特開2024-99966フッ素固定剤、フッ素固定方法、フッ素回収方法及び半導体製造装置の排ガスの処理方法
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024099966
(43)【公開日】2024-07-26
(54)【発明の名称】フッ素固定剤、フッ素固定方法、フッ素回収方法及び半導体製造装置の排ガスの処理方法
(51)【国際特許分類】
B01J 20/04 20060101AFI20240719BHJP
B01J 20/28 20060101ALI20240719BHJP
B01J 20/30 20060101ALI20240719BHJP
B01D 53/68 20060101ALI20240719BHJP
B01J 20/34 20060101ALI20240719BHJP
B01D 53/82 20060101ALI20240719BHJP
【ＦＩ】
B01J20/04 A ZAB
B01J20/28 Z
B01J20/30
B01D53/68 200
B01J20/34 G
B01D53/82
【審査請求】未請求
【請求項の数】9
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023003627
(22)【出願日】2023-01-13
(71)【出願人】
【識別番号】000000239
【氏名又は名称】株式会社荏原製作所
(74)【代理人】
【識別番号】100106208
【弁理士】
【氏名又は名称】宮前 徹
(74)【代理人】
【識別番号】100112634
【弁理士】
【氏名又は名称】松山 美奈子
(74)【代理人】
【識別番号】100146710
【弁理士】
【氏名又は名称】鐘ヶ江 幸男
(72)【発明者】
【氏名】京谷 敬史
(72)【発明者】
【氏名】川島 直也
(72)【発明者】
【氏名】森 洋一
【テーマコード（参考）】
4D002
4G066
【Ｆターム（参考）】
4D002AA22
4D002AC10
4D002CA07
4D002DA05
4D002DA11
4D002EA06
4D002EA07
4D002EA13
4D002FA02
4D002GA01
4D002GB03
4D002GB12
4G066AA17A
4G066AA17B
4G066BA20
4G066BA26
4G066BA31
4G066BA36
4G066CA32
4G066DA02
4G066FA17
4G066FA22
4G066FA34
4G066GA11
(57)【要約】
【課題】ＨＦ、Ｆ２、ＳｉＦ４等を含む排ガスからフッ素を固定するフッ素固定剤及びその製造方法、並びにフッ素固定方法及びフッ素回収方法を提供する。
【解決手段】比表面積が１５ｍ２／ｇ以上３５ｍ２／ｇ以下であるＣａＯからなるフッ素固定剤とフッ素含有化合物とを５００℃以上６００℃以下で接触させ、ＦをＣａＦ２として固定し、Ｆを固定したフッ素固定剤を酸及びアルカリと順番に接触させて、固体ＣａＦ２を回収する。
【選択図】なし
【解決手段】比表面積が１５ｍ２／ｇ以上３５ｍ２／ｇ以下であるＣａＯからなるフッ素固定剤とフッ素含有化合物とを５００℃以上６００℃以下で接触させ、ＦをＣａＦ２として固定し、Ｆを固定したフッ素固定剤を酸及びアルカリと順番に接触させて、固体ＣａＦ２を回収する。
【選択図】なし
【特許請求の範囲】
【請求項1】
比表面積が１５ｍ２／ｇ以上３５ｍ２／ｇ以下であるＣａＯからなることを特徴とする、フッ素固定剤。
【請求項2】
Ｃａ（ＯＨ）２を、窒素ガス気流下、４５０℃以上７００℃以下で焼成することを特徴とする、請求項１に記載のフッ素固定剤の製造方法。
【請求項3】
請求項１に記載のフッ素固定剤とフッ素含有化合物とを５００℃以上６００℃以下で接触させ、ＦをＣａＦ２として固定することを特徴とする、フッ素固定方法。
【請求項4】
請求項１に記載のフッ素固定剤とフッ素含有化合物とを５００℃以上６００℃以下で接触させ、ＦをＣａＦ２として固定し、
当該Ｆが固定された状態で酸と接触させて、ろ過して、固形物を回収し、
回収した当該固形物を、加温したアルカリ溶液に添加して、ＳｉＯ２を溶解させた溶液を調製し、
当該溶液をろ過して、固体ＣａＦ２を回収することを特徴とする、フッ素回収方法。
当該Ｆが固定された状態で酸と接触させて、ろ過して、固形物を回収し、
回収した当該固形物を、加温したアルカリ溶液に添加して、ＳｉＯ２を溶解させた溶液を調製し、
当該溶液をろ過して、固体ＣａＦ２を回収することを特徴とする、フッ素回収方法。
【請求項5】
固体Ｃａ（ＯＨ）２を充填したカラムに、窒素ガスを流通させながら、４５０℃以上７００℃以下に加熱し、ＣａＯを生成させ、
次いで、窒素ガスの流通を止めて、５００℃以上６００℃以下で、フッ素含有ガスを流通させて、ＦをＣａＦ２として固定することを特徴とする、フッ素固定方法。
次いで、窒素ガスの流通を止めて、５００℃以上６００℃以下で、フッ素含有ガスを流通させて、ＦをＣａＦ２として固定することを特徴とする、フッ素固定方法。
【請求項6】
固体Ｃａ（ＯＨ）２を充填したカラムに、窒素ガスを流通させながら、４５０℃以上７００℃以下に加熱し、ＣａＯを生成させ、
次いで、窒素ガスの流通を止めて、５００℃以上６００℃以下で、フッ素含有ガスを流通させて、ＦをＣａＦ２として固定させ、
さらに、当該カラムに酸を流通させて得られる流出水をろ過して、固形物を回収し、
回収した当該固形物を、加温したアルカリ溶液に添加して、ＳｉＯ２を溶解させた溶液を調製し、
