特開 2024-99423 転写方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024099423

(43)【公開日】2024-07-25

(54)【発明の名称】転写方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/52 20060101AFI20240718BHJP

   H01L 21/50 20060101ALI20240718BHJP

【ＦＩ】

H01L21/52 C

H01L21/50 C

【審査請求】未請求

【請求項の数】9

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023003361

(22)【出願日】2023-01-12

(71)【出願人】

【識別番号】000219314

【氏名又は名称】東レエンジニアリング株式会社

(72)【発明者】

【氏名】陣田 敏行

(72)【発明者】

【氏名】新井 義之

(72)【発明者】

【氏名】岡田 達弥

(72)【発明者】

【氏名】風間 浩一

【テーマコード（参考）】

5F047

【Ｆターム（参考）】

5F047AA00

5F047BA21

5F047BB16

5F047FA01

5F047FA02

(57)【要約】

【課題】ブリスタリングにより被転写基板上に転写された後の素子が位置ずれすることを防ぐことができる転写方法を提供する。
【解決手段】転写基板２２上に保持された素子２１を被転写基板２３へ転写する転写方法であり、転写基板２２に保持された素子２１と被転写基板２３とを対向させる転写準備工程と、所定の素子２１の保持領域もしくはその近傍で転写基板２２にブリスタ３０を生じさせることによって、所定の素子２１を被転写基板２３に保持させる転写工程と、ブリスタ３０を破裂させるブリスタ破裂工程と、を有する。
【選択図】図５

【特許請求の範囲】

【請求項1】

転写基板上に保持された素子を被転写基板へ転写する転写方法であり、
前記転写基板に保持された素子と前記被転写基板とを対向させる転写準備工程と、
所定の素子の保持領域もしくはその近傍で前記転写基板にブリスタを生じさせることによって、前記所定の素子を前記被転写基板に保持させる転写工程と、
前記ブリスタを破裂させるブリスタ破裂工程と、
を有することを特徴とする、転写方法。

【請求項2】

前記転写工程では、活性エネルギー線の照射により前記転写基板に前記ブリスタを生じさせ、前記ブリスタ破裂工程では、活性エネルギー線の照射により前記ブリスタを破裂させることを特徴とする、請求項１に記載の転写方法。

【請求項3】

前記ブリスタ破裂工程では、前記転写工程よりも前記ブリスタの複数回の活性エネルギー線の照射位置を密集させることにより、前記ブリスタを破裂させることを特徴とする、請求項２に記載の転写方法。

【請求項4】

前記転写工程では、前記所定の素子の保持位置の近傍にて活性エネルギー線の照射位置を移動させながら間欠的に活性エネルギー線を照射することにより前記ブリスタを形成しており、前記ブリスタ破裂工程では、前記転写工程時よりも活性エネルギー線の出射の時間間隔を短くすることにより、複数回の活性エネルギー線の照射位置を密集させることを特徴とする、請求項３に記載の転写方法。

【請求項5】

前記転写工程では、前記所定の素子の保持位置の近傍にて活性エネルギー線の照射位置を移動させながら間欠的に活性エネルギー線を照射することにより前記ブリスタを形成しており、前記ブリスタ破裂工程では、前記転写工程時よりも活性エネルギー線の照射位置の移動速度を減速させる、もしくは停止させることにより、複数回の活性エネルギー線の照射位置を密集させることを特徴とする、請求項３に記載の転写方法。

【請求項6】

前記ブリスタ破裂工程では、前記転写工程時よりも活性エネルギー線のエネルギー密度を高くすることにより、前記ブリスタを破裂させることを特徴とする、請求項２に記載の転写方法。

【請求項7】

前記ブリスタ破裂工程では、活性エネルギー線の照射高さを調節して前記転写工程時よりも活性エネルギー線の焦点の近傍に前記転写基板を位置させることにより、活性エネルギー線のエネルギー密度を高くすることを特徴とする、請求項６に記載の転写方法。

【請求項8】

前記ブリスタ破裂工程では、活性エネルギー線の出射エネルギーを高めることにより、活性エネルギー線のエネルギー密度を高くすることを特徴とする、請求項６に記載の転写方法。

【請求項9】

前記ブリスタが破裂した後、前記転写基板上の素子の配列方向に前記転写基板と前記被転写基板とを相対移動させる配列方向移動工程をさらに有することを特徴とする、請求項１に記載の転写方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、光エネルギーを転写基板に照射し、ブリスタリングを利用して素子を被転写基板へ転写する、転写方法に関する。

