特開 2024-98656 導電性フィルム

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024098656

(43)【公開日】2024-07-24

(54)【発明の名称】導電性フィルム

(51)【国際特許分類】

   B32B 15/08 20060101AFI20240717BHJP

【ＦＩ】

B32B15/08 E

【審査請求】未請求

【請求項の数】4

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023002266

(22)【出願日】2023-01-11

(71)【出願人】

【識別番号】000003964

【氏名又は名称】日東電工株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100103517

【弁理士】

【氏名又は名称】岡本 寛之

(74)【代理人】

【識別番号】100149607

【弁理士】

【氏名又は名称】宇田 新一

(72)【発明者】

【氏名】竹下 翔也

(72)【発明者】

【氏名】曽根 大希

(72)【発明者】

【氏名】竹安 智宏

【テーマコード（参考）】

4F100

【Ｆターム（参考）】

4F100AA00B

4F100AA17C

4F100AA33B

4F100AB17C

4F100AB31C

4F100AJ04A

4F100AK01A

4F100AK03A

4F100AK12A

4F100AK25A

4F100AK36A

4F100AK41A

4F100AK42A

4F100AK43A

4F100AK45A

4F100AK46A

4F100AK49A

4F100AK54A

4F100AK55A

4F100AT00A

4F100BA03

4F100BA07

4F100BA10A

4F100BA10C

4F100EA02

4F100EH66

4F100EH66B

4F100EJ60

4F100EJ61

4F100EJ64

4F100GB41

4F100JD02

4F100JD02B

4F100JD03

4F100JD06

4F100JD06C

4F100JG01

4F100JG01C

4F100JK06

4F100JK17

4F100JK17A

4F100JN01A

4F100YY00A

4F100YY00B

4F100YY00C

(57)【要約】

【課題】有機樹脂基材からのアウトガスが銅層に接触することを抑制できながら、比抵抗に優れる導電性フィルムを提供する。
【解決手段】導電性フィルム１は、有機樹脂基材２と、有機樹脂基材２の厚み方向一方側に配置される無機層３と、無機層の厚み方向一方面に直接配置される銅層４とを備え、無機層３近傍の銅層４において、エネルギー分散型Ｘ線分析（ＥＤＸ）により測定される、Ｃｕ、Ｏ、および、無機層３由来の無機元素の総和に対して、Ｏの元素濃度が、１．４原子％以上、１５原子％以下である。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

有機樹脂基材と、
前記有機樹脂基材の厚み方向一方側に配置される無機層と、
前記無機層の厚み方向一方面に直接配置される銅層とを備え、
前記無機層近傍の前記銅層において、エネルギー分散型Ｘ線分析（ＥＤＸ）により測定される、Ｃｕ、Ｏ、および、前記無機層由来の無機元素の総和に対して、Ｏの元素濃度が、１．４原子％以上、１５原子％以下である、導電性フィルム。

【請求項2】

前記銅層の厚みが、５０ｎｍ以上である、請求項１に記載の導電性フィルム。

【請求項3】

前記銅層の厚みが、３００ｎｍ以下である、請求項１に記載の導電性フィルム。

【請求項4】

前記無機層の厚みが、２ｎｍ以上、１５ｎｍ以下である、請求項１～３のいずれか一項に記載の導電性フィルム。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、導電性フィルムに関する。

【背景技術】

【0002】

従来、基材と、金属層とを順に備える導電性フィルムが知られている。このような導電性フィルムは、例えば、フラットパネルディスプレイ、タッチパネルなどの各種デバイスにおいて、電極をパターン形成するための導体層として用いられる。

【0003】

また、このような導電性フィルムは、例えば、スパッタリング法によって、基材の厚み方向一方面に金属層を配置することにより、製造される。

【0004】

一方、上記した導電性フィルムの製造では、基材からのアウトガスが発生する場合がある。このようなアウトガスによって、金属層の厚み方向他方面に、金属酸化物が形成される。そうすると、基材および金属層の間の密着性が低下するという不具合がある。

【0005】

これに対して、基材および金属層の間に、バリア層（無機層）を備える導電性フィルムが検討されている。バリア層によれば、基材からのアウトガスが金属層に接触することを抑制できるため、上記不具合を解消することができる。

【0006】

このような導電性フィルムとして、樹脂フィルムと、無機層と、銅層とをこの順に含む導電性フィルムが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0007】

【特許文献1】特開２０１７－１００３６８号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0008】

一方、バリア層を設けると、金属層（銅層）の比抵抗が高くなるという不具合がある。

【0009】

本発明は、有機樹脂基材からのアウトガスが銅層に接触することを抑制できながら、比抵抗に優れる導電性フィルムを提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0010】

