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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2025137464
(43)【公開日】2025-09-19
(54)【発明の名称】回路基板及び回路基板の製造方法
(51)【国際特許分類】
H05K 1/02 20060101AFI20250911BHJP
H01L 23/12 20060101ALI20250911BHJP
H05K 3/46 20060101ALI20250911BHJP
H05K 1/11 20060101ALI20250911BHJP
H05K 3/42 20060101ALI20250911BHJP
【ＦＩ】
H05K1/02 J
H01L23/12 Q
H05K3/46 B
H05K3/46 N
H05K1/11 H
H01L23/12 N
H05K3/42 620B
【審査請求】未請求
【請求項の数】22
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2025033836
(22)【出願日】2025-03-04
(31)【優先権主張番号】10-2024-0032985
(32)【優先日】2024-03-08
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(31)【優先権主張番号】10-2024-0168943
(32)【優先日】2024-11-22
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(71)【出願人】
【識別番号】594023722
【氏名又は名称】サムソン エレクトロ－メカニックス カンパニーリミテッド．
(74)【代理人】
【識別番号】110000051
【氏名又は名称】弁理士法人共生国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】李 亮 制
(72)【発明者】
【氏名】張 晶 フン
(72)【発明者】
【氏名】金 昶 坤
【テーマコード（参考）】
5E316
5E317
5E338
【Ｆターム（参考）】
5E316AA02
5E316AA35
5E316AA43
5E316CC09
5E316CC10
5E316CC31
5E316CC32
5E316CC33
5E316CC34
5E316CC37
5E316CC38
5E316CC39
5E316DD12
5E316DD24
5E316DD32
5E316DD33
5E316EE33
5E316FF07
5E316FF13
5E316FF14
5E316GG15
5E316GG16
5E316GG17
5E316GG22
5E316HH26
5E317AA24
5E317BB02
5E317BB03
5E317BB12
5E317CC32
5E317CC33
5E317CD25
5E317GG14
5E338AA03
5E338AA16
5E338CD40
5E338EE60
(57)【要約】 （修正有）
【課題】回路のデザイン的な制約を減少させ回路パターンを微細化することができる回路基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】回路基板１０Ａは、第１方向に貫通されたビアホール１１０を有する絶縁層１００と、ビアホールを覆うように絶縁層上に配置される第１パッド１２０Ｐと、第１パッド１２０Ｐと離隔して絶縁層上に配置される第１回路配線１２０Ｃと、を有し、第１パッド１２０Ｐ及び第１回路配線１２０Ｃは、それぞれ積層された複数個の金属層を含み、第１パッド１２０Ｐの金属層の数は、第１回路配線の金属層の数より多い。
【選択図】図１
【解決手段】回路基板１０Ａは、第１方向に貫通されたビアホール１１０を有する絶縁層１００と、ビアホールを覆うように絶縁層上に配置される第１パッド１２０Ｐと、第１パッド１２０Ｐと離隔して絶縁層上に配置される第１回路配線１２０Ｃと、を有し、第１パッド１２０Ｐ及び第１回路配線１２０Ｃは、それぞれ積層された複数個の金属層を含み、第１パッド１２０Ｐの金属層の数は、第１回路配線の金属層の数より多い。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１方向に貫通されたビアホールを有する絶縁層と、
前記ビアホールを覆うように前記絶縁層上に配置される第１パッドと、
前記第１パッドと離隔して前記絶縁層上に配置される第１回路配線と、を有し、
前記第１パッド及び前記第１回路配線は、それぞれ積層された複数個の金属層を含み、
前記第１パッドの金属層の数は、前記第１回路配線の金属層の数より多いことを特徴とする回路基板。
前記ビアホールを覆うように前記絶縁層上に配置される第１パッドと、
前記第１パッドと離隔して前記絶縁層上に配置される第１回路配線と、を有し、
前記第１パッド及び前記第１回路配線は、それぞれ積層された複数個の金属層を含み、
前記第１パッドの金属層の数は、前記第１回路配線の金属層の数より多いことを特徴とする回路基板。
【請求項2】
前記第１パッドは、前記第１回路配線より多い電解メッキ層を含むことを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項3】
前記第１パッド及び前記第１回路配線は、それぞれ少なくとも一層の無電解メッキ層を含み、
前記第１回路配線の無電解メッキ層は、前記第１パッドの無電解メッキ層より大きい厚さを有することを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
前記第１回路配線の無電解メッキ層は、前記第１パッドの無電解メッキ層より大きい厚さを有することを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項4】
前記第１パッドは、前記絶縁層上に順次に積層される第１パッドシード層パターン、貫通ビアの延長部、第２パッドシード層パターン、及び第１パッド電解メッキ層パターンを含み、
前記第１回路配線は、前記絶縁層上に順次に積層される第１回路シード層パターン、第２回路シード層パターン、及び第１回路電解メッキ層パターンを含み、
前記貫通ビアの延長部は、前記ビアホールの内壁を覆うように前記第１方向に延長される貫通部の両端から前記第１方向と垂直方向に延長されることを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
前記第１回路配線は、前記絶縁層上に順次に積層される第１回路シード層パターン、第２回路シード層パターン、及び第１回路電解メッキ層パターンを含み、
前記貫通ビアの延長部は、前記ビアホールの内壁を覆うように前記第１方向に延長される貫通部の両端から前記第１方向と垂直方向に延長されることを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項5】
前記延長部は、電解メッキ層パターンであり、
前記第１パッドシード層パターン、前記第２パッドシード層パターン、前記第１回路シード層パターン、及び前記第２回路シード層パターンは、無電解メッキ層パターンであることを特徴とする請求項４に記載の回路基板。
前記第１パッドシード層パターン、前記第２パッドシード層パターン、前記第１回路シード層パターン、及び前記第２回路シード層パターンは、無電解メッキ層パターンであることを特徴とする請求項４に記載の回路基板。
【請求項6】
前記第１回路電解メッキ層パターンの厚さは、前記第１パッド電解メッキ層パターンの厚さより大きいことを特徴とする請求項４に記載の回路基板。
【請求項7】
前記第２パッドシード層パターンは、前記延長部の側壁を少なくとも一部覆うことを特徴とする請求項４に記載の回路基板。
