特開 2025-13750 高出力電気ダイオード上にオーム接触を形成する方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2025013750

(43)【公開日】2025-01-28

(54)【発明の名称】高出力電気ダイオード上にオーム接触を形成する方法

(51)【国際特許分類】

   H10D 8/01 20250101AFI20250121BHJP

   H10D 8/60 20250101ALI20250121BHJP

【ＦＩ】

H01L29/86 301P

H01L29/86 301D

H01L29/86 301M

【審査請求】未請求

【請求項の数】20

【出願形態】ＯＬ

【外国語出願】

(21)【出願番号】P 2024097196

(22)【出願日】2024-06-17

(31)【優先権主張番号】18/348,012

(32)【優先日】2023-07-06

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(71)【出願人】

【識別番号】312014443

【氏名又は名称】エスティマイクロエレクトロニクス インターナショナル エヌ．ヴイ．

(74)【代理人】

【識別番号】100079108

【弁理士】

【氏名又は名称】稲葉 良幸

(74)【代理人】

【識別番号】100109346

【弁理士】

【氏名又は名称】大貫 敏史

(74)【代理人】

【識別番号】100117189

【弁理士】

【氏名又は名称】江口 昭彦

(74)【代理人】

【識別番号】100134120

【弁理士】

【氏名又は名称】内藤 和彦

(74)【代理人】

【識別番号】100126480

【弁理士】

【氏名又は名称】佐藤 睦

(72)【発明者】

【氏名】ラスクナ，シモーネ

(72)【発明者】

【氏名】バダラ，パオロ

(72)【発明者】

【氏名】ベロッキ，ガブリエル

(72)【発明者】

【氏名】プグリージ，ヴァレリア

(57)【要約】      （修正有）

【課題】マージＰＮショットキー（ＭＰＳ）ダイオードの注入領域に電気的に接続するオーム接触を作成する方法を提供する。
【解決手段】ＭＰＳダイオード２００は、電気接点（注入ウェル２３０）を有する半導体ドリフト層２２４の上面上に第１の金属層（アノード端子２２６）を堆積させることを含み、第１の金属層は、レーザ光に対して高反射性である。方法は、電気接点と位置合わせされた第１の金属層の部分上に第２の金属層を堆積させることを更に含み、第２の金属層は、レーザ光を吸収するように選択される。方法は、レーザアニーリングプロセスにおいて第１の金属層及び第２の金属層をレーザ光に曝すことを更に含み、第２の金属層がレーザ光によって実質的に温度が上昇させられる。第２の金属層の温度の上昇により、電気接点と第１の金属層との間にオーム接触２３２が形成される。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

半導体構成要素上にオーム接触を形成する方法であって、
電気接点を含む半導体ドリフト層の上面上に第１の金属層を堆積させることとであって、前記第１の金属層がレーザ光を反射する、第１の金属層を堆積させることと、
前記第１の金属層の部分上に第２の金属層を堆積させることであって、前記第２の金属層が前記電気接点と位置合わせされ、前記第２の金属層が前記レーザ光を吸収する、第２の金属層を堆積させることと、
レーザアニーリングプロセスにおいて前記第１の金属層及び前記第２の金属層を前記レーザ光に曝すことであって、前記第２の金属層が前記レーザ光によって実質的に温度が上昇する、前記第１の金属層及び前記第２の金属層を前記レーザ光に曝すことと、
を含み、
前記温度の上昇により、前記電気接点と前記第１の金属層との間に前記オーム接触が形成される、方法。

【請求項2】

前記半導体構成要素が、マージＰＮショットキーダイオードである、請求項１に記載の方法。

【請求項3】

前記電気接点が、前記半導体ドリフト層の前記上面の注入ウェルである、請求項２に記載の方法。

【請求項4】

前記第２の金属層の前記部分が、前記注入ウェルに直接対向する前記第１の金属層の上面上に配置される、請求項３に記載の方法。

【請求項5】

前記第１の金属層の第１の反射率が、前記第２の金属層の第２の反射率より大きい、請求項４に記載の方法。

【請求項6】

前記注入ウェルがｐ型半導体を含み、前記半導体ドリフト層がｎ型半導体を含む、請求項４に記載の方法。

【請求項7】

前記オーム接触が、前記注入ウェルと電気的コンタクトを形成する、請求項４に記載の方法。

【請求項8】

前記第２の金属層を除去することと、
前記オーム接触上に前面金属を堆積させることと、を更に含む、請求項１に記載の方法。

【請求項9】

前記前面金属が、前記半導体構成要素のアノードである、請求項８に記載の方法。

【請求項10】

前記オーム接触上及び前記オーム接触のすぐ周囲の半導体構成要素エリアを除くすべてのエリアから前記前面金属を除去することを更に含む、請求項８に記載の方法。

【請求項11】

前記前面金属の上及び周囲にパッシベーション層を堆積させることと、
前記パッシベーション層を通して、前記前面金属へのアクセスチャネルをエッチングすることと、を更に含む、請求項１０に記載の方法。

【請求項12】

前記半導体ドリフト層及び前記オーム接触の前記上面上に誘電体層を堆積させることと、
前記オーム接触が露出されるように、前記半導体構成要素の前記半導体ドリフト層の前記上面のすぐ上の前記誘電体層を除去することと、
前記オーム接触及び前記誘電体層上に前面金属を堆積させることと、を更に含む、請求項８に記載の方法。

【請求項13】

前記オーム接触の上及びすぐ周囲の半導体構成要素エリアを除くすべてのエリアから前記前面金属を除去することを更に含む、請求項１２に記載の方法。

【請求項14】

前記前面金属の前記表面上及びすぐ周囲にパッシベーション層を堆積させることと、
前記パッシベーション層を通して、前記前面金属へのアクセスチャネルをエッチングすることと、を更に含む、請求項１３に記載の方法。

【請求項15】

前記パッシベーション層の反対側の前記表面上に後面オーム接触を作成することを更に含み、
後面金属が、前記後面オーム接触と電気的に接触している、請求項１４に記載の方法。

【請求項16】

前記後面オーム接触が、前記半導体構成要素のカソードである、請求項１５に記載の方法。

【請求項17】

前記半導体ドリフト層が、半導体基板上のエピタキシャル成長のプロセスによって形成される、請求項１に記載の方法。

【請求項18】

前記半導体基板と前記半導体ドリフト層との両方がシリコンカーバイドを含む、請求項１７に記載の方法。

【請求項19】

前記第１の金属層がアルミニウムを含む、請求項１に記載の方法。

【請求項20】

前記第２の金属層がチタンを含む、請求項１に記載の方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示の実施形態は、概して、高出力電気ダイオード上にオーム接触を作成することに関し、より詳細には、マージＰＮショットキー（ＭＰＳ）ダイオードの注入領域に電気的に接続するオーム接触を作成することに関する。

【背景技術】

【0002】

ＭＯＳＦＥＴ、ダイオード、ショットキーデバイス、及び他のトランジスタなどの多くの半導体構成要素は、半導体構成要素と金属との間に形成されるコンタクトを必要とする。半導体構成要素の効率を改善するために、オーム接触が最も一般的に形成される。オーム接触は、金属と半導体材料との間の低抵抗の電気的コンタクトの一種を指し、広範囲の電圧及び電流にわたって線形挙動を示す。オーム接触は、金属構成要素と半導体構成要素との間の電流の効率的な伝達を可能にする。

【0003】

オーム接触を利用する１つの特定の用途は、マージＰＮショットキー（ＭＰＳ）ダイオードである。出願人は、半導体と金属との間のオーム接触の形成に関連する多くの技術的課題及び困難性を確認した。適用された努力、創意工夫、及び革新を通して、本出願人は、以下に詳細に説明される、高出力電気ダイオード上のオーム接触の形成に関する問題を解決した。

【発明の概要】

【0004】

様々な実施形態が、半導体構成要素、例えば高出力電気ダイオード上にオーム接触を形成する例示的な方法を対象とする。本開示のいくつかの実施形態によれば、例示的な方法が提供される。いくつかの実施形態では、例示的な方法は、電気接点を含む半導体ドリフト層の上面上に第１の金属層を堆積させることであって、第１の金属層がレーザ光を反射することを含む。本方法は、第１の金属層の部分上に第２の金属層を堆積させることであって、第２の金属層が電気接点と位置合わせされ、第２の金属層がレーザ光を吸収することを更に含む。本方法は、レーザアニーリングプロセスにおいて第１の金属層及び第２の金属層をレーザ光に曝すことであって、第２の金属層がレーザ光によって実質的に温度が上昇することを更に含む。いくつかの実施形態では、温度の上昇により、電気接点と第１の金属層との間にオーム接触が形成される。

【0005】

いくつかの実施形態では、半導体構成要素は、マージＰＮショットキーダイオードである。

【0006】

いくつかの実施形態では、電気接点は、半導体ドリフト層の上面の注入ウェルである。

【0007】

いくつかの実施形態では、第２の金属層の部分は、注入ウェルに直接対向する第１の金属層の上面上に配置される。

【0008】

いくつかの実施形態では、第１の金属層の第１の反射率は、第２の金属層の第２の反射率より大きい。

【0009】

いくつかの実施形態では、注入ウェルはｐ型半導体を含み、半導体ドリフト層はｎ型半導体を含む。

【0010】

いくつかの実施形態では、オーム接触は、注入ウェルと電気的コンタクトを形成する。

【0011】

いくつかの実施形態では、本方法は、第２の金属層を除去することと、オーム接触上に前面金属を堆積させることと、を更に含む場合がある。

【0012】

いくつかの実施形態では、前面金属は、半導体構成要素のアノードである。

【0013】

いくつかの実施形態では、本方法は、オーム接触上及びオーム接触のすぐ周囲の半導体構成要素エリアを除くすべてのエリアから前面金属を除去することを更に含む場合がある。

【0014】

いくつかの実施形態では、本方法は、前面金属の上及び周囲にパッシベーション層を堆積させることと、パッシベーション層を通して、前面金属へのアクセスチャネルをエッチングすることと、を更に含む場合がある。