当該溶液をろ過して、固体ＣａＦ２を回収することを特徴とする、フッ素回収方法。
次いで、窒素ガスの流通を止めて、５００℃以上６００℃以下で、フッ素含有ガスを流通させて、ＦをＣａＦ２として固定させ、
さらに、当該カラムに酸を流通させて得られる流出水をろ過して、固形物を回収し、
回収した当該固形物を、加温したアルカリ溶液に添加して、ＳｉＯ２を溶解させた溶液を調製し、
当該溶液をろ過して、固体ＣａＦ２を回収することを特徴とする、フッ素回収方法。
【請求項7】
固体Ｃａ（ＯＨ）２を充填したカラムに、窒素ガスを流通させながら、４５０℃以上７００℃以下に加熱し、ＣａＯを生成させ、
次いで、窒素ガスの流通を止めて、５００℃以上６００℃以下で、導体製造装置からのフッ素含有排ガスを流通させて、ＦをＣａＦ２として固定することを特徴とする、半導体製造装置からの排ガスの処理方法。
次いで、窒素ガスの流通を止めて、５００℃以上６００℃以下で、導体製造装置からのフッ素含有排ガスを流通させて、ＦをＣａＦ２として固定することを特徴とする、半導体製造装置からの排ガスの処理方法。
【請求項8】
固体Ｃａ（ＯＨ）２を充填したカラムに、窒素ガスを流通させながら、４５０℃以上７００℃以下に加熱し、ＣａＯを生成させ、
次いで、窒素ガスの流通を止めて、５００℃以上６００℃以下で、半導体製造装置からのフッ素含有排ガスを流通させて、ＦをＣａＦ２として固定させ、
さらに、当該カラムに酸を流通させて得られる流出水をろ過して、固形物を回収し、
回収した当該固形物を、加温したアルカリ溶液に添加して、ＳｉＯ２を溶解させた溶液を調製し、
当該溶液をろ過して、固体ＣａＦ２を回収することを特徴とする、半導体製造装置からの排ガスの処理方法。
次いで、窒素ガスの流通を止めて、５００℃以上６００℃以下で、半導体製造装置からのフッ素含有排ガスを流通させて、ＦをＣａＦ２として固定させ、
さらに、当該カラムに酸を流通させて得られる流出水をろ過して、固形物を回収し、
回収した当該固形物を、加温したアルカリ溶液に添加して、ＳｉＯ２を溶解させた溶液を調製し、
当該溶液をろ過して、固体ＣａＦ２を回収することを特徴とする、半導体製造装置からの排ガスの処理方法。
【請求項9】
請求項１に記載のフッ素固定剤を充填したカラムに、５００℃以上６００℃以下で、半導体製造装置からのフッ素含有排ガスを流通させて、ＦをＣａＦ２として固定させ、
さらに、当該カラムに酸を流通させて得られる流出水をろ過して、固形物を回収し、
回収した当該固形物を、加温したアルカリ溶液に添加して、ＳｉＯ２を溶解させた溶液を調製し、
当該溶液をろ過して、固体ＣａＦ２を回収することを特徴とする、半導体製造装置からの排ガスの処理方法。
さらに、当該カラムに酸を流通させて得られる流出水をろ過して、固形物を回収し、
回収した当該固形物を、加温したアルカリ溶液に添加して、ＳｉＯ２を溶解させた溶液を調製し、
当該溶液をろ過して、固体ＣａＦ２を回収することを特徴とする、半導体製造装置からの排ガスの処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、フッ素固定剤、フッ素回収方法、及び半導体製造装置からの排ガスの処理方法に関する。特に、半導体製造装置の内面等をドライクリーニングする工程や成膜工程や酸化膜等の各種膜をエッチングする工程から排出されるフッ素含有化合物で、ＨＦ、Ｆ２、ＳｉＦ４等を含む排ガスからフッ素を回収する技術に関する。
【背景技術】
【0002】
半導体工業において、半導体製造装置内面のクリーニング工程やエッチング工程あるいはＣＶＤ工程などにおいて、ＨＦやＦ２等が用いられ、副生成ガスとしてＳｉＦ４を含むフッ素含有化合物が排出される。これらフッ素含有化合物を含んだ排ガスは、固形薬剤で反応除去され、廃棄物として処分されるか、溶液に吸収させ、工場廃水として廃棄物処理されるかのいずれかである。一方、近年フッ素の原料となる蛍石の資源枯渇が問題になっており、フッ素の回収・再利用が重要な課題となっている。
【0003】
フッ素含有化合物を含む排ガスの処理方法としては、例えば、酸化アルミニウム及びアルカリ土類金属の酸化物を含む処理剤を用いて排ガス中のフルオロカーボンを分解処理する方法（特許文献１）；酸化アルミニウム及びアルカリ土類金属の酸化物を含む処理剤を用いて排ガス中のフッ化硫黄を分解処理する方法（特許文献２）；アルミナ及びアルカリ土類金属化合物、及び場合によっては銅、錫、バナジウム等の金属の酸化物を含む処理剤を用いて排ガス中のフッ素化合物を分解処理する方法（特許文献３）；水酸化アルミニウムと水酸化カルシウムとを含む処理剤を用いて排ガス中のＰＦＣを分解処理する方法（特許文献４）；などが提案されている。
【0004】
しかしながら、上記のような従来の処理方法は、特にＣＦ４などの難分解性ガスを処理する場合、処理温度が８００～１０００℃と高いため、処理装置の熱による劣化が速く、装置のエネルギー消費量も大きいという問題があった。また、従来の処理剤は、使用寿命が短くて交換頻度が高いという問題を包含していた。例えば、特許文献１～３に開示されている方法では、ＰＦＣを酸化アルミニウム（アルミナ）と反応させてフッ化アルミニウムを生成させることによってＰＦＣガスを分解している。しかしながら、酸化アルミニウムの反応活性が低いので、この反応を効率よく進行させるためには、高温の反応条件が必要である。更に、生成したフッ化アルミニウムが酸化アルミニウムの表面に層を形成し、これによって酸化アルミニウムが被毒されて短時間で触媒活性を失うおそれがあり、その様な場合は、処理剤の交換頻度が高くなってしまうという問題がある。
