特開 2025-12851 配線基板

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2025012851

(43)【公開日】2025-01-24

(54)【発明の名称】配線基板

(51)【国際特許分類】

   H05K 1/02 20060101AFI20250117BHJP

   H05K 3/46 20060101ALI20250117BHJP

【ＦＩ】

H05K1/02 C

H05K3/46 Q

【審査請求】未請求

【請求項の数】6

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023116000

(22)【出願日】2023-07-14

(71)【出願人】

【識別番号】000000158

【氏名又は名称】イビデン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110001896

【氏名又は名称】弁理士法人朝日奈特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】清水 敬介

(72)【発明者】

【氏名】岩田 秀人

【テーマコード（参考）】

5E316

5E338

【Ｆターム（参考）】

5E316AA12

5E316AA32

5E316AA43

5E316CC09

5E316CC10

5E316CC13

5E316CC32

5E316CC37

5E316CC38

5E316CC39

5E316CC40

5E316DD17

5E316DD23

5E316DD24

5E316DD32

5E316DD33

5E316FF03

5E316FF07

5E316FF09

5E316FF10

5E316FF13

5E316FF14

5E316GG15

5E316GG17

5E316GG18

5E316GG22

5E316GG23

5E316GG28

5E316HH32

5E316HH33

5E316JJ01

5E338AA03

5E338AA16

5E338BB14

5E338BB75

5E338EE32

(57)【要約】

【課題】外部要素との接続信頼性が高い配線基板の提供。
【解決手段】実施形態の配線基板１は、第１絶縁層１１と、第１絶縁層１１上に形成される第１導体層１２と、第１導体層１２上及び第１絶縁層１１上に形成される第２絶縁層１３と、第２絶縁層１３を厚さ方向に貫通する第１開口１３１及び第２開口１３２と、
を有している。第１開口１３１の底面には第１導体層１２が露出しており、第２開口１３２の底面には第１導体層１２が露出しておらず、第１開口１３１における側壁面と底面とが第１開口１３１の外側においてなす第１角度θ１の値と、第２開口における側壁面と底面とが第２開口１３２の外側においてなす第２角度θ２の値とは異なっており、第２開口１３２における底面と反対側のトップ径の寸法は、第２開口１３２における底面側のボトム径の寸法よりも大きい。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１絶縁層と、
前記第１絶縁層上に形成される第１導体層と、
前記第１導体層上及び前記第１絶縁層上に形成される第２絶縁層と、
前記第２絶縁層を厚さ方向に貫通する第１開口及び第２開口と、
を有する配線基板であって、
前記第１開口の底面には前記第１導体層が露出しており、
前記第２開口の底面には前記第１導体層が露出しておらず、
前記第１開口における側壁面と底面とが前記第１開口の外側においてなす第１角度の値と、前記第２開口における側壁面と底面とが前記第２開口の外側においてなす第２角度の値とは異なっており、
前記第２開口における底面と反対側のトップ径の寸法は、前記第２開口における底面側のボトム径の寸法よりも大きい。

【請求項2】

請求項１記載の配線基板であって、前記第２絶縁層の上面、前記第１開口の内面、及び、前記第２開口の内面は、外部の部品が搭載されるべき部品搭載領域を有する部品搭載面を構成しており、前記第１開口及び前記第２開口は前記部品搭載領域内に形成されている。

【請求項3】

請求項１記載の配線基板であって、前記第２角度の値は４５度以上、７４度以下であり、前記第１角度の値は７５度以上、１０５度以下である。

【請求項4】

請求項１記載の配線基板であって、前記第１開口における底面側のボトム径の寸法は、前記第１開口における底面と反対側のトップ径の寸法より大きい。

【請求項5】

請求項１記載の配線基板であって、前記第２開口におけるトップ径の寸法は、前記第１開口におけるトップ径の寸法の５倍以上である。

【請求項6】

請求項１記載の配線基板であって、前記第２開口の深さは、１５μｍ以上、４０μｍ以下である。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は配線基板に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、絶縁層、絶縁層上に形成された接続パッド、及び、絶縁層ならびに接続パッド上に形成されるソルダーレジスト、を有する配線基板が開示されている。ソルダーレジストは接続パッドを露出させる開口を備えている。ソルダーレジストに形成された開口の壁面は、ソルダーレジストの厚さ方向における中間の部分で開口の内側に向かって突出する凸部を有しており、接続パッド付近の部分においては開口の外側に向かって凹む凹部を有している。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２００５－２１７０５４号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