【請求項8】
前記第１パッド電解メッキ層パターンは、前記延長部の側壁を少なくとも一部覆うことを特徴とする請求項４に記載の回路基板。
【請求項9】
前記貫通部は、内部に前記第１方向に貫通される中空部を含むことを特徴とする請求項４に記載の回路基板。
【請求項10】
前記中空部を満たし、前記絶縁層の表面外側に突出するプラグをさらに有することを特徴とする請求項９に記載の回路基板。
【請求項11】
前記延長部は、前記絶縁層の表面外側に突出した前記プラグの部分を取り囲むことを特徴とする請求項１０に記載の回路基板。
【請求項12】
第１絶縁層を貫通するビアホールを形成する段階と、
前記ビアホールが形成された前記第１絶縁層の表面に第１シード層を形成する段階と、
前記第１シード層上に、前記ビアホール及びその周辺部の前記第１シード層を露出させる第１マスクパターンを形成する段階と、
前記第１マスクパターンによって露出した前記第１シード層上に、内部に中空部を有する貫通ビアを形成する段階と、
前記貫通ビアの中空部を満たす予備プラグを形成する段階と、
前記予備プラグ、前記第１マスクパターン、及び貫通ビアを平坦化する段階と、、
前記平坦化後に残存する前記第１マスクパターンを除去する段階と、
前記第１シード層、前記貫通ビアの前記第１絶縁層上に延長された延長部、及び前記予備プラグが平坦化して形成されたプラグ上に第２シード層を形成する段階と、
前記プラグ及び前記貫通ビアの前記延長部の少なくとも一部分上の前記第２シード層の領域及び前記領域から離隔した前記第２シード層の他の領域を露出させる第２マスクパターンを形成する段階と、
前記第２マスクパターンによって露出した前記第２シード層の領域上に、電解メッキ層パターンを形成する段階と、を有することを特徴とする回路基板の製造方法。
前記ビアホールが形成された前記第１絶縁層の表面に第１シード層を形成する段階と、
前記第１シード層上に、前記ビアホール及びその周辺部の前記第１シード層を露出させる第１マスクパターンを形成する段階と、
前記第１マスクパターンによって露出した前記第１シード層上に、内部に中空部を有する貫通ビアを形成する段階と、
前記貫通ビアの中空部を満たす予備プラグを形成する段階と、
前記予備プラグ、前記第１マスクパターン、及び貫通ビアを平坦化する段階と、、
前記平坦化後に残存する前記第１マスクパターンを除去する段階と、
前記第１シード層、前記貫通ビアの前記第１絶縁層上に延長された延長部、及び前記予備プラグが平坦化して形成されたプラグ上に第２シード層を形成する段階と、
前記プラグ及び前記貫通ビアの前記延長部の少なくとも一部分上の前記第２シード層の領域及び前記領域から離隔した前記第２シード層の他の領域を露出させる第２マスクパターンを形成する段階と、
前記第２マスクパターンによって露出した前記第２シード層の領域上に、電解メッキ層パターンを形成する段階と、を有することを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項13】
前記第２マスクパターンを除去した後に、前記電解メッキ層パターンによって露出した前記第２シード層及び前記第１シード層を除去する段階をさらに有することを特徴とする請求項１２に記載の回路基板の製造方法。
【請求項14】
前記第１絶縁層上に、前記電解メッキ層パターンを埋め込むように第２絶縁層を形成する段階をさらに有することを特徴とする請求項１２に記載の回路基板の製造方法。
【請求項15】
前記電解メッキ層パターンを形成する段階は、前記延長部と段差を有するように前記第２マスクパターンの開口された領域にメッキしてパッド電解メッキ層パターンを形成する段階を含むことを特徴とする請求項１２に記載の回路基板の製造方法。
【請求項16】
前記パッド電解メッキ層パターンを形成する段階は、一端から前記第１シード層上に延長される前記第２シード層の一部を覆うように前記パッド電解メッキ層パターンを形成する段階を含むことを特徴とする請求項１５に記載の回路基板の製造方法。
【請求項17】
前記プラグを形成する段階は、非導電性物質を含んだ前記プラグを形成する段階を含むことを特徴とする請求項１２に記載の回路基板の製造方法。
【請求項18】
前記第１絶縁層上に、銅箔（Ｃｕ－ｆｏｉｌ）層を形成する段階と、をさらに有し、
前記第１シード層を形成する段階は、前記銅箔層上に、前記第１シード層を形成する段階を含むことを特徴とする請求項１２に記載の回路基板の製造方法。
前記第１シード層を形成する段階は、前記銅箔層上に、前記第１シード層を形成する段階を含むことを特徴とする請求項１２に記載の回路基板の製造方法。
【請求項19】
前記第１絶縁層上に、前記銅箔層、前記第１シード層、前記貫通ビアの前記延長部、前記第２シード層、及び前記電解メッキ層を順次に積層して第１パッドを形成する段階をさらに有することを特徴とする請求項１８に記載の回路基板の製造方法。
【請求項20】
前記第１絶縁層上に、前記銅箔層、前記第１シード層、前記第２シード層、及び前記電解メッキ層を順次に積層して第１回路配線を形成する段階をさらに有することを特徴とする請求項１８に記載の回路基板の製造方法。
【請求項21】
前記第１シード層を形成する段階は、無電解メッキを通じて前記第１シード層を形成する段階を含むことを特徴とする請求項１２に記載の回路基板の製造方法。
【請求項22】
前記第２シード層を形成する段階は、無電解メッキを通じて前記第２シード層を形成する段階を含むことを特徴とする請求項１２に記載の回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、回路基板及び回路基板の製造方法に関し、特に、回路のデザイン的な制約を減少させ、回路パターンを微細化することができる回路基板及び回路基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
携帯電話機をはじめとするＩＴ分野の電子機器の軽薄短小化するにつれて、回路集積度が高くなり、入力（Ｉｎｐｕｔ）／出力（Ｏｕｔｐｕｔ）の集積回路数が増加してパッケージＰＣＢ（Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ Ｂｏａｒｄｄ）に適用される回路パターンの幅は微細化している。
【0003】
微細回路を配線するためには線幅及び間隔を減らすことが核心技術である。
しかし、メッキ及びエッチングを通じて回路パターンを形成する工程上の理由などにより回路を微細化し難いという問題がある。
しかし、メッキ及びエッチングを通じて回路パターンを形成する工程上の理由などにより回路を微細化し難いという問題がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本発明は上記従来の回路基板における問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、回路のデザイン的な制約を減少させ、回路パターンを微細化することができる回路基板、及び回路基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0005】
上記目的を達成するためになされた本発明による回路基板は、第１方向に貫通されたビアホールを有する絶縁層と、前記ビアホールを覆うように前記絶縁層上に配置される第１パッドと、前記第１パッドと離隔して前記絶縁層上に配置される第１回路配線と、を有し、前記第１パッド及び前記第１回路配線は、それぞれ積層された複数個の金属層を含み、前記第１パッドの金属層の数は、前記第１回路配線の金属層の数より多いことを特徴とする。
【0006】
前記第１パッドは、前記第１回路配線より多い電解メッキ層を含むことが好ましい。
