＤＦＲは、感光層（フォトレジスト層）を、支持体としてのポリエステルフィルム上に積層させた後、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリエステルフィルムなどからなる保護フィルム（カバーフィルム）で挟んだ構造をしている。このＤＦＲを用いて導体回路を作製するには、一般的に次のような工程が採用される。
１）ＤＦＲから保護フィルムを剥離し、露出したレジスト層の表面と、基板上の銅箔などの導電性基材層の表面とが密着するように、基板・導電性基材層とラミネートする工程。
２）次に、導体回路パターンを焼き付けたフォトマスクを、ポリエステルフィルムからなる支持体上に置き、その上から、感光性樹脂を主体としたレジスト層に紫外線を照射して、露光させる工程。
３）その後、フォトマスクおよびポリエステルフィルムを剥離した後、溶剤によってレジスト層中の未反応分を溶解、除去する工程。
４）次いで、酸などでエッチングを行い、導電性基材層中の露出した部分を溶解、除去する工程。
１）ＤＦＲから保護フィルムを剥離し、露出したレジスト層の表面と、基板上の銅箔などの導電性基材層の表面とが密着するように、基板・導電性基材層とラミネートする工程。
２）次に、導体回路パターンを焼き付けたフォトマスクを、ポリエステルフィルムからなる支持体上に置き、その上から、感光性樹脂を主体としたレジスト層に紫外線を照射して、露光させる工程。
３）その後、フォトマスクおよびポリエステルフィルムを剥離した後、溶剤によってレジスト層中の未反応分を溶解、除去する工程。
４）次いで、酸などでエッチングを行い、導電性基材層中の露出した部分を溶解、除去する工程。
【0003】
４）の工程の後には、レジスト層中の光反応部分とこの光反応部分に対応する導電性基材層部分がそのまま残り、その後、残ったレジスト層を除去する工程を経て、基板上の導体回路が形成されることになる。このため、支持体であるポリエステルフィルムには、紫外線を効率的に透過できることが要求される。これにより、導体回路パターンが、正確にレジスト層上に反映される。特に、近年では、ＩＴ機器など小型化、軽量化などに伴い、プリント配線板の微細化、高密度化が進んでおり、配線の幅や配線の間隔が５μｍ程度といった微細パターンを形成し、高解像化を達成できるドライフィルムレジスト支持体用ポリエステルフィルムが要求されている。また、支持体としてのポリエステルフィルムは、支持体上にレジスト層を形成してレジストフィルムを製造する際のハンドリング性を良好にするために、適度なすべり性を有することが重要であるが、適度なすべり性を付与するために易滑材としての粒子を含有させた場合、含有させた粒子が凝集し、露光工程時の紫外線照射の際、粒子による光散乱の透過と反射が共に引き起こされ、レジストの解像度を低下させてしまうという問題が生じていた。
【0004】
そこで、フィルムの表面を高平滑にして、かつヘイズ値を低くすることや、波長３６５ｎｍにおける透過率を一定範囲内とすることを特徴とするドライフィルムレジスト支持体用ポリエステルフィルムが提案されている（特許文献１）。また、帯電防止剤の配合によりレジスト用ポリエステルフィルムを製造する際のハンドリング性、ゴミや異物の付着防止や、該フィルムを用いたレジストフィルム自身のハンドリング性、ゴミや異物の付着防止を向上させる技術が開示されている（特許文献２、３、４）。また、含有させる粒子を任意の製造段階で添加することにより分散性を改善し粒子の凝集を防止する技術が開示されている（特許文献５）。さらに、粒子を核とした突起およびくぼみによる凹凸部を所定の範囲とすることで、フィルム表面近傍での反射や散乱によるレジストパターンの抜けを抑制させることができる技術も開示されている（特許文献６、７）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【特許文献1】特開２０１６－８７８５４号公報
【特許文献2】特開２００１－１１７２３７号公報
【特許文献3】特開２００６－３２７１５８号公報
【特許文献4】特開２００７－２５４６４０号公報
【特許文献5】特開２０１４－９８１３６号公報
【特許文献6】特開２０２０－５９２４２号公報
【特許文献7】特開２０２２－６４２９５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
しかしながら、これら前記の提案でも、高解像度化の要求を満足することは難しく、現像後のレジストのパターニングにゆがみや、抜け、レジストパターン壁面の状態が悪いなどの欠点が十分に解消できず、依然として、高解像度化への品質向上が求められている。特に、近年では配線の幅や間隔が５μｍ程度の微細パターンが要求されていることから、２μｍ程度の粗大物は、レジストの欠陥につながるとされている。粗大物としては、例えばベースフィルム上に付与された粒子やポリエステル樹脂組成物に含まれる金属触媒の凝集物を核として、延伸過程で形成される気泡（ボイド）が挙げられる。この凝集物含有ボイドが存在すると、露光工程で照射された紫外線が散乱し、パターン通りにレジストが硬化しない。ベースフィルムに含有させる粒子の凝集を防ぎ、上記の粒子含有ボイドを減らすために、粒子の添加量を少なく、また、サイズを小さくした結果、フィルム製造工程や上記ＤＦＲ製造工程にて収率が低下、特に、すべり性が悪化したことで巻きに関わる問題が目立って発生しているため、生産性（フィルム巻き取り性）向上の要求も達成しなければならない。
【0007】
これらの事情に鑑み、本発明は、露光面における粒子含有層の厚みをその粒子層に含有される粒子の粒径よりも小さくし、厚み方向における粒子の重なりを減らすことで、露光時の紫外光の散乱を低減し露光時の反射強度が小さく、高ハンドリング性を維持した上で、レジストパターン壁面に生じる凹凸の発生を抑制できるドライフィルムレジスト支持体に好適な二軸配向ポリエステルフィルムを提供することその課題とする。
【課題を解決するための手段】
【0008】
本発明は、以下の特徴を有する。
［Ｉ］下記（１）と（２）を満たすことを特徴とする、ドライフィルムレジスト支持体用途に用いる二軸配向積層ポリエステルフィルム。
（１）少なくとも片方の表層に下記式１～３を満たすポリエステル層Ａ（Ａ層）とフィルム表面を有さないＣ層とを有する少なくとも３層以上で構成される積層ポリエステルフィルムであること。
（２）前記Ａ層に含有される最も粒径が大きい粒子である粒子Ａの粒径をＤＡ（μｍ）、Ａ層の厚みをＴＡ（μｍ）とするとき、ＤＡが下記式１を、ＴＡが下記式２を、ＤＡ－ＭＡが下記式３を満たすこと。
０．１０＜ＤＡ≦０．３０（式１）
０．０５＜ＴＡ（式２）
０．０２≦ＤＡ－ＴＡ≦０．１５ （式３）
［ＩＩ］前記Ａ層のフィルム表面（Ａ）において、高さ５ｎｍ以上１５ｎｍ未満の突起個数をｎ（個／ｍｍ２）としたとき、ｎが１．５×１０４以上３．０×１０４以下であり、高さ１５ｎｍ以上２５ｎｍ未満の突起個数をｎ´（個／ｍｍ２）としたとき、ｎ´が０．３×１０３以上１．５×１０３以下である［Ｉ］に記載の二軸配向ポリエステルフィルム。
［ＩＩＩ］前記フィルム表面（Ａ）の算術平均粗さをＳＲａ（Ａ）、１０点平均表面粗さをＳＲｚ（Ａ）、算術平均表面傾斜をΔａ（Ａ）、幾何平均表面傾斜をΔｑ（Ａ）としたとき、ＳＲａ（Ａ）が１．５ｎｍ以上４．０ｎｍ以下、ＳＲｚ（Ａ）が３０ｎｍ以上７０ｎｍ以下、Δａ（Ａ）が１．０μｍ／ｍｍ以上１．８μｍ／ｍｍ以下、Δｑ（Ａ）が２．０μｍ／ｍｍ以上２．８μｍ／ｍｍ以下である［Ｉ］または［ＩＩ］に記載の二軸配向ポリエステルフィルム。
［ＩＶ］前記フィルム表面（Ａ）が、粒径０．０１μｍ以上の不活性粒子を含有する長径１．０μｍ以上の凝集物を有しており、当該凝集物を核とするボイドの個数が５個／１０ｍｍ２未満である［Ｉ］～［ＩＩＩ］のいずれかに記載の二軸配向ポリエステルフィルム。
［Ｖ］前記Ａ層が粒子を含有しており、当該層に含有する粒子について、横軸に粒子径、縦軸に粒子の存在個数をプロットしたとき、粒子径が１０～１５０ｎｍの範囲と、粒子径が１００～３００ｎｍの範囲のそれぞれに１つ以上の極大値を有する［Ｉ］～［ＩＶ］のいずれかに記載の二軸配向ポリエステルフィルム。
［ＶＩ］前記Ａ層とは反対側のフィルム表層が下記（３）を満たすポリエステル層Ｂ（Ｂ層）である［Ｉ］～［Ｖ］のいずれかに記載の二軸配向ポリエステルフィルム。
（３）Ｂ層のフィルム表面（Ｂ）の算術平均粗さをＳＲａ（Ｂ）、１０点平均表面粗さをＳＲｚ（Ｂ）とするとき、前記ＳＲａ（Ａ）とＳＲａ（Ｂ）の差の絶対値が２．０ｎｍ以下であり、前記ＳＲｚ（Ａ）とＳＲｚ（Ｂ）の差の絶対値が５０ｎｍ以下である。
［ＶＩＩ］フィルムヘイズが０．５％以下である［Ｉ］～［ＶＩ］のいずれかに記載の二軸配向ポリエステルフィルム。
［ＶＩＩＩ］前記Ｂ層が粒子を含有しており、当該層に含有する粒子について、横軸に粒子径、縦軸に粒子の存在比率をプロットしたとき、粒子径が１０～２００ｎｍの範囲に１つ以上の極大値を有する［Ｉ］～［ＶＩＩ］のいずれかに記載の二軸配向ポリエステルフィルム。
［ＩＸ］前記表面（Ａ）と前記表面（Ｂ）間の静止摩擦係数μｓが０．７以上１．３以下かつ、前記表面（Ａ）と前記表面（Ｂ）間の動摩擦係数μｄが０．６以上１．２以下である［Ｉ］～［ＶＩＩＩ］に記載の二軸配向ポリエステルフィルム。
［Ｘ］前記Ｃ層において、長手方向０．８８ｃｍ×幅方向１．１６ｃｍの領域をレーザー顕微鏡により１０回観察したときに存在する長径１５．０μｍ以上の粗大物の数が５個以下であり、長径１０．０μｍ以上１５．０μｍ未満の粗大物の数が３０個以下であり、長径１．０μｍ以上１０．０μｍ未満の粗大物の数が１０００個以下である［Ｉ］～［ＩＸ］に記載の二軸配向積層ポリエステルフィルム。
［ＸＩ］１５０℃における寸法変化率が長手方向で３．０％以下、幅方向で２．０％以下であり、１００℃における寸法変化率が長手方向、幅方向ともに１．０％以下である［Ｉ］～［Ｘ］のいずれかに記載の二軸配向ポリエステルフィルム。
