知財求人 - 知財ポータルサイト「IP Force」
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2025105556
(43)【公開日】2025-07-10
(54)【発明の名称】発光デバイスおよび表示装置
(51)【国際特許分類】
H10K 50/19 20230101AFI20250703BHJP
H10K 50/16 20230101ALI20250703BHJP
H10K 50/12 20230101ALI20250703BHJP
H05B 33/12 20060101ALI20250703BHJP
H10K 50/81 20230101ALI20250703BHJP
【ＦＩ】
H10K50/19
H10K50/16
H10K50/12
H05B33/12 B
H10K50/81
【審査請求】未請求
【請求項の数】11
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2024228746
(22)【出願日】2024-12-25
(31)【優先権主張番号】P 2023223533
(32)【優先日】2023-12-28
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(31)【優先権主張番号】P 2024035811
(32)【優先日】2024-03-08
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(71)【出願人】
【識別番号】000153878
【氏名又は名称】株式会社半導体エネルギー研究所
(72)【発明者】
【氏名】瀬尾 哲史
(72)【発明者】
【氏名】大澤 信晴
(72)【発明者】
【氏名】瀬尾 広美
(72)【発明者】
【氏名】木戸 裕允
(72)【発明者】
【氏名】松原 友恵
(72)【発明者】
【氏名】林 有毅
【テーマコード（参考）】
3K107
【Ｆターム（参考）】
3K107AA01
3K107BB01
3K107BB02
3K107BB06
3K107BB07
3K107CC04
3K107CC09
3K107CC14
3K107CC32
3K107CC33
3K107CC35
3K107DD21
3K107DD69
3K107DD74
3K107DD78
3K107DD84
3K107DD86
3K107FF13
(57)【要約】
【課題】特性の良好な発光デバイスを提供する。
【解決手段】第１の電極と、第２の電極と、その間に位置する中間層と、第１の発光層と、第２の発光層と、第１の電子輸送層と、第２の電子輸送層と、を有する発光デバイスであって、第１の発光層は、第１の電極と中間層との間に位置し、第２の発光層は、中間層と第２の電極との間に位置し、第１の電子輸送層は、第１の発光層と中間層との間に位置し、第２の電子輸送層は、第２の発光層と第２の電極との間に位置し、第２の電子輸送層は、トリアジン骨格を含む第１の有機化合物を有し、中間層は、フェナントロリン骨格を含む第２の有機化合物を有し、第１の発光層と第２の発光層は同じ発光中心物質を有し、第１の発光層および第２の発光層は、発光デバイスに隣接する複数の他の発光デバイスのうち、少なくとも一の発光デバイスが有する発光層と分離されている発光デバイスである。
【選択図】図１
【解決手段】第１の電極と、第２の電極と、その間に位置する中間層と、第１の発光層と、第２の発光層と、第１の電子輸送層と、第２の電子輸送層と、を有する発光デバイスであって、第１の発光層は、第１の電極と中間層との間に位置し、第２の発光層は、中間層と第２の電極との間に位置し、第１の電子輸送層は、第１の発光層と中間層との間に位置し、第２の電子輸送層は、第２の発光層と第２の電極との間に位置し、第２の電子輸送層は、トリアジン骨格を含む第１の有機化合物を有し、中間層は、フェナントロリン骨格を含む第２の有機化合物を有し、第１の発光層と第２の発光層は同じ発光中心物質を有し、第１の発光層および第２の発光層は、発光デバイスに隣接する複数の他の発光デバイスのうち、少なくとも一の発光デバイスが有する発光層と分離されている発光デバイスである。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１の電極と、
第２の電極と、
中間層と、
第１の発光層と、
第２の発光層と、
第１の電子輸送層と、
第２の電子輸送層と、を有する発光デバイスであって、
前記中間層は前記第１の電極と前記第２の電極との間に位置し、
前記第１の発光層は、前記第１の電極と前記中間層との間に位置し、
前記第２の発光層は、前記中間層と前記第２の電極との間に位置し、
前記第１の電子輸送層は、前記第１の発光層と前記中間層との間に位置し、
前記第２の電子輸送層は、前記第２の発光層と前記第２の電極との間に位置し、
前記第２の電子輸送層は、トリアジン骨格を含む第１の有機化合物を有し、
前記中間層は、フェナントロリン骨格を有する第２の有機化合物と、リチウムまたはリチウム化合物との混合層を有し、
前記第１の発光層は、第１の発光中心物質を有し、
前記第２の発光層は、第２の発光中心物質を有し、
前記第１の発光中心物質の発光スペクトルにおける最大ピーク波長と、前記第２の発光中心物質の発光スペクトルにおける最大ピーク波長の差は、３０ｎｍ以下であり、
前記第１の発光層および前記第２の発光層は、前記発光デバイスに隣接する複数の他の発光デバイスのうち、少なくとも一の発光デバイスが有する発光層と異なる発光層である発光デバイス。
第２の電極と、
中間層と、
第１の発光層と、
第２の発光層と、
第１の電子輸送層と、
第２の電子輸送層と、を有する発光デバイスであって、
前記中間層は前記第１の電極と前記第２の電極との間に位置し、
前記第１の発光層は、前記第１の電極と前記中間層との間に位置し、
前記第２の発光層は、前記中間層と前記第２の電極との間に位置し、
前記第１の電子輸送層は、前記第１の発光層と前記中間層との間に位置し、
前記第２の電子輸送層は、前記第２の発光層と前記第２の電極との間に位置し、
前記第２の電子輸送層は、トリアジン骨格を含む第１の有機化合物を有し、
前記中間層は、フェナントロリン骨格を有する第２の有機化合物と、リチウムまたはリチウム化合物との混合層を有し、
前記第１の発光層は、第１の発光中心物質を有し、
前記第２の発光層は、第２の発光中心物質を有し、
前記第１の発光中心物質の発光スペクトルにおける最大ピーク波長と、前記第２の発光中心物質の発光スペクトルにおける最大ピーク波長の差は、３０ｎｍ以下であり、
前記第１の発光層および前記第２の発光層は、前記発光デバイスに隣接する複数の他の発光デバイスのうち、少なくとも一の発光デバイスが有する発光層と異なる発光層である発光デバイス。
【請求項2】
請求項１において、
前記第１の電子輸送層が、トリアジン骨格を含む第３の有機化合物を有する発光デバイス。
前記第１の電子輸送層が、トリアジン骨格を含む第３の有機化合物を有する発光デバイス。
【請求項3】
請求項２において、前記第１の有機化合物と前記第３の有機化合物が同じ有機化合物である発光デバイス。
【請求項4】
請求項１において、
前記第１の電子輸送層が、トリアジン骨格を含まない第４の有機化合物を有する発光デバイス。
前記第１の電子輸送層が、トリアジン骨格を含まない第４の有機化合物を有する発光デバイス。
【請求項5】
請求項１において、
前記第１の電子輸送層が、ピリミジン骨格、イミダゾール骨格およびアントラセン骨格の少なくとも一を含む第４の有機化合物を有する発光デバイス。
前記第１の電子輸送層が、ピリミジン骨格、イミダゾール骨格およびアントラセン骨格の少なくとも一を含む第４の有機化合物を有する発光デバイス。
【請求項6】
第１の電極と、
第２の電極と、
中間層と、
第１の発光層と、
第２の発光層と、
第１の電子輸送層と、
第２の電子輸送層と、を有する発光デバイスであって、
前記中間層は前記第１の電極と前記第２の電極との間に位置し、
前記第１の発光層は、前記第１の電極と前記中間層との間に位置し、
前記第２の発光層は、前記中間層と前記第２の電極との間に位置し、
前記第１の電子輸送層は、前記第１の発光層と前記中間層との間に位置し、
前記第２の電子輸送層は、前記第２の発光層と前記第２の電極との間に位置し、
前記第２の電子輸送層は、トリアジン骨格を含む第１の有機化合物を有し、
前記中間層は、フェナントロリン骨格を有する第２の有機化合物を有し、
前記第１の電子輸送層は、トリアジン骨格を含む第３の有機化合物を有し、
前記第１の発光層は、第１の発光中心物質を有し、
前記第２の発光層は、第２の発光中心物質を有し、
前記第１の発光中心物質の発光スペクトルにおける最大ピーク波長と、前記第２の発光中心物質の発光スペクトルにおける最大ピーク波長の差は、３０ｎｍ以下であり、
前記第１の発光層および前記第２の発光層は、前記発光デバイスに隣接する複数の他の発光デバイスのうち、少なくとも一の発光デバイスが有する発光層と異なる発光層である発光デバイス。
第２の電極と、
中間層と、
第１の発光層と、
第２の発光層と、
第１の電子輸送層と、
第２の電子輸送層と、を有する発光デバイスであって、
前記中間層は前記第１の電極と前記第２の電極との間に位置し、
前記第１の発光層は、前記第１の電極と前記中間層との間に位置し、
前記第２の発光層は、前記中間層と前記第２の電極との間に位置し、
前記第１の電子輸送層は、前記第１の発光層と前記中間層との間に位置し、
前記第２の電子輸送層は、前記第２の発光層と前記第２の電極との間に位置し、
前記第２の電子輸送層は、トリアジン骨格を含む第１の有機化合物を有し、
前記中間層は、フェナントロリン骨格を有する第２の有機化合物を有し、
前記第１の電子輸送層は、トリアジン骨格を含む第３の有機化合物を有し、
前記第１の発光層は、第１の発光中心物質を有し、
前記第２の発光層は、第２の発光中心物質を有し、
前記第１の発光中心物質の発光スペクトルにおける最大ピーク波長と、前記第２の発光中心物質の発光スペクトルにおける最大ピーク波長の差は、３０ｎｍ以下であり、
前記第１の発光層および前記第２の発光層は、前記発光デバイスに隣接する複数の他の発光デバイスのうち、少なくとも一の発光デバイスが有する発光層と異なる発光層である発光デバイス。
【請求項7】
請求項６において、前記第１の有機化合物と前記第３の有機化合物が同じ有機化合物である発光デバイス。
【請求項8】
請求項６において、
前記中間層がリチウムまたはリチウム化合物を含む発光デバイス。
前記中間層がリチウムまたはリチウム化合物を含む発光デバイス。
【請求項9】
請求項８において、
前記中間層が、前記第２の有機化合物と前記リチウムまたはリチウム化合物との混合層を有する発光デバイス。
前記中間層が、前記第２の有機化合物と前記リチウムまたはリチウム化合物との混合層を有する発光デバイス。
【請求項10】
発光デバイスＡと、発光デバイスＢと、を有する表示装置であって、
前記発光デバイスＡと前記発光デバイスＢとは隣り合っており、
前記発光デバイスＡは、
第１の電極Ａと、
第２の電極Ａと、
中間層Ａと、
第１の発光層Ａと、
第２の発光層Ａと、
第１の電子輸送層Ａと、
第２の電子輸送層Ａと、を有し、
前記中間層Ａは前記第１の電極Ａと前記第２の電極Ａとの間に位置し、
前記第１の発光層Ａは、前記第１の電極Ａと前記中間層Ａとの間に位置し、
前記第２の発光層Ａは、前記中間層Ａと前記第２の電極Ａとの間に位置し、
前記第１の電子輸送層Ａは、前記第１の発光層Ａと前記中間層Ａとの間に位置し、
前記第２の電子輸送層Ａは、前記第２の発光層Ａと前記第２の電極Ａとの間に位置し、
前記発光デバイスＢは、
第１の電極Ｂと、
第２の電極Ｂと、
中間層Ｂと、
第１の発光層Ｂと、
第２の発光層Ｂと、
第１の電子輸送層Ｂと、
第２の電子輸送層Ｂと、を有し、
前記中間層Ｂは前記第１の電極Ｂと前記第２の電極Ｂとの間に位置し、
前記第１の発光層Ｂは、前記第１の電極Ｂと前記中間層Ｂとの間に位置し、
前記第２の発光層Ｂは、前記中間層Ｂと前記第２の電極Ｂとの間に位置し、
前記第１の電子輸送層Ｂは、前記第１の発光層Ｂと前記中間層Ｂとの間に位置し、
前記第２の電子輸送層Ｂは、前記第２の発光層Ｂと前記第２の電極Ｂとの間に位置し、
前記第２の電子輸送層Ａおよび前記第２の電子輸送層Ｂは、トリアジン骨格を含む第１の有機化合物を有し、
前記第２の電子輸送層Ａおよび前記第２の電子輸送層Ｂは同じ材料で構成され、
前記中間層Ａおよび前記中間層Ｂは、フェナントロリン骨格を有する第２の有機化合物と、リチウムまたはリチウム化合物を有し、
前記第１の発光層Ａは、第１の発光中心物質を有し、
前記第２の発光層Ａは、第２の発光中心物質を有し、
前記第１の発光層Ｂは、第３の発光中心物質を有し、
前記第２の発光層Ｂは、第４の発光中心物質を有し、
前記第１の発光中心物質の発光スペクトルにおける最大ピーク波長と、前記第２の発光中心物質の発光スペクトルにおける最大ピーク波長の差は、３０ｎｍ以下であり、
前記第３の発光中心物質の発光スペクトルにおける最大ピーク波長と、前記第４の発光中心物質の発光スペクトルにおける最大ピーク波長の差は、３０ｎｍ以下であり、
前記第１の発光層Ａと前記第１の発光層Ｂ、前記第２の発光層Ａと前記第２の発光層Ｂはそれぞれ異なる発光層である表示装置。
前記発光デバイスＡと前記発光デバイスＢとは隣り合っており、
前記発光デバイスＡは、
第１の電極Ａと、
第２の電極Ａと、
中間層Ａと、
第１の発光層Ａと、
第２の発光層Ａと、
第１の電子輸送層Ａと、
第２の電子輸送層Ａと、を有し、
前記中間層Ａは前記第１の電極Ａと前記第２の電極Ａとの間に位置し、
前記第１の発光層Ａは、前記第１の電極Ａと前記中間層Ａとの間に位置し、
前記第２の発光層Ａは、前記中間層Ａと前記第２の電極Ａとの間に位置し、
前記第１の電子輸送層Ａは、前記第１の発光層Ａと前記中間層Ａとの間に位置し、
前記第２の電子輸送層Ａは、前記第２の発光層Ａと前記第２の電極Ａとの間に位置し、
前記発光デバイスＢは、
第１の電極Ｂと、
第２の電極Ｂと、
中間層Ｂと、
第１の発光層Ｂと、
第２の発光層Ｂと、
第１の電子輸送層Ｂと、
第２の電子輸送層Ｂと、を有し、
前記中間層Ｂは前記第１の電極Ｂと前記第２の電極Ｂとの間に位置し、
前記第１の発光層Ｂは、前記第１の電極Ｂと前記中間層Ｂとの間に位置し、
前記第２の発光層Ｂは、前記中間層Ｂと前記第２の電極Ｂとの間に位置し、
前記第１の電子輸送層Ｂは、前記第１の発光層Ｂと前記中間層Ｂとの間に位置し、
前記第２の電子輸送層Ｂは、前記第２の発光層Ｂと前記第２の電極Ｂとの間に位置し、
前記第２の電子輸送層Ａおよび前記第２の電子輸送層Ｂは、トリアジン骨格を含む第１の有機化合物を有し、
前記第２の電子輸送層Ａおよび前記第２の電子輸送層Ｂは同じ材料で構成され、
前記中間層Ａおよび前記中間層Ｂは、フェナントロリン骨格を有する第２の有機化合物と、リチウムまたはリチウム化合物を有し、
前記第１の発光層Ａは、第１の発光中心物質を有し、
前記第２の発光層Ａは、第２の発光中心物質を有し、
前記第１の発光層Ｂは、第３の発光中心物質を有し、
前記第２の発光層Ｂは、第４の発光中心物質を有し、
前記第１の発光中心物質の発光スペクトルにおける最大ピーク波長と、前記第２の発光中心物質の発光スペクトルにおける最大ピーク波長の差は、３０ｎｍ以下であり、
前記第３の発光中心物質の発光スペクトルにおける最大ピーク波長と、前記第４の発光中心物質の発光スペクトルにおける最大ピーク波長の差は、３０ｎｍ以下であり、
前記第１の発光層Ａと前記第１の発光層Ｂ、前記第２の発光層Ａと前記第２の発光層Ｂはそれぞれ異なる発光層である表示装置。
【請求項11】
発光デバイスＡと、発光デバイスＢと、を有する表示装置であって、
前記発光デバイスＡと前記発光デバイスＢとは隣り合っており、
前記発光デバイスＡは、
第１の電極Ａと、
第２の電極Ａと、
中間層Ａと、
第１の発光層Ａと、
第２の発光層Ａと、
第１の電子輸送層Ａと、
第２の電子輸送層Ａと、を有し、
前記中間層Ａは前記第１の電極Ａと前記第２の電極Ａとの間に位置し、
前記第１の発光層Ａは、前記第１の電極Ａと前記中間層Ａとの間に位置し、
前記第２の発光層Ａは、前記中間層Ａと前記第２の電極Ａとの間に位置し、
前記第１の電子輸送層Ａは、前記第１の発光層Ａと前記中間層Ａとの間に位置し、
前記第２の電子輸送層Ａは、前記第２の発光層Ａと前記第２の電極Ａとの間に位置し、
前記発光デバイスＢは、
第１の電極Ｂと、
第２の電極Ｂと、
中間層Ｂと、
第１の発光層Ｂと、
第２の発光層Ｂと、
第１の電子輸送層Ｂと、
第２の電子輸送層Ｂと、を有し、
前記中間層Ｂは前記第１の電極Ｂと前記第２の電極Ｂとの間に位置し、
前記第１の発光層Ｂは、前記第１の電極Ｂと前記中間層Ｂとの間に位置し、
前記第２の発光層Ｂは、前記中間層Ｂと前記第２の電極Ｂとの間に位置し、
前記第１の電子輸送層Ｂは、前記第１の発光層Ｂと前記中間層Ｂとの間に位置し、
前記第２の電子輸送層Ｂは、前記第２の発光層Ｂと前記第２の電極Ｂとの間に位置し、
前記第２の電子輸送層Ａおよび前記第２の電子輸送層Ｂは、トリアジン骨格を含む第１の有機化合物を有し、
前記第２の電子輸送層Ａおよび前記第２の電子輸送層Ｂは連続した一続きの層であり、
前記中間層Ａおよび前記中間層Ｂは、フェナントロリン骨格を有する第２の有機化合物と、リチウムまたはリチウム化合物を有し、
前記第１の発光層Ａは、第１の発光中心物質を有し、
前記第２の発光層Ａは、第２の発光中心物質を有し、
前記第１の発光層Ｂは、第３の発光中心物質を有し、
前記第２の発光層Ｂは、第４の発光中心物質を有し、
前記第１の発光中心物質の発光スペクトルにおける最大ピーク波長と、前記第２の発光中心物質の発光スペクトルにおける最大ピーク波長の差は、３０ｎｍ以下であり、
前記第３の発光中心物質の発光スペクトルにおける最大ピーク波長と、前記第４の発光中心物質の発光スペクトルにおける最大ピーク波長の差は、３０ｎｍ以下であり、
前記第１の発光層Ａと前記第１の発光層Ｂ、前記第２の発光層Ａと前記第２の発光層Ｂはそれぞれ異なる発光層である表示装置。
前記発光デバイスＡと前記発光デバイスＢとは隣り合っており、
前記発光デバイスＡは、
第１の電極Ａと、
第２の電極Ａと、
中間層Ａと、
第１の発光層Ａと、
第２の発光層Ａと、
第１の電子輸送層Ａと、
第２の電子輸送層Ａと、を有し、
前記中間層Ａは前記第１の電極Ａと前記第２の電極Ａとの間に位置し、
前記第１の発光層Ａは、前記第１の電極Ａと前記中間層Ａとの間に位置し、
前記第２の発光層Ａは、前記中間層Ａと前記第２の電極Ａとの間に位置し、
前記第１の電子輸送層Ａは、前記第１の発光層Ａと前記中間層Ａとの間に位置し、
前記第２の電子輸送層Ａは、前記第２の発光層Ａと前記第２の電極Ａとの間に位置し、
前記発光デバイスＢは、
第１の電極Ｂと、
第２の電極Ｂと、
中間層Ｂと、
第１の発光層Ｂと、
第２の発光層Ｂと、
第１の電子輸送層Ｂと、
第２の電子輸送層Ｂと、を有し、
前記中間層Ｂは前記第１の電極Ｂと前記第２の電極Ｂとの間に位置し、
前記第１の発光層Ｂは、前記第１の電極Ｂと前記中間層Ｂとの間に位置し、
前記第２の発光層Ｂは、前記中間層Ｂと前記第２の電極Ｂとの間に位置し、
前記第１の電子輸送層Ｂは、前記第１の発光層Ｂと前記中間層Ｂとの間に位置し、
前記第２の電子輸送層Ｂは、前記第２の発光層Ｂと前記第２の電極Ｂとの間に位置し、
前記第２の電子輸送層Ａおよび前記第２の電子輸送層Ｂは、トリアジン骨格を含む第１の有機化合物を有し、
前記第２の電子輸送層Ａおよび前記第２の電子輸送層Ｂは連続した一続きの層であり、
前記中間層Ａおよび前記中間層Ｂは、フェナントロリン骨格を有する第２の有機化合物と、リチウムまたはリチウム化合物を有し、
前記第１の発光層Ａは、第１の発光中心物質を有し、
前記第２の発光層Ａは、第２の発光中心物質を有し、
前記第１の発光層Ｂは、第３の発光中心物質を有し、
前記第２の発光層Ｂは、第４の発光中心物質を有し、
前記第１の発光中心物質の発光スペクトルにおける最大ピーク波長と、前記第２の発光中心物質の発光スペクトルにおける最大ピーク波長の差は、３０ｎｍ以下であり、
前記第３の発光中心物質の発光スペクトルにおける最大ピーク波長と、前記第４の発光中心物質の発光スペクトルにおける最大ピーク波長の差は、３０ｎｍ以下であり、
前記第１の発光層Ａと前記第１の発光層Ｂ、前記第２の発光層Ａと前記第２の発光層Ｂはそれぞれ異なる発光層である表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明の一態様は、有機化合物、有機半導体素子、発光デバイス、フォトダイオードセンサ、ディスプレイモジュール、照明モジュール、表示装置、電子機器、照明装置および電子デバイスに関する。なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、液晶表示装置、照明装置、蓄電装置、記憶装置、撮像装置、それらの駆動方法、または、それらの製造方法、を一例として挙げることができる。
【背景技術】
【0002】
有機化合物を用いたエレクトロルミネッセンス（ＥＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）を利用する発光デバイス（有機ＥＬ素子ともいう）の実用化が進んでいる。これら発光デバイスの基本的な構成は、一対の電極間に発光中心物質を含む有機化合物層を挟んだものである。このデバイスに電圧を印加して、キャリアを注入し、当該キャリアの再結合エネルギーを利用することにより、発光中心物質からの発光を得ることができる。
【0003】
発光デバイスは自発光型であるため、当該発光デバイスを画素として用いた表示装置は、液晶表示装置に比べ視認性が高く、また、バックライトが不要である。また、このような発光デバイスを用いた表示装置は、薄型軽量に作製できることも大きな利点である。さらに非常に応答速度が速いことも特徴の一つである。
【0004】
また、これらの発光デバイスは発光層を平面状に連続して形成することが可能であるため、面状に発光を得ることができる。これは、白熱電球、ＬＥＤに代表される点光源、あるいは蛍光灯に代表される線光源では得難い特色であるため、照明等に応用できる面光源としての利用価値も高い。
【0005】
このように発光デバイスを用いた表示装置、照明装置はさまざまな電子機器に好適であるが、より良好な特性を有する発光デバイスを求めて研究開発が進められている。
【0006】
特にタンデム型の発光デバイスは、高い電流効率を実現することから、注目されている。
【0007】
特許文献１および特許文献２は、塗分け方式のタンデム型発光デバイスについて開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0008】
【特許文献1】特開２００５－３１７５４８号公報
【特許文献2】特開２０２３－１６１８５０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0009】
本発明の一態様では特性の良好な発光デバイスを提供することを目的とする。または、本発明の一態様では、発光効率の良好な発光デバイスを提供することを目的とする。または、本発明の一態様では、信頼性の良好な発光デバイスを提供することを目的とする。または、本発明の一態様では、駆動電圧の低い発光デバイスを提供することを目的とする。または、本発明の一態様では、信頼性が良好で、駆動電圧の低い発光デバイスを提供することを目的とする。
【0010】
または、本発明の一態様では、特性の良好な表示装置を提供することが可能な発光デバイスを提供することを目的とする。または、本発明の一態様では、発光効率の良好な表示装置を提供することが可能な発光デバイスを提供することを目的とする。または、本発明の一態様では、信頼性の良好な表示装置を提供することが可能な発光デバイスを提供することを目的とする。または、本発明の一態様では、駆動電圧の低い表示装置を提供することが可能な発光デバイスを提供することを目的とする。または、本発明の一態様では、駆動電圧が低く、且つ信頼性の良好な表示装置を提供することが可能な発光デバイスを提供することを目的とする。
【0011】
または、消費電力の小さい有機半導体デバイス、発光デバイス、受光デバイス、表示装置、電子機器および照明装置のいずれかを提供することを目的とする。または、信頼性の高い電子機器および照明装置のいずれかを提供することを目的とする。または、新規な有機半導体デバイス、発光デバイス、受光デバイス、表示装置、電子機器および照明装置のいずれかを提供することを目的とする。
【0012】
本発明は上述の課題のうちいずれか一を解決すればよいものとする。なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
【課題を解決するための手段】
【0013】
本発明の一態様は、第１の電極と、第２の電極と、中間層と、第１の発光層と、第２の発光層と、第１の電子輸送層と、第２の電子輸送層と、を有する発光デバイスであって、中間層は第１の電極と第２の電極との間に位置し、第１の発光層は、第１の電極と中間層との間に位置し、第２の発光層は、中間層と第２の電極との間に位置し、第１の電子輸送層は、第１の発光層と中間層との間に位置し、第２の電子輸送層は、第２の発光層と第２の電極との間に位置し、第２の電子輸送層は、トリアジン骨格を含む第１の有機化合物を有し、中間層は、フェナントロリン骨格を有する第２の有機化合物と、リチウムまたはリチウム化合物との混合層を有し、第１の発光層は、第１の発光中心物質を有し、第２の発光層は、第２の発光中心物質を有し、第１の発光中心物質の発光スペクトルにおける最大ピーク波長と、第２の発光中心物質の発光スペクトルにおける最大ピーク波長の差は、３０ｎｍ以下であり、第１の発光層および第２の発光層は、発光デバイスに隣接する複数の他の発光デバイスのうち、少なくとも一の発光デバイスが有する発光層と異なる発光層である発光デバイスである。
【0014】
または、本発明の他の一態様は、上記構成において、第１の電子輸送層が、トリアジン骨格を含む第３の有機化合物を有する発光デバイスである。
【0015】
または、本発明の他の一態様は、上記構成において、第１の有機化合物と第３の有機化合物が同じ有機化合物である発光デバイスである。
【0016】
または、本発明の他の一態様は、上記構成において、第１の電子輸送層が、トリアジン骨格を含まない第４の有機化合物を有する発光デバイスである。
【0017】
または、本発明の他の一態様は、上記構成において、第１の電子輸送層が、ピリミジン骨格、イミダゾール骨格およびアントラセン骨格の少なくとも一を含む第４の有機化合物を有する発光デバイスである。
【0018】
または、本発明の他の一態様は、第１の電極と、第２の電極と、中間層と、第１の発光層と、第２の発光層と、第１の電子輸送層と、第２の電子輸送層と、を有する発光デバイスであって、中間層は第１の電極と第２の電極との間に位置し、第１の発光層は、第１の電極と中間層との間に位置し、第２の発光層は、中間層と第２の電極との間に位置し、第１の電子輸送層は、第１の発光層と中間層との間に位置し、第２の電子輸送層は、第２の発光層と第２の電極との間に位置し、第２の電子輸送層は、トリアジン骨格を含む第１の有機化合物を有し、中間層は、フェナントロリン骨格を有する第２の有機化合物を有し、第１の電子輸送層は、トリアジン骨格を含む第３の有機化合物を有し、第１の発光層は、第１の発光中心物質を有し、第２の発光層は、第２の発光中心物質を有し、第１の発光中心物質の発光スペクトルにおける最大ピーク波長と、第２の発光中心物質の発光スペクトルにおける最大ピーク波長の差は、３０ｎｍ以下であり、第１の発光層および第２の発光層は、発光デバイスに隣接する複数の他の発光デバイスのうち、少なくとも一の発光デバイスが有する発光層と異なる発光層である発光デバイスである。
【0019】
または、本発明の他の一態様は、上記構成において、第１の有機化合物と第３の有機化合物が同じ有機化合物である発光デバイスである。
【0020】
または、本発明の他の一態様は、上記構成において、中間層がリチウムまたはリチウム化合物を含む発光デバイスである。
【0021】
または、本発明の他の一態様は、上記構成において、中間層が、第２の有機化合物とリチウムまたはリチウム化合物との混合層を有する発光デバイスである。
【0022】
または、本発明の他の一態様は、上記構成において、第２の電子輸送層が、リチウムまたはリチウム化合物を有する発光デバイスである。
【0023】
または、本発明の他の一態様は、上記構成において、第１の発光中心物質と、第２の発光中心物質が同じ物質である発光デバイスである。
【0024】
または、本発明の他の一態様は、上記構成において、中間層は、第２の有機化合物を含む第１の層を有する発光デバイスである。
【0025】
または、本発明の他の一態様は、上記構成において、第１の層がリチウムまたはリチウム化合物を含む発光デバイスである。
【0026】
または、本発明の他の一態様は、上記構成において、中間層が、さらに第２の層を有し、第２の層は、第１の層と第２の発光層との間に位置する発光デバイスである。
【0027】
または、本発明の他の一態様は、上記構成において、第２の層が、正孔輸送性を有する第５の有機化合物を含む発光デバイスである。
【0028】
または、本発明の他の一態様は、上記構成において、第２の層が、ハロゲン基およびシアノ基の少なくとも一を有する有機化合物を含む発光デバイスである。
【0029】
または、本発明の他の一態様は、上記構成において、第２の層が、フッ素およびシアノ基の少なくとも一を有する有機化合物を含む発光デバイスである。
【0030】
または、本発明の他の一態様は、上記構成において、第２の層が、ハロゲン基およびシアノ基の少なくとも一を４以上有する有機化合物を含む発光デバイスである。
【0031】
または、本発明の他の一態様は、上記構成において、第２の層が、フッ素およびシアノ基の少なくとも一を４以上有する有機化合物を含む発光デバイスである。
【0032】
または、本発明の他の一態様は、上記いずれかに記載の発光デバイスを備えた表示装置である。
【0033】
または、本発明の他の一態様は、発光デバイスＡと、発光デバイスＢと、を有する表示装置であって、発光デバイスＡと発光デバイスＢとは隣り合っており、発光デバイスＡは、第１の電極Ａと、第２の電極Ａと、中間層Ａと、第１の発光層Ａと、第２の発光層Ａと、第１の電子輸送層Ａと、第２の電子輸送層Ａと、を有し、中間層Ａは第１の電極Ａと第２の電極Ａとの間に位置し、第１の発光層Ａは、第１の電極Ａと中間層Ａとの間に位置し、第２の発光層Ａは、中間層Ａと第２の電極Ａとの間に位置し、第１の電子輸送層Ａは、第１の発光層Ａと中間層Ａとの間に位置し、第２の電子輸送層Ａは、第２の発光層Ａと第２の電極Ａとの間に位置し、発光デバイスＢは、第１の電極Ｂと、第２の電極Ｂと、中間層Ｂと、第１の発光層Ｂと、第２の発光層Ｂと、第１の電子輸送層Ｂと、第２の電子輸送層Ｂと、を有し、中間層Ｂは第１の電極Ｂと第２の電極Ｂとの間に位置し、第１の発光層Ｂは、第１の電極Ｂと中間層Ｂとの間に位置し、第２の発光層Ｂは、中間層Ｂと第２の電極Ｂとの間に位置し、第１の電子輸送層Ｂは、第１の発光層Ｂと中間層Ｂとの間に位置し、第２の電子輸送層Ｂは、第２の発光層Ｂと第２の電極Ｂとの間に位置し、第２の電子輸送層Ａおよび第２の電子輸送層Ｂは、トリアジン骨格を含む第１の有機化合物を有し、第２の電子輸送層Ａおよび第２の電子輸送層Ｂは同じ材料で構成され、中間層Ａおよび中間層Ｂは、フェナントロリン骨格を有する第２の有機化合物と、リチウムまたはリチウム化合物を有し、第１の発光層Ａは、第１の発光中心物質を有し、第２の発光層Ａは、第２の発光中心物質を有し、第１の発光層Ｂは、第３の発光中心物質を有し、第２の発光層Ｂは、第４の発光中心物質を有し、第１の発光中心物質の発光スペクトルにおける最大ピーク波長と、第２の発光中心物質の発光スペクトルにおける最大ピーク波長の差は、３０ｎｍ以下であり、第３の発光中心物質の発光スペクトルにおける最大ピーク波長と、第４の発光中心物質の発光スペクトルにおける最大ピーク波長の差は、３０ｎｍ以下であり、第１の発光層Ａと第１の発光層Ｂ、第２の発光層Ａと第２の発光層Ｂはそれぞれ異なる発光層である表示装置である。
【0034】
または、本発明の他の一態様は、発光デバイスＡと、発光デバイスＢと、を有する表示装置であって、発光デバイスＡと発光デバイスＢとは隣り合っており、発光デバイスＡは、第１の電極Ａと、第２の電極Ａと、中間層Ａと、第１の発光層Ａと、第２の発光層Ａと、第１の電子輸送層Ａと、第２の電子輸送層Ａと、を有し、中間層Ａは第１の電極Ａと第２の電極Ａとの間に位置し、第１の発光層Ａは、第１の電極Ａと中間層Ａとの間に位置し、第２の発光層Ａは、中間層Ａと第２の電極Ａとの間に位置し、第１の電子輸送層Ａは、第１の発光層Ａと中間層Ａとの間に位置し、第２の電子輸送層Ａは、第２の発光層Ａと第２の電極Ａとの間に位置し、発光デバイスＢは、第１の電極Ｂと、第２の電極Ｂと、中間層Ｂと、第１の発光層Ｂと、第２の発光層Ｂと、第１の電子輸送層Ｂと、第２の電子輸送層Ｂと、を有し、中間層Ｂは第１の電極Ｂと第２の電極Ｂとの間に位置し、第１の発光層Ｂは、第１の電極Ｂと中間層Ｂとの間に位置し、第２の発光層Ｂは、中間層Ｂと第２の電極Ｂとの間に位置し、第１の電子輸送層Ｂは、第１の発光層Ｂと中間層Ｂとの間に位置し、第２の電子輸送層Ｂは、第２の発光層Ｂと第２の電極Ｂとの間に位置し、第２の電子輸送層Ａおよび第２の電子輸送層Ｂは、トリアジン骨格を含む第１の有機化合物を有し、第２の電子輸送層Ａおよび第２の電子輸送層Ｂは連続した一続きの層であり、中間層Ａおよび中間層Ｂは、フェナントロリン骨格を有する第２の有機化合物と、リチウムまたはリチウム化合物を有し、第１の発光層Ａは、第１の発光中心物質を有し、第２の発光層Ａは、第２の発光中心物質を有し、第１の発光層Ｂは、第３の発光中心物質を有し、第２の発光層Ｂは、第４の発光中心物質を有し、第１の発光中心物質の発光スペクトルにおける最大ピーク波長と、第２の発光中心物質の発光スペクトルにおける最大ピーク波長の差は、３０ｎｍ以下であり、第３の発光中心物質の発光スペクトルにおける最大ピーク波長と、第４の発光中心物質の発光スペクトルにおける最大ピーク波長の差は、３０ｎｍ以下であり、第１の発光層Ａと第１の発光層Ｂ、第２の発光層Ａと第２の発光層Ｂはそれぞれ異なる発光層である表示装置である。
【0035】
または、本発明の他の一態様は、上記発光デバイスと、センサ、操作ボタン、スピーカ、または、マイクと、を有する電子機器である。
【0036】
または、本発明の他の一態様は、上記発光デバイスと、筐体と、を有する照明装置である。
【0037】
上記は本発明の一態様であり、上記構成に限定されるものではない。
【発明の効果】
【0038】
本発明の一態様では特性の良好な発光デバイスを提供することができる。または、本発明の一態様では、発光効率の良好な発光デバイスを提供することができる。または、本発明の一態様では、信頼性の良好な発光デバイスを提供することができる。または、本発明の一態様では、駆動電圧の低い発光デバイスを提供することができる。または、本発明の一態様では、信頼性が良好で、駆動電圧の低い発光デバイスを提供することができる。
【0039】
または、本発明の一態様では、特性の良好な表示装置を提供することが可能な発光デバイスを提供することができる。または、本発明の一態様では、発光効率の良好な表示装置を提供することが可能な発光デバイスを提供することができる。または、本発明の一態様では、信頼性の良好な表示装置を提供することが可能な発光デバイスを提供することができる。または、本発明の一態様では、駆動電圧の低い表示装置を提供することが可能な発光デバイスを提供することができる。または、本発明の一態様では、駆動電圧が低く、且つ信頼性の良好な表示装置を提供することが可能な発光デバイスを提供することができる。
【0040】
または、消費電力の小さい有機半導体デバイス、発光デバイス、受光デバイス、表示装置、電子機器および照明装置のいずれかを提供することができる。または、信頼性の高い電子機器および照明装置のいずれかを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0041】
【発明を実施するための形態】
【0042】
以下、本発明の実施の態様について図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【0043】
なお、本明細書等において、メタルマスク、またはＦＭＭ（ファインメタルマスク、高精細なメタルマスク）を用いて作製されるデバイスをＭＭ（メタルマスク）構造のデバイスと呼称する場合がある。また、本明細書等において、メタルマスク、またはＦＭＭを用いることなく作製されるデバイスをＭＭＬ（メタルマスクレス）構造のデバイスと呼称する場合がある。
【0044】
（実施の形態１）
タンデム型の発光デバイスは、一対の電極間に、中間層（電荷発生層）を間に挟んで複数の発光ユニットが積層した構造を有する。複数の発光ユニットは各々発光層を有し、電流を流すことによっていずれの発光層からも発光を得ることができる。このような構成を有するタンデム型の発光デバイスは、タンデム型でない発光デバイスと比較して電流効率が大幅に高くなるため、高輝度の表示が要求される表示装置、または高い信頼性が必要な表示装置に好適に用いることができる。
タンデム型の発光デバイスは、一対の電極間に、中間層（電荷発生層）を間に挟んで複数の発光ユニットが積層した構造を有する。複数の発光ユニットは各々発光層を有し、電流を流すことによっていずれの発光層からも発光を得ることができる。このような構成を有するタンデム型の発光デバイスは、タンデム型でない発光デバイスと比較して電流効率が大幅に高くなるため、高輝度の表示が要求される表示装置、または高い信頼性が必要な表示装置に好適に用いることができる。
【0045】
タンデム型の発光デバイスは複数の発光層を有するため、白色発光を得ることが容易であることから、タンデム型発光デバイスを用いた表示装置のフルカラー化方式は、白色カラーフィルタ方式が採用されることが多い。また、青色発光を呈する発光層を積層し、量子ドットに代表される色変換層を用いた色変換方式も実用化されている。
【0046】
一方で、フルカラー化方式として塗分け方式を採用し、タンデム型の発光デバイスを用いた表示装置も一部実用化されている。塗分け方式の発光デバイスは、カラーフィルタまたは色変換層でのエネルギーロスがない、または少ないことから、前述の２方式より発光効率の良好な発光デバイスとすることが可能である。
【0047】
本発明の一態様のタンデム型の発光デバイスは、陰極側の発光ユニットが有する電子輸送層がトリアジン骨格を含む第１の有機化合物を有し、中間層がフェナントロリン骨格を含む第２の有機化合物を有する構成を有する。
【0048】
また、当該タンデム型の発光デバイスが有する発光層は、隣接する他の発光デバイスの少なくとも一の発光デバイスが有する発光層と分離されていることが好ましい。または、当該タンデム型の発光デバイスが有する発光層は、隣接する他の発光デバイスの少なくとも一の発光デバイスが有する発光層と異なる発光層であることが好ましい。または、当該タンデム型の発光デバイスまたは当該タンデム型の発光デバイスを有する画素が発する発光色は、隣接する他の発光デバイスまたは画素の少なくとも一の発光デバイスまたは画素が発する発光色とは異なることが好ましい。または、当該タンデム型の発光デバイスの発光層が有する発光中心物質は、隣接する他の発光デバイスの少なくとも一の発光デバイスの発光層が有する発光中心物質とは異なる構成を有することが好ましい。
【0049】
このような構成を有する本発明の発光デバイスは、電流効率が高く、エネルギーロスが少なく、特性の良好な発光デバイスとすることが可能となる。このような発光デバイスを用いた本発明の一態様の表示装置では、消費電力が小さく、信頼性が高く、高輝度での表示が可能であり視認性の良好な表示装置とすることが可能である。
【0050】
