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特開2025-107989コロイダル粒子インク組成物、これを利用したコロイダル粒子パターン形成方法、コロイダル粒子パターンフィルム、及び電子素子
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2025107989
(43)【公開日】2025-07-22
(54)【発明の名称】コロイダル粒子インク組成物、これを利用したコロイダル粒子パターン形成方法、コロイダル粒子パターンフィルム、及び電子素子
(51)【国際特許分類】
C09D 11/102 20140101AFI20250714BHJP
H05B 33/14 20060101ALI20250714BHJP
H05B 33/10 20060101ALI20250714BHJP
H10K 50/115 20230101ALI20250714BHJP
H10K 71/20 20230101ALI20250714BHJP
H10K 71/12 20230101ALI20250714BHJP
H10K 71/40 20230101ALI20250714BHJP
H10K 85/10 20230101ALI20250714BHJP
B82Y 40/00 20110101ALI20250714BHJP
B82Y 20/00 20110101ALI20250714BHJP
C09D 11/50 20140101ALI20250714BHJP
C09K 11/08 20060101ALI20250714BHJP
C09K 11/06 20060101ALI20250714BHJP
C09K 11/02 20060101ALI20250714BHJP
C09K 11/88 20060101ALN20250714BHJP
C09K 11/56 20060101ALN20250714BHJP
C09K 11/70 20060101ALN20250714BHJP
【ＦＩ】
C09D11/102
H05B33/14 Z ZYW
H05B33/10
H10K50/115
H10K71/20
H10K71/12
H10K71/40
H10K85/10
B82Y40/00
B82Y20/00
C09D11/50
C09K11/08 G
C09K11/06 660
C09K11/02 Z
H05B33/14 Z
C09D11/102 ZYW
C09K11/88
C09K11/56
C09K11/70
【審査請求】有
【請求項の数】20
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2025003483
(22)【出願日】2025-01-09
(31)【優先権主張番号】10-2024-0003638
(32)【優先日】2024-01-09
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(31)【優先権主張番号】10-2025-0002060
(32)【優先日】2025-01-07
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(71)【出願人】
【識別番号】517153929
【氏名又は名称】蔚山科學技術院
(71)【出願人】
【識別番号】522242111
【氏名又は名称】ソガン ユニバーシティ リサーチ アンド ビジネス ディベロプメント ファウンデーション
【氏名又は名称原語表記】ＳＯＧＡＮＧ ＵＮＩＶＥＲＳＩＴＹ ＲＥＳＥＡＲＣＨ ＆ ＢＵＳＩＮＥＳＳ ＤＥＶＥＬＯＰＭＥＮＴ ＦＯＵＮＤＡＴＩＯＮ
【住所又は居所原語表記】３５ Ｂａｅｋｂｅｏｍ－ｒｏ，Ｍａｐｏ－ｇｕ，Ｓｅｏｕｌ ０４１０７（ＫＲ）
(74)【代理人】
【識別番号】100108453
【弁理士】
【氏名又は名称】村山 靖彦
(74)【代理人】
【識別番号】100188558
【弁理士】
【氏名又は名称】飯田 雅人
(74)【代理人】
【識別番号】100110364
【弁理士】
【氏名又は名称】実広 信哉
(72)【発明者】
【氏名】金 奉帥
(72)【発明者】
【氏名】咸 孝賓
(72)【発明者】
【氏名】姜 文晟
(72)【発明者】
【氏名】林 昌赫
【テーマコード（参考）】
3K107
4H001
4J039
【Ｆターム（参考）】
3K107AA05
3K107CC45
3K107DD53
3K107DD57
3K107DD60
3K107DD70
3K107DD71
3K107FF15
3K107GG06
3K107GG11
3K107GG26
4H001CA01
4H001CA02
4H001CC13
4H001XA15
4H001XA16
4H001XA30
4H001XA34
4H001XA48
4H001XA49
4H001XA52
4H001XB10
4H001XB20
4H001XB30
4H001XB40
4H001XB50
4H001XB60
4J039BA07
4J039BC44
4J039BE25
4J039EA06
4J039EA27
(57)【要約】
【課題】コロイダル粒子インク組成物、これを利用したコロイダル粒子パターン形成方法、コロイダル粒子パターンフィルム、及び電子素子を提供する。
【解決手段】コロイダル粒子インク組成物、これを利用したコロイダル粒子パターン形成方法、コロイダル粒子パターンフィルム、及び電子素子である。
【選択図】図１
【解決手段】コロイダル粒子インク組成物、これを利用したコロイダル粒子パターン形成方法、コロイダル粒子パターンフィルム、及び電子素子である。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
コロイダル粒子及び低温活性化架橋剤を含む、コロイダル粒子インク組成物。
【請求項2】
前記コロイダル粒子が、半導体ナノ結晶及び前記ナノ結晶の表面に結合された有機リガンドを含む、請求項１に記載のコロイダル粒子インク組成物。
【請求項3】
前記半導体ナノ結晶が、コア及び前記コアの少なくとも一部を覆うシェルを含む、請求項２に記載のコロイダル粒子インク組成物。
【請求項4】
前記半導体ナノ結晶が、ＩＩＩ－ＶＩ族半導体化合物；ＩＩ－ＶＩ族半導体化合物；ＩＩＩ－Ｖ族半導体化合物；ＩＩＩ－ＶＩ族半導体化合物；Ｉ－ＩＩＩ－ＶＩ族半導体化合物；ＩＶ－ＶＩ族半導体化合物；ＩＶ族化合物；またはそれらの任意の組み合わせ；を含む、請求項２に記載のコロイダル粒子インク組成物。
【請求項5】
前記有機リガンドが、Ｃ４－Ｃ３０脂肪酸またはその誘導体を含む、請求項２に記載のコロイダル粒子インク組成物。
【請求項6】
前記低温活性化架橋剤が０℃～１３０℃の温度で熱的に活性化されるか、２００ｎｍ～３８０ｎｍの紫外線により活性化されて中間体を生成する、請求項１に記載のコロイダル粒子インク組成物。
【請求項7】
前記低温活性化架橋剤がジアゾ（diazo）基を含む化合物である、請求項１に記載のコロイダル粒子インク組成物。
【請求項8】
前記低温活性化架橋剤が下記化学式１で表される化合物である、請求項１に記載のコロイダル粒子インク組成物：
前記化学式１において、
Ｌ１及びＬ２は、互いに独立して、単結合、または少なくとも１つのＲ１で置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ３０アルキレン基であり、
ｍ１及びｍ２は、互いに独立して、１、２、３、４、５または６であり、
Ａｒ１及びＡｒ２は、少なくとも１つのＲ１で置換もしくは非置換のＣ５－Ｃ６０炭素環基、または少なくとも１つのＲ１で置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０ヘテロ環基であり、
ｎ１及びｎ２は、互いに独立して、０、１、２、３、４、５、６、７、８、９または１０であり、
ｎ１とｎ２との和が２以上であり、
Ｑ１～Ｑ３は、互いに独立して、単結合、Ｏ、Ｓ、Ｃ、Ｃ（Ｒ２）、Ｃ（Ｒ２）（Ｒ３）、または少なくとも１つのＲ１で置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ３０アルキレン基であり、
Ｘ１及びＸ２は、互いに独立して、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｎ（Ｒ４）、Ｃ（Ｒ４）（Ｒ５）であり、
Ｒ１～Ｒ５は、互いに独立して、水素、重水素、－Ｆ、－Ｃｌ、－Ｂｒ、－Ｉ、ヒドロキシル基、シアノ基、Ｃ１－Ｃ３０アルキル基、Ｃ２－Ｃ３０アルケニル基、Ｃ２－Ｃ３０アルキニル基、Ｃ１－Ｃ３０アルコキシ基、Ｃ１－Ｃ３０アルキルチオ基、Ｃ５－Ｃ６０炭素環基、Ｃ１－Ｃ６０ヘテロ環基、または－Ｓｉ（Ｑ１１）（Ｑ１２）（Ｑ１３）であり、
Ｑ１１～Ｑ１３は、互いに独立して、水素、重水素、－Ｆ、－Ｃｌ、－Ｂｒ、－Ｉ、ヒドロキシル基、シアノ基、Ｃ１－Ｃ３０アルキル基、Ｃ２－Ｃ３０アルケニル基、Ｃ２－Ｃ３０アルキニル基、Ｃ１－Ｃ３０アルコキシ基、またはＣ１－Ｃ３０アルキルチオ基である。
【化1】
Ｌ１及びＬ２は、互いに独立して、単結合、または少なくとも１つのＲ１で置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ３０アルキレン基であり、
ｍ１及びｍ２は、互いに独立して、１、２、３、４、５または６であり、
Ａｒ１及びＡｒ２は、少なくとも１つのＲ１で置換もしくは非置換のＣ５－Ｃ６０炭素環基、または少なくとも１つのＲ１で置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０ヘテロ環基であり、
ｎ１及びｎ２は、互いに独立して、０、１、２、３、４、５、６、７、８、９または１０であり、
ｎ１とｎ２との和が２以上であり、
Ｑ１～Ｑ３は、互いに独立して、単結合、Ｏ、Ｓ、Ｃ、Ｃ（Ｒ２）、Ｃ（Ｒ２）（Ｒ３）、または少なくとも１つのＲ１で置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ３０アルキレン基であり、
Ｘ１及びＸ２は、互いに独立して、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｎ（Ｒ４）、Ｃ（Ｒ４）（Ｒ５）であり、
Ｒ１～Ｒ５は、互いに独立して、水素、重水素、－Ｆ、－Ｃｌ、－Ｂｒ、－Ｉ、ヒドロキシル基、シアノ基、Ｃ１－Ｃ３０アルキル基、Ｃ２－Ｃ３０アルケニル基、Ｃ２－Ｃ３０アルキニル基、Ｃ１－Ｃ３０アルコキシ基、Ｃ１－Ｃ３０アルキルチオ基、Ｃ５－Ｃ６０炭素環基、Ｃ１－Ｃ６０ヘテロ環基、または－Ｓｉ（Ｑ１１）（Ｑ１２）（Ｑ１３）であり、
Ｑ１１～Ｑ１３は、互いに独立して、水素、重水素、－Ｆ、－Ｃｌ、－Ｂｒ、－Ｉ、ヒドロキシル基、シアノ基、Ｃ１－Ｃ３０アルキル基、Ｃ２－Ｃ３０アルケニル基、Ｃ２－Ｃ３０アルキニル基、Ｃ１－Ｃ３０アルコキシ基、またはＣ１－Ｃ３０アルキルチオ基である。
【請求項9】
前記低温活性化架橋剤が下記化学式２で表される化合物である、請求項８に記載のコロイダル粒子インク組成物：
前記化学式２において、
Ｌ１、Ｌ２、ｍ１、ｍ２、ｎ１、ｎ２、Ｘ１、Ｘ２、及びＱ１～Ｑ３に係わる説明は、請求項８中の説明と同様であり、
Ｒ１１～Ｒ１５及びＲ２１～Ｒ２５に係わる説明は、互いに独立して、請求項８中のＲ１に係わる説明と同様である。
【化2】
Ｌ１、Ｌ２、ｍ１、ｍ２、ｎ１、ｎ２、Ｘ１、Ｘ２、及びＱ１～Ｑ３に係わる説明は、請求項８中の説明と同様であり、
Ｒ１１～Ｒ１５及びＲ２１～Ｒ２５に係わる説明は、互いに独立して、請求項８中のＲ１に係わる説明と同様である。
【請求項10】
前記低温活性化架橋剤が下記化合物１～７から選択された１種以上である、請求項１に記載のコロイダル粒子インク組成物：
【化3】
【化4】
【化5】
【請求項11】
請求項１ないし１０のうちいずれか一項に記載のコロイダル粒子インク組成物を利用した、コロイダル粒子パターン形成方法。
【請求項12】
第１フォトレジストパターン上に、第１コロイダル粒子と第１低温活性化架橋剤とを含む第１コロイダル粒子インク組成物を塗布する段階と、
前記塗布された第１コロイダル粒子インク組成物を０℃～１３０℃の温度でアニーリング（annealing）する段階と、
前記第１フォトレジストパターンを除去して第１コロイダル粒子パターンを形成する段階と、を含む、請求項１１に記載のコロイダル粒子パターン形成方法。
前記塗布された第１コロイダル粒子インク組成物を０℃～１３０℃の温度でアニーリング（annealing）する段階と、
前記第１フォトレジストパターンを除去して第１コロイダル粒子パターンを形成する段階と、を含む、請求項１１に記載のコロイダル粒子パターン形成方法。
【請求項13】
前記第１コロイダル粒子パターンの厚さに対する前記第１フォトレジストパターンの厚さの比が１：１～１：０．７である、請求項１２に記載のコロイダル粒子パターン形成方法。
【請求項14】
プラズマエッチングによって前記第１フォトレジストパターン及び／または第１コロイダル粒子パターンの厚さを減少させる段階をさらに含む、請求項１２に記載のコロイダル粒子パターン形成方法。
【請求項15】
前記第１コロイダル粒子パターン上に第２フォトレジストパターンを形成する段階と、
前記第２フォトレジストパターン上に、第２コロイダル粒子と第２低温活性化架橋剤とを含む第２コロイダル粒子インク組成物を塗布する段階と、
前記塗布された第２コロイダル粒子インク組成物を０℃～１３０℃の温度でアニーリングする段階と、
前記第２フォトレジストパターンを除去して第２コロイダル粒子パターンを形成する段階と、を含み、
前記第１コロイダル粒子と前記第２コロイダル粒子とが互いに異なる色相を示す、請求項１２に記載のコロイダル粒子パターン形成方法。
前記第２フォトレジストパターン上に、第２コロイダル粒子と第２低温活性化架橋剤とを含む第２コロイダル粒子インク組成物を塗布する段階と、
前記塗布された第２コロイダル粒子インク組成物を０℃～１３０℃の温度でアニーリングする段階と、
前記第２フォトレジストパターンを除去して第２コロイダル粒子パターンを形成する段階と、を含み、
前記第１コロイダル粒子と前記第２コロイダル粒子とが互いに異なる色相を示す、請求項１２に記載のコロイダル粒子パターン形成方法。
【請求項16】
請求項１ないし１０のうちいずれか一項に記載のコロイダル粒子インク組成物を用いて形成された、コロイダル粒子パターンフィルム。
【請求項17】
前記コロイダル粒子パターンフィルムが、基材及び前記基材上に形成されたコロイダル粒子パターンを含み、
前記コロイダル粒子パターンの厚さが１ｎｍ～５０ｎｍである、請求項１６に記載のコロイダル粒子パターンフィルム。