［ＸＩＩ］ドライフィルムレジスト支持体用途に用いる際、前記表面（Ａ）側から紫外線露光されるように用いる［Ｉ］～［ＸＩ］のいずれかに記載の二軸配向ポリエステルフィルム。
［ＸＩＩＩ］共押出し法により溶融製膜して得る［Ｉ］～［ＸＩＩ］のいずれかに記載の二軸配向ポリエステルフィルムの製造方法。
［Ｉ］下記（１）と（２）を満たすことを特徴とする、ドライフィルムレジスト支持体用途に用いる二軸配向積層ポリエステルフィルム。
（１）少なくとも片方の表層に下記式１～３を満たすポリエステル層Ａ（Ａ層）とフィルム表面を有さないＣ層とを有する少なくとも３層以上で構成される積層ポリエステルフィルムであること。
（２）前記Ａ層に含有される最も粒径が大きい粒子である粒子Ａの粒径をＤＡ（μｍ）、Ａ層の厚みをＴＡ（μｍ）とするとき、ＤＡが下記式１を、ＴＡが下記式２を、ＤＡ－ＭＡが下記式３を満たすこと。
０．１０＜ＤＡ≦０．３０（式１）
０．０５＜ＴＡ（式２）
０．０２≦ＤＡ－ＴＡ≦０．１５ （式３）
［ＩＩ］前記Ａ層のフィルム表面（Ａ）において、高さ５ｎｍ以上１５ｎｍ未満の突起個数をｎ（個／ｍｍ２）としたとき、ｎが１．５×１０４以上３．０×１０４以下であり、高さ１５ｎｍ以上２５ｎｍ未満の突起個数をｎ´（個／ｍｍ２）としたとき、ｎ´が０．３×１０３以上１．５×１０３以下である［Ｉ］に記載の二軸配向ポリエステルフィルム。
［ＩＩＩ］前記フィルム表面（Ａ）の算術平均粗さをＳＲａ（Ａ）、１０点平均表面粗さをＳＲｚ（Ａ）、算術平均表面傾斜をΔａ（Ａ）、幾何平均表面傾斜をΔｑ（Ａ）としたとき、ＳＲａ（Ａ）が１．５ｎｍ以上４．０ｎｍ以下、ＳＲｚ（Ａ）が３０ｎｍ以上７０ｎｍ以下、Δａ（Ａ）が１．０μｍ／ｍｍ以上１．８μｍ／ｍｍ以下、Δｑ（Ａ）が２．０μｍ／ｍｍ以上２．８μｍ／ｍｍ以下である［Ｉ］または［ＩＩ］に記載の二軸配向ポリエステルフィルム。
［ＩＶ］前記フィルム表面（Ａ）が、粒径０．０１μｍ以上の不活性粒子を含有する長径１．０μｍ以上の凝集物を有しており、当該凝集物を核とするボイドの個数が５個／１０ｍｍ２未満である［Ｉ］～［ＩＩＩ］のいずれかに記載の二軸配向ポリエステルフィルム。
［Ｖ］前記Ａ層が粒子を含有しており、当該層に含有する粒子について、横軸に粒子径、縦軸に粒子の存在個数をプロットしたとき、粒子径が１０～１５０ｎｍの範囲と、粒子径が１００～３００ｎｍの範囲のそれぞれに１つ以上の極大値を有する［Ｉ］～［ＩＶ］のいずれかに記載の二軸配向ポリエステルフィルム。
［ＶＩ］前記Ａ層とは反対側のフィルム表層が下記（３）を満たすポリエステル層Ｂ（Ｂ層）である［Ｉ］～［Ｖ］のいずれかに記載の二軸配向ポリエステルフィルム。
（３）Ｂ層のフィルム表面（Ｂ）の算術平均粗さをＳＲａ（Ｂ）、１０点平均表面粗さをＳＲｚ（Ｂ）とするとき、前記ＳＲａ（Ａ）とＳＲａ（Ｂ）の差の絶対値が２．０ｎｍ以下であり、前記ＳＲｚ（Ａ）とＳＲｚ（Ｂ）の差の絶対値が５０ｎｍ以下である。
［ＶＩＩ］フィルムヘイズが０．５％以下である［Ｉ］～［ＶＩ］のいずれかに記載の二軸配向ポリエステルフィルム。
［ＶＩＩＩ］前記Ｂ層が粒子を含有しており、当該層に含有する粒子について、横軸に粒子径、縦軸に粒子の存在比率をプロットしたとき、粒子径が１０～２００ｎｍの範囲に１つ以上の極大値を有する［Ｉ］～［ＶＩＩ］のいずれかに記載の二軸配向ポリエステルフィルム。
［ＩＸ］前記表面（Ａ）と前記表面（Ｂ）間の静止摩擦係数μｓが０．７以上１．３以下かつ、前記表面（Ａ）と前記表面（Ｂ）間の動摩擦係数μｄが０．６以上１．２以下である［Ｉ］～［ＶＩＩＩ］に記載の二軸配向ポリエステルフィルム。
［Ｘ］前記Ｃ層において、長手方向０．８８ｃｍ×幅方向１．１６ｃｍの領域をレーザー顕微鏡により１０回観察したときに存在する長径１５．０μｍ以上の粗大物の数が５個以下であり、長径１０．０μｍ以上１５．０μｍ未満の粗大物の数が３０個以下であり、長径１．０μｍ以上１０．０μｍ未満の粗大物の数が１０００個以下である［Ｉ］～［ＩＸ］に記載の二軸配向積層ポリエステルフィルム。
［ＸＩ］１５０℃における寸法変化率が長手方向で３．０％以下、幅方向で２．０％以下であり、１００℃における寸法変化率が長手方向、幅方向ともに１．０％以下である［Ｉ］～［Ｘ］のいずれかに記載の二軸配向ポリエステルフィルム。
［ＸＩＩ］ドライフィルムレジスト支持体用途に用いる際、前記表面（Ａ）側から紫外線露光されるように用いる［Ｉ］～［ＸＩ］のいずれかに記載の二軸配向ポリエステルフィルム。
［ＸＩＩＩ］共押出し法により溶融製膜して得る［Ｉ］～［ＸＩＩ］のいずれかに記載の二軸配向ポリエステルフィルムの製造方法。
【発明の効果】
【0009】
本発明のドライフィルムレジスト支持体に好適な二軸配向ポリエステルフィルムは、露光時の反射強度が小さく、レジストパターン壁面に生じる凹凸が少なく、かつハンドリング性に優れているという利点を有する。
【図面の簡単な説明】
【0010】
【図1】三次元微細表面形状測定器で測定される幾何平均表面傾斜Δｑ（Ａ）をあらわす概念図である。
【発明を実施するための形態】
【0011】
本発明の二軸配向ポリエステルフィルムは、フィルムの滑り性を高くし、かつ高い透過性も向上する観点から、３層以上の積層構造を有する。本発明の二軸配向ポリエステルフィルムは、３層の積層構造を有することが好ましい。３層の積層構造を有する場合、Ａ層／Ｃ層／Ａ層の２種３層の積層構造でもよく、Ａ層／Ｃ層／Ｂ層の３種３層の積層構造でもよい。Ａ層／Ｃ層／Ｂ層の３種３層の積層構造であると、Ａ層のフィルム表面（Ａ）、Ｂ層のフィルム表面（Ｂ）をそれぞれ好適な特性を付与することが容易となるため好ましい。フィルム表面（Ｂ）側にレジスト層を積層した場合は、フィルム表面（Ａ）側から紫外線露光されるように用いる。また、レジスト層にカバーフィルムを貼合し巻き取った際には、表面（Ａ）側がカバーフィルムと接する面となる。なお、フィルム表面とは、フィルム長手方向、幅方向を含む表面のことをいう。
【0012】
本発明の二軸配向ポリエステルフィルムにおいて、露光時の紫外光の散乱を低減し、高ハンドリング性を維持した上で、レジストパターン壁面に生じる凹凸の発生を抑制するためには、Ａ層に含有される最も粒径が大きい粒子である粒子Ａの粒径をＤＡ（μｍ）、フィルム表面を有するポリエステル層Ａの厚みをＴＡ（μｍ）とするとき、ＤＡが下記式１を、ＴＡが下記式２を、ＤＡ－ＭＡが下記式３を満たすことが重要である。
・０．１０＜ＤＡ≦０．３０（式１）
・０．０５＜ＴＡ（式２）
・０．０２≦ＤＡ－ＴＡ≦０．１５ （式３）
・０．１０＜ＤＡ≦０．３０（式１）
・０．０５＜ＴＡ（式２）
・０．０２≦ＤＡ－ＴＡ≦０．１５ （式３）
【0013】
上記ＤＡが０．１μｍ以下では、フィルムの巻き取りに好適なすべり性を達成し難く、生産性が悪化することがある。また、レジスト塗布工程にてハンドリング性が悪化し、塗布が不安定となり、塗布斑が発生することや、塗布後の巻き取り時に、噛み込んだ空気が抜けにくくなることによる、巻きズレを起こすことがある。一方でＤＡが０．３０μｍを超える場合は、表面に形成された凹凸や含有粒子の凝集により、露光工程での光の入射角が不均一になり、光が散乱しやすくなるため、レジストパターン壁面に凹凸が生じることがある。上記ＴＡが０．０５μｍ以下の場合は、二軸式ベント式押出機内部の溶融ポリマーの充填率が低下し、背圧が不安定になることで、真空破壊や厚み変動が起きやすくなる。さらに、本発明者らは、二軸配向ポリエステルフィルムをドライフィルムレジスト支持体用途として用いる際、得られるレジストに発生するレジストパターン壁面に生じる凹凸の発生を抑制すべく鋭意検討した結果、上記ＤＡとＴＡとの差を０．０２以上０．１５以下の範囲に制御すると、厚み方向における粒子の重なりが減り、露光時の紫外光の散乱が低減されることで、レジストパターン壁面に生じる凹凸が小さくなり、かつフィルム表面から粒子の一部が剥き出しの状態になるため、ハンドリング性に優れることを明らかにした。上記ＤＡ－ＴＡが０．０２以下では、フィルムの巻き取りに好適なすべり性を達成し難く、生産性が悪化する。また、レジスト塗布工程にてハンドリング性が悪化し、塗布が不安定となり、塗布斑が発生することや、塗布後の巻き取り時に、噛み込んだ空気が抜けにくくなることによる、巻きズレを起こすことがある。一方で、ＤＡ－ＴＡが０．１５を超える場合は、フィルムやＤＦＲの製造工程にて、フィルムから粒子が脱落してしまう場合がある。
【0014】
フィルム表面（Ａ）において、高さ５ｎｍ以上１５ｎｍ未満の突起個数をｎ（個／ｍｍ２）としたとき、ｎが１．５×１０４以上３．０×１０４以下であり、高さ１５ｎｍ以上２５ｎｍ未満の突起個数をｎ´（個／ｍｍ２）としたとき、ｎ´が０．３×１０３以上１．５×１０３以下であることが望ましい。ｎおよびｎ´を上述の範囲とするには、表面（Ａ）を有する層（Ａ層）を構成するポリエステル樹脂に、後述する特定の有機粒子あるいは無機粒子を特定量含有させることによって達成できる。高さ５ｎｍ以上１５ｎｍ未満の突起個数および高さ１５ｎｍ以上２５ｎｍ未満の突起個数は、後述の方法に従って非接触光学式粗さ測定器にて測定される。本発明における前記表面に存在する高さ５ｎｍ以上１５ｎｍ未満の突起個数ｎ（個／ｍｍ２）は、フィルムをロール状に巻き取る際にフィルム間で発生する摩擦を軽減する効果やＤＦＲ加工工程にてロールが巻き出された際に発生する剥離帯電や摩擦軽減する効果を担う突起の個数を反映している。ｎ（個／ｍｍ２）が１．５×１０４以上の場合、フィルムの前記表面と他の面との接触面積が低下するため、フィルムの巻取り性や巻き出し性が向上する。特に、フィルムの巻取り性においては、フィルム両面の静摩擦係数が低いことでロール巻取り時のフィルム蛇行やばたつきに由来する巻きズレが発生した際も追従し解消できるため、ロールに巻いた際のシワの発生を防止することができる。また、突起個数ｎ（個／ｍｍ２）が３．０×１０４以下であることにより、フィルム両面である程度摩擦が生じてロール作製時における巻きズレを抑制できる。１５ｎｍ以上２５ｎｍ未満の突起個数ｎ´（個／ｍｍ２）もフィルムをロール状に巻き取るときにフィルム同士の摩擦を軽減する役割を担う突起の個数を反映しているが、特に、ｎ´（個／ｍｍ２）が１．５×１０３を超える場合は、露光工程での光の入射角が不均一になり、光の反射や散乱の影響でレジストパターン壁面に凹凸が生じることがあり、ｎ´（個／ｍｍ２）が０．３×１０３未満の場合は、フィルム製造時のハンドリング性が悪化し、表面にキズが発生しやすくなることがある。
