特開 2024-98871 配線基板

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024098871

(43)【公開日】2024-07-24

(54)【発明の名称】配線基板

(51)【国際特許分類】

   H05K 3/46 20060101AFI20240717BHJP

【ＦＩ】

H05K3/46 B

H05K3/46 T

H05K3/46 Z

【審査請求】未請求

【請求項の数】9

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023002653

(22)【出願日】2023-01-11

(71)【出願人】

【識別番号】000000158

【氏名又は名称】イビデン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110001896

【氏名又は名称】弁理士法人朝日奈特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】清水 敬介

(72)【発明者】

【氏名】西脇 史朗

(72)【発明者】

【氏名】木村 涼哉

【テーマコード（参考）】

5E316

【Ｆターム（参考）】

5E316AA02

5E316AA04

5E316AA06

5E316AA12

5E316AA15

5E316AA26

5E316AA29

5E316AA32

5E316AA38

5E316AA43

5E316CC04

5E316CC09

5E316CC10

5E316CC12

5E316CC13

5E316CC14

5E316CC32

5E316CC37

5E316DD02

5E316DD17

5E316DD23

5E316DD24

5E316EE33

5E316FF15

5E316GG15

5E316GG16

5E316GG17

5E316HH01

(57)【要約】

【課題】搬送される信号に見合う伝送特性を有する導体層を含む配線基板の提供。
【解決手段】実施形態の配線基板は、第１絶縁層１１、及び、第１絶縁層１１上に積層される第１導体層１２を含む第１配線部と、第１配線部上に形成される、第１絶縁層１１の厚さより小さい厚さを有する第２絶縁層２１、及び、第２絶縁層２１上に積層される第１導体層１２の厚さより小さい厚さを有する第２導体層２２からなる第２配線部２０と、を含んでいる。第１導体層１２における第１絶縁層１１と反対側の面の算術平均粗さは、第２導体層２２における第２絶縁層２１と反対側の面の算術平均粗さよりも小さく、第２配線部２０は第１配線部よりも配線基板の最も外側の面に近い。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１絶縁層、及び、前記第１絶縁層上に積層される第１導体層を含む第１配線部と、
前記第１配線部上に形成される、前記第１絶縁層の厚さより小さい厚さを有する第２絶縁層、及び、前記第２絶縁層上に積層される前記第１導体層の厚さより小さい厚さを有する第２導体層からなる第２配線部と、
を含む配線基板であって、
前記第１導体層における前記第１絶縁層と反対側の面の算術平均粗さは、前記第２導体層における前記第２絶縁層と反対側の面の算術平均粗さよりも小さく、
前記第２配線部は前記第１配線部よりも前記配線基板の最も外側の面に近い。

【請求項2】

請求項１記載の配線基板であって、前記第２絶縁層における前記第２導体層が積層される面の算術平均粗さは、前記第１絶縁層における前記第１導体層が積層される面の算術平均粗さよりも小さい。

【請求項3】

請求項１記載の配線基板であって、前記第１導体層における前記第１絶縁層と反対側の面の算術平均粗さは、０．１３μｍ以下である。

【請求項4】

請求項１記載の配線基板であって、前記第２導体層の厚さは１１μｍ以下である。

【請求項5】

請求項１記載の配線基板であって、前記第２絶縁層に含まれる無機フィラーの最大粒子径は、前記第１絶縁層の無機フィラーの最大粒子径よりも小さい。

【請求項6】

請求項５記載の配線基板であって、前記第２絶縁層に含まれる無機フィラーの最大粒子径は１μｍ以下である。

【請求項7】

請求項１記載の配線基板であって、前記第１導体層における前記第１絶縁層と反対側の面は、有機被膜層で被覆されている。

【請求項8】

請求項１記載の配線基板であって、周波数５．８ＧＨｚにおける、前記第１絶縁層の誘電正接は前記第２絶縁層の誘電正接よりも小さく、前記第１絶縁層の比誘電率は前記第２絶縁層の比誘電率よりも小さい。

【請求項9】

請求項８記載の配線基板であって、前記第１絶縁層の周波数５．８ＧＨｚにおける誘電正接は０．００５以下であり、比誘電率は３．５以下である。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は配線基板に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１に開示されている配線基板においては、高密度配線層である第２の配線部材が低密度配線層である第１の配線部材の外側に形成されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１４－２２５６３２号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

