特開 2024-99267 計測方法及び計測装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024099267

(43)【公開日】2024-07-25

(54)【発明の名称】計測方法及び計測装置

(51)【国際特許分類】

   G01B 15/00 20060101AFI20240718BHJP

   H10K 50/10 20230101ALI20240718BHJP

   H10K 59/122 20230101ALI20240718BHJP

   H10K 71/00 20230101ALI20240718BHJP

   H10K 71/70 20230101ALI20240718BHJP

【ＦＩ】

G01B15/00 K

H10K50/10

H10K59/122

H10K71/00

H10K71/70

【審査請求】未請求

【請求項の数】8

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023003088

(22)【出願日】2023-01-12

(71)【出願人】

【識別番号】502356528

【氏名又は名称】株式会社ジャパンディスプレイ

(74)【代理人】

【識別番号】110001737

【氏名又は名称】弁理士法人スズエ国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】富田 暁

(72)【発明者】

【氏名】平田 教行

【テーマコード（参考）】

2F067

3K107

【Ｆターム（参考）】

2F067AA23

2F067AA53

2F067BB01

2F067BB16

2F067CC15

2F067EE04

2F067HH06

2F067JJ03

2F067KK02

2F067MM00

2F067NN06

3K107AA01

3K107BB01

3K107BB08

3K107CC33

3K107CC45

3K107DD89

3K107FF15

3K107GG56

(57)【要約】

【課題】表示装置の信頼性の低下を抑制することが可能な計測方法及び計測装置を提供する。
【解決手段】実施形態に係る計測方法は、基材上に配置された下部と、当該下部の側面から突出した上部とを有する隔壁を形成することと、隔壁に対して電子ビームを照射することによって生成された当該隔壁を構成する元素毎の第１画像を取得することと、取得された元素毎の第１画像を解析することと、解析結果に基づいて、下部の側面から上部の突部が突出している突出量を計測することとを具備する。
【選択図】図１２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基材上に配置された下部と、当該下部の側面から突出した上部とを有する隔壁を形成することと、
前記隔壁に対して電子ビームを照射することによって生成された当該隔壁を構成する元素毎の第１画像を取得することと、
前記取得された元素毎の第１画像を解析することと、
前記解析結果に基づいて、前記下部の側面から前記上部の端部が突出している突出量を計測することと
を具備する計測方法。

【請求項2】

前記取得することは、前記下部を構成する第１元素の第１画像及び前記上部を構成する第２元素の第１画像を取得することを含み、
前記解析することは、前記取得された第１元素の第１画像及び第２元素の第１画像に基づいて、前記突出量に対応する画素数を取得することを含み、
前記計測することは、前記取得された画素数に基づいて、前記突出量を計測することを含む
請求項１記載の計測方法。

【請求項3】

前記突出量に対応する画素数は、前記第１元素によって構成される前記下部の平面視における幅を表す画素数と前記第２元素によって構成される前記上部の平面視における幅を表す画素数との差分に基づいて取得される請求項２記載の計測方法。

【請求項4】

前記計測することは、１つの画素に対応する長さを示す変換情報に基づいて、前記取得された画素数を前記突出量に変換することを含み、
前記変換情報は、サイズが既知であるサンプルに電子ビームを照射することによって生成された当該サンプルを構成する少なくとも１つの元素の第２画像に基づいて予め用意されている
請求項２記載の計測方法。

【請求項5】

前記計測することは、予め用意されたデータセットを学習することによって生成された機械学習モデルに前記取得された画素数を入力することによって当該機械学習モデルから出力される前記突出量を取得することを含み、
前記データセットは、前記突出量が既知である隔壁に電子ビームを照射することによって生成された当該隔壁を構成する元素毎の第２画像に基づいて取得される前記既知の突出量に対応する画素数と、当該既知の突出量とを含む
請求項２記載の計測方法。

【請求項6】

前記電子ビームは、少なくとも前記上部を透過し、前記下部に到達する強度で、前記基材に対して垂直な方向から前記上部の前記基材とは反対側の面に照射される請求項１記載の計測方法。

【請求項7】

基材上に配置された下部と、当該下部の側面から突出した上部とを有する隔壁に対して電子ビームを照射することによって生成された当該隔壁を構成する元素毎の第１画像を取得する取得部と、
前記取得された元素毎の第１画像を解析する解析部と、
前記解析結果に基づいて、前記下部の側面から前記上部の端部が突出している突出量を計測する計測部と
を具備する計測装置。

【請求項8】

基材上に配置された下部と、当該下部の側面から突出した上部とを有する隔壁に対して電子ビームを照射する照射部と、
前記電子ビームが照射されることによって前記隔壁から発生する特性Ｘ線を検出する検出部と
前記検出された特性Ｘ線に基づいて生成された前記隔壁を構成する元素毎の第１画像を取得する取得部と、
前記取得された元素毎の第１画像を解析する解析部と、
前記解析結果に基づいて、前記下部の側面から前記上部の端部が突出している突出量を計測する計測部と
を具備する計測装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明の実施形態は、計測方法及び計測装置に関する。

【背景技術】

【0002】

近年、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を適用した表示装置が実用化されている。

【0003】

ところで、上記した表示装置は、複数の表示パネルを形成したマザー基板を用意し、当該マザー基板からカットされた表示パネルの各々を用いて製造される。

【0004】

このような表示装置を製造する過程において、当該表示装置の信頼性の低下を抑制する技術が必要とされている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【特許文献1】特開２０００－１９５６７７号公報

【特許文献2】特開２００４－２０７２１７号公報

【特許文献3】特開２００８－１３５３２５号公報

【特許文献4】特開２００９－３２６７３号公報

【特許文献5】特開２０１０－１１８１９１号公報

【特許文献6】国際公開第２０１８／１７９３０８号

【特許文献7】米国特許出願公開第２０２２／００７７２５１号明細書

【特許文献8】特開２０１３－２１３７３３号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

本発明の目的は、表示装置の信頼性の低下を抑制することが可能な計測方法及び計測装置を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0007】

実施形態に係る計測方法は、基材上に配置された下部と、当該下部の側面から突出した上部とを有する隔壁を形成することと、前記隔壁に対して電子ビームを照射することによって生成された当該隔壁を構成する元素毎の第１画像を取得することと、前記取得された元素毎の第１画像を解析することと、前記解析結果に基づいて、前記下部の側面から前記上部の突部が突出している突出量を計測することとを具備する。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】図１は、実施形態における表示装置の構成例を示す図である。