【0015】
本発明のポリエステルフィルムの前記表面において、高さ５ｎｍ以上１５ｎｍ未満の突起個数ｎ（個／ｍｍ２）や高さ１５ｎｍ以上２５ｎｍ未満の突起個数ｎ´（個／ｍｍ２）を上記の範囲とするための方法としては、例えば、ナノインプリントのようにモールドを用いて表面に形状を転写させる方法、未延伸シートに大気圧グロー放電によるプラズマ表面処理をした後、二軸延伸を行う方法などが挙げられる。インラインでの製膜適応性や微細な突起の形成個数の観点からは、大気圧グロー放電によるプラズマ処理を行い二軸延伸することがより好ましい。ここでいう大気圧とは７００Ｔｏｒｒ～７８０Ｔｏｒｒの範囲である。大気圧グロー放電処理は、相対する電極とアースロール間に処理対象のフィルムを導き、装置中にプラズマ励起性気体を導入し、電極間に高周波電圧を印加することにより、該気体をプラズマ励起させ電極間においてグロー放電を行うものである。これによりフィルム表面が微細に加工（アッシング）され突起が形成する。プラズマ励起性気体とは前記のような条件においてプラズマ励起されうる気体をいう。プラズマ励起性気体としては、例えば、アルゴン、ヘリウム、ネオン、クリプトン、キセノン等の希ガス、窒素、二酸化炭素、酸素、またはテトラフルオロメタンのようなフロン類およびそれらの混合物などが挙げられる。また、プラズマ励起性気体は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の混合比で組み合わせてもよい。プラズマによって励起された場合に活性が高くなる観点から、アルゴン、酸素、二酸化炭素のうちの少なくとも１種に加え、酸素を含むことが好ましい。また、活性の高いプラズマ励起性気体を用いることで、フィルム表面のアッシングが促進し地肌部が平滑化し高い突起が形成する傾向にある一方で、突起一つ一つが粗大化し、高さ５ｎｍ以上１５ｎｍ未満の突起個数ｎ（個／ｍｍ２）や高さ１５ｎｍ以上２５ｎｍ未満の突起個数ｎ´（個／ｍｍ２）は減少する場合がある。
【0016】
プラズマ処理における高周波電圧の周波数は、１ｋＨｚ～１００ｋＨｚの範囲が好ましい。
【0017】
また、以下方法で求められる放電処理強度（Ｅ値）は、１０～２０００Ｗ・ｍｉｎ／ｍ２の範囲で処理することが突起形成の観点から好ましい。放電処理強度（Ｅ値）が１０Ｗ・ｍｉｎ／ｍ２以上であることにより、突起を十分に形成でき、放電処理強度（Ｅ値）が２０００Ｗ・ｍｉｎ／ｍ２以下であることにより、ポリエステルフィルムに過度なダメージを与えることを抑制できフィルム分解異物の形成を低減することができる。
＜放電処理強度（Ｅ値）の求め方＞
Ｅ＝Ｖｐ×Ｉｐ／（Ｓ×Ｗｔ）
Ｅ：Ｅ値（Ｗ・ｍｉｎ／ｍ２）
Ｖｐ：印加電圧（Ｖ）
Ｉｐ：印加電流（Ａ）
Ｓ：処理速度（ｍ／ｍｉｎ）
Ｗｔ：処理幅（ｍ）
＜放電処理強度（Ｅ値）の求め方＞
Ｅ＝Ｖｐ×Ｉｐ／（Ｓ×Ｗｔ）
Ｅ：Ｅ値（Ｗ・ｍｉｎ／ｍ２）
Ｖｐ：印加電圧（Ｖ）
Ｉｐ：印加電流（Ａ）
Ｓ：処理速度（ｍ／ｍｉｎ）
Ｗｔ：処理幅（ｍ）
【0018】
一般的に、大気圧グロー放電処理によってポリエステルフィルム、特にＰＥＴやＰＥＮのように非晶部と結晶部を持つフィルムの表面をアッシングする場合、柔らかい非晶部からアッシングされていく。結晶部と非晶部を細分化させることで、大気圧グロー放電処理することでより微細な突起を形成することができ、また、結晶部を増やしておくことで柔らかい非晶部が深く削れることで突起高さを高くすることが可能となる。
【0019】
本発明の二軸配向ポリエステルフィルムにおいて、露光時の反射強度を低減し、高ハンドリング性を維持した上で、レジストパターン壁面に生じる凹凸の発生を抑制するためには、一方のフィルム表面（Ａ）の算術平均粗さをＳＲａ（Ａ）、１０点平均表面粗さをＳＲｚ（Ａ）としたとき、ＳＲａ（Ａ）が１．５ｎｍ以上４．０ｎｍ以下、ＳＲｚ（Ａ）が３０ｎｍ以上７０ｎｍ以下であることが好ましい。ＳＲａ（Ａ）が１．５ｎｍ未満もしくはＳＲｚ（Ａ）が３０ｎｍ未満となると、レジスト塗布工程にてハンドリング性が悪化し、塗布が不安定となり、塗布斑が発生することや、塗布後の巻き取り時に、噛み込んだ空気が抜けにくくなることによる、巻きズレを起こすことがある。また、ＳＲａ（Ａ）が４．０ｎｍより大きい、もしくはＳＲｚ（Ａ）が７０ｎｍより大きい場合、表面に形成された凹凸や含有粒子の凝集により、露光工程での光の入射角が不均一になることによる光の反射や散乱の影響により、レジストパターンの抜けが生じることがある。ＳＲａ（Ａ）およびＳＲｚ（Ａ）を上述の範囲とするには、表面（Ａ）を有する層（Ａ層）を構成するポリエステル樹脂に、後述する特定の有機粒子あるいは無機粒子を特定量含有させることによって達成できる。また、一方のフィルム表面（Ａ）の算術平均表面傾斜をΔａ（Ａ）、幾何平均表面傾斜をΔｑ（Ａ）としたとき、Δａ（Ａ）が１．０μｍ／ｍｍ以上１．８μｍ／ｍｍ以下、Δｑ（Ａ）が２．０μｍ／ｍｍ以上２．８μｍ／ｍｍ以下であることが好ましい。Δａ（Ａ）が１．０μｍ／ｍｍ未満、またはΔｑ（Ａ）が２．０μｍ／ｍｍ未満であると、レジスト用ポリエステルフィルムを製造する際のハンドリング性や該フィルム上にレジスト層を形成してレジストフィルムを製造する際のハンドリング性が悪化する場合がある。一方、Δａ（Ａ）が１．８μｍ／ｍｍを超える、またはΔｑ（Ａ）が２．０μｍ／ｍｍを超えると、フィルム表面（Ａ）における露光時の紫外光の散乱が強まり、配線の幅や間隔が５μｍ程度の微細な回路形成に好適なレジストパターン壁面が形成されにくい傾向がある。算術平均表面傾斜Δａ（Ａ）は、フィルム表面に平行な方向をＸ軸、フィルム表面に平行な方向でありＸ軸に直交する方向をＹ軸、フィルム表面に垂直な方向をＺ軸として、後述する測定方法において測定することにより得られる測定曲線において、各測定区間における測定曲線の始点と終点を結ぶ線分の傾き（フィルム表面に平行な方向における一定区間におけるＺ軸方向の傾斜角度）の絶対値の平均値を表すものである。また、幾何平均表面傾斜Δｑ（Ａ）は、フィルム表面に平行な方向をＸ軸、フィルム表面に平行な方向でありＸ軸に直交する方向をＹ軸、フィルム表面に垂直な方向をＺ軸として、後述する測定方法において測定することにより得られる測定曲線において、フィルム表面（Ａ）をＸ軸とＹ軸方向に等間隔で区切った平面内で最も険しい斜面の大きさ（図１）を表す。
【0020】
本発明の二軸配向ポリエステルフィルムは、前記表面（Ａ）とは反対側のフィルム表面（Ｂ）の算術平均粗さをＳＲａ（Ｂ）、１０点平均表面粗さをＳＲｚ（Ｂ）としたとき、前記ＳＲａ（Ａ）とＳＲａ（Ｂ）の差の絶対値が２．０ｎｍ以下であり、前記ＳＲｚ（Ａ）とＳＲｚ（Ｂ）の差の絶対値が５０ｎｍ以下であることが好ましい。フィルム表面（Ａ）の算術平均表面粗さＳＲａ（Ａ）、１０点平均表面粗さＳＲｚ（Ａ）を前述の範囲とし、ＳＲａ（Ａ）とＳＲａ（Ｂ）の差の絶対値を２．０ｎｍ以下、ＳＲｚ（Ａ）とＳＲｚ（Ｂ）の差の絶対値を５０ｎｍ以下とするとレジスト形成性能と加工時のハンドリング性を両立できるため好ましい。ＳＲａ（Ａ）とＳＲａ（Ｂ）の差を上述の範囲とするには、表面（Ａ）を有する層（Ａ層）および表面（Ｂ）を有する層（Ｂ層）を構成するポリエステル樹脂に、後述する特定の有機粒子あるいは無機粒子を特定量含有させることによって達成できる。
【0021】
本発明の二軸配向ポリエステルフィルムは、前記フィルム表面（Ａ）が、粒径０．０１μｍ以上の不活性粒子を含有する長径１．０μｍ以上のボイドを有しており、当該ボイドの個数が５個／１０ｍｍ２未満であることが好ましい。前記フィルム表面（Ａ）に存在する該ボイドの個数が５個／１０ｍｍ２以上の場合、露光工程で照射された紫外線が散乱し、レジストパターンの抜けが生じることがある。
【0022】
本発明の二軸配向ポリエステルフィルムのＣ層において、長手方向０．８８ｃｍ×幅方向１．１６ｃｍの領域をレーザー顕微鏡により１００回観察したときに存在する長径１５．０μｍ以上の粗大物の数が５個以下であり、長径１０．０μｍ以上１５．０μｍ未満の粗大物の数が３０個以下であり、長径１．０μｍ以上１０．０μｍ未満の粗大物の数が１０００個以下であることが好ましい。前記Ｃ層に該粗大物が存在する場合、露光工程で照射された紫外線が散乱し、レジストパターンの抜けが生じることがある。本発明における粗大物とは、ポリエステルフィルム中に相溶せずに存在する固形物や該固形物を中心核とするボイドのことを指し、単体の粒子で構成される場合でも、複数の粒子の凝集物で構成される場合でも粗大物とみなす。また、本発明でいう粗大物の長径とは、後述する測定方法により検出される粗大物が最も長く測定される長さを指す。粗大物の数を上述の範囲とする方法は特に限定されるものではなく、溶融製膜時に用いる異物捕集フィルターのメッシュサイズを制御する方法などが挙げられる。例えば、共押出し法により溶融製膜して得る場合、押出機に２μｍ以上の異物を９５％以上捕集する高精度のものを用いることが有効である。
【0023】