上記トリアジン骨格を含む第１の有機化合物は、正孔よりも電子の輸送性が高い物質であれば用いることができるが、電界強度［Ｖ／ｃｍ］の平方根が６００における電子移動度が、１×１０－７ｃｍ２／Ｖｓ以上の有機化合物であることが好ましく、１×１０－６ｃｍ２／Ｖｓ以上の有機化合物であることがより好ましい。
【0051】
トリアジン骨格を含む第１の有機化合物は、トリアジン骨格と芳香環とを含む化合物が好ましい。当該芳香環としては、単環式芳香環、多環式芳香環、置換基としてアルキル基を有する芳香環、置換基としてフルオロ基を有する芳香環、置換基としてシアノ基を有する芳香環などを用いことが好ましい。トリアジン骨格は上記芳香環以外の置換基を有していてもよく、また、芳香環は上記フルオロ基、シアノ基、またはアルキル基以外の置換基を有していてもよい。なお、トリアジン骨格はトリアジン環とも呼び、他の骨格に関しても、骨格を環に言い換えることができる。
【0052】
単環式芳香環としては、ベンゼン環などの芳香族炭化水素環、またはピロール環、ピリジン環、ピリミジン環、トリアジン環などの複素芳香環が挙げられる。置換基として芳香環を有することで耐熱性の向上、具体的にはガラス転移温度（Ｔｇ）を向上させる効果、電子輸送性を向上させる効果などを奏する。
【0053】
多環式芳香環としては、ナフタレン環、フェナントレン環、クリセン環、トリフェニレン環、フルオレン環、スピロビフルオレン環、などの芳香族炭化水素環の他、カルバゾール環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、キサンテン環、インドロカルバゾール環、インデノカルバゾール環などの複素芳香環などが挙げられる。置換基として多環式芳香環を有する化合物は、ベンゼン環などの単環式芳香環を有する化合物と比較して耐熱性を向上させることができる。また、置換基として、これらの多環式芳香環に更に芳香環（ベンゼン環、ナフタレン環、ピリジン環等）が縮合した環を有する化合物の場合、更に耐熱性を向上させることができる。多環式芳香環に更に芳香環が縮合した環としては、ベンゾフルオレン環、ベンゾナフトフラン環、ベンゾキサンテン環、ベンゾナフトチオフェン環などが挙げられる。耐熱性の高い化合物を有する層を陰極近傍に設けることで、該層または陰極を形成した後にパターニング工程などの高温処理を行う際に、熱による素子の損傷を抑制することができる。
【0054】
また、上述のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ターシャリーブチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基などが挙げられる。置換基としてアルキル基を有する第１の有機化合物は、屈折率の低い有機化合物とすることができ、当該第１の有機化合物を用いた層は、屈折率を低くすることが可能である。そのため、当該層と他の層との界面での全反射を抑制することができ、当該層を用いた発光デバイスの光の取り出し効率を向上させることができる。また、アルキル基として、炭素数が複数、好ましくは３個以上、より好ましくは４個以上、更に好ましくは５個以上有する有機化合物は屈折率を低くする効果を高めることができる。
【0055】
また、これらアルキル基を有する化合物を正孔輸送層にも用いることで、正孔輸送層の屈折率を低減することができる。特に、電子輸送層にトリアジン骨格とアルキル基とを有する化合物を用い、さらに正孔輸送層に芳香族アミン骨格とアルキル基とを有する化合物を用いることで、光取り出し効率の向上効果を相乗的に高めることができる。
【0056】
また、置換基としてフルオロ基を有する化合物を用いた層も、屈折率を低くすることができるため好ましい。特にフルオロ基を複数有する有機化合物は屈折率低減効果を高めることができる。電子輸送層と正孔輸送層との両方にフルオロ基を有する化合物を用いることも効果的である。
【0057】
また、一の芳香環に複数のアルキル基またはフルオロ基が結合した構造を含む化合物は、層の屈折率を更に低くすることができる。例えば、１つのベンゼン環に置換基としてターシャリーブチル基が２つまたは３つ以上結合した構造が挙げられる。ベンゼン環に限らず、ピリジン環等の他の単環式芳香環、フルオレン環等の多環式芳香環に複数のアルキル基またはフルオロ基が結合した構造であっても良い。また、多環式芳香環（ナフタレン環、フルオレン環、カルバゾール環、キノリン環、キサンテン環など）について、構成する一部の環に複数のアルキル基またはフルオロ基が結合した構造にすることも好適である。例えばフルオレン環を構成する１つのベンゼン環に複数のターシャリーブチル基が結合している構成などが挙げられる。
【0058】
また、置換基としてシアノ基を有する第１の有機化合物は電子輸送性を向上させることができるため好ましい。
【0059】
また、第１の有機化合物が有する置換基として多環式芳香環、アルキル基、フルオロ基、またはシアノ基のうち、複数を組み合わせることも好適である。例えば、置換基として多環式芳香環とシアノ基とを有する場合、耐熱性と電子輸送性の両方を向上させることができる。また、多環式芳香環とアルキル基とを有することで耐熱性と光取り出し効率の両方を向上させることができる。このように、求める機能に応じて置換基を組み合わせて用いることができる。
【0060】
また置換基として多環式芳香環を複数有する第１の有機化合物は耐熱性を更に向上させることができる。その場合、当該第１の有機化合物は、上記芳香族炭化水素環と上記複素芳香環とを含むと良い。
【0061】
トリアジン骨格を含む第１の有機化合物の具体例としては、例えば、２－（ビフェニル－４－イル）－４－フェニル－６－（９，９’－スピロビ［９Ｈ－フルオレン］－２－イル）－１，３，５－トリアジン（略称：ＢＰ－ＳＦＴｚｎ）、２－｛３－［３－（ベンゾ［ｂ］ナフト［１，２－ｄ］フラン－８－イル）フェニル］フェニル｝－４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン（略称：ｍＢｎｆＢＰＴｚｎ）、２－｛３－［３－（ベンゾ［ｂ］ナフト［１，２－ｄ］フラン－６－イル）フェニル］フェニル｝－４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン（略称：ｍＢｎｆＢＰＴｚｎ－０２）、２－｛４－［３－（Ｎ－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）－９Ｈ－カルバゾール－９－イル］フェニル｝－４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン（略称：ＰＣＣｚＰＴｚｎ）、９－［３－（４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン－２－イル）フェニル］－９’－フェニル－２，３’－ビ－９Ｈ－カルバゾール（略称：ｍＰＣＣｚＰＴｚｎ－０２）、２－［３’－（９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）ビフェニル－３－イル］－４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン（略称：ｍＦＢＰＴｚｎ）、５－［３－（４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン－２－イル）フェニル］－７，７－ジメチル－５Ｈ，７Ｈ－インデノ［２，１－ｂ］カルバゾール（略称：ｍＩＮｃ（ＩＩ）ＰＴｚｎ）、２－｛３－［３－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］フェニル｝－４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン（略称：ｍＤＢｔＢＰＴｚｎ）、２，４，６－トリス［３’－（ピリジン－３－イル）ビフェニル－３－イル］－１，３，５－トリアジン（略称：ＴｍＰＰＰｙＴｚ）、２－［３－（２，６－ジメチル－３－ピリジニル）－５－（９－フェナントレニル）フェニル］－４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン（略称：ｍＰｎ－ｍＤＭｅＰｙＰＴｚｎ）、１１－［４－（ビフェニル－４－イル）－６－フェニル－１，３，５－トリアジン－２－イル］－１１，１２－ジヒドロ－１２－フェニルインドロ［２，３－ａ］カルバゾール（略称：ＢＰ－Ｉｃｚ（ＩＩ）Ｔｚｎ）、２－［３’－（トリフェニレン－２－イル）ビフェニル－３－イル］－４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン（略称：ｍＴｐＢＰＴｚｎ）、３－［９－（４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン－２－イル）－２－ジベンゾフラニル］－９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＰＣＤＢｆＴｚｎ）、２－（ビフェニル－３－イル）－４－フェニル－６－｛８－［（１，１’：４’，１’’－ターフェニル）－４－イル］－１－ジベンゾフラニル｝－１，３，５－トリアジン（略称：ｍＢＰ－ＴＰＤＢｆＴｚｎ）、２－［４－（２－ナフタレニル）フェニル］－４－フェニル－６－スピロ［９Ｈ－フルオレン－９，９’－［９Ｈ］キサンテン］－４－イル－１，３，５－トリアジン（略称：βＮＰ－ＳＦｘ（４）Ｔｚｎ）、９，９’－｛６－［３－（トリフェニルシリル）フェニル］－１，３，５－トリアジン－２，４－ジイル｝ビス（９Ｈ－カルバゾール）（略称：ＳｉＴｒｚＣｚ２）、２－フェニル－４，６－ビス［３－（トリフェニルシリル）フェニル］－１，３，５－トリアジン（略称：ｍＳｉＴｒｚ）、１１－［４－（ビフェニル－４－イル）－６－フェニル－１，３，５－トリアジン－２－イル］－１１，１２－ジヒドロ－１２－（ビフェニル－３－イル）インドロ［２，３－ａ］カルバゾール（略称：ＢＰ－ｍＢＰＩｃｚ（ＩＩ）Ｔｚｎ）、３－｛３－［９－（４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン－２－イル）－２－ジベンゾフラニル］フェニル｝－９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール（略称：ｍＰＣＰＤＢｆＴｚｎ）、９，９’－［６－（ビフェニル４－イル）－２－フェニル－１，３，５－トリアジン－４，３’’－ジイル］ビス（９Ｈ－カルバゾール）（略称：Ｃｚ－ｐｍＣｚＢＰＴｚｎ）、３－フェニル－９－［４－フェニル－６－（９－フェニル－３－ジベンゾフラニル）－１，３，５－トリアジン－２－イル］－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＰＤＢｆ－ＰＣｚＴｚｎ）、９－［４－（４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン－２－イル）－２－ジベンゾチエニル］－２－フェニル－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＰＣｚＤＢｔＴｚｎ）、２，４－ジフェニル－６－［３’－（スピロ［７Ｈ－ベンゾ［ｃ］フルオレン－７，９’－［９Ｈ］キサンテン］－２－イル）ビフェニル－３－イル］－１，３，５－トリアジン（略称：ｍＳｂｆｘＢＰＴｚｎ）、３′－［４－フェニル－６－（スピロ［９Ｈ－フルオレン－９，９′－［９Ｈ］キサンテン］－２′－イル）－１，３，５－トリアジン－２－イル］ビフェニル－４－カルボニトリル（略称：ｍｐＣＮＢＰ－ＳＦｘＴｚｎ）、２，２’－［１，２－ナフタレンジイルジ（４，１－フェニレン）］ビス（４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン）（略称：ＴｚｎＰ２Ｎ）などのトリアジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物を用いることができるが下記構造式（１００）乃至（１０６）で表される、ＴｚｎＰ２Ｎ（１００）、ｍＳｂｆｘＢＰＴｚｎ（１０１）、ｍｐＣＮＢＰ－ＳＦｘＴｚｎ（１０２）、ＣＮＢＰＮＰＴｚｎ（１０３）、βＮＰ－ＳＦｘ（４）Ｔｚｎ（１０４）、ｍｍｔＢｕＢＰ－ｍＤＭｅＰｙＰＴｚｎ（１０５）、ｍＢｎｆＢＰＴｚｎ（１０６）などが特に好ましい。なお、以上に挙げた有機化合物が適宜重水素化された有機化合物も同様に用いることができる。
【0062】
【化1】
【0063】
なお、陽極側の発光ユニットに含まれる電子輸送層は、陰極側の発光ユニットに含まれる電子輸送層と同様に、トリアジン骨格を含む第３の有機化合物を含む層であってもよいし、トリアジン骨格を含まない第４の有機化合物を含む層であってもよい。
【0064】
陽極側の発光ユニットに含まれる電子輸送層は、トリアジン骨格を含む第３の有機化合物を有していることが消費電力低減のため好ましい。特に、第１の有機化合物と同じ有機化合物を有することが、製造装置の複雑化を抑制し、原料調達コスト的にも有利となるため好ましい。
【0065】
また、陽極側の発光ユニットに含まれる電子輸送層は、トリアジン骨格を含まない第４の有機化合物を有していることで、キャリアの輸送性の制御が容易となり、より特性の良好な発光デバイスを提供することが可能となる。トリアジン骨格を含まない有機化合物としては、ピリジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物、ジアジン（ピリミジンまたはピラジン）骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物が好ましい。また、トリアジン骨格を含まない有機化合物としては、ピリミジン骨格、イミダゾール骨格およびアントラセン骨格の少なくとも一を有する有機化合物であると好ましい。例えば、ピリミジン骨格とアントラセン骨格とを有する有機化合物、または、イミダゾール骨格とアントラセン骨格とを有する有機化合物を用いると、キャリアの輸送性が一層制御しやすくなるため好ましい。
【0066】
上記フェナントロリン骨格を含む第２の有機化合物は、電界強度［Ｖ／ｃｍ］の平方根が６００における電子移動度が、１×１０－７ｃｍ２／Ｖｓ以上、好ましくは１×１０－６ｃｍ２／Ｖｓ以上の有機化合物であることが好ましい。なお、正孔よりも電子の輸送性が高い物質であれば、これら以外のものを用いることができる。
【0067】
フェナントロリン骨格を含む第２の有機化合物としては、フェナントロリン骨格と芳香環とを含む化合物であると好ましい。当該芳香環としては、単環式芳香環、多環式芳香環などを用いると良い。
【0068】
単環式芳香環としては、ベンゼン環、ピロール環、ピリジン環、ピリミジン環などが挙げられる。また、多環式芳香環としては、ナフタレン環、フェナントレン環、クリセン環、トリフェニレン環、フルオレン環などの芳香族炭化水素環、フェナントロリン環、ピロール環などの複素芳香環など含むと好ましい。特にこれらの多環式芳香環を複数含むと耐熱性または電子輸送性を向上させることができるため好ましい。
【0069】
フェナントロリン骨格を含む第２の有機化合物としては、例えば、バソフェナントロリン（略称：Ｂｐｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）、２，９－ジ（ナフタレン－２－イル）－４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン（略称：ＮＢｐｈｅｎ）、２，２’－（１，３－フェニレン）ビス（９－フェニル－１，１０－フェナントロリン）（略称：ｍＰＰｈｅｎ２Ｐ）、２－［３－（２－トリフェニレニル）フェニル］－１，１０－フェナントロリン（略称：ｍＴｐＰＰｈｅｎ）、２－フェニル－９－（２－トリフェニレニル）－１，１０－フェナントロリン（略称：Ｐｈ－ＴｐＰｈｅｎ）、２－［４－（９－フェナントレニル）－１－ナフタレニル］－１，１０－フェナントロリン（略称：ＰｎＮＰｈｅｎ）、２－［４－（２－トリフェニレニル）フェニル］－１，１０－フェナントロリン（略称：ｐＴｐＰＰｈｅｎ）などのフェナントロリン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物を用いることができるが下記構造式（２００）乃至（２０１）で表されるＰｎＮＰｈｅｎ（２００）、ｍＰＰｈｅｎ２Ｐ（２０１）などが好ましい。
【0070】
【化2】
【0071】
本発明の一態様の発光デバイスでは、中間層はフェナントロリン骨格を含む第２の有機化合物を有し、且つ第１の電極と第２の電極との間に電圧を印加することで、当該中間層に接する陽極側の発光ユニットに電子を、陰極側の発光ユニットに正孔を注入することができる層であればどのような構成であってもよい。ただし、中間層は、第２の有機化合物を含む第１の層と、第１の層よりも陰極側に位置する第２の層とを備える積層構造であることが好ましい。
【0072】
第１の層は、第２の有機化合物の他に、金属または金属化合物を含むことが好ましい。当該金属、または金属化合物における金属は、Ｌｉなどのアルカリ金属（第１族元素）、Ｍｇ、Ｃａなどのアルカリ土類金属（第２族元素）、Ｙ、Ｅｕ、Ｙｂなどのランタノイドを含む第３族元素、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕなどの第１１族元素、Ｚｎなどの第１２族元素、Ａｌ、Ｉｎなどの土類金属（第１３族元素）が好ましい。
【0073】
なお、第１の層は、有機化合物を含む層と、有機化合物を含む層より陰極側に位置する金属または金属化合物を有する層との積層構造である場合と、有機化合物と金属または金属化合物との混合層である場合があるが、混合層である方が成膜チャンバーが少なく製造コスト低減のため好ましく、発光デバイスの安定性向上にも寄与するため好ましい。
【0074】
有機化合物と金属または金属化合物とが混合している場合、第１の層を膜厚方向に分析した際に、有機化合物の分布と金属または金属化合物の分布がおおむね同じ傾向を示す。すなわち、有機化合物の分布が一定である場合には、金属または金属化合物の分布もおおむね一定である。有機化合物を含む層と金属または金属化合物を有する層との積層構造である場合、金属または金属化合物が金属または金属化合物を有する層からの拡散により当該層以外の領域にも検出される場合があるが、有機化合物の分布と異なる分布を示すことから分析の結果を拡散と混合とで切り分けることができる。
【0075】
また、第１の層を膜厚方向に分析した際に、金属または金属化合物が検出される領域が、１０ｎｍ以上存在する場合、好ましくは１５ｎｍ以上、より好ましくは２０ｎｍ以上存在する場合も、第１の層が有機化合物と金属または金属化合物とが混合した混合層を有しているとみなすことができる。
【0076】
中でも、上記金属または金属化合物における金属は、第２の有機化合物にドナー性を示す物質であることが好ましい。第２の有機化合物にドナー性を示す物質としては、例えば、第１族、第２族の金属を挙げることができ、特にリチウムまたはリチウム化合物が好ましい。具体的には、Ｌｉ、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、酸化リチウム（Ｌｉ２Ｏ）、および８－ヒドロキシキノリナト－リチウム（略称：Ｌｉｑ）などが好ましい。第１の層が、第２の有機化合物と、当該第２の有機化合物にドナー性を示す物質と、が含まれる層である場合、電荷分離により電子が発生し、第１の電極と第２の電極との間に電圧が印加されると当該電子は、第２の有機化合物を介して陽極側の発光ユニットに注入される。これにより、本発明の一態様の発光デバイスは、駆動電圧の低い発光デバイスとすることができる。
【0077】
また、第２の有機化合物は、上で述べた有機化合物の他に、電子供与性を有する置換基を備えたフェナントロリン骨格を含む有機化合物が好ましい。フェナントロリン骨格は金属などと相互作用を起こしやすい骨格であり、このようなフェナントロリン骨格を含む第２の有機化合物がさらに電子供与基を有することで、当該フェナントロリン骨格の電子密度が上昇し、金属、または金属化合物との相互作用をさらに起こしやすくすることができる。特に、金属、または金属化合物における金属として第３族、第１１族、第１２族、第１３族の金属を用いた場合、駆動電圧の上昇を抑制し、良好な特性を有するタンデム型の発光デバイスを提供できる。
【0078】
電子供与基の具体例としては、アルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、複素環式アミノ基などが挙げられる。ただし、フェナントロリン環に導入すると好ましい電子供与基はこれらに限定されない。フェナントロリン環に導入することで、フェナントロリン環の電子密度を高めることのできる基であれば、電子供与基として適用することができる。また、当該電子供与基は、フェニレン基などアリーレン基を介してフェナントロリン環に導入してもよく、当該アリーレン基としてはｐ－フェニレン基が好ましい。
【0079】
電子供与性を有する置換基を備えたフェナントロリン骨格を含む有機化合物の具体例を構造式（３００）乃至（３１０）に示す。
【0080】
【化3】
【0081】
なお、第１の層に、第１族または第２族、特にリチウムまたはリチウム化合物と、電子供与性を有する置換基を備えたフェナントロリン骨格と、を含む第２の有機化合物を有する構成は、より駆動電圧が低く、信頼性が良好なタンデム型の発光デバイスを提供できるため好ましい。さらに、第１の層に、第１族または第２族、特にリチウムまたはリチウム化合物と、電子供与性を有する置換基を備えたフェナントロリン骨格を含む第２の有機化合物を有する構成は、フォトリソグラフィ法により発光デバイスの有機化合物層を加工する場合に駆動電圧の上昇を抑制することができることから好ましい構成である。
【0082】
以上に述べてきたような構成を有する中間層において、第２の有機化合物は、特にフェナントロリン骨格の中でも、１，１０－フェナントロリン骨格を含む有機化合物が、含有する２つの窒素原子が金属に配位可能であることから、金属または金属化合物との相互作用が起こりやすく、好ましい。
【0083】
１，１０－フェナントロリン骨格に電子供与基を導入する場合、電子供与基は１，１０－フェナントロリン骨格の４位および７位に置換されていることが好ましい。１，１０－フェナントロリン骨格の４位および７位に電子供与基を導入することにより、１位および１０位の窒素原子の電子密度を高めることができ、金属または金属化合物との相互作用をより起こりやすくすることができる。
【0084】
第１の層は、さらに第２の有機化合物とは異なる有機化合物を含んでいてもよい。なお、当該有機化合物は、電子輸送性を有する有機化合物であることが好ましい。特に、当該有機化合物は、互いに結合または縮合した２以上の複素芳香環を有し、かつ当該２以上の複素芳香環は合計で３以上のヘテロ原子を有することが好ましい。第１の層がこのような有機化合物を含むことによって、耐熱性の向上、電子輸送性の向上などを図ることができる。
【0085】
第２の層は、正孔輸送性を有する第５の有機化合物を含むことが好ましい。また、第２の層は、さらにアクセプタ性を示す物質を含むことが好ましく、アクセプタ性を示す物質は第５の有機化合物にアクセプタ性を示す有機化合物であることが好ましい。アクセプタ性を有する物質としては、特に、ハロゲン基およびシアノ基の少なくとも一を有する有機化合物が好ましく、フッ素およびシアノ基の少なくとも一を有する有機化合物がより好ましい。なお、当該有機化合物に含まれるハロゲン基（フッ素）およびシアノ基は合わせて４以上であることがさらに好ましい。
【0086】
第２の層が、第５の有機化合物と、当該第５の有機化合物にアクセプタ性を示す物質と、が含まれる層である場合、電荷分離により正孔が発生し、第１の電極と第２の電極との間に電圧が印加されることで当該正孔は、第５の有機化合物を介して陰極側の発光ユニットに注入される。これにより、本発明の一態様の発光デバイスは、駆動電圧の低い発光デバイスとすることができる。
【0087】
中間層は、第１の層と第２の層との間に第３の層を有していてもよい。
【0088】
第３の層は、電子輸送性を有する物質を含み、第１の層と第２の層との間で電子の授受をスムーズにして駆動電圧を低減する、第１の層と第２の層との間の相互作用を低減し信頼性を向上するなどの機能を有する。
【0089】
また、第３の層の膜厚は１ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは２ｎｍ以上５ｎｍ以下であることが、駆動電圧の上昇を抑制できるために好ましい。
【0090】
以上のような構成を有する本発明の発光デバイスは、電流効率が高く、エネルギーロスが少なく、特性の良好な発光デバイスとすることが可能となる。また、このような発光デバイスを用いた本発明の一態様の表示装置では、消費電力が小さく、信頼性が高く、高輝度での表示が可能であり視認性の良好な表示装置とすることが可能である。
【0091】
続いて、本発明の一態様の発光デバイスについて図面を用いながら詳しく説明する。図１（Ａ）に、本発明の一態様の発光デバイス１３０を示した。本発明の一態様の発光デバイスは、陽極を含む第１の電極１０１と、陰極を含む第２の電極１０２との間に、第１の発光層１１３＿１を含む第１の発光ユニット５０１と、第２の発光層１１３＿２と第２の電子輸送層１１４＿２を含む第２の発光ユニット５０２と、中間層１１６とを有する有機化合物層１０３（ＥＬ層ともいう）を有している、タンデム型の発光デバイスである。なお、第１の発光ユニットは、第１の発光層１１３＿１と中間層１１６との間に第１の電子輸送層１１４＿１を有していてもよい。
【0092】
発光デバイス１３０において、第２の電子輸送層１１４＿２は、トリアジン骨格を含む第１の有機化合物を含み、中間層１１６は、フェナントロリン骨格を含む第２の有機化合物を有する。また、トリアジン骨格を含む第１の有機化合物を含む第２の電子輸送層１１４＿２は、第２の電極１０２と接していることが消費電力低減のため好ましい。
【0093】
本実施の形態では、一つの中間層１１６と、二つの発光ユニットを有する発光デバイスを例に説明するが、ｎ（ｎは１以上の整数）層の中間層と、ｎ＋１層の発光ユニットを有する発光デバイスであってもよい。例えば、図１（Ｂ）に示す発光デバイス１３０は、第１の発光ユニット５０１、第１の中間層１１６＿１、第２の発光ユニット５０２、第２の中間層１１６＿２および第３の発光ユニット５０３を有するｎが２のタンデム型の発光デバイスの例である。
【0094】
第１の発光ユニット５０１と第２の発光ユニット５０２には、先に述べた発光層、電子輸送層などの層以外に他の機能層が含まれていてもよい。図１（Ａ）では、第１の発光ユニット５０１には、第１の発光層１１３＿１、第１の電子輸送層１１４＿１の他に、正孔注入層１１１、および第１の正孔輸送層１１２＿１が、第２の発光ユニット５０２には、第２の発光層１１３＿２、第２の電子輸送層１１４＿２の他に、第２の正孔輸送層１１２＿２が設けられている構成を図示したが、本発明の一態様における有機化合物層１０３の構成は、これに限られず、いずれかの層が設けられていなくともよいし、他の層が設けられていてもよい。なお、他の層としては、代表的には、キャリアブロック層、励起子ブロック層などがある。
【0095】
第１の電極１０１は、陽極を含む電極である。第１の電極１０１は、積層構造を有していてもよく、その場合、有機化合物層１０３に触れる層が陽極として機能する。陽極は、仕事関数の大きい（具体的には４．０ｅＶ以上）金属、合金、導電性化合物、およびこれらの混合物などを用いて形成することが好ましい。具体的には、例えば、酸化インジウム－酸化スズ（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ケイ素若しくは酸化ケイ素を含有した酸化インジウム－酸化スズ、酸化インジウム－酸化亜鉛、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム（ＩＷＺＯ）等が挙げられる。これらの導電性金属酸化物膜は、通常スパッタリング法により成膜されるが、ゾル－ゲル法などを応用して作製しても構わない。作製方法の例としては、酸化インジウム－酸化亜鉛は、酸化インジウムに対し１～２０ｗｔ％の酸化亜鉛を加えたターゲットを用いてスパッタリング法により形成する方法などがある。また、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム（ＩＷＺＯ）は、酸化インジウムに対し酸化タングステンを０．５～５ｗｔ％、酸化亜鉛を０．１～１ｗｔ％含有したターゲットを用いてスパッタリング法により形成することもできる。この他に、陽極に用いられる材料は、例えば、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、または金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等が挙げられる。又は、陽極に用いられる材料として、グラフェンも用いることができる。なお、上記中間層１１６における第２の層１１７を構成する複合材料を陽極と接する層（代表的には正孔注入層）として用いることで、仕事関数に関わらず、電極材料を選択することができるようになる。
【0096】
正孔注入層１１１は、陽極に接して設けられ、正孔を有機化合物層１０３（第１の発光ユニット５０１）に注入しやすくする機能を有する。正孔注入層１１１は、フタロシアニン（略称：Ｈ２Ｐｃ）、銅フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）等のフタロシアニン系の化合物または錯体化合物、４，４’－ビス［Ｎ－（４－ジフェニルアミノフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、４，４’－ビス（Ｎ－｛４－［Ｎ’－（３－メチルフェニル）－Ｎ’－フェニルアミノ］フェニル｝－Ｎ－フェニルアミノ）ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）等の芳香族アミン化合物、またはポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸（略称：ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等の高分子等によって形成することができる。
【0097】
また、正孔注入層１１１は電子のアクセプタ性を有する物質により形成してもよい。アクセプタ性を有する物質としては、電子吸引基（ハロゲン基、シアノ基など）を有する有機化合物を用いることができ、７，７，８，８－テトラシアノ－２，３，５，６－テトラフルオロキノジメタン（略称：Ｆ４－ＴＣＮＱ）、クロラニル、２，３，６，７，１０，１１－ヘキサシアノ－１，４，５，８，９，１２－ヘキサアザトリフェニレン（略称：ＨＡＴ－ＣＮ）、１，３，４，５，７，８－ヘキサフルオロテトラシアノ－ナフトキノジメタン（略称：Ｆ６－ＴＣＮＮＱ）、２－（７－ジシアノメチレン－１，３，４，５，６，８，９，１０－オクタフルオロ－７Ｈ－ピレン－２－イリデン）マロノニトリル等を挙げることができる。特に、ＨＡＴ－ＣＮのように複素原子を複数有する縮合芳香環に電子吸引基が結合している化合物が、熱的に安定であり好ましい。また、電子吸引基（特にフルオロ基のようなハロゲン基、シアノ基など）を有する［３］ラジアレン誘導体は、電子受容性が非常に高いため好ましく、具体的にはα，α’，α’’－１，２，３－シクロプロパントリイリデントリス［４－シアノ－２，３，５，６－テトラフルオロベンゼンアセトニトリル］、α，α’，α’’－１，２，３－シクロプロパントリイリデントリス［２，６－ジクロロ－３，５－ジフルオロ－４－（トリフルオロメチル）ベンゼンアセトニトリル］、α，α’，α’’－１，２，３－シクロプロパントリイリデントリス［２，３，４，５，６－ペンタフルオロベンゼンアセトニトリル］などが挙げられる。アクセプタ性を有する物質としては以上で述べた有機化合物以外にも、モリブデン酸化物、バナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等の遷移金属酸化物を用いることができる。この他、フタロシアニン（略称：Ｈ２Ｐｃ）、銅フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）等のフタロシアニン系の化合物または錯体化合物、４，４’－ビス［Ｎ－（４－ジフェニルアミノフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、４，４’－ビス（Ｎ－｛４－［Ｎ’－（３－メチルフェニル）－Ｎ’－フェニルアミノ］フェニル｝－Ｎ－フェニルアミノ）ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）等の芳香族アミン化合物、或いはポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸（略称：ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等の高分子等によっても正孔注入層１１１を形成することができる。アクセプタ性を有する物質は、隣接する正孔輸送層（あるいは正孔輸送材料）から、電界の印加により電子を引き抜くことができる。
【0098】
また、正孔注入層１１１は、上記アクセプタ性を有する材料と、正孔輸送性を有する物質とを含む複合材料により形成することが好ましい。
【0099】
複合材料に用いる正孔輸送性を有する物質としては、芳香族アミン化合物、複素芳香族化合物、芳香族炭化水素、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）など、種々の有機化合物を用いることができる。なお、複合材料に用いる正孔輸送性を有する物質としては、１×１０－６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質であることが好ましい。複合材料に用いられる正孔輸送性を有する物質は、縮合芳香族炭化水素環、または、π電子過剰型複素芳香環を有する化合物であることが好ましい。縮合芳香族炭化水素環としては、アントラセン環、ナフタレン環等が好ましい。また、π電子過剰型複素芳香環としては、ピロール骨格、フラン骨格、チオフェン骨格の少なくともいずれか１を環に含む縮合芳香環が好ましく、具体的にはカルバゾール環、ジベンゾチオフェン環あるいはそれらにさらに芳香環または複素芳香環が縮合した環が好ましい。
【0100】
このような正孔輸送性を有する物質は、カルバゾール骨格、ジベンゾフラン骨格、ジベンゾチオフェン骨格およびアントラセン骨格のいずれかを有していることがより好ましい。特に、ジベンゾフラン環またはジベンゾチオフェン環を含む置換基を有する芳香族アミン、ナフタレン環を有する芳香族モノアミン、または９－フルオレニル基がアリーレン基を介してアミンの窒素に結合する芳香族モノアミンであっても良い。なお、これら正孔輸送性を有する物質が、Ｎ，Ｎ－ビス（４－ビフェニル）アミノ基を有する物質であると、寿命の良好な発光デバイスを作製することができるため好ましい。
【0101】
以上のような正孔輸送性を有する物質としては、具体的には、Ｎ－（４－ビフェニル）－６，Ｎ－ジフェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２－ｄ］フラン－８－アミン（略称：ＢｎｆＡＢＰ）、Ｎ，Ｎ－ビス（４－ビフェニル）－６－フェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２－ｄ］フラン－８－アミン（略称：ＢＢＡＢｎｆ）、４，４’－ビス（６－フェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２－ｄ］フラン－８－イル）－４’’－フェニルトリフェニルアミン（略称：ＢｎｆＢＢ１ＢＰ）、Ｎ，Ｎ－ビス（４－ビフェニル）ベンゾ［ｂ］ナフト［１，２－ｄ］フラン－６－アミン（略称：ＢＢＡＢｎｆ（６））、Ｎ，Ｎ－ビス（４－ビフェニル）ベンゾ［ｂ］ナフト［１，２－ｄ］フラン－８－アミン（略称：ＢＢＡＢｎｆ（８））、Ｎ，Ｎ－ビス（４－ビフェニル）ベンゾ［ｂ］ナフト［２，３－ｄ］フラン－４－アミン（略称：ＢＢＡＢｎｆ（ＩＩ）（４））、Ｎ，Ｎ－ビス［４－（ジベンゾフラン－４－イル）フェニル］－４－アミノ－ｐ－ターフェニル（略称：ＤＢｆＢＢ１ＴＰ）、Ｎ－［４－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］－Ｎ－フェニル－４－ビフェニルアミン（略称：ＴｈＢＡ１ＢＰ）、４－（２－ナフチル）－４’，４’’－ジフェニルトリフェニルアミン（略称：ＢＢＡβＮＢ）、４－［４－（２－ナフチル）フェニル］－４’，４’’－ジフェニルトリフェニルアミン（略称：ＢＢＡβＮＢｉ）、４，４’－ジフェニル－４’’－（６；１’－ビナフチル－２－イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＢＡαＮβＮＢ）、４，４’－ジフェニル－４’’－（７；１’－ビナフチル－２－イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＢＡαＮβＮＢ－０３）、４，４’－ジフェニル－４’’－（７－フェニル）ナフチル－２－イルトリフェニルアミン（略称：ＢＢＡＰβＮＢ－０３）、４，４’－ジフェニル－４’’－（６；２’－ビナフチル－２－イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＢＡ（βＮ２）Ｂ）、４，４’－ジフェニル－４’’－（７；２’－ビナフチル－２－イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＢＡ（βＮ２）Ｂ－０３）、４，４’－ジフェニル－４’’－（４；２’－ビナフチル－１－イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＢＡβＮαＮＢ）、４，４’－ジフェニル－４’’－（５；２’－ビナフチル－１－イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＢＡβＮαＮＢ－０２）、４－（４－ビフェニリル）－４’－（２－ナフチル）－４’’－フェニルトリフェニルアミン（略称：ＴＰＢｉＡβＮＢ）、４－（３－ビフェニリル）－４’－［４－（２－ナフチル）フェニル］－４’’－フェニルトリフェニルアミン（略称：ｍＴＰＢｉＡβＮＢｉ）、４－（４－ビフェニリル）－４’－［４－（２－ナフチル）フェニル］－４’’－フェニルトリフェニルアミン（略称：ＴＰＢｉＡβＮＢｉ）、４－フェニル－４’－（１－ナフチル）トリフェニルアミン（略称：αＮＢＡ１ＢＰ）、４，４’－ビス（１－ナフチル）トリフェニルアミン（略称：αＮＢＢ１ＢＰ）、４，４’－ジフェニル－４’’－［４’－（カルバゾール－９－イル）ビフェニル－４－イル］トリフェニルアミン（略称：ＹＧＴＢｉ１ＢＰ）、４’－［４－（３－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］トリス（ビフェニル－４－イル）アミン（略称：ＹＧＴＢｉ１ＢＰ－０２）、４－［４’－（カルバゾール－９－イル）ビフェニル－４－イル］－４’－（２－ナフチル）－４’’－フェニルトリフェニルアミン（略称：ＹＧＴＢｉβＮＢ）、Ｎ－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］－Ｎ－［４－（１－ナフチル）フェニル］－９，９’－スピロビ［９Ｈ－フルオレン］－２－アミン（略称：ＰＣＢＮＢＳＦ）、Ｎ，Ｎ－ビス（ビフェニル－４－イル）－９，９’－スピロビ［９Ｈ－フルオレン］－２－アミン（略称：ＢＢＡＳＦ）、Ｎ，Ｎ－ビス（ビフェニル－４－イル）－９，９’－スピロビ［９Ｈ－フルオレン］－４－アミン（略称：ＢＢＡＳＦ（４））、Ｎ－（ビフェニル－２－イル）－Ｎ－（９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）－９，９’－スピロビ［９Ｈ－フルオレン］－４－アミン（略称：ｏＦＢｉＳＦ）、Ｎ－（ビフェニル－４－イル）－Ｎ－（９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）ジベンゾフラン－４－アミン（略称：ＦｒＢｉＦ）、Ｎ－［４－（１－ナフチル）フェニル］－Ｎ－［３－（６－フェニルジベンゾフラン－４－イル）フェニル］－１－ナフチルアミン（略称：ｍＰＤＢｆＢＮＢＮ）、４－フェニル－４’－（９－フェニルフルオレン－９－イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬＰ）、４－フェニル－３’－（９－フェニルフルオレン－９－イル）トリフェニルアミン（略称：ｍＢＰＡＦＬＰ）、４－フェニル－４’－［４－（９－フェニルフルオレン－９－イル）フェニル］トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬＢｉ）、４－フェニル－４’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡ１ＢＰ）、４，４’－ジフェニル－４’’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＢｉ１ＢＰ）、４－（１－ナフチル）－４’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＮＢ）、４，４’－ジ（１－ナフチル）－４’’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＮＢＢ）、Ｎ－フェニル－Ｎ－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］－９，９’－スピロビ［９Ｈ－フルオレン］－２－アミン（略称：ＰＣＢＡＳＦ）、Ｎ－（ビフェニル－４－イル）－Ｎ－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］－９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－アミン（略称：ＰＣＢＢｉＦ）、Ｎ，Ｎ－ビス（９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）－９，９’－スピロビ－９Ｈ－フルオレン－４－アミン、Ｎ，Ｎ－ビス（９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）－９，９’－スピロビ－９Ｈ－フルオレン－３－アミン、Ｎ，Ｎ－ビス（９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）－９，９’－スピロビ－９Ｈ－フルオレン－２－アミン、Ｎ，Ｎ－ビス（９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）－９，９’－スピロビ－９Ｈ－フルオレン－１－アミン、９－［３－（トリフェニルシリル）フェニル］－３，９’－ビ－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＰＳｉＣｚＣｚ）、９’－フェニル－９’Ｈ－９，３’：６’，９’’－ターカルバゾール（略称：ＰＳｉＣｚＧＩ）等を挙げることができる。
