特開 2024-998 試験測定システム及び方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024000998

(43)【公開日】2024-01-09

(54)【発明の名称】試験測定システム及び方法

(51)【国際特許分類】

   G01R 31/26 20200101AFI20231226BHJP

【ＦＩ】

G01R31/26 B

【審査請求】未請求

【請求項の数】20

【出願形態】ＯＬ

【外国語出願】

(21)【出願番号】P 2023101856

(22)【出願日】2023-06-21

(31)【優先権主張番号】63/354,202

(32)【優先日】2022-06-21

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(31)【優先権主張番号】18/212,071

(32)【優先日】2023-06-20

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(71)【出願人】

【識別番号】505436014

【氏名又は名称】ケースレー・インスツルメンツ・エルエルシー

【氏名又は名称原語表記】Ｋｅｉｔｈｌｅｙ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ，ＬＬＣ

(74)【代理人】

【識別番号】100090033

【弁理士】

【氏名又は名称】荒船 博司

(74)【代理人】

【識別番号】100093045

【弁理士】

【氏名又は名称】荒船 良男

(72)【発明者】

【氏名】グレゴリー・ソボレフスキ

【テーマコード（参考）】

2G003

【Ｆターム（参考）】

2G003AA02

2G003AB05

2G003AD01

2G003AE06

2G003AE09

2G003AH01

(57)【要約】

【課題】静的及び動的特性測定を組み合わせて統合した測定システムでＤＵＴのリーク電流測定を実行する。
【解決手段】試験測定システム１００は、１つ以上のＤＵＴ７０に結合するように構成された被試験デバイス（ＤＵＴ）インタフェース５８と、電力供給装置５０内、具体的にはスイッチング回路６０内に収容されても良い特性測定回路とを有する。特性測定回路は、１つ以上のＤＵＴ７０の静的試験及び動的試験を実行するよう制御されるように構成される。このデバイス特性測定回路は、１つ以上のＤＵＴ７０のドレインに結合され、ドレイン・リーク電流の値を提示するように構成されたドレイン・アンプを含む。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

１つ以上のＤＵＴに結合するように構成された被試験デバイス（ＤＵＴ）インタフェースと、
上記１つ以上のＤＵＴの静的試験及び動的試験を実行するよう制御されるように構成されたデバイス特性測定回路と、
上記１つ以上のＤＵＴのドレインに結合され、ドレイン・リーク電流の値を提示するように構成されたドレイン・アンプと
を具える試験測定システム。

【請求項2】

上記デバイス特性測定回路は、バイパス・スイッチを更に有し、該バイパス・スイッチの動作により、上記ドレイン・アンプが、ドレイン・リーク電流の値を提示するのをイネーブル又はディセーブルする請求項１の試験測定システム。

【請求項3】

上記ドレイン・アンプは、上記１つ以上のＤＵＴのドレインとグラウンド基準電位との間に結合される請求項１の試験測定システム。

【請求項4】

上記１つ以上のＤＵＴが、第１ＭＯＳＦＥＴデバイス及び第２ＭＯＳＦＥＴデバイスを有し、上記デバイス特性測定回路が、
第１及び第２ＭＯＳＦＥＴデバイス間に結合されたインダクタと、
該インダクタと直列で上記デバイス特性測定回路におけるインダクタの効果をイネーブルするのを制御できるように構成されたスイッチと
を更に有する請求項１の試験測定システム。

【請求項5】

上記デバイス特性測定回路が、上記１つ以上のＤＵＴのゲートに結合され、ゲート・リーク電流の値を提示するように構成されたゲート・アンプを更に有する請求項１の試験測定システム。

【請求項6】

上記デバイス特性測定回路が、上記１つ以上のＤＵＴの第２ゲートに結合され、第２ゲート・リーク電流の値を提示するように構成された第２ゲート・アンプを更に有する請求項５の試験測定システム。

【請求項7】

上記デバイス特性測定回路が、上記１つ以上のＤＵＴのゲート電圧を制御するように構成されたゲート電圧駆動回路を更に有する請求項５の試験測定システム。

【請求項8】

測定装置と、
電力供給装置と
を具え、
該電力供給装置が、
１つ以上の被試験デバイス（ＤＵＴ）への接続を可能にするインタフェースと、
上記１つ以上のＤＵＴの静的試験及び動的試験の両方を実行する上記電力供給装置の動作を制御するように構成されたスイッチング回路と、
該スイッチング回路に制御されるデバイス特性測定回路と
を有し、該デバイス特性測定回路が、上記１つ以上のＤＵＴのドレインに結合され、ドレイン・リーク電流の値を提示するように構成されたドレイン・アンプを有する試験測定システム。

