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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2025113832
(43)【公開日】2025-08-04
(54)【発明の名称】磁性体およびインダクタ
(51)【国際特許分類】
H01F 17/04 20060101AFI20250728BHJP
H01F 1/14 20060101ALI20250728BHJP
H01F 1/147 20060101ALI20250728BHJP
【ＦＩ】
H01F17/04 F
H01F1/14
H01F1/147 166
【審査請求】未請求
【請求項の数】13
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2024008196
(22)【出願日】2024-01-23
(71)【出願人】
【識別番号】000006231
【氏名又は名称】株式会社村田製作所
(74)【代理人】
【識別番号】100145403
【弁理士】
【氏名又は名称】山尾 憲人
(74)【代理人】
【識別番号】100187584
【弁理士】
【氏名又は名称】村石 桂一
(72)【発明者】
【氏名】北川 征樹
(72)【発明者】
【氏名】森内 祥行
【テーマコード（参考）】
5E041
5E070
【Ｆターム（参考）】
5E041AA02
5E041AA11
5E041BD13
5E041NN01
5E070AA01
5E070AB03
5E070BB03
(57)【要約】
【課題】μ値の低下を抑制しつつ、Ｈｓａｔ２０を向上させた磁性体およびインダクタを提供する。
【解決手段】本開示の磁性体１は、第１金属磁性粒子ＭＰ１と、第１金属磁性粒子ＭＰ１よりもメジアン粒径が大きい第２金属磁性粒子ＭＰ２と、樹脂と、を含み、第１金属磁性粒子ＭＰ１は、第１絶縁被膜ＩＭ１によって被覆され、第２金属磁性粒子ＭＰ２は、第２絶縁被膜ＩＭ２によって被覆され、第１金属磁性粒子ＭＰ１のメジアン粒径をＤ１、第１絶縁被膜ＩＭ１の平均厚みをＴ１、第２金属磁性粒子ＭＰ２のメジアン粒径をＤ２、第２絶縁被膜ＩＭ２の平均厚みをＴ２としたときに、２．５≦（Ｔ１／Ｄ１）／（Ｔ２／Ｄ２）≦３．９、Ｔ２≦３９．４ｎｍの両方を充足する。
【選択図】図１
【解決手段】本開示の磁性体１は、第１金属磁性粒子ＭＰ１と、第１金属磁性粒子ＭＰ１よりもメジアン粒径が大きい第２金属磁性粒子ＭＰ２と、樹脂と、を含み、第１金属磁性粒子ＭＰ１は、第１絶縁被膜ＩＭ１によって被覆され、第２金属磁性粒子ＭＰ２は、第２絶縁被膜ＩＭ２によって被覆され、第１金属磁性粒子ＭＰ１のメジアン粒径をＤ１、第１絶縁被膜ＩＭ１の平均厚みをＴ１、第２金属磁性粒子ＭＰ２のメジアン粒径をＤ２、第２絶縁被膜ＩＭ２の平均厚みをＴ２としたときに、２．５≦（Ｔ１／Ｄ１）／（Ｔ２／Ｄ２）≦３．９、Ｔ２≦３９．４ｎｍの両方を充足する。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１金属磁性粒子と、前記第１金属磁性粒子よりもメジアン粒径が大きい第２金属磁性粒子と、樹脂と、を含み、
前記第１金属磁性粒子は、第１絶縁被膜によって被覆され、
前記第２金属磁性粒子は、第２絶縁被膜によって被覆され、
前記第１金属磁性粒子のメジアン粒径をＤ１、前記第１絶縁被膜の平均厚みをＴ１、前記第２金属磁性粒子のメジアン粒径をＤ２、前記第２絶縁被膜の平均厚みをＴ２としたときに、
２．５≦（Ｔ１／Ｄ１）／（Ｔ２／Ｄ２）≦３．９
Ｔ２≦３９．４ｎｍ
の両方を充足する、磁性体。
前記第１金属磁性粒子は、第１絶縁被膜によって被覆され、
前記第２金属磁性粒子は、第２絶縁被膜によって被覆され、
前記第１金属磁性粒子のメジアン粒径をＤ１、前記第１絶縁被膜の平均厚みをＴ１、前記第２金属磁性粒子のメジアン粒径をＤ２、前記第２絶縁被膜の平均厚みをＴ２としたときに、
２．５≦（Ｔ１／Ｄ１）／（Ｔ２／Ｄ２）≦３．９
Ｔ２≦３９．４ｎｍ
の両方を充足する、磁性体。
【請求項2】
前記第１金属磁性粒子のメジアン粒径Ｄ１は、４μｍ以下である、請求項１に記載の磁性体。
【請求項3】
前記第２金属磁性粒子のメジアン粒径Ｄ２は、１０μｍ以上である、請求項１に記載の磁性体。
【請求項4】
前記第１絶縁被膜の平均厚みＴ１は、５ｎｍ以上である、請求項１に記載の磁性体。
【請求項5】
前記第１金属磁性粒子と前記第２金属磁性粒子との重量配合比率は、
前記第１金属磁性粒子の重量：前記第２金属磁性粒子の重量が、３５：６５以上２０：８０以下である、請求項１に記載の磁性体。
前記第１金属磁性粒子の重量：前記第２金属磁性粒子の重量が、３５：６５以上２０：８０以下である、請求項１に記載の磁性体。
【請求項6】
前記樹脂は、前記磁性体全体基準において、２．３重量％以上３．６重量％以下である、請求項１に記載の磁性体。
【請求項7】
前記第１金属磁性粒子は、Ｆｅを含有し、前記第２金属磁性粒子は、ＦｅおよびＳｉを含有する、請求項１に記載の磁性体。
【請求項8】
前記第１金属磁性粒子は、前記第１金属磁性粒子の全体基準で９７重量％以上の結晶性のＦｅを含有する、請求項７に記載の磁性体。
【請求項9】
前記第２金属磁性粒子は、前記第２金属磁性粒子の全体基準で２重量％以上８重量％以下のＳｉを含有する、請求項７に記載の磁性体。
【請求項10】
前記第１絶縁被膜は、シリカを含有する、請求項１に記載の磁性体。
【請求項11】
前記第２絶縁被膜は、無機ガラスを含有する、請求項１に記載の磁性体。
【請求項12】
前記樹脂は、熱硬化性樹脂である、請求項１に記載の磁性体。
【請求項13】
請求項１～１２のいずれか１項に記載の磁性体を備えたインダクタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、磁性体およびインダクタに関する。
【背景技術】
【0002】
近年、電子機器の高密度実装化と高速処理化に伴い、インダクタにおいても小型化及び高出力化が求められている。インダクタの小型化を図ると、インダクタの磁性材料を含むコアの体積が減少し、インダクタンス（Ｌ値）の低下および／または直流重畳特性の悪化を招きやすい。
【0003】
特許文献１には、平均粒径が異なる２つの粒子群を配合させて得た粒度分布を有する金属粉末、この金属粉末を用いて製造されたコア（磁性成形体）およびこのコアを用いて製造されたインダクタが記載されている。
【0004】
特許文献１によれば、大粒径粒子同士の間にできる空隙に小粒径粒子を充填させることで、大粒子と小粒子を合わせた軟磁性粒子の充填率を高くし、高い透磁率と良好な直流重畳特性が得られる、とされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【特許文献1】特開２０１８－１１３４３６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
特許文献１に記載のインダクタにおいて、大粒子は磁束が集中しやすく、Ｈｓａｔ２０を低下させる(直流重畳特性を悪くする)傾向がある。なお、本明細書でいうＨｓａｔ２０とは、直流電流が０のときのμ値を算出し、当該μ値から２０％低下したときの電流値Ｉｓａｔ２０と、磁性成形体の寸法と、銅線の巻回数と、に基づいて算出される、μ値が２０％低下したときの磁場を意図している。
【0007】
Ｈｓａｔ２０を向上させるには、大粒子の比率を減らすことが考えられるが、磁性材料の占有率（充填率）の悪化やμ値の高い大粒子の減少により成形体（磁性体）全体のμ値が低下する問題が生じる。
【0008】
本開示は、かかる課題に鑑みて為されたものである。即ち、本開示の主たる目的は、μ値の低下を抑制しつつ、Ｈｓａｔ２０を向上させた磁性体およびインダクタを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0009】
本開示の磁性体は、