特許文献１の配線基板では、ソルダーレジストに形成された開口内へ外部の要素が挿入される際、外部の要素と開口壁面とが干渉することにより、挿入が困難になる場合があると考えられる。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本発明の配線基板は、第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に形成される第１導体層と、前記第１導体層上及び前記第１絶縁層上に形成される第２絶縁層と、前記第２絶縁層を厚さ方向に貫通する第１開口及び第２開口と、を有している。前記第１開口の底面には前記第１導体層が露出しており、前記第２開口の底面には前記第１導体層が露出しておらず、前記第１開口における側壁面と底面とが前記第１開口の外側においてなす第１角度の値と、前記第２開口における側壁面と底面とが前記第２開口の外側においてなす第２角度の値とは異なっており、前記第２開口における底面と反対側のトップ径の寸法は、前記第２開口における底面側のボトム径の寸法よりも大きい。

【0006】

本発明の実施形態によれば、トップ径の寸法がボトム径の寸法よりも大きい第２開口を備え、従って、外部の要素の配線基板に対する搭載が比較的容易に実現可能な配線基板が提供され得る。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】本発明の一実施形態の配線基板の一例を示す断面図。

【図2】図１の配線基板の断面図の部分拡大図。

【図3】図２に示す配線基板の他の例を示す断面図。

【図4A】本発明の一実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図。

【図4B】本発明の一実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図。

【図4C】本発明の一実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図。

【図4D】本発明の一実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図。

【発明を実施するための形態】

【0008】

本発明の一実施形態の配線基板が図面を参照しながら説明される。図１は、一実施形態の配線基板の一例である配線基板１の断面図を示しており、図２は、図１に示される配線基板１の一点鎖線で囲われる部分IIを拡大図で示している。なお、以下、参照される図面においては、各構成要素の正確な比率を示すことは意図されておらず、実施形態の特徴が理解され易いように描かれている。図示される配線基板１は、本実施形態の配線基板の一例に過ぎない。実施形態の配線基板の積層構造、並びに、導体層及び絶縁層それぞれの数は、図示される配線基板１の積層構造、並びに配線基板１に含まれる導体層及び絶縁層それぞれの数に限定されない。

【0009】

図１に示されるように、配線基板１は、第１主面１Ｆ、及び第１主面１Ｆと反対側の第２主面１Ｓを有している。配線基板１は、第１主面１Ｆ及び第２主面１Ｓのうちの少なくとも一方側（図１の例では、第１主面１Ｆ側）に、絶縁層１１、絶縁層１１上に形成され導体パッドＰ１含む導体層１２、及び、導体層１２上に形成されて開口１３１、１３２を備える絶縁層１３を備えている。絶縁層１３はソルダーレジスト層であり得る。詳しくは後述されるように、実施形態の配線基板では、ソルダーレジスト層であり得る絶縁層１３が備える開口１３１、１３２が所定の形状を有する。開口１３１の底面には導体パッドＰ１が露出し、開口１３２の底面には絶縁層１１が露出している。図１の例では、配線基板１は、所謂、多層配線基板である。しかし、実施形態の配線基板は、所謂、両面配線基板であってもよい。

【0010】

図１の例では、配線基板１は、コア基板１００と、コア基板１００の一方の主面（第１面１００Ｆ）上に形成されている第１配線構造１０と、コア基板１００の他方の主面（第２面１００Ｓ）上に形成されている第２配線構造２０と、を含んでいる。

【0011】

なお、本実施形態の配線基板の説明においては、コア基板１００から遠い側を、「上」、「上側」、「外側」、又は「外」と称し、コア基板１００に近い側を、「下」、「下側」、「内側」、又は「内」と称する。また、各構成要素において、コア基板１００と反対側を向く表面は「上面」とも称され、コア基板１００側を向く表面は「下面」とも称される。