【0102】
また、正孔輸送性を有する物質としては、その他芳香族アミン化合物として、Ｎ，Ｎ’－ジ（ｐ－トリル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－ｐ－フェニレンジアミン（略称：ＤＴＤＰＰＡ）、４，４’－ビス［Ｎ－（４－ジフェニルアミノフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、４，４’－ビス（Ｎ－｛４－［Ｎ’－（３－メチルフェニル）－Ｎ’－フェニルアミノ］フェニル｝－Ｎ－フェニルアミノ）ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）、１，３，５－トリス［Ｎ－（４－ジフェニルアミノフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］ベンゼン（略称：ＤＰＡ３Ｂ）等を用いることもできる。
【0103】
正孔注入層１１１を形成することによって、正孔の注入性が良好となり、駆動電圧の小さい発光デバイスを得ることができる。
【0104】
なお、アクセプタ性を有する物質の中でもアクセプタ性を有する有機化合物は蒸着が容易で成膜がしやすいため、用いやすい材料である。
【0105】
正孔輸送層（第１の正孔輸送層１１２＿１、第２の正孔輸送層１１２＿２）は、正孔輸送性を有する有機化合物を含んで形成される。正孔輸送性を有する有機化合物としては、１×１０－６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有していることが好ましい。
【0106】
上記正孔輸送性を有する物質としては、４，４’－ビス［Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）、Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－Ｎ，Ｎ’－ビス（３－メチルフェニル）－４，４’－ジアミノビフェニル（略称：ＴＰＤ）、Ｎ，Ｎ’－ビス（９，９’－スピロビ［９Ｈ－フルオレン］－２－イル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－４，４’－ジアミノビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）、４－フェニル－４’－（９－フェニルフルオレン－９－イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬＰ）、４－フェニル－３’－（９－フェニルフルオレン－９－イル）トリフェニルアミン（略称：ｍＢＰＡＦＬＰ）、４－フェニル－４’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡ１ＢＰ）、４，４’－ジフェニル－４’’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＢｉ１ＢＰ）、４－（１－ナフチル）－４’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＮＢ）、４，４’－ジ（１－ナフチル）－４’’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＮＢＢ）、９，９－ジメチル－Ｎ－フェニル－Ｎ－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］フルオレン－２－アミン（略称：ＰＣＢＡＦ）、Ｎ－フェニル－Ｎ－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］－９，９’－スピロビ［９Ｈ－フルオレン］－２－アミン（略称：ＰＣＢＡＳＦ）などの芳香族アミン骨格を有する化合物、１，３－ビス（Ｎ－カルバゾリル）ベンゼン（略称：ｍＣＰ）、４，４’－ジ（Ｎ－カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、３，６－ビス（３，５－ジフェニルフェニル）－９－フェニルカルバゾール（略称：ＣｚＴＰ）、３，３’－ビス（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール）（略称：ＰＣＣＰ）、９，９’－ビス（ビフェニル－４－イル）－３，３’－ビ－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＢｉｓＢＰＣｚ）、９，９’－ビス（ビフェニル－３－イル）－３，３’－ビ－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＢｉｓｍＢＰＣｚ）、９－（ビフェニル－３－イル）－９’－（ビフェニル－４－イル）－９Ｈ，９’Ｈ－３，３’－ビカルバゾール（略称：ｍＢＰＣＣＢＰ）、９－（２－ナフチル）－９’－フェニル－９Ｈ，９’Ｈ－３，３’－ビカルバゾール（略称：βＮＣＣＰ）、９－（３－ビフェニル）－９’－（２－ナフチル）－３，３’－ビ－９Ｈ－カルバゾール（略称：βＮＣＣｍＢＰ）、９－（４－ビフェニル）－９’－（２－ナフチル）－３，３’－ビ－９Ｈ－カルバゾール（略称：βＮＣＣＢＰ）、９，９’－ジ－２－ナフチル－３，３’－９Ｈ，９’Ｈ－ビカルバゾール（略称：ＢｉｓβＮＣｚ）、９－（２－ナフチル）－９’－［１，１’：４’，１”－ターフェニル］－３－イル－３，３’－９Ｈ，９’Ｈ－ビカルバゾール、９－（２－ナフチル）－９’－［１，１’：３’，１”－ターフェニル］－３－イル－３，３’－９Ｈ，９’Ｈ－ビカルバゾール、９－（２－ナフチル）－９’－［１，１’：３’，１”－ターフェニル］－５’－イル－３，３’－９Ｈ，９’Ｈ－ビカルバゾール、９－（２－ナフチル）－９’－［１，１’：４’，１”－ターフェニル］－４－イル－３，３’－９Ｈ，９’Ｈ－ビカルバゾール、９－（２－ナフチル）－９’－［１，１’：３’，１”－ターフェニル］－４－イル－３，３’－９Ｈ，９’Ｈ－ビカルバゾール、９－（２－ナフチル）－９’－（トリフェニレン－２－イル）－３，３’－９Ｈ，９’Ｈ－ビカルバゾール、９－フェニル－９’－（トリフェニレン－２－イル）－３，３’－９Ｈ，９’Ｈ－ビカルバゾール（略称：ＰＣＣｚＴｐ）、９，９’－ビス（トリフェニレン－２－イル）－３，３’－９Ｈ，９’Ｈ－ビカルバゾール、９－（４－ビフェニル）－９’－（トリフェニレン－２－イル）－３，３’－９Ｈ，９’Ｈ－ビカルバゾール、９－（トリフェニレン－２－イル）－９’－［１，１’：３’，１”－ターフェニル］－４－イル－３，３’－９Ｈ，９’Ｈ－ビカルバゾール、Ｎ，Ｎ－ビス（９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）－９，９’－スピロビ－９Ｈ－フルオレン－１－アミン、９－［３－（トリフェニルシリル）フェニル］－３，９’－ビ－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＰＳｉＣｚＣｚ）などのカルバゾール骨格を有する化合物、４，４’，４’’－（ベンゼン－１，３，５－トリイル）トリ（ジベンゾチオフェン）（略称：ＤＢＴ３Ｐ－ＩＩ）、２，８－ジフェニル－４－［４－（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イル）フェニル］ジベンゾチオフェン（略称：ＤＢＴＦＬＰ－ＩＩＩ）、４－［４－（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イル）フェニル］－６－フェニルジベンゾチオフェン（略称：ＤＢＴＦＬＰ－ＩＶ）などのチオフェン骨格を有する化合物、４，４’，４’’－（ベンゼン－１，３，５－トリイル）トリ（ジベンゾフラン）（略称：ＤＢＦ３Ｐ－ＩＩ）、４－｛３－［３－（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イル）フェニル］フェニル｝ジベンゾフラン（略称：ｍｍＤＢＦＦＬＢｉ－ＩＩ）などのフラン骨格を有する化合物が挙げられる。上述した中でも、芳香族アミン骨格を有する化合物、カルバゾール骨格を有する化合物は、信頼性が良好であり、また、正孔輸送性が高く、駆動電圧低減にも寄与するため好ましい。また、正孔注入層１１１の複合材料に用いられる正孔輸送性を有する物質として挙げた有機化合物も正孔輸送層１１２を構成する材料として好適に用いることができる。なお、以上に挙げた有機化合物が適宜重水素化された有機化合物も同様に用いることができる。
【0107】
なお、第１の正孔輸送層１１２＿１と第２の正孔輸送層１１２＿２は、同じ骨格を含む有機化合物を有していることが好ましく、同じ化合物を有していることがより好ましい。
【0108】
発光層（第１の発光層１１３＿１、第２の発光層１１３＿２）は発光中心物質とホスト材料を有していることが好ましい。なお、発光層は、その他の材料を同時に含んでいても構わない。
【0109】
また、第１の発光層１１３＿１と、第２の発光層１１３＿２は、類似の色の発光を呈する発光層であることが好ましい。例えば、表示装置においてはフルカラーを表現するために、赤、緑、青の画素が用いられることが多いが、赤の画素に用いる発光デバイスの場合は、第１の発光層１１３＿１及び第２の発光層１１３＿２はどちらも赤の発光を呈する発光層であり、緑の画素に用いられる場合は、二つの発光層はどちらも緑の発光を呈する発光層であり、青の画素の場合はどちらも青の発光を呈する。また、この際、第１の発光層１１３＿１に含まれる発光中心物質と第２の発光層１１３＿２に含まれる発光中心物質は、その発光スペクトルにおける最大ピーク波長の差が３０ｎｍ以下である化合物であることが好ましく、２０ｎｍ以下である化合物であることがより好ましく、１０ｎｍ以下である化合物であることがさらに好ましい。なお、第１の発光層１１３＿１に含まれる発光中心物質と第２の発光層１１３＿２に含まれる発光中心物質が同じであることがより好ましい。
【0110】
発光中心物質は蛍光発光物質であっても、燐光発光物質であっても、熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）を示す物質であっても、その他の発光物質であっても構わない。
【0111】
発光層において、発光中心物質として用いることができる蛍光発光物質としては、例えば以下のようなものが挙げられる。また、これ以外の蛍光発光物質も用いることができる。
【0112】
５，６－ビス［４－（１０－フェニル－９－アントリル）フェニル］－２，２’－ビピリジン（略称：ＰＡＰ２ＢＰｙ）、５，６－ビス［４’－（１０－フェニル－９－アントリル）ビフェニル－４－イル］－２，２’－ビピリジン（略称：ＰＡＰＰ２ＢＰｙ）、Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－Ｎ，Ｎ’－ビス［４－（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イル）フェニル］ピレン－１，６－ジアミン（略称：１，６ＦＬＰＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’－ビス（３－メチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ビス［３－（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イル）フェニル］ピレン－１，６－ジアミン（略称：１，６ｍＭｅｍＦＬＰＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’－ビス［４－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］－Ｎ，Ｎ’－ジフェニルスチルベン－４，４’－ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｓ）、４－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）－４’－（１０－フェニル－９－アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡＰＡ）、４－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）－４’－（９，１０－ジフェニル－２－アントリル）トリフェニルアミン（略称：２ＹＧＡＰＰＡ）、Ｎ，９－ジフェニル－Ｎ－［４－（１０－フェニル－９－アントリル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール－３－アミン（略称：ＰＣＡＰＡ）、ペリレン、２，５，８，１１－テトラ－ｔｅｒｔ－ブチルペリレン（略称：ＴＢＰ）、４－（１０－フェニル－９－アントリル）－４’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＡ）、Ｎ，Ｎ’’－（２－ｔｅｒｔ－ブチルアントラセン－９，１０－ジイルジ－４，１－フェニレン）ビス（Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－トリフェニル－１，４－フェニレンジアミン）（略称：ＤＰＡＢＰＡ）、Ｎ，９－ジフェニル－Ｎ－［４－（９，１０－ジフェニル－２－アントリル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール－３－アミン（略称：２ＰＣＡＰＰＡ）、Ｎ－［４－（９，１０－ジフェニル－２－アントリル）フェニル］－Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－トリフェニル－１，４－フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＰＡ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’，Ｎ’’’，Ｎ’’’－オクタフェニルジベンゾ［ｇ，ｐ］クリセン－２，７，１０，１５－テトラアミン（略称：ＤＢＣ１）、クマリン３０、９，１０－ジフェニル－２－［Ｎ－フェニル－Ｎ－（９－フェニル－カルバゾール－３－イル）－アミノ］－アントラセン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、Ｎ－［９，１０－ビス（ビフェニル－２－イル）－２－アントリル］－Ｎ，９－ジフェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－アミン（略称：２ＰＣＡＢＰｈＡ）、Ｎ－（９，１０－ジフェニル－２－アントリル）－Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－トリフェニル－１，４－フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＡ）、Ｎ－［９，１０－ビス（ビフェニル－２－イル）－２－アントリル］－Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－トリフェニル－１，４－フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＢＰｈＡ）、９，１０－ビス（ビフェニル－２－イル）－Ｎ－［４－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］－Ｎ－フェニルアントラセン－２－アミン（略称：２ＹＧＡＢＰｈＡ）、Ｎ，Ｎ，９－トリフェニルアントラセン－９－アミン（略称：ＤＰｈＡＰｈＡ）、クマリン５４５Ｔ、Ｎ，Ｎ’－ジフェニルキナクリドン（略称：ＤＰＱｄ）、ルブレン、５，１２－ビス（ビフェニル－４－イル）－６，１１－ジフェニルテトラセン（略称：ＢＰＴ）、２－（２－｛２－［４－（ジメチルアミノ）フェニル］エテニル｝－６－メチル－４Ｈ－ピラン－４－イリデン）プロパンジニトリル（略称：ＤＣＭ１）、２－｛２－メチル－６－［２－（２，３，６，７－テトラヒドロ－１Ｈ，５Ｈ－ベンゾ［ｉｊ］キノリジン－９－イル）エテニル］－４Ｈ－ピラン－４－イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＭ２）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラキス（４－メチルフェニル）テトラセン－５，１１－ジアミン（略称：ｐ－ｍＰｈＴＤ）、７，１４－ジフェニル－Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラキス（４－メチルフェニル）アセナフト［１，２－ａ］フルオランテン－３，１０－ジアミン（略称：ｐ－ｍＰｈＡＦＤ）、２－｛２－イソプロピル－６－［２－（１，１，７，７－テトラメチル－２，３，６，７－テトラヒドロ－１Ｈ，５Ｈ－ベンゾ［ｉｊ］キノリジン－９－イル）エテニル］－４Ｈ－ピラン－４－イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＪＴＩ）、２－｛２－ｔｅｒｔ－ブチル－６－［２－（１，１，７，７－テトラメチル－２，３，６，７－テトラヒドロ－１Ｈ，５Ｈ－ベンゾ［ｉｊ］キノリジン－９－イル）エテニル］－４Ｈ－ピラン－４－イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＪＴＢ）、２－（２，６－ビス｛２－［４－（ジメチルアミノ）フェニル］エテニル｝－４Ｈ－ピラン－４－イリデン）プロパンジニトリル（略称：ＢｉｓＤＣＭ）、２－｛２，６－ビス［２－（８－メトキシ－１，１，７，７－テトラメチル－２，３，６，７－テトラヒドロ－１Ｈ，５Ｈ－ベンゾ［ｉｊ］キノリジン－９－イル）エテニル］－４Ｈ－ピラン－４－イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＢｉｓＤＣＪＴＭ）、Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－Ｎ，Ｎ’－（１，６－ピレン－ジイル）ビス［（６－フェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２－ｄ］フラン）－８－アミン］（略称：１，６ＢｎｆＡＰｒｎ－０３）、Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－Ｎ，Ｎ’－ビス（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－２－イル）ナフト［２，３－ｂ；６，７－ｂ’］ビスベンゾフラン－３，１０－ジアミン（略称：３，１０ＰＣＡ２Ｎｂｆ（ＩＶ）－０２）、３，１０－ビス［Ｎ－（ジベンゾフラン－３－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］ナフト［２，３－ｂ；６，７－ｂ’］ビスベンゾフラン（略称：３，１０ＦｒＡ２Ｎｂｆ（ＩＶ）－０２）などが挙げられる。特に、１，６ＦＬＰＡＰｒｎおよび１，６ｍＭｅｍＦＬＰＡＰｒｎ、１，６ＢｎｆＡＰｒｎ－０３のようなピレンジアミン化合物に代表される縮合芳香族ジアミン化合物は、ホールトラップ性が高く、発光効率または信頼性に優れているため好ましい。
【0113】
発光層において、発光中心物質として用いることが可能な燐光発光物質としては、例えば以下のようなものが挙げられる。
【0114】
トリス｛２－［５－（２－メチルフェニル）－４－（２，６－ジメチルフェニル）－４Ｈ－１，２，４－トリアゾール－３－イル－κＮ２］フェニル－κＣ｝イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｔｚ－ｄｍｐ）３］）、トリス（５－メチル－３，４－ジフェニル－４Ｈ－１，２，４－トリアゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（Ｍｐｔｚ）３］）、のような４Ｈ－トリアゾール骨格を有する有機金属イリジウム錯体、トリス［３－メチル－１－（２－メチルフェニル）－５－フェニル－１Ｈ－１，２，４－トリアゾラト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（Ｍｐｔｚ１－ｍｐ）３］）、トリス（１－メチル－５－フェニル－３－プロピル－１Ｈ－１，２，４－トリアゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（Ｐｒｐｔｚ１－Ｍｅ）３］）のような１Ｈ－トリアゾール骨格を有する有機金属イリジウム錯体、ｆａｃ－トリス［１－（２，６－ジイソプロピルフェニル）－２－フェニル－１Ｈ－イミダゾール］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｉＰｒｐｉｍ）３］）、トリス［３－（２，６－ジメチルフェニル）－７－メチルイミダゾ［１，２－ｆ］フェナントリジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｍｐｉｍｐｔ－Ｍｅ）３］）、トリス（２－｛１－［２，６－ビス（１－メチルエチル）フェニル］－１Ｈ－イミダゾール－２－イル－κＮ３｝－４－シアノフェニル－κＣ）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：ＣＮＩｍＩｒ）のようなイミダゾール骨格を有する有機金属イリジウム錯体、トリス［（６－ｔｅｒｔ－ブチル－３－フェニル－２Ｈ－イミダゾ［４，５－ｂ］ピラジン－１－イル－κＣ２）フェニル－κＣ］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｃｂ）３］）のようなベンズイミダゾリデン骨格を有する有機金属錯体、ビス［２－（４’，６’－ジフルオロフェニル）ピリジナト－Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）テトラキス（１－ピラゾリル）ボラート（略称：ＦＩｒ６）、ビス［２－（４’，６’－ジフルオロフェニル）ピリジナト－Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：ＦＩｒｐｉｃ）、ビス｛２－［３’，５’－ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ピリジナト－Ｎ，Ｃ２’｝イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：［Ｉｒ（ＣＦ３ｐｐｙ）２（ｐｉｃ）］）、ビス［２－（４’，６’－ジフルオロフェニル）ピリジナト－Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：ＦＩｒａｃａｃ）のような電子吸引基を有するフェニルピリジン誘導体を配位子とする有機金属イリジウム錯体、（２－｛３－［３－（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）ベンゾイミダゾール－１－イル－２－イリデン－κＣ２］フェノキシ－κＣ２｝－９－（４－ｔｅｒｔ－ブチル－２－ピリジニル－κＮ）カルバゾール－２，１－ジイル－κＣ１）白金（ＩＩ）（略称：ＰｔＯＮ－ＴＢＢＩ）などの白金錯体などが挙げられる。これらは青色の燐光発光を示す化合物であり、４５０ｎｍから５２０ｎｍまでの波長域において発光のピークを有する化合物である。また、これらの化合物が有する水素を一部重水素とした化合物も用いることができる。
【0115】
また、トリス（４－メチル－６－フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｍ）３］）、トリス（４－ｔ－ブチル－６－フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）３］）、（アセチルアセトナト）ビス（６－メチル－４－フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｍ）２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス（６－ｔｅｒｔ－ブチル－４－フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス［６－（２－ノルボルニル）－４－フェニルピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｎｂｐｐｍ）２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス［５－メチル－６－（２－メチルフェニル）－４－フェニルピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｍｐｐｍ）２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス（４，６－ジフェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｐｐｍ）２（ａｃａｃ）］）のようなピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体、（アセチルアセトナト）ビス（３，５－ジメチル－２－フェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｒ－Ｍｅ）２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス（５－イソプロピル－３－メチル－２－フェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｒ－ｉＰｒ）２（ａｃａｃ）］）のようなピラジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体、トリス（２－フェニルピリジナト－Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｐｐｙ）３］）、ビス（２－フェニルピリジナト－Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ａｃａｃ）］）、ビス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｂｚｑ）２（ａｃａｃ）］）、トリス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｂｚｑ）３］）、トリス（２－フェニルキノリナト－Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｐｑ）３］）、ビス（２－フェニルキノリナト－Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｐｑ）２（ａｃａｃ）］）、［２－ｄ３－メチル－８－（２－ピリジニル－κＮ）ベンゾフロ［２，３－ｂ］ピリジン－κＣ］ビス［２－（５－ｄ３－メチル－２－ピリジニル－κＮ２）フェニル－κＣ］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（５ｍｐｐｙ－ｄ３）２（ｍｂｆｐｙｐｙ－ｄ３））、｛２－（メチル－ｄ３）－８－［４－（１－メチルエチル－１－ｄ）－２－ピリジニル－κＮ］ベンゾフロ［２，３－ｂ］ピリジン－７－イル－κＣ｝ビス｛５－（メチル－ｄ３）－２－［５－（メチル－ｄ３）－２－ピリジニル－κＮ］フェニル－κＣ｝イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（５ｍｔｐｙ－ｄ６）２（ｍｂｆｐｙｐｙ－ｉＰｒ－ｄ４））、［２－ｄ３－メチル－（２－ピリジニル－κＮ）ベンゾフロ［２，３－ｂ］ピリジン－κＣ］ビス［２－（２－ピリジニル－κＮ）フェニル－κＣ］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ｍｂｆｐｙｐｙ－ｄ３））、［２－（４－メチル－５－フェニル－２－ピリジニル－κＮ）フェニル－κＣ］ビス［２－（２－ピリジニル－κＮ）フェニル－κＣ］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ｍｄｐｐｙ））、［２－（４－ｄ３－メチル－５－フェニル－２－ピリジニル－κＮ２）フェニル－κＣ］ビス［２－（５－ｄ３－メチル－２－ピリジニル－κＮ２）フェニル－κＣ］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（５ｍｐｐｙ－ｄ３）２（ｍｄｐｐｙ－ｄ３）］）、［２－メチル－（２－ピリジニル－κＮ）ベンゾフロ［２，３－ｂ］ピリジン－κＣ］ビス［２－（２－ピリジニル－κＮ）フェニル－κＣ］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ｍｂｆｐｙｐｙ）］）、［２－（４－メチル－５－フェニル－２－ピリジニル－κＮ）フェニル－κＣ］ビス［２－（２－ピリジニル－κＮ）フェニル－κＣ］イリジウム（略称：［Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ｍｄｐｐｙ）］）、トリス｛２－［５－（メチル－ｄ３）－４－フェニル－２－ピリジニル－κＮ］フェニル－κＣ｝イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（５ｍ４ｄｐｐｙ－ｄ３）３）のようなピリジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体の他、トリス（アセチルアセトナト）（モノフェナントロリン）テルビウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｔｂ（ａｃａｃ）３（Ｐｈｅｎ）］）のような希土類金属錯体が挙げられる。これらは主に緑色の燐光発光を示す化合物であり、５００ｎｍから６００ｎｍまでの波長域において発光のピークを有する。なお、ピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体は、信頼性または発光効率にも際だって優れるため、特に好ましい。また、これらの化合物が有する水素を一部重水素とした化合物も用いることができる。
【0116】
また、（ジイソブチリルメタナト）ビス［４，６－ビス（３－メチルフェニル）ピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（５ｍｄｐｐｍ）２（ｄｉｂｍ）］）、ビス［４，６－ビス（３－メチルフェニル）ピリミジナト］（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（５ｍｄｐｐｍ）２（ｄｐｍ）］）、ビス［４，６－ジ（ナフタレン－１－イル）ピリミジナト］（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄ１ｎｐｍ）２（ｄｐｍ）］）のようなピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体、（アセチルアセトナト）ビス（２，３，５－トリフェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ａｃａｃ）］）、ビス（２，３，５－トリフェニルピラジナト）（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ｄｐｍ）］）、（アセチルアセトナト）ビス［２，３－ビス（４－フルオロフェニル）キノキサリナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）２（ａｃａｃ）］）のようなピラジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体、トリス（１－フェニルイソキノリナト－Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｐｉｑ）３］）、ビス（１－フェニルイソキノリナト－Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｐｉｑ）２（ａｃａｃ）］）、（３，７－ジエチル－４，６－ノナンジオナト－κＯ４，κＯ６）ビス［２，４－ジメチル－６－［７－（１－メチルエチル）－１－イソキノリニル－κＮ］フェニル－κＣ］イリジウム（ＩＩＩ）、（３，７－ジエチル－４，６－ノナンジオナト－κＯ４，κＯ６）ビス［２，４－ジメチル－６－［５－（１－メチルエチル）－２－キノリニル－κＮ］フェニル－κＣ］イリジウム（ＩＩＩ）のようなピリジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体の他、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８－オクタエチル－２１Ｈ，２３Ｈ－ポルフィリン白金（ＩＩ）（略称：ＰｔＯＥＰ）のような白金錯体、トリス（１，３－ジフェニル－１，３－プロパンジオナト）（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｅｕ（ＤＢＭ）３（Ｐｈｅｎ）］）、トリス［１－（２－テノイル）－３，３，３－トリフルオロアセトナト］（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｅｕ（ＴＴＡ）３（Ｐｈｅｎ）］）のような希土類金属錯体が挙げられる。これらは、赤色の燐光発光を示す化合物であり、６００ｎｍから７００ｎｍまでの波長域において発光のピークを有する。また、ピラジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体は、色度の良い赤色発光が得られる。また、これらの化合物が有する水素を一部重水素とした化合物も用いることができる。
【0117】
なお、本発明の一態様において、発光中心物質として、重水素化された化合物を用いることで、発光効率が向上する。そのため、発光中心物質は、重水素化された材料であることが好ましい。
【0118】
また、以上で述べた燐光性化合物の他、公知の燐光性化合物を選択し、用いてもよい。
【0119】
ＴＡＤＦ材料としてはフラーレン及びその誘導体、アクリジン及びその誘導体、エオシン誘導体等を用いることができる。またマグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、カドミウム（Ｃｄ）、スズ（Ｓｎ）、白金（Ｐｔ）、インジウム（Ｉｎ）、もしくはパラジウム（Ｐｄ）等を含む金属含有ポルフィリンが挙げられる。該金属含有ポルフィリンとしては、例えば、以下の構造式に示されるプロトポルフィリン－フッ化スズ錯体（ＳｎＦ２（Ｐｒｏｔｏ ＩＸ））、メソポルフィリン－フッ化スズ錯体（ＳｎＦ２（Ｍｅｓｏ ＩＸ））、ヘマトポルフィリン－フッ化スズ錯体（ＳｎＦ２（Ｈｅｍａｔｏ ＩＸ））、コプロポルフィリンテトラメチルエステル－フッ化スズ錯体（ＳｎＦ２（Ｃｏｐｒｏ ＩＩＩ－４Ｍｅ））、オクタエチルポルフィリン－フッ化スズ錯体（ＳｎＦ２（ＯＥＰ））、エチオポルフィリン－フッ化スズ錯体（ＳｎＦ２（Ｅｔｉｏ Ｉ））、オクタエチルポルフィリン－塩化白金錯体（ＰｔＣｌ２ＯＥＰ）等も挙げられる。
【0120】
【化4】
【0121】