【背景技術】

【0002】

近年、半導体チップはコスト低減のために小型化され、この小型化した半導体チップを高精度に実装するための取組みが行われている。この小型化したチップを高速で実装するにあたり、転写基板に接合されたチップの転写基板との接合面へレーザを照射することによってアブレーションを生じさせ、チップを転写基板から剥離、付勢させて被転写基板へと転写する、いわゆるレーザリフトオフなる手法が採用されている。

【0003】

特許文献１には、転写基板に設けられた、表面側に接着材層を有するブリスタリング層にレーザビームを照射することによって、ブリスタリング層をアブレーションさせる技術が開示されている。このブリスタリング層ではアブレーションによってブリスタ（膨らみ）が生じ、このブリスタの発生によって接着剤層に接着されていた物品（素子）を押し出し、これにより物品を転写基板から切り離す。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特表２０１４－５１５８８３号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

しかしながら、特許文献１で示される素子の転写方法では、被転写基板に転写された素子が位置ずれを起こすおそれがあった。具体的には、図７（ａ）に示すように転写基板１２２が有するブリスタリング層１２４にレーザ光１１１を照射してブリスタ１３０を生じさせて素子１２１を被転写基板１２３へ転写するにあたって、ブリスタ１３０の大きさによっては図７（ｂ）に示すように素子１２１の全体が被転写基板１２３上のキャッチ層１２５に転写された後もブリスタ１３０がしぼむまでブリスタリング層１２４が素子１２１に付着している状態が続く場合がある。ここで、仮にキャッチ層１２５の粘着力がブリスタリング層１２４の粘着力よりも充分大きくなかった場合には、たとえば素子の配列間隔を変更するために転写基板１２２と被転写基板１２３とを相対移動させたときに、図７（ｃ）に示すように未だ素子１２１に付着しているブリスタリング層１２４に素子１２１が引っ張られて位置ずれが生じるといった問題があった。

【0006】

本願発明は、上記問題点を鑑み、ブリスタリングにより被転写基板上に転写された後の素子が位置ずれすることを防ぐことができる転写方法を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0007】

上記課題を解決するために本発明の転写方法は、転写基板上に保持された素子を被転写基板へ転写する転写方法であり、前記転写基板に保持された素子と前記被転写基板とを対向させる転写準備工程と、所定の素子の保持領域もしくはその近傍で前記転写基板にブリスタを生じさせることによって、前記所定の素子を前記被転写基板に保持させる転写工程と、前記ブリスタを破裂させるブリスタ破裂工程と、を有することを特徴としている。

【0008】

本発明の転写方法によれば、ブリスタ破裂工程を有していることにより、被転写基板への素子の転写に供したブリスタを強制的に萎ませて素子から離間させることができるため、ブリスタによって素子の位置ずれが生じることを防ぐことができる。

【0009】

また、前記転写工程では、活性エネルギー線の照射により前記転写基板に前記ブリスタを生じさせ、前記ブリスタ破裂工程では、活性エネルギー線の照射により前記ブリスタを破裂させると良い。

【0010】

こうすることにより、多くの機器を設けることなくブリスタ破裂工程を実施することができる。

【0011】

また、前記ブリスタ破裂工程では、前記転写工程よりも前記ブリスタの複数回の活性エネルギー線の照射位置を密集させることにより、前記ブリスタを破裂させると良い。

【0012】

こうすることにより、ブリスタを破裂させるに足るエネルギーを局所的に付与することができる。

【0013】

ここで、転写工程では、前記所定の素子の保持位置の近傍にて活性エネルギー線の照射位置を移動させながら間欠的に活性エネルギー線を照射することにより前記ブリスタを形成しており、前記ブリスタ破裂工程では、前記転写工程時よりも活性エネルギー線の出射の時間間隔を短くすることにより、複数回の活性エネルギー線の照射位置を密集させると良い。

【0014】

一方、前記転写工程では、前記所定の素子の保持位置の近傍にて活性エネルギー線の照射位置を移動させながら間欠的に活性エネルギー線を照射することにより前記ブリスタを形成しており、前記ブリスタ破裂工程では、前記転写工程時よりも活性エネルギー線の照射位置の移動速度を減速させる、もしくは停止させることにより、複数回の活性エネルギー線の照射位置を密集させても良い。