【図2】図２は、副画素のレイアウトの一例を示す図である。

【図3】図３は、図２中のIII－III線に沿う表示装置の概略的な断面図である。

【図4】図４は、隔壁の概略的な断面図である。

【図5】図５は、隔壁を利用して形成される表示素子について説明するための概略的な断面図である。

【図6】図６は、隔壁を利用して形成される表示素子について説明するための概略的な断面図である。

【図7】図７は、隔壁を利用して形成される表示素子について説明するための概略的な断面図である。

【図8】図８は、表示装置の製造工程において用いられるマザー基板検査装置について説明するための図である。

【図9】図９は、ＥＤＸ装置の構成について説明するための図である。

【図10】図１０は、計測装置のハードウェア構成の一例を示す図である。

【図11】図１１は、計測装置の機能構成の一例を示す図である。

【図12】図１２は、計測装置の処理手順の一例を示すフローチャートである。

【図13】図１３は、アルミニウムの画像の一例を示す図である。

【図14】図１４は、チタンの画像の一例を示す図である。

【図15】図１５は、アルミニウムの画像の一部とチタンの画像の一部とを重畳して示す図である。

【図16】図１６は、シリコンの画像の一例を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

一実施形態について図面を参照しながら説明する。
開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、より説明を明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。

【0010】

なお、図面には、必要に応じて理解を容易にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸を記載する。Ｘ軸に沿った方向を方向Ｘと称し、Ｙ軸に沿った方向を方向Ｙと称し、Ｚ軸に沿った方向を方向Ｚと称する。また、方向Ｚと平行に各種要素を見ることを平面視という。

【0011】

本実施形態における表示装置は、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を備える有機エレクトロルミネッセンス表示装置であり、テレビ、パーソナルコンピュータ、車載機器、タブレット端末、スマートフォン及び携帯電話端末等に搭載され得る。

【0012】

図１は、本実施形態における表示装置ＤＳＰの構成例を示す図である。表示装置ＤＳＰは、絶縁性の基材１０の上に、画像を表示する表示領域ＤＡと、当該表示領域ＤＡの周辺の非表示領域ＮＤＡとを有している。基材１０は、ガラスであってもよいし、可撓性を有する樹脂フィルムであってもよい。

【0013】

本実施形態においては、平面視における基材１０の形状が長方形である。ただし、基材１０の平面視における形状は長方形に限らず、正方形、円形または楕円形等の他の形状であってもよい。

【0014】

表示領域ＤＡは、方向Ｘ及び方向Ｙにマトリクス状に配列された複数の画素ＰＸを備えている。画素ＰＸは、複数の副画素ＳＰを含む。一例では、画素ＰＸは、赤色の副画素ＳＰ１、緑色の副画素ＳＰ２及び青色の副画素ＳＰ３を含む。なお、画素ＰＸは、副画素ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３とともに白色等の他の色の副画素ＳＰを含んでいてもよい。また、画素ＰＸは、副画素ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３のいずれかに代えて他の色の副画素ＳＰを含んでいてもよい。

【0015】

副画素ＳＰは、画素回路１と、画素回路１によって駆動される表示素子２０とを備えている。画素回路１は、画素スイッチ２と、駆動トランジスタ３と、キャパシタ４とを備えている。画素スイッチ２及び駆動トランジスタ３は、例えば薄膜トランジスタにより構成されたスイッチング素子である。

【0016】

画素スイッチ２のゲート電極は、走査線ＧＬに接続されている。画素スイッチ２のソース電極及びドレイン電極の一方は信号線ＳＬに接続され、他方は駆動トランジスタ３のゲート電極及びキャパシタ４に接続されている。駆動トランジスタ３において、ソース電極及びドレイン電極の一方は電源線ＰＬ及びキャパシタ４に接続され、他方は表示素子２０に接続されている。

【0017】

なお、画素回路１の構成は、図１に示す例に限られない。画素回路１は、例えばより多くの薄膜トランジスタ及びキャパシタを備えていてもよい。

【0018】

表示素子２０は、発光素子としての有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）である。例えば、副画素ＳＰ１は赤色の波長域の光を放つ表示素子２０を備え、副画素ＳＰ２は緑色の波長域の光を放つ表示素子２０を備え、副画素ＳＰ３は青色の波長域の光を放つ表示素子２０を備えている。

【0019】

なお、図１は主に表示装置ＤＳＰの製造に用いられる表示パネルを示しており、当該表示装置ＤＳＰは、当該表示パネルを駆動するドライバ（駆動ＩＣチップ）を備える回路基板等が当該表示パネルに接続された構造を有する。

【0020】

図２は、副画素ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３のレイアウトの一例を示す。図２に示す例においては、副画素ＳＰ１とＳＰ２とが方向Ｙに並んでいる。更に、副画素ＳＰ１及びＳＰ２は、それぞれ副画素ＳＰ３と方向Ｘに並んでいる。

【0021】

副画素ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３が図２に示すようなレイアウトである場合、表示領域ＤＡには、副画素ＳＰ１及びＳＰ２が方向Ｙに交互に配置された列と、複数の副画素ＳＰ３が方向Ｙに繰り返し配置された列とが形成される。これらの列は、方向Ｘに交互に並ぶ。

【0022】

なお、副画素ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３のレイアウトは、図２に示す例に限られない。他の一例として、各画素ＰＸにおける副画素ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３は、方向Ｘに順に並んでいてもよい。

【0023】

表示領域ＤＡには、リブ５及び隔壁６が配置されている。リブ５は、副画素ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３においてそれぞれ開口ＡＰ１、ＡＰ２及びＡＰ３を有している。図２に示す例においては、開口ＡＰ２が開口ＡＰ１よりも大きく、開口ＡＰ３が開口ＡＰ２よりも大きい。隔壁６は、隣り合う副画素ＳＰの境界に配置され、平面視においてリブ５と重なっている。

【0024】

隔壁６は、方向Ｘに延びる複数の第１隔壁６ｘと、方向Ｙに延びる複数の第２隔壁６ｙとを有している。複数の第１隔壁６ｘは、方向Ｙに隣り合う開口ＡＰ１とＡＰ２との間、及び、方向Ｙに隣り合う２つの開口ＡＰ３の間にそれぞれ配置されている。第２隔壁６ｙは、方向Ｘに隣り合う開口ＡＰ１とＡＰ３との間、及び、方向Ｘに隣り合う開口ＡＰ２とＡＰ３との間にそれぞれ配置されている。

【0025】

図２に示す例においては、第１隔壁６ｘ及び第２隔壁６ｙが互いに接続されている。これにより、隔壁６は全体として開口ＡＰ１、ＡＰ２及びＡＰ３を囲う格子状である。隔壁６は、リブ５と同様に副画素ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３において開口を有するということもできる。

【0026】

すなわち、本実施形態において、リブ５及び隔壁６は、副画素ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３を区画するように配置されている。

【0027】

副画素ＳＰ１は、開口ＡＰ１とそれぞれ重なる下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１及び有機層ＯＲ１を備えている。副画素ＳＰ２は、開口ＡＰ２とそれぞれ重なる下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２及び有機層ＯＲ２を備えている。副画素ＳＰ３は、開口ＡＰ３とそれぞれ重なる下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３及び有機層ＯＲ３を備えている。図２に示す例においては、上電極ＵＥ１及び有機層ＯＲ１の外形が一致し、上電極ＵＥ２及び有機層ＯＲ２の外形が一致し、上電極ＵＥ３及び有機層ＯＲ３の外形が一致している。

【0028】

下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１及び有機層ＯＲ１は、副画素ＳＰ１の表示素子２０を構成する。下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２及び有機層ＯＲ２は、副画素ＳＰ２の表示素子２０を構成する。下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３及び有機層ＯＲ３は、副画素ＳＰ３の表示素子２０を構成する。

