特開 2025-103900 半導体装置の製造方法および半導体装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2025103900

(43)【公開日】2025-07-09

(54)【発明の名称】半導体装置の製造方法および半導体装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/02 20060101AFI20250702BHJP

【ＦＩ】

H01L21/02 A

【審査請求】未請求

【請求項の数】6

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023221612

(22)【出願日】2023-12-27

【国等の委託研究の成果に係る記載事項】（出願人による申告）２０２３年度、国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構「経済安全保障重要技術育成プログラム／ハイブリッドクラウド利用基盤技術の開発／半導体・電子機器等のハードウェアにおける不正機能排除のための検証基盤の確立」委託研究、産業技術力強化法第１７条の適用を受ける特許出願

(71)【出願人】

【識別番号】000102980

【氏名又は名称】リンテック株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100120592

【弁理士】

【氏名又は名称】山崎 崇裕

(74)【代理人】

【識別番号】100184712

【弁理士】

【氏名又は名称】扇原 梢伸

(74)【代理人】

【識別番号】100192223

【弁理士】

【氏名又は名称】加久田 典子

(72)【発明者】

【氏名】田久 真也

(57)【要約】

【課題】小型の半導体装置を製造することができる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体本体ＷＦを被覆する被覆材ＡＳを用意する被覆材用意工程１０と、識別子ＩＤが形成された識別部材ＷＫを用意する識別部材用意工程２０と、被覆材ＡＳを介して識別部材ＷＫを半導体本体ＷＦに積層して半導体装置ＳＤを形成する積層工程５０とを実施し、被覆材用意工程１０では、被覆材ＡＳとして半導体本体ＷＦと識別部材ＷＫとの両方に接着可能なものを用意し、積層工程５０では、識別部材ＷＫを被覆材ＡＳに直接接触させた状態で当該識別部材ＷＫを半導体本体ＷＦに積層する。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

半導体本体を被覆する被覆材を用意する被覆材用意工程と、
識別子が形成された識別部材を用意する識別部材用意工程と、
前記被覆材を介して前記識別部材を前記半導体本体に積層して半導体装置を形成する積層工程とを実施し、
前記被覆材用意工程では、前記被覆材として前記半導体本体と前記識別部材との両方に接着可能なものを用意し、
前記積層工程では、前記識別部材を前記被覆材に直接接触させた状態で当該識別部材を前記半導体本体に積層することを特徴とする半導体装置の製造方法。

【請求項2】

前記積層工程では、前記識別子が前記被覆材側となるようにして、前記識別部材を前記被覆材に積層することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。

【請求項3】

前記識別部材の一方の面に交差する方向の厚みを薄くする薄化工程を実施することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体装置の製造方法。

【請求項4】

前記識別部材の一方の面方向の幅を狭くする狭化工程を実施することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体装置の製造方法。

【請求項5】

前記被覆材は、所定のエネルギーの付与によって当該所定のエネルギー特有の変化を起こす性質を有し、
前記被覆材に前記所定のエネルギーを付与するエネルギー付与工程を実施することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体装置の製造方法。

【請求項6】

識別子が形成された識別部材が被覆材を介して半導体本体に積層された半導体装置において、
前記識別部材が前記被覆材に直接接触した状態で前記半導体本体に積層されていることを特徴とする半導体装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、半導体装置の製造方法および半導体装置に関する。

【背景技術】

【0002】

識別子を有する半導体装置の製造方法および識別子を有する半導体装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０２２－６７８８８号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

特許文献１に記載された製造方法によって製造された半導体パッケージ（半導体装置）は、ＩＣチップ２０（半導体本体）に小片１１（識別部材）を積層するにあたり、半導体本体を被覆する封止樹脂（被覆材）と識別部材との間に接着剤１３が必要となる。一方、このような半導体装置は、μｍ（マイクロメートル）またはｎｍ（ナノメートル）単位で小型化が求められるため、特許文献１に記載された製造方法によって製造された半導体装置は、小型化の面で不都合を発生する。

【0005】

本発明の目的は、小型の半導体装置を製造することができる半導体装置の製造方法を提供することにある。
また、本発明の別の目的は、小型の半導体装置を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明は、請求項に記載した構成を採用した。