【請求項9】

上記デバイス特性測定回路は、バイパス・スイッチを更に有し、該バイパス・スイッチの動作によって、上記ドレイン・アンプがドレイン・リーク電流の値を提示するのをイネーブル又はディセーブルする請求項８の試験測定システム。

【請求項10】

上記ドレイン・アンプが、上記１つ以上のＤＵＴのドレインとグラウンド基準電位との間に結合される請求項８の試験測定システム。

【請求項11】

上記１つ以上のＤＵＴが、第１ＭＯＳＦＥＴデバイス及び第２ＭＯＳＦＥＴデバイスを含み、上記デバイス特性測定回路が、
上記第１及び第２ＭＯＳＦＥＴデバイス間に結合されたインダクタと、
該インダクタと直列で上記デバイス特性測定回路における上記インダクタの効果をイネーブルするのを制御できるように構成されたスイッチと
を有する請求項８の試験測定システム。

【請求項12】

上記デバイス特性測定回路が、上記１つ以上のＤＵＴのゲートに結合され、ゲート・リーク電流の値を提示するように構成されたゲート・アンプを更に有する請求項８の試験測定システム。

【請求項13】

上記デバイス特性測定回路は、上記１つ以上のＤＵＴの第２ゲートに結合され、第２ゲート・リーク電流の値を提示するように構成された第２ゲート・アンプを更に有する請求項１２の試験測定システム。

【請求項14】

上記デバイス特性測定回路が、上記１つ以上のＤＵＴのゲート電圧を制御するように構成されたゲート電圧駆動回路を更に有する請求項１２の試験測定システム。

【請求項15】

試験環境における試験測定方法であって、
上記試験環境において、１つ以上のＤＵＴについての静的又は動的試験を、これら両方の試験で同じ特性測定回路を用いて実行するための入力をユーザから受ける処理と、
上記１つ以上のＤＵＴとグラウンド基準電圧との間に結合されたドレイン・アンプを介して上記１つ以上のＤＵＴからのドレイン・リーク電流の値を提示する処理と
を具える試験測定方法。

【請求項16】

制御可能なスイッチによって上記ドレイン・アンプの複数の入力端子を互いに結合することによって上記ドレイン・アンプをディスエーブルする処理を更に具える請求項１５の試験測定方法。

【請求項17】

上記１つ以上のＤＵＴがＭＯＳＦＥＴデバイスを含み、上記試験測定方法が、上記特性測定回路中のゲート・アンプによって上記ＭＯＳＦＥＴデバイスのゲート・リーク電流の値を提示する処理を更に具える請求項１５の試験測定方法。

【請求項18】

上記１つ以上のＤＵＴが、第１ＭＯＳＦＥＴデバイス及び第２ＭＯＳＦＥＴデバイスを含み、上記試験測定方法が、上記特性測定回路中の第１ゲート・アンプによって上記第１ＭＯＳＦＥＴデバイスのゲート・リーク電流の値を提示する処理と、上記特性測定回路中の第２ゲート・アンプによって上記第２ＭＯＳＦＥＴデバイスのゲート・リーク電流の値を提示する処理とを更に具える請求項１５の試験測定方法。

【請求項19】

上記第１ＭＯＳＦＥＴデバイス及び上記第２ＭＯＳＦＥＴデバイスのゲート電圧を制御して、これらＭＯＳＦＥＴデバイスの１つをアイソレーションする処理を更に具える請求項１８の試験測定方法。

【請求項20】

上記特性測定回路において、上記第１ＭＯＳＦＥＴデバイスと上記第２ＭＯＳＦＥＴデバイスとの間に結合されたインダクタの効果を制御する処理を更に具える請求項１８の試験測定方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、試験測定システム及び装置に関し、より詳細には、被試験デバイスの静的及び動的特性測定の両方を実行する統合した測定システムに関する。

【背景技術】

【0002】

シリコン・カーバイド（ＳｉＣ）ＭＯＳＦＥＴ（金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ）などの半導体デバイス又は他のデバイスなどの被試験デバイス（ＤＵＴ）の特性の測定には、概して、電流/電圧（Ｉ/Ｖ）曲線などの静的特性の測定と、スイッチング・パラメータなどの動的特性の測定の両方が含まれることがある。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】米国特許出願公開第２０２２／０２９１２７８号明細書