本発明の二軸配向ポリエステルフィルムは、粒子を含んでいてもよい。粒子としては、有機、無機の粒子を用いることができるが、有機系としては、例えば、ポリイミド系樹脂、オレフィンあるいは変性オレフィン系樹脂、架橋ポリスチレン系樹脂、シリコーン樹脂など、無機系としては、例えば、真球状シリカ、酸化珪素、炭酸カルシウム、凝集アルミナ、珪酸アルミニウム、マイカ、クレー、タルク、硫酸バリウムなどが挙げられる。これらの粒子の採用にあたっては、光線透過率およびヘイズ値の上昇を抑制するため、粒子表面を界面活性剤などで表面改質し、ポリエステルとの親和性を改善する方法が添加粒子周辺でのボイド発生を抑制する点で好ましく採用できる。また、粒子形状が球状に近く、ポリエステルとの屈折率に差が少ない方が、フィルム層内を紫外線が通過する際の散乱光を抑制することができる。特に、コロイダルシリカ、有機粒子が好ましく、シリコーン粒子、架橋ポリスチレン粒子が好適である。中でも、乳化重合で調整された、スチレン－ジビニルベンゼン共重合体からなる架橋ポリスチレン粒子は粒子形状が真球に近く、粒子径分布が均一であることから、均一な突起形成を図ることが可能な点で好ましい。コロイダルシリカやスチレン－ジビニルベンゼン共重合体からなる架橋ポリスチレン粒子は表層（Ａ層、Ｂ層）を構成するポリエステル樹脂組成物に含有させることが好ましく、その含有量は表層（Ａ層、Ｂ層）を構成するポリエステル樹脂組成物全体に対して０．０１重量％以上０．１重量％未満が好ましい。含有量が０．０１重量％を下回る場合、レジスト塗布工程にてハンドリング性が悪化し、塗布が不安定となり、塗布斑が発生することがあり、また、塗布後の巻き取り時には、噛み込んだ空気が抜けにくくなることによって巻きズレが起きることがあるため、好ましくない。含有量が０．１重量％以上の場合、架橋ポリスチレン粒子同士が凝集しやすい傾向となり、露光工程での光の入射角が不均一になることによる光の反射や散乱の影響により、レジストパターンの抜けが生じることがあるため、好ましくない。
【0024】
前記した粒子とともに、凝集アルミナを併用することも望ましい形態のひとつである。ここで、凝集アルミナは、平均一次粒子径が５ｎｍ以上３０ｎｍ未満の粒子が数個から数百個凝集したものを表す。凝集アルミナの平均一次粒子径は、８ｎｍ以上１５ｎｍ未満の平均一次粒子径であることがより好ましい。当該凝集アルミナは、無水塩化アルミニウムを原料として火焔加水分解法、あるいはアルコキシドアルミナの加水分解などによって製造されたものが採用できる。凝集アルミナは、結晶型としてδ型、θ型、γ型などが知られているが、とくにδ型アルミナが好適に使用できる。これらの凝集アルミナについて、ポリエステル重合時に添加することで使用に供せるが、例えば、ポリエステル重合時の原料の一部であるエチレングリコールのスラリーとして、サンドグラインダーなどの粉砕、分散を行い、精密濾過を行うことによって、平均二次粒子径が１０ｎｍ以上２００ｎｍ未満の凝集アルミナを得ることができる。このようにして得られた凝集アルミナをフィルム中に添加した場合、二軸延伸によって、面方向に配置されるため、実質的に突起を形成せず、表面粗さへの影響が少なく、また、透過性が良いため、光線透過率およびヘイズ値の劣化を抑制できる。凝集アルミナを含有せしめることにより、フィルム表面の地肌補強効果が大きく得られ、耐摩耗性が向上し、延伸時のロールとの接触時に発生する凹み欠点を抑制するという効果が得られる。凝集アルミナは表層（Ａ層、Ｂ層）を構成するポリエステル樹脂組成物に含有させることが好ましく、その含有量はポリエステル樹脂組成物全体に対して０．１重量％以上５．０重量％未満が好ましい。含有量が０．１重量％を下回る場合、レジスト塗布工程にてハンドリング性が悪化し、塗布が不安定となり、塗布斑が発生することや、塗布後の巻き取り時に、噛み込んだ空気が抜けにくくなることによる、巻きズレを起こすことがあるため、好ましくない。含有量が５．０重量％以上の場合、凝集アルミナ同士がさらに凝集しやすい傾向となり、露光工程での光の入射角が不均一になることによる光の反射や散乱の影響により、レジストパターンの抜けが生じることがあるため、好ましくない。
【0025】
本発明の二軸配向ポリエステルフィルムは、前記Ａ層が粒子を含有しており、当該層に含有する粒子について、横軸に粒子径、縦軸に粒子の存在個数をプロットしたとき、粒子径が１０～１５０ｎｍの範囲と、粒子径が１００～３００ｎｍの範囲のそれぞれに１つ以上の極大値を有することが望ましい。前記Ａ層がかかる粒子径を有する粒子を含有しない場合、レジスト用ポリエステルフィルムの巻き取り性やＤＦＲ加工工程にてハンドリング性が悪化することがある。また、表面に形成された凹凸や含有粒子の凝集により、露光工程での光の入射角が不均一になることによる光の反射や散乱の影響により、レジストパターンの抜けが生じることがある。
【0026】
本発明の二軸配向ポリエステルフィルムは、前記Ｂ層が粒子を含有しており、当該層に含有する粒子について、横軸に粒子径、縦軸に粒子の存在個数をプロットしたとき、粒子径が１０～２００ｎｍの範囲に１つ以上の極大値を有することが好ましい。前記Ｂ層がかかる粒子径を有する粒子を含有しない場合、レジスト用ポリエステルフィルムの巻き取り性が悪化することがある。また、該フィルムへレジストを塗布した後の塗布ムラやドライレジストフィルム露光後における基材フィルムの剥離不良が生じ易くなる。
【0027】
さらに、本発明の二軸配向ポリエステルフィルムでは、フィルムヘイズは０．５％以下であることが好ましく、さらに好ましくは０．３％以下が好ましい。フィルムヘイズが０．５％を超えると、ポリエステルフィルムにレジスト層を積層した後、紫外線を照射して露光するにあたってのレジスト層の支持体であるポリエステルフィルムによる紫外光線の散乱が大きくなるため、現像後のレジストのパターニングにゆがみや、抜け、レジストパターン壁面の状態が悪化する場合や、ポリエステルフィルムの透過率が阻害される場合がある。
【0028】
本発明の二軸配向ポリエステルフィルムは、前記表面（Ａ）と前記表面（Ｂ）間の静止摩擦係数μｓが０．７以上１．３以下かつ、前記表面（Ａ）と前記表面（Ｂ）間の動摩擦係数μｄが０．６以上１．２以下であることが好ましい。前記表面（Ａ）と前記表面（Ｂ）間の静止摩擦係数μｓと動摩擦係数μｄをかかる範囲とすることでレジスト形成性能と加工時のハンドリング性を両立できるため好ましい。
【0029】
また、本発明の二軸配向ポリエステルフィルムは、二軸配向していることが必要である。本発明における、二軸配向とは、未延伸（未配向ムを、常法により、二次元方向に延伸された状態（広角Ｘ線回折で二軸配向のパターンを示すもの）を指す。延伸は、逐次二軸延伸、同時二軸延伸を採用することができる。逐次二軸延伸は、長手方向（縦）および幅方向（横）に延伸する工程を、縦－横の１回ずつ実施することもできるし、縦－横－縦－横など、２回ずつ実施することもできる。
【0030】
本発明の二軸配向ポリエステルフィルムにおいては、寸法変化率が、下記の範囲内であるとＤＦＲ加工工程での熱収縮による歪みやシワの発生を抑制できるため好ましい。寸法変化率は、製膜条件における弛緩・熱処理等の条件を公知の方法により適宜調整することにより達成できる。１５０℃における寸法変化率は長手方向で３．０％以下、幅方向で２．０％以下が好ましく、長手方向で０．５％以上２．８％以下、幅方向で０．８％以上１．８％以下がさらに好ましい。また、１００℃における寸法変化率は長手方向、幅方向ともに１．０％以下が好ましく、０．１％以上０．８％以下の範囲であるとさらに好ましい。該寸法変化率において上記範囲の下限を下回ると、レジスト層を塗布する際やラミネート加工時にタルミによる平面性不良が発生し、上限を上回ると、レジスト層を塗布する際に収縮によりトタン状に収縮斑が発生し平面性不良となり、いずれの場合もレジスト層の塗布厚みに斑を生じさせることがある。
【0031】
本発明の二軸配向ポリエステルフィルムは、フィルムの全厚みが１０μｍ以上５０μｍ未満であることが好ましい。特に好ましくは１２μｍ以上４０μｍ未満である。全厚みが１０μｍ未満では、強度不足によって加工工程での取り扱いが難しくなることがあり、５０μｍ以上では、光線透過率およびヘイズ値を本発明範囲内にすることが難しくなる場合があり、また、経済性も悪化する場合がある。
【0032】
次に本発明の二軸配向ポリエステルフィルムの製造方法について説明する。共押出し法による溶融製膜におけるポリエステルに不活性粒子を含有せしめる方法としては、例えばジオール成分であるエチレングリコールに不活性粒子を所定割合にてスラリーの形で分散せしめ、例えば長径２μｍ以上もしくは５μｍ以上の粗大粒子を９５％以上捕集できる高精度濾過を行った後、このエチレングリコールスラリーをポリエステル重合完結前の任意段階で添加する。ここで、粒子を添加する際には、例えば、粒子を合成時に得られる水ゾルやアルコールゾルを一旦乾燥させることなく添加すると粒子の分散性が良好であり、粗大突起の発生を抑制でき好ましい。また粒子の水スラリーを直接、所定のポリエステルペレットと混合し、ベント方式の二軸混練押出機に供給しポリエステルに練り込む方法も本発明の効果に有効である。粒子の含有量を調節する方法としては、上記方法で高濃度の粒子のマスターペレットを作っておき、それを製膜時に粒子を実質的に含有しないＰＥＴで希釈して粒子の含有量を調節する方法が有効である。この際、粒子を含有しないＰＥＴの固有粘度を粒子含有ペレットの固有粘度よりも高く調整しておくことで、上記した粒子含有ボイドの密度を制御することができる。また、粒子含有ペレットの固有粘度が粒子を含有しないＰＥＴの固有粘度よりも高い場合や同じ場合は、粒子の分散性が低下し粒子間距離が近くなることにより、粒子含有ボイドの密度が高くなる傾向にある。
【0033】