【発明の効果】

【0007】

本発明によれば、被覆材として半導体本体と識別部材との両方に接着可能なものを用い、識別部材を被覆材に直接接触させた状態で当該識別部材を半導体本体に積層するので、識別部材と被覆材との間にそれらを接着するものが不要となり、小型の半導体装置を製造することができる。
また、本発明によれば、識別部材が被覆材に直接接触した状態で当該識別部材が半導体本体に積層されているので、識別部材と被覆材との間にそれらを接着するものがない分、小型の半導体装置とすることができる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】（Ａ）～（Ｉ）は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造装置の説明図。（Ｊ）～（Ｍ）は、変形例の説明図。

【発明を実施するための形態】

【0009】

以下、本発明の一実施形態を図面に基づいて説明する。
なお、本実施形態におけるＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸は、それぞれが直交する関係にあり、Ｘ軸およびＹ軸は、所定平面内の軸とし、Ｚ軸は、前記所定平面に直交する軸とする。さらに、本実施形態では、図１（Ａ）中手前方向から観た場合を基準とし、図を指定することなく方向を示した場合、「上」がＺ軸の矢印方向で「下」がその逆方向、「左」がＸ軸の矢印方向で「右」がその逆方向、「前」がＹ軸の矢印方向で「後」がその逆方向とする。

【0010】

本発明の半導体装置の製造方法は、図１（Ａ）～（Ｆ）に示すように、半導体本体としての半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」ともいう）ＷＦを被覆する被覆材としての接着シートＡＳを用意する被覆材用意工程１０（図１（Ａ）参照）と、文字や記号等の識別子ＩＤが形成された識別部材ＷＫを用意する識別部材用意工程２０（図１（Ｂ）参照）と、識別部材ＷＫの一方の面ＷＫ１に交差する方向の厚みを薄くする薄化工程３０（図１（Ｃ）参照）と、識別部材ＷＫの一方の面ＷＫ１方向の幅を狭くする狭化工程４０（図１（Ｄ）参照）と、接着シートＡＳを介して識別部材ＷＫをウエハＷＦに積層して半導体装置ＳＤを形成する積層工程５０（図１（Ｅ）参照）と、接着シートＡＳに所定のエネルギーとしての熱ＨＡを付与するエネルギー付与工程６０（図１（Ｆ）参照）とを実施する。
なお、本実施形態のウエハＷＦは、シリコン半導体によって構成されている。

【0011】

被覆材用意工程１０では、接着シートＡＳとしてウエハＷＦと識別部材ＷＫとの両方に接着可能なものを用意するようになっている。
なお、本実施形態の接着シートＡＳは、熱ＨＡの付与によって当該熱ＨＡ特有の変化としての硬化を起こす性質を有している。

【0012】

識別部材用意工程２０は、図１（Ｂ）に示すように、識別子形成器機としてのレーザ照射装置ＬＤによって識別部材ＷＫを構成する本体に刻印を施し、一方の面ＷＫ１に識別子ＩＤが形成された識別部材ＷＫを用意するようになっている（図１（Ｇ）参照）。
なお、本実施形態の識別部材ＷＫを構成する本体は、ウエハＷＦと同じ材料によって構成されている。

【0013】

薄化工程３０では、図１（Ｃ）に示すように、識別部材ＷＫの他方の面ＷＫ２を研削器機としてのグラインダＷＳで研削することで、当該識別部材ＷＫの厚みを薄くするようになっている。
なお、本実施形態の薄化工程３０では、識別部材ＷＫの厚みが３０μｍとなるように当該識別部材ＷＫの厚みを薄くするようになっている。

【0014】

狭化工程４０では、図１（Ｄ）に示すように、識別部材ＷＫを切断予定ラインＣＬ１（図１（Ｃ）、（Ｇ）参照）に沿って切断部材としてのロータリカッタＲＣで切断することで、当該識別部材ＷＫの幅を狭くするようになっている。
なお、本実施形態の狭化工程３０では、左右方向および前後方向の幅が１００μｍとなるように識別部材ＷＫの幅を狭くするようになっている。

【0015】

積層工程５０では、図１（Ｅ）に示すように、ウエハＷＦの一方の面ＷＦ１と識別部材ＷＫの一方の面ＷＫ１との間に接着シートＡＳを介在させてそれらを接着することで、識別部材ＷＫを接着シートＡＳに直接接触させた状態で当該識別部材ＷＫをウエハＷＦに積層するようになっている（図１（Ｈ）、（Ｉ）参照）。
なお、本実施形態の積層工程４０では、識別子ＩＤが形成された面が接着シートＡＳ側となるようにして、識別部材ＷＫを接着シートＡＳに積層するようになっている。

