特開 2024-98882 樹脂多層基板及び電子部品

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024098882

(43)【公開日】2024-07-24

(54)【発明の名称】樹脂多層基板及び電子部品

(51)【国際特許分類】

   H05K 3/46 20060101AFI20240717BHJP

   H01Q 1/38 20060101ALI20240717BHJP

   H05K 1/14 20060101ALI20240717BHJP

   H01P 3/08 20060101ALN20240717BHJP

【ＦＩ】

H05K3/46 L

H01Q1/38

H05K3/46 N

H05K1/14 C

H01P3/08 101

【審査請求】未請求

【請求項の数】16

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023002673

(22)【出願日】2023-01-11

(71)【出願人】

【識別番号】000006231

【氏名又は名称】株式会社村田製作所

(74)【代理人】

【識別番号】100132241

【弁理士】

【氏名又は名称】岡部 博史

(74)【代理人】

【識別番号】100183276

【弁理士】

【氏名又は名称】山田 裕三

(72)【発明者】

【氏名】松田 賢二

【テーマコード（参考）】

5E316

5E344

5J014

5J046

【Ｆターム（参考）】

5E316AA12

5E316AA38

5E316BB02

5E316BB04

5E316BB06

5E316BB13

5E316CC08

5E316CC10

5E316CC32

5E316EE01

5E316FF07

5E316GG15

5E316GG28

5E316HH06

5E316HH23

5E344AA02

5E344AA22

5E344BB04

5E344BB08

5E344BB10

5E344CD12

5E344DD08

5E344EE08

5E344EE11

5J014CA56

5J046AB13

5J046TA03

(57)【要約】

【課題】基板の平坦性を向上させて、浮遊容量の増加を抑制できる樹脂多層基板および電子部品を提供すること。
【解決手段】樹脂多層基板は、厚み方向に重なって互いに接合された第１基板および第２基板と、第１基板と第２基板との接合面に配置された第１信号電極と、第１基板に配置され、第１信号電極と接合された第１ビア導体と、第２基板に配置され、厚み方向から見て第１信号電極と重なる第１グランド電極と、第２基板に配置され、厚み方向において第１信号電極と第１グランド電極との間に位置する第１浮き電極と、を備え、第１信号電極は、第１ビア導体と接合する第１接合部と、信号伝送方向に延びる配線部とを有し、信号伝送方向に交差する線幅方向において、第１接合部の線幅は、配線部の線幅よりも大きく、第１浮き電極は、厚み方向から見て、第１信号電極の第１接合部と重なる。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

厚み方向に重なって互いに接合された第１基板および第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との接合面に配置された第１信号電極と、
前記第１基板に配置され、前記第１信号電極と接合された第１ビア導体と、
前記第２基板に配置され、前記厚み方向から見て前記第１信号電極と重なる第１グランド電極と、
前記第２基板に配置され、前記厚み方向において前記第１信号電極と前記第１グランド電極との間に位置する第１浮き電極と、を備え、
前記第１信号電極は、前記第１ビア導体と接合する第１接合部と、信号伝送方向に延びる配線部とを有し、
前記信号伝送方向に交差する線幅方向において、前記第１接合部の線幅は、前記配線部の線幅よりも大きく、
前記第１浮き電極は、前記厚み方向から見て、前記第１信号電極の前記第１接合部と重なる、
樹脂多層基板。

【請求項2】

前記第２基板において、前記第１浮き電極と同層に配置された第２グランド電極、をさらに備える、
請求項１に記載の樹脂多層基板。

【請求項3】

前記第１信号電極は、前記第１接合部とは異なる第２接合部を備え、
前記第２基板に配置され、前記第２接合部と接合された第２ビア導体と、
前記第２基板において、前記第１浮き電極と同層に配置され、前記第２ビア導体と接合された第２信号電極と、をさらに備える、
請求項１に記載の樹脂多層基板。

【請求項4】

前記第２基板において、前記第１浮き電極および前記第２信号電極と同層に配置された第２グランド電極、をさらに備え、
前記第１浮き電極と前記第２信号電極との距離は、前記第１浮き電極と前記第２グランド電極との距離よりも長い、
請求項３に記載の樹脂多層基板。

【請求項5】

前記第２基板において、前記第１浮き電極および前記第２信号電極と同層に配置された第２グランド電極、をさらに備え、
前記第１浮き電極と前記第２グランド電極との距離は、前記第１浮き電極と前記第２信号電極との距離よりも長い、
請求項３に記載の樹脂多層基板。

【請求項6】

前記第１信号電極と同層、且つ厚み方向から見て前記第２グランド電極と重なる位置に第２浮き電極をさらに備える、
請求項２に記載の樹脂多層基板。

【請求項7】

前記第１信号電極および前記第２浮き電極と同層、且つ厚み方向から見て前記第２グランド電極と重なる位置に第３グランド電極をさらに備える、
請求項６に記載の樹脂多層基板。