本発明［１］は、有機樹脂基材と、前記有機樹脂基材の厚み方向一方側に配置される無機層と、前記無機層の厚み方向一方面に直接配置される銅層とを備え、前記無機層近傍の前記銅層において、エネルギー分散型Ｘ線分析（ＥＤＸ）により測定される、Ｃｕ、Ｏ、および、前記無機層由来の無機元素の総和に対して、Ｏの元素濃度が、１．４原子％以上１５原子％以下である、導電性フィルムを含んでいる。

【0011】

本発明［２］は、前記銅層の厚みが、５０ｎｍ以上である、上記［１］に記載の導電性フィルムを含んでいる。

【0012】

本発明［３］は、前記銅層の厚みが、３００ｎｍ以下である、上記［１］または［２］に記載の導電性フィルムを含んでいる。

【0013】

本発明［４］は、前記無機層の厚みが、２ｎｍ以上１５ｎｍ以下である、上記［１］～［３］のいずれか一項に記載の導電性フィルムを含んでいる。

【発明の効果】

【0014】

本発明の導電性フィルムは、無機層を備える。そのため、導電性フィルムの製造時に、有機樹脂基材からのアウトガスが銅層に接触することを抑制できる。その結果、有機樹脂基材および銅層の間の密着性が低下することを抑制できる。

【0015】

しかも、本発明の導電性フィルムは、無機層近傍の銅層において、エネルギー分散型Ｘ線分析（ＥＤＸ）により測定される、Ｃｕ、Ｏ、および、無機層由来の無機元素の総和に対して、Ｏの元素濃度が、１．４原子％以上１５原子％以下である。そのため、銅層の比抵抗を低くできる。

【図面の簡単な説明】

【0016】

【図1】図１は、本発明の導電性フィルムの一実施形態を示す。

【図2】図２Ａ～図２Ｃは、導電性フィルムの製造方法の一実施形態を示す。図２Ａは、有機樹脂基材を準備する第１工程を示す。図２Ｂは、有機樹脂基材の厚み方向一方面に、無機層を配置する第２工程を示す。図２Ｃは、無機層の厚み方向一方面に、銅層を配置する第３工程を示す。

【図3】図３は、実施例３において、エネルギー分散型Ｘ線分析（ＥＤＸ）によって、有機樹脂基材から銅層にわたって厚み方向一方向に、Ｃｕ、Ｏ、および、無機層由来の無機元素の元素濃度を測定したデータである。

【図4】図４は、図３のデータのグラフである。

【図5】図５は、比較例１において、エネルギー分散型Ｘ線分析（ＥＤＸ）によって、有機樹脂基材から銅層にわたって厚み方向一方向に、Ｃｕ、Ｏ、および、無機層由来の無機元素の元素濃度を測定したデータである。

【図6】図６は、図５のデータのグラフである。

【発明を実施するための形態】

【0017】

１．導電性フィルム
図１を参照して、本発明の導電性フィルムの一実施形態を説明する。

【0018】

図１において、紙面上下方向は、上下方向（厚み方向）である。また、紙面上側が、上側（厚み方向一方側）である。また、紙面下側が、下側（厚み方向他方側）である。また、紙面左右方向および奥行き方向は、上下方向に直交する面方向である。具体的には、各図の方向矢印に準拠する。

【0019】

導電性フィルム１は、所定の厚みを有するフィルム形状（シート形状を含む。）を有する。導電性フィルム１は、厚み方向と直交する面方向に延びる。導電性フィルム１は、平坦な上面および平坦な下面を有する。

【0020】

図１に示すように、導電性フィルム１は、有機樹脂基材２と、有機樹脂基材２の厚み方向一方側に配置される無機層３と、無機層３の厚み方向一方面に直接配置される銅層４とを備える。具体的には、導電性フィルム１は、有機樹脂基材２と、有機樹脂基材２の上面（厚み方向一方面）に直接配置される無機層３と、無機層３の上面（厚み方向一方面）に直接配置される銅層４とを備える。

【0021】

導電性フィルム１の厚みは、例えば、１μｍ以上、好ましくは、５μｍ以上、また、例えば、３００μｍ以下、好ましくは、２００μｍ以下である。

【0022】

＜有機樹脂基材＞
有機樹脂基材２は、フィルム形状を有する。有機樹脂基材２は、可撓性を有する。有機樹脂基材２は、無機層３の下面に接触するように、無機層３の下面全面に、配置されている。有機樹脂基材２は、導電性フィルム１の最下層である。

【0023】

有機樹脂基材２としては、例えば、高分子フィルムが挙げられる。

【0024】

高分子フィルムの材料としては、例えば、ポリエステル樹脂、（メタ）アクリル樹脂、オレフィン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテルスルフォン樹脂、ポリアリレート樹脂、メラミン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、セルロース樹脂、および、ポリスチレン樹脂が挙げられ、好ましくは、ポリエステル樹脂が挙げられる。

【0025】

ポリエステル樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、および、ポリエチレンナフタレートが挙げられ、好ましくは、ポリエチレンテレフタレートが挙げられる。