【0016】

エネルギー付与工程６０では、図１（Ｆ）に示すように、接着シートＡＳに熱風送風機ＨＦで熱ＨＡを付与することで、当該接着シートＡＳを硬化させるようになっている。

【0017】

以上の工程によって形成された半導体装置ＳＤは、識別部材ＷＫの他方の面ＷＫ２側やウエハＷＦの他方の面ＷＦ２側から識別子ＩＤが透視されることで、例えば、当該半導体装置ＳＤの偽造検出や真贋判定が行われたり、当該半導体装置ＳＤに施す各種処理が決定されたりするといった運用が行われる。

【0018】

以上のような実施形態によれば、接着シートＡＳとしてウエハＷＦと識別部材ＷＫとの両方に接着可能なものを用い、識別部材ＷＫを接着シートＡＳに直接接触させた状態で当該識別部材ＷＫをウエハＷＦに積層するので、識別部材ＷＫと接着シートＡＳとの間にそれらを接着するものが不要となり、小型の半導体装置ＳＤを製造することができる。

【0019】

本発明における手段および工程は、それら手段および工程について説明した動作、機能または工程を果たすことができる限りなんら限定されることはなく、まして、前記実施形態で示した単なる一実施形態の構成物や工程に全く限定されることはない。例えば、識別部材用意工程は、識別子が形成された識別部材を用意する工程であればどのような工程でもよく、出願当初の技術常識に照らし合わせてその技術範囲内のものであればなんら限定されることはない（その他の手段および工程も同じ）。

【0020】

なお、本発明の半導体装置ＳＤは、図１（Ｈ）～（Ｌ）に示すように、識別子ＩＤが形成された識別部材ＷＫが被覆材としての接着シートＡＳを介して半導体本体としてのウエハＷＦや半導体チップ（以下、単に「チップ」ともいう）ＣＰに積層されたものであって、識別部材ＷＫが接着シートＡＳに直接接触した状態でウエハＷＦやチップＣＰに積層されており、上記の実施形態や以下に例示した各工程等を経て形成されたものであってよい。
このような半導体装置ＳＤによれば、識別部材ＷＫが接着シートＡＳに直接接触した状態で当該識別部材がウエハＷＦやチップＣＰに積層されているので、識別部材ＷＫと接着シートＡＳとの間にそれらを接着するものがない分、小型の半導体装置ＳＤとすることができる。

【0021】

被覆材用意工程１０では、半導体本体としてのチップＣＰを被覆する被覆材としての接着シートＡＳを用意してもよいし、被覆材として、例えば、粘着シート、接着テープ、粘着テープ、接着剤、粘着剤、樹脂材、ゴム材、金属材、はんだ、蝋、ニス等、半導体本体と識別部材ＷＫとの両方に接着可能なものであればどのようなものを用意してもよく、固体状の物質を用意してもよいし、液体状の物質を用意してもよいし、ジェル状の物質を用意してもよいし、半導体本体よりも大きな被覆材を用意してもよいし、半導体本体よりも小さな被覆材を用意してもよいし、半導体本体と同じ大きさの被覆材を用意してもよい。
被覆材用意工程１０は、識別部材用意工程２０と、薄化工程３０との間で実施してもよいし、薄化工程３０と狭化工程４０との間で実施してもよいし、狭化工程４０と積層工程５０との間で実施してもよく、識別部材ＷＫを被覆材に直接接触させた状態で当該識別部材ＷＫを半導体本体に積層した半導体装置ＳＤを製造する過程で、被覆材を用意することが可能なタイミングであればどの段階で行ってもよい。