【請求項8】

前記線幅方向において、前記第１浮き電極は、前記第１接合部よりも長い、
請求項１に記載の樹脂多層基板。

【請求項9】

前記信号伝送方向において、前記第１浮き電極は、前記第１接合部よりも長い、
請求項１に記載の樹脂多層基板。

【請求項10】

前記信号伝送方向において、前記第１浮き電極は、前記第１ビア導体と前記第２ビア導体の距離よりも長い、
請求項３に記載の樹脂多層基板。

【請求項11】

前記厚み方向から見て、前記第１浮き電極は、前記第１接合部の全体と重なる、
請求項１に記載の樹脂多層基板。

【請求項12】

前記第１基板の誘電体の比誘電率は、前記第２基板の誘電体の非誘電率よりも大きい、
請求項１に記載の樹脂多層基板。

【請求項13】

前記第１基板は、アンテナ素子である、
請求項１に記載の樹脂多層基板。

【請求項14】

前記第１グランド電極は、グランド電位に接続される、
請求項１に記載の樹脂多層基板。

【請求項15】

前記第１浮き電極は、特定の電位に接続されない、
請求項１に記載の樹脂多層基板。

【請求項16】

請求項１～１５のいずれか１項に記載の前記樹脂多層基板を備える、
電子部品。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、樹脂多層基板及び電子部品に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１は、リジット領域と、リジット領域よりも可撓性の高いフレキシブル領域との２種類の異なる領域を有する多層フレキシブル基板を開示する。

【0003】

特許文献１の多層フレキシブル基板では、フレキシブル領域に設けられた充填ビアの空隙率を、リジット領域を含む構成槽に設けられた充填ビアの空隙率よりも高くする。これにより、多層フレキシブル基板を折り曲げた際に、フレキシブル領域の十分な可撓性を確保しようとするものである。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】国際公開第２０１２／０７３６６９号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

しかしながら、ビアの空隙率を変更したり、ビア受け部の形状を変更すると、基板の一部が歪んで平坦性が悪化したり、基板内の浮遊容量が増加する場合がある。

【0006】

従って、本開示の目的は、前記問題を解決することにあって、基板の平坦性を向上させて、浮遊容量の増加を抑制した樹脂多層基板およびそれを備える電子部品を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本開示に係る樹脂多層基板は、厚み方向に重なって互いに接合された第１基板および第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との接合面に配置された第１信号電極と、前記第１基板に配置され、前記第１信号電極と接合された第１ビア導体と、前記第２基板に配置され、前記厚み方向から見て前記第１信号電極と重なる第１グランド電極と、前記第２基板に配置され、前記厚み方向において前記第１信号電極と前記第１グランド電極との間に位置する第１浮き電極と、を備え、前記第１信号電極は、前記第１ビア導体と接合する第１接合部と、信号伝送方向に延びる配線部とを有し、前記信号伝送方向に交差する線幅方向において、前記第１接合部の線幅は、前記配線部の線幅よりも大きく、前記第１浮き電極は、前記厚み方向から見て、前記第１信号電極の前記第１接合部と重なる。

【0008】

また、本開示に係る電子部品は、前記樹脂多層基板を備える。

【発明の効果】

【0009】

本開示によれば、基板の平坦性を向上させて、浮遊容量の増加を抑制できる。

【図面の簡単な説明】

【0010】

【図1】実施形態１に係る樹脂多層基板の縦断面図

【図2】図１の一部拡大図

【図3】実施形態１に係る樹脂多層基板の第１層の上面図

【図4】実施形態１に係る樹脂多層基板の第２層の上面図

【図5】実施形態１に係る樹脂多層基板の第３層の上面図

【図6】図３の一部拡大図

【図7】図３の一部拡大図

【図8】実施形態２に係る樹脂多層基板の一部を拡大して示す縦断面図

【図9】実施形態３に係る樹脂多層基板の一部を拡大して示す縦断面図

【発明を実施するための形態】

【0011】

本開示の第１態様によれば、厚み方向に重なって互いに接合された第１基板および第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との接合面に配置された第１信号電極と、前記第１基板に配置され、前記第１信号電極と接合された第１ビア導体と、前記第２基板に配置され、前記厚み方向から見て前記第１信号電極と重なる第１グランド電極と、前記第２基板に配置され、前記厚み方向において前記第１信号電極と前記第１グランド電極との間に位置する第１浮き電極と、を備え、前記第１信号電極は、前記第１ビア導体と接合する第１接合部と、信号伝送方向に延びる配線部とを有し、前記信号伝送方向に交差する線幅方向において、前記第１接合部の線幅は、前記配線部の線幅よりも大きく、前記第１浮き電極は、前記厚み方向から見て、前記第１信号電極の前記第１接合部と重なる、樹脂多層基板を提供する。

【0012】

本開示の第２態様によれば、前記第２基板において、前記第１浮き電極と同層に配置された第２グランド電極、をさらに備える、第１態様に記載の樹脂多層基板を提供する。

【0013】

本開示の第３態様によれば、前記第１信号電極は、前記第１接合部とは異なる第２接合部を備え、前記第２基板に配置され、前記第２接合部と接合された第２ビア導体と、前記第２基板において、前記第１浮き電極と同層に配置され、前記第２ビア導体と接合された第２信号電極と、をさらに備える、第１態様又は第２態様に記載の樹脂多層基板を提供する。

【0014】

本開示の第４態様によれば、前記第２基板において、前記第１浮き電極および前記第２信号電極と同層に配置された第２グランド電極、をさらに備え、
前記第１浮き電極と前記第２信号電極との距離は、前記第１浮き電極と前記第２グランド電極との距離よりも長い、第３態様に記載の樹脂多層基板を提供する。

【0015】

本開示の第５態様によれば、前記第２基板において、前記第１浮き電極および前記第２信号電極と同層に配置された第２グランド電極、をさらに備え、
前記第１浮き電極と前記第２グランド電極との距離は、前記第１浮き電極と前記第２信号電極との距離よりも長い、第３態様に記載の樹脂多層基板を提供する。

【0016】

本開示の第６態様によれば、前記第１信号電極と同層、且つ厚み方向から見て前記第２グランド電極と重なる位置に第２浮き電極をさらに備える、第２態様、第４態様、第５態様のいずれか１つに記載の樹脂多層基板を提供する。

