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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024098719
(43)【公開日】2024-07-24
(54)【発明の名称】反射防止フィルム及び画像表示装置
(51)【国際特許分類】
G02B 1/11 20150101AFI20240717BHJP
G02B 1/14 20150101ALI20240717BHJP
G02B 1/18 20150101ALI20240717BHJP
B32B 7/023 20190101ALI20240717BHJP
G09F 9/00 20060101ALI20240717BHJP
H10K 50/86 20230101ALI20240717BHJP
H10K 59/10 20230101ALI20240717BHJP
【ＦＩ】
G02B1/11
G02B1/14
G02B1/18
B32B7/023
G09F9/00 313
H10K50/86
H10K59/10
【審査請求】未請求
【請求項の数】6
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023002368
(22)【出願日】2023-01-11
(71)【出願人】
【識別番号】000003964
【氏名又は名称】日東電工株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110000154
【氏名又は名称】弁理士法人はるか国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】渡邊 聖彦
(72)【発明者】
【氏名】▲高▼見 佳史
【テーマコード（参考）】
2K009
3K107
4F100
5G435
【Ｆターム（参考）】
2K009AA05
2K009AA07
2K009AA15
2K009BB28
2K009CC03
2K009CC09
2K009CC24
2K009CC26
2K009EE05
3K107AA01
3K107BB01
3K107CC32
3K107CC33
3K107EE21
3K107FF07
3K107FF08
3K107FF15
4F100AK12B
4F100AK25B
4F100AL05B
4F100AT00A
4F100BA02C
4F100BA04
4F100BA05
4F100BA07
4F100BA10A
4F100BA10D
4F100CA18B
4F100CA23B
4F100CB05E
4F100DE01B
4F100EJ08B
4F100EJ54B
4F100EJ65E
4F100GB41
4F100JG10
4F100JG10D
4F100JK12B
4F100JK14D
4F100JL06D
4F100JN01A
4F100JN06C
4F100JN18C
4F100YY00B
4F100YY00D
5G435AA16
5G435DD11
5G435FF02
5G435HH03
(57)【要約】
【課題】外光の映り込みを抑制しつつ、放電痕の発生を抑制できる反射防止フィルム、及び当該反射防止フィルムを用いた画像表示装置を提供する。
【解決手段】反射防止フィルム１０は、透明フィルム基材１１、ハードコート層１２、反射防止層１３及び防汚層１９をこの順に有する。防汚層１９は、反射防止フィルム１０の最表層である。防汚層１９の反射防止層１３側とは反対側の主面１９ａの最大高さＲｚは、０．４０μｍ以上である。反射防止フィルム１０では、防汚層１９の反射防止層１３側とは反対側の主面１９ａに５．０Ｖのバイアス電圧を印加した際、主面１９ａの最大表面電位が５．８Ｖ以下である。
【選択図】図１
【解決手段】反射防止フィルム１０は、透明フィルム基材１１、ハードコート層１２、反射防止層１３及び防汚層１９をこの順に有する。防汚層１９は、反射防止フィルム１０の最表層である。防汚層１９の反射防止層１３側とは反対側の主面１９ａの最大高さＲｚは、０．４０μｍ以上である。反射防止フィルム１０では、防汚層１９の反射防止層１３側とは反対側の主面１９ａに５．０Ｖのバイアス電圧を印加した際、主面１９ａの最大表面電位が５．８Ｖ以下である。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
透明フィルム基材、ハードコート層、反射防止層及び防汚層をこの順に有し、かつ前記防汚層が最表層である反射防止フィルムであって、
前記防汚層の前記反射防止層側とは反対側の主面の最大高さＲｚが、０．４０μｍ以上であり、
前記防汚層の前記反射防止層側とは反対側の主面に５．０Ｖのバイアス電圧を印加した際の前記主面の最大表面電位が、５．８Ｖ以下である、反射防止フィルム。
前記防汚層の前記反射防止層側とは反対側の主面の最大高さＲｚが、０．４０μｍ以上であり、
前記防汚層の前記反射防止層側とは反対側の主面に５．０Ｖのバイアス電圧を印加した際の前記主面の最大表面電位が、５．８Ｖ以下である、反射防止フィルム。
【請求項2】
前記反射防止層は、屈折率の異なる２層以上の薄膜からなる、請求項１に記載の反射防止フィルム。
【請求項3】
前記ハードコート層は、個数平均一次粒子径０．５μｍ以上の粒子を含む、請求項１に記載の反射防止フィルム。
【請求項4】
前記ハードコート層と前記反射防止層との間に配置されたプライマー層を更に備える、請求項１に記載の反射防止フィルム。
【請求項5】
前記透明フィルム基材の前記ハードコート層側とは反対側に配置された粘着剤層を更に備える、請求項１に記載の反射防止フィルム。
【請求項6】
画像表示パネルと、前記画像表示パネルの視認側に配置された、請求項１に記載の反射防止フィルムとを備える、画像表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、反射防止フィルム及び画像表示装置に関する。
【背景技術】
【0002】
液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイ等の画像表示装置の視認側には、外光の反射による画質低下の防止、コントラスト向上等を目的として、反射防止フィルムが配置されている。反射防止フィルムは、透明フィルム基材上に、屈折率の異なる複数の薄膜の積層体からなる反射防止層を備える。
【0003】
例えば、特許文献１には、ハードコートフィルム上にＳｉＯプライマー層を備え、その上に、高屈折率層としての酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）層と低屈折率層としての酸化シリコン（ＳｉＯ２）層との交互積層体からなる反射防止層を備える反射防止フィルムが開示されている。また、特許文献１には、反射防止フィルムの最表層として、フッ素含有化合物から得られる防汚層を設けてもよいことが記載されている。防汚層を設けることにより、反射防止フィルム表面に汚れが付きにくくなり、更に、汚れが付いた場合でも、拭き取り性能を上げることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開２００９－４７８７６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
反射防止フィルムは、帯電した使用者の手指等との間で静電気放電が発生する場合がある。反射防止フィルムと手指等との間で静電気放電が発生すると、反射防止フィルムの表面（例えば、防汚層の表面）に放電痕が生じる場合がある。この放電痕は、外光の映り込みを抑制する目的で表面に凹凸を形成した防眩性反射防止フィルムにおいて、顕著に発生する傾向がある。反射防止フィルムに生じた放電痕は、ディスプレイの視認性低下の原因となる。
【0006】
上記に鑑み、本発明は、外光の映り込みを抑制しつつ、放電痕の発生を抑制できる反射防止フィルム、及び当該反射防止フィルムを用いた画像表示装置の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
＜本発明の態様＞
本発明には、以下の態様が含まれる。
本発明には、以下の態様が含まれる。
【0008】
［１］透明フィルム基材、ハードコート層、反射防止層及び防汚層をこの順に有し、かつ前記防汚層が最表層である反射防止フィルムであって、
前記防汚層の前記反射防止層側とは反対側の主面の最大高さＲｚが、０．４０μｍ以上であり、
前記防汚層の前記反射防止層側とは反対側の主面に５．０Ｖのバイアス電圧を印加した際の前記主面の最大表面電位が、５．８Ｖ以下である、反射防止フィルム。
前記防汚層の前記反射防止層側とは反対側の主面の最大高さＲｚが、０．４０μｍ以上であり、
前記防汚層の前記反射防止層側とは反対側の主面に５．０Ｖのバイアス電圧を印加した際の前記主面の最大表面電位が、５．８Ｖ以下である、反射防止フィルム。
【0009】
［２］前記反射防止層は、屈折率の異なる２層以上の薄膜からなる、前記［１］に記載の反射防止フィルム。
【0010】
［３］前記ハードコート層は、個数平均一次粒子径０．５μｍ以上の粒子を含む、前記［１］又は［２］に記載の反射防止フィルム。
【0011】
［４］前記ハードコート層と前記反射防止層との間に配置されたプライマー層を更に備える、前記［１］～［３］のいずれか一つに記載の反射防止フィルム。
【0012】
［５］前記透明フィルム基材の前記ハードコート層側とは反対側に配置された粘着剤層を更に備える、前記［１］～［４］のいずれか一つに記載の反射防止フィルム。
【0013】
［６］画像表示パネルと、前記画像表示パネルの視認側に配置された、前記［１］～［５］のいずれか一つに記載の反射防止フィルムとを備える、画像表示装置。
【発明の効果】
【0014】
本発明によれば、外光の映り込みを抑制しつつ、放電痕の発生を抑制できる反射防止フィルム、及び当該反射防止フィルムを用いた画像表示装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【0015】
【図1】本発明に係る反射防止フィルムの一例を示す断面図である。
【図2】本発明に係る反射防止フィルムの他の例を示す断面図である。
【図3】本発明に係る画像表示装置の一例を示す断面図である。
【図4】静電気放電試験用の試料の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0016】
以下、本発明の好適な実施形態について説明する。まず、本明細書中で使用される用語について説明する。「屈折率」は、温度２３℃の雰囲気下における波長５５０ｎｍの光に対する屈折率である。層状物（より具体的には、透明フィルム基材、ハードコート層、反射防止層、防汚層、粘着剤層等）の「主面」とは、層状物の厚み方向に直交する面をさす。反射防止フィルムを構成する各層の「厚み（膜厚）」の数値は、何ら規定していなければ、層を厚み方向に切断した断面の画像から無作為に測定箇所を１０箇所選択し、選択した１０箇所の測定箇所の厚みを測定して得られた１０個の測定値の算術平均値である。
【0017】
粒子の個数平均一次粒子径は、何ら規定していなければ、走査型電子顕微鏡及び画像処理ソフトウェア（例えば、アメリカ国立衛生研究所製「ＩｍａｇｅＪ」）を用いて測定した、１００個の一次粒子の円相当径（ヘイウッド径：一次粒子の投影面積と同じ面積を有する円の直径）の個数平均値である。
【0018】
「固形分」とは組成物中の不揮発成分であり、例えば、溶媒以外の成分である。
【0019】
「静電気力顕微鏡（Ｅｌｅｃｔｒｏｓｔａｔｉｃ Ｆｏｒｃｅ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）」は、走査型プローブ顕微鏡の一種であり、試料表面にバイアス電圧を印加することで、試料表面の静電気力を画像化する顕微鏡である。以下、静電気力顕微鏡を、「ＥＦＭ」と記載することがある。
【0020】
流量の単位「ｓｃｃｍ（Ｓｔａｎｄａｒｄ Ｃｕｂｉｃ Ｃｅｎｔｉｍｅｔｅｒ ｐｅｒ Ｍｉｎｕｔｅ）」は、標準状態（温度：０℃、圧力：１０１．３ｋＰａ）における流量の単位「ｍＬ／ｍｉｎ」である。
【0021】
以下、化合物名の後に「系」を付けて、化合物及びその誘導体を包括的に総称する場合がある。また、化合物名の後に「系」を付けて重合体名を表す場合には、重合体の繰り返し単位が化合物又はその誘導体に由来することを意味する。また、アクリレート及びメタクリレートを包括的に「（メタ）アクリレート」と総称する場合がある。本明細書に例示の成分や官能基等は、特記しない限り、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【0022】
以下の説明において参照する図面は、理解しやすくするために、それぞれの構成要素を主体に模式的に示しており、図示された各構成要素の大きさ、個数、形状等は、図面作成の都合上から実際とは異なる場合がある。また、説明の都合上、後に説明する図面において、先に説明した図面と同一構成部分については、同一符号を付して、その説明を省略する場合がある。
