特開 2025-10366 電子部品、電子部品の製造方法、フィルタモジュール及び電子機器

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2025010366

(43)【公開日】2025-01-20

(54)【発明の名称】電子部品、電子部品の製造方法、フィルタモジュール及び電子機器

(51)【国際特許分類】

   H03H 7/01 20060101AFI20250109BHJP

   H01F 27/00 20060101ALI20250109BHJP

   H01G 4/40 20060101ALI20250109BHJP

【ＦＩ】

H03H7/01 A

H01F27/00 S

H01G4/40 321A

【審査請求】有

【請求項の数】7

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2024192557

(22)【出願日】2024-11-01

(62)【分割の表示】P 2022579537の分割

【原出願日】2022-01-31

(31)【優先権主張番号】P 2021017228

(32)【優先日】2021-02-05

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(71)【出願人】

【識別番号】000006231

【氏名又は名称】株式会社村田製作所

(74)【代理人】

【識別番号】110000970

【氏名又は名称】弁理士法人 楓国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】樋江井 智慶

(72)【発明者】

【氏名】三川 賢太郎

(57)【要約】

【課題】小型でありながら、キャパシタとともにＱ値の高いインダクタを備える電子部品、この電子部品の製造方法、その電子部品を備えるフィルタモジュール、及びそれを備える電子機器を提供する。
【解決手段】電子部品１１は、インダクタ形成用の第１導体パターンＣＬ１１及びキャパシタ形成用の第１電極パターンＥＣ１１が形成された第１絶縁体層Ｓ１と、インダクタ形成用の第２導体パターンＣＬ１２及びキャパシタ形成用の第２電極パターンＥＣ１２が形成された第２絶縁体層Ｓ２と、を備える。第１電極パターンＥＣ１１と第２電極パターンＥＣ１２とが第２絶縁体層Ｓ２を介して対向することでキャパシタが構成され、第２導体パターンＣＬ１２は第１導体パターンＣＬ１１に沿って導通する。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

インダクタ形成用の第１導体パターン及びキャパシタ形成用の第１電極パターンが形成された第１絶縁体層と、
前記インダクタ形成用の第２導体パターン及び前記キャパシタ形成用の第２電極パターンが形成された第２絶縁体層と、
を備え、
前記第１電極パターンと前記第２電極パターンとが前記第２絶縁体層を介して対向することでキャパシタが構成され、
前記第２導体パターンは前記第１導体パターンに沿って少なくとも一部が導通し、
前記第２絶縁体層内に形成されている前記第２導体パターンの線幅は、前記第２絶縁体層の上面に形成されている前記第２導体パターンの線幅及び前記第１導体パターンの線幅より細い、
電子部品。

【請求項2】

前記第１導体パターン及び前記第１電極パターンは第１パターン形成工程により同時に形成され、
前記第２導体パターン及び前記第２電極パターンは第２パターン形成工程により同時に形成された、
請求項１に記載の電子部品。

【請求項3】

前記第２絶縁体層において、前記第１導体パターンの直上の少なくとも一部に開口部を備え、前記開口部に前記第２電極パターンが形成されている、
請求項１又は２に記載の電子部品。

【請求項4】

前記第１導体パターン及び前記第２導体パターンはループ形状又はループの一部を形成する形状であり、前記第１導体パターン及び前記第２導体パターンの積層方向から視た平面視での前記ループの内縁は前記第１導体パターン及び前記第２導体パターンとで同一箇所にある、
請求項１から３のいずれかに記載の電子部品。

【請求項5】

第１絶縁体層に、インダクタ形成用の第１導体パターン及びキャパシタ形成用の第１電極パターンを同時に形成する工程と、
前記第１絶縁体層における前記第１導体パターンが形成された面に、前記第１導体パターンの上部を開口させた第２絶縁体層を形成する工程と、
前記開口内及び前記第２絶縁体層上に前記インダクタ形成用の第２導体パターンを形成し、前記第２絶縁体層を介して前記第１電極パターンに対向する位置に前記キャパシタ形成用の第２電極パターンを形成する工程と、
を備え、
前記第２導体パターンは前記第１導体パターンに沿って少なくとも一部が導通し、
前記第２絶縁体層内に形成されている前記第２導体パターンの線幅は、前記第２絶縁体層の上面に形成されている前記第２導体パターンの線幅及び前記第１導体パターンの線幅より細い、
電子部品の製造方法。

【請求項6】

請求項１から４のいずれかに記載の電子部品と、当該電子部品に接続された、インダクタ又はキャパシタとを備えた、
フィルタモジュール。

【請求項7】

請求項１から４のいずれかに記載の電子部品又は請求項６に記載のフィルタモジュールを備える電子機器。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、インダクタ及びキャパシタを備える電子部品、この電子部品の製造方法、その電子部品を備えるフィルタモジュール、及びそれを備える電子機器に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１の電子部品では、インダクタ形成用の導体層とキャパシタ形成用の導体層とが同一層に形成されている。また、特許文献１の電子部品では、それぞれ異なる層に形成されたインダクタ形成用の導体層が並列接続されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１９－１８６６９６号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

特許文献１に記載の電子部品のように、インダクタを並列接続することによってインダクタのＱ値を改善する構造では、インダクタの体積効率が低い。そのため、Ｑ値の高いインダクタを得るためには電子部品が大型化し、また、外形サイズの限られた電子部品においては、インダクタのＱ値の改善効果が低い。

【0005】

そこで、本発明の目的は、小型でありながら、キャパシタとともにＱ値の高いインダクタを備える電子部品、この電子部品の製造方法、その電子部品を備えるフィルタモジュール、及びそれを備える電子機器を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0006】

（Ａ）本開示の一例としての電子部品は、インダクタ形成用の第１導体パターン及びキャパシタ形成用の第１電極パターンが形成された第１絶縁体層と、前記インダクタ形成用の第２導体パターン及び前記キャパシタ形成用の第２電極パターンが形成された第２絶縁体層と、を備える。そして、前記第１電極パターンと前記第２電極パターンとが前記第２絶縁体層を介して対向することでキャパシタが構成され、前記第２導体パターンは前記第１導体パターンに沿って導通することを特徴とする。