前記第１パッド及び前記第１回路配線は、それぞれ少なくとも一層の無電解メッキ層を含み、前記第１回路配線の無電解メッキ層は、前記第１パッドの無電解メッキ層より大きい厚さを有することが好ましい。
前記第１パッドは、前記絶縁層上に順次に積層される第１パッドシード層パターン、貫通ビアの延長部、第２パッドシード層パターン、及び第１パッド電解メッキ層パターンを含み、前記第１回路配線は、前記絶縁層上に順次に積層される第１回路シード層パターン、第２回路シード層パターン、及び第１回路電解メッキ層パターンを含み、前記貫通ビアの延長部は、前記ビアホールの内壁を覆うように前記第１方向に延長される貫通部の両端から前記第１方向と垂直方向に延長されることが好ましい。
前記延長部は、電解メッキ層パターンであり、前記第１パッドシード層パターン、前記第２パッドシード層パターン、前記第１回路シード層パターン、及び前記第２回路シード層パターンは、無電解メッキ層パターンであることが好ましい。
前記第１回路電解メッキ層パターンの厚さは、前記第１パッド電解メッキ層パターンの厚さより大きいことが好ましい。
前記第２パッドシード層パターンは、前記延長部の側壁を少なくとも一部覆うことが好ましい。
前記第１パッド電解メッキ層パターンは、前記延長部の側壁を少なくとも一部覆うことが好ましい。
前記貫通部は、内部に前記第１方向に貫通される中空部を含むことが好ましい。
前記中空部を満たし、前記絶縁層の表面外側に突出するプラグをさらに有することが好ましい。
前記延長部は、前記絶縁層の表面外側に突出した前記プラグの部分を取り囲むことが好ましい。
前記第１パッド及び前記第１回路配線は、それぞれ少なくとも一層の無電解メッキ層を含み、前記第１回路配線の無電解メッキ層は、前記第１パッドの無電解メッキ層より大きい厚さを有することが好ましい。
前記第１パッドは、前記絶縁層上に順次に積層される第１パッドシード層パターン、貫通ビアの延長部、第２パッドシード層パターン、及び第１パッド電解メッキ層パターンを含み、前記第１回路配線は、前記絶縁層上に順次に積層される第１回路シード層パターン、第２回路シード層パターン、及び第１回路電解メッキ層パターンを含み、前記貫通ビアの延長部は、前記ビアホールの内壁を覆うように前記第１方向に延長される貫通部の両端から前記第１方向と垂直方向に延長されることが好ましい。
前記延長部は、電解メッキ層パターンであり、前記第１パッドシード層パターン、前記第２パッドシード層パターン、前記第１回路シード層パターン、及び前記第２回路シード層パターンは、無電解メッキ層パターンであることが好ましい。
前記第１回路電解メッキ層パターンの厚さは、前記第１パッド電解メッキ層パターンの厚さより大きいことが好ましい。
前記第２パッドシード層パターンは、前記延長部の側壁を少なくとも一部覆うことが好ましい。
前記第１パッド電解メッキ層パターンは、前記延長部の側壁を少なくとも一部覆うことが好ましい。
前記貫通部は、内部に前記第１方向に貫通される中空部を含むことが好ましい。
前記中空部を満たし、前記絶縁層の表面外側に突出するプラグをさらに有することが好ましい。
前記延長部は、前記絶縁層の表面外側に突出した前記プラグの部分を取り囲むことが好ましい。
【0007】
上記目的を達成するためになされた本発明による回路基板の製造方法は、第１絶縁層を貫通するビアホールを形成する段階と、前記ビアホールが形成された前記第１絶縁層の表面に第１シード層を形成する段階と、前記第１シード層上に、前記ビアホール及びその周辺部の前記第１シード層を露出させる第１マスクパターンを形成する段階と、前記第１マスクパターンによって露出した前記第１シード層上に、内部に中空部を有する貫通ビアを形成する段階と、前記貫通ビアの中空部を満たす予備プラグを形成する段階と、前記予備プラグ、前記第１マスクパターン、及び貫通ビアを平坦化する段階と、前記平坦化後に残存する前記第１マスクパターンを除去する段階と、前記第１シード層、前記貫通ビアの前記第１絶縁層上に延長された延長部、及び前記予備プラグが平坦化して形成されたプラグ上に第２シード層を形成する段階と、前記プラグ及び前記貫通ビアの前記延長部の少なくとも一部分上の前記第２シード層の領域及び前記領域から離隔した前記第２シード層の他の領域を露出させる第２マスクパターンを形成する段階と、前記第２マスクパターンによって露出した前記第２シード層の領域上に、電解メッキ層パターンを形成する段階と、を有することを特徴とする。
【0008】
前記第２マスクパターンを除去した後に、前記電解メッキ層パターンによって露出した前記第２シード層及び前記第１シード層を除去する段階をさらに有することが好ましい。
前記第１絶縁層上に、前記電解メッキ層パターンを埋め込むように第２絶縁層を形成する段階をさらに有することが好ましい。
前記電解メッキ層パターンを形成する段階は、前記延長部と段差を有するように前記第２マスクパターンの開口された領域にメッキしてパッド電解メッキ層パターンを形成する段階を含むことが好ましい。
前記パッド電解メッキ層パターンを形成する段階は、一端から前記第１シード層上に延長される前記第２シード層の一部を覆うように前記パッド電解メッキ層パターンを形成する段階を含むことが好ましい。
前記プラグを形成する段階は、非導電性物質を含んだ前記プラグを形成する段階を含むことが好ましい。
前記第１絶縁層上に、銅箔（Ｃｕ－ｆｏｉｌ）層を形成する段階と、をさらに有し、前記第１シード層を形成する段階は、前記銅箔層上に、前記第１シード層を形成する段階を含むことが好ましい。
前記第１絶縁層上に、前記銅箔層、前記第１シード層、前記貫通ビアの前記延長部、前記第２シード層、及び前記電解メッキ層を順次に積層して第１パッドを形成する段階をさらに有することが好ましい。
前記第１絶縁層上に、前記銅箔層、前記第１シード層、前記第２シード層、及び前記電解メッキ層を順次に積層して第１回路配線を形成する段階をさらに有することが好ましい。
前記第１シード層を形成する段階は、無電解メッキを通じて前記第１シード層を形成する段階を含むことが好ましい。
前記第２シード層を形成する段階は、無電解メッキを通じて前記第２シード層を形成する段階を含むことが好ましい。
前記第１絶縁層上に、前記電解メッキ層パターンを埋め込むように第２絶縁層を形成する段階をさらに有することが好ましい。
前記電解メッキ層パターンを形成する段階は、前記延長部と段差を有するように前記第２マスクパターンの開口された領域にメッキしてパッド電解メッキ層パターンを形成する段階を含むことが好ましい。
前記パッド電解メッキ層パターンを形成する段階は、一端から前記第１シード層上に延長される前記第２シード層の一部を覆うように前記パッド電解メッキ層パターンを形成する段階を含むことが好ましい。
前記プラグを形成する段階は、非導電性物質を含んだ前記プラグを形成する段階を含むことが好ましい。
前記第１絶縁層上に、銅箔（Ｃｕ－ｆｏｉｌ）層を形成する段階と、をさらに有し、前記第１シード層を形成する段階は、前記銅箔層上に、前記第１シード層を形成する段階を含むことが好ましい。
前記第１絶縁層上に、前記銅箔層、前記第１シード層、前記貫通ビアの前記延長部、前記第２シード層、及び前記電解メッキ層を順次に積層して第１パッドを形成する段階をさらに有することが好ましい。
前記第１絶縁層上に、前記銅箔層、前記第１シード層、前記第２シード層、及び前記電解メッキ層を順次に積層して第１回路配線を形成する段階をさらに有することが好ましい。
前記第１シード層を形成する段階は、無電解メッキを通じて前記第１シード層を形成する段階を含むことが好ましい。
前記第２シード層を形成する段階は、無電解メッキを通じて前記第２シード層を形成する段階を含むことが好ましい。
【発明の効果】
【0009】
本発明に係る回路基板及び回路基板の製造方法によれば、回路層の金属厚さによる回路のデザイン的な制約を減少させ、回路パターンを微細化することができる。
【図面の簡単な説明】
【0010】