【0026】

（メタ）アクリル樹脂としては、例えば、ポリメチルメタクリレートが挙げられる。

【0027】

オレフィン樹脂としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、および、シクロオレフィンポリマーが挙げられる。

【0028】

セルロース樹脂としては、例えば、トリアセチルセルロースが挙げられる。

【0029】

有機樹脂基材２の厚みは、例えば、１μｍ以上、好ましくは、５μｍ以上、より好ましくは、１０μｍ以上、さらに好ましくは、５０μｍ以上、とりわけ好ましくは、１００μｍ以上、また、例えば、３００μｍ以下、好ましくは、２００μｍ以下、より好ましくは、１５０μｍ以下である。

【0030】

有機樹脂基材２の厚みは、ダイヤルゲージ（ＰＥＡＣＯＣＫ社製、「ＤＧ－２０５」）を用いて測定できる。

【0031】

また、有機樹脂基材２は、好ましくは、透明性を有する。具体的には、有機樹脂基材２の全光線透過率（ＪＩＳ Ｋ ７３７５－２００８）は、例えば、８０％以上、好ましくは、８５％以上である。

【0032】

＜無機層＞
無機層３は、後述する導電性フィルム１の製造方法において、有機樹脂基材２からのアウトガスが銅層４に接触することを抑制するための層である。

【0033】

無機層３は、フィルム形状を有する。無機層３は、有機樹脂基材２の上面に接触するように、有機樹脂基材２の上面全面に、配置されている。また、無機層３は、銅層４の下面に接触するように、銅層４の下面全面に、配置されている。

【0034】

また、無機層３は、詳しくは後述するが、スパッタリング法により形成されることから、スパッタ層である。

【0035】

無機層３の材料は、純金属としての銅以外の無機物であれば、特に限定されない。具体的には、無機層３の材料として、好ましくは、金属（純金属としての銅を除く。）、および、金属酸化物（酸化銅を除く。）が挙げられる。

【0036】

金属として、例えば、Ｎｉ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｓｂ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｍｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｗ、これらの合金、および、これらと銅との合金が挙げられる。

【0037】

金属酸化物は、例えば、上記金属の酸化物が挙げられる。金属酸化物として、好ましくは、インジウム含有酸化物が挙げられる。インジウム含有酸化物としては、例えば、インジウムスズ複合酸化物（ＩＴＯ）が挙げられる。

【0038】

また、金属酸化物は、結晶質および非晶質のいずれであってもよい。

【0039】

無機層３の材料として、好ましくは、金属酸化物が挙げられる。

【0040】

無機層３の材料は、単独使用または２種以上併用することができる。

【0041】

無機層３の厚みは、例えば、ガスバリア性の観点から、２ｎｍ以上、また、例えば、加工性の観点から、１５ｎｍ以下、好ましくは、１０ｎｍ以下、より好ましくは、７ｎｍ以下である。

【0042】

なお、無機層３の厚みは、例えば、透過型電子顕微鏡を用いて、導電性フィルム１の断面を観察することにより測定することができる。

【0043】

＜銅層＞
銅層４は、導体層である。銅層４は、必要により、所望のパターンに形成される。

【0044】

銅層４は、フィルム形状を有する。銅層４は、無機層３の上面に接触するように、無機層３の上面全面に、配置されている。銅層４は、導電性フィルム１の最上層である。

【0045】

また、銅層４は、詳しくは後述するが、スパッタリング法により形成されることから、スパッタ層である。

【0046】

銅層４の材料としては、例えば、銅（純金属としての銅）および銅合金が挙げられる。

【0047】

銅合金を構成する金属としては、特に限定されないが、例えば、銀、錫、クロム、および、ジルコニウムが挙げられる。

【0048】

銅層４の材料として、導電性の観点から、好ましくは、銅（純金属としての銅）が挙げられる。つまり、銅層４は、好ましくは、銅（純金属としての銅）からなる。

【0049】

銅層４の比抵抗は、例えば、２．３００×１０^－８Ω・ｍ以下、好ましくは、２．２８０×１０^－８Ω・ｍ以下、より好ましくは、２．２００×１０^－８Ω・ｍ以下、また、通常、１．０００×１０^－８Ω・ｍ以上である。

【0050】

なお、比抵抗は、ＪＩＳ Ｋ７１９４に準拠して、４端子法により測定した表面抵抗値と銅層４の厚みとを乗ずることにより算出できる。

【0051】

銅層４の表面抵抗値は、例えば、０．２２２Ω／□以下、好ましくは、０．２２０Ω／□以下、より好ましくは、０．２１０Ω／□以下である。

【0052】

銅層４の表面抵抗値の下限は、特に限定されない。例えば、銅層４の表面抵抗値は、通常、０Ω／□超過である。

【0053】

なお、表面抵抗値は、ＪＩＳ Ｋ７１９４に準拠して、４端子法により測定することができる。

【0054】

銅層４の厚みは、例えば、抵抗値の観点から、５０ｎｍ以上、好ましくは、７０ｎｍ以上、より好ましくは、９０ｎｍ以上、さらに好ましくは、１００ｎｍ以上、また、例えば、生産性の観点から、３００ｎｍ以下、好ましくは、２５０ｎｍ以下、より好ましくは、２００ｎｍ以下、さらに好ましくは、１５０ｎｍ以下、とりわけ好ましくは、１２０ｎｍ以下である。