【0017】

本開示の第７態様によれば、前記第１信号電極および前記第２浮き電極と同層、且つ厚み方向から見て前記第２グランド電極と重なる位置に第３グランド電極をさらに備える、第６態様に記載の樹脂多層基板を提供する。

【0018】

本開示の第８態様によれば、前記線幅方向において、前記第１浮き電極は、前記第１接合部よりも長い、第１態様から第７態様のいずれか１つに記載の樹脂多層基板を提供する。

【0019】

本開示の第９態様によれば、前記信号伝送方向において、前記第１浮き電極は、前記第１接合部よりも長い、第１態様から第８態様のいずれか１つに記載の樹脂多層基板を提供する。

【0020】

本開示の第１０態様によれば、前記信号伝送方向において、前記第１浮き電極は、前記第１ビア導体と前記第２ビア導体の距離よりも長い、第１態様から第９態様のいずれか１つに記載の樹脂多層基板を提供する。

【0021】

本開示の第１１態様によれば、前記厚み方向から見て、前記第１浮き電極は、前記第１接合部の全体と重なる、第１態様から第１０態様のいずれか１つに記載の樹脂多層基板を提供する。

【0022】

本開示の第１２態様によれば、前記第１基板の誘電体の比誘電率は、前記第２基板の誘電体の非誘電率よりも大きい、第１態様から第１１態様のいずれか１つに記載の樹脂多層基板を提供する。

【0023】

本開示の第１３態様によれば、前記第１基板は、アンテナ素子である、第１態様から第１２態様のいずれか１つに記載の樹脂多層基板を提供する。

【0024】

本開示の第１４態様によれば、前記第１グランド電極は、グランド電位に接続される、第１態様から第１３態様のいずれか１つに記載の樹脂多層基板を提供する。

【0025】

本開示の第１５態様によれば、前記第１浮き電極は、特定の電位に接続されない、第１態様から第１４態様のいずれか１つに記載の樹脂多層基板を提供する。

【0026】

本開示の第１６態様によれば、第１態様から第１５態様のいずれか１つに記載の樹脂多層基板を備える電子部品を提供する。

【0027】

以下、本開示に係る樹脂多層基板および電子部品の例示的な実施形態について、添付の図面を参照しながら説明する。本開示の発明は、以下の実施形態の具体的な構成に限定されるものではなく、同様の技術的思想に基づく構成が含まれる。

【0028】

（実施形態１）
図１は、樹脂多層基板１００の縦断面図であり、図２は、図１の一部拡大図である。図３～図５は、樹脂多層基板１００の第２基板４における各層を示す上面図である。図３は、図２におけるI－I線に沿った第１層を示す上面図であり、図４は、図２におけるII－II線に沿った第２層を示す上面図であり、図５は、図２におけるIII－III線に沿った第３層を示す上面図である。

【0029】

図１に示す樹脂多層基板１００は、高周波信号等の信号を伝送するための基板である。樹脂多層基板１００は、スマートフォン等の電子機器内部の電子部品に用いられる。樹脂多層基板１００の用途としては、例えばアンテナや、２つの回路を電気的に接続する伝送線路である。

【0030】

図１に示すように、樹脂多層基板１００は、第１基板２と、第２基板４とを有する。

【0031】

第１基板２および第２基板４はそれぞれ誘電体基板であって、厚み方向Ｔに重なって互いに接合される。図１に示す例では、第１基板２が上方、第２基板４が下方に配置される。第１基板２の下面と第２基板４の上面が互いに接合されて接合面を構成する。

【0032】

第１基板２および第２基板４は、厚み方向Ｔから見たときの外形が互いに異なる。図１に示す例では、厚み方向Ｔから見たときの外形が、第１基板２よりも第２基板４の方が大きい。第１基板２と第２基板４が互いに重なる領域がリジット領域Ａであり、第１基板２と第２基板４が互いに重ならずに第２基板４もしくは第１基板２の一方のみが存在する領域がフレキシブル領域Ｂである。可撓性の高いフレキシブル領域Ｂを有する樹脂多層基板１００は、フレキシブル基板として機能する。

【0033】

第１基板２は、誘電体６と、複数の信号電極８と、複数のビア導体１０と、複数のグランド電極１２と、を備える。

【0034】

誘電体６は、絶縁体材料である樹脂で構成され、複数の電極・導体を支持する。誘電体６に支持される信号電極８は、高周波信号等の信号を伝送するための電極である。厚み方向Ｔに間隔を空けて、複数の信号電極８が設けられる。ビア導体１０は、複数の信号電極８同士を接続するための導体であり、厚み方向Ｔに延びる。グランド電極１２は、基準電位／グランド電位に接続される電極である。図１に示す例では、第１基板２の上面に設けられたグランド電極１２のみを図示する。基準電位／グランド電位に接続する方法としては、電子機器のシャーシに対するフレームグラウンド等、任意の方法を用いてもよい。他のグランド電極についても同様である。

【0035】

誘電体６は、例えば、セラミック材料や、ＬＣＰ（液晶ポリマー）、ＰＴＦＥ（ポリテトラフロオロエチレン）、ＰＩ（ポリイミド）、ＭＰＩ（変性ポリイミド）等の熱可塑性樹脂で構成される。信号電極８およびグランド電極１２は、例えば、銅箔等の金属箔で構成される。ビア導体１０は、例えば、銅等の金属で構成される。