このようにして、各層のために準備した、粒子含有マスターペレットと粒子などを実質的に含有しないペレットを所定の割合で混合し、乾燥した後、固有粘度が低下しないように窒素気流下あるいは減圧下で、公知の溶融積層用押出機に供給する。本発明の二軸配向ポリエステルフィルムの製造における押出機は、一軸、二軸の押出機を用いることができる。また、ペレットの乾燥工程を省くために、押出機に真空引きラインを設けた、ベント式押出機を用いることもできる。また、中間層を設ける場合には、最も押出量が多くなるため、ペレットを溶融する機能と、溶融したペレットを一定温度に保つ機能をそれぞれの押出機で分担する、いわゆるタンデム押出機を用いることができる。本発明の二軸配向ポリエステルフィルムにおける表面を構成する層の押出しには、二軸式ベント式押出機を用いることが、粒子の分散性を良好に保ち、粒子の凝集を抑制することができるため、好ましい。
【0034】
押出機で溶融して押出したポリマーは、フィルターにより濾過する。ごく小さな異物もフィルム中に入ると粗大突起欠陥となるため、フィルターには例えば長径２μｍ以上もしくは５μｍ以上の異物を９５％以上捕集する高精度のものを用いることが有効である。続いて、スリット状のスリットダイからシート状に押し出し、キャスティングロール上で冷却固化せしめて未延伸フィルムを作る。すなわち、複数の押出機、複数層のマニホールドまたは合流ブロック（例えば矩形合流部を有する合流ブロック）を用いて積層し、口金からシートを押し出し、キャスティングロールで冷却して未延伸フィルムを作る。この場合、背圧の安定化および厚み変動の抑制の観点からポリマー流路にスタティックミキサー、ギヤポンプを設置する方法は有効である。
【0035】
延伸方法は同時二軸延伸であっても逐次二軸延伸であってもよい。逐次延伸の場合、長手方向の延伸温度は好ましくは９５℃以上１２０℃未満、更に好ましくは１００℃以上１１５℃未満である。延伸温度が９５℃未満になるとフィルムが破断しやすく、延伸温度が１２０℃以上になるとフィルム表面が熱ダメージを受けやすくなるため好ましくない。また、延伸ムラ、およびキズを防止する観点からは延伸する前に予熱ゾーンを設け、段階的に加熱することが有効で有り、長手方向の予熱温度は６５℃～１３０℃が好ましく、更に好ましくは７０℃～１１０℃である。
【0036】
長手方向の延伸倍率は好ましくは３倍以上４．５倍未満、更に好ましくは３．５倍以上４．３倍未満である。
【0037】
得られた一軸延伸フィルムは。一旦冷却される。冷却温度は１８℃以上４０℃以下が好ましく、更に好ましくは２１℃以上３５℃以下である。冷却を行うことで幅寸法安定性が安定し、本発明の平滑なフィルム表面であったとしても、フィルム搬送ロールでのキズの防止とシワを抑制することができる。
【0038】
引き続き公知のステンターオーブンにより幅方向に延伸されて二軸延伸フィルムとなる。フィルムはステンターオーブン内のレール上を走行するクリップに把持された状態で、オーブン中で再び樹脂のガラス転移温度以上に加熱され、クリップが走行するレールの広がりに伴い幅方向に延伸される。このとき、幅方向の延伸倍率は好ましくは３．２倍以上５倍未満、更に好ましくは４．０倍以上４．６倍未満である。
【0039】
ここで、フィルムの表面粗さと表面傾斜を制御するために、段階的にフィルムを加熱することが重要である。一軸延伸フィルムを幅手方向に延伸する前に９５℃以上１２０℃以下で加熱し、十分にガラス転移温度以上に加熱されたフィルムを１０５℃以上１１５℃以下で幅手方向に延伸することで、フィルムの延伸が容易となり、フィルム表面を形成する粒子による微少な延伸ムラを抑制することができる。
【0040】
次に、得られた二軸延伸フィルムの熱処理を行うことができる。熱処理は幅方向の延伸に引き続き同じステンターオーブン内で行っても、幅方向の延伸を行ったステンターオーブンとは別のオーブンで行ってもよい。熱処理の温度は、好ましくは１９０℃以上２５０℃以下である。熱処理を行うことにより、その後の加工工程や最終製品として使用する時に高温下に晒されたときの寸法安定性が向上するため好ましい。また、熱処理時に幅方向にフィルムを０％より大きく８％以下の条件で弛緩させ、さらに寸法安定性を向上させることも好ましい。
【0041】
二軸延伸後のフィルムは、オーブンから出るときに冷却することが好ましい。冷却温度は６０℃以上１２０℃以下が好ましく、更に好ましくは７０℃以上１１０℃以下である。冷却をすることで幅寸法が安定し、本発明の平滑なフィルム表面であったとしても、フィルム搬送ロールでのキズの防止とシワを抑制することができる。
【0042】
続いて、エッジを切断して巻き取った後、中間製品を得る。この搬送工程にて、フィルムの厚みを測定し、該データをフィードバックして用いて、ダイ厚みなどの調整によってフィルム厚みを調整し、また、欠点検出器による異物検知を行う。
【0043】
エッジの切断時には、切粉の発生を抑制することが、本発明の二軸配向ポリエステルフィルムにおいて好ましい。エッジの切断には丸刃、シェアー刃、ストレート刃を使用するが、ストレート刃を用いる場合は、刃がフィルムに当たる箇所を常に同じ箇所にさせないことが、刃の摩耗を抑制できるため好ましい形態である。このため、刃を上限までオシレーションする機構を有することが好ましい。また、フィルム切断箇所に吸引装置を設けて、発生した切り粉や、切断後のフィルム端部同士が削れて発生する削れ粉を吸引することが好ましい。
【0044】
中間製品はスリット工程により適切な幅・長さにスリットして巻き取り、本発明の二軸配向ポリエステルフィルムのロールが得られる。スリット工程におけるフィルムの切断時も、先述のエッジの切断と同様な切断の方式から選定できる。
【0045】
中間製品を所望の幅にスリットし、本発明の二軸配向ポリエステルフィルムを得る。こうして得られる本発明の二軸配向ポリエステルフィルムは、良好な透過性、すべり性を有するため、ドライフィルムレジスト支持体用に好適に用いることができる。
【0046】
特に、電子情報機器の回路配線は微細化が進展しているため、回路配線作製に用いられるドライフィルムレジスト支持体用フィルムにおいては、紫外線露光の際、フィルム表面における光散乱を極力低減することで配線描写性を向上することが求められる。
【0047】
本発明の二軸配向ポリエステルフィルムは、前記フィルム表面（Ａ）が紫外線露光の際の光散乱などの影響を抑えることが可能であるため、前記表面（Ａ）側から紫外線露光されるように用いることが好ましい。
【実施例0048】
以下実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれに限定して解釈されるものではない。
【0049】
（測定方法）
（１）積層フィルムおよび各層の厚みの測定
積層フィルムの厚みは、マイクロメーターにてランダムに１０点測定し、その平均値とした。また、積層フィルムの断面を超薄切片に切り出し、ＲｕＯ４染色、ＯｓＯ４染色、あるいは両者の二重染色による染色超薄切片法により、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）で１万～１００万倍で観察し、写真撮影を行った。その断面写真から樹脂層（Ｘ）、ポリエステルフィルムのＡ層、Ｂ層の厚みをそれぞれ測定した。
（１）積層フィルムおよび各層の厚みの測定
積層フィルムの厚みは、マイクロメーターにてランダムに１０点測定し、その平均値とした。また、積層フィルムの断面を超薄切片に切り出し、ＲｕＯ４染色、ＯｓＯ４染色、あるいは両者の二重染色による染色超薄切片法により、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）で１万～１００万倍で観察し、写真撮影を行った。その断面写真から樹脂層（Ｘ）、ポリエステルフィルムのＡ層、Ｂ層の厚みをそれぞれ測定した。
【0050】
（２）固有粘度（ＩＶ）
オルトクロロフェノール中、２５℃で測定した溶液粘度より下記式から計算される値を用いた。すなわち
ηｓｐ／Ｃ＝［η］＋Ｋ［η］２・Ｃ
ここで、ηｓｐ＝（溶液粘度／溶媒粘度）－１、Ｃは溶媒１００ｍあたりの溶解ポリマー重量（ｇ／１００ｍｌ、通常は１．２）、Ｋはハギンス定数（０．３４３）とする。また、溶液粘度、溶媒粘度はオストワルド粘度計を用いて測定した。
オルトクロロフェノール中、２５℃で測定した溶液粘度より下記式から計算される値を用いた。すなわち
ηｓｐ／Ｃ＝［η］＋Ｋ［η］２・Ｃ
ここで、ηｓｐ＝（溶液粘度／溶媒粘度）－１、Ｃは溶媒１００ｍあたりの溶解ポリマー重量（ｇ／１００ｍｌ、通常は１．２）、Ｋはハギンス定数（０．３４３）とする。また、溶液粘度、溶媒粘度はオストワルド粘度計を用いて測定した。
【0051】
なお、ポリエステルフィルムの最外層のポリエステル層を構成するポリエステル樹脂の固有粘度（ＩＶ）を測定する場合には、ポリエステルフィルムの最外層のポリエステル層を構成するポリエステル樹脂を削り出して測定する。
【0052】
また、ポリエステルフィルムの最外層を除いたポリエステル層を構成するポリエステル樹脂の固有粘度を測定する場合は、（１）の方法でポリエステルフィルムの各層の層厚みの比率を求めた後、ポリエステルフィルム全体の固有粘度を上記と同様にして測定し、重量比例配分で最外層を除いたポリエステル層を構成するポリエステル樹脂の固有粘度を求める。
【0053】
また、測定試料を溶解させた溶液に無機粒子などの不溶物がある場合は、溶液を濾過して重量測定を行い、濾物の重量を測定試料重量から差し引いた値を測定試料重量とする補正を行う。
【0054】
（３）突起個数ｎ（個／ｍｍ２）、ｎ´（個／ｍｍ２）
本発明の二軸配向ポリエステルフィルムを２０ｍｍ×４０ｍｍに切り出し、非接触光学
式粗さ測定器（装置：Ｚｙｇｏ社製ＮｅｗＶｉｅｗ７３００）を用い、５０倍対物レンズ
を使用して測定面積０．０１５ｍｍ２の場所をランダムに変えて４０視野測定し、その突起合計数を求めた。続いて、Ｒｅｆｅｒｅｎｃｅ Ｂａｎｄ値：１０－３０ｎｍを満たす突起の個数を１ｍｍ２当たりに換算して、突起個数ｎ（個／ｍｍ２）を求めた。同様に、Ｒｅｆｅｒｅｎｃｅ Ｂａｎｄ値：３０－５０ｎｍを満たす突起の個数から突起個数ｎ´（個／ｍｍ２）を求めた。サンプルセットは、測定Ｙ軸がサンプルフィルムの長手方向となるようサンプルをステージにセットして測定した。