前記コロイダル粒子パターンの厚さが１ｎｍ～５０ｎｍである、請求項１６に記載のコロイダル粒子パターンフィルム。
【請求項18】
請求項１ないし１０のうちいずれか一項に記載のコロイダル粒子インク組成物を用いて形成されたコロイダル粒子パターンを含む、電子素子。
【請求項19】
前記電子素子は、薄膜トランジスタ（thin film transistor: TFT）、電気変色素子（electrochromic device: EC）、発光素子（light emitting diode: LED）、太陽電池（solar cell）、またはフォトダイオード（photodiode）である、請求項１８に記載の電子素子。
【請求項20】
前記電子素子がコロイダル粒子発光素子であり、
前記コロイダル粒子発光素子が、第１電極、前記第１電極に対向する第２電極、及び前記第１電極と前記第２電極との間に配置された、発光層を含む中間層を含み、
前記発光層が前記コロイダル粒子パターンを含む、請求項１８に記載の電子素子。
前記コロイダル粒子発光素子が、第１電極、前記第１電極に対向する第２電極、及び前記第１電極と前記第２電極との間に配置された、発光層を含む中間層を含み、
前記発光層が前記コロイダル粒子パターンを含む、請求項１８に記載の電子素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、コロイダル粒子インク組成物、これを利用したコロイダル粒子パターン形成方法、コロイダル粒子パターンフィルム、及び電子素子に関する。
【0002】
本研究は、三星未来技術育成事業（課題番号：ＳＲＦＣ－ＭＡ１９０１－５１）及び韓国研究財団（課題番号：２０２１Ｒ１Ａ２Ｃ２００８３３２及びＲＳ－２０２４－００４４５１１６）の支援を受けて行われた。
【背景技術】
【0003】
コロイダル粒子は、光電子装置における潜在的な応用によって、最近数年間広範囲に研究されている。例えば、このような材料の一例として量子ドットは、調整可能なバンドギャップ、狭い帯域幅、高い発光効率、及び溶液加工性をはじめとする興味のある物理的特性を示す。しかし、このような溶液加工ナノ物質に好適なパターニング工程を開発することは依然として課題として残っている。フォトリソグラフィは、利用可能な多様なパターニング方法のうち最も有望な技術の１つであり、産業要求事項を満たす高解像度パターンを生産することができる。
【0004】
従来のフォトリソグラフィでは、重なったフォトレジスト（photoresist）の事前パターンの特徴によって対象物質を物理的または化学的にエッチング（etching）してパターンを生成する。この過程において、ターゲット材料は、物理的特性を維持しながら過酷なエッチング条件を耐えなければならない。しかし、量子ドットのようなナノ構造の発光材料の発光特性は、広い表面積にわたって生成された欠陥により、エッチング段階において低下する可能性がある。また、従来の一般的な直接フォトパターニング（direct photopatterning）工程は、対象層の選択的な化学的変換とそれによる適切な現像段階を通じてパターンを形成する有望なリソグラフィアプローチとして活用されており、エッチング段階を含まない。しかし、直接フォトパターニングにおいて化学的変換に必要な高エネルギー照射及び／または高温熱処理は、ナノ構造発光材料、特に量子ドットの固有の発光特性に対する潜在的な損傷への懸念を起こす。また、直接フォトパターニングによって形成された量子ドットパターンは忠実度が高くないという短所がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
本発明が解決しようとする課題は、高い忠実度を有するコロイダル粒子パターンを形成することができるコロイダル粒子インク組成物を提供することである。また、前記コロイダル粒子インク組成物を利用したコロイダル粒子パターン形成方法及びコロイダル粒子パターンフィルムを提供する。さらに、前記コロイダル粒子インク組成物を用いて形成されたコロイダル粒子パターンを含み、優れた特性を有する電子素子を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0006】
一側面によれば、コロイダル粒子及び低温活性化架橋剤を含む、コロイダル粒子インク組成物が提供される。
【0007】
一実施形態によれば、前記低温活性化架橋剤が０℃～１３０℃の温度で熱的に活性化されるか、２００ｎｍ～３８０ｎｍの紫外線により活性化されて中間体を生成することができる。
【0008】
一実施形態によれば、前記低温活性化架橋剤がジアゾ（diazo）基を含む化合物でもある。
【0009】
一実施形態によれば、前記低温活性化架橋剤が下記化学式１で表される化合物でもある：
【0010】
【化1】
【0011】
前記化学式１において、
Ｌ１及びＬ２は、互いに独立して、単結合、または少なくとも１つのＲ１で置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ３０アルキレン基であり、
ｍ１及びｍ２は、互いに独立して、１、２、３、４、５または６であり、
Ａｒ１及びＡｒ２は、少なくとも１つのＲ１で置換もしくは非置換のＣ５－Ｃ６０炭素環基、または少なくとも１つのＲ１で置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０ヘテロ環基であり、
ｎ１及びｎ２は、互いに独立して、０、１、２、３、４、５、６、７、８、９または１０であり、
ｎ１とｎ２との和が２以上であり、
Ｑ１～Ｑ３は、互いに独立して、単結合、Ｏ、Ｓ、Ｃ、Ｃ（Ｒ２）、Ｃ（Ｒ２）（Ｒ３）、または少なくとも１つのＲ１で置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ３０アルキレン基であり、
Ｘ１及びＸ２は、互いに独立して、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｎ（Ｒ４）、Ｃ（Ｒ４）（Ｒ５）であり、
Ｒ１～Ｒ５は、互いに独立して、水素、重水素、－Ｆ、－Ｃｌ、－Ｂｒ、－Ｉ、ヒドロキシル基、シアノ基、Ｃ１－Ｃ３０アルキル基、Ｃ２－Ｃ３０アルケニル基、Ｃ２－Ｃ３０アルキニル基、Ｃ１－Ｃ３０アルコキシ基、Ｃ１－Ｃ３０アルキルチオ基、Ｃ５－Ｃ６０炭素環基、Ｃ１－Ｃ６０ヘテロ環基、または－Ｓｉ（Ｑ１１）（Ｑ１２）（Ｑ１３）であり、
Ｑ１１～Ｑ１３は、互いに独立して、水素、重水素、－Ｆ、－Ｃｌ、－Ｂｒ、－Ｉ、ヒドロキシル基、シアノ基、Ｃ１－Ｃ３０アルキル基、Ｃ２－Ｃ３０アルケニル基、Ｃ２－Ｃ３０アルキニル基、Ｃ１－Ｃ３０アルコキシ基、またはＣ１－Ｃ３０アルキルチオ基である。
Ｌ１及びＬ２は、互いに独立して、単結合、または少なくとも１つのＲ１で置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ３０アルキレン基であり、
ｍ１及びｍ２は、互いに独立して、１、２、３、４、５または６であり、
Ａｒ１及びＡｒ２は、少なくとも１つのＲ１で置換もしくは非置換のＣ５－Ｃ６０炭素環基、または少なくとも１つのＲ１で置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０ヘテロ環基であり、
ｎ１及びｎ２は、互いに独立して、０、１、２、３、４、５、６、７、８、９または１０であり、
ｎ１とｎ２との和が２以上であり、
Ｑ１～Ｑ３は、互いに独立して、単結合、Ｏ、Ｓ、Ｃ、Ｃ（Ｒ２）、Ｃ（Ｒ２）（Ｒ３）、または少なくとも１つのＲ１で置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ３０アルキレン基であり、
Ｘ１及びＸ２は、互いに独立して、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｎ（Ｒ４）、Ｃ（Ｒ４）（Ｒ５）であり、
Ｒ１～Ｒ５は、互いに独立して、水素、重水素、－Ｆ、－Ｃｌ、－Ｂｒ、－Ｉ、ヒドロキシル基、シアノ基、Ｃ１－Ｃ３０アルキル基、Ｃ２－Ｃ３０アルケニル基、Ｃ２－Ｃ３０アルキニル基、Ｃ１－Ｃ３０アルコキシ基、Ｃ１－Ｃ３０アルキルチオ基、Ｃ５－Ｃ６０炭素環基、Ｃ１－Ｃ６０ヘテロ環基、または－Ｓｉ（Ｑ１１）（Ｑ１２）（Ｑ１３）であり、
Ｑ１１～Ｑ１３は、互いに独立して、水素、重水素、－Ｆ、－Ｃｌ、－Ｂｒ、－Ｉ、ヒドロキシル基、シアノ基、Ｃ１－Ｃ３０アルキル基、Ｃ２－Ｃ３０アルケニル基、Ｃ２－Ｃ３０アルキニル基、Ｃ１－Ｃ３０アルコキシ基、またはＣ１－Ｃ３０アルキルチオ基である。
【0012】
他の側面によれば、前記コロイダル粒子インク組成物を利用したコロイダル粒子パターン形成方法が提供される。
【0013】
さらに他の側面によれば、前記コロイダル粒子インク組成物を用いて形成されたコロイダル粒子パターンフィルムが提供される。
【0014】
さらに他の側面によれば、前記コロイダル粒子インク組成物を用いて形成されたコロイダル粒子パターンを含む電子素子が提供される。
【発明の効果】
【0015】
前記コロイダル粒子インク組成物を用いて形成されたコロイダル粒子パターンは、忠実度（fidelity）が高く、線縁粗さ（line edge roughness）及び表面粗さ（surface roughness）が減少できる。また、前記コロイダル粒子インク組成物を用いてコロイダル粒子パターンを形成する場合にコロイダル粒子が低温活性化架橋剤によって架橋されるので、高温熱処理なしにも架橋反応が起こり、また、化学的架橋反応によって化学的耐久性及び／または溶媒に対する抵抗性に優れるので、必要に応じてインクの塗布とパターニングを反復して高品位の多重色相コロイダル粒子パターンを形成することができる。さらに、多様な次元を有するか、発光または無発光特性を有する多様なコロイダル粒子に対しても架橋とパターニングを行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【0016】
【図1】一実施形態によるコロイダル粒子パターン形成方法を概略的に示す図面である。
【図2】一実施形態によるコロイダル粒子パターン形成方法によって製造されたコロイダル粒子パターンを原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）で観察した写真と高さプロファイル（height profile）を示す図面である。
【図3】一実施形態によるコロイダル粒子パターン形成方法によって製造されたコロイダル粒子パターンの線縁粗さ（line edge roughness）、線幅変化（line width variation）及び表面粗さ（surface roughness）を示す図面である。
【図4】一実施形態によるコロイダル粒子パターン形成方法を概略的に示す図面である。
【図5】一実施形態によるコロイダル粒子パターンを蛍光顕微鏡で観察した図面である。
【図6】一実施形態によるコロイダル粒子パターン形成方法によって製造されたコロイダル粒子パターンをＡＦＭで観察した写真と高さプロファイルを示す図面である。
【図7】一実施形態によるコロイダル粒子パターン形成方法によって形成されたＣｕＩｎＳ、ＩｎＡｓ及びＰｂＳ量子ドットの線パターンの光学顕微鏡イメージを示す図面である。
【図8】一実施形態による電子素子の例示を概略的に示す断面図である。
【図9】一実施形態による電子素子の発光スペクトルを示す図面である。
【図10】一実施形態による電子素子の電流密度（Ｊ）－電圧（Ｖ）－輝度（Ｌ）プロファイル及び外部量子効率（ＥＱＥ）－Ｊプロファイルを示す図面である。
【図11】一実施形態による電子素子の電流密度（Ｊ）－電圧（Ｖ）－輝度（Ｌ）プロファイル及び外部量子効率（ＥＱＥ）－Ｊプロファイルを示す図面である。
【図12】一実施形態による電子素子の電流密度（Ｊ）－電圧（Ｖ）－輝度（Ｌ）プロファイル及び外部量子効率（ＥＱＥ）－Ｊプロファイルを示す図面である。
【発明を実施するための形態】
【0017】
以下、本発明をさらに詳細に説明する。
【0018】
本明細書において、「含む」または「有する」などの用語は、明細書上に記載の特徴または構成要素が存在することを意味するものであり、１つ以上の他の特徴または構成要素が付加される可能性を予め排除するものではない。
【0019】
本明細書において、層、膜などの各種構成要素が他の構成要素の「上に」あるとするとき、これは、他の構成要素の「真上に」ある場合だけでなく、その間に他の構成要素が介在された場合も含む。
【0020】
［コロイダル粒子インク組成物］
本発明の一側面によって提供されるコロイダル粒子インク組成物は、コロイダル粒子及び低温活性化架橋剤を含む。
本発明の一側面によって提供されるコロイダル粒子インク組成物は、コロイダル粒子及び低温活性化架橋剤を含む。
【0021】
前記コロイダル粒子インク組成物は、前記低温活性化架橋剤を含むことで、コロイダル粒子が低温活性化架橋剤によって架橋されるので、高温（例えば、１４０℃を超える温度）熱処理なしにも架橋反応が起こり、これにより、溶液工程において高温によってコロイダル粒子が損傷され、発光特性や電気的特性などが低下したり、形成されたパターン薄膜のモルフォロジー（morphology）が変化または劣化（degradation）したりする現象が防止できる。また、コロイダル粒子に化学的架橋が形成され、化学的耐久性及び／または溶媒に対する抵抗性に優れるので、必要に応じてフォトパターニング（photopatterning）を反復しても以前に形成されたパターンの劣化が防止できるので、高品位の多重色相コロイダル粒子パターンを形成することができる。
【0022】
一実施形態によれば、前記コロイダル粒子は、点（dot）、棒（rod）、２Ｄ板状（plate）、または３Ｄ物体（object）などの形状を有することができる。
【0023】
一実施形態によれば、前記コロイダル粒子は量子ドットでもある。
【0024】
一実施形態によれば、前記量子ドットが、半導体ナノ結晶及び前記半導体ナノ結晶の表面に結合された有機リガンドを含む。
【0025】
前記半導体ナノ結晶は、半導体化合物の結晶を意味する。前記半導体ナノ結晶は、そのサイズによって多様な発光波長の光を放出することができる半導体または導体特性を有する任意の物質を含みうる。
【0026】
一実施形態によれば、前記半導体ナノ結晶は、ＩＩＩ－ＶＩ族半導体化合物；ＩＩ－ＶＩ族半導体化合物；ＩＩＩ－Ｖ族半導体化合物；ＩＩＩ－ＶＩ族半導体化合物；Ｉ－ＩＩＩ－ＶＩ族半導体化合物；ＩＶ－ＶＩ族半導体化合物；ＩＶ族化合物；またはそれらの任意の組み合わせ；を含む。
【0027】