【特許文献2】特開２０２２－１４１６２１号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

ドレイン及びゲートのリーク（漏れ）電流の測定などのＤＵＴパラメータは、ＭＯＳＦＥＴデバイスの特性評価に関する重要な情報を提供するが、現在は、静的試験プラットフォームでのみ利用でき、これも、そのサイズと費用のために、全ての試験環境で利用できるわけではない。

【0005】

開示される装置及び方法の実施形態は、先行技術における欠点に取り組むものである。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本開示技術の実施形態としては、概して、静的及び動的特性の測定を組み合わせて統合した測定システム又はプラットフォームにおいて、ＤＵＴのリーク（漏れ）電流測定を実行するための回路及び方法がある。このようなプラットフォームは、２０２２年３月７日に出願された米国特許第１７/６８８,７３３号（特許文献１）に記載されており、これは、参照により、本開示に組み込まれる。

【0007】

本願の実施形態は、２つのコンポーネントを有する統合型特性測定システムを提供するもので、インピーダンス・アナライザ、オシロスコープ、これら両方の組み合わせ、又は、１つ以上の他の試験測定装置のようなインタラクティブな試験測定装置が１つある。簡単のために、この説明では、このコンポーネントを試験測定装置と呼ぶ。もう１つのコンポーネントは、ＤＵＴやＤＵＴ用の試験ボードを取り付けるためのＤＵＴインタフェースを備えた電力供給及び測定フロントエンドであり、この説明では、フィクスチャ（fixture：取付装置）とも呼ばれる。本願の実施形態は、概して、２つの別々のコンポーネントを有するが、これらは、１つのハウジングに取り付けることもできる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】図１は、静的及び動的測定を統合して低電流リーク測定を実施するための本開示技術の実施形態によるＤＵＴ試験環境のブロック図である。

【図2】図２は、図１の試験環境と連携して、１つ以上のＤＵＴにおけるドレイン・リーク電流の特性を測定するための本開示技術の実施形態による回路例の概略図である。

【図3】図３は、図１の試験環境と連携して、１つ以上のＤＵＴにおけるゲート・リーク電流の特性を測定するための本開示技術の実施形態による回路例の概略図である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

図１は、オシロスコープ又は他の試験測定装置などの試験測定装置４０を有する試験測定システム１００（プラットフォームとも呼ぶ）を示すブロック図である。説明を簡単にするために、装置４０を測定装置と呼ぶことがある。システム１００のもう１つ別の部分は、静的及び動的電力供給及び測定装置５０であり、これは説明を容易にするために、電力供給装置と呼ぶことにする。これらの用語は、いずれかの装置の機能を限定することを意図したものではなく、よって、そのような限定を示唆するものではない。

【0010】

測定装置４０は、ユーザが測定装置上の様々なメニューをインタラクティブに操作可能にするユーザ・インタフェース４４を含む、多種多様なコンポーネントを有しても良い。ユーザ・インタフェース４４により、ユーザは、タッチスクリーン有するディスプレイや様々なボタン及びノブなどを通して、実行する試験に関する選択、パラメータの設定などを行うことができる。測定装置４０は、１つ以上のプロセッサ４６を有しても良く、これは、ユーザ入力を受けて、パラメータ及び他の選択を測定装置に送信すると共に、電力供給装置からの出力を受けて、そのデータからユーザのための出力を生成する。測定装置４０は、ＤＵＴのパラメータの試験測定を行う測定ユニット４７を有する。

【0011】

コンピューティング・デバイス又はスマートフォンなどのリモート（遠隔）デバイス４２も、測定装置４０又は電力供給装置５０のいずれかを介して、遠隔操作のために試験測定プラットフォーム１００にアクセスしても良い。本願で使用される「プロセッサ」という用語は、１つ又は複数のマイクロコントローラ、フィールド・プログラマブル・ゲート・アレイ（ＦＰＧＡ）や特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）など、命令を受けてアクションを実行できる任意の電子部品を意味し、これは、更に詳細に説明される。

【0012】

測定装置４０は、ケーブル又は他の直接接続部４８を介して電力供給装置５０と通信を行う。これら２つの装置とそのケーブルは、ポータブルで、１人の個人で持ち運びできるように構成されている。このケーブルは、接続回路を介して各装置に接続されるので、これら装置は、ケーブルを再接続することなしに、環境設定（configurations：構成）を切り替えることができる。

