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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2025113848
(43)【公開日】2025-08-04
(54)【発明の名称】弾性波装置の製造方法
(51)【国際特許分類】
H03H 3/08 20060101AFI20250728BHJP
H03H 9/25 20060101ALI20250728BHJP
C30B 29/30 20060101ALI20250728BHJP
【ＦＩ】
H03H3/08
H03H9/25 C
C30B29/30 A
C30B29/30 B
【審査請求】未請求
【請求項の数】19
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2024008223
(22)【出願日】2024-01-23
(71)【出願人】
【識別番号】000006231
【氏名又は名称】株式会社村田製作所
(74)【代理人】
【識別番号】110001232
【氏名又は名称】弁理士法人大阪フロント特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】大門 克也
(72)【発明者】
【氏名】野竹 直弘
【テーマコード（参考）】
4G077
5J097
【Ｆターム（参考）】
4G077AA02
4G077BC32
4G077BC37
4G077FJ03
5J097AA32
5J097BB02
5J097EE08
5J097FF04
5J097FF05
5J097GG03
5J097GG04
5J097HA03
5J097HA07
5J097HA08
5J097KK09
(57)【要約】
【課題】圧電膜の結晶性を高くすることができ、かつ生産性を高くすることができる、弾性波装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の弾性波装置の製造方法は、基板２２及び支持部材３３を用意する工程と、基板２２上にバッファ層２３を設ける工程と、バッファ層２３上に圧電膜２８を設ける工程と、基板２２、バッファ層２３及び圧電膜２８の積層体における圧電膜２８を、支持部材３３に接合する工程と、圧電膜２８から、バッファ層２３及び基板２２を除去する工程とを備える。基板２２の格子定数をＬＳ、バッファ層２３の格子定数をＬＢ、圧電膜２８の格子定数をＬＰとしたときに、（｜ＬＳ－ＬＢ｜／ＬＳ）×１００［％］≦２０［％］であり、（｜ＬＰ－ＬＢ｜／ＬＰ）×１００［％］≦１０［％］である。
【選択図】図３
【解決手段】本発明の弾性波装置の製造方法は、基板２２及び支持部材３３を用意する工程と、基板２２上にバッファ層２３を設ける工程と、バッファ層２３上に圧電膜２８を設ける工程と、基板２２、バッファ層２３及び圧電膜２８の積層体における圧電膜２８を、支持部材３３に接合する工程と、圧電膜２８から、バッファ層２３及び基板２２を除去する工程とを備える。基板２２の格子定数をＬＳ、バッファ層２３の格子定数をＬＢ、圧電膜２８の格子定数をＬＰとしたときに、（｜ＬＳ－ＬＢ｜／ＬＳ）×１００［％］≦２０［％］であり、（｜ＬＰ－ＬＢ｜／ＬＰ）×１００［％］≦１０［％］である。
【選択図】図３
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板及び支持部材を用意する工程と、
前記基板上にバッファ層を設ける工程と、
前記バッファ層上に圧電膜を設ける工程と、
前記基板、前記バッファ層及び前記圧電膜の積層体における前記圧電膜を、前記支持部材に接合する工程と、
前記圧電膜から、前記バッファ層及び前記基板を除去する工程と、
を備え、
前記基板の格子定数をＬＳ、前記バッファ層の格子定数をＬＢ、前記圧電膜の格子定数をＬＰとしたときに、（｜ＬＳ－ＬＢ｜／ＬＳ）×１００［％］≦２０［％］であり、（｜ＬＰ－ＬＢ｜／ＬＰ）×１００［％］≦１０［％］である、弾性波装置の製造方法。
前記基板上にバッファ層を設ける工程と、
前記バッファ層上に圧電膜を設ける工程と、
前記基板、前記バッファ層及び前記圧電膜の積層体における前記圧電膜を、前記支持部材に接合する工程と、
前記圧電膜から、前記バッファ層及び前記基板を除去する工程と、
を備え、
前記基板の格子定数をＬＳ、前記バッファ層の格子定数をＬＢ、前記圧電膜の格子定数をＬＰとしたときに、（｜ＬＳ－ＬＢ｜／ＬＳ）×１００［％］≦２０［％］であり、（｜ＬＰ－ＬＢ｜／ＬＰ）×１００［％］≦１０［％］である、弾性波装置の製造方法。
【請求項2】
前記バッファ層を、前記基板上においてエピタキシャル成長させることにより形成し、
前記圧電膜を、前記バッファ層上においてエピタキシャル成長させることにより形成する、請求項１に記載の弾性波装置の製造方法。
前記圧電膜を、前記バッファ層上においてエピタキシャル成長させることにより形成する、請求項１に記載の弾性波装置の製造方法。
【請求項3】
前記圧電膜を前記バッファ層上に成膜により形成する、請求項１に記載の弾性波装置の製造方法。
【請求項4】
前記圧電膜から、前記バッファ層及び前記基板を除去する工程において、ウェットエッチングを用いて前記バッファ層を除去する、請求項１に記載の弾性波装置の製造方法。
【請求項5】
前記バッファ層のバンドギャップが、前記基板のバンドギャップよりも小さく、
前記圧電膜から、前記バッファ層及び前記基板を除去する工程において、レーザー光を前記基板側から前記バッファ層に照射することにより、前記基板の前記バッファ層からの剥離を行い、該剥離の後に前記バッファ層を前記圧電膜から除去する、請求項１に記載の弾性波装置の製造方法。
前記圧電膜から、前記バッファ層及び前記基板を除去する工程において、レーザー光を前記基板側から前記バッファ層に照射することにより、前記基板の前記バッファ層からの剥離を行い、該剥離の後に前記バッファ層を前記圧電膜から除去する、請求項１に記載の弾性波装置の製造方法。
【請求項6】
前記レーザー光の波長が１５０ｎｍ以上、４５０ｎｍ以下である、請求項５に記載の弾性波装置の製造方法。
【請求項7】
前記圧電膜から、前記バッファ層及び前記基板を除去する工程の後に、前記圧電膜の高温加熱処理または放電処理を行う工程をさらに備える、請求項１に記載の弾性波装置の製造方法。
【請求項8】
前記圧電膜から、前記バッファ層及び前記基板を除去する工程の後に、前記圧電膜における、前記バッファ層が積層されていた側の主面の算術平均粗さＲａを１ｎｍ以下にする工程をさらに備える、請求項１に記載の弾性波装置の製造方法。
【請求項9】
前記基板の材料が、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム及びサファイアのうちいずれかである、請求項１に記載の弾性波装置の製造方法。
【請求項10】
前記基板の材料が、オイラー角（φ，θ，ψ）が（０°±１０°の範囲内，１２０°±３０°の範囲内，０°±１０°の範囲内）もしくはこれと等価であるニオブ酸リチウム、オイラー角（φ，θ，ψ）が（９０°±１０°の範囲内，９０°±１０°の範囲内，３０°±３０°の範囲内）もしくはこれと等価であるニオブ酸リチウム、オイラー角（φ，θ，ψ）が（０°±１０°の範囲内，１２０°±３０°の範囲内，０°±１０°の範囲内）もしくはこれと等価であるタンタル酸リチウム、オイラー角（φ，θ，ψ）が（９０°±１０°の範囲内，９０°±１０°の範囲内，３０°±３０°の範囲内）もしくはこれと等価であるタンタル酸リチウム、並びにオイラー角（φ，θ，ψ）が（０°±１０°の範囲内，１２２．２３°±３０°の範囲内，任意のψ）もしくはこれと等価であるサファイアのうちいずれかである、請求項９に記載の弾性波装置の製造方法。
【請求項11】
前記バッファ層の材料が、アルミニウム、チタン、窒化ガリウム、酸化チタン及び窒化アルミニウムのうちいずれかである、請求項１に記載の弾性波装置の製造方法。
【請求項12】
前記圧電膜の材料が、ニオブ酸リチウム及びタンタル酸リチウムのうち一方であり、
前記バッファ層及び前記基板の材料の組み合わせが、前記バッファ層／前記基板の表記において、窒化ガリウム／サファイア、窒化ガリウム／ニオブ酸リチウム、酸化チタン／ニオブ酸リチウム、及び酸化チタン／タンタル酸リチウムのうちいずれかである、請求項１に記載の弾性波装置の製造方法。
前記バッファ層及び前記基板の材料の組み合わせが、前記バッファ層／前記基板の表記において、窒化ガリウム／サファイア、窒化ガリウム／ニオブ酸リチウム、酸化チタン／ニオブ酸リチウム、及び酸化チタン／タンタル酸リチウムのうちいずれかである、請求項１に記載の弾性波装置の製造方法。
【請求項13】
前記圧電膜の材料が、ニオブ酸リチウム及びタンタル酸リチウムのうち一方であり、
前記バッファ層が第１のバッファ層及び第２のバッファ層を含む積層体であり、前記基板上に前記第１のバッファ層が設けられており、前記第１のバッファ層上に前記第２のバッファ層が設けられており、前記第２のバッファ層上に前記圧電膜が設けられており、