特許文献１に開示されている配線基板においては、各配線部材における配線層の伝送特性が、搬送される信号に見合っていない場合があると考えられる。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本発明の配線基板は、第１絶縁層、及び、前記第１絶縁層上に積層される第１導体層を含む第１配線部と、前記第１配線部上に形成される、前記第１絶縁層の厚さより小さい厚さを有する第２絶縁層、及び、前記第２絶縁層上に積層される前記第１導体層の厚さより小さい厚さを有する第２導体層からなる第２配線部と、を含んでいる。前記第１導体層における前記第１絶縁層と反対側の面の算術平均粗さは、前記第２導体層における前記第２絶縁層と反対側の面の算術平均粗さよりも小さく、前記第２配線部は前記第１配線部よりも前記配線基板の最も外側の面に近い。

【0006】

本発明の実施形態によれば、各配線部において、搬送される信号により適した伝送特性を有する導体層を含む配線基板が提供されると考えられる。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】本発明の一実施形態の配線基板の一例を示す断面図。

【図2】本発明の一実施形態の配線基板の一例を示す図１における部分拡大図。

【図3A】一実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図。

【図3B】一実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図。

【図3C】一実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図。

【図3D】一実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図。

【図3E】一実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図。

【図3F】一実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図。

【図3G】一実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図。

【発明を実施するための形態】

【0008】

本発明の一実施形態の配線基板が図面を参照しながら説明される。なお、以下、参照される図面においては、各構成要素の正確な比率を示すことは意図されておらず、本発明の特徴が理解され易いように描かれている。図１には、一実施形態の配線基板が有し得る構造の一例として、配線基板１の断面図が示されている。

【0009】

図１に示される例の配線基板１は、第１配線部１０と、第２配線部２０と、第３配線部３０とを有している。第１配線部１０は、絶縁層（コア絶縁層）１０１と、コア絶縁層１０１の両面に形成された導体層（コア導体層）１０２を含むコア基板１００を有している。コア基板１００の両面上には、それぞれ、絶縁層１１及び導体層１２が交互に積層されている。

【0010】

第１配線部１０の一方の面Ｆ１の上側（コア基板１００と反対側）には、複数の絶縁層２１及び複数の導体層２２が交互に積層された第２配線部２０が形成されている。第１配線部１０の他方の面Ｆ２の上側（コア基板１００と反対側）には、複数の絶縁層３１及び複数の導体層３２が交互に積層された第３配線部３０が形成されている。図示の例では、第１配線部１０が配線基板１における内層部を構成し、第２配線部２０及び第３配線部３０が配線基板１における表層部を構成している。すなわち、第２配線部２０及び第３配線部３０は、第１配線部１０よりも配線基板１の外側に近く位置している。

【0011】

なお、図示される配線基板１の説明においては、コア絶縁層１０１から遠い側を、「上」、「上側」、「外側」、又は「外」と称し、コア絶縁層１０１に近い側を、「下」、「下側」、「内側」、又は「内」と称する。また、各構成要素において、コア基板１００と反対側を向く表面は「上面」とも称され、コア基板１００側を向く表面は「下面」とも称される。従って、配線基板１を構成する各要素の説明において、コア基板１００から遠い側が「上側」、「上方」、「上層側」、「外側」、又は単に「上」もしくは「外」とも称され、コア基板１００に近い側が「下側」、「下方」、「下層側」、「内側」、又は単に「下」もしくは「内」とも称される。

【0012】

第１配線部１０を構成する絶縁層１１は第１絶縁層１１とも称され、第１配線部１０を構成する導体層１２は第１導体層１２とも称される。第１導体層１２は第１絶縁層１１上に積層される。第２配線部２０を構成する絶縁層２１は第２絶縁層２１とも称され、第２配線部２０を構成する導体層２２は第２導体層２２とも称される。第２導体層２２は第２絶縁層２１上に積層される。第３配線部３０を構成する絶縁層３１は第３絶縁層３１とも称され、第３配線部３０を構成する導体層３２は第３導体層３２とも称される。第３導体層３２は第３絶縁層３１上に積層される。第２配線部２０は第２絶縁層２１及び第２導体層２２からなり、第３配線部３０は第３絶縁層３１及び第３導体層３２からなる。