【0022】

識別部材用意工程２０では、例えば、カッター刃や高圧水等の切断部材を用いたり、エンドミルや砥石等の研削部材を用いたり、ウエットエッチングやドライエッチング等のエッチング技術を用いたりして、識別部材ＷＫを構成する本体に識別子ＩＤを形成してもよいし、識別子形成器機としてインクジェットプリンタ、凸版印刷機、凹版印刷機、平版印刷機、シルク印刷、スクリン印刷、サーマル印字機、熱転写印字機、ドットインパクト印刷機、露光装置、彫刻器機、エッチング装置、着色装置等、どのようなものが採用されてもよいし、識別部材ＷＫを構成する本体に印字、印刷、プリント、転写、露光、彫刻、食刻、腐食、着色、変色等によって識別子ＩＤを形成してもよいし、例えば、文字、数字、記号、図、絵、模様、傷、穴等、どのような識別子ＩＤを形成してもよいし、文字や記号等の組み合わせによって識別が可能な識別子ＩＤを形成してもよいし、文字や記号等の配置やフォント等によって識別が可能な識別子ＩＤを成してもよいし、暗号文字や暗号記号等によって識別が可能な識別子ＩＤを形成してもよいし、例えば、図１（Ｍ）に示すように、刻印による文字ＥＬとインクジェット印刷による文字ＩＬとの組み合わせによる識別子ＩＤを形成してもよいし、例えば、刻印による記号、印刷による図、インクジェット印刷による数字、エンドミル加工による模様等を適宜に組み合わせて識別子ＩＤを形成してもよいし、例えば、刻印による絵のみ、印刷による文字のみ、インクジェット印刷による記号のみ、エンドミル加工による数字のみ等によって識別子ＩＤを形成してもよいし、例えば、図１（Ｍ）の拡大図に示すように、刻印による文字ＥＬ等における不規則な輪郭の削れ具合によって識別が可能な識別子ＩＤを形成してもよいし、例えば、図１（Ｍ）の拡大図に示すように、インクジェット印刷による文字ＩＬ等における不規則なインクの滲み具合によって識別が可能な識別子ＩＤを形成してもよいし、例えば、図１（Ｍ）の拡大図に示すように、インクジェット印刷によるインクの飛散による不規則な散在マークＳＭ等によって識別が可能な識別子ＩＤが形成されてもよいし、識別部材ＷＫの一方の面ＷＫ１のみに識別子ＩＤを形成してもよいし、識別部材ＷＫの他方の面ＷＫ２のみに識別子ＩＤを形成してもよいし、識別部材ＷＫの一方の面ＷＫ１と他方の面ＷＫ２との両方に識別子ＩＤを形成してもよいし、１の識別部材ＷＫに１の識別子ＩＤを形成してもよいし、１の識別部材ＷＫに複数の識別子ＩＤを形成してもよい。
識別部材用意工程２０は、被覆材用意工程１０の前段で実施してもよいし、薄化工程３０と、狭化工程４０との間で実施してもよいし、狭化工程４０と積層工程５０との間で実施してもよいし、積層工程５０とエネルギー付与工程６０の間で実施してもよいし、エネルギー付与工程６０の後段で実施してもよく、識別部材ＷＫを被覆材に直接接触させた状態で当該識別部材ＷＫを半導体本体に積層した半導体装置ＳＤを製造する過程で、識別部材ＷＫを用意することが可能なタイミングであればどの段階で行ってもよい。
識別部材用意工程２０では、所定の部材に識別子ＩＤを形成することなく、上述したような識別子ＩＤが予め形成された識別部材ＷＫを用意してもよいし、何らかの識別子ＩＤが予め形成された識別部材ＷＫを用い、当該識別部材ＷＫに対して上述したような識別子ＩＤを識別子形成器機でさらに形成して識別部材ＷＫを用意するようにしてもよい。

【0023】

薄化工程３０では、研削器機として、電動やすり、サンダ、スライス装置、電動カッター、せん断加工装置、プレス機、研磨装置、エッチング装置等を採用し、削ったり、切ったり、打ち抜いたり、研磨したり、溶解したり、食刻したりして識別部材ＷＫの厚みを薄くしてもよいし、識別部材ＷＫの一方の面ＷＫ１側から当該識別部材ＷＫの厚みを薄くしたり、識別部材ＷＫの他方の面ＷＫ２側から当該識別部材ＷＫの厚みを薄くしたり、識別部材ＷＫの一方の面ＷＫ１側と他方の面ＷＫ２側との両方から当該識別部材ＷＫの厚みを薄くしたりしてもよいし、厚みが３００ｎｍや１０μｍ等、３０μｍよりも小さくなるように識別部材ＷＫの厚みを薄くしてもよいし、１００μｍや１ｍｍ等、３０μｍよりも大きくなるように識別部材ＷＫの厚みを薄くしてもよく、大きさや形状が限定されることはない。
薄化工程３０は、被覆材用意工程１０の前段で実施してもよいし、被覆材用意工程１０と識別部材用意工程２０との間で実施してもよいし、狭化工程４０と積層工程５０との間で実施してもよいし、積層工程５０とエネルギー付与工程６０との間で実施してもよいし、エネルギー付与工程６０の後段で実施してもよく、識別部材ＷＫを被覆材に直接接触させた状態で当該識別部材ＷＫを半導体本体に積層した半導体装置ＳＤを製造する過程で、識別部材ＷＫの厚みを薄くすることが可能なタイミングであればどの段階で行ってもよいし、本発明の製造方法で実施してもよいし、実施しなくてもよい。