前記バッファ層及び前記基板の材料の組み合わせが、前記第２のバッファ層／前記第１のバッファ層／前記基板の表記において、窒化ガリウム／窒化アルミニウム／サファイア、酸化チタン／窒化ガリウム／サファイア、酸化チタン／チタン／ニオブ酸リチウム、及び酸化チタン／チタン／タンタル酸リチウムのうちいずれかである、請求項１に記載の弾性波装置の製造方法。
前記バッファ層が第１のバッファ層及び第２のバッファ層を含む積層体であり、前記基板上に前記第１のバッファ層が設けられており、前記第１のバッファ層上に前記第２のバッファ層が設けられており、前記第２のバッファ層上に前記圧電膜が設けられており、
前記バッファ層及び前記基板の材料の組み合わせが、前記第２のバッファ層／前記第１のバッファ層／前記基板の表記において、窒化ガリウム／窒化アルミニウム／サファイア、酸化チタン／窒化ガリウム／サファイア、酸化チタン／チタン／ニオブ酸リチウム、及び酸化チタン／チタン／タンタル酸リチウムのうちいずれかである、請求項１に記載の弾性波装置の製造方法。
【請求項14】
前記支持部材が少なくとも支持基板を含み、
前記支持基板の材料が、ガラス、水晶、サファイア、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、シリコン、炭化ケイ素、窒化ガリウム、ガリウムヒ素、ダイヤモンドライクカーボン及び酸化アルミニウムのうちいずれかである、請求項１に記載の弾性波装置の製造方法。
前記支持基板の材料が、ガラス、水晶、サファイア、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、シリコン、炭化ケイ素、窒化ガリウム、ガリウムヒ素、ダイヤモンドライクカーボン及び酸化アルミニウムのうちいずれかである、請求項１に記載の弾性波装置の製造方法。
【請求項15】
前記支持部材が支持基板のみを含み、
前記支持基板における、前記圧電膜に接合する主面の算術平均粗さＲａを１ｎｍ以下にする工程と、
前記圧電膜における、前記支持基板に接合する主面の算術平均粗さＲａを１ｎｍ以下にする工程と、
をさらに備え、
前記基板、前記バッファ層及び前記圧電膜の積層体における前記圧電膜を、前記支持基板に接合する工程において、前記支持基板における算術平均粗さＲａが１ｎｍ以下である主面、及び前記圧電膜における算術平均粗さＲａが１ｎｍ以下である主面を接合する、請求項１に記載の弾性波装置の製造方法。
前記支持基板における、前記圧電膜に接合する主面の算術平均粗さＲａを１ｎｍ以下にする工程と、
前記圧電膜における、前記支持基板に接合する主面の算術平均粗さＲａを１ｎｍ以下にする工程と、
をさらに備え、
前記基板、前記バッファ層及び前記圧電膜の積層体における前記圧電膜を、前記支持基板に接合する工程において、前記支持基板における算術平均粗さＲａが１ｎｍ以下である主面、及び前記圧電膜における算術平均粗さＲａが１ｎｍ以下である主面を接合する、請求項１に記載の弾性波装置の製造方法。
【請求項16】
前記支持部材が支持基板及び中間層の積層体であり、
前記基板、前記バッファ層及び前記圧電膜の積層体における前記圧電膜を、前記支持部材に接合する工程において、前記圧電膜を前記中間層に接合する、請求項１に記載の弾性波装置の製造方法。
前記基板、前記バッファ層及び前記圧電膜の積層体における前記圧電膜を、前記支持部材に接合する工程において、前記圧電膜を前記中間層に接合する、請求項１に記載の弾性波装置の製造方法。
【請求項17】
前記中間層が、酸化ケイ素層及び窒化ケイ素層のうち少なくとも一方を含む、請求項１６に記載の弾性波装置の製造方法。
【請求項18】
前記支持部材を用意する工程において、前記中間層に埋め込むように犠牲層を設け、
前記圧電膜から、前記バッファ層及び前記基板を除去する工程の後に、前記犠牲層を除去する工程をさらに備える、請求項１６に記載の弾性波装置の製造方法。
前記圧電膜から、前記バッファ層及び前記基板を除去する工程の後に、前記犠牲層を除去する工程をさらに備える、請求項１６に記載の弾性波装置の製造方法。
【請求項19】
前記支持部材が支持基板及び音響反射膜の積層体であり、
前記音響反射膜が、相対的に音響インピーダンスが高い高音響インピーダンス層と、相対的に音響インピーダンスが低い低音響インピーダンス層と、を含み、
前記基板、前記バッファ層及び前記圧電膜の積層体における前記圧電膜を、前記支持部材に接合する工程において、前記圧電膜を前記音響反射膜に接合する、請求項１に記載の弾性波装置の製造方法。
前記音響反射膜が、相対的に音響インピーダンスが高い高音響インピーダンス層と、相対的に音響インピーダンスが低い低音響インピーダンス層と、を含み、
前記基板、前記バッファ層及び前記圧電膜の積層体における前記圧電膜を、前記支持部材に接合する工程において、前記圧電膜を前記音響反射膜に接合する、請求項１に記載の弾性波装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、弾性波装置の製造方法に関する。
【0002】
従来、弾性波装置が、携帯電話機のフィルタなどに広く用いられている。下記の特許文献１には、弾性波デバイスや、その製造方法の一例が記載されている。特許文献１に記載された製造方法においては、圧電層として圧電基板を準備する。もっとも、圧電層を準備した段階においては、圧電層の厚みは所望の厚みとはされていない。そのため、当該製造方法においては、圧電層を研削することによって薄膜化し、圧電層の厚みを所望の厚みに調整する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０２３－１８０５５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
しかしながら、特許文献１に記載のような従来の製造方法においては、準備した圧電層の大部分が研削により除去され、廃棄されることがある。そのため、生産性を十分に高くすることは困難である。もっとも、従来においては、弾性波デバイスに用いる薄膜状の圧電層の結晶性を十分に高くするためには、結晶性が高い圧電基板を準備した後に、該圧電基板を薄膜化することを要していた。
【0005】
本発明の目的は、圧電膜の結晶性を高くすることができ、かつ生産性を高くすることができる、弾性波装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明に係る弾性波装置の製造方法は、基板及び支持部材を用意する工程と、前記基板上にバッファ層を設ける工程と、前記バッファ層上に圧電膜を設ける工程と、前記基板、前記バッファ層及び前記圧電膜の積層体における前記圧電膜を、前記支持部材に接合する工程と、前記圧電膜から、前記バッファ層及び前記基板を除去する工程とを備え、前記基板の格子定数をＬＳ、前記バッファ層の格子定数をＬＢ、前記圧電膜の格子定数をＬＰとしたときに、（｜ＬＳ－ＬＢ｜／ＬＳ）×１００［％］≦２０［％］であり、（｜ＬＰ－ＬＢ｜／ＬＰ）×１００［％］≦１０［％］である。
【発明の効果】
【0007】
本発明に係る弾性波装置の製造方法によれば、圧電膜の結晶性を高くすることができ、かつ生産性を高くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【図1】本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の模式的正面断面図である。
【図2】本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の模式的平面図である。
【図8】六方晶の結晶構造におけるａ面、ｍ面、ｃ面及びｒ面を示す模式図である。
【図9】本発明の第２の実施形態に係る弾性波装置の模式的正面断面図である。
【図12】本発明の第３の実施形態に係る弾性波装置の模式的正面断面図である。
【図14】図１４（ａ）及び図１４（ｂ）は、本発明における弾性波装置の製造方法の第３の実施形態においての、圧電膜を支持部材に接合する工程、並びに圧電膜からバッファ層及び基板を除去する工程を説明するための模式的正面断面図である。
【図15】本発明の第４の実施形態に係る弾性波装置の模式的正面断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0009】
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
【0010】
なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。
【0011】
図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の模式的正面断面図である。
【0012】
弾性波装置１は、圧電性基板２と、機能電極１４とを有する。圧電性基板２は圧電性を有する基板である。具体的には、圧電性基板２は、支持部材３と、圧電膜８とを有する。本実施形態では、支持部材３は、支持基板４と、中間層５とを含む。中間層５は２層の誘電体層の積層体である。より具体的には、中間層５は、第１の層６と、第２の層７とを含む。支持基板４上に第１の層６が設けられている。第１の層６上に第２の層７が設けられている。第２の層７上に圧電膜８が設けられている。なお、中間層５は、例えば、単層の誘電体層であってもよい。