【0015】

また、前記ブリスタ破裂工程では、前記転写工程時よりも活性エネルギー線のエネルギー密度を高くすることにより、前記ブリスタを破裂させると良い。

【0016】

こうすることにより、ブリスタを破裂させるに足るエネルギーを局所的に付与することができる。

【0017】

ここで、前記ブリスタ破裂工程では、活性エネルギー線の照射高さを調節して前記転写工程時よりも活性エネルギー線の焦点の近傍に前記転写基板を位置させることにより、活性エネルギー線のエネルギー密度を高くすると良い。

【0018】

一方、前記ブリスタ破裂工程では、活性エネルギー線の出射エネルギーを高めることにより、活性エネルギー線のエネルギー密度を高くしても良い。

【0019】

また、ブリスタが破裂した後、前記転写基板上の素子の配列方向に前記転写基板と前記被転写基板とを相対移動させる配列方向移動工程をさらに有すると良い。

【0020】

こうすることにより、配列方向移動工程が実施されるときにブリスタが素子に付着している状態を回避することができるため、配列方向移動工程中に素子がブリスタに引っ張られて位置ずれすることを防ぐことができる。

【発明の効果】

【0021】

本発明の転写方法により、ブリスタリングにより被転写基板上に転写された後の素子が位置ずれすることを防ぐことができる。

【図面の簡単な説明】

【0022】

【図1】本発明の転写方法を実施するための転写装置を説明する図である。

【図2】本発明の一実施形態における転写工程を説明する図である。

【図3】本発明の一実施形態におけるブリスタ破裂工程を説明する図である。

【図4】本発明の他の実施形態におけるブリスタ破裂工程を説明する図である。

【図5】本発明の一実施形態における転写方法を説明する図である。

【図6】本発明の他の実施形態における転写工程およびブリスタ破裂工程を説明する図である。

【図7】従来の転写方法において素子の転写に失敗した例を説明する図である。

【発明を実施するための形態】

【0023】

本発明の転写方法を実施するための転写装置について、図１を参照して説明する。

【0024】

転写装置１０は、レーザ光１１を照射するレーザ照射部１２、転写基板２２を保持して少なくともＸ軸方向、Ｙ軸方向に移動可能な転写基板把持部１３、転写基板把持部１３の下側にあって転写基板２２と隙間を有して対向するように被転写基板２３を保持する被転写基板把持部１４、および図示しない制御部を備えており、転写基板２２にレーザ光１１を照射することによって転写基板でアブレーションを生じさせ、転写基板２２から被転写基板２３へ素子２１を転写する。

【0025】

レーザ照射部１２は、本発明におけるエネルギー照射部の一実施形態であり、活性エネルギー線であるエキシマレーザなどのレーザ光１１を照射する装置であり、転写装置１０に固定して設けられる。本実施形態においては、レーザ照射部１２はスポット状のレーザ光１１を間欠的に出射し、レーザ光１１は、制御部により角度が調節されるガルバノミラー１５およびＦθレンズ１６を介してＸ軸方向およびＹ軸方向の照射位置が制御され、転写基板把持部１３に保持された転写基板２２に複数配置されている素子２１に選択的に照射する。レーザ光１１が転写基板２２を通して素子２１近傍に入射することによって、転写基板２２と素子２１との間で活性エネルギー（光エネルギー）の付与によるアブレーションが生じ、このアブレーションによって素子２１は付勢され、転写基板２２から被転写基板２３へ素子２１が転写される。なお、本説明では素子２１はたとえば半導体チップである。

【0026】

また、転写装置１０はレーザ出射部１２から出射されたレーザ光１１を真下（Ｚ軸方向）に反射するミラー１７ａおよびミラー１７ａが反射したレーザ光１１を反射してガルバノミラー１５へ入射させるミラー１７ｂを有している。また、レーザ出射部１２とミラー１７ａの間には、図示しないエキスパンダーレンズ、コリメートレンズなどの光学系が設けられている。

【0027】

また、図１の二点鎖線に囲まれたミラー１７ｂ、ガルバノミラー１５、Ｆθレンズ１６は共通のフレームに取り付けられて一体となってＺ軸方向に移動可能となっており、これらがＺ軸方向に移動することにより、転写基板２２近傍におけるレーザ光１１のＺ軸方向の焦点位置を調節することができる。