【図1】本発明の実施形態による回路基板の構造を概略的に示す断面図である。
【図3】本発明の実施形態による回路基板の製造方法を説明するための工程断面図である。
【図4】本発明の実施形態による回路基板の製造方法を説明するための工程断面図である。
【図5】本発明の実施形態による回路基板の製造方法を説明するための工程断面図である。
【図6】本発明の実施形態による回路基板の製造方法を説明するための工程断面図である。
【図7】本発明の実施形態による回路基板の製造方法を説明するための工程断面図である。
【図8】本発明の実施形態による回路基板の製造方法を説明するための工程断面図である。
【図9】本発明の実施形態による回路基板の製造方法を説明するための工程断面図である。
【図10】本発明の実施形態による回路基板の製造方法を説明するための工程断面図である。
【図11】本発明の実施形態による回路基板の製造方法を説明するための工程断面図である。
【図12】本発明の実施形態による回路基板の製造方法を説明するための工程断面図である。
【図13】本発明の他の実施形態による回路基板の構造を概略的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0011】
次に、本発明に係る回路基板及び回路基板の製造方法を実施するための形態の具体例を図面を参照しながら説明する。
【0012】
図面で本発明を明確に説明するために説明上不必要な部分は省略しており、明細書全体にわたって同一又は類似の構成要素については、同一の参照符号を付する。
また、添付の図面において一部の構成要素は、誇張されるか省略されるか又は概略的に示されており、各構成要素の大きさは実際の大きさを完全に反映するものではない。
添付した図面は、本明細書に開示された実施形態を理解しやすくするためのものに過ぎず、添付した図面によって本明細書に開示された技術的な思想が制限されず、本発明の思想及び技術範囲に含まれるあらゆる変更、均等物又は代替物を含むものと理解されなければならない。
また、添付の図面において一部の構成要素は、誇張されるか省略されるか又は概略的に示されており、各構成要素の大きさは実際の大きさを完全に反映するものではない。
添付した図面は、本明細書に開示された実施形態を理解しやすくするためのものに過ぎず、添付した図面によって本明細書に開示された技術的な思想が制限されず、本発明の思想及び技術範囲に含まれるあらゆる変更、均等物又は代替物を含むものと理解されなければならない。
【0013】
第１、第２などのように序数を含む用語は、多様な構成要素を説明するために使用することができるが、前記構成要素は前記用語によっては限定されない。
前記用語は一つの構成要素を他の構成要素から区別する目的だけで使用する。
また、層、膜、領域、板などの部分が他の部分の「上に」あるという時、これは他の部分の「直上に」ある場合だけでなく、その中間に他の部分がある場合も含む。
逆にある部分が他の部分の「直上に」あるという時には中間に他の部分がないことを意味する。
また、基準となる部分の「上に」あるというのは基準となる部分の上又は下に位置することであり、必ず重力反対方向の方に「上に」位置することを意味するものではない。
明細書全体で、「含む」又は「有する」等の用語は、明細書上に記載された特徴、数字、ステップ、動作、構成要素、部品又はこれらを組み合わせたものが存在することを指定しようとするものであって、一つ又はそれ以上の他の特徴や数字、ステップ、動作、構成要素、部品又はこれらを組み合わせたものの存在又は付加可能性を予め排除しないものと理解されなければならない。
したがって、ある部分がある構成要素を「含む」という時、これは特に反対される記載がない限り他の構成要素を除外せず、他の構成要素をさらに含む可能性があることを意味する。
前記用語は一つの構成要素を他の構成要素から区別する目的だけで使用する。
また、層、膜、領域、板などの部分が他の部分の「上に」あるという時、これは他の部分の「直上に」ある場合だけでなく、その中間に他の部分がある場合も含む。
逆にある部分が他の部分の「直上に」あるという時には中間に他の部分がないことを意味する。
また、基準となる部分の「上に」あるというのは基準となる部分の上又は下に位置することであり、必ず重力反対方向の方に「上に」位置することを意味するものではない。
明細書全体で、「含む」又は「有する」等の用語は、明細書上に記載された特徴、数字、ステップ、動作、構成要素、部品又はこれらを組み合わせたものが存在することを指定しようとするものであって、一つ又はそれ以上の他の特徴や数字、ステップ、動作、構成要素、部品又はこれらを組み合わせたものの存在又は付加可能性を予め排除しないものと理解されなければならない。
したがって、ある部分がある構成要素を「含む」という時、これは特に反対される記載がない限り他の構成要素を除外せず、他の構成要素をさらに含む可能性があることを意味する。
【0014】
また、明細書全体で、「平面上」という時、これは対象の部分を上から見た時を意味し、「断面上」という時、これは対象の部分を垂直に切断した断面を側から見た時を意味する。
また、明細書全体で、「接続される」という時、これは二つ以上の構成要素が直接的に接続されることだけを意味するものではなく、二つ以上の構成要素が他の構成要素を介して間接的に接続されること、物理的に接続されることだけでなく電気的に接続されること、又は位置や機能によって異なる名称で称されているが、一体であることを意味することもある。
また、明細書全体で、「接続される」という時、これは二つ以上の構成要素が直接的に接続されることだけを意味するものではなく、二つ以上の構成要素が他の構成要素を介して間接的に接続されること、物理的に接続されることだけでなく電気的に接続されること、又は位置や機能によって異なる名称で称されているが、一体であることを意味することもある。
【0015】
以下、図１及び図２を参照して、本発明の実施形態による回路基板１０Ａについて説明する。
図１は、本発明の実施形態による回路基板の構造を概略的に示す断面図であり、図２は、図１に示す回路基板のＡ部分を拡大して示す断面図である。
図１及び図２を参照すると、本発明の実施形態による回路基板１０Ａは、コア層として提供される第１絶縁層１００を含む。
図１は、本発明の実施形態による回路基板の構造を概略的に示す断面図であり、図２は、図１に示す回路基板のＡ部分を拡大して示す断面図である。
図１及び図２を参照すると、本発明の実施形態による回路基板１０Ａは、コア層として提供される第１絶縁層１００を含む。
【0016】
第１絶縁層１００の両面上に第１回路層１２０が配置され、第１回路層１２０は、第１パッド１２０Ｐ及び第１回路配線１２０Ｃを含む。
第１絶縁層１００上に、第１回路層１２０を覆うように第２絶縁層２００が配置される。
第２絶縁層２００上に、第２パッド２２０Ｐ及び第２回路配線２２０Ｃを含む第２回路層２２０が配置される。
第２パッド２２０Ｐは、第２絶縁層２００を貫通する積層ビア２１０を通じて第１パッド１２０Ｐと接続される。
第２絶縁層２００上に保護層３００が配置される。
保護層３００は、内部構成要素を外部の物理的化学的損傷などから保護する。
保護層３００は、第２絶縁層２００の一面を覆い、第２パッド２２０Ｐの少なくとも一部を露出させる。
保護層３００は、感光性樹脂からなってもよく、例えば、ソルダーレジスト層であってもよい。
第１絶縁層１００上に、第１回路層１２０を覆うように第２絶縁層２００が配置される。
第２絶縁層２００上に、第２パッド２２０Ｐ及び第２回路配線２２０Ｃを含む第２回路層２２０が配置される。
第２パッド２２０Ｐは、第２絶縁層２００を貫通する積層ビア２１０を通じて第１パッド１２０Ｐと接続される。
第２絶縁層２００上に保護層３００が配置される。
保護層３００は、内部構成要素を外部の物理的化学的損傷などから保護する。