第１金属磁性粒子と、前記第１金属磁性粒子よりもメジアン粒径が大きい第２金属磁性粒子と、樹脂と、を含み、
前記第１金属磁性粒子は、第１被膜によって被覆され、
前記第２金属磁性粒子は、第２被膜によって被覆され、
前記第１金属磁性粒子のメジアン粒径をＤ１、前記第１被膜の平均厚みをＴ１、前記第２金属磁性粒子のメジアン粒径をＤ２、前記第２被膜の平均厚みをＴ２としたときに、
２．５≦（Ｔ１／Ｄ１）／（Ｔ２／Ｄ２）≦３．９
Ｔ２≦３９．４ｎｍ
の両方を充足する。
第１金属磁性粒子と、前記第１金属磁性粒子よりもメジアン粒径が大きい第２金属磁性粒子と、樹脂と、を含み、
前記第１金属磁性粒子は、第１被膜によって被覆され、
前記第２金属磁性粒子は、第２被膜によって被覆され、
前記第１金属磁性粒子のメジアン粒径をＤ１、前記第１被膜の平均厚みをＴ１、前記第２金属磁性粒子のメジアン粒径をＤ２、前記第２被膜の平均厚みをＴ２としたときに、
２．５≦（Ｔ１／Ｄ１）／（Ｔ２／Ｄ２）≦３．９
Ｔ２≦３９．４ｎｍ
の両方を充足する。
【0010】
本開示のインダクタは、上述の磁性体を備えている。
【発明の効果】
【0011】
本開示の磁性体によれば、μ値の低下を抑制しつつ、Ｈｓａｔ２０を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【0012】
【発明を実施するための形態】
【0013】
以下、本開示の磁性体およびインダクタについて説明する。なお、本開示は、以下の構成に限定されるものではなく、本開示の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更されてもよい。また、以下において記載する個々の好ましい構成を複数組み合わせたものもまた本開示である。
【0014】
以下に示す図面は模式図であり、その寸法、縦横比の縮尺等は実際の製品と異なる場合がある。
【0015】
［磁性体］
以下、本開示の磁性体について説明する。なお、本明細書でいう「磁性体」とは、広義には、インダクタ等の磁場を発生させるデバイスにおいて、磁場を高めるために用いられるものである。狭義には、インダクタにおけるコイル（導線）の被覆や、コイルのコアに用いられるものをいう。
以下、本開示の磁性体について説明する。なお、本明細書でいう「磁性体」とは、広義には、インダクタ等の磁場を発生させるデバイスにおいて、磁場を高めるために用いられるものである。狭義には、インダクタにおけるコイル（導線）の被覆や、コイルのコアに用いられるものをいう。
【0016】
本開示の磁性体１は、第１金属磁性粒子ＭＰ１と、第１金属磁性粒子ＭＰ１よりもメジアン粒径が大きい第２金属磁性粒子ＭＰ２と、樹脂Ｒと、を含む。
【0017】
－第１金属磁性粒子－
第１金属磁性粒子ＭＰ１は、Ｆｅ系の金属磁性粒子を用いてよい。例えば、結晶性粉末を用いてよい。結晶性粉末としては、例えば、カルボニル鉄粉、センダスト磁性粉末やＦｅ－Ｓｉ－Ｃｒ系金属粉末、Ｆｅ－Ｓｉ金属粉末等のＦｅ基磁性金属粉末、パーマロイ磁性粉末等のＦｅ－Ｎｉ系磁性金属粉末、パーメンジュール等のＦｅ－Ｃｏ系磁性金属粉末等が挙げられる。言い換えると、第１金属磁性粒子ＭＰ１に用いられる結晶系材料の一例として、ＦｅＳｉ系合金、ＦｅＳｉＣｒ系合金、ＦｅＳｉＡｌ系合金、ＦｅＣｏ系合金およびＦｅＮｉ系合金からなる群から選択される少なくとも１種の合金を含む結晶系材料が挙げられる。また、混合系材料（ナノ結晶系材料を含む）を用いてもよい。ナノ結晶系材料としては、例えば、Ｆｅ－Ｓｉ－Ｂ－Ｎｂ－Ｃｕ系ナノ結晶磁性金属粉末等が挙げられる。あくまでも一例として、第１金属磁性粒子は、Ｆｅ：９７ｗｔ％以上の結晶性のカルボニル鉄粉を用いてよい。なお、第１金属磁性粒子ＭＰ１は、結晶性粉末が好ましいが、後述するアモルファス粉末を用いてもよい。
第１金属磁性粒子ＭＰ１は、Ｆｅ系の金属磁性粒子を用いてよい。例えば、結晶性粉末を用いてよい。結晶性粉末としては、例えば、カルボニル鉄粉、センダスト磁性粉末やＦｅ－Ｓｉ－Ｃｒ系金属粉末、Ｆｅ－Ｓｉ金属粉末等のＦｅ基磁性金属粉末、パーマロイ磁性粉末等のＦｅ－Ｎｉ系磁性金属粉末、パーメンジュール等のＦｅ－Ｃｏ系磁性金属粉末等が挙げられる。言い換えると、第１金属磁性粒子ＭＰ１に用いられる結晶系材料の一例として、ＦｅＳｉ系合金、ＦｅＳｉＣｒ系合金、ＦｅＳｉＡｌ系合金、ＦｅＣｏ系合金およびＦｅＮｉ系合金からなる群から選択される少なくとも１種の合金を含む結晶系材料が挙げられる。また、混合系材料（ナノ結晶系材料を含む）を用いてもよい。ナノ結晶系材料としては、例えば、Ｆｅ－Ｓｉ－Ｂ－Ｎｂ－Ｃｕ系ナノ結晶磁性金属粉末等が挙げられる。あくまでも一例として、第１金属磁性粒子は、Ｆｅ：９７ｗｔ％以上の結晶性のカルボニル鉄粉を用いてよい。なお、第１金属磁性粒子ＭＰ１は、結晶性粉末が好ましいが、後述するアモルファス粉末を用いてもよい。
【0018】
第１金属磁性粒子ＭＰ１は、第１絶縁被膜ＩＭ１によって被覆されている。第１絶縁被膜ＩＭ１によって第１金属磁性粒子ＭＰ１が被覆されることで、第１金属磁性粒子ＭＰ１間が絶縁されている。本明細書でいう「絶縁性」とは、体積抵抗率が１ＭΩｃｍ以上であることを意図している。第１絶縁被膜ＩＭ１は、例えば、金属アルコキシドのゾルゲル反応により形成された無機系絶縁性被膜としてよい。あくまでも一例として、シリカを成分として含んでいてよい。
【0019】
－第２金属磁性粒子－
第２磁性原料粒子としては、Ｆｅ系の金属磁性粒子を用いてよく、例えば、Ｆｅ合金としてよい。Ｆｅ合金の一例として、ＦｅおよびＮｉを含む合金、ＦｅおよびＣｏを含む合金、ＦｅおよびＳｉを含む合金、Ｆｅ、ＳｉおよびＣｒを含む合金、Ｆｅ、ＳｉおよびＡｌを含む合金、Ｆｅ、Ｓｉ、ＢおよびＣｒを含む合金ならびにＦｅ、Ｐ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｂ、Ｎｂ、ＣｕおよびＣを含む合金からなる群から選択される１以上の金属磁性材料の粒子であってよい。あくまでも一例として、ＦｅＳｉＣｒＢＣ系アモルファス合金、または、ＦｅＳｉＣｒＮｂＢＰＣｕ系アモルファス合金が挙げられる。より具体的には、Ｆｅ：９３ｗｔ％、Ｓｉ：３．５ｗｔ％、Ｂ：３ｗｔ、残部：０．５ｗｔ％のアモルファス粉末が用いられてよい。なお、第２金属磁性粒子ＭＰ２は、アモルファス粉末が好ましいが、前述した結晶性粉末または混合系材料（ナノ結晶系材料を含む）を用いてもよい。
第２磁性原料粒子としては、Ｆｅ系の金属磁性粒子を用いてよく、例えば、Ｆｅ合金としてよい。Ｆｅ合金の一例として、ＦｅおよびＮｉを含む合金、ＦｅおよびＣｏを含む合金、ＦｅおよびＳｉを含む合金、Ｆｅ、ＳｉおよびＣｒを含む合金、Ｆｅ、ＳｉおよびＡｌを含む合金、Ｆｅ、Ｓｉ、ＢおよびＣｒを含む合金ならびにＦｅ、Ｐ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｂ、Ｎｂ、ＣｕおよびＣを含む合金からなる群から選択される１以上の金属磁性材料の粒子であってよい。あくまでも一例として、ＦｅＳｉＣｒＢＣ系アモルファス合金、または、ＦｅＳｉＣｒＮｂＢＰＣｕ系アモルファス合金が挙げられる。より具体的には、Ｆｅ：９３ｗｔ％、Ｓｉ：３．５ｗｔ％、Ｂ：３ｗｔ、残部：０．５ｗｔ％のアモルファス粉末が用いられてよい。なお、第２金属磁性粒子ＭＰ２は、アモルファス粉末が好ましいが、前述した結晶性粉末または混合系材料（ナノ結晶系材料を含む）を用いてもよい。
【0020】
第２金属磁性粒子ＭＰ２は、第２絶縁被膜ＩＭ２によって被覆されている。第２絶縁被膜ＩＭ２によって第２金属磁性粒子ＭＰ２が被覆されることで、第２金属磁性粒子ＭＰ２間が絶縁されている。第２絶縁被膜ＩＭ２は、例えば、メカノケミカル法で形成される無機ガラス被膜であってよい。無機ガラス被膜は、例えば、リン酸塩ガラスであってよい。
【0021】
－樹脂－