【0013】

特に、第２配線部２０においては、導体層２２が比較的高密度に設けられている。具体的には、第２配線部２０を構成する第２絶縁層２１の厚さは第１配線部１０を構成する第１絶縁層１１の厚さよりも小さく、第２配線部２０を構成する第２導体層２２の厚さは第１配線部１０を構成する第１導体層１２の厚さよりも小さい。例えば、第２絶縁層２１の厚さの最大値は１８μｍ以下であり、第１絶縁層１１の厚さの最小値は１９μｍ以上であり得る。例えば、第２導体層２２の厚さの最大値は１１μｍ以下であり、第１導体層１２の厚さの最小値は１２μｍ以上であり得る。また、第２導体層２２は、その導体パターンとして、隣り合う導体間の間隔が比較的小さいパターンを含み得る。第２導体層２２は、その導体パターンとして、第１導体層１２が有する導体パターンにおける隣り合う導体間の間隔の最小値よりも小さい導体間の間隔の配線を含み得る。

【0014】

なお、図示される例においては、第１配線部１０に対して第２配線部２０と反対側に設けられる第３配線部３０では、第３絶縁層３１及び第３導体層３２が、上述された第２絶縁層２１及び第２導体層２２と同様の構成を有している。従って、以降、配線基板１の表層部の説明として主に第２配線部２０の構成が説明され、第３配線部３０についての詳細な説明は省略される。

【0015】

コア基板１００を構成する絶縁層１０１には、絶縁層１０１を厚さ方向に貫通し、コア基板１００の両面における導体層１０２を接続する、スルーホール導体１０３が形成されている。スルーホール導体１０３の内部は、エポキシ樹脂などを含む樹脂体１０３ｉで充填されている。第１絶縁層１１、第２絶縁層２１、第３絶縁層３１、のそれぞれには、第１～第３絶縁層１１、２１、３１を挟む導体層同士を接続するビア導体１３、２３、３３が含まれている。

【0016】

図示の例では、第２配線部２０の外側（第１配線部１０と反対側）には、さらに、第２導体層２２及び第２導体層２２の導体パターンから露出する第２絶縁層２１を被覆する被覆絶縁層２１０が形成されている。第３配線部３０の外側（第１配線部１０と反対側）には、さらに、第３導体層３２及び第３導体層３２の導体パターンから露出する第３絶縁層３１を被覆する被覆絶縁層３１０が形成されている。被覆絶縁層２１０、３１０は、例えば、配線基板１の最外の絶縁層を構成するソルダーレジスト層であり得る。

【0017】

被覆絶縁層２１０には開口２１０ａが形成され、開口２１０ａ内には導体パッド２２ｐが露出している。開口２１０ａは被覆絶縁層２１０を厚さ方向に貫通する貫通孔であり、開口２１０ａは導体によって充填されている。開口２１０ａを充填する導体は配線基板１の最外の表面を構成し、配線基板１と外部の電子部品との接続に用いられ得る、例えば金属ポストであり得る接続要素ＭＰを構成している。被覆絶縁層３１０には開口３１０ａが形成され、開口３１０ａからは第３配線部３０における最も外側の第３導体層３２が有する導体パッド３２ｐが露出している。

【0018】

第２配線部２０を構成する複数の第２導体層２２のうち、最も外側の第２導体層２２は、複数の導体パッド２２ｐを有するパターンに形成されている。図示の例では、導体パッド２２ｐ上に、導体で形成される構成要素である接続要素ＭＰが形成される。接続要素ＭＰは、配線基板１の使用において、外部の電子部品が有する接続パッドとの接続に用いられ得る。接続要素ＭＰの上面は、例えば、はんだなどの導電性の接合材（図示せず）を外部の電子部品の接続パッドとの間に介して、外部の電子部品と電気的及び機械的に接続され得る。すなわち、接続要素ＭＰの露出面及び被覆絶縁層２１０の上面で構成される、配線基板１の最外面である第１面ＦＡは、配線基板１の使用において外部の電子部品が接続され得る部品搭載面であり得る。

【0019】

配線基板１に搭載され得る電子部品としては、半導体集積回路装置やトランジスタなどの能動部品のような電子部品（例えば、ロジックチップやメモリ素子）が例示される。なお、第１面ＦＡと反対側の第２面ＦＢは、第３配線部３０の最も外側の、被覆絶縁層３１０の露出面と開口３１０ａから露出する導体パッド３２ｐの上面で構成される。第２面ＦＢは、例えば、外部の配線基板（例えば任意の電気機器のマザーボード）などの外部要素に配線基板１自体が実装される場合に、外部要素に接続される接続面であり得る。導体パッド３２ｐは、任意の基板、電気部品、又は機構部品などと接続され得る。