【0012】

図１の例では、コア基板１００は、絶縁層（コア絶縁層）１０１と、コア絶縁層１０１の両面に形成された導体層（コア導体層）１０２と、を含んでいる。コア導体層１０２は、所定の導体パターンを有するようにパターニングされている。コア基板１００のコア絶縁層１０１には、コア基板１００における第１面１００Ｆを構成する導体層１０２の導体パターンと、第２面１００Ｓを構成する導体層１０２の導体パターンと、を接続するスルーホール導体１０３が形成されている。筒状のスルーホール導体１０３の内部は、例えば、エポキシ樹脂などの任意の樹脂を含む樹脂体１０４で充填されている。

【0013】

図１の例では、第１配線構造１０は、コア基板１００の第１面１００Ｆ上に交互に積層されている絶縁層及び導体層を含んでいる。具体的には、第１配線構造１０は、コア基板１００の第１面１００Ｆ上に複数の絶縁層１１及び導体層１２、並びに絶縁層１３が積層された多層配線構造を有している。絶縁層１１はそれぞれビア導体１４を含んでいる。第１配線構造１０の導体層１２のそれぞれは、ビア導体１４に接続されている。第１配線構造１０における絶縁層１３の上面及び開口１３１、１３２の側壁面、最外の導体層１２の露出面（開口１３１の底面）、及び、最外の絶縁層１１の露出面（開口１３２の底面）によって、配線基板１の第１主面１Ｆが構成されている。

【0014】

第１主面１Ｆを構成する最も外側の絶縁層１１は第１絶縁層１１とも称される。第１絶縁層１１上に形成される最も外側の導体層１２は第１導体層１２とも称される。第１導体層１２上に形成される絶縁層１３は第２絶縁層１３とも称される。また、第２絶縁層１３に形成される開口１３１は第１開口１３１とも称され、開口１３２は第２開口１３２とも称される。

【0015】

図１の例では、第２配線構造２０は、コア基板１００の第２面１００Ｓ上に交互に積層されている絶縁層及び導体層を含んでいる。具体的には、第２配線構造２０は、コア基板１００の第２面１００Ｓ側に、複数の絶縁層２１及び導体層２２、並びに絶縁層２３が積層された多層配線構造を有している。絶縁層２１はそれぞれビア導体２４を含んでいる。第２配線構造２０の導体層２２のそれぞれはビア導体２４に接続されている。図示の例では、絶縁層２３には開口２３１が形成されており、開口２３１の底面には、最外の導体層２２が露出している。第２配線構造２０の最外の絶縁層２３の上面、開口２３１の側壁面、及び、導体層２２の露出面によって、配線基板１の第２主面１Ｓが構成されている。

【0016】

配線基板１を構成する絶縁層１０１、１１、２１、はそれぞれ、例えばエポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）又はフェノール樹脂などの絶縁性樹脂を用いて形成され得る。各絶縁層１０１、１１、２１は、ガラス繊維などの補強材（芯材）、及び／又は、シリカ、アルミナなどの無機フィラーを含み得る。ソルダーレジスト層であり得る絶縁層１３、２３は、例えば、感光性のエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などを用いて形成され得る。

【0017】

導体層１０２、１２、２２、ビア導体１４、２４、スルーホール導体１０３は、銅又はニッケルなどの任意の金属を用いて形成され、例えば、銅箔などの金属箔、及び／又は、めっきもしくはスパッタリングなどで形成される金属膜によって構成され得る。導体層１０２、１２、２２、ビア導体１４、２４、スルーホール導体１０３は、図１では単層構造で示されているが、２つ以上の金属層を有する多層構造を有し得る。例えば、絶縁層１０１の表面上に形成されている導体層１０２は、金属箔（好ましくは銅箔）、無電解めっき膜（好ましくは無電解銅めっき膜）、及び電解めっき膜（好ましくは電解銅めっき膜）を含む５層構造を有し得る。また、導体層１２、２２、ビア導体１４、２４、スルーホール導体１０３は、例えば、無電解めっき膜及び電解めっき膜を含む２層構造を有し得る。

