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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2025155778
(43)【公開日】2025-10-14
(54)【発明の名称】積層セラミック電子部品
(51)【国際特許分類】
H01G 4/30 20060101AFI20251002BHJP
【ＦＩ】
H01G4/30 201N
H01G4/30 201M
H01G4/30 201L
H01G4/30 201K
H01G4/30 515
H01G4/30 512
【審査請求】未請求
【請求項の数】12
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2024221132
(22)【出願日】2024-12-17
(31)【優先権主張番号】P 2024053107
(32)【優先日】2024-03-28
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(71)【出願人】
【識別番号】000204284
【氏名又は名称】太陽誘電株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110004381
【氏名又は名称】弁理士法人ＩＴＯＨ
(72)【発明者】
【氏名】山根 麻衣子
【テーマコード（参考）】
5E001
5E082
【Ｆターム（参考）】
5E001AB03
5E001AC09
5E001AD02
5E001AE01
5E001AE02
5E001AE03
5E001AF06
5E082AA01
5E082AB03
5E082BC19
5E082EE04
5E082EE23
5E082EE35
5E082FF05
5E082FG26
5E082GG10
5E082GG11
5E082JJ03
5E082JJ12
(57)【要約】
【課題】耐湿性を向上することができる積層セラミック電子部品を提供する。
【解決手段】積層セラミック電子部品は、第１軸方向に積層された複数のセラミック層と、前記複数のセラミック層の間に位置する複数の内部電極と、前記第１軸と直交する第２軸に垂直であり、前記複数の内部電極の前記第２軸方向の端部が位置する一対の側面と、を有する積層体と、前記一対の側面を被覆する一対のサイドマージン部と、を具備し、前記積層体と前記一対のサイドマージン部との境界の少なくとも一部分において、前記積層体から前記一対のサイドマージン部にかけてＳｉ濃度が不連続に増加する。
【選択図】図４
【解決手段】積層セラミック電子部品は、第１軸方向に積層された複数のセラミック層と、前記複数のセラミック層の間に位置する複数の内部電極と、前記第１軸と直交する第２軸に垂直であり、前記複数の内部電極の前記第２軸方向の端部が位置する一対の側面と、を有する積層体と、前記一対の側面を被覆する一対のサイドマージン部と、を具備し、前記積層体と前記一対のサイドマージン部との境界の少なくとも一部分において、前記積層体から前記一対のサイドマージン部にかけてＳｉ濃度が不連続に増加する。
【選択図】図４
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１軸方向に積層された複数のセラミック層と、前記複数のセラミック層の間に位置する複数の内部電極と、前記第１軸と直交する第２軸に垂直であり、前記複数の内部電極の前記第２軸方向の端部が位置する一対の側面と、を有する積層体と、前記一対の側面を被覆する一対のサイドマージン部と、を具備し、
前記積層体と前記一対のサイドマージン部との境界の少なくとも一部分において、前記積層体から前記一対のサイドマージン部にかけてＳｉ濃度が不連続に増加する
積層セラミック電子部品。
前記積層体と前記一対のサイドマージン部との境界の少なくとも一部分において、前記積層体から前記一対のサイドマージン部にかけてＳｉ濃度が不連続に増加する
積層セラミック電子部品。
【請求項2】
前記積層体は、
前記複数の内部電極と、前記複数のセラミック層のうちで前記複数の内部電極の間に位置する複数の電極間セラミック層と、を有する容量形成部と、
前記複数のセラミック層のうちで前記容量形成部を間に挟む一対の最外セラミック層を有するカバー部と、
を有し、
少なくとも前記容量形成部と前記一対のサイドマージン部との境界において、前記容量形成部から前記一対のサイドマージン部にかけてＳｉ濃度が不連続に増加する
請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
前記複数の内部電極と、前記複数のセラミック層のうちで前記複数の内部電極の間に位置する複数の電極間セラミック層と、を有する容量形成部と、
前記複数のセラミック層のうちで前記容量形成部を間に挟む一対の最外セラミック層を有するカバー部と、
を有し、
少なくとも前記容量形成部と前記一対のサイドマージン部との境界において、前記容量形成部から前記一対のサイドマージン部にかけてＳｉ濃度が不連続に増加する
請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項3】