【0036】

図１に示す第１基板２の電極・導体の配置例は一例であり、第２基板４と電気的に接続されて高周波信号等の信号を伝送する機能があれば、その他の配置を採用してもよい。

【0037】

図示を省略しているが、第１基板２や第２基板４の表面には、レジスト等の保護膜が設けられてもよい。

【0038】

第２基板４は、誘電体１６と、複数の信号電極１８、２０、２２と、複数のビア導体２４、２６、２８と、複数のグランド電極３０、３２、３４と、複数の浮き電極４０、４２と、を備える。

【0039】

誘電体１６は、絶縁体材料である樹脂で構成され、複数の電極・導体を支持する。誘電体１６に支持される信号電極１８、２０、２２はそれぞれ、高周波信号等の信号を伝送するための電極である。図１に示す例では、信号電極１８、２２は第２基板４の第１層に設けられ、信号電極２０は第２基板４の第２層に設けられる。信号電極１８は、前述したビア導体１０を介して第１基板２の信号電極８と接続されている。ビア導体２４、２６、２８は、信号電極同士やグランド電極同士を互いに接続するための導体であり、厚み方向Ｔに延びる。ビア導体２４は、信号電極１８、２０を互いに接続し、ビア導体２６は、信号電極２０、２２を互いに接続し、ビア導体２８は、グランド電極３０、３２を互いに接続する。グランド電極３０、３２、３４は、基準電位・グランド電位に接続される電極であり、第２基板４の各層にそれぞれ設けられる。グランド電極３０は第２基板４の第１層に設けられ、グランド電極３２は第２基板４の第２層に設けられ、グランド電極３４は第２基板４の第３層に設けられる。

【0040】

誘電体１６は、例えば、ＬＣＰ、ＰＴＦＥ、ＰＩ、ＭＰＩ等の熱可塑性樹脂で構成される。信号電極１８、２０、２２およびグランド電極３０、３２、３４は、例えば、銅箔等の金属箔で構成される。ビア導体２４、２６、２８は、例えば、銅等の金属で構成される。

【0041】

第２基板４における信号電極１８およびグランド電極３０は、第１基板２と第２基板４との接合面に配置される。

【0042】

信号電極１８、２０、２２は、厚み方向Ｔに直交する信号伝送方向Ｓに信号を伝送する。以下、厚み方向Ｔに対応する方向をＺ方向、信号伝送方向Ｓに対応する方向をＹ方向、厚み方向Ｔと信号伝送方向Ｓに対して直交する方向（後述する線幅方向Ｗ）をＸ方向とする。

【0043】

浮き電極４０、４２は、特定の電位に接続されない電極である。浮き電極４０、４２は、他の電極・導体とは接続されておらず、浮遊電位に保たれる。

【0044】

図１に示す例では、浮き電極４０、４２はともに、第２基板４の第２層に配置され、同層にある信号電極２０とグランド電極３２との間に設けられる。「同層」とは、厚み方向Ｔの位置が同じ又は重なることを意味する。

【0045】

浮き電極４０は、厚み方向Ｔにおいて、第１層にある信号電極１８と、第３層にあるグランド電極３４との間に配置される。浮き電極４２は、厚み方向Ｔにおいて、第１層にある信号電極２２と、第３層にあるグランド電極３４との間に配置される。

【0046】

第２層に浮き電極４０、４２を設けることで、浮き電極４０、４２を設けない場合に比べて、第２基板４の部分的な凹みの発生を抑制することができ、第２基板４の平坦性を向上させることができる。また、浮き電極４０、４２の代わりに第２層のグランド電極３２をＹ方向に伸ばした構成に比べて、信号電極１８、２２とグランド電極３２との間の浮遊容量の増加を抑制することができる。

【0047】

図３に示すように、第２基板４の第１層にはグランド電極３０が設けられており、グランド電極３０におけるＹ方向の両端部近傍には、信号電極１８、２２をそれぞれ露出させる開口が形成される。図３に示す例では、グランド電極３０のＹ方向の両端部近傍において、Ｘ方向に間隔を空けて３つずつ開口が設けられた構成を例示する。

【0048】

図４に示すように、第２基板４の第２層にはグランド電極３２が設けられており、グランド電極３２には、信号電極２０や浮き電極４０、４２を露出させる開口が形成される。図４に示す例では、グランド電極３２の内側に、Ｘ方向に間隔を空けて３つずつ開口が設けられた構成を例示する。

【0049】

グランド電極３２に形成された３つの開口から、３つの信号電極２０と、２つの浮き電極４０と、２つの浮き電極４２が露出する。

【0050】

本実施形態では、３つの信号電極２０は、信号伝送方向Ｓに沿って略同じ長さを有する。３つの信号電極２０のそれぞれにおいて、同じ開口内に浮き電極４０、４２が配置される。

【0051】

浮き電極４０は、信号電極２０がビア導体２４と接続する側の端部（右端部）の外側に配置される。浮き電極４２は、信号電極２０がビア導体２６と接続する側の端部（左端部）の外側に配置される。

【0052】

図３、図４に示すような配置に限らず、信号電極２０の数は任意の数であってもよい。また、信号電極２０のうち、浮き電極４０、４２が同じ開口内に配置される信号電極２０の数も任意の数であってもよく、一部の信号電極２０においては、同じ開口内に浮き電極４０、４２が配置されない場合であってもよい。

【0053】

図３、図４では、第１層のグランド電極３０と第２層のグランド電極３２とを接続するビア導体２８（図１、図２）の図示を省略している。１つ又は複数のビア導体２８を任意の位置に設けてもよい。

【0054】

図５に示すように、第２基板４の第３層にはグランド電極３４が設けられる。図５に示す例では、第２基板４の第３層の全面がグランド電極３４である。グランド電極３４は、厚み方向Ｔから見て、第２基板４における全ての信号電極、全てのビア導体および他のグランド電極と重なっている。

