知財求人 - 知財ポータルサイト「IP Force」
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2025144135
(43)【公開日】2025-10-02
(54)【発明の名称】基板処理装置、基板処理方法及び物品の製造方法
(51)【国際特許分類】
H10K 71/40 20230101AFI20250925BHJP
H10K 50/10 20230101ALI20250925BHJP
B05C 9/12 20060101ALI20250925BHJP
B05C 11/10 20060101ALI20250925BHJP
B05C 15/00 20060101ALI20250925BHJP
【ＦＩ】
H10K71/40
H10K50/10
B05C9/12
B05C11/10
B05C15/00
【審査請求】未請求
【請求項の数】17
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2024043759
(22)【出願日】2024-03-19
(71)【出願人】
【識別番号】000001007
【氏名又は名称】キヤノン株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110003281
【氏名又は名称】弁理士法人大塚国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】石原 繁紀
【テーマコード（参考）】
3K107
4F042
【Ｆターム（参考）】
3K107AA01
3K107BB01
3K107CC45
3K107FF17
3K107GG06
3K107GG26
3K107GG28
3K107GG35
4F042AA02
4F042AA06
4F042AB00
4F042BA06
4F042BA19
4F042DB17
4F042DC00
4F042DE01
4F042DE03
4F042DE06
4F042DH09
(57)【要約】
【課題】 有機溶媒が基板に再付着するのを防止し、より高品質な有機電子材料を得るために有利な技術を提供すること。
【解決手段】基板に塗布された膜を乾燥させる基板処理装置は、チャンバの内部を第１の圧力に減圧することが可能な第１の減圧部と、チャンバの内部を前記第１の圧力よりも低い圧力に減圧することが可能な第２の減圧部と、膜の溶媒の脱離を促進するガスを、第１の圧力よりも低い第２の圧力に減圧されたチャンバに供給する脱離促進部と、を備える。
【選択図】図１
【解決手段】基板に塗布された膜を乾燥させる基板処理装置は、チャンバの内部を第１の圧力に減圧することが可能な第１の減圧部と、チャンバの内部を前記第１の圧力よりも低い圧力に減圧することが可能な第２の減圧部と、膜の溶媒の脱離を促進するガスを、第１の圧力よりも低い第２の圧力に減圧されたチャンバに供給する脱離促進部と、を備える。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板に塗布された膜を乾燥させる基板処理装置であって、
チャンバの内部を第１の圧力に減圧することが可能な第１の減圧部と、
前記チャンバの内部を前記第１の圧力よりも低い圧力に減圧することが可能な第２の減圧部と、
前記膜の溶媒の脱離を促進するガスを、前記第１の圧力よりも低い第２の圧力に減圧された前記チャンバに供給する脱離促進部と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
チャンバの内部を第１の圧力に減圧することが可能な第１の減圧部と、
前記チャンバの内部を前記第１の圧力よりも低い圧力に減圧することが可能な第２の減圧部と、
前記膜の溶媒の脱離を促進するガスを、前記第１の圧力よりも低い第２の圧力に減圧された前記チャンバに供給する脱離促進部と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項2】
前記チャンバの内部の圧力を測定する測定部により測定された前記圧力に基づいて、前記第１の減圧部と、前記第２の減圧部と、前記脱離促進部とを制御する制御部を更に備える
ことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
ことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項3】
前記制御部は、前記第２の減圧部による減圧を停止させた状態で、前記第１の減圧部と、前記脱離促進部とを動作させて、前記チャンバに前記ガスを供給することを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項4】
前記制御部は、前記第１の減圧部と、前記脱離促進部とを停止させた状態で、前記第２の減圧部を動作させて前記チャンバの内部を減圧することを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項5】
前記制御部は、第１の脱離処理として、
前記第２の圧力に減圧された状態で、前記第２の減圧部による減圧を停止させ、
前記第１の減圧部と前記脱離促進部とを動作させて、前記チャンバに前記ガスを供給することを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
前記第２の圧力に減圧された状態で、前記第２の減圧部による減圧を停止させ、
前記第１の減圧部と前記脱離促進部とを動作させて、前記チャンバに前記ガスを供給することを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項6】
前記制御部は、前記第１の脱離処理の後の第２の脱離処理として、
前記チャンバの内部が、前記チャンバの外部圧力より低く、かつ、前記第１の圧力よりも高い第３の圧力に到達まで、前記第１の減圧部と前記脱離促進部とを動作させて、前記チャンバに前記ガスを供給する
ことを特徴とする請求項５に記載の基板処理装置。
前記チャンバの内部が、前記チャンバの外部圧力より低く、かつ、前記第１の圧力よりも高い第３の圧力に到達まで、前記第１の減圧部と前記脱離促進部とを動作させて、前記チャンバに前記ガスを供給する
ことを特徴とする請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項7】
前記制御部は、前記第２の脱離処理の後の第３の脱離処理として、
前記第３の圧力に到達した後に、前記第１の減圧部による減圧と前記脱離促進部の動作とを停止させ、
前記第２の減圧部を動作させて、前記チャンバの内部を、前記第２の圧力よりも低い第４の圧力に減圧することを特徴とする請求項６に記載の基板処理装置。
前記第３の圧力に到達した後に、前記第１の減圧部による減圧と前記脱離促進部の動作とを停止させ、
前記第２の減圧部を動作させて、前記チャンバの内部を、前記第２の圧力よりも低い第４の圧力に減圧することを特徴とする請求項６に記載の基板処理装置。
【請求項8】
前記制御部は、前記ガスの供給開始から予め定められた時間内に、前記第４の圧力よりも低い目標圧力まで減圧されていない場合、
前記第１の脱離処理、前記第２の脱離処理、及び前記第３の脱離処理の繰り返し処理を行うように、前記第１の減圧部と、前記第２の減圧部と、前記脱離促進部とを制御することを特徴とする請求項７に記載の基板処理装置。
