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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2025105306
(43)【公開日】2025-07-10
(54)【発明の名称】磁気センサ及び位置検出装置
(51)【国際特許分類】
G01D 5/245 20060101AFI20250703BHJP
【ＦＩ】
G01D5/245 110A
【審査請求】未請求
【請求項の数】8
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023223769
(22)【出願日】2023-12-29
(71)【出願人】
【識別番号】314012076
【氏名又は名称】パナソニックＩＰマネジメント株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110002527
【氏名又は名称】弁理士法人北斗特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】大山 裕樹
【テーマコード（参考）】
2F077
【Ｆターム（参考）】
2F077AA38
2F077AA43
2F077JJ03
2F077JJ09
2F077TT16
2F077WW06
(57)【要約】
【課題】磁気センサの小型化を図る。
【解決手段】磁気センサ１は、検出対象が所定方向Ｄ１に相対移動することで生じる磁界強度の変化に基づいて検出対象の位置を検出するように構成された磁気センサ１であって、検出対象の相対位置を検出するために所定方向Ｄ１に配列された相対位置検出用の磁気抵抗素子群２と、検出対象の原点を検出するために所定方向Ｄ１に配列された原点検出用の磁気抵抗素子群３と、を備える。相対位置検出用の磁気抵抗素子群２と、原点検出用の磁気抵抗素子群３と、がグランド端子６１及び電源端子６２の少なくとも一方を共有する。
【選択図】図２
【解決手段】磁気センサ１は、検出対象が所定方向Ｄ１に相対移動することで生じる磁界強度の変化に基づいて検出対象の位置を検出するように構成された磁気センサ１であって、検出対象の相対位置を検出するために所定方向Ｄ１に配列された相対位置検出用の磁気抵抗素子群２と、検出対象の原点を検出するために所定方向Ｄ１に配列された原点検出用の磁気抵抗素子群３と、を備える。相対位置検出用の磁気抵抗素子群２と、原点検出用の磁気抵抗素子群３と、がグランド端子６１及び電源端子６２の少なくとも一方を共有する。
【選択図】図２
【特許請求の範囲】
【請求項1】
検出対象が所定方向に相対移動することで生じる磁界強度の変化に基づいて前記検出対象の位置を検出するように構成された磁気センサであって、
前記検出対象の相対位置を検出するために前記所定方向に配列された相対位置検出用の磁気抵抗素子群と、
前記検出対象の原点を検出するために前記所定方向に配列された原点検出用の磁気抵抗素子群と、を備え、
前記相対位置検出用の磁気抵抗素子群と、前記原点検出用の磁気抵抗素子群と、はグランド端子及び電源端子の少なくとも一方を共有している、
磁気センサ。
前記検出対象の相対位置を検出するために前記所定方向に配列された相対位置検出用の磁気抵抗素子群と、
前記検出対象の原点を検出するために前記所定方向に配列された原点検出用の磁気抵抗素子群と、を備え、
前記相対位置検出用の磁気抵抗素子群と、前記原点検出用の磁気抵抗素子群と、はグランド端子及び電源端子の少なくとも一方を共有している、
磁気センサ。
【請求項2】
前記原点検出用の磁気抵抗素子群を一対備え、
前記一対の原点検出用の磁気抵抗素子群の一方が、前記相対位置検出用の磁気抵抗素子群との間で前記グランド端子又は前記電源端子を共有している、
請求項１の磁気センサ。
前記一対の原点検出用の磁気抵抗素子群の一方が、前記相対位置検出用の磁気抵抗素子群との間で前記グランド端子又は前記電源端子を共有している、
請求項１の磁気センサ。
【請求項3】
前記原点検出用の磁気抵抗素子群を一対備え、
前記一対の原点検出用の磁気抵抗素子群の一方が、前記相対位置検出用の磁気抵抗素子群との間で前記グランド端子を共有し、
前記一対の原点検出用の磁気抵抗素子群の他方が、前記相対位置検出用の磁気抵抗素子群との間で前記電源端子を共有している、
請求項１の磁気センサ。
前記一対の原点検出用の磁気抵抗素子群の一方が、前記相対位置検出用の磁気抵抗素子群との間で前記グランド端子を共有し、
前記一対の原点検出用の磁気抵抗素子群の他方が、前記相対位置検出用の磁気抵抗素子群との間で前記電源端子を共有している、
請求項１の磁気センサ。
【請求項4】