樹脂Ｒは、硬化反応に寄与する官能基を含有してよい。つまり、樹脂Ｒの硬化反応によって硬化されて磁性体１の製造を可能としてよい。より具体的には、磁性体１を製造する前段階の樹脂Ｒは、未硬化のものである。本明細書でいう「未硬化」とは、ほぼ完全に硬化された状態の前段階のものをいい、半硬化状態のものを包含する。樹脂Ｒの一例として、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリオレフィン樹脂およびフェノール樹脂からなる群から選択される少なくとも１つであってよい。なかでも、樹脂Ｒとしてエポキシ樹脂を用いた場合、電気絶縁性および／または機械的強度の高い磁性体１を得ることができる。別法として、ポリアミドイミド、ポリフェニレンスルファイドおよび／または液晶ポリマー等の熱可塑性樹脂を用いてもよい。硬化反応は、熱によるものが好ましい。つまり、樹脂Ｒは熱硬化性樹脂であることが好ましい。一例として熱硬化性エポキシ樹脂が挙げられる。このような樹脂を用いれば、簡易な方法によって硬化反応を生じさせることができる。
樹脂Ｒは、硬化反応に寄与する官能基を含有してよい。つまり、樹脂Ｒの硬化反応によって硬化されて磁性体１の製造を可能としてよい。より具体的には、磁性体１を製造する前段階の樹脂Ｒは、未硬化のものである。本明細書でいう「未硬化」とは、ほぼ完全に硬化された状態の前段階のものをいい、半硬化状態のものを包含する。樹脂Ｒの一例として、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリオレフィン樹脂およびフェノール樹脂からなる群から選択される少なくとも１つであってよい。なかでも、樹脂Ｒとしてエポキシ樹脂を用いた場合、電気絶縁性および／または機械的強度の高い磁性体１を得ることができる。別法として、ポリアミドイミド、ポリフェニレンスルファイドおよび／または液晶ポリマー等の熱可塑性樹脂を用いてもよい。硬化反応は、熱によるものが好ましい。つまり、樹脂Ｒは熱硬化性樹脂であることが好ましい。一例として熱硬化性エポキシ樹脂が挙げられる。このような樹脂を用いれば、簡易な方法によって硬化反応を生じさせることができる。
【0022】
溶剤は、上記原料（第１金属磁性粒子ＭＰ１、第２金属磁性粒子ＭＰ２、および、樹脂Ｒ）を混合してスラリーを得るために用いられ、有機溶剤であることが好ましい。例えば、トルエンまたはキシレン等の芳香族炭化水素類；アセトン、メチルエチルケトン、または、メチルイソブチルケトン、等のケトン類；メタノール、エタノール、または、イソプロピルアルコール等のアルコール類；プロピレングリコールモノメチルエーテル、または、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のグリコールエーテル類のいずれかを含んでよい。
【0023】
硬化剤は、樹脂を硬化させるために用いられるものであってよい。一例として、イミダゾール系硬化剤、アミン系硬化剤、または、グアニジン系硬化剤（例えば、ジシアンジアミド）のいずれかを含んでよい。
【0024】
潤滑剤は、第１金属磁性粒子ＭＰ１および第２金属磁性粒子ＭＰ２の潤滑性を向上させ、充填率を向上させるために用いられてよい。さらに、潤滑剤によって成形時に金型からの離形を容易するために用いられてよい。潤滑剤としては、例えば、ナノシリカ、硫酸バリウム、または、ステアリン酸化合物（ステアリン酸リチウム、ステアリン酸マグネシウム、ステアリン酸亜鉛、または、ステアリン酸カリウム等）のいずれかを含んでよい。
【0025】
本開示の磁性体１において、第１金属磁性粒子ＭＰ１のメジアン粒径をＤ１、第１絶縁被膜ＩＭ１の平均厚みをＴ１、第２金属磁性粒子ＭＰ２のメジアン粒径をＤ２、第２絶縁被膜ＩＭ２の平均厚みをＴ２としたときに、
２．５≦（Ｔ１／Ｄ１）／（Ｔ２／Ｄ２）≦３．９
Ｔ２≦３９．４ｎｍ
の両方を充足する。
２．５≦（Ｔ１／Ｄ１）／（Ｔ２／Ｄ２）≦３．９
Ｔ２≦３９．４ｎｍ
の両方を充足する。
【0026】
以下において、上述の磁性体１の解析手法（メジアン粒径Ｄ１，Ｄ２の測定手法および平均厚みＴ１，Ｔ２の測定手法）を説明する。なお、本明細書でいう「メジアン粒径」は、体積基準の累積百分率５０％相当粒径を意図している。
【0027】
－メジアン粒径の測定手法－
磁性体１の第１金属磁性粒子ＭＰ１および第２金属磁性粒子ＭＰ２のメジアン粒径Ｄ１，Ｄ２は、製造後の磁性体１の断面を撮影したＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）画像を解析することにより求めることができる。
磁性体１の第１金属磁性粒子ＭＰ１および第２金属磁性粒子ＭＰ２のメジアン粒径Ｄ１，Ｄ２は、製造後の磁性体１の断面を撮影したＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）画像を解析することにより求めることができる。
【0028】
まず、磁性体１の断面をワイヤーソー等で切り出し、個片化する。ミリング装置等を用いて断面を平坦に加工した後、ＳＥＭにより３００倍像および１０００倍像の反射電子画像を５視野ずつ取得する。なお、３００倍像（低倍率画像）および１０００倍像（高倍率画像）の両方を取得する理由は、第１金属磁性粒子ＭＰ１（小粒子）の粒径および第２金属磁性粒子ＭＰ２（大粒子）の粒径の両方を精度よく解析するためである。
【0029】
次に、画像解析ソフトを用いて、取得したＳＥＭ画像の２値化処理を行い、粒子断面の円相当径を求める。画像解析により求めた円相当径について頻度をカウントして、ヒストグラムを得る。３００倍像と１０００倍像とでは、倍率の差に由来する頻度の差が存在する。１０００倍像における頻度を３００倍像における頻度に揃えるために、１０００倍像における頻度に（１０００／３００）の２乗を乗じる。さらに、１０００倍像のヒストグラムのばらつきが３００倍像のヒストグラムのばらつきより大きくなる粒径の値を求め、この粒径以上の粒径の頻度については３００倍像の値を採用し、この粒径より小さい粒径の頻度については１０００倍像の値を採用して、１つのヒストグラムとする。
【0030】
ヒストグラムの頻度を体積基準の分布とするため、計量形態学に基づいて、頻度に対して粒径区間から計算した体積を乗じ、粒径で除する計算を行う（参考文献：Ｒ．Ｔ．ＤｅＨｏｆｆ、Ｆ．Ｎ．Ｒｈｉｎｅｓ著、牧島邦夫、篠原靖忠、小森尚志訳、「計量形態学」、内田老鶴圃新社、１９７２年、１６７～２０３頁）。上述の計算は、小さい断面積の粒子ほど頻度が高く現れるとされる計量形態学の研究に基づくものである。ここで、頻度の総和が１となるように、頻度の総和により各区間の頻度を除して規格化する。
【0031】
このようにして求めた体積基準のヒストグラムについて、２つの対数正規分布の和（第１金属磁性粒子ＭＰ１の対数正規分布および第２金属磁性粒子ＭＰ２の対数正規分布の和）でフィッティングすることにより、第１金属磁性粒子ＭＰ１および第２金属磁性粒子ＭＰ２それぞれのメジアン径Ｄ５０、ならびに第１金属磁性粒子ＭＰ１と第２金属磁性粒子ＭＰ２との体積比率（配合比率）を計算する。対数正規分布の確率密度関数は、下記の式で与えられる。
【0032】
【数1】
【0033】
上記式において、変数ｘはデータ区間、σは分散、μは平均に対応する。この確率密度関数が第１金属磁性粒子ＭＰ１と第２金属磁性粒子ＭＰ２のそれぞれについて表現されるため、変数はそれぞれ、ｘ１、ｘ２、σ１、σ２、μ１、μ２となる。なお、各変数の末尾の「１」は、第１金属磁性粒子ＭＰ１、「２」は、第２金属磁性粒子ＭＰ２を意味する。さらに、第１金属磁性粒子ＭＰ１の確率密度関数と第２金属磁性粒子ＭＰ２の確率密度関数とを１つの確率密度関数として表現するために、所定の割合（ｐ１、ｐ２とする）をそれぞれの確率密度関数に乗じて和をとる。このようにして得られた、第１金属磁性粒子ＭＰ１と第２金属磁性粒子ＭＰ２とを合成した確率密度関数は、体積基準のヒストグラムとフィッティングすることができるように規格化しておく。
【0034】
