特開 2025-115682 弾性波フィルタ、フィルタ回路および高周波モジュール

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2025115682

(43)【公開日】2025-08-07

(54)【発明の名称】弾性波フィルタ、フィルタ回路および高周波モジュール

(51)【国際特許分類】

   H03H 9/64 20060101AFI20250731BHJP

   H03H 9/54 20060101ALI20250731BHJP

   H03H 7/46 20060101ALI20250731BHJP

【ＦＩ】

H03H9/64 Z

H03H9/54 Z

H03H7/46 A

【審査請求】未請求

【請求項の数】11

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2024010257

(22)【出願日】2024-01-26

(71)【出願人】

【識別番号】000006231

【氏名又は名称】株式会社村田製作所

(74)【代理人】

【識別番号】100189430

【弁理士】

【氏名又は名称】吉川 修一

(74)【代理人】

【識別番号】100190805

【弁理士】

【氏名又は名称】傍島 正朗

(72)【発明者】

【氏名】黒▲柳▼ ▲琢▼真

(72)【発明者】

【氏名】原田 駿

【テーマコード（参考）】

5J097

5J108

【Ｆターム（参考）】

5J097AA01

5J097AA29

5J097CC05

5J097DD21

5J097DD29

5J097EE08

5J097FF05

5J097GG03

5J097KK02

5J097KK03

5J097KK04

5J097KK09

5J097KK10

5J108AA07

5J108BB08

5J108CC11

5J108EE03

5J108EE04

5J108EE07

5J108EE13

5J108JJ01

(57)【要約】

【課題】低損失性が確保された小型の弾性波フィルタを提供する。
【解決手段】弾性波フィルタ１は、入出力端子１１０および１２０を結ぶ直列腕経路に配置された直列腕共振子１４と、直列腕経路とグランドとの間に接続された並列腕共振器２０と、を備え、直列腕共振子１４は第１弾性波共振子であり、並列腕共振器２０は、直列腕経路とグランドとの間に直列接続された並列腕共振子２４およびインダクタ３４を含み、直列腕共振子１４および並列腕共振子２４は同一の圧電性基板７０に形成され、並列腕共振器２０の共振周波数ｆｒｐ２０は、弾性波フィルタ１の通過帯域の低周波端以下であり、並列腕共振器２０の反共振周波数ｆａｐ２０は、上記通過帯域の高周波端以上であり、反共振周波数ｆａｐ２０と上記通過帯域の高周波端との周波数差Δｆａは、共振周波数ｆｒｐ２０と上記通過帯域の低周波端との周波数差Δｆｒよりも小さい。
【選択図】図３Ａ

【特許請求の範囲】

【請求項1】

帯域通過型の弾性波フィルタであって、
第１入出力端子および第２入出力端子を結ぶ直列腕経路に配置された第１直列腕共振器と、
前記直列腕経路とグランドとの間に接続された第１並列腕共振器と、を備え、
前記第１直列腕共振器は、第１弾性波共振子を含み、
前記第１並列腕共振器は、前記直列腕経路とグランドとの間に直列接続された第２弾性波共振子および第１インダクタを含み、
前記第１弾性波共振子および前記第２弾性波共振子は、同一の圧電性基板に形成され、
前記第１並列腕共振器の共振周波数である第１共振周波数は、前記弾性波フィルタの通過帯域の低周波端以下であり、前記第１並列腕共振器の反共振周波数である第１反共振周波数は、前記通過帯域の高周波端以上であり、
前記第１反共振周波数と前記通過帯域の高周波端との周波数差は、前記第１共振周波数と前記通過帯域の低周波端との周波数差よりも小さい、
弾性波フィルタ。

【請求項2】

前記第２弾性波共振子の共振周波数は、前記通過帯域内に位置する、
請求項１に記載の弾性波フィルタ。

【請求項3】

前記第１直列腕共振器を含む複数の直列腕共振器と、
前記第１並列腕共振器を含む複数の並列腕共振器と、を備え、
前記複数の直列腕共振器および前記複数の並列腕共振器のそれぞれは、弾性波共振子を含み、
前記弾性波フィルタが有する全ての前記弾性波共振子は、前記圧電性基板に形成される、
請求項１に記載の弾性波フィルタ。

【請求項4】

前記第１直列腕共振器を含む複数の直列腕共振器と、
前記第１並列腕共振器を含む複数の並列腕共振器と、を備え、
前記第１並列腕共振器は、前記複数の並列腕共振器のうちで前記第１入出力端子に最も近く接続される、
請求項１に記載の弾性波フィルタ。

【請求項5】

前記第２弾性波共振子は前記直列腕経路に接続され、前記第１インダクタはグランドに接続される、
請求項１に記載の弾性波フィルタ。

【請求項6】

前記第２弾性波共振子はグランドに接続され、前記第１インダクタは前記直列腕経路に接続される、
請求項１に記載の弾性波フィルタ。

【請求項7】

請求項１～６のいずれか１項に記載の弾性波フィルタと、
帯域通過型の第１フィルタと、
共通端子、第１選択端子および第２選択端子を有し、前記共通端子と前記第１選択端子との接続および前記共通端子と前記第２選択端子との接続を切り替える第１スイッチ回路と、を備え、
前記弾性波フィルタは、前記第１並列腕共振器および弾性波フィルタ部を有し、
前記第１フィルタは、前記第１並列腕共振器および第１フィルタ部を有し、
前記第１並列腕共振器は前記共通端子に接続され、
前記弾性波フィルタ部は前記第１選択端子に接続され、
前記第１フィルタ部は前記第２選択端子に接続され、
前記第１共振周波数は、前記弾性波フィルタの通過帯域の低周波端および前記第１フィルタの通過帯域の低周波端のうちの低周波側の低周波端以下であり、前記第１反共振周波数は、前記弾性波フィルタの通過帯域の高周波端および前記第１フィルタの通過帯域の高周波端のうちの高周波側の高周波端以上である、
フィルタ回路。

【請求項8】

請求項１～６のいずれか１項に記載の弾性波フィルタと、
入力端子が前記第１入出力端子に接続された低雑音増幅器と、を備える、
高周波モジュール。

【請求項9】

前記低雑音増幅器に含まれる増幅トランジスタの入力端と前記第１入出力端子とを結ぶ経路には、キャパシタが直列配置されていない、
請求項８に記載の高周波モジュール。

【請求項10】

請求項７に記載のフィルタ回路と、
入力端子が前記共通端子と前記第１並列腕共振器との接続点に接続された低雑音増幅器と、を備える、
高周波モジュール。

【請求項11】

前記入力端子と前記接続点とを結ぶ経路には、キャパシタが直列配置されていない、
請求項１０に記載の高周波モジュール。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、弾性波フィルタ、フィルタ回路および高周波モジュールに関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、帯域通過型のフィルタおよび整合共振器を備えたフィルタモジュールが開示されている。フィルタの通過帯域が整合共振器の共振周波数と反共振周波数との間の範囲に含まれることでフィルタモジュールの通過帯域のインピーダンスを誘導性にすることが可能となる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１８－０８８６７５号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

特許文献１に開示されたフィルタモジュールでは、整合共振器により通過帯域のインピーダンスを誘導性にできるので、容量性のインピーダンスを有する外部回路と接続された場合の整合損失を低減できる。しかしながら、整合共振器自体の挿入損失を低減できない場合があり、フィルタモジュールの低損失性を確保できない。また、整合共振器が付加されるのでフィルタモジュールが大型化する。

【0005】

そこで、本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、低損失性が確保された小型の弾性波フィルタ、フィルタ回路および高周波モジュールを提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る弾性波フィルタは、帯域通過型の弾性波フィルタであって、第１入出力端子および第２入出力端子を結ぶ直列腕経路に配置された第１直列腕共振器と、直列腕経路とグランドとの間に接続された第１並列腕共振器と、を備え、第１直列腕共振器は、第１弾性波共振子を含み、第１並列腕共振器は、直列腕経路とグランドとの間に直列接続された第２弾性波共振子および第１インダクタを含み、第１弾性波共振子および第２弾性波共振子は、同一の圧電性基板に形成され、第１並列腕共振器の共振周波数である第１共振周波数は、弾性波フィルタの通過帯域の低周波端以下であり、第１並列腕共振器の反共振周波数である第１反共振周波数は、通過帯域の高周波端以上であり、第１反共振周波数と通過帯域の高周波端との周波数差は、第１共振周波数と通過帯域の低周波端との周波数差よりも小さい。

【0007】

また、本発明の一態様に係るフィルタ回路は、上記弾性波フィルタと、帯域通過型の第１フィルタと、共通端子、第１選択端子および第２選択端子を有し、共通端子と第１選択端子との接続および共通端子と第２選択端子との接続を切り替える第１スイッチ回路と、を備え、弾性波フィルタは、第１並列腕共振器および弾性波フィルタ部を有し、第１フィルタは、第１並列腕共振器および第１フィルタ部を有し、第１並列腕共振器は共通端子に接続され、弾性波フィルタ部は第１選択端子に接続され、第１フィルタ部は第２選択端子に接続され、第１共振周波数は、弾性波フィルタの通過帯域の低周波端および第１フィルタの通過帯域の低周波端のうちの低周波側の低周波端以下であり、第１反共振周波数は、弾性波フィルタの通過帯域の高周波端および第１フィルタの通過帯域の高周波端のうちの高周波側の高周波端以上である。