前記相対位置検出用の磁気抵抗素子群は、フルブリッジ回路を形成するように電気的に接続された４個の磁気抵抗素子で、構成されている、
請求項２又は３の磁気センサ。
請求項２又は３の磁気センサ。
【請求項5】
前記原点検出用の磁気抵抗素子群を一対備え、
前記所定方向に配列され、かつフルブリッジ回路を形成するように電気的に接続された８個の磁気抵抗素子で、前記相対位置検出用の磁気抵抗素子群と、前記一対の原点検出用の磁気抵抗素子群と、が構成されている、
請求項１の磁気センサ。
前記所定方向に配列され、かつフルブリッジ回路を形成するように電気的に接続された８個の磁気抵抗素子で、前記相対位置検出用の磁気抵抗素子群と、前記一対の原点検出用の磁気抵抗素子群と、が構成されている、
請求項１の磁気センサ。
【請求項6】
前記８個の磁気抵抗素子は、それぞれミアンダ形状を有する、
請求項５の磁気センサ。
請求項５の磁気センサ。
【請求項7】
前記フルブリッジ回路には、前記グランド端子が電気的に接続される１つの接地接続点と、前記電源端子が電気的に接続される１つの電源接続点と、が設けられている、
請求項６の磁気センサ。
請求項６の磁気センサ。
【請求項8】
請求項１の磁気センサと、
Ｎ極及びＳ極が前記所定方向において交互に着磁された磁気スケールと、を備え、
前記磁気スケールが前記検出対象を構成する、
位置検出装置。
Ｎ極及びＳ極が前記所定方向において交互に着磁された磁気スケールと、を備え、
前記磁気スケールが前記検出対象を構成する、
位置検出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、磁気センサ及び位置検出装置に関する。
【背景技術】
【0002】
磁気センサと、磁気スケールと、を備えた位置検出装置が、従来公知である。特許文献１には、この種の位置検出装置において、磁気スケールの原点を検出するための磁気抵抗素子群を更に備えることが提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１８－１５１１８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
上記した磁気センサでは、原点検出用の磁気抵抗素子群を更に備えるので、チップサイズが大型化しやすい。そのため、磁気センサひいては位置検出装置の小型化を図ることが困難であるという問題があった。
【0005】
本開示が解決しようとする課題は、磁気センサひいては位置検出装置の小型化を図ることにある。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本開示の一様態に係る磁気センサは、検出対象が所定方向に相対移動することで生じる磁界強度の変化に基づいて前記検出対象の位置を検出するように構成された磁気センサであって、前記検出対象の相対位置を検出するために前記所定方向に配列された相対位置検出用の磁気抵抗素子群と、前記検出対象の原点を検出するために前記所定方向に配列された原点検出用の磁気抵抗素子群と、を備える。前記相対位置検出用の磁気抵抗素子群と、前記原点検出用の磁気抵抗素子群と、はグランド端子及び電源端子の少なくとも一方を共有している。
【0007】
本開示の一態様に係る位置検出装置は、前記磁気センサと、Ｎ極及びＳ極が前記所定方向において交互に着磁された磁気スケールと、を備える。前記磁気スケールが前記検出対象を構成する。
【発明の効果】
【0008】
本開示は、磁気センサひいては位置検出装置の小型化を図ることができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【発明を実施するための形態】
【0010】
以下、第１実施形態の磁気センサ１及び位置検出装置９について、添付図面を参照して説明する。以下の実施形態等において参照する図は、いずれも模式的な図であり、図中の各構成要素の大きさや厚さそれぞれの比が、必ずしも実際の寸法比を反映しているとは限らない。
【0011】
【0012】
磁気スケール８には、Ｎ極８１及びＳ極８２が所定方向Ｄ１において交互に着磁されている。所定方向Ｄ１において、隣接する２つのＮ極８１の中心間の距離と、隣接する２つのＳ極８２の中心間の距離と、は互いに同一である。
【0013】
（磁気センサ）
磁気センサ１は、検出対象が所定方向Ｄ１に相対移動することで生じる磁界強度の変化に基づいて、検出対象の位置を検出するように構成されている。第１実施形態の位置検出装置９では、磁気スケール８が、検出対象を構成する。
磁気センサ１は、検出対象が所定方向Ｄ１に相対移動することで生じる磁界強度の変化に基づいて、検出対象の位置を検出するように構成されている。第１実施形態の位置検出装置９では、磁気スケール８が、検出対象を構成する。