【0018】

第１配線構造１０が有する導体層１２、及び、第２配線構造２０が有する導体層２２は、所定の導体パターンを有するようにパターニングされている。第１配線構造１０を構成する複数の導体層１２のうち最外の第１導体層１２は、導体パッドＰ１を含んでいる。図１の例では、第２配線構造２０を構成する複数の導体層２２のうち最外の導体層２２は導体パッドＰ２を有している。導体パッドＰ１は、配線基板１の使用時において、配線基板１と接続される電子部品であり得る外部要素Ｅ１の接続パッドＥ１ｐと電気的に接続され得る。すなわち、配線基板１の第１主面１Ｆは外部の電子部品が搭載され得る部品搭載面として構成されている。部品搭載面として構成される第１主面１Ｆは、外部要素Ｅ１が搭載される領域として部品搭載領域ＥＡを備えている。なお、第２主面１Ｓに露出する導体パッドＰ２は、配線基板１と、例えば、電子機器のマザーボードや積層構造を有する半導体装置のパッケージ基板などとの接続に用いられ得る。

【0019】

図１においては図示を省略されているが、導体パッドＰ１及び導体パッドＰ２は、その表面に表面処理層を含み得る。導体パッドＰ１、Ｐ２の表面に形成され得る表面処理層は、それぞれ、例えば、導体パッドＰ１、Ｐ２の露出部分の防食処理及び／又は防錆処理によって形成される被膜である。表面処理層によって、導体パッドＰ１、Ｐ２の腐食や酸化などが防がれ得る。導体パッドＰ１、Ｐ２の表面に形成され得る表面処理層は、例えば、導体パッドＰ１、Ｐ２のコア部分とは異なる金属を含む金属被膜や、イミダゾール化合物などの有機物を含む有機被膜である。導体パッドＰ１、Ｐ２のコア部分が銅で形成されている場合、表面処理層は、ニッケル、パラジウム、銀、金、もしくはこれらの合金、又ははんだなどによって形成され得る。

【0020】

底面に第１導体層１２（具体的には、導体パッドＰ１）の上面を露出させる第１開口１３１、及び、底面に絶縁層１１の上面を露出させ第１導体層１２を露出させていない第２開口１３２は、部品搭載領域ＥＡ内に位置するように形成されている。外部要素Ｅ１が配線基板１に接続される際に、第１開口１３１の底面を構成する導体パッドＰ１は、外部要素Ｅ１の接続パッドＥ１ｐと、例えば、はんだボールなどの接続要素を介して接続され得る。一方、外部要素Ｅ１が配線基板１に接続される際、第２開口１３２の内部には外部要素Ｅ１を構成する突出部ＥＰが収容され得る。突出部ＥＰは、例えば、図示されるように、外部要素Ｅ１における接続パッドＥ１ｐが形成されている側に位置する部分であって、接続パッドＥ１ｐよりも配線基板１側に突出した部分である。突出部ＥＰは、例えば、外部要素Ｅ１の主要部分に電気的に接続された受動部品であり得る。このような突出部ＥＰを備える外部要素が配線基板に接続される際には、配線基板の表面と突出部とが干渉（接触）して、外部要素と配線基板との接続が実現され得ない場合がある。実施形態の配線基板では、第２開口１３２が形成されていることで、突出部ＥＰと配線基板１との干渉が回避され、外部要素Ｅ１の配線基板１への搭載が良好に実現され得る。

【0021】

具体的には、外部要素Ｅ１と配線基板１との良好な接続を実現するために、第２開口１３２は、外側から内側に向かって縮径するテーパ形状を有している。すなわち、第２開口１３２の最も外側の部分における（第２絶縁層１３の上面における）径（トップ径）の寸法は第２開口１３２の底面における径（ボトム径）の寸法よりも大きい。第２開口１３２がこのような形状を有することにより、外部要素Ｅ１の配線基板１への接続において、突出部ＥＰと第２開口１３２の側壁面との干渉が効果的に抑制され得る。突出部ＥＰを有する外部要素Ｅ１が比較的容易に搭載される配線基板が実現され得る。