【0020】

配線基板１を構成する絶縁層１０１、１１、２１、３１は、それぞれ、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂などの絶縁性樹脂を用いて形成され得る。絶縁層１０１、１１、２１、３１には、フッ素樹脂、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、フッ化エチレン樹脂（ＰＴＦＥ）、ポリエステル樹脂（ＰＥ）、変性ポリイミド樹脂（ＭＰＩ）が用いられてもよい。各絶縁層１０１、１１、２１、３１は、ガラス繊維などの補強材（芯材）を含む場合がある。各絶縁層１０１、１１、２１、３１は、はシリカ、アルミナなどの無機フィラーを含み得る。ソルダーレジスト層であり得る被覆絶縁層２１０、３１０は、例えば、感光性のエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などを用いて形成され得る。

【0021】

詳しくは、図２を参照して後述されるように、第２配線部２０を構成する第２絶縁層２１は、その上面（第２導体層２２が積層される面）の表面粗さが比較的小さく形成されている。第２絶縁層２１の上面の表面粗さは、第１配線部１０を構成する第１絶縁層１１の上面（第１導体層１２が積層される面）の表面粗さよりも小さい。なお、第１絶縁層１１と第２絶縁層２１とでは比誘電率及び誘電正接の値が異なり得る。また、第２絶縁層２１が無機フィラーを含む場合、第２絶縁層２１に含まれる無機フィラーの寸法は第１絶縁層１１に含まれ得る無機フィラーの寸法と異なり得る。

【0022】

導体層１０２、１２、２２、３２、ビア導体１３、２３、３３、スルーホール導体１０３、及び、接続要素ＭＰは、銅又はニッケルなどの任意の金属を用いて形成され、例えば、銅箔などの金属箔、及び／又は、めっきもしくはスパッタリングなどで形成される金属膜によって構成され得る。導体層１０２、１２、２２、３２、ビア導体１３、２３、３３、スルーホール導体１０３、及び、接続要素ＭＰは、図１では単層構造で示されているが、２つ以上の金属層を有する多層構造を有し得る。例えば、絶縁層１０１の表面上に形成されている導体層１０２は、金属箔層（好ましくは銅箔）、無電解めっき膜層（好ましくは無電解銅めっき膜）、及び電解めっき膜層（好ましくは電解銅めっき膜）を含む５層構造を有し得る。また、導体層１２、２２、３２、ビア導体１３、２３、３３、スルーホール導体１０３、並びに接続要素ＭＰは、例えば、無電解めっき膜もしくはスパッタ膜である金属膜層、及び、電解めっき膜層を含む多層構造を有し得る。

【0023】

配線基板１が有する各導体層１０２、１２、２２、３２、は、所定の導体パターンを有するようにパターニングされている。図示される例では、第１配線部１０を構成する複数の第１導体層１２のうち任意の第１導体層１２が第１配線ＦＷ１を含んでいる。第２配線部２０を構成する複数の第２導体層２２のうち任意の第２導体層２２が第２配線ＦＷ２を含んでいる。第３配線部３０を構成する複数の第３導体層３２のうち任意の第３導体層３２が第３配線ＦＷ３を含んでいる。特に、第２配線部２０に含まれ得る配線ＦＷ２は、第１配線部１０に含まれ得る配線ＦＷ１よりも微細な配線として形成され得る。第２配線ＦＷ２の配線幅の最小値は、第１配線ＦＷ１の配線幅の最小値よりも小さい値を有し得る。また、配線ＦＷ２の配線間距離の最小値は、第１配線ＦＷ１の配線間距離の最小値よりも小さい値を有し得る。第２配線部２０は、配線基板１を構成する導体層が含み得る配線のうち、最も配線幅及び配線間距離が小さい第２配線ＦＷ２を含み得る。なお、第１配線部１０に含まれ得る第１配線ＦＷ１は高周波信号の搬送を担う配線として形成され得る。

【0024】

また、詳しくは図２を参照して後述されるように、第１配線部１０を構成する第１導体層１２の上面（第１絶縁層１１における第１導体層１２が積層される面と反対側の面）は、その表面粗さが比較的小さく形成されている。第１導体層１２の上面の表面粗さは、第２配線部２０を構成する第２導体層２２の上面（第２絶縁層２１における第２導体層２２が積層される面と反対側の面）の表面粗さよりも小さい。