【0015】

いくつかの実施形態では、本方法は、半導体ドリフト層の上面上及びオーム接触に誘電体層を堆積させることと、オーム接触が露出されるように、半導体構成要素の半導体ドリフト層の上面のすぐ上の誘電体層を除去することと、オーム接触及び誘電体層上に前面金属を堆積させることと、を更に含む場合がある。

【0016】

いくつかの実施形態では、本方法は、オーム接触上及びオーム接触のすぐ周囲の半導体構成要素エリアを除くすべてのエリアから前面金属を除去することを更に含む場合がある。

【0017】

いくつかの実施形態では、本方法は、前面金属の表面上及びすぐ周囲にパッシベーション層を堆積させることと、パッシベーション層を通して、前面金属へのアクセスチャネルをエッチングすることと、を更に含む場合がある。

【0018】

いくつかの実施形態では、本方法は、パッシベーション層の反対側の表面上に後面オーム接触を作成することを更に含む場合があり、後面金属が、後面オーム接触と電気的に接触している。

【0019】

いくつかの実施形態では、後面オーム接触は、半導体構成要素のカソードである。

【0020】

いくつかの実施形態では、半導体ドリフト層は、半導体基板上のエピタキシャル成長のプロセスによって形成される。

【0021】

いくつかの実施形態では、半導体基板と半導体ドリフト層との両方がシリコンカーバイドを含む。

【0022】

いくつかの実施形態では、第１の金属層はアルミニウムを含む。

【0023】

いくつかの実施形態では、第２の金属層はチタンを含む。

【図面の簡単な説明】

【0024】

次に、添付図面を参照する。図に示される構成要素は、本明細書に記載される特定の実施形態において存在している場合も、存在しない場合もある。いくつかの実施形態は、本開示の例示的な実施形態による、図に示されるものよりも少ない（又は多い）構成要素を含んでもよい。

【図1A】半導体構成要素上にオーム接触を作成するための例示的な従来のプロセスを示す図である。

【図1B】半導体構成要素上にオーム接触を作成するための例示的な従来のプロセスを示す図である。

【図1C】半導体構成要素上にオーム接触を作成するための例示的な従来のプロセスを示す図である。

【図1D】半導体構成要素上にオーム接触を作成するための例示的な従来のプロセスを示す図である。

【図1E】半導体構成要素上にオーム接触を作成するための例示的な従来のプロセスを示す図である。

【図1F】半導体構成要素上にオーム接触を作成するための例示的な従来のプロセスを示す図である。

【図1G】半導体構成要素上にオーム接触を作成するための例示的な従来のプロセスを示す図である。

【図2】本開示の１つ又は複数の実施形態による例示的なマージＰＮショットキー（ＭＰＳ）ダイオードの断面図である。

【図3】本開示の１つ又は複数の実施形態による、電気ダイオード上にオーム接触を形成するための例示的なプロセスを示すフローチャートである。

【図4】本開示の１つ又は複数の実施形態による、フィールドプレートエッジ終端を有する電気ダイオード上にオーム接触を形成するための例示的なプロセスを示すフローチャートを示す。

【図5A】本開示の１つ又は複数の実施形態に従って形成された１つ又は複数のオーム接触を有するフィールドプレートエッジ終端を備えたＭＰＳダイオードを製造するための例示的なプロセスの断面図である。

【図5B】本開示の１つ又は複数の実施形態に従って形成された１つ又は複数のオーム接触を有するフィールドプレートエッジ終端を備えたＭＰＳダイオードを製造するための例示的なプロセスの断面図である。

【図5C】本開示の１つ又は複数の実施形態に従って形成された１つ又は複数のオーム接触を有するフィールドプレートエッジ終端を備えたＭＰＳダイオードを製造するための例示的なプロセスの断面図である。

【図5D】本開示の１つ又は複数の実施形態に従って形成された１つ又は複数のオーム接触を有するフィールドプレートエッジ終端を備えたＭＰＳダイオードを製造するための例示的なプロセスの断面図である。

【図5E】本開示の１つ又は複数の実施形態に従って形成された１つ又は複数のオーム接触を有するフィールドプレートエッジ終端を備えたＭＰＳダイオードを製造するための例示的なプロセスの断面図である。

【図5F】本開示の１つ又は複数の実施形態に従って形成された１つ又は複数のオーム接触を有するフィールドプレートエッジ終端を備えたＭＰＳダイオードを製造するための例示的なプロセスの断面図である。

【図5G】本開示の１つ又は複数の実施形態に従って形成された１つ又は複数のオーム接触を有するフィールドプレートエッジ終端を備えたＭＰＳダイオードを製造するための例示的なプロセスの断面図である。

【図5H】本開示の１つ又は複数の実施形態に従って形成された１つ又は複数のオーム接触を有するフィールドプレートエッジ終端を備えたＭＰＳダイオードを製造するための例示的なプロセスの断面図である。

【図5I】本開示の１つ又は複数の実施形態に従って形成された１つ又は複数のオーム接触を有するフィールドプレートエッジ終端を備えたＭＰＳダイオードを製造するための例示的なプロセスの断面図である。

【図5J】本開示の１つ又は複数の実施形態に従って形成された１つ又は複数のオーム接触を有するフィールドプレートエッジ終端を備えたＭＰＳダイオードを製造するための例示的なプロセスの断面図である。

【図5K】本開示の１つ又は複数の実施形態に従って形成された１つ又は複数のオーム接触を有するフィールドプレートエッジ終端を備えたＭＰＳダイオードを製造するための例示的なプロセスの断面図である。

【図5L】本開示の１つ又は複数の実施形態に従って形成された１つ又は複数のオーム接触を有するフィールドプレートエッジ終端を備えたＭＰＳダイオードを製造するための例示的なプロセスの断面図である。

【図5M】本開示の１つ又は複数の実施形態に従って形成された１つ又は複数のオーム接触を有するフィールドプレートエッジ終端を備えたＭＰＳダイオードを製造するための例示的なプロセスの断面図である。

【図5N】本開示の１つ又は複数の実施形態に従って形成された１つ又は複数のオーム接触を有するフィールドプレートエッジ終端を備えたＭＰＳダイオードを製造するための例示的なプロセスの断面図である。

【図5O】本開示の１つ又は複数の実施形態に従って形成された１つ又は複数のオーム接触を有するフィールドプレートエッジ終端を備えたＭＰＳダイオードを製造するための例示的なプロセスの断面図である。

【図5P】本開示の１つ又は複数の実施形態に従って形成された１つ又は複数のオーム接触を有するフィールドプレートエッジ終端を備えたＭＰＳダイオードを製造するための例示的なプロセスの断面図である。

【図5Q】本開示の１つ又は複数の実施形態に従って形成された１つ又は複数のオーム接触を有するフィールドプレートエッジ終端を備えたＭＰＳダイオードを製造するための例示的なプロセスの断面図である。

【図5R】本開示の１つ又は複数の実施形態に従って形成された１つ又は複数のオーム接触を有するフィールドプレートエッジ終端を備えたＭＰＳダイオードを製造するための例示的なプロセスの断面図である。

【図5S】本開示の１つ又は複数の実施形態に従って形成された１つ又は複数のオーム接触を有するフィールドプレートエッジ終端を備えたＭＰＳダイオードを製造するための例示的なプロセスの断面図である。

【図5T】本開示の１つ又は複数の実施形態に従って形成された１つ又は複数のオーム接触を有するフィールドプレートエッジ終端を備えたＭＰＳダイオードを製造するための例示的なプロセスの断面図である。

【図5U】本開示の１つ又は複数の実施形態に従って形成された１つ又は複数のオーム接触を有するフィールドプレートエッジ終端を備えたＭＰＳダイオードを製造するための例示的なプロセスの断面図である。

【図6】本開示の１つ又は複数の実施形態による、フィールドプレートエッジ終端を有していない電気ダイオード上にオーム接触を形成するための例示的なプロセスを示すフローチャートを示す。

【図7A】本開示の１つ又は複数の実施形態に従って形成された１つ又は複数のオーム接触を有するフィールドプレートエッジ終端を有していないＭＰＳダイオードを製造するための例示的なプロセスの断面図である。

【図7B】本開示の１つ又は複数の実施形態に従って形成された１つ又は複数のオーム接触を有するフィールドプレートエッジ終端を有していないＭＰＳダイオードを製造するための例示的なプロセスの断面図である。

【図7C】本開示の１つ又は複数の実施形態に従って形成された１つ又は複数のオーム接触を有するフィールドプレートエッジ終端を有していないＭＰＳダイオードを製造するための例示的なプロセスの断面図である。

【図7D】本開示の１つ又は複数の実施形態に従って形成された１つ又は複数のオーム接触を有するフィールドプレートエッジ終端を有していないＭＰＳダイオードを製造するための例示的なプロセスの断面図である。

【図7E】本開示の１つ又は複数の実施形態に従って形成された１つ又は複数のオーム接触を有するフィールドプレートエッジ終端を有していないＭＰＳダイオードを製造するための例示的なプロセスの断面図である。

【図7F】本開示の１つ又は複数の実施形態に従って形成された１つ又は複数のオーム接触を有するフィールドプレートエッジ終端を有していないＭＰＳダイオードを製造するための例示的なプロセスの断面図である。