【0013】
圧電膜８は第１の主面８ａ及び第２の主面８ｂを有する。第１の主面８ａ及び第２の主面８ｂは互いに対向している。第１の主面８ａ及び第２の主面８ｂのうち、第２の主面８ｂが支持部材３側に位置している。
【0014】
図２は、第１の実施形態に係る弾性波装置の模式的平面図である。
【0015】
圧電膜８の第１の主面８ａに機能電極１４が設けられている。本実施形態では、機能電極１４はＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｌ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極である。機能電極１４は、１対のバスバーと、複数の電極指とを有する。１対のバスバーは、具体的には、第１のバスバー１６及び第２のバスバー１７である。第１のバスバー１６及び第２のバスバー１７は互いに対向している。複数の電極指は、具体的には、複数の第１の電極指１８及び複数の第２の電極指１９である。複数の第１の電極指１８の一端はそれぞれ、第１のバスバー１６に接続されている。複数の第２の電極指１９の一端はそれぞれ、第２のバスバー１７に接続されている。複数の第１の電極指１８及び複数の第２の電極指１９は互いに間挿し合っている。
【0016】
以下においては、第１の電極指１８及び第２の電極指１９をまとめて、単に電極指と記載することがある。複数の電極指が延びる方向を電極指延伸方向とし、電極指延伸方向と直交する方向を電極指直交方向とする。
【0017】
圧電膜８の第１の主面８ａには、１対の反射器１５Ａ及び反射器１５Ｂが設けられている。反射器１５Ａ及び反射器１５Ｂは、機能電極１４を電極指直交方向において挟み互いに対向している。反射器１５Ａは複数の電極指１５ｃを有する。反射器１５Ａにおいては、複数の電極指１５ｃの両端が電気的に短絡されている。反射器１５Ｂも、反射器１５Ａと同様に構成されている。機能電極１４、反射器１５Ａ及び反射器１５Ｂは、単層の金属膜からなっていてもよく、あるいは、積層金属膜からなっていてもよい。なお、反射器１５Ａ及び反射器１５Ｂは、必ずしも設けられていなくともよい。
【0018】
機能電極１４に交流電圧を印加することにより、弾性波が励振される。弾性波装置１は、弾性表面波共振子である。もっとも、弾性波装置１が主モードとして利用する弾性波は弾性表面波に限定されない。例えば、弾性波装置１は、厚み滑りモードのバルク波を主モードとして利用するように構成されていてもよい。この場合、圧電膜８の厚みをｄ、隣り合う第１の電極指１８及び第２の電極指１９の中心間距離をｐとしたときに、ｄ／ｐが０．５以下であることが好ましい。それによって、厚み滑りモードが好適に励振される。
【0019】
弾性波装置１は、例えば、複数の機能電極１４が設けられたウエハを個片化することにより得ることができる。ウエハが個片化された基板が圧電性基板２である。
【0020】
以下において、弾性波装置１の製造方法の一例を説明する。なお、当該製造方法は、本発明における弾性波装置の製造方法の第１の実施形態である。
【0021】
図３（ａ）～図３（ｄ）は、本発明における弾性波装置の製造方法の第１の実施形態を説明するための模式的正面断面図である。図４（ａ）及び図４（ｂ）は、弾性波装置の製造方法の第１の実施形態を説明するための略図的正面断面図である。なお、図４（ａ）及び図４（ｂ）においては、機能電極１４、反射器１５Ａ及び反射器１５Ｂを、矩形に２本の対角線を加えた略図により示す。他の略図的正面断面図においても同様である。
【0022】
図３（ａ）に示すように、基板２２を用意する。次に、基板２２上にバッファ層２３を設ける。このとき、バッファ層２３を、例えば、基板２２上においてエピタキシャル成長させることにより形成する。この場合、例えば、ＨＶＰＥ（Ｈｙｄｒｉｄｅ Ｖａｐｏｒ Ｐｈａｓｅ Ｅｐｉｔａｘｙ）法や、ＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法などを用いて、バッファ層２３を形成すればよい。本実施形態においては、バッファ層２３はエピタキシャル層である。
【0023】
本明細書においてエピタキシャル層とは、エピタキシャル成長した配向膜からなる層をいう。さらに、本明細書において、エピタキシャル成長した配向膜とは、単結晶膜、または、双晶構造を有する多結晶膜をいう。ある層がエピタキシャル層であるか否かは、Ｘ線回折法により極点測定を行うことによって確認することができる。当該層が双晶構造を有する場合、回折パターンは複数の対称中心を有する。この場合、当該層は、エピタキシャル層である。
【0024】
次に、バッファ層２３上に圧電膜２８を設ける。このとき、圧電膜２８を、例えば、バッファ層２３上においてエピタキシャル成長させることにより形成する。この場合、例えば、ＨＶＰＥ法や、ＭＯＣＶＤ法などを用いて、圧電膜２８を形成すればよい。本実施形態においては、圧電膜２８はエピタキシャル層である。なお、圧電膜２８は、後の工程において個片化されることにより、図１に示した圧電膜８となる。
【0025】
圧電膜２８は、第１の主面２８ａ及び第２の主面２８ｂを有する。第１の主面２８ａ及び第２の主面２８ｂは互いに対向している。第１の主面２８ａ及び第２の主面２８ｂのうち、第１の主面２８ａが、バッファ層２３側に位置している。
【0026】
一方で、図３（ｂ）に示すように、支持部材３３を用意する。支持部材３３は、後の工程により、個片化されることにより、図１に示した支持部材３となる。図３（ｂ）に示す支持部材３３を用意する工程においては、まず支持基板３４を用意する。次に、支持基板３４上に中間層３５を設ける。より具体的には、支持基板３４上に第１の層３６を設ける。次に、第１の層３６上に第２の層３７を設ける。第１の層３６は、本実施形態では窒化ケイ素層である。第２の層３７は、本実施形態では酸化ケイ素層である。第１の層３６及び第２の層３７は、例えば、スパッタリング法または真空蒸着法などにより形成することができる。
【0027】
次に、図３（ｃ）に示すように、基板２２、バッファ層２３及び圧電膜２８の積層体における圧電膜２８を、支持部材３３に接合する。具体的には、本実施形態では、圧電膜２８の第２の主面２８ｂを、支持部材３３の中間層３５に接合する。
【0028】
次に、ウェットエッチングにより、圧電膜２８からバッファ層２３及び基板２２を除去する。具体的には、ウェットエッチングによりバッファ層２３を除去すると共に、図３（ｄ）に示すように、圧電膜２８から基板２２を剥離する。これにより、ウエハ３２を得る。より具体的には、ウエハ３２は、支持部材３３及び圧電膜２８の積層体である。なお、圧電膜２８からバッファ層２３及び基板２２を除去するに際しては、例えば、レーザーリフトオフ法などを用いてもよい。
【0029】
次に、圧電膜２８における第１の主面２８ａの洗浄を行う。第１の主面２８ａは、圧電膜２８における、図３（ｃ）に示したバッファ層２３が積層されていた側の主面である。第１の主面２８ａからは、バッファ層２３が完全に除去されていない場合がある。当該洗浄により、第１の主面２８ａから、バッファ層２３をより確実に除去することができる。それによって、バッファ層２３の残渣に起因する不良を抑制することができ、生産性を高くすることができる。もっとも、第１の主面２８ａの洗浄は必ずしも行わなくともよい。
【0030】
次に、圧電膜２８に、高温加熱処理または放電処理を行う。これにより、圧電膜２８における分極の状態をより確実に揃えることができる。もっとも、圧電膜２８の高温加熱処理または放電処理は必ずしも行わなくともよい。
【0031】
次に、圧電膜２８の第１の主面２８ａの算術平均粗さＲａを調整する。第１の主面２８ａの算術平均粗さＲａの調整は、例えば研磨などにより行えばよい。この場合、例えば、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）法などを用いてもよい。第１の主面２８ａの算術平均粗さＲａを１ｎｍ以下とすることが好ましい。これにより、得られる弾性波装置１の電気的特性を良好にすることができる。なお、本明細書における算術平均粗さは、ＪＩＳ Ｂ ０６０１：２００１における算術平均粗さＲａに準拠する。もっとも、圧電膜２８の第１の主面２８ａの算術平均粗さＲａを調整する工程は必ずしも行わなくともよい。
【0032】
次に、図４（ａ）に示すように、圧電膜２８の第１の主面２８ａに、複数の機能電極１４、複数の反射器１５Ａ及び複数の反射器１５Ｂを設ける。なお、第１の主面２８ａには、機能電極１４及び各反射器以外の配線を、機能電極１４及び各反射器と同時に設けてもよい。機能電極１４、各反射器及び配線は、例えば、スパッタリング法または真空蒸着法を用いたフォトリソグラフィ法などにより形成することができる。
【0033】
次に、ウエハ３２を個片化する。ウエハ３２の個片化は、例えば、ダイシングなどにより行えばよい。これにより、図４（ｂ）に示すように、複数の弾性波装置１を得ることができる。
【0034】