【0025】

次いで、図２が参照され、第２配線部２０を構成する第２絶縁層２１及び第２導体層２２、並びに、第１配線部１０を構成する第１絶縁層１１及び第１導体層１２について詳述される。図２は、図１において１点鎖線で囲われている領域IIの拡大図である。

【0026】

図示されるように、第２配線部２０を構成する第２絶縁層２１は、その上面の表面粗さが比較的小さく形成されている。第２絶縁層２１の上面の算術平均粗さは、第１絶縁層１１の上面の算術平均粗さよりも小さい。具体的には、例えば、第１絶縁層１１の上面の算術平均粗さは０．１５μｍ以上であり、第２絶縁層２１の上面の算術平均粗さは０．１３μｍ以下であり得る。第２絶縁層２１の上面の算術平均粗さが比較的小さいことにより、第２絶縁層２１の上面に積層される第２導体層２２の厚さは比較的均一とされ得る。従って、第２導体層２２（具体的には第２配線ＦＷ２）によって搬送される信号の挿入損失（インサーションロス）は小さく抑えられ得る。第２配線部２０において比較的良好な信号伝送が実現され得ると考えられる。

【0027】

図示されるように、第１導体層１２並びに第２導体層２２は、金属膜層と電解めっき膜層を含む多層構造を有し得る。図示において、第１導体層１２は金属膜層１２ｎｐ及び電解めっき膜層１２ｅｐを含み、第２導体層２２は、金属膜層２２ｎｐ及び電解めっき膜層２２ｅｐを含んでいる。第１導体層１２に含まれる金属膜層１２ｎｐは、無電解めっきによって形成される無電解銅めっき膜層又は銅をターゲットするスパッタリングにより形成されるスパッタ膜層であり得る。電解めっき膜層１２ｅｐは、金属膜層１２ｎｐを給電層として形成される電解銅めっき膜層であり得る。第２導体層２２を構成する金属膜層２２ｎｐは、無電解めっきによって形成される無電解銅めっき膜層又は銅をターゲットするスパッタリングにより形成されるスパッタ膜層であり得る。電解めっき膜層２２ｅｐは、金属膜層２２ｎｐを給電層として形成される電解銅めっき膜層であり得る。

【0028】

図示されるように、第１導体層１２の上面の表面粗さは第２導体層２２の上面の表面粗さよりも小さい。具体的には、第１導体層１２の上面の算術平均粗さは、第２配線部２０を構成する第２導体層２２の上面の算術平均粗さよりも小さく、例えば、第２導体層２２の上面の算術平均粗さは０．１５μｍ以上であり、第１導体層１２の上面の算術平均粗さは０．１３μｍ以下であり得る。例えば、比較的粗度の高い表面を有する配線では、高周波信号の伝送において、表皮効果の影響を受けて実質的なインピーダンスが増加して伝送特性が低下することがある。第１導体層１２の上面が比較的低い粗度とされていることで、高周波信号の伝送を担い得る第１導体層１２に含まれる配線ＦＷ１において、良好な伝送特性が実現される場合がある。

【0029】

上述されたように、第１導体層１２に含まれ得る第１配線ＦＷ１は高周波信号の伝送を担い得る。また、第２導体層２２に含まれ得る第２配線ＦＷ２は第１配線ＦＷ１と比較して微細且つ高密度な配線として構成され得る。従って、第１導体層１２の上面の表面粗さが第２導体層２２の上面の表面粗さよりも小さい構成、及び、第２絶縁層２１の上面の表面粗さが第１絶縁層１１の上面の表面粗さよりも小さい構成によって、第１導体層１２はより高周波信号の伝送に適する構成を有し、第２導体層２２はより微細で高密度な構造に適した構成を有し得る。

【0030】

なお、比較的粗度の低い第１導体層１２の上面と第１導体層１２上に積層される第１絶縁層１１との間には、有機被膜層（図示せず）が介在する場合がある。第１導体層１２の上面と第１絶縁層１１との間に介在し得る有機被膜層は、第１導体層１２と第１絶縁層１１との密着性を向上させ得る。有機被膜層は、例えば、第１絶縁層１１を構成する樹脂などの有機材料、及び第１導体層１２を構成する金属などの無機材料の両方と結合し得る材料によって形成され得る。有機被膜層は、例えば、有機材料と化学結合し得る反応基及び無機材料と化学結合し得る反応基の両方を含む材料によって形成される。有機被膜層の材料としては、トリアゾール化合物などのアゾールシラン化合物を含むシランカップリング剤が例示される。