【0024】

狭化工程４０では、切断部材として、電動やすり、サンダ、スライス装置、電動カッター、せん断加工装置、プレス機、研磨装置、エッチング装置等を採用し、削ったり、切ったり、打ち抜いたり、研磨したり、溶解したり、食刻したりして識別部材ＷＫの幅を狭くしてもよいし、識別部材ＷＫの一方の面ＷＫ１側から当該識別部材ＷＫの幅を狭くしたり、識別部材ＷＫの他方の面ＷＫ２側から当該識別部材ＷＫの幅を狭くしたり、識別部材ＷＫの一方の面ＷＫ１側と他方の面ＷＫ２側との両方から当該識別部材ＷＫの幅を狭くしたりしてもよいし、薄化工程３０を実施する前に切断予定ラインＣＬ１に沿う有底の溝を形成しておき、薄化工程３０の実施の際に、当該溝に達するまで薄化することで、識別部材ＷＫの一方の面ＷＫ１方向の幅を狭くするようにしてもよいし、薄化工程３０を実施する前に切断予定ラインＣＬ１に沿う脆弱層を形成しておき、薄化工程３０を実施する際の振動によって当該脆弱層に亀裂が入るようにすることで、識別部材ＷＫの一方の面ＷＫ１方向の幅を狭くするようにしてもよいし、左右方向および前後方向の幅が０．５μｍや５０μｍ等、１００μｍよりも小さくなるように識別部材ＷＫの幅を狭くしてもよいし、５００μｍや３ｍｍ等、１００μｍよりも大きくなるように識別部材ＷＫの幅を狭くしてもよいし、左右方向の幅と前後方向の幅とが同じとなるように識別部材ＷＫの幅を狭くしたり、左右方向の幅と前後方向の幅とが異なるように識別部材ＷＫの幅を狭くしたりしていてもよいし、平面形状が円形、楕円形、三角形や五角形等の多角形またはその他任意の形状等、どのような形状となるように識別部材ＷＫの幅を狭くしてもよく、大きさや形状が限定されることはない。
狭化工程４０は、被覆材用意工程１０の前段で実施してもよいし、被覆材用意工程１０と識別部材用意工程２０との間で実施してもよいし、識別部材用意工程２０と薄化工程３０との間で実施してもよいし、積層工程５０とエネルギー付与工程６０との間で実施してもよいし、エネルギー付与工程６０の後段で実施してもよく、識別部材ＷＫを被覆材に直接接触させた状態で当該識別部材ＷＫを半導体本体に積層した半導体装置ＳＤを製造する過程で、識別部材ＷＫの幅を狭くすることが可能なタイミングであればどの段階で行ってもよいし、本発明の製造方法で実施してもよいし、実施しなくてもよい。