【0008】

また、本発明の一態様に係る高周波モジュールは、上記弾性波フィルタと、入力端子が第１入出力端子に接続された低雑音増幅器と、を備える。

【発明の効果】

【0009】

本発明によれば、低損失性が確保された小型の弾性波フィルタ、フィルタ回路および高周波モジュールを提供することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【0010】

【図1】実施の形態に係る弾性波フィルタおよび高周波モジュールの回路構成図である。

【図2A】実施の形態に係る弾性波フィルタを構成する弾性波共振子の第１例を模式的に表す平面図および断面図である。

【図2B】実施の形態に係る弾性波フィルタを構成する弾性波共振子の第２例を模式的に表す断面図である。

【図2C】実施の形態に係る弾性波フィルタを構成する弾性波共振子の第３例を模式的に表す断面図である。

【図3A】実施の形態に係る弾性波フィルタの通過帯域近傍帯域の通過特性および第１並列腕共振器のインピーダンス特性を示すグラフである。

【図3B】実施の形態に係る弾性波フィルタの広域の第１並列腕共振器のインピーダンス特性を示すグラフである。

【図4】実施の形態に係る弾性波フィルタのインピーダンス特性を示すアドミタンスチャートである。

【図5】実施の形態の変形例１に係る弾性波フィルタの回路構成図である。

【図6A】実施の形態の変形例２に係るフィルタ回路および高周波モジュールの回路構成図である。

【図6B】実施の形態の変形例２に係るフィルタ回路を構成する各フィルタの通過特性および第１並列腕共振器のインピーダンス特性を模式的に示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0011】

以下、本開示の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下で説明する実施の形態は、いずれも包括的または具体的な例を示すものである。以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置および接続形態などは、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。以下の実施の形態における構成要素のうち、独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。また、図面に示される構成要素の大きさまたは大きさの比は、必ずしも厳密ではない。

【0012】

なお、各図は、本発明を示すために適宜強調、省略、または比率の調整を行った模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではなく、実際の形状、位置関係、および比率とは異なる場合がある。各図において、実質的に同一の構成に対しては同一の符号を付しており、重複する説明は省略または簡素化される場合がある。

【0013】

本開示の回路構成において、「接続される」とは、接続端子および／または配線導体で直接接続される場合だけでなく、整合素子またはスイッチ回路を介して電気的に接続される場合も含む。「ＡおよびＢの間に接続される」とは、ＡおよびＢの間でＡおよびＢの両方に接続されることを意味する。

【0014】

本発明において、「端子」とは、要素内の導体が終了するポイントを意味する。なお、要素間の導体のインピーダンスが十分に低い場合には、端子は単一のポイントだけでなく、要素間の導体上の任意のポイント（ノード）または導体全体と解釈される。

【0015】

また、本開示の回路素子配置において、「回路素子Ａが経路Ｂに直列配置される」とは、回路素子Ａの信号入力端および信号出力端が、経路Ｂの少なくとも一部を構成する２つの配線のそれぞれに接続されていることを意味する。なお、２つの配線の少なくとも一方は、電極や端子であってもよい。

【0016】

以下の各図において、ｘ軸およびｙ軸は、モジュール基板の主面と平行な平面上で互いに直交する軸である。具体的には、平面視においてモジュール基板が矩形状を有する場合、ｘ軸は、モジュール基板の第１辺に平行であり、ｙ軸は、モジュール基板の第１辺と直交する第２辺に平行である。また、ｚ軸は、モジュール基板の主面に垂直な軸であり、その正方向は上方向を示し、その負方向は下方向を示す。

【0017】

また、「平行」および「垂直」などの要素間の関係性を示す用語、「矩形」などの要素の形状を示す用語、ならびに、数値範囲は、厳格な意味のみを表すのではなく、実質的に同等な範囲、例えば数％程度の誤差をも含むことを意味する。

【0018】

また、本発明の部品配置において、「モジュール基板の平面視」とは、ｚ軸正側からｘｙ平面に物体を正投影して見ることを意味する。「Ａは平面視においてＢと重なる」とは、ｘｙ平面に正投影されたＡの領域の少なくとも一部が、ｘｙ平面に正投影されたＢの領域の少なくとも一部と重なることを意味する。また、「ＡがＢおよびＣの間に配置される」とは、Ｂ内の任意の点とＣ内の任意の点とを結ぶ複数の線分のうちの少なくとも１つがＡを通ることを意味する。

【0019】

本発明の部品配置において、「部品が基板に配置される」とは、部品が基板の主面上に配置されること、および、部品が基板内に配置されることを含む。「部品が基板の主面上に配置される」とは、部品が基板の主面に接触して配置されることに加えて、部品が主面と接触せずに当該主面の上方に配置されること（例えば、部品が主面と接触して配置された他の部品上に積層されること）を含む。また、「部品が基板の主面上に配置される」は、主面に形成された凹部に部品が配置されることを含んでもよい。「部品が基板内に配置される」とは、部品がモジュール基板内にカプセル化されることに加えて、部品の全部が基板の両主面の間に配置されているが部品の一部が基板に覆われていないこと、および、部品の一部のみが基板内に配置されていることを含む。

【0020】

また、以下の実施の形態において、フィルタの通過帯域は、当該通過帯域内における挿入損失の最小値から３ｄＢ大きい２つの周波数間の周波数帯域と定義される。

【0021】

なお、弾性波共振器とは、（１）弾性波共振子および当該弾性波共振子に並列接続された回路（または回路素子）で構成された共振回路（弾性波共振子と回路（または回路素子）との並列接続回路）、（２）弾性波共振子および当該弾性波共振子の２つの入出力端の一方のみに接続された回路（または回路素子）で構成され、上記弾性波共振子と上記回路（または回路素子）とを接続する接続ノードには、他の回路（および他の回路素子）ならびにグランドが接続されていない構成を有する共振回路（弾性波共振子と回路（または回路素子）との直列接続回路）、（３）互いに並列接続された複数の弾性波共振子で構成された共振回路（分割共振子の並列接続回路）、ならびに（４）互いに直列接続された複数の弾性波共振子で構成され、当該複数の弾性波共振子間を接続する接続ノードには、当該複数の弾性波共振子以外の回路（および回路素子）ならびにグランドは接続されていない構成を有する共振回路（分割共振子の直列接続回路）、のいずれかと定義される。

【0022】

また、本開示の実施の形態において、共振帯域幅とは、弾性波共振子の反共振周波数と共振周波数との周波数差を意味する。

【0023】

なお、上記実施の形態および変形例において示された共振周波数および反共振周波数は、例えば、弾性波共振子または弾性波共振器が他の回路素子と接続されていない状態で、弾性波共振子または弾性波共振器の２つの入出力電極にＲＦプローブを接触させ、ネットワークアナライザ等で反射特性（インピーダンス特性）を測定することで導出される。

【0024】

また、本開示において、「バンド」とは、無線アクセス技術（ＲＡＴ：Radio Access Technology）を用いて構築される通信システムのために、標準化団体など（例えば３ＧＰＰ（登録商標）、ＩＥＥＥ（Institute of Electrical and Electronics Engineers）等）によって予め定義された周波数バンドのアップリンク動作バンドおよびダウンリンク動作バンドの少なくとも一方を意味する。本実施の形態では、通信システムとしては、例えばＬＴＥ(Long Term Evolution)システム、５Ｇ（5th Generation）－ＮＲ（New Radio）システム、およびＷＬＡＮ（Wireless Local Area Network）システム等を用いることができるが、これらに限定されない。なお、周波数バンドのアップリンク動作バンドとは、当該周波数バンドのうちのアップリンク用に指定された周波数範囲を意味する。また、周波数バンドのダウンリンク動作バンドとは、当該周波数バンドのうちのダウンリンク用に指定された周波数範囲を意味する。

【0025】

（実施の形態）
［１ 弾性波フィルタ１および高周波モジュール１００の回路構成］
図１は、実施の形態に係る弾性波フィルタ１および高周波モジュール１００の回路構成図である。同図に示すように、高周波モジュール１００は、弾性波フィルタ１と、低雑音増幅器２と、インダクタ３１と、を備える。

【0026】

低雑音増幅器２は、インダクタ３１を介して弾性波フィルタ１に接続されている、具体的には、低雑音増幅器２の入力端子１３０は、インダクタ３１を介して弾性波フィルタ１の入出力端子１２０に接続されている。低雑音増幅器２は、例えば、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ：Field Effect Transistor）またはバイポーラトランジスタ（Bipolar Transistor）である増幅トランジスタを含み、当該増幅トランジスタの入力端であるゲート（またはベース）がインダクタ３１を介して入出力端子１２０に接続され、ドレイン（またはコレクタ）が出力端子１４０に接続され、ソース（またはエミッタ）がインダクタを介してグランドに接続される。さらに、上記増幅トランジスタのゲート（またはベース）には、直流バイアス電圧（直流バイアス電流）が供給される。上記構成により、低雑音増幅器２は、ゲート（またはベース）に直流バイアス電圧（直流バイアス電流）が供給されることで、弾性波フィルタ１を通過した高周波信号を増幅して出力端子１４０へ出力する。また、低雑音増幅器２の入力インピーダンスは、容量性かつ高インピーダンスとなる。

【0027】

インダクタ３１は、一端が弾性波フィルタ１の入出力端子１２０に接続され、他端が低雑音増幅器２の入力端子１３０に接続され、弾性波フィルタ１と低雑音増幅器２とのインピーダンス整合をとるための回路素子である。なお、インダクタ３１は、本実施の形態に係る高周波モジュール１００に必須の構成要素ではない。

【0028】

弾性波フィルタ１は、帯域通過型のフィルタ（バンドパスフィルタ）であって、直列腕共振子１１、１２、１３および１４と、並列腕共振子２１、２２、２３および２４と、インダクタ３４と、入出力端子１１０および１２０と、を備える。

【0029】

直列腕共振子１１～１４のそれぞれは、弾性波共振子を含む弾性波共振器であり、入出力端子１１０（第２入出力端子）および入出力端子１２０（第１入出力端子）を結ぶ直列腕経路に配置される。直列腕共振子１１は、直列腕共振子１１のみで１つの直列腕共振器（弾性波共振器）を構成し、直列腕共振子１２は、直列腕共振子１２のみで１つの直列腕共振器（弾性波共振器）を構成し、直列腕共振子１３は、直列腕共振子１３のみで１つの直列腕共振器（弾性波共振器）を構成している。直列腕共振子１１～１４のそれぞれは、第１弾性波共振子の一例であり、また、第１直列腕共振器の一例である。

【0030】

直列腕共振子１１～１４のそれぞれは、入出力端子１１０から順に、直列腕共振子１１、１２、１３および１４の順に接続されている。

【0031】

並列腕共振子２１～２３のそれぞれは、弾性波共振子を含む弾性波共振器であり、上記直列腕経路とグランドとの間に接続される。並列腕共振子２１は、直列腕共振子１１および１２の接続点とグランドとの間に接続される。並列腕共振子２２は、直列腕共振子１２および１３の接続点とグランドとの間に接続される。並列腕共振子２３は、直列腕共振子１３および１４の接続点とグランドとの間に接続される。並列腕共振子２１は、並列腕共振子２１のみで１つの並列腕共振器（弾性波共振器）を構成し、並列腕共振子２２は、並列腕共振子２２のみで１つの並列腕共振器（弾性波共振器）を構成し、並列腕共振子２３は、並列腕共振子２３のみで１つの並列腕共振器（弾性波共振器）を構成している。

【0032】

互いに直列接続された並列腕共振子２４およびインダクタ３４は、弾性波共振子を含む弾性波共振器であり、並列腕共振器２０を構成する。並列腕共振器２０は、直列腕共振子１４および入出力端子１２０の接続点とグランドとの間に接続される。より具体的には、並列腕共振子２４は入出力端子１１０および１２０を結ぶ直列腕経路に接続され、インダクタ３４はグランドに接続される。並列腕共振子２４は第２弾性波共振子の一例であり、インダクタ３４は第１インダクタの一例であり、並列腕共振器２０は第１並列腕共振器の一例である。

【0033】

並列腕共振器２０は、共振周波数ｆｒｐ２０（第１共振周波数）および反共振周波数ｆａｐ２０（第１反共振周波数）を有する。並列腕共振子２４は、共振周波数ｆｒｐ２４および反共振周波数ｆａｐ２４を有する。インダクタ３４が並列腕共振子２４に直列接続されることで、並列腕共振器２０の共振周波数ｆｒｐ２０が並列腕共振子２４の共振周波数ｆｒｐ２４に対して低周波側にシフトする。つまり、インダクタ３４が並列腕共振子２４に直列接続されることで、並列腕共振器２０の共振帯域幅（ｆａｐ２０－ｆｒｐ２０）は、並列腕共振子２４の共振帯域幅（ｆａｐ２４－ｆｒｐ２４）よりも広くなる。

【0034】

直列腕共振子１１～１４および並列腕共振子２１～２４は、同一の圧電性基板７０に形成されている。これにより、弾性波フィルタ１を小型化できる。なお、弾性波フィルタ１が有する全ての弾性波共振子が同一の圧電性基板７０に形成されていなくてもよく、直列腕共振子１１～１４の少なくとも１つおよび並列腕共振子２４が、同一の圧電性基板７０に形成されていてもよい。これによれば、各弾性波共振子が異なる圧電性基板に形成された場合と比較して、弾性波フィルタ１を小型化できる。

【0035】

なお、直列腕共振子１１～１４および並列腕共振子２１～２３のそれぞれ（弾性波共振器）は、１つの弾性波共振子のみを有するが、直列腕共振子１１～１４および並列腕共振子２１～２３のそれぞれは、例えば、（１）弾性波共振子と、当該弾性波共振子に並列接続されたキャパシタおよびインダクタの少なくとも１つを含む回路とで構成された共振器、（２）弾性波共振子と、当該弾性波共振子に直列接続されたキャパシタおよびインダクタの少なくとも１つを含む回路とで構成された共振器、（３）並列接続された複数の弾性波共振子で構成された共振器、ならびに（４）直列接続された複数の弾性波共振子で構成された共振器、のいずれかであってもよい。

【0036】

また、本実施の形態に係る弾性波フィルタ１は、直列腕共振子１１～１４のうちの少なくとも１つおよび並列腕共振器２０を備えていればよく、その他の弾性波共振子はなくてもよい。また、本実施の形態に係る弾性波フィルタ１は、ラダー型のフィルタを構成する直列腕共振器および並列腕共振器の他、縦結合型共振器、キャパシタおよびインダクタの少なくとも１つを備えてもよい。

【0037】

［２ 弾性波共振子の構造］
次に、弾性波フィルタ１を構成する弾性波共振子（直列腕共振子および並列腕共振子）の構造について例示する。

【0038】

図２Ａは、実施の形態に係る弾性波フィルタ１を構成する弾性波共振子の第１例を模式的に表す平面図および断面図である。同図には、弾性波フィルタ１を構成する複数の弾性波共振子のそれぞれの基本構造が例示されている。なお、図２Ａに示された弾性波共振子６０は、弾性波フィルタ１を構成する弾性表面波共振子の典型的な構造を説明するためのものであって、電極を構成する電極指の本数および長さなどは、これに限定されない。

【0039】

弾性波共振子６０は、圧電性基板５０と、櫛形電極６０ａおよび６０ｂとで構成されている。

【0040】

図２Ａの（ａ）に示すように、圧電性基板５０の上には、互いに対向する一対の櫛形電極６０ａおよび６０ｂが形成されている。櫛形電極６０ａは、互いに平行な複数の電極指６１ａと、複数の電極指６１ａを接続するバスバー電極６２ａとで構成されている。また、櫛形電極６０ｂは、互いに平行な複数の電極指６１ｂと、複数の電極指６１ｂを接続するバスバー電極６２ｂとで構成されている。複数の電極指６１ａおよび６１ｂは、弾性波伝搬方向（Ｘ軸方向）と直交する方向に沿って形成されている。

【0041】

また、複数の電極指６１ａおよび６１ｂ、ならびに、バスバー電極６２ａおよび６２ｂで構成されるＩＤＴ電極５４は、図２Ａの（ｂ）に示すように、密着層５４０と主電極層５４２との積層構造となっている。

【0042】

密着層５４０は、圧電性基板５０と主電極層５４２との密着性を向上させるための層であり、材料として、例えば、Ｔｉが用いられる。主電極層５４２は、材料として、例えば、Ｃｕを１％含有したＡｌが用いられる。保護層５５は、櫛形電極６０ａおよび６０ｂを覆うように形成されている。保護層５５は、主電極層５４２を外部環境から保護する、周波数温度特性を調整する、および、耐湿性を高めるなどを目的とする層であり、例えば、二酸化ケイ素を主成分とする誘電体膜である。

【0043】

なお、密着層５４０、主電極層５４２および保護層５５を構成する材料は、上述した材料に限定されない。さらに、ＩＤＴ電極５４は、上記積層構造でなくてもよい。ＩＤＴ電極５４は、例えば、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄなどの金属または合金から構成されてもよく、また、上記の金属または合金から構成される複数の積層体から構成されてもよい。また、保護層５５は、形成されていなくてもよい。

【0044】

次に、圧電性基板５０の積層構造について説明する。

【0045】

図２Ａの（ｃ）に示すように、圧電性基板５０は、高音速支持基板５１と、低音速膜５２と、圧電膜５３とを備え、高音速支持基板５１、低音速膜５２および圧電膜５３がこの順で積層された構造を有している。圧電性基板５０は、弾性波フィルタ１の圧電性基板７０の一例である。

【0046】

圧電膜５３は、例えばθ°ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ_３圧電単結晶または圧電セラミックス（Ｘ軸を中心軸としてＹ軸からθ°回転した軸を法線とする面で切断したリチウムタンタレート単結晶、またはセラミックスであって、Ｘ軸方向に弾性表面波が伝搬する単結晶またはセラミックス）からなる。なお、各フィルタの要求仕様により、圧電膜５３として使用される圧電単結晶の材料およびカット角θが適宜選択される。