【0023】
＜第１実施形態：反射防止フィルム＞
本発明の第１実施形態に係る反射防止フィルムは、透明フィルム基材、ハードコート層、反射防止層及び防汚層をこの順に有する積層体である。第１実施形態に係る反射防止フィルムでは、防汚層が最表層である。防汚層の反射防止層側とは反対側の主面の最大高さＲｚは、０．４０μｍ以上である。防汚層の反射防止層側とは反対側の主面に５．０Ｖのバイアス電圧を印加した際、上記主面の最大表面電位が５．８Ｖ以下である。
本発明の第１実施形態に係る反射防止フィルムは、透明フィルム基材、ハードコート層、反射防止層及び防汚層をこの順に有する積層体である。第１実施形態に係る反射防止フィルムでは、防汚層が最表層である。防汚層の反射防止層側とは反対側の主面の最大高さＲｚは、０．４０μｍ以上である。防汚層の反射防止層側とは反対側の主面に５．０Ｖのバイアス電圧を印加した際、上記主面の最大表面電位が５．８Ｖ以下である。
【0024】
以下、防汚層の反射防止層側とは反対側の主面に５．０Ｖのバイアス電圧を印加した際の当該主面の最大表面電位を、単に「最大表面電位」と記載することがある。また、防汚層の反射防止層側とは反対側の主面に５．０Ｖのバイアス電圧を印加した際の当該主面の最小表面電位を、単に「最小表面電位」と記載することがある。最大表面電位は、防汚層の電荷拡散性の指標となる。つまり、最大表面電位が低いほど、防汚層表面の電荷が拡散しやすくなる傾向がある。防汚層の表面電位（詳しくは、最大表面電位及び最小表面電位）は、例えば、ハードコート層の表面処理方法、防汚層の厚み、防汚層の表面形状（より具体的には、防汚層表面の最大高さＲｚ等）、防汚層を形成するための材料、及び防汚層の形成方法のうちの少なくとも１つを変更することにより、調整できる。防汚層の最大表面電位及び最小表面電位の測定方法は、後述する実施例と同じ方法又はそれに準ずる方法である。
【0025】
第１実施形態に係る反射防止フィルムによれば、上述の構成を備えることにより、外光の映り込みを抑制しつつ、放電痕の発生を抑制できる。その理由は、以下のように推測される。
【0026】
第１実施形態に係る反射防止フィルムでは、最表層である防汚層の主面（詳しくは、防汚層の反射防止層側とは反対側の主面）の最大高さＲｚが、０．４０μｍ以上である。このため、第１実施形態に係る反射防止フィルムは、防眩性が高くなる傾向がある。よって、第１実施形態に係る反射防止フィルムによれば、外光の映り込みを抑制できる。
【0027】
また、防汚層表面の凹部は、防汚層表面の凸部に比べて電荷が滞留しやすい傾向があることが、本発明者らの検討により判明した。防汚層表面の凹部に電荷が滞留していると、反射防止フィルムと手指等との間で静電気放電が発生した際に、電荷が滞留した凹部を起点として放電痕が生じやすくなる。この傾向は、防汚層表面の凹凸が大きいほど、顕著にみられる。これに対し、第１実施形態に係る反射防止フィルムでは、防汚層の電荷拡散性の指標となる最大表面電位が、５．８Ｖ以下である。これにより、第１実施形態に係る反射防止フィルムは、防汚層表面の最大高さＲｚが０．４０μｍ以上であるにもかかわらず、防汚層の電荷拡散性が高くなる傾向がある。よって、第１実施形態に係る反射防止フィルムは、放電痕の起点となる電荷の滞留が抑制されるため、放電痕の発生を抑制できる。
【0028】
第１実施形態において、放電痕の発生をより抑制するためには、最大表面電位が、５．７０Ｖ以下であることが好ましく、５．６０Ｖ以下であることがより好ましく、５．５０Ｖ以下であることが更に好ましく、５．４０Ｖ以下であることが更により好ましく、５．２０Ｖ以下、５．００Ｖ以下、４．８０Ｖ以下又は４．７０Ｖ以下であってもよい。第１実施形態において、外光の映り込みをより抑制するためには、最大表面電位が、４．００Ｖ以上であることが好ましく、４．１０Ｖ以上であることがより好ましく、４．２０Ｖ以上、４．３０Ｖ以上、４．４０Ｖ以上又は４．５０Ｖ以上であってもよい。
【0029】
第１実施形態において、放電痕の発生をより抑制するためには、最小表面電位が、５．５０Ｖ以下であることが好ましく、５．４０Ｖ以下であることがより好ましく、５．３０Ｖ以下であることが更に好ましく、５．２０Ｖ以下であることが更により好ましく、５．００Ｖ以下であることが特に好ましく、４．８０Ｖ以下、４．６０Ｖ以下又は４．４０Ｖ以下であってもよい。第１実施形態において、外光の映り込みをより抑制するためには、最小表面電位が、３．７０Ｖ以上であることが好ましく、３．８０Ｖ以上であることがより好ましく、３．９０Ｖ以上、４．００Ｖ以上、４．１０Ｖ以上又は４．２０Ｖ以上であってもよい。
【0030】
以下、第１実施形態に係る反射防止フィルムの構成について、図面を参照しながら説明する。図１は、第１実施形態に係る反射防止フィルムの一例を示す断面図である。図１に示す反射防止フィルム１０は、透明フィルム基材１１、ハードコート層１２、反射防止層１３及び防汚層１９をこの順に有する。防汚層１９は、反射防止フィルム１０の最表層である。防汚層１９の反射防止層１３側とは反対側の主面１９ａの最大高さＲｚは、０．４０μｍ以上である。反射防止フィルム１０では、防汚層１９の反射防止層１３側とは反対側の主面１９ａに５．０Ｖのバイアス電圧を印加した際、主面１９ａの最大表面電位が５．８Ｖ以下である。
【0031】
また、反射防止フィルム１０は、ハードコート層１２と反射防止層１３との間に配置されたプライマー層１８を更に備える。つまり、反射防止フィルム１０は、透明フィルム基材１１、ハードコート層１２、プライマー層１８、反射防止層１３及び防汚層１９をこの順に有する。
【0032】
反射防止層１３は、ハードコート層１２側（プライマー層１８側）から、高屈折率層１４、低屈折率層１５、高屈折率層１６及び低屈折率層１７の４層をこの順に有する。高屈折率層及び低屈折率層の詳細については、後述する。なお、反射防止フィルムの反射防止層は、反射防止層１３のような４層構成に限定されず、２層構成、３層構成、５層構成、又は６層以上の積層構成であってもよい。また、反射防止フィルムの反射防止層は、単層構成であってもよい。反射防止フィルムの反射防止層は、好ましくは、２層以上の高屈折率層と２層以上の低屈折率層との交互積層体である。
【0033】
反射防止フィルムは、図１に示す反射防止フィルム１０とは異なる層構成であってもよい。例えば、反射防止フィルムは、図２に示すように、透明フィルム基材１１のハードコート層１２側とは反対側に配置された粘着剤層２１を更に備える、反射防止フィルム２０であってもよい。
【0034】
粘着剤層２１を構成する粘着剤は、特に限定されず、例えば、アクリル系ポリマー、シリコーン系ポリマー、ポリエステル、ポリウレタン、ポリアミド、ポリビニルエーテル、酢酸ビニル－塩化ビニル共重合体、変性ポリオレフィン、エポキシ系樹脂、フッ素系樹脂、天然ゴム、合成ゴム等のポリマーをベースポリマーとする透明な粘着剤を、適宜に選択して用いることができる。粘着剤層２１の厚みは、特に限定されないが、薄層性及び接着性を両立させる観点から、５μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましい。
【0035】
粘着剤層２１の透明フィルム基材１１側とは反対側の主面には、はく離ライナー（不図示）が仮着されていてもよい。はく離ライナーは、例えば、反射防止フィルム２０を後述する画像表示パネル１０１（図３参照）と貼り合わせるまでの間、粘着剤層２１の表面を保護する。はく離ライナーの構成材料としては、アクリル、ポリオレフィン、環状ポリオレフィン、ポリエステル等から形成されたプラスチックフィルムが好適に用いられる。はく離ライナーの厚みは、例えば、５μｍ以上２００μｍ以下である。はく離ライナーの表面には、離型処理が施されていることが好ましい。離型処理に使用される離型剤の材料としては、シリコーン系材料、フッ素系材料、長鎖アルキル系材料、脂肪酸アミド系材料等が挙げられる。
【0036】
以上、図面を参照しながら第１実施形態に係る反射防止フィルムの構成について説明したが、本発明に係る反射防止フィルムは、上述した構成に限定されない。
【0037】
例えば、本発明に係る反射防止フィルムは、プライマー層を備えていない反射防止フィルムであってもよい。また、本発明に係る反射防止フィルムは、上述した構成に含まれる層（透明フィルム基材、ハードコート層、プライマー層、反射防止層及び防汚層）とは異なる光学機能層を備えていてもよい。
【0038】
次に、第１実施形態に係る反射防止フィルムの要素について説明する。
【0039】
［透明フィルム基材］
透明フィルム基材は、例えば可撓性を有する透明な樹脂フィルムである。透明フィルム基材を構成する材料としては、例えば、ポリエステル樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、セルロース樹脂、ノルボルネン樹脂、ポリアリレート樹脂、及びポリビニルアルコール樹脂が挙げられる。ポリエステル樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート、及びポリエチレンナフタレートが挙げられる。ポリオレフィン樹脂としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、及びシクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）が挙げられる。セルロース樹脂としては、例えば、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）が挙げられる。これらの材料は、単独で用いられてもよいし、二種類以上が併用されてもよい。透明フィルム基材の材料としては、透明性及び強度の観点から、ポリエステル樹脂、ポリオレフィン樹脂、及びセルロース樹脂からなる群より選択される一種が好ましく、ＰＥＴ、ＣＯＰ、及びＴＡＣからなる群より選択される一種がより好ましく、ＴＡＣが更に好ましい。つまり、透明フィルム基材としては、ポリエステル樹脂フィルム、ポリオレフィン樹脂フィルム、及びセルロース樹脂フィルムからなる群より選択される一種のフィルムが好ましく、ＰＥＴフィルム、ＣＯＰフィルム、及びＴＡＣフィルムからなる群より選択される一種のフィルムがより好ましく、ＴＡＣフィルムが更に好ましい。
透明フィルム基材は、例えば可撓性を有する透明な樹脂フィルムである。透明フィルム基材を構成する材料としては、例えば、ポリエステル樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、セルロース樹脂、ノルボルネン樹脂、ポリアリレート樹脂、及びポリビニルアルコール樹脂が挙げられる。ポリエステル樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート、及びポリエチレンナフタレートが挙げられる。ポリオレフィン樹脂としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、及びシクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）が挙げられる。セルロース樹脂としては、例えば、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）が挙げられる。これらの材料は、単独で用いられてもよいし、二種類以上が併用されてもよい。透明フィルム基材の材料としては、透明性及び強度の観点から、ポリエステル樹脂、ポリオレフィン樹脂、及びセルロース樹脂からなる群より選択される一種が好ましく、ＰＥＴ、ＣＯＰ、及びＴＡＣからなる群より選択される一種がより好ましく、ＴＡＣが更に好ましい。つまり、透明フィルム基材としては、ポリエステル樹脂フィルム、ポリオレフィン樹脂フィルム、及びセルロース樹脂フィルムからなる群より選択される一種のフィルムが好ましく、ＰＥＴフィルム、ＣＯＰフィルム、及びＴＡＣフィルムからなる群より選択される一種のフィルムがより好ましく、ＴＡＣフィルムが更に好ましい。
【0040】
透明フィルム基材の厚みは、強度の観点から、好ましくは５μｍ以上、より好ましくは１０μｍ以上、更に好ましくは２０μｍ以上である。透明フィルム基材の厚みは、取扱い性の観点から、好ましくは３００μｍ以下、より好ましくは２００μｍ以下である。
【0041】
透明フィルム基材の一方の主面又は両主面は、表面改質処理されていてもよい。表面改質処理としては、例えば、コロナ処理、プラズマ処理、オゾン処理、プライマー処理、グロー処理、及びカップリング剤処理が挙げられる。
【0042】
透明フィルム基材の全光線透過率（ＪＩＳ Ｋ ７３７５－２００８）は、反射防止フィルムの透明性を向上させる観点から、好ましくは８０％以上、より好ましくは９０％以上、更に好ましくは９５％以上１００％以下である。
【0043】
［ハードコート層］