【0022】

なお、便宜上、「縮径」という文言が用いられているが、第２開口１３２の平面視における開口形状は必ずしも円形に限定されない。例えば、平面視において、円形、楕円形、矩形、など、任意の形状を有し得る。「径」は、開口の水平断面における外周上の最長の２点間の距離を意味し、「縮径」は、単に、開口の水平断面における外周上の最長の２点間の距離が小さくなることを意味している。なお「平面視」は、配線基板１をその厚さ方向に沿う視線に沿って見ることを意味している。

【0023】

また、突出部ＥＰが収容され得る第２開口１３２内には導体層１２は露出しておらず、第２開口１３２の底面は第１絶縁層１１で構成されている。これにより、第２開口１３２は配線基板１の厚さ方向において比較的寸法の大きい（比較的深い）開口として構成され得る。従って、配線基板１の厚さ方向における寸法が比較的大きい突出部ＥＰを有する外部要素Ｅ１あっても、その配線基板１への搭載において突出部ＥＰは第２開口１３２内に比較的容易に収容され得る場合がある。比較的大きい突出部ＥＰを有する外部要素Ｅ１と配線基板１との良好な接続が実現され得る場合がある。

【0024】

配線基板１の第１主面１Ｆ側に形成される第１開口１３１及び第２開口１３２の形状について、以下、図２を参照してさらに詳しく説明される。図２に示される断面図は、図１において符号IIで示される一点鎖線で囲まれた第１主面１Ｆの近傍の領域の拡大図である。図示されるように、第１開口１３１の側壁面と底面とが第１開口１３１の外側において角度θ１をなしており、第２開口１３２の側壁面と底面とは第２開口１３２の外側において角度θ２をなしている。角度θ１は第１角度θ１とも称され、角度θ２は第２角度θ２とも称される。

【0025】

導体パッドＰ１を底面に露出させる第１開口１３１は、例えば、外部要素Ｅ１の接続パッドＥ１ｐとの接続に用いられる接続要素をその中に収容して第２絶縁層１３上面における濡れ拡がりを抑制するために、所定の範囲の第１角度θ１を有するように形成され得る。これに比して、第２開口１３２は、外部要素Ｅ１が配線基板１に搭載される際の、突出部ＥＰの第２開口１３２内への収容の容易性などを考慮して、所定の範囲の第２角度θ２を有するように形成される。実施形態の配線基板においては、第２角度θ２の値と第１角度θ１の値とは異なっている。上述されたように、第２開口１３２は外側から内側に向かって縮径しており、第２角度θ２は９０度より小さい。

【0026】

第２開口１３２の第２角度θ２が比較的小さい場合には、外部要素Ｅ１が配線基板１に搭載される際（具体的には、突出部ＥＰが第２開口１３２内に収容される際）、突出部ＥＰと第２開口１３２の側壁面とが干渉する虞が低減され得る。従って、突出部ＥＰの第２開口１３２内における収容されるべき位置への配置が、比較的容易に実現され得る。配線基板１に対しての外部要素Ｅ１の搭載が比較的容易に実現され得る。また、第２角度θ２が比較的大きい場合は、平面方向（第１主面１Ｆの延在方向）における、開口１３２が占める範囲が比較的小さい範囲に限定され得る。従って、接続パッドＥ１ｐと突出部ＥＰが比較的近接して配置されている場合であっても、外部要素Ｅ１の配線基板１への搭載が比較的良好に実現される場合がある。これらの観点から、第２角度θ２は、４５度以上、且つ、７４度以下、の範囲内の値を有し得る。