【0055】

図３に示すように、厚み方向Ｔから見て、第１層の信号電極１８は、第２層の浮き電極４０（点線で図示）と重なっている。信号電極１８の直下に浮き電極４０を設けることで、第２基板４の平坦性を向上させる効果と、信号電極１８とグランド電極３２との間の浮遊容量の増加を抑制する効果をより発揮しやすくなる。

【0056】

図６は、図３の一部拡大図であって、厚み方向Ｔから見たときの、信号電極１８と浮き電極４０との重なり状態を示す。

【0057】

図６に示すように、信号電極１８は、接合部４４、４６と、配線部４８とを備える。接合部４４、４６はそれぞれ、ビア導体１０、２４をそれぞれ接合するための部分であり、「ビア受け部」とも称する。接合部４４は、上方のビア導体１０に接合され、接合部４６は、下方のビア導体２４に接合される。配線部４８は、２つの接合部４４、４６を接続する部分であり、信号伝送方向Ｓに沿って延びて信号伝送方向Ｓに信号を伝送する。

【0058】

接合部４４、４６と配線部４８の領域を互いに区別するときは、信号伝送方向Ｓにおいて、信号電極１８の先端から最大幅（信号電極１８の線幅方向Ｗの最大幅、すなわち、接合部４４、４６の直径）の長さ分だけの領域を接合部４４、４６とし、それ以外の領域を配線部４８として区別してもよい。

【0059】

接合部４４、４６と配線部４８は、信号伝送方向Ｓに直交する線幅方向Ｗの長さ（すなわち「線幅」）が互いに異なる。具体的には、接合部４４、４６の線幅（直径）は、配線部４８の線幅よりも長くなっている。ここでの線幅は、線幅の最大長である。ビア受け部である接合部４４、４６の線幅を相対的に長くして接合部４４、４６を大きくすることで、樹脂多層基板１００のフレキシブル領域Ｂが曲がるときに応力が集中しても、当該応力に耐えうるような大きさのビア導体１０、２４を形成しやすくなり、接合強度を向上させることができる。

【0060】

接合部４４、４６の線幅（直径）は、例えば、４００μｍである。接合部４４、４６に接合される箇所のビア導体１０、２６の線幅（直径）は、例えば、１５０μｍである。例えば、接合部４４、４６の線幅をビア導体１０、２６の線幅の２倍以上とすることで、接合強度を効果的に向上させることができ、第１基板２と第２基板４の接合位置に多少の位置ずれが生じても接合可能となる。配線部４８の線幅は、例えば、３０μｍ～３００μｍである。

【0061】

接合部４４、４６を大きくした場合、接合部４４、４６と厚み方向Ｔに対向するグランド電極が存在すると、接合部４４、４６とグランド電極との間の浮遊容量が増加しやすく、第２基板４の配線導体のインピーダンスが低下しやすくなる。

【0062】

これに対して、図６に示すように、厚み方向Ｔから見て、信号電極１８の接合部４４と重なる位置に浮き電極４０を設けることで、接合部４４の直下に第２層のグランド電極３２が進入することを防止できる。これにより、浮き電極４０で第２基板４の平坦性を保ちながら、信号電極１８とグランド電極３２との間の浮遊容量の増加を抑制することができる。

【0063】

図６に示す例では、浮き電極４０は、厚み方向Ｔから見て略矩形の形状を有する。浮き電極４０の寸法は、信号電極１８の接合部４４よりも大きくなっている。信号伝送方向Ｓにおいて、浮き電極４０は接合部４４よりも長く、線幅方向Ｗにおいても、浮き電極４０は接合部４４よりも長い。厚み方向Ｔから見て、浮き電極４０は接合部４４の全体と重なっている。

【0064】

浮き電極４０の寸法を接合部４４の寸法よりも大きくして浮き電極４０が接合部４４の全体と重なるようにすることで、第２基板４の平坦性を向上させる効果と、浮遊容量の増加を抑制する効果を向上させることができる。

【0065】

図７は、図３の一部拡大図であって、厚み方向Ｔから見たときの、信号電極２２（第１層）と浮き電極４２（第２層）との重なり状態を示す。

【0066】

図７に示すように、信号電極２２は、接合部５０と、配線部５２とを有する。接合部５０は、下方のビア導体２６に接合されるビア受け部である。配線部５２は、接合部５０から信号伝送方向Ｓに沿って延びる部分である。線幅方向Ｗの長さに関して、接合部５０の線幅（直径）は、配線部５２の線幅よりも長い。接合部５０の線幅は、図６に示す接合部４４、４６の線幅と略同じであってもよく、配線部５２の線幅は、図６に示す配線部４８の線幅と略同じであってもよい。配線部５２の線幅は、コネクタやチップ部品を実装するため、信号電極２０の線幅よりも長くてもよい。その場合、浮き電極４２を設けたことで、配線部５２の部分の浮遊容量の増加をより効果的に抑制することができる。

【0067】

図７に示すように、厚み方向Ｔから見て、信号電極２２の配線部５２と重なる位置に浮き電極４２を設けている。信号電極２２の配線部５２の直下に浮き電極４２を設けることで、浮き電極４２で第２基板４の平坦性を保ちながら、信号電極２２とグランド電極３２との間の浮遊容量の増加を抑制することができる。

【0068】

図６に示す浮き電極４０が対向する接合部４４は、相対的に線幅が大きい部分であるのに対して、図７に示す浮き電極４２が対向する配線部５２は、相対的に線幅が小さい部分である。浮き電極４０と接合部４４が重なる領域の方が、浮き電極４２と配線部５２が重なる領域よりも大きい場合は、浮遊容量の増加を抑制する効果は、浮き電極４２よりも浮き電極４０の方が高い。