また、以下の構造式に示される２－（ビフェニル－４－イル）－４，６－ビス（１２－フェニルインドロ［２，３－ａ］カルバゾール－１１－イル）－１，３，５－トリアジン（略称：ＰＩＣ－ＴＲＺ）、９－（４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン－２－イル）－９’－フェニル－９Ｈ，９’Ｈ－３，３’－ビカルバゾール（略称：ＰＣＣｚＴｚｎ）、２－｛４－［３－（Ｎ－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）－９Ｈ－カルバゾール－９－イル］フェニル｝－４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン（略称：ＰＣＣｚＰＴｚｎ）、２－［４－（１０Ｈ－フェノキサジン－１０－イル）フェニル］－４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン（略称：ＰＸＺ－ＴＲＺ）、３－［４－（５－フェニル－５，１０－ジヒドロフェナジン－１０－イル）フェニル］－４，５－ジフェニル－１，２，４－トリアゾール（略称：ＰＰＺ－３ＴＰＴ）、３－（９，９－ジメチル－９Ｈ－アクリジン－１０－イル）－９Ｈ－キサンテン－９－オン（略称：ＡＣＲＸＴＮ）、ビス［４－（９，９－ジメチル－９，１０－ジヒドロアクリジン）フェニル］スルホン（略称：ＤＭＡＣ－ＤＰＳ）、１０－フェニル－１０Ｈ，１０’Ｈ－スピロ［アクリジン－９，９’－アントラセン］－１０’－オン（略称：ＡＣＲＳＡ）、等のπ電子過剰型複素芳香環とπ電子不足型複素芳香環の一方または両方を有する複素環化合物も用いることができる。該複素環化合物は、π電子過剰型複素芳香環及びπ電子不足型複素芳香環を有するため、電子輸送性及び正孔輸送性が共に高く、好ましい。中でも、π電子不足型複素芳香環を有する骨格のうち、ピリジン骨格、ジアジン骨格（ピリミジン骨格、ピラジン骨格、ピリダジン骨格）、およびトリアジン骨格は、安定で信頼性が良好なため好ましい。特に、ベンゾフロピリミジン骨格、ベンゾチエノピリミジン骨格、ベンゾフロピラジン骨格、ベンゾチエノピラジン骨格はアクセプタ性が高く、信頼性が良好なため好ましい。また、π電子過剰型複素芳香環を有する骨格の中でも、アクリジン骨格、フェノキサジン骨格、フェノチアジン骨格、フラン骨格、チオフェン骨格、及びピロール骨格は、安定で信頼性が良好なため、当該骨格の少なくとも一を有することが好ましい。なお、フラン骨格としてはジベンゾフラン骨格が、チオフェン骨格としてはジベンゾチオフェン骨格が、それぞれ好ましい。また、ピロール骨格としては、インドール骨格、カルバゾール骨格、インドロカルバゾール骨格、ビカルバゾール骨格、３－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）－９Ｈ－カルバゾール骨格が特に好ましい。なお、π電子過剰型複素芳香環とπ電子不足型複素芳香環とが直接結合した物質は、π電子過剰型複素芳香環の電子供与性とπ電子不足型複素芳香環の電子受容性が共に強くなり、Ｓ１準位とＴ１準位のエネルギー差が小さくなるため、熱活性化遅延蛍光を効率よく得られることから特に好ましい。なお、π電子不足型複素芳香環の代わりに、シアノ基のような電子吸引基が結合した芳香環を用いても良い。また、π電子過剰型骨格として、芳香族アミン骨格、フェナジン骨格等を用いることができる。また、π電子不足型骨格として、キサンテン骨格、チオキサンテンジオキサイド骨格、オキサジアゾール骨格、トリアゾール骨格、イミダゾール骨格、アントラキノン骨格、フェニルボラン、ボラントレン等の含ホウ素骨格、ベンゾニトリルまたはシアノベンゼン等のニトリル基またはシアノ基を有する芳香環、複素芳香環、ベンゾフェノン等のカルボニル骨格、ホスフィンオキシド骨格、スルホン骨格等を用いることができる。このように、π電子不足型複素芳香環およびπ電子過剰型複素芳香環の少なくとも一方の代わりにπ電子不足型骨格およびπ電子過剰型骨格を用いることができる。
【0122】
【化5】
【0123】
また、ＴＡＤＦ材料として、一重項励起状態と三重項励起状態間が熱平衡状態にあるＴＡＤＦ材料を用いてもよい。このようなＴＡＤＦ材料は発光寿命（励起寿命）が短くなるため、発光デバイスにおける高輝度領域での効率低下を抑制することができる。具体的には、下記に示す分子構造のような材料が挙げられる。
【0124】
【化6】
【0125】
なお、ＴＡＤＦ材料とは、Ｓ１準位とＴ１準位との差が小さく、逆項間交差によって三重項励起エネルギーから一重項励起エネルギーへエネルギーを変換することができる機能を有する材料である。そのため、三重項励起エネルギーをわずかな熱エネルギーによって一重項励起エネルギーにアップコンバート（逆項間交差）が可能で、一重項励起状態を効率よく生成することができる。また、三重項励起エネルギーを発光に変換することができる。
【0126】
また、２種類の物質で励起状態を形成する励起錯体（エキサイプレックス、エキシプレックスまたはＥｘｃｉｐｌｅｘともいう）は、Ｓ１準位とＴ１準位との差が極めて小さく、三重項励起エネルギーを一重項励起エネルギーに変換することが可能なＴＡＤＦ材料としての機能を有する。
【0127】
なお、Ｔ１準位の指標としては、低温（例えば７７Ｋから１０Ｋ）で観測される燐光スペクトルを用いればよい。ＴＡＤＦ材料としては、その蛍光スペクトルの短波長側の裾において接線を引き、その外挿線の波長のエネルギーをＳ１準位とし、燐光スペクトルの短波長側の裾において接線を引き、その外挿線の波長のエネルギーをＴ１準位とした際に、そのＳ１とＴ１の差が０．３ｅＶ以下であることが好ましく、０．２ｅＶ以下であることがさらに好ましい。
【0128】
また、ＴＡＤＦ材料を発光物質として用いる場合、ホスト材料のＳ１準位はＴＡＤＦ材料のＳ１準位より高い方が好ましい。また、ホスト材料のＴ１準位はＴＡＤＦ材料のＴ１準位より高いことが好ましい。
【0129】
発光層のホスト材料としては、電子輸送性を有する材料および／または正孔輸送性を有する材料、上記ＴＡＤＦ材料など様々なキャリア輸送材料を用いることができる。
【0130】
正孔輸送性を有する材料としては、アミン骨格、π電子過剰型複素芳香環骨格などを有する有機化合物が好ましい。π電子過剰型複素芳香環としては、アクリジン骨格、フェノキサジン骨格、フェノチアジン骨格、フラン骨格、チオフェン骨格、及びピロール骨格の少なくともいずれか１を環に含む縮合芳香環が好ましく、具体的にはカルバゾール環、ジベンゾチオフェン環あるいはそれらにさらに芳香環または複素芳香環が縮合した環が好ましい。
【0131】
このような正孔輸送性を有する物質としては、カルバゾール骨格、ジベンゾフラン骨格、ジベンゾチオフェン骨格およびアントラセン骨格のいずれかを有していることがより好ましい。特に、ジベンゾフラン環またはジベンゾチオフェン環を含む置換基を有する芳香族アミン、ナフタレン環を有する芳香族モノアミン、または９－フルオレニル基がアリーレン基を介してアミンの窒素に結合する芳香族モノアミンであっても良い。なお、これら正孔輸送性を有する物質が、Ｎ，Ｎ－ビス（４－ビフェニル）アミノ基を有する有機化合物であると、寿命の良好な発光デバイスを作製することができるため好ましい。
【0132】
このような有機化合物としては、例えば、以下に挙げる有機化合物が好ましい。４，４’－ビス［Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）、Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－Ｎ，Ｎ’－ビス（３－メチルフェニル）－４，４’－ジアミノビフェニル（略称：ＴＰＤ）、Ｎ，Ｎ’－ビス（９，９’－スピロビ［９Ｈ－フルオレン］－２－イル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－４，４’－ジアミノビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）、４－フェニル－４’－（９－フェニルフルオレン－９－イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬＰ）、４－フェニル－３’－（９－フェニルフルオレン－９－イル）トリフェニルアミン（略称：ｍＢＰＡＦＬＰ）、４－フェニル－４’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡ１ＢＰ）、４，４’－ジフェニル－４’’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＢｉ１ＢＰ）、４－（１－ナフチル）－４’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＮＢ）、４，４’－ジ（１－ナフチル）－４’’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＮＢＢ）、９，９－ジメチル－Ｎ－フェニル－Ｎ－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］フルオレン－２－アミン（略称：ＰＣＢＡＦ）、Ｎ－フェニル－Ｎ－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］－９，９’－スピロビ［９Ｈ－フルオレン］－２－アミン（略称：ＰＣＢＡＳＦ）などの芳香族アミン骨格を有する化合物、１，３－ビス（Ｎ－カルバゾリル）ベンゼン（略称：ｍＣＰ）、４，４’－ジ（Ｎ－カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、３，６－ビス（３，５－ジフェニルフェニル）－９－フェニルカルバゾール（略称：ＣｚＴＰ）、３，３’－ビス（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール）（略称：ＰＣＣＰ）、３，９－ビス（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＰＣＣｚＰＣ）、９－（ビフェニル－４－イル）－９’－フェニル－３，３’－ビ－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＰＣＣｚＢＰ）、９，９’－ビス（ビフェニル－４－イル）－３，３’－ビ－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＢｉｓＢＰＣｚ）、９，９’－ビス（ビフェニル－３－イル）－３，３’－ビ－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＢｉｓｍＢＰＣｚ）、９－（ビフェニル－３－イル）－９’－（ビフェニル－４－イル）－９Ｈ，９’Ｈ－３，３’－ビカルバゾール（略称：ｍＢＰＣＣＢＰ）、９－（２－ナフチル）－９’－フェニル－９Ｈ，９’Ｈ－３，３’－ビカルバゾール（略称：βＮＣＣＰ）、９－（３－ビフェニル）－９’－（２－ナフチル）－３，３’－ビ－９Ｈ－カルバゾール（略称：βＮＣＣｍＢＰ）、９－（４－ビフェニル）－９’－（２－ナフチル）－３，３’－ビ－９Ｈ－カルバゾール（略称：βＮＣＣＢＰ）、９，９’－ジ－２－ナフチル－３，３’－９Ｈ，９’Ｈ－ビカルバゾール（略称：ＢｉｓβＮＣｚ）、９－（２－ナフチル）－９’－［１，１’：４’，１”－ターフェニル］－３－イル－３，３’－９Ｈ，９’Ｈ－ビカルバゾール、９－（２－ナフチル）－９’－［１，１’：３’，１”－ターフェニル］－３－イル－３，３’－９Ｈ，９’Ｈ－ビカルバゾール、９－（２－ナフチル）－９’－［１，１’：３’，１”－ターフェニル］－５’－イル－３，３’－９Ｈ，９’Ｈ－ビカルバゾール、９－（２－ナフチル）－９’－［１，１’：４’，１”－ターフェニル］－４－イル－３，３’－９Ｈ，９’Ｈ－ビカルバゾール、９－（２－ナフチル）－９’－［１，１’：３’，１”－ターフェニル］－４－イル－３，３’－９Ｈ，９’Ｈ－ビカルバゾール、９－（２－ナフチル）－９’－（トリフェニレン－２－イル）－３，３’－９Ｈ，９’Ｈ－ビカルバゾール、９－フェニル－９’－（トリフェニレン－２－イル）－３，３’－９Ｈ，９’Ｈ－ビカルバゾール（略称：ＰＣＣｚＴｐ）、９，９’－ビス（トリフェニレン－２－イル）－３，３’－９Ｈ，９’Ｈ－ビカルバゾール、９－（４－ビフェニル）－９’－（トリフェニレン－２－イル）－３，３’－９Ｈ，９’Ｈ－ビカルバゾール、９－（トリフェニレン－２－イル）－９’－［１，１’：３’，１”－ターフェニル］－４－イル－３，３’－９Ｈ，９’Ｈ－ビカルバゾール、Ｎ，Ｎ－ビス（９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）－９，９’－スピロビ－９Ｈ－フルオレン－１－アミン、９－［３－（トリフェニルシリル）フェニル］－３，９’－ビ－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＰＳｉＣｚＣｚ）、９’－フェニル－９’Ｈ－９，３’：６’，９’’－ターカルバゾール（略称：ＰＳｉＣｚＧＩ）などのカルバゾール骨格を有する化合物、４，４’，４’’－（ベンゼン－１，３，５－トリイル）トリ（ジベンゾチオフェン）（略称：ＤＢＴ３Ｐ－ＩＩ）、２，８－ジフェニル－４－［４－（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イル）フェニル］ジベンゾチオフェン（略称：ＤＢＴＦＬＰ－ＩＩＩ）、４－［４－（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イル）フェニル］－６－フェニルジベンゾチオフェン（略称：ＤＢＴＦＬＰ－ＩＶ）などのチオフェン骨格を有する化合物、４，４’，４’’－（ベンゼン－１，３，５－トリイル）トリ（ジベンゾフラン）（略称：ＤＢＦ３Ｐ－ＩＩ）、４－｛３－［３－（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イル）フェニル］フェニル｝ジベンゾフラン（略称：ｍｍＤＢＦＦＬＢｉ－ＩＩ）などのフラン骨格を有する化合物が挙げられる。上述した中でも、芳香族アミン骨格を有する化合物またはカルバゾール骨格を有する化合物は、信頼性が良好であり、また、正孔輸送性が高く、駆動電圧低減にも寄与するため好ましい。また、正孔輸送層における、正孔輸送性を有する材料の例として挙げた有機化合物も用いることができる。
【0133】
電子輸送性を有する材料としては、π電子不足型複素芳香環を有する有機化合物が好ましい。π電子不足型複素芳香環骨格を有する有機化合物としては、例えばアゾール骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物、ピリジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物、ジアジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物およびトリアジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物を挙げることができる。
【0134】
中でも、ジアジン骨格（ピリミジン骨格、ピラジン骨格、ピリダジン骨格）を有する複素芳香環を含む有機化合物またはピリジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物、トリアジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物は、信頼性が良好であり好ましい。特に、ジアジン（ピリミジンまたはピラジン）骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物、トリアジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物は、電子輸送性が高く、駆動電圧低減にも寄与する。また、ベンゾフロピリミジン骨格、ベンゾチエノピリミジン骨格、ベンゾフロピラジン骨格、ベンゾチエノピラジン骨格はアクセプタ性が高く、信頼性が良好なため好ましい。
【0135】
π電子不足型複素芳香環骨格を有する有機化合物としては、例えば、以下に挙げる有機化合物が好ましい。２－（４－ビフェニリル）－５－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－１，３，４－オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、３－（４－ビフェニリル）－４－フェニル－５－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－１，２，４－トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、１，３－ビス［５－（ｐ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－１，３，４－オキサジアゾール－２－イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ－７）、９－［４－（５－フェニル－１，３，４－オキサジアゾール－２－イル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＣＯ１１）、２，２’，２’’－（１，３，５－ベンゼントリイル）トリス（１－フェニル－１Ｈ－ベンゾイミダゾール）（略称：ＴＰＢＩ）、２－［３－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］－１－フェニル－１Ｈ－ベンゾイミダゾール（略称：ｍＤＢＴＢＩｍ－ＩＩ）、４，４’－ビス（５－メチルベンゾオキサゾール－２－イル）スチルベン（略称：ＢｚＯｓ）などのアゾール骨格を有する有機化合物、３，５－ビス［３－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］ピリジン（略称：３５ＤＣｚＰＰｙ）、１，３，５－トリ［３－（３－ピリジル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴｍＰｙＰＢ）、バソフェナントロリン（略称：Ｂｐｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）、２，９－ジ（ナフタレン－２－イル）－４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン（略称：ＮＢｐｈｅｎ）、２，２’－（１，３－フェニレン）ビス（９－フェニル－１，１０－フェナントロリン）（略称：ｍＰＰｈｅｎ２Ｐ）、２－［３－（２－トリフェニレニル）フェニル］－１，１０－フェナントロリン（略称：ｍＴｐＰＰｈｅｎ）、２－フェニル－９－（２－トリフェニレニル）－１，１０－フェナントロリン（略称：Ｐｈ－ＴｐＰｈｅｎ）、２－［４－（９－フェナントレニル）－１－ナフタレニル］－１，１０－フェナントロリン（略称：ＰｎＮＰｈｅｎ）、２－［４－（２－トリフェニレニル）フェニル］－１，１０－フェナントロリン（略称：ｐＴｐＰＰｈｅｎ）などのピリジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物、２－［３－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＰＤＢｑ－ＩＩ）、２－［３’－（ジベンゾチオフェン－４－イル）ビフェニル－３－イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ－ＩＩ）、２－［３’－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）ビフェニル－３－イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＣｚＢＰＤＢｑ）、２－［４’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）－３，１’－ビフェニル－１－イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍｐＰＣＢＰＤＢｑ）、２－［４－（３，６－ジフェニル－９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ＣｚＰＤＢｑ－ＩＩＩ）、７－［３－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：７ｍＤＢＴＰＤＢｑ－ＩＩ）、及び６－［３－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：６ｍＤＢＴＰＤＢｑ－ＩＩ）、９－［３’－（ジベンゾチオフェン－４－イル）ビフェニル－３－イル］ナフト［１’，２’：４，５］フロ［２，３－ｂ］ピラジン（略称：９ｍＤＢｔＢＰＮｆｐｒ）、９－［３’－（ジベンゾチオフェン－４－イル）ビフェニル－４－イル］ナフト［１’，２’：４，５］フロ［２，３－ｂ］ピラジン（略称：９ｐｍＤＢｔＢＰＮｆｐｒ）、４，６－ビス［３－（フェナントレン－９－イル）フェニル］ピリミジン（略称：４，６ｍＰｎＰ２Ｐｍ）、４，６－ビス［３－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］ピリミジン（略称：４，６ｍＤＢＴＰ２Ｐｍ－ＩＩ）、４，６－ビス［３－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］ピリミジン（略称：４，６ｍＣｚＰ２Ｐｍ）、９，９’－［ピリミジン－４，６－ジイルビス（ビフェニル－３，３’－ジイル）］ビス（９Ｈ－カルバゾール）（略称：４，６ｍＣｚＢＰ２Ｐｍ）、８－（ビフェニル－４－イル）－４－［３－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］－［１］ベンゾフロ［３，２－ｄ］ピリミジン（略称：８ＢＰ－４ｍＤＢｔＰＢｆｐｍ）、３，８－ビス［３－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］ベンゾフロ［２，３－ｂ］ピラジン（略称：３，８ｍＤＢｔＰ２Ｂｆｐｒ）、４，８－ビス［３－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］－［１］ベンゾフロ［３，２－ｄ］ピリミジン（略称：４，８ｍＤＢｔＰ２Ｂｆｐｍ）、８－［３’－（ジベンゾチオフェン－４－イル）（ビフェニル－３－イル）］ナフト［１’，２’：４，５］フロ［３，２－ｄ］ピリミジン（略称：８ｍＤＢｔＢＰＮｆｐｍ）、８－［（２，２’－ビナフタレン）－６－イル］－４－［３－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］－［１］ベンゾフロ［３，２－ｄ］ピリミジン（略称：８（βＮ２）－４ｍＤＢｔＰＢｆｐｍ）、２，２’－（ピリジン－２，６－ジイル）ビス（４－フェニルベンゾ［ｈ］キナゾリン）（略称：２，６（Ｐ－Ｂｑｎ）２Ｐｙ）、２，２’－（ピリジン－２，６－ジイル）ビス｛４－［４－（２－ナフチル）フェニル］－６－フェニルピリミジン｝（略称：２，６（ＮＰ－ＰＰｍ）２Ｐｙ）、６－（ビフェニル－３－イル）－４－［３，５－ビス（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］－２－フェニルピリミジン（略称：６ｍＢＰ－４Ｃｚ２ＰＰｍ）、２，６－ビス（４－ナフタレン－１－イルフェニル）－４－［４－（３－ピリジル）フェニル］ピリミジン（略称：２，４ＮＰ－６ＰｙＰＰｍ）、４－［３，５－ビス（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］－２－フェニル－６－（ビフェニル－４－イル）ピリミジン（略称：６ＢＰ－４Ｃｚ２ＰＰｍ）、７－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－２－イル）キナゾリン－２－イル］－７Ｈ－ジベンゾ［ｃ，ｇ］カルバゾール（略称：ＰＣ－ｃｇＤＢＣｚＱｚ）、８－（１，１’：４’，１’’－テルフェニル－３－イル）－４－［３－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］－［１］ベンゾフロ［３，２－ｄ］ピリミジン（略称：８ｍｐＴＰ－４ｍＤＢｔＰＢｆｐｍ）などのジアジン骨格を有する有機化合物、２－（ビフェニル－４－イル）－４－フェニル－６－（９，９’－スピロビ［９Ｈ－フルオレン］－２－イル）－１，３，５－トリアジン（略称：ＢＰ－ＳＦＴｚｎ）、２－｛３－［３－（ベンゾ［ｂ］ナフト［１，２－ｄ］フラン－８－イル）フェニル］フェニル｝－４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン（略称：ｍＢｎｆＢＰＴｚｎ）、２－｛３－［３－（ベンゾ［ｂ］ナフト［１，２－ｄ］フラン－６－イル）フェニル］フェニル｝－４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン（略称：ｍＢｎｆＢＰＴｚｎ－０２）、２－｛４－［３－（Ｎ－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）－９Ｈ－カルバゾール－９－イル］フェニル｝－４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン（略称：ＰＣＣｚＰＴｚｎ）、９－［３－（４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン－２－イル）フェニル］－９’－フェニル－２，３’－ビ－９Ｈ－カルバゾール（略称：ｍＰＣＣｚＰＴｚｎ－０２）、２－［３’－（９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）ビフェニル－３－イル］－４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン（略称：ｍＦＢＰＴｚｎ）、５－［３－（４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン－２－イル）フェニル］－７，７－ジメチル－５Ｈ，７Ｈ－インデノ［２，１－ｂ］カルバゾール（略称：ｍＩＮｃ（ＩＩ）ＰＴｚｎ）、２－｛３－［３－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］フェニル｝－４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン（略称：ｍＤＢｔＢＰＴｚｎ）、２，４，６－トリス［３’－（ピリジン－３－イル）ビフェニル－３－イル］－１，３，５－トリアジン（略称：ＴｍＰＰＰｙＴｚ）、２－［３－（２，６－ジメチル－３－ピリジニル）－５－（９－フェナントレニル）フェニル］－４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン（略称：ｍＰｎ－ｍＤＭｅＰｙＰＴｚｎ）、１１－［４－（ビフェニル－４－イル）－６－フェニル－１，３，５－トリアジン－２－イル］－１１，１２－ジヒドロ－１２－フェニルインドロ［２，３－ａ］カルバゾール（略称：ＢＰ－Ｉｃｚ（ＩＩ）Ｔｚｎ）、２－［３’－（トリフェニレン－２－イル）ビフェニル－３－イル］－４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン（略称：ｍＴｐＢＰＴｚｎ）、３－［９－（４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン－２－イル）－２－ジベンゾフラニル］－９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＰＣＤＢｆＴｚｎ）、２－（ビフェニル－３－イル）－４－フェニル－６－｛８－［（１，１’：４’，１’’－ターフェニル）－４－イル］－１－ジベンゾフラニル｝－１，３，５－トリアジン（略称：ｍＢＰ－ＴＰＤＢｆＴｚｎ）、２－［４－（２－ナフタレニル）フェニル］－４－フェニル－６－スピロ［９Ｈ－フルオレン－９，９’－［９Ｈ］キサンテン］－４－イル－１，３，５－トリアジン（略称：βＮＰ－ＳＦｘ（４）Ｔｚｎ）、９，９’－｛６－［３－（トリフェニルシリル）フェニル］－１，３，５－トリアジン－２，４－ジイル｝ビス（９Ｈ－カルバゾール）（略称：ＳｉＴｒｚＣｚ２）、２－フェニル－４，６－ビス［３－（トリフェニルシリル）フェニル］－１，３，５－トリアジン（略称：ｍＳｉＴｒｚ）、１１－［４－（ビフェニル－４－イル）－６－フェニル－１，３，５－トリアジン－２－イル］－１１，１２－ジヒドロ－１２－（ビフェニル－３－イル）インドロ［２，３－ａ］カルバゾール（略称：ＢＰ－ｍＢＰＩｃｚ（ＩＩ）Ｔｚｎ）、３－｛３－［９－（４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン－２－イル）－２－ジベンゾフラニル］フェニル｝－９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール（略称：ｍＰＣＰＤＢｆＴｚｎ）、９，９’－［６－（ビフェニル４－イル）－２－フェニル－１，３，５－トリアジン－４，３’’－ジイル］ビス（９Ｈ－カルバゾール）（略称：Ｃｚ－ｐｍＣｚＢＰＴｚｎ）、３－フェニル－９－［４－フェニル－６－（９－フェニル－３－ジベンゾフラニル）－１，３，５－トリアジン－２－イル］－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＰＤＢｆ－ＰＣｚＴｚｎ）、９－［４－（４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン－２－イル）－２－ジベンゾチエニル］－２－フェニル－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＰＣｚＤＢｔＴｚｎ）などのトリアジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物が挙げられる。また、ジアジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物またはピリジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物、トリアジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物は、信頼性が良好であり好ましい。特に、ジアジン（ピリミジンまたはピラジン）骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物、トリアジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物は、電子輸送性が高く、駆動電圧低減にも寄与する。
【0136】
ホスト材料として用いることが可能なＴＡＤＦ材料としては、先に発光中心物質として用いることが可能なＴＡＤＦ材料として挙げたものを同様に用いることができる。ＴＡＤＦ材料をホスト材料として用いると、ＴＡＤＦ材料で生成した三重項励起エネルギーが、逆項間交差によって一重項励起エネルギーに変換され、さらに発光物質へエネルギー移動することで、発光デバイスの発光効率を高めることができる。このとき、ＴＡＤＦ材料がエネルギードナーとして機能し、発光物質がエネルギーアクセプターとして機能する。
【0137】
これは、上記発光物質が蛍光発光物質である場合に、非常に有効である。また、このとき、高い発光効率を得るためには、ＴＡＤＦ材料のＳ１準位は、蛍光発光物質のＳ１準位より高いことが好ましい。また、ＴＡＤＦ材料のＴ１準位は、蛍光発光物質のＳ１準位より高いことが好ましい。したがって、ＴＡＤＦ材料のＴ１準位は、蛍光発光物質のＴ１準位より高いことが好ましい。
【0138】
また、蛍光発光物質の最も低エネルギー側の吸収帯の波長と重なるような発光を呈するＴＡＤＦ材料を用いることが好ましい。そうすることで、ＴＡＤＦ材料から蛍光発光物質への励起エネルギーの移動がスムーズとなり、効率よく発光が得られるため、好ましい。
【0139】
また、効率良く三重項励起エネルギーから逆項間交差によって一重項励起エネルギーが生成されるためには、ＴＡＤＦ材料でキャリア再結合が生じることが好ましい。また、ＴＡＤＦ材料で生成した三重項励起エネルギーが蛍光発光物質の三重項励起エネルギーに移動しないことが好ましい。そのためには、蛍光発光物質は、蛍光発光物質が有する発光団（発光の原因となる骨格）の周囲に保護基を有すると好ましい。該保護基としては、π結合を有さない置換基が好ましく、飽和炭化水素が好ましく、具体的には炭素数３以上１０以下のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３以上１０以下のシクロアルキル基、炭素数３以上１０以下のトリアルキルシリル基が挙げられ、保護基が複数あるとさらに好ましい。π結合を有さない置換基は、キャリアを輸送する機能に乏しいため、キャリア輸送またはキャリア再結合に影響をほとんど与えずに、ＴＡＤＦ材料と蛍光発光物質の発光団との距離を遠ざけることができる。ここで、発光団とは、蛍光発光物質において発光の原因となる原子団（骨格）を指す。発光団は、π結合を有する骨格が好ましく、芳香環を含むことが好ましく、縮合芳香環または縮合複素芳香環を有すると好ましい。このような発光団としては、例えば、フェナントレン骨格、スチルベン骨格、アクリドン骨格、フェノキサジン骨格、フェノチアジン骨格、ナフタレン骨格、アントラセン骨格、フルオレン骨格、クリセン骨格、トリフェニレン骨格、テトラセン骨格、ピレン骨格、ペリレン骨格、クマリン骨格、キナクリドン骨格、ナフトビスベンゾフラン骨格等が挙げられる。特にナフタレン骨格、アントラセン骨格、フルオレン骨格、クリセン骨格、トリフェニレン骨格、テトラセン骨格、ピレン骨格、ペリレン骨格、クマリン骨格、キナクリドン骨格、ナフトビスベンゾフラン骨格を有する蛍光発光物質は蛍光量子収率が高いため好ましい。
【0140】
蛍光発光物質を発光中心物質として用いる場合、ホスト材料としては、アントラセン骨格を有する材料が好適である。アントラセン骨格を有する物質を蛍光発光物質のホスト材料として用いると、発光効率、耐久性共に良好な発光層を実現することが可能である。ホスト材料として用いるアントラセン骨格を有する物質としては、ジフェニルアントラセン骨格、特に９，１０－ジフェニルアントラセン骨格を有する物質が化学的に安定であるため好ましい。また、ホスト材料がカルバゾール骨格を有する場合、正孔の注入・輸送性が高まるため好ましいが、カルバゾールにベンゼン環がさらに縮合したベンゾカルバゾール骨格を含む場合、カルバゾール骨格よりもＨＯＭＯが０．１ｅＶ程度高くなり、正孔が入りやすくなるためより好ましい。特に、ホスト材料がジベンゾカルバゾール骨格を含む場合、カルバゾール骨格よりもＨＯＭＯが０．１ｅＶ程度高くなり、正孔が入りやすくなる上に、正孔輸送性にも優れ、耐熱性も高くなるため好適である。したがって、さらにホスト材料として好ましいのは、９，１０－ジフェニルアントラセン骨格およびカルバゾール骨格（あるいはベンゾカルバゾール骨格またはジベンゾカルバゾール骨格）を同時に有する物質である。なお、上記の正孔注入・輸送性の観点から、カルバゾール骨格に換えて、ベンゾフルオレン骨格またはジベンゾフルオレン骨格を用いてもよい。このような物質の例としては、９－フェニル－３－［４－（１０－フェニル－９－アントリル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＰＣｚＰＡ）、３－［４－（１－ナフチル）フェニル］－９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＰＣＰＮ）、９－［４－（１０－フェニル－９－アントラセニル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、７－［４－（１０－フェニル－９－アントリル）フェニル］－７Ｈ－ジベンゾ［ｃ，ｇ］カルバゾール（略称：ｃｇＤＢＣｚＰＡ）、６－［３－（９，１０－ジフェニル－２－アントリル）フェニル］ベンゾ［ｂ］ナフト［１，２－ｄ］フラン（略称：２ｍＢｎｆＰＰＡ）、９－フェニル－１０－［４－（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イル）ビフェニル－４’－イル］アントラセン（略称：ＦＬＰＰＡ）、９－（１－ナフチル）－１０－［４－（２－ナフチル）フェニル］アントラセン（略称：αＮ－βＮＰＡｎｔｈ）、９－（１－ナフチル）－１０－（２－ナフチル）アントラセン（略称：α，βＡＤＮ）、２－（１０－フェニルアントラセン－９－イル）ジベンゾフラン、２－（１０－フェニル－９－アントラセニル）ベンゾ［ｂ］ナフト［２，３－ｄ］フラン（略称：Ｂｎｆ（ＩＩ）ＰｈＡ）、９－（２－ナフチル）－１０－［３－（２－ナフチル）フェニル］アントラセン（略称：βＮ－ｍβＮＰＡｎｔｈ）、１－｛４－［１０－（ビフェニル－４－イル）－９－アントラセニル］フェニル｝－２－エチル－１Ｈ－ベンゾイミダゾール（略称：ＥｔＢＩｍＰＢＰｈＡ）、等が挙げられる。特に、ＣｚＰＡ、ｃｇＤＢＣｚＰＡ、２ｍＢｎｆＰＰＡ、ＰＣｚＰＡは非常に良好な特性を示すため、好ましい選択である。
【0141】
なお、ホスト材料は複数種の物質を混合した材料であっても良く、混合したホスト材料を用いる場合は、電子輸送性を有する材料と、正孔輸送性を有する材料とを混合することが好ましい。電子輸送性を有する材料と、正孔輸送性を有する材料を混合することによって、発光層１１３の輸送性を容易に調整することができ、再結合領域の制御も簡便に行うことができる。正孔輸送性を有する材料と電子輸送性を有する材料の含有量の重量比は、正孔輸送性を有する材料：電子輸送性を有する材料＝１：１９～１９：１とすればよい。
【0142】
なお、上記混合された材料の一部として、燐光発光物質を用いることができる。燐光発光物質は、発光物質として蛍光発光物質を用いる際に蛍光発光物質へ励起エネルギーを供与するエネルギードナーとして用いることができる。
【0143】
また、これら混合された材料同士で励起錯体を形成しても良い。当該励起錯体は発光物質の最も低エネルギー側の吸収帯の波長と重なるような発光を呈する励起錯体を形成するような組み合わせを選択することで、エネルギー移動がスムーズとなり、効率よく発光が得られるため好ましい。また、当該構成を用いることで駆動電圧も低下するため好ましい。
【0144】
なお、励起錯体を形成する材料の少なくとも一方は、燐光発光物質であってもよい。そうすることで、三重項励起エネルギーを逆項間交差によって効率よく一重項励起エネルギーへ変換することができる。
【0145】
効率よく励起錯体を形成する材料の組み合わせとしては、正孔輸送性を有する材料のＨＯＭＯ準位が電子輸送性を有する材料のＨＯＭＯ準位以上であると好ましい。また、正孔輸送性を有する材料のＬＵＭＯ準位が電子輸送性を有する材料のＬＵＭＯ準位以上であると好ましい。なお、材料のＬＵＭＯ準位およびＨＯＭＯ準位は、サイクリックボルタンメトリ（ＣＶ）測定によって測定される材料の電気化学特性（還元電位および酸化電位）から導出することができる。
【0146】
なお、励起錯体の形成は、例えば正孔輸送性を有する材料の発光スペクトル、電子輸送性を有する材料の発光スペクトル、およびこれら材料を混合した混合膜の発光スペクトルを比較し、混合膜の発光スペクトルが、各材料の発光スペクトルよりも長波長シフトする（あるいは長波長側に新たなピークを持つ）現象を観測することにより確認することができる。あるいは、正孔輸送性を有する材料の過渡フォトルミネッセンス（ＰＬ）、電子輸送性を有する材料の過渡ＰＬ、及びこれら材料を混合した混合膜の過渡ＰＬを比較し、混合膜の過渡ＰＬ寿命が、各材料の過渡ＰＬ寿命よりも長寿命成分を有する、あるいは遅延成分の割合が大きくなるなどの過渡応答の違いを観測することにより、確認することができる。また、上述の過渡ＰＬは過渡エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）と読み替えても構わない。すなわち、正孔輸送性を有する材料の過渡ＥＬ、電子輸送性を有する材料の過渡ＥＬ及びこれらの混合膜の過渡ＥＬを比較し、過渡応答の違いを観測することによっても、励起錯体の形成を確認することができる。
【0147】