【0055】

無機層３近傍の銅層４において、エネルギー分散型Ｘ線分析（ＥＤＸ）によって測定される、Ｃｕ（銅元素）、Ｏ（酸素元素）、および、無機層３由来の無機元素の総和に対して、Ｏの元素濃度が、１．４原子％以上、好ましくは、２．０原子％以上、より好ましくは、２．５原子％以上、さらに好ましくは、３．０原子％以上、とりわけ好ましくは、４．０原子％以上、また、１５原子％以下、好ましくは、１０原子％以下、より好ましくは、７原子％以下、さらに好ましくは、５原子％以下である。

【0056】

なお、エネルギー分散型Ｘ線分析（ＥＤＸ）による元素濃度の測定方法および測定条件は、後述する実施例で詳述する。

【0057】

無機層３近傍の銅層４とは、エネルギー分散型Ｘ線分析（ＥＤＸ）によって、有機樹脂基材２から銅層４にわたって、厚み方向一方向に、Ｃｕ、Ｏ、および、無機層３由来の無機元素の元素濃度を測定し、Ｃｕ、Ｏ、および、無機層３由来の無機元素の総和に対して、Ｃｕの元素濃度が５０原子％以上となり、かつ、Ｃｕおよび無機層３由来の無機元素の総和に対して、無機元素の元素濃度が１原子％以下となった最初の時点の銅層４である。

【0058】

無機層３近傍の銅層４において、エネルギー分散型Ｘ線分析（ＥＤＸ）によって測定される、Ｃｕ、Ｏ、および、無機層３由来の無機元素の総和に対して、Ｏの元素濃度が上記した範囲であれば、銅層４は、比抵抗に優れる。

【0059】

２．導電性フィルムの製造方法
図２Ａ～図２Ｃを参照して、導電性フィルム１の製造方法を説明する。

【0060】

導電性フィルム１の製造方法は、有機樹脂基材２を準備する第１工程と、スパッタリング法によって、有機樹脂基材２の厚み方向一方面に、無機層３を配置する第２工程と、スパッタリング法によって、無機層３の厚み方向一方面に、銅層４を配置する第３工程とを備える。また、この方法では、各層を、例えば、ロールトゥロール方式で、順に配置する。このような場合には、搬送速度は、例えば、１．０ｍ／分以上、また、例えば、２０．０ｍ／分以下である。

【0061】

また、導電性フィルム１の製造方法では、第２工程および第３工程において、スパッタリングガスを供給しながら、スパッタリング法を実施する。

【0062】

導電性フィルム１の製造方法では、第２工程では、スパッタリングガスとして、例えば、不活性ガス（後述）を供給する。好ましくは、第２工程では、スパッタリングガスとして、不活性ガス（後述）を供給するとともに、酸素ガスを供給する。

【0063】

導電性フィルム１の製造方法では、第３工程では、所望の銅層４を形成するために、ターゲット材やスパッタリングの条件などを適宜設定して複数回スパッタリングを実施する。第３工程において、スパッタリングの回数としては、例えば、２回以上、好ましくは、４回以上、また、例えば、２０回以下、好ましくは、１０回以下である。

【0064】

導電性フィルム１の製造方法では、第３工程では、スパッタリングガスとして、例えば、不活性ガス（後述）を供給する。好ましくは、第３工程の１回目のスパッタリングでは、スパッタリングガスとして、不活性ガス（後述）を供給するとともに、酸素ガスを供給し、第３工程の２回目以降のスパッタリングでは、スパッタリングガスとして、不活性ガス（後述）のみを供給する。

【0065】

つまり、導電性フィルム１の製造方法では、例えば、第２工程において、スパッタリング法によって、不活性ガスとともに、酸素ガスを供給して、有機樹脂基材２の厚み方向一方面に、無機層３を配置し、第３工程において、スパッタリング法によって、不活性ガスのみを供給して、無機層３の厚み方向一方面に、銅層４を配置する。また、例えば、第２工程において、スパッタリング法によって、不活性ガスのみを供給して、有機樹脂基材２の厚み方向一方面に、無機層３を配置し、第３工程において、スパッタリング法によって、１回目のスパッタリングでは、不活性ガスとともに、酸素ガスを供給し、２回目以降のスパッタリングでは、不活性ガスのみを供給して、無機層３の厚み方向一方面に、銅層４を配置する。さらに、例えば、第２工程において、スパッタリング法によって、不活性ガスとともに、酸素ガスを供給して、有機樹脂基材２の厚み方向一方面に、無機層３を配置し、第３工程において、スパッタリング法によって、１回目のスパッタリングでは、不活性ガスとともに、酸素ガスを供給し、２回目以降のスパッタリングでは、不活性ガスのみを供給して、無機層３の厚み方向一方面に、銅層４を配置する。好ましくは、導電性フィルム１の製造方法では、第２工程において、スパッタリング法によって、不活性ガスとともに、酸素ガスを供給して、有機樹脂基材２の厚み方向一方面に、無機層３を配置し、第３工程において、スパッタリング法によって、１回目のスパッタリングでは、不活性ガスとともに、酸素ガスを供給し、２回目以降のスパッタリングでは、不活性ガスのみを供給して、無機層３の厚み方向一方面に、銅層４を配置する。