【0005】
ＰＦＣガスを水酸化アルミニウムと反応させて、水酸化アルミニウムの水酸基の水素によってフッ素をフッ化水素とし、次に生成したフッ化水素を水酸化カルシウムと反応させ
、フッ化カルシウムを生成させることによって、ＰＦＣガスなどを従来法よりも低い温度で効率よく分解処理することができる方法が提案されている（特許文献４）。しかし、かかる方法は、小型の装置では効果があるものの、実機規模にスケールアップすると、アルミニウムの活性が阻害され、十分な除去効果を示さない場合があることが確認された。
、フッ化カルシウムを生成させることによって、ＰＦＣガスなどを従来法よりも低い温度で効率よく分解処理することができる方法が提案されている（特許文献４）。しかし、かかる方法は、小型の装置では効果があるものの、実機規模にスケールアップすると、アルミニウムの活性が阻害され、十分な除去効果を示さない場合があることが確認された。
【0006】
本出願人は、フッ素含有化合物を含む排ガスの処理方法において、該排ガスの流れに沿って上流側にＣａ（ＯＨ）２、Ｍｇ（ＯＨ）２又はこれらの焼成品の１種以上を含有するアルカリ剤を充填し、その下流側に平均粒子径（メディアン径）５５μｍ以上１６０μｍ以下のＡｌ（ＯＨ）３と、Ｃａ（ＯＨ）２とのモル比が３：７～５：５である混合物を成形して乾燥し、４３０℃よりも高く８９０℃以下の温度範囲で、窒素流又は空気流中で焼
成して得られた複合酸化物からなるＰＦＣ処理剤（パーフルオロ化合物処理剤）を充填した反応槽に、前記排ガスを通すことを特徴とする排ガス処理方法を提案した（特許文献５）。しかし、かかる方法は、異なるフッ素固定薬剤を上流と下流に配置して処理するため、複雑な装置構成が必要となる。また、固定したＦを回収する方法は提案されていない。
成して得られた複合酸化物からなるＰＦＣ処理剤（パーフルオロ化合物処理剤）を充填した反応槽に、前記排ガスを通すことを特徴とする排ガス処理方法を提案した（特許文献５）。しかし、かかる方法は、異なるフッ素固定薬剤を上流と下流に配置して処理するため、複雑な装置構成が必要となる。また、固定したＦを回収する方法は提案されていない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0007】
【特許文献1】特開２００２－２２４５６５号公報
【特許文献2】特開２００２－３７００１３号公報
【特許文献3】特開２００１－１９０９５９号公報
【特許文献4】特開２００５－２６２１２８号公報
【特許文献5】特開２０１０－１５８６２０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0008】
本発明は、フッ素含有化合物を含む排ガス、特に半導体製造装置の内面等をドライクリーニングする工程や成膜工程や酸化膜等の各種膜をエッチングする工程から排出されるフッ素含有化合物で、ＨＦ、Ｆ２、ＳｉＦ４等を含む排ガスからフッ素を固定するフッ素固定剤及びその製造方法、並びにフッ素固定方法及びフッ素回収方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0009】
本発明者らは、市販のＣａＯではなく、Ｃａ（ＯＨ）２を５００℃～６００℃で焼成して生成されるＣａＯは比表面積が大きく、Ｆを良好に固定できること、Ｆを固定したフッ素固定剤を酸及びアルカリと順番に接触させてＦ以外の成分を溶解させて除去することにより、固定したＦを容易に収率よく回収できることを知見し、本発明を完成するに至った。
【0010】
本発明によれば、比表面積が１５ｍ２／ｇ以上３５ｍ２／ｇ以下であるＣａＯからなることを特徴とする、フッ素固定剤が提供される。
【0011】
また、Ｃａ（ＯＨ）２を、窒素ガス気流下、４５０℃以上７００℃以下で焼成することを特徴とする、上記フッ素処理剤の製造方法も提供される。
【0012】
さらに、上記フッ素固定剤とフッ素含有化合物とを５００℃以上６００℃以下で接触させ、ＦをＣａＦ２として固定することを特徴とする、フッ素回収方法も提供される。
【0013】
また、上記フッ素固定剤とフッ素含有化合物とを５００℃以上６００℃以下で接触させ、ＦをＣａＦ２として固定し、
当該Ｆを固定した状態で、酸と接触させて、ろ過して、固形物を回収し、
回収した当該固形物を、加温したアルカリ溶液に添加して、ＳｉＯ２を溶解させた溶液を調製し、
当該溶液をろ過して、固体ＣａＦ２を回収することを特徴とする、フッ素回収方法が提供される。
当該Ｆを固定した状態で、酸と接触させて、ろ過して、固形物を回収し、
回収した当該固形物を、加温したアルカリ溶液に添加して、ＳｉＯ２を溶解させた溶液を調製し、
当該溶液をろ過して、固体ＣａＦ２を回収することを特徴とする、フッ素回収方法が提供される。
【0014】
また、本発明によれば、固体Ｃａ（ＯＨ）２を充填したカラムに、窒素ガスを流通させながら、４５０℃以上７００℃以下に加熱し、ＣａＯを生成させ、
次いで、窒素ガスの流通を止めて、５００℃以上６００℃以下で、フッ素含有ガスを流通させて、ＦをＣａＦ２として固定することを特徴とする、フッ素固定方法が提供される。
次いで、窒素ガスの流通を止めて、５００℃以上６００℃以下で、フッ素含有ガスを流通させて、ＦをＣａＦ２として固定することを特徴とする、フッ素固定方法が提供される。
【0015】