以下においては、図３（ａ）に示した基板２２の格子定数をＬＳ、バッファ層２３の格子定数をＬＢ、圧電膜２８の格子定数をＬＰとする。基板２２の格子定数ＬＳ及びバッファ層２３の格子定数ＬＢのミスフィットを、｜ＬＳ－ＬＢ｜／ＬＳ）×１００［％］とし、バッファ層２３の格子定数ＬＢ及び圧電膜２８の格子定数ＬＰのミスフィットを（｜ＬＰ－ＬＢ｜／ＬＰ）×１００［％］とする。
【0035】
本実施形態の特徴は、以下の構成を有することにある。１）基板２２上にバッファ層２３を設ける工程と、バッファ層２３上に圧電膜２８を設ける工程とを有すること。２）基板２２、バッファ層２３及び圧電膜２８の積層体における圧電膜２８を、支持部材３３に接合する工程と、圧電膜２８から、バッファ層２３及び基板２２を除去する工程とを有すること。３）基板２２の格子定数ＬＳ及びバッファ層２３の格子定数ＬＢのミスフィットが、（｜ＬＳ－ＬＢ｜／ＬＳ）×１００［％］≦２０［％］であること。４）バッファ層２３の格子定数ＬＢ及び圧電膜２８の格子定数ＬＰのミスフィットが、（｜ＬＰ－ＬＢ｜／ＬＰ）×１００［％］≦１０［％］であること。それによって、得られる弾性波装置１における圧電膜８の結晶性を、より確実に高くすることができる。加えて、弾性波装置１の生産性を高くすることができる。これを以下において説明する。
【0036】
本実施形態では、図３（ａ）に示すように、基板２２上にバッファ層２３を形成する。そして、基板２２の格子定数ＬＳ及びバッファ層２３の格子定数ＬＢのミスフィットが２０％以下である。それによって、バッファ層２３の結晶性をより確実に高くすることができる。次に、バッファ層２３上に、圧電膜２８を形成する。そして、バッファ層２３の格子定数ＬＢ及び圧電膜２８の格子定数ＬＰのミスフィットが１０％以下である。それによって、圧電膜２８の結晶性をより確実に高くすることができる。この圧電膜２８を、図３（ｄ）に示すように、支持部材３３に接合することによって、ウエハ３２を得る。次に、図４（ｂ）に示すように、ウエハ３２を個片化することにより、複数の圧電性基板２を得る。これにより、各圧電性基板２における圧電膜８の結晶性をより確実に高くすることができる。
【0037】
なお、上記のように、図３（ｃ）及び図３（ｄ）により示した、圧電膜２８からバッファ層２３及び基板２２を除去する工程おいては、レーザーリフトオフ法を用いてもよい。この詳細を、第１の実施形態の第１の変形例として説明する。
【0038】
図５（ａ）及び図５（ｂ）は、弾性波装置の製造方法の第１の実施形態の第１の変形例においての、バッファ層にレーザー光を照射する工程などを説明するための模式的正面断面図である。図６（ａ）及び図６（ｂ）は、弾性波装置の製造方法の第１の実施形態の第１の変形例においての、圧電膜からバッファ層及び基板を除去する工程などを説明するための模式的正面断面図である。
【0039】
図５（ａ）に示すように、基板２２側からバッファ層２３に、レーザー光Ｌを照射する。バッファ層２３にレーザー光Ｌを照射することにより、バッファ層２３の一部が分解される。次に、バッファ層２３から基板２２を剥離する。言い換えれば、圧電膜２８側から基板２２を除去する。なお、基板２２のバンドギャップがバッファ層２３のバンドギャップよりも小さいことが好ましい。それによって、基板２２におけるレーザー光Ｌを透過させる透過率を高くすることができる。これにより、レーザー光Ｌをバッファ層２３に好適に照射することができる。
【0040】
なお、レーザー光Ｌの照射により、バッファ層２３の一部が分解されるに伴い、変質層２３Ａが形成されることもある。本実施形態では、変質層２３Ａが形成される場合の例を示す。もっとも、変質層２３Ａを形成しなくともよい。
【0041】
次に、圧電膜２８からバッファ層２３及び変質層２３Ａを、図６（ｂ）に示すように除去する。圧電膜２８からバッファ層２３及び変質層２３Ａを除去するに際しては、例えば、ウェットエッチングを用いればよい。基板２２が除去された状態において、ウェットエッチングなどの処理を行うため、バッファ層２３及び変質層２３Ａを容易に除去することができる。以上により、ウエハ３２を得る。
【0042】
図５（ａ）に示す工程において、レーザー光Ｌの波長が１５０ｎｍ以上、４５０ｎｍ以下であることが好ましい。それによって、バッファ層２３における基板２２側の表面付近の部分を、より確実に分解させることができる。これにより、圧電膜２８側から基板２２をより確実に、容易に除去することができる。
【0043】
本変形例においても、圧電膜２８からバッファ層２３を除去した後に、圧電膜２８における第１の主面２８ａの洗浄を行う。それによって、バッファ層２３の残渣に起因する不良を抑制することができ、生産性を高くすることができる。次に、圧電膜２８に高温加熱処理または放電処理などを行う。これにより、圧電膜２８における分極の状態をより確実に揃えることができる。
【0044】
本変形例では、圧電膜２８からバッファ層２３及び基板２２を除去する工程以外の工程は、第１の実施形態と同様にして行うことができる。従って、本変形例においても、得られる弾性波装置における圧電膜の結晶性を、より確実に高くすることができる。
【0045】
図６（ａ）及び図６（ｂ）により示した工程の後には、基板２２上にバッファ層２３または変質層２３Ａの一部が残る場合がある。そこで、圧電膜２８からバッファ層２３、変質層２３Ａ及び基板２２を除去した後に、基板２２におけるバッファ層２３が積層されていた面の洗浄を行ってもよい。これを、第１の実施形態の第２の変形例として説明する。
【0046】
【0047】
図７（ａ）に示すように、基板２２の一方の面には、変質層２３Ａが残っている。本変形例においては、基板２２における変質層２３Ａが残っている面を洗浄する。言い換えれば、基板２２における、図５（ａ）などに示すバッファ層２３が設けられていた面を洗浄する。これにより、変質層２３Ａを除去する。あるいは、基板２２の一方の面にバッファ層２３が残っている場合においても、当該洗浄により、該バッファ層２３を除去することができる。
【0048】
当該洗浄により、変質層２３Ａ及びバッファ層２３が残っていない、図７（ｂ）に示す基板２２をより確実に得ることができる。それによって、基板２２を、弾性波装置の製造に好適に再利用することができる。従って、生産性を効果的に高くすることができる。
【0049】
本変形例では、基板２２におけるバッファ層２３が設けられていた面を洗浄する工程以外の工程は、第１の変形例と同様にして行うことができる。従って、本変形例においても、得られる弾性波装置における圧電膜の結晶性を、より確実に高くすることができる。
【0050】
なお、本変形例以外の、本発明における弾性波装置の製造方法においても、基板２２の当該洗浄の工程を採用することができる。例えば、図３（ｃ）及び図３（ｄ）に示すように、第１の実施形態では、圧電膜２８からバッファ層２３及び基板２２を除去する工程において、ウェットエッチングによりバッファ層２３を除去する。このときに、基板２２上にバッファ層２３の一部が残る場合がある。基板２２における、バッファ層２３が設けられていた面を洗浄することにより、基板２２を好適に再利用することができる。
【0051】
本発明においては、図３（ａ）などに示す圧電膜２８を、成膜により形成することが好ましい。成膜により形成するとは、薄膜として形成することをいう。圧電膜２８が成膜により形成された場合、圧電膜２８の厚みまたは算術平均粗さＲａの調整の前に、圧電膜２８は薄膜とされている。
【0052】
より具体的には、圧電膜２８を形成する工程において、圧電膜２８の厚みを１５００ｎｍ以下とすることが好ましく、４００ｎｍ以下とすることがより好ましい。この場合には、圧電膜２８を形成した後に、圧電膜２８の厚みを研磨などによって調整する場合においても、研磨などの量を少なくすることができる。あるいは、圧電膜２８を形成するときの条件の設定により、圧電膜２８の厚みを調整することによって、圧電膜２８を所望の厚みの薄膜とすることができる。この場合、圧電膜２８を形成した後に、圧電膜２８の厚みを研磨などにより調整することを要しない。従って、生産性をより一層高くすることができる。
【0053】
加えて、本発明では、基板２２及びバッファ層２３の積層体上に、圧電膜２８を設ける。よって、圧電膜２８を成膜により形成する場合においても、圧電膜２８の結晶性をより確実に高くすることができる。従って、例えば、図１に示す弾性波装置１における圧電膜８の結晶性を、より確実に高くすることができる。
【0054】
以下において、各部材の材料の例を示す。なお、圧電性基板２またはウエハ３２における各部材の材料の例を示す際、各部材を示す符号には、個片化前の符号を用いている。
【0055】
圧電膜２８の材料としては、例えば、ニオブ酸リチウム及びタンタル酸リチウムのうち一方を用いることができる。圧電膜２８の材料としてニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムを用いる場合、ニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムのオイラー角（φ，θ，ψ）が、（０°±１０°の範囲内，１２０°±３０°の範囲内，０°±１０°の範囲内）もしくはこれと等価の（φ，θ，ψ）、並びにオイラー角（φ，θ，ψ）が（３０°±３０°の範囲内，９０°±１０°の範囲内，９０°±１０°の範囲内）もしくはこれと等価の（φ，θ，ψ）のうちいずれかであることがより好ましい。これらの場合、弾性波装置１の電気的特性をより確実に良好にすることができる。