確率密度関数の変数のうち、データ区間ｘ１およびｘ２は体積基準のヒストグラムのデータ区間により与えられる。したがって、合成した確率密度関数により体積基準のヒストグラムをフィッティングするため、両者の差分が最小になるように、分散σ１およびσ２、平均μ１およびμ２、ならびに割合ｐ１およびｐ２を変数として、最小二乗法により最適化する。このように最適化した変数で与えられる第１金属磁性粒子ＭＰ１および第２金属磁性粒子ＭＰ２それぞれの確率密度関数から、規格化した密度関数を累積して０．５（体積基準の累積百分率５０％）となるデータ区間の値を求め、第１金属磁性粒子ＭＰ１および第２金属磁性粒子ＭＰ２それぞれのメジアン径Ｄ５０を得る。さらに、最適化したｐ１とｐ２との比率から、第１金属磁性粒子ＭＰ１と第２金属磁性粒子ＭＰ２との体積基準の配合比率（体積比率）を得る。
【0035】
上述した解析方法は、市販されているインダクタ等の製品のチップ断面から第１金属磁性粒子ＭＰ１と第２金属磁性粒子ＭＰ２との体積比率、および、第１金属磁性粒子ＭＰ１および第２金属磁性粒子ＭＰ２のメジアン径Ｄ５０を求める場合にも適用することができる。
【0036】
－平均厚みの測定手法－
第１絶縁被膜ＩＭ１の平均厚みおよび第２絶縁被膜ＩＭ２の平均厚みの測定は、ＳＴＥＭ／ＥＤＸ（走査型透過電子顕微鏡／エネルギー分散型Ｘ線分析）を用いて行うことができる。まず、測定する粒子（第１金属磁性粒子ＭＰ１または第２金属磁性粒子ＭＰ２）を樹脂埋めして研磨し、ＦＩＢ（集束イオンビーム）加工によりＳＴＥＭ／ＥＤＸ観察用サンプルを作製する。ＳＴＥＭ／ＥＤＸにより、倍率４００ｋ倍で絶縁性被膜に含まれる元素のＥＤＸ像を得る。１個の粒子につきＥＤＸ画像を３視野分撮影し、それぞれのＥＤＸ画像について、絶縁被膜の厚みを、コア部の表面上で３０ｎｍの等間隔の４点において設定して測定する。３個の粒子について上述の測定を行い、全ての点（３視野×４点×３個＝３６点）で測定した絶縁被膜の厚みから計算した平均値を絶縁被膜の平均厚みとする。なお、第１金属磁性粒子ＭＰ１および第２金属磁性粒子ＭＰ２の絶縁被膜の厚みは、磁性体で構成される成形体の断面において、上述の方法と同様の手順でＳＴＥＭ／ＥＤＸによる解析を行うことによって求めることもできる。絶縁被膜の厚みは成形の前後でほぼ同一の値であってよい。
第１絶縁被膜ＩＭ１の平均厚みおよび第２絶縁被膜ＩＭ２の平均厚みの測定は、ＳＴＥＭ／ＥＤＸ（走査型透過電子顕微鏡／エネルギー分散型Ｘ線分析）を用いて行うことができる。まず、測定する粒子（第１金属磁性粒子ＭＰ１または第２金属磁性粒子ＭＰ２）を樹脂埋めして研磨し、ＦＩＢ（集束イオンビーム）加工によりＳＴＥＭ／ＥＤＸ観察用サンプルを作製する。ＳＴＥＭ／ＥＤＸにより、倍率４００ｋ倍で絶縁性被膜に含まれる元素のＥＤＸ像を得る。１個の粒子につきＥＤＸ画像を３視野分撮影し、それぞれのＥＤＸ画像について、絶縁被膜の厚みを、コア部の表面上で３０ｎｍの等間隔の４点において設定して測定する。３個の粒子について上述の測定を行い、全ての点（３視野×４点×３個＝３６点）で測定した絶縁被膜の厚みから計算した平均値を絶縁被膜の平均厚みとする。なお、第１金属磁性粒子ＭＰ１および第２金属磁性粒子ＭＰ２の絶縁被膜の厚みは、磁性体で構成される成形体の断面において、上述の方法と同様の手順でＳＴＥＭ／ＥＤＸによる解析を行うことによって求めることもできる。絶縁被膜の厚みは成形の前後でほぼ同一の値であってよい。
【0037】
上述の測定手法によって、第１金属磁性粒子ＭＰ１のメジアン粒径をＤ１、第１絶縁被膜ＩＭ１の平均厚みをＴ１、第２金属磁性粒子ＭＰ２のメジアン粒径をＤ２、第２絶縁被膜ＩＭ２の平均厚みをＴ２としたときに、本開示の磁性体１は、２．５≦（Ｔ１／Ｄ１）／（Ｔ２／Ｄ２）≦３．９およびＴ２≦３９．４ｎｍを充足する。したがって、μ値の低下を抑制し、Ｈｓａｔ２０を向上させつつ、磁性材料の充填率を向上させることができる。実際に測定したμ値およびＨｓａｔ２０および充填率の指標（流動性）は、［実施例］にて詳述する。
【0038】
－磁性体の付加的構成－
磁性体の好適な構成として、第１金属磁性粒子ＭＰ１のメジアン粒径Ｄ１は、４μｍ以下であってよい。メジアン粒径Ｄ１が４μｍ以下であれば、磁性体１を製造する際に、第１金属磁性粒子ＭＰ１が好適に流動するため、磁性体１内の第１金属磁性粒子ＭＰ１の充填率を向上させることができる。なお、メジアン粒径Ｄ１の下限について特に限定はないが、メジアン粒径Ｄ１が小さすぎると第２金属磁性粒子ＭＰ２との間の比表面積が増加し、磁性体１製造時に金型Ｋ（図４Ａおよび図４Ｂ参照）内での第１金属磁性粒子ＭＰ１の流動性が低下するため、メジアン粒径Ｄ１の下限は１μｍ程度とすることが好ましい。
磁性体の好適な構成として、第１金属磁性粒子ＭＰ１のメジアン粒径Ｄ１は、４μｍ以下であってよい。メジアン粒径Ｄ１が４μｍ以下であれば、磁性体１を製造する際に、第１金属磁性粒子ＭＰ１が好適に流動するため、磁性体１内の第１金属磁性粒子ＭＰ１の充填率を向上させることができる。なお、メジアン粒径Ｄ１の下限について特に限定はないが、メジアン粒径Ｄ１が小さすぎると第２金属磁性粒子ＭＰ２との間の比表面積が増加し、磁性体１製造時に金型Ｋ（図４Ａおよび図４Ｂ参照）内での第１金属磁性粒子ＭＰ１の流動性が低下するため、メジアン粒径Ｄ１の下限は１μｍ程度とすることが好ましい。
【0039】
第２金属磁性粒子ＭＰ２のメジアン粒径Ｄ２は、１０μｍ以上であってよい。メジアン粒径Ｄ２が１０μｍ未満であってもよいが、１０μｍ以上とすることにより、第１金属磁性粒子ＭＰ１との間の比表面積を低下させ、金型Ｋ内での流動性を向上させることができる。なお、メジアン粒径Ｄ２の上限について特に限定はないが、メジアン粒径Ｄ２が大きすぎるとインダクタの直流重畳特性（インダクタの直流電流を増加させると磁性体に磁気飽和が生じてインダクタンス値が低下する特性）が悪化する。具体的に、磁気飽和によるインダクタンス値の低下が大きくなる。そのため、メジアン粒径Ｄ２の上限は３０μｍ程度とすることが好ましい。
【0040】
第１金属磁性粒子ＭＰ１と第２金属磁性粒子ＭＰ２との間の重合配合比率において、第１金属磁性粒子ＭＰ１の重量：第２金属磁性粒子ＭＰ２の重量が、３５：６５以上２０：８０以下であってよい。一例として、第１金属磁性粒子ＭＰ１の重量：第２金属磁性粒子ＭＰ２の重量が２５：７５であってよい。このような重合配合比率とすることにより、磁性体の製造時に第１金属磁性粒子ＭＰ１および第２金属磁性粒子ＭＰ２を金型Ｋ内で適切に流動させることができる。
【0041】
第１金属磁性粒子ＭＰ１および第２金属磁性粒子ＭＰ２の磁性材料について、第１金属磁性粒子ＭＰ１は、Ｆｅを含有し、第２金属磁性粒子ＭＰ２は、ＦｅおよびＳｉを含有してよい。上記磁性材料を採用すると、製造される磁性体のμ値およびＨｓａｔ２０について、所望のインダクタンス特性を得ることができる。
【0042】
具体的な第１金属磁性粒子ＭＰ１の磁性材料として、第１金属磁性粒子ＭＰ１は、第１金属磁性粒子ＭＰ１の全体基準で９７重量％以上のＦｅを含有してよい。より具体的には、結晶性のカルボニル鉄粉としてよい。上記材料を第１金属磁性粒子ＭＰ１に用いることにより、製造される磁性体のμ値およびＨｓａｔ２０について、所望のインダクタンス特性を得ることができる。
【0043】
具体的な第２金属磁性粒子ＭＰ２の磁性材料として、第２金属磁性粒子ＭＰ２は、前記第２金属磁性粒子の全体基準で２重量％以上８重量％以下のＳｉを含有してよい。より具体的には、Ｆｅ：９３ｗｔ％、Ｓｉ：３．５ｗｔ％、Ｂ：３ｗｔ、残部：０．５ｗｔ％のアモルファスＦｅ－Ｓｉ系合金粒子としてよい。上記材料を第２金属磁性粒子ＭＰ２に用いることにより、製造される磁性体のμ値およびＨｓａｔ２０について、所望のインダクタンス特性を得ることができる。
【0044】