保護層３００は、第２絶縁層２００の一面を覆い、第２パッド２２０Ｐの少なくとも一部を露出させる。
保護層３００は、感光性樹脂からなってもよく、例えば、ソルダーレジスト層であってもよい。
【0017】
第１絶縁層１００及び第２絶縁層２００は、絶縁材料を含む。
絶縁材料は、エポキシ樹脂のような熱硬化性樹脂、ポリイミドのような熱可塑性樹脂、又はこのような樹脂とともに無機フィラー、有機フィラー及び／又はガラス繊維（Ｇｌａｓｓ Ｆｉｂｅｒ、Ｇｌａｓｓ Ｃｌｏｔｈ、ａｎｄ／ｏｒ Ｇｌａｓｓ Ｆａｂｒｉｃ）を含む材料を含んでもよく、感光性材料及び／又は非感光性材料であってもよい。
一例として、絶縁材料として、ＳＲ（Ｓｏｌｄｅｒ Ｒｅｓｉｓｔ）、ＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ Ｂｕｉｌｄ－ｕｐ Ｆｉｌｍ）、ＦＲ－４、ＢＴ（Ｂｉｓｍａｌｅｉｍｉｄｅ Ｔｒｉａｚｉｎｅ）、ＲＣＣ（Ｒｅｓｉｎ Ｃｏａｔｅｄ Ｃｏｐｐｅｒ）の絶縁材、ＣＣＬ（Ｃｏｐｐｅｒ Ｃｌａｄ Ｌａｍｉｎａｔｅ）の絶縁材などが用いられてもよいが、これに限定されるものではなく、その他高分子素材が含まれてもよい。
例えば、プレプレグ（ｐｒｅｐｒｅｇ）が用いられてもよいが、これに限定されるものではない。
また、図１及び図２では、第１絶縁層１００を一つの層として表しているが、これに限定されるものではなく、薄い層が複数で積層されて第１絶縁層１００を構成することもできる。
絶縁材料は、エポキシ樹脂のような熱硬化性樹脂、ポリイミドのような熱可塑性樹脂、又はこのような樹脂とともに無機フィラー、有機フィラー及び／又はガラス繊維（Ｇｌａｓｓ Ｆｉｂｅｒ、Ｇｌａｓｓ Ｃｌｏｔｈ、ａｎｄ／ｏｒ Ｇｌａｓｓ Ｆａｂｒｉｃ）を含む材料を含んでもよく、感光性材料及び／又は非感光性材料であってもよい。
一例として、絶縁材料として、ＳＲ（Ｓｏｌｄｅｒ Ｒｅｓｉｓｔ）、ＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ Ｂｕｉｌｄ－ｕｐ Ｆｉｌｍ）、ＦＲ－４、ＢＴ（Ｂｉｓｍａｌｅｉｍｉｄｅ Ｔｒｉａｚｉｎｅ）、ＲＣＣ（Ｒｅｓｉｎ Ｃｏａｔｅｄ Ｃｏｐｐｅｒ）の絶縁材、ＣＣＬ（Ｃｏｐｐｅｒ Ｃｌａｄ Ｌａｍｉｎａｔｅ）の絶縁材などが用いられてもよいが、これに限定されるものではなく、その他高分子素材が含まれてもよい。
例えば、プレプレグ（ｐｒｅｐｒｅｇ）が用いられてもよいが、これに限定されるものではない。
また、図１及び図２では、第１絶縁層１００を一つの層として表しているが、これに限定されるものではなく、薄い層が複数で積層されて第１絶縁層１００を構成することもできる。
【0018】
第１及び第２回路層（１２０、２２０）のそれぞれは、回路基板１０Ａ内部の信号を伝達する。
第１及び第２回路層（１２０、２２０）のそれぞれの材料としては、金属物質を用いることができる。
金属物質には、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタニウム（Ｔｉ）、又はこれらの合金などが含まれ得る。
第１及び第２回路層（１２０、２２０）のそれぞれは、グラウンドパターン、パワーパターン、信号パターンなどのような設計デザインによって多様な機能を行う。
これらのパターンは、それぞれライン（ｌｉｎｅ）、プレーン（ｐｌａｎｅ）、又はパッド（ｐａｄ）形態を有する。
複数個の回路層の内の最外層に位置する回路層の場合、他の基板又は部品との接続のためのパッドとして機能することができる。
第１及び第２回路層（１２０、２２０）のそれぞれの材料としては、金属物質を用いることができる。
金属物質には、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタニウム（Ｔｉ）、又はこれらの合金などが含まれ得る。
第１及び第２回路層（１２０、２２０）のそれぞれは、グラウンドパターン、パワーパターン、信号パターンなどのような設計デザインによって多様な機能を行う。
これらのパターンは、それぞれライン（ｌｉｎｅ）、プレーン（ｐｌａｎｅ）、又はパッド（ｐａｄ）形態を有する。
複数個の回路層の内の最外層に位置する回路層の場合、他の基板又は部品との接続のためのパッドとして機能することができる。
【0019】
第１絶縁層１００は、第１方向に貫通されたビアホール１０４を有する。
第１方向は、積層方向である。
貫通ビア１１０は、第１方向に貫通された中空部を有し、ビアホール１０４を満たして延長される。
プラグ１１２は、貫通ビア１１０の中空部を満たし、第１絶縁層１００の表面外側に突出する。
貫通ビア１１０は、ビアホール１０４の内壁を覆うように第１方向に延長される貫通部１１０ａと貫通部１１０ａの両端から第１方向に対し垂直方向に延長され、第１絶縁層１００の表面外側に突出した部分のプラグ１１２を取り囲む延長部１１０ｂを含む。
貫通ビア１１０によって、第１絶縁層１００両面の第１パッド１２０Ｐは、互いに接続される。
第１方向は、積層方向である。
貫通ビア１１０は、第１方向に貫通された中空部を有し、ビアホール１０４を満たして延長される。
プラグ１１２は、貫通ビア１１０の中空部を満たし、第１絶縁層１００の表面外側に突出する。
貫通ビア１１０は、ビアホール１０４の内壁を覆うように第１方向に延長される貫通部１１０ａと貫通部１１０ａの両端から第１方向に対し垂直方向に延長され、第１絶縁層１００の表面外側に突出した部分のプラグ１１２を取り囲む延長部１１０ｂを含む。
貫通ビア１１０によって、第１絶縁層１００両面の第１パッド１２０Ｐは、互いに接続される。
【0020】
貫通ビア１１０及び積層ビア２１０のそれぞれの材料としては、金属物質を用いることができる。
金属物質としては、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタニウム（Ｔｉ）、又はこれらの合金などを用いることができる。
貫通ビア１１０及び積層ビア２１０のそれぞれは、設計デザインによって信号用ビア、グラウンド用ビア、パワー用ビアなどを含み得る。
プラグ１１２は、絶縁性を有するプラッギングインク（Ｐｌｕｇｇｉｎｇ ｉｎｋ）を含んでもよい。
プラグ１１２は、ビアホール１０４内部に空の空間を満たすことによって貫通ビア１１０の酸化を防止することができる。
金属物質としては、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタニウム（Ｔｉ）、又はこれらの合金などを用いることができる。
貫通ビア１１０及び積層ビア２１０のそれぞれは、設計デザインによって信号用ビア、グラウンド用ビア、パワー用ビアなどを含み得る。
プラグ１１２は、絶縁性を有するプラッギングインク（Ｐｌｕｇｇｉｎｇ ｉｎｋ）を含んでもよい。
プラグ１１２は、ビアホール１０４内部に空の空間を満たすことによって貫通ビア１１０の酸化を防止することができる。
【0021】
以下、図１とともに図２を参照して、本発明の実施形態による回路基板１０Ａの第１パッド１２０Ｐ及び第１回路配線１２０Ｃに対してより詳しく説明する。
図１及び図２を参照すると、第１パッド１２０Ｐ及び第１回路配線１２０Ｃは、第１絶縁層１００上に配置され、互いに異なる層構造を有する。
第１パッド１２０Ｐは、貫通ビア１１０の延長部１１０ｂと第１絶縁層１００との間に介在し、第１絶縁層１００上に第１方向に順次に積層された第１パッド銅箔層パターン１０２Ｐ及び第１パッドシード層パターン１０６Ｐを含む。
図１及び図２を参照すると、第１パッド１２０Ｐ及び第１回路配線１２０Ｃは、第１絶縁層１００上に配置され、互いに異なる層構造を有する。
第１パッド１２０Ｐは、貫通ビア１１０の延長部１１０ｂと第１絶縁層１００との間に介在し、第１絶縁層１００上に第１方向に順次に積層された第１パッド銅箔層パターン１０２Ｐ及び第１パッドシード層パターン１０６Ｐを含む。