【0028】

転写基板把持部１３は開口を有し、転写基板２２の外周部近傍を吸着把持する。転写基板把持部１３に保持された転写基板２２へこの開口を介してレーザ照射部１２から発せられたレーザ光１１を当てることができる。

【0029】

転写基板２２は、ガラスなどを材料としてレーザ光１１を透過することが可能な基板であり、下面側で素子２１を保持する。また、この転写基板２２の素子２１を保持する面にはブリスタリング層２４が形成されており、このブリスタリング層２４の表面は粘着性を有する。このブリスタリング層２４の表面の粘着力が素子２１の保持力となり、素子２１を粘着保持する。

【0030】

また、転写基板把持部１３は図示しない移動機構により、少なくともＸ軸方向、Ｙ軸方向に関して被転写基板把持部１４に対して相対移動する。図示しない制御部がこの移動機構を制御し、転写基板把持部１３の位置を調節することにより、転写基板２２に保持された素子２１の被転写基板２３に対する相対位置を調節することができる。また、転写基板把持部１３がＺ方向にも移動可能であって、転写基板２２や被転写基板２３の厚みに応じて被転写基板把持部１４に対する転写基板把持部１３の相対高さが調節されても良い。

【0031】

被転写基板把持部１４は、上面に平坦面を有し、素子２１の転写工程中、転写基板２２のブリスタリング層２４およびブリスタリング層２４が保持する素子２１と被転写基板２３の被転写面が対向するように被転写基板２３を把持する。この被転写基板把持部１４の上面には複数の吸引孔が設けられており、吸引力により被転写基板２３の裏面（素子２１が転写されない方の面）を把持する。

【0032】

ここで、本実施形態における被転写基板２３は、ガラスなどを材料とする基板であり、被転写面（素子２１を受ける側の面）には、粘着性を有するキャッチ層２５が設けられ、転写基板２２から転写された素子２１を粘着保持する。

【0033】

なお、本実施形態では、転写基板把持部１３のみがＸ軸方向およびＹ軸方向に移動することにより転写基板把持部１３と被転写基板把持部１４とがＸＹ方向に相対移動する形態をとっているが、被転写基板２３の寸法が大きく、レーザ光１１の照射範囲の直下に被転写基板２３の全面が位置できない場合には、被転写基板把持部１４にもＸ軸方向およびＹ軸方向の移動機構が設けられていても良い。

【0034】

以上の構成を有する転写装置１０において、素子２１を挟んで転写基板２２と被転写基板２３とが対向した状態において転写基板２２を通して素子２１に向けてレーザ光１１が照射され、ブリスタリング層２４にレーザ光１１が照射されることによって、レーザ光１１のエネルギーによってブリスタリング層２４の材料の一部が分解され、ガスが発生する。このブリスタリング層２４の材料の分解およびガスの発生により、図１に示すようにブリスタリング層２４の内部もしくは転写基板２２のガラス面２２ａとブリスタリング層２４との間でブリスタ（気泡）３０が発生する。このようにブリスタ３０が発生する現象を本説明ではブリスタリングと呼ぶ。

【0035】

本発明の転写装置を用いた転写方法内の一工程である転写工程の一実施形態を、図２を用いて説明する。図２（ａ）は図１におけるＡＡ矢視図であり、図２（ｂ）は転写基板２２および被転写基板２３を含めた正面図である。

【0036】

本実施形態の転写工程では、図２（ａ）に示す通り、転写基板２２に設けられたブリスタリング層２４における一つの素子２１が保持されている領域（図２（ａ）における破線部）において照射位置を変更しながらレーザ光１１を複数回照射することにより、各照射位置で生じる小さなブリスタを連結させて図２（ｂ）に示すような１つの大きなドーム状のブリスタ３０を形成させる。このようにブリスタ３０を形成させることにより、素子２１がブリスタリング層２４の表面部分に保持されたまま素子２１を被転写基板２３へ接近させるとともにブリスタリング層２４と素子２１の接触面積を減少させて、素子２１を転写基板２２から被転写基板２３へ転写する。このレーザ光１１の照射位置（以下、照射スポットとも呼ぶ）の変更は、本実施形態では前述の通り照射位置制御部であるガルバノミラー１５によって行われる。

【0037】

このとき、本実施形態におけるレーザ光１１の照射スポットの移動の軌跡は、図２（ａ）に示すようにＸ軸方向の直線状の移動、移動方向の９０度回転、Ｙ軸方向の直線状の移動、移動方向の９０度回転、が繰り返されて、略渦巻き形態となっている。そして、各照射スポットの間隔が略均一になるようにレーザ光１１の照射を行っている。