なお、ここでいうＲｅｆｅｒｅｎｃｅ Ｂａｎｄ値とは、突起の高さがその半分の値を超える突起であるかを判定するためのしきい値として用いる。Ｒｅｆｅｒｅｎｃｅ Ｂａｎｄ値は、平均平面を中心としたときの、山（Ｐｅａｋｓ）の高さおよび谷（Ｖａｌｌａｙｓ）の深さを決める幅を示す。例えば、Ｒｅｆｅｒｅｎｃｅ Ｂａｎｄが１０ｎｍであると、山／谷に関するしきい値は５ｎｍとなり、高さ５ｎｍを超える突起を選別することができる。
本発明の二軸配向ポリエステルフィルムを２０ｍｍ×４０ｍｍに切り出し、非接触光学
式粗さ測定器（装置：Ｚｙｇｏ社製ＮｅｗＶｉｅｗ７３００）を用い、５０倍対物レンズ
を使用して測定面積０．０１５ｍｍ２の場所をランダムに変えて４０視野測定し、その突起合計数を求めた。続いて、Ｒｅｆｅｒｅｎｃｅ Ｂａｎｄ値：１０－３０ｎｍを満たす突起の個数を１ｍｍ２当たりに換算して、突起個数ｎ（個／ｍｍ２）を求めた。同様に、Ｒｅｆｅｒｅｎｃｅ Ｂａｎｄ値：３０－５０ｎｍを満たす突起の個数から突起個数ｎ´（個／ｍｍ２）を求めた。サンプルセットは、測定Ｙ軸がサンプルフィルムの長手方向となるようサンプルをステージにセットして測定した。
なお、ここでいうＲｅｆｅｒｅｎｃｅ Ｂａｎｄ値とは、突起の高さがその半分の値を超える突起であるかを判定するためのしきい値として用いる。Ｒｅｆｅｒｅｎｃｅ Ｂａｎｄ値は、平均平面を中心としたときの、山（Ｐｅａｋｓ）の高さおよび谷（Ｖａｌｌａｙｓ）の深さを決める幅を示す。例えば、Ｒｅｆｅｒｅｎｃｅ Ｂａｎｄが１０ｎｍであると、山／谷に関するしきい値は５ｎｍとなり、高さ５ｎｍを超える突起を選別することができる。
【0055】
（４）フィルム表面傾斜（Δａ、Δｑ値）
三次元微細表面形状測定器（小坂製作所製ＥＴ－３５０Ｋ）を用いて表面（Ａ）について測定し、得られた表面のプロファイル曲線より、下記の算出式（式１、式２）を用いて、算術平均表面傾斜Δａ値、幾何平均表面傾斜Δｑ値を求めた。測定条件は下記のとおり。
三次元微細表面形状測定器（小坂製作所製ＥＴ－３５０Ｋ）を用いて表面（Ａ）について測定し、得られた表面のプロファイル曲線より、下記の算出式（式１、式２）を用いて、算術平均表面傾斜Δａ値、幾何平均表面傾斜Δｑ値を求めた。測定条件は下記のとおり。
【0056】
【数1】
【0057】
【数2】
【0058】
Ｘ方向測定長さ：０．５ｍｍ、Ｘ方向送り速度：０．１ｍｍ／秒。
Ｙ方向送りピッチ：５μｍ、Ｙ方向ライン数：４０本。
カットオフ：０．２５ｍｍ。
触針圧：０．０２ｍＮ。
高さ（Ｚ方向）拡大倍率：５万倍
Ｙ方向送りピッチ：５μｍ、Ｙ方向ライン数：４０本。
カットオフ：０．２５ｍｍ。
触針圧：０．０２ｍＮ。
高さ（Ｚ方向）拡大倍率：５万倍
【0059】
（５）フィルム表面粗さ（ＳＲａ、ＳＲｚ値）
三次元微細表面形状測定器（小坂製作所製ＥＴ－３５０Ｋ）を用いて表面（Ａ）および表面（Ｂ）について測定し、得られた表面のプロファイル曲線より、ＪＩＳ・Ｂ０６０１に準じ、算術平均表面粗さＳＲａ値、十点平均表面粗さＳＲｚ値を求めた。測定条件は下記のとおり。
Ｘ方向測定長さ：０．５ｍｍ、Ｘ方向送り速度：０．１ｍｍ／秒。
Ｙ方向送りピッチ：５μｍ、Ｙ方向ライン数：４０本。
カットオフ：０．２５ｍｍ。
触針圧：０．０２ｍＮ。
高さ（Ｚ方向）拡大倍率：５万倍
三次元微細表面形状測定器（小坂製作所製ＥＴ－３５０Ｋ）を用いて表面（Ａ）および表面（Ｂ）について測定し、得られた表面のプロファイル曲線より、ＪＩＳ・Ｂ０６０１に準じ、算術平均表面粗さＳＲａ値、十点平均表面粗さＳＲｚ値を求めた。測定条件は下記のとおり。
Ｘ方向測定長さ：０．５ｍｍ、Ｘ方向送り速度：０．１ｍｍ／秒。
Ｙ方向送りピッチ：５μｍ、Ｙ方向ライン数：４０本。
カットオフ：０．２５ｍｍ。
触針圧：０．０２ｍＮ。
高さ（Ｚ方向）拡大倍率：５万倍
【0060】
（６）粒子含有ボイドの密度
フィルム表面（Ａ）をデジタル顕微鏡（；株式会社キーエンス製 ＶＨＸ－７０００型）にて５０００倍程度の倍率で粒子を観察する。ボイド中に粒径が０．０１μｍ以上の粒子を含有していることが確認できるボイドを粒子含有ボイドとし、長径が１．０μｍ以上のボイド数を計測し、その個数を１０ｍｍ２あたりの存在密度で算出した。なお、本発明でいう粒子含有ボイドの長径とは、前記デジタル顕微鏡により検出される粒子含有ボイドが最も長く測定される長さを指す。
フィルム表面（Ａ）をデジタル顕微鏡（；株式会社キーエンス製 ＶＨＸ－７０００型）にて５０００倍程度の倍率で粒子を観察する。ボイド中に粒径が０．０１μｍ以上の粒子を含有していることが確認できるボイドを粒子含有ボイドとし、長径が１．０μｍ以上のボイド数を計測し、その個数を１０ｍｍ２あたりの存在密度で算出した。なお、本発明でいう粒子含有ボイドの長径とは、前記デジタル顕微鏡により検出される粒子含有ボイドが最も長く測定される長さを指す。
【0061】
（７）粗大異物個数
二軸配向ポリエステルフィルムを１０ｃｍ×１０ｃｍに切り出し、レーザー顕微鏡（キーエンス製ＶＫ－Ｘ２５０）にてＣ層中で画像を取り込み、取り込んだ画像を２値化処理し、粒子解析モジュール（キーエンス製ＶＫＨ１ＸＧ）を用いて、フィルム表面から一定の深さ範囲内に存在する粗大物の数を計測した。５０倍の対物レンズを用いて、長手方向２２０μｍ×幅方向２９０μｍの画像をＣ層中で長手方向０．８８ｃｍ×幅方向１．１６ｃｍ分取り込み、上記の計測作業を１０回繰り返すことで、長径１．０μｍ以上の粗大物の数を求めた。なお、本発明でいう粗大物の長径とは、前記測定方法により検出される粗大物が最も長く測定される長さを指す。
二軸配向ポリエステルフィルムを１０ｃｍ×１０ｃｍに切り出し、レーザー顕微鏡（キーエンス製ＶＫ－Ｘ２５０）にてＣ層中で画像を取り込み、取り込んだ画像を２値化処理し、粒子解析モジュール（キーエンス製ＶＫＨ１ＸＧ）を用いて、フィルム表面から一定の深さ範囲内に存在する粗大物の数を計測した。５０倍の対物レンズを用いて、長手方向２２０μｍ×幅方向２９０μｍの画像をＣ層中で長手方向０．８８ｃｍ×幅方向１．１６ｃｍ分取り込み、上記の計測作業を１０回繰り返すことで、長径１．０μｍ以上の粗大物の数を求めた。なお、本発明でいう粗大物の長径とは、前記測定方法により検出される粗大物が最も長く測定される長さを指す。
【0062】
（８）フィルムのヘイズ
ＪＩＳ Ｋ７１０５－１９８１に準じ、フィルム幅方向の中央部から、長手４．０×幅３．５ｃｍの寸法に切り出したものをサンプルとし、ヘイズを、ヘイズメータ（スガ試験機製ＨＧＭ－２ＤＰ（Ｃ光源用））を用いて測定する。
ＪＩＳ Ｋ７１０５－１９８１に準じ、フィルム幅方向の中央部から、長手４．０×幅３．５ｃｍの寸法に切り出したものをサンプルとし、ヘイズを、ヘイズメータ（スガ試験機製ＨＧＭ－２ＤＰ（Ｃ光源用））を用いて測定する。
【0063】
（９）摩擦係数
ＪＩＳ Ｋ７１２５－１９８７に準じ、二軸配向ポリエステルフィルムから切り出したサンプルを２枚準備し、各サンプルの表面を除電後、一方のサンプルの表面（Ａ）ともう一方のサンプルの表面（Ｂ）を重ね合わせ、フィルム端部を固定し、荷重２００ｇ（法線力１．９６Ｎ）をかけて１５０ｍｍ／分で１０ｍｍ移動させたときの張力からすべり係数（静止摩擦係数μｓ、動摩擦係数μｄ）を算出した。
ＪＩＳ Ｋ７１２５－１９８７に準じ、二軸配向ポリエステルフィルムから切り出したサンプルを２枚準備し、各サンプルの表面を除電後、一方のサンプルの表面（Ａ）ともう一方のサンプルの表面（Ｂ）を重ね合わせ、フィルム端部を固定し、荷重２００ｇ（法線力１．９６Ｎ）をかけて１５０ｍｍ／分で１０ｍｍ移動させたときの張力からすべり係数（静止摩擦係数μｓ、動摩擦係数μｄ）を算出した。
【0064】
（１０）粒子の粒子径
フィルム表面に含有される粒子の粒子径については次のように測定する。フィルムからポリマーをプラズマ低温灰化処理法で除去し、粒子を露出させる。処理条件は、ポリマーは灰化されるが粒子は極力ダメージを受けない条件を選択する。処理後の試料を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ；株式会社日立製作所製 Ｓ－４０００型）で観察し、粒子画像をイメージアナライザ（株式会社ニレコ製 ＬＵＺＥＸ＿ＡＰ）に取り込み、等価円相当径を測定し、粒子の体積平均粒子径を求める。ＳＥＭの倍率は粒子径により、５０００～２００００倍から適宜選択する。任意に観察箇所をかえて、少なくとも粒子数５０００個の粒子の体積平均粒子径測定し、その平均値を粒子の体積平均粒径とした。また、この結果から０ｎｍを初点として１０ｎｍ間隔毎の階級で表した粒子径を横軸に、該粒子径を有する粒子の個数を縦軸にプロットし、粒度分布のグラフを作成し、極大値を有する粒子径を求めた。
フィルム表面に含有される粒子の粒子径については次のように測定する。フィルムからポリマーをプラズマ低温灰化処理法で除去し、粒子を露出させる。処理条件は、ポリマーは灰化されるが粒子は極力ダメージを受けない条件を選択する。処理後の試料を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ；株式会社日立製作所製 Ｓ－４０００型）で観察し、粒子画像をイメージアナライザ（株式会社ニレコ製 ＬＵＺＥＸ＿ＡＰ）に取り込み、等価円相当径を測定し、粒子の体積平均粒子径を求める。ＳＥＭの倍率は粒子径により、５０００～２００００倍から適宜選択する。任意に観察箇所をかえて、少なくとも粒子数５０００個の粒子の体積平均粒子径測定し、その平均値を粒子の体積平均粒径とした。また、この結果から０ｎｍを初点として１０ｎｍ間隔毎の階級で表した粒子径を横軸に、該粒子径を有する粒子の個数を縦軸にプロットし、粒度分布のグラフを作成し、極大値を有する粒子径を求めた。
【0065】