一実施形態によれば、前記ＩＩＩ－ＶＩ族半導体化合物は、二元素化合物（例えば、Ｉｎ２Ｓ３など）、三元素化合物（例えば、ＡｇＩｎＳ、ＡｇＩｎＳ２、ＣｕＩｎＳ、ＣｕＩｎＳ２など）、またはそれらの任意の組み合わせを含む。
【0028】
一実施形態によれば、前記ＩＩ－ＶＩ族半導体化合物は、二元素化合物（例えば、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＺｎＯ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ、ＭｇＳｅ、ＭｇＳなど）、三元素化合物（例えば、ＣｄＳｅＳ、ＣｄＳｅＴｅ、ＣｄＳＴｅ、ＺｎＳｅＳ、ＺｎＳｅＴｅ、ＺｎＳＴｅ、ＨｇＳｅＳ、ＨｇＳｅＴｅ、ＨｇＳＴｅ、ＣｄＺｎＳ、ＣｄＺｎＳｅ、ＣｄＺｎＴｅ、ＣｄＨｇＳ、ＣｄＨｇＳｅ、ＣｄＨｇＴｅ、ＨｇＺｎＳ、ＨｇＺｎＳｅ、ＨｇＺｎＴｅ、ＭｇＺｎＳｅ、ＭｇＺｎＳなど）、四元素化合物（例えば、ＣｄＺｎＳｅＳ、ＣｄＺｎＳｅＴｅ、ＣｄＺｎＳＴｅ、ＣｄＨｇＳｅＳ、ＣｄＨｇＳｅＴｅ、ＣｄＨｇＳＴｅ、ＨｇＺｎＳｅＳ、ＨｇＺｎＳｅＴｅ、ＨｇＺｎＳＴｅなど）、またはそれらの任意の組み合わせを含む。
【0029】
一実施形態によれば、前記ＩＩＩ－Ｖ族半導体化合物は、二元素化合物（例えば、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＡｌＮ、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂなど）、三元素化合物（例えば、ＧａＮＰ、ＧａＮＡｓ、ＧａＮＳｂ、ＧａＰＡｓ、ＧａＰＳｂ、ＡｌＮＰ、ＡｌＮＡｓ、ＡｌＮＳｂ、ＡｌＰＡｓ、ＡｌＰＳｂ、ＩｎＧａＰ、ＩｎＮＰ、ＩｎＡｌＰ、ＩｎＮＡｓ、ＩｎＮＳｂ、ＩｎＰＡｓ、ＩｎＰＳｂ、ＧａＡｌＮＰなど）、四元素化合物（例えば、ＧａＡｌＮＡｓ、ＧａＡｌＮＳｂ、ＧａＡｌＰＡｓ、ＧａＡｌＰＳｂ、ＧａＩｎＮＰ、ＧａＩｎＮＡｓ、ＧａＩｎＮＳｂ、ＧａＩｎＰＡｓ、ＧａＩｎＰＳｂ、ＩｎＡｌＮＰ、ＩｎＡｌＮＡｓ、ＩｎＡｌＮＳｂ、ＩｎＡｌＰＡｓ、ＩｎＡｌＰＳｂなど）、またはそれらの任意の組み合わせを含む。
【0030】
一実施形態によれば、前記ＩＩＩ－Ｖ族半導体化合物は、ＩＩ族元素をさらに含んでもよい。例えば、ＩＩ族元素をさらに含むＩＩＩ－Ｖ族半導体化合物が、ＩｎＺｎＰ、ＩｎＧａＺｎＰ、ＩｎＡｌＺｎＰ、またはそれらの任意の組み合わせを含んでもよい。
【0031】
一実施形態によれば、前記ＩＩＩ－ＶＩ族半導体化合物は、二元素化合物（例えば、ＧａＳ、ＧａＳｅ、Ｇａ２Ｓｅ３、ＧａＴｅ、ＩｎＳ、ＩｎＳｅ、Ｉｎ２Ｓｅ３、ＩｎＴｅなど）、三元素化合物（例えば、ＩｎＧａＳ３、ＩｎＧａＳｅ３など）、またはそれらの任意の組み合わせを含む。
【0032】
一実施形態によれば、前記Ｉ－ＩＩＩ－ＶＩ族半導体化合物は、三元素化合物（例えば、ＡｇＩｎＳ、ＡｇＩｎＳ２、ＣｕＩｎＳ、ＣｕＩｎＳ２、ＣｕＧａＯ２、ＡｇＧａＯ２、ＡｇＡｌＯ２など）、またはそれらの任意の組み合わせを含む。
【0033】
一実施形態によれば、前記ＩＶ－ＶＩ族半導体化合物は、二元素化合物（例えば、ＳｎＳ、ＳｎＳｅ、ＳｎＴｅ、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅなど）、三元素化合物（例えば、ＳｎＳｅＳ、ＳｎＳｅＴｅ、ＳｎＳＴｅ、ＰｂＳｅＳ、ＰｂＳｅＴｅ、ＰｂＳＴｅ、ＳｎＰｂＳ、ＳｎＰｂＳｅ、ＳｎＰｂＴｅなど）、四元素化合物（例えば、ＳｎＰｂＳＳｅ、ＳｎＰｂＳｅＴｅ、ＳｎＰｂＳＴｅなど）、またはそれらの任意の組み合わせを含む。
【0034】
一実施形態によれば、前記ＩＶ族化合物は、単一元素化合物（例えば、Ｓｉ、Ｇｅなど）、二元素化合物（例えば、ＳｉＣ、ＳｉＧｅなど）、またはそれらの任意の組み合わせを含む。
【0035】
一実施形態によれば、前記半導体ナノ結晶は、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＩｎＰ、ＩｎＮ、ＩｎＡｓ、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＺｎＣｄＳ、ＺｎＳｅＳ、ＺｎＣｄＳｅＳ、ＣｄＺｎＳｅ、ＩｎＺｎＰ、ＩｎＧａＰ、ＧａＰＺｎＳ、ＧａＰＺｎＳｅ、ＧａＰＺｎＳｅＳ、またはそれらの任意の組み合わせを含む。
【0036】
一実施形態によれば、前記半導体ナノ結晶の直径は、約１ｎｍ～約１０ｎｍである。
【0037】
一実施形態によれば、前記半導体ナノ結晶は、コア及び前記コアの少なくとも一部を覆うシェルを含むコア・シェル構造である。
【0038】
一実施形態によれば、前記量子ドットのシェルは、前記コアの化学的変性を防止して半導体特性を維持するための保護層の役割、及び／または量子ドットに電気泳動特性を付与するためのチャージング層（charging layer）の役割を行うことができる。
【0039】
一実施形態によれば、前記コアに含まれた物質と前記シェルに含まれた物質とは互いに異なっている。
【0040】
一実施形態によれば、前記シェルは、単層または多重層である。
【0041】
一実施形態によれば、コアとシェルとの界面は、シェルに存在する特定の元素の濃度が中心へ行くほど低くなるか高くなる濃度勾配（gradient）を有することができる。
【0042】
前記半導体ナノ結晶のシェルは、前述のＩＩＩ－ＶＩ族半導体化合物、ＩＩ－ＶＩ族半導体化合物、ＩＩＩ－Ｖ族半導体化合物、ＩＩＩ－ＶＩ族半導体化合物、Ｉ－ＩＩＩ－ＶＩ族半導体化合物、またはＩＶ－ＶＩ族半導体化合物；金属または非金属の酸化物；あるいはそれらの組み合わせを含む。
【0043】
一実施形態によれば、前記金属または非金属の酸化物は、二元素化合物（例えば、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＺｎＯ、ＭｎＯ、Ｍｎ２Ｏ３、Ｍｎ３Ｏ４、ＣｕＯ、ＦｅＯ、Ｆｅ２Ｏ３、Ｆｅ３Ｏ４、ＣｏＯ、Ｃｏ３Ｏ４、ＮｉＯなど）、三元素化合物（例えば、ＭｇＡｌ２Ｏ４、ＣｏＦｅ２Ｏ４、ＮｉＦｅ２Ｏ４、ＣｏＭｎ２Ｏ４など）、またはそれらの任意の組み合わせを含む。
【0044】
一実施形態によれば、前記半導体ナノ結晶は、湿式化学工程、有機金属化学蒸着工程、分子線エピタキシー工程などによって合成される。
【0045】
一実施形態によれば、前記半導体ナノ結晶の発光波長スペクトルの半値幅（full width of half maximum: FWHM）は、約４５ｎｍ以下である。例えば、前記半導体ナノ結晶のＦＷＨＭが約４０ｎｍ以下、または約３０ｎｍ以下である。
【0046】
一実施形態によれば、前記半導体ナノ結晶は、ナノ粒子（例えば、球状、板状、ピラミッド状、多重枝状（multi-arm）、または立方体（cubic）など）、ナノチューブ、ナノワイヤ、ナノファイバなどの形態を有することができる。
【0047】
一実施形態によれば、前記量子ドットは、そのサイズによってエネルギーバンドギャップが制御され、多様な波長帯の光が得られる。
【0048】
一実施形態によれば、前記量子ドットは、赤色、緑色、及び／または青色光を放出することができる。
【0049】
一実施形態によれば、互いに異なるサイズの量子ドットを使用することで、複数の波長の光を放出する発光素子を具現することができ、多様な色の光が結合されて白色光を放出するように構成することができ、また白色光以外にも多様な波長の光を吸収する素子を具現することができる。
【0050】
一実施形態によれば、前記有機リガンドは、前記半導体ナノ結晶の表面を保護し、溶媒に対する分散性などを調節するなどの役割を行い、一般に使用される有機リガンド化合物を利用することができる。
【0051】
一実施形態によれば、前記有機リガンドが、Ｃ４－Ｃ３０脂肪酸またはその誘導体を含む。
【0052】
一実施形態によれば、前記有機リガンドが、オレイン酸、ミリスチン酸、ラウリン酸、パルミチン酸、パルミトレイン酸、ステアリン酸、オレイルアミン、ｎ－オクチルアミン、ヘキサデシルアミン、トリオクチルアミン、オクタンチオール、ドデカンチオール、ヘキシルホスホン酸、ｎ－オクチルホスホン酸、テトラデシルホスホン酸、オクタデシルホスホン酸、またはそれらの任意の組み合わせを含む。
【0053】
一実施形態によれば、前記低温活性化架橋剤が０℃～１３０℃の温度で熱的に活性化されて中間体を生成することができる。例えば、前記低温活性化架橋剤は２０℃～１２０℃、または５０℃～１１５℃の温度で熱的に活性化されて中間体を生成することができる。
【0054】
一実施形態によれば、前記低温活性化架橋剤は、紫外線により活性化されて中間体を生成することができる。例えば、前記低温活性化架橋剤は、２００ｎｍ～３８０ｎｍ、３００ｎｍ～３８０ｎｍ、約２５４ｎｍ、または約３６５ｎｍの紫外線により活性化されて中間体を生成することができる。
【0055】
一実施形態によれば、前記低温活性化架橋剤は、後述するコロイダル粒子パターン形成方法に使用されうる。例えば、前記低温活性化架橋剤がフォトレジスト誘導間接フォトパターニング（photoresist-guided indirect photopatterning）方法に使用されうる。
【0056】
一実施形態によれば、前記低温活性化架橋剤は、直接フォトパターニング方法に使用されうる。
【0057】
一実施形態によれば、前記低温活性化架橋剤がジアゾ基を含む化合物でもある。例えば、前記ジアゾ基は、下記に例示されたようにアニーリング（annealing）によってカルベン（carbene）媒介架橋を誘導することができる。
【0058】
【化2】
【0059】
一実施形態によれば、前記低温活性化架橋剤が下記化学式１で表される化合物でもある：
【0060】
【化3】
【0061】
前記化学式１において、
Ｌ１及びＬ２は、互いに独立して、単結合、または少なくとも１つのＲ１で置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ３０アルキレン基であり、
ｍ１及びｍ２は、互いに独立して、１、２、３、４、５または６であり、
Ａｒ１及びＡｒ２は、少なくとも１つのＲ１で置換もしくは非置換のＣ５－Ｃ６０炭素環基、または少なくとも１つのＲ１で置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０ヘテロ環基であり、
ｎ１及びｎ２は、互いに独立して、０、１、２、３、４、５、６、７、８、９または１０であり、
ｎ１とｎ２との和が２以上であり、
Ｑ１～Ｑ３は、互いに独立して、単結合、Ｏ、Ｓ、Ｃ、Ｃ（Ｒ２）、Ｃ（Ｒ２）（Ｒ３）、または少なくとも１つのＲ１で置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ３０アルキレン基であり、
Ｘ１及びＸ２は、互いに独立して、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｎ（Ｒ４）、Ｃ（Ｒ４）（Ｒ５）であり、
Ｒ１～Ｒ５は、互いに独立して、水素、重水素、－Ｆ、－Ｃｌ、－Ｂｒ、－Ｉ、ヒドロキシル基、シアノ基、Ｃ１－Ｃ３０アルキル基、Ｃ２－Ｃ３０アルケニル基、Ｃ２－Ｃ３０アルキニル基、Ｃ１－Ｃ３０アルコキシ基、Ｃ１－Ｃ３０アルキルチオ基、Ｃ５－Ｃ６０炭素環基、Ｃ１－Ｃ６０ヘテロ環基、または－Ｓｉ（Ｑ１１）（Ｑ１２）（Ｑ１３）であり、
Ｑ１１～Ｑ１３は、互いに独立して、水素、重水素、－Ｆ、－Ｃｌ、－Ｂｒ、－Ｉ、ヒドロキシル基、シアノ基、Ｃ１－Ｃ３０アルキル基、Ｃ２－Ｃ３０アルケニル基、Ｃ２－Ｃ３０アルキニル基、Ｃ１－Ｃ３０アルコキシ基、またはＣ１－Ｃ３０アルキルチオ基である。
Ｌ１及びＬ２は、互いに独立して、単結合、または少なくとも１つのＲ１で置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ３０アルキレン基であり、
ｍ１及びｍ２は、互いに独立して、１、２、３、４、５または６であり、
Ａｒ１及びＡｒ２は、少なくとも１つのＲ１で置換もしくは非置換のＣ５－Ｃ６０炭素環基、または少なくとも１つのＲ１で置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０ヘテロ環基であり、
ｎ１及びｎ２は、互いに独立して、０、１、２、３、４、５、６、７、８、９または１０であり、
ｎ１とｎ２との和が２以上であり、
Ｑ１～Ｑ３は、互いに独立して、単結合、Ｏ、Ｓ、Ｃ、Ｃ（Ｒ２）、Ｃ（Ｒ２）（Ｒ３）、または少なくとも１つのＲ１で置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ３０アルキレン基であり、
Ｘ１及びＸ２は、互いに独立して、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｎ（Ｒ４）、Ｃ（Ｒ４）（Ｒ５）であり、
Ｒ１～Ｒ５は、互いに独立して、水素、重水素、－Ｆ、－Ｃｌ、－Ｂｒ、－Ｉ、ヒドロキシル基、シアノ基、Ｃ１－Ｃ３０アルキル基、Ｃ２－Ｃ３０アルケニル基、Ｃ２－Ｃ３０アルキニル基、Ｃ１－Ｃ３０アルコキシ基、Ｃ１－Ｃ３０アルキルチオ基、Ｃ５－Ｃ６０炭素環基、Ｃ１－Ｃ６０ヘテロ環基、または－Ｓｉ（Ｑ１１）（Ｑ１２）（Ｑ１３）であり、
Ｑ１１～Ｑ１３は、互いに独立して、水素、重水素、－Ｆ、－Ｃｌ、－Ｂｒ、－Ｉ、ヒドロキシル基、シアノ基、Ｃ１－Ｃ３０アルキル基、Ｃ２－Ｃ３０アルケニル基、Ｃ２－Ｃ３０アルキニル基、Ｃ１－Ｃ３０アルコキシ基、またはＣ１－Ｃ３０アルキルチオ基である。
【0062】
一実施形態によれば、前記Ｌ１及びＬ２は、互いに独立して、単結合、メチレン基、またはエチレン基である。
【0063】
一実施形態によれば、前記ｍ１及びｍ２は、互いに独立して、１または２である。
【0064】
一実施形態によれば、Ａｒ１及びＡｒ２は、互いに独立して、置換もしくは非置換のフェニル基である。
【0065】
一実施形態によれば、ｎ１とｎ２との和が４～６である。
【0066】
一実施形態によれば、前記低温活性化架橋剤が下記化学式２で表される化合物でもある：
【0067】
【化4】
【0068】
前記化学式２において、
Ｌ１、Ｌ２、ｍ１、ｍ２、ｎ１、ｎ２、Ｘ１、Ｘ２、及びＱ１～Ｑ３に係わる説明は、本明細書に記載されたところと同様であり、
Ｒ１１～Ｒ１５及びＲ２１～Ｒ２５に係わる説明は、互いに独立して、Ｒ１に係わる説明と同様である。
Ｌ１、Ｌ２、ｍ１、ｍ２、ｎ１、ｎ２、Ｘ１、Ｘ２、及びＱ１～Ｑ３に係わる説明は、本明細書に記載されたところと同様であり、
Ｒ１１～Ｒ１５及びＲ２１～Ｒ２５に係わる説明は、互いに独立して、Ｒ１に係わる説明と同様である。
【0069】
一実施形態によれば、前記架橋性化合物は、下記化合物１～７から選択された１種以上である：
【0070】
【化5】
【化6】
【化7】
【0071】