【0007】

上記構成によれば、第２導体パターンが第１導体パターンに沿って導通するので、単位体積あたりのインダクタ形成用導体の占有率が高い。そのため、Ｑ値の高いインダクタが得られる。また、キャパシタ形成用の第１電極パターンと第２電極パターンとは単一の絶縁体層を介して対向するので、単位体積あたりに得られるキャパシタ形成用電極の占有率を低下させることもない。

【0008】

（Ｂ）本発明の一例としての電子部品の製造方法は、第１絶縁体層に、インダクタ形成用の第１導体パターン及びキャパシタ形成用の第１電極パターンを同時に形成する工程と、前記第１絶縁体層における前記第１導体パターンが形成された面に、前記第１導体パターンの上部を開口させた第２絶縁体層を形成する工程と、前記開口内及び前記第２絶縁体層上に前記インダクタ形成用の第２導体パターンを形成し、前記第２絶縁体層を介して前記第１電極パターンに対向する位置に前記キャパシタ形成用の第２電極パターンを形成する工程と、を備えることを特徴とする。

【0009】

上記製造方法によれば、第２絶縁体層上及び開口内に第２電極パターンと共に第２導体パターンを同時に形成できるので、電子部品を少ない工程数で製造できる。

【0010】

（Ｃ）本開示の一例としてのフィルタモジュールは、（Ａ）に記載の電子部品と当該電子部品の前記インダクタ又は前記キャパシタに接続されたインダクタ又はキャパシタとを備えて構成される。

【0011】

（Ｄ）本開示の一例としての電子機器は、（Ａ）に記載の電子部品又は（Ｃ）に記載のフィルタモジュールを備える。

【発明の効果】

【0012】

本発明によれば、小型でありながら、キャパシタとともにＱ値の高いインダクタを備える電子部品、この電子部品の製造方法、その電子部品を備えるフィルタモジュール、及びそれを備える電子機器が得られる。

【図面の簡単な説明】

【0013】

【図1】図１は第１の実施形態に係る電子部品１１の分解平面図である。

【図2】図２（Ａ）は電子部品１１の平面図であり、図２（Ｂ）は図２（Ａ）におけるＸ－Ｘ部分の断面図あり、図２（Ｃ）は図２（Ａ）におけるＹ－Ｙ部分の断面図ある。

【図3】図３は電子部品１１の回路図である。

【図4】図４は第１の実施形態に係るフィルタモジュールの回路図である。

【図5】図５（Ａ）、図５（Ｂ）、図５（Ｃ）は、第１導体パターン及び第１電極パターン形成工程における各段階での断面図である。

【図6】図６（Ａ）、図６（Ｂ）、図６（Ｃ）は、第２絶縁体層Ｓ２の形成工程における各段階での断面図である。

【図7】図７（Ａ）、図７（Ｂ）、図７（Ｃ）、図７（Ｄ）は、第１導体パターン、第２導体パターン、第１電極パターン、第２電極パターン及び第３絶縁体層の形成工程における各段階での断面図である。

【図8】図８（Ａ）、図８（Ｂ）、図８（Ｃ）は、第１導体パターンＬＣ１１及び第２導体パターンＣＬ１２それぞれの線幅を等しくしたときの電子部品の断面図である。

【図9】図９（Ａ）、図９（Ｂ）は、第１導体パターンＣＬ１１及び第２導体パターンＣＬ１２の位置関係の例を示す断面図である。

【図10】図１０は第２の実施形態に係る電子部品１２Ａの分解平面図である。

【図11】図１１（Ａ）は電子部品１２Ａの平面図であり、図１１（Ｂ）は図１１（Ａ）におけるＸ－Ｘ部分の断面図ある。

【図12】図１２は第２の実施形態に係る別の電子部品１２Ｂの分解平面図である。

【図13】図１３（Ａ）は電子部品１２Ｂの平面図であり、図１３（Ｂ）は図１３（Ａ）におけるＸ－Ｘ部分の断面図ある。

【図14】図１４は第３の実施形態に係るフィルタモジュール１３の斜視図である。

【図15】図１５はフィルタモジュール１３の各絶縁体層及びそれらに形成されている導体パターンを示す分解平面図である。

【図16】図１６はフィルタモジュール１３の回路図である。

【図17】図１７は第３の実施形態に係る別のフィルタモジュールの各絶縁体層及びそれらに形成されている導体パターンを示す分解平面図である。

【図18】図１８は第３の実施形態に係る別のフィルタモジュールの各絶縁体層及びそれらに形成されている導体パターンを示す分解平面図である。

【図19】図１９（Ａ）、図１９（Ｂ）、図１９（Ｃ）、図１９（Ｄ）、図１９（Ｅ）は、インダクタ形成用の複数の導体パターン及びビア導体Ｖの接合構造を模式的に示す図である。

【図20】図２０は第５の実施形態に係る電子機器２０１の構成を示すブロック図である。

【発明を実施するための形態】

【0014】

以降、図を参照して幾つかの具体的な例を挙げて、本発明を実施するための複数の形態を示す。各図中には同一箇所に同一符号を付している。要点の説明又は理解の容易性を考慮して、実施形態を説明の便宜上、複数の実施形態に分けて示すが、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換又は組み合わせは可能である。第２の実施形態以降では第１の実施形態と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。

【0015】

《第１の実施形態》
図１は第１の実施形態に係る電子部品１１の分解平面図である。図２（Ａ）は電子部品１１の平面図であり、図２（Ｂ）は図２（Ａ）におけるＸ－Ｘ部分の断面図あり、図２（Ｃ）は図２（Ａ）におけるＹ－Ｙ部分の断面図ある。