【0013】

電力供給装置５０は、更に、いくつかの様々な要素を有していても良い。これらとしては、１つ以上のプロセッサ５２、被試験デバイス（ＤＵＴ）７０に高電圧を供給する高電圧回路５６及び高電圧回路の保護として機能するインターロック５４を有していても良い。インターロックは、高電圧回路によって生成される高電圧に起因する装置の損傷や危険な状態を防ぐように設計されている。ＤＵＴインタフェース５８は、外部に取り付けられたＤＵＴ７０に結合される。ＤＵＴ７０は、試験構成に応じて、実際には、複数の別々のデバイスを有していても良い。ＤＵＴインタフェース５８は、ユニバーサルＤＵＴインタフェースによって具体化されても良く、これにより、ＤＵＴ７０は、電力供給装置５０内の様々なコンポーネントに接続可能となる。電力供給装置５０は、更に、装置５０をＤＵＴ７０から保護するためのバリア（障壁）６４を有していても良い。

【0014】

電力供給装置５０内の高電圧回路に加えてＤＵＴ７０の動作は、熱を発生することがあるし、ＤＵＴは、動作するのに温度が特定の範囲である必要がある。電力供給装置５０は、ＤＵＴ７０の温度を制御するために、温度制御回路６２を有していても良い。１つ以上のプロセッサ５２は、温度を監視し、温度制御回路６２を動作させるが、温度制御回路６２は、ファン、切り替え可能なヒートシンク、冷却システム、ヒータなどのアイテムから構成されても良い。電力供給装置５０には、更に、スイッチング回路６０があっても良く、これは、ＤＵＴ７０を試験測定するために電力供給装置内の様々なコンポーネントの動作を制御する。

【0015】

概して、動作において、ユーザは、ユーザ・インタフェース４４を介して、遠隔又は直接的に、電力供給装置５０の動作を制御してＤＵＴ７０の特性を測定するための入力を行う。典型的には、動的特性の測定は、図２に示す実施形態のようなハーフ・ブリッジ回路を用いて行われる。動的特性の測定を行う１つの方法を、本願ではダブル・パルス法と呼び、このタイプ又は回路を使用する。

【0016】

概して、図２の特性測定回路２００は、電力供給装置５０の内部、より具体的には、スイッチング回路６０の内部に収容されるが、本開示技術の実施形態は、そのような例に限定されない。特性測定回路２００は、２つのＤＵＴ（ＤＵＴ_top及びＤＵＴ_bot）を図示し、これらは、図１では、ＤＵＴ７０として図示されている。なお、「ＤＵＴ_bot」の「bot」は「bottom：下側」を意味することに注意されたい。

【0017】

全般的な動作において、下側デバイスＤＵＴ_botがオンになると、Test_Lインダクタを介して所望の電流が得られる。続いて、下側デバイスＤＵＴ_botがオフになり、上側デバイスＤＵＴ_topがオンになる。これにより、Test_Lインダクタからのインダクタ電流が循環する。これに代えて、１つのＤＵＴ７０のみが試験される場合は、上側デバイスをダイオードに置き換えても良い。回路特性に応じた指定時間が経過すると、上側デバイスがオフになり、下側デバイスがオンになる。これら両方のデバイス遷移の間に、所望のデータを収集でき、エネルギー損失が計算される。この同じプラットフォームが、電圧とデバイスを流れる電流の制御に応じて、静的パラメータを抽出するために使用できる。

【0018】

上側ＤＵＴをダイオード又は短絡に置き換えると、下側デバイスのゲート制御が可能になり、これによって、静的電流電圧（Ｉ/Ｖ）曲線を抽出できる。上側ＤＵＴが利用可能な場合、静的データを抽出する追加の方法を利用できる。これらには、下側ＤＵＴにおいて、ゲート/ドレインの電位を独立してパルスさせるものが含まれても良い。そうするために、システムは、下側ＤＵＴのゲートの電圧を制御して、デバイスの適切な伝達特性測定を可能にする。静的なＩ/Ｖデバイスの特性測定には、インダクタTest_Lは必要ないが、インダクタの存在により、同じ回路で静的特性測定と動的特性測定の両方を実行できる。上側と下側の両方のＤＵＴが、回路に存在して同じタイプのデバイスである場合、最大電力の構成（configuration）は、２つのデバイス間で分割される。これらのデバイスの一方で、フル電力の試験が必要な場合は、もう一方のデバイスを短絡（short：ショート）と交換することになろう。