【0029】

下電極ＬＥ１は、コンタクトホールＣＨ１を通じて副画素ＳＰ１（の表示素子２０）を駆動する画素回路１に接続されている。下電極ＬＥ２は、コンタクトホールＣＨ２を通じて副画素ＳＰ２（の表示素子２０）を駆動する画素回路１に接続されている。下電極ＬＥ３は、コンタクトホールＣＨ３を通じて副画素ＳＰ３（の表示素子２０）を駆動する画素回路１に接続されている。

【0030】

図２に示す例において、コンタクトホールＣＨ１及びＣＨ２は、方向Ｙに隣り合う開口ＡＰ１とＡＰ２との間の第１隔壁６ｘと全体的に重なっている。コンタクトホールＣＨ３は、方向Ｙに隣り合う２つの開口ＡＰ３の間の第１隔壁６ｘと全体的に重なっている。他の例として、コンタクトホールＣＨ１、ＣＨ２及びＣＨ３の少なくとも一部が第１隔壁６ｘと重なっていなくてもよい。

【0031】

図２に示す例において、下電極ＬＥ１及びＬＥ２は、突部ＰＲ１及びＰＲ２をそれぞれ有している。突部ＰＲ１は、下電極ＬＥ１の本体（開口ＡＰ１と重なる部分）からコンタクトホールＣＨ１に向けて突出している。突部ＰＲ２は、下電極ＬＥ２の本体（開口ＡＰ２と重なる部分）からコンタクトホールＣＨ２に向けて突出している。コンタクトホールＣＨ１及びＣＨ２は、突部ＰＲ１及びＰＲ２とそれぞれ重なっている。

【0032】

図３は、図２中のIII－III線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。表示装置ＤＳＰにおいては、基材１０の上（表示素子２０等が配置される側の面上）にアンダーコート層と称される絶縁層１１が配置されている。

【0033】

絶縁層１１は、例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯ）、シリコン窒化膜（ＳｉＮ）、シリコン酸化膜（ＳｉＯ）を有する三層積層構造を有する。なお、絶縁層１１は、三層積層構造に限られず、三層よりも多い積層構造を有していてもよいし、単層構造または二層積層構造を有していてもよい。

【0034】

絶縁層１１の上には、回路層１２が配置されている。回路層１２は、図１に示す画素回路１、走査線ＧＬ、信号線ＳＬ及び電源線ＰＬ等の副画素ＳＰ（ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３）を駆動する各種回路及び配線を有する。回路層１２は、絶縁層１３により覆われている。

【0035】

絶縁層１３は、回路層１２により生じる凹凸を平坦化する平坦化膜として機能する。図３には示されていないが、上記したコンタクトホールＣＨ１、ＣＨ２及びＣＨ３は、絶縁層１３に設けられている。

【0036】

下電極ＬＥ（ＬＥ１、ＬＥ２及びＬＥ３）は、絶縁層１３の上に配置されている。リブ５は、絶縁層１３と下電極ＬＥとの上に配置されている。下電極ＬＥの端部（一部）は、リブ５により覆われている。

【0037】

隔壁６は、リブ５の上に配置された下部６１と、当該下部６１の上面を覆う上部６２とを有する。上部６２は、下部６１よりも方向Ｘ及び方向Ｙに大きい幅を有している。これにより、隔壁６は、上部６２の両端部が下部６１の側面よりも突出した形状を有する。このような隔壁６の形状は、オーバーハング状ということもできる。

【0038】

有機層ＯＲ（ＯＲ１、ＯＲ２及びＯＲ３）及び上電極ＵＥ（ＵＥ１、ＵＥ２及びＵＥ３）は上記した下電極ＬＥ（ＬＥ１、ＬＥ２及びＬＥ３）とともに表示素子２０を構成するが、図３に示すように、有機層ＯＲ１は、互いに離間した第１有機層ＯＲ１ａ及び第２有機層ＯＲ１ｂを含む。上電極ＵＥ１は、互いに離間した第１上電極ＵＥ１ａ及び第２上電極ＵＥ１ｂを含む。第１有機層ＯＲ１ａは、開口ＡＰ１を通じて下電極ＬＥ１に接触するとともに、リブ５の一部を覆っている。第２有機層ＯＲ１ｂは、上部６２の上に位置している。第１上電極ＵＥ１ａは、下電極ＬＥ１と対向するとともに、第１有機層ＯＲ１ａを覆っている。更に、第１上電極ＵＥ１ａは、下部６１の側面に接触している。第２上電極ＵＥ１ｂは、隔壁６の上方に位置し、第２有機層ＯＲ１ｂを覆っている。

【0039】

また、図３に示すように、有機層ＯＲ２は、互いに離間した第１有機層ＯＲ２ａ及び第２有機層ＯＲ２ｂを含む。上電極ＵＥ２は、互いに離間した第１上電極ＵＥ２ａ及び第２上電極ＵＥ２ｂを含む。第１有機層ＯＲ２ａは、開口ＡＰ２を通じて下電極ＬＥ２に接触するとともに、リブ５の一部を覆っている。第２有機層ＯＲ２ｂは、上部６２の上に位置している。第１上電極ＵＥ２ａは、下電極ＬＥ２と対向するとともに、第１有機層ＯＲ２ａを覆っている。更に、第１上電極ＵＥ２ａは、下部６１の側面に接触している。第２上電極ＵＥ２ｂは、隔壁６の上方に位置し、第２有機層ＯＲ２ｂを覆っている。

【0040】

また、図３に示すように、有機層ＯＲ３は、互いに離間した第１有機層ＯＲ３ａ及び第２有機層ＯＲ３ｂを含む。上電極ＵＥ３は、互いに離間した第１上電極ＵＥ３ａ及び第２上電極ＵＥ３ｂを含む。第１有機層ＯＲ３ａは、開口ＡＰ３を通じて下電極ＬＥ３に接触するとともに、リブ５の一部を覆っている。第２有機層ＯＲ３ｂは、上部６２の上に位置している。第１上電極ＵＥ３ａは、下電極ＬＥ３と対向するとともに、第１有機層ＯＲ３ａを覆っている。更に、第１上電極ＵＥ３ａは、下部６１の側面に接触している。第２上電極ＵＥ３ｂは、隔壁６の上方に位置し、第２有機層ＯＲ３ｂを覆っている。

【0041】

図３に示す例において、副画素ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３は、有機層ＯＲ１、ＯＲ２及びＯＲ３の発光層が発する光の光学特性を調整するためのキャップ層ＣＰ１、ＣＰ２及びＣＰ３を含む。

【0042】

キャップ層ＣＰ１は、互いに離間した第１キャップ層ＣＰ１ａ及び第２キャップ層ＣＰ１ｂを含む。第１キャップ層ＣＰ１ａは、開口ＡＰ１に位置し、第１上電極ＵＥ１ａの上に配置されている。第２キャップ層ＣＰ１ｂは、隔壁６の上方に位置し、第２上電極ＵＥ１ｂの上に配置されている。