【0047】

高音速支持基板５１は、低音速膜５２、圧電膜５３ならびにＩＤＴ電極５４を支持する基板である。高音速支持基板５１は、さらに、圧電膜５３を伝搬する表面波および境界波などの弾性波よりも、高音速支持基板５１中のバルク波の音速が高速となる基板であり、弾性表面波を圧電膜５３および低音速膜５２が積層されている部分に閉じ込め、高音速支持基板５１より下方に漏れないように機能する。高音速支持基板５１の材料としては、例えば、窒化アルミニウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶などの圧電体、アルミナ、サファイア、マグネシア、窒化ケイ素、炭化ケイ素、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト、スピネル、サイアロンなどのセラミック、酸化アルミニウム、酸窒化ケイ素、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）、ダイヤモンドなどの誘電体、もしくはシリコンなどの半導体、または上記材料を主成分とする材料を用いることができる。なお、上記スピネルには、Ｍｇ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｍｎなどから選ばれる１以上の元素と酸素とを含有するアルミニウム化合物が含まれる。上記スピネルの例としては、ＭｇＡｌ_２Ｏ_４、ＦｅＡｌ_２Ｏ_４、ＺｎＡｌ_２Ｏ_４、ＭｎＡｌ_２Ｏ_４を挙げることができる。

【0048】

低音速膜５２は、圧電膜５３を伝搬するバルク波よりも、低音速膜５２中のバルク波の音速が低速となる膜であり、圧電膜５３と高音速支持基板５１との間に配置される。この構造と、弾性波が本質的に低音速な媒質にエネルギーが集中するという性質とにより、弾性表面波エネルギーの圧電膜５３外への漏れが抑制される。低音速膜５２の材料としては、例えば、ガラス、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素、酸化リチウム、酸化タンタル、もしくは酸化ケイ素にフッ素、炭素やホウ素を加えた化合物などの誘電体、または上記材料を主成分とする材料を用いることができる。

【0049】

なお、圧電性基板５０の上記積層構造によれば、圧電基板を単層で使用している従来の構造と比較して、共振周波数および反共振周波数におけるＱ値を大幅に高めることが可能となる。すなわち、Ｑ値が高い弾性波共振子を構成し得るので、当該弾性波共振子を用いて、挿入損失が小さいフィルタを構成することが可能となる。

【0050】

なお、高音速支持基板５１は、支持基板と、圧電膜５３を伝搬する表面波および境界波などの弾性波よりも、伝搬するバルク波の音速が高速となる高音速膜とが積層された構造を有していてもよい。この場合、高音速膜の材料としては、高音速支持基板５１の材料と同じ材料を用いることができる。また、支持基板の材料としては、例えば、窒化アルミニウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶などの圧電体、アルミナ、サファイア、マグネシア、窒化ケイ素、炭化ケイ素、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライトなどのセラミック、ダイヤモンド、ガラスなどの誘電体、シリコン、窒化ガリウムなどの半導体、もしくは樹脂、または上記材料を主成分とする材料を用いることができる。

【0051】

なお、本明細書において、「材料の主成分」とは、当該材料に占める割合が５０重量％を超える成分をいう。上記主成分は、単結晶、多結晶およびアモルファスのうちいずれかの状態、もしくは、これらが混在した状態で存在していてもよい。

【0052】

図２Ｂは、実施の形態に係る弾性波フィルタ１を構成する弾性波共振子の第２例を模式的に表す断面図である。図２Ａに示した弾性波共振子６０では、ＩＤＴ電極５４が、圧電膜５３を有する圧電性基板５０上に形成された例を示したが、当該ＩＤＴ電極５４が形成される基板は、図２Ｂに示すように、圧電体層の単層からなる圧電単結晶基板５７であってもよい。

【0053】

圧電単結晶基板５７は、例えば、ＬｉＮｂＯ_３の圧電単結晶で構成されている。本例に係る弾性波共振子は、ＬｉＮｂＯ_３の圧電単結晶基板５７と、ＩＤＴ電極５４と、圧電単結晶基板５７上およびＩＤＴ電極５４上に形成された保護層５８と、で構成されている。圧電単結晶基板５７は、弾性波フィルタ１の圧電性基板７０の一例である。

【0054】

上述した圧電膜５３および圧電単結晶基板５７は、弾性波フィルタの要求通過特性などに応じて、適宜、積層構造、材料、カット角、および、厚みを変更してもよい。上述したカット角以外のカット角を有するＬｉＴａＯ_３圧電基板などを用いた弾性波共振子であっても、上述した圧電膜５３を用いた弾性波共振子６０と同様の効果を奏することができる。

【0055】

また、ＩＤＴ電極５４が形成される基板は、支持基板と、エネルギー閉じ込め層と、圧電膜とが、この順で積層された構造を有していてもよい。圧電膜上にＩＤＴ電極５４が形成される。圧電膜は、例えば、ＬｉＴａＯ_３圧電単結晶または圧電セラミックスが用いられる。支持基板は、圧電膜、エネルギー閉じ込め層、およびＩＤＴ電極５４を支持する基板である。

【0056】

エネルギー閉じ込め層は１層または複数の層からなり、その少なくとも１つの層を伝搬するバルク弾性波の速度は、圧電膜近傍を伝搬する弾性波の速度よりも大きい。例えば、エネルギー閉じ込め層は、低音速層と、高音速層との積層構造となっていてもよい。低音速層は、圧電膜を伝搬する弾性波の音速よりも、低音速層中のバルク波の音速が低速となる膜である。高音速層は、圧電膜を伝搬する弾性波の音速よりも、高音速層中のバルク波の音速が高速となる膜である。なお、支持基板を高音速層としてもよい。

【0057】

また、エネルギー閉じ込め層は、音響インピーダンスが相対的に低い低音響インピーダンス層と、音響インピーダンスが相対的に高い高音響インピーダンス層とが、交互に積層された構成を有する音響インピーダンス層であってもよい。

【0058】

ここで、弾性波共振子６０を構成するＩＤＴ電極５４の電極パラメータについて説明する。

【0059】

弾性波共振子の波長とは、図２Ａの（ｂ）に示すＩＤＴ電極５４を構成する複数の電極指６１ａまたは６１ｂの繰り返し周期である波長λで規定される。また、電極指ピッチは、波長λの１／２であり、櫛形電極６０ａおよび６０ｂをそれぞれ構成する電極指６１ａおよび６１ｂのライン幅をＷとし、隣り合う電極指６１ａと電極指６１ｂとの間のスペース幅をＳとした場合、（Ｗ＋Ｓ）で定義される。また、ＩＤＴ電極５４のデューティーは、電極指６１ａおよび６１ｂのライン幅占有率であり、電極指６１ａおよび６１ｂのそれぞれのライン幅とスペース幅との加算値に対する当該ライン幅の割合であり、Ｗ／（Ｗ＋Ｓ）で定義される。また、ＩＤＴ電極５４の交叉幅は、電極指６１ａおよび電極指６１ｂを弾性波伝搬方向（Ｘ軸方向）から見た場合に重複する電極指の長さである。

【0060】

なお、ＩＤＴ電極５４において、隣り合う電極指間の間隔が一定でない場合には、ＩＤＴ電極５４の電極指ピッチは、ＩＤＴ電極５４の平均電極指ピッチで定義される。ＩＤＴ電極５４の平均電極指ピッチは、ＩＤＴ電極５４に含まれる電極指６１ａ、６１ｂの総本数をＮｉ本とし、ＩＤＴ電極５４の、弾性波伝搬方向における一方端に位置する電極指と他方端に位置する電極指との中心間距離をＤｉとすると、Ｄｉ／（Ｎｉ－１）と定義される。

【0061】

また、図２Ｃは、実施の形態に係る弾性波フィルタ１を構成する弾性波共振子の第３例を模式的に表す断面図である。図２Ｃには、弾性波フィルタ１の弾性波共振子として、バルク弾性波共振子が示されている。同図に示すように、バルク弾性波共振子は、例えば、支持基板６５と、下部電極６６と、圧電体層６７と、上部電極６８と、を有しており、支持基板６５、下部電極６６、圧電体層６７、および上部電極６８がこの順で積層された構成となっている。

【0062】

支持基板６５は、下部電極６６、圧電体層６７、および上部電極６８を支持するための基板であり、例えば、シリコン基板である。なお、支持基板６５は、下部電極６６と接触する領域に、空洞が設けられている。これにより、圧電体層６７を自由に振動させることが可能となる。支持基板６５は、弾性波フィルタ１の圧電性基板７０の一例である。

【0063】

下部電極６６は、支持基板６５の一方面上に形成されている。上部電極６８は、支持基板６５の一方面上に形成されている。下部電極６６および上部電極６８は、材料として、例えば、Ｃｕを１％含有したＡｌが用いられる。

【0064】

圧電体層６７は、下部電極６６と上部電極６８との間に形成されている。圧電体層６７は、例えば、ＺｎＯ（酸化亜鉛）、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）、ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）、ＫＮ（ニオブ酸カリウム）、ＬＮ（リチウムニオベイト）、ＬＴ（リチウムタンタレート）、水晶、およびＬｉＢＯ（ホウ酸リチウム）の少なくとも１つを主成分とする。

【0065】

上記積層構成を有するバルク弾性波共振子は、下部電極６６と上部電極６８との間に電気的なエネルギーを印加することで圧電体層６７内にてバルク弾性波を誘発して共振を発生させるものである。このバルク弾性波共振子により生成されるバルク弾性波は、下部電極６６と上部電極６８との間を、圧電体層６７の膜面に垂直な方向に伝搬する。つまり、バルク弾性波共振子は、バルク弾性波を利用した共振子である。