【0069】

図２に戻ると、第２基板４の第２層における信号伝送方向Ｓの距離に関して、浮き電極４０と信号電極２０との間は距離Ｄ１であり、浮き電極４０とグランド電極３２との間は距離Ｄ２である。距離Ｄ１、Ｄ２を調整することで、第２基板４の配線導体におけるインピーダンスを調整することができる。

【0070】

実施形態１では、距離Ｄ１＞距離Ｄ２である。距離Ｄ１を相対的に長くすることで、浮き電極４０と信号電極２０との隙間を確保することができ、樹脂多層基板１００を製造する際に、誘電体１６の材料である液状の樹脂（例えば熱可塑性樹脂）を浮き電極４０と信号電極２０との間に流し込みやすくなる。これにより、第２基板４の形状安定性を高めるとともに、第２基板４の平坦性を向上できる。特に、ビア受け部である接合部４４の直下に樹脂を流し込みやすくすることで、第２基板４におけるビア導体２４の突出を抑制して、第２基板４の平坦性を向上させることができる。すなわち、第２基板４においてビア導体２４が出っ張ることを抑制することができ、信号電極１８が凸になって第２基板４の平坦性が悪化することを抑制することができる。

【0071】

信号伝送方向Ｓにおいて、浮き電極４０は長さＬ１を有する。第１実施形態では、浮き電極４０の長さＬ１が、ビア導体１０、２４同士の距離Ｄ３よりも長い。このように浮き電極４０の寸法を大きくすることで、平坦性の向上効果と浮遊容量の抑制効果を高めることができる。

【0072】

上述した構成を有する樹脂多層基板１００では、第１基板２の誘電体６の比誘電率を、第２基板４の誘電体１６の比誘電率を大きくしている。誘電体６の比誘電率を相対的に大きくすることで、第１基板２を小型化しやすくなる。

【0073】

比誘電率の高い材料・基板としては、例えば、セラミック材料や、ガラスエポキシ基板、ＬＴＣＣ（Low Temperature Co-fired Ceramics）基板が挙げられる。比誘電率の低い材料・基板としては、例えば、ＬＣＰ樹脂、ＰＴＦＥ樹脂、ＰＩ樹脂、ＭＰＩ樹脂が挙げられる。このような材料を複数組み合わせて、あるいは単独で用いることで、誘電体６、１６の比誘電率を異ならせることができる。比誘電率の測定方法としては例えば、共振器法、フリースペース法が挙げられる。これらの測定方法によって測定した結果に基づいて誘電体６、１６の比誘電率を比較すればよい。

【0074】

以上のように構成された樹脂多層基板１００は、電子機器内部の電子部品として、高周波信号等の信号を伝送する。実施形態１では、第１基板２はアンテナ素子であり、第２基板４は伝送線路である。これにより、樹脂多層基板１００をアンテナとして機能させることができる。実施形態１では特に、第１基板２の誘電体６の比誘電率を第２基板４の誘電体１６の比誘電率よりも大きくしているため、アンテナサイズの小型化が可能となる。

【0075】

また図１、図４に示すように、第２基板４の第２層において、信号電極２０とグランド電極３２との間の隙間を埋めるように浮き電極４０、４２を配置している。これにより、第２基板４の平坦性を保ちながら、信号電極１８、２２とグランド電極３２との間の浮遊容量の増加を抑制することができる。

【0076】

また図２、図６に示すように、信号電極１８において相対的に線幅の長い接合部４４の直下に浮き電極４０を配置することで、信号電極１８とグランド電極３２との間の浮遊容量の増加をより効果的に抑制することができる。

【0077】

[効果]
実施形態１の樹脂多層基板１００は、厚み方向Ｔに重なって互いに接合された第１基板２および第２基板４と、第１基板２と第２基板４との接合面に配置された信号電極１８（第１信号電極）と、第１基板２に配置され、信号電極１８と接合されたビア導体１０（第１ビア導体）と、第２基板４に配置され、厚み方向Ｔから見て信号電極１８と重なるグランド電極３４（第１グランド電極）と、第２基板４に配置され、厚み方向Ｔにおいて信号電極１８とグランド電極３４との間に位置する浮き電極４０（第１浮き電極）と、を備え、信号電極１８は、ビア導体１０と接合する接合部４４（第１接合部）と、信号伝送方向Ｓに延びる配線部４８とを有し、信号伝送方向Ｓに交差する線幅方向Ｗにおいて、接合部４４の線幅は、配線部４８の線幅よりも大きく、浮き電極４０は、厚み方向Ｔから見て、信号電極１８の接合部４４と重なる。

【0078】

このような構成によれば、信号電極１８の接合部４４とグランド電極３４の間に浮き電極４０を配置することで、浮き電極４０がない場合に比べて、第２基板４の平坦性を向上させるとともに、信号電極１８（特に接合部４４）と他の電極との間の容量形成を抑制することができる。

【0079】

また、実施形態１の樹脂多層基板１００は、第２基板４において、浮き電極４０（第１浮き電極）と同層に配置されたグランド電極３２（第２グランド電極）、をさらに備える。このような構成によれば、グランド電極３２と同層に浮き電極４０を設けることで、グランド電極３２が信号電極１８の接合部４４の直下に進入することを防止することができ、信号電極１８とグランド電極３２との間の容量形成を抑制することができる。