一実施形態によれば、前記低温活性化架橋剤は、前記コロイダル粒子と共有結合を形成することができる。
【0072】
例えば、前記コロイダル粒子が量子ドットであり、前記量子ドットが半導体ナノ結晶及び前記半導体ナノ結晶の表面の有機リガンドを含み、前記低温活性化架橋剤が前記有機リガンドと共有結合（例えば、炭素－炭素結合）を形成することができる。
【0073】
一実施形態によれば、前記低温活性化架橋剤は疎水性（hydrophobic）でもある。
【0074】
通常、フォトレジストは、多数のヒドロキシル基（－ＯＨ）を含有する親水性（hydrophilic）材料を含む場合が多いが、前記低温活性化架橋剤が前述のような特性を満たすことで、前記コロイダル粒子インク組成物を用いてフォトレジストパターンを形成する際に基板に対する疎水性処理（hydrophobic treatment）過程なしにも安定してパターンを形成することができ、また、疎水性処理などによって前記コロイダル粒子の光学的及び電気的特性が低下する現象が防止できるという長所がある。
【0075】
一実施形態によれば、前記コロイダル粒子インク組成物は、疎水性処理剤（例えば、ヘキサシロキサン）を含まない。
【0076】
一実施形態によれば、前記コロイダル粒子インク組成物は、粘着剤（tackifier）を含まない。
【0077】
一実施形態によれば、前記コロイダル粒子インク組成物は、溶媒をさらに含んでもよい。
【0078】
一実施形態によれば、前記溶媒は有機溶媒でもある。例えば、前記溶媒は、１－オクタデセン（ＯＤＥ）、トリオクチルアミン（ＴＯＡ）、トリオクチルホスフィン（ＴＯＰ）、オレイルアミン、またはそれらの任意の組み合わせを含む。
【0079】
一実施形態によれば、前記コロイダル粒子インク組成物は、溶液工程（solution process）に利用されうる。
【0080】
［コロイダル粒子パターン形成方法］
本発明の他の側面によれば、前記コロイダル粒子インク組成物を利用したコロイダル粒子パターン形成方法が提供される。
本発明の他の側面によれば、前記コロイダル粒子インク組成物を利用したコロイダル粒子パターン形成方法が提供される。
【0081】
前記コロイダル粒子インク組成物を利用したコロイダル粒子パターン形成方法は、コロイダル粒子が低温活性化架橋剤によって架橋されるので、高温（例えば、１４０℃を超える温度）熱処理なしにも架橋反応が起こり、これにより、溶液工程においてコロイダル粒子が損傷され、発光特性や電気的特性などが低下したり、形成されたパターン薄膜のモルフォロジーが変化または劣化したりする現象が防止できる。また、コロイダル粒子に化学的架橋が形成され、化学的耐久性及び／または溶媒に対する抵抗性に優れるので、必要に応じてフォトパターニングを反復しても以前に形成されたパターンの劣化が防止できるので、高品位の多重色相コロイダル粒子パターンを形成することができる。
【0082】
一実施形態によれば、前記コロイダル粒子パターン形成方法は、フォトレジスト誘導間接フォトパターニング方法でもある。
【0083】
例えば、前記コロイダル粒子パターン形成方法は、所定のフォトレジストパターン上に前記コロイダル粒子インク組成物を利用した薄膜を形成し、前記フォトレジストパターンを除去する方式によってコロイダル粒子パターンを形成する方法である。すなわち、前記フォトレジストパターンが形成しようとするコロイダル粒子パターンのリバースパターンとしてガイドの役割を行うことができる。
【0084】
一実施形態によれば、前記コロイダル粒子パターン形成方法は、第１フォトレジストパターン上に、第１コロイダル粒子と第１低温活性化架橋剤とを含む第１量子ドットインク組成物を塗布する段階と、
前記塗布された第１コロイダル粒子インク組成物を０℃～１３０℃の温度でアニーリングする段階と、
前記第１フォトレジストパターンを除去して第１コロイダル粒子パターンを形成する段階と、を含む。
前記塗布された第１コロイダル粒子インク組成物を０℃～１３０℃の温度でアニーリングする段階と、
前記第１フォトレジストパターンを除去して第１コロイダル粒子パターンを形成する段階と、を含む。
【0085】
一実施形態によれば、前記第１コロイダル粒子インク組成物を塗布する段階は、スピンコーティング法、スプレーコーティング法、キャスト法、ドロップキャスト法、ディッピング（dipping）法、ＬＢ（Langmuir-Blodgett）法、インクジェットプリンティング法、スクリーンプリンティング法、レーザプリンティング法、インプリンティング（imprinting）法、レーザ熱転写（Laser Induced Thermal Imaging: LITI）法などを利用することができる。
【0086】
一実施形態によれば、前記塗布された第１コロイダル粒子インク組成物を０℃～１３０℃の温度でアニーリングする段階は、１分～６０分間遂行される。例えば、前記アニーリングする段階は、１０分～３０分間遂行される。
【0087】
一実施形態によれば、前記第１フォトレジストパターンの厚さが０．５ｎｍ～１０μｍである。例えば、前記第１フォトレジストパターンの厚さが１ｎｍ～１μｍ、５ｎｍ～１００ｎｍ、または１０ｎｍ～５０ｎｍである。
【0088】
一実施形態によれば、前記第１コロイダル粒子パターンの厚さが１ｎｍ～５０ｎｍである。例えば、前記第１コロイダル粒子パターンの厚さが１０ｎｍ～４０ｎｍ、または１５ｎｍ～２５ｎｍである。
【0089】
一実施形態によれば、前記第１コロイダル粒子パターンの厚さに対する前記第１フォトレジストパターンの厚さの比が１：１～１：０．７である。
【0090】
前記第１コロイダル粒子パターンの厚さ及び前記第１フォトレジストパターンの厚さが前述の範囲を満たすことで、前記第１コロイダル粒子パターンの忠実度が向上しうる。
【0091】
一実施形態によれば、前記コロイダル粒子パターン形成方法が、プラズマエッチングによって前記第１フォトレジストパターン及び／または第１コロイダル粒子パターンの厚さを減少させる段階をさらに含んでもよい。
【0092】
前記プラズマエッチングにより、前記第１フォトレジストパターン及び／または前記第１コロイダル粒子パターンの厚さを調節することで、前述の厚さ比を満たすように調節し、前記第１コロイダル粒子パターンの忠実度を向上させることができる。
【0093】
一実施形態によれば、前記プラズマエッチングは、反応性イオンエッチングシステムを利用することができる。例えば、前記プラズマエッチングは、Ａｒ／Ｏ２混合ガス（Ａｒの場合に約１０ｓｃｃｍ～約８０ｓｃｃｍ、Ｏ２ガスの場合に約１ｓｃｃｍ～約３０ｓｃｃｍ）と約１０Ｗ～１００Ｗの無線周波数（Radio Frequency: RF）電力を用いて行われる。
【0094】
一実施形態によれば、前記コロイダル粒子パターン形成方法が、プラズマエッチングによって前記第１フォトレジストパターン及び／または第１コロイダル粒子パターンの厚さを減少させる段階を含まない。例えば、前記第１フォトレジストパターンの厚さが相対的に薄い場合（例えば、前記第１フォトレジストパターンの厚さが１ｎｍ～１μｍ、５ｎｍ～１００ｎｍ、または１０ｎｍ～５０ｎｍである場合）に、前記コロイダル粒子パターン形成方法が、プラズマエッチングによって第１フォトレジストパターン及び／または第１コロイダル粒子パターンの厚さを減少させる段階を含まない。
【0095】
一実施形態によれば、前記第１フォトレジストパターンを除去して第１コロイダル粒子パターンを形成する段階は、ストリップ（strip）溶媒を用いて遂行される。例えば、前記ストリップ溶媒はアセトンである。
【0096】
一実施形態によれば、前記第１フォトレジストパターンを除去して第１コロイダル粒子パターンを形成する段階は、前記第１フォトレジストパターンに超音波処理する段階をさらに含んでもよい。
【0097】
一実施形態によれば、前記コロイダル粒子パターン形成方法は、前記第１コロイダル粒子パターン上に第２フォトレジストパターンを形成する段階と、
前記第２フォトレジストパターン上に、第２コロイダル粒子と第２低温活性化架橋剤とを含む第２コロイダル粒子インク組成物を塗布する段階と、
前記塗布された第２コロイダル粒子インク組成物を０℃～１３０℃の温度でアニーリングする段階と、
前記第２フォトレジストパターンを除去して第２コロイダル粒子パターンを形成する段階と、をさらに含んでもよい。
前記第２フォトレジストパターン上に、第２コロイダル粒子と第２低温活性化架橋剤とを含む第２コロイダル粒子インク組成物を塗布する段階と、
前記塗布された第２コロイダル粒子インク組成物を０℃～１３０℃の温度でアニーリングする段階と、
前記第２フォトレジストパターンを除去して第２コロイダル粒子パターンを形成する段階と、をさらに含んでもよい。
【0098】
一実施形態によれば、前記第１コロイダル粒子と前記第２コロイダル粒子とが互いに異なる色相を示すことができる。
【0099】
前記コロイダル粒子インク組成物を利用したコロイダル粒子パターン形成方法は、コロイダル粒子に化学的架橋が形成され、化学的耐久性及び／または溶媒に対する抵抗性に優れるので、必要に応じてパターニング（例えば、光パターニング、溶液工程パターニングなど）を反復しても以前に形成されたパターンの劣化が防止できるので、高品位の多重色相コロイダル粒子パターンを形成することができる。
【0100】
一実施形態によれば、前記第２コロイダル粒子インク組成物を塗布する段階は、スピンコーティング法、スプレーコーティング法、キャスト法、ドロップキャスト法、ディッピング法、ＬＢ（Langmuir-Blodgett）法、インクジェットプリンティング法、スクリーンプリンティング法、レーザプリンティング法、インプリンティング法、レーザ熱転写（Laser Induced Thermal Imaging: LITI）法などを利用することができる。
【0101】
一実施形態によれば、前記塗布された第２コロイダル粒子インク組成物を０℃～１３０℃の温度でアニーリングする段階は、１分～６０分間遂行される。例えば、前記アニーリングする段階は、１０分～３０分間遂行される。
【0102】
一実施形態によれば、前記第２フォトレジストパターンの厚さが０．５ｎｍ～５０ｎｍである。例えば、前記第２フォトレジストパターンの厚さが５ｎｍ～４０ｎｍ、または１０ｎｍ～２５ｎｍである。
【0103】
一実施形態によれば、前記第２コロイダル粒子パターンの厚さが１ｎｍ～５０ｎｍである。例えば、前記第２コロイダル粒子パターンの厚さが１０ｎｍ～４０ｎｍ、または１５ｎｍ～２５ｎｍである。
【0104】
一実施形態によれば、前記コロイダル粒子パターン形成方法は、プラズマエッチングによって前記第２フォトレジストパターン及び／または前記第２コロイダル粒子パターンの厚さを減少させる段階をさらに含んでもよい。
【0105】
一実施形態によれば、前記第２フォトレジストパターンを除去して第２コロイダル粒子パターンを形成する段階は、ストリップ溶媒を用いて遂行される。例えば、前記ストリップ溶媒はアセトンである。
【0106】
一実施形態によれば、前記第２フォトレジストパターンを除去して第２コロイダル粒子パターンを形成する段階は、前記第２フォトレジストパターンに超音波処理する段階をさらに含んでもよい。
【0107】
一実施形態によれば、前記コロイダル粒子パターン形成方法は、前記第２コロイダル粒子パターン上に第３フォトレジストパターンを形成する段階と、
前記第３フォトレジストパターン上に、第３コロイダル粒子と第３低温活性化架橋剤とを含む第３コロイダル粒子インク組成物を塗布する段階と、
前記塗布された第３コロイダル粒子インク組成物を０℃～１３０℃の温度でアニーリングする段階と、
前記第３フォトレジストパターンを除去して第３コロイダル粒子パターンを形成する段階と、をさらに含んでもよい。
前記第３フォトレジストパターン上に、第３コロイダル粒子と第３低温活性化架橋剤とを含む第３コロイダル粒子インク組成物を塗布する段階と、
前記塗布された第３コロイダル粒子インク組成物を０℃～１３０℃の温度でアニーリングする段階と、
前記第３フォトレジストパターンを除去して第３コロイダル粒子パターンを形成する段階と、をさらに含んでもよい。
【0108】
一実施形態によれば、前記第１コロイダル粒子と前記第３コロイダル粒子とが互いに異なる色相を示すことができる。
【0109】
一実施形態によれば、前記第２コロイダル粒子と前記第３コロイダル粒子とが互いに異なる色相を示すことができる。
【0110】
一実施形態によれば、前記第３コロイダル粒子インク組成物を塗布する段階は、スピンコーティング法、スプレーコーティング法、キャスト法、ドロップキャスト法、ディッピング法、ＬＢ（Langmuir-Blodgett）法、インクジェットプリンティング法、スクリーンプリンティング法、レーザプリンティング法、インプリンティング法、レーザ熱転写（Laser Induced Thermal Imaging: LITI）法などを利用することができる。
【0111】
一実施形態によれば、前記塗布された第３コロイダル粒子インク組成物を０℃～１３０℃の温度でアニーリングする段階は、１分～６０分間遂行される。例えば、前記アニーリングする段階は、１０分～３０分間遂行される。
【0112】
一実施形態によれば、前記第３フォトレジストパターンの厚さが０．５ｎｍ～５０ｎｍである。例えば、前記第３フォトレジストパターンの厚さが５ｎｍ～４０ｎｍ、または１０ｎｍ～２５ｎｍである。
【0113】
一実施形態によれば、前記第３コロイダル粒子パターンの厚さが１ｎｍ～５０ｎｍである。例えば、前記第３コロイダル粒子パターンの厚さが１０ｎｍ～４０ｎｍ、または１５ｎｍ～２５ｎｍである。
【0114】
一実施形態によれば、前記コロイダル粒子パターン形成方法は、プラズマエッチングによって前記第３フォトレジストパターンまたは前記第３コロイダル粒子パターンの厚さを減少させる段階をさらに含んでもよい。
【0115】
一実施形態によれば、前記第３フォトレジストパターンを除去して第３コロイダル粒子パターンを形成する段階は、ストリップ溶媒を用いて遂行される。例えば、前記ストリップ溶媒はアセトンである。
【0116】
一実施形態によれば、前記第３フォトレジストパターンを除去して第３コロイダル粒子パターンを形成する段階は、前記第３フォトレジストパターンに超音波処理する段階をさらに含んでもよい。
【0117】
［コロイダル粒子パターンフィルム］
本発明のさらに他の側面によれば、前記コロイダル粒子インク組成物を用いて形成されたコロイダル粒子パターンフィルムが提供される。
本発明のさらに他の側面によれば、前記コロイダル粒子インク組成物を用いて形成されたコロイダル粒子パターンフィルムが提供される。