【0014】
第１実施形態の位置検出装置９において、磁気センサ１は、所定方向Ｄ１に長く形成されている。つまり、磁気センサ１の長手方向が所定方向Ｄ１である。
【0015】
磁気センサ１は、図２に示される相対位置検出用の磁気抵抗素子群２と、原点検出用の磁気抵抗素子群３と、を備える。第１実施形態の位置検出装置９においては、磁気センサ１が、原点検出用の磁気抵抗素子群３を一対備えている。
【0016】
以下、一対の原点検出用の磁気抵抗素子群３のうち一方には符号３Ａを付し、他方には符号３Ｂを付す。
【0017】
一対の原点検出用の磁気抵抗素子群３Ａ，３Ｂは、所定方向Ｄ１において、相対位置検出用の磁気抵抗素子群２を挟んだ両側に位置している。言い換えると、相対位置検出用の磁気抵抗素子群２は、所定方向Ｄ１において、一対の原点検出用の磁気抵抗素子群３Ａ，３Ｂの間に位置している。
【0018】
（相対位置検出用の磁気抵抗素子群）
相対位置検出用の磁気抵抗素子群２は、検出対象である磁気スケール８の相対位置を検出するために、所定方向Ｄ１に配列されている。
相対位置検出用の磁気抵抗素子群２は、検出対象である磁気スケール８の相対位置を検出するために、所定方向Ｄ１に配列されている。
【0019】
詳細に述べると、相対位置検出用の磁気抵抗素子群２は、所定方向Ｄ１に配列された複数の磁気抵抗素子４１－４４で、構成されている。複数の磁気抵抗素子４１－４４は、フルブリッジ回路を形成するように電気的に接続されている。第１実施形態の磁気センサ１において、複数の磁気抵抗素子４１－４４は、所定方向Ｄ１に配列された４個の磁気抵抗素子４１－４４である。４個の磁気抵抗素子４１－４４は、第１磁気抵抗素子４１と、第２磁気抵抗素子４２と、第３磁気抵抗素子４３と、第４磁気抵抗素子４４と、で構成されている。
【0020】
第１実施形態の磁気センサ１は、第１配線パターン５１と、第２配線パターン５２と、第３配線パターン５３と、第４配線パターン５４と、を備える。
【0021】
また、第１実施形態の磁気センサ１は、グランド端子６１と、電源端子６２と、第１出力端子６３と、第２出力端子６４と、を備える。
【0022】
第１磁気抵抗素子４１、第２磁気抵抗素子４２、第３磁気抵抗素子４３及び第４磁気抵抗素子４４は、フルブリッジ回路を構成している。具体的には、第１磁気抵抗素子４１及び第２磁気抵抗素子４２の直列回路と、第３磁気抵抗素子４３及び第４磁気抵抗素子４４の直列回路と、が互いに並列に接続されている。すなわち、４個の磁気抵抗素子４１－４４は、互いに直列に接続されている第１磁気抵抗素子４１及び第２磁気抵抗素子４２と、互いに直列に接続されている第３磁気抵抗素子４３及び第４磁気抵抗素子４４と、を含む。
【0023】
第１磁気抵抗素子４１と第２磁気抵抗素子４２との接続点Ｐ１は、第１配線パターン５１を介してグランド端子６１に接続されている。言い換えると、第１磁気抵抗素子４１と第２磁気抵抗素子４２との接続点Ｐ１が、接地接続点７１である。
【0024】
第３磁気抵抗素子４３と第４磁気抵抗素子４４との接続点Ｐ２は、第２配線パターン５２を介して電源端子６２に接続されている。言い換えると、第３磁気抵抗素子４３と第４磁気抵抗素子４４との接続点Ｐ２が、電源接続点７２である。
【0025】
第２磁気抵抗素子４２と第４磁気抵抗素子４４との接続点Ｐ３は、第３配線パターン５３を介して第１出力端子６３に接続されている。言い換えると、第２磁気抵抗素子４２と第４磁気抵抗素子４４との接続点Ｐ３が、第１出力接続点７３である。
【0026】
第１磁気抵抗素子４１と第３磁気抵抗素子４３との接続点Ｐ４は、第４配線パターン５４を介して第２出力端子６４に接続されている。言い換えると、第１磁気抵抗素子４１と第３磁気抵抗素子４３との接続点Ｐ４が、第２出力接続点７４である。
【0027】
（原点検出用の磁気抵抗素子群）
原点検出用の磁気抵抗素子群３Ａ，３Ｂは、それぞれ、検出対象である磁気スケール８の原点を検出するために、所定方向Ｄ１に配列されている。
原点検出用の磁気抵抗素子群３Ａ，３Ｂは、それぞれ、検出対象である磁気スケール８の原点を検出するために、所定方向Ｄ１に配列されている。
【0028】
詳細に述べると、原点検出用の磁気抵抗素子群３Ａは、所定方向Ｄ１に配列された複数の磁気抵抗素子４５，４６で、構成されている。複数の磁気抵抗素子４５，４６は、電気的に直列に接続されている。
【0029】
第１実施形態の磁気センサ１において、複数の磁気抵抗素子４５，４６は、所定方向Ｄ１に配列された２個の磁気抵抗素子４５，４６である。２個の磁気抵抗素子４５，４６は、電気的に直列に接続された第５磁気抵抗素子４５と第６磁気抵抗素子４６とで構成されている。
【0030】