本発明によれば、固体Ｃａ（ＯＨ）２を充填したカラムに、窒素ガスを流通させながら、４５０℃以上７００℃以下に加熱し、ＣａＯを生成させ、
次いで、窒素ガスの流通を止めて、５００℃以上６００℃以下で、フッ素含有ガスを流通させて、ＦをＣａＦ２として固定させ、
さらに、当該カラムに酸を流通させて得られる流出水をろ過して、固形物を回収し、
回収した当該固形物を、加温したアルカリ溶液に添加して、ＳｉＯ２を溶解させた溶液を調製し、
当該溶液をろ過して、固体ＣａＦ２を回収することを特徴とする、フッ素回収方法が提供される。
次いで、窒素ガスの流通を止めて、５００℃以上６００℃以下で、フッ素含有ガスを流通させて、ＦをＣａＦ２として固定させ、
さらに、当該カラムに酸を流通させて得られる流出水をろ過して、固形物を回収し、
回収した当該固形物を、加温したアルカリ溶液に添加して、ＳｉＯ２を溶解させた溶液を調製し、
当該溶液をろ過して、固体ＣａＦ２を回収することを特徴とする、フッ素回収方法が提供される。
【0016】
また、本発明によれば、固体Ｃａ（ＯＨ）２を充填したカラムに、窒素ガスを流通させながら、４５０℃以上７００℃以下に加熱し、ＣａＯを生成させ、
次いで、窒素ガスの流通を止めて、５００℃以上６００℃以下で、導体製造装置からのフッ素含有排ガスを流通させて、ＦをＣａＦ２として固定することを特徴とする、半導体製造装置からの排ガスの処理方法が提供される。
次いで、窒素ガスの流通を止めて、５００℃以上６００℃以下で、導体製造装置からのフッ素含有排ガスを流通させて、ＦをＣａＦ２として固定することを特徴とする、半導体製造装置からの排ガスの処理方法が提供される。
【0017】
さらに、本発明によれば、固体Ｃａ（ＯＨ）２を充填したカラムに、窒素ガスを流通させながら、４５０℃以上７００℃以下に加熱し、ＣａＯを生成させ、
次いで、窒素ガスの流通を止めて、５００℃以上６００℃以下で、半導体製造装置からのフッ素含有排ガスを流通させて、ＦをＣａＦ２として固定させ、
さらに、当該カラムに酸を流通させて得られる流出水をろ過して、固形物を回収し、
回収した当該固形物を、加温したアルカリ溶液に添加して、ＳｉＯ２を溶解させた溶液を調製し、
当該溶液をろ過して、固体ＣａＦ２を回収することを特徴とする、半導体製造装置からの排ガスの処理方法が提供される。
次いで、窒素ガスの流通を止めて、５００℃以上６００℃以下で、半導体製造装置からのフッ素含有排ガスを流通させて、ＦをＣａＦ２として固定させ、
さらに、当該カラムに酸を流通させて得られる流出水をろ過して、固形物を回収し、
回収した当該固形物を、加温したアルカリ溶液に添加して、ＳｉＯ２を溶解させた溶液を調製し、
当該溶液をろ過して、固体ＣａＦ２を回収することを特徴とする、半導体製造装置からの排ガスの処理方法が提供される。
【0018】
またさらに本発明によれば、上記フッ素固定剤を充填したカラムに、５００℃以上６００℃以下で、半導体製造装置からのフッ素含有排ガスを流通させて、ＦをＣａＦ２として固定させ、
さらに、当該カラムに酸を流通させて得られる流出水をろ過して、固形物を回収し、
回収した当該固形物を、加温したアルカリ溶液に添加して、ＳｉＯ２を溶解させた溶液を調製し、
当該溶液をろ過して、固体ＣａＦ２を回収することを特徴とする、半導体製造装置からの排ガスの処理方法も提供される。
さらに、当該カラムに酸を流通させて得られる流出水をろ過して、固形物を回収し、
回収した当該固形物を、加温したアルカリ溶液に添加して、ＳｉＯ２を溶解させた溶液を調製し、
当該溶液をろ過して、固体ＣａＦ２を回収することを特徴とする、半導体製造装置からの排ガスの処理方法も提供される。
【発明の効果】
【0019】
本発明のフッ素固定剤は、市販のＣａＯと異なり、比表面積が大きく、Ｆを効率よく固定することができ、固定したＦを容易に回収することができる。
【0020】
本発明のフッ素固定剤は、Ｃａ（ＯＨ）２を窒素ガス気流下、４５０℃以上７００℃以下で焼成することにより、容易に製造することができる。
【0021】
本発明のフッ素回収方法は、フッ素固定剤とフッ素含有化合物とを５００℃以上６００℃以下と比較的低温で接触させることができるので、処理装置の熱による劣化が速く、装置のエネルギー消費量も大きいという問題を解決することができる。
【0022】
本発明のフッ素回収方法は、フッ素を固定したフッ素固定剤を酸及びアルカリで処理するだけで容易に高収率にフッ素を回収することができる。
【0023】
本発明のフッ素回収方法は、単一のカラムを用いて、フッ素固定剤を調製し、Ｆを固定し、固定したＦを回収することができる。
【図面の簡単な説明】
【0024】
【図1】Ｃａ（ＯＨ）２を窒素雰囲気５００℃で焼成して得られるフッ素固定剤のＸ線回折スペクトルである。
【図2】市販のＣａＯのＸ線回折スペクトルである。
【図3】Ｃａ（ＯＨ）２の処理温度とＨＦ処理量との関係を示すグラフである。
【図4】Ｃａ（ＯＨ）２の処理温度とＳｉＦ４処理量との関係を示すグラフである。
【好ましい実施形態】
【0025】
［フッ素固定剤］
本発明のフッ素固定剤は、比表面積が１５ｍ２／ｇ以上３５ｍ２／ｇ以下、好ましくは２０ｍ２／ｇ以上３０ｍ２／ｇ以下であるＣａＯからなることを特徴とする。市販のＣａＯの比表面積は３ｍ２／ｇ未満であることと比較すると、本発明のフッ素固定剤は極めて大きな比表面積を有する。ここで、比表面積とはＢＥＴ法により測定される比表面積をいう。