【0016】

この電子部品１１は、第１絶縁体層Ｓ１、第２絶縁体層Ｓ２及び第３絶縁体層Ｓ３を備える。第１絶縁体層Ｓ１の下面には端子電極が形成されている。第１絶縁体層Ｓ１の上面にはインダクタ形成用の第１導体パターンＣＬ１１及びキャパシタ形成用の第１電極パターンＥＣ１１が形成されている。第２絶縁体層Ｓ２の上面にはインダクタ形成用の第２導体パターンＣＬ１２及びキャパシタ形成用の第２電極パターンＥＣ１２が形成されている。第２導体パターンＣＬ１２は第２絶縁体層Ｓ２の内部にも形成されている。つまり、第２導体パターンＣＬ１２は、第２絶縁体層Ｓ２の上面に形成される部分と第２絶縁体層Ｓ２の内部に形成される部分を有している。第２絶縁体層Ｓ２の上面には第２絶縁体層Ｓ２、第２導体パターンＣＬ１２及び第２電極パターンＥＣ１２を被覆する第３絶縁体層Ｓ３が形成されている。

【0017】

第１電極パターンＥＣ１１と第２電極パターンＥＣ１２とは第２絶縁体層Ｓ２を介して対向している。この構造により、この第１電極パターンＥＣ１１、第２電極パターンＥＣ１２及び第２絶縁体層Ｓ２によってキャパシタが構成されている。

【0018】

第２絶縁体層Ｓ２に形成されている第２導体パターンＣＬ１２は第１導体パターンＣＬ１１に沿って連続する形状である。そして、本実施形態においては、第２導体パターンＣＬ１２は、延びる形状の全長に亘って、第２絶縁体層Ｓ２の厚み方向において第１導体パターンＣＬ１１に導通接続する（図２（Ｂ）、図２（Ｃ）参照）。言い換えれば、第２導体パターンＣＬ１２における第２絶縁体層Ｓ２の内部に形成されている部分は、第２導体パターンＣＬ１２を平面視して延びる形状の全長に亘って、第１導体パターンＣＬ１１に接続する。この構造により、第１導体パターンＣＬ１１及び第２導体パターンＣＬ１２によってインダクタが構成されている。このように、第１導体パターンＣＬ１１と第２導体パターンＣＬ１２とが、第２絶縁体層Ｓ２の厚み方向において導通接続するように形成することで、インダクタを構成する電極の厚みを厚くすることができる。これにより、電極の表面積が大きくなり、インダクタを構成する電極を高周波信号が伝搬する際の表皮効果などによる高周波抵抗の増加を低減でき、インダクタとしてのＱ値を高くすることができる。なお、本実施形態においては、第１導体パターンＣＬ１１と第２導体パターンＣＬ１２とが、各パターンを平面視して延びる形状のほぼ全長に亘って導通接続されているが、少なくとも一部が導通接続されていればよい。

【0019】

図３は電子部品１１の回路図である。この電子部品１１は上記インダクタＬ１及び前記キャパシタＣ１を備える。

【0020】

図４は第１の実施形態に係るフィルタモジュールの回路図である。このフィルタモジュールは、グランドとの間で入出力ポートを構成する端子Ｔ１，Ｔ２を備える。そしてフィルタ回路部は、インダクタＬ１，Ｌ２及びキャパシタＣ１，Ｃ２，Ｃ３で構成されている。

【0021】

このように、図１～図３に示した電子部品と、当該電子部品のインダクタＬ１又はキャパシタＣ１に接続された、インダクタＬ２又はキャパシタＣ２，Ｃ３とを備えることでフィルタモジュールを構成できる。インダクタＬ２及びキャパシタＣ２，Ｃ３は、インダクタＬ１及びキャパシタＣ１が形成された複数の絶縁体層に同様に形成できる。

【0022】

次に電子部品１１の製造方法について例示する。図５（Ａ）、図５（Ｂ）、図５（Ｃ）は、第１導体パターン及び第１電極パターン形成工程における各段階での断面図である。

【0023】

まず、図５（Ａ）に示すように、第１絶縁体層Ｓ１の上面に感光性導電ペーストをスクリーン印刷し、乾燥させることによって、感光性導電ペーストの膜ＰＰを形成する。

【0024】

次に、図５（Ｂ）に示すように、フォトマスクＰＭを介して感光性導電ペーストの膜ＰＰにＵＶ光を照射する。

【0025】

その後、感光性導電ペーストの膜ＰＰを現像し、焼結させることによって、図５（Ｃ）に示すように、第１導体パターンＣＬ１１及び第１電極パターンＥＣ１１を形成する。

【0026】

図６（Ａ）、図６（Ｂ）、図６（Ｃ）は、第２絶縁体層Ｓ２の形成工程における各段階での断面図である。

【0027】

まず、図６（Ａ）に示すように、第１絶縁体層Ｓ１の上面に感光性絶縁ペーストをスクリーン印刷し、乾燥させることによって、感光性絶縁ペーストの膜Ｓ２Ｐを形成する。

【0028】

次に、図６（Ｂ）に示すように、フォトマスクＰＭを介して感光性絶縁ペーストの膜Ｓ２ＰにＵＶ光を照射する。

【0029】

その後、感光性絶縁ペーストの膜Ｓ２Ｐを現像し、焼結させることによって、図６（Ｃ）に示すように、開口ＡＰを有する第２絶縁体層Ｓ２を形成する。

【0030】

図７（Ａ）、図７（Ｂ）、図７（Ｃ）、図７（Ｄ）は、第１導体パターン、第２導体パターン、第１電極パターン、第２電極パターン及び第３絶縁体層の形成工程における各段階での断面図である。

【0031】

まず、図７（Ａ）に示すように、第２絶縁体層Ｓ２の上面に感光性導電ペーストをスクリーン印刷し、乾燥させることによって、感光性導電ペーストの膜ＰＰを形成する。

【0032】

次に、図７（Ｂ）に示すように、フォトマスクＰＭを介して感光性導電ペーストの膜ＰＰにＵＶ光を照射する。

【0033】

その後、感光性導電ペーストの膜ＰＰを現像し、焼結させることによって、図７（Ｃ）に示すように、第２導体パターンＣＬ１２及び第２電極パターンＥＣ１２を形成する。

【0034】

最後に、図７（Ｄ）に示すように、第２絶縁体層Ｓ２の上面に第３絶縁体層Ｓ３を形成する。

【0035】

以上に示した電子部品の製造方法によれば、第２絶縁体層Ｓ２上及び開口ＡＰ内に第２電極パターンＥＣ１２と共に第２導体パターンＣＬ１２を同時に形成できるので、電子部品を少ない工程数で製造することができる。