【0056】
基板２２の材料としては、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム及びサファイアのうちいずれかを用いることが好ましい。基板２２上には、バッファ層２３を介して間接的に圧電膜２８が設けられている。基板２２の材料を上記のうちいずれかとすることによって、圧電膜２８の形成に際し、圧電膜２８をエピタキシャル成長させ易い。これにより、圧電膜２８の結晶性をより確実に高くすることができる。
【0057】
基板２２の材料としてニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムを用いる場合、ニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムのオイラー角（φ，θ，ψ）が、（０°±１０°の範囲内，１２０°±３０°の範囲内，０°±１０°の範囲内）もしくはこれと等価の（φ，θ，ψ）であることがより好ましい。基板２２の材料として、カット角３０°±３０°の回転Ｙカットのニオブ酸リチウム、及びカット角３０°±３０°の回転Ｙカットのタンタル酸リチウムのうち一方を用いることがさらに好ましい。それによって、圧電膜２８の材料としてニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムを用いる場合において、ニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムのオイラー角（φ，θ，ψ）を、（０°±１０°の範囲内，１２０°±３０°の範囲内，０°±１０°の範囲内）もしくはこれと等価の（φ，θ，ψ）とし易い。
【0058】
なお、例えば、カット角３０°の回転Ｙカットのニオブ酸リチウムにおけるオイラー角（φ，θ，ψ）は、（０°，１２０°，０°）もしくはこれと等価の（φ，θ，ψ）である。
【0059】
あるいは、基板２２の材料としてニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムを用いる場合、ニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムのオイラー角（φ，θ，ψ）が、（９０°±１０°の範囲内，９０°±１０°の範囲内，３０°±３０°の範囲内，）もしくはこれと等価の（φ，θ，ψ）であることがより好ましい。基板２２の材料として、カット角３０°±３０°の回転Ｘカットのニオブ酸リチウム、及びカット角３０°±３０°の回転Ｘカットのタンタル酸リチウムのうち一方を用いることがさらに好ましい。それによって、圧電膜２８の材料としてニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムを用いる場合において、ニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムのオイラー角（φ，θ，ψ）を、（９０°±１０°の範囲内，９０°±１０°の範囲内，３０°±３０°の範囲内）もしくはこれと等価の（φ，θ，ψ）とし易い。
【0060】
なお、例えば、カット角３０°の回転Ｘカットのニオブ酸リチウムにおけるオイラー角（φ，θ，ψ）は、（９０°，９０°，３０°）もしくはこれと等価の（φ，θ，ψ）である。
【0061】
基板２２の材料としてサファイアを用いる場合、基板２２におけるバッファ層２３を形成する面が、図８に示すｒ面またはこれに近い面であることがより好ましい。なお、ｒ面を、オイラー角（φ，θ，ψ）として小数第２位まで表記した場合、（０°，１２２．２３°，ψ）である。
【0062】
基板２２の材料としてサファイアを用いる場合、具体的には、サファイアのオイラー角（φ，θ，ψ）が（０°±１０°の範囲内，１２２．２３°±３０°の範囲内，任意のψ）もしくはこれと等価の（φ，θ，ψ）であることがより好ましい。サファイアのオイラー角（φ，θ，ψ）が（０°±１０°の範囲内，１２２．２３°±３０°の範囲内，０°±１０°の範囲内）もしくはこれと等価の（φ，θ，ψ）であることがさらに好ましい。サファイアのオイラー角（φ，θ，ψ）が（０°，１２２．２３°±３０°の範囲内，０°）もしくはこれと等価の（φ，θ，ψ）であることがより一層好ましい。それによって、圧電膜２８の材料としてニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムを用いる場合において、ニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムのオイラー角（φ，θ，ψ）を、（０°±１０°の範囲内，１２０°±３０°の範囲内，０°±１０°の範囲内）もしくはこれと等価の（φ，θ，ψ）とし易い。
【0063】
バッファ層２３の材料として、金属、窒化物、炭化物及び酸化物のうちいずれかを用いることが好ましい。この場合、バッファ層２３の形成に際し、バッファ層２３をエピタキシャル成長させ易い。バッファ層の材料として、アルミニウム、チタン、ＧａＮなどの窒化ガリウム、ＴｉＯ２などの酸化チタン及びＡｌＮなどの窒化アルミニウムのうちいずれかを用いることがより好ましい。この場合、バッファ層２３上に圧電膜２８を形成するに際し、圧電膜２８をエピタキシャル成長させ易い。これにより、圧電膜２８の結晶性をより確実に高くすることができる。
【0064】
本発明においては、圧電膜２８、バッファ層２３及び基板２２の材料の組み合わせが重要である。例えば、材料の組み合わせを、圧電膜２８／バッファ層２３／基板２２の表記において、ニオブ酸リチウム／酸化亜鉛／サファイアとした場合、基板２２の格子定数ＬＳ及びバッファ層２３の格子定数ＬＢのミスフィットは３１．８％である。バッファ層２３の格子定数ＬＢ及び圧電膜２８の格子定数ＬＰのミスフィットは１７．６％である。この場合、圧電膜２８の結晶性を十分に高くすることはできない。以下において、圧電膜２８、バッファ層２３及び基板２２の材料の組み合わせの好ましい例を示す。
【0065】
圧電膜２８の材料としてニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムを用いる場合、バッファ層２３及び基板２２の材料の組み合わせが、以下のいずれかであることが好ましい。すなわち、材料の組み合わせが、バッファ層２３／基板２２の表記において、窒化ガリウム／サファイア、窒化ガリウム／ニオブ酸リチウム、酸化チタン／ニオブ酸リチウム、及び酸化チタン／タンタル酸リチウムのうちいずれかであることが好ましい。これにより、基板２２の格子定数ＬＳ及びバッファ層２３の格子定数ＬＢのミスフィット、並びにバッファ層２３の格子定数ＬＢ及び圧電膜２８の格子定数ＬＰのミスフィットを効果的に小さくすることができる。それによって、圧電膜２８の結晶性を、より確実に効果的に高くすることができる。
【0066】
もっとも、バッファ層２３は複数の層を含む積層体であってもよい。例えば、バッファ層２３は、第１のバッファ層及び第２のバッファ層を含んでいてもよい。この場合、基板２２上に第１のバッファ層が設けられている。第１のバッファ層上に第２のバッファ層が設けられている。第２のバッファ層上に圧電膜２８が設けられている。
【0067】
圧電膜２８の材料としてニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムを用いる場合、第１のバッファ層及び第２のバッファ層の材料の組み合わせが、以下のいずれかであることが好ましい。すなわち、材料の組み合わせが、第２のバッファ層／第１のバッファ層の表記において、窒化ガリウム／窒化アルミニウム、酸化チタン／窒化ガリウム、及び酸化チタン／チタンのうちいずれかであることが好ましい。これにより、バッファ層２３の格子定数ＬＢ及び圧電膜２８の格子定数ＬＰのミスフィットをより一層小さくすることができる。それによって、圧電膜２８の結晶性を、より確実により一層高くすることができる。
【0068】
なお、バッファ層２３が積層体である場合、バッファ層２３の格子定数ＬＢ及び圧電膜２８の格子定数ＬＰのミスフィットを算出するに際しては、バッファ層２３における最も圧電膜２８側の層の格子定数ＬＢを用いればよい。
【0069】
圧電膜２８の材料としてニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムを用い、バッファ層２３が第１のバッファ層及び第２のバッファ層を含む場合、バッファ層２３及び基板２２の材料の組み合わせが、以下のいずれかであることが好ましい。すなわち、材料の組み合わせが、第２のバッファ層／第１のバッファ層／基板２２の表記において、窒化ガリウム／窒化アルミニウム／サファイア、酸化チタン／窒化ガリウム／サファイア、酸化チタン／チタン／ニオブ酸リチウム、及び酸化チタン／チタン／タンタル酸リチウムのうちいずれかであることが好ましい。これにより、基板２２の格子定数ＬＳ及びバッファ層２３の格子定数ＬＢのミスフィット、並びにバッファ層２３の格子定数ＬＢ及び圧電膜２８の格子定数ＬＰのミスフィットをより一層小さくすることができる。それによって、圧電膜２８の結晶性を、より確実により一層高くすることができる。
