特開2024-9766改良した絶縁ゲート構造を具備するパワーＭＯＳＦＥＴ装置及びその製造方法

発明の名称　改良した絶縁ゲート構造を具備するパワーＭＯＳＦＥＴ装置及びその製造方法

出願人　エスティーマイクロエレクトロニクス　エス．アール．エル．　（識別番号 591002692）

　　　　特許公開件数ランキング 30918 位（0件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 2764 位（5件）（共同出願を含む）

公報番号　特開-2024-9766

公報発行日　2024年1月23

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-P_A1-2024-9766

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