第１の電子輸送層１１４＿１は、電子輸送性を有する物質を含む層である。電子輸送性を有する材料としては、電界強度［Ｖ／ｃｍ］の平方根が６００における電子移動度が、１×１０－７ｃｍ２／Ｖｓ以上好ましくは１×１０－６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質が好ましい。なお、正孔よりも電子の輸送性が高い物質であれば、これら以外のものを用いることができる。なお、上記有機化合物としてはπ電子不足型複素芳香環を有する有機化合物が好ましい。π電子不足型複素芳香環を有する有機化合物としては、例えばアゾール骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物、ピリジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物、ジアジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物およびトリアジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物のいずれかまたは複数であることが好ましく、特にトリアジンであることが好ましい。
【0148】
上記第１の電子輸送層１１４＿１に用いることが可能な電子輸送性を有する有機化合物としては、上記第１の発光層１１３＿１および第２の発光層１１３＿２におけるホスト材料の電子輸送性を有する有機化合物として用いることが可能な有機化合物を同様に用いることができる。中でも、ジアジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物またはピリジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物、トリアジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物は、信頼性が良好であり好ましい。特に、ジアジン（ピリミジンまたはピラジン）骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物、トリアジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物は、電子輸送性が高く、駆動電圧低減にも寄与する。
【0149】
第２の電子輸送層１１４＿２は、前述したように、トリアジン骨格を含む第１の有機化合物を有する層である。詳細については、すでに説明したため割愛する。
【0150】
なお、第１の電子輸送層１１４＿１は、トリアジン骨格を含む有機化合物を有していることが消費電力低減のため好ましい。特に、第２の電子輸送層１１４＿２に含まれるトリアジン骨格を含む第１の有機化合物と同じトリアジン骨格を含む有機化合物を有することが、製造装置の複雑化を抑制し、原料調達コスト的にも有利となるため好ましい。
【0151】
また、第１の電子輸送層１１４＿１は、トリアジン骨格を含まない有機化合物を有していることで、キャリアの輸送性の制御が容易となり、より特性の良好な発光デバイスを提供することが可能となる。トリアジン骨格を含まない有機化合物としては、ピリジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物、ジアジン（ピリミジンまたはピラジン）骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物が好ましい。
【0152】
中間層１１６は、フェナントロリン骨格を含む第２の有機化合物を含む層である。中間層１１６は、図１（Ａ）のように、フェナントロリン骨格を含む第２の有機化合物を含む第１の層１１９を有することが好ましい。また、中間層１１６は、正孔輸送性を有する第５の有機化合物と、アクセプタ性を有する物質を含む第２の層１１７を有することが好ましい。なお、第２の層１１７は、第１の層１１９よりも第２の電極１０２側に位置する。また、中間層１１６は、第１の層１１９と第２の層１１７との間に第３の層１１８を有していてもよい。
【0153】
第１の層の詳細は、先に述べたため、繰り返しとなる記載は省略する。
【0154】
なお、第１の層１１９は、さらに電子輸送性を有する有機化合物を含んでいてもよい。当該有機化合物に用いることが可能な電子輸送性を有する有機化合物としては、上記第１の発光層１１３＿１および第２の発光層１１３＿２におけるホスト材料の電子輸送性を有する有機化合物として用いることが可能な有機化合物を同様に用いることができる。また、当該有機化合物としては、互いに結合または縮合した２以上の複素芳香環を有し、かつ当該２以上の複素芳香環は合計で３以上のヘテロ原子を有する有機化合物を用いると、よりフォトリソグラフィ法に対する耐性が向上し、駆動電圧の上昇を抑制できるため好ましい。
【0155】
なお、第１の層１１９は、有機化合物を含む層と、有機化合物を含む層より陰極側に位置する金属または金属化合物を有する層との積層構造である場合と、有機化合物と金属または金属化合物の混合層である場合があるが、混合層である方が成膜チャンバーが少なく製造コスト低減のため好ましく、発光デバイスの安定性向上にも寄与するため好ましい。
【0156】
有機化合物と金属または金属化合物とが混合している場合、第１の層１１９を膜厚方向に分析した際に、有機化合物の分布と金属または金属化合物の分布がおおむね同じ傾向を示す。すなわち、有機化合物の分布が一定である場合には、金属または金属化合物の分布もおおむね一定である。有機化合物を含む層と金属または金属化合物を有する層との積層構造である場合、金属または金属化合物が金属または金属化合物を有する層からの拡散により当該層以外の領域にも検出される場合があるが、有機化合物の分布と異なる分布を示すことから分析の結果を拡散と混合とで切り分けることができる。
【0157】
第２の層１１７は、正孔輸送性を有する第５の有機化合物を含むことが好ましい。また、第２の層１１７は、さらにアクセプタ性を示す物質を含むことが好ましく、アクセプタ性を示す物質は第５の有機化合物にアクセプタ性を示す有機化合物であることが好ましい。
【0158】
第２の層１１７が、第５の有機化合物と、当該第５の有機化合物にアクセプタ性を示す物質と、が含まれる層である場合、電荷分離により正孔が発生し、第１の電極１０１と第２の電極１０２との間に電圧が印加されることで当該正孔は、第５の有機化合物を介して陰極側の発光ユニットに注入される。これにより、本発明の一態様の発光デバイス１３０は、駆動電圧の低い発光デバイスとすることができる。
【0159】
正孔輸送性を有する第５の有機化合物としては、芳香族アミン化合物、複素芳香族化合物、芳香族炭化水素、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）など、種々の有機化合物を用いることができる。なお、第５の有機化合物としては、１×１０－６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する有機化合物であることが好ましい。また、第５の有機化合物は、縮合芳香族炭化水素環、または、π電子過剰型複素芳香環を有する化合物であることが好ましい。縮合芳香族炭化水素環としては、アントラセン環、ナフタレン環等が好ましい。また、π電子過剰型複素芳香環としては、ピロール骨格、フラン骨格、チオフェン骨格の少なくとも少なくとも一を含む縮合芳香環が好ましく、具体的にはカルバゾール環、ジベンゾチオフェン環あるいはそれらにさらに芳香環または複素芳香環が縮合した環が好ましい。
【0160】
このような正孔輸送性を有する有機化合物としては、カルバゾール骨格、ジベンゾフラン骨格、ジベンゾチオフェン骨格およびアントラセン骨格のいずれかを有していることがより好ましい。特に、ジベンゾフラン環またはジベンゾチオフェン環を含む置換基を有する芳香族アミン、ナフタレン環を有する芳香族モノアミン、または９－フルオレニル基がアリーレン基を介してアミンの窒素に結合する芳香族モノアミンであっても良い。なお、これら正孔輸送性を有する有機化合物が、Ｎ，Ｎ－ビス（４－ビフェニル）アミノ基を有する物質であると、寿命の良好な発光デバイスを作製することができるため好ましい。
【0161】
以上のような正孔輸送性を有する有機化合物としては、具体的には、正孔注入層１１１に用いることが可能な正孔輸送性を有する有機化合物として挙げた有機化合物を同様に用いることが可能である。
【0162】
アクセプタ性を有する物質としては、例えば、正孔注入層１１１に用いることが可能なアクセプタ性を有する有機化合物として挙げた物質を同様に用いることが可能である。特に、ハロゲン基およびシアノ基の少なくとも一を有する有機化合物が好ましく、フッ素およびシアノ基の少なくとも一を有する有機化合物がより好ましい。なお、当該有機化合物に含まれるハロゲン基（フッ素）およびシアノ基は合わせて４以上であることがさらに好ましい。ハロゲン基およびシアノ基の少なくとも一を有する有機化合物としては、例えば、α，α’，α’’－１，２，３－シクロプロパントリイリデントリス［４－シアノ－２，３，５，６－テトラフルオロベンゼンアセトニトリル］、α，α’，α’’－１，２，３－シクロプロパントリイリデントリス［２，６－ジクロロ－３，５－ジフルオロ－４－（トリフルオロメチル）ベンゼンアセトニトリル］、α，α’，α’’－１，２，３－シクロプロパントリイリデントリス［２，３，４，５，６－ペンタフルオロベンゼンアセトニトリル］などを挙げることができる。
【0163】
なお、アクセプタ性を有する材料は、正孔輸送性を有する第５の有機化合物に対する電子受容性を有することが好ましい。アクセプタ性を有する材料が第５の有機化合物に電子受容性を有することで、電荷分離が生じて、第２の層１１７は電荷発生層として機能することができ、タンデムの中間層として機能する。また、第２の層１１７は、電子スピン共鳴で観測されるシグナルが観測されることが好ましい。例えば、ｇ値２．００付近に観測されるシグナルに起因するスピン密度が１×１０１７ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３以上がより好ましく、１×１０１８ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３以上がより好ましく、１×１０１９ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３以上がさらに好ましい。
【0164】
第３の層１１８は、電子輸送性を有する物質を含み、第１の層１１９と第２の層１１７との間の相互作用を防ぎ、また電子の授受をスムーズにして駆動電圧を低減する、第１の層１１９と第２の層１１７との間の相互作用を低減し信頼性を向上するなどの機能を有する。
【0165】
第３の層１１８に含まれる電子輸送性を有する物質のＬＵＭＯ準位は、第２の層１１７におけるアクセプタ性を有する物質のＬＵＭＯ準位と、陽極側の発光ユニットにおける第１の層１１９に接する層（図１（Ａ）では第１の発光ユニット５０１における第１の電子輸送層１１４＿１）に含まれる有機化合物のＬＵＭＯ準位との間であることが好ましい。
【0166】
また、第３の層１１８に用いられる電子輸送性を有する物質におけるＬＵＭＯ準位の具体的なエネルギー準位は－５．０ｅＶ以上、好ましくは－５．０ｅＶ以上－３．０ｅＶ以下、より好ましくは－４．３０ｅＶ以上－３．００ｅＶ以下、より好ましくは－４．３０ｅＶ以上－３．３０ｅＶ以下とすると駆動電圧の上昇を抑制でき好ましい。なお、第３の層１１８に用いられる電子輸送性を有する物質としてはフタロシアニン系の材料又は金属－酸素結合と芳香族配位子を有する金属錯体を用いることが好ましい。
【0167】
第３の層１１８に用いられる電子輸送性を有する物質としては、具体的には、ジキノキサリノ［２，３－ａ：２’，３’－ｃ］フェナジン（略称：ＨＡＴＮＡ）、２，３，８，９，１４，１５－ヘキサフルオロジキノキサリノ［２，３－ａ：２’，３’－ｃ］フェナジン（略称：ＨＡＴＮＡ－Ｆ６）、３，４，９，１０－ペリレンテトラカルボン酸ジイミド（略称：ＰＴＣＤＩ）、３，４，９，１０－ペリレンテトラカルボキシル－ビス－ベンゾイミダゾール（略称：ＰＴＣＢＩ）などのペリレンテトラカルボン酸誘導体、（Ｃ６０－Ｉｈ）［５，６］フラーレン（略称：Ｃ６０）、（Ｃ７０－Ｄ５ｈ）［５，６］フラーレン（略称：Ｃ７０）を用いることができる。また、ヘテロ環を含むシクロファン骨格であるヘテロファン骨格を有する化合物を用いることができ、当該化合物としては例えばフタロシアニン（略称：Ｈ２Ｐｃ）等のフタロシアニン化合物を用いることができる。また、銅フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）、亜鉛フタロシアニン（略称：ＺｎＰｃ）、コバルトフタロシアニン（略称：ＣｏＰｃ）、鉄フタロシアニン（略称：ＦｅＰｃ）、錫フタロシアニン（略称：ＳｎＰｃ）、酸化錫フタロシアニン（略称：ＳｎＯＰｃ）、酸化チタンフタロシアニン（略称：ＴｉＯＰｃ）、酸化バナジウムフタロシアニン（略称：ＶＯＰｃ）等の銅、亜鉛、コバルト、鉄、クロム、ニッケル、等を有する金属フタロシアニンおよびその誘導体、などを用いることができる。また、特に銅フタロシアニンまたは亜鉛フタロシアニンのような、フタロシアニン系の金属錯体または２，３，８，９，１４，１５－ヘキサフルオロジキノキサリノ［２，３－ａ：２’，３’－ｃ］フェナジンが好ましい。
【0168】
また、第３の層１１８の膜厚は１ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは２ｎｍ以上５ｎｍ以下であることが好ましい。
【0169】
なお、中間層１１６における第２の層１１７が正孔注入層の機能を担うため、第２の発光ユニット５０２には正孔注入層を設けていないが、第２の発光ユニット５０２に正孔注入層を設けてもよい。
【0170】
第２の電極１０２は、陰極を含む電極である。第２の電極１０２は、積層構造を有していてもよく、その場合、有機化合物層１０３と接する層が陰極として機能する。陰極を形成する物質としては、仕事関数の小さい（具体的には３．８ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることができる。このような陰極材料の具体例としては、リチウム（Ｌｉ）またはセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、およびマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等の元素周期表の第１族または第２族に属する元素、およびこれらを含む合金（ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類金属およびこれらを含む合金等が挙げられる。具体的には、例えばフッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）、８－ヒドロキシキノリナト－リチウム（略称：Ｌｉｑ）、のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、又はそれらの化合物もしくは錯体を含む層を用いることができる。エレクトライドとしては、例えば、カルシウムとアルミニウムの混合酸化物に電子を高濃度添加した物質等が挙げられる。なお、これらの中から２以上を混合して用いてもよい。第２の電極１０２が積層構造を有する場合は、陰極以外は、仕事関数にかかわらず、導電性の良好な材料を用いることができる。
【0171】
なお、第２の電子輸送層１１４＿２は、第２の電極１０２に接していることが好ましい。第２の電子輸送層１１４＿２が第２の電極１０２と接していることで、電子注入性および電子輸送性に優れ、駆動電圧が低く消費電力が低い発光デバイスとすることができる。
【0172】
なお、第２の電極１０２を可視光に対し透過性を有する材料で形成した場合、第２の電極１０２側から光を発する発光デバイスとすることができる。
【0173】
これら導電性材料は、真空蒸着法またはスパッタリング法などの乾式法、インクジェット法、スピンコート法等を用いて成膜することが可能である。また、ゾル－ゲル法を用いて湿式法で形成しても良いし、金属材料のペーストを用いて湿式法で形成してもよい。
【0174】
また、有機化合物層１０３の形成方法としては、乾式法、湿式法を問わず、種々の方法を用いることができる。例えば、真空蒸着法、グラビア印刷法、オフセット印刷法、スクリーン印刷法、インクジェット法またはスピンコート法など用いても構わない。
【0175】
また上述した各電極または各層を異なる成膜方法を用いて形成しても構わない。
【0176】
図１（Ｃ）には、本発明の一態様の表示装置に含まれる、隣り合う二つの発光デバイス（発光デバイス１３０ａ、発光デバイス１３０ｂ）の図を示した。
【0177】
発光デバイス１３０ａは、絶縁層１７５上において第１の電極１０１ａと第２の電極１０２との間に有機化合物層１０３ａを有している。有機化合物層１０３ａは第１の発光ユニット５０１ａと、第２の発光ユニット５０２ａとが、中間層１１６ａを挟んで積層した構成を有する。なお、図１（Ｃ）では２つの発光ユニットが積層する例を示したが、３つ以上の発光ユニットが積層する構成であってもよい。第１の発光ユニット５０１ａは、正孔注入層１１１ａ、第１の正孔輸送層１１２ａ＿１、第１の発光層１１３ａ＿１、第１の電子輸送層１１４ａ＿１を有する。中間層１１６ａは、第２の層１１７ａ、第３の層１１８ａ、第１の層１１９ａを有する。第３の層１１８ａはあっても無くても構わない。第２の発光ユニット５０２ａは、第２の正孔輸送層１１２ａ＿２、第２の発光層１１３ａ＿２、第２の電子輸送層１１４ａ＿２を有する。
【0178】
発光デバイス１３０ｂは、絶縁層１７５上において第１の電極１０１ｂと第２の電極１０２との間に有機化合物層１０３ｂを有している。有機化合物層１０３ｂは第１の発光ユニット５０１ｂと、第２の発光ユニット５０２ｂとが、中間層１１６ｂを挟んで積層した構成を有する。なお、図１（Ｃ）では２つの発光ユニットが積層する例を示したが、３つ以上の発光ユニットが積層する構成であってもよい。第１の発光ユニット５０１ｂは、正孔注入層１１１ｂ、第１の正孔輸送層１１２ｂ＿１、第１の発光層１１３ｂ＿１、第１の電子輸送層１１４ｂ＿１を有する。中間層１１６ｂは、第２の層１１７ｂ、第３の層１１８ｂ、第１の層１１９ｂを有する。第３の層１１８ｂはあっても無くても構わない。第２の発光ユニット５０２ｂは、第２の正孔輸送層１１２ｂ＿２、第２の発光層１１３ｂ＿２、第２の電子輸送層１１４ｂ＿２を有する。
【0179】
第２の電子輸送層１１４ａ＿２および第２の電子輸送層１１４ｂ＿２はトリアジン骨格を含む第１の有機化合物を有する層である。第１の層１１９ａおよび第１の層１１９ｂはフェナントロリン骨格を含む第２の有機化合物を含む層である。
【0180】
第１の発光層１１３ａ＿１と第２の発光層１１３ａ＿２は、類似の色の発光を呈する発光層であることが好ましい。また、互いに含まれる発光中心物質は、その発光スペクトルにおける最大ピーク波長の差が３０ｎｍ以下である化合物であることが好ましく、２０ｎｍ以下である化合物であることがより好ましく、１０ｎｍ以下である化合物であることがさらに好ましく、含まれる発光中心物質が同じであることが一層好ましい。第１の発光層１１３ｂ＿１と第２の発光層１１３ｂ＿２は類似の色の発光を呈する発光層であることが好ましい。また、互いに含まれる発光中心物質は、その発光スペクトルにおける最大ピーク波長の差が３０ｎｍ以下である化合物であることが好ましく、２０ｎｍ以下である化合物であることがより好ましく、１０ｎｍ以下である化合物であることがさらに好ましく、含まれる発光中心物質が同じであることが一層好ましい。
【0181】
また、第１の発光層１１３ａ＿１と第１の発光層１１３ｂ＿１とは分離しており、第２の発光層１１３ａ＿２と第２の発光層１１３ｂ＿２は分離していることが好ましい。また、第１の発光層１１３ａ＿１および第２の発光層１１３ａ＿２の発光色と、第１の発光層１１３ｂ＿１および第２の発光層１１３ｂ＿２の発光色は異なることが好ましい。また、第１の発光層１１３ａ＿１に含まれる発光中心物質と第１の発光層１１３ｂ＿１に含まれる発光中心物質とは異なる物質であり、第２の発光層１１３ａ＿２に含まれる発光中心物質と第２の発光層１１３ｂ＿２に含まれる発光中心物質は異なる物質であることが好ましい。
【0182】
なお、正孔注入層１１１ａと正孔注入層１１１ｂ、第１の正孔輸送層１１２ａ＿１と第１の正孔輸送層１１２ｂ＿１、第１の電子輸送層１１４ａ＿１と第１の電子輸送層１１４ｂ＿１、中間層１１６ａと中間層１１６ｂ（第２の層１１７ａと第２の層１１７ｂ、第３の層１１８ａと第３の層１１８ｂ、第１の層１１９ａと第１の層１１９ｂ）、第２の正孔輸送層１１２ａ＿２と第２の正孔輸送層１１２ｂ＿２、および第２の電子輸送層１１４ａ＿２と第２の電子輸送層１１４ｂ＿２、それぞれ連続した層であってもよいし、発光デバイス１３０ａと発光デバイス１３０ｂとで各々独立に分離していてもよい。連続した層であることで、生産性が向上し、安価に発光デバイスを作成することができる。発光デバイスごとに分離した層であることによって、発光色に合わせた材料を用いることができ、特性の良好な発光デバイスまたは表示装置を作製することができる。特に、第２の電子輸送層１１４ａ＿２と第２の電子輸送層１１４ｂ＿２は連続した層であることによって、発光デバイス１３０ａと発光デバイス１３０ｂの両方を良好な特性を有する発光デバイスとすることができるため好ましい。
【0183】
一続きの連続した層であるということは、第２の電子輸送層１１４ａ＿２と第２の電子輸送層１１４ｂ＿２とが同じ材料で構成された層であることを意味する。すなわち、第２の電子輸送層１１４ａ＿２と第２の電子輸送層１１４ｂ＿２とが同じ材料で構成された層であることによって発光デバイス１３０ａと発光デバイス１３０ｂの両方を良好な特性を有する発光デバイスとすることができる。また、第２の電子輸送層１１４ａ＿２と第２の電子輸送層１１４ｂ＿２とが同様の構成を有する層であることがより好ましく、同じ構成を有する層であることがさらに好ましい。
【0184】
さらに、第１の発光層１１３ａ＿１に含まれる発光中心物質と第１の発光層１１３ｂ＿１に含まれる発光中心物質とは異なる物質であり、第２の発光層１１３ａ＿２に含まれる発光中心物質と第２の発光層１１３ｂ＿２に含まれる発光中心物質は異なる物質である場合（例えば、第１の発光層１１３ａ＿１および第２の発光層１１３ａ＿２が青色の蛍光発光層であり、第１の発光層１１３ｂ＿１および第２の発光層１１３ｂ＿２が緑色の燐光発光層のような場合、あるいは、第１の発光層１１３ａ＿１および第２の発光層１１３ａ＿２が青色の蛍光発光層であり、第１の発光層１１３ｂ＿１および第２の発光層１１３ｂ＿２が赤色の燐光発光層のような場合、あるいは、第１の発光層１１３ａ＿１および第２の発光層１１３ａ＿２が緑色の燐光発光層であり、第１の発光層１１３ｂ＿１および第２の発光層１１３ｂ＿２が赤色の燐光発光層のような場合）、発光デバイス１３０ａ、発光デバイス１３０ｂの発光層のキャリアバランスは各々異なる。したがって、通常、発光デバイス１３０ａ、発光デバイス１３０ｂ各々の性能を引き出すには、各々に適切な中間層および電子輸送層を選択し、変えなければならない。しかしながら、第２の電子輸送層１１４ａ＿２および第２の電子輸送層１１４ｂ＿２にはトリアジン骨格を含む第１の有機化合物を有する層を適用し、第１の層１１９ａおよび第１の層１１９ｂにはフェナントロリン骨格を含む第２の有機化合物を含む層を適用することで、第２の電子輸送層１１４ａ＿２と第２の電子輸送層１１４ｂ＿２とを同じ構成としたとしても、発光デバイス１３０ａ、発光デバイス１３０ｂの双方で性能を引き出すことができる。つまり、生産性向上と性能向上の双方を満たすことができる。なお、第１の層１１９ａと第１の層１１９ｂとを同じ構成としてもよい。
【0185】
なお、一続きの連続した層とは、発光デバイス１３０ａと発光デバイス１３０ｂの双方にまたがって形成される、いわゆる共通層（ｃｏｍｍｏｎ ｌａｙｅｒ）のことである。
【0186】
図２（Ａ）は、図１（Ｃ）の変形例である。発光デバイス１３０ａと、発光デバイス１３０ｂ１は、発光色が異なる発光デバイスであるため、マイクロキャビティを用いて発光を増幅できる電極間の光路長が異なる。そこで、発光デバイス１３０ｂ１では、発光層１１３ｂ＿１１、発光層１１３ｂ＿２１のように発光層の膜厚を厚くすることによって電極間の距離を調節することができる。または、正孔輸送層１１２ｂ＿２１のように、機能層を厚膜化する、または追加することによって光路長を変化させてもよい。
【0187】
図２（Ｂ）は、本発明の一態様の表示装置に含まれる、隣り合う３つの発光デバイス（発光デバイス１３０ａ、発光デバイス１３０ｂ１、発光デバイス１３０ｃ）の図を示した。
【0188】
発光デバイス１３０ｃは、絶縁層１７５上において第１の電極１０１ｃと第２の電極１０２との間に有機化合物層１０３ｃを有している。有機化合物層１０３ｃは第１の発光ユニット５０１ｃと、第２の発光ユニット５０２ｃとが、中間層１１６ｃを挟んで積層した構成を有する。なお、図２（Ｂ）では２つの発光ユニットが積層する例を示したが、３つ以上の発光ユニットが積層する構成であってもよい。第１の発光ユニット５０１ｃは、正孔注入層１１１ｃ、第１の正孔輸送層１１２ｃ＿１、第１の発光層１１３ｃ＿１、第１の電子輸送層１１４ｃ＿１を有する。中間層１１６ｃは、第２の層１１７ｃ、第３の層１１８ｃ、第１の層１１９ｃを有する。第３の層１１８ｃはあっても無くても構わない。第２の発光ユニット５０２ｃは、第２の正孔輸送層１１２ｃ＿２、第２の発光層１１３ｃ＿２、第２の電子輸送層１１４ｃ＿２を有する。
【0189】
発光デバイス１３０ｃの発光色は、発光デバイス１３０ａ及び発光デバイス１３０ｂ１よりも短波長であることを想定している。発光デバイス１３０ｃの電極間距離は、第１の発光層１１３ｃ＿１及び第２の発光層１１３ｃ＿２の膜厚が他２つの発光デバイスにおける発光層より薄いことによって調節されている。
【0190】
第２の電子輸送層１１４ｃ＿２はトリアジン骨格を含む第１の有機化合物を有する層である。第１の層１１９ｃはフェナントロリン骨格を含む第２の有機化合物を含む層である。
【0191】
第１の発光層１１３ｃ＿１と第２の発光層１１３ｃ＿２は、類似の色の発光を呈する発光層であることが好ましい。また、互いに含まれる発光中心物質は、その発光スペクトルにおける最大ピーク波長の差が３０ｎｍ以下である化合物であることが好ましく、２０ｎｍ以下である化合物であることがより好ましく、１０ｎｍ以下である化合物であることがさらに好ましく、含まれる発光中心物質が同じであることが一層好ましい。
【0192】
また、第１の発光層１１３ａ＿１と第１の発光層１１３ｃ＿１とは分離しており、第２の発光層１１３ａ＿２と第２の発光層１１３ｃ＿２は分離していることが好ましい。また、第１の発光層１１３ａ＿１および第２の発光層１１３ａ＿２の発光色と、第１の発光層１１３ｃ＿１および第２の発光層１１３ｃ＿２の発光色は異なることが好ましい。また、第１の発光層１１３ａ＿１に含まれる発光中心物質と第１の発光層１１３ｃ＿１に含まれる発光中心物質とは異なる物質であり、第２の発光層１１３ａ＿２に含まれる発光中心物質と第２の発光層１１３ｃ＿２に含まれる発光中心物質は異なる物質であることが好ましい。
【0193】
なお、正孔注入層１１１ａと正孔注入層１１１ｃ、第１の正孔輸送層１１２ａ＿１と第１の正孔輸送層１１２ｃ＿１、第１の電子輸送層１１４ａ＿１と第１の電子輸送層１１４ｃ＿１、中間層１１６ａと中間層１１６ｃ（第２の層１１７ａと第２の層１１７ｃ、第３の層１１８ａと第３の層１１８ｃ、第１の層１１９ａと第１の層１１９ｃ）、第２の正孔輸送層１１２ａ＿２と第２の正孔輸送層１１２ｃ＿２は発光デバイス１３０ａと発光デバイス１３０ｃとで各々独立に分離している例を示し、第２の電子輸送層１１４ａ＿２と第２の電子輸送層１１４ｃ＿２は連続した層である例を示した。このように一つの発光デバイスにおいて、連続する層と、分離する層が両方含まれていてもよい。これにより、生産性と特性のバランスの取れた発光デバイスまたは表示装置を作製することができる。特に、第２の電子輸送層１１４ａ＿２と第２の電子輸送層１１４ｃ＿２は一続きの連続した層であることによって、発光デバイス１３０ａと発光デバイス１３０ｃの両方を良好な特性を有する発光デバイスとすることができるため好ましい。
【0194】
例えば、三色の発光デバイスにおいて、発光中心物質が蛍光である発光デバイスが二つ、燐光である発光デバイスが一つであった場合、発光中心物質が蛍光である発光デバイスではキャリア輸送層を連続した層として形成し、発光中心物質が燐光である発光デバイスではキャリア輸送層を他の発光色を呈する発光デバイスと分離された層とすることが好ましい。または、三色の発光デバイスにおいて、発光中心物質が燐光である発光デバイスが二つ、蛍光である発光デバイスが一つであった場合、発光中心物質が燐光である発光デバイスではキャリア輸送層を連続した層として形成し、発光中心物質が蛍光である発光デバイスではキャリア輸送層を他の発光色を呈する発光デバイスと分離された層とすることが好ましい。
【0195】
このような構成を有する本発明の発光デバイスは、電流効率が高く、エネルギーロスが少なく、特性の良好な発光デバイスとすることが可能となる。このような発光デバイスを用いた本発明の一態様の表示装置では、消費電力が小さく、信頼性が高く、高輝度での表示が可能であり視認性の良好な表示装置とすることが可能である。また、本実施の形態は他の実施の形態と自由に組み合わせることができる。
【0196】
（実施の形態２）
本実施の形態では、実施の形態１に記載の発光デバイスを用いて作製された表示装置について図３を用いて説明する。なお、図３（Ａ）は、表示装置を示す上面図、図３（Ｂ）は図３（Ａ）をＡ－ＢおよびＣ－Ｄで切断した断面図である。この表示装置は、発光デバイスの発光を制御するものとして、点線で示された駆動回路部（ソース線駆動回路）６０１、画素部６０２、駆動回路部（ゲート線駆動回路）６０３を含んでいる。また、６０４は封止基板、６０５はシール材であり、シール材６０５で囲まれた内側は、空間６０７になっている。
本実施の形態では、実施の形態１に記載の発光デバイスを用いて作製された表示装置について図３を用いて説明する。なお、図３（Ａ）は、表示装置を示す上面図、図３（Ｂ）は図３（Ａ）をＡ－ＢおよびＣ－Ｄで切断した断面図である。この表示装置は、発光デバイスの発光を制御するものとして、点線で示された駆動回路部（ソース線駆動回路）６０１、画素部６０２、駆動回路部（ゲート線駆動回路）６０３を含んでいる。また、６０４は封止基板、６０５はシール材であり、シール材６０５で囲まれた内側は、空間６０７になっている。
【0197】
なお、引き回し配線６０８はソース線駆動回路６０１及びゲート線駆動回路６０３に入力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）６０９からビデオ信号、クロック信号、スタート信号、リセット信号等を受け取る。なお、ここではＦＰＣしか図示されていないが、このＦＰＣにはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。本明細書における表示装置には、表示装置本体だけでなく、それにＦＰＣもしくはＰＷＢが取り付けられた状態をも含むものとする。
【0198】
次に、断面構造について図３（Ｂ）を用いて説明する。素子基板６１０上には駆動回路部及び画素部が形成されているが、ここでは、駆動回路部であるソース線駆動回路６０１と、画素部６０２中の一つの画素が示されている。
【0199】
素子基板６１０はガラス、石英、有機樹脂、金属、合金、半導体などからなる基板の他、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒ Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ Ｐｌａｓｔｉｃｓ）、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、ポリエステルまたはアクリル樹脂等からなるプラスチック基板を用いて作製すればよい。
【0200】
画素および駆動回路に用いられるトランジスタの構造は特に限定されない。例えば、逆スタガ型のトランジスタとしてもよいし、スタガ型のトランジスタとしてもよい。また、トップゲート型のトランジスタでもボトムゲート型トランジスタでもよい。トランジスタに用いる半導体材料は特に限定されず、例えば、シリコン、ゲルマニウム、炭化シリコン、窒化ガリウム等を用いることができる。または、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ系金属酸化物などの、インジウム、ガリウム、亜鉛のうち少なくとも一つを含む酸化物半導体を用いてもよい。
【0201】
トランジスタに用いる半導体材料の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体、結晶性を有する半導体（微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、又は一部に結晶領域を有する半導体）のいずれを用いてもよい。結晶性を有する半導体を用いると、トランジスタ特性の劣化を抑制できるため好ましい。
【0202】
ここで、上記画素および駆動回路に設けられるトランジスタの他、後述するタッチセンサ等に用いられるトランジスタなどの半導体装置には、酸化物半導体を適用することが好ましい。特にシリコンよりもバンドギャップの広い酸化物半導体を適用することが好ましい。シリコンよりもバンドギャップの広い酸化物半導体を用いることで、トランジスタのオフ状態における電流を低減できる。
【0203】
上記酸化物半導体は、少なくともインジウム（Ｉｎ）又は亜鉛（Ｚｎ）を含むことが好ましい。また、Ｉｎ－Ｍ－Ｚｎ系酸化物（ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｌａ、ＣｅまたはＨｆ等の金属）で表記される酸化物を含む酸化物半導体であることがより好ましい。
【0204】
特に、半導体層として、複数の結晶部を有し、当該結晶部はｃ軸が半導体層の被形成面、または半導体層の上面に対し垂直に配向し、且つ隣接する結晶部間には粒界を有さない酸化物半導体膜を用いることが好ましい。
【0205】
半導体層としてこのような材料を用いることで、電気特性の変動が抑制され、信頼性の高いトランジスタを実現できる。
【0206】
また、上述の半導体層を有するトランジスタはその低いオフ電流により、トランジスタを介して容量に蓄積した電荷を長期間に亘って保持することが可能である。このようなトランジスタを画素に適用することで、各表示領域に表示した画像の階調を維持しつつ、駆動回路を停止することも可能となる。その結果、極めて消費電力の低減された電子機器を実現できる。
【0207】
トランジスタの特性安定化等のため、下地膜を設けることが好ましい。下地膜としては、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜などの無機絶縁膜を用い、単層で又は積層して作製することができる。下地膜はスパッタリング法、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法（プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、ＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ ＣＶＤ）法など）、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、塗布法、印刷法等を用いて形成できる。なお、下地膜は、必要で無ければ設けなくてもよい。
【0208】
なお、ＦＥＴ６２３は駆動回路部６０１に形成されるトランジスタの一つを示すものである。また、駆動回路は、種々のＣＭＯＳ回路、ＰＭＯＳ回路もしくはＮＭＯＳ回路で形成すれば良い。また、本実施の形態では、基板上に駆動回路を形成したドライバ一体型を示すが、必ずしもその必要はなく、駆動回路を基板上ではなく外部に形成することもできる。
【0209】
また、画素部６０２はスイッチング用ＦＥＴ６１１と、電流制御用ＦＥＴ６１２とそのドレインに電気的に接続された第１の電極６１３とを含む複数の画素により形成されているが、これに限定されず、３つ以上のＦＥＴと、容量素子とを組み合わせた画素部としてもよい。
【0210】
なお、第１の電極６１３の端部を覆って絶縁物６１４が形成されている。ここでは、ポジ型の感光性アクリル樹脂膜を用いることにより形成することができる。
【0211】
また、後に形成する有機化合物層等の被覆性を良好なものとするため、絶縁物６１４の上端部または下端部に曲率を有する曲面が形成されるようにする。例えば、絶縁物６１４の材料としてポジ型の感光性アクリル樹脂を用いた場合、絶縁物６１４の上端部のみに曲率半径（０．２μｍ～３μｍ）を有する曲面を持たせることが好ましい。また、絶縁物６１４として、ネガ型の感光性樹脂、或いはポジ型の感光性樹脂のいずれも使用することができる。
【0212】
第１の電極６１３上には、有機化合物層６１６、および第２の電極６１７がそれぞれ形成されている。ここで、陽極として機能する第１の電極６１３に用いる材料としては、仕事関数の大きい材料を用いることが望ましい。例えば、ＩＴＯ膜、またはケイ素を含有したインジウム錫酸化物膜、２～２０ｗｔ％の酸化亜鉛を含む酸化インジウム膜、窒化チタン膜、クロム膜、タングステン膜、Ｚｎ膜、Ｐｔ膜などの単層膜の他、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜との積層、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜と窒化チタン膜との３層構造等を用いることができる。なお、積層構造とすると、配線としての抵抗も低く、良好なオーミックコンタクトがとれ、さらに陽極として機能させることができる。
【0213】
また、有機化合物層６１６は、蒸着マスクを用いた蒸着法、インクジェット法、スピンコート法等の種々の方法によって形成される。有機化合物層６１６は、実施の形態１で説明したような構成を含んでいる。また、有機化合物層６１６を構成する他の材料としては、低分子化合物、または高分子化合物（オリゴマー、デンドリマーを含む）であっても良い。
【0214】
さらに、有機化合物層６１６上に形成され、陰極として機能する第２の電極６１７に用いる材料としては、仕事関数の小さい材料（Ａｌ、Ｍｇ、Ｌｉ、Ｃａ、またはこれらの合金および化合物（ＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ、ＡｌＬｉ等）等）を用いることが好ましい。なお、有機化合物層６１６で生じた光が第２の電極６１７を透過させる場合には、第２の電極６１７として、膜厚を薄くした金属薄膜と、透明導電膜（ＩＴＯ、２～２０ｗｔ％の酸化亜鉛を含む酸化インジウム、ケイ素を含有したインジウム錫酸化物、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等）との積層を用いるのが良い。
【0215】
なお、第１の電極６１３、有機化合物層６１６、第２の電極６１７でもって、発光デバイスが形成されている。当該発光デバイスは実施の形態１に記載の発光デバイスである。なお、画素部は複数の発光デバイスが形成されてなっているが、本実施の形態における表示装置では、実施の形態１に記載の発光デバイスと、それ以外の構成を有する発光デバイスの両方が混在していても良い。
【0216】
さらにシール材６０５で封止基板６０４を素子基板６１０と貼り合わせることにより、素子基板６１０、封止基板６０４、およびシール材６０５で囲まれた空間６０７に発光デバイス６１８が備えられた構造になっている。なお、空間６０７には、充填材が充填されており、不活性気体（窒素、アルゴン等）が充填される場合の他、シール材で充填される場合もある。封止基板には凹部を形成し、そこに乾燥材を設けることで水分の影響による劣化を抑制することができ、好ましい構成である。