【0066】

以下の説明では、導電性フィルム１の製造方法を詳述する。

【0067】

［第１工程］
第１工程では、図２Ａに示すように、有機樹脂基材２を準備する。

【0068】

［第２工程］
第２工程では、図２Ｂに示すように、スパッタリング法によって、有機樹脂基材２の厚み方向一方面に、無機層３を配置する。

【0069】

スパッタリング法によって、有機樹脂基材２の厚み方向一方面に、無機層３を配置するには、まず、必要により、有機樹脂基材２の厚み方向一方面に表面処理を施す。

【0070】

表面処理としては、例えば、コロナ処理、プラズマ処理、フレーム処理、オゾン処理、プライマー処理、グロー処理、および、ケン化処理が挙げられる。

【0071】

次いで、スパッタリング法では、スパッタ成膜装置における真空チャンバー内にターゲット（無機層３の材料）および有機樹脂基材２を対向配置する。次いで、スパッタリングガスを供給するとともに電源から電圧を印加することによりガスイオンを加速しターゲットに照射させて、ターゲット表面からターゲット材料をはじき出す。そして、そのターゲット材料を有機樹脂基材２の表面（厚み方向一方面）に堆積させて、無機層３を形成する。

【0072】

また、スパッタリングガスとして、例えば、不活性ガス（例えば、アルゴンガス）のみを供給する、または、不活性ガスおよび酸素ガスを供給する。好ましくは、スパッタリングガスとして、不活性ガスおよび酸素ガスを供給する。

【0073】

不活性ガスとともに、酸素ガスを供給する場合、その流量は、例えば、５ｓｃｃｍ以上、好ましくは、１０ｓｃｃｍ以上、より好ましくは、２０ｓｃｃｍ以上、さらに好ましくは、３０ｓｃｃｍ以上、とりわけ好ましくは４０ｓｃｃｍ以上、また、例えば、２００ｓｃｃｍ以下、好ましくは、１００ｓｃｃｍ以下である。

【0074】

また、不活性ガスとともに、酸素ガスを供給する場合において、酸素ガスの流量に対する不活性ガスの流量の流量比は、例えば、３．５以上、好ましくは、１０以上、また、例えば、２００以下、好ましくは、１００以下、より好ましくは、５０以下、さらに好ましくは、３０以下である。

【0075】

スパッタリング時の気圧は、例えば、０．１Ｐａ以上、好ましくは、０．２Ｐａ以上、また、例えば、２．０Ｐａ以下、好ましくは、１．０Ｐａ以下である。

【0076】

電源は、例えば、ＤＣ電源、ＡＣ電源、ＭＦ電源、および、ＲＦ電源のいずれであってもよい。また、これらの組み合わせであってもよい。

【0077】

放電出力は、例えば、１．０ｋＷ以上、好ましくは、５．０ｋＷ以上、また、例えば、２０ｋＷ以下である。

【0078】

これにより、有機樹脂基材２の厚み方向一方面に、無機層３を配置する。

【0079】

［第３工程］
第３工程では、図２Ｃに示すように、スパッタリング法によって、無機層３の厚み方向一方面に、銅層４を配置する。

【0080】

スパッタリング法では、スパッタ成膜装置における真空チャンバー内にターゲット（銅層４の材料）および無機層３を対向配置する。次いで、スパッタリングガスを供給するとともに電源から電圧を印加することによりガスイオンを加速しターゲットに照射させて、ターゲット表面からターゲット材料をはじき出す。そして、そのターゲット材料を無機層３の表面（厚み方向一方面）に堆積させて、銅層４を形成する。

【0081】

第３工程では、所望の銅層４を形成するために、ターゲット材やスパッタリングの条件などを適宜設定して複数回スパッタリングを実施する。第３工程において、スパッタリングの回数としては、例えば、２回以上、好ましくは、４回以上、また、例えば、２０回以下、好ましくは、１０回以下である。