（１１）レジスト解像度の目視検査
本発明の二軸配向ポリエステルフィルムにおけるレジストの解像度の目視評価方法は、以下のような手順で行った。
本発明の二軸配向ポリエステルフィルムにおけるレジストの解像度の目視評価方法は、以下のような手順で行った。
【0066】
（ｉ）片面鏡面研磨した６インチＳｉウエハー上に、東京応化（株）製のネガレジスト“ＰＭＥＲ Ｎ－ＨＣ６００”を塗布し、大型スピナーで回転させることによって厚み７μｍのレジスト層を作製した。次いで、窒素循環の通風オーブンを用いて７０℃の温度条件で、約２０分間の前熱処理を行った。
【0067】
（ｉｉ）ポリエステルフィルムのＢ層側表面をレジスト層と接触するように重ね、ゴム製のローラーを用いて、レジスト層上にポリエステルフィルムをラミネートし、その上に、クロム金属でパターニングされたフォトマスクを配置し、そのフォトマスク上からＩ線ステッパーを用いて露光を行った。
【0068】
（ｉｉｉ）レジスト層からポリエステルフィルムを剥離した後、現像液Ｎ－Ａ５が入った容器にレジスト層を入れ約１分間の現像を行った。その後、現像液から取り出し、水で約１分間の洗浄を行った。
【0069】
（ｉｖ）現像後に作成されたレジストパターンのＬ／Ｓ（μｍ）（Ｌｉｎｅ ａｎｄ Ｓｐａｃｅ）の状態について走査型電子顕微鏡ＳＥＭを用いて１５００倍率で観察した。レジストの解像度の評価は、以下の基準に従った。なお、△以上の評価が実用可能レベルとなる。
◎：Ｌ／Ｓ＝５／５μｍが明確に確認できる。
○：Ｌ／Ｓ＝５／５μｍは明確に確認できないが、Ｌ／Ｓ＝８／８μｍは明確に確認できる。
△：Ｌ／Ｓ＝８／８μｍは明確に確認できないが、Ｌ／Ｓ＝１０／１０μｍは明確に確認できる。
×：Ｌ／Ｓ＝１０／１０μｍが明確に確認できない。（生産適用不可）。
◎：Ｌ／Ｓ＝５／５μｍが明確に確認できる。
○：Ｌ／Ｓ＝５／５μｍは明確に確認できないが、Ｌ／Ｓ＝８／８μｍは明確に確認できる。
△：Ｌ／Ｓ＝８／８μｍは明確に確認できないが、Ｌ／Ｓ＝１０／１０μｍは明確に確認できる。
×：Ｌ／Ｓ＝１０／１０μｍが明確に確認できない。（生産適用不可）。
【0070】
（１２）反射強度
分光光度計（（株）島津製作所ＵＶ２４５０）に積分球付属装置（（株）島津製作所製
ＩＳＲ２２００）を取り付け、硫酸バリウムを標準板とし、Ｂ面から光を入射した状態で
測定を行い、標準板を１００％とした３６５ｎｍ及び４０５ｎｍの波長における相対反射
率を測定した。
分光光度計（（株）島津製作所ＵＶ２４５０）に積分球付属装置（（株）島津製作所製
ＩＳＲ２２００）を取り付け、硫酸バリウムを標準板とし、Ｂ面から光を入射した状態で
測定を行い、標準板を１００％とした３６５ｎｍ及び４０５ｎｍの波長における相対反射
率を測定した。
【0071】
＜標準板作成方法＞
硫酸バリウム白色標準試薬（ＥＡＳＴＭＡＮ Ｗｈｉｔｅ Ｒｅｆｌｅｃｔａｎｃｅ Ｓｔａｎｄａｒｄ Ｃａｔ Ｎｏ．６０９１）３４
ｇを、直径５０．８ｍｍ、深さ９．５ｍｍの円柱形くぼみに入れ、ガラス板を用いて圧縮し
て、圧縮密度約２ｇ／ｃｍ３の硫酸バリウム白色標準板を作製した。
反射強度の評価は、以下の基準に従った。なお、△以上の評価が実用可能レベルとなる。
〇：３６５ｎｍ反射率が１３．９％未満、４０５ｎｍ反射率が１３．５％未満。
△：３６５ｎｍ反射率が１３．９％以上１４．０未満、４０５ｎｍ反射率が１３．５％以上１４．０％未満。
×：３６５ｎｍ反射率が１４．０以上、４０５ｎｍ反射率が１４．０％以上。（生産適用不可）。
硫酸バリウム白色標準試薬（ＥＡＳＴＭＡＮ Ｗｈｉｔｅ Ｒｅｆｌｅｃｔａｎｃｅ Ｓｔａｎｄａｒｄ Ｃａｔ Ｎｏ．６０９１）３４
ｇを、直径５０．８ｍｍ、深さ９．５ｍｍの円柱形くぼみに入れ、ガラス板を用いて圧縮し
て、圧縮密度約２ｇ／ｃｍ３の硫酸バリウム白色標準板を作製した。
反射強度の評価は、以下の基準に従った。なお、△以上の評価が実用可能レベルとなる。
〇：３６５ｎｍ反射率が１３．９％未満、４０５ｎｍ反射率が１３．５％未満。
△：３６５ｎｍ反射率が１３．９％以上１４．０未満、４０５ｎｍ反射率が１３．５％以上１４．０％未満。
×：３６５ｎｍ反射率が１４．０以上、４０５ｎｍ反射率が１４．０％以上。（生産適用不可）。
【0072】
（１３）レジストフィルムのハンドリング性（すべり性評価）
二軸配向ポリエステルフィルムから切り出したサンプルを１枚準備し、サンプルの表面を除電後、サンプルの表面（Ｂ）がガラス板表面に接するよう設置する。次に、フィルム端部を固定し、フィルム表面（Ａ）の上に６インチのベアウエハを設置する。ベアウエハの上から、荷重１ｋｇ（法線力１０Ｎ）をかけて、１００ｍｍ／分で７０ｍｍ移動させ、ベアウエハと本発明の二軸配向ポリエステルフィルムにおけるフィルム表面（Ａ）との間にかかる張力を測定し、以下の基準に従って、すべり性の評価をした。なお、△以上の評価が実用可能レベルとなる。
◎：０Ｎ以上３Ｎ未満（適正なすべり性を有し、ハンドリング性が良好。）
〇：３Ｎ以上４Ｎ未満（すべり性がやや悪く、ハンドリング性がやや劣る。）
△：４Ｎ以上６Ｎ未満（すべり性が悪く、ハンドリングに劣る）。
×：６Ｎ以上（適正なすべり性がないため、ハンドリング困難であり生産適用不可。
二軸配向ポリエステルフィルムから切り出したサンプルを１枚準備し、サンプルの表面を除電後、サンプルの表面（Ｂ）がガラス板表面に接するよう設置する。次に、フィルム端部を固定し、フィルム表面（Ａ）の上に６インチのベアウエハを設置する。ベアウエハの上から、荷重１ｋｇ（法線力１０Ｎ）をかけて、１００ｍｍ／分で７０ｍｍ移動させ、ベアウエハと本発明の二軸配向ポリエステルフィルムにおけるフィルム表面（Ａ）との間にかかる張力を測定し、以下の基準に従って、すべり性の評価をした。なお、△以上の評価が実用可能レベルとなる。
◎：０Ｎ以上３Ｎ未満（適正なすべり性を有し、ハンドリング性が良好。）
〇：３Ｎ以上４Ｎ未満（すべり性がやや悪く、ハンドリング性がやや劣る。）
△：４Ｎ以上６Ｎ未満（すべり性が悪く、ハンドリングに劣る）。
×：６Ｎ以上（適正なすべり性がないため、ハンドリング困難であり生産適用不可。
【0073】
（１４）熱収縮率
積層フィルム表面に、幅１０ｍｍ、測定長約１００ｍｍとなるように２本のラインを引
き、この２本のライン間の距離を２３℃で測定し、これをＬ０とする。この積層フィルム
サンプルを１５０℃（風量ゲージ「７」）に設定したエスペック（株）製熱風オーブン「
ＨＩＧＨ－ＴＥＭＰ－ＯＶＥＮ ＰＨＨ－２００」中に３０分間、３ｇの荷重下で放置し
た後、再び２本のライン間の距離を２３℃で測定し、これをＬ１とし、下式により熱収縮
率を求めた。測定は、長手方向および幅方向に５サンプルずつ実施し、平均値で評価を行
った。
熱収縮率（％）＝（Ｌ０－Ｌ１）／Ｌ０×１００
なお、フィルムを分析する際に、フィルムの長手方向や幅方向が分からない場合は、フィ
ルムにおいて最大の屈折率を有する方向を幅方向、それに直行する方向を長手方向とみな
す。フィルムにおける最大の屈折率の方向は、フィルムの全ての方向の屈折率をアッベ屈
折率計で測定して求めてもよく、例えば、位相差測定装置（複屈折測定装置）などにより
遅相軸方向を決定することで求めてもよい。
積層フィルム表面に、幅１０ｍｍ、測定長約１００ｍｍとなるように２本のラインを引
き、この２本のライン間の距離を２３℃で測定し、これをＬ０とする。この積層フィルム
サンプルを１５０℃（風量ゲージ「７」）に設定したエスペック（株）製熱風オーブン「
ＨＩＧＨ－ＴＥＭＰ－ＯＶＥＮ ＰＨＨ－２００」中に３０分間、３ｇの荷重下で放置し
た後、再び２本のライン間の距離を２３℃で測定し、これをＬ１とし、下式により熱収縮
率を求めた。測定は、長手方向および幅方向に５サンプルずつ実施し、平均値で評価を行
った。
熱収縮率（％）＝（Ｌ０－Ｌ１）／Ｌ０×１００
なお、フィルムを分析する際に、フィルムの長手方向や幅方向が分からない場合は、フィ
ルムにおいて最大の屈折率を有する方向を幅方向、それに直行する方向を長手方向とみな
す。フィルムにおける最大の屈折率の方向は、フィルムの全ての方向の屈折率をアッベ屈
折率計で測定して求めてもよく、例えば、位相差測定装置（複屈折測定装置）などにより
遅相軸方向を決定することで求めてもよい。
【0074】
（原料）
（ポリエステルＡの作成）
テレフタル酸８６．５重量部とエチレングリコール３７．１重量部を２５５℃で、水を留出しながらエステル化反応を行う。エステル化反応終了後、トリメチルリン酸０．０２重量部、酢酸マグネシウム０．０６重量部、酢酸リチウム０．０１重量部、三酸化アンチモン０．００８５重量部を添加し、引き続いて、真空下、２９０℃まで加熱、昇温して重縮合反応を行い、固有粘度０．６３ｄｌ／ｇのポリエステルペレットを得た。（ポリエステルＡ）。
（ポリエステルＡの作成）
テレフタル酸８６．５重量部とエチレングリコール３７．１重量部を２５５℃で、水を留出しながらエステル化反応を行う。エステル化反応終了後、トリメチルリン酸０．０２重量部、酢酸マグネシウム０．０６重量部、酢酸リチウム０．０１重量部、三酸化アンチモン０．００８５重量部を添加し、引き続いて、真空下、２９０℃まで加熱、昇温して重縮合反応を行い、固有粘度０．６３ｄｌ／ｇのポリエステルペレットを得た。（ポリエステルＡ）。
【0075】
（ポリエステルＢの作成）
上記と同様にポリエステルを製造するにあたり、エステル交換後、体積平均粒子径０．０６μｍ、体積形状係数ｆ＝０．５１、モース硬度７の球状シリカをそれぞれ添加し、重縮合反応を行い、粒子をポリエステルに対し１．０重量％含有するシリカ含有マスターペレットを得た（ポリエステルＢ）。なお、用いる球状シリカは、エタノールとエチルシリケートとの混合溶液を攪拌しながら、この混合溶液に、エタノール、純水、および塩基性触媒としてアンモニア水からなる混合溶液を添加し、得られた反応液を攪拌して、エチルシリケートの加水分解反応およびこの加水分解生成物の重縮合反応を行なった後に、反応後の攪拌を行い、単分散シリカ粒子を得た。