【0066】

［３ 弾性波フィルタ１の共振特性および通過特性］
まず、１つの直列腕共振子および１つの並列腕共振子で構成されたラダー型バンドパスフィルタの基本的な動作原理について説明しておく。

【0067】

並列腕共振子は共振周波数ｆｒｐおよび反共振周波数ｆａｐ（＞ｆｒｐ）を有し、直列腕共振子は共振周波数ｆｒｓおよび反共振周波数ｆａｓ（＞ｆｒｓ＞ｆｒｐ）を有する。上記共振特性を有する直列腕共振子および並列腕共振子において、一般的には、並列腕共振子の反共振周波数ｆａｐと直列腕共振子の共振周波数ｆｒｓとを近接させる。これにより、並列腕共振子のインピーダンスが０に近づく共振周波数ｆｒｐ近傍は、低周波側阻止域となる。また、これより周波数が増加すると、反共振周波数ｆａｐ近傍で並列腕共振子のインピーダンスが高くなり、かつ、共振周波数ｆｒｓ近傍で直列腕共振子のインピーダンスが０に近づく。これにより、反共振周波数ｆａｐ～共振周波数ｆｒｓの近傍では、直列腕経路である信号経路において信号通過域となる。これにより、弾性波共振子の電極パラメータおよび電気機械結合係数を反映した通過帯域を形成することが可能となる。さらに、周波数が高くなり、反共振周波数ｆａｓ近傍になると、直列腕共振子のインピーダンスが高くなり、高周波側阻止域となる。

【0068】

また、直列腕共振子および並列腕共振子のそれぞれにおいて、共振周波数よりも低周波側の周波数帯域では、共振子のインピーダンスは容量性（Ｃ性）を示し、共振周波数よりも高周波側かつ反共振周波数よりも低周波側の周波数帯域では、共振子のインピーダンスは誘導性（Ｌ性）を示す。また、反共振周波数よりも高周波側の周波数帯域では、共振子のインピーダンスは容量性を示す。

【0069】

なお、共振帯域幅が所望の通過帯域幅よりも広い場合、並列腕共振子の反共振周波数は通過帯域の高域端よりも高く、直列腕共振子の共振周波数は通過帯域の低域端よりも低くてもよい。共振周波数から反共振周波数までの周波数範囲である共振帯域の少なくとも一部が弾性波フィルタ１の通過帯域と重なる共振子は、弾性波フィルタ１の通過帯域の形成に寄与する共振子と定義される。

【0070】

次に、弾性波フィルタ１のインピーダンス特性および通過特性について説明する。

【0071】

図３Ａは、実施の形態に係る弾性波フィルタ１の通過帯域近傍帯域の通過特性および並列腕共振器２０のインピーダンス特性を示すグラフである。図３Ｂは、実施の形態に係る広域の並列腕共振器２０のインピーダンス特性を示すグラフである。

【0072】

図３Ａに示すように、並列腕共振子２４の共振周波数ｆｒｐ２４は、上記通過帯域内に位置する。一方、並列腕共振器２０の共振周波数ｆｒｐ２０は、弾性波フィルタ１の通過帯域の低周波端以下であり、並列腕共振器２０の反共振周波数ｆａｐ２０は、上記通過帯域の高周波端以上である。また、反共振周波数ｆａｐ２０と上記通過帯域の高周波端との周波数差Δｆａは、共振周波数ｆｒｐ２０と上記通過帯域の低周波端との周波数差Δｆｒよりも小さい。

【0073】

なお、図３Ａには図示していないが、直列腕共振子１１～１４のうちの少なくとも１つの共振周波数は、上記通過帯域内に位置し、並列腕共振子２１～２３のうちの少なくとも１つの反共振周波数は、上記通過帯域内に位置する。これによれば、ラダー型の弾性波フィルタ１の挿入損失を低減できる。

【0074】

ラダー型の弾性波フィルタにおいて、直列腕共振器の共振周波数および並列腕共振器の反共振周波数を通過帯域内に位置させることで、低損失かつ急峻な通過特性を実現できる。このため、通過帯域では、弾性波フィルタのインピーダンスは少なくとも容易性となる傾向にある。このため、低雑音増幅器２のような入力インピーダンスが容量性である容量性回路を弾性波フィルタと接続する場合、容量性回路と弾性波フィルタとの間に誘導性の整合回路を配置することで基準インピーダンスにて双方の整合をとることが可能となる。

【0075】

これに対して、本実施の形態に係る弾性波フィルタ１の構成によれば、通過帯域を形成する直列腕共振子１１～１４および並列腕共振子２１～２３と同一の圧電性基板７０に形成された並列腕共振子２４は、共振周波数ｆｒｐ２４および反共振周波数ｆａｐ２４の少なくともいずれかが通過帯域内に位置する可能性が高い。しかし、並列腕共振子２４にインダクタ３４を直列接続することで、並列腕共振器２０の共振帯域幅を拡張して、並列腕共振器２０の共振周波数ｆｒｐ２０と反共振周波数ｆａｐ２０との間に上記通過帯域が位置するように調整されている。これにより、並列腕共振器２０の上記通過帯域におけるインピーダンスは誘導性となり、上記容量性回路と弾性波フィルタ１との間に誘導性の整合回路を設けることなく、上記容量性回路と弾性波フィルタ１とをインピーダンス整合させることが可能となる。また、高インピーダンスを有する反共振周波数ｆａｐ２０を、低インピーダンスを有する共振周波数ｆｒｐ２０よりも上記通過帯域に近く位置させることで、通過帯域の信号を入出力端子１１０から入出力端子１２０へ低損失で伝送できる。さらに、図３Ｂに示すように、並列腕共振器２０はＤＣ（直流）領域において高インピーダンスを有する。これにより、低雑音増幅器２に供給される直流バイアス電圧（直流バイアス電流）が弾性波フィルタ１側へ漏洩することを防止できるので、弾性波フィルタ１と低雑音増幅器２の増幅トランジスタの入力端とを結ぶ経路にＤＣカット用のキャパシタを直列配置する必要がない。よって、整合損失および挿入損失の双方が低減された低損失かつ小型の弾性波フィルタ１を提供できる。

【0076】

図４は、実施の形態に係る弾性波フィルタ１のインピーダンス特性を示すアドミタンスチャートである。図４の（ａ）に示すように、ノードＢ（直列腕共振子１４と並列腕共振器２０との接続ノード）から入出力端子１１０側を見た通過帯域のインピーダンス（図４の（ａ）の太実線）は基準インピーダンス近傍に位置している。つまり、並列腕共振器２０が付加されない弾性波フィルタのインピーダンスは基準インピーダンス近傍に位置している。並列腕共振器２０が付加されていない状態で、容量性の入力インピーダンスを有する低雑音増幅器２が入出力端子１２０に接続された場合、弾性波フィルタおよび低雑音増幅器２を含む高周波モジュールのインピーダンスは基準インピーダンスから逸脱する。

【0077】

これに対して、図４の（ｂ）に示すように、ノードＡ（入出力端子１２０）から入出力端子１１０側を見た通過帯域のインピーダンス（図４の（ｂ）の太実線）は、ノードＢにおけるインピーダンスに対して並列腕共振器２０の誘導性インピーダンスが付加されることで、等コンダクタンス円上を反時計回りに移動するため、誘導性かつ低インピーダンスとなる。

【0078】

これによれば、誘導性インピーダンスを有する弾性波フィルタ１と容量性インピーダンスを有する低雑音増幅器２とが接続された構成を有する高周波モジュール１００のインピーダンスを基準インピーダンスに近づけることが可能となる。よって、弾性波フィルタ１および高周波モジュール１００の整合損失を低減できる。

【0079】

なお、本実施の形態に係る弾性波フィルタ１において、第１並列腕共振器（並列腕共振器２０）は、複数の並列腕共振器のうちで入出力端子１２０に最も近く接続されている。

【0080】

これによれば、通過帯域が誘導性インピーダンスを示す共振器が、容量性インピーダンスを示す低雑音増幅器２の入力端子１３０に最も近く配置されるので、弾性波フィルタ１と低雑音増幅器２とのインピーダンス整合を高効率かつ高精度に合わせることが可能となる。

【0081】

なお、第１並列腕共振器は、複数の並列腕共振器のうちで入出力端子１２０に最も近く接続されていなくてもよく、入出力端子１１０から直列腕共振子１４までの直列腕経路上のノードに接続されていてもよい。

【0082】

［４ 変形例１に係る弾性波フィルタ１Ａの構成］
図５は、実施の形態の変形例１に係る弾性波フィルタ１Ａの回路構成図である。同図に示すように、変形例１に係る弾性波フィルタ１Ａは、帯域通過型のフィルタ（バンドパスフィルタ）であって、直列腕共振子１１、１２、１３および１４と、並列腕共振子２１、２２、２３および２４と、インダクタ３４と、入出力端子１１０および１２０と、を備える。本変形例に係る弾性波フィルタ１Ａは、実施の形態に係る弾性波フィルタ１と比較して、並列腕共振器２０Ａの構成が異なる。以下、本変形例に係る弾性波フィルタ１Ａについて、実施の形態に係る弾性波フィルタ１と同じ構成については説明を省略し、異なる構成を中心に説明する。