【0036】

以上では、フォトマスクを使用した製造方法を示したが、本発明の電子部品はこの製造方法に限らない。例えば、スクリーン印刷による電極パターンを形成する工程や、絶縁層にレーザーで孔をあけビア電極を充填する工程を用いて、絶縁シートを積層する工法で製造してもよい。

【0037】

次に、第１導体パターンＣＬ１１及び第２導体パターンＣＬ１２の重なり具合についての幾つかの変形例を示す。

【0038】

図８（Ａ）、図８（Ｂ）、図８（Ｃ）は、第１導体パターンＬＣ１１及び第２導体パターンＣＬ１２それぞれの線幅を等しくしたときの電子部品の断面図である。これらの断面位置は、図２（Ｃ）に示した断面位置と同じである。図８（Ａ）に示すように、第１導体パターンＣＬ１１及び第２導体パターンＣＬ１２それぞれの線幅が等しく且つ平面視で全体が重なっていることが好ましい。しかし、各層の導体パターンの形成精度に応じて、図８（Ｂ）、図８（Ｃ）に示すように、第２導体パターンＣＬ１２が第１導体パターンＣＬ１１の線幅より外側にはみ出す。このように、ループの内縁及び外縁において導体パターンの凹凸があると、電流密度が不均一となって、電流密度の高い箇所での導体損失が増大する。

【0039】

一方、図２（Ｂ）、図２（Ｃ）に示した例では、第１導体パターンＣＬ１１及び第２導体パターンＣＬ１２はループ形状又はループの一部を形成する形状であり、第１導体パターンＣＬ１１及び第２導体パターンＣＬ１２の積層方向から視た平面視で、第２導体パターンＣＬ１２のうち、第２絶縁体層Ｓ２内に形成されている導体パターンは、第２導体パターンＣＬ１２のうち、第２絶縁体層Ｓ２の上面に形成されている導体パターンの線幅（幅方向の両端）及び第１導体パターンＣＬ１１の線幅（幅方向の両端）より内側に位置する。このように、第２導体パターンＣＬ１２のうち、第２絶縁体層Ｓ２内に形成されている導体パターンの線幅を第２導体パターンＣＬ１２のうち、第２絶縁体層Ｓ２の上面に形成されている導体パターンの線幅及び第１導体パターンＣＬ１１の線幅より細く定めておく。これにより、第２導体パターンＣＬ１２のうち、第２絶縁体層Ｓ２内に形成されている導体パターンがループの開口方向へ突出する状態を避けることができる。

【0040】

図９（Ａ）、図９（Ｂ）は、第１導体パターンＣＬ１１及び第２導体パターンＣＬ１２の位置関係の例を示す断面図である。これらの断面位置は、図２（Ｃ）に示した断面位置と同じである。

【0041】

図９（Ａ）、図９（Ｂ）に示すいずれの電子部品においても、第２導体パターンＣＬ１２のうち、第２絶縁体層Ｓ２内に形成されている導体パターンの線幅は、第２導体パターンＣＬ１２のうち、第２絶縁体層Ｓ２の上面に形成されている導体パターンの線幅及び第１導体パターンＣＬ１１の線幅より細い。図９（Ａ）に示す例では、第１導体パターンＣＬ１１及び第２導体パターンＣＬ１２の積層方向から視た平面視でのループの内縁が第１導体パターンＣＬ１１及び第２導体パターンＣＬ１２で同一箇所にある。つまり、第１導体パターンＣＬ１１及び第２導体パターンＣＬ１２の内周は揃っている。図９（Ｂ）に示す例では、平面視でのループの外縁が第１導体パターンＣＬ１１及び第２導体パターンＣＬ１２で同一箇所にある。つまり、第１導体パターンＣＬ１１及び第２導体パターンＣＬ１２の外周は揃っている。

【0042】

インダクタを構成する第１導体パターンＣＬ１１及び第２導体パターンＣＬ１２の内周部は、近接効果により電流密度がより高い。したがって、図９（Ａ）に示すように、ループの開口方向への各導体パターンＣＬ１１，ＣＬ１２の突出が少ない方が好ましい。

【0043】

《第２の実施形態》
第２の実施形態では、複数の第１導体パターン、複数の第２導体パターン及び３つ以上の第１電極パターン又は第２電極パターンを備える電子部品について例示する。

【0044】

図１０は第２の実施形態に係る電子部品１２Ａの分解平面図である。図１１（Ａ）は電子部品１２Ａの平面図であり、図１１（Ｂ）は図１１（Ａ）におけるＸ－Ｘ部分の断面図ある。

【0045】

この電子部品１２Ａは、絶縁体層Ｓａ，Ｓｂ，Ｓｃ，Ｓｄを備える。絶縁体層Ｓａの下面には端子電極が形成されている。絶縁体層Ｓａの上面には導体パターンＣＬ１ａ及び電極パターンＥＣ１ａが形成されている。絶縁体層Ｓｂの上面には導体パターンＣＬ１ｂ及び電極パターンＥＣ１ｂが形成されている。絶縁体層Ｓｂの内部にも導体パターンＣＬ１ｂが形成されている。つまり、導体パターンＣＬ１ｂは、絶縁体層Ｓｂの上面に形成される部分と絶縁体層Ｓｂの内部に形成される部分を有している。絶縁体層Ｓｃの上面には導体パターンＣＬ１ｃ及び電極パターンＥＣ１ｃが形成されている。絶縁体層Ｓｃの内部にも導体パターンＣＬ１ｃが形成されている。つまり、導体パターンＣＬ１ｃは、絶縁体層Ｓｃの上面に形成される部分と絶縁体層Ｓｃの内部に形成される部分を有している。絶縁体層Ｓｃの上面には絶縁体層Ｓｃ、導体パターンＣＬ１ｃ及び電極パターンＥＣ１ｃを被覆する絶縁体層Ｓｄが形成されている。