前記第１の脱離処理、前記第２の脱離処理、及び前記第３の脱離処理の繰り返し処理を行うように、前記第１の減圧部と、前記第２の減圧部と、前記脱離促進部とを制御することを特徴とする請求項７に記載の基板処理装置。
【請求項9】
前記脱離促進部は、
前記溶媒の脱離を促進する前記ガスを供給する供給部と、
前記供給部から供給された前記ガスに含まれる不純物を除去し、前記不純物の濃度が低減された純化ガスを出力する純化部と、を有し、
前記制御部は、前記脱離促進部を制御して、前記純化ガスを前記チャンバに供給することを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
前記溶媒の脱離を促進する前記ガスを供給する供給部と、
前記供給部から供給された前記ガスに含まれる不純物を除去し、前記不純物の濃度が低減された純化ガスを出力する純化部と、を有し、
前記制御部は、前記脱離促進部を制御して、前記純化ガスを前記チャンバに供給することを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項10】
前記脱離促進部は、
前記溶媒の脱離を促進するガスを供給する供給部と、
前記供給部から供給されたガスを加熱することにより、前記ガスから不純物を揮発させて、前記不純物の濃度が低減された加熱ガスを出力する加熱部と、を有し、
前記制御部は、前記脱離促進部を制御して、前記加熱ガスを前記チャンバに供給することを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
前記溶媒の脱離を促進するガスを供給する供給部と、
前記供給部から供給されたガスを加熱することにより、前記ガスから不純物を揮発させて、前記不純物の濃度が低減された加熱ガスを出力する加熱部と、を有し、
前記制御部は、前記脱離促進部を制御して、前記加熱ガスを前記チャンバに供給することを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項11】
前記脱離促進部は、
前記溶媒の脱離を促進するガスを供給する供給部と、
前記供給部から供給されたガスに含まれる不純物を除去し、前記不純物の濃度が低減された純化ガスを出力する純化部と、
前記純化ガスを加熱することにより、当該純化ガスに含まれる不純物を揮発させて、前記純化ガスに比べて前記不純物の濃度が更に低減された加熱ガスを出力する加熱部と、を有し、
前記制御部は、前記脱離促進部を制御して、前記加熱ガスを前記チャンバに供給することを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
前記溶媒の脱離を促進するガスを供給する供給部と、
前記供給部から供給されたガスに含まれる不純物を除去し、前記不純物の濃度が低減された純化ガスを出力する純化部と、
前記純化ガスを加熱することにより、当該純化ガスに含まれる不純物を揮発させて、前記純化ガスに比べて前記不純物の濃度が更に低減された加熱ガスを出力する加熱部と、を有し、
前記制御部は、前記脱離促進部を制御して、前記加熱ガスを前記チャンバに供給することを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項12】
前記脱離促進部は、
前記溶媒の脱離を促進するガスを供給する供給部と、
前記供給部から供給されたガスに含まれる不純物を除去し、前記不純物の濃度が低減された純化ガスを出力する純化部と、
前記純化ガスを加熱することにより、当該純化ガスに含まれる不純物を揮発させて、前記純化ガスに比べて前記不純物の濃度が更に低減された加熱ガスを出力する加熱部と、
前記加熱ガスを前記チャンバに供給する加熱ガス供給配管と、
前記加熱部を迂回して前記純化ガスを前記チャンバに供給する純化ガス供給配管と、
前記制御部の制御に基づいて、前記加熱ガス供給配管または前記純化ガス供給配管を切替える切替部と、
を有することを特徴とする請求項８に記載の基板処理装置。
前記溶媒の脱離を促進するガスを供給する供給部と、
前記供給部から供給されたガスに含まれる不純物を除去し、前記不純物の濃度が低減された純化ガスを出力する純化部と、
前記純化ガスを加熱することにより、当該純化ガスに含まれる不純物を揮発させて、前記純化ガスに比べて前記不純物の濃度が更に低減された加熱ガスを出力する加熱部と、
前記加熱ガスを前記チャンバに供給する加熱ガス供給配管と、
前記加熱部を迂回して前記純化ガスを前記チャンバに供給する純化ガス供給配管と、
前記制御部の制御に基づいて、前記加熱ガス供給配管または前記純化ガス供給配管を切替える切替部と、
を有することを特徴とする請求項８に記載の基板処理装置。
【請求項13】
前記制御部は、前記繰り返し処理を行わない場合における前記ガスの供給では、前記切替部を制御して、前記純化ガス供給配管から前記純化ガスを前記チャンバに供給することを特徴とする請求項１２に記載の基板処理装置。
【請求項14】
前記制御部は、前記繰り返し処理を行う場合における前記ガスの供給では、前記切替部を制御して、前記加熱ガス供給配管から前記加熱ガスを前記チャンバに供給することを特徴とする請求項１２に記載の基板処理装置。
【請求項15】
前記供給部により供給される前記ガスには、不活性ガス、酸素、またはオゾンが含まれることを特徴とする請求項９に記載の基板処理装置。
【請求項16】
基板に塗布された膜を乾燥させる基板処理装置の基板処理方法であって、
第１の減圧部により、チャンバの内部を第１の圧力に減圧することが可能な第１の減圧工程と、
第２の減圧部により、前記チャンバの内部を前記第１の圧力よりも低い圧力に減圧する第２の減圧工程と、
脱離促進部が、前記膜の溶媒の脱離を促進するガスを、前記第１の圧力よりも低い第２の圧力に減圧された前記チャンバに供給する脱離促進工程と、
を有することを特徴とする基板処理方法。
第１の減圧部により、チャンバの内部を第１の圧力に減圧することが可能な第１の減圧工程と、
第２の減圧部により、前記チャンバの内部を前記第１の圧力よりも低い圧力に減圧する第２の減圧工程と、
脱離促進部が、前記膜の溶媒の脱離を促進するガスを、前記第１の圧力よりも低い第２の圧力に減圧された前記チャンバに供給する脱離促進工程と、
を有することを特徴とする基板処理方法。
【請求項17】
請求項１乃至１５のいずれか１項に記載の基板処理装置を用いて、基板に塗布された膜を乾燥させる工程を有することを特徴とする物品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
開示の技術は、固体状の有機電子材料を得るために、液体状の材料が塗布された基板を減圧状態で乾燥する基板処理装置、基板処理方法及び基板処理装置を用いた物品の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
従来、有機ＥＬ（Electroluminescence）と呼ばれる電子材料の発光を利用した有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ：Organic Light Emitting Diode）は、応答速度・視野角・コントラスト比の面での液晶に対する優位性からディスプレイ等に用いられている。
【0003】