【0027】

図示されるように、第１開口１３１の底面には第１導体層１２の上面が露出し、第２開口１３２の底面には第１絶縁層１１の上面が露出する。すなわち、第１開口１３１及び第２開口１３２の深さ（配線基板１の厚さ方向の寸法）について、第２開口１３２の深さは第１開口１３１の深さよりも大きい。また、第２開口１３２の深さは、第２絶縁層１３の厚さと略等しい。第２絶縁層１３は、例えば、１５μｍ以上、４０μｍ以下の厚さを有し、従って、第２開口１３２は第２絶縁層１３の厚さと略等しく、１５μｍ以上、４０μｍ以下の深さを有し得る。なお、第２開口１３２の深さｔは、第２絶縁層１３の厚さよりも大きい値を有する場合がある。第２開口１３２の底面は、第１絶縁層１１の上面からさらに内側の第１絶縁層１１の内部で構成される場合がある。この場合、第２開口１３２の底面近傍における側壁面も第１絶縁層１１によって構成される。より深さの大きい第２開口１３２が形成され得る。この構成により、配線基板の厚さ方向における寸法がより大きい突出部ＥＰを収容し得る、より深さｔの大きい第２開口１３２が実現され得る。

【0028】

また、第１開口１３１及び第２開口１３２の平面方向における（即ち、第１主面１Ｆの延在方向における）寸法について、第２開口１３２の径は第１開口１３１の径よりも大きい。具体的には、第２開口１３２のトップ径の寸法は第１開口１３１のトップ径の寸法の５倍以上であり得る。さらに具体的には、第１開口１３１のトップ径が３０μｍ以上、５０μｍ以下の値を有し得るのに対して、第２開口１３２のトップ径は２２０μｍ以上、４５０μｍ以下の値を有し得る。このように、第２開口１３２の平面方向の寸法が、第１開口１３１の平面方向の寸法に比して比較的大きく形成されていることによって、平面方向において比較的大きい寸法の突出部ＥＰを有する外部要素Ｅ１の、配線基板１に対する接続が比較的容易に実現され得る場合がある。

【0029】

図２には、第１開口１３１及び第２開口１３２が、配線基板１の外側から内側に向かって縮径する形状を有する例（すなわち、第１角度θ１及び第２角度θ２が９０度以下である例）が示されたが、第１開口１３１の第１角度θ１は図２に示される例に限定されない。第１角度θ１は９０度以上の値を有しても良い。例えば、第１角度θ１は、７５度以上、且つ、１０５度以下の範囲内の値を有し得る。図３には、第１角度θ１が９０度より大きい例が示されている。すなわち、図示されるように、第１開口１３１は内側から（第１絶縁層１１側から）、外側へ（第２絶縁層１３の上面側へ）向かって縮径している。

【0030】

第１開口１３１がこのように内側から外側に向かって縮径するテーパ形状を有する場合、外部要素Ｅ１の接続パッドＥ１ｐと導体パッドＰ１との間に介在し開口１３１内に収容され得る接続要素の絶縁層１３の上面における濡れ広がりが、より効果的に抑制される場合がある。従って、外部要素Ｅ１が配線基板１に接続される際の、隣接する導体パッドＰ１同士の短絡がより効果的に抑制される場合がある。外部要素Ｅ１と配線基板１との接続信頼性が向上し得る。

【0031】

図１、図２、及び、図３を参照して説明された第１開口１３１並びに第２開口１３２の形状は、詳しくは配線基板の製造方法の説明において後述されるように、ソルダーレジスト層であり得る第２絶縁層１３の形成時に調整され得る。具体的には、例えば、第２絶縁層１３に開口１３１、１３２を形成するフォトリソグラフィ工程における露光及び現像の条件によって調整され得る。

【0032】

実施形態の配線基板は、任意の一般的な配線基板の製造方法によって製造され得る。図４Ａ～図４Ｄを参照して、図１に示される配線基板１が製造される場合を例に、配線基板の製造方法が説明される。先ず、図４Ａに示されるように、コア基板１００が用意される。コア基板１００の用意では、例えば、コア絶縁層１０１の表面に金属箔が設けられた両面銅張積層板が用意される。両面銅張積層板に貫通孔１０３ｏが例えばドリル加工によって形成され、貫通孔１０３ｏの内壁及び金属箔の上面に、例えば無電解めっき膜が形成され、この無電解めっき膜の上に、この無電解めっき膜を給電層として用いて電解めっき膜が形成される。