ハードコート層は、反射防止フィルムの硬度や弾性率等の機械的特性を高める層である。ハードコート層は、例えば、硬化性樹脂組成物（ハードコート層形成用組成物）の硬化物からなる。硬化性樹脂組成物に含まれる硬化性樹脂としては、例えば、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、ウレタンアクリレート系樹脂、アミド樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、及びメラミン樹脂が挙げられる。これらの硬化性樹脂は、単独で用いられてもよいし、二種類以上が併用されてもよい。ハードコート層の硬度を高める観点から、硬化性樹脂としては、アクリル樹脂及びウレタンアクリレート系樹脂からなる群より選択される一種以上が好ましく、ウレタンアクリレート系樹脂がより好ましい。
ハードコート層は、反射防止フィルムの硬度や弾性率等の機械的特性を高める層である。ハードコート層は、例えば、硬化性樹脂組成物（ハードコート層形成用組成物）の硬化物からなる。硬化性樹脂組成物に含まれる硬化性樹脂としては、例えば、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、ウレタンアクリレート系樹脂、アミド樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、及びメラミン樹脂が挙げられる。これらの硬化性樹脂は、単独で用いられてもよいし、二種類以上が併用されてもよい。ハードコート層の硬度を高める観点から、硬化性樹脂としては、アクリル樹脂及びウレタンアクリレート系樹脂からなる群より選択される一種以上が好ましく、ウレタンアクリレート系樹脂がより好ましい。
【0044】
また、硬化性樹脂組成物としては、例えば、紫外線硬化型の樹脂組成物、及び熱硬化型の樹脂組成物が挙げられる。反射防止フィルムの生産性向上の観点から、硬化性樹脂組成物としては、紫外線硬化型の樹脂組成物が好ましい。紫外線硬化型の樹脂組成物には、紫外線硬化型モノマー、紫外線硬化型オリゴマー及び紫外線硬化型ポリマーからなる群より選択される一種以上が含まれる。紫外線硬化型の樹脂組成物の具体例としては、特開２０１６－１７９６８６号公報に記載のハードコート層形成用組成物が挙げられる。
【0045】
また、硬化性樹脂組成物は、個数平均一次粒子径が０．５μｍ以上の粒子（以下、「マイクロ粒子」と記載することがある）を含有してもよい。つまり、ハードコート層は、マイクロ粒子を含有してもよい。硬化性樹脂組成物にマイクロ粒子を配合することにより、ハードコート層における、硬さの調整、表面粗さの調整、屈折率の調整及び防眩性の調整が可能となる。特に、防汚層の反射防止層側とは反対側の主面の最大高さＲｚを、０．４０μｍ以上に容易に調整するためには、ハードコート層がマイクロ粒子を含有することが好ましい。マイクロ粒子としては、例えば、金属（又は半金属）の酸化物粒子、ガラス粒子、及び有機粒子が挙げられる。金属（又は半金属）の酸化物粒子の材料としては、例えば、シリカ、アルミナ、チタニア、ジルコニア、酸化カルシウム、酸化スズ、酸化インジウム、酸化カドミウム、及び酸化アンチモンが挙げられる。有機粒子の材料としては、例えば、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリウレタン、（メタ）アクリレート系化合物－スチレン共重合体、ベンゾグアナミン、メラミン、ポリメチルシルセスキオキサン及びポリカーボネートが挙げられる。
【0046】
ハードコート層の防眩性を容易に調整するためには、マイクロ粒子の個数平均一次粒子径が、１．０μｍ以上５．０μｍ以下であることが好ましく、２．０μｍ以上４．０μｍ以下であることがより好ましい。
【0047】
ハードコート層の防眩性を容易に調整するためには、ハードコート層におけるマイクロ粒子の量は、硬化性樹脂１００重量部に対して、５重量部以上であることが好ましく、１０重量部以上、２０重量部以上又は３０重量部以上であってもよい。ハードコート層におけるマイクロ粒子の量の上限は、硬化性樹脂１００重量部に対して、例えば９０重量部であり、８０重量部であることが好ましく、７０重量部であってもよい。
【0048】
また、硬化性樹脂組成物は、個数平均一次粒子径が０．５μｍ未満の粒子（以下、「ナノ粒子」と記載することがある）を含んでいてもよい。ハードコート層がナノ粒子を含む硬化性樹脂組成物の硬化物からなる場合、ハードコート層の表面に、微細な凹凸が形成され、ハードコート層と、その上に形成される層との密着性が向上する傾向がある。
【0049】
密着性向上に寄与する微細な凹凸形状を形成する観点から、ナノ粒子の個数平均一次粒子径は、２０ｎｍ以上８０ｎｍ以下であることが好ましく、２５ｎｍ以上７０ｎｍ以下であることがより好ましく、３０ｎｍ以上６０ｎｍ以下であることが更に好ましい。
【0050】
ナノ粒子の材料としては、無機酸化物が好ましい。無機酸化物としては、酸化シリコン（シリカ）、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化ニオブ、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化セリウム、酸化マグネシウム等の金属（又は半金属）の酸化物が挙げられる。無機酸化物は、複数種の（半）金属の複合酸化物でもよい。例示の無機酸化物の中でも、密着性向上効果が高いことから、酸化シリコンが好ましい。つまり、ナノ粒子としては、酸化シリコンの粒子（シリカ粒子）が好ましい。ナノ粒子としての無機酸化物粒子の表面には、樹脂との密着性や親和性を高める目的で、アクリル基、エポキシ基等の官能基が導入されていてもよい。
【0051】
ハードコート層におけるナノ粒子の量は、硬化性樹脂１００重量部に対して、５重量部以上であることが好ましく、１０重量部以上、２０重量部以上又は３０重量部以上であってもよい。ナノ粒子の量が５重量部以上であれば、ハードコート層上に形成される層との密着性をより向上させることができる。ハードコート層におけるナノ粒子の量の上限は、硬化性樹脂１００重量部に対して、例えば９０重量部であり、８０重量部であることが好ましく、７０重量部であってもよい。
【0052】
硬化性樹脂組成物（ハードコート層形成用組成物）は、例えば、上述した硬化性樹脂、及び重合開始剤（例えば光重合開始剤）を含み、必要に応じてこれらの成分を溶解又は分散可能な溶媒を含む。また、硬化性樹脂組成物（ハードコート層形成用組成物）は、上記成分の他に、マイクロ粒子、ナノ粒子、レベリング剤、粘度調整剤（チクソトロピー剤、増粘剤等）、帯電防止剤、ブロッキング防止剤、分散剤、分散安定剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、消泡剤、界面活性剤、滑剤等の添加剤を含んでいてもよい。
【0053】
ハードコート層形成用組成物がチクソトロピー剤を含むことにより、マイクロ粒子の沈降が抑制され、ハードコート層の表面にマイクロ粒子による凹凸が均一に形成されやすくなる傾向がある。チクソトロピー剤としては、有機粘土、酸化ポリオレフィン、変性ウレア等が挙げられる。中でも、スメクタイト等の有機粘土が好ましい。チクソトロピー剤の配合量としては、硬化性樹脂１００重量部に対して、０．３重量部以上５重量部以下が好ましい。
【0054】
防汚層表面には、例えばハードコート層表面の凹凸形状が反映される。よって、防汚層の反射防止層側とは反対側の主面の最大高さＲｚは、例えば、ハードコート層形成用組成物中のマイクロ粒子の粒子径、ハードコート層形成用組成物中のマイクロ粒子の量、ハードコート層形成用組成物中のチクソトロピー剤の種類、及びハードコート層形成用組成物中のチクソトロピー剤の量のうちの少なくとも１つを変更することにより、調整できる。
【0055】
ハードコート層の厚みは、ハードコート層の硬度を高める観点から、好ましくは１μｍ以上、より好ましくは２μｍ以上である。ハードコート層の厚みは、反射防止フィルムの柔軟性確保の観点から、好ましくは５０μｍ以下、より好ましくは４０μｍ以下、更に好ましくは３５μｍ以下、更により好ましくは３０μｍ以下である。
【0056】
［プライマー層］
ハードコート層と反射防止層との密着性を高めるためには、ハードコート層と反射防止層との間にプライマー層が設けられることが好ましい。プライマー層の材料としては、シリコン、ニッケル、クロム、スズ、金、銀、白金、亜鉛、チタン、インジウム、タングステン、アルミニウム、ジルコニウム、パラジウム等の金属（又は半金属）；これらの金属（又は半金属）の合金；これらの金属（又は半金属）の酸化物、フッ化物、硫化物又は窒化物等が挙げられる。プライマー層を構成する酸化物は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等の複合酸化物でもよい。中でも、プライマー層の材料としては、無機酸化物が好ましく、酸化シリコン、酸化インジウム又はＩＴＯがより好ましく、ＳｉＯｘ（ｘ＜２）が更に好ましい。
ハードコート層と反射防止層との密着性を高めるためには、ハードコート層と反射防止層との間にプライマー層が設けられることが好ましい。プライマー層の材料としては、シリコン、ニッケル、クロム、スズ、金、銀、白金、亜鉛、チタン、インジウム、タングステン、アルミニウム、ジルコニウム、パラジウム等の金属（又は半金属）；これらの金属（又は半金属）の合金；これらの金属（又は半金属）の酸化物、フッ化物、硫化物又は窒化物等が挙げられる。プライマー層を構成する酸化物は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等の複合酸化物でもよい。中でも、プライマー層の材料としては、無機酸化物が好ましく、酸化シリコン、酸化インジウム又はＩＴＯがより好ましく、ＳｉＯｘ（ｘ＜２）が更に好ましい。
【0057】
ハードコート層と反射防止層との密着性を高めつつ、プライマー層の光透過性を確保するためには、プライマー層の厚みは、０．５ｎｍ以上２０ｎｍ以下であることが好ましく、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下であることがより好ましく、１．０ｎｍ以上１０ｎｍ以下であることが更に好ましい。
【0058】
［反射防止層］
反射防止層は、屈折率の異なる２層以上の薄膜からなることが好ましい。一般に、反射防止層は、入射光と反射光の逆転した位相が互いに打ち消し合うように、薄膜の光学膜厚（屈折率と厚みの積）が調整される。反射防止層を、屈折率の異なる２層以上の薄膜の多層積層体とすることにより、可視光の広帯域の波長範囲において、反射率を小さくできる。
反射防止層は、屈折率の異なる２層以上の薄膜からなることが好ましい。一般に、反射防止層は、入射光と反射光の逆転した位相が互いに打ち消し合うように、薄膜の光学膜厚（屈折率と厚みの積）が調整される。反射防止層を、屈折率の異なる２層以上の薄膜の多層積層体とすることにより、可視光の広帯域の波長範囲において、反射率を小さくできる。
【0059】
反射防止層を構成する薄膜の材料としては、金属（又は半金属）の酸化物、窒化物、フッ化物等が挙げられる。反射防止層は、好ましくは、高屈折率層と低屈折率層の交互積層体である。
【0060】
高屈折率層は、屈折率が、例えば１．９以上であり、好ましくは２．０以上である。高屈折率層の材料としては、酸化チタン、酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５等）、酸化ジルコニウム、酸化タンタル、酸化亜鉛、酸化インジウム、ＩＴＯ、アンチモンドープ酸化スズ（ＡＴＯ）等が挙げられる。中でも、酸化チタン及び酸化ニオブからなる群より選択される一種以上が好ましい。低屈折率層は、屈折率が、例えば１．６以下であり、好ましくは１．５以下である。低屈折率層の材料としては、酸化シリコン（ＳｉＯ２等）、窒化チタン、フッ化マグネシウム、フッ化バリウム、フッ化カルシウム、フッ化ハフニウム、フッ化ランタン等が挙げられる。中でも酸化シリコンが好ましい。特に、高屈折率層としての酸化ニオブ薄膜と、低屈折率層としての酸化シリコン薄膜とを交互に積層することが好ましい。低屈折率層と高屈折率層に加えて、屈折率１．６超１．９未満の中屈折率層が設けられてもよい。
【0061】
高屈折率層及び低屈折率層の膜厚は、それぞれ、５ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることが好ましく、１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下であることがより好ましい。屈折率や積層構成等に応じて、可視光の反射率が小さくなるように、各層の膜厚を設計すればよい。例えば、高屈折率層と低屈折率層の積層構成としては、ハードコート層側から、光学膜厚２０ｎｍ以上５５ｎｍ以下の高屈折率層、光学膜厚２５ｎｍ以上５５ｎｍ以下の低屈折率層、光学膜厚８０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下の高屈折率層、及び光学膜厚１００ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の低屈折率層からなる４層構成が挙げられる。