【0019】

特性測定回路２００には、ドレイン・アンプ（増幅回路）２１０があり、これは、ナノ・アンペアのオーダーで、ＤＵＴ_top及びＤＵＴ_botのドレインのリーク（漏れ）電流の値を示す（measure：測定する）ために使用される。いくつかの実施形態では、ドレイン・アンプ２１０が、同じアンプを流れるリーク電流の大きさのオーダーが異なっても、正確にその値を提示するために、オート・レンジ機能を有する。リーク・スイッチ２２０は、ドレイン・アンプ２１０の機能をバイパスするか又はイネーブルするために制御される。実際には、リーク・スイッチ２２０は、試験環境の高電流に耐えるために、物理的に大きくても良い。リーク・スイッチ２２０が閉（closed）位置にあるとき、特性測定回路２００は、キロ・アンペアのレベルまでのＤＵＴ試験電流を供給できる。リーク・スイッチ２２０が開（open）位置にあるとき、リーク・スイッチ２２０は、ドレイン・アンプ２１０によって効果的に保護（guard：ガード）され、これにより、ＤＵＴからの非常に小さい電流の測定が容易になる。図２では、ドレイン・アンプ２１０が、ＤＵＴ_top又はＤＵＴ_botのソースにのみ結合されているように見えるかもしれないが、実際には、ドレイン・アンプ２１０は、ＤＵＴ_top又はＤＵＴ_botのソース電流とゲート電流の両方の値を示し、これは、ドレイン電流に等しい。

【0020】

インダクタ・スイッチ２３０は、試験インダクタ２４０が特性測定回路２００においてアクティブか否かを効果的に制御する。特性測定回路２００がドレイン・リーク（漏れ）電流の値を提示するように設定されている場合、即ち、リーク・スイッチ２２０が開いているとき、インダクタ・スイッチ２３０は、どのＤＵＴ（ＤＵＴ_top又はＤＵＴ_bot）が測定されるかを制御する。インダクタ・スイッチ２３０が閉じているときは、ＤＵＴ_botのみからのドレイン・リーク電流が測定可能である。インダクタ・スイッチ２３０を開くことによって、インダクタ２４０が試験回路から実質的に除去されると、ＤＵＴ_top及びＤＵＴ_botの両方のリーク電流に基づくリーク電流は、所定のＭＯＳＦＥＴのＤＵＴのゲート駆動（drive）の構成に応じて、ドレイン・アンプ２１０によって、その値を提示することができる。より具体的には、Vg_topが、ＤＵＴ_topを完全にオンする電圧を提供するように設定されている場合、ＤＵＴ_botのドレイン・リーク電流の特性を測定できる。逆に、Vg_botが、ＤＵＴ_botを完全にオンする電圧を供給するように設定されている場合、ＤＵＴ_topのドレイン・リーク電流の特性を測定できる。

【0021】

従来のドレイン・リーク電流の特性測定は、静的試験ベンチで行われ、図２に示すような動的試験ベンチでは行われなかった。更に、ドレインのリーク（漏れ）電流の特性測定は、従来は、高電圧源の出力で測定されていたため、一度に１つのＤＵＴのみの特性を測定する複雑な計測器が必要であった。特性測定回路２００は、高精度のドレイン・アンプ２１０を使用して、極めて小さなリーク電流の値を提示するだけでなく、特性測定回路２００は、動的試験ベンチであり、２つのＤＵＴの同時試験も可能にする。更に、特性測定回路２００は、ドレイン電圧源とは無関係に、ドレイン・リーク（漏れ）電流の測定を可能にする。

【0022】

図３は、ＤＵＴからのゲート・リーク電流の値を提示する（measure：測定する）ために使用される特性測定回路３００を示す。特性測定回路３００は、図２を参照して説明した特性測定回路２００と同じコンポーネントを多く有し、それら機能は、簡潔にするため、ここでは繰り返して説明はしない。

【0023】

特性測定回路３００は、上側ゲート・アンプ３５０及び下側ゲート・アンプ３６０の２つのアンプ（増幅回路）を有し、これらは、フローティング・ゲート電流測定アンプである。上側ゲート・アンプ３５０及び下側ゲート・アンプ３６０があることで、上側及び下側デバイスＤＵＴ_top及びＤＵＴ_botの両方についてのリーク電流の特性測定が可能になる。

【0024】

動作において、ＤＵＴ_topは、インダクタ・スイッチ２３０が開いて、インダクタ２４０の影響が除去されているときに、様々なドレイン電圧で、特性が測定されても良い。しかし、標準的なゲート・リーク電流は、Ｖds＝０Ｖで測定され、これは、インダクタ・スイッチが閉じて、インダクタ２４０が存在している場合でも得ることができる。