【0043】

キャップ層ＣＰ２は、互いに離間した第１キャップ層ＣＰ２ａ及び第２キャップ層ＣＰ２ｂを含む。第１キャップ層ＣＰ２ａは、開口ＡＰ２に位置し、第１上電極ＵＥ２ａの上に配置されている。第２キャップ層ＣＰ２ｂは、隔壁６の上方に位置し、第２上電極ＵＥ２ｂの上に配置されている。

【0044】

キャップ層ＣＰ３は、互いに離間した第１キャップ層ＣＰ３ａ及び第２キャップ層ＣＰ３ｂを含む。第１キャップ層ＣＰ３ａは、開口ＡＰ３に位置し、第１上電極ＵＥ３ａの上に配置されている。第２キャップ層ＣＰ３ｂは、隔壁６の上方に位置し、第２上電極ＵＥ３ｂの上に配置されている。

【0045】

副画素ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３には、封止層ＳＥ１、ＳＥ２及びＳＥ３がそれぞれ配置されている。封止層ＳＥ１は、第１キャップ層ＣＰ１ａ、隔壁６及び第２キャップ層ＣＰ１ｂを含む副画素ＳＰ１の各部材を連続的に覆っている。封止層ＳＥ２は、第１キャップ層ＣＰ２ａ、隔壁６及び第２キャップ層ＣＰ２ｂを含む副画素ＳＰ２の各部材を連続的に覆っている。封止層ＳＥ３は、第１キャップ層ＣＰ３ａ、隔壁６及び第２キャップ層ＣＰ３ｂを含む副画素ＳＰ３の各部材を連続的に覆っている。

【0046】

図３に示す例においては、副画素ＳＰ１とＳＰ３との間の隔壁６上の第２有機層ＯＲ１ｂ、第２上電極ＵＥ１ｂ、第２キャップ層ＣＰ１ｂ及び封止層ＳＥ１と、当該隔壁６上の第２有機層ＯＲ３ｂ、第２上電極ＵＥ３ｂ、第２キャップ層ＣＰ３ｂ及び封止層ＳＥ３とが離間している。また、副画素ＳＰ２とＳＰ３との間の隔壁６上の第２有機層ＯＲ２ｂ、第２上電極ＵＥ２ｂ、第２キャップ層ＣＰ２ｂ及び封止層ＳＥ２と、当該隔壁６上の第２有機層ＯＲ３ｂ、第２上電極ＵＥ３ｂ、第２キャップ層ＣＰ３ｂ及び封止層ＳＥ３とが離間している。

【0047】

封止層ＳＥ１、ＳＥ２及びＳＥ３は、樹脂層１４により覆われている。樹脂層１４は、封止層１５により覆われている。更に、封止層１５は、樹脂層１６により覆われている。

【0048】

絶縁層１３と樹脂層１４及び１６とは、有機材料で形成されている。リブ５と封止層１５及びＳＥ（ＳＥ１、ＳＥ２及びＳＥ３）とは、例えばシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）等の無機材料で形成されている。

【0049】

隔壁６が有する下部６１は、導電性を有している。隔壁６が有する上部６２も同様に導電性を有していてもよい。下電極ＬＥは、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明な導電性酸化物で形成されてもよいし、銀（Ａｇ）等の金属材料と導電性酸化物との積層構造を有していてもよい。上電極ＵＥは、例えばマグネシウムと銀との合金（ＭｇＡｇ）等の金属材料で形成されている。上電極ＵＥは、ＩＴＯ等の導電性酸化物で形成されてもよい。

【0050】

下電極ＬＥの電位が上電極ＵＥの電位よりも相対的に高い場合、下電極ＬＥがアノードに相当し、上電極ＵＥがカソードに相当する。また、上電極ＵＥの電位が下電極ＬＥの電位よりも相対的に高い場合、上電極ＵＥがアノードに相当し、下電極ＬＥがカソードに相当する。

【0051】

有機層ＯＲは、一対の機能層と、これら機能層の間に配置された発光層とを含む。一例として、有機層ＯＲは、正孔注入層、正孔輸入層、電子ブロッキング層、発光層、正孔ブロッキング層、電子輸送層及び電子注入層を順に積層した構造を有している。

【0052】

キャップ層ＣＰ（ＣＰ１、ＣＰ２及びＣＰ３）は、例えば透明な複数の薄膜の多層体によって形成されている。多層体は、複数の薄膜として、無機材料によって形成された薄膜及び有機材料によって形成された薄膜を含んでもよい。また、これらの複数の薄膜は、互いに異なる屈折率を有している。多層体を構成する薄膜の材料は、上電極ＵＥの材料とは異なり、また、封止層ＳＥの材料とも異なる。なお、キャップ層ＣＰは省略されてもよい。

【0053】

隔壁６には、共通電圧が供給されている。この共通電圧は、下部６１の側面に接触した上電極ＵＥ（第１上電極ＵＥ１ａ、ＵＥ２ａ及びＵＥ３ａ）にそれぞれ供給される。下電極ＬＥ（ＬＥ１、ＬＥ２及びＬＥ３）には、副画素ＳＰ（ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３）がそれぞれ有する画素回路１を通じて画素電圧が供給される。

【0054】

下電極ＬＥ１と上電極ＵＥ１との間に電位差が形成されると、第１有機層ＯＲ１ａの発光層が赤色の波長域の光を放つ。下電極ＬＥ２と上電極ＵＥ２との間に電位差が形成されると、第１有機層ＯＲ２ａの発光層が緑色の波長域の光を放つ。下電極ＬＥ３と上電極ＵＥ３との間に電位差が形成されると、第１有機層ＯＲ３ａの発光層が青色の波長域の光を放つ。

【0055】

他の例として、有機層ＯＲ１、ＯＲ２及びＯＲ３の発光層が同一色（例えば、白色）の光を放ってもよい。この場合において、表示装置ＤＳＰは、発光層が放つ光を副画素ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３に対応する色の光に変換するカラーフィルタを備えてもよい。また、表示装置ＤＳＰは、発光層が放つ光により励起して副画素ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３に応じた色の光を生成する量子ドットを含んだ層を備えてもよい。

【0056】

図４は、隔壁６の概略的な拡大断面図である。図４においては、リブ５、隔壁６、絶縁層１３及び一対の下電極ＬＥ以外の要素を省略している。一対の下電極ＬＥは、上記した下電極ＬＥ１、ＬＥ２及びＬＥ３のいずれかに相当する。また、上記した第１隔壁６ｘ及び第２隔壁６ｙは、図４に示す隔壁６と同様の構造を有している。

【0057】

図４に示す例において、隔壁６が有する下部６１は、リブ５の上に配置されたバリア層６１１と、当該バリア層６１１の上に配置された金属層６１２とを含む。バリア層６１１は、金属層６１２とは異なる材料で形成されており、例えばモリブデン等の金属材料によって形成されている。金属層６１２は、バリア層６１１よりも厚く形成されている。金属層６１２は、単層構造であってもよいし、異なる金属材料の積層構造であってもよい。一例として、金属層６１２は、例えばアルミニウム（Ａｌ）により形成される。