【図7G】本開示の１つ又は複数の実施形態に従って形成された１つ又は複数のオーム接触を有するフィールドプレートエッジ終端を有していないＭＰＳダイオードを製造するための例示的なプロセスの断面図である。

【図7H】本開示の１つ又は複数の実施形態に従って形成された１つ又は複数のオーム接触を有するフィールドプレートエッジ終端を有していないＭＰＳダイオードを製造するための例示的なプロセスの断面図である。

【図7I】本開示の１つ又は複数の実施形態に従って形成された１つ又は複数のオーム接触を有するフィールドプレートエッジ終端を有していないＭＰＳダイオードを製造するための例示的なプロセスの断面図である。

【図7J】本開示の１つ又は複数の実施形態に従って形成された１つ又は複数のオーム接触を有するフィールドプレートエッジ終端を有していないＭＰＳダイオードを製造するための例示的なプロセスの断面図である。

【図7K】本開示の１つ又は複数の実施形態に従って形成された１つ又は複数のオーム接触を有するフィールドプレートエッジ終端を有していないＭＰＳダイオードを製造するための例示的なプロセスの断面図である。

【図7L】本開示の１つ又は複数の実施形態に従って形成された１つ又は複数のオーム接触を有するフィールドプレートエッジ終端を有していないＭＰＳダイオードを製造するための例示的なプロセスの断面図である。

【図7M】本開示の１つ又は複数の実施形態に従って形成された１つ又は複数のオーム接触を有するフィールドプレートエッジ終端を有していないＭＰＳダイオードを製造するための例示的なプロセスの断面図である。

【図7N】本開示の１つ又は複数の実施形態に従って形成された１つ又は複数のオーム接触を有するフィールドプレートエッジ終端を有していないＭＰＳダイオードを製造するための例示的なプロセスの断面図である。

【図7O】本開示の１つ又は複数の実施形態に従って形成された１つ又は複数のオーム接触を有するフィールドプレートエッジ終端を有していないＭＰＳダイオードを製造するための例示的なプロセスの断面図である。

【図7P】本開示の１つ又は複数の実施形態に従って形成された１つ又は複数のオーム接触を有するフィールドプレートエッジ終端を有していないＭＰＳダイオードを製造するための例示的なプロセスの断面図である。

【図7Q】本開示の１つ又は複数の実施形態に従って形成された１つ又は複数のオーム接触を有するフィールドプレートエッジ終端を有していないＭＰＳダイオードを製造するための例示的なプロセスの断面図である。

【図7R】本開示の１つ又は複数の実施形態に従って形成された１つ又は複数のオーム接触を有するフィールドプレートエッジ終端を有していないＭＰＳダイオードを製造するための例示的なプロセスの断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0025】

例示的な実施形態は、本開示の発明のすべてではないがいくつかの実施形態が示されている添付の図面を参照して以下でより十分に説明される。しかしながら、本開示の実施形態は、多くの異なる形態で具体化されてもよく、本明細書に記載の実施形態に限定されると解釈されるべきではない。むしろ、これらの実施形態は、本開示が適用可能な法的要件を満たすように提供される。全体を通して、同様の番号は同様の要素を指す。

【0026】

本明細書で使用される場合、「前部」、「後部」、「背後」、「上部」、「垂直」、「水平」、「上方」、「下方」、「上」、「下」などの用語は、任意のグローバル基準座標系を使用する電気ダイオードのローカル基準座標系に対する特定の構成要素又は構成要素の部分の相対位置を説明するために、以下に提供される例において説明目的で使用される。

【0027】

いくつかの例では、デカルト（三軸）基準系が提供される。別段の記載がない限り、概して、正のｙ方向は、「上（up）」、「上方（above）」、又は「上部（on top）」に対応する。逆に、負のｙ方向は、「下（down）」、「下方（below）」、「下（under）」、又は「真下（beneath）」に対応する。

【0028】

様々な例示的な実施形態は、電気構成要素上にオーム接触を形成することに関連する技術的問題に対処する。本開示が関係する分野の当業者によって理解されるように、オーム接触が電気構成要素上に形成され得る多数の例示的なシナリオが存在する。

【0029】

例えば、ＭＯＳＦＥＴ、パワーダイオード、ショットキーダイオード、及び他のトランジスタなどの多くの半導体構成要素は、半導体構成要素と金属との間にコンタクトを形成する必要がある。構成要素の効率を改善するために、オーム接触が最も一般的に形成される。オーム接触は、金属と半導体材料との間の低抵抗の電気的コンタクトの一種を指し、広範囲の電圧及び電流にわたって線形挙動を示す。オーム接触は、金属構成要素と半導体構成要素との間の電流の効率的な伝達を可能にする。

【0030】

オーム接触を利用する１つの特定の用途は、マージＰＮショットキー（ＭＰＳ）ダイオードである。ＭＰＳダイオードは、ショットキーデバイスドリフト層に注入された１つ又は複数の分離された注入領域（又はドープウェル）を含む。一般に、注入領域は、ＭＰＳダイオードのドリフト層（例えば、ｎ型）とは異なる導電型（例えば、ｐ型）である。注入領域は、ショットキーダイオード内に散在するＰＮ型接合をもたらす。その結果、ショットキーダイオードとＰＮ接合ダイオードとの両方の利点を有するダイオードが得られる。利点のいくつかは、より低い漏れ電流、高電力での改善されたサージ電流能力、及び高周波数での改善された性能を含み得る。改善された性能のために、前面コンタクト金属とＭＰＳダイオードのドープウェルの各々との接合部にオーム接触が形成され得る。これらのオーム接触の配置及び効率は、半導体構成要素の全体的な効率において重要な役割を果たす。

【0031】

ここで図１Ａ～図１Ｇを参照すると、オーム接触を作成するための例示的な従来のプロセス１００が示されている。図１Ａに示すように、例示的な従来のプロセス１００は、半導体構成要素１１６のドリフト層１０２の上面上に誘電体１０６を配置することを含み、ドリフト層１０２は、電気的接続が行われ得る複数の電気接点１０４（例えば、ＭＰＳダイオードのドープウェル）を含む。

【0032】

図１Ｂに示すように、マスク１０８は、誘電体１０６の上面上に配置され、下にある半導体構成要素１１６の電気接点１０４と位置合わせされる。マスク１０８を位置合わせすることにより、図１Ｃに示すように、半導体構成要素１１６の電気接点１０４の真上の誘電体１０６を除去することができる。

【0033】

図１Ｄに示されるように、誘電体の薄層がドリフト層１０２の露出部分及び半導体構成要素１１６を画定する電気接点１０４を覆う一方で、誘電体１０６のより厚い層が周囲の表面を覆うように、誘電体１０６材料の追加の層が半導体構成要素１１６の表面上に配置される。

【0034】

図１Ｅに示すように、マスク１１０は、誘電体１０６の表面上に堆積され、マスク１１０の開口部は、誘電体１０６層の下にある電気接点１０４と位置合わせされる。マスク１１０は、電気接点１０４が露出されるように誘電体１０６がエッチングされることを可能にする。

【0035】

図１Ｆに示すように、マスク１１０が除去され、コンタクト金属１１２（例えば、ニッケル）が誘電体１０６の表面全体に堆積され、アニーリングプロセスが実行されてオーム接触が形成される。アニーリングプロセスは、一般に、半導体構成要素１１６を１０００℃以上のアニーリング温度に加熱することを含む。コンタクト金属１１２と電気接点１０４との間の反応を可能にするために、半導体構成要素１１６を高いアニーリング温度に加熱することが必要である。半導体構成要素１１６をアニーリング温度まで加熱することは、ドープされたシリコン電気接点１０４と電気接点１０４におけるコンタクト金属１１２との間のシリサイドの形成を促進し得る。しかしながら、高いアニーリング温度は、コンタクト金属１１２を半導体構成要素１１６の他の部分と反応させ、コンタクト金属１１２の除去を困難にし、半導体構成要素１１６の下にある層を損傷さえする可能性がある。

【0036】

図１Ｇに示されるように、コンタクト金属１１２は、電気接点１０４の真上を除くあらゆる場所で半導体構成要素１１６から除去される。図１Ｇに更に示されるように、シリサイドの形成は、電気接点１０４の各々と電気的に接触するオーム接触１１４をもたらす。半導体構成要素１１６の表面からのコンタクト金属１１２の除去は、特に複雑であり得る。更に、コンタクト金属１１２の除去は、半導体構成要素１１６の下にある層に悪影響を及ぼす可能性がある。

【0037】

図１Ａ～図１Ｇに示される従来のプロセス１００は、いくつかの欠点を有し得る。例えば、オーム接触の形成は、１０００℃以上のアニーリング温度を必要とする。そのような高温は、半導体構成要素の下にある構造に損傷を与える可能性がある。加えて、電気接点と反応し、シリサイドの成長を促進するために使用される金属層（例えば、ニッケル）は、電気接点と直接接触していないあらゆる場所から除去されなければならない。金属層を除去するためのプロセスは複雑であり得る。更に、これらの反応は、電気接点の限界を超えて、半導体構成要素の他のエリアへと拡大する可能性がある。半導体構成要素内へのオーム接触の拡大は、半導体構成要素の性能に悪影響を及ぼす可能性がある。オーム接触のこの拡大は、半導体構成要素の特徴のサイズが縮小し続けるにつれて、更に問題となる。

【0038】

本明細書で説明される様々な例示的な実施形態は、ＭＰＳダイオードなどの半導体構成要素へのオーム接触を作成するために様々な技法を利用する。例えば、いくつかの実施形態では、第１の金属は、１つ又は複数の電気接点を有する半導体構成要素の表面上に堆積される。第１の金属は、レーザから放出された光を反射する第１の金属の能力に基づいて選択することができる。一般に、第１の金属がより反射性であればあるほど、第１の金属は、レーザ光が当たったときに加熱されることが少なくなる。