【0025】

概して、リーク・スイッチ２２０及びインダクタ・スイッチ２３０の動作、並びにＤＵＴに印加される電流及び電圧は、電力供給装置５０の動作によって自動的に制御され、これらは、試験測定システム１００（図１）において試験される様々なＤＵＴ７０について、デバイスの特性測定を実行するように予めプログラムされる。通常の動作では、ユーザは、１つ以上のＤＵＴ７０を試験フィクスチャに取り付け、測定装置４０のユーザ・インタフェース４４を操作して、デバイスのデバイス特性測定を実行する。個々の測定値及びパラメータは、電力供給装置５０が、その様々な予めプログラムされたデバイス特性測定試験を進めているときに、測定装置４０によって捕捉される。

【0026】

本開示技術の態様は、特別に作成されたハードウェア、ファームウェア、デジタル・シグナル・プロセッサ又はプログラムされた命令に従って動作するプロセッサを含む特別にプログラムされた汎用コンピュータ上で動作できる。本願における「コントローラ」又は「プロセッサ」という用語は、マイクロプロセッサ、マイクロコンピュータ、ＡＳＩＣ及び専用ハードウェア・コントローラ等を意図する。本開示技術の態様は、１つ又は複数のコンピュータ（モニタリング・モジュールを含む）その他のデバイスによって実行される、１つ又は複数のプログラム・モジュールなどのコンピュータ利用可能なデータ及びコンピュータ実行可能な命令で実現できる。概して、プログラム・モジュールとしては、ルーチン、プログラム、オブジェクト、コンポーネント、データ構造などを含み、これらは、コンピュータその他のデバイス内のプロセッサによって実行されると、特定のタスクを実行するか、又は、特定の抽象データ形式を実現する。コンピュータ実行可能命令は、ハードディスク、光ディスク、リムーバブル記憶媒体、ソリッド・ステート・メモリ、ＲＡＭなどのコンピュータ可読記憶媒体に記憶しても良い。当業者には理解されるように、プログラム・モジュールの機能は、様々な実施例において必要に応じて組み合わせられるか又は分散されても良い。更に、こうした機能は、集積回路、フィールド・プログラマブル・ゲート・アレイ（ＦＰＧＡ）などのようなファームウェア又はハードウェア同等物において全体又は一部を具体化できる。特定のデータ構造を使用して、本開示技術の１つ以上の態様をより効果的に実施することができ、そのようなデータ構造は、本願に記載されたコンピュータ実行可能命令及びコンピュータ使用可能データの範囲内と考えられる。

【0027】

開示された態様は、場合によっては、ハードウェア、ファームウェア、ソフトウェア又はこれらの任意の組み合わせで実現されても良い。開示された態様は、１つ以上のプロセッサによって読み取られ、実行され得る１つ又は複数のコンピュータ可読媒体によって運搬されるか又は記憶される命令として実現されても良い。そのような命令は、コンピュータ・プログラム・プロダクトと呼ぶことができる。本願で説明するコンピュータ可読媒体は、コンピューティング装置によってアクセス可能な任意の媒体を意味する。限定するものではないが、一例としては、コンピュータ可読媒体は、コンピュータ記憶媒体及び通信媒体を含んでいても良い。

【0028】

コンピュータ記憶媒体とは、コンピュータ読み取り可能な情報を記憶するために使用することができる任意の媒体を意味する。限定するものではないが、例としては、コンピュータ記憶媒体としては、ランダム・アクセス・メモリ（ＲＡＭ）、読み出し専用メモリ（ＲＯＭ）、電気消去可能プログラマブル読み出し専用メモリ（ＥＥＰＲＯＭ）、フラッシュメモリやその他のメモリ技術、コンパクト・ディスク読み出し専用メモリ（ＣＤ-ＲＯＭ）、ＤＶＤ（Digital Video Disc）やその他の光ディスク記憶装置、磁気カセット、磁気テープ、磁気ディスク記憶装置やその他の磁気記憶装置、及び任意の技術で実装された任意の他の揮発性又は不揮発性の取り外し可能又は取り外し不能の媒体を含んでいても良い。コンピュータ記憶媒体としては、信号そのもの及び信号伝送の一時的な形態は除外される。

【0029】

通信媒体とは、コンピュータ可読情報の通信に利用できる任意の媒体を意味する。限定するものではないが、例としては、通信媒体には、電気、光、無線周波数（ＲＦ）、赤外線、音又はその他の形式の信号の通信に適した同軸ケーブル、光ファイバ・ケーブル、空気又は任意の他の媒体を含んでも良い。