【0038】

次に、転写方法内の一工程であるブリスタ破裂工程の一実施形態を、図３を用いて説明する。図３（ａ）は図１におけるＡＡ矢視図であり、図３（ｂ）は転写基板２２および被転写基板２３を含めた正面図である。

【0039】

本発明におけるブリスタ破裂工程は、素子２１の転写のために形成したブリスタ３０をあえて破裂させて萎ませる工程である。本実施形態では、転写工程と同様にレーザ出射部１２から出射されて転写基板２２に照射されるレーザ光１１を用いてブリスタ３０を破裂させる。

【0040】

具体的には、ブリスタ破裂工程では転写工程時よりも大きなエネルギーがブリスタ３０を囲うブリスタリング層２４の一部分に局所的に付与されることによって、この大きなエネルギーが付与された箇所において図３（ｂ）に示すようにブリスタリング層２４に貫通孔である破裂部２４ａが形成される。これにより、ブリスタ３０が破裂する。このようにブリスタ３０が破裂することによって、ブリスタ３０内のガスが外部へ抜け、ブリスタ３０は萎んでゆく。そのとき、キャッチ層２５による素子２１の保持力がブリスタリング層２４による素子２１の保持力より大きければ、ブリスタ３０が萎むのにともなってブリスタリング層２４が素子２１から剥がれ、離間する。このように、ブリスタ破裂工程が行われることによって、ブリスタリング層２４を素子２１から強制的に離間させることができる。

【0041】

ここで、本実施形態では、ブリスタ破裂工程で転写工程時よりも大きなエネルギーをブリスタリング層２４に局所的に付与するために、図３（ａ）に示す照射予定位置２６ａや照射予定位置２６ｂのような転写工程時に照射スポットが形成されうる位置の間隔と比較して、照射予定位置２６ｃのように複数回の照射スポットの位置を密集させている。このように照射スポットの位置を密集させることにより、仮に転写工程時と同様の出力のレーザ光１１を利用した場合であっても破裂部２４ａを形成するに足るエネルギーを局所的に付与することができる。

【0042】

このようにブリスタ破裂工程において照射スポットの位置を密集させる方法として、たとえばレーザ出射部１２によるレーザ光１１の出射時間間隔を転写工程時よりも短くする方法、照射位置を制御するガルバノミラー１５の移動速度を転写工程時よりも減速する、もしくは停止させる方法などを用いることができる。特に、ガルバノミラー１５の移動速度を減速もしくは停止させる方法においては、レーザ出射部１２では一定の出力のレーザ光１１を一定の時間間隔で出射する状態を維持しながら照射スポットを密集させることができるため、レーザ光１１の制御が乱れることを回避することができる。

【0043】

次に、本発明の他の実施形態におけるブリスタ破裂工程を、図４を用いて説明する。

【0044】

上記のブリスタ破裂工程では、照射スポットを密集させて複数のレーザ光１１を用いることによって破裂部２４ａを形成するに足るエネルギーを局所的に付与していたのに対し、図４（ａ）および図４（ｂ）に示すブリスタ破裂工程では、ブリスタリング層２４に照射されるレーザ光１１のエネルギー密度を転写工程時のレーザ光１１のエネルギー密度よりも高くすることにより、少数のレーザ光１１で破裂部２４ａを形成するに足るエネルギーを局所的に付与して、ブリスタを破裂させている。

【0045】

具体的には、図４（ａ）に示すブリスタ破裂工程では、レーザ出射部１２から出射されるレーザ光１１のパラメータを調整しており、ブリスタ破裂工程を行うために照射予定位置２６ｄに照射スポットを形成するにあたって、レーザ出射部１２は他の（転写工程時の）照射スポットの形成時よりも出射エネルギーを高めてレーザ光１１を出射する。

【0046】

また、図４（ｂ）に示すブリスタ破裂工程では、図１に示したミラー１７ｂ、ガルバノミラー１５、Ｆθレンズ１６の高さを転写工程時から変化させており、ブリスタ破裂工程を行うために照射予定位置２６ｅに照射スポットを形成するにあたって、転写工程時よりもレーザ光１１の焦点の近傍にブリスタリング層２４を位置させることにより、レーザ光１１のエネルギー密度を高くしている。