【0058】

上部６２は、下部６１よりも薄い。図４に示す例において、上部６２は、金属層６１２の上に配置された第１層６２１と、当該第１層６２１の上に配置された第２層６２２とを含む。一例としては、第１層６２１は例えばチタン（Ｔｉ）により形成され、第２層６２２は例えばＩＴＯにより形成される。ここでは、上部６２が二層積層構造であるものとして説明したが、当該上部６２は例えばチタンのような金属材料により形成される単層構造であってもよい。また、上部６２は、金属材料以外であってもよく、シリコン酸化物（ＳｉＯ）等の無機材料でもよい。更に、上部６２は、上記したＩＴＯ等の導電性酸化物、チタン等の金属材料、シリコン酸化物等の無機材料を適宜組み合わせて積層してもよいし、上記したいずれかの材料による単層でもよい。

【0059】

図４に示す例においては、下部６１の幅が上部６２に近づくにつれて小さくなる。すなわち、下部６１の側面６１ａ及び６１ｂは、方向Ｚに対して傾斜している。なお、上部６２は、側面６１ａから突出した端部６２ａと、側面６１ｂから突出した端部６２ｂとを有している。

【0060】

側面６１ａ及び６１ｂから端部６２ａ及び６２ｂが突出している量Ｄ（以下、隔壁６の突出量Ｄと表記）は、例えば２．０μｍ以下である。本実施形態における隔壁６の突出量Ｄは、側面６１ａ及び６１ｂの下端（バリア層６１１）と端部６２ａ及び６２ｂとの間の、隔壁６の方向Ｚと直交する幅方向（方向Ｘまたは方向Ｙ）における長さ（距離）に相当する。なお、隔壁６の突出量Ｄは、側面６１ａ及び６１ｂの上端と端部６２ａ及び６２ｂとの間の、隔壁６の方向Ｚと直交する幅方向における長さであってもよい。

【0061】

隔壁６の構造及び当該隔壁６の各部の材料は、例えば隔壁６を形成する手法等を考慮して、適宜、選定することができるものとする。

【0062】

ここで、本実施形態において、隔壁６は、平面視において副画素ＳＰを区画するように形成されている。上記した有機層ＯＲは例えば異方性あるいは指向性のある真空蒸着法によって形成されるが、隔壁６が配置された状態で当該有機層ＯＲを形成するための有機材料を基材１０全体に蒸着した場合、隔壁６は図３及び図４に示すような形状を有しているため、当該隔壁６の側面には有機層ＯＲは殆ど形成されない。これによれば、隔壁６によって副画素ＳＰ毎に分断されるような有機層ＯＲ（表示素子２０）を形成することができる。

【0063】

図５～図７は、隔壁６を利用して形成される表示素子２０について説明するための概略的な断面図である。この図５～図７に示す副画素ＳＰα、ＳＰβ及びＳＰγは、副画素ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３のいずれかに相当する。

【0064】

上記したように隔壁６が配置された状態で図５に示すように基材１０全体に対して有機層ＯＲ、上電極ＵＥ、キャップ層ＣＰ及び封止層ＳＥが順に蒸着によって形成される。有機層ＯＲは、副画素ＳＰαに対応する色の光を放つ発光層を含む。オーバーハング状の隔壁６によって、有機層ＯＲは下電極ＬＥを覆う第１有機層ＯＲａと隔壁６上の第２有機層ＯＲｂに分断され、上電極ＵＥは第１有機層ＯＲａを覆う第１上電極ＵＥａと第２有機層ＯＲｂを覆う第２上電極ＵＥｂとに分断され、キャップ層ＣＰは第１上電極ＵＥａを覆う第１キャップ層ＣＰａと第２上電極ＵＥｂを覆う第２キャップ層ＣＰｂとに分断される。第１上電極ＵＥａは、隔壁６の下部６１に接触している。封止層ＳＥは、第１キャップ層ＣＰａ、第２キャップ層ＣＰｂ及び隔壁６を連続的に覆っている。

【0065】

次に、図６に示すように、封止層ＳＥの上にレジストＲが形成される。レジストＲは、副画素ＳＰαを覆っている。すなわち、レジストＲは、副画素ＳＰαに位置する第１有機層ＯＲａ、第１上電極ＵＥａ及び第１キャップ層ＣＰａの直上に配置されている。レジストＲは、副画素ＳＰαと副画素ＳＰβとの間の隔壁６上の第２有機層ＯＲｂ、第２上電極ＵＥｂ及び第２キャップ層ＣＰｂのうち、副画素ＳＰα寄りの部分の直情にも位置している。すなわち、隔壁６の少なくとも一部は、レジストＲから露出している。

【0066】

更に、レジストＲをマスクとしたエッチングにより、図７に示すように有機層ＯＲ、上電力ＵＥ、キャップ層ＣＰ及び封止層ＳＥのうちレジストＲから露出した部分が除去される。これにより、副画素ＳＰαには下電極ＬＥ、第１有機層ＯＲａ、第１上電極ＵＥａ及び第１キャップ層ＣＰａを含む表示素子２０が形成される。一方で、副画素ＳＰβ及びＳＰγにおいては下電極ＬＥが露出する。なお、上記したエッチングは、例えば封止層ＳＥのドライエッチング、キャップ層ＣＰのウェットエッチング及びドライエッチング、上電極ＵＥのウェットエッチング、有機層ＯＲのドライエッチングを含む。

【0067】

上記したように副画素ＳＰαの表示素子２０が形成されると、レジストＲが除去され、副画素ＳＰβ及びＳＰγの表示素子２０が、副画素ＳＰαと同様に、順に形成される。

【0068】

以上の副画素ＳＰα、ＳＰβ及びＳＰγについて例示したように副画素ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３の表示素子２０を形成し、更に樹脂層１４、封止層１５及び樹脂層１６を形成することにより、図３に示した表示装置ＤＳＰの構造が実現される。

【0069】

ここで、上記したように隔壁６は下部６１と当該下部６１の側面から突出した上部６２とを有するが、当該隔壁６の突出量Ｄ（庇幅）が適切でない場合には、表示装置ＤＳＰの信頼性が低下する可能性がある。

【0070】

具体的には、表示装置ＤＳＰにおいては隔壁６によって副画素ＳＰ毎に有機層ＯＲが分断される構成であり、設計の値より当該隔壁６の突出量Ｄが十分に大きくない場合には、当該有機層ＯＲを適切に分断することができない可能性がある。また、隔壁６が有する下部６１の側面が有機層ＯＲで覆われてしまった場合には、当該下部６１と上電極ＵＥとの電気的な接続が阻害されてしまう。一方で、表示装置ＤＳＰにおいては隔壁６が有する下部６１の側面に上電極ＵＥが接触しているが、当該隔壁６の突出量Ｄが設計の値を超えるような場合には、当該下部６１の側面に上電極ＵＥが接触しない可能性がある。

【0071】

すなわち、上記した隔壁６の突出量Ｄが適切でない場合には信頼性が高い表示装置ＤＳＰを製造することができないため、当該表示装置ＤＳＰの製造工程において、当該突出量Ｄ（つまり、隔壁６が有する下部６１の側面と上部６２の端部との間の長さ）を計測することが有用である。