第５磁気抵抗素子４５は、第６磁気抵抗素子４６に電気的に接続される第１端部と、これとは反対側の第２端部と、を有する。第５磁気抵抗素子４５の第２端部には、電源端子６７が電気的に接続されている。
【0031】
第６磁気抵抗素子４６は、第５磁気抵抗素子４５に電気的に接続される第１端部と、これとは反対側の第２端部と、を有する。第６磁気抵抗素子４６の第１端部は、第５磁気抵抗素子４５の第１端部に対して、第５配線パターン５５を介して電気的に接続されている。第５配線パターン５５には、第３出力端子６５が電気的に接続されている。第６磁気抵抗素子４６の第２端部は、グランド端子６１に対して電気的に接続されている。
【0032】
つまり、グランド端子６１には、相対位置検出用の磁気抵抗素子群２が電気的に接続され、かつ原点検出用の磁気抵抗素子群３Ａが電気的に接続されている。
【0033】
より詳細に述べると、グランド端子６１には、相対位置検出用の磁気抵抗素子群２に含まれる第１磁気抵抗素子４１と第２磁気抵抗素子４２との接続点Ｐ１が、電気的に接続されている。加えて、グランド端子６１には、原点検出用の磁気抵抗素子群３Ａに含まれる第６磁気抵抗素子４６が、電気的に接続されている。グランド端子６１は、相対位置検出用の磁気抵抗素子群２と、原点検出用の磁気抵抗素子群３Ａと、で共有されている。
【0034】
原点検出用の磁気抵抗素子群３Ｂは、所定方向Ｄ１に配列された複数の磁気抵抗素子４７，４８で、構成されている。複数の磁気抵抗素子４７，４８は、電気的に直列に接続されている。
【0035】
第１実施形態の磁気センサ１において、複数の磁気抵抗素子４７，４８は、所定方向Ｄ１に配列された２個の磁気抵抗素子４７，４８である。２個の磁気抵抗素子４７，４８は、電気的に直列に接続された第７磁気抵抗素子４７と第８磁気抵抗素子４８とで構成されている。
【0036】
第７磁気抵抗素子４７は、第８磁気抵抗素子４８に電気的に接続される第１端部と、これとは反対側の第２端部と、を有する。第７磁気抵抗素子４７の第２端部には、電源端子６８が電気的に接続されている。
【0037】
第８磁気抵抗素子４８は、第７磁気抵抗素子４７に電気的に接続される第１端部と、これとは反対側の第２端部と、を有する。第８磁気抵抗素子４８の第１端部は、第７磁気抵抗素子４７の第１端部に対して、第６配線パターン５６を介して電気的に接続されている。第６配線パターン５６には、第４出力端子６６が電気的に接続されている。第８磁気抵抗素子４８の第２端部には、グランド端子６９が電気的に接続されている。
【0038】
つまり、第１実施形態の磁気センサ１において、相対位置検出用の磁気抵抗素子群２に電気的に接続されるグランド端子６１と、原点検出用の磁気抵抗素子群３Ｂに電気的に接続されるグランド端子６９と、は互いに独立して設けられている。
【0039】
第３出力端子６５から出力される信号は、第１出力端子６３や第２出力端子６４から出力される信号に近い信号となるが、磁気スケール８の一端部の存在に起因した成分を含む。そのため、第１出力端子６３や第２出力端子６４からの出力信号と、第３出力端子６５からの出力信号との差分を取ることで、磁気スケール８の一端部の存在を検出することが可能である。同様に、第１出力端子６３や第２出力端子６４からの出力信号と、第４出力端子６６からの出力信号との差分を取ることで、磁気スケール８の別端部の存在を検出することが可能である。
【0040】
（端子の共有）
上記したように、第１実施形態の磁気センサ１において、相対位置検出用の磁気抵抗素子群２と、これに隣接して位置する原点検出用の磁気抵抗素子群３Ａと、はグランド端子６１を共有している。
上記したように、第１実施形態の磁気センサ１において、相対位置検出用の磁気抵抗素子群２と、これに隣接して位置する原点検出用の磁気抵抗素子群３Ａと、はグランド端子６１を共有している。
【0041】
そのため、第１実施形態の磁気センサ１には、９個の端子６１－６９が設けられている。９個の端子６１－６９は、グランド端子６１、電源端子６２、第１出力端子６３、第２出力端子６４、第３出力端子６５、第４出力端子６６、電源端子６７、電源端子６８及びグランド端子６９である。
【0042】
図３には、比較例を示している。比較例において、第１実施形態と同様の構成については同一符号が付されている。比較例の磁気センサ１では、相対位置検出用の磁気抵抗素子群２と、原点検出用の磁気抵抗素子群３Ａと、の間でグランド端子６１が共有されていない。原点検出用の磁気抵抗素子群３Ａに含まれる第６磁気抵抗素子４６の第２端部には、グランド端子６１とは別のグランド端子６０が電気的に接続されている。変形例の磁気センサ１には、１０個の端子６０－６９が設けられている。
【0043】