【0062】
反射防止層が、高屈折率層としての酸化ニオブ薄膜と、低屈折率層としての酸化シリコン薄膜とを交互に積層させた、４層の交互積層体である場合、反射防止層の構成としては、ハードコート層側から、厚み５ｎｍ以上２０ｎｍ以下の酸化ニオブ薄膜、厚み１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下の酸化シリコン薄膜、厚み６５ｎｍ以上１２０ｎｍ以下の酸化ニオブ薄膜、及び厚み６０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の酸化シリコン薄膜をこの順に備える構成が挙げられる。
【0063】
耐屈曲性に優れる反射防止フィルムを得るためには、反射防止層の厚みは、１４０ｎｍ以上２８０ｎｍ以下であることが好ましく、１７０ｎｍ以上２８０ｎｍ以下であることがより好ましく、１８０ｎｍ以上２６０ｎｍ以下であることが更に好ましく、１９０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下であることが更により好ましい。なお、本明細書において、「反射防止層の厚み」は、反射防止層を構成する各層の厚みの合計（合計厚み）である。
【0064】
［防汚層］
第１実施形態に係る反射防止フィルムは、最表層として防汚層を備える。最表層として防汚層が設けられることにより、例えば、外部環境からの汚染（指紋、手垢、埃等）の影響を低減できるとともに、反射防止フィルムの表面に付着した汚染物質の除去が容易となる。
第１実施形態に係る反射防止フィルムは、最表層として防汚層を備える。最表層として防汚層が設けられることにより、例えば、外部環境からの汚染（指紋、手垢、埃等）の影響を低減できるとともに、反射防止フィルムの表面に付着した汚染物質の除去が容易となる。
【0065】
反射防止層の反射防止性能の低下を抑制するためには、防汚層は、反射防止層の最表層（例えば、酸化シリコン層）との屈折率差が小さいことが好ましい。防汚層の屈折率としては、１．６以下が好ましく、１．５５以下がより好ましい。
【0066】
防汚層は、例えば、化学式ＣＦ３Ｏ－（詳しくは、ＣＦ３－Ｏ－）で表される末端構造を有するフッ素含有化合物を含む。化学式ＣＦ３Ｏ－で表される末端構造を有するフッ素含有化合物は、防汚性に優れつつ、低屈折率化に寄与し得る。中でも、撥水性に優れ、高い防汚性を発揮できることから、フッ素含有化合物としては、パーフルオロポリエーテル骨格を含有するアルコキシシラン化合物が好ましい。パーフルオロポリエーテル骨格を含有するアルコキシシラン化合物としては、下記の一般式で表される化合物が挙げられる。
ＣＦ３－（ＯＣＦ２）ｍ－（ＯＣ２Ｆ４）ｎ－Ｏ－（ＣＨ２）３－Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
ＣＦ３－（ＯＣＦ２）ｍ－（ＯＣ２Ｆ４）ｎ－Ｏ－（ＣＨ２）３－Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
【0067】
上記一般式において、ｍは、１以上５１以下の整数を表し、ｎは、１以上５０以下の整数を表す。
【0068】
また、化学式ＣＦ３Ｏ－で表される末端構造を有するフッ素含有化合物は、単独で用いられてもよいし、二種類以上が併用されてもよい。なお、フッ素含有化合物として、上記アルコキシシラン化合物を用いる場合、上記アルコキシシラン化合物は、末端のアルコキシ基が反応した状態（架橋した状態）で防汚層中に存在していてもよい。
【0069】
防汚層の厚みは、例えば、２ｎｍ以上５０ｎｍ以下である。防汚層の厚みが大きいほど、防汚性が向上する傾向がある。防汚層の厚みは、５ｎｍ以上であることが好ましく、６ｎｍ以上であることがより好ましく、７ｎｍ以上であることが更に好ましい。一方、外光の映り込みをより抑制するためには、防汚層の厚みは、３０ｎｍ以下であることが好ましく、２０ｎｍ以下であることがより好ましく、１５ｎｍ以下であることが更に好ましい。防汚層の厚みの測定方法は、後述する実施例と同じ方法又はそれに準ずる方法である。なお、反射防止フィルムの最表層に設けられる防汚層のような、ナノオーダーの有機フッ素化合物層は、通常、電子顕微鏡で厚みを測定することが困難である。
【0070】
（防汚層の表面形状パラメータ）
防汚層の反射防止層側とは反対側の主面（以下、単に「防汚層表面」と記載することがある）の最大高さＲｚは、０．４０μｍ以上であり、外光の映り込みをより抑制するためには、０．４５μｍ以上であることが好ましく、０．５０μｍ以上であることがより好ましく、０．５５μｍ以上であることが更に好ましい。放電痕の発生をより抑制するためには、防汚層表面の最大高さＲｚは、１．５０μｍ以下であることが好ましく、１．４０μｍ以下であることがより好ましく、１．３０μｍ以下であることが更に好ましく、１．２０μｍ以下であることが更により好ましい。
防汚層の反射防止層側とは反対側の主面（以下、単に「防汚層表面」と記載することがある）の最大高さＲｚは、０．４０μｍ以上であり、外光の映り込みをより抑制するためには、０．４５μｍ以上であることが好ましく、０．５０μｍ以上であることがより好ましく、０．５５μｍ以上であることが更に好ましい。放電痕の発生をより抑制するためには、防汚層表面の最大高さＲｚは、１．５０μｍ以下であることが好ましく、１．４０μｍ以下であることがより好ましく、１．３０μｍ以下であることが更に好ましく、１．２０μｍ以下であることが更により好ましい。
【0071】
防汚層表面の算術平均粗さＲａは、０．０５μｍ以上０．３０μｍ以下であることが好ましく、０．０６μｍ以上０．２５μｍ以下であることがより好ましい。防汚層表面の粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍは、０．０６ｍｍ以上０．２０ｍｍ以下であることが好ましく、０．０８ｍｍ以上０．１８ｍｍ以下であることがより好ましい。防汚層表面の平均傾斜角θａは、０．１０°以上２．００°以下であることが好ましく、０．３０°以上１．７０°以下であることがより好ましく、０．５０°以上１．５０°以下であることが更に好ましい。平均傾斜角θａは、基準長さＬ（＝４ｍｍ）の粗さ曲線において、隣り合う山の頂点と谷の最下点との差（高さｈ）の合計（ｈ１＋ｈ２＋ｈ３・・・＋ｈｎ）を基準長さＬで割った値Δａを用いて、下記式から算出される。
θａ＝ｔａｎ－１Δａ
θａ＝ｔａｎ－１Δａ
【0072】
防汚層の表面形状パラメータの測定方法は、後述する実施例と同じ方法又はそれに準ずる方法である。
【0073】
［反射防止フィルムの製造方法］
次に、第１実施形態に係る反射防止フィルムの好適な製造方法（以下、「製造方法Ａ」と記載することがある）について説明する。
次に、第１実施形態に係る反射防止フィルムの好適な製造方法（以下、「製造方法Ａ」と記載することがある）について説明する。
【0074】
製造方法Ａは、透明フィルム基材の一方の主面にハードコート層を形成するハードコート層形成工程と、ハードコート層の透明フィルム基材側とは反対側に反射防止層を成膜する反射防止層形成工程と、反射防止層のハードコート層側とは反対側に防汚層を形成する防汚層形成工程とを備える。
【0075】
また、製造方法Ａは、上記工程以外の工程（他の工程）を備えていてもよい。他の工程としては、例えば、後述するハードコート層の表面処理工程及びプライマー層形成工程が挙げられる。
【0076】
以下、製造方法Ａの一例が備える各工程について説明する。
【0077】
（ハードコート層形成工程）
ハードコート層形成工程は、透明フィルム基材の一方の主面にハードコート層を形成する工程である。例えば、透明フィルム基材上に硬化性樹脂組成物（ハードコート層形成用組成物）を塗布し、必要に応じて溶媒の除去及び樹脂の硬化を行うことにより、ハードコート層が形成される。ハードコート層形成用組成物は、例えば、上述した硬化性樹脂、及び重合開始剤（例えば光重合開始剤）を含み、必要に応じてこれらの成分を溶解又は分散可能な溶媒を含む。
ハードコート層形成工程は、透明フィルム基材の一方の主面にハードコート層を形成する工程である。例えば、透明フィルム基材上に硬化性樹脂組成物（ハードコート層形成用組成物）を塗布し、必要に応じて溶媒の除去及び樹脂の硬化を行うことにより、ハードコート層が形成される。ハードコート層形成用組成物は、例えば、上述した硬化性樹脂、及び重合開始剤（例えば光重合開始剤）を含み、必要に応じてこれらの成分を溶解又は分散可能な溶媒を含む。
【0078】
ハードコート層形成用組成物は、上記成分の他に、マイクロ粒子、ナノ粒子、レベリング剤、粘度調整剤（チクソトロピー剤、増粘剤等）、帯電防止剤、ブロッキング防止剤、分散剤、分散安定剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、消泡剤、界面活性剤、滑剤等の添加剤を含んでいてもよい。
【0079】
ハードコート層形成用組成物の塗布方法としては、バーコート法、ロールコート法、グラビアコート法、ロッドコート法、スロットオリフィスコート法、カーテンコート法、ファウンテンコート法、コンマコート法等の任意の適切な方法を採用し得る。塗布後の塗膜の乾燥温度は、ハードコート層形成用組成物の組成等に応じて、適切な温度に設定すればよく、例えば、５０℃以上１５０℃以下である。ハードコート層形成用組成物中の樹脂成分が熱硬化性樹脂である場合は、加熱によって塗膜を硬化させる。ハードコート層形成用組成物中の樹脂成分が光硬化性樹脂である場合は、紫外線等の活性エネルギー線を照射することによって塗膜を硬化させる。照射光の積算光量は、好ましくは１００ｍＪ／ｃｍ２以上５００ｍＪ／ｃｍ２以下である。
【0080】
（ハードコート層の表面処理工程）
ハードコート層の表面処理工程では、ハードコート層の透明フィルム基材側とは反対側の主面を表面改質処理する。表面改質処理としては、例えば、プラズマ処理、コロナ処理、オゾン処理、プライマー処理、グロー処理、及びカップリング剤処理が挙げられる。表面改質処理がプラズマ処理である場合、不活性ガスとしては、例えばアルゴンガス等の希ガスが使用される。以下、表面改質処理がプラズマ処理である場合の処理条件について説明する。
ハードコート層の表面処理工程では、ハードコート層の透明フィルム基材側とは反対側の主面を表面改質処理する。表面改質処理としては、例えば、プラズマ処理、コロナ処理、オゾン処理、プライマー処理、グロー処理、及びカップリング剤処理が挙げられる。表面改質処理がプラズマ処理である場合、不活性ガスとしては、例えばアルゴンガス等の希ガスが使用される。以下、表面改質処理がプラズマ処理である場合の処理条件について説明する。
【0081】
最大表面電位を低下させることにより放電痕の発生をより抑制するためには、プラズマ処理装置内に希ガス及び酸素ガスを導入しながら、ハードコート層の透明フィルム基材側とは反対側の主面をプラズマ処理することが好ましい。以下、プラズマ処理装置内に希ガス及び酸素ガスを導入しながら、ハードコート層の透明フィルム基材側とは反対側の主面をプラズマ処理する工程を、「酸素併用プラズマ処理工程」と記載することがある。
【0082】
酸素併用プラズマ処理工程により最大表面電位を低下させることができる理由は、以下のように推測される。
【0083】
酸素併用プラズマ処理工程により、ハードコート層の透明フィルム基材側とは反対側の主面にナノサイズの微小凹凸形状が形成される。この微小凹凸形状に起因して、例えば、ハードコート層上に成膜するスパッタ膜（詳しくは、反射防止層等）の柱状成長が促進され、その結果、反射防止層の電荷拡散性が高くなると推測される。反射防止層の電荷拡散性が高いと、反射防止層上に形成される防汚層の表面の帯電量が低くなり、最大表面電位が低くなる傾向がある。
【0084】
最大表面電位を低下させることにより放電痕の発生をより抑制するためには、希ガスの導入量及び酸素ガスの導入量の合計に対する、酸素ガスの導入量の比（流量比）は、０．０００９以上０．０５００以下であることが好ましい。
【0085】
最大表面電位を低下させることにより放電痕の発生をより抑制するためには、酸素併用プラズマ処理工程における圧力は、０．１Ｐａ以上１．０Ｐａ以下であることが好ましく、０．３Ｐａ以上０．８Ｐａ以下であることがより好ましい。
【0086】
最大表面電位を低下させることにより放電痕の発生をより抑制するためには、酸素併用プラズマ処理工程における実効パワー密度は、０．０１Ｗ・ｍｉｎ／ｃｍ２・ｍ以上であることが好ましく、０．０２Ｗ・ｍｉｎ／ｃｍ２・ｍ以上であることがより好ましく、０．０３Ｗ・ｍｉｎ／ｃｍ２・ｍ以上であることが更に好ましい。酸素併用プラズマ処理工程において、透明フィルム基材の変形を抑制するためには、酸素併用プラズマ処理工程における実効パワー密度は、０．６０Ｗ・ｍｉｎ／ｃｍ２・ｍ以下であることが好ましく、０．５５Ｗ・ｍｉｎ／ｃｍ２・ｍ以下であることがより好ましく、０．５０Ｗ・ｍｉｎ／ｃｍ２・ｍ以下であることが更に好ましく、０．４５Ｗ・ｍｉｎ／ｃｍ２・ｍ以下であることが更により好ましく、０．４０Ｗ・ｍｉｎ／ｃｍ２・ｍ以下であることが特に好ましく、０．３５Ｗ・ｍｉｎ／ｃｍ２・ｍ以下であってもよい。なお、実効パワー密度とは、プラズマ出力のパワー密度（Ｗ／ｃｍ２）をロールトゥロール方式によるフィルムの搬送速度（ｍ／ｍｉｎ）で割った値である。プラズマ出力が同一でも搬送速度が大きい場合は、実効的な処理パワーは低下する。