【0039】

第２の金属もまた、第１の金属の表面上に堆積され得る。いくつかの実施形態において、第２の金属は、オーム接触のための所望の位置に基づいてパターニングされてもよい。例えば、第２の金属は、下にある電気接点と位置合わせされた位置に配置することができる。第２の金属は、第２の金属の吸収特性に基づいて選択することができる。一般に、第２の金属が吸収するレーザからの光が多いほど、第２の金属は熱くなる。オーム接触のための所望の位置においてのみ第２の金属を戦略的にパターニングすることによって、第２の金属、及び下にある第１の金属の部分は、オーム接触のための所望の位置においてのみ温度が著しく上昇する。局所的な温度上昇は、第２の金属と、第１の金属と、下にある半導体接触点との間の反応を促進し、接触点においてシリサイドを形成し、下にある電気接点へのオーム接触を生成することができる。

【0040】

本明細書に記載の例示的な実施形態及びいくつかの例の結果として、特にＭＰＳダイオード上のオーム接触形成の複雑さを大幅に低減することができる。加えて、本明細書で説明される例示的な実施形態は、所望の電気接点の外側のオーム接触の拡大を制限することができる。オーム接触の拡大を制限することは、より高性能の半導体構成要素をもたらし得る。加えて、オーム接触の拡大を制限することは、より小さいサイズでより小さい距離だけ分離された電気接点を有する半導体構成要素上にオーム接触が形成されることを可能にし得る。

【0041】

ここで図２を参照すると、例示的なマージＰＮショットキー（ＭＰＳ）ダイオード２００が提供されている。図２に示すように、例示的なＭＰＳダイオード２００は、上面２２０ａと、この上面２２０ａとは反対側の下面２２０ｂとを有する基板２２０を含む。図２に更に示されるように、例示的なＭＰＳダイオード２００は、基板２２０の上面２２０ａ上に半導体ドリフト層２２４を含み、半導体ドリフト層２２４は、基板２２０とは反対側の上面２２４ａを更に含む。図２のＭＰＳダイオード２００は、半導体ドリフト層２２４の上面２２４ａ上に配置されたアノード端子２２６を更に含み、アノード端子２２６は、半導体ドリフト層２２４の上面２２４ａと共にショットキーダイオード２３４を形成する。図２に更に示すように、ＭＰＳダイオード２００は、半導体ドリフト層２２４の上面２２４ａとアノード端子２２６との接合部に複数の接合障壁要素２２８を含む。各接合障壁要素２２８は、半導体ドリフト層２２４の上面２２４ａに注入された注入ウェル２３０と、アノード端子２２６と注入ウェル２３０との間の電気的接続を形成するオーム接触２３２とを備える。図示されたＭＰＳダイオード２００は、半導体ドリフト層２２４の反対側に、基板２２０の下面２２０ｂに隣接するカソード端子２２２を更に含む。

【0042】

図２に示すように、例示的なＭＰＳダイオード２００は、基板２２０を含む。基板（例えば、ウェハ）２２０は、半導体構成要素（例えば、ＭＰＳダイオード２００）のベース層として機能する任意の半導体材料であってもよい。基板２２０は、シリコン、ゲルマニウム、ガリウムヒ素、窒化ガリウム、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）、又は他の同様の半導体材料を含むことができる。基板２２０は、追加の半導体材料のエピタキシャル成長のためのベース層として機能することができる。エピタキシャル成長を利用して、半導体ドリフト層２２４などの追加の結晶層を基板２２０上に成長させることができる。

【0043】

いくつかの実施形態では、基板２２０は、ＳｉＣを含むことができる。ＳｉＣは、高出力用途において多くの利点を提供することができる。例えば、ＳｉＣベースの半導体構成要素は、熱をより効率的に放散し、より高い周波数に対してより耐性があり、低い逆漏れ電流及び電力損失を有し、広い温度範囲にわたってより安定であり、より低い電磁放射を有し、他の関連する利点を提供することができる。

【0044】

いくつかの実施形態において、基板２２０は、特定の導電型を有する半導体を生成するために、第１のドーパント型によってドープされてもよい。ドーパントは、半導体の導電率を変更するために半導体に意図的に添加される任意の不純物であってもよい。余分な価電子を有するドーパントを基板２２０に加えることにより、ｎ型ドーピングを有する半導体又はｎドープ半導体が生成される。余分な価電子を有するドーパントは、リン、ヒ素、アンチモンなどを含むことができる。価電子が不足している基板２２０にドーパントを添加すると、ｐ型ドーピングを有する半導体又はｐドープ半導体が生成される。価電子不足のドーパントは、ホウ素、アルミニウム、ガリウムなどを含むことができる。図２に示すように、例示的なＭＰＳダイオード２００の基板２２０は、ｎ型半導体基板２２０である。

【0045】

いくつかの実施形態では、基板２２０は、あるドーピング濃度を含むことができる。ドーピング濃度は、真性半導体原子の数に対する半導体基板２２０構造に導入される不純物の数を指すことができる。高いドーピング濃度とは、真性半導体原子の数に対してより多くの不純物が半導体基板２２０に導入されることを意味する。いくつかの実施形態では、基板２２０のドーピング濃度は、半導体ドリフト層２２４のドーピング濃度よりも高くてもよい。

【0046】

図２に更に示すように、例示的なＭＰＳダイオード２００は、半導体ドリフト層２２４を含む。半導体ドリフト層２２４は、多数キャリアのドリフトの結果としてアノード端子２２６からカソード端子２２２への電流の流れを可能にするように構成された任意の半導体材料であってもよい。半導体ドリフト層２２４は、ＭＰＳダイオード２００のバリア電圧を超えたときに、アノード端子２２６からカソード端子２２２への電流の流れを可能にする。更に、半導体ドリフト層は、逆方向、例えば、カソード端子２２２からアノード端子への電流の流れを阻止又は制限する。図２に示すように、半導体ドリフト層２２４は、基板２２０と同じドーパント型、例えば、ｎ型半導体である。図２に更に示すように、半導体ドリフト層２２４は、基板２２０とは異なるドーピング濃度を有することができる。例えば、半導体ドリフト層２２４は、基板２２０よりも低いドーピング濃度を有することができる。

【0047】

図２に更に示すように、例示的なＭＰＳダイオード２００は、アノード端子２２６を含む。アノード端子２２６は、電流がＭＰＳダイオード２００に入る際に通るか、又は同等に、電子がＭＰＳダイオード２００から出る際に通る、任意の導電性材料（例えば、前面金属）であってもよい。いくつかの実施形態では、アノード端子２２６は、モリブデン、白金、クロム、タングステン、ニッケル、又は他の同様の導電性材料などの金属又は金属の組合せを含むことができる。いくつかの実施形態では、アノード端子２２６は、接合障壁要素２２８の上に配置されてもよく、外部電源からＭＰＳダイオード２００の注入ウェル２３０への導電経路を提供してもよい。

【0048】

図２に示すように、アノード端子２２６は、半導体ドリフト層２２４の上面２２４ａへの金属コンタクトを提供することができる。アノード端子２２６に接触する半導体ドリフト層２２４の部分は、ショットキーダイオード２３４を形成することができる。ショットキーダイオード２３４は、半導体と金属との接合によって形成される任意の半導体ダイオードであってもよい。一般に、ショットキーダイオード２３４は、順方向電圧が低く、スイッチング動作が非常に速い。したがって、ショットキーダイオード２３４は、高電圧で過熱する可能性が低く、より高い効率で電流を伝達することができ、高周波数で良好に動作することができる。

【0049】

図２に更に示すように、例示的なＭＰＳダイオード２００は、カソード端子２２２を更に含む。カソード端子２２２は、電流がＭＰＳダイオード２００を出る際に通るか、又は同等に、電子がＭＰＳダイオード２００に入る際に通る、任意の導電性材料（例えば、後面金属）であってもよい。いくつかの実施形態では、カソード端子２２２は、モリブデン、白金、クロム、タングステン、ニッケル、又は他の同様の導電性材料などの金属又は金属の組合せを含むことができる。いくつかの実施形態において、カソード端子２２２は、基板２２０の下に、基板の下面２２０ｂに隣接して配置されてもよい。

【0050】

図２に更に示されるように、ＭＰＳダイオード２００は接合障壁要素２２８を含む。接合障壁要素２２８は、接合障壁要素２２８と半導体ドリフト層２２４との間にＰＮ接合が形成されるように変更又はドープされた半導体ドリフト層２２４の上面２２４ａの任意の部分であってもよい。いくつかの実施形態では、接合障壁要素２２８は、注入ウェル２３０（例えば、電気接点）を含んでもよい。注入ウェル２３０は、半導体ドリフト層２２４と反対の導電型を有するドーピング剤でドープされた、半導体ドリフト層２２４の上面２２４ａの領域を含むことができる。図２に示すように、半導体ドリフト層２２４は、ｎ型ドープ半導体であり、注入ウェル２３０は、ｐ型ドープ半導体である。いくつかの実施形態では、注入ウェル２３０は、周囲の半導体ドリフト層２２４よりも高い濃度のドーピングでドープされてもよい。

【0051】

図２に更に示すように、接合障壁要素２２８は、アノード端子２２６と接合障壁要素２２８の注入ウェル２３０との間にオーム接触２３２を含む。オーム接触２３２は、低い接触抵抗及び線形電流－電圧（Ｉ－Ｖ）挙動を有する、金属と半導体との間の任意の電気的コンタクトであってもよい。オーム接触２３２は、アノード端子２２６及び注入ウェル２３０の表面でアニーリングプロセスを実行することによって形成され得る。アニーリングは、接合において半導体（例えば、注入ウェル２３０）と金属（例えば、アノード端子２２６）との間に合金を形成するシリサイドを生成することができ、これは障壁高さを低下させ得る。