上記の比較例との対比から明らかなように、第１実施形態の磁気センサ１のように、原点検出用の磁気抵抗素子群３Ａ，３Ｂの一方（ここでは磁気抵抗素子群３Ａ）が、相対位置検出用の磁気抵抗素子群２との間でグランド端子６１を共有することで、端子数が１個減じられる。そのため、第１実施形態の磁気センサ１によれば、チップサイズの小型化が可能となり、磁気センサ１の小型化、ひいては位置検出装置９の小型化が可能となる。
【0044】
２．第２実施形態
第２実施形態の位置検出装置９及び磁気センサ１について、図４及び図５に基づいて説明する。第２実施形態の位置検出装置９及び磁気センサ１では、磁気センサ１が備える相対位置検出用の磁気抵抗素子群２と、原点検出用の磁気抵抗素子群３Ｂと、の間で電源端子６２を共有しており、この点で、第１実施形態の位置検出装置９及び磁気センサ１とは相違する。
第２実施形態の位置検出装置９及び磁気センサ１について、図４及び図５に基づいて説明する。第２実施形態の位置検出装置９及び磁気センサ１では、磁気センサ１が備える相対位置検出用の磁気抵抗素子群２と、原点検出用の磁気抵抗素子群３Ｂと、の間で電源端子６２を共有しており、この点で、第１実施形態の位置検出装置９及び磁気センサ１とは相違する。
【0045】
上記の相違点以外については、第２実施形態の位置検出装置９及び磁気センサ１は第１実施形態と同様の構成を備える。第１実施形態と同様の構成については、同一符号を付して詳しい説明を省略する。
【0046】
図４に示されるように、第３実施形態の磁気センサ１において、第７磁気抵抗素子４７は、第８磁気抵抗素子４８に電気的に接続される第１端部と、これとは反対側の第２端部と、を有し、第７磁気抵抗素子４７の第２端部は、電源端子６２に対して電気的に接続されている。
【0047】
つまり、電源端子６２には、相対位置検出用の磁気抵抗素子群２が電気的に接続され、かつ原点検出用の磁気抵抗素子群３Ｂが電気的に接続されている。
【0048】
より詳細に述べると、電源端子６２には、相対位置検出用の磁気抵抗素子群２に含まれる第３磁気抵抗素子４３と第４磁気抵抗素子４４との接続点Ｐ２が、電気的に接続されている。加えて、電源端子６２には、原点検出用の磁気抵抗素子群３Ｂに含まれる第７磁気抵抗素子４７が、電気的に接続されている。電源端子６２は、相対位置検出用の磁気抵抗素子群２と、原点検出用の磁気抵抗素子群３Ｂと、で共有されている。
【0049】
つまり、第２実施形態の磁気センサ１では、相対位置検出用の磁気抵抗素子群２と、原点検出用の磁気抵抗素子群３Ａと、でグランド端子６１が共有され、かつ相対位置検出用の磁気抵抗素子群２と、原点検出用の磁気抵抗素子群３Ｂと、で電源端子６２が共有されている。
【0050】
そのため、例えば図３に示される比較例と対比した場合に、端子数が２個減じられる。
【0051】
図５には、第２実施形態の磁気センサ１の外観が示されている。第２実施形態の磁気センサ１は、所定方向Ｄ１を長手方向とした支持基板１０と、支持基板１０の表面に設けられた複数の電極１１－１８と、を備える。支持基板１０は、例えば、セラミック基板である。複数の電極１１－１８の材料は、例えば、ＣｕＮｉ（銅ニッケル）系合金である。
【0052】
複数の電極１１－１８は、８個の電極１１－１８である。８個の電極１１－１８は、図４に示される８個の端子６１－６７，６９に対して一対一で電気的に接続されている。８個の端子６１－６７，６９は、グランド端子６１、電源端子６２、第１出力端子６３、第２出力端子６４、第３出力端子６５、第４出力端子６６、電源端子６７及びグランド端子６９である。
【0053】
第２実施形態の磁気センサ１によれば、チップサイズの小型化が可能となり、磁気センサ１の小型化、ひいては位置検出装置９の小型化が可能となる。
【0054】
【0055】
第３実施形態の磁気センサ１においても、所定方向Ｄ１に配列された８個の磁気抵抗素子４１－４８を備えており、これら８個の磁気抵抗素子４１－４８によって、相対位置検出用の磁気抵抗素子群２と、一対の原点検出用の磁気抵抗素子群３Ａ，３Ｂと、が構成されている。
【0056】
第３実施形態の磁気センサ１においては、８個の磁気抵抗素子４１－４８が、フルブリッジ回路を形成するように電気的に接続されている。
【0057】
８個の磁気抵抗素子４１－４８は、所定方向Ｄ１に配列された４個の磁気抵抗素子４１－４４と、所定方向Ｄ１において４個の磁気抵抗素子４１－４４を挟んだ両側に位置する二対の磁気抵抗素子４５－４８と、で構成されている。
【0058】