第１絶縁被膜ＩＭ１の平均厚みＴ１は、５ｎｍ以上であってよい。第１金属磁性粒子ＭＰ１間の絶縁性および流動性の向上（粒子間の摩擦力の低下のため）の観点から平均厚みＴ１は厚い方が好ましいが、平均厚みＴ１が５ｎｍ以上あれば、絶縁性および流動性を担保することができる。なお、平均厚みＴ１の上限について特に限定はないが、平均厚みＴ１が大きすぎるとインダクタの直流重畳特性が悪化する。具体的に、磁気飽和によるインダクタンス値の低下が大きくなる。そのため、平均厚みＴ１の上限は３０ｎｍ程度とすることが好ましい。
【0045】
第１絶縁被膜ＩＭ１の材料として、第１絶縁被膜ＩＭ１は、シリカを含有していてよい。より具体的には、金属アルコキシド（例えば、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ））のゾルゲル反応により形成されたシリカ含有絶縁被膜としてよい。上記材料を第１絶縁被膜ＩＭ１に用いることにより、比較的に小径である第１金属磁性粒子ＭＰ１に対し、ゾルゲル反応によって適切に絶縁被膜を設けることができる。また、第１絶縁被膜ＩＭ１は、表面にアルキル基が付与されていてよい。第１絶縁被膜ＩＭ１の表面にアルキル基が付与されていると、磁性体の製造時に金型に第１金属磁性粒子ＭＰ１および第２金属磁性粒子ＭＰ２を流動させると、粒子間の摩擦を低減することができ、流動性を向上させることができる。
【0046】
第２絶縁被膜ＩＭ２の平均厚みＴ２は、上述したとおり、３９．４ｎｍ以下である。平均厚みＴ２を３９．４ｎｍより大きくすると、磁性体１を製造する際に、第２金属磁性粒子ＭＰ２の流動が悪化する。従って、第２絶縁被膜ＩＭ２の平均厚みＴ２の上限は３９．４ｎｍと設定した。なお、第２絶縁被膜ＩＭ２の平均厚みＴ２は、絶縁性の向上の観点から５ｎｍ以上であることが好ましい。実際に測定した流動性評価は、［実施例］にて詳述する。
【0047】
第２絶縁被膜ＩＭ２の材料として、第２絶縁被膜ＩＭ２は、無機ガラスを含有していてよい。より具体的には、メカノケミカル法により形成されたリン酸塩ガラスとしてよい。上記材料を第２絶縁被膜ＩＭ２に用いることにより、比較的に大径である第２金属磁性粒子ＭＰ２に対し、メカノケミカル法によって適切に絶縁被膜を設けることができる。
【0048】
磁性体を硬化させるために用いる樹脂Ｒの態様として、樹脂Ｒは、磁性体全体基準において、２．３重量％以上３．６重量％以下であってよい。言い換えると、磁性体全体基準において９６．４重量％以上９７．７重量％以下が磁性材料（第１金属磁性粒子および第２金属磁性粒子）に相当する。磁性体１が上記重量比率で樹脂Ｒを含有していると、適切に磁性体を硬化させることができる。
【0049】
樹脂Ｒは、熱硬化性樹脂であってよい。熱硬化性樹脂を採用することにより、簡易な方法によって硬化反応を生じさせることができる。硬化反応を生じさせる際、磁性体１を硬化させる硬化剤（一例としてイミダゾール系硬化剤）を使用してよい。また、硬化剤は、主剤（エポキシ樹脂）に対して３ｗｔ％程度添加されていてよい。このような重量配合比率であれば、適切に硬化反応を生じさせることができる。
【0050】
［磁性体の製造方法］
次に、上述した磁性体１の製造方法について説明する。以下に説明する方法は一例に過ぎず、本実施形態に係る磁性体１の製造方法は、以下の方法に限定されるものではない。
次に、上述した磁性体１の製造方法について説明する。以下に説明する方法は一例に過ぎず、本実施形態に係る磁性体１の製造方法は、以下の方法に限定されるものではない。
【0051】
－第１金属磁性粒子の準備－
まず、粒径が第２金属磁性粒子ＭＰ２よりも小さい第１金属磁性粒子ＭＰ１を準備する。一例として、結晶性のカルボニル鉄粉（Ｆｅ：９７ｗｔ％以上）を準備する。第１金属磁性粒子ＭＰ１は、第２金属磁性粒子ＭＰ２と比較してメジアン粒径が小さい粒子である。そのため、例えば、不活性ガス環境下での気流分級によって粒径を調節することができる。
まず、粒径が第２金属磁性粒子ＭＰ２よりも小さい第１金属磁性粒子ＭＰ１を準備する。一例として、結晶性のカルボニル鉄粉（Ｆｅ：９７ｗｔ％以上）を準備する。第１金属磁性粒子ＭＰ１は、第２金属磁性粒子ＭＰ２と比較してメジアン粒径が小さい粒子である。そのため、例えば、不活性ガス環境下での気流分級によって粒径を調節することができる。
【0052】
次に、第１金属磁性粒子ＭＰ１に第１絶縁被膜ＩＭ１を形成する。具体的な手順は、以下のとおりである。
【0053】
イソプロピルアルコールとアンモニア水を混ぜて撹拌し、分散液１を作製する。そして、上述のように準備した結晶性のカルボニル鉄粉を所定量秤量し、イソプロピルアルコールを添加し、超音波振動を与えてカルボニル鉄粉を分散させて分散液２を作製する。分散液１を分散液２へ添加し、撹拌機を用いて攪拌して分散液３とする。
【0054】
さらに、イソプロピルアルコールにテトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）を加えて混合し、表面処理液１を作製する。この表面処理液１を、分散液３に添加して反応液１とし、これを撹拌機により攪拌してゾルゲル反応させ、カルボニル鉄粉表面に第１絶縁被膜ＩＭ１（シリカ絶縁被膜）を形成する。なお、第１絶縁被膜ＩＭ１の厚みは、例えば、ゾルゲル反応の時間、金属アルコキシドおよび溶媒の添加量等を調整することによって制御することができる。
【0055】
反応液１をメンブレンフィルタにより吸引ろ過することによって、第１絶縁被膜ＩＭ１（シリカ絶縁被膜）が形成された粒子を分離する。分離した粒子をアセトンにより適宜洗浄し、常温自然環境にて乾燥する。以上により、乾燥した粒子を金属メッシュにより濾し、第１金属磁性粒子ＭＰ１を準備できる。
【0056】
－第２金属磁性粒子の準備－
まず、粒径が第１金属磁性粒子ＭＰ１よりも大きい第２金属磁性粒子ＭＰ２を準備する。一例として、アモルファス粉末（Ｆｅ：９３ｗｔ％、Ｓｉ：３．５ｗｔ％、Ｂ：３ｗｔ、残部：０．５ｗｔ％）を準備する。第２金属磁性粒子ＭＰ２は、第１金属磁性粒子ＭＰ１と比較してメジアン粒径が大きい粒子である。そのため、例えば、ふるい分級によって粒径を調節してよい。
まず、粒径が第１金属磁性粒子ＭＰ１よりも大きい第２金属磁性粒子ＭＰ２を準備する。一例として、アモルファス粉末（Ｆｅ：９３ｗｔ％、Ｓｉ：３．５ｗｔ％、Ｂ：３ｗｔ、残部：０．５ｗｔ％）を準備する。第２金属磁性粒子ＭＰ２は、第１金属磁性粒子ＭＰ１と比較してメジアン粒径が大きい粒子である。そのため、例えば、ふるい分級によって粒径を調節してよい。
【0057】
次に、第２金属磁性粒子ＭＰ２に第２絶縁被膜ＩＭ２を形成する。具体的な手順は、以下のとおりである。
【0058】
第２絶縁被膜ＩＭ２は、メカノケミカル法によって形成する。メカノケミカル法は、低コストであり、大きい粒径を有する粒子に対して比較的厚みが厚い絶縁被膜を形成するのに特に適した手法である。絶縁被膜の材料として無機ガラス（例えば、リン酸塩ガラス）を投入し、メカノケミカル処理を施すことによって、第２絶縁被膜ＩＭ２で被覆された第２金属磁性粒子ＭＰ２を準備できる。なお、第２絶縁被膜ＩＭ２の膜厚は、メカノケミカル処理時のリン酸塩ガラスの投入量によって調節できる。
【0059】
－スラリーの準備および金型へのスラリーの供給－
準備した第１金属磁性粒子ＭＰ１および第２金属磁性粒子ＭＰ２を、樹脂Ｒ、溶剤および硬化剤を含む粒子原料を混合してスラリーを作製する。そして、磁性体を製造するための金型Ｋにスラリーを充填する。
準備した第１金属磁性粒子ＭＰ１および第２金属磁性粒子ＭＰ２を、樹脂Ｒ、溶剤および硬化剤を含む粒子原料を混合してスラリーを作製する。そして、磁性体を製造するための金型Ｋにスラリーを充填する。
【0060】
ここで、本実施形態に係る磁性体１は、Ｅ型コアとして説明する。なお、磁性体の形状は、Ｅ型コアに限定するものではなく、例えば、Ｉ型コア、Ｔ型コア、板状のコア、および、トロイダルリング形状のコアから成る群から選択される少なくとも１つであってよい。
【0061】