【0031】

また、上述されたように、第２絶縁層２１に含まれ得る無機フィラーの寸法は、第１絶縁層１１に含まれ得る無機フィラーの寸法と異なり得る。具体的には、特に、第２配線部２０を構成する第２絶縁層２１に含まれ得る無機フィラーｆ２の最大粒径は、第１配線部１０を構成する第１絶縁層１１に含まれる無機フィラーｆ１の最大粒径よりも小さい場合がある。比較的高密度に形成され得る第２導体層２２において、隣り合う導体間に比較的粒径の大きい無機フィラーが位置すると、フィラー表面を介するマイグレーションにより配線間の短絡が発生する場合がある。従って、第２絶縁層２１に含まれ得るフィラーの最大の粒径が比較的小さいことで、第２導体層２２における短絡の虞が低減される場合がある。なお、フィラーの説明における用語「粒径」は、フィラーの外表面における最も離間する２点間の直線距離を意味している。

【0032】

具体的には、例えば、第２絶縁層２１に含まれ得る無機フィラーｆ２の最大粒径は１μｍ以下であり得る。例えば、第１絶縁層１１に含まれ得る無機フィラーｆ１の最大粒径は３μｍ以上であり得る。なお、第２絶縁層２１に含まれ得る無機フィラーｆ２の最大粒径が比較的小さいことは、上述された、第２絶縁層２１の上面の算術平均粗さが比較的小さいことに寄与し得る。第２絶縁層２１の上面の近傍に位置する無機フィラーｆ２の粒径が比較的小さいことにより、第２絶縁層２１の上面は比較的小さい粗さを有する面として形成され得る。

【0033】

第１導体層１２には、高周波信号の伝送を担い得る配線ＦＷ１が含まれ得る。配線に接する絶縁層が、比較的高い値の誘電率、誘電正接を有する場合、配線で伝送される高周波信号の誘電損失（伝送損失）が比較的大きい。従って、第１導体層１２によって搬送される信号の、良好な信号伝送品質を実現する観点から、特に、第１絶縁層１１が有する比誘電率及び誘電正接の値は比較的小さいことが望ましい。第１絶縁層１１が有する比誘電率及び誘電正接の値は、第２配線部２０を構成する第２絶縁層２１が有する比誘電率及び誘電正接の値と異なる場合がある。第１絶縁層１１は、比較的、誘電率及び誘電正接の小さい材料で構成されていることが好ましく、周波数５．８ＧＨｚにおける比誘電率が３．５以下、且つ、誘電正接が０．００５以下であることが好ましい。

【0034】

実施形態の配線基板は、図１及び図２に例示される構造、並びに、本明細書において例示される構造、形状、及び材料を備えるものに限定されない。例えば、配線基板を構成する第１配線部はコア基板を含まないコアレス基板であってよい。また、各配線部は任意の数の絶縁層及び導体層を有し得る。実施形態の説明では、第１配線部１０の第２配線部２０が形成される側と反対側には、第２配線部２０と同様の構成を有する第３配線部３０が形成される例が示されたが、第３配線部３０の構成（絶縁層３１及び導体層３２の層数、導体層３２の導体パターン、絶縁層３１及び導体層３２の各層の厚さや表面状態、など）は特に限定されない。第１配線部１０の第２配線部２０が形成される側と反対側には、任意の形態の配線部が形成され得る。

【0035】

続いて、図３Ａ～図３Ｇを参照して、図１に示される配線基板１が製造される場合を例に、配線基板の製造方法が説明される。

【0036】

先ず、図３Ａに示されるように、コア基板１００が用意される。コア基板１００の用意では、例えば、コア絶縁層１０１を含む両面銅張積層板が用意される。この両面銅張積層板に貫通孔が例えばドリル加工によって形成される。貫通孔の内壁及び金属箔の上面に、例えば無電解めっき膜層が形成され、この無電解めっき膜層の上に、この無電解めっき膜層を給電層として用いて電解めっき膜層が形成される。この結果、図においては単層で示されているが、無電解めっき膜層及び電解めっき膜層を含む多層構造を有し、貫通孔の内壁を被覆するスルーホール導体１０３が形成される。スルーホール導体１０３の内側には、例えばエポキシ樹脂を注入することによって、スルーホール導体１０３の内部が樹脂体１０３ｉで充填される。充填された樹脂体１０３ｉが固化された後、樹脂体１０３ｉ及び電解めっき膜層の上面に、さらに無電解めっき膜層及び電解めっき膜層が形成される。この結果、図では単層で示されているが、金属箔、無電解めっき膜層、電解めっき膜層、無電解めっき膜層、及び電解めっき膜層の５層構造を有する導体層１０２が、絶縁層１０１の両面に形成される。そしてサブトラクティブ法によって導体層１０２をパターニングすることによって所定の導体パターンを備えるコア基板１００が得られる。