【0083】

互いに直列接続された並列腕共振子２４およびインダクタ３４は、弾性波共振子を含む弾性波共振器であり、並列腕共振器２０Ａを構成する。並列腕共振器２０Ａは、直列腕共振子１４および入出力端子１２０の接続点とグランドとの間に接続される。より具体的には、インダクタ３４は入出力端子１１０および１２０を結ぶ直列腕経路に接続され、並列腕共振子２４はグランドに接続される。並列腕共振子２４は第２弾性波共振子の一例であり、インダクタ３４は第１インダクタの一例であり、並列腕共振器２０Ａは第１並列腕共振器の一例である。

【0084】

並列腕共振器２０Ａは、共振周波数ｆｒｐ２０Ａ（第１共振周波数）および反共振周波数ｆａｐ２０Ａ（第１反共振周波数）を有する。並列腕共振子２４は、共振周波数ｆｒｐ２４および反共振周波数ｆａｐ２４を有する。インダクタ３４が並列腕共振子２４に直列接続されることで、並列腕共振器２０Ａの共振周波数ｆｒｐ２０Ａが並列腕共振子２４の共振周波数ｆｒｐ２４に対して低周波側にシフトする。つまり、インダクタ３４が並列腕共振子２４に直列接続されることで、並列腕共振器２０Ａの共振帯域幅（ｆａｐ２０Ａ－ｆｒｐ２０Ａ）は、並列腕共振子２４の共振帯域幅（ｆａｐ２４－ｆｒｐ２４）よりも広くなる。

【0085】

並列腕共振子２４の共振周波数ｆｒｐ２４は、上記通過帯域内に位置する。一方、並列腕共振器２０Ａの共振周波数ｆｒｐ２０Ａは、弾性波フィルタ１Ａの通過帯域の低周波端以下であり、並列腕共振器２０Ａの反共振周波数ｆａｐ２０Ａは、上記通過帯域の高周波端以上である。また、反共振周波数ｆａｐ２０Ａと上記通過帯域の高周波端との周波数差Δｆａは、共振周波数ｆｒｐ２０Ａと上記通過帯域の低周波端との周波数差Δｆｒよりも小さい。

【0086】

これによれば、並列腕共振子２４にインダクタ３４を直列接続することで、並列腕共振器２０Ａの共振帯域幅を拡張して、並列腕共振器２０Ａの共振周波数ｆｒｐ２０Ａと反共振周波数ｆａｐ２０Ａとの間に上記通過帯域が位置するように調整されている。これにより、並列腕共振器２０Ａの上記通過帯域におけるインピーダンスは誘導性となり、弾性波フィルタ１Ａに接続される容量性回路と弾性波フィルタ１Ａとの間に誘導性の整合回路を設けることなく、上記容量性回路と弾性波フィルタ１Ａとをインピーダンス整合させることが可能となる。また、高インピーダンスを有する反共振周波数ｆａｐ２０Ａを、低インピーダンスを有する共振周波数ｆｒｐ２０Ａよりも上記通過帯域に近く位置させることで、通過帯域の信号を入出力端子１１０から入出力端子１２０へ低損失で伝送できる。さらに、並列腕共振器２０ＡはＤＣ（直流）領域において高インピーダンスを有する。これにより、低雑音増幅器２に供給される直流バイアス電圧（直流バイアス電流）が弾性波フィルタ１Ａ側へ漏洩することを防止できるので、弾性波フィルタ１Ａと低雑音増幅器２との間にＤＣカット用のキャパシタを配置する必要がない。よって、整合損失および挿入損失の双方が低減された低損失かつ小型の弾性波フィルタ１Ａを提供できる。

【0087】

［５ 変形例２に係るフィルタ回路３および高周波モジュール１００Ｂの構成］
図６Ａは、実施の形態の変形例２に係るフィルタ回路３および高周波モジュール１００Ｂの回路構成図である。同図に示すように、高周波モジュール１００Ｂは、フィルタ回路３と、低雑音増幅器２と、インダクタ３１と、を備える。本変形例に係る高周波モジュール１００Ｂは、実施の形態に係る高周波モジュール１００と比較して、弾性波フィルタ１がフィルタ回路３に置き換わった点のみが異なる。以下、本変形例に係る高周波モジュール１００Ｂについて、実施の形態に係る高周波モジュール１００と異なるフィルタ回路３を中心に説明する。

【0088】

フィルタ回路３は、並列腕共振器２０と、フィルタ部４０Ａ、４０Ｂおよび４０Ｃと、スイッチ回路８０と、入出力端子１１１、１１２、１１３および１２０と、を備える。

【0089】

並列腕共振器２０は、互いに直列接続された並列腕共振子２４およびインダクタ３５を含む弾性波共振器である。並列腕共振器２０は、スイッチ回路８０および入出力端子１２０の接続点とグランドとの間に接続される。並列腕共振子２４は第２弾性波共振子の一例であり、インダクタ３５は第１インダクタの一例であり、並列腕共振器２０は第１並列腕共振器の一例である。

【0090】

並列腕共振器２０は、共振周波数ｆｒｐ２０（第１共振周波数）および反共振周波数ｆａｐ２０（第１反共振周波数）を有する。並列腕共振子２４は、共振周波数ｆｒｐ２４および反共振周波数ｆａｐ２４を有する。インダクタ３５が並列腕共振子２４に直列接続されることで、並列腕共振器２０の共振周波数ｆｒｐ２０が並列腕共振子２４の共振周波数ｆｒｐ２４に対して低周波側にシフトする。つまり、インダクタ３５が並列腕共振子２４に直列接続されることで、並列腕共振器２０の共振帯域幅（ｆａｐ２０－ｆｒｐ２０）は、並列腕共振子２４の共振帯域幅（ｆａｐ２４－ｆｒｐ２４）よりも広くなる。

【0091】

フィルタ部４０Ａは、弾性波フィルタ部の一例であり、一端がスイッチ回路８０の選択端子８０ｂに接続され、他端が入出力端子１１１に接続されている。フィルタ部４０Ａは、実施の形態に係る弾性波フィルタ１の並列腕共振器２０を除く回路構成を有し、直列腕共振子１１、１２、１３および１４と、並列腕共振子２１、２２、２３と、を備える。つまり、スイッチ回路８０で分離されたフィルタ部４０Ａおよび並列腕共振器２０は、実施の形態に係る弾性波フィルタ１と同じ回路構成を有する。

【0092】

フィルタ部４０Ｂは、第１フィルタ部の一例であり、一端がスイッチ回路８０の選択端子８０ｃに接続され、他端が入出力端子１１２に接続されている。フィルタ部４０Ｂは、弾性波共振子、インダクタおよびキャパシタの少なくともいずれかを有する。フィルタ部４０Ｂおよび並列腕共振器２０（第１並列腕共振器）は、スイッチ回路８０で接続されることにより帯域通過型の第１フィルタを構成する。

【0093】

フィルタ部４０Ｃは、一端がスイッチ回路８０の選択端子８０ｄに接続され、他端が入出力端子１１３に接続されている。フィルタ部４０Ｃは、弾性波共振子、インダクタおよびキャパシタの少なくともいずれかを有する。フィルタ部４０Ｃおよび並列腕共振器２０（第１並列腕共振器）は、スイッチ回路８０で接続されることによりバンドパスフィルタを構成する。

【0094】

フィルタ部４０Ａが有する全ての弾性波共振子（直列腕共振子１１～１４および並列腕共振子２１～２３）と、並列腕共振器２０が有する並列腕共振子２４とは、同一の圧電性基板７０に形成されている。これによれば、フィルタ回路３を小型化できる。

【0095】

なお、フィルタ部４０Ｂおよび４０Ｃが弾性波共振子を有する場合には、フィルタ部４０Ｂおよび４０Ｃが有する弾性波共振子も圧電性基板７０に形成されてもよい。

【0096】

スイッチ回路８０は、第１スイッチ回路の一例であり、スイッチ１８１、１８２、１８３、１８４、１８５および１８６と、共通端子８０ａ、選択端子８０ｂ（第１選択端子）、選択端子８０ｃ（第２選択端子）および選択端子８０ｄと、を有し、共通端子８０ａと選択端子８０ｂとの接続、共通端子８０ａと選択端子８０ｃとの接続、および共通端子８０ａと選択端子８０ｄとの接続を切り替える。スイッチ１８１は、一端が共通端子８０ａに接続され、他端が選択端子８０ｂに接続されている。スイッチ１８３は、一端が共通端子８０ａに接続され、他端が選択端子８０ｃに接続されている。スイッチ１８５は、一端が共通端子８０ａに接続され、他端が選択端子８０ｄに接続されている。スイッチ１８２は、一端がスイッチ１８１の他端と選択端子８０ｂとの接続点に接続され、他端がグランドに接続されている。スイッチ１８４は、一端がスイッチ１８３の他端と選択端子８０ｃとの接続点に接続され、他端がグランドに接続されている。スイッチ１８６は、一端がスイッチ１８５の他端と選択端子８０ｄとの接続点に接続され、他端がグランドに接続されている。

【0097】

上記構成において、入出力端子１１１から入出力端子１２０へ高周波信号を伝送する場合には、スイッチ１８１、１８４および１８６が導通状態となり、スイッチ１８２、１８３および１８５が非導通状態となり、フィルタ部４０Ａおよび並列腕共振器２０が接続される。また、入出力端子１１２から入出力端子１２０へ高周波信号を伝送する場合には、スイッチ１８３、１８２および１８６が導通状態となり、スイッチ１８４、１８１および１８５が非導通状態となる。また、入出力端子１１３から入出力端子１２０へ高周波信号を伝送する場合には、スイッチ１８５、１８２および１８４が導通状態となり、スイッチ１８６、１８１および１８３が非導通状態となる。