【0046】

この電子部品１２Ａは、絶縁体層Ｓａ，Ｓｂ，Ｓｃ，Ｓｄを備える。絶縁体層Ｓａの下面には端子電極が形成されている。絶縁体層Ｓａの上面には導体パターンＣＬ１ａ及び電極パターンＥＣ１ａが形成されている。絶縁体層Ｓｂの上面には導体パターンＣＬ１ｂ及び電極パターンＥＣ１ｂが形成されている。絶縁体層Ｓｂの内部には導体パターンＣＬ１ｃが形成されている。絶縁体層Ｓｃの上面には導体パターンＣＬ１ｃ及び電極パターンＥＣ１ｃが形成されている。絶縁体層Ｓｃの内部には導体パターンＣＬ１ｃが形成されている。絶縁体層Ｓｃの上面には絶縁体層Ｓｃ、導体パターンＣＬ１ｃ及び電極パターンＥＣ１ｃを被覆する絶縁体層Ｓｄが形成されている。

【0047】

導体パターンＣＬ１ａ，ＣＬ１ｂの組において、導体パターンＣＬ１ａは第１導体パターン、導体パターンＣＬ１ｂは第２導体パターン、絶縁体層Ｓａは第１絶縁体層、絶縁体層Ｓｂは第２絶縁体層、絶縁体層Ｓｃは第３絶縁体層、にそれぞれ相当する。また、導体パターンＣＬ１ｂ，ＣＬ１ｃの組において、導体パターンＣＬ１ｂは第１導体パターン、導体パターンＣＬ１ｃは第２導体パターン、絶縁体層Ｓｂは第１絶縁体層、絶縁体層Ｓｃは第２絶縁体層、絶縁体層Ｓｄは第３絶縁体層、にそれぞれ相当する。

【0048】

電極パターンＥＣ１ａ，ＥＣ１ｂの組において、電極パターンＥＣ１ａは第１電極パターン、電極パターンＥＣ１ｂは第２電極パターンにそれぞれ相当する。また、電極パターンＥＣ１ｂ，ＥＣ１ｃの組において、電極パターンＥＣ１ｂは第１電極パターン、電極パターンＥＣ１ｃは第２電極パターンにそれぞれ相当する。

【0049】

導体パターンＣＬ１ｂは導体パターンＣＬ１ａに沿って連続し、導体パターンＣＬ１ｃは導体パターンＣＬ１ｂに沿って連続する。導体パターンＣＬ１ｂにおける絶縁体層Ｓｂの内部に形成されている部分は、導体パターンＣＬ１ｂを平面視して延びる形状の全長に亘って、導体パターンＣＬ１ａに接続する。導体パターンＣＬ１ｃにおける絶縁体層Ｓｃの内部に形成されている部分は、導体パターンＣＬ１ｃを平面視して延びる形状の全長に亘って、導体パターンＣＬ１ｂに接続する。そして、導体パターンＣＬ１ａ，ＣＬ１ｂ，ＣＬ１ｃによってインダクタが構成されている。また、電極パターンＥＣ１ａ，ＥＣ１ｂ，ＥＣ１ｃ及び絶縁体層Ｓｂ，Ｓｃによってキャパシタが構成されている。

【0050】

図１２は第２の実施形態に係る別の電子部品１２Ｂの分解平面図である。図１３（Ａ）は電子部品１２Ｂの平面図であり、図１３（Ｂ）は図１３（Ａ）におけるＸ－Ｘ部分の断面図ある。

【0051】

この電子部品１２Ｂは、絶縁体層Ｓａ，Ｓｂ，Ｓｃ，Ｓｄ，Ｓｅを備える。絶縁体層Ｓａの下面には端子電極が形成されている。絶縁体層Ｓａの上面には導体パターンＣＬ１ａ及び電極パターンＥＣ１ａが形成されている。絶縁体層Ｓｂの上面には電極パターンＥＣ１ｂが形成されている。絶縁体層Ｓｂの上面及び絶縁体層Ｓｂの内部には導体パターンＣＬ１ｂが形成されている。絶縁体層Ｓｃの上面には導体パターンＣＬ１ｃ及び電極パターンＥＣ１ｃが形成されている。絶縁体層Ｓｃの内部には、導体パターンＣＬ１ｂの端部と導体パターンＣＬ１ｃの端部とを導通させるビア導体Ｖが形成されている。絶縁体層Ｓｄの上面には電極パターンＥＣ１ｄが形成されている。絶縁体層Ｓｄの上面及び絶縁体層Ｓｄの内部には導体パターンＣＬ１ｄが形成されている。絶縁体層Ｓｄの上面には絶縁体層Ｓｄ、導体パターンＣＬ１ｄ及び電極パターンＥＣ１ｄを被覆する絶縁体層Ｓｅが形成されている。

【0052】

導体パターンＣＬ１ａ，ＣＬ１ｂの組において、導体パターンＣＬ１ａは第１導体パターン、導体パターンＣＬ１ｂは第２導体パターン、絶縁体層Ｓａは第１絶縁体層、絶縁体層Ｓｂは第２絶縁体層、絶縁体層Ｓｃは第３絶縁体層、にそれぞれ相当する。また、導体パターンＣＬ１ｃ，ＣＬ１ｄの組において、導体パターンＣＬ１ｃは第１導体パターン、導体パターンＣＬ１ｄは第２導体パターン、絶縁体層Ｓｃは第１絶縁体層、絶縁体層Ｓｄは第２絶縁体層、絶縁体層Ｓｅは第３絶縁体層、にそれぞれ相当する。

【0053】

電極パターンＥＣ１ａ，ＥＣ１ｂの組において、電極パターンＥＣ１ａは第１電極パターン、電極パターンＥＣ１ｂは第２電極パターンにそれぞれ相当する。また、電極パターンＥＣ１ｃ，ＥＣ１ｄの組において、電極パターンＥＣ１ｃは第１電極パターン、電極パターンＥＣ１ｄは第２電極パターンにそれぞれ相当する。