金型Ｋに作製したスラリーＳを充填する（図４Ａ参照）。そして、金型Ｋを加圧成形機に導入し、２０℃以上４０℃以下、５０ＭＰａ以上１５０ＭＰａ以下、３０ｓ以下の環境下で加圧してよい（図４Ｂ参照）。ここで、スラリーＳの一例として熱硬化性樹脂を含む場合、加圧時の温度が２０℃以上４０℃以下と比較的低温であるため、硬化反応は進まず未硬化もしくは半硬化の状態としてよい。そして、加圧を終えた後、金型Ｋから磁性体を取り出してよい。
【0062】
このように、本実施形態の磁性体は、樹脂が未硬化もしくは半硬化の状態のまま保管してもよい。つまり、製品としてほぼ完全に硬化された磁性体の製造が必要となったときに、半硬化状態の磁性体１を金型Ｋとは別の金型に充填し、ほぼ完全に硬化させる硬化条件として、１５０℃以上２００℃以下、５ＭＰａ以上５０ＭＰａ以下、６０ｓ以上１８００ｓ以下の環境下で樹脂を硬化させて磁性体を製造してよい（図５Ａ～Ｃ参照）。なお、本開示の磁性体１は、樹脂を未硬化または半硬化の状態のまま保管せずに完全に硬化させた磁性体１としてもよい。また、磁性体は、スラリーＳを含むシートを成形し、複数のシートを積層、圧着および熱硬化させることで作製してもよい。
【0063】
以上の工程を経ることによって、磁性体１を製造することができる。
【0064】
［インダクタについて］
次に、上述した磁性体を用いたインダクタについて説明する。まず、インダクタの製造方法について図６および図７を参照しながら説明する。図６は、本実施形態に係るインダクタの製造方法を模式的に示す工程斜視図、図７は、本実施形態に係るインダクタの斜視図である。
次に、上述した磁性体を用いたインダクタについて説明する。まず、インダクタの製造方法について図６および図７を参照しながら説明する。図６は、本実施形態に係るインダクタの製造方法を模式的に示す工程斜視図、図７は、本実施形態に係るインダクタの斜視図である。
【0065】
－インダクタの製造方法－
磁性体１に巻き付ける導線２０を準備する。導線２０は、金属線（例えば、平角銅線）を樹脂等によって被覆して構成されていることが好ましく、この場合、上述した磁性体１内に含有された樹脂と相俟って導線２０を強固にモールドすることができる。導線２０は、巻始めと巻終わりを外側に向かって同時に巻回するアルファ巻きによって巻回されることが好ましい。導線２０をアルファ巻きによって巻回することにより巻終わりが外側に配置されるため、引き出し部の取り回しを容易に行うことができる。
磁性体１に巻き付ける導線２０を準備する。導線２０は、金属線（例えば、平角銅線）を樹脂等によって被覆して構成されていることが好ましく、この場合、上述した磁性体１内に含有された樹脂と相俟って導線２０を強固にモールドすることができる。導線２０は、巻始めと巻終わりを外側に向かって同時に巻回するアルファ巻きによって巻回されることが好ましい。導線２０をアルファ巻きによって巻回することにより巻終わりが外側に配置されるため、引き出し部の取り回しを容易に行うことができる。
【0066】
次に、上述した樹脂が未硬化もしくは半硬化状態の磁性体１を準備する。この磁性体１にアルファ巻きされた導線２０を収容する。つまり、コイル導体の巻き芯部に磁性体１が配置される。このとき、導線２０の巻き芯部にＥ型コアの一部が挿入される（図６参照）。さらに、上述したスラリーＳを更に用い、スラリーＳによって導線２０が隠れるように被覆するようにしてよい。これら導線２０、磁性体１およびスラリーＳを上述の金型に収容した後に加圧成形機に導入する。そして、１５０℃以上２００℃以下、５ＭＰａ以上５０ＭＰａ以下、６０ｓ以上１８００ｓ以下の環境下で磁性体１に含有された樹脂を硬化させ、インダクタの素体を形成する。
【0067】
次に、素体に対してバレル研磨を行い、素体のエッジを丸める加工を施してよい。エッジが丸められることによって、その後に形成される外部電極の断線を抑えることができる。その後、素体に外部電極３０を形成する（図７参照）。外部電極３０の形成方法は、めっき処理により形成する手法、導電性ペーストを素体に塗布し、焼き付けることにより形成する手法、スパッタリング等によって形成する手法を用いてよい。なお、外部電極３０の一例として、Ａｇ粉を含有する導電性樹脂ペーストを熱硬化させたもの、ＮｉめっきおよびＳｎめっき等が挙げられる。また、外部電極３０はそれらを複数層積層した構造でもよい。
【0068】
以上により、上述の磁性体１を用いたインダクタ１０を製造することができる。
【実施例0069】
以下、本開示の磁性体に関して実証試験を行った。具体的には、以下に示す実施例１～５および比較例１～１１の磁性体を製造した。
【0070】
実施例１～５および比較例１～１１に関する磁性体の原料を以下に示す。
第１金属磁性粒子：結晶性カルボニア鉄粉
Fe:97wt％以上
第１絶縁被膜 ：シリカ絶縁被膜
第２金属磁性粒子：Fe-Siアモルファス合金
Fe:93wt％，Si:3.5wt％，B:3wt％，その他:0.5wt％
第２絶縁被膜 ：リン酸塩ガラス
樹脂 ：熱硬化性エポキシ樹脂
第１金属磁性粒子：結晶性カルボニア鉄粉
Fe:97wt％以上
第１絶縁被膜 ：シリカ絶縁被膜
第２金属磁性粒子：Fe-Siアモルファス合金
Fe:93wt％，Si:3.5wt％，B:3wt％，その他:0.5wt％
第２絶縁被膜 ：リン酸塩ガラス
樹脂 ：熱硬化性エポキシ樹脂
【0071】
また、実施例１～５および比較例１～１１の磁性体において、第１金属磁性粒子のメジアン粒径Ｄ１、第１絶縁被膜の平均厚みをＴ１、第２金属磁性粒子のメジアン粒径Ｄ２、第２絶縁被膜の平均厚みＴ２は以下のとおりである。なお、第１金属磁性粒子のメジアン粒径Ｄ１は、気流分級によって粒径を調整し、第２金属磁性粒子のメジアン粒径Ｄ２は、ふるい分級によって粒径を調整した。また、第１絶縁被膜の平均厚みＴ１は、ＴＥＯＳ投入量およびゾルゲル反応時間によって調整し、第２絶縁被膜の平均厚みＴ２は、メカノケミカル処理時のリン酸塩ガラスの投入量によって調整した。
【0072】
＜実施例１＞
第１金属磁性粒子のメジアン粒径Ｄ１を１．７μｍとした。
第１絶縁被膜の平均厚みＴ１を８．０ｎｍとした。
第２金属磁性粒子のメジアン粒径Ｄ２を２０．５μｍとした。
第２絶縁被膜の平均厚みＴ２を３９．０ｎｍとした。
第１金属磁性粒子のメジアン粒径Ｄ１を１．７μｍとした。
第１絶縁被膜の平均厚みＴ１を８．０ｎｍとした。
第２金属磁性粒子のメジアン粒径Ｄ２を２０．５μｍとした。
第２絶縁被膜の平均厚みＴ２を３９．０ｎｍとした。
【0073】
＜実施例２＞
第１金属磁性粒子のメジアン粒径Ｄ１を１．７μｍとした。
第１絶縁被膜の平均厚みＴ１を８．０ｎｍとした。
第２金属磁性粒子のメジアン粒径Ｄ２を２４．８μｍとした。
第２絶縁被膜の平均厚みＴ２を３９．０ｎｍとした。
第１金属磁性粒子のメジアン粒径Ｄ１を１．７μｍとした。
第１絶縁被膜の平均厚みＴ１を８．０ｎｍとした。
第２金属磁性粒子のメジアン粒径Ｄ２を２４．８μｍとした。
第２絶縁被膜の平均厚みＴ２を３９．０ｎｍとした。
【0074】
＜実施例３＞
第１金属磁性粒子のメジアン粒径Ｄ１を１．５μｍとした。
第１絶縁被膜の平均厚みＴ１を１０．０ｎｍとした。
第２金属磁性粒子のメジアン粒径Ｄ２を２１．７μｍとした。
第２絶縁被膜の平均厚みＴ２を３９．４ｎｍとした。
第１金属磁性粒子のメジアン粒径Ｄ１を１．５μｍとした。
第１絶縁被膜の平均厚みＴ１を１０．０ｎｍとした。
第２金属磁性粒子のメジアン粒径Ｄ２を２１．７μｍとした。
第２絶縁被膜の平均厚みＴ２を３９．４ｎｍとした。
【0075】
＜実施例４＞
第１金属磁性粒子のメジアン粒径Ｄ１を１．５μｍとした。
第１絶縁被膜の平均厚みＴ１を１０．０ｎｍとした。
第２金属磁性粒子のメジアン粒径Ｄ２を２２．０μｍとした。
第２絶縁被膜の平均厚みＴ２を３７．８ｎｍとした。
第１金属磁性粒子のメジアン粒径Ｄ１を１．５μｍとした。
第１絶縁被膜の平均厚みＴ１を１０．０ｎｍとした。
第２金属磁性粒子のメジアン粒径Ｄ２を２２．０μｍとした。