有機発光ダイオードは、陽極と陰極の間に複数種の有機ＥＬ層を積層した構造を有しており、例えば陽極側から順に、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層が積層される。これらの有機ＥＬ層の形成方法として近年、有機ＥＬ材料を有機溶媒に溶かしたインクを用い、インクジェットによる印刷でマスクを用いずに画素パターンを直接描くといった方法が用いられる。この手法に依れば、基板全域に吐出する蒸着法に比べて、大幅に有機ＥＬ材料の使用量を抑えることができ、製品の低コスト化に寄与することができる。
【0004】
インクジェット方式により塗布されたインク中には多量の有機溶媒が含まれているため、真空チャンバを用い、有機溶媒を減圧状態で乾燥除去する処理が用いられている。
【0005】
この乾燥工程においては、膜中に未乾燥の有機溶媒が残留、又は雰囲気中に滞留した溶媒が再付着すると、次に塗布される層の形成に影響を及ぼす懸念が有るため、高真空状態として、例えば、１×１０－４Ｐａまで真空チャンバを減圧し、可能な限り膜中から有機溶媒を除去するとともに、有機溶媒を真空チャンバに滞留しない状態とすることが望ましい。
【0006】
特許文献１には、ターボ分子ポンプ等が接続され高真空にまで排気が可能な高真空ラインと、ドライポンプ等が接続され低真空で排気可能な粗引きラインと、が別々に真空チャンバに接続されている真空装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0007】
【特許文献1】特開２００１－８１５５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0008】
しかしながら、特許文献１により開示されるような真空チャンバを用いて真空乾燥を行う場合でも、高真空ラインを用いて高真空に減圧する際には、真空チャンバの壁面や真空チャンバ内の雰囲気には有機溶媒が僅かに残留しており、基板を処理しない場合の真空度に比べて真空チャンバの真空度が低下する場合が生じ得る。すなわち、次に塗布される有機ＥＬ層にも、真空チャンバ内に残留した有機溶媒の雰囲気が再付着することとなり、充分な乾燥を行うことができず、品質に影響を及ぼす懸念が生じ得る。
【0009】
開示の技術は、上記の課題に基づいてなされたもので、有機溶媒が基板に再付着するのを防止し、より高品質な有機電子材料を得るために有利な技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0010】
開示の技術の一態様による基板処理装置は、基板に塗布された膜を乾燥させる基板処理装置であって、
チャンバの内部を第１の圧力に減圧することが可能な第１の減圧部と、
前記チャンバの内部を前記第１の圧力よりも低い圧力に減圧することが可能な第２の減圧部と、
前記膜の溶媒の脱離を促進するガスを、前記第１の圧力よりも低い第２の圧力に減圧された前記チャンバに供給する脱離促進部と、を備える。
チャンバの内部を第１の圧力に減圧することが可能な第１の減圧部と、
前記チャンバの内部を前記第１の圧力よりも低い圧力に減圧することが可能な第２の減圧部と、
前記膜の溶媒の脱離を促進するガスを、前記第１の圧力よりも低い第２の圧力に減圧された前記チャンバに供給する脱離促進部と、を備える。
【発明の効果】
【0011】
開示の技術によれば、有機溶媒が基板に再付着するのを防止し、より高品質な有機電子材料を得るために有利な技術を提供することができる。
【0012】
真空チャンバに残留する有機溶媒を減らすことにより、基板の乾燥処理を繰り返し行っても真空度の低下を防ぐことができるため、複数の基板を乾燥処理する際に、基板間のバラつきを改善することもできる。
【図面の簡単な説明】
【0013】
【図1】実施形態に係る基板処理装置の構成例を説明する図。
【図2】実施形態の基板処理装置における基板処理方法の流れを示す図。
【図4】ガス加熱部を有する基板処理装置の構成例を説明する図。
【図5】実施形態に係る基板処理装置の変形例１を説明する図。
【図6】実施形態に係る基板処理装置の構成例２を説明する図。
【図7】変形例２の基板処理装置における基板処理方法の流れを示す図。
【発明を実施するための形態】
【0014】
以下、添付図面を参照して実施形態を詳しく説明する。なお、以下の実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。実施形態には複数の特徴が記載されているが、これらの複数の特徴の全てが発明に必須のものとは限らず、また、複数の特徴は任意に組み合わせられてもよい。さらに、添付図面においては、同一若しくは同様の構成に同一の参照番号を付し、重複した説明は省略する。
【0015】
図１は、本実施形態の基板処理装置の構成を示す模式的な断面図である。基板処理装置ＳＰＡは、膜が塗布された基板２（以下、ワークともいう）の処理を行うように構成されうる。より詳しくは、基板処理装置ＳＰＡは、基板２に塗布された膜を乾燥させる乾燥処理を行うように構成されうる。
【0016】
基板２に塗布された膜は、例えば、有機電子材料（有機ＥＬ素子）の有機膜を形成するための溶質と溶媒とを含む溶液で構成される膜でありうる。溶媒は、大気圧よりも低い減圧環境において蒸発が促進される性質を有しうる。有機膜は、例えば、有機ＥＬ素子の正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層のいずれかでありうる。有機ＥＬ素子の製造は、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層等の各有機膜を基板の上に形成する工程を含みうる。膜は、基板２が基板処理装置ＳＰＡに搬送される前に、基板２上に膜を塗布する塗布装置により塗布されうる。
【0017】
基板処理装置ＳＰＡは、チャンバ１を備えうる。チャンバ１は、外部空間から分離された内部空間ＳＰ１を規定する部材である。チャンバ１は、内部空間ＳＰ１を囲包する部材である。以下では、チャンバ１によって外縁が規定された内部空間ＳＰ１をチャンバ１の内部空間ＳＰ１ともいう。本実施形態において、基板２が配置されている側の空間を「内部」と表現し、基板２が配置されていない側の空間を「外部」と表現する。
【0018】
チャンバ１０は、ゲートバルブ１２を備えうる。乾燥処理を施すべき基板２は、ゲートバルブ１２を通して外部空間から内部空間ＳＰ１に搬送されうる。ゲートバルブ１２を経由して内部空間ＳＰ１に搬入された基板２は、内部空間ＳＰ１に配置されている基板保持部１１（ステージ）に載置される。基板保持部１１は、内部空間ＳＰ１に搬入された基板２を保持する基板保持部として機能する。また、乾燥処理を経た基板２は、ゲートバルブ１２を通して内部空間ＳＰ１から外部空間に搬送されうる。
【0019】
基板処理装置ＳＰＡは、チャンバ１０の内部空間ＳＰ１を減圧する減圧部を更に備えうる。減圧部は、例えば、基板２上に塗布された膜（有機ＥＬ素子の有機膜）から溶媒を排気し、除去するために、排気管１５を通じてドライポンプ４に接続された真空バルブ３と、真空バルブ３とは独立して、ターボ分子ポンプ（ＴＭＰ）６に接続された丸型ゲートバルブ５と、を有する。以下の明細書の説明において、真空バルブ３、及びドライポンプ４を第１の減圧部（３、４）ともいい、丸型ゲートバルブ５、及びターボ分子ポンプ（ＴＭＰ）６を第２の減圧部（５、６）ともいう。また、第１の減圧部（３、４）、及び第２の減圧部（５、６）を総称して、減圧部（３～６）ともいう。