【0087】
（プライマー層形成工程）
プライマー層形成工程は、ハードコート層上にプライマー層を形成（成膜）する工程である。プライマー層の成膜方法は、特に限定されず、ウェットコーティング法及びドライコーティング法のいずれでもよい。膜厚が均一な薄膜を形成できることから、真空蒸着法、ＣＶＤ法、スパッタ法等のドライコーティング法が好ましい。また、生産性を高める観点から、プライマー層の成膜方法としては、ロールトゥロール方式のスパッタ成膜装置を用いて成膜する方法（ロールトゥロール方式のスパッタ法）が好ましい。
プライマー層形成工程は、ハードコート層上にプライマー層を形成（成膜）する工程である。プライマー層の成膜方法は、特に限定されず、ウェットコーティング法及びドライコーティング法のいずれでもよい。膜厚が均一な薄膜を形成できることから、真空蒸着法、ＣＶＤ法、スパッタ法等のドライコーティング法が好ましい。また、生産性を高める観点から、プライマー層の成膜方法としては、ロールトゥロール方式のスパッタ成膜装置を用いて成膜する方法（ロールトゥロール方式のスパッタ法）が好ましい。
【0088】
ロールトゥロール方式のスパッタ法では、長尺のフィルム（例えば、ハードコート層が形成された透明フィルム基材）を長手方向（ＭＤ方向）に搬送しながら、例えば、プライマー層及び反射防止層を連続成膜できる。スパッタ法では、アルゴン等の不活性ガス、及び必要に応じて酸素等の反応性ガスを成膜室内に導入しながら成膜が行われる。プライマー層として酸化物層を成膜する場合、スパッタ法による酸化物層の成膜は、酸化物ターゲットを用いる方法、及び金属（又は半金属）ターゲットを用いる反応性スパッタのいずれでも実施できる。
【0089】
スパッタ法を実施するための電源としては、例えば、ＤＣ電源、ＡＣ電源、ＲＦ電源、及び、ＭＦＡＣ電源（周波数帯が数ｋＨｚ～数ＭＨｚのＡＣ電源）が挙げられる。スパッタ法を実施する際のパワー密度は、例えば０．１Ｗ／ｃｍ２以上２０Ｗ／ｃｍ２以下であり、好ましくは１Ｗ／ｃｍ２以上１５Ｗ／ｃｍ２以下である。スパッタ法を実施する際の成膜ロールの表面温度は、例えば－２５℃以上２５℃以下であり、好ましくは－２０℃以上０℃以下である。スパッタ法を実施する際の成膜室内の圧力は、好ましくは０．０１Ｐａ以上１０Ｐａ以下であり、より好ましくは０．０５Ｐａ以上５Ｐａ以下であり、更に好ましくは０．１Ｐａ以上１Ｐａ以下である。
【0090】
（反射防止層形成工程）
反射防止層形成工程では、ハードコート層の透明フィルム基材側とは反対側（例えば、ハードコート層表面又はプライマー層表面）に反射防止層を成膜する。反射防止層の成膜方法は、特に限定されず、ウェットコーティング法及びドライコーティング法のいずれでもよい。膜厚が均一な薄膜を形成できることから、真空蒸着法、ＣＶＤ法、スパッタ法等のドライコーティング法が好ましい。また、生産性を高める観点から、反射防止層の成膜方法としては、ロールトゥロール方式のスパッタ法が好ましい。反射防止層形成工程でスパッタ法を実施する際は、例えば、上述した（プライマー層形成工程）で説明した条件の中で成膜条件を適宜設定することができる。
反射防止層形成工程では、ハードコート層の透明フィルム基材側とは反対側（例えば、ハードコート層表面又はプライマー層表面）に反射防止層を成膜する。反射防止層の成膜方法は、特に限定されず、ウェットコーティング法及びドライコーティング法のいずれでもよい。膜厚が均一な薄膜を形成できることから、真空蒸着法、ＣＶＤ法、スパッタ法等のドライコーティング法が好ましい。また、生産性を高める観点から、反射防止層の成膜方法としては、ロールトゥロール方式のスパッタ法が好ましい。反射防止層形成工程でスパッタ法を実施する際は、例えば、上述した（プライマー層形成工程）で説明した条件の中で成膜条件を適宜設定することができる。
【0091】
（防汚層形成工程）
防汚層形成工程は、反射防止層のハードコート層側とは反対側に防汚層を形成する工程である。防汚層形成工程では、例えばフッ素含有化合物を材料として用い、ウェットコーティング法（以下、「Ｗｅｔ法」と記載することがある）又はドライコーティング法（以下、「Ｄｒｙ法」と記載することがある）で防汚層を形成する。
防汚層形成工程は、反射防止層のハードコート層側とは反対側に防汚層を形成する工程である。防汚層形成工程では、例えばフッ素含有化合物を材料として用い、ウェットコーティング法（以下、「Ｗｅｔ法」と記載することがある）又はドライコーティング法（以下、「Ｄｒｙ法」と記載することがある）で防汚層を形成する。
【0092】
Ｗｅｔ法としては、フッ素含有化合物を含むフッ素系塗工液を、反射防止層の表面に塗布することにより塗膜を形成した後、この塗膜を加熱することにより乾燥させて、防汚層を形成する方法が挙げられる。外光の映り込みをより抑制しつつ、放電痕の発生をより抑制できる反射防止フィルムを得るためには、上記加熱前の塗膜の厚み（以下、「Ｗｅｔ厚み」と記載することがある）は、５μｍ以上２０μｍ以下であることが好ましい。Ｗｅｔ法における加熱温度は、例えば、４０℃以上８０℃以下である。Ｗｅｔ法における加熱時間は、例えば、３０秒以上１２０秒以下である。
【0093】
なお、本明細書において、Ｗｅｔ法で得られた防汚層の厚みは、Ｗｅｔ厚み（単位：ｎｍ）と、フッ素系塗工液の固形分濃度（単位：体積％）とから算出される。詳しくは、Ｗｅｔ厚みをＴＷｅｔとし、フッ素系塗工液の固形分濃度をＣＦとした場合に、Ｗｅｔ法で得られた防汚層の厚み（単位：ｎｍ）は、式「Ｗｅｔ法で得られた防汚層の厚み＝ＴＷｅｔ×ＣＦ／１００」から算出される。外光の映り込みをより抑制しつつ、放電痕の発生をより抑制できる反射防止フィルムを得るためには、Ｗｅｔ法で得られた防汚層の厚みは、９ｎｍ以上３０ｎｍ以下であることが好ましく、１０ｎｍ以上２０ｎｍ以下であることがより好ましい。
【0094】
Ｄｒｙ法としては、例えば、真空蒸着法、スパッタ法、及びＣＶＤ法が挙げられ、真空蒸着法が好ましい。真空蒸着法で防汚層を形成する場合、材料（蒸着源）の加熱温度は、例えば、２００℃以上３００℃以下である。
【0095】
外光の映り込みをより抑制しつつ、放電痕の発生をより抑制できる反射防止フィルムを得るためには、Ｄｒｙ法で得られた防汚層の厚みは、７ｎｍ以上２０ｎｍ以下であることが好ましく、７ｎｍ以上１５ｎｍ以下であることがより好ましい。Ｄｒｙ法で得られた防汚層の厚みの測定方法は、後述する実施例と同じ方法又はそれに準ずる方法である。
【0096】
Ｗｅｔ法で形成した防汚層は、凹部の厚みが薄くなる傾向がある。防汚層の凹部の厚みが過度に薄くなると、当該凹部に電荷が滞留しやすくなり、最大表面電位が高くなる傾向がある。一方、Ｄｒｙ法で形成した防汚層は、凹部と凸部の厚みの差が比較的小さい傾向がある。よって、最大表面電位を５．８Ｖ以下に容易に調整するためには、防汚層を、Ｄｒｙ法で形成することが好ましく、真空蒸着法で形成することがより好ましい。つまり、最大表面電位を５．８Ｖ以下に容易に調整するためには、防汚層は、真空蒸着膜であることが好ましい。
【0097】
なお、防汚層形成工程では、反射防止層のハードコート層側とは反対側に、フッ素含有化合物を含む層（以下、「フッ素含有層」と記載することがある）を形成した後、フッ素含有層の表層に存在するフッ素含有化合物の余剰分を除去することにより、防汚層を形成してもよい。上記余剰分の除去方法としては、例えば、後述する実施例１の［防汚層形成工程］において説明する方法が挙げられる。
【0098】
［反射防止フィルムの好ましい態様］
外光の映り込みを更に抑制しつつ、放電痕の発生を更に抑制できる反射防止フィルムを得るためには、第１実施形態に係る反射防止フィルムは、下記条件１を満たすことが好ましく、下記条件２を満たすことがより好ましく、下記条件３を満たすことが更に好ましい。
条件１：最大表面電位が４．００Ｖ以上５．８０Ｖ以下であり、かつ防汚層の反射防止層側とは反対側の主面の最大高さＲｚが０．４０μｍ以上１．５０μｍ以下である。
条件２：上記条件１を満たし、かつ最小表面電位が３．７０Ｖ以上５．５０Ｖ以下である。
条件３：上記条件２を満たし、かつ防汚層が真空蒸着膜である。
外光の映り込みを更に抑制しつつ、放電痕の発生を更に抑制できる反射防止フィルムを得るためには、第１実施形態に係る反射防止フィルムは、下記条件１を満たすことが好ましく、下記条件２を満たすことがより好ましく、下記条件３を満たすことが更に好ましい。
条件１：最大表面電位が４．００Ｖ以上５．８０Ｖ以下であり、かつ防汚層の反射防止層側とは反対側の主面の最大高さＲｚが０．４０μｍ以上１．５０μｍ以下である。
条件２：上記条件１を満たし、かつ最小表面電位が３．７０Ｖ以上５．５０Ｖ以下である。
条件３：上記条件２を満たし、かつ防汚層が真空蒸着膜である。
【0099】
＜第２実施形態：画像表示装置＞
次に、本発明の第２実施形態に係る画像表示装置について説明する。第２実施形態に係る画像表示装置は、画像表示パネルと、画像表示パネルの視認側に配置された、第１実施形態に係る反射防止フィルムとを備える。以下、第１実施形態と重複する内容については説明を省略する。
次に、本発明の第２実施形態に係る画像表示装置について説明する。第２実施形態に係る画像表示装置は、画像表示パネルと、画像表示パネルの視認側に配置された、第１実施形態に係る反射防止フィルムとを備える。以下、第１実施形態と重複する内容については説明を省略する。
【0100】
図３は、第２実施形態に係る画像表示装置の一例を示す断面図である。図３に示す画像表示装置１００は、画像表示パネル１０１と、画像表示パネル１０１の視認側（図３中の上方側）に配置された、第１実施形態に係る反射防止フィルムの一例である反射防止フィルム１０とを備える。画像表示装置１００では、反射防止フィルム１０の透明フィルム基材１１と画像表示パネル１０１とが粘着剤層２１を介して貼り合わせられている。
【0101】
画像表示パネル１０１としては、液晶セル、有機ＥＬセル等の画像表示セルを含む画像表示パネルが例示できる。
【0102】
第２実施形態に係る画像表示装置は、画像表示パネルの視認側に反射防止フィルムが配置されているため、外光の反射が低減され、視認性に優れる。また、第２実施形態に係る画像表示装置は、第１実施形態に係る反射防止フィルムを備えるため、外光の映り込みが低減され、かつ放電痕の発生を抑制できる。
【実施例0103】
以下、本発明の実施例について説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【0104】
＜実施例１の反射防止フィルムの作製＞
［ハードコート層形成工程］
紫外線硬化型のウレタンアクリレート（ＤＩＣ社製「ルクシディア」）１００重量部と、架橋ポリスチレン単分散粒子（綜研化学社製「ＳＸ―３５０Ｈ」、個数平均一次粒子径：３．５μｍ、屈折率：１．５９）１４重量部と、チクソトロピー剤（クニミネ工業社製「スメクトンＳＡＮ」、有機粘土である合成スメクタイト）２．５重量部と、光重合開始剤（ＩＧＭ Ｒｅｓｉｎｓ社製「Ｏｍｎｉｒａｄ９０７」）５重量部と、レベリング剤（ＤＩＣ社製「メガファックＦ５－５５６」）０．５重量部と、トルエンとを混合し、固形分濃度３２重量％のハードコート層形成用組成物を得た。次いで、透明フィルム基材としてのＴＡＣフィルム（厚み：４０μｍ）の一方の主面に、上記ハードコート層形成用組成物を塗布し、塗膜を形成した。次に、この塗膜を、温度１００℃で６０秒間加熱することにより乾燥させた後、紫外線照射により硬化させた。紫外線照射する際は、光源として高圧水銀ランプを使用し、波長３６５ｎｍの紫外線を用い、積算光量を３００ｍＪ／ｃｍ２とした。これにより、ＴＡＣフィルム上に厚み５μｍのハードコート層を形成した。
［ハードコート層形成工程］
紫外線硬化型のウレタンアクリレート（ＤＩＣ社製「ルクシディア」）１００重量部と、架橋ポリスチレン単分散粒子（綜研化学社製「ＳＸ―３５０Ｈ」、個数平均一次粒子径：３．５μｍ、屈折率：１．５９）１４重量部と、チクソトロピー剤（クニミネ工業社製「スメクトンＳＡＮ」、有機粘土である合成スメクタイト）２．５重量部と、光重合開始剤（ＩＧＭ Ｒｅｓｉｎｓ社製「Ｏｍｎｉｒａｄ９０７」）５重量部と、レベリング剤（ＤＩＣ社製「メガファックＦ５－５５６」）０．５重量部と、トルエンとを混合し、固形分濃度３２重量％のハードコート層形成用組成物を得た。次いで、透明フィルム基材としてのＴＡＣフィルム（厚み：４０μｍ）の一方の主面に、上記ハードコート層形成用組成物を塗布し、塗膜を形成した。次に、この塗膜を、温度１００℃で６０秒間加熱することにより乾燥させた後、紫外線照射により硬化させた。紫外線照射する際は、光源として高圧水銀ランプを使用し、波長３６５ｎｍの紫外線を用い、積算光量を３００ｍＪ／ｃｍ２とした。これにより、ＴＡＣフィルム上に厚み５μｍのハードコート層を形成した。