【0054】

導体パターンＣＬ１ｂは導体パターンＣＬ１ａに沿って連続し、導体パターンＣＬ１ｄは導体パターンＣＬ１ｃに沿って連続する。導体パターンＣＬ１ｂにおける絶縁体層Ｓｂの内部に形成されている部分は、導体パターンＣＬ１ｂを平面視して延びる形状の全長に亘って、導体パターンＣＬ１ａに接続する。導体パターンＣＬ１ｄにおける絶縁体層Ｓｄの内部に形成されている部分は、導体パターンＣＬ１ｄを平面視して延びる形状の全長に亘って、導体パターンＣＬ１ｃに接続する。そして、導体パターンＣＬ１ａ，ＣＬ１ｂ，ＣＬ１ｃ，ＣＬ１ｄによってインダクタが構成されている。また、電極パターンＥＣ１ａ，ＥＣ１ｂ，ＥＣ１ｃ，ＥＣ１ｄ及び絶縁体層Ｓｂ，Ｓｃ，Ｓｄによってキャパシタが構成されている。

【0055】

《第３実施形態》
第３の実施形態では、フィルタモジュールについて例示する。

【0056】

図１４は第３の実施形態に係るフィルタモジュール１３の斜視図である。図１５はフィルタモジュール１３の各絶縁体層及びそれらに形成されている導体パターンを示す分解平面図である。図１６はフィルタモジュール１３の回路図である。

【0057】

図１６に示すように、フィルタモジュール１３は、キャパシタＣ１，Ｃ２及びインダクタＬ２，Ｌｇで構成されている。各素子の値は例えば次のとおりである。

【0058】

Ｃ１：０．５６ｐＦ
Ｃ２：０．７５ｐＦ
Ｌｇ：０．９ｎＨ
Ｌ２：１．２ｎＨ
インダクタＬｇ－Ｌ２間の結合係数：０．３２
図１４、図１５に示すように、フィルタモジュール１３は、それぞれ矩形の複数の絶縁体層Ｓ１～Ｓ１７が積層されて構成される直方体形状の積層体１を備える。この積層体１の外面に、例えばめっきで構成された第１端子電極ＥＴ１、第２端子電極ＥＴ２、グランド端子電極（図１４では後方に隠れている端子）、内部電極の層間接続のための浮き端子電極ＥＮＣが形成されている。

【0059】

インダクタＬ２は、複数の絶縁体層の積層体１に形成された導体パターンＣＬ２で構成されていて、インダクタＬｇは、複数の絶縁体層の積層体１に形成された導体パターンＣＬｇで構成されている。

【0060】

キャパシタＣ１は、複数の絶縁体層の積層方向に互いに対向する電極パターンＥＣ１及びこれら電極パターンＥＣ１で挟まれる絶縁体層で構成されている。また、キャパシタＣ２は、複数の絶縁体層の積層方向に互いに対向する電極パターンＥＣ２及びこれら電極パターンで挟まれる絶縁体層で構成されている。

【0061】

上記導体パターンＣＬ２は、図１５に示す導体パターンＣＬ２ａ，ＣＬ２ｂ，ＣＬ２ｃ，ＣＬ２ｄで構成されている。また、上記導体パターンＣＬｇは、図１５に示す導体パターンＣＬｇａ，ＣＬｇｂ，ＣＬｇｃ，ＣＬｇｄで構成されている。また、上記電極パターンＥＣ１は図１５に示す電極パターンＥＣ１ａ，ＥＣ１ｂ，ＥＣ１ｃ，ＥＣ１ｄ，ＥＣ１ｅで構成されている。さらに、上記電極パターンＥＣ２は図１５に示す電極パターンＥＣ２ａ，ＥＣ２ｂ，ＥＣ２ｃ，ＥＣ２ｄ，ＥＣ２ｅ，ＥＣ２ｆで構成されている。第１絶縁体層Ｓ１の下面には端子Ｔ１，Ｔ２，ＧＮＤ，ＮＣの各電極が形成されている。ここで、端子Ｔ１，Ｔ２，ＧＮＤ，ＮＣの各電極は絶縁体層Ｓ１に予め形成されていてもよいし、複数の絶縁体層が積層された後に形成されてもよい。また、本実施形態では絶縁体層Ｓ１から絶縁体層Ｓ１７までを順に積層する例を示したが、逆の順で、端子Ｔ１，Ｔ２，ＧＮＤ，ＮＣの形成されない絶縁体層Ｓ１７からはじめ、絶縁体層Ｓ１までを順に積層してもよい。

【0062】

インダクタ形成用の導体パターンＣＬ２ｂは導体パターンＣＬ２ａに沿って連続する形状である。導体パターンＣＬ２ｂにおける絶縁体層Ｓ５の内部に形成されている部分は、導体パターンＣＬ２ｂを平面視して延びる形状の全長に亘って、導体パターンＣＬ２ａに接続する。同様に、導体パターンＣＬ２ｄは導体パターンＣＬ２ｃに沿って連続する形状である。導体パターンＣＬ２ｄにおける絶縁体層Ｓ７の内部に形成されている部分は、導体パターンＣＬ２ｄを平面視して延びる形状の全長に亘って、導体パターンＣＬ２ｃに接続する。導体パターンＣＬｇｄは導体パターンＣＬｇｃに沿って連続する形状である。導体パターンＣＬｇｄにおける絶縁体層Ｓ１７の内部に形成されている部分は、導体パターンＣＬｇｄを平面視して延びる形状の全長に亘って、導体パターンＣＬｇｃに接続する。導体パターンＣＬｇｂは導体パターンＣＬｇａに沿って連続する形状である。導体パターンＣＬｇｂにおける絶縁体層Ｓ１４の内部に形成されている部分は、導体パターンＣＬｇｂを平面視して延びる形状の全長に亘って、導体パターンＣＬｇａに接続する。

【0063】

導体パターンＣＬ２ａ，ＣＬ２ｂの一端と導体パターンＣＬ２ｃ，ＣＬ２ｄの一端とはビア導体Ｖを介して接続されている。また、導体パターンＣＬｇａ，ＣＬｇｂの一端と導体パターンＣＬｇｃ，ＣＬｇｄの一端とはビア導体Ｖを介して接続されている。