【0033】

貫通孔１０３ｏの内壁に形成されるスルーホール導体１０３の内側には、例えばエポキシ樹脂を注入することによって、スルーホール導体１０３の内部が樹脂体１０４で充填される。充填された樹脂体１０４が固化された後、樹脂体１０４及び電解めっき膜の上面に、さらに無電解めっき膜及び電解めっき膜が形成される。この結果、図では単層で示されているが、金属箔、無電解めっき膜、電解めっき膜、無電解めっき膜、及び電解めっき膜の５層構造を有する導体層１０２が、絶縁層１０１の両面に形成される。そしてサブトラクティブ法によって導体層１０２をパターニングすることによって所定の導体パターンを備えるコア基板１００が得られる。

【0034】

次いで、図４Ｂに示されるように、コア基板１００の第１面１００Ｆ上に、複数の絶縁層１１及び導体層１２が交互に積層され、第２面１００Ｓ上には、複数の絶縁層２１及び導体層２２が交互に積層される。例えば、コア基板１００に接する各絶縁層１１、２１は、フィルム状の絶縁性樹脂を、コア基板１００上に熱圧着することによって形成され得る。導体層１２、２２は、絶縁層１１、２１に例えばレーザー光によって形成され得る開口を充填するビア導体１４、２４と同時に、セミアディティブ法などの任意の導体パターンの形成方法を用いて形成される。絶縁層１１、２１及び導体層１２、２２の形成が繰り返され、図示されるように、第１面１００Ｆ側の最外の導体層（第１導体層）１２、及び、第２面１００Ｓ側の最外の導体層２２が積層された状態となる。最外の第１導体層１２は、第１導体パッドＰ１を含むパターンに形成される。最外の導体層２１は導体パッドＰ２を含むパターンに形成される。

【0035】

次いで、図４Ｃに示されるように、第１絶縁層１１及び第１導体層１２の表面上に、感光性膜により第２絶縁層１３が形成される。絶縁層２１及び導体層２２の表面上には、感光性膜により絶縁層２３が形成される。絶縁層１３、２３は、例えば感光性の樹脂（例えばエポキシ樹脂）から構成され、スプレーコーティング、カーテンコーティング、又はラミネーションなどによって形成され得る。

【0036】

次いで、図４Ｄに示されるように、開口１３１、１３２が第２絶縁層１３に形成され、開口２３１が絶縁層２３に形成される。開口１３１、１３２の形成においては、フォトマスクを使用した光照射による第２絶縁層１３の露光、及び、薬液を使用する現像によって、開口１３１、１３２が形成される。露光には、形成されるべき開口１３１、１３２のパターンに対応した透光部が形成されているフォトマスクが使用され得る。フォトマスクの外側に位置する光源から照射された光がフォトマスクの透光部を通過して絶縁層１３に照射される。絶縁層１３を構成する感光性の樹脂の属性（ポジ／ネガ）に応じて、絶縁層１３の露光された部分が変質する。その後、レジストフィルムのうちの露光された部分（ポジの場合）、又は、露光されなかった部分（ネガの場合）が現像によって除去されることで、第１開口１３１、及び、第２開口１３２が形成される。

【0037】

具体的には、例えば、第２絶縁層１３にネガ型の感光性樹脂が用いられる場合、第２絶縁層１３における第１開口１３１及び第２開口１３２の形成においては、開口１３１、１３２が形成されるべき領域を照射光から遮蔽するパターンを有するフォトマスクが使用され得る。フォトマスクの透光部を通過した照射光は、フォトマスクから離れるにしたがって（第１絶縁層１１に近づくにしたがって）回折により平面方向に拡がり得る。すなわち、絶縁層１３において露光の影響により変質する部分が、絶縁層１１に近づくにしたがって平面方向に拡大する。従って、続く現像工程で露光されずに変質していない部分が除去されることにより、外側から内側に向かって縮径する開口１３１、１３２が形成され得る。