本発明のフッ素固定剤は、比表面積が１５ｍ２／ｇ以上３５ｍ２／ｇ以下、好ましくは２０ｍ２／ｇ以上３０ｍ２／ｇ以下であるＣａＯからなることを特徴とする。市販のＣａＯの比表面積は３ｍ２／ｇ未満であることと比較すると、本発明のフッ素固定剤は極めて大きな比表面積を有する。ここで、比表面積とはＢＥＴ法により測定される比表面積をいう。
【0026】
本発明のフッ素固定剤は、Ｃａ（ＯＨ）２を窒素雰囲気４５０℃以上７００℃以下、好ましくは５００℃以上６００℃以下で焼成して調製することができる。４５０℃以上でＣａ（ＯＨ）２は脱水し、多数の空隙を形成できるが、７００℃を越えると生成したＣａＯの性能が低下し始める。市販のＣａＯはＣａＣＯ３を９００℃～１０００℃で焼成していることが多いことと比較すると、焼成温度が低温であり、炭酸ガスの発生も抑制できる。
【0027】
Ｃａ(ＯＨ)２は、次の脱水反応によりＣａＯを生成するが、焼成温度が４６０℃～４８０℃で温度上昇が緩やかとなり、この温度範囲で脱水が進む。
【化1】
【0028】
一方、市販品のＣａＯは、ＣａＣＯ３を原料として、９００℃～１０００℃で焼成して、次の反応からＣａＯを生成する。
【化2】
【0029】
後述する実施例で説明するように、Ｃａ（ＯＨ）２は、４７０℃前後で脱水してＣａＯを生成するが、水が抜ける過程で内部を含めてＣａ（ＯＨ）２全体が多孔質体（水が抜けて空隙が生じる）のＣａＯになる。また、５００℃程度の温度領域であれば、ＣａとＯの結合が緩やかで結晶化度が大きくない（反応活性が高い）と想定される。
【0030】
一方、ＣａＣＯ３を高温（９００℃～１０００℃）で焼成することでＣＯ２が脱ガスしてＣａＯを生成するが、ＣａとＯとの結合がより強く、結晶化が進んでおり（反応活性が低い）、細孔容積の少ない緻密な結晶物になっていると想定される。
【0031】
［フッ素固定方法１］
本発明のフッ素固定方法は、上記フッ素固定剤をカラムに充填し、フッ素含有化合物を含む排ガスを流通させ、５００℃以上６００℃以下に加熱することを特徴とする。５００℃未満ではガスの処理量が低下し、６００℃を越えても処理量は変わらない。
本発明のフッ素固定方法は、上記フッ素固定剤をカラムに充填し、フッ素含有化合物を含む排ガスを流通させ、５００℃以上６００℃以下に加熱することを特徴とする。５００℃未満ではガスの処理量が低下し、６００℃を越えても処理量は変わらない。
【0032】
５００℃以上６００℃以下に加熱してＣａＯとフッ素化合物を反応させると、次式のようにＦはＣａＦ２として固定される。
【化3】
【0033】
［フッ素回収方法１］
本発明のフッ素回収方法は、上記フッ素固定剤をカラムに充填し、フッ素含有化合物を含む排ガスを流通させ、５００℃以上６００℃以下に加熱してＦをＣａＦ２として固定し、次いで当該カラムに酸を流通させて得られる流出水をろ過して、固形物を回収し、回収した当該固形物を、加温したアルカリ溶液に添加して、ＳｉＯ２を溶解させた溶液を調製し、当該溶液をろ過して、固体ＣａＦ２を回収することを特徴とする。
本発明のフッ素回収方法は、上記フッ素固定剤をカラムに充填し、フッ素含有化合物を含む排ガスを流通させ、５００℃以上６００℃以下に加熱してＦをＣａＦ２として固定し、次いで当該カラムに酸を流通させて得られる流出水をろ過して、固形物を回収し、回収した当該固形物を、加温したアルカリ溶液に添加して、ＳｉＯ２を溶解させた溶液を調製し、当該溶液をろ過して、固体ＣａＦ２を回収することを特徴とする。
【0034】
フッ素固定剤のうち、未反応分のＣａＯは、酸、好ましくは塩酸との反応で可溶性のＣａＣｌ２として溶出する。
【化4】
【0035】
固形物として残留するＳｉＯ２は、アルカリ、好ましくはＮａＯＨ溶液との反応で可溶性のＮａ２ＳｉＯ３として溶液に溶ける。
【化5】
【0036】
ＣａＦ２は、塩酸にもＮａＯＨ溶液にも溶けないため、固形物として回収することができる。
【0037】
上記で使用する酸及びアルカリは、通常の工業薬品でよい。上記では塩酸を用いて説明したが、Ｃａと可溶性の塩を形成できる酸であればよく、塩酸に限定されない。たとえば、硝酸を用いることができる。また、アルカリとして水酸化ナトリウムを用いて説明したが、ＳｉＯ２と可溶性の塩を形成できるアルカリであればよく、水酸化ナトリウムに限定されない。たとえば、水酸化カリウムを用いることができる。
【0038】
酸の添加量は、未反応のＣａＯが溶解する当量以上とすればよく、たとえば１当量以上１．５当量以下、好ましくは１．２当量である。アルカリの濃度は４ｗｔ％以上６ｗｔ％以下、好ましくは５ｗｔ％である。
【0039】
アルカリを流通させる際には、７０℃以上８０℃以下とすることが好ましい。アルカリの温度が７０℃未満では、処理時間が長期化するので好ましくない。また、８０℃を超えると、水分蒸発量が多くなり、それとともにミストとしてＮａＯＨの飛散が多くなり、高濃度ＮａＯＨの暴露のリスクが高まるので好ましくない。
【0040】
酸を流通させて得られる流出水のろ過、及びアルカリ処理後の溶液のろ過は、耐薬品性で孔径０．４５μｍ以上１．０μｍ以下、好ましくは０．６μｍ程度のフィルターを用いて行うことができる。孔径が小さすぎると目詰まりし、大きすぎるとＣａＦ２の微粒子がフィルターを通過して回収率が低下するので好ましくない。
【0041】
［フッ素固定方法２］
本発明は、固体Ｃａ（ＯＨ）２を充填したカラムに、窒素ガスを流通させながら、４５０℃以上７００℃以下に加熱し、ＣａＯを生成させ、次いで、窒素ガスの流通を止めて、５００℃以上６００℃以下で、フッ素含有ガスを流通させて、ＦをＣａＦ２として固定することを特徴とするフッ素固定方法も提供する。本方法は、フッ素固定剤を別途準備するのではなく、単一のカラムを用いてフッ素固定剤の調製からフッ素の固定までを行うことができる。