【0020】
第１の減圧部（３、４）に用いる真空バルブ３としては、例えば、ベローズバルブ、ダイアフラムバルブなどといった真空排気ラインの開閉機構を用いることができる。また、塗布工程は通常大気圧にて行われるため、第１の減圧部（３、４）に用いるポンプとしては、例えば、大気圧からの減圧が可能なルーツポンプ、ダイアフラムポンプ、スクリューポンプなどの排気機構を用いてもよい。
【0021】
また、第２の減圧部（５、６）に用いるバルブとしては、高真空でのコンダクタンスを確保するため、開口が広い丸型ゲートバルブ等を適用することができ、第２の減圧部（５、６）に用いるポンプとしては、例えば、チャンバ１の内部空間ＳＰ１を、高真空状態の１×１０－４Ｐａ以下に減圧することが可能なポンプとして、例えば、クライオポンプ、チタンサブリメーションポンプ等を適用することもできる。
【0022】
基板処理装置ＳＰＡは、チャンバ１０の内部空間ＳＰ１の圧力を計測する圧力計測部１３（圧力計）を更に備えうる。圧力計測部１３は、外部空間の大気圧からチャンバ１０の内部空間ＳＰ１における高真空度の圧力を計測可能である。圧力計測部１３は、内部空間ＳＰ１の圧力を計測し、計測結果を示す電気信号を制御部８に出力する。
【0023】
また、基板処理装置ＳＰＡは、チャンバ１の壁面等に付着した有機溶媒や、チャンバ１の内部空間ＳＰ１に残留している有機溶媒を脱離するための脱離促進部７を更に備え得る。脱離促進部７は、ガス供給部７１と、純化部７２と、バルブ７３とを有する。脱離促進部７の各構成は配管７５により接続されている。ガス供給部７１は、有機溶媒の脱離を促進するガスを貯留する不図示のボンベと、ガスの供給流量や供給圧力を制御することが可能な不図示のマスフローコントローラとを有する。マスフローコントローラは、後述する制御部８の制御指令に基づいて、供給流量や供給圧力を制御したガスを供給する。本実施形態において、有機溶媒の脱離を促進するガスは、凝集してチャンバ１の壁面への付着に繋がらない、水分や有機溶剤の濃度が低いガスであればよく、例えば、窒素（Ｎ２）などの不活性ガスのほかに、酸素（Ｏ２）や、酸化能力を有するオゾン（Ｏ３）などを適用することが可能である。本実施形態では、有機溶媒の脱離を促進するこれらのガスを総称して単に「ガス」という。
【0024】
純化部７２は、ガス供給部７１から供給されたガスから、水分（Ｈ２Ｏ）、酸素（Ｏ２）、炭化水素などの不純物を除去し、不純物を除去したガスを通過させる。純化部７２を通過することにより、ガスに含まれる不純物の濃度が低減され、ガスの純度を高くすることができる。純化部７２により不純物の濃度が低減されたガスを、本実施形態では、超高純度のガス（純化ガス）ともいう。バルブ７３は、純化部７２によって不純物濃度が低減されたガス（純化ガス）を、チャンバ１の内部空間ＳＰ１に導入するためのバルブである。バルブ７３の開閉は制御部８により制御され、バルブ７３が開くことにより、純化部７２によって不純物の濃度が低減されたガスが、チャンバ１の内部空間ＳＰ１に導入される。
【0025】
本実施形態では、ガス供給部７１から供給されたガスから不純物を除去する構成として、純化部７２を用いる構成を例示的に説明したが、この例に限られず、純化部７２に替えて、ガスを加熱可能なガス加熱部７４（ガスヒーター）を適用することも可能である。図４は、図１の脱離促進部７の構成のうち、純化部７２に替えて、ガス加熱部７４（ガスヒーター）を配置した構成例を示す図であり、ガス加熱部７４は、ガス供給部７１から供給されたガスを加熱することにより、ガスから不純物を揮発させ、純度の高いガス（加熱ガス）を出力する。制御部８により制御され、バルブ７３が開くことにより、ガス加熱部７４による加熱により不純物を揮発させて、不純物の濃度が低減された加熱ガスが、チャンバ１の内部空間ＳＰ１に導入される。
【0026】
制御部８は、１つまたは複数のプロセッサーとメモリを有し、プロセッサーがメモリに格納されたプログラムを実行して基板処理装置ＳＰＡにおける各種の処理を制御する。制御部８による各処理は、専用のハードウエアにより実現されてもよいし、ハードウエアとソフトウエアの協働により実現されてもよい。
【0027】
制御部８は基板処理装置ＳＰＡの各種構成を制御する。例えば、制御部８は、圧力計測部１３によって計測された内部空間ＳＰ１の圧力に基づいて減圧部（３～６）や脱離促進部７を制御することが可能である。制御部８は、圧力計測部１３によって計測された内部空間ＳＰ１の圧力に基づいて、第１の減圧部（３、４）と、第２の減圧部（５、６）と、脱離促進部７とを制御して、チャンバ１０内の圧力を目標とする所定の圧力に調整してもよい。制御部８は、第２の減圧部（５、６）による減圧を停止させた状態（丸型ゲートバルブ５を閉じた状態）で、第１の減圧部（３、４）と、脱離促進部７とを動作させて、チャンバ１にガスを供給してもよい。
【0028】
あるいは、制御部８は、第１の減圧部（３、４）による減圧を停止させた状態（真空バルブ３を閉じた状態）にして、更に脱離促進部７の動作を停止させた状態で、第２の減圧部（５、６）を動作させてチャンバ１の内部を減圧してもよい。
【0029】
あるいは、制御部８は、圧力計測部１３によって計測された内部空間ＳＰ１の圧力に基づいて、脱離促進部７（ガス供給部７１、純化部７２やガス加熱部７４及びバルブ７３）の動作を制御して、内部空間ＳＰ１に残留している有機溶媒を脱離するためのガスの供給を制御することも可能である。
【0030】
基板処理装置ＳＰＡにより高品質な乾燥を行うためには、真空バルブ３を開き、ドライポンプ４の動作により、真空チャンバ１の内部空間ＳＰ１や基板２から、有機溶媒の大半を取り除いた後、有機溶媒が逆流するのを防ぐため真空バルブ３を閉じる。
【0031】
さらに内部空間ＳＰ１における基板２の乾燥を進めるために丸型ゲートバルブ５を開き、ターボ分子ポンプ６の動作を通じて内部空間ＳＰ１の圧力をさらに下げる。内部空間ＳＰ１に基板２が無い状態での到達圧力と同等の高真空（例えば、３×１０－４Ｐａ）付近まで減圧することを目標の到達圧力としても、チャンバ１の壁面等に有機溶媒が付着していると、目標の到達圧力まで達しないことが生じ得る。そこで、制御部８は脱離促進部７を制御してバルブ７３を開き、バルブ７３から、不純物濃度が低減されたガス（超高純度のガス）を内部空間ＳＰ１に導入し、チャンバ１の壁面等に付着した有機溶媒を脱離させる。
【0032】
さらに続けて、ターボ分子ポンプ６の動作により丸型ゲートバルブ５から排気する。内部空間ＳＰ１を高真空に排気することで、残留した有機溶媒の蒸気が基板２に再度付着するのを防止し、高品質な乾燥を行うことが可能になる。
【0033】
図２は、実施形態に係る基板処理装置ＳＰＡを用いた基板処理方法の流れを示すフローチャートであり、図３は、図２の基板処理方法における内部空間ＳＰ１の圧力制御の推移の一例を示す図である。ここで、図３に示すチャンバ１の内部空間ＳＰ１の圧力は例示的なものであり、本実施形態による開示の技術は、この例に限定されるものではない。
【0034】
図２に示される基板処理方法は、制御部８によって制御されうる。工程Ｓ１０１では、有機溶媒を含む有機電子材料が塗布された基板２をチャンバ１の内部空間ＳＰ１に搬入（ロード）し、内部空間ＳＰ１に配置された基板保持部１１に基板２を載置する。
【0035】