【0070】
支持基板３４の材料としては、ガラス、水晶、サファイア、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、シリコン、ＳｉＣなどの炭化ケイ素、ＧａＮなどの窒化ガリウム、ＧａＡｓなどのガリウムヒ素、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）及びＡｌ２Ｏ３などの酸化アルミニウムのうちいずれかを用いることが好ましい。
【0071】
中間層３５における第１の層３６は窒化ケイ素層である。もっとも、例えば、第１の層３６の材料は窒化ケイ素に限定されず、例えば、シリコン、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、サファイア、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶、アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト、マグネシア、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）、ダイヤモンド、スピネルまたはサイアロンなどを主成分とする材料を用いることができる。上記スピネルには、Ｍｇ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｍｎなどから選ばれる１以上の元素と酸素とを含有するアルミニウム化合物が含まれる。上記スピネルの例としては、ＭｇＡｌ２Ｏ４、ＦｅＡｌ２Ｏ４、ＺｎＡｌ２Ｏ４、ＭｎＡｌ２Ｏ４を挙げることができる。
【0072】
中間層３５における第２の層３７は酸化ケイ素層である。もっとも、第２の層３７の材料は酸化ケイ素に限定されず、例えば、ガラス、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素、酸化リチウム、五酸化タンタル、または、酸化ケイ素にフッ素、炭素やホウ素を加えた化合物を主成分とする材料を用いることができる。
【0073】
なお、中間層３５は、第１の層３６のみを含んでいてもよく、第２の層３７のみを含んでいてもよい。あるいは、中間層３５は３層以上の積層体であってもよい。
【0074】
中間層３５が、窒化ケイ素層及び酸化ケイ素層のうち少なくとも一方を含むことが好ましい。それによって、図４（ｂ）に示す弾性波装置１において、弾性波のエネルギーを圧電膜８側に効果的に閉じ込めることができる。
【0075】
より詳細には、酸化ケイ素層は低音速層である。具体的には、低音速層を伝搬するバルク波の音速は、図４（ａ）に示す圧電膜２８を伝搬するバルク波の音速よりも低い。窒化ケイ素層は高音速層である。具体的には、高音速層を伝搬するバルク波の音速は、圧電膜２８を伝搬する弾性波の音速よりも高い。同様に、支持基板３４の材料として、上記の好ましい材料が用いられている場合、支持基板３４は高音速層である。
【0076】
そのため、中間層３５が窒化ケイ素層及び酸化ケイ素層のうち少なくとも一方を含む場合、図４（ｂ）に示す弾性波装置１には、高音速層、低音速層及び圧電膜８の積層構成、または高音速層及び圧電膜８の積層構成が含まれる。これらの積層構成により、弾性波のエネルギーを圧電膜８側に効果的に閉じ込めることができる。
【0077】
以下において、本発明の第１の実施形態以外の実施形態に係る弾性波装置、及びその製造方法を示す。
【0078】
図９は、第２の実施形態に係る弾性波装置の模式的正面断面図である。
【0079】
本実施形態は、中間層４５が単層の誘電体層である点において第１の実施形態と異なる。本実施形態は、圧電膜８に複数の貫通孔８ｃが設けられている点、並びに圧電膜８及び支持基板４の間に空洞部４１ａが設けられている点においても、第１の実施形態と異なる。複数の貫通孔８ｃは空洞部４１ａに至っている。上記の点以外においては、本実施形態の弾性波装置４１は第１の実施形態の弾性波装置１と同様の構成を有する。
【0080】
中間層４５には凹部が設けられている。中間層４５上に、凹部を塞ぐように、圧電膜８が設けられている。これにより、中空部が構成されている。この中空部が空洞部４１ａである。本実施形態では、支持部材４３の一部及び圧電膜８の一部が、空洞部４１ａを挟み互いに対向するように、支持部材４３と圧電膜８とが配置されている。
【0081】
平面視において、機能電極１４の少なくとも一部が、支持部材４３の空洞部４１ａと重なっている。本明細書において平面視とは、図９における上方に相当する方向から、支持部材４３及び圧電膜８の積層方向に沿って見ることをいう。なお、図９においては、例えば、支持基板４側及び圧電膜８側のうち、圧電膜８側が上方である。さらに、本明細書において平面視は、主面対向方向から見ることと同義であるとする。主面対向方向とは、圧電膜８の第１の主面８ａ及び第２の主面８ｂが対向し合う方向である。より具体的には、主面対向方向は、例えば、第１の主面８ａの法線方向である。
【0082】
本実施形態では、空洞部４１ａが設けられていることによって、弾性波のエネルギーを圧電膜８側に効果的に閉じ込めることができる。
【0083】
以下において、弾性波装置４１の製造方法の一例を説明する。なお、当該製造方法は、本発明における弾性波装置の製造方法の第２の実施形態である。
【0084】
図１０（ａ）～図１０（ｃ）は、弾性波装置の製造方法の第２の実施形態を説明するための模式的正面断面図である。図１１（ａ）～図１１（ｄ）は、弾性波装置の製造方法の第２の実施形態を説明するための略図的正面断面図である。
【0085】
図１０（ａ）に示すように、本実施形態では、支持部材５３を用意する工程において、中間層５５に埋め込むように複数の犠牲層５９を設ける。犠牲層５９の材料としては、例えば、ＺｎＯ、ＳｉＯ２、Ｃｕまたは樹脂などを用いることができる。
【0086】
具体的には、例えば、支持基板３４とは別の基板上に複数の犠牲層５９を形成してもよい。犠牲層は、例えば、スパッタリング法または真空蒸着法を用いたフォトリソグラフィ法などにより形成することができる。次に、犠牲層５９を覆うように、該別の基板上に中間層５５を設ける。次に、中間層５５を平坦化させる。中間層５５の平坦化に際しては、例えば、グラインドまたはＣＭＰ法などを用いてもよい。次に、中間層５５上に支持基板３４を積層した後に、上記別の基板を中間層５５から剥離する。なお、該別の基板は、研磨などにより除去しても構わない。
【0087】
あるいは、例えば、支持基板３４上に中間層５５の一部となる層を積層した後に、該層上に複数の犠牲層５９を形成してもよい。次に、複数の犠牲層５９を覆うように、中間層５５の他の一部となる層を設ける。その後、研磨などにより、中間層５５から複数の犠牲層５９を露出させる。
【0088】
一方で、第１の実施形態と同様に、図３（ａ）に示す基板２２、バッファ層２３及び圧電膜２８の積層体を用意する。次に、図１０（ｂ）に示すように、基板２２、バッファ層２３及び圧電膜２８の積層体における圧電膜２８を、支持部材５３に接合する。具体的には、圧電膜２８の第２の主面２８ｂを、支持部材５３の中間層５５に接合する。
【0089】
次に、ウェットエッチングにより、圧電膜２８からバッファ層２３及び基板２２を除去する。具体的には、ウェットエッチングによりバッファ層２３を除去すると共に、図１０（ｃ）に示すように、圧電膜２８から基板２２を剥離する。なお、圧電膜２８からバッファ層２３及び基板２２を除去するに際しては、例えば、レーザーリフトオフ法などを用いてもよい。
【0090】
次に、圧電膜２８における第１の主面２８ａの洗浄を行う。次に、圧電膜２８の高温加熱処理または放電処理を行う。もっとも、圧電膜２８における第１の主面２８ａの洗浄や、圧電膜２８の高温加熱処理または放電処理は必ずしも行わなくともよい。
【0091】
次に、圧電膜２８の第１の主面２８ａの算術平均粗さＲａを、研磨などにより調整する。もっとも、圧電膜２８の第１の主面２８ａの算術平均粗さＲａを調整する工程は必ずしも行わなくともよい。
【0092】
次に、図１１（ａ）に示すように、圧電膜２８に、複数の犠牲層５９に至るように、複数の貫通孔２８ｃを設ける。貫通孔２８ｃは、例えば、ＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）法などにより形成することができる。次に、貫通孔２８ｃを介して犠牲層５９を除去する。より具体的には、貫通孔２８ｃからエッチング液を流入させることにより、中間層５５の凹部内の犠牲層５９を除去する。これにより、図１１（ｂ）に示すように、複数の空洞部４１ａを形成する。以上により、ウエハ５２を得る。
【0093】
次に、図１１（ｃ）に示すように、圧電膜２８の第１の主面２８ａに、複数の機能電極１４、複数の反射器１５Ａ及び複数の反射器１５Ｂを設ける。なお、第１の主面２８ａには、機能電極１４及び各反射器以外の配線を、機能電極１４及び各反射器と同時に設けてもよい。機能電極１４、各反射器及び配線は、例えば、スパッタリング法または真空蒸着法を用いたフォトリソグラフィ法などにより形成することができる。