【0105】
［ハードコート層の表面処理工程］
次いで、ロールトゥロール方式のプラズマ処理装置により、０．６Ｐａの真空雰囲気下、ハードコート層が形成されたＴＡＣフィルムを搬送しながら、ハードコート層の表面をプラズマ処理した。プラズマ処理する際は、不活性ガスとしてアルゴンガスを用い、実効パワー密度を０．３４Ｗ・ｍｉｎ／ｃｍ２・ｍとした。これにより、ＴＡＣフィルムと、プラズマ処理されたハードコート層とを備える積層体（以下、「光学フィルムＦ１」と記載することがある）を得た。
次いで、ロールトゥロール方式のプラズマ処理装置により、０．６Ｐａの真空雰囲気下、ハードコート層が形成されたＴＡＣフィルムを搬送しながら、ハードコート層の表面をプラズマ処理した。プラズマ処理する際は、不活性ガスとしてアルゴンガスを用い、実効パワー密度を０．３４Ｗ・ｍｉｎ／ｃｍ２・ｍとした。これにより、ＴＡＣフィルムと、プラズマ処理されたハードコート層とを備える積層体（以下、「光学フィルムＦ１」と記載することがある）を得た。
【0106】
次に、プライマー層形成工程及び反射防止層形成工程について説明する。なお、プライマー層形成工程及び反射防止層形成工程において、酸化物膜を形成（成膜）する際は、アルゴンガスと酸素ガスとを成膜室内に導入しながら成膜した。また、酸化物膜を形成（成膜）する際は、アルゴンガスの導入量及び排気量を調整することにより圧力を一定に保ちつつ、プラズマエミッションモニタリング（ＰＥＭ）制御により、成膜モードが遷移領域を維持するように酸素ガスの導入量を調整した。
【0107】
［プライマー層形成工程］
上記手順で得られた光学フィルムＦ１を、ロールトゥロール方式のスパッタ成膜装置に導入し、成膜室内を１×１０－４Ｐａまで減圧した。次いで、光学フィルムＦ１を搬送しながら、成膜ロールの表面温度を－８℃とし、反応性スパッタ法により、ハードコート層の一方の主面に、プライマー層として厚み４ｎｍのＳｉＯｘ層（ｘ＜２）を形成（成膜）した。プライマー層の形成には、ターゲット材料として、Ｓｉターゲットを用いた。また、反応性スパッタ法により成膜する際は、電源をＭＦＡＣ電源（周波数：４０ｋＨｚ）とし、パワー密度を３Ｗ／ｃｍ２とし、成膜室内の圧力を０．４Ｐａとした。
上記手順で得られた光学フィルムＦ１を、ロールトゥロール方式のスパッタ成膜装置に導入し、成膜室内を１×１０－４Ｐａまで減圧した。次いで、光学フィルムＦ１を搬送しながら、成膜ロールの表面温度を－８℃とし、反応性スパッタ法により、ハードコート層の一方の主面に、プライマー層として厚み４ｎｍのＳｉＯｘ層（ｘ＜２）を形成（成膜）した。プライマー層の形成には、ターゲット材料として、Ｓｉターゲットを用いた。また、反応性スパッタ法により成膜する際は、電源をＭＦＡＣ電源（周波数：４０ｋＨｚ）とし、パワー密度を３Ｗ／ｃｍ２とし、成膜室内の圧力を０．４Ｐａとした。
【0108】
［反射防止層形成工程］
プライマー層の形成に続いて、ロールトゥロール方式のスパッタ成膜装置を用いてプライマー層形成後の光学フィルムＦ１を搬送しながら、反応性スパッタ法により、プライマー層の一方の主面に、第１層：厚み１６ｎｍの酸化ニオブ層（屈折率：２．３３）、第２層：厚み１９ｎｍの酸化シリコン層（屈折率：１．４６）、第３層：厚み１０２ｎｍの酸化ニオブ層、及び第４層：厚み７１ｎｍの酸化シリコン層をこの順に成膜した。これにより、プライマー層の一方の主面に、４層構成（第１層、第２層、第３層及び第４層からなる４層構成）の反射防止層を形成した。なお、第１層～第４層の各層の成膜では、いずれも、成膜ロールの表面温度を－８℃とし、電源をＭＦＡＣ電源（周波数：４０ｋＨｚ）とした。また、第１層及び第３層の成膜では、いずれも、Ｎｂターゲットを用い、パワー密度を１３Ｗ／ｃｍ２とし、成膜室内の圧力を０．６Ｐａとした。また、第２層及び第４層の成膜では、いずれも、Ｓｉターゲットを用い、パワー密度を８Ｗ／ｃｍ２とし、成膜室内の圧力を０．５Ｐａとした。
プライマー層の形成に続いて、ロールトゥロール方式のスパッタ成膜装置を用いてプライマー層形成後の光学フィルムＦ１を搬送しながら、反応性スパッタ法により、プライマー層の一方の主面に、第１層：厚み１６ｎｍの酸化ニオブ層（屈折率：２．３３）、第２層：厚み１９ｎｍの酸化シリコン層（屈折率：１．４６）、第３層：厚み１０２ｎｍの酸化ニオブ層、及び第４層：厚み７１ｎｍの酸化シリコン層をこの順に成膜した。これにより、プライマー層の一方の主面に、４層構成（第１層、第２層、第３層及び第４層からなる４層構成）の反射防止層を形成した。なお、第１層～第４層の各層の成膜では、いずれも、成膜ロールの表面温度を－８℃とし、電源をＭＦＡＣ電源（周波数：４０ｋＨｚ）とした。また、第１層及び第３層の成膜では、いずれも、Ｎｂターゲットを用い、パワー密度を１３Ｗ／ｃｍ２とし、成膜室内の圧力を０．６Ｐａとした。また、第２層及び第４層の成膜では、いずれも、Ｓｉターゲットを用い、パワー密度を８Ｗ／ｃｍ２とし、成膜室内の圧力を０．５Ｐａとした。
【0109】
［防汚層形成工程］
コーティング剤（信越化学工業社製「ＳＨＩＮ－ＥＴＳＵ ＳＵＢＥＬＹＮ ＫＹ１９０３－１」）を乾燥して固化したものを蒸着源として用い、蒸着源の加熱温度を２６０℃にして、真空蒸着法（Ｄｒｙ法）により、反射防止層のプライマー層側とは反対側の主面にフッ素含有化合物を含む層（フッ素含有層）を形成した。使用したコーティング剤（信越化学工業社製「ＳＨＩＮ－ＥＴＳＵ ＳＵＢＥＬＹＮ ＫＹ１９０３－１」）の有効成分は、パーフルオロポリエーテル骨格を含有し、かつ化学式ＣＦ３Ｏ－で表される末端構造を有するアルコキシシラン化合物（フッ素含有化合物）であった。次いで、得られたフッ素含有層上に、保護フィルム（日東電工社製「ＲＰ３００Ｃ」）を貼り合わせた後、２４時間放置した。そして、フッ素含有層から保護フィルムをはく離することにより、フッ素含有層の表層に存在するフッ素含有化合物の余剰分を除去した。これにより、反射防止層のプライマー層側とは反対側の主面に厚み８ｎｍの防汚層を形成し、実施例１の反射防止フィルムを得た。なお、実施例１において形成された防汚層の厚み、並びに後述する実施例２及び３において形成された防汚層の厚みの測定方法は、以下のとおりである。
コーティング剤（信越化学工業社製「ＳＨＩＮ－ＥＴＳＵ ＳＵＢＥＬＹＮ ＫＹ１９０３－１」）を乾燥して固化したものを蒸着源として用い、蒸着源の加熱温度を２６０℃にして、真空蒸着法（Ｄｒｙ法）により、反射防止層のプライマー層側とは反対側の主面にフッ素含有化合物を含む層（フッ素含有層）を形成した。使用したコーティング剤（信越化学工業社製「ＳＨＩＮ－ＥＴＳＵ ＳＵＢＥＬＹＮ ＫＹ１９０３－１」）の有効成分は、パーフルオロポリエーテル骨格を含有し、かつ化学式ＣＦ３Ｏ－で表される末端構造を有するアルコキシシラン化合物（フッ素含有化合物）であった。次いで、得られたフッ素含有層上に、保護フィルム（日東電工社製「ＲＰ３００Ｃ」）を貼り合わせた後、２４時間放置した。そして、フッ素含有層から保護フィルムをはく離することにより、フッ素含有層の表層に存在するフッ素含有化合物の余剰分を除去した。これにより、反射防止層のプライマー層側とは反対側の主面に厚み８ｎｍの防汚層を形成し、実施例１の反射防止フィルムを得た。なお、実施例１において形成された防汚層の厚み、並びに後述する実施例２及び３において形成された防汚層の厚みの測定方法は、以下のとおりである。
【0110】
［実施例１～３において形成された防汚層の厚みの測定方法］
測定対象の防汚層（実施例１～３のいずれかにおいて形成された防汚層）について、蛍光Ｘ線分析装置（リガク社製「ＺＳＸ－ＰＲＩＭＵＳ ＩＩ」、測定径：ψ３０ｍｍ）を用いて、フッ素の蛍光Ｘ線強度を測定した。また、測定基準として、後述する比較例２において形成された防汚層についても、蛍光Ｘ線分析装置（リガク社製「ＺＳＸ－ＰＲＩＭＵＳ ＩＩ」、測定径：ψ３０ｍｍ）を用いて、フッ素の蛍光Ｘ線強度を測定した。そして、測定対象の防汚層のフッ素の蛍光Ｘ線強度Ｉ１と、測定基準の防汚層のフッ素の蛍光Ｘ線強度Ｉ２と、測定基準の防汚層の厚みＴ２（８ｎｍ）とから、測定対象の防汚層の厚みＴ１を、式「Ｔ１＝Ｔ２×Ｉ１／Ｉ２」により算出した。
測定対象の防汚層（実施例１～３のいずれかにおいて形成された防汚層）について、蛍光Ｘ線分析装置（リガク社製「ＺＳＸ－ＰＲＩＭＵＳ ＩＩ」、測定径：ψ３０ｍｍ）を用いて、フッ素の蛍光Ｘ線強度を測定した。また、測定基準として、後述する比較例２において形成された防汚層についても、蛍光Ｘ線分析装置（リガク社製「ＺＳＸ－ＰＲＩＭＵＳ ＩＩ」、測定径：ψ３０ｍｍ）を用いて、フッ素の蛍光Ｘ線強度を測定した。そして、測定対象の防汚層のフッ素の蛍光Ｘ線強度Ｉ１と、測定基準の防汚層のフッ素の蛍光Ｘ線強度Ｉ２と、測定基準の防汚層の厚みＴ２（８ｎｍ）とから、測定対象の防汚層の厚みＴ１を、式「Ｔ１＝Ｔ２×Ｉ１／Ｉ２」により算出した。
【0111】
＜実施例２の反射防止フィルムの作製＞
ハードコート層の表面処理工程において、プラズマ処理する際に装置内に導入するガスとして、アルゴンガスと酸素ガスとを併用し、アルゴンガスの導入量及び酸素ガスの導入量の合計に対する、酸素ガスの導入量の比を０．０３３としたこと以外は、実施例１と同じ作製方法により、実施例２の反射防止フィルムを得た。
ハードコート層の表面処理工程において、プラズマ処理する際に装置内に導入するガスとして、アルゴンガスと酸素ガスとを併用し、アルゴンガスの導入量及び酸素ガスの導入量の合計に対する、酸素ガスの導入量の比を０．０３３としたこと以外は、実施例１と同じ作製方法により、実施例２の反射防止フィルムを得た。
【0112】
＜実施例３の反射防止フィルムの作製＞
ハードコート層形成工程を以下のとおりに変更したこと以外は、実施例１と同じ作製方法により、実施例３の反射防止フィルムを得た。
ハードコート層形成工程を以下のとおりに変更したこと以外は、実施例１と同じ作製方法により、実施例３の反射防止フィルムを得た。
【0113】
［実施例３のハードコート層形成工程］
紫外線硬化型のウレタンアクリレート（三菱ケミカル社製「紫光ＵＶ１７００Ｂ」）４０重量部と、ナノシリカ粒子を含有するアクリルモノマー組成物（荒川化学工業社製「ＮＣ０３５ＨＳ」、ナノシリカ粒子の個数平均一次粒子径：４０ｎｍ、固形分濃度：５０重量％、固形分中のナノシリカ粒子の含有率：６０重量％）２０重量部と、アクリレート系化合物（大阪有機化学工業社製「ビスコート＃３００」）４０重量部と、メチルメタクリレートとスチレンとの共重合体粒子（積水化成品工業社製「ＳＳＸ－１０３ＤＸＥ」、個数平均一次粒子径：３．０μｍ、屈折率：１．５２）５重量部と、ポリメチルシルセスキオキサン粒子（モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン社製「トスパール１３０ＮＤ」、個数平均一次粒子径：３．０μｍ、屈折率１．４２）３重量部と、チクソトロピー剤（クニミネ工業社製「スメクトンＳＡＮ」、有機粘土である合成スメクタイト）１．５重量部と、光重合開始剤（ＩＧＭ Ｒｅｓｉｎｓ社製「Ｏｍｎｉｒａｄ１８４」）３重量部と、レベリング剤（ＤＩＣ社製「ＧＲＡＮＤＩＣ ＰＣ４１００」）０．１重量部と、酢酸ブチル及びシクロペンタノンの混合溶媒（重量比：酢酸ブチル／シクロペンタノン＝６８／３２）とを混合し、固形分濃度４０重量％のハードコート層形成用組成物を得た。次いで、透明フィルム基材としてのＴＡＣフィルム（厚み：４０μｍ）の一方の主面に、上記ハードコート層形成用組成物を塗布し、塗膜を形成した。次に、この塗膜を、温度９０℃で６０秒間加熱することにより乾燥させた後、紫外線照射により硬化させた。紫外線照射する際は、光源として高圧水銀ランプを使用し、波長３６５ｎｍの紫外線を用い、積算光量を２３０ｍＪ／ｃｍ２とした。これにより、ＴＡＣフィルム上に厚み５μｍのハードコート層を形成した。
紫外線硬化型のウレタンアクリレート（三菱ケミカル社製「紫光ＵＶ１７００Ｂ」）４０重量部と、ナノシリカ粒子を含有するアクリルモノマー組成物（荒川化学工業社製「ＮＣ０３５ＨＳ」、ナノシリカ粒子の個数平均一次粒子径：４０ｎｍ、固形分濃度：５０重量％、固形分中のナノシリカ粒子の含有率：６０重量％）２０重量部と、アクリレート系化合物（大阪有機化学工業社製「ビスコート＃３００」）４０重量部と、メチルメタクリレートとスチレンとの共重合体粒子（積水化成品工業社製「ＳＳＸ－１０３ＤＸＥ」、個数平均一次粒子径：３．０μｍ、屈折率：１．５２）５重量部と、ポリメチルシルセスキオキサン粒子（モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン社製「トスパール１３０ＮＤ」、個数平均一次粒子径：３．０μｍ、屈折率１．４２）３重量部と、チクソトロピー剤（クニミネ工業社製「スメクトンＳＡＮ」、有機粘土である合成スメクタイト）１．５重量部と、光重合開始剤（ＩＧＭ Ｒｅｓｉｎｓ社製「Ｏｍｎｉｒａｄ１８４」）３重量部と、レベリング剤（ＤＩＣ社製「ＧＲＡＮＤＩＣ ＰＣ４１００」）０．１重量部と、酢酸ブチル及びシクロペンタノンの混合溶媒（重量比：酢酸ブチル／シクロペンタノン＝６８／３２）とを混合し、固形分濃度４０重量％のハードコート層形成用組成物を得た。次いで、透明フィルム基材としてのＴＡＣフィルム（厚み：４０μｍ）の一方の主面に、上記ハードコート層形成用組成物を塗布し、塗膜を形成した。次に、この塗膜を、温度９０℃で６０秒間加熱することにより乾燥させた後、紫外線照射により硬化させた。紫外線照射する際は、光源として高圧水銀ランプを使用し、波長３６５ｎｍの紫外線を用い、積算光量を２３０ｍＪ／ｃｍ２とした。これにより、ＴＡＣフィルム上に厚み５μｍのハードコート層を形成した。