【0025】

積層工程５０では、図１（Ｅ）中二点鎖線で示すように、チップＣＰの一方の面ＣＰ１と、識別部材ＷＫの一方の面ＷＫ１との間に接着シートＡＳが介在するようにして、識別部材ＷＫを接着シートＡＳに直接接触させた状態で当該識別部材ＷＫをチップＣＰに積層してもよいし、ウエハＷＦやチップＣＰの一方の面ＷＦ１、ＣＰ１と、識別部材ＷＫの他方の面ＷＫ２との間に接着シートＡＳが介在するようにして、識別部材ＷＫを接着シートＡＳに直接接触させた状態で当該識別部材ＷＫをウエハＷＦやチップＣＰに積層してもよいし、ウエハＷＦやチップＣＰの他方の面ＷＦ２、ＣＰ２と、識別部材ＷＫの一方の面ＷＫ１との間に接着シートＡＳが介在するようにして、識別部材ＷＫを接着シートＡＳに直接接触させた状態で当該識別部材ＷＫをウエハＷＦやチップＣＰに積層してもよいし、ウエハＷＦやチップＣＰの他方の面ＷＦ２、ＣＰ２と、識別部材ＷＫの他方の面ＷＫ２との間に接着シートＡＳが介在するようにして、識別部材ＷＫを接着シートＡＳに直接接触させた状態で当該識別部材ＷＫをウエハＷＦやチップＣＰに積層してもよいし、ウエハＷＦやチップＣＰの一方の面ＷＦ１、ＣＰ１の全部または一部を覆うように被覆した接着シートＡＳに、識別部材ＷＫを直接接触させた状態で当該識別部材ＷＫをウエハＷＦやチップＣＰに積層してもよいし、ウエハＷＦやチップＣＰの他方の面ＷＦ２、ＣＰ２の全部または一部を覆うように被覆した接着シートＡＳに、識別部材ＷＫを直接接触させた状態で当該識別部材ＷＫをウエハＷＦやチップＣＰに積層してもよいし、ウエハＷＦやチップＣＰの一方の面ＷＦ１、ＣＰ１の全部または一部と、ウエハＷＦやチップＣＰの他方の面ＷＦ２、ＣＰ２の全部または一部とを覆うように被覆した接着シートＡＳに、識別部材ＷＫを直接接触させた状態で当該識別部材ＷＫをウエハＷＦやチップＣＰに積層してもよいし、ウエハＷＦやチップＣＰの一方の面ＷＦ１、ＣＰ１の全部または一部と、ウエハＷＦやチップＣＰの側面の全部または一部を覆うように被覆した接着シートＡＳに、識別部材ＷＫを直接接触させた状態で当該識別部材ＷＫをウエハＷＦやチップＣＰに積層してもよいし、ウエハＷＦやチップＣＰの他方の面ＷＦ２、ＣＰ２の全部または一部と、ウエハＷＦやチップＣＰの側面の全部または一部を覆うように被覆した接着シートＡＳに、識別部材ＷＫを直接接触させた状態で当該識別部材ＷＫをウエハＷＦやチップＣＰに積層してもよいし、ウエハＷＦの一方の面ＷＦ１全部と他方の面ＷＦ２全部と側面全部とを覆うように被覆した接着シートＡＳに、識別部材ＷＫを直接接触させた状態で当該識別部材ＷＫをウエハＷＦやチップＣＰに積層してもよいし、チップＣＰの一方の面ＣＰ１全部と他方の面ＣＰ２全部と側面全部とを覆うように被覆した接着シートＡＳに、識別部材ＷＫを直接接触させた状態で当該識別部材ＷＫをウエハＷＦやチップＣＰに積層してもよく、ウエハＷＦやチップＣＰのどの面に被覆した接着シートＡＳに、識別部材ＷＫを直接接触させた状態で当該識別部材ＷＫをウエハＷＦやチップＣＰに積層してもよいし、ウエハＷＦやチップＣＰを接着シートＡＳで被覆した後、当該接着シートＡＳに識別部材ＷＫを直接接着させて当該識別部材ＷＫをウエハＷＦやチップＣＰに積層してもよいし、接着シートＡＳに識別部材ＷＫを直接接着させた後、当該接着シートＡＳでウエハＷＦやチップＣＰを被覆して識別部材ＷＫをウエハＷＦやチップＣＰに積層してもよいし、ウエハＷＦやチップＣＰを接着シートＡＳで被覆すると同時に、当該接着シートＡＳに識別部材ＷＫを直接接着させて当該識別部材ＷＫをウエハＷＦやチップＣＰに積層してもよい。
積層工程５０では、被覆材として、例えば、液体状の接着剤、液体状の粘着剤または液体状の樹脂材を採用し、ウエハＷＦ、チップＣＰまたは識別部材ＷＫにそれらを噴霧したり吹き付けたりして、識別部材ＷＫを被覆材に直接接触させた状態で当該識別部材ＷＫをウエハＷＦやチップＣＰに積層してもよいし、図１（Ｈ）、（Ｊ）に示すように、１の識別部材ＷＫを１の接着シートＡＳに直接接触させた状態で当該識別部材ＷＫを１のウエハＷＦや１のチップＣＰに積層してもよいし、図１（Ｉ）の上部や図１（Ｋ）に示すように、複数の識別部材ＷＫを１の接着シートＡＳに直接接触させた状態で当該識別部材ＷＫを１のウエハＷＦや１のチップＣＰに積層してもよいし、図１（Ｉ）の下部や図１（Ｌ）に示すように、複数の識別部材ＷＫを複数の接着シートＡＳにそれぞれ直接接触させた状態で当該識別部材ＷＫを１のウエハＷＦや１のチップＣＰに積層してもよいし、１または複数の接着シートＡＳに１または複数の識別部材ＷＫを直接接触させた状態で当該識別部材ＷＫを１のウエハＷＦや１のチップＣＰの一方の面のみまたは他方の面のみに積層してもよいし、１または複数の接着シートＡＳに１または複数の識別部材ＷＫを直接接触させた状態で当該識別部材ＷＫを１のウエハＷＦや１のチップＣＰの一方の面および他方の面の両方に積層してもよい。
積層工程５０は、被覆材用意工程１０と識別部材用意工程２０との間で実施してもよいし、識別部材用意工程２０と薄化工程３０との間で実施してもよいし、薄化工程３０と狭化工程４０との間で実施してもよいし、エネルギー付与工程６０の後段で実施してもよく、識別部材ＷＫを被覆材に直接接触させた状態で当該識別部材ＷＫを半導体本体に積層した半導体装置ＳＤを製造する過程で、被覆材を介して識別部材ＷＫを半導体本体に積層することが可能なタイミングであればどの段階で行ってもよい。
積層工程５０では、接着シートＡＳを介して識別部材ＷＫをウエハＷＦに積層した際、図１（Ｅ）、（Ｆ）に示すように、刻印した識別子ＩＤにおける全部の内部に接着シートＡＳが入り込むようにしてもよいし、刻印した識別子ＩＤにおける一部の内部に接着シートＡＳが入り込むようにしてもよいし、刻印した識別子ＩＤにおける全部の内部に接着シートＡＳが入り込まないようにしてもよいし、図１（Ｅ）、（Ｆ）に示すように、識別部材ＷＫの一部が接着シートＡＳに埋まるようにしてもよいし、識別部材ＷＫの全部が接着シートＡＳに埋まるようにしてもよいし、識別部材ＷＫが接着シートＡＳに埋まらないようにしてもよいし、被覆材と同等のものや被覆材とは異なるシートや接着剤等のカバー部材で接着シートＡＳ上の識別部材ＷＫをカバーしてもよい。