前記容量形成部と前記一対のサイドマージン部との境界において、前記容量形成部から前記一対のサイドマージン部にかけてＳｉ濃度が不連続に増加し、
前記容量形成部から前記一対のカバー部にかけてＳｉ濃度が不連続に増加する
請求項２に記載の積層セラミック電子部品。
前記容量形成部から前記一対のカバー部にかけてＳｉ濃度が不連続に増加する
請求項２に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項4】
前記積層体は、
前記複数の内部電極と、前記複数のセラミック層のうちで前記複数の内部電極の間に位置する複数の電極間セラミック層と、を有する容量形成部と、
前記複数のセラミック層のうちで前記容量形成部を間に挟む一対の最外セラミック層を有するカバー部と、
を有し、
少なくとも前記一対のカバー部と前記一対のサイドマージン部との境界において、前記一対のカバー部から前記一対のサイドマージン部にかけてＳｉ濃度が不連続に増加する
請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
前記複数の内部電極と、前記複数のセラミック層のうちで前記複数の内部電極の間に位置する複数の電極間セラミック層と、を有する容量形成部と、
前記複数のセラミック層のうちで前記容量形成部を間に挟む一対の最外セラミック層を有するカバー部と、
を有し、
少なくとも前記一対のカバー部と前記一対のサイドマージン部との境界において、前記一対のカバー部から前記一対のサイドマージン部にかけてＳｉ濃度が不連続に増加する
請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項5】
前記一対のカバー部と前記一対のサイドマージン部との境界においてのみ、前記一対のカバー部から前記一対のサイドマージン部にかけてＳｉ濃度が不連続に増加する
請求項４に記載の積層セラミック電子部品。
請求項４に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項6】
第１軸方向に積層された複数のセラミック層と、前記複数のセラミック層の間に位置する複数の内部電極と、前記第１軸と直交する第２軸に垂直であり、前記複数の内部電極の前記第２軸方向の端部が位置する一対の側面と、を有する積層体を具備し、
前記積層体は、
前記複数の内部電極と、前記複数のセラミック層のうちで前記複数の内部電極の間に位置する複数の電極間セラミック層と、を有する容量形成部と、
前記複数のセラミック層のうちで前記容量形成部を間に挟む一対の最外セラミック層を有するカバー部と、
を有し、
前記容量形成部と前記一対のカバー部との境界において、前記容量形成部から前記一対のカバー部にかけてＳｉ濃度が不連続に増加する
積層セラミック電子部品。
前記積層体は、
前記複数の内部電極と、前記複数のセラミック層のうちで前記複数の内部電極の間に位置する複数の電極間セラミック層と、を有する容量形成部と、
前記複数のセラミック層のうちで前記容量形成部を間に挟む一対の最外セラミック層を有するカバー部と、
を有し、
前記容量形成部と前記一対のカバー部との境界において、前記容量形成部から前記一対のカバー部にかけてＳｉ濃度が不連続に増加する
積層セラミック電子部品。
【請求項7】
前記積層体は、前記第１軸と直交する第２軸に垂直であり、前記複数の内部電極の前記第２軸方向の端部が位置する一対の側面を有し、
前記一対の側面を被覆する一対のサイドマージン部を具備し、
前記一対のカバー部と前記一対のサイドマージン部との間でＳｉ濃度が等しい
請求項６に記載の積層セラミック電子部品。
前記一対の側面を被覆する一対のサイドマージン部を具備し、
前記一対のカバー部と前記一対のサイドマージン部との間でＳｉ濃度が等しい
請求項６に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項8】
前記積層体は、前記第１軸と直交する第２軸に垂直であり、前記複数の内部電極の前記第２軸方向の端部が位置する一対の側面を有し、
前記一対の側面を被覆する一対のサイドマージン部を具備し、
前記一対のカバー部と前記一対のサイドマージン部との境界において、前記一対のサイドマージン部から前記一対のカバー部にかけてＳｉ濃度が不連続に増加する
請求項６に記載の積層セラミック電子部品。
前記一対の側面を被覆する一対のサイドマージン部を具備し、
前記一対のカバー部と前記一対のサイドマージン部との境界において、前記一対のサイドマージン部から前記一対のカバー部にかけてＳｉ濃度が不連続に増加する
請求項６に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項9】
前記積層体は、前記第１軸と直交する第２軸に垂直であり、前記複数の内部電極の前記第２軸方向の端部が位置する一対の側面を有し、
前記一対の側面を被覆する一対のサイドマージン部を具備し、
前記一対のカバー部と前記一対のサイドマージン部との境界において、前記一対のカバー部から前記一対のサイドマージン部にかけてＳｉ濃度が不連続に増加する
請求項６に記載の積層セラミック電子部品。