【0082】

また、スパッタリングガスとして、例えば、不活性ガス（例えば、アルゴンガス）のみを供給する、または、不活性ガスおよび酸素ガスを供給する。より具体的には、スパッタリングガスとして、例えば、すべてのスパッタリングにおいて、不活性ガスのみを供給する、または、１回目のスパッタリングでは、不活性ガスおよび酸素ガスを供給し、２回目以降のスパッタリングでは、不活性ガスのみを供給する。好ましくは、スパッタリングガスとして、１回目のスパッタリングでは、不活性ガスおよび酸素ガスを供給し、２回目以降のスパッタリングでは、不活性ガスのみを供給する。

【0083】

不活性ガスとともに、酸素ガスを供給する場合、その流量は、上記した第２工程の酸素ガスの流量よりも少なく、例えば、１ｓｃｃｍ以上、好ましくは、３ｓｃｃｍ以上、より好ましくは、５ｓｃｃｍ以上、また、例えば、３０ｓｃｃｍ以下、好ましくは、２０ｓｃｃｍ以下、より好ましくは、１５ｓｃｃｍ以下である。

【0084】

また、不活性ガスとともに、酸素ガスを供給する場合において、酸素ガスの流量に対する不活性ガスの流量の流量比は、例えば、２０以上、好ましくは、４０以上、また、例えば、５００以下、好ましくは、２００以下、より好ましくは、１００以下、さらに好ましくは、５０以下である。

【0085】

スパッタリング時の気圧は、例えば、０．１Ｐａ以上、好ましくは、０．２Ｐａ以上、また、例えば、２．０Ｐａ以下、好ましくは、１．０Ｐａ以下である。

【0086】

電源は、例えば、ＤＣ電源、ＡＣ電源、ＭＦ電源、および、ＲＦ電源のいずれであってもよい。また、これらの組み合わせであってもよい。

【0087】

放電出力は、例えば、５．０ｋＷ以上、好ましくは、１０．０ｋＷ以上、また、例えば、２０ｋＷ以下である。

【0088】

成膜温度（無機層３が配置された有機樹脂基材２の温度）は、例えば、３０℃以上、また、例えば、６０℃以下である。

【0089】

これにより、無機層３の厚み方向一方面に、銅層４が形成される。

【0090】

このように形成された銅層４は、無機層３近傍の銅層４において、エネルギー分散型Ｘ線分析（ＥＤＸ）によって測定される、Ｃｕ、Ｏ、および、無機層３由来の無機元素の総和に対して、Ｏの元素濃度が、１．４原子％以上１５原子％以下ある。

【0091】

以上により、導電性フィルム１を製造する。

【0092】

＜作用効果＞
導電性フィルム１は、無機層３を備える。そのため、導電性フィルム１の製造時に、有機樹脂基材２からのアウトガスが銅層４に接触することを抑制できる。

【0093】

詳しくは、導電性フィルム２の製造では、有機樹脂基材２からのアウトガスが発生する場合がある。このようなアウトガスによって、銅層４の厚み方向他方面に、酸化銅が形成する。そうすると、有機樹脂基材２および銅層４の間の密着性が低下する場合がある。

【0094】

一方、導電性フィルム１は、無機層３を備える。これにより、上記アウトガスが銅層４に接触することを抑制できる。そうすると、銅層４の厚み方向他方面に、酸化銅が形成されることを抑制でき、その結果、有機樹脂基材２（無機層３）および銅層４の密着性が低下することを抑制できる。

【0095】

また、導電性フィルム１の銅層４は、無機層３近傍の銅層４において、エネルギー分散型Ｘ線分析（ＥＤＸ）によって測定される、Ｃｕ、Ｏ、および、無機層３由来の無機元素の総和に対して、Ｏの元素濃度が、１．４原子％以上１５原子％以下である。そのため、銅層４の比抵抗を低くできる。

【0096】

＜変形例＞
変形例において、一実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。また、変形例は、特記する以外、第一実施形態と同様の作用効果を奏することができる。さらに、一実施形態およびその変形例を適宜組み合わせることができる。

【0097】

また、上記した説明では、導電性フィルム１は、有機樹脂基材２と、無機層３と、銅層４とを厚み方向に向かって順に備えるが、有機樹脂基材２および無機層３の間に、機能層（例えば、ハードコート層）を配置することもできる。このような場合には、導電性フィルム１は、有機樹脂基材２と、ハードコート層と、無機層３と、銅層４とを厚み方向に向かって順に備える。

【実施例0098】

以下に実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明する。なお、本発明は、何ら実施例および比較例に限定されない。また、以下の記載において用いられる配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなどの具体的数値は、上記の「発明を実施するための形態」において記載されている、それらに対応する配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなど該当記載の上限値（「以下」、「未満」として定義されている数値）または下限値（「以上」、「超過」として定義されている数値）に代替できる。