【0098】

なお、本変形例に係るフィルタ回路３において、フィルタ部４０Ｃはなくてもよく、この場合には、入出力端子１１３、選択端子８０ｄ、スイッチ１８５および１８６はなくてもよい。

【0099】

図６Ｂは、実施の形態の変形例２に係るフィルタ回路３を構成する各フィルタの通過特性および並列腕共振器２０のインピーダンス特性を模式的に示す図である。同図に示すように、高周波側から順に、フィルタ部４０Ａおよび並列腕共振器２０で形成される通過帯域、フィルタ部４０Ｂおよび並列腕共振器２０で形成される通過帯域、ならびにフィルタ部４０Ｃおよび並列腕共振器２０で形成される通過帯域が位置している。

【0100】

なお、上記３つの通過帯域の周波数の高低は上記順に限定されず、また、上記３つの通過帯域は、少なくとも一部重なっていてもよい。

【0101】

図６Ｂに示すように、並列腕共振器２０の共振周波数ｆｒｐ２０は、上記３つの通過帯域のうちの最も低周波側の通過帯域の低周波端以下であり、並列腕共振器２０の反共振周波数ｆａｐ２０は、上記３つの通過帯域のうちの最も高周波側の通過帯域の高周波端以上である。

【0102】

これによれば、通過帯域を形成するフィルタ部４０Ａの直列腕共振子１１～１４および並列腕共振子２１～２３と同一の圧電性基板７０に形成された並列腕共振子２４は、共振周波数ｆｒｐ２４および反共振周波数ｆａｐ２４の少なくともいずれかが通過帯域内に位置する可能性が高い。しかし、並列腕共振子２４にインダクタ３５を直列接続することで、並列腕共振器２０の共振帯域幅を拡張して、並列腕共振器２０の共振周波数ｆｒｐ２０と反共振周波数ｆａｐ２０との間に上記３つの通過帯域が位置するように調整されている。これにより、並列腕共振器２０の上記３つの通過帯域におけるインピーダンスは誘導性となり、入出力端子１２０に接続される低雑音増幅器２（容量性回路）とフィルタ回路３との間に誘導性の整合回路を設けることなく、低雑音増幅器２とフィルタ回路３とをインピーダンス整合させることが可能となる。また、並列腕共振器２０はＤＣ（直流）領域において高インピーダンスを有する。これにより、低雑音増幅器２に供給される直流バイアス電圧（直流バイアス電流）がフィルタ回路３側へ漏洩することを防止できるので、フィルタ回路３と低雑音増幅器２とを結ぶ経路にＤＣカット用のキャパシタを直列配置する必要がない。よって、低損失かつ小型のフィルタ回路３および高周波モジュール１００Ｂを提供できる。

【0103】

［６ 効果など］
以上のように、本実施の形態に係る弾性波フィルタ１は、入出力端子１１０および１２０を結ぶ直列腕経路に配置された直列腕共振子１４と、直列腕経路とグランドとの間に接続された並列腕共振器２０と、を備え、直列腕共振子１４は第１弾性波共振子であり、並列腕共振器２０は、直列腕経路とグランドとの間に直列接続された並列腕共振子２４およびインダクタ３４を含み、直列腕共振子１４および並列腕共振子２４は同一の圧電性基板７０に形成され、並列腕共振器２０の共振周波数ｆｒｐ２０は、弾性波フィルタ１の通過帯域の低周波端以下であり、並列腕共振器２０の反共振周波数ｆａｐ２０は、上記通過帯域の高周波端以上であり、反共振周波数ｆａｐ２０と上記通過帯域の高周波端との周波数差Δｆａは、共振周波数ｆｒｐ２０と上記通過帯域の低周波端との周波数差Δｆｒよりも小さい。

【0104】

これによれば、上記通過帯域を形成する直列腕共振子１４と同一の圧電性基板７０に形成された並列腕共振子２４は、共振周波数ｆｒｐ２４および反共振周波数ｆａｐ２４の少なくともいずれかが通過帯域内に位置する可能性が高い。しかし、並列腕共振子２４にインダクタ３４を直列接続することで、並列腕共振器２０の共振帯域幅を拡張して、並列腕共振器２０の共振周波数ｆｒｐ２０と反共振周波数ｆａｐ２０との間に上記通過帯域が位置するように調整されている。これにより、並列腕共振器２０の上記通過帯域におけるインピーダンスは誘導性となり、弾性波フィルタ１に接続される容量性インピーダンスを有する低雑音増幅器２と弾性波フィルタ１との間に誘導性の整合回路を設けることなく、上記容量性回路と弾性波フィルタ１とをインピーダンス整合させることが可能となる。また、高インピーダンスを有する反共振周波数ｆａｐ２０を、低インピーダンスを有する共振周波数ｆｒｐ２０よりも上記通過帯域に近く位置させることで、通過帯域の信号を入出力端子１１０から入出力端子１２０へ低損失で伝送できる。さらに、並列腕共振器２０はＤＣ（直流）領域において高インピーダンスを有するので、低雑音増幅器２に供給される直流バイアス電圧（直流バイアス電流）が弾性波フィルタ１側へ漏洩することを防止できるので、弾性波フィルタ１と低雑音増幅器２とを結ぶ経路にＤＣカット用のキャパシタを直列配置する必要がない。よって、整合損失および挿入損失の双方が低減された低損失かつ小型の弾性波フィルタ１を提供できる。

【0105】

また例えば、弾性波フィルタ１において、並列腕共振子２４の共振周波数ｆｒｐ２４は、上記通過帯域内に位置する。

【0106】

これによれば、並列腕共振子２４の共振帯域幅が上記通過帯域よりも小さいことが想定されるが、並列腕共振子２４にインダクタ３４が直列接続されることで、並列腕共振器２０の共振帯域幅を広くできる。これにより、小型の並列腕共振子２４を用いて、並列腕共振器２０の上記通過帯域のインピーダンスを誘導性とすることが可能となる。

【0107】

また例えば、弾性波フィルタ１において、弾性波フィルタ１が有する全ての弾性波共振子は、圧電性基板７０に形成される。

【0108】

これによれば、弾性波フィルタ１を小型化できる。

【0109】

また例えば、弾性波フィルタ１は、複数の直列腕共振器と、複数の並列腕共振器と、を備え、並列腕共振器２０は上記複数の並列腕共振器のうちで入出力端子１２０に最も近く接続される。

【0110】

これによれば、通過帯域が誘導性インピーダンスを示す並列腕共振器２０が、複数の並列腕共振器のうちで、容量性インピーダンスを示す低雑音増幅器２の入力端子１３０に最も近く配置されるので、弾性波フィルタ１と低雑音増幅器２とのインピーダンス整合を高効率かつ高精度に合わせることが可能となる。

【0111】

また例えば、弾性波フィルタ１において、並列腕共振子２４は直列腕経路に接続され、インダクタ３４はグランドに接続される。

【0112】

これによれば、並列腕共振子２４と直列腕共振子１４とを１枚の圧電性基板７０に形成するにあたり、並列腕共振子２４と直列腕共振子１４とを接続する配線、および、並列腕共振子２４とインダクタ３４とを接続する配線を短くできる。よって、弾性波フィルタ１を低損失化できる。

【0113】

また例えば、変形例１に係る弾性波フィルタ１Ａにおいて、並列腕共振子２４はグランドに接続され、インダクタ３４は直列腕経路に接続される。

【0114】

また例えば、変形例２に係るフィルタ回路３は、弾性波フィルタ１（または１Ａ）と、帯域通過型の第１フィルタと、共通端子８０ａ、選択端子８０ｂおよび８０ｃを有し、共通端子８０ａと選択端子８０ｂとの接続および共通端子８０ａと選択端子８０ｃとの接続を切り替えるスイッチ回路８０と、を備え、弾性波フィルタ１は並列腕共振器２０およびフィルタ部４０Ａを有し、第１フィルタは並列腕共振器２０およびフィルタ部４０Ｂを有し、並列腕共振器２０は共通端子８０ａに接続され、フィルタ部４０Ａは選択端子８０ｂに接続され、フィルタ部４０Ｂは選択端子８０ｃに接続され、共振周波数ｆｒｐ２０は、弾性波フィルタ１の通過帯域の低周波端および第１フィルタの通過帯域の低周波端のうちの低周波側の低周波端以下であり、反共振周波数ｆａｐ２０は、弾性波フィルタ１の通過帯域の高周波端および第１フィルタの通過帯域の高周波端のうちの高周波側の高周波端以上である。