【0064】

図１７、図１８それぞれは第３の実施形態に係る別のフィルタモジュールの各絶縁体層及びそれらに形成されている導体パターンを示す分解平面図である。

【0065】

図１７に示すフィルタモジュールは、図１５に比べて、絶縁体層Ｓ４，Ｓ５に形成されている導体パターンＣＬ２ａ，ＣＬ２ｂの形状、絶縁体層Ｓ１７に形成されている導体パターンＣＬｇｄの形状、絶縁体層Ｓ１３に形成されている電極パターンＥＣ１ｄの形状が異なる。

【0066】

図１７に示す例では、導体パターンＣＬ２ａ、導体パターンＣＬ２ｂがその順に次第に長くなっている。この構造により、導体パターンＣＬ２ａ，ＣＬ２ｂの積層方向における導体膜厚の変化が滑らかになって、インダクタＬ２に流れる電流の集中が緩和される。

【0067】

また、図１７に示す例では、絶縁体層Ｓ１７に形成されている導体パターンＣＬｇｄの端部は端子ＧＮＤに導通する角部の導体部にまで繋がっている。この構造により、導体パターンＣＬｇｃ，ＣＬｇｄ全体の導体膜厚が端部まで均等になって、インダクタＬｇに流れる電流の集中が緩和される。

【0068】

また、図１７に示す例では、電極パターンＥＣ１ｄの端部が、電極パターンＥＣ１ｃと同様に、端子ＮＣに導通する角部の導体部にまで繋がっている。この構造により、キャパシタＣ１を構成する電極パターンＥＣ１ｃ，ＥＣ１ｄの積層方向における導体膜厚の変化が緩やかになり、局所的な電流集中が緩和され、インダクタのＱ値が効果的に改善できる。

【0069】

図１８に示すフィルタモジュールは、図１７に比べて、絶縁体層Ｓ６に形成されているビア導体Ｖの形状、絶縁体層Ｓ６，Ｓ７に形成されている導体パターンＣＬ２ｃ，ＣＬ２ｄの形状、絶縁体層Ｓ１３，Ｓ１４に形成されている導体パターンＣＬｇａ，ＣＬｇｂの形状、絶縁体層Ｓ１５に形成されているビア導体Ｖの形状、絶縁体層Ｓ１６，Ｓ１７に形成されている導体パターンＣＬｇｃ，ＣＬｇｄの形状がそれぞれ異なる。

【0070】

図１８に示す例では、導体パターンＣＬ２ｃ、導体パターンＣＬ２ｄがその順に次第に長くなっている。さらに、導体パターンＣＬ２ｂと導体パターンＣＬ２ｃとを接続するビア導体Ｖが、導体パターンＣＬ２ｂと導体パターンＣＬ２ｃとを層に沿って繋ぐように延びている。この構造により、導体パターンＣＬ２ｂ，ＣＬ２ｃ，ＣＬ２ｄの積層方向における導体膜厚の変化が滑らかになって、インダクタＬ２に流れる電流の集中がより緩和される。

【0071】

また、図１８に示す例では、導体パターンＣＬｇａ、導体パターンＣＬｇｂがその順に次第に長くなっている。同様に、導体パターンＣＬｇｃ、導体パターンＣＬｇｄがその順に次第に短くなっている。さらに、導体パターンＣＬｇｂと導体パターンＣＬｇｃとを接続するビア導体Ｖが、導体パターンＣＬｇｂと導体パターンＣＬｇｃとを層に沿って繋ぐように延びている。この構造により、導体パターンＣＬｇａ，ＣＬｇｂ，ＣＬｇｃ，ＣＬｇｄの積層方向における導体膜厚の変化が滑らかになって、インダクタＬｇに流れる電流の集中が緩和される。

【0072】

《第４の実施形態》
第４の実施形態では、複数の導体パターンの積層方向での接合構造について例示する。

【0073】

図１９（Ａ）はインダクタ形成用の導体パターンＣＬｇａ，ＣＬｇｂ，ＣＬｇｃ，ＣＬｇｄ及びビア導体Ｖの接合構造を模式的に示す図であり、積層方向に対する垂直方向から視た図である。絶縁体層については図示を省略している。これら導体パターンおよびビア導体は、図１５における導体パターンＣＬｇａ，ＣＬｇｂ、導体パターンＣＬｇｃ，ＣＬｇｄ及びビア導体Ｖの接合構造に対応する。

【0074】

この図１９（Ａ）に示すように、導体パターンを積層方向に部分的に接続しない構造であれば、その非接続部の長さによってインダクタのインダクタンスを容易に微調整できる。

【0075】

図１９（Ｂ）はインダクタ形成用の導体パターンＣＬｇａ，ＣＬｇｂ，ＣＬｇｃ，ＣＬｇｄ及びビア導体Ｖの断面図である。絶縁体層については図示を省略している。これら導体パターンおよびビア導体は、図１７における導体パターンＣＬｇａ，ＣＬｇｂ、導体パターンＣＬｇｃ，ＣＬｇｄ及びビア導体Ｖの接合構造に対応する。

【0076】

この図１９（Ｂ）に示すように、導体パターンＣＬｇａの略全体に導体パターンＣＬｇｂが導通することにより、また、導体パターンＣＬｇｃの略全体に導体パターンＣＬｇｄが導通することにより、インダクタの等価直列抵抗を低減でき、Ｑ値の高いインダクタが得られる。

【0077】

図１９（Ｃ）はインダクタ形成用の導体パターンＣＬ２ａ，ＣＬ２ｂ，ＣＬ２ｃ，ＣＬ２ｄ及びビア導体Ｖの断面図である。絶縁体層については図示を省略している。これら導体パターンおよびビア導体は、図１７における導体パターンＣＬ２ａ，ＣＬ２ｂ、導体パターンＣＬ２ｃ，ＣＬ２ｄ及びビア導体Ｖの接合構造に対応する。