【0022】
また、第１パッド１２０Ｐは、延長部１１０ｂ上に順次に積層された第２パッドシード層パターン１１４Ｐ及び第１パッド電解メッキ層パターン１１８Ｐを含む。
第２パッドシード層パターン１１４Ｐは、延長部１１０ｂの上面を覆う。
場合によっては、第２パッドシード層パターン１１４Ｐは、延長部１１０ｂの上面を覆い、延長部１１０ｂの側面の少なくとも一部分を覆う。
後述するように、第１パッドシード層パターン１０６Ｐ及び第２パッドシード層パターン１１４Ｐは、無電解メッキで形成された金属層、例えば、Ｃｕ層である。
また、延長部１１０ｂ及び第１パッド電解メッキ層パターン１１８Ｐは、それぞれ電解メッキで第１パッドシード層パターン１０６Ｐ及び第２パッドシード層パターン１１４Ｐ上に形成された金属層、例えば、Ｃｕ層である。
第２パッドシード層パターン１１４Ｐは、延長部１１０ｂの上面を覆う。
場合によっては、第２パッドシード層パターン１１４Ｐは、延長部１１０ｂの上面を覆い、延長部１１０ｂの側面の少なくとも一部分を覆う。
後述するように、第１パッドシード層パターン１０６Ｐ及び第２パッドシード層パターン１１４Ｐは、無電解メッキで形成された金属層、例えば、Ｃｕ層である。
また、延長部１１０ｂ及び第１パッド電解メッキ層パターン１１８Ｐは、それぞれ電解メッキで第１パッドシード層パターン１０６Ｐ及び第２パッドシード層パターン１１４Ｐ上に形成された金属層、例えば、Ｃｕ層である。
【0023】
これに対し、第１回路配線１２０Ｃは、第１絶縁層１００上に順次に積層された第１回路銅箔層パターン１０２Ｃ、第１回路シード層パターン１０６Ｃ、第２回路シード層パターン１１４Ｃ、及び第１回路電解メッキ層パターン１１８Ｃを含む。
第１及び第２回路シード層パターン（１０６Ｃ、１１４Ｃ）は、無電解メッキで形成された金属層、例えば、Ｃｕ層である。
また、第１回路電解メッキ層パターン１１８Ｃは、電解メッキで第２回路シード層パターン１１４Ｃ上に形成された金属層、例えば、Ｃｕ層である。
第１及び第２回路シード層パターン（１０６Ｃ、１１４Ｃ）は、無電解メッキで形成された金属層、例えば、Ｃｕ層である。
また、第１回路電解メッキ層パターン１１８Ｃは、電解メッキで第２回路シード層パターン１１４Ｃ上に形成された金属層、例えば、Ｃｕ層である。
【0024】
第１パッド１２０Ｐは、二つの電解メッキ層（延長部１１０ｂ及び第１パッド電解メッキ層パターン１１８Ｐ）とこれらの間に介在する一つの無電解メッキ層（第２パッドシード層パターン１１４Ｐ）を含む。
これに対し、第１回路配線１２０Ｃは、連続して積層された二つの無電解メッキ層（第１回路シード層パターン１０６Ｃ及び第２回路シード層パターン１１４Ｃ）及び一つの電解メッキ層（第１回路電解メッキ層パターン１１８Ｃ）を含む。
連続して積層された二つの無電解メッキ層（第１回路シード層パターン１０６Ｃ及び第２回路シード層パターン１１４Ｃ）は、一つの層として見えることもある。
この場合、第１回路配線１２０Ｃの無電解メッキ層は、第１パッド１２０Ｐの無電解メッキ層より大きい厚さを有する。
これに対し、第１回路配線１２０Ｃは、連続して積層された二つの無電解メッキ層（第１回路シード層パターン１０６Ｃ及び第２回路シード層パターン１１４Ｃ）及び一つの電解メッキ層（第１回路電解メッキ層パターン１１８Ｃ）を含む。
連続して積層された二つの無電解メッキ層（第１回路シード層パターン１０６Ｃ及び第２回路シード層パターン１１４Ｃ）は、一つの層として見えることもある。
この場合、第１回路配線１２０Ｃの無電解メッキ層は、第１パッド１２０Ｐの無電解メッキ層より大きい厚さを有する。
【0025】
第１パッド１２０Ｐと第１回路配線１２０Ｃとは、実質的に同一の厚さを有するが、後述するように、同一の工程で形成される第１パッド電解メッキ層パターン１１８Ｐ及び第１回路電解メッキ層パターン１１８Ｃは、互いに異なる厚さを有する。
つまり、第１回路電解メッキ層パターン１１８Ｃの厚さは、第１パッド電解メッキ層パターン１１８Ｐの厚さより大きい。
前述した本発明の実施形態による回路基板によれば、回路層の金属厚さによる回路のデザイン的な制約が減少して微細化した回路パターンを実現することができる。
つまり、第１回路電解メッキ層パターン１１８Ｃの厚さは、第１パッド電解メッキ層パターン１１８Ｐの厚さより大きい。
前述した本発明の実施形態による回路基板によれば、回路層の金属厚さによる回路のデザイン的な制約が減少して微細化した回路パターンを実現することができる。
【0026】
【0027】
図３を参照すると、両面に銅箔層１０２が形成された第１絶縁層１００を用意する。
銅箔層１０２は、第１絶縁層１００の両面に銅箔（Ｃｕ－ｆｏｉｌ）を積層して加圧して形成する。
第１絶縁層１００及び銅箔層１０２を貫通するビアホール１０４を形成する。
ビアホール１０４は、レーザ、機械的ドリル加工などによって複数に形成され得る。
銅箔層１０２は、第１絶縁層１００の両面に銅箔（Ｃｕ－ｆｏｉｌ）を積層して加圧して形成する。
第１絶縁層１００及び銅箔層１０２を貫通するビアホール１０４を形成する。
ビアホール１０４は、レーザ、機械的ドリル加工などによって複数に形成され得る。
【0028】
図４を参照すると、ビアホール１０４が形成された第１絶縁層１００の表面に、第１シード層１０６を形成する。
第１シード層１０６は、銅箔層１０２上に、そしてビアホール１０４の内壁上に形成する。
第１シード層１０６は、無電解メッキを通じて銅（Ｃｕ）層で形成する。
第１シード層１０６上に、ビアホール１０４及びその周辺の第１シード層１０６を露出させる第１マスクパターン１０８Ｐを形成する。
第１マスクパターン１０８Ｐは、第１シード層１０６上にビアホール１０４の縁部に沿って位置する領域を露出させる。
第１マスクパターン１０８Ｐは、感光性ドライフィルム（Ｄｒｙ Ｆｉｌｍ）を露光及び現像してパターニングされる。
第１シード層１０６は、銅箔層１０２上に、そしてビアホール１０４の内壁上に形成する。
第１シード層１０６は、無電解メッキを通じて銅（Ｃｕ）層で形成する。
第１シード層１０６上に、ビアホール１０４及びその周辺の第１シード層１０６を露出させる第１マスクパターン１０８Ｐを形成する。
第１マスクパターン１０８Ｐは、第１シード層１０６上にビアホール１０４の縁部に沿って位置する領域を露出させる。
第１マスクパターン１０８Ｐは、感光性ドライフィルム（Ｄｒｙ Ｆｉｌｍ）を露光及び現像してパターニングされる。
【0029】
図５を参照すると、第１マスクパターン１０８Ｐによって露出した第１シード層１０６上に貫通ビア１１０を形成する。
貫通ビア１１０は、ビアホール１０４の内壁上の貫通部１１０ａ、及び貫通部１１０ａと接続され、第１絶縁層１００の上面及び下面上に延長される延長部１１０ｂを含む。
貫通ビア１１０は、第１マスクパターン１０８Ｐをメッキマスクとして用いて露出した第１シード層１０６上に電解メッキを行って形成してもよく、銅（Ｃｕ）からなってもよい。
貫通ビア１１０は、ビアホール１０４の内壁上の貫通部１１０ａ、及び貫通部１１０ａと接続され、第１絶縁層１００の上面及び下面上に延長される延長部１１０ｂを含む。
貫通ビア１１０は、第１マスクパターン１０８Ｐをメッキマスクとして用いて露出した第１シード層１０６上に電解メッキを行って形成してもよく、銅（Ｃｕ）からなってもよい。
【0030】
図６を参照すると、貫通ビア１１０が形成されたビアホール１０４の内部を満たして延長部１１０ｂ上に延長される予備プラグ（Ｐｒｅｌｉｍｉｎａｒｙ Ｐｌｕｇ）１１２Ｐを形成する。
予備プラグ１１２Ｐは、絶縁性インクを印刷して形成する。
予備プラグ１１２Ｐは、絶縁性インクを印刷して形成する。
【0031】