【0037】

次いで、図３Ｂに示されるように、コア基板１００における両側の表面に絶縁層１１が形成され、その絶縁層１１上に導体層１２が形成される。例えば各絶縁層１１は、フィルム状の絶縁性樹脂を、コア基板１００上に熱圧着することによって形成される。導体層１２は、絶縁層１１に例えばレーザー光によって形成され得る開口１３ａを充填するビア導体１３と同時に、セミアディティブ法などの任意の導体パターンの形成方法を用いて形成される。なお、レーザー光による開口１３ａの形成後、開口１３ａ内に残留し得る樹脂残渣を除去するデスミア処理が施され得る。デスミア処理は、例えば、ＣＦ₄又はＣＦ₄＋Ｏ₂によるプラズマ処理、又は、過マンガン酸塩等の酸化剤を含む薬液を使用する湿式処理によって実施され得る。デスミア処理により、開口１３ａ内に残留し得る樹脂残渣が除去されると共に、絶縁層１１の上面は粗化され得る。

【0038】

続いて、図３Ｃに示されるように、コア基板１００の両面側において、絶縁層１１及び導体層１２の積層が、さらに必要な回数繰り返され、第１配線部１０が形成される。なお、図示の例では、導体層１２は、その導体パターンとして配線ＦＷ１を含むように形成される。

【0039】

なお、図３Ａ～図３Ｃを参照して説明された絶縁層１１の形成においては、絶縁層１１を構成する材料として、例えば、周波数５．８ＧＨｚにおける比誘電率が３．５以下、且つ、誘電正接が０．００５以下である材料が用いられ得る。また、絶縁層１１を構成する材料としては、最大粒径は０．３μｍ以上である無機フィラーを含む材料が用いられる場合がある。形成される絶縁層１１は、その厚さの最小値が１９μｍ以上となる樹脂フィルムを用いて形成され得る。形成される絶縁層１１の上面（導体層１２が積層される面）の表面粗さは、例えば、上述されたデスミア処理の処理条件を調整することにより、算術平均粗さが０．１５μｍ以上の値を有するように形成され得る。

【0040】

また、導体層１２の形成においては、有機酸系マイクロエッチング剤を含む薬液を用いる表面処理により、導体層１２の表面に凹凸を形成する工程が含まれ得る。用いられる薬液の組成や処理条件により、導体層１２上面の表面粗さが適宜調整され得る。例えば、導体層１２の上面は、算術平均粗さＲａで０．１３μｍ以下の値を有するように形成され得る。形成される導体層１２は、例えば、厚さが１２μｍ以上の値を有するように形成され得る。

【0041】

また、導体層１２の形成においては、形成される導体層１２の上面に有機被膜層（図示せず）が形成される場合がある。有機被膜層は、例えば、導体層１２と、導体層１２上に積層される絶縁層との密着性を向上させる。有機被膜層は、例えば、シランカップリング剤などの、有機材料及び無機材料の両方と結合し得る材料を含む液体への導体層１２の浸漬や、そのような液体の噴霧（スプレーイング）によって形成され得る。

【0042】

次いで、図３Ｄに示されるように、第１配線部１０の一方の面Ｆ１の外側に絶縁層２１が形成され、他方の面Ｆ２の外側に絶縁層３１が形成される。絶縁層２１、３１は、例えば樹脂フィルムの熱圧着によって形成され得る。

【0043】

次いで、図３Ｅに示されるように、絶縁層２１上に導体層２２がビア導体２３と一体的に形成される。絶縁層３１上に導体層３２がビア導体３３と一体的に形成される。導体層２２は、絶縁層２１に例えばレーザー光によって形成され得る開口２３ａを充填するビア導体２３と同時に、セミアディティブ法などの任意の導体パターンの形成方法を用いて形成される。レーザー光による開口２３ａの形成後、開口２３ａ内に残留し得る樹脂残渣を除去するデスミア処理が施され得る。デスミア処理は、絶縁層１１に施され得る処理と同様に、例えば、プラズマ処理又は薬液を使用する処理によって実施され得る。デスミア処理により、開口２３ａ内に残留し得る樹脂残渣が除去されると共に、絶縁層２１の上面は粗化され得る。