【0094】
次に、ウエハ５２を個片化する。ウエハ５２の個片化は、例えば、ダイシングなどにより行えばよい。これにより、図１１（ｄ）に示すように、複数の弾性波装置４１を得ることができる。
【0095】
本実施形態においても、第１の実施形態と同様に、基板２２及びバッファ層２３の積層体上に圧電膜２８を設ける。そして、基板２２の格子定数ＬＳ及びバッファ層２３の格子定数ＬＢのミスフィットが、（｜ＬＳ－ＬＢ｜／ＬＳ）×１００［％］≦２０［％］である。バッファ層２３の格子定数ＬＢ及び圧電膜２８の格子定数ＬＰのミスフィットが、（｜ＬＰ－ＬＢ｜／ＬＰ）×１００［％］≦１０［％］である。それによって、圧電膜２８の結晶性をより確実に高くすることができる。従って、得られる弾性波装置４１における圧電膜８の結晶性を、より確実に高くすることができる。
【0096】
図１２は、第３の実施形態に係る弾性波装置の模式的正面断面図である。
【0097】
本実施形態は、支持部材６３が、支持基板４及び音響反射膜６５の積層体である点において、第１の実施形態と異なる。上記の点以外においては、本実施形態の弾性波装置は第１の実施形態の弾性波装置１と同様の構成を有する。
【0098】
支持基板４上に音響反射膜６５が設けられている。音響反射膜６５上に圧電膜８が設けられている。本実施形態では、支持基板４の全体及び圧電膜８の全体が、音響反射膜６５を挟み互いに対向している。もっとも、支持基板４の少なくとも一部及び圧電膜８の少なくとも一部が、音響反射膜６５を挟み互いに対向するように、支持基板４と圧電膜８とが配置されていればよい。そして、機能電極１４及び音響反射膜６５が平面視において重なっていればよい。
【0099】
音響反射膜６５は、複数の音響インピーダンス層の積層体である。具体的には、音響反射膜６５は、複数の低音響インピーダンス層と、複数の高音響インピーダンス層とを有する。低音響インピーダンス層は、相対的に音響インピーダンスが低い層である。音響反射膜６５の複数の低音響インピーダンス層は、より具体的には、低音響インピーダンス層６６ａ、低音響インピーダンス層６６ｂ及び低音響インピーダンス層６６ｃである。
【0100】
一方で、高音響インピーダンス層は、相対的に音響インピーダンスが高い層である。音響反射膜６５の複数の高音響インピーダンス層は、より具体的には、高音響インピーダンス層６７ａ及び高音響インピーダンス層６７ｂである。低音響インピーダンス層及び高音響インピーダンス層は交互に積層されている。なお、低音響インピーダンス層６６ａが、音響反射膜６５において最も圧電膜８側に位置する層である。
【0101】
音響反射膜６５は、低音響インピーダンス層を３層有し、高音響インピーダンス層を２層有する。もっとも、音響反射膜６５は、低音響インピーダンス層及び高音響インピーダンス層をそれぞれ少なくとも１層ずつ有していればよい。
【0102】
低音響インピーダンス層の材料としては、例えば、酸化ケイ素またはアルミニウムなどを用いることができる。高音響インピーダンス層の材料としては、例えば、白金またはタングステンなどの金属や、窒化アルミニウム、窒化ケイ素または酸化ハフニウムなどの誘電体を用いることができる。
【0103】
本実施形態では、音響反射膜６５が設けられていることによって、弾性波のエネルギーを圧電膜８側に効果的に閉じ込めることができる。
【0104】
以下において、第３の実施形態に係る弾性波装置の製造方法の一例を説明する。なお、当該製造方法は、本発明における弾性波装置の製造方法の第３の実施形態である。
【0105】
図１３（ａ）～図１３（ｃ）は、弾性波装置の製造方法の第３の実施形態においての、支持部材を用意する工程を説明するための模式的正面断面図である。図１４（ａ）及び図１４（ｂ）は、弾性波装置の製造方法の第３の実施形態においての、圧電膜を支持部材に接合する工程、並びに圧電膜からバッファ層及び基板を除去する工程を説明するための模式的正面断面図である。
【0106】
図１３（ａ）に示すように、支持基板３４上に低音響インピーダンス層７６ｃを設ける。次に、図１３（ｂ）に示すように、低音響インピーダンス層７６ｃ上に高音響インピーダンス層７７ｂを設ける。これらのように、低音響インピーダンス層及び高音響インピーダンス層を交互に積層する。具体的には、図１３（ｃ）に示すように、低音響インピーダンス層７６ｂ、高音響インピーダンス層７７ａ及び低音響インピーダンス層７６ａをこの順序において積層する。これにより、音響反射膜７５を設ける。低音響インピーダンス層及び高音響インピーダンス層は、例えば、スパッタリング法または真空蒸着法などにより形成することができる。以上により、支持部材７３を得る。
【0107】
一方で、第１の実施形態と同様に、図３（ａ）に示す基板２２、バッファ層２３及び圧電膜２８の積層体を用意する。次に、図１４（ａ）に示すように、基板２２、バッファ層２３及び圧電膜２８の積層体における圧電膜２８を、支持部材７３に接合する。具体的には、圧電膜２８の第２の主面２８ｂを、支持部材７３の音響反射膜７５に接合する。
【0108】
次に、ウェットエッチングにより、圧電膜２８からバッファ層２３及び基板２２を除去する。具体的には、ウェットエッチングによりバッファ層２３を除去すると共に、図１４（ｂ）に示すように、圧電膜２８から基板２２を剥離する。なお、圧電膜２８からバッファ層２３及び基板２２を除去するに際しては、例えば、レーザーリフトオフ法などを用いてもよい。この後の工程は、第１の実施形態と同様にして行うことができる。
【0109】
本実施形態においても、第１の実施形態と同様に、基板２２及びバッファ層２３の積層体上に圧電膜２８を設ける。そして、基板２２の格子定数ＬＳ及びバッファ層２３の格子定数ＬＢのミスフィットが、（｜ＬＳ－ＬＢ｜／ＬＳ）×１００［％］≦２０［％］である。バッファ層２３の格子定数ＬＢ及び圧電膜２８の格子定数ＬＰのミスフィットが、（｜ＬＰ－ＬＢ｜／ＬＰ）×１００［％］≦１０［％］である。それによって、圧電膜２８の結晶性をより確実に高くすることができる。従って、得られる弾性波装置における圧電膜８の結晶性を、より確実に高くすることができる。
【0110】
図１５は、第４の実施形態に係る弾性波装置の模式的正面断面図である。
【0111】
本実施形態は、支持部材８３が支持基板のみからなる点において、第１の実施形態と異なる。圧電膜８は、支持部材８３としての支持基板上に直接的に設けられている。上記の点以外においては、本実施形態の弾性波装置は第１の実施形態の弾性波装置１と同様の構成を有する。
【0112】
以下において、第４の実施形態に係る弾性波装置の製造方法の一例を説明する。なお、当該製造方法は、本発明における弾性波装置の製造方法の第４の実施形態である。
【0113】
【0114】
図１６（ａ）に示すように、支持部材９３を用意する。一方で、第１の実施形態と同様に、図１６（ｂ）に示すように、基板２２、バッファ層２３及び圧電膜２８の積層体を用意する。次に、圧電膜２８の第２の主面２８ｂの算術平均粗さＲａを、例えばＣＭＰ法などにより１ｎｍ以下にする。なお、第２の主面２８ｂは、図１６（ａ）に示す支持部材９３としての支持基板に接合する主面である。
【0115】
一方で、支持部材９３としての支持基板における、圧電膜２８に接合する主面の算術平均粗さＲａを、例えばＣＭＰ法などにより１ｎｍ以下にする。次に、図１６（ｃ）に示すように、圧電膜２８における算術平均粗さＲａが１ｎｍ以下である第２の主面２８ｂ、及び支持部材９３としての支持基板における算術平均粗さＲａが１ｎｍ以下である主面を、オプティカルコンタクトにより接合する。
【0116】
次に、ウェットエッチングにより、圧電膜２８からバッファ層２３及び基板２２を除去する。具体的には、ウェットエッチングによりバッファ層２３を除去すると共に、図１６（ｄ）に示すように、圧電膜２８から基板２２を剥離する。これにより、ウエハ９２を得る。なお、圧電膜２８からバッファ層２３及び基板２２を除去するに際しては、例えば、レーザーリフトオフ法などを用いてもよい。この後の工程は、第１の実施形態と同様にして行うことができる。
【0117】
本実施形態においても、第１の実施形態と同様に、基板２２及びバッファ層２３の積層体上に圧電膜２８を設ける。そして、基板２２の格子定数ＬＳ及びバッファ層２３の格子定数ＬＢのミスフィットが、（｜ＬＳ－ＬＢ｜／ＬＳ）×１００［％］≦２０［％］である。バッファ層２３の格子定数ＬＢ及び圧電膜２８の格子定数ＬＰのミスフィットが、（｜ＬＰ－ＬＢ｜／ＬＰ）×１００［％］≦１０［％］である。それによって、圧電膜２８の結晶性をより確実に高くすることができる。従って、得られる弾性波装置における圧電膜８の結晶性を、より確実に高くすることができる。
【0118】
以下において、本発明に係る弾性波装置の製造方法の形態の例をまとめて記載する。
【0119】