本発明は、固体Ｃａ（ＯＨ）２を充填したカラムに、窒素ガスを流通させながら、４５０℃以上７００℃以下に加熱し、ＣａＯを生成させ、次いで、窒素ガスの流通を止めて、５００℃以上６００℃以下で、フッ素含有ガスを流通させて、ＦをＣａＦ２として固定することを特徴とするフッ素固定方法も提供する。本方法は、フッ素固定剤を別途準備するのではなく、単一のカラムを用いてフッ素固定剤の調製からフッ素の固定までを行うことができる。
【0042】
［フッ素回収方法２］
本発明は、固体Ｃａ（ＯＨ）２を充填したカラムに、窒素ガスを流通させながら、４５０℃以上７００℃以下に加熱し、ＣａＯを生成させ、次いで、窒素ガスの流通を止めて、５００℃以上６００℃以下で、半導体製造装置からのフッ素含有排ガスを流通させて、ＦをＣａＦ２として固定させ、さらに、当該カラムに酸を流通させて得られる流出水をろ過して、固形物を回収し、回収した当該固形物を、加温したアルカリ溶液に添加して、ＳｉＯ２を溶解させた溶液を調製し、当該溶液をろ過して、固体ＣａＦ２を回収することを特徴とする、半導体製造装置からの排ガスの処理方法も提供する。本方法は、フッ素固定剤を別途準備するのではなく、単一のカラムを用いてフッ素固定剤の調製からフッ素の固定及び回収までを行うことができる。
本発明は、固体Ｃａ（ＯＨ）２を充填したカラムに、窒素ガスを流通させながら、４５０℃以上７００℃以下に加熱し、ＣａＯを生成させ、次いで、窒素ガスの流通を止めて、５００℃以上６００℃以下で、半導体製造装置からのフッ素含有排ガスを流通させて、ＦをＣａＦ２として固定させ、さらに、当該カラムに酸を流通させて得られる流出水をろ過して、固形物を回収し、回収した当該固形物を、加温したアルカリ溶液に添加して、ＳｉＯ２を溶解させた溶液を調製し、当該溶液をろ過して、固体ＣａＦ２を回収することを特徴とする、半導体製造装置からの排ガスの処理方法も提供する。本方法は、フッ素固定剤を別途準備するのではなく、単一のカラムを用いてフッ素固定剤の調製からフッ素の固定及び回収までを行うことができる。
【実施例0043】
［実施例１］
石英製ミニカラム（２４ｍｍφ×５００ｍｍｈの中空円筒）に、Ｃａ（ＯＨ）２（矢崎工業製：直径１．６ｍｍ、長さ３．２ｍｍ～６．４ｍｍの円柱状粒子）を８０ｍｌ（５３．７１ｇ）充填し、セラミック管状炉に装填し、Ｎ２ガスを４１０ｓｃｃｍで送気しながら、内部温度が５００℃となるまで昇温し、５００℃で２時間維持した。焼成後の生成物のＸＲＤ分析（Ｘ線回折法）を行い、Ｘ線回折ピークから生成物の同定を行った。結果を図１に示す。比較のため、市販のＣａＯ（矢崎工業製：１ｍｍ～３ｍｍの破砕品）のＸＲＤ分析を行い、Ｘ線回折ピークから生成物の同定を行った。結果を図２に示す。いずれもＣａＯであることが確認できた。
石英製ミニカラム（２４ｍｍφ×５００ｍｍｈの中空円筒）に、Ｃａ（ＯＨ）２（矢崎工業製：直径１．６ｍｍ、長さ３．２ｍｍ～６．４ｍｍの円柱状粒子）を８０ｍｌ（５３．７１ｇ）充填し、セラミック管状炉に装填し、Ｎ２ガスを４１０ｓｃｃｍで送気しながら、内部温度が５００℃となるまで昇温し、５００℃で２時間維持した。焼成後の生成物のＸＲＤ分析（Ｘ線回折法）を行い、Ｘ線回折ピークから生成物の同定を行った。結果を図１に示す。比較のため、市販のＣａＯ（矢崎工業製：１ｍｍ～３ｍｍの破砕品）のＸＲＤ分析を行い、Ｘ線回折ピークから生成物の同定を行った。結果を図２に示す。いずれもＣａＯであることが確認できた。
【0044】
［実施例２］
石英製ミニカラム（２４ｍｍφ×５００ｍｍｈの中空円筒）に、Ｃａ（ＯＨ）２（矢崎工業製：直径１．６ｍｍ、長さ３．２ｍｍ～６．４ｍｍの円柱状粒子）を８０ｍｌ（５３．７１ｇ）充填し、セラミック管状炉に装填し、Ｎ２ガスを４１０ｓｃｃｍで送気しながら、内部温度が５００℃又は６００℃となるまで昇温し、５００℃又は６００℃で２時間維持した。焼成後の生成物の比表面積をＢＥＴ法によって測定した。比較のため市販のＣａＯ（矢崎工業製：１ｍｍ～３ｍｍの破砕品）についても比表面積を測定した。結果を表１に示す。焼成温度５００℃と６００℃では比表面積に大きな差はなかったが、市販のＣａＯの比表面積と比較すると著しく大きいことが確認できた。
石英製ミニカラム（２４ｍｍφ×５００ｍｍｈの中空円筒）に、Ｃａ（ＯＨ）２（矢崎工業製：直径１．６ｍｍ、長さ３．２ｍｍ～６．４ｍｍの円柱状粒子）を８０ｍｌ（５３．７１ｇ）充填し、セラミック管状炉に装填し、Ｎ２ガスを４１０ｓｃｃｍで送気しながら、内部温度が５００℃又は６００℃となるまで昇温し、５００℃又は６００℃で２時間維持した。焼成後の生成物の比表面積をＢＥＴ法によって測定した。比較のため市販のＣａＯ（矢崎工業製：１ｍｍ～３ｍｍの破砕品）についても比表面積を測定した。結果を表１に示す。焼成温度５００℃と６００℃では比表面積に大きな差はなかったが、市販のＣａＯの比表面積と比較すると著しく大きいことが確認できた。
【0045】
【表1】
【0046】
［実施例３］