【0114】
＜比較例１の反射防止フィルムの作製＞
防汚層を形成しなかったこと以外は、実施例１と同じ作製方法により、比較例１の反射防止フィルムを得た。
防汚層を形成しなかったこと以外は、実施例１と同じ作製方法により、比較例１の反射防止フィルムを得た。
【0115】
＜比較例２の反射防止フィルムの作製＞
防汚層形成工程を以下のとおりに変更したこと以外は、実施例１と同じ作製方法により、比較例２の反射防止フィルムを得た。
防汚層形成工程を以下のとおりに変更したこと以外は、実施例１と同じ作製方法により、比較例２の反射防止フィルムを得た。
【0116】
［比較例２の防汚層形成工程（Ｗｅｔ法）］
コーティング剤（信越化学工業社製「ＳＨＩＮ－ＥＴＳＵ ＳＵＢＥＬＹＮ ＫＹ１９０３－１」）とフッ素系溶剤（３Ｍ社製「フロリナートＦＣ４０」）とを混合し、固形分濃度０．１０体積％のフッ素系塗工液を調製した。次に、調製したフッ素系塗工液を、反射防止層の表面（詳しくは、第４層である酸化シリコン層の一方の主面）に、Ｗｅｔ厚みが８μｍとなるように塗布し、形成された塗膜（フッ素系塗工液からなる膜）を温度６０℃で６０秒間加熱することにより乾燥させた。これにより、反射防止層のプライマー層側とは反対側の主面に防汚層を形成した。比較例２において形成された防汚層の厚み（計算値）は、８ｎｍであった。なお、上記Ｗｅｔ厚みは、分光膜厚計（大塚電子社製「ＭＣＰＤ－３０００」）を用いて測定した。
コーティング剤（信越化学工業社製「ＳＨＩＮ－ＥＴＳＵ ＳＵＢＥＬＹＮ ＫＹ１９０３－１」）とフッ素系溶剤（３Ｍ社製「フロリナートＦＣ４０」）とを混合し、固形分濃度０．１０体積％のフッ素系塗工液を調製した。次に、調製したフッ素系塗工液を、反射防止層の表面（詳しくは、第４層である酸化シリコン層の一方の主面）に、Ｗｅｔ厚みが８μｍとなるように塗布し、形成された塗膜（フッ素系塗工液からなる膜）を温度６０℃で６０秒間加熱することにより乾燥させた。これにより、反射防止層のプライマー層側とは反対側の主面に防汚層を形成した。比較例２において形成された防汚層の厚み（計算値）は、８ｎｍであった。なお、上記Ｗｅｔ厚みは、分光膜厚計（大塚電子社製「ＭＣＰＤ－３０００」）を用いて測定した。
【0117】
＜比較例３の反射防止フィルムの作製＞
ハードコート層形成工程を以下のとおりに変更したこと以外は、比較例２と同じ作製方法により、比較例３の反射防止フィルムを得た。
ハードコート層形成工程を以下のとおりに変更したこと以外は、比較例２と同じ作製方法により、比較例３の反射防止フィルムを得た。
【0118】
［比較例３のハードコート層形成工程］
紫外線硬化性アクリル系樹脂組成物（ＤＩＣ社製「ＧＲＡＮＤＩＣ ＰＣ－１０７０」）に、オルガノシリカゾル（日産化学社製「ＭＥＫ－ＳＴ－Ｌ」、シリカ粒子の個数平均一次粒子径：５０ｎｍ、シリカ粒子の粒子径分布：３０ｎｍ～１３０ｎｍ、固形分濃度：３０重量％）を添加し、これらを混合することにより、ハードコート層形成用組成物を調製した。シリカ粒子の添加量は、紫外線硬化性アクリル系樹脂組成物の樹脂成分１００重量部に対して、４０重量部であった。次いで、透明フィルム基材としてのＴＡＣフィルム（厚み：４０μｍ）の一方の主面に、上記ハードコート層形成用組成物を塗布し、塗膜を形成した。次に、この塗膜を、温度８０℃で３分間加熱することにより乾燥させた後、紫外線照射により硬化させた。紫外線照射する際は、光源として高圧水銀ランプを使用し、波長３６５ｎｍの紫外線を用い、積算光量を２００ｍＪ／ｃｍ２とした。これにより、ＴＡＣフィルム上に厚み４μｍのハードコート層を形成した。
紫外線硬化性アクリル系樹脂組成物（ＤＩＣ社製「ＧＲＡＮＤＩＣ ＰＣ－１０７０」）に、オルガノシリカゾル（日産化学社製「ＭＥＫ－ＳＴ－Ｌ」、シリカ粒子の個数平均一次粒子径：５０ｎｍ、シリカ粒子の粒子径分布：３０ｎｍ～１３０ｎｍ、固形分濃度：３０重量％）を添加し、これらを混合することにより、ハードコート層形成用組成物を調製した。シリカ粒子の添加量は、紫外線硬化性アクリル系樹脂組成物の樹脂成分１００重量部に対して、４０重量部であった。次いで、透明フィルム基材としてのＴＡＣフィルム（厚み：４０μｍ）の一方の主面に、上記ハードコート層形成用組成物を塗布し、塗膜を形成した。次に、この塗膜を、温度８０℃で３分間加熱することにより乾燥させた後、紫外線照射により硬化させた。紫外線照射する際は、光源として高圧水銀ランプを使用し、波長３６５ｎｍの紫外線を用い、積算光量を２００ｍＪ／ｃｍ２とした。これにより、ＴＡＣフィルム上に厚み４μｍのハードコート層を形成した。
【0119】
＜比較例４の反射防止フィルムの作製＞
ハードコート層形成工程を以下のとおりに変更したこと以外は、比較例２と同じ作製方法により、比較例４の反射防止フィルムを得た。
ハードコート層形成工程を以下のとおりに変更したこと以外は、比較例２と同じ作製方法により、比較例４の反射防止フィルムを得た。
【0120】
［比較例４のハードコート層形成工程］
紫外線硬化型のウレタンアクリレート（三菱ケミカル社製「ＵＶ１７００ＴＬ」）５０重量部と、アクリレート系化合物（大阪有機化学工業社製「ビスコート＃３００」）５０重量部と、ポリメチルメタクリレート粒子（積水化成品工業社製「テクポリマー」、個数平均一次粒子径：３．０μｍ、屈折率：１．５３）３重量部と、シリコーン粒子（モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン社製「トスパール１３０」、個数平均一次粒子径：３．０μｍ、屈折率：１．４２）１．５重量部と、チクソトロピー剤（片倉コープアグリ社製「ルーセンタイトＳＡＮ」、有機粘土である合成スメクタイト）１．５重量部と、光重合開始剤（ＩＧＭ Ｒｅｓｉｎｓ社製「Ｏｍｎｉｒａｄ９０７」）３重量部と、レベリング剤（共栄社化学社製「ＬＥ３０３」）０．１５重量部と、トルエン・酢酸エチル・シクロペンタノン混合溶媒（重量比：トルエン／酢酸エチル／シクロペンタノン＝３５／４１／２４）とを、超音波分散器を用いて混合し、固形分濃度５５重量％のハードコート層形成用組成物を調製した。次いで、透明フィルム基材としてのＴＡＣフィルム（厚み：４０μｍ）の一方の主面に、上記ハードコート層形成用組成物を塗布し、塗膜を形成した。次に、この塗膜を、温度８０℃で６０秒間加熱することにより乾燥させた後、紫外線照射により硬化させた。紫外線照射する際は、光源として高圧水銀ランプを使用し、波長３６５ｎｍの紫外線を用い、積算光量を３００ｍＪ／ｃｍ２とした。これにより、ＴＡＣフィルム上に厚み５μｍのハードコート層を形成した。
紫外線硬化型のウレタンアクリレート（三菱ケミカル社製「ＵＶ１７００ＴＬ」）５０重量部と、アクリレート系化合物（大阪有機化学工業社製「ビスコート＃３００」）５０重量部と、ポリメチルメタクリレート粒子（積水化成品工業社製「テクポリマー」、個数平均一次粒子径：３．０μｍ、屈折率：１．５３）３重量部と、シリコーン粒子（モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン社製「トスパール１３０」、個数平均一次粒子径：３．０μｍ、屈折率：１．４２）１．５重量部と、チクソトロピー剤（片倉コープアグリ社製「ルーセンタイトＳＡＮ」、有機粘土である合成スメクタイト）１．５重量部と、光重合開始剤（ＩＧＭ Ｒｅｓｉｎｓ社製「Ｏｍｎｉｒａｄ９０７」）３重量部と、レベリング剤（共栄社化学社製「ＬＥ３０３」）０．１５重量部と、トルエン・酢酸エチル・シクロペンタノン混合溶媒（重量比：トルエン／酢酸エチル／シクロペンタノン＝３５／４１／２４）とを、超音波分散器を用いて混合し、固形分濃度５５重量％のハードコート層形成用組成物を調製した。次いで、透明フィルム基材としてのＴＡＣフィルム（厚み：４０μｍ）の一方の主面に、上記ハードコート層形成用組成物を塗布し、塗膜を形成した。次に、この塗膜を、温度８０℃で６０秒間加熱することにより乾燥させた後、紫外線照射により硬化させた。紫外線照射する際は、光源として高圧水銀ランプを使用し、波長３６５ｎｍの紫外線を用い、積算光量を３００ｍＪ／ｃｍ２とした。これにより、ＴＡＣフィルム上に厚み５μｍのハードコート層を形成した。
【0121】
＜比較例５の反射防止フィルムの作製＞
ハードコート層形成工程を以下のとおりに変更したこと以外は、比較例２と同じ作製方法により、比較例５の反射防止フィルムを得た。
ハードコート層形成工程を以下のとおりに変更したこと以外は、比較例２と同じ作製方法により、比較例５の反射防止フィルムを得た。
【0122】
［比較例５のハードコート層形成工程］
ナノシリカ粒子を含有するアクリルモノマー組成物（荒川化学工業社製「ＮＣ０３５ＨＳ」、ナノシリカ粒子の個数平均一次粒子径：４０ｎｍ、固形分濃度：５０重量％、固形分中のナノシリカ粒子の含有率：６０重量％）６７重量部と、紫外線硬化型の多官能アクリレート（荒川化学工業社製「バインダーＡ」）３３重量部と、ポリメチルメタクリレート粒子（積水化成品工業社製「テクポリマー」、個数平均一次粒子径：３．０μｍ、屈折率：１．５３）３重量部と、シリコーン粒子（モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン社製「トスパール１３０」、個数平均一次粒子径：３．０μｍ、屈折率：１．４２）１．５重量部と、チクソトロピー剤（片倉コープアグリ社製「ルーセンタイトＳＡＮ」、有機粘土である合成スメクタイト）１．５重量部と、光重合開始剤（ＩＧＭ Ｒｅｓｉｎｓ社製「Ｏｍｎｉｒａｄ９０７」）３重量部と、レベリング剤（共栄社化学社製「ＬＥ３０３」）０．１５重量部と、トルエンとを、超音波分散器を用いて混合し、固形分濃度４５重量％のハードコート層形成用組成物を調製した。次いで、透明フィルム基材としてのＴＡＣフィルム（厚み：４０μｍ）の一方の主面に、上記ハードコート層形成用組成物を塗布し、塗膜を形成した。次に、この塗膜を、温度６０℃で６０秒間加熱することにより乾燥させた後、紫外線照射により硬化させた。紫外線照射する際は、光源として高圧水銀ランプを使用し、波長３６５ｎｍの紫外線を用い、積算光量を２００ｍＪ／ｃｍ２とした。これにより、ＴＡＣフィルム上に厚み８μｍのハードコート層を形成した。
ナノシリカ粒子を含有するアクリルモノマー組成物（荒川化学工業社製「ＮＣ０３５ＨＳ」、ナノシリカ粒子の個数平均一次粒子径：４０ｎｍ、固形分濃度：５０重量％、固形分中のナノシリカ粒子の含有率：６０重量％）６７重量部と、紫外線硬化型の多官能アクリレート（荒川化学工業社製「バインダーＡ」）３３重量部と、ポリメチルメタクリレート粒子（積水化成品工業社製「テクポリマー」、個数平均一次粒子径：３．０μｍ、屈折率：１．５３）３重量部と、シリコーン粒子（モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン社製「トスパール１３０」、個数平均一次粒子径：３．０μｍ、屈折率：１．４２）１．５重量部と、チクソトロピー剤（片倉コープアグリ社製「ルーセンタイトＳＡＮ」、有機粘土である合成スメクタイト）１．５重量部と、光重合開始剤（ＩＧＭ Ｒｅｓｉｎｓ社製「Ｏｍｎｉｒａｄ９０７」）３重量部と、レベリング剤（共栄社化学社製「ＬＥ３０３」）０．１５重量部と、トルエンとを、超音波分散器を用いて混合し、固形分濃度４５重量％のハードコート層形成用組成物を調製した。次いで、透明フィルム基材としてのＴＡＣフィルム（厚み：４０μｍ）の一方の主面に、上記ハードコート層形成用組成物を塗布し、塗膜を形成した。次に、この塗膜を、温度６０℃で６０秒間加熱することにより乾燥させた後、紫外線照射により硬化させた。紫外線照射する際は、光源として高圧水銀ランプを使用し、波長３６５ｎｍの紫外線を用い、積算光量を２００ｍＪ／ｃｍ２とした。これにより、ＴＡＣフィルム上に厚み８μｍのハードコート層を形成した。
【0123】
＜測定方法及び評価方法＞
以下、上述の手順で得られた各反射防止フィルムの各種物性の測定方法及び評価方法を説明する。なお、以下において、「防汚層」は、比較例１の場合、「反射防止層」と読み替えるものとする。また、以下において、「防汚層の反射防止層側とは反対側の主面」は、比較例１の場合、「反射防止層のプライマー層側とは反対側の主面」と読み替えるものとする。