工程Ｓ１０２では、制御部８は、真空バルブ３を制御して開き、ドライポンプ４によりチャンバ１の内部空間ＳＰ１を第１の圧力（例えば、１０Ｐａ）まで減圧して、基板２の有機溶媒を乾燥させることにより、有機溶媒の大半を基板２から除去する。
【0036】
工程Ｓ１０３では、圧力計測部１３によって内部空間ＳＰ１の圧力を計測し、圧力計測部１３は計測結果を制御部８に出力する。工程Ｓ１０４において、制御部８は、第１の圧力（１０Ｐａ）まで減圧できたか判定し、第１の圧力まで減圧されていないと判定する場合は（Ｓ１０４－ＮＯ）、処理をＳ１０２に戻し、同様の処理を繰り返す。一方、工程Ｓ１０４の判定で、内部空間ＳＰ１の圧力が第１の圧力まで減圧されたと判定する場合は（Ｓ１０４－ＹＥＳ）、処理を工程Ｓ１０５に進める。
【0037】
工程Ｓ１０５において、制御部８は、真空バルブ３を制御して閉じ、丸型ゲートバルブ５を制御して開き、ターボ分子ポンプ６によりチャンバ１の内部空間ＳＰ１を第２の圧力（例えば、５×１０－３Ｐａ）まで減圧する。
【0038】
工程Ｓ１０６では、圧力計測部１３によって内部空間ＳＰ１の圧力を計測し、圧力計測部１３は計測結果を制御部８に出力する。
【0039】
工程Ｓ１０７において、制御部８は、第２の圧力（５×１０－３Ｐａ）まで減圧できたか判定し、第２の圧力まで減圧されていないと判定する場合は（Ｓ１０７－ＮＯ）、処理をＳ１０５に戻し、同様の処理を繰り返す。一方、工程Ｓ１０７の判定で、内部空間ＳＰ１の圧力が第２の圧力まで減圧されたと判定する場合は（Ｓ１０７－ＹＥＳ）、処理を工程Ｓ１０８に進める。
【0040】
工程Ｓ１０５～Ｓ１０７の処理により、継続して真空引きを行えば、有機溶媒が徐々に排気されていくが、チャンバ１の壁面などに付着した有機溶媒が揮発することで、内部空間ＳＰ１の真空度が低下して、内部空間ＳＰ１に基板２が無い状態での目標圧力（例えば、３×１０－４Ｐａ）に到達しない場合が生じ得る。
【0041】
そこで、工程Ｓ１０８において、制御部８は、第１の脱離処理として、第２の圧力（５×１０－３Ｐａ）に減圧された状態で、第２の減圧部（５、６）による減圧を停止させ、第１の減圧部（３、４）と脱離促進部７とを動作させて、チャンバ１にガスを供給する。工程Ｓ１０８において、制御部８は、内部空間ＳＰ１に残留した有機溶媒を排気除去するため、脱離促進部７を制御して超高純度のガス（不純物が低減された純度の高い純化ガス）を内部空間ＳＰ１に導入する。また、制御部８は、丸型ゲートバルブ５を制御して閉じ、真空バルブ３を制御して開いて、チャンバ１の内部空間ＳＰ１を、第３の圧力（例えば、１０ｋＰａ）の圧力状態にする。この圧力状態は、脱離促進部７から大量の超高純度のガス（純化ガス）が内部空間ＳＰ１に導入されている状態であり、第１の圧力や第２の圧力よりも高い圧力の状態である。
【0042】
制御部８は、第１の脱離処理の後の第２の脱離処理として、チャンバ１の内部が、チャンバ１の外部圧力（大気圧）より低く、かつ、第１の圧力（１０Ｐａ）よりも高い第３の圧力に到達まで、第１の減圧部（３、４）と脱離促進部７とを動作させて、チャンバ１にガス（純化ガス）を供給する。
【0043】
工程Ｓ１０９において、内部空間ＳＰ１の圧力状態は、圧力計測部１３により測定されており、圧力計測部１３は、内部空間ＳＰ１の圧力を計測し、計測結果を示す電気信号を制御部８に出力する。制御部８は、圧力計測部１３の計測結果に基づいて、内部空間ＳＰ１の圧力を監視することができる。
【0044】
制御部８は、内部空間ＳＰ１の圧力状態が第３の圧力（１０ｋＰａ）に到達しているか判定する。制御部８は、内部空間ＳＰ１の圧力状態が第３の圧力に到達していないと判定する場合（Ｓ１０９－ＮＯ）、処理を工程Ｓ１０８に戻し、脱離促進部７を制御して、内部空間ＳＰ１に超高純度のガス（純化ガス）を導入する処理を継続する。一方、工程Ｓ１０９の判定で、制御部８は、内部空間ＳＰ１の圧力状態が第３の圧力に到達していると判定する場合（Ｓ１０９－ＹＥＳ）、処理を工程Ｓ１１０に進める。
【0045】
工程Ｓ１１０において、制御部８は、第２の脱離処理の後の第３の脱離処理として、第３の圧力（１０ｋＰａ）に到達した後に、第１の減圧部（３、４）による減圧と脱離促進部７の動作とを停止させ、第２の減圧部（５、６）を動作させて、チャンバ１の内部を、第２の圧力（５×１０－３Ｐａ）よりも低い第４の圧力（例えば、８×１０－４Ｐａ）に減圧する。内部空間ＳＰ１の圧力が第３の圧力（１０ｋＰａ）の圧力状態になり、所定の時間（例えば、Ｔ１）が経過すると、制御部８は脱離促進部７を制御して、超高純度のガス（純化ガス）の供給を停止させる。また、制御部８は、真空バルブ３を制御して閉じ、丸型ゲートバルブ５を制御して開き、ターボ分子ポンプ６によりチャンバ１の内部空間ＳＰ１を、第２の圧力（５×１０－３Ｐａ）に比べて低い第４の圧力（例えば、８×１０－４Ｐａ）まで減圧する。
【0046】
工程Ｓ１１１において、内部空間ＳＰ１の圧力状態は、圧力計測部１３により測定されており、圧力計測部１３は、内部空間ＳＰ１の圧力を計測し、計測結果を示す電気信号を制御部８に出力する。制御部８は、圧力計測部１３の計測結果に基づいて、内部空間ＳＰ１の圧力を監視することができる。
【0047】
制御部８は、内部空間ＳＰ１の圧力状態が第４の圧力（８×１０－４Ｐａ）に到達しているか判定する。制御部８は、内部空間ＳＰ１の圧力状態が第４の圧力に到達していないと判定する場合（Ｓ１１１－ＮＯ）、処理を工程Ｓ１１０に戻し、ターボ分子ポンプ６によるチャンバ１の内部空間ＳＰ１の減圧を継続する。一方、工程Ｓ１１１の判定で、制御部８は、内部空間ＳＰ１の圧力状態が第４の圧力に到達していると判定する場合（Ｓ１１１－ＹＥＳ）、処理を工程Ｓ１１２に進める。
【0048】
工程Ｓ１１２において、内部空間ＳＰ１の圧力状態は、圧力計測部１３により測定されており、制御部８は、圧力計測部１３の計測結果に基づいて、内部空間ＳＰ１の圧力を監視する。制御部８は、脱離促進部７による超高純度のガス（純化ガス）の供給開始（Ｓ１０７－ＹＥＳ、Ｓ１０８）から、所定の時間（例えば、Ｔ２）内に、第４の圧力（８×１０－４Ｐａ）よりも低い目標圧力（例えば、３×１０－４Ｐａ）に到達しているか判定する。制御部８は、純化ガスの供給開始から、所定の時間（Ｔ２）内に、目標圧力（３×１０－４Ｐａ）に到達していないと判定する場合（Ｓ１１２－ＮＯ）、処理を工程Ｓ１０８に戻し、同様の処理を繰り返す。工程Ｓ１０８～工程Ｓ１１２を１セットのサイクルとして、工程Ｓ１０８～工程Ｓ１１２の処理を再度実施する。
【0049】
制御部８は、ガス（純化ガス）の供給開始から予め定められた時間内に、第４の圧力よりも低い目標圧力まで減圧されていない場合、上記の第１の脱離処理、第２の脱離処理、及び第３の脱離処理の繰り返し処理を行うように、第１の減圧部（３、４）と、第２の減圧部（５、６）と、脱離促進部７とを制御する。
【0050】
工程Ｓ１０８～工程Ｓ１１２の処理を再度実施することにより、内部空間ＳＰ１の有機溶媒の排気が進むと内部空間ＳＰ１の真空度を高くすることができる。例えば、目標圧力（３×１０－４Ｐａ）の高真空まで減圧することができるようになり、有機溶媒の残留が少ない高品質な乾燥処理を行うことができる。処理の繰り返し回数は、予め複数回を設定してもよいが、生産性を損なわない範囲で、工程Ｓ１０８～工程Ｓ１１２の処理サイクルを繰り返す回数を増やしてもよい。
【0051】