石英製ミニカラム（２４ｍｍφ×５００ｍｍｈの中空円筒）にＣａ（ＯＨ）２（矢崎工業製：直径１．６ｍｍ、長さ３．２ｍｍ～６．４ｍｍの円柱状粒子）を４９ｍｌ（３２．９ｇ）充填し、セラミック管状炉に装填し、Ｎ２ガスを４１０ｓｃｃｍで送気しながら、内部温度が室温、２００℃、３００℃、４００℃、５００℃、５５０℃及び６００℃の各温度まで昇温させ、各温度で２時間維持した後、Ｎ２ガスの送気をとめて、ＨＦ４．０ｖｏｌ％を含むガスを５０２ｈｒ－１で流通させ、各温度でＨＦが１ｐｐｍ検出されるまでの時間を測定し、ＨＦを含むガスの通気量からＨＦ処理量を求め、Ｃａ(ＯＨ)２のＨＦ処理における温度依存性を調べた。結果表２及び図３に示す。ＨＦ処理量は、３００℃までは緩やかに増加し、３００℃～５００℃で急激に増加し、５００℃以上でほぼ一定になることが確認できた。
石英製ミニカラム（２４ｍｍφ×５００ｍｍｈの中空円筒）にＣａ（ＯＨ）２（矢崎工業製：直径１．６ｍｍ、長さ３．２ｍｍ～６．４ｍｍの円柱状粒子）を４９ｍｌ（３２．９ｇ）充填し、セラミック管状炉に装填し、Ｎ２ガスを４１０ｓｃｃｍで送気しながら、内部温度が室温、２００℃、３００℃、４００℃、５００℃、５５０℃及び６００℃の各温度まで昇温させ、各温度で２時間維持した後、Ｎ２ガスの送気をとめて、ＨＦ４．０ｖｏｌ％を含むガスを５０２ｈｒ－１で流通させ、各温度でＨＦが１ｐｐｍ検出されるまでの時間を測定し、ＨＦを含むガスの通気量からＨＦ処理量を求め、Ｃａ(ＯＨ)２のＨＦ処理における温度依存性を調べた。結果表２及び図３に示す。ＨＦ処理量は、３００℃までは緩やかに増加し、３００℃～５００℃で急激に増加し、５００℃以上でほぼ一定になることが確認できた。
【0047】
【表2】
【0048】
［実施例４］
石英製ミニカラム（２４ｍｍφ×５００ｍｍｈの中空円筒）にＣａ（ＯＨ）２（矢崎工業製：直径１．６ｍｍ、長さ３．２ｍｍ～６．４ｍｍの円柱状粒子）を４３ｍｌ（２８．８７ｇ）充填し、セラミック管状炉に装填し、Ｎ２ガスを４００ｓｃｃｍで送気しながら、内部温度が１５０℃、３００℃、４００℃、５００℃、及び６００℃となるまで昇温し、各温度で２時間維持した後、Ｎ２ガスの送気をとめて、０．５ｖｏｌ％のＳｉＦ４を含むガスを５５８ｈｒ－１で流通させ、各温度でＳｉＦ４が１ｐｐｍ検出されるまでの時間を測定し、ＳｉＦ４を含むガスの通気量からＳｉＦ４処理量を求め、Ｃａ(ＯＨ)２のＳｉＦ４処理における温度依存性を調べた。結果を表３及び図４に示す。ＳｉＦ４処理量は、５００℃までは緩やかに増加し、５００℃以上６００℃で急激に増加することが確認できた。
石英製ミニカラム（２４ｍｍφ×５００ｍｍｈの中空円筒）にＣａ（ＯＨ）２（矢崎工業製：直径１．６ｍｍ、長さ３．２ｍｍ～６．４ｍｍの円柱状粒子）を４３ｍｌ（２８．８７ｇ）充填し、セラミック管状炉に装填し、Ｎ２ガスを４００ｓｃｃｍで送気しながら、内部温度が１５０℃、３００℃、４００℃、５００℃、及び６００℃となるまで昇温し、各温度で２時間維持した後、Ｎ２ガスの送気をとめて、０．５ｖｏｌ％のＳｉＦ４を含むガスを５５８ｈｒ－１で流通させ、各温度でＳｉＦ４が１ｐｐｍ検出されるまでの時間を測定し、ＳｉＦ４を含むガスの通気量からＳｉＦ４処理量を求め、Ｃａ(ＯＨ)２のＳｉＦ４処理における温度依存性を調べた。結果を表３及び図４に示す。ＳｉＦ４処理量は、５００℃までは緩やかに増加し、５００℃以上６００℃で急激に増加することが確認できた。
【0049】
【表3】
【0050】
［実施例５］
石英製ミニカラム（２４ｍｍφ×５００ｍｍｈの中空円筒）にＣａ（ＯＨ）２（矢崎工業製：直径１．６ｍｍ、長さ３．２ｍｍ～６．４ｍｍの円柱状粒子）を４９ｍｌ（３２．９ｇ）充填し、セラミック管状炉に装填し、Ｎ２ガスを４１０ｓｃｃｍで送気しながら、内部温度が５００℃となるまで昇温し、５００℃に２時間維持した後、Ｎ２ガスの送気をとめて、１．０ｖｏｌ％のＳｉＦ４を含むガスを５０２ｈｒ－１で流通させ、ＳｉＦ４が１ｐｐｍ検出されるまでの時間を測定し、ＳｉＦ４を含むガスの通気量からＳｉＦ４処理量を求めた。比較のため、Ｃａ（ＯＨ）２の代わりに市販のＣａＯ（矢崎工業製：１ｍｍ
～３ｍｍの破砕品）を充填した以外は同じ条件でＳｉＦ４処理量を求めた。結果を表４に示す。本発明の方法によれば、市販のＣａＯを用いる処理の８倍の処理が可能であった。
石英製ミニカラム（２４ｍｍφ×５００ｍｍｈの中空円筒）にＣａ（ＯＨ）２（矢崎工業製：直径１．６ｍｍ、長さ３．２ｍｍ～６．４ｍｍの円柱状粒子）を４９ｍｌ（３２．９ｇ）充填し、セラミック管状炉に装填し、Ｎ２ガスを４１０ｓｃｃｍで送気しながら、内部温度が５００℃となるまで昇温し、５００℃に２時間維持した後、Ｎ２ガスの送気をとめて、１．０ｖｏｌ％のＳｉＦ４を含むガスを５０２ｈｒ－１で流通させ、ＳｉＦ４が１ｐｐｍ検出されるまでの時間を測定し、ＳｉＦ４を含むガスの通気量からＳｉＦ４処理量を求めた。比較のため、Ｃａ（ＯＨ）２の代わりに市販のＣａＯ（矢崎工業製：１ｍｍ
～３ｍｍの破砕品）を充填した以外は同じ条件でＳｉＦ４処理量を求めた。結果を表４に示す。本発明の方法によれば、市販のＣａＯを用いる処理の８倍の処理が可能であった。
【0051】
【表4】
【0052】
［実施例６］
石英製ミニカラム（２４ｍｍφ×５００ｍｍｈの中空円筒）にＣａ（ＯＨ）２（矢崎工業製：直径１．６ｍｍ、長さ３．２ｍｍ～６．４ｍｍの円柱状粒子）を３８ｍｌ（２５．５１ｇ）充填し、セラミック管状炉に装填し、Ｎ２ガスを３００ｓｃｃｍで送気しながら、内部温度が５００℃となるまで昇温し、５００℃に２時間維持した後、Ｎ２ガスの送気をとめて、２．５ｖｏｌ％のＦ２を含むガスを４８０ｈｒ－１で流通させ、Ｆ２が１ｐｐｍ検出されるまでの時間を測定し、Ｆ２を含むガスの通気量からＦ２処理量を求めた。比較のため、Ｃａ（ＯＨ）２の代わりに市販のＣａＯ（矢崎工業製：１ｍｍ～３ｍｍの破砕品）を充填した以外は同じ条件でＦ２処理量を測定した。結果を表５に示す。本発明の方法によれば、市販のＣａＯを用いる処理の２．５倍の処理が可能であった。