【0118】
前記コロイダル粒子インク組成物を用いて形成されたコロイダル粒子パターンフィルムは、コロイダル粒子が低温活性化架橋剤によって架橋されるので、高温（例えば、１４０℃を超える温度）熱処理なしにも架橋反応が起こり、これにより、溶液工程においてコロイダル粒子が損傷され、発光特性や電気的特性などが低下したり、形成されたパターン薄膜のモルフォロジーが変化または劣化したりする現象が防止できる。また、コロイダル粒子に化学的架橋が形成され、化学的耐久性及び／または溶媒に対する抵抗性に優れるので、必要に応じてフォトパターニングを反復して高品位の多重色相コロイダル粒子パターンを形成することができる。
【0119】
一実施形態によるコロイダル粒子パターンフィルムは、前述のコロイダル粒子パターン形成方法によって製造される。
【0120】
一実施形態によれば、前記コロイダル粒子パターンフィルムが、基材及び前記基材上に形成されたコロイダル粒子パターンを含む。
【0121】
一実施形態によれば、前記基材は、機械的強度、熱安定性、表面平滑性、取り扱い容易性及び防水性などを考慮して選択され、例えば、シリコンウェーハまたはガラス基板や、ポリエーテルスルホン、ポリアクリレート、ポリエーテルイミド、ポリイミド、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンテレフタレートなどのプラスチックフィルム、またはそれらのプラスチックフィルムがコーティングされた有機基板が使用されうる。
【0122】
一実施形態によれば、前記基材は、単層または多層構造である。
【0123】
例えば、前記基材は、樹脂を含む単層である。他の例として、前記基材は、互いに異なる２種以上の樹脂をそれぞれ含む２以上の層を含む多層構造である。さらに他の例として、前記基材は、樹脂を含む層及び機能層を含む多層構造であり、前記機能層は、例えば、粘着層（adhesive layer）、腐食防止層、反射防止層、ハードコーティング層、またはそれらの組み合わせである。
【0124】
一実施形態によれば、前記コロイダル粒子パターンの厚さが１ｎｍ～２００ｎｍである。例えば、前記コロイダル粒子パターンの厚さが５ｎｍ～１００ｎｍ、１０ｎｍ～４０ｎｍ、または１５ｎｍ～２５ｎｍである。
【0125】
［電子素子］
本発明のさらに他の側面によれば、前記コロイダル粒子パターンを含む電子素子が提供される。
本発明のさらに他の側面によれば、前記コロイダル粒子パターンを含む電子素子が提供される。
【0126】
一実施形態によれば、前記電子素子がコロイダル粒子発光素子であり、前記コロイダル粒子発光素子が、第１電極、前記第１電極に対向する第２電極、及び前記第１電極と前記第２電極との間に配置された、発光層を含む中間層を含み、前記発光層が前記コロイダル粒子パターンを含む。
【0127】
一実施形態によれば、前記電子素子は、薄膜トランジスタ（thin film transistor: TFT）、電気変色素子（electrochromic device: EC）、発光素子（light emitting diode: LED）、太陽電池（solar cell）、またはフォトダイオード（photodiode）である。
【0128】
一実施形態によれば、前記電子素子が発光素子でもある。
【0129】
図８は、本発明の一側面による発光素子の例示を概略的に示すものである。前記発光素子１０は、第１電極１１０、中間層１５０、及び第２電極１９０を含み、中間層１５０は、正孔輸送領域１２０及び発光層１３０を含む。
【0130】
前記第１電極１１０の下部及び／または前記第２電極１９０の上部には、基板（図示せず）がさらに配置されてもよい。前記基板としては、機械的強度、熱安定性、透明性、表面平滑性、取り扱い容易性及び防水性に優れるガラス基板またはプラスチック基板を使用することができる。
【0131】
前記第１電極１１０は、例えば、基板の上部に、第１電極用物質を蒸着法またはスパッタリング法などを用いて提供することで形成される。
【0132】
前記第１電極１１０は透過型電極でもある。透過型電極である第１電極１１０を形成するために、第１電極用物質は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、スズ酸化物（ＳｎＯ２）、亜鉛酸化物（ＺｎＯ）、アルミニウムドーピングされた亜鉛酸化物（ＡＺＯ）、ガリウムドーピングされた亜鉛酸化物（ＧＺＯ）、アンチモンスズ酸化物（ＡＴＯ）、フッ素スズ酸化物（ＦＴＯ）、銀ナノ粒子、銀ナノワイヤ、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）、及びそれらの任意の組み合わせから選択されるが、これらに限定されるものではない。あるいは、半透過型電極または反射型電極である第１電極１１０を形成するために、第１電極用物質は、マグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム－リチウム（Ａｌ－Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、マグネシウム－インジウム（Ｍｇ－Ｉｎ）、マグネシウム－銀（Ｍｇ－Ａｇ）、及びそれらの任意の組み合わせから選択されるが、これらに限定されるものではない。
【0133】
前記第１電極１１０上には、正孔輸送領域１２０が配置されうる。
【0134】
前記正孔輸送領域は、正孔注入層、正孔輸送層、発光補助層、電子阻止層、またはそれらの組み合わせを含む。
【0135】
前記正孔輸送層は、正孔輸送性化合物を含んでもよい。
【0136】
例えば、前記正孔輸送性化合物は、ＴＦＢ（ポリ［（９，９－ジオクチルフルオレニル－２，７－ジイル）－ｃｏ－（４，４’－（Ｎ－（４－ｓｅｃ－ブチルフェニル）ジフェニルアミン）］）またはＰＴＡＡ（ポリ［ビス（４－フェニル）（２，４，６－トリメチルフェニル）アミン］）などの正孔輸送性高分子化合物である。
【0137】
【化8】
【0138】
他の例として、前記正孔輸送性化合物は、π電子欠乏性含窒素環を含まない正孔輸送性低分子化合物である。前記正孔輸送性低分子化合物の例示は、カルバゾール含有化合物、アミン化合物などを含む。
【0139】
前記正孔輸送領域１２０上には、発光層１３０が配置されうる。
【0140】
前記発光層は、前述のコロイダル粒子インク組成物を用いて形成されたコロイダル粒子パターンを含む。
【0141】
前記発光層１３０の厚さが約１００Å～約１，０００Å、例えば、約２００Å～約６００Åである。前記発光層１３０の厚さが前述のような範囲を満たす場合、実質的な駆動電圧の上昇なしに優れた発光特性を示すことができる。
【0142】
前記発光層１３０上には、電子輸送領域１４０が配置されうる。
【0143】
前記電子輸送領域は、バッファ層、正孔阻止層、電子調節層、電子輸送層、電子注入層、またはそれらの任意の組み合わせを含む。
【0144】
例えば、前記電子輸送領域は、電子輸送層／電子注入層、正孔阻止層／電子輸送層／電子注入層、電子調節層／電子輸送層／電子注入層、またはバッファ層／電子輸送層／電子注入層などの積層構造を有することができる。
【0145】
前記電子輸送領域は、電子輸送性化合物を含んでもよい。
【0146】
例えば、前記電子輸送性化合物は、π電子欠乏性含窒素環を少なくとも１つ含む金属非含有化合物、ＢＣＰ（２，９－ジメチル－４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン）、Ｂｐｈｅｎ（４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン）、Ａｌｑ３、ＢＡｌｑ、ＴＡＺ（３－（ビフェニル－４－イル）－５－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－４－フェニル－４Ｈ－１，２，４－トリアゾール）、ＮＴＡＺ、またはＴＰＢｉである。
【0147】
【化9】
【0148】
前記「π電子欠乏性含窒素環」は、環形成モイエティとして、少なくとも１つの＊－Ｎ＝＊’モイエティを有するＣ１－Ｃ６０ヘテロ環基を意味する。
【0149】
例えば、前記「π電子欠乏性含窒素環」は、ｉ）少なくとも１つの＊－Ｎ＝＊’モイエティを有する五員ないし七員ヘテロ単環基であるか、ｉｉ）少なくとも１つの＊－Ｎ＝＊’モイエティを有する五員ないし七員ヘテロ単環基のうち２以上が互いに縮合されているヘテロ多環基であるか、またはｉｉｉ）少なくとも１つの＊－Ｎ＝＊’モイエティを有する五員ないし七員ヘテロ単環基のうち少なくとも１つと、少なくとも１つのＣ５－Ｃ６０炭素環基とが互いに縮合されているヘテロ多環基である。
【0150】
前記π電子欠乏性含窒素環の例には、イミダゾール、ピラゾール、チアゾール、イソチアゾール、オキサゾール、イソオキサゾール、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、インダゾール、プリン、キノリン、イソキノリン、ベンゾキノリン、フタラジン、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリン、シンノリン、フェナントリジン、アクリジン、フェナントロリン、フェナジン、ベンゾイミダゾール、イソベンゾチアゾール、ベンゾオキサゾール、イソベンゾオキサゾール、トリアゾール、テトラゾール、オキサジアゾール、トリアジン、チアジアゾール、イミダゾピリジン、イミダゾピリミジン、アザカルバゾールなどが挙げられる。
【0151】
前記電子輸送領域は、前述の電子輸送性化合物以外に、金属または金属錯体をさらに含んでもよい。例えば、前記電子輸送領域は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、及び希土類金属の酸化物及びハロゲン化物（例えば、フッ化物、塩化物、臭化物、ヨウ化物など）、アルカリ金属錯体、アルカリ土類金属錯体、またはそれらの組み合わせをさらに含んでもよい。例えば、前記電子輸送領域は、ＬｉＱをさらに含んでもよい。例えば、前記電子輸送領域は、モリブデン酸化物（ＭｏＯｘ）をさらに含んでもよい。
【0152】
【化10】
【0153】
前記電子輸送領域の厚さが約１００Å～約２，０００Å、例えば、約１５０Å～約１，０００Åである。前記電子輸送領域の厚さが前述のような範囲を満たす場合、実質的な駆動電圧の上昇なしに満たすべき電子輸送特性が得られる。
【0154】
前記電子輸送領域１４０上に、第２電極１９０が配置される。前記第２電極１９０は、電子注入電極であるカソードであってもよい。
【0155】
前記第２電極１９０の材料としては、低い仕事関数を有する金属、合金、電気伝導性化合物、またはそれらの組み合わせを使用することができる。
【0156】
前記第２電極１９０は、リチウム（Ｌｉ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム－リチウム（Ａｌ－Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、マグネシウム－インジウム（Ｍｇ－Ｉｎ）、マグネシウム－銀（Ｍｇ－Ａｇ）、銀－マグネシウム（Ａｇ－Ｍｇ）、ＩＴＯ、及びＩＺＯから選択された少なくとも１つを含むが、これらに限定されるものではない。前記第２電極１９０は、透過型電極、半透過型電極、または反射型電極である。
【0157】
前記第２電極１９０は、単層である単層構造、または複数の層を有する多層構造を有することができる。
【0158】
前記発光素子の各層は、それぞれ真空蒸着法、スピンコーティング法、キャスト法、ＬＢ（Langmuir-Blodgett）法、インクジェットプリンティング法、レーザプリンティング法、レーザ熱転写（Laser Induced Thermal Imaging: LITI）法などの多様な方法を用いて形成される。
【0159】
一実施形態によれば、前記電子素子は、フレキシブル（flexible）電子素子でもある。
【0160】
一実施形態によれば、前記電子素子は、ストレッチャブル（stretchable）電子素子でもある。
【0161】
［置換基の定義］
本明細書において、Ｃ５－Ｃ６０炭素環基とは、環形成原子として炭素のみを含む炭素数５～６０の単環基または多環基を意味する。前記Ｃ５－Ｃ６０炭素環基は、芳香族炭素環基または非芳香族炭素環基である。前記Ｃ５－Ｃ６０炭素環基は、ベンゼンのような環、フェニル基のような一価基、またはフェニレン基のような二価基である。あるいは、前記Ｃ５－Ｃ６０炭素環基に連結された置換基の個数によって、前記Ｃ５－Ｃ６０炭素環基は、三価基または四価基であるなど、多様な変形が可能である。
本明細書において、Ｃ５－Ｃ６０炭素環基とは、環形成原子として炭素のみを含む炭素数５～６０の単環基または多環基を意味する。前記Ｃ５－Ｃ６０炭素環基は、芳香族炭素環基または非芳香族炭素環基である。前記Ｃ５－Ｃ６０炭素環基は、ベンゼンのような環、フェニル基のような一価基、またはフェニレン基のような二価基である。あるいは、前記Ｃ５－Ｃ６０炭素環基に連結された置換基の個数によって、前記Ｃ５－Ｃ６０炭素環基は、三価基または四価基であるなど、多様な変形が可能である。
【0162】
本明細書において、Ｃ１－Ｃ６０ヘテロ環基とは、前記Ｃ５－Ｃ６０炭素環基と同一構造を有するが、環形成原子として、炭素（炭素数は１～６０である）以外に、Ｎ、Ｏ、Ｓｉ、Ｐ及びＳから選択された少なくとも１つのヘテロ原子を含む基を意味する。
【0163】
本明細書において、Ｃ１－Ｃ３０アルキル基は、炭素数１～３０の直鎖状（linear）または分枝状（branched）の脂肪族炭化水素基を意味し、その具体例には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒ－ブチル基、ペンチル基、ｉｓｏ－アミル基、ヘキシル基、ヘプチル基、ｎ－オクチル基、２－エチルヘキシル基などが含まれる。
【0164】
本明細書において、Ｃ２－Ｃ３０アルケニル基は、前記Ｃ２－Ｃ３０アルキル基の中間または末端に１つ以上の炭素二重結合を含む炭化水素基を意味し、その具体例には、エテニル基、プロぺニル基、ブテニル基などが含まれる。
【0165】
本明細書において、Ｃ２－Ｃ３０アルキニル基は、前記Ｃ２－Ｃ３０アルキル基の中間または末端に１つ以上の炭素三重結合を含む炭化水素基を意味し、その具体例には、エチニル基、プロピニル基などが含まれる。
【0166】
本明細書において、Ｃ１－Ｃ３０アルコキシ基は、－ＯＡ１０１（ここで、Ａ１０１は前記Ｃ１－Ｃ３０アルキル基である）の化学式を有する一価基を意味し、その具体例には、メトキシ基、エトキシ基、イソプロピルオキシ基などが含まれる。