【0052】

ここで図３を参照すると、半導体構成要素（例えば、半導体構成要素１１６、ＭＰＳダイオード２００）上にオーム接触（例えば、オーム接触１１４、２３２）を形成するための例示的なプロセス３００が提供されている。ブロック３０２において、第１の金属層が、電気接点（例えば、注入ウェル２３０）を含む半導体ドリフト層（例えば、半導体ドリフト層２２４）の上面上に堆積され、第１の金属層は、第２の金属層の反射率特性と比較して、レーザアニーリングプロセスで使用されるレーザ光に対して高い反射率（例えば、第１の反射率）特性及び低い吸収を示す。

【0053】

本明細書で説明されるように、第１の金属層は、下にある半導体構成要素の半導体ドリフト層とオーム接触を形成するように構成された任意の導電性材料を含む。また、第１の金属層は、レーザアニーリングプロセスにおいて第１の金属層に向けられるレーザ光に対して高反射性となるように構成されている。

【0054】

例えば、図５Ａ～図５Ｕ及び図７Ａ～図７Ｒに示す実施形態に示すように、第１の金属層はアルミニウムを含むことができる。いくつかの実施形態では、第１の金属層は、シリコンドープアルミニウム、ケイ化アルミニウム、又は他の同様の化合物などのアルミニウム化合物を含むことができる。アルミニウムは、特に紫外（ＵＶ）レーザなどのレーザ光に関して高反射性の材料である。レーザ光を反射することによって、第１の金属層の温度は、それほど高反射性ではない材料と比較して、それほど実質的に上昇しない。

【0055】

いくつかの実施形態では、第１の金属層は、物理気相堆積、化学気相堆積、蒸着、スパッタリング堆積、又は別の同様のプロセスを使用して、半導体構成要素の表面上に堆積されてもよい。いくつかの実施形態では、第１の金属層は、ＭＰＳダイオード内の注入ウェルなどの電気接点、及び例えば半導体ドリフト層における露出シリコンの他の部分を含む、半導体構成要素の表面全体を覆うことができる。第１の金属層は、アニーリング又は加熱プロセスを通して、下にある高ドープ電気接点とオーム接触を形成してもよい。そのようなプロセスでは、第１の金属層と電気接点との間の反応が誘発されてもよく、例えば、シリサイドの形成が、アニーリング又は加熱プロセスを通して誘発されてもよい。

【0056】

第１の金属層の温度が、露出されたシリコンの他の部分、例えば半導体ドリフト層で上昇する場合、第１の金属層と下にある半導体構成要素との間で望ましくない反応が生じる可能性がある。したがって、本明細書の実施形態を参照して説明するように、第１の金属層と露出したシリコンの他の部分との間の反応を回避することが望ましい。

【0057】

ブロック３０４において、第２の金属層が第１の金属層の部分上に堆積され、第２の金属層は電気接点と位置合わせされ、第２の金属層はレーザ光を吸収する。第２の金属層は、レーザ光、特にアニーリングにおいて一般的に使用されるレーザ光に曝露されたときの高い吸収特性又は低い反射率（例えば、第２の反射率）に部分的に基づいて選択される。レーザ光を吸収する第２の金属層は、第１の金属層のようなより反射性の材料と比較して、より実質的に温度が上昇する。図５Ａ～図５Ｕ及び図７Ａ～図７Ｒの例示的な実施形態ではチタンとして示されているが、第２の金属層は、第２の金属層と直接接触する部分において第１の金属層の局所的な加熱を可能にすることができる、第１の金属層よりも高い吸収率を有する任意の材料を含むことができる。

【0058】

いくつかの実施形態において、第２の金属層は、第１の金属層の部分上に堆積されてもよい。例えば、第２の金属層は、１つ又は複数の電気接点と位置合わせされ得る。半導体構成要素は、オーム接触を介して電気的コンタクトを受けるように構成された、注入ウェルなどの電気接点を備えることができる。第１の金属層の下にある電気接点と位置合わせされた第２の金属層の部分は、レーザアニーリングプロセス中に第１の金属層と電気接点との間にオーム接触が形成されることを可能にすることができる。

【0059】

ブロック３０６において、第１の金属層及び第２の金属層は、レーザアニーリングプロセスにおいてレーザ光に曝露され、第２の金属層は、レーザ光により温度が上昇し、温度の上昇により、電気接点と第１の金属層との間にオーム接触が形成される。第２の金属層の部分が第１の金属層の下にある電気接点と位置合わせされるように、第２の金属層の部分を第１の金属層上に位置決めすることによって、第２の金属層は、レーザアニーリングプロセス中にオーム接触が電気接点に局在化されることを可能にし得る。（第１の金属層と、第２の金属層によって覆われた第１の金属層の部分とを含む）半導体構成要素の表面が、レーザアニーリングプロセス中にレーザ光に曝露される場合、第２の金属層の部分は、レーザ光を吸収し、温度が上昇する。第２の金属層の温度の上昇は、第２の金属層と下にある電気接点との間の第１の金属層の部分も温度を上昇させ、下にある電気接点との反応を可能にする。オーム接触が、第２の金属層と、第１の金属層と、下にある電気接点との間に形成される。

【0060】

第１の金属層の反射特性に起因して、第２の金属層と接触していない第１の金属層の部分は、第２の金属層と接触している第１の金属層の部分ほど著しく温度が上昇しない。したがって、第１の金属層は、その下にある半導体ドリフト層の露出部分と反応せず、その結果、オーム接触は、第２の金属層の下にある第１の金属層の部分に限定される。

【0061】

ここで図４を参照すると、本開示の１つ又は複数の実施形態によるフィールドプレートエッジ終端構造を利用するパワーダイオードを製造するための例示的なプロセス４００が提供されている。ブロック４０２において、第１の金属層が除去される。いくつかの実施形態では、図３に関連して説明したように、第２の金属層の部分と、下にある第１の金属層と、下にある電気接点との間にオーム接触を形成することができる。第１の金属層は、ウェットエッチング、ドライエッチング、又は半導体上の金属層を除去するための別の同様のプロセスによって除去され得る。いくつかの実施形態において、オーム接触は、マスキングプロセスを用いて保護されてもよい。いくつかの実施形態では、オーム接触が残り、一方で第１の金属層の他の部分が除去されるように、エッチングプロセスが利用されてもよい。

【0062】

ブロック４０４において、半導体ドリフト層及びオーム接触の上面上に誘電体層が堆積される。誘電体層は、半導体構成要素の部分を電気的に絶縁するように構成された任意の絶縁材料であってもよい。誘電体層は、熱酸化、堆積、又は別の同様のプロセスによって半導体構成要素上に形成することができる。いくつかの実施形態では、誘電体層は、酸化ケイ素、窒化ケイ素、又は別の同様の絶縁体を含むことができる。いくつかの実施形態では、誘電体は、半導体構成要素の表面全体に堆積又は成長させることができる。

【0063】

ブロック４０６において、半導体構成要素の半導体ドリフト層の上面のすぐ上の誘電体層が除去され、その結果、オーム接触が露出される。いくつかの実施形態では、半導体構成要素は、アノード端子によって電気的コンタクトが形成され、電流の伝送が生じ得る伝送領域を備えてもよい。例えば、ＭＰＳダイオード（例えば、ＭＰＳダイオード２００）において、伝送領域は、接合障壁要素（例えば、接合障壁要素２２８）と、１つ又は複数のショットキーダイオード（例えば、ショットキーダイオード２３４）を形成するアノード端子（例えば、アノード端子２２６）と半導体ドリフト層（例えば、半導体ドリフト層２２４）との間の接触領域とを含んでもよい。堆積又は成長した誘電体層は、半導体構成要素の伝送領域が露出されるように除去されてもよい。いくつかの実施形態において、誘電体層は、マスキング及びエッチング又は他の同様のプロセスによって除去されてもよい。

【0064】

ブロック４０８において、前面金属がオーム接触及び誘電体層上に堆積される。図２に関連して説明したように、前面金属（例えば、アノード端子２２６）は、電流が半導体構成要素に入る際に通るか、又は同等に電子が半導体構成要素から出る際に通る任意の導電性材料であってもよい。いくつかの実施形態では、前面金属は、モリブデン、白金、クロム、タングステン、チタン、ニッケルなどの複数の層の金属の組合せを含むことができる。いくつかの実施形態では、前面金属は、物理気相堆積、化学気相堆積、蒸着、スパッタリング堆積、又は別の同様のプロセスを使用して半導体構成要素の表面にわたって堆積させることができる。前面金属は、伝送領域の表面を覆い、露出した半導体ドリフト層及びオーム接触と電気的に接触する。

【0065】

ブロック４１０において、前面金属は、オーム接触上及びそのすぐ周囲の電気ダイオードエリアを除くすべての領域から除去される。いくつかの実施形態において、前面金属は、前面金属が半導体構成要素の上面、例えば、露出した半導体ドリフト層及びオーム接触との電気的コンタクトを提供するように残る。更に、前面金属は、誘電体層の一部と重なり合ってもよい。

【0066】

ブロック４１２において、パッシベーション層が、表面上及び前面金属のすぐ周囲に堆積される。パッシベーション層は、半導体構成要素を被覆し、腐食、化学反応性、及び電気的コンタクトから半導体を保護するように構成された任意の材料を含むことができる。パッシベーション層は、熱酸化又は他の同様のプロセスによって形成することができる。いくつかの実施形態では、パッシベーション層は、半導体構成要素の表面全体を覆うことができる。