前記一対の側面を被覆する一対のサイドマージン部を具備し、
前記一対のカバー部と前記一対のサイドマージン部との境界において、前記一対のカバー部から前記一対のサイドマージン部にかけてＳｉ濃度が不連続に増加する
請求項６に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項10】
前記複数の内部電極の各々の前記端部に形成された酸化領域の前記第２軸方向の寸法は平均で１μｍ以下である
請求項１乃至９のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品。
請求項１乃至９のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項11】
前記一対のサイドマージン部は、セラミックの多結晶体を主成分とし、前記多結晶体中に分散され、前記多結晶体に対する合計体積率が１％以上２０％以下である複数のガラス粒子を含み、
前記複数のガラス粒子のメディアン径は、０．２０μｍ以上０．８０μｍ以下であり、かつ前記多結晶体を構成する複数の結晶粒子のメディアン径の９０％以上であり、
前記一対のサイドマージン部の断面では、格子状に区画された１μｍ２の複数の領域それぞれに観察されるガラス粒子の平均個数が０．５個以上２個以下である
請求項１乃至９のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品。
前記複数のガラス粒子のメディアン径は、０．２０μｍ以上０．８０μｍ以下であり、かつ前記多結晶体を構成する複数の結晶粒子のメディアン径の９０％以上であり、
前記一対のサイドマージン部の断面では、格子状に区画された１μｍ２の複数の領域それぞれに観察されるガラス粒子の平均個数が０．５個以上２個以下である
請求項１乃至９のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項12】
前記一対のサイドマージン部が、Ａサイトにバリウムを含み、Ｂサイトにチタンを含むペロブスカイト構造の多結晶体を含み、
前記一対のサイドマージン部では、Ｂサイトのチタンに対するＳｉの原子比が９ａｔ％以下である
請求項１乃至９のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品。
前記一対のサイドマージン部では、Ｂサイトのチタンに対するＳｉの原子比が９ａｔ％以下である
請求項１乃至９のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、積層セラミック電子部品に関する。
【背景技術】
【0002】
積層セラミックコンデンサの製造過程においてサイドマージン部を後付けする技術が知られている（例えば、特許文献１参照）。この技術は、薄いサイドマージン部によっても複数の内部電極の両側端部を確実に被覆することができるため、積層セラミックコンデンサの小型化及び大容量化に有利である。
【0003】
一例として、特許文献１に記載の積層セラミックコンデンサの製造方法では、内部電極が印刷されたセラミックシートを積層した積層シートを切断し、内部電極が露出した切断面を側面とする複数の積層体を作製する。そして、積層体の側面でセラミックシートを打ち抜くことにより、積層体の両側面にサイドマージン部を形成する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開２０１２－２０９５３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
しかしながら、サイドマージン部が薄く形成された積層セラミックコンデンサでは、耐湿性が低下するおそれがある。
【0006】
本開示は、耐湿性を向上することができる積層セラミック電子部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本開示の一態様によれば、積層セラミック電子部品は、第１軸方向に積層された複数のセラミック層と、前記複数のセラミック層の間に位置する複数の内部電極と、前記第１軸と直交する第２軸に垂直であり、前記複数の内部電極の前記第２軸方向の端部が位置する一対の側面と、を有する積層体と、前記一対の側面を被覆する一対のサイドマージン部と、を具備し、前記積層体と前記一対のサイドマージン部との境界の少なくとも一部分において、前記積層体から前記一対のサイドマージン部にかけてＳｉ濃度が不連続に増加する。
【0008】
本開示の他の一態様によれば、積層セラミック電子部品は、第１軸方向に積層された複数のセラミック層と、前記複数のセラミック層の間に位置する複数の内部電極と、前記第１軸と直交する第２軸に垂直であり、前記複数の内部電極の前記第２軸方向の端部が位置する一対の側面と、を有する積層体を具備し、前記積層体は、前記複数の内部電極と、前記複数のセラミック層のうちで前記複数の内部電極の間に位置する複数の電極間セラミック層と、を有する容量形成部と、前記複数のセラミック層のうちで前記容量形成部を間に挟む一対の最外セラミック層を有するカバー部と、を有し、前記容量形成部と前記一対のカバー部との境界において、前記容量形成部から前記一対のカバー部にかけてＳｉ濃度が不連続に増加する。