第２絶縁被膜の平均厚みＴ２を３７．８ｎｍとした。
【0076】
＜実施例５＞
第１金属磁性粒子のメジアン粒径Ｄ１を１．５μｍとした。
第１絶縁被膜の平均厚みＴ１を１０．０ｎｍとした。
第２金属磁性粒子のメジアン粒径Ｄ２を２１．６μｍとした。
第２絶縁被膜の平均厚みＴ２を３７．１ｎｍとした。
第１金属磁性粒子のメジアン粒径Ｄ１を１．５μｍとした。
第１絶縁被膜の平均厚みＴ１を１０．０ｎｍとした。
第２金属磁性粒子のメジアン粒径Ｄ２を２１．６μｍとした。
第２絶縁被膜の平均厚みＴ２を３７．１ｎｍとした。
【0077】
＜比較例１＞
第１金属磁性粒子のメジアン粒径Ｄ１を１．５μｍとした。
第１絶縁被膜の平均厚みＴ１を１０．０ｎｍとした。
第２金属磁性粒子のメジアン粒径Ｄ２を２７．８μｍとした。
第２絶縁被膜の平均厚みＴ２を３９．０ｎｍとした。
第１金属磁性粒子のメジアン粒径Ｄ１を１．５μｍとした。
第１絶縁被膜の平均厚みＴ１を１０．０ｎｍとした。
第２金属磁性粒子のメジアン粒径Ｄ２を２７．８μｍとした。
第２絶縁被膜の平均厚みＴ２を３９．０ｎｍとした。
【0078】
＜比較例２＞
第１金属磁性粒子のメジアン粒径Ｄ１を１．３μｍとした。
第１絶縁被膜の平均厚みＴ１を１０．０ｎｍとした。
第２金属磁性粒子のメジアン粒径Ｄ２を２７．８μｍとした。
第２絶縁被膜の平均厚みＴ２を３９．０ｎｍとした。
第１金属磁性粒子のメジアン粒径Ｄ１を１．３μｍとした。
第１絶縁被膜の平均厚みＴ１を１０．０ｎｍとした。
第２金属磁性粒子のメジアン粒径Ｄ２を２７．８μｍとした。
第２絶縁被膜の平均厚みＴ２を３９．０ｎｍとした。
【0079】
＜比較例３＞
第１金属磁性粒子のメジアン粒径Ｄ１を１．５μｍとした。
第１絶縁被膜の平均厚みＴ１を１０．０ｎｍとした。
第２金属磁性粒子のメジアン粒径Ｄ２を２７．８μｍとした。
第２絶縁被膜の平均厚みＴ２を２２．９ｎｍとした。
第１金属磁性粒子のメジアン粒径Ｄ１を１．５μｍとした。
第１絶縁被膜の平均厚みＴ１を１０．０ｎｍとした。
第２金属磁性粒子のメジアン粒径Ｄ２を２７．８μｍとした。
第２絶縁被膜の平均厚みＴ２を２２．９ｎｍとした。
【0080】
＜比較例４＞
第１金属磁性粒子のメジアン粒径Ｄ１を１．５μｍとした。
第１絶縁被膜の平均厚みＴ１を１０．０ｎｍとした。
第２金属磁性粒子のメジアン粒径Ｄ２を２１．６μｍとした。
第２絶縁被膜の平均厚みＴ２を１２．５ｎｍとした。
第１金属磁性粒子のメジアン粒径Ｄ１を１．５μｍとした。
第１絶縁被膜の平均厚みＴ１を１０．０ｎｍとした。
第２金属磁性粒子のメジアン粒径Ｄ２を２１．６μｍとした。
第２絶縁被膜の平均厚みＴ２を１２．５ｎｍとした。
【0081】
＜比較例５＞
第１金属磁性粒子のメジアン粒径Ｄ１を１．５μｍとした。
第１絶縁被膜の平均厚みＴ１を１０．０ｎｍとした。
第２金属磁性粒子のメジアン粒径Ｄ２を２７．８μｍとした。
第２絶縁被膜の平均厚みＴ２を１２．９ｎｍとした。
第１金属磁性粒子のメジアン粒径Ｄ１を１．５μｍとした。
第１絶縁被膜の平均厚みＴ１を１０．０ｎｍとした。
第２金属磁性粒子のメジアン粒径Ｄ２を２７．８μｍとした。
第２絶縁被膜の平均厚みＴ２を１２．９ｎｍとした。
【0082】
＜比較例６＞
第１金属磁性粒子のメジアン粒径Ｄ１を１．３μｍとした。
第１絶縁被膜の平均厚みＴ１を１０．０ｎｍとした。
第２金属磁性粒子のメジアン粒径Ｄ２を２７．８μｍとした。
第２絶縁被膜の平均厚みＴ２を１２．９ｎｍとした。
第１金属磁性粒子のメジアン粒径Ｄ１を１．３μｍとした。
第１絶縁被膜の平均厚みＴ１を１０．０ｎｍとした。
第２金属磁性粒子のメジアン粒径Ｄ２を２７．８μｍとした。
第２絶縁被膜の平均厚みＴ２を１２．９ｎｍとした。
【0083】
＜比較例７＞
第１金属磁性粒子のメジアン粒径Ｄ１を１．５μｍとした。
第１絶縁被膜の平均厚みＴ１を１０．０ｎｍとした。
第２金属磁性粒子のメジアン粒径Ｄ２を２２．０μｍとした。
第２絶縁被膜の平均厚みＴ２を５５．０ｎｍとした。
第１金属磁性粒子のメジアン粒径Ｄ１を１．５μｍとした。
第１絶縁被膜の平均厚みＴ１を１０．０ｎｍとした。
第２金属磁性粒子のメジアン粒径Ｄ２を２２．０μｍとした。
第２絶縁被膜の平均厚みＴ２を５５．０ｎｍとした。
【0084】
＜比較例８＞
第１金属磁性粒子のメジアン粒径Ｄ１を１．５μｍとした。
第１絶縁被膜の平均厚みＴ１を１０．０ｎｍとした。
第２金属磁性粒子のメジアン粒径Ｄ２を２２．０μｍとした。
第２絶縁被膜の平均厚みＴ２を８０．０ｎｍとした。
第１金属磁性粒子のメジアン粒径Ｄ１を１．５μｍとした。
第１絶縁被膜の平均厚みＴ１を１０．０ｎｍとした。
第２金属磁性粒子のメジアン粒径Ｄ２を２２．０μｍとした。
第２絶縁被膜の平均厚みＴ２を８０．０ｎｍとした。
【0085】
＜比較例９＞
第１金属磁性粒子のメジアン粒径Ｄ１を１．５μｍとした。
第１絶縁被膜の平均厚みＴ１を１０．０ｎｍとした。
第２金属磁性粒子のメジアン粒径Ｄ２を２２．０μｍとした。
第２絶縁被膜の平均厚みＴ２を１００．０ｎｍとした。
第１金属磁性粒子のメジアン粒径Ｄ１を１．５μｍとした。
第１絶縁被膜の平均厚みＴ１を１０．０ｎｍとした。
第２金属磁性粒子のメジアン粒径Ｄ２を２２．０μｍとした。
第２絶縁被膜の平均厚みＴ２を１００．０ｎｍとした。
【0086】
＜比較例１０＞
第１金属磁性粒子のメジアン粒径Ｄ１を２．５μｍとした。
第１絶縁被膜の平均厚みＴ１を８．０ｎｍとした。
第２金属磁性粒子のメジアン粒径Ｄ２は、１２．０μｍであった。
第２絶縁被膜の平均厚みＴ２を３９．０ｎｍとした。
第１金属磁性粒子のメジアン粒径Ｄ１を２．５μｍとした。
第１絶縁被膜の平均厚みＴ１を８．０ｎｍとした。
第２金属磁性粒子のメジアン粒径Ｄ２は、１２．０μｍであった。
第２絶縁被膜の平均厚みＴ２を３９．０ｎｍとした。
【0087】
＜比較例１１＞
第１金属磁性粒子のメジアン粒径Ｄ１を１．７μｍとした。
第１絶縁被膜の平均厚みＴ１を８．０ｎｍとした。
第２金属磁性粒子のメジアン粒径Ｄ２を１４．９μｍとした。
第２絶縁被膜の平均厚みＴ２を３９．０ｎｍとした。
第１金属磁性粒子のメジアン粒径Ｄ１を１．７μｍとした。
第１絶縁被膜の平均厚みＴ１を８．０ｎｍとした。
第２金属磁性粒子のメジアン粒径Ｄ２を１４．９μｍとした。
第２絶縁被膜の平均厚みＴ２を３９．０ｎｍとした。
【0088】
磁性体の製造方法は、上述の［磁性体の製造方法］で説明したとおりである。なお、磁性体は、トロイダルリングの形態とした。
【0089】
上述の実施例１～５および比較例１～１１の磁性体に対し、［インダクタンス特性評価］、および、［磁性体製造時のスラリーの流動性評価］について、下記のとおり評価した。
【0090】
［インダクタンス特性評価］
インダクタンス特性として、比透磁率μ’および、Ｈｓａｔ２０をインピーダンスアナライザで測定し、μ’×Ｈｓａｔ２０を計算し、当該計算値を用いて磁性体のインダクタンス特性を評価した。
インダクタンス特性として、比透磁率μ’および、Ｈｓａｔ２０をインピーダンスアナライザで測定し、μ’×Ｈｓａｔ２０を計算し、当該計算値を用いて磁性体のインダクタンス特性を評価した。
【0091】
比透磁率μ’の評価は、インピーダンスアナライザ（Ｋｅｙｓｉｇｈｔ社製Ｅ４９９１Ａ）を用いて行った。比透磁率測定では１ＭＨｚの値を採用した。なお、比透磁率μ’は値が大きいほどインダクタンス特性が優れていることを示す。
【0092】
Ｈｓａｔ２０の評価は、ＬＣＲメーター（Ｋｅｙｓｉｇｈｔ社製４２８４Ａ）を用いて行った。まず、実施例１～５および比較例１～１１の磁性体に対し、銅線で巻き線をした。銅線は直径０．３５ｍｍのものを使用し、巻回数は２４とした。銅線に０～３０Ａの直流電流を印加してインダクタンス（Ｌ値）を取得した。Ｌ値から比透磁率（μ値）を計算し、電流がゼロのときのμ値から８０％のμ値に低下したときの電流値（Ｉｓａｔ２０）を得た。Ｉｓａｔ２０、リングの寸法および銅線の巻回数より、μ値が８０％となる磁場（Ｈｓａｔ２０）を計算した。なお、Ｈｓａｔ２０は、値が大きいほど直流重畳特性が優れていることを示す。