【0072】

ところで、一般的に、表示装置ＤＳＰの製造工程においては、複数の基材１０を含むマザー基材上に複数の表示パネルを形成したマザー基板を製造し、当該マザー基板からカットされた表示パネルの各々を用いて表示装置ＤＳＰを製造することが行われている。

【0073】

上記した表示装置ＤＳＰの製造工程においては、図８に示すように、マザー基板（アレイ基板）１００がロードロックチャンバ２００を介して真空状態が維持されているマザー基板検査装置３００に挿入され、当該マザー基板検査装置３００において当該マザー基板１００の品質が検査される。

【0074】

この場合、マザー基板検査装置３００には例えば走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ：Scanning Electron Microscopy）が搭載されており、当該マザー基板検査装置３００によれば、当該ＳＥＭに付属されているエネルギー分散型Ｘ線分光分析（ＥＤＸ：Energy Dispersive X-ray Spectroscopy）装置により、マザー基板１００に対する成分（元素）分析を実施することが可能である。

【0075】

本実施形態においては、上記したＥＤＸ装置を利用して、流動継続的に隔壁６の突出量Ｄを計測（検査）することを考える。

【0076】

ここで、図９を参照して、上記したＥＤＸ装置の構成について簡単に説明する。図９に示すように、ＥＤＸ装置４００は、試料台４０１、照射器４０２及び検出器４０３を備える。また、照射器４０２は、電子銃４０２ａ、集束レンズ４０２ｂ、走査コイル４０２ｃ及び対物レンズ４０２ｄを備える。

【0077】

電子銃４０２ａは、電子線を発生させる。集束レンズ４０２ｂ及び対物レンズ４０２ｄは、電子線を、試料台４０１に載置された試料（ここでは、マザー基板１００）上の電子スポットに集束する。これにより、照射器４０２は、試料に電子ビーム４０４を照射することができる。走査コイル４０２ｃは、電子線が収束される電子スポット（つまり、電子ビーム４０４の照射点）を試料上で走査（移動）させる。

【0078】

ここで、上記したように照射器４０２から試料に対して照射された電子ビーム４０４は、当該試料の表面から所定の深さまで入り込み、当該試料を構成する元素に応じた特性Ｘ線を発生する。この特性Ｘ線は、検出器４０３によって検出される。

【0079】

ＥＤＸ装置４００は、試料上で走査させた電子ビーム４０４の照射点の各々から発生する特性Ｘ線を利用して元素分析（含有元素成分分析）を行い、当該試料を構成する元素を特定する。ＥＤＸ装置４００は、このように特定された試料を構成する元素に基づく画像（以下、ＥＤＸ画像と表記）を生成することができる。なお、ＥＤＸ画像は、試料を構成する元素毎の画像が重畳された画像に相当する。

【0080】

本実施形態においては、上記したようにＥＤＸ装置４００よって生成されるＥＤＸ画像を用いて、隔壁６の突出量Ｄを計測するものとする。

【0081】

なお、本実施形態において、隔壁６の突出量Ｄは、ＥＤＸ装置４００と通信可能に接続される計測装置によって計測されるものとする。なお、計測装置は、マザー基板検査装置３００の一部として実現されていてもよいし、当該マザー基板検査装置３００とは異なる装置として実現されていてもよい。また、計測装置は、上記したＥＤＸ装置４００と一体として実現されていてもよい。

【0082】

以下、本実施形態に係る計測装置について説明する。図１０は、計測装置のハードウェア構成の一例を示す。

【0083】

図１０に示す計測装置５００は、例えばパーソナルコンピュータ等によって実現され、ＣＰＵ５００ａ、不揮発性メモリ５００ｂ、メインメモリ５００ｃ及び通信装置５００ｄ等を備える。

【0084】

ＣＰＵ５００ａは、計測装置５００の動作を制御するためのプロセッサであり、不揮発性メモリ５００ｂからメインメモリ５００ｃにロードされる各種プログラムを実行する。通信装置５００ｄは、計測装置５００の外部装置（例えば、ＥＤＸ装置４００等）との通信を実行する。

【0085】

図１１は、計測装置５００の機能構成の一例を示す。図１１に示すように、計測装置５００は、画像取得部５０１、画像解析部５０２及び計測部５０３を含む。

【0086】

なお、計測装置５００に含まれる各部５０１～５０３は、例えば上記したＣＰＵ５００ａ（つまり、計測装置５００のコンピュータ）が所定のプログラムを実行すること（つまり、ソフトウェア）により実現される機能部であるが、当該各部５０１～５０３の一部または全ては、例えばＩＣ（Integrated Circuit）等のハードウェアによって実現されてもよいし、ソフトウェア及びハードウェアの組み合わせによって実現されてもよい。

【0087】

本実施形態において計測装置５００はＥＤＸ装置４００と通信可能に接続され、画像取得部５０１は、上記したようにＥＤＸ装置４００によって生成されたＥＤＸ画像を当該ＥＤＸ装置４００から取得する。画像解析部５０２は、画像取得部５０１によって取得されたＥＤＸ画像を解析する。計測部５０３は、画像解析部５０２による解析結果に基づいて、上記したマザー基板１００上に形成されている隔壁６の突出量Ｄ（つまり、当該隔壁６が有する下部６１の側面から上部６２の端部までの長さ）を計測する。

【0088】

以下、図１２のフローチャートを参照して、本実施形態に係る計測装置５００の処理手順の一例について説明する。

【0089】

まず、複数の基材１０を含むマザー基材上に絶縁層１１、回路層１２、絶縁層１３、下電極ＬＥ、リブ５及び隔壁６が形成されたマザー基板１００が製造されると、当該マザー基板１００は、図８に示すロードロックチャンバ２００を介してマザー基板検査装置３００に挿入される。マザー基板検査装置３００において、ＥＤＸ装置４００は、ＥＤＸ画像を生成し、当該ＥＤＸ画像を計測装置５００に出力する。

【0090】

なお、ＥＤＸ装置４００から計測装置５００に出力されるＥＤＸ画像は、マザー基板１００（上に形成されている隔壁６等）に電子ビーム４０４を照射することによって当該マザー基板１００を構成する複数の元素を分析した結果に基づいて生成された当該元素毎の画像が重畳された画像に相当する。本実施形態においては隔壁６の突出量Ｄを計測するためにＥＤＸ画像を用いるため、ＥＤＸ装置４００は、基材１０に対して垂直な方向から隔壁６が有する上部６２の基材１０（下部６１）とは反対側の面に電子ビーム４０４を照射する。また、この電子ビーム４０４は、少なくとも隔壁６の上部６２を透過し、下部６１にまで到達する程度の強度で照射されるものとする。