【0217】
なお、シール材６０５にはエポキシ樹脂、ガラスフリットを用いるのが好ましい。また、これらの材料はできるだけ水分および酸素を透過しない材料であることが望ましい。また、封止基板６０４に用いる材料としてガラス基板、石英基板の他、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒ Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ Ｐｌａｓｔｉｃｓ）、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、ポリエステルまたはアクリル樹脂等からなるプラスチック基板を用いることができる。
【0218】
図３（Ｂ）には示されていないが、第２の電極６１７上に保護膜を設けても良い。保護膜は有機樹脂膜、無機絶縁膜で形成すればよい。また、シール材６０５の露出した部分を覆うように、保護膜が形成されていても良い。また、保護膜は、一対の基板の表面及び側面、封止層、絶縁層、等の露出した側面を覆って設けることができる。
【0219】
保護膜には、水などの不純物を透過しにくい材料を用いることができる。したがって、水などの不純物が外部から内部に拡散することを効果的に抑制することができる。
【0220】
保護膜を構成する材料としては、酸化物、窒化物、フッ化物、硫化物、三元化合物、金属またはポリマー等を用いることができ、例えば、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、ハフニウムシリケート、酸化ランタン、酸化珪素、チタン酸ストロンチウム、酸化タンタル、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ニオブ、酸化ジルコニウム、酸化スズ、酸化イットリウム、酸化セリウム、酸化スカンジウム、酸化エルビウム、酸化バナジウムまたは酸化インジウム等を含む材料、窒化アルミニウム、窒化ハフニウム、窒化珪素、窒化タンタル、窒化チタン、窒化ニオブ、窒化モリブデン、窒化ジルコニウムまたは窒化ガリウム等を含む材料、チタンおよびアルミニウムを含む窒化物、チタンおよびアルミニウムを含む酸化物、アルミニウムおよび亜鉛を含む酸化物、マンガンおよび亜鉛を含む硫化物、セリウムおよびストロンチウムを含む硫化物、エルビウムおよびアルミニウムを含む酸化物、イットリウムおよびジルコニウムを含む酸化物等を含む材料を用いることができる。
【0221】
保護膜は、段差被覆性（ステップカバレッジ）の良好な成膜方法を用いて形成することが好ましい。このような手法の一つに、原子層堆積（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法がある。ＡＬＤ法を用いて形成することができる材料を、保護膜に用いることが好ましい。ＡＬＤ法を用いることで緻密な、クラック、ピンホールなどの欠陥が低減された、または均一な厚さを備える保護膜を形成することができる。また、保護膜を形成する際に加工部材に与える損傷を、低減することができる。
【0222】
例えばＡＬＤ法を用いて保護膜を形成することで、複雑な凹凸形状を有する表面、タッチパネルの上面、側面及び裏面にまで均一で欠陥の少ない保護膜を形成することができる。
【0223】
以上のようにして、実施の形態１に記載の発光デバイスを用いて作製された表示装置を得ることができる。
【0224】
本実施の形態における表示装置は、実施の形態１に記載の発光デバイスを用いているため、良好な特性を備えた表示装置を得ることができる。具体的には、実施の形態１に記載の発光デバイスは発光効率が高いため、消費電力の小さい表示装置とすることが可能である。また、実施の形態１に記載の発光デバイスは、信頼性が良好であることから、信頼性の良好な表示装置とすることができる。また、それに加えて実施の形態１に記載の発光デバイスは、色度および色純度の良好な発光デバイスとすることができることから、表示品質の良好な表示装置とすることができる。
【0225】
また、本実施の形態は他の実施の形態と自由に組み合わせることができる。
【0226】
（実施の形態３）
発光デバイス１３０は図４（Ａ）および図４（Ｂ）に例示したように、絶縁層１７５上に複数形成され表示装置を構成する。本実施の形態では、本発明の他の一態様の表示装置について詳しく説明する。
発光デバイス１３０は図４（Ａ）および図４（Ｂ）に例示したように、絶縁層１７５上に複数形成され表示装置を構成する。本実施の形態では、本発明の他の一態様の表示装置について詳しく説明する。
【0227】
表示装置１００は、複数の画素１７８がマトリクス状に配列された画素部１７７を有する。画素１７８は、副画素１１０Ｒ、副画素１１０Ｇ、及び副画素１１０Ｂを有する。
【0228】
本明細書等において、例えば副画素１１０Ｒ、副画素１１０Ｇ、及び副画素１１０Ｂに共通する事項を説明する場合には、副画素１１０と呼称して説明する場合がある。アルファベットで区別する他の構成要素についても、これらに共通する事項を説明する場合には、アルファベットを省略した符号を用いて説明する場合がある。
【0229】
副画素１１０Ｒは赤色の光を呈し、副画素１１０Ｇは緑色の光を呈し、副画素１１０Ｂは青色の光を呈する。これにより、画素部１７７に画像を表示することができる。なお、本実施の形態では、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の３色の副画素を例に挙げて説明するが、その他の色の副画素の組み合わせを用いてもよい。また、副画素は３つに限られず、４つ以上としてもよい。４つの副画素としては、例えば、Ｒ、Ｇ、Ｂ、白色（Ｗ）の４色の副画素、Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｙの４色の副画素、及び、Ｒ、Ｇ、Ｂ、赤外光（ＩＲ）の４つの副画素、等が挙げられる。
【0230】
本明細書等において、行方向をＸ方向、列方向をＹ方向という場合がある。Ｘ方向とＹ方向は交差し、例えば垂直に交差する。
【0231】
図４（Ａ）では、異なる色の副画素がＸ方向に並べて配置されており、同じ色の副画素が、Ｙ方向に並べて配置されている例を示す。なお、異なる色の副画素がＹ方向に並べて配置され、同じ色の副画素が、Ｘ方向に並べて配置されていてもよい。
【0232】
画素部１７７の外側には、接続部１４０が設けられ、領域１４１が設けられていてもよい。領域１４１が設けられる場合、領域１４１は画素部１７７と接続部１４０の間に設けられる。領域１４１が設けられる場合、領域１４１には、有機化合物層が設けられる。また、接続部１４０には、導電層１５１Ｃが設けられる。
【0233】
図４（Ａ）では、領域１４１、及び接続部１４０が画素部１７７の右側に位置する例を示すが、領域１４１、及び接続部１４０の位置は特に限定されない。また、領域１４１、及び接続部１４０は、単数であっても複数であってもよい。
【0234】
図４（Ｂ）は、図４（Ａ）における一点鎖線Ａ１－Ａ２間の断面図の例である。図４（Ｂ）に示すように、表示装置１００は、絶縁層１７１と、絶縁層１７１上の導電層１７２と、絶縁層１７１上、及び導電層１７２上の絶縁層１７３と、絶縁層１７３上の絶縁層１７４と、絶縁層１７４上の絶縁層１７５と、を有する。絶縁層１７１は、基板（図示せず）上に設けられる。絶縁層１７５、絶縁層１７４、及び絶縁層１７３には、導電層１７２に達する開口が設けられ、当該開口を埋め込むようにプラグ１７６が設けられている。
【0235】
画素部１７７において、絶縁層１７５及びプラグ１７６上に、発光デバイス１３０が設けられる。また、発光デバイス１３０を覆うように、保護層１３１が設けられている。保護層１３１上には、樹脂層１２２によって基板１２０が貼り合わされている。また、隣り合う発光デバイス１３０の間には、無機絶縁層１２５と、無機絶縁層１２５上の絶縁層１２７と、が設けられていることが好ましい。
【0236】
図４（Ｂ）では、無機絶縁層１２５及び絶縁層１２７の断面が複数示されているが、表示装置１００を上面から見た場合、無機絶縁層１２５及び絶縁層１２７は、それぞれ１つに繋がっていることが好ましい。
【0237】
図４（Ｂ）では、発光デバイス１３０として、発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、及び発光デバイス１３０Ｂを示している。発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、及び発光デバイス１３０Ｂは、互いに異なる色の光を発するものとする。例えば、発光デバイス１３０Ｒは赤色の光を発することができ、発光デバイス１３０Ｇは緑色の光を発することができ、発光デバイス１３０Ｂは青色の光を発することができる。また、発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、又は発光デバイス１３０Ｂは、他の可視光又は赤外光を発してもよい。
【0238】
本発明の一態様の表示装置は、例えば発光デバイスが形成されている基板とは反対方向に光を射出する上面射出型（トップエミッション型）とすることができる。なお、本発明の一態様の表示装置は、下面射出型（ボトムエミッション型）であってもよい。
【0239】
発光デバイス１３０Ｒは、導電層１５１Ｒと導電層１５２Ｒとからなる第１の電極１０１Ｒ（画素電極）と、第１の電極上の有機化合物層１０３Ｒと、有機化合物層１０３Ｒ上の共通層１０４と、共通層１０４上の第２の電極（共通電極）１０２と、を有する。なお、共通層１０４は、設けられていても設けられていなくても構わないが、設けられていることが加工時の有機化合物層１０３Ｒへのダメージを低減できることから好ましい。
【0240】
発光デバイス１３０Ｇは、導電層１５１Ｇと導電層１５２Ｇとからなる第１の電極１０１Ｇ（画素電極）と、第１の電極上の有機化合物層１０３Ｇと、有機化合物層１０３Ｇ上の共通層１０４と、共通層１０４上の第２の電極（共通電極）１０２と、を有する。なお、共通層１０４は、設けられていても設けられていなくても構わないが、設けられていることが加工時の有機化合物層１０３Ｇへのダメージを低減できることから好ましい。
【0241】
発光デバイス１３０Ｂは、実施の形態１に示したような構成を有する。導電層１５１Ｂと導電層１５２Ｂとからなる第１の電極１０１Ｂ（画素電極）と、第１の電極上の有機化合物層１０３Ｂと、有機化合物層１０３Ｂ上の共通層１０４と、共通層１０４上の第２の電極（共通電極）１０２と、を有する。なお、共通層１０４は、設けられていても設けられていなくても構わないが、設けられていることが加工時の有機化合物層１０３Ｂへのダメージを低減できることから好ましい。また、共通層１０４が設けられている場合、有機化合物層１０３Ｂと共通層１０４との積層構造が、実施の形態１における有機化合物層１０３に相当し、共通層１０４が設けられていない場合は、有機化合物層１０３Ｂが実施の形態１における有機化合物層１０３に相当する。
【0242】
なお、共通層１０４は、電子輸送層であることが好ましい。
【0243】
また、発光デバイス１３０Ｒおよび発光デバイス１３０Ｇもフォトリソグラフィ工程を経て作製される発光デバイスである。
【0244】
発光デバイス１３０が有する画素電極と共通電極のうち、一方は陽極として機能し、他方は陰極として機能する。以下では、特に断りが無い場合は、画素電極が陽極として機能し、共通電極が陰極として機能するものとして説明する。
【0245】
有機化合物層１０３Ｒ、有機化合物層１０３Ｇ、及び有機化合物層１０３Ｂは、発光デバイス毎または、発光色毎に島状に独立している。有機化合物層１０３を発光デバイス１３０ごとに島状に設けることで、高精細な表示装置においても隣接する発光デバイス１３０間のリーク電流を抑制できる。これにより、クロストークを防ぐことができ、コントラストの極めて高い表示装置を実現できる。特に、低輝度における電流効率の高い表示装置を実現できる。
【0246】
島状の有機化合物層１０３は、有機化合物膜を成膜し、当該有機化合物膜をフォトリソグラフィ法を用いて加工することにより形成する。
【0247】
有機化合物層１０３は、発光デバイス１３０の第１の電極（画素電極）の上面及び側面を覆うように設けられることが好ましい。これにより、有機化合物層１０３の端部が画素電極の端部よりも内側に位置する構成に比べて、表示装置１００の開口率を高めることが容易となる。また、発光デバイス１３０の画素電極の側面を有機化合物層１０３で覆うことで、画素電極と第２の電極１０２とが接することを抑制できるため、発光デバイス１３０のショートを抑制できる。
【0248】
また、本発明の一態様の表示装置では、発光デバイスの第１の電極（画素電極）を、積層構成とすることが好ましい。例えば、図４（Ｂ）に示す例では、発光デバイス１３０の第１の電極を、導電層１５１と、導電層１５２と、の積層構成としている。
【0249】
導電層１５１として、例えば金属材料を用いることができる。具体的には、例えばアルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）、インジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｓｎ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）、イットリウム（Ｙ）、ネオジム（Ｎｄ）等の金属、及びこれらを適宜組み合わせて含む合金を用いることもできる。
【0250】
導電層１５２として、インジウム、錫、亜鉛、ガリウム、チタン、アルミニウム、及びシリコンの中から選ばれるいずれか一又は複数を有する酸化物を用いることができる。例えば、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを含む酸化亜鉛、酸化チタン、ガリウムを含むインジウム亜鉛酸化物、アルミニウムを含むインジウム亜鉛酸化物、シリコンを含むインジウム錫酸化物、及びシリコンを含むインジウム亜鉛酸化物等のいずれか一又は複数を含む導電性酸化物を用いることが好ましい。特に、シリコンを含むインジウム錫酸化物は仕事関数が大きい、例えば仕事関数が４．０ｅＶ以上であるため、導電層１５２として好適に用いることができる。
【0251】
導電層１５１は、異なる材料を有する複数の層の積層構成であってもよく、導電層１５２は、異なる材料を有する複数の層の積層構成であってもよい。この場合、導電層１５１が、導電性酸化物等の導電層１５２に用いることができる材料を用いた層を有してもよく、また、導電層１５２が、金属材料等の導電層１５１に用いることができる材料を用いた層を有してもよい。例えば、導電層１５１が２層以上の積層構成である場合は、導電層１５２と接する層は、導電層１５２に用いることができる材料を用いた層とすることができる。
【0252】
【0253】
［作製方法例１］
表示装置を構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、及び、導電膜等）は、スパッタリング法、化学気相堆積（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、真空蒸着法、パルスレーザー堆積（ＰＬＤ：Ｐｕｌｓｅｄ Ｌａｓｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、又はＡＬＤ法等を用いて形成できる。
表示装置を構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、及び、導電膜等）は、スパッタリング法、化学気相堆積（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、真空蒸着法、パルスレーザー堆積（ＰＬＤ：Ｐｕｌｓｅｄ Ｌａｓｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、又はＡＬＤ法等を用いて形成できる。
【0254】
また、表示装置を構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、及び、導電膜等）は、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、インクジェット、ディスペンス、スクリーン印刷、オフセット印刷、ドクターナイフ法、スリットコート、ロールコート、カーテンコート、又はナイフコート等の湿式の成膜方法により形成できる。
【0255】
また、表示装置を構成する薄膜を加工する際には、例えばフォトリソグラフィ法を用いて加工できる。
【0256】
フォトリソグラフィ法において、露光に用いる光は、例えばｉ線（波長３６５ｎｍ）、ｇ線（波長４３６ｎｍ）、ｈ線（波長４０５ｎｍ）、又はこれらを混合させた光を用いることができる。そのほか、紫外線、ＫｒＦレーザ光、又はＡｒＦレーザ光等を用いることもできる。また、液浸露光技術により露光を行ってもよい。また、露光に用いる光として、極端紫外（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａ－ｖｉｏｌｅｔ）光、又はＸ線を用いてもよい。また、露光に用いる光に換えて、電子ビームを用いることもできる。
【0257】
薄膜のエッチングには、ドライエッチング法、ウェットエッチング法、又はサンドブラスト法等を用いることができる。
【0258】
まず、図５（Ａ）に示すように、基板（図示せず）上に絶縁層１７１を形成する。続いて、絶縁層１７１上に導電層１７２、及び導電層１７９を形成し、導電層１７２、及び導電層１７９を覆うように絶縁層１７１上に絶縁層１７３を形成する。続いて、絶縁層１７３上に絶縁層１７４を形成し、絶縁層１７４上に絶縁層１７５を形成する。
【0259】
基板としては、少なくとも後の熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有する基板を用いることができる。例えばガラス基板、石英基板、サファイア基板、セラミック基板、又は有機樹脂基板、シリコン又は炭化シリコン等を材料とした単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウム等の化合物半導体基板、ＳＯＩ基板等の半導体基板を用いることができる。
【0260】
続いて、図５（Ａ）に示すように、絶縁層１７５、絶縁層１７４、及び絶縁層１７３に、導電層１７２に達する開口を形成する。続いて、当該開口を埋め込むように、プラグ１７６を形成する。
【0261】
続いて、図５（Ａ）に示すように、プラグ１７６上、及び絶縁層１７５上に、後に導電層１５１Ｒ、導電層１５１Ｇ、導電層１５１Ｂ、及び導電層１５１Ｃとなる導電膜１５１ｆ、導電層１５２Ｒ、導電層１５２Ｇ、導電層１５２Ｂ、及び導電層１５２Ｃとなる導電膜１５２ｆを形成する。導電膜１５１ｆとして、例えば金属材料を用いることができる。導電膜１５２ｆとしては、例えばインジウム、錫、亜鉛、ガリウム、チタン、アルミニウム、及びシリコンの中から選ばれるいずれか一又は複数を有する酸化物を用いることができる。
【0262】
続いて、図５（Ａ）に示すように、導電膜１５２ｆ上にレジストマスク１９１を形成する。レジストマスク１９１は、感光性材料（フォトレジスト）を塗布し、露光及び現像を行うことで形成できる。
【0263】
続いて、図５（Ｂ）に示すように、例えばレジストマスク１９１と重ならない領域の導電膜１５１ｆおよび導電膜１５２ｆを除去する。これにより、導電層１５１および導電層１５２が形成される。
【0264】
続いて、図５（Ｃ）に示すように、レジストマスク１９１を除去する。レジストマスク１９１は、例えば、酸素プラズマを用いたアッシングにより除去できる。
【0265】
続いて、図５（Ｄ）に示すように、導電層１５２Ｒ上、導電層１５２Ｇ上、導電層１５２Ｂ上、導電層１５２Ｃ上、及び絶縁層１７５上に、後に絶縁層１５６Ｒ、絶縁層１５６Ｇ、絶縁層１５６Ｂ、及び絶縁層１５６Ｃとなる絶縁膜１５６ｆを形成する。
【0266】
絶縁膜１５６ｆには、酸化絶縁膜、窒化絶縁膜、酸化窒化絶縁膜、又は窒化酸化絶縁膜等の無機絶縁膜、例えば、酸化窒化シリコンを用いることができる。
【0267】
続いて、図５（Ｅ）に示すように、絶縁膜１５６ｆを加工することにより、絶縁層１５６Ｒ、絶縁層１５６Ｇ、絶縁層１５６Ｂ、及び絶縁層１５６Ｃを形成する。
【0268】
続いて、図６（Ａ）に示すように、有機化合物膜１０３Ｒｆを、導電層１５２Ｒ上、導電層１５２Ｇ上、導電層１５２Ｂ上、及び絶縁層１７５上に形成する。なお、図６（Ａ）に示すように、導電層１５２Ｃ上には、有機化合物膜１０３Ｒｆを形成していない。
【0269】
続いて、図６（Ａ）に示すように、犠牲膜１５８Ｒｆ、マスク膜１５９Ｒｆを形成する。
【0270】
有機化合物膜１０３Ｒｆ上に犠牲膜１５８Ｒｆを設けることで、表示装置の作製工程中に有機化合物膜１０３Ｒｆが受けるダメージを低減し、発光デバイスの信頼性を高めることができる。
【0271】
犠牲膜１５８Ｒｆには、有機化合物膜１０３Ｒｆの加工条件に対する耐性の高い膜、具体的には、有機化合物膜１０３Ｒｆとのエッチングの選択比が大きい膜を用いる。マスク膜１５９Ｒｆには、犠牲膜１５８Ｒｆとのエッチングの選択比が大きい膜を用いる。
【0272】
また、犠牲膜１５８Ｒｆ及びマスク膜１５９Ｒｆは、有機化合物膜１０３Ｒｆの耐熱温度よりも低い温度で形成する。犠牲膜１５８Ｒｆ及びマスク膜１５９Ｒｆを形成する際の基板温度としては、それぞれ、代表的には、１００℃以上２００℃以下、好ましくは１００℃以上１５０℃以下、より好ましくは１００℃以上１２０℃以下である。本発明の一態様の発光デバイスは、第１の有機化合物を含むことから、より高い温度での加熱工程を経ても表示品質の良好な表示装置を提供することができる。
【0273】
犠牲膜１５８Ｒｆ及びマスク膜１５９Ｒｆには、ウェットエッチング法またはドライエッチング法により除去できる膜を用いることが好ましい。
【0274】
なお、有機化合物膜１０３Ｒｆ上に接して形成される犠牲膜１５８Ｒｆは、マスク膜１５９Ｒｆよりも、有機化合物膜１０３Ｒｆへのダメージが少ない形成方法を用いて形成されることが好ましい。例えば、スパッタリング法よりも、ＡＬＤ法（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ法）又は真空蒸着法が好ましい。
【0275】
犠牲膜１５８Ｒｆ及びマスク膜１５９Ｒｆとしては、それぞれ、例えば、金属膜、合金膜、金属酸化物膜、半導体膜、有機絶縁膜、及び、無機絶縁膜等のうち一種又は複数種を用いることができる。
【0276】
犠牲膜１５８Ｒｆ及びマスク膜１５９Ｒｆには、それぞれ、例えば、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、チタン、アルミニウム、イットリウム、ジルコニウム、及びタンタル等の金属材料、又は該金属材料を含む合金材料を用いることができる。特に、アルミニウム又は銀等の低融点材料を用いることが好ましい。犠牲膜１５８Ｒｆ及びマスク膜１５９Ｒｆの一方又は双方に紫外線を遮蔽することが可能な金属材料を用いることで、有機化合物膜１０３Ｒｆにパターン露光時の紫外線が照射されることを抑制でき、有機化合物膜１０３Ｒｆの劣化を抑制できるため、好ましい。
【0277】
また、犠牲膜１５８Ｒｆ及びマスク膜１５９Ｒｆには、それぞれ、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物、酸化インジウム、Ｉｎ－Ｚｎ酸化物、Ｉｎ－Ｓｎ酸化物、インジウムチタン酸化物（Ｉｎ－Ｔｉ酸化物）、インジウムスズ亜鉛酸化物（Ｉｎ－Ｓｎ－Ｚｎ酸化物）、インジウムチタン亜鉛酸化物（Ｉｎ－Ｔｉ－Ｚｎ酸化物）、インジウムガリウムスズ亜鉛酸化物（Ｉｎ－Ｇａ－Ｓｎ－Ｚｎ酸化物）、シリコンを含むインジウムスズ酸化物等の金属酸化物を用いることができる。
【0278】
なお、上記金属酸化物においてガリウムに代えて元素Ｍ（Ｍは、アルミニウム、シリコン、ホウ素、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、又はマグネシウムから選ばれた一種又は複数種）を用いてもよい。
【0279】
犠牲膜１５８Ｒｆ及びマスク膜１５９Ｒｆとしては、例えば、シリコン又はゲルマニウム等の半導体材料を用いることが、半導体の製造プロセスと親和性が高いため好ましい。又は、上記半導体材料を含む化合物を用いることができる。
【0280】
また、犠牲膜１５８Ｒｆ及びマスク膜１５９Ｒｆとしては、それぞれ、各種無機絶縁膜を用いることができる。特に、酸化絶縁膜は、窒化絶縁膜に比べて有機化合物膜１０３Ｒｆとの密着性が高く好ましい。
【0281】
続いて、図６（Ａ）に示すように、レジストマスク１９０Ｒを形成する。レジストマスク１９０Ｒは、感光性材料（フォトレジスト）を塗布し、露光及び現像を行うことで形成できる。
【0282】
レジストマスク１９０Ｒは、導電層１５２Ｒと重なる位置に設ける。レジストマスク１９０Ｒは、導電層１５２Ｃと重なる位置にも設けることが好ましい。これにより、導電層１５２Ｃが表示装置の作製工程中にダメージを受けることを抑制できる。
【0283】
続いて、図６（Ｂ）に示すように、レジストマスク１９０Ｒを用いて、マスク膜１５９Ｒｆの一部を除去し、マスク層１５９Ｒを形成する。マスク層１５９Ｒは、導電層１５２Ｒ上と、導電層１５２Ｃ上と、に残存する。その後、レジストマスク１９０Ｒを除去する。続いて、マスク層１５９Ｒをマスク（ハードマスクともいう）に用いて、犠牲膜１５８Ｒｆの一部を除去し、犠牲層１５８Ｒを形成する。
【0284】
ウェットエッチング法を用いることで、ドライエッチング法を用いる場合に比べて、犠牲膜１５８Ｒｆ及びマスク膜１５９Ｒｆの加工時に、有機化合物膜１０３Ｒｆに加わるダメージを低減できる。ウェットエッチング法を用いる場合、例えば、現像液、水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液（ＴＭＡＨ）などのアルカリ水溶液、希フッ酸、シュウ酸、リン酸、酢酸、硝酸、又はこれらの混合液体を用いた薬液等の酸水溶液を用いることが好ましい。
【0285】
また、犠牲膜１５８Ｒｆの加工においてドライエッチング法を用いる場合は、エッチングガスに酸素を含むガスを用いないことで、有機化合物膜１０３Ｒｆの劣化を抑制できる。
【0286】
レジストマスク１９０Ｒは、レジストマスク１９１と同様の方法で除去できる。
【0287】
続いて、図６（Ｂ）に示すように、有機化合物膜１０３Ｒｆを加工して、有機化合物層１０３Ｒを形成する。例えば、マスク層１５９Ｒ及び犠牲層１５８Ｒをハードマスクに用いて、有機化合物膜１０３Ｒｆの一部を除去し、有機化合物層１０３Ｒを形成する。
【0288】
これにより、図６（Ｂ）に示すように、導電層１５２Ｒ上に、有機化合物層１０３Ｒ、犠牲層１５８Ｒ、及び、マスク層１５９Ｒの積層構造が残存する。また、導電層１５２Ｇ及び導電層１５２Ｂは露出する。
【0289】
有機化合物膜１０３Ｒｆの加工は、異方性エッチングにより行うことが好ましい。特に、異方性のドライエッチングが好ましい。又は、ウェットエッチングを用いてもよい。
【0290】
ドライエッチング法を用いる場合は、エッチングガスに酸素を含むガスを用いないことで、有機化合物膜１０３Ｒｆの劣化を抑制できる。
【0291】
また、エッチングガスに酸素を含むガスを用いてもよい。エッチングガスが酸素を含むことで、エッチングの速度を速めることができる。したがって、エッチング速度を十分な速さに維持しつつ、低パワーの条件でエッチングを行うことができる。このため、有機化合物膜１０３Ｒｆに与えるダメージを抑制できる。さらに、エッチング時に生じる反応生成物の付着等の不具合を抑制できる。
【0292】
ドライエッチング法を用いる場合、例えば、Ｈ２、ＣＦ４、Ｃ４Ｆ８、ＳＦ６、ＣＨＦ３、Ｃｌ２、Ｈ２Ｏ、ＢＣｌ３、又はＨｅ、Ａｒ等の第１８族元素のうち、一種以上を含むガスをエッチングガスに用いることが好ましい。又は、これらの一種以上と、酸素を含むガスをエッチングガスに用いることが好ましい。又は、酸素ガスをエッチングガスに用いてもよい。
【0293】
続いて、図７（Ａ）に示すように、後に有機化合物層１０３Ｇとなる有機化合物膜１０３Ｇｆを形成する。
【0294】
有機化合物膜１０３Ｇｆは、有機化合物膜１０３Ｒｆの形成に用いることができる方法と同様の方法で形成できる。また、有機化合物膜１０３Ｇｆは、有機化合物膜１０３Ｒｆと同様の構成とすることができる。
【0295】
続いて、図７（Ａ）に示すように犠牲膜１５８Ｇｆとマスク膜１５９Ｇｆとを順に形成する。その後、レジストマスク１９０Ｇを形成する。犠牲膜１５８Ｇｆ及びマスク膜１５９Ｇｆの材料及び形成方法は、犠牲膜１５８Ｒｆ及びマスク膜１５９Ｒｆに適用できる条件と同様である。レジストマスク１９０Ｇの材料及び形成方法は、レジストマスク１９０Ｒに適用できる条件と同様である。
【0296】
レジストマスク１９０Ｇは、導電層１５２Ｇと重なる位置に設ける。
【0297】
続いて、図７（Ｂ）に示すように、レジストマスク１９０Ｇを用いて、マスク膜１５９Ｇｆの一部を除去し、マスク層１５９Ｇを形成する。マスク層１５９Ｇは、導電層１５２Ｇ上に残存する。その後、レジストマスク１９０Ｇを除去する。続いて、マスク層１５９Ｇをマスクに用いて、犠牲膜１５８Ｇｆの一部を除去し、犠牲層１５８Ｇを形成する。続いて、有機化合物膜１０３Ｇｆを加工して、有機化合物層１０３Ｇを形成する。
【0298】
続いて、図７（Ｃ）に示すように、有機化合物膜１０３Ｂｆを形成する。
【0299】
有機化合物膜１０３Ｂｆは、有機化合物膜１０３Ｒｆの形成に用いることができる方法と同様の方法で形成できる。また、有機化合物膜１０３Ｂｆは、有機化合物膜１０３Ｒｆと同様の構成とすることができる。
【0300】
続いて、図７（Ｃ）に示すように、犠牲膜１５８Ｂｆとマスク膜１５９Ｂｆとを順に形成する。その後、レジストマスク１９０Ｂを形成する。犠牲膜１５８Ｂｆ及びマスク膜１５９Ｂｆの材料及び形成方法は、犠牲膜１５８Ｒｆ及びマスク膜１５９Ｒｆに適用できる条件と同様である。レジストマスク１９０Ｂの材料及び形成方法は、レジストマスク１９０Ｒに適用できる条件と同様である。
【0301】
レジストマスク１９０Ｂは、導電層１５２Ｂと重なる位置に設ける。
【0302】
続いて、図７（Ｄ）に示すように、レジストマスク１９０Ｂを用いて、マスク膜１５９Ｂｆの一部を除去し、マスク層１５９Ｂを形成する。マスク層１５９Ｂは、導電層１５２Ｂ上に残存する。その後、レジストマスク１９０Ｂを除去する。続いて、マスク層１５９Ｂをマスクに用いて、犠牲膜１５８Ｂｆの一部を除去し、犠牲層１５８Ｂを形成する。続いて、有機化合物膜１０３Ｂｆを加工して、有機化合物層１０３Ｂを形成する。例えば、マスク層１５９Ｂ及び犠牲層１５８Ｂをハードマスクに用いて、有機化合物膜１０３Ｂｆの一部を除去し、有機化合物層１０３Ｂを形成する。
【0303】
これにより、図７（Ｄ）に示すように、導電層１５２Ｂ上に、有機化合物層１０３Ｂ、犠牲層１５８Ｂ、及び、マスク層１５９Ｂの積層構造が残存する。また、マスク層１５９Ｒ、及びマスク層１５９Ｇは露出する。
【0304】
なお、有機化合物層１０３Ｒ、有機化合物層１０３Ｇ、有機化合物層１０３Ｂの側面は、それぞれ、被形成面に対して垂直又は概略垂直であることが好ましい。例えば、被形成面と、これらの側面との成す角度を、６０度以上９０度以下とすることが好ましい。
【0305】
上記のように、フォトリソグラフィ法を用いて形成した有機化合物層１０３Ｒ、有機化合物層１０３Ｇ、及び有機化合物層１０３Ｂのうち隣接する２つの間の距離は、８μｍ以下、５μｍ以下、３μｍ以下、２μｍ以下、又は、１μｍ以下にまで狭めることができる。ここで、当該距離とは、例えば、有機化合物層１０３Ｒ、有機化合物層１０３Ｇ、及び有機化合物層１０３Ｂのうち、隣接する２つの対向する端部の間の距離で規定できる。このように、島状の有機化合物層の間の距離を狭めることで、高い精細度と、大きな開口率を有する表示装置を提供できる。また、隣り合う発光デバイス間における第１の電極同士の距離も、狭めることができ、例えば１０μｍ以下、８μｍ以下、５μｍ以下、３μｍ以下、２μｍ以下とすることができる。なお、隣り合う発光デバイス間における第１の電極同士の距離は２μｍ以上５μｍ以下であることが好ましい。
【0306】
続いて、図８（Ａ）に示すように、マスク層１５９Ｒ、マスク層１５９Ｇ、及びマスク層１５９Ｂを除去することが好ましい。
【0307】
マスク層の除去工程には、マスク膜の加工工程と同様の方法を用いることができる。特に、ウェットエッチング法を用いることで、ドライエッチング法を用いる場合に比べて、マスク層を除去する際に、有機化合物層１０３に加わるダメージを低減できる。
【0308】
また、マスク層を、水又はアルコール等の極性溶媒に溶解させることで除去してもよい。アルコールとしては、エチルアルコール、メチルアルコール、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、又はグリセリン等が挙げられる。
【0309】
マスク層を除去した後に、表面に吸着する水を除去するため、乾燥処理を行ってもよい。例えば、不活性ガス雰囲気又は減圧雰囲気下における加熱処理を行うことができる。加熱処理は、基板温度として５０℃以上２００℃以下、好ましくは６０℃以上１５０℃以下、より好ましくは７０℃以上１２０℃以下の温度で行うことができる。減圧雰囲気とすることで、より低温で乾燥が可能であるため好ましい。
【0310】
続いて、図８（Ｂ）に示すように、無機絶縁膜１２５ｆを形成する。
【0311】
続いて、図８（Ｃ）に示すように、無機絶縁膜１２５ｆ上に、後に絶縁層１２７となる絶縁膜１２７ｆを形成する。
【0312】
無機絶縁膜１２５ｆ及び絶縁膜１２７ｆを形成する際の基板温度としては、それぞれ、６０℃以上、８０℃以上、１００℃以上、又は、１２０℃以上、かつ、２００℃以下、１８０℃以下、１６０℃以下、１５０℃以下、又は１４０℃以下であることが好ましい。
【0313】
無機絶縁膜１２５ｆとしては、上記の基板温度の範囲で、３ｎｍ以上、５ｎｍ以上、又は、１０ｎｍ以上、かつ、２００ｎｍ以下、１５０ｎｍ以下、１００ｎｍ以下、又は、５０ｎｍ以下の厚さの絶縁膜を形成することが好ましい。
【0314】
無機絶縁膜１２５ｆは、例えば、ＡＬＤ法を用いて形成することが好ましい。ＡＬＤ法を用いることで、成膜ダメージを小さくすることができ、また、被覆性の高い膜を成膜可能なため好ましい。無機絶縁膜１２５ｆとしては、例えば、ＡＬＤ法を用いて、酸化アルミニウム膜を形成することが好ましい。
【0315】
絶縁膜１２７ｆは、前述の湿式の成膜方法を用いて形成することが好ましい。絶縁膜１２７ｆは、例えば、スピンコートにより、感光性材料を用いて形成することが好ましく、より具体的には、アクリル樹脂を含む感光性の樹脂組成物を用いて形成することが好ましい。
【0316】
続いて、露光を行って、絶縁膜１２７ｆの一部に、可視光線又は紫外線を感光させる。絶縁層１２７は、導電層１５２Ｒ、導電層１５２Ｇ、及び導電層１５２Ｂのいずれか２つに挟まれる領域、及び、導電層１５２Ｃの周囲に形成される。
【0317】
絶縁膜１２７ｆへの露光領域によって、後に形成する絶縁層１２７の幅を制御できる。本実施の形態では、絶縁層１２７が導電層１５１の上面と重なる部分を有するように加工する。
【0318】
露光に用いる光は、ｉ線（波長３６５ｎｍ）を含むことが好ましい。また、露光に用いる光は、ｇ線（波長４３６ｎｍ）、及びｈ線（波長４０５ｎｍ）の少なくとも一方を含んでいてもよい。
【0319】
続いて、図９（Ａ）に示すように、現像を行って、絶縁膜１２７ｆの露光させた領域を除去し、絶縁層１２７ａを形成する。
【0320】
続いて、図９（Ｂ）に示すように、絶縁層１２７ａをマスクとして、エッチング処理を行って、無機絶縁膜１２５ｆの一部を除去し、犠牲層１５８Ｒ、犠牲層１５８Ｇ、及び犠牲層１５８Ｂの一部の膜厚を薄くする。これにより、絶縁層１２７ａの下に、無機絶縁層１２５が形成される。また、犠牲層１５８Ｒ、犠牲層１５８Ｇ、及び犠牲層１５８Ｂの膜厚が薄い部分の表面が露出する。なお、以下では、絶縁層１２７ａをマスクに用いたエッチング処理を、第１のエッチング処理ということがある。
【0321】
第１のエッチング処理は、ドライエッチング又はウェットエッチングによって行うことができる。なお、無機絶縁膜１２５ｆを、犠牲層１５８Ｒ、犠牲層１５８Ｇ、及び犠牲層１５８Ｂと同様の材料を用いて成膜していた場合、第１のエッチング処理を一括で行うことができるため、好ましい。
【0322】
ドライエッチングを行う場合、塩素系のガスを用いることが好ましい。塩素系ガスとしては、Ｃｌ２、ＢＣｌ３、ＳｉＣｌ４、及びＣＣｌ４等を、単独又は２以上のガスを混合して用いることができる。また、上記塩素系ガスに、酸素ガス、水素ガス、ヘリウムガス、及びアルゴンガス等を、単独又は２以上のガスを混合して、適宜添加できる。ドライエッチングを用いることにより、犠牲層１５８Ｒ、犠牲層１５８Ｇ、及び犠牲層１５８Ｂの膜厚が薄い領域を、良好な面内均一性で形成できる。
【0323】
ドライエッチング装置としては、高密度プラズマ源を有するドライエッチング装置を用いることができる。高密度プラズマ源を有するドライエッチング装置は、例えば、誘導結合型プラズマ（ＩＣＰ：Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ）エッチング装置を用いることができる。又は、平行平板型電極を有する容量結合型プラズマ（ＣＣＰ：Ｃａｐａｃｉｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ）エッチング装置を用いることができる。
【0324】
また、第１のエッチング処理をウェットエッチングで行うことが好ましい。ウェットエッチング法を用いることで、ドライエッチング法を用いる場合に比べて、有機化合物層１０３Ｒ、有機化合物層１０３Ｇ、及び有機化合物層１０３Ｂに加わるダメージを低減できる。例えば、ウェットエッチングは、アルカリ溶液を用いて行うことができる。例えば、酸化アルミニウム膜のウェットエッチングには、アルカリ溶液であるＴＭＡＨを用いることができる。また、フッ化物を含む酸溶液を用いることもできる。この場合、パドル方式でウェットエッチングを行うことができる。なお、無機絶縁膜１２５ｆを、犠牲層１５８Ｒ、犠牲層１５８Ｇ、及び犠牲層１５８Ｂと同様の材料を用いて成膜していた場合、上記エッチング処理を一括で行うことができるため、好ましい。
【0325】
第１のエッチング処理では、犠牲層１５８Ｒ、犠牲層１５８Ｇ、及び犠牲層１５８Ｂを完全に除去せず、膜厚が薄くなった状態でエッチング処理を停止する。このように、有機化合物層１０３Ｒ、有機化合物層１０３Ｇ、及び有機化合物層１０３Ｂ上に、対応する犠牲層１５８Ｒ、犠牲層１５８Ｇ、及び犠牲層１５８Ｂを残存させておくことで、後の工程の処理で、有機化合物層１０３Ｒ、有機化合物層１０３Ｇ、及び有機化合物層１０３Ｂが損傷することを防ぐことができる。
【0326】
続いて、基板全体に露光を行い、可視光線又は紫外線を絶縁層１２７ａに照射することが好ましい。当該露光のエネルギー密度は、０ｍＪ／ｃｍ２より大きく、８００ｍＪ／ｃｍ２以下とすることが好ましく、０ｍＪ／ｃｍ２より大きく、５００ｍＪ／ｃｍ２以下とすることがより好ましい。現像後にこのような露光を行うことで、絶縁層１２７ａの透明度を向上させることができる場合がある。また、後の工程における、絶縁層１２７ａをテーパ形状に変形させる加熱処理に必要とされる基板温度を低下させることができる場合がある。
【0327】
ここで、犠牲層１５８Ｒ、犠牲層１５８Ｇ、及び犠牲層１５８Ｂとして、酸素に対するバリア絶縁層（例えば、酸化アルミニウム膜等）が存在することで、有機化合物層１０３Ｒ、有機化合物層１０３Ｇ、及び有機化合物層１０３Ｂに酸素が拡散することを低減できる。