実施例

【0030】

以下では、本願で開示される技術の理解に有益な実施例が提示される。この技術の実施形態は、以下で記述する実施例の１つ以上及び任意の組み合わせを含んでいても良い。

【0031】

実施例１は、試験システムであって、１つ以上のＤＵＴに結合するように構成された被試験デバイス（ＤＵＴ）インタフェースと、上記１つ以上のＤＵＴの静的試験及び動的試験を実行するよう制御されるように構成されたデバイス特性測定回路と、上記１つ以上のＤＵＴのドレインに結合され、ドレイン・リーク電流の値を提示する（measure：測定する）ように構成されたドレイン・アンプとを具える。

【0032】

実施例２は、実施例１による試験システムであって、上記デバイス特性測定回路は、バイパス・スイッチを更に有し、該バイパス・スイッチの動作により、上記ドレイン・アンプがドレイン・リーク電流の値を提示するのをイネーブル又はディセーブルする。

【0033】

実施例３は、先の実施例のいずれかによる試験システムであって、上記ドレイン・アンプは、上記１つ以上のＤＵＴのドレインとグラウンド基準電位との間に結合される。

【0034】

実施例４は、先の実施例のいずれかによる試験システムであって、上記１つ以上のＤＵＴが、第１ＭＯＳＦＥＴデバイス及び第２ＭＯＳＦＥＴデバイスを有し、上記デバイス特性測定回路が、第１及び第２ＭＯＳＦＥＴデバイス間に結合されたインダクタと、該インダクタと直列で上記デバイス特性測定回路におけるインダクタの効果をイネーブルするのを制御できるように構成されたスイッチとを更に有する。

【0035】

実施例５は、先の実施例のいずれかによる試験システムであって、上記デバイス特性測定回路が、上記１つ以上のＤＵＴのゲートに結合され、ゲート・リーク電流の値を提示するように構成されたゲート・アンプを更に有する。

【0036】

実施例６は、実施例５による試験システムであって、上記デバイス特性測定回路が、上記１つ以上のＤＵＴの第２ゲートに結合され、第２ゲート・リーク電流の値を提示するように構成された第２ゲート・アンプを更に有する。

【0037】

実施例７は、先行する実施例のいずれかによる試験システムであって、上記デバイス特性測定回路が、上記１つ以上のＤＵＴのゲート電圧を制御するように構成されたゲート電圧駆動回路（ドライバ）を更に有する。

【0038】

実施例８は、試験測定システムであって、測定装置と、電力供給装置とを具え、該電力供給装置が、１つ以上の被試験デバイス（ＤＵＴ）への接続を可能にするインタフェースと、上記１つ以上のＤＵＴの静的試験及び動的試験の両方を実行する上記電力供給装置の動作を制御するように構成されたスイッチング回路と、該スイッチング回路に制御されるデバイス特性測定回路とを有し、該デバイス特性測定回路が、上記１つ以上のＤＵＴのドレインに結合され、ドレイン・リーク電流の値を提示するように構成されたドレイン・アンプを有する。

【0039】

実施例９は、実施例８による試験測定システムであって、上記デバイス特性測定回路は、バイパス・スイッチを更に有し、該バイパス・スイッチの動作によって、上記ドレイン・アンプがドレイン・リーク電流の値を提示するのをイネーブル又はディセーブルする。

【0040】

実施例１０は、先の実施例８から９のいずれかによる試験測定システムであって、上記ドレイン・アンプが、上記１つ以上のＤＵＴのドレインとグラウンド基準電位との間に結合される。

【0041】

実施例１１は、先の実施例８から１０のいずれかによる試験測定システムであって、上記１つ以上のＤＵＴが、第１ＭＯＳＦＥＴデバイス及び第２ＭＯＳＦＥＴデバイスを含み、上記デバイス特性測定回路が、上記第１及び第２ＭＯＳＦＥＴデバイス間に結合されたインダクタと、該インダクタと直列で上記デバイス特性測定回路における上記インダクタの効果をイネーブルするのを制御できるように構成されたスイッチとを有する。

【0042】

実施例１２は、先の実施例８から１１のいずれかによる試験測定システムであって、上記デバイス特性測定回路が、上記１つ以上のＤＵＴのゲートに結合され、ゲート・リーク電流の値を提示するように構成されたゲート・アンプを更に有する。