【0093】
［磁性体製造時のスラリーの流動性評価］
スラリーの流動性評価は、磁性体を製造する工程において、金型にスラリーを導入する際の金型内のスラリーの流動のし易さを評価した。流動性が小さいと磁性体の成形時に金型内でスラリーの充填不良が生じるため、流動性は大きい方が好ましい。
スラリーの流動性評価は、磁性体を製造する工程において、金型にスラリーを導入する際の金型内のスラリーの流動のし易さを評価した。流動性が小さいと磁性体の成形時に金型内でスラリーの充填不良が生じるため、流動性は大きい方が好ましい。
【0094】
具体的な流動性の評価は、フローテスタ（島津製作所製ＣＦＴ５００ＥＸ）を使用し、測定ダイ：φ３ｍｍ×１ｍｍ厚、仕込み量５ｇとし、シリンダー温度１３０℃、予熱時間６０ｓ、試験力２０ＭＰａの条件下で、フローレート３ｍｍ～５ｍｍでの平均値を測定した。
【0095】
［評価結果］
実施例１～５および比較例１～１１に対する［インダクタンス特性評価］、および、［磁性体製造時のスラリーの流動性評価］の結果を図８に示す。なお、μ’×Ｈｓａｔ２０の評価基準は、４５０ｋＡ／ｍ以上を合格とし、４５０ｋＡ／ｍ未満を不合格とした。比透磁率のμ’の評価基準は、２４．５以上を合格とし、２４．５未満を不合格とした。流動性の評価基準は、０．２５ｃｃ／ｓ以上を合格とし、０．２５ｃｃ／ｓ未満を不合格とした。
実施例１～５および比較例１～１１に対する［インダクタンス特性評価］、および、［磁性体製造時のスラリーの流動性評価］の結果を図８に示す。なお、μ’×Ｈｓａｔ２０の評価基準は、４５０ｋＡ／ｍ以上を合格とし、４５０ｋＡ／ｍ未満を不合格とした。比透磁率のμ’の評価基準は、２４．５以上を合格とし、２４．５未満を不合格とした。流動性の評価基準は、０．２５ｃｃ／ｓ以上を合格とし、０．２５ｃｃ／ｓ未満を不合格とした。
【0096】
実施例１～５の磁性体は、［インダクタンス特性評価］および［磁性体製造時のスラリーの流動性評価］いずれも良好な結果が得られた。一方で、比較例１～１１の磁性体は、［インダクタンス特性評価］および［磁性体製造時のスラリーの流動性評価］のいずれか一方または両方について、上記の評価基準を満たさなかった。
【0097】
なお、今回開示した実施態様は、すべての点で例示であって、限定的な解釈の根拠となるものではない。したがって、本開示の技術的範囲は、上記した実施態様のみによって解釈されるものではなく、特許請求の範囲の記載に基づいて画定される。また、本開示の技術的範囲には、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
【0098】
本開示のコイル部品の態様は、以下のとおりである。
＜１＞第１金属磁性粒子と、前記第１金属磁性粒子よりもメジアン粒径が大きい第２金属磁性粒子と、樹脂と、を含み、
前記第１金属磁性粒子は、第１絶縁被膜によって被覆され、
前記第２金属磁性粒子は、第２絶縁被膜によって被覆され、
前記第１金属磁性粒子のメジアン粒径をＤ１、前記第１絶縁被膜の平均厚みをＴ１、前記第２金属磁性粒子のメジアン粒径をＤ２、前記第２絶縁被膜の平均厚みをＴ２としたときに、
２．５≦（Ｔ１／Ｄ１）／（Ｔ２／Ｄ２）≦３．９
Ｔ２≦３９．４ｎｍ
の両方を充足する、磁性体。
＜２＞前記第１金属磁性粒子のメジアン粒径Ｄ１は、４μｍ以下である、＜１＞に記載の磁性体。
＜３＞前記第２金属磁性粒子のメジアン粒径Ｄ２は、１０μｍ以上である、＜１＞または＜２＞に記載の磁性体。
＜４＞前記第１絶縁被膜の平均厚みＴ１は、５ｎｍ以上である、＜１＞～＜３＞のいずれか１つに記載の磁性体。
＜５＞前記第１金属磁性粒子と前記第２金属磁性粒子との重量配合比率は、
前記第１金属磁性粒子の重量：前記第２金属磁性粒子の重量が、３５：６５以上２０：８０以下である、＜１＞～＜４＞のいずれか１つに記載の磁性体。
＜６＞前記樹脂は、前記磁性体全体基準において、２．３重量％以上３．６重量％以下である、＜１＞～＜５＞のいずれか１つに記載の磁性体。
＜７＞前記第１金属磁性粒子は、Ｆｅを含有し、前記第２金属磁性粒子は、ＦｅおよびＳｉを含有する、＜１＞～＜６＞のいずれか１つに記載の磁性体。
＜８＞前記第１金属磁性粒子は、前記第１金属磁性粒子の全体基準で９７重量％以上の結晶性のＦｅを含有する、＜７＞に記載の磁性体。
＜９＞前記第２金属磁性粒子は、前記第２金属磁性粒子の全体基準で２重量％以上８重量％以下のＳｉを含有する、＜７＞または＜８＞に記載の磁性体。
＜１０＞前記第１絶縁被膜は、シリカを含有する、＜１＞～＜９＞のいずれか１つに記載の磁性体。
＜１１＞前記第２絶縁被膜は、無機ガラスを含有する、＜１＞～＜１０＞のいずれか１つに記載の磁性体。
＜１２＞前記樹脂は、熱硬化性樹脂である、＜１＞～＜１１＞のいずれか１つに記載の磁性体。
＜１３＞＜１＞～＜１２＞のいずれか１つに記載の磁性体を備えたインダクタ。
＜１＞第１金属磁性粒子と、前記第１金属磁性粒子よりもメジアン粒径が大きい第２金属磁性粒子と、樹脂と、を含み、
前記第１金属磁性粒子は、第１絶縁被膜によって被覆され、
前記第２金属磁性粒子は、第２絶縁被膜によって被覆され、
前記第１金属磁性粒子のメジアン粒径をＤ１、前記第１絶縁被膜の平均厚みをＴ１、前記第２金属磁性粒子のメジアン粒径をＤ２、前記第２絶縁被膜の平均厚みをＴ２としたときに、
２．５≦（Ｔ１／Ｄ１）／（Ｔ２／Ｄ２）≦３．９
Ｔ２≦３９．４ｎｍ
の両方を充足する、磁性体。
＜２＞前記第１金属磁性粒子のメジアン粒径Ｄ１は、４μｍ以下である、＜１＞に記載の磁性体。
＜３＞前記第２金属磁性粒子のメジアン粒径Ｄ２は、１０μｍ以上である、＜１＞または＜２＞に記載の磁性体。
＜４＞前記第１絶縁被膜の平均厚みＴ１は、５ｎｍ以上である、＜１＞～＜３＞のいずれか１つに記載の磁性体。
＜５＞前記第１金属磁性粒子と前記第２金属磁性粒子との重量配合比率は、
前記第１金属磁性粒子の重量：前記第２金属磁性粒子の重量が、３５：６５以上２０：８０以下である、＜１＞～＜４＞のいずれか１つに記載の磁性体。
＜６＞前記樹脂は、前記磁性体全体基準において、２．３重量％以上３．６重量％以下である、＜１＞～＜５＞のいずれか１つに記載の磁性体。
＜７＞前記第１金属磁性粒子は、Ｆｅを含有し、前記第２金属磁性粒子は、ＦｅおよびＳｉを含有する、＜１＞～＜６＞のいずれか１つに記載の磁性体。
＜８＞前記第１金属磁性粒子は、前記第１金属磁性粒子の全体基準で９７重量％以上の結晶性のＦｅを含有する、＜７＞に記載の磁性体。
＜９＞前記第２金属磁性粒子は、前記第２金属磁性粒子の全体基準で２重量％以上８重量％以下のＳｉを含有する、＜７＞または＜８＞に記載の磁性体。
＜１０＞前記第１絶縁被膜は、シリカを含有する、＜１＞～＜９＞のいずれか１つに記載の磁性体。
＜１１＞前記第２絶縁被膜は、無機ガラスを含有する、＜１＞～＜１０＞のいずれか１つに記載の磁性体。
＜１２＞前記樹脂は、熱硬化性樹脂である、＜１＞～＜１１＞のいずれか１つに記載の磁性体。
＜１３＞＜１＞～＜１２＞のいずれか１つに記載の磁性体を備えたインダクタ。
【産業上の利用可能性】
【0099】
本開示の磁性体およびインダクタは、μ値の低下を抑制しつつ、Ｈｓａｔ２０を向上させた電子部品として好適に用いることができる。
【符号の説明】
【0100】
１ 磁性体
１０ インダクタ
２０ 導線
３０ 外部電極
ＭＰ１ 第１金属磁性粒子
ＭＰ２ 第２金属磁性粒子
ＩＭ１ 第１絶縁被膜
ＩＭ２ 第２絶縁被膜
Ｋ 金型
Ｓ スラリー
１０ インダクタ
２０ 導線
３０ 外部電極
ＭＰ１ 第１金属磁性粒子
ＭＰ２ 第２金属磁性粒子
ＩＭ１ 第１絶縁被膜
ＩＭ２ 第２絶縁被膜
Ｋ 金型
Ｓ スラリー
【図1】
【図2A】
【図2B】
【図3】
【図4A】
【図4B】
【図5A】
【図5B】
【図5C】
【図6】
【図7】
【図8】