【0115】

これによれば、通過帯域を形成するフィルタ部４０Ａの直列腕共振子１４と同一の圧電性基板７０に形成された並列腕共振子２４は、共振周波数ｆｒｐ２４および反共振周波数ｆａｐ２４の少なくともいずれかが通過帯域内に位置する可能性が高い。しかし、並列腕共振子２４にインダクタ３５を直列接続することで、並列腕共振器２０の共振帯域幅を拡張して、並列腕共振器２０の共振周波数ｆｒｐ２０と反共振周波数ｆａｐ２０との間に弾性波フィルタ１の通過帯域および第１フィルタの通過帯域が位置するように調整される。これにより、並列腕共振器２０の上記２つの通過帯域におけるインピーダンスは誘導性となり、入出力端子１２０に接続される低雑音増幅器２（容量性回路）とフィルタ回路３との間に誘導性の整合回路を設けることなく、低雑音増幅器２とフィルタ回路３とをインピーダンス整合させることが可能となる。また、並列腕共振器２０はＤＣ（直流）領域において高インピーダンスを有する。これにより、低雑音増幅器２に供給される直流バイアス電圧（直流バイアス電流）がフィルタ回路３側へ漏洩することを防止できるので、フィルタ回路３と低雑音増幅器２とを結ぶ経路にＤＣカット用のキャパシタを直列配置する必要がない。よって、低損失かつ小型のフィルタ回路３を提供できる。

【0116】

また例えば、実施の形態に係る高周波モジュール１００は、弾性波フィルタ１と、入力端子１３０が入出力端子１２０に接続された低雑音増幅器２と、を備える。

【0117】

これによれば、低雑音増幅器２に供給される直流バイアス電圧（直流バイアス電流）が弾性波フィルタ１側へ漏洩することを防止できるので、弾性波フィルタ１と低雑音増幅器２とを結ぶ経路にＤＣカット用のキャパシタを直列配置する必要がない。よって、整合損失および挿入損失の双方が低減された低損失かつ小型の高周波モジュール１００を提供できる。

【0118】

また例えば、高周波モジュール１００において、低雑音増幅器２に含まれる増幅トランジスタの入力端と入出力端子１２０とを結ぶ経路には、キャパシタが直列配置されていない。

【0119】

これによれば、高周波モジュール１００を小型化できる。

【0120】

また例えば、変形例２に係る高周波モジュール１００Ｂは、フィルタ回路３と、入力端子１３０が共通端子８０ａと並列腕共振器２０との接続点に接続された低雑音増幅器２と、を備える。

【0121】

これによれば、低雑音増幅器２に供給される直流バイアス電圧（直流バイアス電流）がフィルタ回路３側へ漏洩することを防止できるので、フィルタ回路３と低雑音増幅器２とを結ぶ経路にＤＣカット用のキャパシタを直列配置する必要がない。よって、整合損失および挿入損失の双方が低減された低損失かつ小型の高周波モジュール１００Ｂを提供できる。

【0122】

また例えば、高周波モジュール１００Ｂにおいて、低雑音増幅器２の入力端子１３０と上記接続点とを結ぶ経路には、キャパシタが直列配置されていない。

【0123】

これによれば、高周波モジュール１００Ｂを小型化できる。

【0124】

（その他の実施の形態）
以上、本発明に係る弾性波フィルタ、フィルタ回路および高周波モジュールについて、実施の形態および変形例を挙げて説明したが、本発明は、上記実施の形態および変形例に限定されるものではない。上記実施の形態および変形例に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、本発明に係る弾性波フィルタ、フィルタ回路および高周波モジュールを内蔵した各種機器も本発明に含まれる。

【0125】

また、例えば、上記実施の形態および変形例に係る弾性波フィルタ、フィルタ回路および高周波モジュールにおいて、各構成要素の間に、インダクタおよびキャパシタなどの整合素子、ならびにスイッチ回路が接続されていてもかまわない。

【0126】

以下に、上記実施の形態および変形例に基づいて説明した弾性波フィルタ、フィルタ回路および高周波モジュールの特徴を示す。

【0127】

＜１＞
帯域通過型の弾性波フィルタであって、
第１入出力端子および第２入出力端子を結ぶ直列腕経路に配置された第１直列腕共振器と、
前記直列腕経路とグランドとの間に接続された第１並列腕共振器と、を備え、
前記第１直列腕共振器は、第１弾性波共振子を含み、
前記第１並列腕共振器は、前記直列腕経路とグランドとの間に直列接続された第２弾性波共振子および第１インダクタを含み、
前記第１弾性波共振子および前記第２弾性波共振子は、同一の圧電性基板に形成され、
前記第１並列腕共振器の共振周波数である第１共振周波数は、前記弾性波フィルタの通過帯域の低周波端以下であり、前記第１並列腕共振器の反共振周波数である第１反共振周波数は、前記通過帯域の高周波端以上であり、
前記第１反共振周波数と前記通過帯域の高周波端との周波数差は、前記第１共振周波数と前記通過帯域の低周波端との周波数差よりも小さい、弾性波フィルタ。

【0128】

＜２＞
前記第２弾性波共振子の共振周波数は、前記通過帯域内に位置する、＜１＞に記載の弾性波フィルタ。

【0129】

＜３＞
前記第１直列腕共振器を含む複数の直列腕共振器と、
前記第１並列腕共振器を含む複数の並列腕共振器と、を備え、
前記複数の直列腕共振器および前記複数の並列腕共振器のそれぞれは、弾性波共振子を含み、
前記弾性波フィルタが有する全ての前記弾性波共振子は、前記圧電性基板に形成される、＜１＞または＜２＞に記載の弾性波フィルタ。

【0130】

＜４＞
前記第１直列腕共振器を含む複数の直列腕共振器と、
前記第１並列腕共振器を含む複数の並列腕共振器と、を備え、
前記第１並列腕共振器は、前記複数の並列腕共振器のうちで前記第１入出力端子に最も近く接続される、＜１＞または＜２＞に記載の弾性波フィルタ。

【0131】

＜５＞
前記第２弾性波共振子は前記直列腕経路に接続され、前記第１インダクタはグランドに接続される、＜１＞～＜４＞のいずれかに記載の弾性波フィルタ。

【0132】

＜６＞
前記第２弾性波共振子はグランドに接続され、前記第１インダクタは前記直列腕経路に接続される、＜１＞～＜４＞のいずれかに記載の弾性波フィルタ。

【0133】

＜７＞
＜１＞～＜６＞のいずれかに記載の弾性波フィルタと、
帯域通過型の第１フィルタと、
共通端子、第１選択端子および第２選択端子を有し、前記共通端子と前記第１選択端子との接続および前記共通端子と前記第２選択端子との接続を切り替える第１スイッチ回路と、を備え、
前記弾性波フィルタは、前記第１並列腕共振器および弾性波フィルタ部を有し、
前記第１フィルタは、前記第１並列腕共振器および第１フィルタ部を有し、
前記第１並列腕共振器は前記共通端子に接続され、
前記弾性波フィルタ部は前記第１選択端子に接続され、
前記第１フィルタ部は前記第２選択端子に接続され、
前記第１共振周波数は、前記弾性波フィルタの通過帯域の低周波端および前記第１フィルタの通過帯域の低周波端のうちの低周波側の低周波端以下であり、前記第１反共振周波数は、前記弾性波フィルタの通過帯域の高周波端および前記第１フィルタの通過帯域の高周波端のうちの高周波側の高周波端以上である、フィルタ回路。

【0134】

＜８＞
＜１＞～＜６＞のいずれかに記載の弾性波フィルタと、
入力端子が前記第１入出力端子に接続された低雑音増幅器と、を備える、高周波モジュール。

【0135】

＜９＞
前記低雑音増幅器に含まれる増幅トランジスタの入力端と前記第１入出力端子とを結ぶ経路には、キャパシタが直列配置されていない、＜８＞に記載の高周波モジュール。

【0136】

＜１０＞
＜７＞に記載のフィルタ回路と、
入力端子が前記共通端子と前記第１並列腕共振器との接続点に接続された低雑音増幅器と、を備える、高周波モジュール。

【0137】

＜１１＞
前記入力端子と前記接続点とを結ぶ経路には、キャパシタが直列配置されていない、＜１０＞に記載の高周波モジュール。

【産業上の利用可能性】

【0138】

本発明は、マルチバンド化された周波数規格に適用できる低損失の弾性波フィルタ、フィルタ回路および高周波モジュールとして、携帯電話などの通信機器に広く利用できる。

【符号の説明】

【0139】

１、１Ａ 弾性波フィルタ
２ 低雑音増幅器
３ フィルタ回路
１１、１２、１３、１４ 直列腕共振子
２０、２０Ａ 並列腕共振器
２１、２２、２３、２４ 並列腕共振子
３１、３４、３５ インダクタ
４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃ フィルタ部
５０、７０ 圧電性基板
５１ 高音速支持基板
５２ 低音速膜
５３ 圧電膜
５４ ＩＤＴ電極
５５、５８ 保護層
５７ 圧電単結晶基板
６０ 弾性波共振子
６０ａ、６０ｂ 櫛形電極
６１ａ、６１ｂ 電極指
６２ａ、６２ｂ バスバー電極
６５ 支持基板
６６ 下部電極
６７ 圧電体層
６８ 上部電極
８０ スイッチ回路
８０ａ 共通端子
８０ｂ、８０ｃ、８０ｄ 選択端子
１００、１００Ｂ 高周波モジュール
１１０、１１１、１１２、１１３、１２０ 入出力端子
１３０ 入力端子
１４０ 出力端子
１８１、１８２、１８３、１８４、１８５、１８６ スイッチ
５４０ 密着層
５４２ 主電極層

【図1】

【図2A】

【図2B】

【図2C】

【図3A】

【図3B】

【図4】

【図5】

【図6A】

【図6B】