図７を参照すると、貫通ビア１１０の延長部１１０ｂ上に形成された部分の予備プラグ１１２Ｐ、貫通ビア１１０の延長部１１０ｂ、及び第１マスクパターン１０８Ｐを研磨してこれらの表面を平坦化（Ｐｌａｎａｒｉｚａｔｉｏｎ）する。
この過程で延長部１１０ｂ上に延長された部分の予備プラグ１１２Ｐを除去してプラグ１１２を形成する。
また、延長部１１０ｂ及び第１マスクパターン１０８Ｐの厚さは、小さくなることがあり、プラグ１１２、延長部１１０ｂ、及び第１マスクパターン１０８Ｐの表面は、実質的に同一の平面に位置する。
プラグ１１２は、貫通ビア１１０の貫通部１１０ａによって取り囲まれる。
プラグ１１２は、非導電性物質を含んで形成される。
この過程で延長部１１０ｂ上に延長された部分の予備プラグ１１２Ｐを除去してプラグ１１２を形成する。
また、延長部１１０ｂ及び第１マスクパターン１０８Ｐの厚さは、小さくなることがあり、プラグ１１２、延長部１１０ｂ、及び第１マスクパターン１０８Ｐの表面は、実質的に同一の平面に位置する。
プラグ１１２は、貫通ビア１１０の貫通部１１０ａによって取り囲まれる。
プラグ１１２は、非導電性物質を含んで形成される。
【0032】
図８を参照すると、残存する第１マスクパターン１０８Ｐを剥離して除去した後、第１シード層１０６、貫通ビア１１０の延長部１１０ｂ、及びプラグ１１２上に、第２シード層１１４を形成する。
第２シード層１１４は、無電解メッキを通じて銅（Ｃｕ）層で形成する。
第２シード層１１４は、無電解メッキを通じて銅（Ｃｕ）層で形成する。
【0033】
図９を参照すると、第２シード層１１４上に、第２マスクパターン１１６Ｐを形成する。
第２マスクパターン１１６Ｐは、プラグ１１２上の第２シード層１１４及び延長部１１０ｂの少なくとも一部分上の第２シード層１１４を連続して露出させる。
また、第２マスクパターン１１６Ｐは、今後、回路配線が形成される領域の第２シード層１１４を露出させる。
第２マスクパターン１１６Ｐは、感光性ドライフィルム（Ｄｒｙ Ｆｉｌｍ）を露光及び現像してパターニングされる。
第２マスクパターン１１６Ｐは、プラグ１１２上の第２シード層１１４及び延長部１１０ｂの少なくとも一部分上の第２シード層１１４を連続して露出させる。
また、第２マスクパターン１１６Ｐは、今後、回路配線が形成される領域の第２シード層１１４を露出させる。
第２マスクパターン１１６Ｐは、感光性ドライフィルム（Ｄｒｙ Ｆｉｌｍ）を露光及び現像してパターニングされる。
【0034】
図９及び図１０を参照すると、第２マスクパターン１１６Ｐをメッキマスクとして用いて、露出した第２シード層１１４上に、第１パッド電解メッキ層パターン１１８Ｐ及び第１回路電解メッキ層パターン１１８Ｃを形成する。
第１パッド電解メッキ層パターン１１８Ｐ及び第１回路電解メッキ層パターン１１８Ｃは、銅（Ｃｕ）層で形成する。
以降、第２マスクパターン１１６Ｐを剥離して除去する。
一方、図９の第２マスクパターン１１６Ｐが延長部１１０ｂ側壁上に形成された第２シード層１１４から部分的に又は全部離隔するように形成される場合に、第１パッド電解メッキ層パターン１１８Ｐは、延長部１１０ｂ側壁上に形成された第２シード層１１４を部分的に又は全部覆うように形成してもよい（図１３参照）。
第１パッド電解メッキ層パターン１１８Ｐ及び第１回路電解メッキ層パターン１１８Ｃは、銅（Ｃｕ）層で形成する。
以降、第２マスクパターン１１６Ｐを剥離して除去する。
一方、図９の第２マスクパターン１１６Ｐが延長部１１０ｂ側壁上に形成された第２シード層１１４から部分的に又は全部離隔するように形成される場合に、第１パッド電解メッキ層パターン１１８Ｐは、延長部１１０ｂ側壁上に形成された第２シード層１１４を部分的に又は全部覆うように形成してもよい（図１３参照）。
【0035】
図１１を参照すると、第２マスクパターン１１６Ｐを除去した後に、露出した第２シード層１１４、その下部の第１シード層１０６、及び銅箔層１０２を除去して、第１パッド１２０Ｐ及び第１回路配線１２０Ｃを形成する。
結果として、第１パッド１２０Ｐは、第１絶縁層１００上に順次に積層された第１パッド銅箔層パターン１０２Ｐ、第１パッドシード層パターン１０６Ｐ、貫通ビア１１０の延長部１１０ｂ、第２パッドシード層パターン１１４Ｐ、及び第１パッド電解メッキ層パターン１１８Ｐを含む。
第１回路配線１２０Ｃは、第１絶縁層１００上に順次に積層された第１回路銅箔層パターン１０２Ｃ、第１回路シード層パターン１０６Ｃ、第２回路シード層パッドパターン１１４Ｃ、及び第１回路電解メッキ層パターン１１８Ｃを含む。
結果として、第１パッド１２０Ｐは、第１絶縁層１００上に順次に積層された第１パッド銅箔層パターン１０２Ｐ、第１パッドシード層パターン１０６Ｐ、貫通ビア１１０の延長部１１０ｂ、第２パッドシード層パターン１１４Ｐ、及び第１パッド電解メッキ層パターン１１８Ｐを含む。
第１回路配線１２０Ｃは、第１絶縁層１００上に順次に積層された第１回路銅箔層パターン１０２Ｃ、第１回路シード層パターン１０６Ｃ、第２回路シード層パッドパターン１１４Ｃ、及び第１回路電解メッキ層パターン１１８Ｃを含む。
【0036】
第１パッド１２０Ｐは、延長部１１０ｂ及び第１パッド電解メッキ層パターン１１８Ｐ、以上２個の電解メッキ層を含むのに対し、第１回路配線１２０Ｃは、第１回路電解メッキ層パターン１１８Ｃ、以上一つの電解メッキ層を含む。
また、第１パッド１２０Ｐは、電解メッキ層が二つの層の無電解メッキ層の間に介在するように形成するもよいのに対し、第１回路配線１２０Ｃは、全体的に直接接触する二つの層の無電解メッキ層を含むように形成してもよい。
一方、露出した第２シード層１１４、その下部の第１シード層１０６、及び銅箔層１０２は、化学溶液を用いた湿式エッチングを通じて除去するが、エッチング程度や方式によって、延長部１１０ｂの側壁上の第２シード層１１４は、部分的に又は全部除去されてもよい。
例えば、化学溶液が積層方向の垂直方向に噴射される場合、延長部１１０ｂの側壁上の第２シード層１１４は、部分的に残存し得る。
また、第１パッド１２０Ｐは、電解メッキ層が二つの層の無電解メッキ層の間に介在するように形成するもよいのに対し、第１回路配線１２０Ｃは、全体的に直接接触する二つの層の無電解メッキ層を含むように形成してもよい。
一方、露出した第２シード層１１４、その下部の第１シード層１０６、及び銅箔層１０２は、化学溶液を用いた湿式エッチングを通じて除去するが、エッチング程度や方式によって、延長部１１０ｂの側壁上の第２シード層１１４は、部分的に又は全部除去されてもよい。
例えば、化学溶液が積層方向の垂直方向に噴射される場合、延長部１１０ｂの側壁上の第２シード層１１４は、部分的に残存し得る。
【0037】
図１２を参照すると、第１パッド１２０Ｐ及び第１回路配線１２０Ｃが埋込まれるように、第１絶縁層１００上に第２絶縁層２００を形成する。
そして、第２絶縁層２００上に第２パッド２２０Ｐ及び第２回路配線２２０Ｃを形成する。
また、第２絶縁層２００を貫通して、第１パッド１２０Ｐと第２パッド２２０Ｐとを接続する積層ビア（Ｂｕｉｌｄｕｐ Ｖｉａ）２１０を形成する。
第２パッド２２０Ｐ、第２回路配線２２０Ｃ、及び積層ビア２１０は、通常の配線形成工法、例えば、サブトラクティブ法とは（Ｓｕｂｔｒａｃｔｉｖｅ）工法、ＡＰ（Ａｄｄｉｔｉｖｅ Ｐｒｏｃｅｓｓ）、ＳＡＰ（Ｓｅｍｉ Ａｄｄｉｔｉｖｅ Ｐｒｏｃｅｓｓ）、又はＭＳＡＰ（Ｍｏｄｉｆｉｅｄ Ｓｅｍｉ Ａｄｄｉｔｉｖｅ Ｐｒｏｃｅｓｓ）を行って形成され得る。
そして、第２絶縁層２００上に第２パッド２２０Ｐ及び第２回路配線２２０Ｃを形成する。
また、第２絶縁層２００を貫通して、第１パッド１２０Ｐと第２パッド２２０Ｐとを接続する積層ビア（Ｂｕｉｌｄｕｐ Ｖｉａ）２１０を形成する。