【0067】

ブロック４１４において、パッシベーション層を貫通して前面金属までアクセスチャネルがエッチングされる。アクセスチャネルは、マスク及びウェット又はドライエッチングプロセスを利用してエッチングすることができる。アクセスチャネルは、パッシベーション層の外側から導電性前面金属へのアクセスを可能にする任意の経路、回廊、ワイヤ、又は開口部であってもよい。

【0068】

ここで図５Ａ～図５Ｕを参照すると、例示的なＭＰＳダイオード上にオーム接触を形成するための例示的なプロセス５００が示されている。図５Ａ～図５Ｕの示された例示的なプロセス５００は、フィールドプレートエッジ終端構造を形成するためのプロセスを更に含む。図５Ａにおいて、半導体構成要素５６８の半導体ドリフト層５２４（例えば、半導体ドリフト層２２４）の表面に、１つ又は複数の重度にドープされた領域（例えば、注入ウェル５３０）が形成される。図５Ａに示すように、重度にドープされた領域は注入ウェル５３０を形成する。図１に関連して説明したように、注入ウェル５３０は、半導体ドリフト層２２４のｎ型ドーピングとは反対のｐ型ドーピングでドープされた半導体ドリフト層５２４の上面５２４ａの領域を含むことができる。更に、いくつかの実施形態では、注入ウェル５３０は、周囲の半導体ドリフト層５２４よりも高い濃度でドープされてもよい。半導体ドリフト層５２４は、基板５２０上にエピタキシャル成長プロセスによって形成することができる。基板５２０は、半導体ドリフト層５２４と同様にｎ型半導体からなる。いくつかの実施形態では、基板５２０は、半導体ドリフト層５２４よりも高い濃度でドープされ得る。いくつかの実施形態では、基板５２０と半導体ドリフト層５２４との両方がシリコンカーバイドを含んでもよい。シリコンカーバイドは、高出力及び／又は高周波デバイスにおいて特に有益であり得る。

【0069】

注入ウェル５３０は、図５Ａに示すように、イオン注入５５２のプロセスによって形成することができる。注入ウェル５３０は、注入ウェル５３０以外のイオンの注入を阻止するマスク５５０と、半導体構成要素５６８の周辺を形成するガードリングとによって画定される。注入ウェル５３０は、半導体ドリフト層５２４と共にＰＮ接合型ダイオードを形成する。ＭＰＳダイオードにおいて、注入ウェル５３０は、高電力下でダイオードにかかる応力の一部を緩和することができる。注入ウェル５３０は、電力が高いときにダイオードを通る電流の一部を運ぶことができる。注入ウェル５３０がない場合、純粋なショットキーダイオードは、過大応力を受け、熱暴走に入る可能性がある。したがって、注入ウェル５３０は、ＭＰＳダイオードがショットキーダイオードとＰＮダイオードとの両方の利点の一部を得ることを可能にする。

【0070】

次に図５Ｂを参照すると、マスク５５０が半導体ドリフト層５２４の上面５２４ａから除去される。

【0071】

図５Ｃに示されるように、半導体構成要素５６８は、半導体ドリフト層５２４内の注入ウェル５３０内のドーパントを活性化するために、アニーリングプロセスを受ける。アニーリングプロセスは、半導体構成要素５６８を高温に曝すことと、半導体構成要素５６８をゆっくりと冷却させることとを含み得る。そのようなアニーリングプロセスは、注入されたイオンを半導体ドリフト層５２４構造の格子サイトに固定し得る。いくつかの実施形態では、イオン注入による損傷は、このプロセス中に修復することができる。

【0072】

図５Ｄに示されるように、アルミニウム層（例えば、第１の金属層）５５４が半導体構成要素５６８上に堆積される。アルミニウム層５５４は、物理気相堆積、化学気相堆積、蒸着、スパッタリング堆積、又は他の同様のプロセスなどのプロセスによって、半導体ドリフト層５２４の上面５２４ａ上に堆積され得る。本明細書で説明するように、アルミニウムはレーザ光を反射するので、第１の金属層としてアルミニウムを選択することができる。したがって、アニーリングプロセスにおいてレーザ光に曝されたときに、アルミニウム層５５４に対する温度の著しい上昇はない。アルミニウムの反射性により、下にある構成要素は、レーザアニーリングプロセス中に保護される。加えて、アルミニウムは、オーム接触（例えば、図５Ｉに示されるようなオーム接触５３２）を生成するために、下層の注入ウェル５３０と反応させられてもよい。

【0073】

図５Ｅに示すように、チタン層５５６がアルミニウム層５５４の上面５５４ａ上に堆積される。チタン層５５６は、物理気相堆積、化学気相堆積、蒸着、スパッタリング堆積、又は他の同様のプロセスなどのプロセスによって、アルミニウム層５５４の上面５５４ａ上に堆積され得る。本明細書で説明するように、チタンは、チタンのレーザ光の吸収に少なくとも部分的に基づいて第２の金属層として選択することができる。レーザ光源に曝露されたときのレーザ光のチタンによる吸収のために、チタン層５５６は、レーザ光源に曝露されたときに温度が上昇する。

【0074】

図５Ｆに示すように、チタン層５５６の上面５５６ａ上にマスク５５８が堆積される。マスク５５８は、チタン層５５６を除去するために利用されるエッチング又は別のプロセス中に除去されることから、マスク５５８の下のチタン層５５６の部分を保護する。図５Ｆに示されるように、マスク５５８は、アルミニウム層５５４の下にある注入ウェル５３０と位置合わせされる。

【0075】

図５Ｇに示すように、半導体構成要素５６８のチタン層５５６は、チタン層５５６がマスク５５８によって保護されている場所を除いて、半導体構成要素５６８の表面から除去される。

【0076】

図５Ｈに示されるように、マスク５５８は半導体構成要素５６８から除去され、アルミニウム層５５４の表面上のマスク５５８によって保護されたチタン層５５６の部分のみを残す。図５ｈに示すように、チタン層５５６の残りの部分は、アルミニウム層５５４の下の半導体ドリフト層５２４内に注入された注入ウェル５３０と位置合わせされる。

【0077】

図５Ｉに示されるように、レーザ５６２は、レーザアニーリングプロセスにおいて、半導体構成要素５６８の表面全体にレーザ光５６４を向ける。レーザアニーリングプロセスを利用して、レーザ光５６４を吸収するように構成された半導体構成要素５６８の部分（例えば、チタン層５５６の部分）を加熱することができる。チタン層５５６によって吸収されるがアルミニウム層５５４によって反射される波長を有するレーザ光５６４を生成することによって、チタン層５５６の残りの部分及びチタン層５５６と接触している、下にあるアルミニウム層５５４の部分で温度が上昇する。しかしながら、チタン層５５６と接していないアルミニウム層５５４の部分は、レーザ光５６４を反射し、実質的に温度が上昇しない。いくつかの実施形態では、紫外線（ＵＶ）レーザ光５６４を放出するレーザ５６２が、レーザアニーリングプロセスを実行するために利用される。そのような実施形態では、ＵＶレーザ光５６４の波長は、２９０ナノメートル～３７０ナノメートルであってもよい。好ましくは３００ナノメートル～３６０ナノメートルであり、より好ましくは、３１０ナノメートル～３５０ナノメートルである。いくつかの実施形態では、チタン層５５６は、波長が３７０ナノメートルを超えて移動するにつれて、レーザ光５６４を次第に反射し始め得る。反射率の増加は、より少ないレーザ光５６４がチタン層５５６によって吸収され、チタン層５６４がオーム接触５３２の形成を容易にするのに十分な温度に達しないことを意味し得る。

【0078】

チタン層５５６及び下にあるアルミニウム層５５４の部分の温度の上昇は、チタン層５５６、アルミニウム層５５４、及び注入ウェル５３０の間で反応が起こることを可能にする。この反応により、チタン層５５６のチタンと、アルミニウム層５５４のアルミニウムと、半導体ドリフト層５２４の注入ウェル５３０との間にオーム接触５３２が形成される。このようなチタン／アルミニウムオーム接触は、ｐ型又はｎ型注入領域のための最もよく知られたオーム接触の１つである。温度の上昇はチタン層５５６の部分の位置に基づいて局所化されるので、実質的に温度が上昇しないアルミニウム層５５４の部分は、下にある半導体と反応しない。

【0079】

図５Ｊに示されるように、アルミニウム層５５４は、半導体構成要素５６８の表面から除去され、チタン層５５６及び下にあるアルミニウム層５５４によって形成されたオーム接触５３２を、注入ウェル５３０の上にそのまま残す。

【0080】

図５Ｋに示すように、誘電体層５６６は、オーム接触５３２を含む半導体ドリフト層５２４の上面５２４ａ上に、熱酸化、堆積、又は他の同様のプロセスによって形成される。

【0081】

図５Ｌに示すように、オーム接触５３２を含む半導体構成要素５６８の真上の誘電体層５６６の部分が露出するように、マスク５５８が誘電体層５６６の上に配置される。図５Ｌに示すように、マスク５５８は、ｐ型ドープガードリングと位置合わせされ、半導体構成要素５６８の周辺範囲を示す。

【0082】

図５Ｍに示されるように、誘電体層５６６は、オーム接触５３２を含む半導体構成要素５６８の真上で除去される。図５Ｍに示されるように、誘電体層５６６は、ｐ型ドープガードリングによって示されるように、半導体構成要素５６８の外側の半導体の部分の上に残る。誘電体層５６６の少なくとも一部は、半導体構成要素５６８の外側範囲においてガードリングに重なる。半導体構成要素５６８のエッジにおける誘電体層５６６は、図５Ｏに示すように、前面金属５２６と共にフィールドプレートエッジ終端構造を少なくとも部分的に形成する。