以下、上述の手順で得られた各反射防止フィルムの各種物性の測定方法及び評価方法を説明する。なお、以下において、「防汚層」は、比較例１の場合、「反射防止層」と読み替えるものとする。また、以下において、「防汚層の反射防止層側とは反対側の主面」は、比較例１の場合、「反射防止層のプライマー層側とは反対側の主面」と読み替えるものとする。
【0124】
［防汚層の表面形状］
上述の手順で得られた各反射防止フィルムを５ｃｍ×５ｃｍのサイズに切り出して、測定用試料を作製した。次いで、測定用試料のＴＡＣフィルム側の主面（反射防止層非形成面）に、厚み２０μｍのアクリル系粘着剤層を介して、厚み１．３ｍｍのスライドガラス（ＭＡＴＳＵＮＡＭＩ社製「ＭＩＣＲＯ ＳＬＩＤＥ ＧＬＡＳＳ」、４５ｍｍ×５０ｍｍ）を貼り合わせた。次いで、ダイヤモンド製先端部（曲率半径Ｒ＝２μｍ）を備えた測定針を有する触針式表面粗さ測定器（小坂研究所社製「サーフコーダＥＴ４０００」）を用い、走査速度０．１ｍｍ／秒、測定長４ｍｍの条件で、上記測定用試料の防汚層の表面（詳しくは、防汚層の反射防止層側とは反対側の主面）の表面形状を一定方向に測定した。得られた測定データを測定器に付属するプログラムにより解析し、ＪＩＳ Ｂ０６０１：２００１に準拠して、カットオフ値０．８ｍｍの広域フィルタを通して得られた粗さ曲線から、算術平均粗さＲａ、最大高さＲｚ、粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍ、及び平均傾斜角θａを求めた。
上述の手順で得られた各反射防止フィルムを５ｃｍ×５ｃｍのサイズに切り出して、測定用試料を作製した。次いで、測定用試料のＴＡＣフィルム側の主面（反射防止層非形成面）に、厚み２０μｍのアクリル系粘着剤層を介して、厚み１．３ｍｍのスライドガラス（ＭＡＴＳＵＮＡＭＩ社製「ＭＩＣＲＯ ＳＬＩＤＥ ＧＬＡＳＳ」、４５ｍｍ×５０ｍｍ）を貼り合わせた。次いで、ダイヤモンド製先端部（曲率半径Ｒ＝２μｍ）を備えた測定針を有する触針式表面粗さ測定器（小坂研究所社製「サーフコーダＥＴ４０００」）を用い、走査速度０．１ｍｍ／秒、測定長４ｍｍの条件で、上記測定用試料の防汚層の表面（詳しくは、防汚層の反射防止層側とは反対側の主面）の表面形状を一定方向に測定した。得られた測定データを測定器に付属するプログラムにより解析し、ＪＩＳ Ｂ０６０１：２００１に準拠して、カットオフ値０．８ｍｍの広域フィルタを通して得られた粗さ曲線から、算術平均粗さＲａ、最大高さＲｚ、粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍ、及び平均傾斜角θａを求めた。
【0125】
［最大表面電位及び最小表面電位］
まず、上述の手順で得られた各反射防止フィルムを、１０ｍｍ×１０ｍｍのサイズに切り出した。次いで、切り出した反射防止フィルムのＴＡＣフィルム側の主面（反射防止層非形成面）に、導電性カーボン両面テープ（日新ＥＭ社製）を介して金属製試料台を貼り付けた後、導電性ペーストを用いて防汚層表面と金属製試料台とを接続し、測定用試料を得た。得られた測定用試料を、温度２５℃かつ相対湿度５０％の環境下に２４時間放置した。次いで、カンチレバー（日立ハイテクフィールディング社販売「ＳＩ－ＤＦ３－Ａ」）を備えた走査型プローブ顕微鏡（日立ハイテクサイエンス社製「ＡＦＭ５３００Ｅ」）を用いて、ＥＦＭモードにて測定用試料の防汚層の表面電位を測定した。詳しくは、温度２５℃かつ真空度８．０×１０－５～１．５×１０－４Ｐａの真空環境下、防汚層の反射防止層側とは反対側の主面に、上記カンチレバーの先端の電位を基準として＋５．０Ｖのバイアス電圧を印加した状態で、上記主面から無作為に選択した測定領域（１００μｍ×１００μｍ）をスキャンし、静電気力を画像化したＥＦＭ像を得た。得られたＥＦＭ像内に等間隔で設けた測定点（合計：２５６×２５６点）において、それぞれ表面電位を求め、得られた表面電位の最大値を最大表面電位とし、得られた表面電位の最小値を最小表面電位とした。
まず、上述の手順で得られた各反射防止フィルムを、１０ｍｍ×１０ｍｍのサイズに切り出した。次いで、切り出した反射防止フィルムのＴＡＣフィルム側の主面（反射防止層非形成面）に、導電性カーボン両面テープ（日新ＥＭ社製）を介して金属製試料台を貼り付けた後、導電性ペーストを用いて防汚層表面と金属製試料台とを接続し、測定用試料を得た。得られた測定用試料を、温度２５℃かつ相対湿度５０％の環境下に２４時間放置した。次いで、カンチレバー（日立ハイテクフィールディング社販売「ＳＩ－ＤＦ３－Ａ」）を備えた走査型プローブ顕微鏡（日立ハイテクサイエンス社製「ＡＦＭ５３００Ｅ」）を用いて、ＥＦＭモードにて測定用試料の防汚層の表面電位を測定した。詳しくは、温度２５℃かつ真空度８．０×１０－５～１．５×１０－４Ｐａの真空環境下、防汚層の反射防止層側とは反対側の主面に、上記カンチレバーの先端の電位を基準として＋５．０Ｖのバイアス電圧を印加した状態で、上記主面から無作為に選択した測定領域（１００μｍ×１００μｍ）をスキャンし、静電気力を画像化したＥＦＭ像を得た。得られたＥＦＭ像内に等間隔で設けた測定点（合計：２５６×２５６点）において、それぞれ表面電位を求め、得られた表面電位の最大値を最大表面電位とし、得られた表面電位の最小値を最小表面電位とした。
【0126】
［映り込み］
上述の手順で得られた各反射防止フィルムのＴＡＣフィルム側の主面（反射防止層非形成面）に、厚み２０μｍのアクリル系粘着剤層を介して厚み１ｍｍのアクリル樹脂製の黒色の板を貼り合わせ、評価用サンプルを得た。次いで、照度１０００Ｌｘの環境下（ディスプレイを用いる一般的なオフィス環境に相当）、評価用サンプルの反射防止フィルムの直上５０ｃｍの場所に設置した３波長形蛍光灯を点灯させた。そして、反射防止フィルム表面を目視で観察し、蛍光管の映り込みを下記の基準で確認した。Ａの場合、「外光の映り込みを抑制できている」と評価し、Ｂ又はＣの場合、「外光の映り込みを抑制できていない」と評価した。
Ａ：反射防止フィルム表面において蛍光管の輪郭の像を確認できない。
Ｂ：反射防止フィルム表面において蛍光管の輪郭の像をわずかに確認できる。
Ｃ：反射防止フィルム表面において蛍光管の輪郭の像をはっきりと確認できる。
上述の手順で得られた各反射防止フィルムのＴＡＣフィルム側の主面（反射防止層非形成面）に、厚み２０μｍのアクリル系粘着剤層を介して厚み１ｍｍのアクリル樹脂製の黒色の板を貼り合わせ、評価用サンプルを得た。次いで、照度１０００Ｌｘの環境下（ディスプレイを用いる一般的なオフィス環境に相当）、評価用サンプルの反射防止フィルムの直上５０ｃｍの場所に設置した３波長形蛍光灯を点灯させた。そして、反射防止フィルム表面を目視で観察し、蛍光管の映り込みを下記の基準で確認した。Ａの場合、「外光の映り込みを抑制できている」と評価し、Ｂ又はＣの場合、「外光の映り込みを抑制できていない」と評価した。
Ａ：反射防止フィルム表面において蛍光管の輪郭の像を確認できない。
Ｂ：反射防止フィルム表面において蛍光管の輪郭の像をわずかに確認できる。
Ｃ：反射防止フィルム表面において蛍光管の輪郭の像をはっきりと確認できる。
【0127】
［静電気放電試験（ＥＳＤ試験）］
まず、図４に示す断面構造を有する評価用試料を準備した。詳しくは、上述の手順で得られた各反射防止フィルム２００を、２５０ｍｍ×１００ｍｍのサイズに切り出して、ＴＡＣフィルム側の主面（反射防止層非形成面）に、厚み１５μｍのアクリル系粘着剤層２０２を介してガラス基板２０１（サイズ：２５０ｍｍ×１００ｍｍ、厚み：１．３ｍｍ）に貼り合わせた。次いで、反射防止フィルム２００上に、枠状に形成されたＰＥＴシート２０３（中央部に２３０ｍｍ×８０ｍｍの開口部を有するＰＥＴシート、厚み：５０μｍ）を載置し、更に、ＰＥＴシート２０３上に、枠状に形成されたステンレス板２０４（中央部に２３０ｍｍ×８０ｍｍの開口部を有するステンレス鋼製の板）を載置した。ＰＥＴシート２０３及びステンレス板２０４の幅Ｗは、いずれも１０ｍｍであった。次いで、ステンレス板２０４を、図示しないアース電極と接続した。次いで、静電気発生装置（ＳＡＮＫＩ社製「ＥＳＤ－８０１２Ａ」）を用いて、評価用試料の防汚層表面の中央付近に、１秒間隔で合計３０回放電（気中放電）するＥＳＤ試験を実施した。ＥＳＤ試験の条件は、放電コンデンサの静電容量を３３０ｐＦとし、抵抗値を３３０Ωとし、放電電圧を＋１５ｋＶ及び－１５ｋＶとした。次いで、ＥＳＤ試験後の防汚層表面の中央付近を指で擦った後、防汚層のはがれがあったか否かを目視で確認した。防汚層のはがれがなかった場合を、Ａ（放電痕の発生を抑制できている）と評価し、防汚層のはがれがあった場合を、Ｂ（放電痕の発生を抑制できていない）と評価した。
まず、図４に示す断面構造を有する評価用試料を準備した。詳しくは、上述の手順で得られた各反射防止フィルム２００を、２５０ｍｍ×１００ｍｍのサイズに切り出して、ＴＡＣフィルム側の主面（反射防止層非形成面）に、厚み１５μｍのアクリル系粘着剤層２０２を介してガラス基板２０１（サイズ：２５０ｍｍ×１００ｍｍ、厚み：１．３ｍｍ）に貼り合わせた。次いで、反射防止フィルム２００上に、枠状に形成されたＰＥＴシート２０３（中央部に２３０ｍｍ×８０ｍｍの開口部を有するＰＥＴシート、厚み：５０μｍ）を載置し、更に、ＰＥＴシート２０３上に、枠状に形成されたステンレス板２０４（中央部に２３０ｍｍ×８０ｍｍの開口部を有するステンレス鋼製の板）を載置した。ＰＥＴシート２０３及びステンレス板２０４の幅Ｗは、いずれも１０ｍｍであった。次いで、ステンレス板２０４を、図示しないアース電極と接続した。次いで、静電気発生装置（ＳＡＮＫＩ社製「ＥＳＤ－８０１２Ａ」）を用いて、評価用試料の防汚層表面の中央付近に、１秒間隔で合計３０回放電（気中放電）するＥＳＤ試験を実施した。ＥＳＤ試験の条件は、放電コンデンサの静電容量を３３０ｐＦとし、抵抗値を３３０Ωとし、放電電圧を＋１５ｋＶ及び－１５ｋＶとした。次いで、ＥＳＤ試験後の防汚層表面の中央付近を指で擦った後、防汚層のはがれがあったか否かを目視で確認した。防汚層のはがれがなかった場合を、Ａ（放電痕の発生を抑制できている）と評価し、防汚層のはがれがあった場合を、Ｂ（放電痕の発生を抑制できていない）と評価した。
【0128】
＜評価結果＞
実施例１～３及び比較例１～５について、防汚層形成方法、防汚層の厚み、防汚層の表面形状、最大表面電位、最小表面電位、映り込みの評価結果、及びＥＳＤ試験の評価結果を表１に示す。なお、表１において、「－」は、測定しなかったことを意味する。
実施例１～３及び比較例１～５について、防汚層形成方法、防汚層の厚み、防汚層の表面形状、最大表面電位、最小表面電位、映り込みの評価結果、及びＥＳＤ試験の評価結果を表１に示す。なお、表１において、「－」は、測定しなかったことを意味する。
【0129】
【表1】
【0130】
表１に示すように、実施例１～３では、防汚層の反射防止層側とは反対側の主面の最大高さＲｚが０．４０μｍ以上であった。実施例１～３では、防汚層の反射防止層側とは反対側の主面に５．０Ｖ（詳しくは、＋５．０Ｖ）のバイアス電圧を印加した際の上記主面の最大表面電位が、５．８Ｖ（詳しくは、＋５．８Ｖ）以下であった。
【0131】
表１に示すように、実施例１～３では、映り込みの評価結果がＡであった。よって、実施例１～３の反射防止フィルムは、外光の映り込みを抑制できていた。実施例１～３では、ＥＳＤ試験の評価結果がＡであった。よって、実施例１～３の反射防止フィルムは、放電痕の発生を抑制できていた。
【0132】
表１に示すように、比較例１の反射防止フィルムは、防汚層を備えていなかった。比較例２では、防汚層の反射防止層側とは反対側の主面に５．０Ｖ（詳しくは、＋５．０Ｖ）のバイアス電圧を印加した際の上記主面の最大表面電位が、５．８Ｖ（詳しくは、＋５．８Ｖ）を超えていた。比較例３～５では、防汚層の反射防止層側とは反対側の主面の最大高さＲｚが０．４０μｍ未満であった。
【0133】
表１に示すように、比較例１及び２では、ＥＳＤ試験の評価結果がＢであった。よって、比較例１及び２の反射防止フィルムは、放電痕の発生を抑制できていなかった。比較例３～５では、映り込みの評価結果がＢ又はＣであった。よって、比較例３～５の反射防止フィルムは、外光の映り込みを抑制できていなかった。
【0134】
以上の結果から、本発明によれば、外光の映り込みを抑制しつつ、放電痕の発生を抑制できる反射防止フィルムを提供できることが示された。
【符号の説明】
【0135】
１０、２０ 反射防止フィルム
１１ 透明フィルム基材
１２ ハードコート層
１３ 反射防止層
１８ プライマー層
１９ 防汚層
２１ 粘着剤層
１００ 画像表示装置
１０１ 画像表示パネル
１１ 透明フィルム基材
１２ ハードコート層
１３ 反射防止層
１８ プライマー層
１９ 防汚層
２１ 粘着剤層
１００ 画像表示装置
１０１ 画像表示パネル
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】