【0078】

この図１９（Ｃ）に示すように、導体パターンの積層方向に層数の変化が緩やかになり、局所的な電流集中が緩和され、インダクタのＱ値が効果的に改善できる。

【0079】

図１９（Ｄ）はインダクタ形成用の導体パターンＣＬｇａ，ＣＬｇｂ，ＣＬｇｃ，ＣＬｇｄ及びビア導体Ｖの断面図である。絶縁体層については図示を省略している。これら導体パターンおよびビア導体は、図１８における導体パターンＣＬｇａ，ＣＬｇｂ、導体パターンＣＬｇｃ，ＣＬｇｄ及びビア導体Ｖの接合構造に対応する。

【0080】

この図１９（Ｄ）に示すように、導体パターンＣＬｇａ，ＣＬｇｂと導体パターンＣＬｇｃ，ＣＬｇｄとを長い距離に亘ってビア導体Ｖを介して接続することにより、インダクタＬｇのインダクタンスを容易に微調整できる。

【0081】

図１９（Ｅ）はインダクタ形成用の導体パターンＣＬ２ａ，ＣＬ２ｂ，ＣＬ２ｃ，ＣＬ２ｄ及びビア導体Ｖの断面図である。絶縁体層については図示を省略している。図１９（Ｃ）に比べて、導体パターンＣＬ２ｂ，ＣＬ２ｃ及びビア導体Ｖの接合長さが短く、導体パターンが３層以上重ならないように構成されている。

【0082】

この図１９（Ｅ）に示すように、導体パターンの積層数が局所的に多くなる箇所を避けることにより、焼成時に絶縁体と導体パターンとの焼成収縮の仕方により発生するクラックなどの構造欠陥を抑制できる。

【0083】

《第５の実施形態》
第５の実施形態では、以上に示したフィルタモジュールを備える電子機器について例示する。

【0084】

図２０は第５の実施形態に係る電子機器２０１の構成を示すブロック図である。この電子機器２０１は、例えばいわゆるスマートフォンや携帯電話器である。この電子機器２０１は、デュプレクサ５３、アンテナ５４、制御回路５０、インターフェイス及びメモリ５１、周波数シンセサイザ５２を備える。送信系は、送話器６１、送信信号処理回路６２、送信ミキサ６３、送信フィルタ６４及びパワーアンプ６５で構成されている。受信系は、ローノイズアンプ７１、受信フィルタ７２、受信ミキサ７３、受信信号処理回路７４及び受話器７５で構成されている。パワーアンプ６５から出力される送信信号はデュプレクサ５３を介してアンテナ５４へ出力される。また、アンテナ５４で受信された信号はデュプレクサ５３を介してローノイズアンプ７１で増幅される。なお、通話ではなくデータ通信などの場合には、制御回路５０は受信信号を処理する。

【0085】

送信フィルタ６４や受信フィルタ７２には、本発明のフィルタモジュールを適用できる。また、デュプレクサ５３の高周波数側のフィルタに本発明のフィルタモジュールを適用できる。

【0086】

また、パワーアンプ６５の前後、ローノイズアンプ７１の前後、送信ミキサ６３の前後、受信ミキサ７３等の前後にフィルタを設ける場合に、それらのフィルタに、本発明のフィルタモジュールを適用できる。

【0087】

最後に、本発明は上述した実施形態に限られるものではない。当業者によって適宜変形及び変更が可能である。本発明の範囲は、上述の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲内と均等の範囲内での実施形態からの変形及び変更が含まれる。

【0088】

例えば、図１では、絶縁体層Ｓ２に、当該絶縁体層Ｓ２を貫通して第１導体パターンＣＬ１１に沿って連続的に導通する第２導体パターンＣＬ１２が形成された例を示したが、第２導体パターンＣＬ１２は第１導体パターンＣＬ１１に沿った複数箇所に非連続的に形成されてもよい。

【符号の説明】

【0089】

ＡＰ：開口
Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３…キャパシタ
ＣＬ１１…第１導体パターン
ＣＬ１２…第２導体パターン
ＣＬ１ａ，ＣＬ１ｂ，ＣＬ１ｃ，ＣＬ１ｄ…導体パターン
ＣＬ２，ＣＬ２ａ，ＣＬ２ｂ，ＣＬ２ｃ，ＣＬ２ｄ…導体パターン
ＣＬｇ，ＣＬｇａ，ＣＬｇｂ，ＣＬｇｃ，ＣＬｇｄ…導体パターン
ＥＣ１１…第１電極パターン
ＥＣ１２…第２電極パターン
ＥＣ１，ＥＣ１ａ，ＥＣ１ｂ，ＥＣ１ｃ，ＥＣ１ｄ，ＥＣ１ｅ…電極パターン
ＥＣ２，ＥＣ２ａ，ＥＣ２ｂ，ＥＣ２ｃ，ＥＣ２ｄ，ＥＣ２ｅ，ＥＣ２ｆ…電極パターン
ＥＮＣ…浮き端子電極
ＥＴ１…第１端子電極
ＥＴ２…第２端子電極
Ｌ１，Ｌ２，Ｌｇ…インダクタ
ＬＣ１１…第１導体パターン
ＰＭ…フォトマスク
ＰＰ…感光性導電ペーストの膜
Ｓ１…第１絶縁体層
Ｓ１４，Ｓ１５，Ｓ１６，Ｓ１７…絶縁体層
Ｓ２…第２絶縁体層
Ｓ２Ｐ…感光性絶縁ペーストの膜
Ｓ３…第３絶縁体層
Ｓ４，Ｓ５，Ｓ６，Ｓ７…絶縁体層
Ｓａ，Ｓｂ，Ｓｃ，Ｓｄ，Ｓｅ…絶縁体層
Ｔ１，Ｔ２，ＧＮＤ，ＮＣ…端子
Ｖ…ビア導体
１…積層体
１１…電子部品
１２Ａ，１２Ｂ…電子部品
１３…フィルタモジュール
５０…制御回路
５１…メモリ
５２…周波数シンセサイザ
５３…デュプレクサ
５４…アンテナ
６１…送話器
６２…送信信号処理回路
６３…送信ミキサ
６４…送信フィルタ
６５…パワーアンプ
７１…ローノイズアンプ
７２…受信フィルタ
７３…受信ミキサ
７４…受信信号処理回路
７５…受話器
２０１…電子機器

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】