【0099】

＜導電性フィルムの製造＞
実施例１
以下の手順で、導電性フィルムを製造した。

【0100】

［第１工程］
有機樹脂基材として、ポリエチレンテレフタレート（１２５Ｕ４８、東レ社製、厚み１２５μｍ）を準備した。

【0101】

［第２工程］
以下の条件に基づいて、スパッタリング法によって、有機樹脂基材の厚み方向一方面に、無機層（ＩＴＯ層）（厚み５ｎｍ）を配置した。

【0102】

｛条件｝
装置：ロールトゥロール方式のスパッタ成膜装置（巻取式のＤＣマグネトロンスパッタリング装置）
無機層の材料：ＩＴＯ
ガス：アルゴンガスおよび酸素ガス（酸素ガスの流量２０ｓｃｃｍ）
酸素ガスの流量に対する不活性ガスの流量の流量比：３５
放電出力：７．２ｋＷ
成膜室内の気圧：０．４Ｐａ
走行速度：８．０ｍ／分

【0103】

［第３工程］
以下の条件に基づいて、スパッタリング法によって、無機層の厚み方向一方面に、銅層（１０４ｎｍ）を配置した。なお、スパッタリングは、所望する厚みになるまで、８回行った。

【0104】

｛条件｝
装置：ロールトゥロール方式のスパッタ成膜装置（巻取式のＤＣマグネトロンスパッタリング装置）
ガス：アルゴンガス
放電出力：１４．７ｋＷ
成膜室内の気圧：０．４Ｐａ
成膜温度：４０℃
走行速度：８．０ｍ／分

【0105】

なお、第２工程のスパッタリング後、連続して、第３工程おける、１回目のスパッタリングを行った。

【0106】

実施例２
実施例１と同様の手順に基づいて、導電性フィルムを製造した。但し、表１の記載に基づいて、第２工程における、酸素ガスの流量を変更した。

【0107】

実施例３
第１工程および第２工程は、実施例２と同様の手順を用い、第３工程は以下の手順で、導電性フィルムを製造した。

【0108】

［第３工程］
以下の条件に基づいて、スパッタリング法によって、無機層の厚み方向一方面に、銅層（厚み１２ｎｍ）を配置した。なお、スパッタリングは、１回のみ行った。

【0109】

｛条件｝
装置：ロールトゥロール方式のスパッタ成膜装置（巻取式のＤＣマグネトロンスパッタリング装置）
ガス：アルゴンガスおよび酸素ガス（酸素ガスの流量１５ｓｃｃｍ）
酸素ガスの流量に対する不活性ガスの流量の流量比：４７
放電出力：１４．７ｋＷ
成膜室内の気圧：０．４Ｐａ
成膜温度：４０℃
走行速度：８．０ｍ／分

【0110】

なお、第２工程のスパッタリング後、連続して、第３工程おける、１回目のスパッタリングを行った。

【0111】

次いで、以下の条件に基づいて、スパッタリング法によって、さらに、銅層（厚み９２ｎｍ）を配置した。なお、スパッタリングは、所望する厚みになるまで、７回行った。

【0112】

｛条件｝
装置：ロールトゥロール方式のスパッタ成膜装置（巻取式のＤＣマグネトロンスパッタリング装置）
ガス：アルゴンガス
放電出力：１４．７ｋＷ
成膜室内の気圧：０．４Ｐａ
成膜温度：４０℃
走行速度：８．０ｍ／分

【0113】

比較例１
実施例１と同様の手順に基づいて、導電性フィルムを製造した。ただし、表１の記載に基づいて、酸素ガスの流量を変更した。具体的には、第２工程において、酸素ガスを供給しなかった。

【0114】

比較例２
実施例３と同様の手順に基づいて、導電性フィルムを製造した。ただし、表１の記載に基づいて、酸素ガスの流量を変更した。具体的には、第３工程において、酸素ガスの流量を１００ｓｃｃｍ（酸素ガスの流量に対する不活性ガスの流量の流量比：７）とした。

【0115】

＜評価＞
（表面抵抗）
各実施例および各比較例の銅層の表面抵抗を、ＪＩＳ Ｋ７１９４に準拠して、４端子法により測定した。その結果を表１に示す。

【0116】

（比抵抗）
各実施例および各比較例の銅層の比抵抗を、表面抵抗値と銅層の厚みとを乗ずることにより算出した。その結果を表１に示す。

【0117】

（Ｏの元素濃度）
各実施例および各比較例において、マイクロサンプリング法を用い、集束イオンビーム装置（ＦＩＢ）により、試料を調製した。調製した装置および条件は下記に示す。次いで、調製した試料を、電界放射型分析透過電子顕微鏡（ＦＥ－ＴＥＭ）により、断面を観察し、次いで、エネルギー分散型Ｘ線分析（ＥＤＸ）により、有機樹脂基材から厚み方向一方向に、Ｃｕ、Ｏ、および、無機層由来の無機元素の元素濃度を測定した。観察および測定に用いた装置および条件は下記に示す。無機層近傍の銅層における、Ｃｕ、Ｏ、および、無機層３由来の無機元素の総和に対して、Ｏの元素濃度を表１に示す。また、実施例３および比較例１のエネルギー分散型Ｘ線分析（ＥＤＸ）によって、有機樹脂基材から厚み方向一方向に、Ｃｕ、Ｏ、および、無機層由来の無機元素の元素濃度を測定したデータおよびそのグラフを、図３～図６に示す。