【0091】

本実施形態においてＥＤＸ画像（画像ファイル）は、例えばｊｐｅｇ等のファイル形式である場合を想定しているが、他の形式のファイルであっても構わない。

【0092】

上記したようにＥＤＸ装置４００から出力されたＥＤＸ画像は、計測装置５００に含まれる画像取得部５０１によって取得される（ステップＳ１）。

【0093】

次に、画像取得部５０１は、ステップＳ１において取得されたＥＤＸ画像から、隔壁６を構成する元素毎の画像を抽出する（ステップＳ２）。

【0094】

ここで、隔壁６が有する下部６１（金属層６１２）は、例えばアルミニウムによって形成されている。また、隔壁が有する上部６２（第１層６２１）は、例えばチタンによって形成されている。この場合、画像取得部５０１は、ステップＳ１において取得されたＥＤＸ画像から、アルミニウムの画像及びチタンの画像を抽出する。

【0095】

なお、本実施形態において、ＥＤＸ画像から抽出されるアルミニウムの画像は、ＥＤＸ装置４００に備えられる検出器４０３によって検出されたアルミニウムに応じた特性性Ｘ線（当該アルミニウムから発生した特性Ｘ線）を画素にマッピングすることによって生成される画像に相当する。また、ＥＤＸ画像から抽出されるチタンの画像は、ＥＤＸ装置４００に備えられる検出器４０３によって検出されたチタンに応じた特性Ｘ線（当該チタンから発生した特性Ｘ線）を画素にマッピングすることによって生成される画像に相当する。

【0096】

ステップＳ２の処理が実行されると、画像解析部５０２は、当該ステップＳ２において抽出された元素毎の画像に基づいて、隔壁６の突出量Ｄに対応する画素数を取得する（ステップＳ３）。

【0097】

ここで、図１３は、アルミニウムの画像の一例を示す。図１３に示すアルミニウムの画像においては当該アルミニウムによって形成されている隔壁６が有する下部６１が可視化されており、当該アルミニウムの画像からは、例えば下部６１の平面視における方向Ｘの幅６０１（を表す画素数）を認識することができる。

【0098】

また、図１４は、チタンの画像の一例を示す。図１４に示すチタン画像においては当該チタンによって形成されている隔壁６が有する上部６２が可視化されており、当該チタンの画像からは、例えば上部６２の平面視における方向Ｘの幅６０２（を表す画素数）を認識することができる。

【0099】

この場合、画像解析部５０２は、アルミニウムの画像から認識される下部６１の方向Ｘの幅６０１とチタンの画像から認識される上部６２の方向Ｘの幅６０２との差分に基づいて、隔壁６の突出量Ｄに対応する画素数を取得することができる。

【0100】

ここで、図１５は、図１３に示すアルミニウムの画像の一部と図１４に示すチタンの画像の一部とを重畳して示している。図１５によれば、隔壁６が有する下部６１の幅６０１よりも隔壁６が有する上部６２の幅６０２が広く、当該下部６１の幅６０１（を表す画素数）と上部６２の幅６０２（を表す画素数）との差分から隔壁６の突出量Ｄに対応する画素数を取得することができる。具体的には、隔壁６の突出量Ｄに対応する画素数は、例えば「（上部６２の幅６０２を表す画素数－下部６１の幅６０１を表す画素数）×１／２」によって計算することができる。

【0101】

ここでは下部６１の幅６０１と上部６２の幅６０２との差分を用いた計算によって隔壁６の突出量Ｄに対応する画素数を取得するものとして説明したが、上記した図１５に示すようなアルミニウムの画像及びチタンの画像を重畳した画像上で、隔壁６の突出量Ｄに相当する画素数をカウントしてもよい。

【0102】

更に、ここでは方向Ｙに延在する下部６１の方向Ｘの幅６０１と方向Ｙに延在する上部６２の方向Ｘの幅６０２との差分に基づいて隔壁６の突出量Ｄに対応する画素数を取得するものとして説明したが、例えば方向Ｘに延在する下部６１の方向Ｙの幅と方向Ｘに延在する上部６２の方向Ｙの幅との差分に基づいて隔壁６の突出量Ｄに対応する画素数を取得してもよい。

【0103】

また、本実施形態においてはＥＤＸ画像から元素毎の画像（アルミニウムの画像及びチタンの画像）を抽出し、当該抽出された元素毎の画像に基づいて隔壁６の突出量Ｄに相当する画素数を取得するものとして説明したが、例えばＥＤＸ画像を構成する複数の画素の各々の画素値（輝度値）に基づいてアルミニウムが可視化されている領域及びチタンが可視化されている領域を特定することができる場合には、当該ＥＤＸ画像において特定されるアルミニウムが可視化されている領域及びチタンが可視化されている領域に基づいて隔壁６の突出量Ｄに相当する画素数を取得するような構成とすることも可能である。

【0104】

すなわち、本実施形態においては、ＥＤＸ画像（元素毎の画像）を解析することによって認識することができる当該画像の特徴（つまり、ＥＤＸ画像に対する解析結果）から隔壁６の突出量Ｄに相当する画素数を取得する構成であればよい。

【0105】

次に、計測部５０３は、ステップＳ３において取得された画素数に基づいて、隔壁６の突出量Ｄを計測する（ステップＳ４）。

【0106】

ステップＳ５において、計測部５０３は、例えば予め用意されている変換情報に基づいて、ステップＳ３において取得された画素数を隔壁６の突出量Ｄ（下部６１の側面と上部６２の端部との間の長さ）に変換する処理を実行する。

【0107】

変換情報は、例えばサイズ（長さ）が既知であるサンプルに電子ビーム４０４を照射することによって生成された当該サンプルを構成する少なくとも１つの元素の画像（つまり、サンプルを含む標準サンプルＥＤＸ画像）に基づいて生成される。具体的には、標準サンプルＥＤＸ画像に含まれるサンプルの一端（に対応する画素）から他端（に対応する画素）までの間に配置されている画素数をカウントし、当該サンプルの既知のサイズを当該画素数で除算することによって、１つの画素に対応する長さを示す変換情報が生成される。このような変換情報によれば、当該変換情報によって示される１つの画素に対応する長さにステップＳ３において取得された画素数を乗算することによって、当該画素数を隔壁６の突出量Ｄ（実寸）に変換することができる。なお、変換情報は、画素数を長さに変換することが可能な情報（つまり、画素数と長さとの対応関係が定義された情報）であればよい。

【0108】

ここでは１つの画素に対応する長さを示す変換情報に基づいて隔壁６の突出量Ｄが計測されるものとして説明したが、当該隔壁６の突出量Ｄは、ニューラルネットワーク等の機械学習アルゴリズムで生成された機械学習モデルを用いて計測（計算）されても構わない。このような機械学習モデルは、予め用意されたデータセットを学習することによって、ＥＤＸ画像（元素毎の画像）から取得される隔壁６の突出量Ｄに対応する画素数を入力することによって当該隔壁６の突出量Ｄ（実寸）を出力する（つまり、当該画素数から隔壁６の突出量Ｄを予測する）ように構築（生成）されていればよい。なお、このような機械学習モデルを生成するために用いられるデータセットは、例えば突出量Ｄが既知である隔壁６に電子ビーム４０４を照射することによって生成された当該隔壁６を構成する元素毎の画像（例えば、アルミニウムの画像及びチタンの画像）から人手により、または自動的に取得される当該既知の隔壁６の突出量Ｄに対応する画素数と当該既知の隔壁６の突出量Ｄとを含むものとする。