４個の磁気抵抗素子４１－４４は、第１磁気抵抗素子４１、第２磁気抵抗素子４２、第３磁気抵抗素子４３及び第４磁気抵抗素子４４であり、この順で所定方向Ｄ１に配列されている。一対の磁気抵抗素子４５，４６は、第５磁気抵抗素子４５及び第６磁気抵抗素子４６であり、この順で所定方向Ｄ１に配列されている。第６磁気抵抗素子４６は、所定方向Ｄ１において第１磁気抵抗素子４１と隣接して配列されている。もう一対の磁気抵抗素子４７，４８は、第７磁気抵抗素子４７及び第８磁気抵抗素子４８であり、この順で所定方向Ｄ１に配列されている。第７磁気抵抗素子４７は、所定方向Ｄ１において第４磁気抵抗素子４４と隣接して配列されている。つまり、第５磁気抵抗素子４５、第６磁気抵抗素子４６、第１磁気抵抗素子４１、第２磁気抵抗素子４２、第３磁気抵抗素子４３、第４磁気抵抗素子４４、第７磁気抵抗素子４７及び第８磁気抵抗素子４８が、この順で所定方向Ｄ１に配列されている。
【0059】
４個の磁気抵抗素子４１－４４においては、第１磁気抵抗素子４１と第３磁気抵抗素子４３とが電気的に接続され、第２磁気抵抗素子４２と第４磁気抵抗素子４４とが電気的に接続されている。
【0060】
また、第１磁気抵抗素子４１は、第５磁気抵抗素子４５に電気的に接続され、第２磁気抵抗素子４２は、第６磁気抵抗素子４６に電気的に接続されている。第５磁気抵抗素子４５と第６磁気抵抗素子４６とが電気的に接続されている。
【0061】
第３磁気抵抗素子４３は、第７磁気抵抗素子４７に電気的に接続され、第４磁気抵抗素子４４は、第８磁気抵抗素子４８に電気的に接続されている。第７磁気抵抗素子４７と第８磁気抵抗素子４８とが電気的に接続されている。
【0062】
これら８個の磁気抵抗素子４１－４８を含むフルブリッジ回路には、接地接続点７１と、電源接続点７２と、第１出力接続点７３と、第２出力接続点７４と、第３出力接続点７５と、第４出力接続点７６と、が設けられている。
【0063】
接地接続点７１には、グランド端子６１が電気的に接続されている。接地接続点７１は、第５磁気抵抗素子４５と第６磁気抵抗素子４６との接続点Ｐ５で、構成されている。
【0064】
電源接続点７２には、電源端子６２が電気的に接続されている。電源接続点７２は、第７磁気抵抗素子４７と第８磁気抵抗素子４８との接続点Ｐ６で、構成されている。
【0065】
第１出力接続点７３には、第１出力端子６３が電気的に接続されている。第１出力接続点７３は、第２磁気抵抗素子４２と第４磁気抵抗素子４４との接続点Ｐ３で、構成されている。
【0066】
第２出力接続点７４には、第２出力端子６４が電気的に接続されている。第２出力接続点７４は、第１磁気抵抗素子４１と第３磁気抵抗素子４３との接続点Ｐ４で、構成されている。
【0067】
第３出力接続点７５には、原点検出用の第３出力端子６５が電気的に接続されている。第３出力接続点７５は、第１磁気抵抗素子４１と第５磁気抵抗素子４５との接続点Ｐ７で、構成されている。
【0068】
第４出力接続点７６には、原点検出用の第４出力端子６６が電気的に接続されている。第４出力接続点７６は、第４磁気抵抗素子４４と第８磁気抵抗素子４８との接続点Ｐ８で、構成されている。
【0069】
第３実施形態の磁気センサ１では、相対位置検出用の磁気抵抗素子群２及び原点検出用の磁気抵抗素子群３Ａ，３Ｂで、グランド端子６１及び電源端子６２がそれぞれ共有されている。そのため、例えば図３に示される比較例と対比した場合に、端子数が４個減じられる。
【0070】
図８には、第３実施形態の磁気センサ１の外観が示されている。第３実施形態の磁気センサ１は、支持基板１０の表面に設けられた６個の電極１１－１６を備える。６個の電極１１－１６の材料は、例えば、ＣｕＮｉ（銅ニッケル）系合金である。
【0071】
６個の電極１１－１６は、図７に示される６個の端子６１－６６に対して一対一で電気的に接続されている。６個の端子６１－６６は、グランド端子６１、電源端子６２、第１出力端子６３、第２出力端子６４、第３出力端子６５及び第４出力端子６６である。
【0072】
第３実施形態の磁気センサ１によれば、チップサイズの小型化が可能となり、磁気センサ１の小型化、ひいては位置検出装置９の小型化が可能となる。
【0073】
複数の磁気抵抗素子４１－４８はそれぞれ、ミアンダ形状に形成されていることが好ましい。図７に示されるように、第３実施形態の磁気センサ１において、８個の磁気抵抗素子４１－４８は、平面視においてそれぞれミアンダ形状に形成されている。
【0074】
ミアンダ形状を有する第１から第４磁気抵抗素子４１―４４は、均一幅の隙間を介して所定方向Ｄ１に配列されている。同様に、ミアンダ形状を有する第５及び第６磁気抵抗素子４５，４６は、均一幅の隙間を介して所定方向Ｄ１に配列されており、ミアンダ形状を有する第７及び第８磁気抵抗素子４７，４８は、均一幅の隙間を介して所定方向Ｄ１に配列されている。第６磁気抵抗素子４６及び第１磁気抵抗素子４１は、比較的大きな幅の隙間を介して所定方向Ｄ１に配列され、第４磁気抵抗素子４４及び第７磁気抵抗素子４７は、比較的大きな幅の隙間を介して所定方向Ｄ１に配列されている。第６磁気抵抗素子４６及び第１磁気抵抗素子４１の間の所定方向Ｄ１の幅と、第７磁気抵抗素子４７及び第４磁気抵抗素子４４の間の所定方向Ｄ１の幅と、は同一である。