【0118】

｛装置および条件｝
ＦＩＢ（ＦＢ２２００、Ｈｉｔａｃｈｉ社製）、加速電圧：１０～４０ｋＶ
ＦＥ－ＴＥＭ（ＪＥＭ－２８００、日本電子社製）、加速電圧：２００ｋＶ
ＥＤＸ（検出器：ＪＥＤ－２３００Ｔ（ＳＤ１００ＧＶ）、ＪＥＯＬ社製）、（アナライザ：ＮＯＲＡＮ Ｓｙｓｔｅｍ７、Ｔｈｅｒｍｏ Ｆｉｓｈｅｒ Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ社製）、（解析ソフト：ＮＳＳ、Ｔｈｅｒｍｏ Ｆｉｓｈｅｒ Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ社製）

【0119】

＜考察＞
実施例１～実施例３、比較例１、および、比較例２は、無機層を備えるため、有機樹脂基材からのアウトガスが銅層に接触することを抑制できるとわかる。

【0120】

また、図３は、実施例３における、有機樹脂基材から銅層にわたって厚み方向一方向に、Ｃｕ、Ｏ、および、無機層由来の無機元素の元素濃度を測定したデータを示し、図４は、そのグラフを示している。有機樹脂基材からの厚み方向一方向への移動距離が、１３．２μｍにおいて、無機元素の元素濃度が増加していることから、有機樹脂基材から無機層に切り替わっていることが確認できる。さらに、有機樹脂基材からの厚み方向一方向への移動距離が、２３．１μｍにおいて、Ｃｕの元素濃度が増加していることから、無機層から銅層に切り替わっていることが確認できる。

【0121】

無機層近傍の銅層とは、Ｃｕ、Ｏ、および、無機層由来の無機元素の総和に対して、Ｃｕの元素濃度が５０原子％以上となり、かつ、Ｃｕおよび無機層由来の無機元素の総和に対して、無機元素の元素濃度が１原子％以下となった最初の時点の銅層である。実施例３において、図３より、有機樹脂基材からの厚み方向一方向への移動距離が、２６．４μｍにおいて、Ｃｕ、Ｏ、および、無機層由来の無機元素の総和に対して、Ｃｕの元素濃度が９４．８原子％、Ｃｕおよび無機層由来の無機元素の総和に対して、無機元素の元素濃度が０．５４原子％となり、上記した条件を初めて満たすことから、無機層近傍の銅層となる。つまり、有機樹脂基材からの厚み方向一方向への移動距離が、２６．４μｍにおける、Ｃｕ、Ｏ、および、無機層由来の無機元素の総和に対する、Ｏの元素濃度が、実施例３における無機層近傍の銅層のＯの元素濃度であり、４．６９原子％である。

【0122】

同様に、比較例１において、図５より、有機樹脂基材からの厚み方向一方向への移動距離が、３３．１μｍにおいて、Ｃｕ、Ｏ、および、無機層由来の無機元素の総和に対して、Ｃｕの元素濃度が９８．０５原子％、Ｃｕおよび無機層由来の無機元素の総和に対して、無機原子の元素濃度が０．６７原子％となり、上記した条件を初めて満たすことから、無機層近傍の銅層となる。つまり、有機樹脂基材からの厚み方向一方向への移動距離が、３３．１μｍにおける、Ｃｕ、Ｏ、および、無機層由来の無機元素の総和に対する、Ｏの元素濃度が、比較例１における無機層近傍の銅層のＯの元素濃度であり、１．２９原子％である。

【0123】

したがって、表１より、無機層を備える場合であっても、無機層３近傍の銅層４における、Ｃｕ、Ｏ、および、無機層３由来の無機元素の総和に対して、Ｏの元素濃度が、１．４原子％以上１５原子％以下である実施例１～実施例３は、無機層３近傍の銅層４における、Ｃｕ、Ｏ、および、無機層３由来の無機元素の総和に対して、Ｏの元素濃度が、１．４原子％未満である比較例１、および、無機層３近傍の銅層４における、Ｃｕ、Ｏ、および、無機層３由来の無機元素の総和に対して、Ｏの元素濃度が、１５原子％超過である比較例２よりも、比抵抗を低くできるとわかる。

【0124】

実施例１～実施例３は、比抵抗を、２．３００×１０^－８Ω・ｍ以下にすることができる。具体的には、とりわけ、フラットパネルディスプレイ、タッチパネルなどの各種デバイスにおいて、電極をパターン形成するための導体層の用途として、実用レベルの比抵抗を実現できる実用性を確保することができるとわかる。

【0125】

【表1】

【符号の説明】

【0126】

１ 導電性フィルム
２ 有機樹脂基材
３ 無機層
４ 銅層

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】