【0167】
本明細書において、Ｃ１－Ｃ３０アルキルチオ基は、－ＳＡ１０１（ここで、Ａ１０１は前記Ｃ１－Ｃ３０アルキル基である）の化学式を有する一価基を意味し、その具体例には、メチルチオ基、エチルチオ基、イソプロピルチオ基などが含まれる。
【0168】
本明細書において、＊及び＊’は、他の定義がない限り、当該化学式において隣接する原子との結合サイトを意味する。
【0169】
以下、実施例を挙げて本発明についてより具体的に説明する。これらの実施例は、本発明をより具体的に説明するためのものであり、本発明の範囲が実施例によって限定されない。
【0170】
［実施例］
合成例１：化合物１～７の製造
合成例１：化合物１～７の製造
【0171】
【化11】
【0172】
（１）架橋性化合物１の製造
アルゴン雰囲気下、フェニルアセチルクロリド（１０２０ｍｇ、６．６０ｍｍｏｌ）とペンタエリトリトール（１５０ｍｇ、１．１０ｍｍｏｌ）との混合溶液を１４０℃で１８時間撹拌した。次いで、常温に冷却した後、ジクロロメタンと蒸留水を用いて抽出した。有機層をＭｇＳＯ４で乾燥し、濾過後、ロータリーエバポレーターを用いて濃縮した。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒＝エチルアセテート：ヘキサン＝１：４体積比）で物質を精製し、白色固体（４８３ｍｇ、７２％）を得た。１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：７．２９－７．１５（ｍ，２０Ｈ），３．８７（ｓ，８Ｈ），３．５１（ｓ，８Ｈ）。
アルゴン雰囲気下、フェニルアセチルクロリド（１０２０ｍｇ、６．６０ｍｍｏｌ）とペンタエリトリトール（１５０ｍｇ、１．１０ｍｍｏｌ）との混合溶液を１４０℃で１８時間撹拌した。次いで、常温に冷却した後、ジクロロメタンと蒸留水を用いて抽出した。有機層をＭｇＳＯ４で乾燥し、濾過後、ロータリーエバポレーターを用いて濃縮した。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒＝エチルアセテート：ヘキサン＝１：４体積比）で物質を精製し、白色固体（４８３ｍｇ、７２％）を得た。１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：７．２９－７．１５（ｍ，２０Ｈ），３．８７（ｓ，８Ｈ），３．５１（ｓ，８Ｈ）。
【0173】
アルゴン雰囲気下、前述の段階で得られた白色固体（４００ｍｇ、０．６６ｍｍｏｌ）とｐ－ＡＢＳＡ（７８９ｍｇ、３．２８ｍｍｏｌ）とを無水ＴＨＦ（１０ｍＬ）に溶かし、１０分間撹拌した。溶液にＤＢＵ（６７０ｍｇ、４．４０ｍｍｏｌ）を徐々に滴加した後、常温で１２時間撹拌した。次いで、ジクロロメタンと蒸留水を用いて抽出した。有機層をＭｇＳＯ４で乾燥し、濾過後、ロータリーエバポレーターを用いて濃縮した。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒＝エチルアセテート：ヘキサン＝１：５体積比）で物質を精製した。得られた物質はクロロホルムとメタノールを用いて再結晶し、架橋性化合物１をオレンジ色固体（４３３ｍｇ、９２％）として得た。１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）δ：７．４３－７．３４（ｍ，１６Ｈ），７．２１－７．１６（ｔ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，４Ｈ），４．４１（ｓ，８Ｈ）。
【0174】
（２）架橋性化合物２の製造
アルゴン雰囲気下、フェニルアセチルクロリド（２１９３ｍｇ、１４．１８ｍｍｏｌ）とジペンタエリトリトール（５００ｍｇ、１．９７ｍｍｏｌ）との混合溶液を１２０℃で１８時間撹拌した。常温に冷却した後、ジクロロメタンと蒸留水を用いて抽出した。有機層をＭｇＳＯ４で乾燥し、濾過後、ロータリーエバポレーターを用いて濃縮した。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒＝エチルアセテート：ヘキサン＝１：３体積比）で物質を精製し、粘っこい黄色液体（１５０６ｍｇ、８０％）を得た。１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：７．３１－７．１８（ｍ，３０Ｈ），３．８７（ｓ，１２Ｈ），３．５３（ｓ，１２Ｈ），２．８７（ｓ，４Ｈ）。
アルゴン雰囲気下、フェニルアセチルクロリド（２１９３ｍｇ、１４．１８ｍｍｏｌ）とジペンタエリトリトール（５００ｍｇ、１．９７ｍｍｏｌ）との混合溶液を１２０℃で１８時間撹拌した。常温に冷却した後、ジクロロメタンと蒸留水を用いて抽出した。有機層をＭｇＳＯ４で乾燥し、濾過後、ロータリーエバポレーターを用いて濃縮した。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒＝エチルアセテート：ヘキサン＝１：３体積比）で物質を精製し、粘っこい黄色液体（１５０６ｍｇ、８０％）を得た。１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：７．３１－７．１８（ｍ，３０Ｈ），３．８７（ｓ，１２Ｈ），３．５３（ｓ，１２Ｈ），２．８７（ｓ，４Ｈ）。
【0175】
アルゴン雰囲気下、前述の段階で得られた粘っこい黄色液体（１０００ｍｇ、１．０４ｍｍｏｌ）とｐ－ＡＢＳＡ（１７９５ｍｇ、７．４７ｍｍｏｌ）とを無水アセトニトリル（２０ｍＬ）に溶かし、１０分間撹拌した。溶液にＤＢＵ（１５８０ｍｇ、１０．３８ｍｍｏｌ）を徐々に滴加した後、常温で２４時間撹拌した。次いで、ジクロロメタンと蒸留水を用いて抽出した。有機層をＭｇＳＯ４で乾燥し、濾過後、ロータリーエバポレーターを用いて濃縮した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒＝ジクロロメタン）で物質を精製した。得られた物質はクロロホルムとメタノールを用いて再結晶し、架橋性化合物２をオレンジ色固体（５７７ｍｇ、４９％）として得た。１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：７．３９－７．３３（ｍ，２４Ｈ），７．１７－７．１３（ｔ，６Ｈ），４．３７（ｓ，１２Ｈ）。
【0176】
（３）架橋性化合物３の製造
アルゴン雰囲気下、４－メトキシフェニルアセチルクロリド（１６０５ｍｇ、１１．０２ｍｍｏｌ）とペンタエリトリトール（３００ｍｇ、２．２０３ｍｍｏｌ）との混合溶液を１２０℃で１２時間撹拌した。常温に冷却した後、ジクロロメタンと蒸留水を用いて抽出した。有機層をＭｇＳＯ４で乾燥し、濾過後、ロータリーエバポレーターを用いて濃縮した。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒＝エチルアセテート：ヘキサン＝１：１体積比）で物質を精製し、白色固体（１４９８ｍｇ、９３％）を得た。１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：７．０９（ｄ，Ｊ＝８Ｈｚ，８Ｈ），６．８２（ｄ，Ｊ＝８Ｈｚ，８Ｈ），３．９１（ｓ，８Ｈ），３．７７（ｓ，１２Ｈ），３．４６（ｓ，８Ｈ）。
アルゴン雰囲気下、４－メトキシフェニルアセチルクロリド（１６０５ｍｇ、１１．０２ｍｍｏｌ）とペンタエリトリトール（３００ｍｇ、２．２０３ｍｍｏｌ）との混合溶液を１２０℃で１２時間撹拌した。常温に冷却した後、ジクロロメタンと蒸留水を用いて抽出した。有機層をＭｇＳＯ４で乾燥し、濾過後、ロータリーエバポレーターを用いて濃縮した。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒＝エチルアセテート：ヘキサン＝１：１体積比）で物質を精製し、白色固体（１４９８ｍｇ、９３％）を得た。１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：７．０９（ｄ，Ｊ＝８Ｈｚ，８Ｈ），６．８２（ｄ，Ｊ＝８Ｈｚ，８Ｈ），３．９１（ｓ，８Ｈ），３．７７（ｓ，１２Ｈ），３．４６（ｓ，８Ｈ）。
【0177】
アルゴン雰囲気下、前述の段階で得られた白色固体（３００ｍｇ、０．４１２ｍｍｏｌ）とｐ－ＡＢＳＡ（６１１ｍｇ、２．４７０ｍｍｏｌ）とを無水アセトニトリル（７ｍＬ）に溶かし、１０分間撹拌した。溶液にＤＢＵ（３７６ｍｇ、２．４７０ｍｍｏｌ）を徐々に滴加した後、常温で２４時間撹拌した。次いで、ジクロロメタンと蒸留水を用いて抽出した。有機層をＭｇＳＯ４で乾燥し、濾過後、ロータリーエバポレーターを用いて濃縮した。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒＝エチルアセテート：ジクロロメタン＝１：２０体積比）で物質を精製した。得られた物質はクロロホルムとメタノールを用いて再結晶し、架橋性化合物３をオレンジ色固体（４３３ｍｇ、９２％）として得た。１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：７．３１（ｄ，Ｊ＝８Ｈｚ，８Ｈ），６．９１（ｄ，Ｊ＝８Ｈｚ，８Ｈ），４．３６（ｓ，８Ｈ），３．８０（ｓ，１２Ｈ）。
【0178】
（４）架橋性化合物４の製造
アルゴン雰囲気下、４－メトキシフェニルアセチルクロリド（１６０５ｍｇ、１１．０２ｍｍｏｌ）とペンタエリトリトール（３００ｍｇ、２．２０３ｍｍｏｌ）との混合溶液を１２０℃で１２時間撹拌した。常温に冷却した後、ジクロロメタンと蒸留水を用いて抽出した。有機層をＭｇＳＯ４で乾燥し、濾過後、ロータリーエバポレーターを用いて濃縮した。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒＝エチルアセテート：ヘキサン＝１：１体積比）で物質を精製し、白色固体（１４９８ｍｇ、９３％）を得た。１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：７．０９（ｄ，Ｊ＝８Ｈｚ，８Ｈ），６．８２（ｄ，Ｊ＝８Ｈｚ，８Ｈ），３．９１（ｓ，８Ｈ），３．７７（ｓ，１２Ｈ），３．４６（ｓ，８Ｈ）。
アルゴン雰囲気下、４－メトキシフェニルアセチルクロリド（１６０５ｍｇ、１１．０２ｍｍｏｌ）とペンタエリトリトール（３００ｍｇ、２．２０３ｍｍｏｌ）との混合溶液を１２０℃で１２時間撹拌した。常温に冷却した後、ジクロロメタンと蒸留水を用いて抽出した。有機層をＭｇＳＯ４で乾燥し、濾過後、ロータリーエバポレーターを用いて濃縮した。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒＝エチルアセテート：ヘキサン＝１：１体積比）で物質を精製し、白色固体（１４９８ｍｇ、９３％）を得た。１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：７．０９（ｄ，Ｊ＝８Ｈｚ，８Ｈ），６．８２（ｄ，Ｊ＝８Ｈｚ，８Ｈ），３．９１（ｓ，８Ｈ），３．７７（ｓ，１２Ｈ），３．４６（ｓ，８Ｈ）。
【0179】
アルゴン雰囲気下、前述の段階で得られた白色固体（１０００ｍｇ、１．３７２ｍｍｏｌ）を無水ジクロロメタン（４０ｍＬ）に溶かし、－７８℃で１時間撹拌した。次いで、ＢＢｒ３（１Ｍ ｉｎ ＤＣＭ、６．２ｍＬ、６．１７４ｍｍｏｌ）溶液を徐々に滴加した後、０℃で７時間撹拌した。飽和ＮａＨＣＯ３水溶液を徐々に滴加して反応を終結した後、エチルアセテートで抽出した。有機層をＭｇＳＯ４で乾燥し、濾過後、ロータリーエバポレーターを用いて濃縮した。得られた物質はヘキサンで沈殿を形成し、白色固体（５５１ｍｇ、６０％）を得た。１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ－ｄ６）δ：８．３３（ｓ，４Ｈ），６．９８（ｄ，Ｊ＝８Ｈｚ，８Ｈ），６．６７（ｄ，Ｊ＝８Ｈｚ，８Ｈ），３．９４（ｓ，８Ｈ），３．４６（ｓ，８Ｈ）。
【0180】
アルゴン雰囲気下、前述の段階で得られた白色固体（１００ｍｇ、０．１４９ｍｍｏｌ）、１－ブロモ－２－メチル－プロパン（６１１ｍｇ、２．４７０ｍｍｏｌ）、及びＫ２ＣＯ３（１４４ｍｇ、１．０４３ｍｍｏｌ）を無水ＤＭＦ（７ｍＬ）に溶かし、１１０℃で２４時間撹拌した。常温に冷却した後、ジクロロメタンと蒸留水を用いて抽出した。有機層をＭｇＳＯ４で乾燥し、濾過後、ロータリーエバポレーターを用いて濃縮した。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒＝エチルアセテート：ヘキサン＝１：３体積比）で物質を精製し、粘っこい液体状態の生成物（７３ｍｇ、５４％）を得た。１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：７．０７（ｄ，Ｊ＝８Ｈｚ，８Ｈ），６．８１（ｄ，Ｊ＝８Ｈｚ，８Ｈ），３．９３（ｓ，８Ｈ），３．６７（ｄ，Ｊ＝８Ｈｚ，８Ｈ），３．４５（ｓ，１２Ｈ），２．０９－２．０２（ｍ，４Ｈ），１．０１（ｄ，Ｊ＝４Ｈｚ，２４Ｈ）。
【0181】
アルゴン雰囲気下、前述の段階で得られた液体（７３ｍｇ、０．０８１ｍｍｏｌ）とｐ－ＡＢＳＡ（７４ｍｇ、０．４８６ｍｍｏｌ）とを無水アセトニトリル（５ｍＬ）に溶かし、１０分間撹拌した。溶液にＤＢＵ（１１７ｍｇ、０．４８６ｍｍｏｌ）を徐々に滴加した後、常温で２４時間撹拌した。次いで、ジクロロメタンと蒸留水を用いて抽出した。有機層をＭｇＳＯ４で乾燥し、濾過後、ロータリーエバポレーターを用いて濃縮した。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒＝エチルアセテート：ヘキサン＝１：５体積比）で物質を精製した。得られた物質はジクロロメタンとメタノールを用いて再結晶し、架橋性化合物４をオレンジ色固体（９ｍｇ、１１％）として得た。１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：７．２９（ｄ，Ｊ＝８Ｈｚ，８Ｈ），６．９０（ｄ，Ｊ＝８Ｈｚ，８Ｈ），４．３４（ｓ，８Ｈ），３．７０（ｄ，Ｊ＝４Ｈｚ，８Ｈ），２．１０－２．０３（ｍ，４Ｈ），１．０２（ｄ，Ｊ＝４Ｈｚ，２４Ｈ）。
【0182】
（５）架橋性化合物５の製造