【0047】

ここで、転写工程におけるレーザ光１１の照射においては、一度のレーザ光１１の照射によって所定の面積に対し略均一の大きさのエネルギーを付与するよう、レーザ光１１の照射光学系の調整が行われるとともに意図的にレーザ光１１の焦点から外れた箇所にブリスタリング層２４を含む転写基板２２を位置させている。これに対し、ブリスタ破裂工程では転写工程時よりもレーザ光１１の焦点の近傍にブリスタリング層２４を位置させることによって、ブリスタリング層２４における照射スポットの大きさが小さくなり、その分エネルギー密度が高くなる。そのため、仮にレーザ出射部１２から出射されるレーザ光１１の出力が転写工程時とブリスタ破裂工程時とで同一であっても照射スポットにおけるエネルギー密度に差を持たせることが可能であり、これを利用してブリスタ破裂工程時に破裂部２４ａを形成するに足るエネルギーを局所的に付与することも可能である。

【0048】

また、図４（ａ）、（ｂ）に示す例ではエネルギー密度が高いレーザ光１１は１回のみ照射されているが、複数回照射されても良い。

【0049】

次に、本発明の一実施形態における転写方法の一連のフローを、図５を用いて説明する。

【0050】

まず、図５（ａ）の左半分に示すように、転写基板２２が素子２１を保持し、素子２１と被転写基板２３とが離間した状態で、素子２１を挟むように転写基板２２と被転写基板２３とを対向させる。本説明では、この工程を転写準備工程と呼ぶ。

【0051】

次に、図５（ａ）の右半分に示すように、所定の素子２１の近傍にレーザ光１１を照射してブリスタリング層２４にブリスタ３０を生じさせることにより、素子２１を被転写基板２３に接近させ、被転写基板２３に保持させる。この工程を、前述の通り転写工程と呼ぶ。

【0052】

図５（ｂ）は、転写工程が進行して一つの素子２１の保持領域に対し複数回のレーザ光１１の照射が行われ、大きなブリスタ３０が形成されるとともに、ブリスタリング層２４が素子２１に付着したまま素子２１全体が被転写基板２３のキャッチ層２５に転写された状態を示している。

【0053】

次に、図５（ｃ）に示すようにブリスタ３０を囲うブリスタリング層２４に破裂部２４ａが設けられ、ブリスタ３０を破裂させる。この工程を、前述の通りブリスタ破裂工程と呼び、ブリスタ３０が破裂することによりブリスタ３０は萎み、ブリスタリング層２４が素子２１から離間する。

【0054】

被転写基板２３に転写された素子２１とブリスタリング層２４とがブリスタ破裂工程によって完全に分離された後、次に、図５（ｄ）に示すように転写基板２２上の素子２１の配列方向（図５におけるＸ軸方向）に転写基板２２と被転写基板２３とが相対移動する。本説明では、この工程を配列方向移動工程と呼ぶ。本実施形態では、転写基板把持部１３がＸ軸方向に移動することにより、転写基板２２と被転写基板２３とが相対移動する。

【0055】

このように配列方向移動工程が行われることにより、転写基板２２上では素子２１のピッチが図５（ａ）に示すように距離Ｐ１だったものが任意に調節され、後述するように任意のピッチで被転写基板２３上に複数の素子２１を配列させることができる。

【0056】

ここで、仮に従来のようにブリスタ破裂工程無く配列方向移動工程を実施しようとする場合、素子２１の被転写基板２３に保持される面全体が被転写基板２３に保持された後でも、ブリスタ３０が自然に萎むまではブリスタリング層２４が素子２１に付着し続ける可能性がある。

【0057】

そしてブリスタリング層２４が素子２１に付着したまま配列方向移動工程が実施された場合、被転写基板２３上の素子２１がブリスタリング層２４に引っ張られて位置ずれが生じる可能性がある。

【0058】

このようにブリスタリング層２４が素子２１を位置ずれさせてしまうか否かは、ブリスタリング層２４に起因するものだと、ブリスタ３０の大きさ、形状に起因するキャッチ層２５への押付力や密着性のばらつき、ブリスタリング層２４自身の粘着力や厚みのばらつきに応じて左右される。また、素子２１に起因するものだと、素子２１の形状の不均一性、それによるキャッチ層との密着性のばらつきに応じて左右される。また、キャッチ層２５に起因するものだと、その粘着力や厚みのばらつきに応じて左右される。また、レーザ光１１に起因するものだと、その照射位置やエネルギー分布のばらつきに応じて左右される。

