特開2025-129917縦型電子デバイス用基板およびその製造方法、縦型ショットキーバリアダイオード、縦型電界効果トランジスタ、および絶縁型ゲートバイポーラトランジスタ

発明の名称　縦型電子デバイス用基板およびその製造方法、縦型ショットキーバリアダイオード、縦型電界効果トランジスタ、および絶縁型ゲートバイポーラトランジスタ

出願人　国立大学法人佐賀大学　（識別番号 504209655）

　　　　特許公開件数ランキング 1710 位（6件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 1276 位（6件）（共同出願を含む）

公報番号　特開-2025-129917

公報発行日　2025年9月5

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-P_A1-2025-129917

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