４－フルオロフェニルアセチルクロリド（１２６７ｍｇ、７．３４５ｍｍｏｌ）とペンタエリトリトール（２００ｍｇ、１．４６９ｍｍｏｌ）との混合溶液を１４０℃で１８時間撹拌した。常温に冷却した後、エチルアセテートと蒸留水を用いて抽出した。有機層をＭｇＳＯ４で乾燥し、濾過後、ロータリーエバポレーターを用いて濃縮した。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒＝エチルアセテート：ヘキサン＝１：２体積比）で物質を精製し、白色固体（８０６ｍｇ、８１％）を得た。１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：７．１４（ｄｄ，Ｊ＝８Ｈｚ，４Ｈｚ，８Ｈ），６．９９（ｔ，Ｊ＝８Ｈｚ，８Ｈ），３．９３（ｓ，８Ｈ），３．５１（ｓ，８Ｈ）。
４－フルオロフェニルアセチルクロリド（１２６７ｍｇ、７．３４５ｍｍｏｌ）とペンタエリトリトール（２００ｍｇ、１．４６９ｍｍｏｌ）との混合溶液を１４０℃で１８時間撹拌した。常温に冷却した後、エチルアセテートと蒸留水を用いて抽出した。有機層をＭｇＳＯ４で乾燥し、濾過後、ロータリーエバポレーターを用いて濃縮した。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒＝エチルアセテート：ヘキサン＝１：２体積比）で物質を精製し、白色固体（８０６ｍｇ、８１％）を得た。１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：７．１４（ｄｄ，Ｊ＝８Ｈｚ，４Ｈｚ，８Ｈ），６．９９（ｔ，Ｊ＝８Ｈｚ，８Ｈ），３．９３（ｓ，８Ｈ），３．５１（ｓ，８Ｈ）。
【0183】
アルゴン雰囲気下、前述の段階で得られた白色固体（４００ｍｇ、０．５８８ｍｍｏｌ）とｐ－ＡＢＳＡ（１０１９ｍｇ、４．１１４ｍｍｏｌ）とを無水アセトニトリル（１０ｍＬ）に溶かし、１０分間撹拌した。次いで、ＤＢＵ（６２６ｍｇ、２．４７０ｍｍｏｌ）を徐々に滴加した後、常温で２４時間撹拌した。次いで、ジクロロメタンと蒸留水を用いて抽出した。有機層をＭｇＳＯ４で乾燥し、濾過後、ロータリーエバポレーターを用いて濃縮した。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒＝ジクロロメタン）で物質を精製した。得られた物質はクロロホルムとメタノールを用いて再結晶し、架橋性化合物５をオレンジ色固体（７８ｍｇ、１７％）として得た。１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：７．３８（ｔ，Ｊ＝８Ｈｚ，８Ｈ），７．０８（ｔ，Ｊ＝８Ｈｚ，８Ｈ），４．３８（ｓ，８Ｈ）。
【0184】
（６）架橋性化合物６の製造
アルゴン雰囲気下、フェニルアセチルクロリド（７６３６ｍｇ、４９．４０ｍｍｏｌ）とＤ－マンニトール（１０００ｍｇ、５．４８９ｍｍｏｌ）との混合溶液を１３０℃で２４時間撹拌した。常温に冷却した後、ジクロロメタンと蒸留水を用いて抽出した。有機層をＭｇＳＯ４で乾燥し、濾過後、ロータリーエバポレーターを用いて濃縮した。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒＝エチルアセテート：ヘキサン＝１：５体積比）で物質を精製し、淡黄色液体（１１７７ｍｇ、２４％）を得た。１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：７．３２－７．１９（ｍ，３０Ｈ），５．４６（ｄ，Ｊ＝８Ｈｚ，２Ｈ），５．１１－５．０７（ｍ，２Ｈ），４．２０（ｓ，１Ｈ），４．１９（ｓ，１Ｈ），３．８８（ｄ，Ｊ＝４Ｈｚ，１Ｈ），３．８５（ｄ，Ｊ＝４Ｈｚ，１Ｈ），３．６０（ｄ，Ｊ＝４Ｈｚ，４Ｈ），３．５４（ｄ，Ｊ＝４Ｈｚ，４Ｈ），３．５０（ｓ，４Ｈ）。
アルゴン雰囲気下、フェニルアセチルクロリド（７６３６ｍｇ、４９．４０ｍｍｏｌ）とＤ－マンニトール（１０００ｍｇ、５．４８９ｍｍｏｌ）との混合溶液を１３０℃で２４時間撹拌した。常温に冷却した後、ジクロロメタンと蒸留水を用いて抽出した。有機層をＭｇＳＯ４で乾燥し、濾過後、ロータリーエバポレーターを用いて濃縮した。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒＝エチルアセテート：ヘキサン＝１：５体積比）で物質を精製し、淡黄色液体（１１７７ｍｇ、２４％）を得た。１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：７．３２－７．１９（ｍ，３０Ｈ），５．４６（ｄ，Ｊ＝８Ｈｚ，２Ｈ），５．１１－５．０７（ｍ，２Ｈ），４．２０（ｓ，１Ｈ），４．１９（ｓ，１Ｈ），３．８８（ｄ，Ｊ＝４Ｈｚ，１Ｈ），３．８５（ｄ，Ｊ＝４Ｈｚ，１Ｈ），３．６０（ｄ，Ｊ＝４Ｈｚ，４Ｈ），３．５４（ｄ，Ｊ＝４Ｈｚ，４Ｈ），３．５０（ｓ，４Ｈ）。
【0185】
アルゴン雰囲気下、前述の段階で得られた淡黄色液体（１１５７ｍｇ、１．２９９ｍｍｏｌ）とｐ－ＡＢＳＡ（２８０８ｍｇ、１１．６９ｍｍｏｌ）とを無水アセトニトリル（５０ｍＬ）に溶かし、１０分間撹拌した。次いで、ＤＢＵ（１７８０ｍｇ、１１．６９ｍｍｏｌ）を徐々に滴加した後、常温で２４時間撹拌した。次いで、ジクロロメタンと蒸留水を用いて抽出した。有機層をＭｇＳＯ４で乾燥し、濾過後、ロータリーエバポレーターを用いて濃縮した。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒＝ジクロロメタン）で物質を精製した。得られた物質はクロロホルムとメタノールを用いて再結晶し、架橋性化合物６を黄色固体（２７９ｍｇ、２１％）として得た。１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：７．４０－７．１４（ｍ，３０Ｈ），５．８１（ｄ，Ｊ＝８Ｈｚ，２Ｈ），５．４９（ｍ，２Ｈ），４．７０（ｄ，Ｊ＝１２Ｈｚ，２Ｈ），４．３５（ｄｄ，Ｊ＝１２Ｈｚ，４Ｈｚ，２Ｈ）。
【0186】
（７）架橋性化合物７の製造
４－フルオロフェニルアセチルクロリド（１０１０ｍｇ、５．８５２ｍｍｏｌ）とジペンタエリトリトール（２５０ｍｇ、０．８３６ｍｍｏｌ）との混合溶液を１２０℃で１８時間撹拌した。常温に冷却した後、ジクロロメタンと蒸留水を用いて抽出した。有機層をＭｇＳＯ４で乾燥し、濾過後、ロータリーエバポレーターを用いて濃縮した。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒＝エチルアセテート：ヘキサン＝１：２体積比）で物質を精製し、白色固体（７１０ｍｇ、７９％）を得た。１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：７．１７（ｔ，Ｊ＝４Ｈｚ，４Ｈｚ，１２Ｈ），６．９９（ｔ，Ｊ＝４Ｈｚ，１２Ｈ），３．９２（ｓ，１２Ｈ），３．５２（ｓ，１２Ｈ），２．９４（ｓ，４Ｈ）。
４－フルオロフェニルアセチルクロリド（１０１０ｍｇ、５．８５２ｍｍｏｌ）とジペンタエリトリトール（２５０ｍｇ、０．８３６ｍｍｏｌ）との混合溶液を１２０℃で１８時間撹拌した。常温に冷却した後、ジクロロメタンと蒸留水を用いて抽出した。有機層をＭｇＳＯ４で乾燥し、濾過後、ロータリーエバポレーターを用いて濃縮した。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒＝エチルアセテート：ヘキサン＝１：２体積比）で物質を精製し、白色固体（７１０ｍｇ、７９％）を得た。１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：７．１７（ｔ，Ｊ＝４Ｈｚ，４Ｈｚ，１２Ｈ），６．９９（ｔ，Ｊ＝４Ｈｚ，１２Ｈ），３．９２（ｓ，１２Ｈ），３．５２（ｓ，１２Ｈ），２．９４（ｓ，４Ｈ）。
【0187】
アルゴン雰囲気下、前述の段階で得られた白色固体（４００ｍｇ、０．３７４ｍｍｏｌ）とｐ－ＡＢＳＡ（８９７ｍｇ、３．７３５ｍｍｏｌ）とを無水アセトニトリル（１０ｍＬ）に溶かし、１０分間撹拌した。次いで、ＤＢＵ（５６８ｍｇ、３．７３５ｍｍｏｌ）を徐々に滴加した後、常温で２４時間撹拌した。次いで、ジクロロメタンと蒸留水を用いて抽出した。有機層をＭｇＳＯ４で乾燥し、濾過後、ロータリーエバポレーターを用いて濃縮した。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒＝クロロホルム：ヘキサン＝３０：１体積比）で物質を精製した。得られた物質はクロロホルムとヘキサンを用いて再結晶し、架橋性化合物７をオレンジ色固体（１６０ｍｇ、３５％）として得た。１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：７．３４（ｔ，Ｊ＝４Ｈｚ，１２Ｈ），７．０３（ｔ，Ｊ＝８Ｈｚ，１２Ｈ），４．３４（ｓ，１２Ｈ），３．４６（ｓ，４Ｈ）。
【0188】
製造例１：量子ドットインク組成物の製造
（１）赤色量子ドットインク組成物の製造
オレイン酸亜鉛（０．５Ｍ、Ｚｎ（ＯＡ）２）は、２０ｍｍｏｌのＺｎ（ＯＡｃ）２を１２ｍｌのＯＡと共に１５０℃で１時間加熱して製造した後、これをＯＤＥで希釈して総体積を４０ｍｌにした。トリオクチルホスフィンセレン（１Ｍ、ＴＯＰＳｅ）とトリオクチルホスフィン硫黄（１Ｍ、ＴＯＰＳ）は、１ｍｍｏｌのＳｅまたはＳを１ｍｌのＴＯＰと共に室温で一晩中撹拌して製造した。
（１）赤色量子ドットインク組成物の製造
オレイン酸亜鉛（０．５Ｍ、Ｚｎ（ＯＡ）２）は、２０ｍｍｏｌのＺｎ（ＯＡｃ）２を１２ｍｌのＯＡと共に１５０℃で１時間加熱して製造した後、これをＯＤＥで希釈して総体積を４０ｍｌにした。トリオクチルホスフィンセレン（１Ｍ、ＴＯＰＳｅ）とトリオクチルホスフィン硫黄（１Ｍ、ＴＯＰＳ）は、１ｍｍｏｌのＳｅまたはＳを１ｍｌのＴＯＰと共に室温で一晩中撹拌して製造した。
【0189】
赤色発光ＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ量子ドット（ｒ＝３．０ｎｍ、ｌ＝５．０ｎｍ、ｈ＝２．０ｎｍ）の場合、０．３ｍｍｏｌのＣｄＯ、１ｍｍｏｌのＯＡ、６ｍｌのＯＤＥを三口フラスコに入れ、不活性条件で３００℃まで加熱し、透明なＣｄ（ＯＡ）２溶液を形成した。次いで、０．５ｍｌのＴＯＰＳｅ（１Ｍ）を反応フラスコに速く注入した。３分後、ＯＤＥに５ｍｌのＣｄ、Ｓｅストック溶液を注入してＣｄＳｅコアを成長させた。次いで、ＺｎＳｅシェルを成長させるために、２０ｍｌのＺｎ（ＯＡ）２（０．５Ｍ）と７ｍｌのＴＯＰＳｅを連続して添加した。最後に、ＺｎＳシェルを成長させるために、１０ｍｌのＺｎ（ＯＡ）２（０．５Ｍ）と５ｍｌのＴＯＰＳを添加した。合成された赤色発光ＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ量子ドットを沈殿／再分散（エタノール／トルエン）方法によって５回精製した。
【0190】
トルエン（５５ｍｇ／ｍＬ）に溶かした赤色発光ＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ量子ドット溶液に化合物１を量子ドットに対して５重量％で添加し、赤色量子ドットインク組成物を製造した。
【0191】
（２）緑色量子ドットインク組成物の合成
緑色発光ＩｎＰ／ＺｎＳｅＳ量子ドットは、Ｕｎｉａｍ社の製品を購入した。
緑色発光ＩｎＰ／ＺｎＳｅＳ量子ドットは、Ｕｎｉａｍ社の製品を購入した。
【0192】
トルエン（５５ｍｇ／ｍＬ）に溶かした緑色発光ＩｎＰ／ＺｎＳｅＳ量子ドット溶液に化合物１を量子ドットに対して５重量％で添加し、緑色量子ドットインク組成物を製造した。
【0193】
（３）青色量子ドットインク組成物の合成
ＯＤＥにＺｎ（ＯＡ）２（０．５Ｍ）ストック溶液をカチオン前駆体として製造した。ＴＯＰＳｅ（２Ｍ）、トリオクチルホスフィンテルリド（０．０５Ｍ、ＴＯＰＴｅ）、及びジフェニルホスフィンセレニド（０．２Ｍ、ＤＰＰＳｅ）をアニオン前駆体として製造した。Ｚｎ（ＯＡ）２の製造のために、５０ｍｍｏｌのＺｎ（Ａｃ）２と１００ｍｍｏｌのＯＡとをフラスコに入れ、１３０℃で６時間脱気した後、Ｎ２ガスで再充填した後、ＯＤＥで０．５Ｍ濃度に希釈した。ＴＯＰＳｅの製造のために、１００ｍｍｏｌのＳｅ粉末を５０ｍＬのＴＯＰと１６０℃で５時間不活性条件で混合した。同様の方法によってＴＯＰＴｅを製造した。
ＯＤＥにＺｎ（ＯＡ）２（０．５Ｍ）ストック溶液をカチオン前駆体として製造した。ＴＯＰＳｅ（２Ｍ）、トリオクチルホスフィンテルリド（０．０５Ｍ、ＴＯＰＴｅ）、及びジフェニルホスフィンセレニド（０．２Ｍ、ＤＰＰＳｅ）をアニオン前駆体として製造した。Ｚｎ（ＯＡ）２の製造のために、５０ｍｍｏｌのＺｎ（Ａｃ）２と１００ｍｍｏｌのＯＡとをフラスコに入れ、１３０℃で６時間脱気した後、Ｎ２ガスで再充填した後、ＯＤＥで０．５Ｍ濃度に希釈した。ＴＯＰＳｅの製造のために、１００ｍｍｏｌのＳｅ粉末を５０ｍＬのＴＯＰと１６０℃で５時間不活性条件で混合した。同様の方法によってＴＯＰＴｅを製造した。
【0194】
４ｍｍｏｌのＳｅ粉末を２００℃で２ｍＬのＤＰＰと不活性条件で反応が完了するまで反応させた後、ＲＴでトルエンで０．２Ｍ濃度に希釈し、ＤＰＰＳｅを製造した。
【0195】
ＺｎＳｅＴｅ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ量子ドット（ｒ＝１．８ｎｍ、ｌ＝１．８ｎｍ、ｈ＝０．６ｎｍ）は、以前に報告された方法を少し修正して合成した（１）。１．２ｍＬのＺｎ（ＯＡ）２（０．５Ｍ）と１０ｍＬのＯＤＥとを三口丸底フラスコに入れ、１１０℃で撹拌及び脱気した。水と酸素を完全に除去するために１時間脱気した後、Ｎ２ガスで再充填した。次いで、１．４３ｍＬのＤＰＰＳｅ（０．２Ｍ）と０．３ｍＬのＴＯＰＴｅ（０．０５Ｍ）との混合物を注入して２３０℃でＺｎＳｅ０．９５Ｔｅ０．０５コアを合成し、３０分間維持した。次いで、温度を１５分間３００℃に上げて、ＺｎＳｅ０．９５Ｔｅ０．０５コア（ｒ＝１．８ｎｍ）が完全に成長されるようにした。コアにＺｎＳｅシェルをさらに成長させるために、３００℃でＺｎ（ＯＡ）２（０．５Ｍ）２ｍＬ／３．４ｍＬ／５ｍＬとＴＯＰＳｅ（２Ｍ）０．２５ｍＬ／０．４２５ｍＬ／０．６２５ｍＬとを順次に注入した。Ｚｎ（ＯＡ）２（０．５Ｍ）１０ｍＬとＤＤＴ ０．５ｍＬとをさらに注入し、０．６ｎｍ厚のＺｎＳシェルを成長させた。合成された量子ドットは、沈殿／再分散（エタノール／トルエン）方法によって二回精製した。
【0196】
トルエン（５５ｍｇ／ｍＬ）に溶かした青色発光ＺｎＳｅＴｅ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ量子ドット溶液に化合物１を量子ドットに対して２０重量％で添加し、青色量子ドットインク組成物を製造した。
【0197】
実施例１：ＰＩＮフォトパターニング（PIN photopatterning）を利用した量子ドットパターンフィルムの製造
一実施形態による量子ドットパターンフィルムは、図１を参照して、下記のような方法で製造される。