【0059】

これに対し、本発明では配列方向移動工程の前にブリスタ破裂工程が設けられることにより、配列方向移動工程開始時にはブリスタリング層２４から素子２１が完全に分離している。そのため、上記のような被転写基板２３上の素子２１の位置ずれが生じることを防止することができる。

【0060】

配列方向移動工程により所定の距離だけ転写基板２２と被転写基板２３とが相対移動し終わると、次に転写する素子２１が被転写基板２３に対向した状態となり、これは次の素子２１に対する転写準備工程が行われたことに相当する。そして、図５（ｅ）に示すように次の素子２１へのレーザ光１１の照射が行われることにより、次の素子２１への転写工程が行われる。

【0061】

上記の通り転写準備工程、転写工程、ブリスタ破裂工程、配列方向移動工程を経ることにより、図５（ｅ）にて距離Ｐ２で示すように、転写基板２２上での素子２１のピッチ（距離Ｐ１）に対して被転写基板２３上の素子２１同士のピッチが任意のピッチとなるように調節された上で、次の素子２１が転写基板２２から被転写基板２３へ転写される。

【0062】

以上の転写方法により、ブリスタリングにより被転写基板上に転写された後の素子が位置ずれすることを防ぐことが可能である。

【0063】

ここで、本発明の転写方法は、以上で説明した形態に限らず本発明の範囲内において他の形態のものであってもよい。たとえば、上記の説明では図２（ａ）などに示すように照射スポットの移動の軌跡は略渦巻き状であるが、これに限らずたとえば図６に示すようにジグザグ状であっても良い。

【0064】

また、素子２１の面積が充分に小さい場合、１回の転写工程におけるレーザ光１１の照射は１回のみであっても良い。

【0065】

また、上記の説明では、素子２１の全体が被転写基板２３に転写された後にブリスタ破裂工程が実施されているが、これに限らずたとえば図５（ａ）に示すように素子２１の一部が先行して被転写基板２３と接触し、その後徐々に被転写基板２３と保持される部分が増加することによって最終的に素子２１全体が被転写基板２３に保持される形態を転写工程が有しているならば、素子２１の一部が被転写基板２３に保持された時にブリスタ破裂工程が実施されても良い。

【0066】

また、上記の説明では、レーザ光１１は図３（ａ）などに破線で示した素子保持領域内に照射されているが、これに限らず、ブリスタリングにより所定の素子２１を被転写基板２３へ接近させる効果を奏することを条件に、素子保持領域の近傍であって素子保持領域の周辺にレーザ光１１が照射されても良い。

【0067】

また、必ずしも転写基板２２上の全ての素子２１において被転写基板２３への転写後もブリスタリング層２４が素子２１に付着している必要は無く、一部の素子２１において被転写基板２３への転写後もブリスタリング層２４が素子２１に付着するおそれがある場合に、本発明の通りブリスタ破裂工程を有する転写方法が好適に用いられうる。

【0068】

また、上記の説明ではブリスタ破裂工程では転写工程と同様に転写基板２２を通して上方からレーザ光１１を照射してブリスタ３０を破裂させているが、これに限らずたとえばブリスタリング用のレーザ光１１とは別の破裂用のレーザ光を横方向からブリスタ３０へ照射してブリスタ３０を破裂させても良い。

【0069】

また、ブリスタ３０を破裂させる手段はレーザ光に限らず、たとえばニードルなどでブリスタ３０を破裂させても良い。

【0070】

また、上記の説明ではブリスタリング層およびキャッチ層は粘着力によって素子を保持するが、粘着力以外の保持力によって素子を保持しても良い。

【符号の説明】

【0071】

１０ 転写装置
１１ レーザ光（活性エネルギー線）
１２ レーザ光源（エネルギー照射部）
１３ 転写基板把持部
１４ 被転写基板把持部
１５ ガルバノミラー
１６ Ｆθレンズ
１７ａ ミラー
１７ｂ ミラー
２１ 素子
２２ 転写基板
２２ａ ガラス面
２３ 被転写基板
２４ ブリスタリング層
２４ａ 破裂部
２５ キャッチ層
２６ａ～ｅ 照射予定位置
３０ ブリスタ
１１１ レーザ光
１２１ 素子
１２２ 転写基板
１２３ 被転写基板
１２４ ブリスタリング層
１２５ キャッチ層
１３０ ブリスタ

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】