【0043】

実施例１３は、実施例１２による試験測定システムであって、上記デバイス特性測定回路は、上記１つ以上のＤＵＴの第２ゲートに結合され、第２ゲート・リーク電流の値を提示するように構成された第２ゲート・アンプを更に有する。

【0044】

実施例１４は、実施例１２による試験測定システムであって、上記デバイス特性測定回路が、上記１つ以上のＤＵＴのゲート電圧を制御するように構成されたゲート電圧駆動回路（ドライバ）を更に有する。

【0045】

実施例１５は、試験環境における方法であって、上記試験環境において、１つ以上のＤＵＴについての静的又は動的試験を、これら両方の試験で同じ特性測定回路を用いて実行するための入力をユーザから受ける処理と、上記１つ以上のＤＵＴとグラウンド基準電圧との間に結合されたドレイン・アンプをによって上記１つ以上のＤＵＴからのドレイン・リーク電流の値を提示する処理とを具える。

【0046】

実施例１６は、実施例１５による方法であって、制御可能なスイッチによって上記ドレイン・アンプの複数の入力端子を互いに結合することによって上記ドレイン・アンプをディスエーブル（無効に）する処理を更に具える。

【0047】

実施例１７は、先行する実施例の方法のいずれかによる方法であって、上記１つ以上のＤＵＴがＭＯＳＦＥＴデバイスを含み、上記方法が、上記特性測定回路中のゲート・アンプによって上記ＭＯＳＦＥＴデバイスのゲート・リーク電流の値を提示する処理を更に具える。

【0048】

実施例１８は、先行する実施例の方法のいずれかによる方法であって、上記１つ以上のＤＵＴが、第１ＭＯＳＦＥＴデバイス及び第２ＭＯＳＦＥＴデバイスを含み、上記方法が、上記特性測定回路中の第１ゲート・アンプによって上記第１ＭＯＳＦＥＴデバイスのゲート・リーク電流の値を提示する処理と、上記特性測定回路中の第２ゲート・アンプによって上記第２ＭＯＳＦＥＴデバイスのゲート・リーク電流の値を提示する処理とを更に具える。

【0049】

実施例１９は、実施例１８による方法であって、上記第１ＭＯＳＦＥＴデバイス及び上記第２ＭＯＳＦＥＴデバイスのゲート電圧を制御して、これらＭＯＳＦＥＴデバイスの１つをアイソレーション（isolate）する処理を更に具える。

【0050】

実施例２０は、先行する実施例１８から１９のいずれかによる方法であって、上記特性測定回路において、上記第１ＭＯＳＦＥＴデバイスと上記第２ＭＯＳＦＥＴデバイスとの間に結合されたインダクタの効果を制御する処理を更に具える。

【0051】

開示された本件の上述のバージョンは、記述したか又は当業者には明らかであろう多くの効果を有する。それでも、開示された装置、システム又は方法のすべてのバージョンにおいて、これらの効果又は特徴のすべてが要求されるわけではない。

【0052】

加えて、本願の説明は、特定の特徴に言及している。本明細書における開示には、これらの特定の特徴の全ての可能な組み合わせが含まれると理解すべきである。ある特定の特徴が特定の態様又は実施例に関連して開示される場合、その特徴は、可能である限り、他の態様及び実施例との関連においても利用できる。

【0053】

また、本願において、２つ以上の定義されたステップ又は工程を有する方法に言及する場合、これら定義されたステップ又は工程は、状況的にそれらの可能性を排除しない限り、任意の順序で又は同時に実行しても良い。

【0054】

説明の都合上、本発明の具体的な実施例を図示し、説明してきたが、本発明の要旨と範囲から離れることなく、種々の変更が可能なことが理解できよう。従って、本発明は、添付の請求項以外では、限定されるべきではない。

【符号の説明】

【0055】

４０ 試験測定装置
４２ リモート・デバイス
４４ ユーザ・インタフェース
４６ プロセッサ
４７ 測定ユニット
４８ ケーブル又はその他の直接接続
５０ 電力供給装置
５２ プロセッサ
５４ インターロック
５６ 高電圧回路
５８ ＤＵＴインタフェース
６０ スイッチング回路
６２ 温度制御回路
６４ バリア（障壁）
７０ 被試験デバイス（ＤＵＴ）
１００ 試験測定システム
２００ 特性測定回路
２１０ ドレイン・アンプ
２２０ リーク・スイッチ
２３０ インダクタ・スイッチ
３００ 特性測定回路
３５０ 上側ゲート・アンプ
３６０ 下側ゲート・アンプ

【図1】

【図2】

【図3】

【外国語明細書】