【0080】

また、実施形態１の樹脂多層基板１００では、信号電極１８（第１信号電極）は、接合部４４（第１接合部）とは異なる接合部４６（第２接合部）を備え、第２基板４に配置され、接合部４６と接合されたビア導体２４（第２ビア導体）と、第２基板４において、浮き電極４０（第１浮き電極）と同層に配置され、ビア導体２４と接合された信号電極２０（第２信号電極）と、をさらに備える。このような構成によれば、信号電極２０と同層に浮き電極４０を設けることで、第２基板４の局所的な凹みの発生を抑制することができ、第２基板４の平坦性を向上させることができる。

【0081】

また、実施形態１の樹脂多層基板１００では、第２基板４において、浮き電極４０（第１浮き電極）および信号電極２０（第２信号電極）と同層に配置されたグランド電極３２（第２グランド電極）、をさらに備え、浮き電極４０と信号電極２０との距離Ｄ１は、浮き電極４０とグランド電極３２との距離Ｄ２よりも長い。このような構成によれば、浮き電極４０と信号電極２０との距離Ｄ１を空けることで、浮き電極４０と信号電極２０の間に樹脂がより流し込みやすくなる。

【0082】

また、実施形態１の樹脂多層基板１００では、線幅方向Ｗにおいて、浮き電極４０（第１浮き電極）は、接合部４４（第１接合部）よりも長い。このような構成によれば、浮き電極４０の寸法を接合部４４の寸法よりも大きくすることで、平坦性向上効果と容量形成抑制効果をより奏しやすくなる。

【0083】

また、実施形態１の樹脂多層基板１００では、信号伝送方向Ｓにおいて、浮き電極４０（第１浮き電極）は、接合部４４（第１接合部）よりも長い。このような構成によれば、浮き電極４０の寸法を接合部４４の寸法よりも大きくすることで、平坦性向上効果と容量形成抑制効果をより奏しやすくなる。

【0084】

また、実施形態１の樹脂多層基板１００では、信号伝送方向Ｓにおいて、浮き電極４０（第１浮き電極）の長さＬ１は、ビア導体１０（第１ビア導体）とビア導体２４（第２ビア導体）の距離Ｄ３よりも長い。このような構成によれば、浮き電極４０の寸法を接合部４４の寸法よりも大きくすることで、平坦性向上効果と容量形成抑制効果をより奏しやすくなる。

【0085】

また、実施形態１の樹脂多層基板１００では、厚み方向Ｔから見て、浮き電極４０（第１浮き電極）は、接合部４４（第１接合部）の全体と重なる。このような構成によれば、浮き電極４０の寸法を接合部４４の寸法よりも大きくすることで、平坦性向上効果と容量形成抑制効果をより奏しやすくなる。

【0086】

また、実施形態１の樹脂多層基板１００では、第１基板２の誘電体６の比誘電率は、第２基板４の誘電体１６の非誘電率よりも大きい。このような構成によれば、第１基板２を小型化しやすく、第１基板２がアンテナ素子の場合にはアンテナサイズの小型化が可能となる。

【0087】

また、実施形態１の樹脂多層基板１００では、第１基板２は、アンテナ素子である。このような構成によれば、樹脂多層基板１００をアンテナとして機能させることができる。

【0088】

また、実施形態１の樹脂多層基板１００では、グランド電極３４（第１グランド電極）は、グランド電位に接続される。このような構成によれば、グランド電極３４として機能させることができる

【0089】

また、実施形態１の樹脂多層基板１００では、浮き電極４０（第１浮き電極）は、特定の電位に接続されない。このような構成によれば、浮き電極４０として機能させることができる。

【0090】

また、実施形態１の電子部品は、樹脂多層基板１００を備える。このような構成によれば、樹脂多層基板１００と同様の効果を奏することができる。

【0091】

（実施形態２）
図８を参照して、実施形態１の樹脂多層基板１００と実施形態２の樹脂多層基板２００との違いについて説明する。ここでは、実施形態１と同一または同様の構成については同じ名称や符号を付して説明する。また、実施形態１と重複する記載は省略する。

【0092】

図８は、実施形態２に係る樹脂多層基板２００の一部を拡大して示す縦断面図である。

【0093】

実施形態２では、浮き電極２４０と信号電極２０との距離Ｄ４よりも、浮き電極２４０とグランド電極３２との距離Ｄ５の方が長い点で、実施形態１と異なる。

【0094】

図８に示すように、樹脂多層基板２００は、浮き電極４０に代えて、浮き電極２４０を備える。浮き電極２４０は、信号電極２０およびグランド電極３２と同層である第２層において、第１層の信号電極１８の接合部４４の直下に配置される。

【0095】

実施形態２では、信号伝送方向Ｓにおいて、浮き電極２４０と信号電極２０との距離Ｄ４よりも、浮き電極２４０とグランド電極３２との距離Ｄ５の方が長い。このように、浮き電極２４０とグランド電極３２との距離Ｄ５を相対的に長くすることで、浮き電極２４０を介した信号電極１８とグランド電極３２との間の浮遊容量の増加をより抑制することができる。

【0096】

上述したように、実施形態２の樹脂多層基板２００は、第２基板４において、浮き電極４０（第１浮き電極）および信号電極２０（第２信号電極）と同層に配置されたグランド電極３２（第２グランド電極）、をさらに備え、浮き電極４０とグランド電極３２との距離Ｄ５は、浮き電極４０と信号電極２０との距離Ｄ４よりも長い。

【0097】

このような構成によれば、距離Ｄ５を長くすることで、浮き電極４０を介した信号電極１８とグランド電極３２との間の浮遊容量の増加を抑制することができ、第２基板４の配線導体におけるインピーダンスを増加させることができる。