＜１＞基板及び支持部材を用意する工程と、前記基板上にバッファ層を設ける工程と、前記バッファ層上に圧電膜を設ける工程と、前記基板、前記バッファ層及び前記圧電膜の積層体における前記圧電膜を、前記支持部材に接合する工程と、前記圧電膜から、前記バッファ層及び前記基板を除去する工程と、を備え、前記基板の格子定数をＬＳ、前記バッファ層の格子定数をＬＢ、前記圧電膜の格子定数をＬＰとしたときに、（｜ＬＳ－ＬＢ｜／ＬＳ）×１００［％］≦２０［％］であり、（｜ＬＰ－ＬＢ｜／ＬＰ）×１００［％］≦１０［％］である、弾性波装置の製造方法。
【0120】
＜２＞前記バッファ層を、前記基板上においてエピタキシャル成長させることにより形成し、前記圧電膜を、前記バッファ層上においてエピタキシャル成長させることにより形成する、＜１＞に記載の弾性波装置の製造方法。
【0121】
＜３＞前記圧電膜を前記バッファ層上に成膜により形成する、＜１＞または＜２＞に記載の弾性波装置の製造方法。
【0122】
＜４＞前記圧電膜から、前記バッファ層及び前記基板を除去する工程において、ウェットエッチングを用いて前記バッファ層を除去する、＜１＞～＜３＞のいずれか１つに記載の弾性波装置の製造方法。
【0123】
＜５＞前記バッファ層のバンドギャップが、前記基板のバンドギャップよりも小さく、前記圧電膜から、前記バッファ層及び前記基板を除去する工程において、レーザー光を前記基板側から前記バッファ層に照射することにより、前記基板の前記バッファ層からの剥離を行い、該剥離の後に前記バッファ層を前記圧電膜から除去する、＜１＞～＜４＞のいずれか１つに記載の弾性波装置の製造方法。
【0124】
＜６＞前記レーザー光の波長が１５０ｎｍ以上、４５０ｎｍ以下である、＜５＞に記載の弾性波装置の製造方法。
【0125】
＜７＞前記圧電膜から、前記バッファ層及び前記基板を除去する工程の後に、前記圧電膜の高温加熱処理または放電処理を行う工程をさらに備える、＜１＞～＜６＞のいずれか１つに記載の弾性波装置の製造方法。
【0126】
＜８＞前記圧電膜から、前記バッファ層及び前記基板を除去する工程の後に、前記圧電膜における、前記バッファ層が積層されていた側の主面の算術平均粗さＲａを１ｎｍ以下にする工程をさらに備える、＜１＞～＜７＞のいずれか１つに記載の弾性波装置の製造方法。
【0127】
＜９＞前記基板の材料が、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム及びサファイアのうちいずれかである、＜１＞～＜８＞のいずれか１つに記載の弾性波装置の製造方法。
【0128】
＜１０＞前記基板の材料が、オイラー角（φ，θ，ψ）が（０°±１０°の範囲内，１２０°±３０°の範囲内，０°±１０°の範囲内）もしくはこれと等価であるニオブ酸リチウム、オイラー角（φ，θ，ψ）が（９０°±１０°の範囲内，９０°±１０°の範囲内，３０°±３０°の範囲内）もしくはこれと等価であるニオブ酸リチウム、オイラー角（φ，θ，ψ）が（０°±１０°の範囲内，１２０°±３０°の範囲内，０°±１０°の範囲内）もしくはこれと等価であるタンタル酸リチウム、オイラー角（φ，θ，ψ）が（９０°±１０°の範囲内，９０°±１０°の範囲内，３０°±３０°の範囲内）もしくはこれと等価であるタンタル酸リチウム、並びにオイラー角（φ，θ，ψ）が（０°±１０°の範囲内，１２２．２３°±３０°の範囲内，任意のψ）もしくはこれと等価であるサファイアのうちいずれかである、＜９＞に記載の弾性波装置の製造方法。
【0129】
＜１１＞前記バッファ層の材料が、アルミニウム、チタン、窒化ガリウム、酸化チタン及び窒化アルミニウムのうちいずれかである、＜１＞～＜１０＞のいずれか１つに記載の弾性波装置の製造方法。
【0130】
＜１２＞前記圧電膜の材料が、ニオブ酸リチウム及びタンタル酸リチウムのうち一方であり、前記バッファ層及び前記基板の材料の組み合わせが、前記バッファ層／前記基板の表記において、窒化ガリウム／サファイア、窒化ガリウム／ニオブ酸リチウム、酸化チタン／ニオブ酸リチウム、及び酸化チタン／タンタル酸リチウムのうちいずれかである、＜１＞～＜１１＞のいずれか１つに記載の弾性波装置の製造方法。
【0131】
＜１３＞前記圧電膜の材料が、ニオブ酸リチウム及びタンタル酸リチウムのうち一方であり、前記バッファ層が第１のバッファ層及び第２のバッファ層を含む積層体であり、前記基板上に前記第１のバッファ層が設けられており、前記第１のバッファ層上に前記第２のバッファ層が設けられており、前記第２のバッファ層上に前記圧電膜が設けられており、前記バッファ層及び前記基板の材料の組み合わせが、前記第２のバッファ層／前記第１のバッファ層／前記基板の表記において、窒化ガリウム／窒化アルミニウム／サファイア、酸化チタン／窒化ガリウム／サファイア、酸化チタン／チタン／ニオブ酸リチウム、及び酸化チタン／チタン／タンタル酸リチウムのうちいずれかである、＜１＞～＜１１＞のいずれか１つに記載の弾性波装置の製造方法。
【0132】
＜１４＞前記支持部材が少なくとも支持基板を含み、前記支持基板の材料が、ガラス、水晶、サファイア、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、シリコン、炭化ケイ素、窒化ガリウム、ガリウムヒ素、ダイヤモンドライクカーボン及び酸化アルミニウムのうちいずれかである、＜１＞～＜１３＞のいずれか１つに記載の弾性波装置の製造方法。
【0133】
＜１５＞前記支持部材が支持基板のみを含み、前記支持基板における、前記圧電膜に接合する主面の算術平均粗さＲａを１ｎｍ以下にする工程と、前記圧電膜における、前記支持基板に接合する主面の算術平均粗さＲａを１ｎｍ以下にする工程と、をさらに備え、前記基板、前記バッファ層及び前記圧電膜の積層体における前記圧電膜を、前記支持基板に接合する工程において、前記支持基板における算術平均粗さＲａが１ｎｍ以下である主面、及び前記圧電膜における算術平均粗さＲａが１ｎｍ以下である主面を接合する、＜１＞～＜１４＞のいずれか１つに記載の弾性波装置の製造方法。
【0134】
＜１６＞前記支持部材が支持基板及び中間層の積層体であり、前記基板、前記バッファ層及び前記圧電膜の積層体における前記圧電膜を、前記支持部材に接合する工程において、前記圧電膜を前記中間層に接合する、＜１＞～＜１４＞のいずれか１つに記載の弾性波装置の製造方法。
【0135】
＜１７＞前記中間層が、酸化ケイ素層及び窒化ケイ素層のうち少なくとも一方を含む、＜１６＞に記載の弾性波装置の製造方法。
【0136】
＜１８＞前記支持部材を用意する工程において、前記中間層に埋め込むように犠牲層を設け、前記圧電膜から、前記バッファ層及び前記基板を除去する工程の後に、前記犠牲層を除去する工程をさらに備える、＜１６＞または＜１７＞に記載の弾性波装置の製造方法。
【0137】
＜１９＞前記支持部材が支持基板及び音響反射膜の積層体であり、前記音響反射膜が、相対的に音響インピーダンスが高い高音響インピーダンス層と、相対的に音響インピーダンスが低い低音響インピーダンス層と、を含み、前記基板、前記バッファ層及び前記圧電膜の積層体における前記圧電膜を、前記支持部材に接合する工程において、前記圧電膜を前記音響反射膜に接合する、＜１＞～＜１４＞のいずれか１つに記載の弾性波装置の製造方法。
【符号の説明】
【0138】
１…弾性波装置
２…圧電性基板
３…支持部材
４…支持基板
５…中間層
６，７…第１，第２の層
８…圧電膜
８ａ，８ｂ…第１，第２の主面
８ｃ…貫通孔
１４…機能電極
１５Ａ，１５Ｂ…反射器
１５ｃ…電極指
１６，１７…第１，第２のバスバー
１８，１９…第１，第２の電極指
２２…基板
２３…バッファ層
２３Ａ…変質層
２８…圧電膜
２８ａ，２８ｂ…第１，第２の主面
２８ｃ…貫通孔
３２…ウエハ
３３…支持部材
３４…支持基板
３５…中間層
３６，３７…第１，第２の層
４１…弾性波装置
４１ａ…空洞部
４３…支持部材
４５…中間層
５２…ウエハ
５３…支持部材
５５…中間層
５９…犠牲層
６３…支持部材
６５…音響反射膜
６６ａ～６６ｃ…低音響インピーダンス層
６７ａ，６７ｂ…高音響インピーダンス層
７３…支持部材
７５…音響反射膜
７６ａ～７６ｃ…低音響インピーダンス層
７７ａ，７７ｂ…高音響インピーダンス層
８３…支持部材
９２…ウエハ
９３…支持部材
２…圧電性基板
３…支持部材
４…支持基板
５…中間層
６，７…第１，第２の層
８…圧電膜
８ａ，８ｂ…第１，第２の主面
８ｃ…貫通孔
１４…機能電極
１５Ａ，１５Ｂ…反射器
１５ｃ…電極指
１６，１７…第１，第２のバスバー
１８，１９…第１，第２の電極指
２２…基板
２３…バッファ層
２３Ａ…変質層
２８…圧電膜
２８ａ，２８ｂ…第１，第２の主面
２８ｃ…貫通孔
３２…ウエハ
３３…支持部材
３４…支持基板
３５…中間層
３６，３７…第１，第２の層
４１…弾性波装置
４１ａ…空洞部
４３…支持部材
４５…中間層
５２…ウエハ
５３…支持部材
５５…中間層
５９…犠牲層
６３…支持部材
６５…音響反射膜
６６ａ～６６ｃ…低音響インピーダンス層
６７ａ，６７ｂ…高音響インピーダンス層
７３…支持部材
７５…音響反射膜
７６ａ～７６ｃ…低音響インピーダンス層
７７ａ，７７ｂ…高音響インピーダンス層
８３…支持部材
９２…ウエハ
９３…支持部材
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】