【0083】

図５Ｎに示すように、マスク５５８は、誘電体層５６６の表面から除去される。

【0084】

図５Ｏに示されるように、前面金属５２６（例えば、アノード端子２２６）が、半導体構成要素５６８の表面上に堆積される。図２に関連して説明したように、前面金属５２６は、電流が半導体構成要素５６８に入る際に通るか、又は同等に電子が半導体構成要素５６８から出る際に通る任意の導電性材料であってもよい。いくつかの実施形態では、前面金属５２６は、モリブデン、白金、クロム、タングステン、ニッケル、又は他の同様の導電性材料などの金属又は金属の組合せを含むことができる。図５Ｏに示すように、前面金属５２６は、オーム接触５３２の上に配置され、外部電源から半導体構成要素５６８の注入ウェル５３０への導電経路を提供する。前面金属５２６は更に、前面金属５２６と半導体ドリフト層５２４との間にショットキー接合５７０を生成する。

【0085】

図５Ｐに示すように、前面金属５２６の表面上にマスク５６０が堆積される。マスク５６０は、半導体構成要素５６８に対する前面金属の外形寸法を規定する。図５Ｐに示されるように、マスク５６０は、前面金属５２６の下の誘電体層５６６の少なくとも一部に重なる。

【0086】

図５Ｑに示されるように、マスク５６０によって保護されていない前面金属５２６の部分は、誘電体層５６６の表面から除去される。図５Ｑに更に示されるように、マスク５６０は、前面金属５２６の表面から除去される。図示のように、前面金属５２６は、誘電体層５６６と少なくとも部分的に重なり合う。前面金属５２６は、半導体構成要素５６８の周縁部を画定する誘電体層５６６と共に、フィールドプレートエッジ終端構造を形成する。いくつかの実施形態では、フィールドプレートエッジ終端構造は、高抵抗領域を生成し、半導体構成要素５６８のエッジ付近の電界集中を低減することができる。半導体構成要素５６８のエッジ付近の電界集中を低減することは、半導体構成要素５６８の部分上の応力を低減し得る。

【0087】

図５Ｒに示されるように、パッシベーション層５７６が、前面金属５２６及び露出された誘電体層５６６の部分を含む半導体構成要素５６８の表面にわたって堆積される。

【0088】

図４に関連して説明したように、パッシベーション層５７６は、腐食、化学反応性、及び電気的コンタクトから半導体構成要素５６８を保護するために、半導体構成要素５６８をコーティングするように構成された任意の材料を含むことができる。パッシベーション層５７６は、熱酸化又は別の同様のプロセスによって形成することができる。

【0089】

図５Ｓに示すように、マスク５７８がパッシベーション層５７６の表面上に配置される。マスク５７８は、パッシベーション層５７６を通って前面金属５２６の表面に至る経路を画定するように、前面金属５２６の表面と位置合わせされる。

【0090】

図５Ｔに示されるように、アクセスチャネル５７２が、パッシベーション層５７６を貫通して前面金属５２６までエッチングされる。アクセスチャネル５７２は、パッシベーション層５７６を通る開口部を提供し、パッシベーション層５７６の外側から導電性前面金属５２６へのアクセスを可能にする。

【0091】

図５Ｕに示すように、マスク５７８は、パッシベーション層５７６の表面から除去される。図５Ｕに更に示すように、後面オーム接触５７４は、基板５２０の下面上に形成される。加えて、後面金属５２２（例えば、カソード端子２２２）は、後面オーム接触５７４の表面上に配置される。

【0092】

結果として得られる半導体構成要素５６８は、図５Ｕに示すように、フィールドプレートエッジ終端を有するＭＰＳダイオードである。

【0093】

ここで図６を参照すると、本開示の１つ又は複数の実施形態による、フィールドプレートエッジ終端構造を有さないパワーダイオードを製造するための例示的なプロセス６００が提供される。ブロック６０２において、第１の金属層が除去される。図４のブロック４０２に関連して説明したように、オーム接触は、第２の金属層の部分と、下にある第１の金属層と、下にある電気接点との間に形成され得る。第１の金属層は、ウェットエッチング、ドライエッチング、又は半導体上の金属層を除去するための別の同様のプロセスによって除去され得る。

【0094】

ブロック６０４において、前面金属がオーム接触上に堆積される。図２に関連して説明したように、前面金属（例えば、アノード端子２２６）は、電流が半導体構成要素に入る際に通るか、又は同等に電子が半導体構成要素から出る際に通る任意の導電性材料であってもよい。いくつかの実施形態では、前面金属は、モリブデン、白金、クロム、タングステン、ニッケル、チタンなどの複数の層の金属の組合せを含むことができる。プロセス６００に更に示すように、前面金属は、半導体の表面全体に堆積される。前面金属は、物理気相堆積、化学気相堆積、蒸着、スパッタリング堆積、又は別の同様のプロセスを使用して堆積され得る。前面金属は、伝送領域の表面を覆い、露出した半導体ドリフト層及びオーム接触、並びに半導体構成要素の外側の他の半導体領域と電気的コンタクトを形成する。

【0095】

ブロック６０６において、オーム接触上及びそのすぐ周囲の半導体構成要素エリアを除くすべてのエリアから前面金属が除去される。いくつかの実施形態において、前面金属は、前面金属が半導体構成要素の上面、例えば、露出した半導体ドリフト層及びオーム接触との電気的コンタクトを提供するように残る。しかしながら、前面金属は、半導体構成要素の範囲を超えて除去される。

【0096】

ブロック６０８において、パッシベーション層が前面金属上及びその周囲に堆積される。パッシベーション層は、半導体構成要素を被覆し、腐食、化学反応性、及び電気的コンタクトから半導体を保護するように構成された任意の材料を含むことができる。パッシベーション層は、熱酸化又は他の同様のプロセスによって形成することができる。いくつかの実施形態では、パッシベーション層は、半導体構成要素の表面全体を覆うことができる。

【0097】

ブロック６１０において、パッシベーション層を貫通して前面金属までアクセスチャネルがエッチングされる。アクセスチャネルは、マスク及びウェット又はドライエッチングプロセスを利用してエッチングすることができる。アクセスチャネルは、パッシベーション層の外側から導電性前面金属へのアクセスを可能にする任意の経路、回廊、ワイヤ、又は開口部であってもよい。

【0098】

ここで図７Ａ～図７Ｒを参照すると、例示的なＭＰＳダイオード上にオーム接触を形成するための例示的なプロセス７００が示されている。図７Ａ～図７Ｒの示された例示的なプロセス７００は、フィールドプレートエッジ終端構造を形成することなくＭＰＳダイオードを作成するプロセスを示す。図７Ａにおいて、半導体構成要素７６８の半導体ドリフト層７２４（例えば、半導体ドリフト層２２４、５２４）の表面に、１つ又は複数の重度にドープされた領域（例えば、注入ウェル７３０）が形成される。図７Ａに示すように、重度にドープされた領域は注入ウェル７３０を形成する。図１に関連して説明したように、注入ウェル７３０は、半導体ドリフト層７２４のｎ型ドーピングとは反対のｐ型ドーピングでドープされた半導体ドリフト層７２４の上面７２４ａの領域を含むことができる。更に、いくつかの実施形態では、注入ウェル７３０は、周囲の半導体ドリフト層７２４よりも高い濃度でドープされてもよい。半導体ドリフト層７２４は、基板７２０上にエピタキシャル成長プロセスによって形成することができる。基板７２０は、半導体ドリフト層７２４と同様にｎ型半導体からなる。いくつかの実施形態では、基板７２０は、半導体ドリフト層７２４よりも高い濃度でドープされ得る。いくつかの実施形態では、基板７２０と半導体ドリフト層７２４との両方がシリコンカーバイドを含んでもよい。シリコンカーバイドは、高出力及び／又は高周波デバイスにおいて特に有益であり得る。

【0099】

注入ウェル７３０は、図７Ａに示すように、イオン注入７５２のプロセスによって形成することができる。注入ウェル７３０は、注入ウェル７３０以外のイオンの注入を阻止するマスク７５０と、半導体構成要素７６８の周辺を形成するガードリングとによって画定される。注入ウェル７３０は、半導体ドリフト層７２４と共にＰＮ接合型ダイオードを形成する。ＭＰＳダイオードにおいて、注入ウェル７３０は、高電力下でダイオードにかかる応力の一部を緩和することができる。注入ウェル７３０は、電力が高いときにダイオードを通る電流の一部を運ぶことができる。注入ウェル７３０がない場合、純粋なショットキーダイオードは、過大応力を受け、熱暴走に入る可能性がある。したがって、注入ウェル７３０は、ＭＰＳダイオードがショットキーダイオードとＰＮダイオードとの両方の利点の一部を得ることを可能にする。

【0100】

次に図７Ｂを参照すると、マスク７５０が半導体ドリフト層７２４の上面７２４ａから除去される。

【0101】

図７Ｃに示されるように、半導体構成要素７６８は、半導体ドリフト層７２４内に注入ウェル７３０を固定するためにアニーリングプロセスを受ける。アニーリングプロセスは、半導体構成要素７６８を高温に曝すことと、半導体構成要素７６８をゆっくりと冷却させることとを含み得る。そのようなアニーリングプロセスは、注入されたイオンを半導体ドリフト層７２４の構造内に固定することができる。