一方、工程Ｓ１１２の判定で、制御部８は、純化ガスの供給開始から、所定の時間（Ｔ２）内に、目標圧力に到達していると判定する場合（Ｓ１１２－ＹＥＳ）、処理を工程Ｓ１１３に進める。
【0052】
工程Ｓ１１３において、制御部８は、丸型ゲートバルブ５を制御して開き、ターボ分子ポンプ６の動作を継続し排気状態を維持してもよい。
【0053】
その後、工程Ｓ１１４において、制御部８は、チャンバ１をパージして大気圧に戻し、チャンバ１に不活性ガスを導入する。そして、基板保持部１１によって保持された基板２がチャンバ１の外部空間に搬出（アンロード）される。
【0054】
本実施形態によれば、有機溶媒が基板に再付着するのを防止し、より高品質な有機電子材料を得るために有利な技術を提供することができる。
【0055】
真空チャンバに残留する有機溶媒を減らすことにより、基板の乾燥処理を繰り返し行っても真空度の低下を防ぐことができるため、複数の基板を乾燥処理する際に、基板間のバラつきを改善することもできる。
【0056】
（変形例１）
図５は、変形例１の基板処理装置ＳＰＡの構成を示す模式的な断面図である。基板処理装置ＳＰＡの基本的な構成は、図１で説明した基板処理装置ＳＰＡと同様であるが、変形例１（図５）の基板処理装置ＳＰＡでは、脱離促進部７の構成において、ガス加熱部７４（ガスヒーター）が、純化部７２とバルブ７３との間に接続されている点で相違する。変形例１の基板処理装置による基板処理方法の流れは図２で説明した処理と同様である。
図５は、変形例１の基板処理装置ＳＰＡの構成を示す模式的な断面図である。基板処理装置ＳＰＡの基本的な構成は、図１で説明した基板処理装置ＳＰＡと同様であるが、変形例１（図５）の基板処理装置ＳＰＡでは、脱離促進部７の構成において、ガス加熱部７４（ガスヒーター）が、純化部７２とバルブ７３との間に接続されている点で相違する。変形例１の基板処理装置による基板処理方法の流れは図２で説明した処理と同様である。
【0057】
変形例１の基板処理装置ＳＰＡでは、純化部７２は、ガス供給部７１から供給されたガスから、水分（Ｈ２Ｏ）、酸素（Ｏ２）、炭化水素などの不純物を除去し、不純物を除去したガスを通過させる。純化部７２によって、ガスに含まれる不純物の濃度が低減されたガス（純化ガス）はガス加熱部７４に供給される。
【0058】
ガス加熱部７４は、純化部７２により不純物が除去されたガス（純化ガス）を加熱することにより、ガス（純化ガス）から純化ガスに含まれる不純物を揮発させ、不純物の濃度が更に低減された、純度の高いガス（加熱ガス）を出力する。制御部８の制御によりバルブ７３が開くことにより、ガス加熱部７４の加熱により不純物を揮発させて、不純物の濃度が、より一層低減されたガス（加熱ガス）が、チャンバ１の内部空間ＳＰ１に導入される。変形例１の構成によれば、純化部７２とガス加熱部７４とは、有機溶剤の脱離を促進するメカニズムが異なるものであり両者を用いることにより、より一層純度の高いガスをチャンバ１の内部空間ＳＰ１に導入することができ、脱離促進の効果を向上させることが可能になる。
【0059】
（変形例２）
図６は、変形例２の基板処理装置ＳＰＡの構成を示す模式的な断面図である。基板処理装置ＳＰＡの基本的な構成は、図１で説明した基板処理装置ＳＰＡと同様であるが、変形例２（図６）の基板処理装置ＳＰＡでは、脱離促進部７の構成において、ガス加熱部７４、切り替えバルブ７６（切替部）、加熱ガス供給配管７７、及び純化ガス供給配管７８が、純化部７２とバルブ７３との間に接続されている点で相違する。ここで、加熱ガス供給配管７７、及び純化ガス供給配管７８は、配管７５から２つに分岐する配管である。
図６は、変形例２の基板処理装置ＳＰＡの構成を示す模式的な断面図である。基板処理装置ＳＰＡの基本的な構成は、図１で説明した基板処理装置ＳＰＡと同様であるが、変形例２（図６）の基板処理装置ＳＰＡでは、脱離促進部７の構成において、ガス加熱部７４、切り替えバルブ７６（切替部）、加熱ガス供給配管７７、及び純化ガス供給配管７８が、純化部７２とバルブ７３との間に接続されている点で相違する。ここで、加熱ガス供給配管７７、及び純化ガス供給配管７８は、配管７５から２つに分岐する配管である。
【0060】
加熱ガス供給配管７７は、ガス加熱部７４から出力された加熱ガスをチャンバ１に供給するための配管である。また、純化ガス供給配管７８は、ガス加熱部７４を迂回して純化部７２から出力された純化ガスをチャンバ１に供給する配管である。
【0061】
切り替えバルブ７６（切替部）は、制御部８の制御に基づいて開閉可能なバルブであり、バルブの開閉により、加熱ガス供給配管７７または純化ガス供給配管７８を切替えることができる。また、図７は変形例２の基板処理装置ＳＰＡによる基板処理方法の流れを示す図である。
【0062】
制御部８の制御により切り替えバルブ７６が開くと、純化部７２によって、ガスに含まれる不純物の濃度が低減されたガス（純化ガス）はガス加熱部７４に供給される。
【0063】
ガス加熱部７４は、純化部７２により不純物が除去されたガス（純化ガス）を加熱することにより、ガス（純化ガス）から純化ガスに含まれる不純物を揮発させ、不純物の濃度が更に低減された、純度の高いガス（加熱ガス）を出力する。制御部８の制御によりバルブ７３が開くことにより、ガス加熱部７４の加熱により不純物を揮発させて、不純物の濃度が、より一層低減されたガス（加熱ガス）が、チャンバ１の内部空間ＳＰ１に導入される。
【0064】
一方、制御部８の制御により切り替えバルブ７６が閉じると、ガス加熱部７４を迂回して、純化部７２により不純物が除去されたガス（純化ガス）はバルブ７３に供給される。制御部８の制御によりバルブ７３が開くことにより、純化部７２によって、ガスに含まれる不純物の濃度が低減されたガス（純化ガス）が、チャンバ１の内部空間ＳＰ１に導入される。
【0065】
制御部８の制御による切り替えバルブ７６の開閉は、チャンバ１の内部空間ＳＰ１の圧力状態に基づいて切り替えてもよい。例えば、図７の処理において、工程Ｓ１０８～工程Ｓ１１２の処理サイクルを繰り返さない場合（Ｓ１１２－ＹＥＳ）には、制御部８の制御により切り替えバルブ７６を閉じ、ガス加熱部７４を迂回して、純化部７２により不純物の濃度が低減されたガス（純化ガス）をバルブ７３に供給すればよい。
【0066】
そして、工程Ｓ１０８～工程Ｓ１１２の処理サイクルを繰り返す場合、すなわち、所定の時間（Ｔ２）内に、目標圧力（３×１０－４Ｐａ）に到達していないと判定する場合（Ｓ１１２－ＮＯ）、図７に示す工程Ｓ１１５に処理を進めればよい。
【0067】
工程Ｓ１１５では、制御部８の制御により切り替えバルブ７６が開き、純化部７２によって不純物の濃度が低減されたガス（純化ガス）がガス加熱部７４に供給される。
【0068】
ガス加熱部７４は、純化部７２により不純物が除去されたガス（純化ガス）を加熱することにより、ガス（純化ガス）から純化ガスに含まれる不純物を揮発させ、更に純度の高いガス（加熱ガス）を出力する。制御部８の制御によりバルブ７３が開くことにより、ガス加熱部７４の加熱により不純物を揮発させて、不純物の濃度が、より一層低減されたガス（加熱ガス）が、チャンバ１の内部空間ＳＰ１に導入される。工程Ｓ１１５の処理の後、処理は工程Ｓ１０８に戻され、工程Ｓ１０８～工程Ｓ１１２の処理サイクルを繰り返せばよい。変形例２によれば、チャンバ１の内部空間ＳＰ１の圧力状態に基づいて、チャンバ１に供給するガスとして、加熱ガスまたは純化ガスを切り替えることが可能である。純化部７２とガス加熱部７４とは、有機溶剤の脱離を促進するメカニズムが異なるものであり両者を用いることにより、より一層純度の高いガスをチャンバ１の内部空間ＳＰ１に導入することができ、脱離促進の効果を向上させることが可能になる。