【0328】
続いて、加熱処理（ポストベークともいう）を行う。加熱処理を行うことで、絶縁層１２７ａを、側面にテーパ形状を有する絶縁層１２７に変形させることができる（図９（Ｃ））。当該加熱処理は、有機化合物層の耐熱温度よりも低い温度で行う。加熱処理は、基板温度として５０℃以上２００℃以下、好ましくは６０℃以上１５０℃以下、より好ましくは７０℃以上１３０℃以下の温度で行うことができる。加熱雰囲気は、大気雰囲気であってもよく、不活性ガス雰囲気であってもよい。また、加熱雰囲気は、大気圧雰囲気であってもよく、減圧雰囲気であってもよい。これにより、絶縁層１２７と無機絶縁層１２５との密着性を向上させ、絶縁層１２７の耐食性も向上させることができる。
【0329】
第１のエッチング処理にて、犠牲層１５８Ｒ、犠牲層１５８Ｇ、及び犠牲層１５８Ｂを完全に除去せず、膜厚が薄くなった状態の犠牲層１５８Ｒ、犠牲層１５８Ｇ、及び犠牲層１５８Ｂを残存させておくことで、当該加熱処理において、有機化合物層１０３Ｒ、有機化合物層１０３Ｇ、及び有機化合物層１０３Ｂがダメージを受けて劣化することを防ぐことができる。したがって、発光デバイスの信頼性を高めることができる。
【0330】
続いて、図１０（Ａ）に示すように、絶縁層１２７をマスクとして、エッチング処理を行って、犠牲層１５８Ｒ、犠牲層１５８Ｇ、及び犠牲層１５８Ｂの一部を除去する。これにより、犠牲層１５８Ｒ、犠牲層１５８Ｇ、及び犠牲層１５８Ｂそれぞれに開口が形成され、有機化合物層１０３Ｒ、有機化合物層１０３Ｇ、有機化合物層１０３Ｂ、及び導電層１５２Ｃの上面が露出する。なお、以下では、このエッチング処理を、第２のエッチング処理ということがある。
【0331】
無機絶縁層１２５の端部は絶縁層１２７で覆われている。また、図１０（Ａ）では、犠牲層１５８Ｇの端部の一部（具体的には、第１のエッチング処理により形成されたテーパ形状の部分）を絶縁層１２７が覆い、第２のエッチング処理により形成されたテーパ形状の部分は露出している例を示す。
【0332】
第２のエッチング処理はウェットエッチングで行う。ウェットエッチング法を用いることで、ドライエッチング法を用いる場合に比べて、有機化合物層１０３Ｒ、有機化合物層１０３Ｇ、及び有機化合物層１０３Ｂに加わるダメージを低減できる。ウェットエッチングは、例えばアルカリ溶液または酸性溶液を用いて行うことができる。有機化合物層１０３が溶けないように、水溶液であることが好ましい。
【0333】
続いて、図１０（Ｂ）に示すように、有機化合物層１０３Ｒ上、有機化合物層１０３Ｇ上、有機化合物層１０３Ｂ上、導電層１５２Ｃ上、及び絶縁層１２７上に共通電極１５５を形成する。共通電極１５５は、スパッタリング法、又は真空蒸着法等の方法で形成できる。
【0334】
続いて、図１０（Ｃ）に示すように、共通電極１５５上に保護層１３１を形成する。保護層１３１は、真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、又はＡＬＤ法等の方法で形成できる。
【0335】
続いて、樹脂層１２２を用いて、保護層１３１上に、基板１２０を貼り合わせることで、表示装置を作製できる。前述のように、本発明の一態様の表示装置の作製方法では、導電層１５１の側面と重なる領域を有するように絶縁層１５６を設け、且つ導電層１５１及び絶縁層１５６を覆うように導電層１５２を形成する。これにより、表示装置の歩留まりを高め、また不良の発生を抑制できる。
【0336】
以上のように、本発明の一態様の表示装置の作製方法では、島状の有機化合物層１０３Ｒ、島状の有機化合物層１０３Ｇ、及び有機化合物層１０３Ｂは、ファインメタルマスクを用いて形成されるのではなく、膜を一面に成膜した後に加工することで形成されるため、島状の層を均一の厚さで形成できる。そして、高精細な表示装置又は高開口率の表示装置を実現できる。また、精細度又は開口率が高く、副画素間の距離が極めて短くても、隣接する副画素において、有機化合物層１０３Ｒ、有機化合物層１０３Ｇ、及び、有機化合物層１０３Ｂが互いに接することを抑制できる。したがって、副画素間にリーク電流が発生することを抑制できる。これにより、クロストークを防ぐことができ、コントラストの極めて高い表示装置を実現できる。また、フォトリソグラフィ法を用いて作製されたタンデム型の発光デバイスを有する表示装置であっても、良好な特性の表示装置を提供することができる。
【0337】
（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置について説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置について説明する。
【0338】
本実施の形態の表示装置は、高精細な表示装置とすることができる。したがって、本実施の形態の表示装置は、例えば、腕時計型、及び、ブレスレット型等の情報端末機（ウェアラブル機器）の表示部、並びに、ヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）等のＶＲ向け機器、及び、メガネ型のＡＲ向け機器等の頭部に装着可能なウェアラブル機器の表示部に用いることができる。
【0339】
また、本実施の形態の表示装置は、高解像度な表示装置又は大型な表示装置とすることができる。したがって、本実施の形態の表示装置は、例えば、テレビジョン装置、デスクトップ型もしくはノート型のパーソナルコンピュータ、コンピュータ用等のモニタ、デジタルサイネージ、及び、パチンコ機等の大型ゲーム機等の比較的大きな画面を備える電子機器の他、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、及び、音響再生装置の表示部に用いることができる。
【0340】
［表示モジュール］
図１１（Ａ）に、表示モジュール２８０の斜視図を示す。表示モジュール２８０は、表示装置１００Ａと、ＦＰＣ２９０と、を有する。なお、表示モジュール２８０が有する表示装置は表示装置１００Ａに限られず、後述する表示装置１００Ｂ乃至表示装置１００Ｅのいずれかであってもよい。
図１１（Ａ）に、表示モジュール２８０の斜視図を示す。表示モジュール２８０は、表示装置１００Ａと、ＦＰＣ２９０と、を有する。なお、表示モジュール２８０が有する表示装置は表示装置１００Ａに限られず、後述する表示装置１００Ｂ乃至表示装置１００Ｅのいずれかであってもよい。
【0341】
表示モジュール２８０は、基板２９１及び基板２９２を有する。表示モジュール２８０は、表示部２８１を有する。表示部２８１は、表示モジュール２８０における画像を表示する領域であり、後述する画素部２８４に設けられる各画素からの光を視認できる領域である。
【0342】
図１１（Ｂ）に、基板２９１側の構成を模式的に示した斜視図を示している。基板２９１上には、回路部２８２と、回路部２８２上の画素回路部２８３と、画素回路部２８３上の画素部２８４と、が積層されている。また、基板２９１上の画素部２８４と重ならない部分に、ＦＰＣ２９０と接続するための端子部２８５が設けられている。端子部２８５と回路部２８２とは、複数の配線により構成される配線部２８６により電気的に接続されている。
【0343】
画素部２８４は、周期的に配列した複数の画素２８４ａを有する。図１１（Ｂ）の右側に、１つの画素２８４ａの拡大図を示している。画素２８４ａには、先の実施の形態で説明した各種構成を適用できる。
【0344】
画素回路部２８３は、周期的に配列した複数の画素回路２８３ａを有する。
【0345】
１つの画素回路２８３ａは、１つの画素２８４ａが有する複数の素子の駆動を制御する回路である。
【0346】
回路部２８２は、画素回路部２８３の各画素回路２８３ａを駆動する回路を有する。例えば、ゲート線駆動回路、及び、ソース線駆動回路の一方又は双方を有することが好ましい。このほか、演算回路、メモリ回路、及び電源回路等の少なくとも一つを有していてもよい。
【0347】
ＦＰＣ２９０は、外部から回路部２８２にビデオ信号又は電源電位等を供給するための配線として機能する。また、ＦＰＣ２９０上にＩＣが実装されていてもよい。
【0348】
表示モジュール２８０は、画素部２８４の下側に画素回路部２８３及び回路部２８２の一方又は双方が積層された構成とすることができるため、表示部２８１の開口率（有効表示面積比）を極めて高くすることができる。
【0349】
このような表示モジュール２８０は、極めて高精細であることから、ＨＭＤ等のＶＲ向け機器又はメガネ型のＡＲ向け機器に好適に用いることができる。例えば、レンズを通して表示モジュール２８０の表示部を視認する構成の場合であっても、表示モジュール２８０は極めて高精細な表示部２８１を有するためにレンズで表示部を拡大しても画素が視認されず、没入感の高い表示を行うことができる。また、表示モジュール２８０はこれに限られず、比較的小型の表示部を有する電子機器に好適に用いることができる。
【0350】
［表示装置１００Ａ］
図１２（Ａ）に示す表示装置１００Ａは、基板３０１、発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、発光デバイス１３０Ｂ、容量２４０、及び、トランジスタ３１０を有する。
図１２（Ａ）に示す表示装置１００Ａは、基板３０１、発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、発光デバイス１３０Ｂ、容量２４０、及び、トランジスタ３１０を有する。
【0351】
基板３０１は、図１２（Ａ）及び図１２（Ｂ）における基板２９１に相当する。トランジスタ３１０は、基板３０１にチャネル形成領域を有するトランジスタである。基板３０１としては、例えば単結晶シリコン基板等の半導体基板を用いることができる。トランジスタ３１０は、基板３０１の一部、導電層３１１、低抵抗領域３１２、絶縁層３１３、及び、絶縁層３１４を有する。導電層３１１は、ゲート電極として機能する。絶縁層３１３は、基板３０１と導電層３１１の間に位置し、ゲート絶縁層として機能する。低抵抗領域３１２は、基板３０１に不純物がドープされた領域であり、ソース又はドレインとして機能する。絶縁層３１４は、導電層３１１の側面を覆って設けられる。
【0352】
また、基板３０１に埋め込まれるように、隣接する２つのトランジスタ３１０の間に素子分離層３１５が設けられている。
【0353】
また、トランジスタ３１０を覆って絶縁層２６１が設けられ、絶縁層２６１上に容量２４０が設けられている。
【0354】
容量２４０は、導電層２４１と、導電層２４５と、これらの間に位置する絶縁層２４３を有する。導電層２４１は、容量２４０の一方の電極として機能し、導電層２４５は、容量２４０の他方の電極として機能し、絶縁層２４３は、容量２４０の誘電体として機能する。
【0355】
導電層２４１は絶縁層２６１上に設けられ、絶縁層２５４に埋め込まれている。導電層２４１は、絶縁層２６１に埋め込まれたプラグ２７１によってトランジスタ３１０のソース又はドレインの一方と電気的に接続されている。絶縁層２４３は導電層２４１を覆って設けられる。導電層２４５は、絶縁層２４３を介して導電層２４１と重なる領域に設けられている。
【0356】
容量２４０を覆って、絶縁層２５５が設けられ、絶縁層２５５上に絶縁層１７４が設けられ、絶縁層１７４上に絶縁層１７５が設けられている。絶縁層１７５上に発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、及び、発光デバイス１３０Ｂが設けられている。隣り合う発光デバイスの間の領域には、絶縁物が設けられる。
【0357】
導電層１５１Ｒの側面と重なる領域を有するように絶縁層１５６Ｒが設けられ、導電層１５１Ｇの側面と重なる領域を有するように絶縁層１５６Ｇが設けられ、導電層１５１Ｂの側面と重なる領域を有するように絶縁層１５６Ｂが設けられる。また、導電層１５１Ｒ及び絶縁層１５６Ｒを覆うように導電層１５２Ｒが設けられ、導電層１５１Ｇ及び絶縁層１５６Ｇを覆うように導電層１５２Ｇが設けられ、導電層１５１Ｂ及び絶縁層１５６Ｂを覆うように導電層１５２Ｂが設けられる。有機化合物層１０３Ｒ上には、犠牲層１５８Ｒが位置し、有機化合物層１０３Ｇ上には、犠牲層１５８Ｇが位置し、有機化合物層１０３Ｂ上には、犠牲層１５８Ｂが位置する。
【0358】
導電層１５１Ｒ、導電層１５１Ｇ、及び導電層１５１Ｂは、絶縁層２４３、絶縁層２５５、絶縁層１７４、及び絶縁層１７５に埋め込まれたプラグ２５６、絶縁層２５４に埋め込まれた導電層２４１、及び、絶縁層２６１に埋め込まれたプラグ２７１によってトランジスタ３１０のソース又はドレインの一方と電気的に接続されている。プラグには各種導電材料を用いることができる。
【0359】
また、発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、及び、発光デバイス１３０Ｂ上には保護層１３１が設けられている。保護層１３１上には、樹脂層１２２によって基板１２０が貼り合わされている。発光デバイス１３０から基板１２０までの構成要素についての詳細は、実施の形態３を参照できる。基板１２０は、図１１（Ａ）における基板２９２に相当する。
【0360】
図１２（Ｂ）は、図１２（Ａ）に示す表示装置１００Ａの変形例である。図１２（Ｂ）に示す表示装置は、着色層１３２Ｒ、着色層１３２Ｇ、及び着色層１３２Ｂを有し、発光デバイス１３０が着色層１３２Ｒ、着色層１３２Ｇ、及び着色層１３２Ｂのうち一つと重なる領域を有する。図１２（Ｂ）に示す表示装置において、発光デバイス１３０は、例えば白色光を発することができる。また、例えば着色層１３２Ｒは赤色の光を透過し、着色層１３２Ｇは緑色の光を透過し、着色層１３２Ｂは青色の光を透過できる。
【0361】
【0362】
表示装置１００Ｂは、基板３５２と基板３５１とが貼り合わされた構成を有する。図１３では、基板３５２を破線で示している。
【0363】
表示装置１００Ｂは、画素部１７７、接続部１４０、回路３５６、及び配線３５５等を有する。図１３では表示装置１００ＢにＩＣ３５４及びＦＰＣ３５３が実装されている例を示している。このため、図１３に示す構成は、表示装置１００Ｂと、ＩＣ（集積回路）と、ＦＰＣと、を有する表示モジュールということもできる。ここで、表示装置の基板に、ＦＰＣ等のコネクタが取り付けられたもの、又は当該基板にＩＣが実装されたものを、表示モジュールと呼ぶ。
【0364】
接続部１４０は、画素部１７７の外側に設けられる。接続部１４０は、単数であっても複数であってもよい。接続部１４０は、発光デバイスの共通電極と、導電層とが電気的に接続されており、共通電極に電位を供給できる。
【0365】
回路３５６としては、例えば走査線駆動回路を用いることができる。
【0366】
配線３５５は、画素部１７７及び回路３５６に信号及び電力を供給する機能を有する。当該信号及び電力は、ＦＰＣ３５３を介して外部から、又はＩＣ３５４から配線３５５に入力される。
【0367】
図１３では、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式又はＣＯＦ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｆｉｌｍ）方式等により、基板３５１にＩＣ３５４が設けられている例を示す。ＩＣ３５４は、例えば走査線駆動回路又は信号線駆動回路等を有するＩＣを適用できる。なお、表示装置１００Ｂ及び表示モジュールは、ＩＣを設けない構成としてもよい。また、ＩＣを、例えばＣＯＦ方式により、ＦＰＣに実装してもよい。
【0368】
図１４に、図１３における表示装置１００Ｂの、ＦＰＣ３５３を含む領域の一部、回路３５６の一部、画素部１７７の一部、接続部１４０の一部、及び、端部を含む領域の一部をそれぞれ切断したときの断面の一例を表示装置１００Ｃとして示す。
【0369】
［表示装置１００Ｃ］
図１４に示す表示装置１００Ｃは、基板３５１と基板３５２の間に、トランジスタ２０１、トランジスタ２０５、赤色の光を発する発光デバイス１３０Ｒ、緑色の光を発する発光デバイス１３０Ｇ、及び、青色の光を発する発光デバイス１３０Ｂ等を有する。
図１４に示す表示装置１００Ｃは、基板３５１と基板３５２の間に、トランジスタ２０１、トランジスタ２０５、赤色の光を発する発光デバイス１３０Ｒ、緑色の光を発する発光デバイス１３０Ｇ、及び、青色の光を発する発光デバイス１３０Ｂ等を有する。
【0370】
発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、及び発光デバイス１３０Ｂの詳細は実施の形態３を参照できる。
【0371】
発光デバイス１３０Ｒは、導電層２２４Ｒと、導電層２２４Ｒ上の導電層１５１Ｒと、導電層１５１Ｒ上の導電層１５２Ｒと、を有する。発光デバイス１３０Ｇは、導電層２２４Ｇと、導電層２２４Ｇ上の導電層１５１Ｇと、導電層１５１Ｇ上の導電層１５２Ｇと、を有する。発光デバイス１３０Ｂは、導電層２２４Ｂと、導電層２２４Ｂ上の導電層１５１Ｂと、導電層１５１Ｂ上の導電層１５２Ｂと、を有する。
【0372】
導電層２２４Ｒは、絶縁層２１４に設けられた開口を介して、トランジスタ２０５が有する導電層２２２ｂと接続されている。導電層２２４Ｒの端部よりも外側に導電層１５１Ｒの端部が位置している。導電層１５１Ｒの側面と接する領域を有するように絶縁層１５６Ｒが設けられ、導電層１５１Ｒ及び絶縁層１５６Ｒを覆うように導電層１５２Ｒが設けられる。
【0373】
発光デバイス１３０Ｇにおける導電層２２４Ｇ、導電層１５１Ｇ、導電層１５２Ｇ、絶縁層１５６Ｇ、及び発光デバイス１３０Ｂにおける導電層２２４Ｂ、導電層１５１Ｂ、導電層１５２Ｂ、絶縁層１５６Ｂについては、発光デバイス１３０Ｒにおける導電層２２４Ｒ、導電層１５１Ｒ、導電層１５２Ｒ、絶縁層１５６Ｒと同様であるため詳細な説明は省略する。
【0374】
導電層２２４Ｒ、導電層２２４Ｇ、及び導電層２２４Ｂには、絶縁層２１４に設けられた開口を覆うように凹部が形成される。当該凹部には、層１２８が埋め込まれている。
【0375】
層１２８は、導電層２２４Ｒ、導電層２２４Ｇ、及び導電層２２４Ｂの凹部を埋め、平坦化する機能を有する。導電層２２４Ｒ、導電層２２４Ｇ、及び導電層２２４Ｂ及び層１２８上には、導電層２２４Ｒ、導電層２２４Ｇ、及び導電層２２４Ｂと電気的に接続される導電層１５１Ｒ、導電層１５１Ｇ、及び導電層１５１Ｂが設けられている。したがって、導電層２２４Ｒ、導電層２２４Ｇ、及び導電層２２４Ｂの凹部と重なる領域も発光領域として使用でき、画素の開口率を高めることができる。
【0376】
層１２８は、絶縁層であってもよく、導電層であってもよい。層１２８には、各種無機絶縁材料、有機絶縁材料、及び導電材料を適宜用いることができる。特に、層１２８は、絶縁材料を用いて形成されることが好ましく、有機絶縁材料を用いて形成されることが特に好ましい。層１２８には、例えば前述の絶縁層１２７に用いることができる有機絶縁材料を適用できる。
【0377】
発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、及び発光デバイス１３０Ｂ上には保護層１３１が設けられている。保護層１３１と基板３５２は接着層１４２を介して接着されている。基板３５２には、遮光層１５７が設けられている。発光デバイス１３０の封止には、固体封止構造又は中空封止構造等が適用できる。図１４では、基板３５２と基板３５１との間の空間が、接着層１４２で充填されており、固体封止構造が適用されている。又は、当該空間を不活性ガス（窒素又はアルゴン等）で充填し、中空封止構造を適用してもよい。このとき、接着層１４２は、発光デバイスと重ならないように設けられていてもよい。また、当該空間を、枠状に設けられた接着層１４２とは異なる樹脂で充填してもよい。
【0378】
図１４では、接続部１４０が、導電層２２４Ｒ、導電層２２４Ｇ、及び導電層２２４Ｂと同一の導電膜を加工して得られた導電層２２４Ｃと、導電層１５１Ｒ、導電層１５１Ｇ、及び導電層１５１Ｂと同一の導電膜を加工して得られた導電層１５１Ｃと、導電層１５２Ｒ、導電層１５２Ｇ、及び導電層１５２Ｂと同一の導電膜を加工して得られた導電層１５２Ｃと、を有する例を示している。また、図１４では、導電層１５１Ｃの側面と重なる領域を有するように絶縁層１５６Ｃが設けられる例を示している。
【0379】
表示装置１００Ｃは、トップエミッション型である。発光デバイスが発する光は、基板３５２側に射出される。基板３５２には、可視光に対する透過性が高い材料を用いることが好ましい。画素電極は可視光を反射する材料を含み、対向電極（共通電極１５５）は可視光を透過する材料を含む。
【0380】
基板３５１上には、絶縁層２１１、絶縁層２１３、絶縁層２１５、及び絶縁層２１４がこの順で設けられている。絶縁層２１１は、その一部が各トランジスタのゲート絶縁層として機能する。絶縁層２１３は、その一部が各トランジスタのゲート絶縁層として機能する。絶縁層２１５は、トランジスタを覆って設けられる。絶縁層２１４は、トランジスタを覆って設けられ、平坦化層としての機能を有する。なお、ゲート絶縁層の数及びトランジスタを覆う絶縁層の数は限定されず、それぞれ単層であっても２層以上であってもよい。
【0381】
絶縁層２１１、絶縁層２１３、及び絶縁層２１５としては、それぞれ、無機絶縁膜を用いることが好ましい。
【0382】
平坦化層として機能する絶縁層２１４には、有機絶縁層が好適である。
【0383】
トランジスタ２０１及びトランジスタ２０５は、ゲートとして機能する導電層２２１、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２１１、ソース及びドレインとして機能する導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂ、半導体層２３１、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２１３、並びに、ゲートとして機能する導電層２２３を有する。
【0384】
基板３５１の、基板３５２が重ならない領域には、接続部２０４が設けられている。接続部２０４では、トランジスタ２０１のソース電極またはドレイン電極が導電層１６６及び接続層２４２を介してＦＰＣ３５３と電気的に接続されている。導電層１６６は、導電層２２４Ｒ、導電層２２４Ｇ、及び導電層２２４Ｂと同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、導電層１５１Ｒ、導電層１５１Ｇ、及び導電層１５１Ｂと同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、導電層１５２Ｒ、導電層１５２Ｇ、及び導電層１５２Ｂと同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、の積層構造である例を示す。接続部２０４の上面では、導電層１６６が露出している。これにより、接続部２０４とＦＰＣ３５３とを接続層２４２を介して電気的に接続できる。
【0385】
基板３５２の基板３５１側の面には、遮光層１５７を設けることが好ましい。遮光層１５７は、隣り合う発光デバイスの間、接続部１４０、及び、回路３５６等に設けることができる。また、基板３５２の外側には各種光学部材を配置できる。
【0386】
基板３５１及び基板３５２としては、それぞれ、基板１２０に用いることができる材料を適用できる。
【0387】
接着層１４２としては、樹脂層１２２に用いることができる材料を適用できる。
【0388】
接続層２４２としては、異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）、又は異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）等を用いることができる。
【0389】
【0390】
発光デバイスが発する光は、基板３５１側に射出される。基板３５１には、可視光に対する透過性が高い材料を用いることが好ましい。一方、基板３５２に用いる材料の透光性は問わない。
【0391】
基板３５１とトランジスタ２０１との間、基板３５１とトランジスタ２０５との間には、遮光層３１７を形成することが好ましい。図１５では、基板３５１上に遮光層３１７が設けられ、遮光層３１７上に絶縁層１５３が設けられ、絶縁層１５３上にトランジスタ２０１、２０５などが設けられている例を示す。
【0392】
発光デバイス１３０Ｒは、導電層１１２Ｒと、導電層１１２Ｒ上の導電層１２６Ｒと、導電層１２６Ｒ上の導電層１２９Ｒと、を有する。
【0393】
発光デバイス１３０Ｂは、導電層１１２Ｂと、導電層１１２Ｂ上の導電層１２６Ｂと、導電層１２６Ｂ上の導電層１２９Ｂと、を有する。
【0394】
導電層１１２Ｒ、１１２Ｂ、１２６Ｒ、１２６Ｂ、１２９Ｒ、１２９Ｂには、それぞれ、可視光に対する透過性が高い材料を用いる。第２の電極１０２には可視光を反射する材料を用いることが好ましい。
【0395】
なお、図１５では、発光デバイス１３０Ｇを図示していないが、発光デバイス１３０Ｇも設けられている。
【0396】
また、図１５などでは、層１２８の上面が平坦部を有する例を示すが、層１２８の形状は、特に限定されない。
【0397】
［表示装置１００Ｄ２］
図１６（Ａ）に示す表示装置１００Ｄ２は、図１５に示す表示装置１００Ｄとは異なるボトムエミッション型の表示装置の一例である。表示装置１００Ｄ２は、有機樹脂層１８０を有する点で、表示装置１００Ｄと相違する。なお、図中、図１５と同じ構成要素の符号は省略している場合があり、その詳細は図１５の記載を参酌するとよい。
図１６（Ａ）に示す表示装置１００Ｄ２は、図１５に示す表示装置１００Ｄとは異なるボトムエミッション型の表示装置の一例である。表示装置１００Ｄ２は、有機樹脂層１８０を有する点で、表示装置１００Ｄと相違する。なお、図中、図１５と同じ構成要素の符号は省略している場合があり、その詳細は図１５の記載を参酌するとよい。
【0398】
また、図１６（Ｂ）は、副画素１１０（副画素１１０Ｒ、副画素１１０Ｇ、副画素１１０Ｂ、副画素１１０Ｗ）を有する画素１７８（画素１７８ａ、および画素１７８ｂ）の上面レイアウトを、図１６（Ｃ）は、画素１７８が有する副画素１１０Ｒおよび副画素１１０Ｇが形成される領域における有機樹脂層１８０の上面図を示す。なお、遮光層３１７と遮光層３１７との間は、副画素１１０Ｒの発光領域における幅１１０Ｒｗである。
【0399】
図１６（Ａ）に示すように、有機樹脂層１８０は、絶縁層２１４上に設けられる。図１６（Ａ）の一点鎖線で囲む領域、および図１６（Ｃ）に示すように、有機樹脂層１８０は、少なくとも副画素が形成される領域に、曲面を有する凹部１８１（凹部１８１ａ、凹部１８１ｂ）を有する。なお、凹部１８１は凹部１８１ｃのように発光領域外に設けられていてもよい。凹部１８１ｃを設けることで、遮光層３１７と重畳する領域で生じた発光または遮光層３１７と重畳する領域に進行した光が屈折し、発光領域から取り出すことができるため、発光効率を向上させることができる。
【0400】
凹部１８１はマトリクス状に複数形成されていてもよい。凹部１８１ａと凹部１８１ｂは接して設けられていても、間に平面を有していてもよい。
【0401】
また、図１６では、当該凹部の上面形状を六角形（図１６（Ｃ））、断面形状を半円形（図１６（Ａ））で示したが、必要に応じて他の形状としてもよい。例えば、当該凹部の上面形状としては、三角形、四角形（長方形、正方形を含む）、五角形等の多角形、これら多角形の角が丸い形状、楕円形、又は円形等が挙げられる。
【0402】
有機樹脂層１８０としては、有機材料を有する絶縁層を用いることができる。例えば、有機樹脂層１８０として、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、イミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シリコーン樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂、およびこれら樹脂の前駆体等を適用することができる。また、有機樹脂層１８０として、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルブチラール、ポリビニルピロリドン、ポリエチレングリコール、ポリグリセリン、プルラン、水溶性のセルロース、またはアルコール可溶性のポリアミド樹脂などの有機材料を用いてもよい。
【0403】
また、有機樹脂層１８０として、感光性の樹脂を用いることができる。感光性の樹脂としてはフォトレジストを用いてもよい。感光性の樹脂は、ポジ型の材料、またはネガ型の材料を用いることができる。
【0404】
有機樹脂層１８０は、可視光を吸収する材料を含んでいてもよい。例えば、有機樹脂層１８０自体が可視光を吸収する材料により構成されていてもよいし、有機樹脂層１８０が、可視光を吸収する顔料を含んでいてもよい。有機樹脂層１８０としては、例えば、赤色、青色、または緑色の光を透過し、他の光を吸収するカラーフィルタとして用いることのできる樹脂、またはカーボンブラックを顔料として含み、ブラックマトリクスとして機能する樹脂などを用いることができる。
【0405】
また、有機樹脂層１８０上に、第１の電極１０１（第１の電極１０１Ｒおよび第１の電極１０１Ｗ）、第１の電極１０１上に有機化合物層１０３を有する。第１の電極１０１、および有機化合物層１０３の端部は絶縁層１２７で覆われていてもよい。
【0406】
また、有機樹脂層１８０上に形成される、第１の電極１０１は、有機樹脂層１８０の凹部に沿って同様に凹部を有する。さらに、第１の電極１０１上に形成された有機化合物層１０３は、第１の電極１０１の凹部に沿って同様に凹部を有する。さらに、有機化合物層１０３上に形成された共通層１０４は、有機化合物層１０３の凹部に沿って同様に凹部を有する。さらに、共通層１０４上に形成された第２の電極１０２は、共通層１０４の凹部に沿って同様に凹部を有する。すなわち、有機樹脂層１８０、第１の電極１０１、有機化合物層１０３、共通層１０４、および第２の電極１０２の凹部は互いに重なる構造を有する。
【0407】
また、有機化合物層１０３および絶縁層１２７上に共通層１０４、共通層１０４上に第２の電極１０２を有する。第２の電極１０２上に保護層１３１を設け、接着層１４２を介して基板３５２と貼り合わせた構造とする。
【0408】
なお、図１６では、発光デバイス１３０Ｇおよび発光デバイス１３０Ｂを図示していないが、発光デバイス１３０Ｇおよび発光デバイス１３０Ｂも設けられている。
【0409】
【0410】
表示装置１００Ｅにおいて、発光デバイス１３０は、着色層１３２Ｒ、着色層１３２Ｇ、及び着色層１３２Ｂのうち一つと重なる領域を有する。着色層１３２Ｒ、着色層１３２Ｇ、及び着色層１３２Ｂは、基板３５２の基板３５１側の面に設けることができる。着色層１３２Ｒの端部、着色層１３２Ｇの端部、及び着色層１３２Ｂの端部は、遮光層１５７と重ねることができる。
【0411】
表示装置１００Ｅにおいて、発光デバイス１３０は、例えば白色光を発することができる。また、例えば着色層１３２Ｒは赤色の光を透過し、着色層１３２Ｇは緑色の光を透過し、着色層１３２Ｂは青色の光を透過できる。なお、表示装置１００Ｅは、保護層１３１と接着層１４２の間に着色層１３２Ｒ、着色層１３２Ｇ、及び着色層１３２Ｂを設ける構成としてもよい。
【0412】
［表示装置１００Ｅ２］
図１８（Ａ）に示す表示装置１００Ｅ２は、図１７に示す表示装置１００Ｅの変形例であり、着色層１３２Ｒ、着色層１３２Ｇ、及び着色層１３２Ｂ上に、マイクロレンズ１８２を有する。なお、図中、図１７と同じ構成要素の符号は省略している場合があり、その詳細は図１７の記載を参酌するとよい。
図１８（Ａ）に示す表示装置１００Ｅ２は、図１７に示す表示装置１００Ｅの変形例であり、着色層１３２Ｒ、着色層１３２Ｇ、及び着色層１３２Ｂ上に、マイクロレンズ１８２を有する。なお、図中、図１７と同じ構成要素の符号は省略している場合があり、その詳細は図１７の記載を参酌するとよい。
【0413】
また、図１８（Ｂ）は、副画素１１０（副画素１１０Ｒ、副画素１１０Ｇ、副画素１１０Ｂ）を有する画素１７８（画素１７８ａ、および画素１７８ｂ）の上面レイアウトを、図１８（Ｃ）は、画素１７８が有する副画素１１０Ｒおよび副画素１１０Ｇが形成される領域におけるマイクロレンズ１８２の上面図を示す。なお、共通電極１５５と有機化合物層１０３が接する領域は、副画素１１０Ｇの発光領域における幅１１０Ｇｗである。
【0414】
図１８（Ａ）に示す表示装置１００Ｅ２は、保護層１３１上の平坦化膜１４３を設け、平坦化膜１４４上に着色層１３２Ｒ、着色層１３２Ｇ、及び着色層１３２Ｂを設ける。着色層１３２Ｒ、着色層１３２Ｇ、及び着色層１３２Ｂを覆うように、平坦化膜１４４を設ける。平坦化膜１４４上に、マイクロレンズ１８２を設ける。
【0415】
なお、マイクロレンズ１８２は、図１８（Ｃ）に示すように、副画素が形成される領域に、副画素毎に設けるとよい。
【0416】
なお、図１８（Ｃ）では、マイクロレンズ１８２の上面形状を六角形で示したが、必要に応じて他の形状としてもよい。例えば、当該凹部の上面形状としては、三角形、四角形（長方形、正方形を含む）、五角形等の多角形、これら多角形の角が丸い形状、楕円形、又は円形等が挙げられる。
【0417】
マイクロレンズ１８２は、有機樹脂層１８０と同様の材料を用いて形成することができる。
【0418】
本実施の形態は、他の実施の形態、又は実施例と適宜組み合わせることができる。また、本明細書において、１つの実施の形態の中に、複数の構成例が示される場合は、構成例を適宜組み合わせることが可能である。
【0419】
（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器について説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器について説明する。
【0420】
本実施の形態の電子機器は、表示部に本発明の一態様の表示装置を有する。本発明の一態様の表示装置は消費電力が低く、信頼性が高い。したがって、様々な電子機器の表示部に用いることができる。
【0421】
電子機器としては、例えば、テレビジョン装置、デスクトップ型もしくはノート型のパーソナルコンピュータ、コンピュータ用等のモニタ、デジタルサイネージ、パチンコ機等の大型ゲーム機等の比較的大きな画面を備える電子機器の他、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、等が挙げられる。
【0422】
【0423】
図１９（Ａ）に示す電子機器７００Ａ、及び、図１９（Ｂ）に示す電子機器７００Ｂは、それぞれ、一対の表示パネル７５１と、一対の筐体７２１と、通信部（図示しない）と、一対の装着部７２３と、制御部（図示しない）と、撮像部（図示しない）と、一対の光学部材７５３と、フレーム７５７と、一対の鼻パッド７５８と、を有する。
【0424】
表示パネル７５１には、本発明の一態様の表示装置を適用できる。したがって信頼性が高い電子機器とすることができる。
【0425】
電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂは、それぞれ、光学部材７５３の表示領域７５６に、表示パネル７５１で表示した画像を投影できる。光学部材７５３は透光性を有するため、使用者は光学部材７５３を通して視認される透過像に重ねて、表示領域に表示された画像を見ることができる。
【0426】
電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂには、撮像部として、前方を撮像することのできるカメラが設けられていてもよい。また、電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂは、それぞれ、ジャイロセンサ等の加速度センサを備えることで、使用者の頭部の向きを検知して、その向きに応じた画像を表示領域７５６に表示することもできる。
【0427】
通信部は無線通信機を有し、当該無線通信機により例えば映像信号を供給できる。なお、無線通信機に代えて、又は無線通信機に加えて、映像信号及び電源電位が供給されるケーブルを接続可能なコネクタを備えていてもよい。
【0428】
また、電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂには、バッテリが設けられており、無線及び有線の一方又は双方によって充電できる。
【0429】
筐体７２１には、タッチセンサモジュールが設けられていてもよい。
【0430】
タッチセンサモジュールとしては、様々なタッチセンサを適用できる。例えば、静電容量方式、抵抗膜方式、赤外線方式、電磁誘導方式、表面弾性波方式、又は光学方式等、種々の方式を採用できる。特に、静電容量方式又は光学方式のセンサを、タッチセンサモジュールに適用することが好ましい。
【0431】
図１９（Ｃ）に示す電子機器８００Ａ、及び、図１９（Ｄ）に示す電子機器８００Ｂは、それぞれ、一対の表示部８２０と、筐体８２１と、通信部８２２と、一対の装着部８２３と、制御部８２４と、一対の撮像部８２５と、一対のレンズ８３２と、を有する。
【0432】
表示部８２０には、本発明の一態様の表示装置を適用できる。したがって信頼性が高い電子機器とすることができる。
【0433】
表示部８２０は、筐体８２１の内部の、レンズ８３２を通して視認できる位置に設けられる。また、一対の表示部８２０に異なる画像を表示させることで、視差を用いた３次元表示を行うこともできる。
【0434】
電子機器８００Ａ、及び、電子機器８００Ｂは、それぞれ、レンズ８３２及び表示部８２０が、使用者の目の位置に応じて最適な位置となるように、これらの左右の位置を調整可能な機構を有していることが好ましい。
【0435】
装着部８２３により、使用者は電子機器８００Ａ又は電子機器８００Ｂを頭部に装着できる。
【0436】
撮像部８２５は、外部の情報を取得する機能を有する。撮像部８２５が取得したデータは、表示部８２０に出力できる。撮像部８２５には、イメージセンサを用いることができる。また、望遠、及び広角等の複数の画角に対応可能なように複数のカメラを設けてもよい。
【0437】
電子機器８００Ａは、骨伝導イヤフォンとして機能する振動機構を有していてもよい。
【0438】
電子機器８００Ａ、及び、電子機器８００Ｂは、それぞれ、入力端子を有していてもよい。入力端子には映像出力機器等からの映像信号、及び、電子機器内に設けられるバッテリを充電するための電力等を供給するケーブルを接続できる。
【0439】
本発明の一態様の電子機器は、イヤフォン７５０と無線通信を行う機能を有していてもよい。
【0440】
また、電子機器がイヤフォン部を有していてもよい。図１９（Ｂ）に示す電子機器７００Ｂは、イヤフォン部７２７を有する。イヤフォン部７２７と制御部とをつなぐ配線の一部は、筐体７２１又は装着部７２３の内部に配置されていてもよい。
【0441】
同様に、図１９（Ｄ）に示す電子機器８００Ｂは、イヤフォン部８２７を有する。例えば、イヤフォン部８２７と制御部８２４とは、互いに有線接続されている構成とすることができる。
【0442】
このように、本発明の一態様の電子機器としては、メガネ型（電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂ等）と、ゴーグル型（電子機器８００Ａ、及び、電子機器８００Ｂ等）と、のどちらも好適である。
【0443】
図２０（Ａ）に示す電子機器６５００は、スマートフォンとして用いることのできる携帯情報端末機である。
【0444】
電子機器６５００は、筐体６５０１、表示部６５０２、電源ボタン６５０３、ボタン６５０４、スピーカ６５０５、マイク６５０６、カメラ６５０７、及び光源６５０８等を有する。表示部６５０２はタッチパネル機能を備える。
【0445】