【0038】

第１開口１３１の第１角度θ１、及び、第２開口１３２の第２角度θ２（図２参照）は、露光の条件、並びに、現像処理の条件などによって調整され得る。例えば、上述のように第２絶縁層１３にネガ型の感光性樹脂が用いられる場合には、露光に使用されるフォトマスクの、遮蔽部分（開口１３１、１３２が形成されるべき位置）周縁に位置する透光部における光透過率が調整され得る。遮蔽部分周縁に位置する透光部における光透過率を異ならせることによって、テーパ角の異なる第１開口１３１、第２開口１３２が形成され得る。また、例えば、第１開口１３１における第１角度θ１と第２開口１３２における第２角度θ２（図２参照）とを、それぞれ好ましい大きさの角度に形成するために、第１開口１３１の形成と第２開口１３２の形成とで異なるフォトマスクが使用される場合がある。この場合、第１開口１３１形成用マスクを使用する露光と、第２開口１３２形成用マスクを使用する露光とでは、異なる条件で露光が実施される場合がある。

【0039】

図３に示されるような、内側から外側へ向かって縮径する形状の第１開口１３１を形成する場合にも、その形状は、露光処理の条件、並びに、現像処理の条件の調整によって形成され得る。例えば、フォトマスクの第１開口１３１が形成されるべき位置に対応する遮蔽部分周縁に位置する透光部における光透過率が比較的低くなるように調整されることで、絶縁層１３の露光によって変質しない部分は絶縁層１３の内側に向かうに従って（導体パッドＰ１に近づくにしたがって）広がり得る。従って、現像によって、内側から外側に向かって縮径する第１開口１３１が形成され得る。なお、第２主面１Ｓ側の絶縁層２３にも、絶縁層２３の露光及び現像の工程によって、開口が形成される。第１主面１Ｆ側では、底面に導体パッドＰ１を露出させる第１開口１３１、及び、底面に第１絶縁層１１の上面を露出させる第２開口１３２が形成され、第２主面１Ｓ側では、導体パッドＰ２を底面に露出させる開口２３１が形成された状態となる。配線基板１の形成が完了する。

【0040】

なお、フォトリソグラフィによる開口の形成方法が説明されたが、開口１３１、１３２、２３１の形成方法はこれに限定されない。開口１３１、１３２、２３１は、例えば、硬化された絶縁層１３、２３に対するレーザー光の照射によって形成されてもよい。この場合、特に、形成される開口１３１、１３２の形状は、レーザー光の照射条件（例えば、レーザー径、レーザー強度、等）、並びに、続いて実施され得る薬液を使用するスミア除去処理（デスミア処理）の条件（例えば、薬液濃度、処理温度、処理時間、等）によって調整され得る。

【0041】

開口１３１、１３２、２３１の形成によって露出する導体パッドＰ１、Ｐ２の表面には表面処理層が形成され得る。例えば、スプレーイングによって耐熱性の有機物を塗布することにより、イミダゾール化合物などの有機物を含む有機被膜が形成され得る。又は、例えば、無電解めっきなどによって、ニッケル、パラジウム、金などの金属を析出させることにより金属被膜が形成され得る。開口１３１、１３２、２３１から露出する導体パッドＰ１、Ｐ２には、無電解めっき、半田レベラ、又はスプレーコーティングなどによって、Ａｕ、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、はんだ、又は耐熱性プリフラックスなどからなる表面保護膜（図示せず）が形成されてもよい。

【0042】

実施形態の配線基板は、各図面に例示される構造、並びに、本明細書において例示される構造、形状、及び材料を備えるものに限定されない。例えば、実施形態の配線基板における第１ビルドアップ部１０及び第２ビルドアップ部２０は任意の数の導体層及び絶縁層を含み得る。配線基板は、コア基板を有する態様に限定されず、コアレス基板であってよい。

【符号の説明】

【0043】

１ 配線基板
１００ コア基板
１０１ コア絶縁層
１０２ コア導体層
１０３ スルーホール導体
１１ 絶縁層（第１絶縁層）
１２ 導体層（第１導体層）
１３ 絶縁層（第２絶縁層）
１３１ 開口（第１開口）
１３２ 開口（第２開口）
２３１ 開口
Ｐ１、Ｐ２ 導体パッド
Ｅ１ 外部要素
ＥＰ 突出部
Ｅ１ｐ 接続パッド
θ１ 第１角度
θ２ 第２角度

【図1】

【図2】

【図3】

【図4A】

【図4B】

【図4C】

【図4D】