石英製ミニカラム（２４ｍｍφ×５００ｍｍｈの中空円筒）にＣａ（ＯＨ）２（矢崎工業製：直径１．６ｍｍ、長さ３．２ｍｍ～６．４ｍｍの円柱状粒子）を３８ｍｌ（２５．５１ｇ）充填し、セラミック管状炉に装填し、Ｎ２ガスを３００ｓｃｃｍで送気しながら、内部温度が５００℃となるまで昇温し、５００℃に２時間維持した後、Ｎ２ガスの送気をとめて、２．５ｖｏｌ％のＦ２を含むガスを４８０ｈｒ－１で流通させ、Ｆ２が１ｐｐｍ検出されるまでの時間を測定し、Ｆ２を含むガスの通気量からＦ２処理量を求めた。比較のため、Ｃａ（ＯＨ）２の代わりに市販のＣａＯ（矢崎工業製：１ｍｍ～３ｍｍの破砕品）を充填した以外は同じ条件でＦ２処理量を測定した。結果を表５に示す。本発明の方法によれば、市販のＣａＯを用いる処理の２．５倍の処理が可能であった。
【0053】
【表5】
【0054】
［実施例７］
石英製ミニカラム（２４ｍｍφ×５００ｍｍｈの中空円筒）にＣａ（ＯＨ）２（矢崎工業製：直径１．６ｍｍ、長さ３．２ｍｍ～６．４ｍｍの円柱状粒子）を３８ｍｌ（２５．５１ｇ）充填し、セラミック管状炉に装填し、Ｎ２ガスを３００ｓｃｃｍで送気しながら、内部温度が５００℃となるまで昇温し、５００℃で２時間維持した後、Ｎ２ガスの送気をとめて、２．５ｖｏｌ％のＦ２及び３．２ｖｏｌ％のＨＦを含むガスを４８０ｈｒ－１で流通させ、Ｆ２が１ｐｐｍ以上リークするまでの時間を測定し、Ｆ２及びＨＦを含むガスの通気量からＦ２処理量及びＨＦ処理量を求めた。比較のため、Ｃａ（ＯＨ）２の代わりに市販のＣａＯ（矢崎工業製：１ｍｍ～３ｍｍの破砕品）を充填した以外は同じ条件でＦ２処理量及びＨＦ処理量を測定した。結果を表６に示す。本発明の方法によれば、市販のＣａＯを用いる処理の１．８倍の処理が可能であった。
石英製ミニカラム（２４ｍｍφ×５００ｍｍｈの中空円筒）にＣａ（ＯＨ）２（矢崎工業製：直径１．６ｍｍ、長さ３．２ｍｍ～６．４ｍｍの円柱状粒子）を３８ｍｌ（２５．５１ｇ）充填し、セラミック管状炉に装填し、Ｎ２ガスを３００ｓｃｃｍで送気しながら、内部温度が５００℃となるまで昇温し、５００℃で２時間維持した後、Ｎ２ガスの送気をとめて、２．５ｖｏｌ％のＦ２及び３．２ｖｏｌ％のＨＦを含むガスを４８０ｈｒ－１で流通させ、Ｆ２が１ｐｐｍ以上リークするまでの時間を測定し、Ｆ２及びＨＦを含むガスの通気量からＦ２処理量及びＨＦ処理量を求めた。比較のため、Ｃａ（ＯＨ）２の代わりに市販のＣａＯ（矢崎工業製：１ｍｍ～３ｍｍの破砕品）を充填した以外は同じ条件でＦ２処理量及びＨＦ処理量を測定した。結果を表６に示す。本発明の方法によれば、市販のＣａＯを用いる処理の１．８倍の処理が可能であった。
【0055】
【表6】
【0056】
［実施例８］
石英製ミニカラム（２４ｍｍφ×５００ｍｍｈの中空円筒）にＣａ（ＯＨ）２（矢崎工業製：直径１．６ｍｍ、長さ３．２ｍｍ～６．４ｍｍの円柱状粒子）を１００ｍｌ（６７．１４ｇ）充填し、セラミック管状炉に装填し、Ｎ２ガスを４１０ｓｃｃｍで送気しながら、内部温度が５００℃となるまで昇温し、５００℃で２時間維持した後、Ｎ２ガスの送気をとめて、半導体製造装置のＨＦ及びＦ２によるエッチングの実排ガスを２４６ｈｒ－１で２０時間、流通させた。処理後に、カラムから固形物を取り出し、ＸＲＦ（蛍光Ｘ線）で成分分析を行ったところ、ＣａＦ２：５８ｗｔ％、ＣａＯ：３０ｗｔ％、ＳｉＯ２：１２ｗｔ％であった。実排ガス中のフッ素含有化合物からＦをフッ素固定剤に固定できていることが確認できた。
石英製ミニカラム（２４ｍｍφ×５００ｍｍｈの中空円筒）にＣａ（ＯＨ）２（矢崎工業製：直径１．６ｍｍ、長さ３．２ｍｍ～６．４ｍｍの円柱状粒子）を１００ｍｌ（６７．１４ｇ）充填し、セラミック管状炉に装填し、Ｎ２ガスを４１０ｓｃｃｍで送気しながら、内部温度が５００℃となるまで昇温し、５００℃で２時間維持した後、Ｎ２ガスの送気をとめて、半導体製造装置のＨＦ及びＦ２によるエッチングの実排ガスを２４６ｈｒ－１で２０時間、流通させた。処理後に、カラムから固形物を取り出し、ＸＲＦ（蛍光Ｘ線）で成分分析を行ったところ、ＣａＦ２：５８ｗｔ％、ＣａＯ：３０ｗｔ％、ＳｉＯ２：１２ｗｔ％であった。実排ガス中のフッ素含有化合物からＦをフッ素固定剤に固定できていることが確認できた。
【0057】
残留ＣａＯ量の１．２倍当量の塩酸を添加した塩酸溶液に固形物を１時間浸漬させて、固形物を塩酸と接触させた後、孔径０．６μｍのグラスファイバーフィルターでろ過した。グラスファイバーフィルター上に残留する固形分を７０℃に加温した５％ＮａＯＨ溶液に３０分間浸漬させた後、孔径０．６μｍのグラスファイバーフィルターでろ過した。グラスファイバーフィルター上に残留する固形物をＸＲＦで成分分析したところ、ＣａＦ２：４９．８ｗｔ％、ＳｉＯ２：０．２ｗｔ％であった。実排ガス中のフッ素含有化合物からＦをフッ素固定剤に固定して回収できていることが確認できた。
【産業上の利用可能性】
【0058】
本発明によれば、従来の処理法よりも低温で簡易な方法で、フッ素化合物含有ガスからＦをＣａＦ２としてフッ素固定剤に固定し、回収することができる。半導体製造装置から排出されるフッ素化合物含有ガスの処理方法として有用である。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