【0075】
第１及び第２実施形態においても、複数の磁気抵抗素子４１－４８はそれぞれ、ミアンダ形状に形成されていることが好ましい。なお、これら複数の磁気抵抗素子４１－４８を、ミアンダ形状以外の形状に設けることも可能である。
【0076】
４．変形例
上述の実施形態は、本開示の様々な実施形態の一つにすぎない。上述の実施形態は、本開示の目的を達成できれば、設計等に応じて種々の変更が可能である。以下、上述の実施形態の変形例を列挙する。以下に説明する変形例は、適宜組み合わせて適用することが可能である。
上述の実施形態は、本開示の様々な実施形態の一つにすぎない。上述の実施形態は、本開示の目的を達成できれば、設計等に応じて種々の変更が可能である。以下、上述の実施形態の変形例を列挙する。以下に説明する変形例は、適宜組み合わせて適用することが可能である。
【0077】
第１実施形態の磁気センサ１では、相対位置検出用の磁気抵抗素子群２と、原点検出用の磁気抵抗素子群３Ａと、でグランド端子６１を共有しているが、共有する端子はこれに限定されない。例えば、相対位置検出用の磁気抵抗素子群２と、原点検出用の磁気抵抗素子群３Ａと、で電源端子６２を共有することも可能である。
【0078】
第２実施形態の磁気センサ１では、相対位置検出用の磁気抵抗素子群２と、原点検出用の磁気抵抗素子群３Ａと、でグランド端子６１を共有し、相対位置検出用の磁気抵抗素子群２と、原点検出用の磁気抵抗素子群３Ｂと、で電源端子６２を共有しているが、共有する端子はこれに限定されない。例えば、相対位置検出用の磁気抵抗素子群２と、原点検出用の磁気抵抗素子群３Ａと、で電源端子６２を共有し、相対位置検出用の磁気抵抗素子群２と、原点検出用の磁気抵抗素子群３Ｂと、でグランド端子６１を共有することも可能である。相対位置検出用の磁気抵抗素子群２と、原点検出用の磁気抵抗素子群３Ａと、ではグランド端子６１及び電源端子６２のいずれも共有せず、相対位置検出用の磁気抵抗素子群２と、原点検出用の磁気抵抗素子群３Ｂと、でグランド端子６１及び電源端子６２の少なくとも一方を共有することも可能である。また、相対位置検出用の磁気抵抗素子群２と、原点検出用の磁気抵抗素子群３Ｂと、ではグランド端子６１及び電源端子６２のいずれも共有せず、相対位置検出用の磁気抵抗素子群２と、原点検出用の磁気抵抗素子群３Ａと、でグランド端子６１及び電源端子６２の少なくとも一方を共有することも可能である。
【0079】
上記の実施形態では、検出対象の原点を検出するための磁気抵抗素子群３として、一対の原点検出用の磁気抵抗素子群３Ａ，３Ｂを備えているが、磁気抵抗素子群３を１つだけ備えることも可能である。例えば、第１実施形態の磁気センサ１において、検出対象の原点を検出するための磁気抵抗素子群３として、原点検出用の磁気抵抗素子群３Ａだけを備えることも可能である。
【0080】
５．まとめ
上記の実施形態及び変形例に基づいて説明したように、第１態様の磁気センサ（１）は、検出対象が所定方向（Ｄ１）に相対移動することで生じる磁界強度の変化に基づいて検出対象の位置を検出するように構成された磁気センサ（１）であって、検出対象の相対位置を検出するために所定方向（Ｄ１）に配列された相対位置検出用の磁気抵抗素子群（２）と、検出対象の原点を検出するために所定方向（Ｄ１）に配列された原点検出用の磁気抵抗素子群（３）と、を備える。相対位置検出用の磁気抵抗素子群（２）と、原点検出用の磁気抵抗素子群（３）と、はグランド端子（６１）及び電源端子（６２）の少なくとも一方を共有している。
上記の実施形態及び変形例に基づいて説明したように、第１態様の磁気センサ（１）は、検出対象が所定方向（Ｄ１）に相対移動することで生じる磁界強度の変化に基づいて検出対象の位置を検出するように構成された磁気センサ（１）であって、検出対象の相対位置を検出するために所定方向（Ｄ１）に配列された相対位置検出用の磁気抵抗素子群（２）と、検出対象の原点を検出するために所定方向（Ｄ１）に配列された原点検出用の磁気抵抗素子群（３）と、を備える。相対位置検出用の磁気抵抗素子群（２）と、原点検出用の磁気抵抗素子群（３）と、はグランド端子（６１）及び電源端子（６２）の少なくとも一方を共有している。
【0081】
この態様によれば、相対位置検出用の磁気抵抗素子群（２）と、原点検出用の磁気抵抗素子群（３）と、でグランド端子（６１）及び電源端子（６２）の少なくとも一方が共有されるので、チップサイズの小型化を図ることができる。そのため、磁気センサ（１）の小型化を図ることができる。