【0069】
（物品の製造方法の実施形態）
実施形態にかかる物品（電子デバイス）の製造方法は、例えば、有機ＥＬ（ＯＬＥＤ）パネルなどの物品を、インクジェット印刷装置やスリットコータ等を用いて製造するのに適用することができる。本実施形態の物品の製造方法は、基板の上に溶液膜を、インクジェット印刷装置やスリットコータ等を用いた塗布方式等によって配置あるいは塗布して塗布基板を得る工程（塗布工程）を含む。
実施形態にかかる物品（電子デバイス）の製造方法は、例えば、有機ＥＬ（ＯＬＥＤ）パネルなどの物品を、インクジェット印刷装置やスリットコータ等を用いて製造するのに適用することができる。本実施形態の物品の製造方法は、基板の上に溶液膜を、インクジェット印刷装置やスリットコータ等を用いた塗布方式等によって配置あるいは塗布して塗布基板を得る工程（塗布工程）を含む。
【0070】
また、上記の基板処理装置ＳＰＡにより塗布基板上の溶液膜を乾燥させ、乾燥膜が形成された乾燥基板を得る工程（乾燥工程）を含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程（焼成、冷却、除湿、ドライ洗浄、電極の形成、封止膜の形成等）を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
【0071】
（実施形態のまとめ）
［項目１］ 基板に塗布された膜を乾燥させる基板処理装置であって、
チャンバの内部を第１の圧力に減圧することが可能な第１の減圧部と、
前記チャンバの内部を前記第１の圧力よりも低い圧力に減圧することが可能な第２の減圧部と、
前記膜の溶媒の脱離を促進するガスを、前記第１の圧力よりも低い第２の圧力に減圧された前記チャンバに供給する脱離促進部と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
［項目２］ 前記チャンバの内部の圧力を測定する測定部により測定された前記圧力に基づいて、前記第１の減圧部と、前記第２の減圧部と、前記脱離促進部とを制御する制御部を更に備える
ことを特徴とする項目１に記載の基板処理装置。
［項目３］ 前記制御部は、前記第２の減圧部による減圧を停止させた状態で、前記第１の減圧部と、前記脱離促進部とを動作させて、前記チャンバに前記ガスを供給することを特徴とする項目２に記載の基板処理装置。
［項目４］ 前記制御部は、前記第１の減圧部と、前記脱離促進部とを停止させた状態で、前記第２の減圧部を動作させて前記チャンバの内部を減圧することを特徴とする項目２または３に記載の基板処理装置。
［項目５］ 前記制御部は、第１の脱離処理として、
前記第２の圧力に減圧された状態で、前記第２の減圧部による減圧を停止させ、
前記第１の減圧部と前記脱離促進部とを動作させて、前記チャンバに前記ガスを供給することを特徴とする項目２に記載の基板処理装置。
［項目６］ 前記制御部は、前記第１の脱離処理の後の第２の脱離処理として、
前記チャンバの内部が、前記チャンバの外部圧力より低く、かつ、前記第１の圧力よりも高い第３の圧力に到達まで、前記第１の減圧部と前記脱離促進部とを動作させて、前記チャンバに前記ガスを供給する
ことを特徴とする項目５に記載の基板処理装置。
［項目７］ 前記制御部は、前記第２の脱離処理の後の第３の脱離処理として、
前記第３の圧力に到達した後に、前記第１の減圧部による減圧と前記脱離促進部の動作とを停止させ、
前記第２の減圧部を動作させて、前記チャンバの内部を、前記第２の圧力よりも低い第４の圧力に減圧することを特徴とする項目６に記載の基板処理装置。
［項目８］ 前記制御部は、前記ガスの供給開始から予め定められた時間内に、前記第４の圧力よりも低い目標圧力まで減圧されていない場合、
前記第１の脱離処理、前記第２の脱離処理、及び前記第３の脱離処理の繰り返し処理を行うように、前記第１の減圧部と、前記第２の減圧部と、前記脱離促進部とを制御することを特徴とする項目７に記載の基板処理装置。
［項目９］ 前記脱離促進部は、
前記溶媒の脱離を促進する前記ガスを供給する供給部と、
前記供給部から供給された前記ガスに含まれる不純物を除去し、前記不純物の濃度が低減された純化ガスを出力する純化部と、を有し、
前記制御部は、前記脱離促進部を制御して、前記純化ガスを前記チャンバに供給することを特徴とする項目２に記載の基板処理装置。
［項目１０］ 前記脱離促進部は、
前記溶媒の脱離を促進するガスを供給する供給部と、
前記供給部から供給されたガスを加熱することにより、前記ガスから不純物を揮発させて、前記不純物の濃度が低減された加熱ガスを出力する加熱部と、を有し、
前記制御部は、前記脱離促進部を制御して、前記加熱ガスを前記チャンバに供給することを特徴とする項目２に記載の基板処理装置。
［項目１１］ 前記脱離促進部は、
前記溶媒の脱離を促進するガスを供給する供給部と、
前記供給部から供給されたガスに含まれる不純物を除去し、前記不純物の濃度が低減された純化ガスを出力する純化部と、
前記純化ガスを加熱することにより、当該純化ガスに含まれる不純物を揮発させて、前記純化ガスに比べて前記不純物の濃度が更に低減された加熱ガスを出力する加熱部と、を有し、
前記制御部は、前記脱離促進部を制御して、前記加熱ガスを前記チャンバに供給することを特徴とする項目２に記載の基板処理装置。
［項目１２］ 前記脱離促進部は、
前記溶媒の脱離を促進するガスを供給する供給部と、
前記供給部から供給されたガスに含まれる不純物を除去し、前記不純物の濃度が低減された純化ガスを出力する純化部と、
前記純化ガスを加熱することにより、当該純化ガスに含まれる不純物を揮発させて、前記純化ガスに比べて前記不純物の濃度が更に低減された加熱ガスを出力する加熱部と、
前記加熱ガスを前記チャンバに供給する加熱ガス供給配管と、
前記加熱部を迂回して前記純化ガスを前記チャンバに供給する純化ガス供給配管と、
前記制御部の制御に基づいて、前記加熱ガス供給配管または前記純化ガス供給配管を切替える切替部と、
を有することを特徴とする項目８に記載の基板処理装置。
［項目１３］ 前記制御部は、前記繰り返し処理を行わない場合における前記ガスの供給では、前記切替部を制御して、前記純化ガス供給配管から前記純化ガスを前記チャンバに供給することを特徴とする項目１２に記載の基板処理装置。
［項目１４］ 前記制御部は、前記繰り返し処理を行う場合における前記ガスの供給では、前記切替部を制御して、前記加熱ガス供給配管から前記加熱ガスを前記チャンバに供給することを特徴とする項目１２に記載の基板処理装置。
［項目１５］ 前記供給部により供給される前記ガスには、不活性ガス、酸素、またはオゾンが含まれることを特徴とする項目９乃至１４のいずれか１項に記載の基板処理装置。
［項目１６］ 基板に塗布された膜を乾燥させる基板処理装置の基板処理方法であって、
第１の減圧部により、チャンバの内部を第１の圧力に減圧することが可能な第１の減圧工程と、
第２の減圧部により、前記チャンバの内部を前記第１の圧力よりも低い圧力に減圧する第２の減圧工程と、
脱離促進部が、前記膜の溶媒の脱離を促進するガスを、前記第１の圧力よりも低い第２の圧力に減圧された前記チャンバに供給する脱離促進工程と、