一実施形態による量子ドットパターンフィルムは、図１を参照して、下記のような方法で製造される。
【0198】
（１）フォトレジストパターン（PR pattern）の形成
基板は、アセトンとイソプロピルアルコールで充填された超音波浴でそれぞれ１０分間洗浄した後、窒素ガンで乾燥した。ＫＬ５３０１フォトレジスト（Kemlab Incorporation社製）を多段階スピンコーティング工程（５００ｒｐｍで５秒、４５００ｒｐｍで４０秒、２，０００ｒｐｍで２秒）でＳｉＯ２基板にコーティングした後、生成されたフィルムを１０５℃のホットプレートで１分間ソフトベークした。ソフトベーク後、フォトレジストフィルムにマスクアライナー（ＭＤＡ－４００ＬＪ、ＭＩＤＡＳシステム）を使用してフォトマスクを通じてＵＶ光源（３６５ｎｍ、９．８ｍＷ／ｃｍ２）を９秒間照射した後、１１５℃のホットプレートで１分間ハードベークした。ハードベークされたフォトレジストフィルムをＡＺ３００ＭＩＦ現像液（AZ Electronic Materials社製）で４秒間現像した後、脱イオン水で洗い流した。生成されたフォトレジストパターンの厚さは７０ｎｍであった。
基板は、アセトンとイソプロピルアルコールで充填された超音波浴でそれぞれ１０分間洗浄した後、窒素ガンで乾燥した。ＫＬ５３０１フォトレジスト（Kemlab Incorporation社製）を多段階スピンコーティング工程（５００ｒｐｍで５秒、４５００ｒｐｍで４０秒、２，０００ｒｐｍで２秒）でＳｉＯ２基板にコーティングした後、生成されたフィルムを１０５℃のホットプレートで１分間ソフトベークした。ソフトベーク後、フォトレジストフィルムにマスクアライナー（ＭＤＡ－４００ＬＪ、ＭＩＤＡＳシステム）を使用してフォトマスクを通じてＵＶ光源（３６５ｎｍ、９．８ｍＷ／ｃｍ２）を９秒間照射した後、１１５℃のホットプレートで１分間ハードベークした。ハードベークされたフォトレジストフィルムをＡＺ３００ＭＩＦ現像液（AZ Electronic Materials社製）で４秒間現像した後、脱イオン水で洗い流した。生成されたフォトレジストパターンの厚さは７０ｎｍであった。
【0199】
（２）ＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ量子ドットパターンの形成
前記赤色量子ドットインク組成物（QD ink）を前記フォトレジストパターンが形成された基板上にスピンコーティング（４，０００ｒｐｍ、３０秒）し、生成されたフィルムを１１０℃で２０分間アニーリングして架橋反応を誘導した。次いで、前記フォトレジストパターンをアセトンで充填された超音波浴で１分間ストリップした後、窒素ガンを使用して乾燥し、７０ｎｍ厚のＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ量子ドットパターン（QD pattern）を形成した。
前記赤色量子ドットインク組成物（QD ink）を前記フォトレジストパターンが形成された基板上にスピンコーティング（４，０００ｒｐｍ、３０秒）し、生成されたフィルムを１１０℃で２０分間アニーリングして架橋反応を誘導した。次いで、前記フォトレジストパターンをアセトンで充填された超音波浴で１分間ストリップした後、窒素ガンを使用して乾燥し、７０ｎｍ厚のＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ量子ドットパターン（QD pattern）を形成した。
【0200】
比較例１：直接フォトパターニング（Direct Photopatterning）を利用した量子ドットパターンフィルムの製造
トルエン（６０ｍｇ／ｍＬ）に溶かした赤色発光ＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ量子ドット溶液に化合物１（量子ドットに対して５重量％）を添加した混合溶液を基板にスピンコーティング（２，０００ｒｐｍで６０秒、２５ｎｍ厚の量子ドットパターン、４，０００ｒｐｍで３０秒）して７０ｎｍ厚を得た。生成されたフィルムをフォトマスクを通じてＵＶ（３６５ｎｍ、４ｍＷ／ｃｍ２、該当する露出４．８Ｊ／ｃｍ２）で架橋した。次いで、トルエン溶媒を使用して、架橋されていない領域を選択的に除去し、赤色量子ドットパターンが形成された比較例１の量子ドットパターンフィルムを現像した。
トルエン（６０ｍｇ／ｍＬ）に溶かした赤色発光ＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ量子ドット溶液に化合物１（量子ドットに対して５重量％）を添加した混合溶液を基板にスピンコーティング（２，０００ｒｐｍで６０秒、２５ｎｍ厚の量子ドットパターン、４，０００ｒｐｍで３０秒）して７０ｎｍ厚を得た。生成されたフィルムをフォトマスクを通じてＵＶ（３６５ｎｍ、４ｍＷ／ｃｍ２、該当する露出４．８Ｊ／ｃｍ２）で架橋した。次いで、トルエン溶媒を使用して、架橋されていない領域を選択的に除去し、赤色量子ドットパターンが形成された比較例１の量子ドットパターンフィルムを現像した。
【0201】
評価例１
前記実施例１及び比較例１それぞれで製造された量子ドットパターンフィルムを原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）で観察した写真と高さプロファイル（height profile）を図２に示している。
前記実施例１及び比較例１それぞれで製造された量子ドットパターンフィルムを原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）で観察した写真と高さプロファイル（height profile）を図２に示している。
【0202】
また、前記実施例１及び比較例１それぞれで５個以上の量子ドットパターンフィルムを製造し、それらの線縁粗さ（line edge roughness）、線幅変化（line width variation）及び表面粗さ（surface roughness）を測定し、その結果を図３に示している。図３の各グラフにおいて、縦軸の値は平均値であり、エラーバー（error bar）は標準偏差（standard deviation）を示す。
【0203】
図２及び図３を参照して、一実施形態による量子ドットパターンフィルムは、比較例の量子ドットパターンフィルムと比べて線縁粗さ、線幅変化及び表面粗さが顕著に減少し、パターン忠実度に非常に優れることが分かる。
【0204】
実施例２：多色量子ドットパターンフィルムの製造
一実施形態による量子ドットパターンフィルムは、図４を参照して、下記のような方法で多色量子ドットパターンフィルムにも製造される。
一実施形態による量子ドットパターンフィルムは、図４を参照して、下記のような方法で多色量子ドットパターンフィルムにも製造される。
【0205】
（１）まず、赤色発光ＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ量子ドットインク組成物を実施例１で説明された方法を通じてパターニングし、赤色量子ドットパターン（Red pattern）を形成した。
【0206】
（２）その後、赤色発光ＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ量子ドットパターンがある基板に、緑色量子ドットパターンのリバースパターンであるフォトレジストパターンを形成し（PR patterning）、プラズマエッチングして厚さを小さくした（Reactive ion etching）。前記赤色発光ＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ量子ドットパターンがフォトレジスト層で覆われていたので、エッチング段階の間にプラズマに直接露出されることを防止することができた。
【0207】
（３）その後、緑色発光ＩｎＰ／ＺｎＳｅＳ量子ドットインク組成物（QD ink）を用いて（１）と同様の方法によってパターニング（Green spin-coating、Annealing、及びLift-off）し、赤色及び緑色量子ドットパターン（RG pattern）を形成した。
【0208】
（４）その後、青色発光ＺｎＳｅＴｅ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ量子ドットインク組成物を用いて前記（２）及び（３）の過程を反復（Repeat）してパターニングし、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）及び青色（Ｂ）量子ドットパターン（RGB pattern）を形成した。
【0209】
評価例２
前記実施例２で製造された量子ドットパターンフィルムを蛍光顕微鏡で観察し、その結果を図５に示している。
前記実施例２で製造された量子ドットパターンフィルムを蛍光顕微鏡で観察し、その結果を図５に示している。
【0210】
また、前記実施例２で製造された量子ドットフィルムをＡＦＭ（atomic force microscopy）で観察した写真と高さプロファイルを図６に示している。
【0211】
【0212】
実施例３：赤色発光素子の作製
予めパターニングされたＩＴＯ基板を、脱イオン水、アセトン、イソプロピルアルコールが含まれた超音波浴でそれぞれ１０分間洗浄した後、窒素ガンを使用して乾燥した。全体のＱＤ－ＬＥＤ作製は不活性条件で行われた。
予めパターニングされたＩＴＯ基板を、脱イオン水、アセトン、イソプロピルアルコールが含まれた超音波浴でそれぞれ１０分間洗浄した後、窒素ガンを使用して乾燥した。全体のＱＤ－ＬＥＤ作製は不活性条件で行われた。
【0213】
２０ｍｇ／ｍＬのＺｎＯナノ粒子を予めパターニングされたＩＴＯ基板に４０００ｒｐｍで３０秒間スピンコーティングした後、フィルムを８０℃で３０分間アニーリングした。１５ｍｇ／ｍＬの赤色発光ＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ ＱＤに５ｗｔ％の化合物１を添加した後、４０００ｒｐｍで３０秒間ＺｎＯナノ粒子上にスピンコーティングし、形成されたＱＤフィルムを１１０℃で２０分間アニーリングした。ＣＢＰ（６０ｎｍ）、ＭｏＯｘ（１０ｎｍ）、及びＡｌ（１２０ｎｍ）をそれぞれ０．４Å／ｓ～１．０Å／ｓ、０．１Å／ｓ～０．２Å／ｓ、及び１．０Å／ｓ～２．０Å／ｓの蒸着速度で～１０－７ｔｏｒｒの圧力でＱＤフィルムに熱蒸着して赤色発光素子を作製した。
【0214】
【化12】
【0215】
実施例４：緑色発光素子の作製
ＱＤフィルム形成時、１５ｍｇ／ｍＬの赤色発光ＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ ＱＤの代わりに、１５ｍｇ／ｍＬの緑色発光ＩｎＰ／ＺｎＳｅＳ ＱＤを使用したことを除いては、実施例３と同様の方法で緑色発光素子を作製した。
ＱＤフィルム形成時、１５ｍｇ／ｍＬの赤色発光ＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ ＱＤの代わりに、１５ｍｇ／ｍＬの緑色発光ＩｎＰ／ＺｎＳｅＳ ＱＤを使用したことを除いては、実施例３と同様の方法で緑色発光素子を作製した。
【0216】
実施例５：青色発光素子の作製
ＱＤフィルム形成時、１５ｍｇ／ｍＬの赤色発光ＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ ＱＤの代わりに、１０ｍｇ／ｍＬの青色発光ＺｎＳｅＴｅ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ ＱＤを使用したことを除いては、実施例３と同様の方法で青色発光素子を作製した。
ＱＤフィルム形成時、１５ｍｇ／ｍＬの赤色発光ＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ ＱＤの代わりに、１０ｍｇ／ｍＬの青色発光ＺｎＳｅＴｅ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ ＱＤを使用したことを除いては、実施例３と同様の方法で青色発光素子を作製した。
【0217】
比較例２～４
ＱＤフィルム形成時、化合物１を利用しないことを除いては、実施例３～５と同様の方法で赤色発光素子、緑色発光素子、及び青色発光素子をそれぞれ作製した。
ＱＤフィルム形成時、化合物１を利用しないことを除いては、実施例３～５と同様の方法で赤色発光素子、緑色発光素子、及び青色発光素子をそれぞれ作製した。
【0218】
評価例３：発光素子特性評価
実施例３～５及び比較例２～４で作製された発光素子の発光スペクトル、電流密度、輝度及び外部量子効率（external quantum efficiency: EQE）をそれぞれＫｅｉｔｈｌｅｙ ＭＵ ２３６及び輝度計ＰＲ６５０を利用して測定し、その結果を図９～図１２に示している。
実施例３～５及び比較例２～４で作製された発光素子の発光スペクトル、電流密度、輝度及び外部量子効率（external quantum efficiency: EQE）をそれぞれＫｅｉｔｈｌｅｙ ＭＵ ２３６及び輝度計ＰＲ６５０を利用して測定し、その結果を図９～図１２に示している。
【0219】
図９を参照して、実施例３～５の発光素子（「Crosslinked」）の発光スペクトルが、比較例２～４の発光素子（「Pristine」）の発光スペクトルと区別が難しいほどほとんど差がないことが分かる。
【0220】
また、図１０～図１２を参照して、実施例３～５の発光素子（「Crosslinked」）の電流密度（Ｊ）－電圧（Ｖ）－輝度（Ｌ）プロファイル及び外部量子効率（ＥＱＥ）－Ｊプロファイルが、比較例２～４の発光素子（「Pristine」）のものと非常に類似していることが分かる。
【0221】
このことから、低温活性化架橋剤の使用は、ＱＤ層の電気的及び光電子的特性を低下させず、一実施形態によるコロイダル粒子インク組成物を利用したフォトパターニング工程が非破壊的であることが分かる。
【0222】
本発明について前記実施形態を挙げて説明したが、これは例示的なものに過ぎず、本発明に属する技術分野における通常の知識を有する者であれば、それらから多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるという点を理解できるであろう。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想によって決まらなければならない。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