【0109】

上記した図１２に示す処理が実行されることによって計測された隔壁６の突出量Ｄが適切である場合には、マザー基板１００において、上記した図５～図７において説明したように各副画素ＳＰの表示素子２０を形成することができる。

【0110】

なお、上記した図１２においてはマザー基板１００上に形成されている隔壁６の一部の突出量Ｄを計測する場合について説明したが、当該図１２に示す処理は、隔壁６の複数の部分において突出量Ｄを計測するように複数回実行されてもよい。

【0111】

また、本実施形態においては隔壁６が有する下部６１を構成する元素（アルミニウム）の画像及び上部６２を構成する元素（チタン）の画像を用いて隔壁６の突出量Ｄを計測するものとして説明したが、当該隔壁６の突出量Ｄは、例えば図１６に示す絶縁層１３（リブ５）を構成するシリコン（Ｓｉ）等の元素の画像を利用して計測されてもよい。なお、絶縁層１３はマザー基板１００の概ね全面に形成されているが、図１６においては、隔壁６（下部６１及び上部６２）及び下電極ＬＥを構成する金属材料（Ａｌ、Ｔｉ及びＡｇ等）の下に形成されているシリコンは検出されていない。換言すれば、図１６は、例えば平面視において隔壁６が有する上部６２と下電極ＬＥとの間に形成されている絶縁層１３が可視化された画像を示している。

【0112】

例えば隔壁６が有する下部６１が比較的高い精度で形成されているものとすると、図１６に示す画像中の上部６２と下電極ＬＥとの間に形成されている絶縁層１３の方向Ｘまたは方向Ｙの幅（画素数）が予め定められた範囲内である場合に隔壁６の突出量Ｄが適切であるといった計測（予測）を行うことができる可能性がある。

【0113】

すなわち、本実施形態においてはＥＤＸ画像（元素毎の画像）に基づいて隔壁６の突出量Ｄを計測する構成であればよく、当該隔壁６の突出量Ｄの計測に用いられる元素（の画像）は、適宜、選択（変更）することが可能である。

【0114】

上記したように本実施形態においては、基材１０（マザー基材）上に配置された下部６１と当該下部６１の側面から突出した上部６２とを有する隔壁６を形成し、当該隔壁６に対して電子ビーム４０４を照射することによって生成された当該隔壁６を構成する元素毎の画像（第１画像）を取得し、当該取得された元素毎の画像を解析し、当該解析結果に基づいて隔壁６の突出量Ｄ（下部６１の側面から上部６２の端部までの長さ）を計測する。

【0115】

具体的には、本実施形態においては、隔壁６が有する下部６１を構成する元素（例えば、アルミニウム）の画像及び上部６２を構成する元素（例えば、チタン）の画像を取得し、当該取得された画像に基づいて隔壁６の突出量Ｄに対応する画素数を取得し、当該取得された画素数に基づいて隔壁６の突出量を計測する。

【0116】

また、隔壁６の突出量Ｄに対応する画素数は、例えばアルミニウム（第１元素）によって構成される下部６１の平面視における幅を表す画素数とチタン（第２元素）によって構成される上部６２の平面視における幅を表す画素数との差分に基づいて取得される。

【0117】

なお、上記したように下部６１を構成する元素の画像及び上部６２を構成する元素の画像に基づいて隔壁６の突出量Ｄを計測する場合、当該元素毎の画像（つまり、ＥＤＸ画像）を生成するための電子ビーム４０４は、少なくとも上部６２を透過し、下部６１に到達する強度で、基材１０に対して垂直な方向から上部６２の基材１０とは反対側の面に照射されるものとする。

【0118】

本実施形態においては、上記した構成により、隔壁６の突出量Ｄを計測して（つまり、当該隔壁６の突出量Ｄが適切であるか否かを確認して）表示装置ＤＳＰを製造することができるため、当該表示装置ＤＳＰの信頼性の低下を抑制することが可能である。

【0119】

また、本実施形態においては、マザー基板１００の品質を検査するために用いられるマザー基板検査装置３００に搭載されているＳＥＭに付属しているＥＤＸ装置４００を用いて隔壁６の突出量Ｄを計測する構成であるため、既存の設備を用いた流動継続的な計測（検査）を実現することができる。

【0120】

なお、上記したように本実施形態においてはＥＤＸ画像（元素毎の画像）から取得される隔壁６の突出量Ｄが計測される構成であればよいが、当該隔壁６の突出量Ｄは、例えば変換情報または機械学習モデルを用いて計測されることができる。この場合、変換情報は、例えばサイズ（長さ）が既知であるサンプルに電子ビーム４０４を照射することによって生成された当該サンプルを構成する元素毎の画像（第２画像）に基づいて予め用意されていればよい。また、機械学習モデルは、突出量Ｄが既知である隔壁６（サンプル）に電子ビーム４０４を照射することによって生成された当該隔壁６を構成する元素毎の画像（第２画像）に基づいて取得される当該隔壁６の既知の突出量Ｄに対応する画素数と当該隔壁６の既知の突出量Ｄとを含むデータセットを学習することによって生成されていればよい。

【0121】

また、本実施形態においてはＥＤＸ画像（元素毎の画像）から取得された隔壁６の突出量Ｄに対応する画素数に基づいて隔壁６の突出量Ｄが計測されるものとして説明したが、当該隔壁６の突出量Ｄを計測するために適切な画素数を取得するために所定の画像処理が実行されてもよいし、当該ＥＤＸ画像から適切な画素数を取得するように構築された機械学習モデルが用いられてもよい。

【0122】

以上、本発明の実施形態として説明した計測方法及び計測装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての表示装置も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。

【0123】

本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変形例に想到し得るものであり、それら変形例についても本発明の範囲に属するものと解される。例えば、上述の実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、若しくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。

【0124】

また、上述の実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について、本明細書の記載から明らかなもの、または当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。

【符号の説明】

【0125】

ＤＳＰ…表示装置、ＤＡ…表示領域、ＮＤＡ…非表示領域、ＰＸ…画素、ＳＰ，ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３…副画素、ＬＥ，ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３…下電極、ＵＥ，ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３…上電極、ＯＲ，ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３…有機層、ＳＥ，ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３…封止層、１…画素回路、２…画素スイッチ、３…駆動トランジスタ、４…キャパシタ、５…リブ、６…隔壁、１０…基材、１１…絶縁層、１２…回路層、１３…絶縁層、１４…樹脂層、１５…封止層、１６…樹脂層、２０…表示素子、６１…下部、６２…上部、１００…マザー基板、２００…ロードロックチャンバ、３００…マザー基板検査装置、４００…ＥＤＸ装置、４０１…試料台、４０２…照射器、４０２ａ…電子銃、４０２ｂ…集束レンズ、４０２ｃ…走査コイル、４０２ｄ…対物レンズ、４０３…検出器、５００…計測装置、５００ａ…ＣＰＵ、５００ｂ…不揮発性メモリ、５００ｃ…メインメモリ、５００ｄ…通信装置、５０１…画像取得部、５０２…画像解析部、５０３…計測部。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】