を有することを特徴とする基板処理方法。
［項目１７］ 項目１乃至１５のいずれか１項に記載の基板処理装置を用いて、基板に塗布された膜を乾燥させる工程を有することを特徴とする物品の製造方法。
［項目１］ 基板に塗布された膜を乾燥させる基板処理装置であって、
チャンバの内部を第１の圧力に減圧することが可能な第１の減圧部と、
前記チャンバの内部を前記第１の圧力よりも低い圧力に減圧することが可能な第２の減圧部と、
前記膜の溶媒の脱離を促進するガスを、前記第１の圧力よりも低い第２の圧力に減圧された前記チャンバに供給する脱離促進部と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
［項目２］ 前記チャンバの内部の圧力を測定する測定部により測定された前記圧力に基づいて、前記第１の減圧部と、前記第２の減圧部と、前記脱離促進部とを制御する制御部を更に備える
ことを特徴とする項目１に記載の基板処理装置。
［項目３］ 前記制御部は、前記第２の減圧部による減圧を停止させた状態で、前記第１の減圧部と、前記脱離促進部とを動作させて、前記チャンバに前記ガスを供給することを特徴とする項目２に記載の基板処理装置。
［項目４］ 前記制御部は、前記第１の減圧部と、前記脱離促進部とを停止させた状態で、前記第２の減圧部を動作させて前記チャンバの内部を減圧することを特徴とする項目２または３に記載の基板処理装置。
［項目５］ 前記制御部は、第１の脱離処理として、
前記第２の圧力に減圧された状態で、前記第２の減圧部による減圧を停止させ、
前記第１の減圧部と前記脱離促進部とを動作させて、前記チャンバに前記ガスを供給することを特徴とする項目２に記載の基板処理装置。
［項目６］ 前記制御部は、前記第１の脱離処理の後の第２の脱離処理として、
前記チャンバの内部が、前記チャンバの外部圧力より低く、かつ、前記第１の圧力よりも高い第３の圧力に到達まで、前記第１の減圧部と前記脱離促進部とを動作させて、前記チャンバに前記ガスを供給する
ことを特徴とする項目５に記載の基板処理装置。
［項目７］ 前記制御部は、前記第２の脱離処理の後の第３の脱離処理として、
前記第３の圧力に到達した後に、前記第１の減圧部による減圧と前記脱離促進部の動作とを停止させ、
前記第２の減圧部を動作させて、前記チャンバの内部を、前記第２の圧力よりも低い第４の圧力に減圧することを特徴とする項目６に記載の基板処理装置。
［項目８］ 前記制御部は、前記ガスの供給開始から予め定められた時間内に、前記第４の圧力よりも低い目標圧力まで減圧されていない場合、
前記第１の脱離処理、前記第２の脱離処理、及び前記第３の脱離処理の繰り返し処理を行うように、前記第１の減圧部と、前記第２の減圧部と、前記脱離促進部とを制御することを特徴とする項目７に記載の基板処理装置。
［項目９］ 前記脱離促進部は、
前記溶媒の脱離を促進する前記ガスを供給する供給部と、
前記供給部から供給された前記ガスに含まれる不純物を除去し、前記不純物の濃度が低減された純化ガスを出力する純化部と、を有し、
前記制御部は、前記脱離促進部を制御して、前記純化ガスを前記チャンバに供給することを特徴とする項目２に記載の基板処理装置。
［項目１０］ 前記脱離促進部は、
前記溶媒の脱離を促進するガスを供給する供給部と、
前記供給部から供給されたガスを加熱することにより、前記ガスから不純物を揮発させて、前記不純物の濃度が低減された加熱ガスを出力する加熱部と、を有し、
前記制御部は、前記脱離促進部を制御して、前記加熱ガスを前記チャンバに供給することを特徴とする項目２に記載の基板処理装置。
［項目１１］ 前記脱離促進部は、
前記溶媒の脱離を促進するガスを供給する供給部と、
前記供給部から供給されたガスに含まれる不純物を除去し、前記不純物の濃度が低減された純化ガスを出力する純化部と、
前記純化ガスを加熱することにより、当該純化ガスに含まれる不純物を揮発させて、前記純化ガスに比べて前記不純物の濃度が更に低減された加熱ガスを出力する加熱部と、を有し、
前記制御部は、前記脱離促進部を制御して、前記加熱ガスを前記チャンバに供給することを特徴とする項目２に記載の基板処理装置。
［項目１２］ 前記脱離促進部は、
前記溶媒の脱離を促進するガスを供給する供給部と、
前記供給部から供給されたガスに含まれる不純物を除去し、前記不純物の濃度が低減された純化ガスを出力する純化部と、
前記純化ガスを加熱することにより、当該純化ガスに含まれる不純物を揮発させて、前記純化ガスに比べて前記不純物の濃度が更に低減された加熱ガスを出力する加熱部と、
前記加熱ガスを前記チャンバに供給する加熱ガス供給配管と、
前記加熱部を迂回して前記純化ガスを前記チャンバに供給する純化ガス供給配管と、
前記制御部の制御に基づいて、前記加熱ガス供給配管または前記純化ガス供給配管を切替える切替部と、
を有することを特徴とする項目８に記載の基板処理装置。
［項目１３］ 前記制御部は、前記繰り返し処理を行わない場合における前記ガスの供給では、前記切替部を制御して、前記純化ガス供給配管から前記純化ガスを前記チャンバに供給することを特徴とする項目１２に記載の基板処理装置。
［項目１４］ 前記制御部は、前記繰り返し処理を行う場合における前記ガスの供給では、前記切替部を制御して、前記加熱ガス供給配管から前記加熱ガスを前記チャンバに供給することを特徴とする項目１２に記載の基板処理装置。
［項目１５］ 前記供給部により供給される前記ガスには、不活性ガス、酸素、またはオゾンが含まれることを特徴とする項目９乃至１４のいずれか１項に記載の基板処理装置。
［項目１６］ 基板に塗布された膜を乾燥させる基板処理装置の基板処理方法であって、
第１の減圧部により、チャンバの内部を第１の圧力に減圧することが可能な第１の減圧工程と、
第２の減圧部により、前記チャンバの内部を前記第１の圧力よりも低い圧力に減圧する第２の減圧工程と、
脱離促進部が、前記膜の溶媒の脱離を促進するガスを、前記第１の圧力よりも低い第２の圧力に減圧された前記チャンバに供給する脱離促進工程と、
を有することを特徴とする基板処理方法。
［項目１７］ 項目１乃至１５のいずれか１項に記載の基板処理装置を用いて、基板に塗布された膜を乾燥させる工程を有することを特徴とする物品の製造方法。
【0072】
発明は上記実施形態に制限されるものではなく、発明の精神及び範囲から離脱することなく、様々な変更及び変形が可能である。従って、発明の範囲を公にするために請求項を添付する。
【符号の説明】
【0073】
１：真空チャンバ、２：基板、３：真空バルブ、４：ドライポンプ、
５：丸型ゲートバルブ（ゲートバルブ）、６：ターボ分子ポンプ、
７：脱離促進部、８：制御部、１１：基板保持部（ステージ）、
１２：ゲートバルブ、１３：圧力計測部、７１：ガス供給部、
７２：純化部、７３：バルブ、７４：ガス加熱部、７５：配管、
７６：切り替えバルブ、７７：加熱ガス供給配管、７８：純化ガス供給配管
５：丸型ゲートバルブ（ゲートバルブ）、６：ターボ分子ポンプ、
７：脱離促進部、８：制御部、１１：基板保持部（ステージ）、
１２：ゲートバルブ、１３：圧力計測部、７１：ガス供給部、
７２：純化部、７３：バルブ、７４：ガス加熱部、７５：配管、
７６：切り替えバルブ、７７：加熱ガス供給配管、７８：純化ガス供給配管
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】