表示部６５０２に、本発明の一態様の表示装置を適用できる。したがって信頼性が高い電子機器とすることができる。
【0446】
図２０（Ｂ）は、筐体６５０１のマイク６５０６側の端部を含む断面概略図である。
【0447】
筐体６５０１の表示面側には透光性を有する保護部材６５１０が設けられ、筐体６５０１と保護部材６５１０に囲まれた空間内に、表示パネル６５１１、光学部材６５１２、タッチセンサパネル６５１３、プリント基板６５１７、及びバッテリ６５１８等が配置されている。
【0448】
保護部材６５１０には、表示パネル６５１１、光学部材６５１２、及びタッチセンサパネル６５１３が接着層（図示しない）により固定されている。
【0449】
表示部６５０２よりも外側の領域において、表示パネル６５１１の一部が折り返されており、当該折り返された部分にＦＰＣ６５１５が接続されている。ＦＰＣ６５１５には、ＩＣ６５１６が実装されている。ＦＰＣ６５１５は、プリント基板６５１７に設けられた端子に接続されている。
【0450】
表示パネル６５１１には本発明の一態様の表示装置を適用できる。このため、極めて軽量な電子機器を実現できる。また、表示パネル６５１１が極めて薄いため、電子機器の厚さを抑えつつ、大容量のバッテリ６５１８を搭載することもできる。また、表示パネル６５１１の一部を折り返して、画素部の裏側にＦＰＣ６５１５との接続部を配置することにより、狭額縁の電子機器を実現できる。
【0451】
図２０（Ｃ）にテレビジョン装置の一例を示す。テレビジョン装置７１００は、筐体７１７１に表示部７０００が組み込まれている。ここでは、スタンド７１７３により筐体７１７１を支持した構成を示している。
【0452】
表示部７０００に、本発明の一態様の表示装置を適用できる。したがって信頼性が高い電子機器とすることができる。
【0453】
図２０（Ｃ）に示すテレビジョン装置７１００の操作は、筐体７１７１が備える操作スイッチ、及び、別体のリモコン操作機７１５１により行うことができる。
【0454】
図２０（Ｄ）に、ノート型パーソナルコンピュータの一例を示す。ノート型パーソナルコンピュータ７２００は、筐体７２１１、キーボード７２１２、ポインティングデバイス７２１３、及び外部接続ポート７２１４等を有する。筐体７２１１に、表示部７０００が組み込まれている。
【0455】
表示部７０００に、本発明の一態様の表示装置を適用できる。したがって信頼性が高い電子機器とすることができる。
【0456】
【0457】
図２０（Ｅ）に示すデジタルサイネージ７３００は、筐体７３０１、表示部７０００、及びスピーカ７３０３等を有する。さらに、ＬＥＤランプ、操作キー（電源スイッチ、又は操作スイッチを含む）、接続端子、各種センサ、マイクロフォン等を有することができる。
【0458】
図２０（Ｆ）は円柱状の柱７４０１に取り付けられたデジタルサイネージ７４００である。デジタルサイネージ７４００は、柱７４０１の曲面に沿って設けられた表示部７０００を有する。
【0459】
【0460】
表示部７０００が広いほど、一度に提供できる情報量を増やすことができる。また、表示部７０００が広いほど、人の目につきやすく、例えば、広告の宣伝効果を高めることができる。
【0461】
また、図２０（Ｅ）及び図２０（Ｆ）に示すように、デジタルサイネージ７３００又はデジタルサイネージ７４００は、使用者が所持するスマートフォン等の情報端末機７３１１又は情報端末機７４１１と無線通信により連携可能であることが好ましい。
【0462】
図２１（Ａ）乃至図２１（Ｇ）に示す電子機器は、筐体９０００、表示部９００１、スピーカ９００３、操作キー９００５（電源スイッチ、又は操作スイッチを含む）、接続端子９００６、センサ９００７（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン９００８、等を有する。
【0463】
図２１（Ａ）乃至図２１（Ｇ）に示す電子機器は、様々な機能を有する。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像等）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付又は時刻等を表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）によって処理を制御する機能、無線通信機能、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出して処理する機能、等を有することができる。
【0464】
【0465】
図２１（Ａ）は、携帯情報端末９１７１を示す斜視図である。携帯情報端末９１７１は、例えばスマートフォンとして用いることができる。なお、携帯情報端末９１７１は、スピーカ９００３、接続端子９００６、又はセンサ９００７等を設けてもよい。また、携帯情報端末９１７１は、文字及び画像情報をその複数の面に表示できる。図２１（Ａ）では３つのアイコン９０５０を表示した例を示している。また、破線の矩形で示す情報９０５１を表示部９００１の他の面に表示することもできる。情報９０５１の一例としては、電子メール、ＳＮＳ、電話等の着信の通知、電子メール又はＳＮＳ等の題名、送信者名、日時、時刻、バッテリの残量、電波強度等がある。又は、情報９０５１が表示されている位置にはアイコン９０５０等を表示してもよい。
【0466】
図２１（Ｂ）は、携帯情報端末９１７２を示す斜視図である。携帯情報端末９１７２は、表示部９００１の３面以上に情報を表示する機能を有する。ここでは、情報９０５２、情報９０５３、情報９０５４がそれぞれ異なる面に表示されている例を示す。例えば使用者は、洋服の胸ポケットに携帯情報端末９１７２を収納した状態で、携帯情報端末９１７２の上方から観察できる位置に表示された情報９０５３を確認することもできる。
【0467】
図２１（Ｃ）は、タブレット端末９１７３を示す斜視図である。タブレット端末９１７３は、一例として、移動電話、電子メール、文章閲覧及び作成、音楽再生、インターネット通信、コンピュータゲーム等の種々のアプリケーションの実行が可能である。タブレット端末９１７３は、筐体９０００の正面に表示部９００１、カメラ９００２、マイクロフォン９００８、スピーカ９００３を有し、筐体９０００の左側面には操作用のボタンとしての操作キー９００５、底面には接続端子９００６を有する。
【0468】
図２１（Ｄ）は、腕時計型の携帯情報端末９２００を示す斜視図である。携帯情報端末９２００は、例えばスマートウォッチ（登録商標）として用いることができる。また、表示部９００１はその表示面が湾曲して設けられ、湾曲した表示面に沿って表示を行うことができる。また、携帯情報端末９２００は、例えば無線通信可能なヘッドセットと相互通信することによって、ハンズフリーで通話することもできる。また、携帯情報端末９２００は、接続端子９００６により、他の情報端末と相互にデータ伝送を行うこと、及び、充電を行うこともできる。なお、充電動作は無線給電により行ってもよい。
【0469】
図２１（Ｅ）乃至図２１（Ｇ）は、折り畳み可能な携帯情報端末９２０１を示す斜視図である。また、図２１（Ｅ）は携帯情報端末９２０１を展開した状態、図２１（Ｇ）は折り畳んだ状態、図２１（Ｆ）は図２１（Ｅ）と図２１（Ｇ）の一方から他方に変化する途中の状態の斜視図である。携帯情報端末９２０１は、折り畳んだ状態では可搬性に優れ、展開した状態では継ぎ目のない広い表示領域により表示の一覧性に優れる。携帯情報端末９２０１が有する表示部９００１は、ヒンジ９０５５によって連結された３つの筐体９０００に支持されている。例えば、表示部９００１は、曲率半径０．１ｍｍ以上１５０ｍｍ以下で曲げることができる。
【0470】
本実施の形態は、他の実施の形態、又は実施例と適宜組み合わせることができる。また、本明細書において、１つの実施の形態の中に、複数の構成例が示される場合は、構成例を適宜組み合わせることが可能である。
【実施例0471】
本実施例では、本発明の一態様の発光デバイスである発光デバイスＲ１、発光デバイスＧ１および発光デバイスＢ１並びに比較発光デバイスである比較発光デバイスＲ１、比較発光デバイスＧ１、および比較発光デバイスＢ１に関して、詳しい作製方法および特性について説明する。本実施例で用いた主な化合物の構造式を以下に示す。
【0472】
【化7】
【0473】
【化8】
【0474】
（発光デバイスＲ１の作製方法）
まず、ガラス基板上に、反射電極として基板側から銀（Ａｇ）を１００ｎｍ、透明電極として酸化ケイ素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）を８５ｎｍ、スパッタリング法により順次積層し、２ｍｍ×２ｍｍの大きさで第１の電極１０１を形成した。なお、透明電極は陽極として機能し、上記反射電極と共に第１の電極１０１とみなされる。
まず、ガラス基板上に、反射電極として基板側から銀（Ａｇ）を１００ｎｍ、透明電極として酸化ケイ素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）を８５ｎｍ、スパッタリング法により順次積層し、２ｍｍ×２ｍｍの大きさで第１の電極１０１を形成した。なお、透明電極は陽極として機能し、上記反射電極と共に第１の電極１０１とみなされる。
【0475】
次に、基板上に発光デバイスを形成するための前処理として、基板表面を水で洗浄し、２００℃で１時間焼成した。
【0476】
その後、約１×１０－４Ｐａまで内部が減圧された真空蒸着装置に基板を導入し、真空蒸着装置内の加熱室において、１７０℃で３０分間の真空焼成を行った後、基板を約３０分放冷した。
【0477】
次に、第１の電極１０１が形成された面が下方となるように、基板を真空蒸着装置内に設けられたホルダーに固定し、第１の電極１０１上に、蒸着法により上記構造式（ｉ）で表されるＮ－（ビフェニル－２－イル）－Ｎ－（９，９－ジメチルフルオレン－２－イル）－９，９’－スピロビ［９Ｈ－フルオレン］－２－アミン（略称：ｏＦＢｉＳＦ（２））と分子量６７２でフッ素を含む電子のアクセプタ性を有する材料（ＯＣＨＤ－００３）とを、重量比で１：０．０３（＝ｏＦＢｉＳＦ（２）：ＯＣＨＤ－００３）となるように１０ｎｍ共蒸着して正孔注入層１１１を形成した。
【0478】
正孔注入層１１１上に、ｏＦＢｉＳＦ（２）を１５０ｎｍ蒸着し、第１の正孔輸送層を形成した。
【0479】
続いて、第１の正孔輸送層上に、上記構造式（ｉｉ）で表される１１－［３’－（ジベンゾチオフェン－４－イル）ビフェニル－３－イル］フェナントロ［９’，１０’：４，５］フロ［２，３－ｂ］ピラジン（略称：１１ｍＤＢｔＢＰＰｎｆｐｒ）と、上記構造式（ｉｉｉ）で表されるＮ－（ビフェニル－４－イル）－Ｎ－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］－９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－アミン（略称：ＰＣＢＢｉＦ）と、赤色燐光を発する材料であるＯＣＰＧ－００６とを、重量比で０．７：０．３：０．０５（＝１１ｍＤＢｔＢＰＰｎｆｐｒ：ＰＣＢＢｉＦ：ＯＣＰＧ－００６）となるように４０ｎｍ共蒸着して第１の発光層を形成した。
【0480】
こののち、上記構造式（ｉｖ）で表される９－［３－（４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン－２－イル）フェニル］－９’－フェニル－２，３’－ビ－９Ｈ－カルバゾール（略称：ｍＰＣＣｚＰＴｚｎ－０２）を１０ｎｍとなるように蒸着し第１の電子輸送層を形成した。
【0481】
第１の電子輸送層の形成後、フェナントロリン骨格を含む第２の有機化合物として上記構造式（ｖ）で表される２，２’－（１，３－フェニレン）ビス（９－フェニル－１，１０－フェナントロリン）（略称：ｍＰＰｈｅｎ２Ｐ）と酸化リチウム（Ｌｉ２Ｏ）とを重量比で１：０．０２（＝ｍＰＰｈｅｎ２Ｐ：Ｌｉ２Ｏ）となるように５ｎｍ共蒸着して第１の層を形成し、上記構造式（ｖｉｉ）で表される銅フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）を２ｎｍとなるように蒸着して第３の層を形成し、さらにｏＦＢｉＳＦ（２）とＯＣＨＤ－００３とを、重量比で１：０．１５（＝ｏＦＢｉＳＦ（２）：ＯＣＨＤ－００３）となるように１０ｎｍ共蒸着して第２の層を形成し、中間層を形成した。
【0482】
中間層上に、ｏＦＢｉＳＦ（２）を７５ｎｍ蒸着し、第２の正孔輸送層を形成した。
【0483】
第２の正孔輸送層上に、１１ｍＤＢｔＢＰＰｎｆｐｒと、ＰＣＢＢｉＦと、ＯＣＰＧ－００６とを、重量比で０．７：０．３：０．０５（＝１１ｍＤＢｔＢＰＰｎｆｐｒ：ＰＣＢＢｉＦ：ＯＣＰＧ－００６）となるように４０ｎｍ共蒸着して第２の発光層を形成した。
【0484】
その後、上記構造式（ｖｉｉｉ）で表される２，２’－［１，２－ナフタレンジイルジ（４，１－フェニレン）］ビス（４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン）（略称：ＴｚｎＰ２Ｎ）と、上記構造式（ｉｘ）で表される８－ヒドロキシキノリナト－リチウム（略称：Ｌｉｑ）とを、重量比で１：１（＝ＴｚｎＰ２Ｎ：Ｌｉｑ）となるように２５ｎｍ共蒸着して第２の電子輸送層を形成した。
【0485】
その後、Ｌｉｑを膜厚１ｎｍとなるように蒸着し、銀（Ａｇ）とマグネシウム（Ｍｇ）とを体積比１：０．１、膜厚１５ｎｍとなるように共蒸着して、第２の電極１０２を形成した。また、第２の電極１０２上には、上記構造式（ｘ）で表される４，４’，４’’－（ベンゼン－１，３，５－トリイル）トリ（ジベンゾチオフェン）（略称：ＤＢＴ３Ｐ－ＩＩ）をキャップ層として７０ｎｍ成膜して、光の取り出し効率を向上させている。
【0486】
続いて窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光デバイスが大気に曝されないようにガラス基板により封止する作業（ＵＶ硬化性のシール材を素子の周囲への塗布、発光デバイスには照射しないようにシール材のみにＵＶを照射する処理、および大気圧下で８０℃にて１時間熱処理）を行い、発光デバイスＲ１を形成した。
【0487】
（比較発光デバイスＲ１の作製方法）
比較発光デバイスＲ１は、発光デバイスＲ１における第２の電子輸送層のＴｚｎＰ２Ｎを、上記構造式（ｘｉ）で表される４－［３，５－ビス（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］－２－フェニル－６－（ビフェニル－４－イル）ピリミジン（略称：６ＢＰ－４Ｃｚ２ＰＰｍ）に変えて作製した他は、発光デバイスＲ１と同様に作製した。
比較発光デバイスＲ１は、発光デバイスＲ１における第２の電子輸送層のＴｚｎＰ２Ｎを、上記構造式（ｘｉ）で表される４－［３，５－ビス（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］－２－フェニル－６－（ビフェニル－４－イル）ピリミジン（略称：６ＢＰ－４Ｃｚ２ＰＰｍ）に変えて作製した他は、発光デバイスＲ１と同様に作製した。
【0488】
（発光デバイスＧ１の作製方法）
発光デバイスＧ１は、発光デバイスＲ１における第１の正孔輸送層の膜厚を８０ｎｍ、第２の正孔輸送層の膜厚を６０ｎｍとして形成し、第１の発光層及び第２の発光層を、上記構造式（ｘｉｉ）で表される７－［４－（１０－フェニル－９－アントリル）フェニル］－７Ｈ－ジベンゾ［ｃ，ｇ］カルバゾール（略称：ｃｇＤＢＣｚＰＡ）と上記構造式（ｘｉｉｉ）で表される９，１０－ジフェニル－２－［Ｎ－フェニル－Ｎ－（９－フェニル－カルバゾール－３－イル）－アミノ］－アントラセン（略称：２ＰＣＡＰＡ）とを重量比で１：０．０５（＝ｃｇＤＢＣｚＰＡ：２ＰＣＡＰＡ）となるように共蒸着して形成した他は、発光デバイスＲ１と同様に作製した。
発光デバイスＧ１は、発光デバイスＲ１における第１の正孔輸送層の膜厚を８０ｎｍ、第２の正孔輸送層の膜厚を６０ｎｍとして形成し、第１の発光層及び第２の発光層を、上記構造式（ｘｉｉ）で表される７－［４－（１０－フェニル－９－アントリル）フェニル］－７Ｈ－ジベンゾ［ｃ，ｇ］カルバゾール（略称：ｃｇＤＢＣｚＰＡ）と上記構造式（ｘｉｉｉ）で表される９，１０－ジフェニル－２－［Ｎ－フェニル－Ｎ－（９－フェニル－カルバゾール－３－イル）－アミノ］－アントラセン（略称：２ＰＣＡＰＡ）とを重量比で１：０．０５（＝ｃｇＤＢＣｚＰＡ：２ＰＣＡＰＡ）となるように共蒸着して形成した他は、発光デバイスＲ１と同様に作製した。
【0489】
（比較発光デバイスＧ１の作製方法）
比較発光デバイスＧ１は、発光デバイスＧ１における第２の電子輸送層のＴｚｎＰ２Ｎを、６ＢＰ－４Ｃｚ２ＰＰｍに変えて作製した他は、発光デバイスＧ１と同様に作製した。
比較発光デバイスＧ１は、発光デバイスＧ１における第２の電子輸送層のＴｚｎＰ２Ｎを、６ＢＰ－４Ｃｚ２ＰＰｍに変えて作製した他は、発光デバイスＧ１と同様に作製した。
【0490】
（発光デバイスＢ１の作製方法）
発光デバイスＢ１は、発光デバイスＲ１における第１の正孔輸送層の膜厚を４５ｎｍ、第２の正孔輸送層の膜厚を５５ｎｍとして形成し、第１の発光層及び第２の発光層を、上記構造式（ｘｉｖ）で表される９－（１－ナフチル）－１０－［４－（２－ナフチル）フェニル］アントラセン（略称：αＮ－βＮＰＡｎｔｈ）と上記構造式（ｘｖ）で表されるＮ，Ｎ’－ジフェニル－Ｎ，Ｎ’－ビス（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－２－イル）ナフト［２，３－ｂ；６，７－ｂ’］ビスベンゾフラン－３，１０－ジアミン（略称：３，１０ＰＣＡ２Ｎｂｆ（ＩＶ）－０２）とを重量比で１：０．０１５（＝αＮ－βＮＰＡｎｔｈ：３，１０ＰＣＡ２Ｎｂｆ（ＩＶ）－０２）となるように２５ｎｍ、共蒸着して形成した他は発光デバイスＲ１と同様に作製した。
発光デバイスＢ１は、発光デバイスＲ１における第１の正孔輸送層の膜厚を４５ｎｍ、第２の正孔輸送層の膜厚を５５ｎｍとして形成し、第１の発光層及び第２の発光層を、上記構造式（ｘｉｖ）で表される９－（１－ナフチル）－１０－［４－（２－ナフチル）フェニル］アントラセン（略称：αＮ－βＮＰＡｎｔｈ）と上記構造式（ｘｖ）で表されるＮ，Ｎ’－ジフェニル－Ｎ，Ｎ’－ビス（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－２－イル）ナフト［２，３－ｂ；６，７－ｂ’］ビスベンゾフラン－３，１０－ジアミン（略称：３，１０ＰＣＡ２Ｎｂｆ（ＩＶ）－０２）とを重量比で１：０．０１５（＝αＮ－βＮＰＡｎｔｈ：３，１０ＰＣＡ２Ｎｂｆ（ＩＶ）－０２）となるように２５ｎｍ、共蒸着して形成した他は発光デバイスＲ１と同様に作製した。
【0491】
（比較発光デバイスＢ１の作製方法）
比較発光デバイスＢ１は、発光デバイスＢ１における第２の電子輸送層のＴｚｎＰ２Ｎを、６ＢＰ－４Ｃｚ２ＰＰｍに変えて作製した他は、発光デバイスＢ１と同様に作製した。
比較発光デバイスＢ１は、発光デバイスＢ１における第２の電子輸送層のＴｚｎＰ２Ｎを、６ＢＰ－４Ｃｚ２ＰＰｍに変えて作製した他は、発光デバイスＢ１と同様に作製した。
【0492】
発光デバイスＲ１、発光デバイスＧ１、発光デバイスＢ１、比較発光デバイスＲ１、比較発光デバイスＧ１、および比較発光デバイスＢ１の素子構造を以下に示す。
【0493】
【表1】
【0494】
【表2】
【0495】
【表3】
【0496】
発光デバイスＲ１および比較発光デバイスＲ１の電流密度－電圧特性を図２２に、電流効率－輝度特性を図２３に、パワー効率－輝度特性を図２４に、電界発光スペクトルを図２５に示す。また、発光デバイスＧ１および比較発光デバイスＧ１の電流密度－電圧特性を図２６に、電流効率－輝度特性を図２７に、パワー効率－輝度特性を図２８に、電界発光スペクトルを図２９に示す。また、発光デバイスＢ１および比較発光デバイスＢ１の電流密度－電圧特性を図３０に、電流効率－輝度特性を図３１に、ブルーインデックス－輝度特性を図３２に、パワー効率－輝度特性を図３３に、電界発光スペクトルを図３４に示す。
【0497】
なお、ブルーインデックス（ＢＩ）とは、電流効率（ｃｄ／Ａ）をさらにＣＩＥ（ｘ，ｙ）色度のｙ値で割った値であり、青色発光の発光特性を表す指標の一つである。青色発光は、色度ｙ値が小さいほど色純度の高い発光となる傾向にある。色度ｙ値が小さく色純度の高い青色発光を用いることで、ディスプレイにおいて広い色度範囲の青色を表現することが可能となり、ディスプレイにおいて白色を表現するために必要な青色の輝度が低下することから、ディスプレイの消費電力を低減する効果が得られる。そのため、青色純度の指標の一つとなる色度ｙ値を考慮した電流効率であるＢＩが青色発光の効率を表す手段として好適に用いられる場合があり、ＢＩが高い発光デバイスほどディスプレイに用いられる青色発光デバイスとしての効率が良好であるということができる。
【0498】
また、発光デバイスＲ１および比較発光デバイスＲ１の１０００ｃｄ／ｍ２付近における主な特性を表４に、発光デバイスＧ１および比較発光デバイスＧ１の１０００ｃｄ／ｍ２付近における主な特性を表５に、発光デバイスＢ１および比較発光デバイスＢ１の１０００ｃｄ／ｍ２付近における主な特性を表６に示す。なお、輝度、ＣＩＥ色度、及び電界発光スペクトルの測定には分光放射計（トプコン社製、ＳＲ－ＵＬ１Ｒ）を用い、常温で測定した。
【0499】
【表4】
【0500】
図２２乃至図２５および表４から、発光デバイスＲ１および比較発光デバイスＲ１はどちらの発光デバイスからも電界発光スペクトルのピーク波長が６２５ｎｍの赤色発光が得られることが分かった。また、発光デバイスＲ１および比較発光デバイスＲ１は、どちらも電流効率が良好な発光デバイスであるが、発光デバイスＲ１は、比較発光デバイスＲ１より駆動電圧が低いため消費電力が低く、良好な特性を有する発光デバイスであることが分かった。これにより本発明の一態様の発光デバイスＲ１は、良好な特性を有するタンデム型の発光デバイスであることがわかった。
【0501】
【表5】
【0502】
図２６乃至図２９および表５から、発光デバイスＧ１および比較発光デバイスＧ１はどちらの発光デバイスからも電界発光スペクトルのピーク波長が５３３ｎｍの緑色発光が得られることが分かった。また、発光デバイスＧ１および比較発光デバイスＧ１は、どちらも電流効率が良好な発光デバイスであるが、発光デバイスＧ１は、比較発光デバイスＧ１より駆動電圧が低いため消費電力が低く、良好な特性を有する発光デバイスであることが分かった。これにより本発明の一態様の発光デバイスＧ１は、良好な特性を有するタンデム型の発光デバイスであることがわかった。
【0503】
【表6】
【0504】
図３０乃至図３４および表６から、発光デバイスＢ１および比較発光デバイスＢ１はどちらの発光デバイスからも電界発光スペクトルのピーク波長が４５７ｎｍの青色発光が得られることが分かった。また、発光デバイスＢ１および比較発光デバイスＢ１は、どちらも電流効率が良好な発光デバイスであるが、発光デバイスＢ１は、比較発光デバイスＢ１より駆動電圧が低いため消費電力が低く、良好な特性を有する発光デバイスであることが分かった。また、発光デバイスＢ１は、ブルーインデックスの良好な発光デバイスであることが分かった。これにより本発明の一態様の発光デバイスＢ１は、良好な特性を有するタンデム型の発光デバイスであることがわかった。また、発光デバイスＢ１は、特に実用輝度である５００ｃｄ／ｃｍ２以上において特性の良好な発光デバイスであることがわかった。
【0505】
ここで、発光デバイスＲ１、発光デバイスＧ１、および発光デバイスＢ１の第２の電子輸送層は、同じ材料（トリアジン骨格を含む第１の有機化合物）を含んで構成されている。このように、本発明の一態様の発光デバイスでは、異なる発光色の発光デバイスにおいて、第２の電子輸送層が同じ材料で構成されていても、どの発光デバイスも良好な特性を有する発光デバイスとすることが可能となる。
【0506】
次に、赤、緑、および青の副画素に、それぞれ発光デバイスＲ１、発光デバイスＧ１および発光デバイスＢ１を用いた実施例の表示装置と、それぞれ比較発光デバイスＲ１、比較発光デバイスＧ１および比較発光デバイスＢ１を用いた比較例表示装置を各々想定し、表示部（ただし駆動トランジスタおよび駆動回路などの消費電力は除く）の消費電力を試算した。なお、どちらの表示装置も、用いることを想定されている各発光デバイスはタンデム型の発光デバイスであり、且つ、各発光デバイスが有する複数の発光層に含まれる発光中心物質は各々同じ物質であることから塗分け方式を採用した表示装置である。
【0507】
試算のために想定した表示装置の条件は以下の通りである。
【0508】
【表7】
【0509】
まず、上記条件の表示装置において、全面発光させた際にＣＩＥ１９３１色度座標における色度（ｘ，ｙ）＝（０．３１，０．３３）である白色発光が、１０００ｃｄ／ｍ２で得られる発光デバイスの輝度（実効輝度）を各色それぞれ求めた。
【0510】
続いて、開口率を加味し、求められた実効輝度を得るために必要な輝度（真性輝度）を各色の発光デバイスに対して算出した。真性輝度は、当該表示装置をＣＩＥ１９３１色度座標における色度（ｘ，ｙ）＝（０．３１，０．３３）である白色発光で全面発光させた際に、１０００ｃｄ／ｍ２の実効輝度を得るために、実際に各発光デバイスを光らせる輝度である。試算を行う表示装置では全体の開口率３０％、発光色毎では１０％であるため、真性輝度は実効輝度の約１０倍となる。
【0511】
先に示した各発光デバイスの測定結果より、真性輝度を用いて当該輝度で発光デバイスを光らせるための電流密度と電圧を求めることができる。すなわち、上記条件の表示装置において、全面発光させた際にＣＩＥ１９３１色度座標における色度（ｘ，ｙ）＝（０．３１，０．３３）である白色発光が、輝度１０００ｃｄ／ｍ２で得られる発光デバイスの電流密度と電圧とを求めることができる。
【0512】
消費電力は電流量と電圧との積で求められる。電流量は、電流密度とパネル面積と開口率との積で求められる。試算した表示装置の大きさは対角５インチ、縦横比が１６対９で、パネル面積は６８．９ｃｍ２、各色の発光デバイスの開口率は１０％であることから、前段落で算出した電流密度にそれらを掛け合わせることによって電流量が算出でき、さらに、前段落で求めた電圧をかけて、発光色毎に発光デバイスの消費電力を算出することができる。発光デバイス各色において消費電力の算出をし、足し合わせることによって表示装置における表示部の全体（ただし駆動トランジスタおよび駆動回路などの消費電力は除く）の消費電力を求めることができる。
【0513】
発光デバイスＲ１、発光デバイスＧ１および発光デバイスＢ１を用いることを想定した実施例の表示装置について消費電力を算出した結果を表８に、比較発光デバイスＲ１、比較発光デバイスＧ１および比較発光デバイスＢ１を用いることを想定した比較例の表示装置について消費電力を算出した結果を表９に示す。
【0514】
【表8】
【0515】
【表9】
【0516】
表８および表９より、実施例の表示装置は比較例の表示装置より、白色発光での電流効率が高く、且つ駆動電圧が低いことがわかった。また、実施例の表示装置の消費電力は、比較例の表示装置の消費電力よりも小さい表示装置となることがわかった。
【0517】
このように第２の電子輸送層が、トリアジン骨格を含む第１の有機化合物を有し、中間層は、フェナントロリン骨格を有する第２の有機化合物と、リチウムまたはリチウム化合物との混合層を有し、複数の発光層から発する光の発光スペクトルにおける最大ピーク波長の差が３０ｎｍ以下であるタンデム型の発光デバイスを用いた表示装置は、消費電力の小さい良好な特性を有する表示装置であることがわかった。
【符号の説明】
【0518】
１００Ａ 表示装置
１００Ｂ 表示装置
１００Ｃ 表示装置
１００Ｄ 表示装置
１００Ｅ 表示装置
１００ 表示装置
１０１ 第１の電極
１０１ａ 第１の電極
１０１ｂ 第１の電極
１０１ｃ 第１の電極
１０１Ｂ 第１の電極
１０１Ｇ 第１の電極
１０１Ｒ 第１の電極
１０１Ｗ 第１の電極
１０２ 第２の電極
１０３Ｂ 有機化合物層
１０３Ｂｆ 有機化合物膜
１０３Ｇ 有機化合物層
１０３Ｇｆ 有機化合物膜
１０３Ｒ 有機化合物層
１０３Ｒｆ 有機化合物膜
１０３ 有機化合物層
１０３ａ 有機化合物層
１０３ｂ 有機化合物層
１０３ｃ 有機化合物層
１０４ 共通層
１１０Ｂ 副画素
１１０Ｇ 副画素
１１０Ｒ 副画素
１１０Ｗ 副画素
１１０ 副画素
１１１ 正孔注入層
１１１ａ 正孔注入層
１１１ｂ 正孔注入層
１１１ｃ 正孔注入層
１１２Ｂ 導電層
１１２Ｒ 導電層
１１２ 正孔輸送層
１１２ｂ＿２１ 正孔輸送層
１１３ 発光層
１１３ｂ＿１１ 発光層
１１３ｂ＿２１ 発光層
１１４ 電子輸送層
１１６ 中間層
１１７ 第２の層
１１８ 第３の層
１１９ 第１の層
１２０ 基板
１２２ 樹脂層
１２５ｆ 無機絶縁膜
１２５ 無機絶縁層
１２６Ｂ 導電層
１２６Ｒ 導電層
１２７ａ 絶縁層
１２７ｆ 絶縁膜
１２７ 絶縁層
１２８ 層
１２９Ｂ 導電層
１２９Ｒ 導電層
１３０Ｂ 発光デバイス
１３０Ｇ 発光デバイス
１３０Ｒ 発光デバイス
１３０ 発光デバイス
１３０ａ 発光デバイス
１３０ｂ 発光デバイス
１３０ｃ 発光デバイス
１３１ 保護層
１３２Ｂ 着色層
１３２Ｇ 着色層
１３２Ｒ 着色層
１４０ 接続部
１４１ 領域
１４２ 接着層
１５１Ｂ 導電層
１５１Ｃ 導電層
１５１ｆ 導電膜
１５１Ｇ 導電層
１５１Ｒ 導電層
１５１ 導電層
１５２Ｂ 導電層
１５２Ｃ 導電層
１５２ｆ 導電膜
１５２Ｇ 導電層
１５２Ｒ 導電層
１５２ 導電層
１５３ 絶縁層
１５５ 共通電極
１５６Ｂ 絶縁層
１５６Ｃ 絶縁層
１５６ｆ 絶縁膜
１５６Ｇ 絶縁層
１５６Ｒ 絶縁層
１５６ 絶縁層
１５７ 遮光層
１５８Ｂ 犠牲層
１５８Ｂｆ 犠牲膜
１５８Ｇ 犠牲層
１５８Ｇｆ 犠牲膜
１５８Ｒ 犠牲層
１５８Ｒｆ 犠牲膜
１５９Ｂ マスク層
１５９Ｂｆ マスク膜
１５９Ｇ マスク層
１５９Ｇｆ マスク膜
１５９Ｒ マスク層
１５９Ｒｆ マスク膜
１６６ 導電層
１７１ 絶縁層
１７２ 導電層
１７３ 絶縁層
１７４ 絶縁層
１７５ 絶縁層
１７６ プラグ
１７７ 画素部
１７８ 画素
１７８ａ 画素
１７８ｂ 画素
１７９ 導電層
１９０Ｂ レジストマスク
１９０Ｇ レジストマスク
１９０Ｒ レジストマスク
１９１ レジストマスク
２０１ トランジスタ
２０４ 接続部
２０５ トランジスタ
２１１ 絶縁層
２１３ 絶縁層
２１４ 絶縁層
２１５ 絶縁層
２２１ 導電層
２２２ａ 導電層
２２２ｂ 導電層
２２３ 導電層
２２４Ｂ 導電層
２２４Ｃ 導電層
２２４Ｇ 導電層
２２４Ｒ 導電層
２３１ 半導体層
２４０ 容量
２４１ 導電層
２４２ 接続層
２４３ 絶縁層
２４５ 導電層
２５４ 絶縁層
２５５ 絶縁層
２５６ プラグ
２６１ 絶縁層
２７１ プラグ
２８０ 表示モジュール
２８１ 表示部
２８２ 回路部
２８３ａ 画素回路
２８３ 画素回路部
２８４ａ 画素
２８４ 画素部
２８５ 端子部
２８６ 配線部
２９０ ＦＰＣ
２９１ 基板
２９２ 基板
３０１ 基板
３１０ トランジスタ
３１１ 導電層
３１２ 低抵抗領域
３１３ 絶縁層
３１４ 絶縁層
３１５ 素子分離層
３１７ 遮光層
３５１ 基板
３５２ 基板
３５３ ＦＰＣ
３５４ ＩＣ
３５５ 配線
３５６ 回路
５０１ 第１の発光ユニット
５０１ａ 第１の発光ユニット
５０１ｂ 第１の発光ユニット
５０１ｃ 第１の発光ユニット
５０２ 第２の発光ユニット
５０２ａ 第２の発光ユニット
５０２ｂ 第２の発光ユニット
５０２ｃ 第２の発光ユニット
６０１ ソース線駆動回路， 駆動回路部
６０２ 画素部
６０３ ゲート線駆動回路
６０４ 封止基板
６０５ シール材
６０７ 空間
６０８ 引き回し配線
６１０ 素子基板
６１１ スイッチング用ＦＥＴ
６１２ 電流制御用ＦＥＴ
６１３ 第１の電極
６１４ 絶縁物
６１６ 有機化合物層
６１７ 第２の電極
６１８ 発光デバイス
６２３ ＦＥＴ
７００Ａ 電子機器
７００Ｂ 電子機器
７２１ 筐体
７２３ 装着部
７２７ イヤフォン部
７５０ イヤフォン
７５１ 表示パネル
７５３ 光学部材
７５６ 表示領域
７５７ フレーム
７５８ 鼻パッド
８００Ａ 電子機器
８００Ｂ 電子機器
８２０ 表示部
８２１ 筐体
８２２ 通信部
８２３ 装着部
８２４ 制御部
８２５ 撮像部
８２７ イヤフォン部
８３２ レンズ
６５００ 電子機器
６５０１ 筐体
６５０２ 表示部
６５０３ 電源ボタン
６５０４ ボタン
６５０５ スピーカ
６５０６ マイク
６５０７ カメラ
６５０８ 光源
６５１０ 保護部材
６５１１ 表示パネル
６５１２ 光学部材
６５１３ タッチセンサパネル
６５１５ ＦＰＣ
６５１６ ＩＣ
６５１７ プリント基板
６５１８ バッテリ
７０００ 表示部
７１００ テレビジョン装置
７１５１ リモコン操作機
７１７１ 筐体
７１７３ スタンド
７２００ ノート型パーソナルコンピュータ
７２１１ 筐体
７２１２ キーボード
７２１３ ポインティングデバイス
７２１４ 外部接続ポート
７３００ デジタルサイネージ
７３０１ 筐体
７３０３ スピーカ
７３１１ 情報端末機
７４００ デジタルサイネージ
７４０１ 柱
７４１１ 情報端末機
９０００ 筐体
９００１ 表示部
９００２ カメラ
９００３ スピーカ
９００５ 操作キー
９００６ 接続端子
９００７ センサ
９００８ マイクロフォン
９０５０ アイコン
９０５１ 情報
９０５２ 情報
９０５３ 情報
９０５４ 情報
９０５５ ヒンジ
９１７１ 携帯情報端末
９１７２ 携帯情報端末
９１７３ タブレット端末
９２００ 携帯情報端末
９２０１ 携帯情報端末
１００Ｂ 表示装置
１００Ｃ 表示装置
１００Ｄ 表示装置
１００Ｅ 表示装置
１００ 表示装置
１０１ 第１の電極
１０１ａ 第１の電極
１０１ｂ 第１の電極
１０１ｃ 第１の電極
１０１Ｂ 第１の電極
１０１Ｇ 第１の電極
１０１Ｒ 第１の電極
１０１Ｗ 第１の電極
１０２ 第２の電極
１０３Ｂ 有機化合物層
１０３Ｂｆ 有機化合物膜
１０３Ｇ 有機化合物層
１０３Ｇｆ 有機化合物膜
１０３Ｒ 有機化合物層
１０３Ｒｆ 有機化合物膜
１０３ 有機化合物層
１０３ａ 有機化合物層
１０３ｂ 有機化合物層
１０３ｃ 有機化合物層
１０４ 共通層
１１０Ｂ 副画素
１１０Ｇ 副画素
１１０Ｒ 副画素
１１０Ｗ 副画素
１１０ 副画素
１１１ 正孔注入層
１１１ａ 正孔注入層
１１１ｂ 正孔注入層
１１１ｃ 正孔注入層
１１２Ｂ 導電層
１１２Ｒ 導電層
１１２ 正孔輸送層
１１２ｂ＿２１ 正孔輸送層
１１３ 発光層
１１３ｂ＿１１ 発光層
１１３ｂ＿２１ 発光層
１１４ 電子輸送層
１１６ 中間層
１１７ 第２の層
１１８ 第３の層
１１９ 第１の層
１２０ 基板
１２２ 樹脂層
１２５ｆ 無機絶縁膜
１２５ 無機絶縁層
１２６Ｂ 導電層
１２６Ｒ 導電層
１２７ａ 絶縁層
１２７ｆ 絶縁膜
１２７ 絶縁層
１２８ 層
１２９Ｂ 導電層
１２９Ｒ 導電層
１３０Ｂ 発光デバイス
１３０Ｇ 発光デバイス
１３０Ｒ 発光デバイス
１３０ 発光デバイス
１３０ａ 発光デバイス
１３０ｂ 発光デバイス
１３０ｃ 発光デバイス
１３１ 保護層
１３２Ｂ 着色層
１３２Ｇ 着色層
１３２Ｒ 着色層
１４０ 接続部
１４１ 領域
１４２ 接着層
１５１Ｂ 導電層
１５１Ｃ 導電層
１５１ｆ 導電膜
１５１Ｇ 導電層
１５１Ｒ 導電層
１５１ 導電層
１５２Ｂ 導電層
１５２Ｃ 導電層
１５２ｆ 導電膜
１５２Ｇ 導電層
１５２Ｒ 導電層
１５２ 導電層
１５３ 絶縁層
１５５ 共通電極
１５６Ｂ 絶縁層
１５６Ｃ 絶縁層
１５６ｆ 絶縁膜
１５６Ｇ 絶縁層
１５６Ｒ 絶縁層
１５６ 絶縁層
１５７ 遮光層
１５８Ｂ 犠牲層
１５８Ｂｆ 犠牲膜
１５８Ｇ 犠牲層
１５８Ｇｆ 犠牲膜
１５８Ｒ 犠牲層
１５８Ｒｆ 犠牲膜
１５９Ｂ マスク層
１５９Ｂｆ マスク膜
１５９Ｇ マスク層
１５９Ｇｆ マスク膜
１５９Ｒ マスク層
１５９Ｒｆ マスク膜
１６６ 導電層
１７１ 絶縁層
１７２ 導電層
１７３ 絶縁層
１７４ 絶縁層
１７５ 絶縁層
１７６ プラグ
１７７ 画素部
１７８ 画素
１７８ａ 画素
１７８ｂ 画素
１７９ 導電層
１９０Ｂ レジストマスク
１９０Ｇ レジストマスク
１９０Ｒ レジストマスク
１９１ レジストマスク
２０１ トランジスタ
２０４ 接続部
２０５ トランジスタ
２１１ 絶縁層
２１３ 絶縁層
２１４ 絶縁層
２１５ 絶縁層
２２１ 導電層
２２２ａ 導電層
２２２ｂ 導電層
２２３ 導電層
２２４Ｂ 導電層
２２４Ｃ 導電層
２２４Ｇ 導電層
２２４Ｒ 導電層
２３１ 半導体層
２４０ 容量
２４１ 導電層
２４２ 接続層
２４３ 絶縁層
２４５ 導電層
２５４ 絶縁層
２５５ 絶縁層
２５６ プラグ
２６１ 絶縁層
２７１ プラグ
２８０ 表示モジュール
２８１ 表示部
２８２ 回路部
２８３ａ 画素回路
２８３ 画素回路部
２８４ａ 画素
２８４ 画素部
２８５ 端子部
２８６ 配線部
２９０ ＦＰＣ
２９１ 基板
２９２ 基板
３０１ 基板
３１０ トランジスタ
３１１ 導電層
３１２ 低抵抗領域
３１３ 絶縁層
３１４ 絶縁層
３１５ 素子分離層
３１７ 遮光層
３５１ 基板
３５２ 基板
３５３ ＦＰＣ
３５４ ＩＣ
３５５ 配線
３５６ 回路
５０１ 第１の発光ユニット
５０１ａ 第１の発光ユニット
５０１ｂ 第１の発光ユニット
５０１ｃ 第１の発光ユニット
５０２ 第２の発光ユニット
５０２ａ 第２の発光ユニット
５０２ｂ 第２の発光ユニット
５０２ｃ 第２の発光ユニット
６０１ ソース線駆動回路， 駆動回路部
６０２ 画素部
６０３ ゲート線駆動回路
６０４ 封止基板
６０５ シール材
６０７ 空間
６０８ 引き回し配線
６１０ 素子基板
６１１ スイッチング用ＦＥＴ
６１２ 電流制御用ＦＥＴ
６１３ 第１の電極
６１４ 絶縁物
６１６ 有機化合物層
６１７ 第２の電極
６１８ 発光デバイス
６２３ ＦＥＴ
７００Ａ 電子機器
７００Ｂ 電子機器
７２１ 筐体
７２３ 装着部
７２７ イヤフォン部
７５０ イヤフォン
７５１ 表示パネル
７５３ 光学部材
７５６ 表示領域
７５７ フレーム
７５８ 鼻パッド
８００Ａ 電子機器
８００Ｂ 電子機器
８２０ 表示部
８２１ 筐体
８２２ 通信部
８２３ 装着部
８２４ 制御部
８２５ 撮像部
８２７ イヤフォン部
８３２ レンズ
６５００ 電子機器
６５０１ 筐体
６５０２ 表示部
６５０３ 電源ボタン
６５０４ ボタン
６５０５ スピーカ
６５０６ マイク
６５０７ カメラ
６５０８ 光源
６５１０ 保護部材
６５１１ 表示パネル
６５１２ 光学部材
６５１３ タッチセンサパネル
６５１５ ＦＰＣ
６５１６ ＩＣ
６５１７ プリント基板
６５１８ バッテリ
７０００ 表示部
７１００ テレビジョン装置
７１５１ リモコン操作機
７１７１ 筐体
７１７３ スタンド
７２００ ノート型パーソナルコンピュータ
７２１１ 筐体
７２１２ キーボード
７２１３ ポインティングデバイス
７２１４ 外部接続ポート
７３００ デジタルサイネージ
７３０１ 筐体
７３０３ スピーカ
７３１１ 情報端末機
７４００ デジタルサイネージ
７４０１ 柱
７４１１ 情報端末機
９０００ 筐体
９００１ 表示部
９００２ カメラ
９００３ スピーカ
９００５ 操作キー
９００６ 接続端子
９００７ センサ
９００８ マイクロフォン
９０５０ アイコン
９０５１ 情報
９０５２ 情報
９０５３ 情報
９０５４ 情報
９０５５ ヒンジ
９１７１ 携帯情報端末
９１７２ 携帯情報端末
９１７３ タブレット端末
９２００ 携帯情報端末
９２０１ 携帯情報端末
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図32】
【図33】
【図34】