第２パッド２２０Ｐ、第２回路配線２２０Ｃ、及び積層ビア２１０は、通常の配線形成工法、例えば、サブトラクティブ法とは（Ｓｕｂｔｒａｃｔｉｖｅ）工法、ＡＰ（Ａｄｄｉｔｉｖｅ Ｐｒｏｃｅｓｓ）、ＳＡＰ（Ｓｅｍｉ Ａｄｄｉｔｉｖｅ Ｐｒｏｃｅｓｓ）、又はＭＳＡＰ（Ｍｏｄｉｆｉｅｄ Ｓｅｍｉ Ａｄｄｉｔｉｖｅ Ｐｒｏｃｅｓｓ）を行って形成され得る。
【0038】
図１２と図１をともに参照すると、第２パッド２２０Ｐ及び第２回路配線２２０Ｃが形成された第２絶縁層２００上に、第２パッド２２０Ｐの一部分を露出させる保護層３００を形成する。
保護層３００は、感光性樹脂を露光及び現像して形成されたソルダーレジスト層である。
本発明の実施形態による回路基板の製造方法によれば、絶縁層に積層された銅箔層及びシード層上にマスクパターンを形成した後、貫通ビアを形成するので、絶縁層上面全体をメッキした後にエッチングして形成する場合に比べて、貫通ビアをさらに微細でかつ精巧に形成することができる。
また、本発明の実施形態による回路基板の製造方法によれば、ＭＳＡＰ工法を用いて回路配線を形成し、貫通ビアとプラグの形成に影響を及ぼすことなく回路配線の金属厚さによる回路のデザイン的な制約を減少させることができ、回路微細化が可能である。
保護層３００は、感光性樹脂を露光及び現像して形成されたソルダーレジスト層である。
本発明の実施形態による回路基板の製造方法によれば、絶縁層に積層された銅箔層及びシード層上にマスクパターンを形成した後、貫通ビアを形成するので、絶縁層上面全体をメッキした後にエッチングして形成する場合に比べて、貫通ビアをさらに微細でかつ精巧に形成することができる。
また、本発明の実施形態による回路基板の製造方法によれば、ＭＳＡＰ工法を用いて回路配線を形成し、貫通ビアとプラグの形成に影響を及ぼすことなく回路配線の金属厚さによる回路のデザイン的な制約を減少させることができ、回路微細化が可能である。
【0039】
以下、本発明の他の実施形態による回路基板１０Ｂ及びその製造方法について説明する。
図１３は、本発明の他の実施形態による回路基板の構造を概略的に示す断面図であり、図１４は、図１３に示す回路基板の部分を拡大して示す断面図であり、図１５は、図１４に示す回路基板の製造方法を説明するための断面図である。
図１３及び図１４を参照すると、本発明の他の実施形態による回路基板１０Ｂは、図１～図１２を参照して説明した本発明の実施形態による回路基板１０Ａと類似している。
同一の構成要素に対する具体的な説明は、省略する。
図１３は、本発明の他の実施形態による回路基板の構造を概略的に示す断面図であり、図１４は、図１３に示す回路基板の部分を拡大して示す断面図であり、図１５は、図１４に示す回路基板の製造方法を説明するための断面図である。
図１３及び図１４を参照すると、本発明の他の実施形態による回路基板１０Ｂは、図１～図１２を参照して説明した本発明の実施形態による回路基板１０Ａと類似している。
同一の構成要素に対する具体的な説明は、省略する。
【0040】
図１３及び図１４を参照すると、本発明の他の実施形態による回路基板１０Ｂは、図１及び図２に示した本発明の実施形態による回路基板１０Ａと異なり、延長部１１０ｂと第１パッド電解メッキ層パターン１１８Ｐが一端で段差を有するように配置される。
第１パッド電解メッキ層パターン１１８Ｐは、積層方向に延長部１１０ｂと重複しない部分を含む。
第１パッド電解メッキ層パターン１１８Ｐは、一端で第１パッド電解メッキ層パターン１１８Ｐから第２パッドシード層パターン１１４Ｐの一部を露出させ、他端で第２パッドシード層パターン１１４Ｐの他の一部を覆うように配置される。
第１パッド電解メッキ層パターン１１８Ｐは、積層方向に延長部１１０ｂと重複しない部分を含む。
第１パッド電解メッキ層パターン１１８Ｐは、一端で第１パッド電解メッキ層パターン１１８Ｐから第２パッドシード層パターン１１４Ｐの一部を露出させ、他端で第２パッドシード層パターン１１４Ｐの他の一部を覆うように配置される。
【0041】
図１５を参照すると、本発明の他の実施形態による回路基板１０Ｂの製造方法は、図３～図１２を参照して説明した本発明の実施形態による回路基板１０Ａの製造方法と類似している。
同一の構成要素に対する具体的な説明は、省略する。
同一の構成要素に対する具体的な説明は、省略する。
【0042】
図１３～図１５を参照すると、本発明の他の実施形態による回路基板１０Ｂの製造方法は、図３～図１２に示した本発明の実施形態による回路基板１０Ａの製造方法と異なり、延長部１１０ｂと第２マスクパターン１１６Ｐの開口された領域の中心が一致しなく、また、第２マスクパターン１１６Ｐの一部が積層方向に延長部１１０ｂと重畳して形成される。
したがって、延長部１１０ｂと段差を有するように第２マスクパターン１１６Ｐの開口された領域にメッキして第２パッドシード層パターン１１４Ｐ及び第１パッド電解メッキ層パターン１１８Ｐを形成することができる。
第２パッドシード層パターン１１４Ｐは、一端で第１パッドシード層パターン１０６Ｐ上に延長されるように形成される。
第１パッド電解メッキ層パターン１１８Ｐは、一端で第１パッドシード層パターン１０６Ｐ上に延長された第２パッドシード層パターン１１４Ｐを覆うように形成される。
したがって、延長部１１０ｂと段差を有するように第２マスクパターン１１６Ｐの開口された領域にメッキして第２パッドシード層パターン１１４Ｐ及び第１パッド電解メッキ層パターン１１８Ｐを形成することができる。
第２パッドシード層パターン１１４Ｐは、一端で第１パッドシード層パターン１０６Ｐ上に延長されるように形成される。
第１パッド電解メッキ層パターン１１８Ｐは、一端で第１パッドシード層パターン１０６Ｐ上に延長された第２パッドシード層パターン１１４Ｐを覆うように形成される。
【0043】
前述した本発明の他の実施形態による回路基板及びその製造方法によれば、ビア電極の延長部と回路層を一つのメッキ工程を通じて同時に形成するものではなく、別途のメッキ工程を通じて別途に形成することによって、ビア電極とプラグの形成に影響を及ぼすことなく回路層の金属厚さによる回路のデザイン的な制約を減少させることができ、回路微細化が可能である。
【0044】
尚、本発明は、上述の実施形態に限られるものではない。本発明の技術的範囲から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。
【符号の説明】
【0045】
１０Ａ、１０Ｂ 回路基板
１００ 第１絶縁層
１０２ 銅箔層
１０２Ｃ 第１回路銅箔層パターン
１０２Ｐ 第１パッド銅箔層パターン
１０４ ビアホール
１０６ 第１シード層
１０６Ｃ 第１回路シード層パターン
１０６Ｐ 第１パッドシード層パターン
１１０ 貫通ビア
１１０ａ 貫通部
１１０ｂ 延長部
１１２ プラグ
１１４ 第２シード層
１１４Ｃ 第２回路シード層パターン
１１４Ｐ 第２パッドシード層パターン
１１８Ｃ 第１回路電解メッキ層パターン
１１８Ｐ 第１パッド電解メッキ層パターン
１２０Ｃ 第１回路配線
１２０Ｐ 第１パッド
２００ 第２絶縁層
２１０ 積層ビア
２２０Ｃ 第２回路配線
２２０Ｐ 第２パッド
３００ 保護層
１００ 第１絶縁層
１０２ 銅箔層
１０２Ｃ 第１回路銅箔層パターン
１０２Ｐ 第１パッド銅箔層パターン
１０４ ビアホール
１０６ 第１シード層
１０６Ｃ 第１回路シード層パターン
１０６Ｐ 第１パッドシード層パターン
１１０ 貫通ビア
１１０ａ 貫通部
１１０ｂ 延長部
１１２ プラグ
１１４ 第２シード層
１１４Ｃ 第２回路シード層パターン
１１４Ｐ 第２パッドシード層パターン
１１８Ｃ 第１回路電解メッキ層パターン
１１８Ｐ 第１パッド電解メッキ層パターン
１２０Ｃ 第１回路配線
１２０Ｐ 第１パッド
２００ 第２絶縁層
２１０ 積層ビア
２２０Ｃ 第２回路配線
２２０Ｐ 第２パッド
３００ 保護層
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】