【0026】

エネルギー付与工程６０では、所定のエネルギーとして、紫外線、赤外線、可視光線、音波、Ｘ線またはガンマ線等の電磁波を付与したり、熱湯や熱風等の加熱媒体を付与したり、冷水や冷風等の冷却媒体を付与したり等、どのようなエネルギーを被覆材に付与してもよく、被覆材の特性、特質、性質、材質、組成および構成等を考慮して当該被覆材にそのエネルギー特有の変化を起こさせることができれば、どのようなエネルギーを被覆材に付与してもよい。
エネルギー付与工程６０は、被覆材用意工程１０と識別部材用意工程２０との間で実施してもよいし、識別部材用意工程２０と薄化工程３０との間で実施してもよいし、薄化工程３０と狭化工程４０との間で実施してもよいし、狭化工程４０と積層工程５０との間で実施してもよく、識別部材ＷＫを被覆材に直接接触させた状態で当該識別部材ＷＫを半導体本体に積層した半導体装置ＳＤを製造する過程で、接着シートＡＳに所定のエネルギーを付与することが可能なタイミングであればどの段階で行ってもよいし、本発明の製造方法で実施してもよいし、実施しなくてもよい。

【0027】

識別部材ＷＫを構成する本体は、半導体本体を構成する材料と同じ材料で構成されていてもよいし、半導体本体を構成する材料とは異なる材料で構成されていてもよいし、シリコン半導体や化合物半導体等の材料の他、金属、ガラス、陶器、木材、樹脂等、どのような材料で構成されていてもよい。
被覆材は、例えば、粘着シート、接着テープ、粘着テープ、接着剤、粘着剤、樹脂材、ゴム材、金属材、はんだ、蝋、ニス等、半導体本体と識別部材ＷＫとの両方に接着可能なものであればどのようなものでもよく、固体状の物質でもよいし、液体状の物質でもよいし、ジェル状の物質でもよいし、半導体本体よりも大きくてもよいし、小さくてもよいし、同じ大きさでもよいし、円形形状以外の例えば、三角形や五角形等の多角形や、楕円形等どのような形状でもよいし、所定のエネルギーの付与によって当該所定のエネルギー特有の変化を起こさないものでもよい。
被覆材が起こす所定のエネルギー特有の変化は、例えば、硬化、軟化、収縮、膨張、気化、液化、固化、変色、酸化、浸透、定着、接着力の低下または接着力の増加等、どのような変化でもよい。
ウエハＷＦは、方位を示すオリエンテーションフラットやＶノッチが外縁に形成されていてもよいし、オリエンテーションフラットやＶノッチが外縁に形成されていなくてもよいし、一方の面ＷＦ１に回路が形成されたものであってもよいし、他方の面ＷＦ２に回路が形成されたものであってもよいし、一方の面ＷＦ１および他方の面ＷＦ２の両方に回路が形成されたものであってもよいし、一方の面ＷＦ１および他方の面ＷＦ２の両方に回路が形成されていないものであってもよい。
チップＣＰは、ウエハＷＦがカットラインＣＬ２に沿って切断されたものでもよいし、カットラインＣＬ２に沿って切断されたものでなくてもよいし、一方の面ＣＰ１に回路が形成されたものであってもよいし、他方の面ＣＰ２に回路面が形成されたものであってもよいし、一方の面ＣＰ１および他方の面ＣＰ２の両方に回路が形成されたものであってもよいし、一方の面ＷＦ１および他方の面ＷＦ２の両方に回路が形成されていないものであってもよい。
半導体本体は、例えば、１ｍｍや７５０μｍ等の厚みから１００μｍや１０μｍ等の厚みに薄化されたものが積層工程５０で採用されてもよいし、例えば、２ｍｍや５００μｍ等の厚みのものが積層工程５０で採用され、当該積層工程５０の後段で半導体薄化工程が実施されることで、１５０μｍや２０μｍ等の厚みにまで薄化されてもよい。
半導体装置ＳＤに対する各種処理は、当該半導体装置ＳＤを他のものに設置する設置処理、半導体装置ＳＤに印字や印刷を行う付印処理、半導体装置ＳＤを搬送する搬送処理、半導体装置ＳＤの切断処理や研削処理、半導体装置ＳＤの検査やクリーニング等、どのような処理でもよい。

【0028】

図１（Ｈ）に示すような半導体装置ＳＤは、カットラインＣＬ２に沿って切断されることで、チップＣＰに接着シートＡＳが貼付された半導体装置ＳＤとされてもよいし、切断されなくてもよい。
図１（Ｉ）の上部に示すような半導体装置ＳＤは、カットラインＣＬ２に沿って切断されることで、図１（Ｊ）に示すような半導体装置ＳＤとされてもよいし、切断されなくてもよい。
図１（Ｉ）の下部に示すような半導体装置ＳＤは、カットラインＣＬ２に沿って切断されてもよいし、切断されなくてもよい。

【0029】

本発明における識別部材ＷＫ、被覆材および半導体本体の材質、種別、形状等は、特に限定されることはない。例えば、識別部材ＷＫ、被覆材および半導体本体は、円形、楕円形、三角形や四角形等の多角形、その他の形状であってもよいし、被覆材は、感圧接着性、感熱接着性等の接着形態のものであってもよく、感熱接着性の被覆材が採用された場合は、当該被覆材を加熱する適宜なコイルヒータやヒートパイプの加熱側等の加熱手段を設けるといった適宜な方法で接着されればよい。また、このような被覆材としての接着シートは、例えば、接着剤層だけの単層のもの、基材と接着剤層とが積層された２層のもの、基材と接着剤層との間に１または複数の中間層が積層された３層または３層以上のもの、基材の上面に１または複数のカバー層が積層された３層または３層以上のもの、基材、中間層またはカバー層が剥離可能に設けられたもの、接着剤層のみからなる単層の両面接着シート、１または複数の中間層の両最外面に接着剤層が積層された両面接着シート等、どのようなものでもよい。なお、被覆材は、例えば、情報記載用ラベル、装飾用ラベル、保護シート、ダイシングテープ、ダイアタッチフィルム、ダイボンディングテープ、記録層形成樹脂シート等の任意のシート、フィルム、テープ等でもよい。また、半導体本体は、シリコン半導体、化合物半導体、ダイヤモンド半導体等、どのような半導体であってもよい。

【符号の説明】

【0030】

１０…被覆材用意工程
２０…識別部材用意工程
３０…薄化工程
４０…狭化工程
５０…積層工程
６０…エネルギー付与工程
ＡＳ…接着シート（被覆材）
ＣＰ…半導体チップ（半導体本体）
ＨＡ…熱（所定のエネルギー）
ＩＤ…識別子
ＳＤ…半導体装置
ＷＦ…半導体ウエハ（半導体本体）
ＷＫ…識別部材
ＷＫ１…一方の面

【図1】