【0044】

続いて、図３Ｆに示されるように、第１配線部１０の一方の面Ｆ１側では、絶縁層２１及び導体層２２の形成が所望の回数繰り返され、他方の面Ｆ２側では、絶縁層３１及び導体層３２の形成が所望の回数繰り返される。第２配線部２０、及び、第３配線部３０の形成が完了する。

【0045】

特に、第２配線部２０を構成する絶縁層２１の形成においては、絶縁層２１は、絶縁層１１の厚さよりも小さい厚さとなるように形成される。例えば、上述のように、絶縁層１１が１９μｍ以上となるように形成されている場合、絶縁層１２は、その厚さの最大値が１８μｍ以下となるような樹脂フィルムを用いて形成され得る。また、絶縁層２１の形成には、絶縁層２１が無機フィラーを含む材料で形成される場合には、最大粒径が１μｍ以下である無機フィラーを含む材料が用いられ得る。また、上述のように、絶縁層１１の上面の表面粗さが、例えば、算術平均粗さで０．１５μｍ以上とされている場合、形成される絶縁層２１の上面（導体層２２が積層される面）の表面粗さは、デスミア処理条件の調整により、例えば、算術平均粗さが０．１３μｍ以下となるように形成され得る。

【0046】

また、特に、導体層２２の形成においては、導体層２２の厚さは導体層１１よりも薄く形成され得る。例えば、上述したように、導体層１２の厚さの最小値が１２μｍ以上となるように形成されている場合、導体層２２は厚さの最大値が１１μｍ以下となるように形成され得る。第２配線部２０における最も外側の導体層２２は、複数の導体パッド２２ｐを含むパターンに形成される。形成される導体層２２の上面は算術平均粗さＲａで０．１５μｍ以上の値を有し得る。

【0047】

次いで、図３Ｇに示されるように、第２配線部２０における最も外側の導体層２２、及び、導体層２２のパターンから露出する絶縁層２１上に、被覆絶縁層２１０が形成される。被覆絶縁層２１０には、導体パッド２２ｐを露出させる開口２１０ａが形成される。例えば、スプレーコーティング、カーテンコーティング、又はフィルム貼り付けなどによって、感光性を有するエポキシ樹脂膜が形成されることで被覆絶縁層２１０が形成され、露光及び現像により開口２１０ａが形成され得る。第３配線部３０の外側では、被覆絶縁層２１０の形成と同様の方法によって、導体パッド３２ｐを露出させる開口３１０ａを有する被覆絶縁層３１０が、導体層３２、及び、導体層３２のパターンから露出する絶縁層３１上に形成される。

【0048】

続いて、開口２１０ａ内が導体によって充填され、導体パッド２２ｐ上に接続要素ＭＰが形成される。接続要素ＭＰは、例えばセミアディティブ法により形成され得る。第２配線部２０の形成が完了し、配線基板１の形成が完了する。なお、接続要素ＭＰの形成工程においては、被覆絶縁層３１０の表面及び開口３１０ａから露出する導体パッド３２ｐの上面は、ＰＥＴなどの保護板が設置されることにより適宜保護され得る。

【符号の説明】

【0049】

１ 配線基板
１０ 第１配線部
２０ 第２配線部
３０ 第３配線部
１０１ 絶縁層
１１ 絶縁層（第１絶縁層）
２１ 絶縁層（第２絶縁層）
３１ 絶縁層（第３絶縁層）
１０２ 導体層
１２ 導体層（第１導体層）
２２ 導体層（第２導体層）
３２ 導体層（第３導体層）
１３、２３、３３ ビア導体
１０３ スルーホール導体
２１０、３１０ 被覆絶縁層
２１０ａ、３１０ａ 開口
ＭＰ 接続要素
Ｆ１ 一方の面
Ｆ２ 他方の面
ＦＡ 第１面
ＦＢ 第２面
ＦＷ１ 配線（第１配線）
ＦＷ２ 配線（第２配線）

【図1】

【図2】

【図3A】

【図3B】

【図3C】

【図3D】

【図3E】

【図3F】

【図3G】