【0082】
第２態様の磁気センサ（１）は、第１態様において、原点検出用の磁気抵抗素子群（３）を一対備える。一対の原点検出用の磁気抵抗素子群（３）の一方が、相対位置検出用の磁気抵抗素子群（２）との間でグランド端子（６１）又は電源端子（６２）を共有している。
【0083】
この態様によれば、一対の原点検出用の磁気抵抗素子群（３）を利用して、検出対象の原点を検出することができ、しかも、磁気センサ（１）が大型化することは抑えることができる。
【0084】
第３態様の磁気センサ（１）は、原点検出用の磁気抵抗素子群（３）を一対備える。一対の原点検出用の磁気抵抗素子群（３）の一方が、相対位置検出用の磁気抵抗素子群（２）との間でグランド端子（６１）を共有している。一対の原点検出用の磁気抵抗素子群（３）の他方が、相対位置検出用の磁気抵抗素子群（２）との間で電源端子（６２）を共有している。
【0085】
この態様によれば、一対の原点検出用の磁気抵抗素子群（３）を利用して、検出対象の原点を検出することができ、しかも、磁気センサ（１）の大型化は抑えることができる。
【0086】
第４態様の磁気センサ（１）では、第２又は第３態様において、相対位置検出用の磁気抵抗素子群（２）は、フルブリッジ回路を形成するように電気的に接続された４個の磁気抵抗素子（４１－４４）で、構成されている。
【0087】
第５態様の磁気センサ（１）は、原点検出用の磁気抵抗素子群（３）を一対備える。所定方向（Ｄ１）に配列され、かつフルブリッジ回路を形成するように電気的に接続された８個の磁気抵抗素子（４１－４８）で、相対位置検出用の磁気抵抗素子群（２）と、一対の原点検出用の磁気抵抗素子群（３）と、が構成されている。
【0088】
この態様によれば、８個の磁気抵抗素子（４１－４８）を利用して、相対位置を精度よく検出することができ、しかも、磁気センサ（１）が大型化することは抑えることができる。
【0089】
第６態様の磁気センサ（１）では、第５態様において、８個の磁気抵抗素子（４１－４８）は、それぞれミアンダ形状を有する。
【0090】
この態様によれば、磁気抵抗素子（４１－４８）の有効長を、限られた範囲内で増大させることができる。
【0091】
第７態様の磁気センサ（１）では、第６態様において、フルブリッジ回路には、グランド端子（６１）が電気的に接続される１つの接地接続点（７１）と、電源端子（６２）が電気的に接続される１つの電源接続点（７２）と、が設けられている。
【0092】
この態様によれば、フルブリッジ回路に接続される接地接続点（７１）及び電源接続点（７２）がそれぞれ１つなので、磁気センサ（１）の大型化を抑えることができる。
【0093】
第８態様の位置検出装置（９）は、第１から第７態様のいずれか１つの磁気センサ（１）と、Ｎ極（８１）及びＳ極（８２）が所定方向において交互に着磁された磁気スケール（８）と、を備える。磁気スケール（８）が検出対象を構成する。
【0094】
この態様によれば、相対位置検出用の磁気抵抗素子群（２）と、原点検出用の磁気抵抗素子群（３）と、でグランド端子（６１）及び電源端子（６２）の少なくとも一方が共有されるので、チップサイズの小型化を図ることができる。そのため、磁気センサ（１）ひいては位置検出装置（９）の小型化を図ることができる。
【符号の説明】
【0095】
１ 磁気センサ
２ 相対位置検出用の磁気抵抗素子群
３ 原点検出用の磁気抵抗素子群
４１ 磁気抵抗素子（第１磁気抵抗素子）
４２ 磁気抵抗素子（第２磁気抵抗素子）
４３ 磁気抵抗素子（第３磁気抵抗素子）
４４ 磁気抵抗素子（第４磁気抵抗素子）
４５ 磁気抵抗素子（第５磁気抵抗素子）
４６ 磁気抵抗素子（第６磁気抵抗素子）
４７ 磁気抵抗素子（第７磁気抵抗素子）
４８ 磁気抵抗素子（第８磁気抵抗素子）
６１ グランド端子
６２ 電源端子
７１ 接地接続点
７２ 電源接続点
８ 磁気スケール
８１ Ｎ極
８２ Ｓ極
９ 位置検出装置
２ 相対位置検出用の磁気抵抗素子群
３ 原点検出用の磁気抵抗素子群
４１ 磁気抵抗素子（第１磁気抵抗素子）
４２ 磁気抵抗素子（第２磁気抵抗素子）
４３ 磁気抵抗素子（第３磁気抵抗素子）
４４ 磁気抵抗素子（第４磁気抵抗素子）
４５ 磁気抵抗素子（第５磁気抵抗素子）
４６ 磁気抵抗素子（第６磁気抵抗素子）
４７ 磁気抵抗素子（第７磁気抵抗素子）
４８ 磁気抵抗素子（第８磁気抵抗素子）
６１ グランド端子
６２ 電源端子
７１ 接地接続点
７２ 電源接続点
８ 磁気スケール
８１ Ｎ極
８２ Ｓ極
９ 位置検出装置
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】