【0098】

実施形態２では、距離Ｄ４＜距離Ｄ５とすることでインピーダンスが増加するのに対して、実施形態１では、距離Ｄ１＞距離Ｄ２であるため、浮き電極４０を介した信号電極１８とグランド電極３２との間の容量が増加して、インピーダンスが相対的に減少する。これを利用して、距離Ｄ１＞距離Ｄ２、あるいは距離Ｄ４＜距離Ｄ５のいずれかを選択することで、第２基板４の配線導体のインピーダンスを増減させて、所望の値に調整することが可能である。

【0099】

（実施形態３）
図９を参照して、実施形態１の樹脂多層基板１００と実施形態３の樹脂多層基板３００との違いについて説明する。ここでは、実施形態１と同一または同様の構成については同じ名称や符号を付して説明する。また、実施形態１と重複する記載は省略する。

【0100】

図９は、実施形態３に係る樹脂多層基板３００の一部を拡大して示す縦断面図である。

【0101】

実施形態３では、浮き電極４０、４２とは別の浮き電極３４０をさらに備える点で、実施形態１と異なる。

【0102】

図９に示すように、樹脂多層基板３００は、浮き電極３４０を備える。浮き電極３４０は、浮き電極４０、４２とは異なり、第２基板４の第１層において、同層の信号電極１８とグランド電極３０の間に配置される。浮き電極３４０は、厚み方向Ｔから見て、第２層のグランド電極３２および第３層のグランド電極３４と重なり、第１基板２の信号電極８とも重なる。

【0103】

このような位置に浮き電極３４０を設けることで、信号電極１８とグランド電極３０の隙間を埋めて、局所的な凹みの発生を抑制することができ、樹脂多層基板３００の平坦性を向上させることができる。また、信号電極１８とグランド電極３０を互いに離すことができるため、信号電極１８とグランド電極３０との間の容量の増加を抑制することができ、インピーダンスを低下させることができる。

【0104】

上述したように、実施形態３の樹脂多層基板３００は、信号電極１８（第１信号電極）と同層、且つ厚み方向Ｔから見てグランド電極３２（第２グランド電極）と重なる位置に浮き電極３４０（第２浮き電極）をさらに備える。

【0105】

このような構成によれば、浮き電極３４０がない場合に比べて、樹脂多層基板３００の平坦性を向上させるとともに、信号電極１８とグランド電極３２との間の容量形成を抑制することができる。

【0106】

また、実施形態３の樹脂多層基板３００は、信号電極１８（第１信号電極）および浮き電極３４０（第２浮き電極）と同層、且つ厚み方向Ｔから見てグランド電極３２（第２グランド電極）と重なる位置にグランド電極３０（第３グランド電極）をさらに備える。このような構成によれば、グランド電極３０を設けることで、信号電極８とグランド電極との距離を、グランド電極３０、３４で変えることができるため、インピーダンス調整が可能となる。

【0107】

以上、上述の実施形態１、２、３を挙げて本開示の発明を説明したが、本開示の発明は上述の実施形態１、２、３に限定されない。例えば実施形態１では、第１基板２がアンテナ素子であり、樹脂多層基板３００が電子機器のアンテナとして機能する場合について説明したが、このような場合に限らない。第１基板２はアンテナ素子ではなく、その他の用途に用いられる伝送線路であってもよい。例えば、第１基板２の信号電極８が電子部品の第１回路（図示せず）に接合され、第２基板４の信号電極２２が電子部品の第２回路（図示せず）に接合され、信号電極８、１８、２０、２２を介して、２つの回路の間で高周波信号を伝送する伝送線路であってもよい。

【0108】

また実施形態１、２、３では、グランド電極３０、３２、３４をそれぞれ設ける場合について説明したが、このような場合に限らない。例えば、第１層のグランド電極３０や第２層のグランド電極３２を設けない場合であってもよい。

【0109】

本開示は、添付図面を参照しながら好ましい実施形態に関連して充分に記載されているが、この技術の熟練した人々にとっては種々の変形や修正は明白である。そのような変形や修正は、添付した特許請求の範囲による本開示の範囲から外れない限りにおいて、その中に含まれると理解されるべきである。また、各実施形態における要素の組合せや順序の変化は、本開示の範囲および思想を逸脱することなく実現し得るものである。

【0110】

なお、上述した様々な実施形態および様々な変形例のうち、任意の実施形態および任意の変形例を適宜組み合わせることにより、それぞれの有する効果を奏するようにすることができる。

【産業上の利用可能性】

【0111】

本開示は、第１基板と第２基板を備える樹脂多層基板およびそれを備える電子部品であれば適用可能である。

【符号の説明】

【0112】

２ 第１基板
４ 第２基板
６ 誘電体
８ 信号電極
１０ ビア導体（第１ビア導体）
１２ グランド電極
１６ 誘電体
１８ 信号電極（第１信号電極）
２０ 信号電極（第２信号電極）
２２ 信号電極
２４ ビア導体（第２ビア導体）
２６ ビア導体
２８ ビア導体
３０ グランド電極（第３グランド電極）
３２ グランド電極（第２グランド電極）
３４ グランド電極（第１グランド電極）
４０ 浮き電極（第１浮き電極）
４２ 浮き電極
４４ 接合部（第１接合部）
４６ 接合部（第２接合部）
４８ 配線部
５０ 接合部
５２ 配線部
１００、２００、３００ 樹脂多層基板
２４０ 浮き電極（第１浮き電極）
３４０ 浮き電極（第２浮き電極）
Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３、Ｄ４、Ｄ５ 距離
Ｌ１ 長さ
Ｓ 信号伝送方向
Ｔ 厚み方向
Ｗ 線幅方向

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】