【0102】

図７Ｄに示されるように、アルミニウム層（例えば、第１の金属層）７５４が半導体構成要素７６８上に堆積される。アルミニウム層７５４は、物理気相堆積、化学気相堆積、蒸着、スパッタリング堆積、又は他の同様のプロセスなどのプロセスによって、半導体ドリフト層７２４の上面７２４ａ上に堆積され得る。本明細書で説明するように、アルミニウムはレーザ光を反射するので、第１の金属層としてアルミニウムを選択することができる。したがって、アニーリングプロセスにおいてレーザ光に曝されたときに、アルミニウム層７５４に対する温度の著しい上昇はない。アルミニウムの反射性により、下にある構成要素は、レーザアニーリングプロセス中に保護される。加えて、アルミニウムは、オーム接触（例えば、図７Iに示されるようなオーム接触７３２）を生成するために、下層の注入ウェル７３０と反応させられてもよい。

【0103】

図７Ｅに示すように、チタン層７５６がアルミニウム層７５４の上面７５４ａ上に堆積される。チタン層７５６は、物理気相堆積、化学気相堆積、蒸着、スパッタリング堆積、又は他の同様のプロセスなどのプロセスによって、アルミニウム層７５４の上面７５４ａ上に堆積され得る。本明細書で説明するように、チタンは、チタンのレーザ光の吸収に少なくとも部分的に基づいて第２の金属層として選択することができる。レーザ光源に曝露されたときのレーザ光のチタンによる吸収のために、チタン層７５６は、レーザ光源に曝露されたときに温度が上昇する。

【0104】

図７Ｆに示すように、チタン層７５６の上面７５６ａ上にマスク７５８が堆積される。マスク７５８は、チタン層７５６を除去するために利用されるエッチング又は別のプロセス中に除去されることから、マスク７５８の下のチタン層７５６の部分を保護する。図７Ｆに示されるように、マスク７５８は、アルミニウム層７５４の下にある注入ウェル７３０と位置合わせされる。

【0105】

図７Ｇに示すように、半導体構成要素７６８のチタン層７５６は、チタン層７５６がマスク７５８によって保護されている場所を除いて、半導体構成要素７６８の表面から除去される。

【0106】

図７Ｈに示されるように、マスク７５８は半導体構成要素７６８から除去され、アルミニウム層７５４の表面上のマスク７５８によって保護されたチタン層７５６の部分のみを残す。図７Ｈに示すように、チタン層７５６の残りの部分は、アルミニウム層７５４の下の半導体ドリフト層７２４内に注入された注入ウェル７３０と位置合わせされる。

【0107】

図７Ｉに示されるように、レーザ７６２は、レーザアニーリングプロセスにおいて、半導体構成要素７６８の表面全体にレーザ光７６４を向ける。レーザアニーリングプロセスを利用して、レーザ光７６４を吸収するように構成された半導体構成要素７６８の部分（例えば、チタン層７５６の部分）を加熱することができる。チタン層７５６によって吸収されるがアルミニウム層７５４によって反射される波長を有するレーザ光７６４を生成することによって、チタン層７５６の残りの部分及びチタン層７５６と接触している、下にあるアルミニウム層７５４の部分で温度が上昇する。しかしながら、チタン層７５６と接していないアルミニウム層７５４の部分は、レーザ光７６４を反射し、実質的に温度が上昇しない。

【0108】

チタン層７５６及びアルミニウム層７５４の下にある部分の温度の上昇は、チタン層７５６、アルミニウム層７５４、及び注入ウェル７３０の間で反応が起こることを可能にする。この反応により、チタン層７５６のチタンと、アルミニウム層７５４のアルミニウムと、半導体ドリフト層７２４の注入ウェル７３０との間にオーム接触７３２が形成される。このようなチタン／アルミニウムオーム接触は、ｐ型又はｎ型注入領域のための最もよく知られたオーム接触の１つである。温度の上昇はチタン層７５６の部分の位置に基づいて局所化されるので、実質的に温度が上昇しないアルミニウム層７５４の部分は、下にある半導体と反応しない。

【0109】

図７Ｊに示されるように、アルミニウム層７５４は、半導体構成要素７６８の表面から除去され、チタン層７５６及び下にあるアルミニウム層７５４によって形成されたオーム接触７３２を、注入ウェル７３０の上にそのまま残す。

【0110】

図７Ｋに示されるように、前面金属７２６（例えば、アノード端子２２６）が、半導体構成要素７６８の表面上に堆積される。図２に関連して説明したように、前面金属７２６は、電流が半導体構成要素５６８に入る際に通るか、又は同等に電子が半導体構成要素７６８から出る際に通る任意の導電性材料であってもよい。いくつかの実施形態では、前面金属７２６は、モリブデン、白金、クロム、タングステン、ニッケル、又は他の同様の導電性材料などの金属又は金属の組合せを含むことができる。図７Ｋに示すように、前面金属７２６は、オーム接触７３２の上に配置され、外部電源から半導体構成要素７６８の注入ウェル７３０への導電経路を提供する。前面金属７２６は更に、前面金属７２６と半導体ドリフト層７２４との間にショットキーダイオード７７０を形成する。

【0111】

図７Ｌに示すように、前面金属７２６の表面上にマスク７６０が堆積される。マスク７６０は、半導体構成要素７６８に対する前面金属の外形寸法を規定する。図７Ｌに示されるように、マスク７６０は、前面金属７２６の下で半導体構成要素７６８の周囲を確立するガードリングの少なくとも一部に重なる。

【0112】

図７Ｍに示されるように、マスク７６０によって保護されていない前面金属７２６の部分は、半導体構成要素７６８の表面から除去される。図７Ｍに更に示すように、前面金属７２６は、半導体構成要素７６８の周縁部を画定するガードリングと少なくとも部分的に重なる。前面金属７２６は、前面金属７２６と半導体ドリフト層７２４の露出部分との間にショットキーダイオード７７０のコンタクトを提供する。前面金属７２６は更に、注入ウェル７３０と半導体ドリフト層７２４との間のＰＮ接合ダイオードへの電気的接続を提供する。

【0113】

図７Ｎに示すように、マスク７６０は、前面金属７２６の表面から除去される。

【0114】

図７Ｏに示されるように、パッシベーション層７７６は、前面金属７２６及び半導体ドリフト層７２４の露出部分並びに任意の他の露出表面を含む、半導体構成要素７６８の表面にわたって堆積される。図４に関連して説明したように、パッシベーション層７７６は、腐食、化学反応性、及び電気的コンタクトから半導体構成要素７６８を保護するために、半導体構成要素７６８をコーティングするように構成された任意の材料を含むことができる。パッシベーション層７７６は、熱酸化又は別の同様のプロセスによって形成することができる。

【0115】

図７Ｐに示すように、マスク７７８がパッシベーション層７７６の表面上に配置される。マスク７７８は、パッシベーション層７７６を通って前面金属７２６の表面に至る経路を画定するように、前面金属７２６の表面と位置合わせされる。

【0116】

図７Ｑに示されるように、アクセスチャネル７７２が、パッシベーション層７７６を貫通して前面金属７２６までエッチングされる。アクセスチャネル７７２は、パッシベーション層７７６を通る開口部を提供し、パッシベーション層７７６の外側から導電性前面金属７２６へのアクセスを可能にする。

【0117】

図７Ｒに示すように、マスク７７８は、パッシベーション層７７６の表面から除去される。図７Ｒに更に示すように、後面オーム接触７７４は、基板７２０の下面上に形成される。加えて、後面金属７２２（例えば、カソード端子２２２）は、後面オーム接触７７４の表面上に配置される。

【0118】

結果として得られる半導体構成要素７６８は、図７Ｒに示すように、フィールドプレートエッジ終端を有していないＭＰＳダイオードである。

【0119】

この詳細な説明は、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、添付の特許請求の範囲は、様々な修正及び改良に従って、説明された実施形態とは異なる本発明の他の実施形態をカバーする。例えば、当業者は、そのような原理が、オーム接触の正確な配置から利益を得る任意の半導体デバイスに適用され得ることを認識し得る。例えば、マージＰＮショットキーダイオード又はオーム接触を利用する他のＰＮダイオードを利用する任意の半導体デバイスである。

【0120】

添付の特許請求の範囲内では、特定の用語「のための手段（means for）」又は「のためのステップ（step for）」が所与の請求項内で使用されない限り、請求項が３５ Ｕ．Ｓ．Ｃ．１１２、パラグラフ６の下で解釈されることは意図されていない。

【0121】

「含む（comprises）」、「含む（includes）」、及び「有する（having）」などのより広い用語の使用は、「からなる（consisting of）」、「から本質的になる（consisting essentially of）」、及び「から実質的に構成される（comprised substantially of）」などのより狭い用語のサポートを提供すると理解されるべきである。実施形態の任意の要素に関する用語「任意選択的に（optionally）」、「してもよい（may）」、「してもよい（might）」、「場合によっては（possibly）」などの使用は、要素が必要とされないこと、又は代替的に要素が必要とされることを意味し、両方の代替形態が実施形態（複数可）の範囲内にある。また、実施例への言及は、単に例示目的で提供されており、排他的であることを意図していない。

【図1A】

【図1B】

【図1C】

【図1D】

【図1E】

【図1F】

【図1G】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5A】

【図5B】

【図5C】

【図5D】

【図5E】

【図5F】

【図5G】

【図5H】

【図5I】

【図5J】

【図5K】

【図5L】

【図5M】

【図5N】

【図5O】

【図5P】

【図5Q】

【図5R】

【図5S】

【図5T】

【図5U】

【図6】

【図7A】

【図7B】

【図7C】

【図7D】

【図7E】

【図7F】

【図7G】

【図7H】

【図7I】

【図7J】

【図7K】

【図7L】

【図7M】

【図7N】

【図7O】

【図7P】

【図7Q】

【図7R】

【外国語明細書】