上記と同様にポリエステルを製造するにあたり、エステル交換後、体積平均粒子径０．０６μｍ、体積形状係数ｆ＝０．５１、モース硬度７の球状シリカをそれぞれ添加し、重縮合反応を行い、粒子をポリエステルに対し１．０重量％含有するシリカ含有マスターペレットを得た（ポリエステルＢ）。なお、用いる球状シリカは、エタノールとエチルシリケートとの混合溶液を攪拌しながら、この混合溶液に、エタノール、純水、および塩基性触媒としてアンモニア水からなる混合溶液を添加し、得られた反応液を攪拌して、エチルシリケートの加水分解反応およびこの加水分解生成物の重縮合反応を行なった後に、反応後の攪拌を行い、単分散シリカ粒子を得た。
【0076】
（ポリエステルＣの作成）
上記と同様にポリエステルを製造するにあたり、エステル交換後、体積平均粒子径０．２μｍ、体積形状係数ｆ＝０．５１、モース硬度７の球状シリカをそれぞれ添加し、重縮合反応を行い、粒子をポリエステルに対し２重量％含有するシリカ含有マスターペレットを得た（ポリエステルＣ）。なお、用いる球状シリカは、エタノールとエチルシリケートとの混合溶液を攪拌しながら、この混合溶液に、エタノール、純水、および塩基性触媒としてアンモニア水からなる混合溶液を添加し、得られた反応液を攪拌して、エチルシリケートの加水分解反応およびこの加水分解生成物の重縮合反応を行なった後に、反応後の攪拌を行い、単分散シリカ粒子を得た。
上記と同様にポリエステルを製造するにあたり、エステル交換後、体積平均粒子径０．２μｍ、体積形状係数ｆ＝０．５１、モース硬度７の球状シリカをそれぞれ添加し、重縮合反応を行い、粒子をポリエステルに対し２重量％含有するシリカ含有マスターペレットを得た（ポリエステルＣ）。なお、用いる球状シリカは、エタノールとエチルシリケートとの混合溶液を攪拌しながら、この混合溶液に、エタノール、純水、および塩基性触媒としてアンモニア水からなる混合溶液を添加し、得られた反応液を攪拌して、エチルシリケートの加水分解反応およびこの加水分解生成物の重縮合反応を行なった後に、反応後の攪拌を行い、単分散シリカ粒子を得た。
【0077】
（ポリエステルＤ、Ｅ、Ｆの作成）
さらに別に、モノマーを吸着させる方法によって得た体積平均粒子径０．１５μｍ、体積形状係数ｆ＝０．５１のジビニルベンゼン／スチレン共重合架橋粒子の水スラリーを、上記の実質的に粒子を含有しないホモポリエステルペレットに、ベント式二軸混練機を用いて含有させ、体積平均粒子径０．１５μｍのジビニルベンゼン／スチレン共重合架橋粒子をポリエステルに対し１重量％含有するマスターペレットを得る（ポリエステルＤ）。また、体積平均粒子径０．３μｍ、０．４５μｍのジビニルベンゼン／スチレン共重合架橋粒子含有マスターペレットは、ポリエステルに対しそれぞれ０．２重量％、１重量％含有するマスターペレットを同様にして得た（ポリエステルＥ、Ｆ）。
さらに別に、モノマーを吸着させる方法によって得た体積平均粒子径０．１５μｍ、体積形状係数ｆ＝０．５１のジビニルベンゼン／スチレン共重合架橋粒子の水スラリーを、上記の実質的に粒子を含有しないホモポリエステルペレットに、ベント式二軸混練機を用いて含有させ、体積平均粒子径０．１５μｍのジビニルベンゼン／スチレン共重合架橋粒子をポリエステルに対し１重量％含有するマスターペレットを得る（ポリエステルＤ）。また、体積平均粒子径０．３μｍ、０．４５μｍのジビニルベンゼン／スチレン共重合架橋粒子含有マスターペレットは、ポリエステルに対しそれぞれ０．２重量％、１重量％含有するマスターペレットを同様にして得た（ポリエステルＥ、Ｆ）。
【0078】
（ポリエステルＧの作成）
さらに、平均粒子径１．０μｍの炭酸カルシウムを準備し、１０％のエチレングリコールスラリーとした。このスラリーをジェットアジターで一時間分散処理を行い、５μｍ以上の捕集効率９５％のフィルターで高精度濾過した。ジメチルテレフタレートに１．９モルのエチレングリコールおよび酢酸マグネシウム・４水塩を０．０５％、リン酸を０．０１５％加え加熱エステル交換を行い、前述した炭酸カルシウムを含むスラリーをエステル交換後に添加し、引き続き三酸化アンチモン０．０２５％を加え、加熱昇温し真空下で重縮合反応を行い、平均粒子径１．０μｍの炭酸カルシウムを１重量％含む、固有粘度０．６３ｄｌ／ｇの炭酸カルシウム含有マスターペレットを得た。（ポリエステルＧ）。
さらに、平均粒子径１．０μｍの炭酸カルシウムを準備し、１０％のエチレングリコールスラリーとした。このスラリーをジェットアジターで一時間分散処理を行い、５μｍ以上の捕集効率９５％のフィルターで高精度濾過した。ジメチルテレフタレートに１．９モルのエチレングリコールおよび酢酸マグネシウム・４水塩を０．０５％、リン酸を０．０１５％加え加熱エステル交換を行い、前述した炭酸カルシウムを含むスラリーをエステル交換後に添加し、引き続き三酸化アンチモン０．０２５％を加え、加熱昇温し真空下で重縮合反応を行い、平均粒子径１．０μｍの炭酸カルシウムを１重量％含む、固有粘度０．６３ｄｌ／ｇの炭酸カルシウム含有マスターペレットを得た。（ポリエステルＧ）。
【0079】
（ポリエステルＨの作成）
さらに、凝集アルミナとしてδ型－アルミナを１０％のエチレングリコールスラリーとし、サンドグラインダーを用い、粉砕、分散処理を行い、さらに捕集効率９５％の３μｍフィルターを用いて濾過し、これを前記と同様に調整したエステル交換反応物に添加し、引き続き三酸化アンチモンを加え、重縮合反応を行い、凝集アルミナを１．５重量％含有する、固有粘度０．６２ｄｌ／ｇのマスターペレットを得た。（ポリエステルＨ）。
さらに、凝集アルミナとしてδ型－アルミナを１０％のエチレングリコールスラリーとし、サンドグラインダーを用い、粉砕、分散処理を行い、さらに捕集効率９５％の３μｍフィルターを用いて濾過し、これを前記と同様に調整したエステル交換反応物に添加し、引き続き三酸化アンチモンを加え、重縮合反応を行い、凝集アルミナを１．５重量％含有する、固有粘度０．６２ｄｌ／ｇのマスターペレットを得た。（ポリエステルＨ）。
【0080】
（実施例１）
各層について表１に示した配合で調合した原料の混合物を、ブレンダー内で攪拌した後、Ａ層、Ｂ層の原料は攪拌後の原料を、Ａ層用、Ｃ層用のベント付き二軸押出機に供給し、Ｃ層の原料は１２０～１４０℃で１時間以上減圧乾燥し、Ｃ層用の一軸押出機に供給した。続いて、２７５℃で溶融押出し、Ａ層は５μｍ以上の異物を９５％以上捕集する高精度なフィルター、Ｂ層は２μｍ以上の異物を９５％以上捕集する高精度なフィルターにて濾過した後、矩形の３層用合流ブロックで合流積層し、Ａ層、Ｃ層、Ｂ層からなる３層積層とした。その後、２８５℃に保ったスリットダイを介し冷却ロール上に静電印可キャスト法を用いて表面温度２３℃のキャスティングドラムに巻き付け冷却固化して未延伸積層フィルムを得た。
各層について表１に示した配合で調合した原料の混合物を、ブレンダー内で攪拌した後、Ａ層、Ｂ層の原料は攪拌後の原料を、Ａ層用、Ｃ層用のベント付き二軸押出機に供給し、Ｃ層の原料は１２０～１４０℃で１時間以上減圧乾燥し、Ｃ層用の一軸押出機に供給した。続いて、２７５℃で溶融押出し、Ａ層は５μｍ以上の異物を９５％以上捕集する高精度なフィルター、Ｂ層は２μｍ以上の異物を９５％以上捕集する高精度なフィルターにて濾過した後、矩形の３層用合流ブロックで合流積層し、Ａ層、Ｃ層、Ｂ層からなる３層積層とした。その後、２８５℃に保ったスリットダイを介し冷却ロール上に静電印可キャスト法を用いて表面温度２３℃のキャスティングドラムに巻き付け冷却固化して未延伸積層フィルムを得た。
【0081】
この未延伸フィルムを６８～９９℃の加熱ロールで予熱後、表面粗さＲａが０．２μｍの延伸ロールを用いて１１３～１１５℃で長手方向４倍に延伸し、続けて、延伸温度よりも８８～９０℃下げて、一軸延伸後のフィルムを冷却させた。さらに、引き続いてステンタにて１０３～１１２℃の熱風下で幅方向に４．３倍延伸後、定張下、２２２℃で３秒間熱処理し、その後、長手方向に０．１％、幅方向に３．３％の弛緩処理を施し、厚さ１６μｍの二軸配向ポリエステルフィルムの中間製品を得た。この中間製品をスリッターにてスリットし、厚さ１６μｍの二軸配向ポリエステルフィルムのロールを得た。得られたフィルムの評価結果を表２に示した。このように本発明の二軸配向ポリエステルフィルムはすべり性、レジスト解像度に優れるものであった。
【0082】
（実施例２～６）
Ａ層、Ｂ層、Ｃ層の組成を表１に記載のように変更する以外は実施例１と同様にして二軸配向ポリエステルフィルムを得た。得られたフィルムの評価結果を表２に示す。このように本発明の二軸配向ポリエステルフィルムは実施例１同様に、すべり性、レジスト解像度に優れるものであった。
Ａ層、Ｂ層、Ｃ層の組成を表１に記載のように変更する以外は実施例１と同様にして二軸配向ポリエステルフィルムを得た。得られたフィルムの評価結果を表２に示す。このように本発明の二軸配向ポリエステルフィルムは実施例１同様に、すべり性、レジスト解像度に優れるものであった。
【0083】
（比較例１～３）
Ａ層、Ｂ層、Ｃ層の組成を表１に記載のように変更した以外は実施例１と同様にして二軸配向ポリエステルフィルムを得た。得られたフィルムの評価結果を表２に示す。
Ａ層、Ｂ層、Ｃ層の組成を表１に記載のように変更した以外は実施例１と同様にして二軸配向ポリエステルフィルムを得た。得られたフィルムの評価結果を表２に示す。
【0084】
【表1】
【0085】
【表2】
【産業上の利用可能性】
【0086】
本発明の二軸配向ポリエステルフィルムは、良好な透過性、すべり性を有するため、ドライフィルムレジスト支持体用に好適に用いることができる。
【符号の説明】
【0087】
１ 最も険しい斜面の大きさ（式２にて算出される）
【図1】