【発明の効果】
【0009】
本開示によれば、耐湿性を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【0010】
【図1】第１実施形態に係る積層セラミックコンデンサを示す斜視図である。
【図2】第１実施形態に係る積層セラミックコンデンサを示す断面図（その１）である。
【図3】第１実施形態に係る積層セラミックコンデンサを示す断面図（その２）である。
【図4】第１実施形態における容量形成部とサイドマージン部との境界の近傍におけるＳｉ濃度の分布を示す図である。
【図5】第１実施形態におけるカバー部とサイドマージン部との境界の近傍におけるＳｉ濃度の分布を示す図である。
【図6】第１実施形態に係る積層セラミックコンデンサの製造方法を示すフローチャートである。
【図7】上記製造方法のステップＳ０１で準備される未焼成の積層体を示す斜視図である。
【図8】上記製造方法のステップＳ０２で得られる未焼成のセラミック素体を示す斜視図である。
【図9】第１実施形態におけるサイドマージン部の微細組織を模式的に示す部分断面図である。
【図10】比較例における容量形成部とサイドマージン部との境界の近傍におけるＳｉ濃度の分布を示す図である。
【図11】比較例におけるカバー部とサイドマージン部との境界の近傍におけるＳｉ濃度の分布を示す図である。
【図12】比較例におけるサイドマージン部の微細組織を模式的に示す部分断面図である。
【図13】第１実施形態のサイドマージン部におけるガラス粒子の分布状態を模式的に示す部分断面図である。
【図14】第１実施形態のサイドマージン部におけるガラス粒子の分布状態を模式的に示す図である。
【図15】一部が酸化した内部電極を示す断面図である。
【図16】第２実施形態における容量形成部とサイドマージン部との境界の近傍におけるＳｉ濃度の分布を示す図である。
【図17】第２実施形態におけるカバー部とサイドマージン部との境界の近傍におけるＳｉ濃度の分布を示す図である。
【図18】第３実施形態における容量形成部とカバー部との境界の近傍におけるＳｉ濃度の分布を示す図である。
【図19】第３実施形態におけるカバー部とサイドマージン部との境界の近傍におけるＳｉ濃度の分布を示す図である。
【図20】第３実施形態における容量形成部とサイドマージン部との境界の近傍におけるＳｉ濃度の分布を示す図である。
【図21】第４実施形態における容量形成部とカバー部との境界の近傍におけるＳｉ濃度の分布を示す図である。
【図22】第４実施形態におけるカバー部とサイドマージン部との境界の近傍におけるＳｉ濃度の分布を示す図である。
【図23】第４実施形態における容量形成部とサイドマージン部との境界の近傍におけるＳｉ濃度の分布を示す図である。
【図24】第５実施形態における容量形成部とカバー部との境界の近傍におけるＳｉ濃度の分布を示す図である。
【図25】第５実施形態におけるカバー部とサイドマージン部との境界の近傍におけるＳｉ濃度の分布を示す図である。
【図26】第５実施形態における容量形成部とサイドマージン部との境界の近傍におけるＳｉ濃度の分布を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0011】
以下、本開示の実施形態について詳細に説明するが、本開示はこれらに限定されるものではない。なお、本明細書および図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複した説明を省くことがある。また、図面には、適宜、相互に直交するＸ軸、Ｙ軸、及びＺ軸が示されている。Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸は、積層セラミックコンデンサに対して固定された固定座標系を規定する。
【0012】
（第１実施形態）
まず、第１実施形態について説明する。第１実施形態は積層セラミックコンデンサに関する。
まず、第１実施形態について説明する。第１実施形態は積層セラミックコンデンサに関する。
【0013】
［積層セラミックコンデンサの構造］
図１は、第１実施形態に係る積層セラミックコンデンサを示す斜視図である。図２及び図３は、第１実施形態に係る積層セラミックコンデンサを示す断面図である。図２は、図１中のＡ－Ａ'線に沿った断面図である。図３は、図１中のＢ－Ｂ'線に沿った断面図である。
図１は、第１実施形態に係る積層セラミックコンデンサを示す斜視図である。図２及び図３は、第１実施形態に係る積層セラミックコンデンサを示す断面図である。図２は、図１中のＡ－Ａ'線に沿った断面図である。図３は、図１中のＢ－Ｂ'線に沿った断面図である。
【0014】
第１実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１０は、セラミック素体１１と、第１外部電極１４と、第２外部電極１５と、を備える。セラミック素体１１は、Ｘ軸と直交する一対の端面と、Ｙ軸と直交する一対の側面と、Ｚ軸と直交する一対の主面と、を有する６面体として構成される。第１外部電極１４及び第２外部電極１５は、セラミック素体１１の一対の端面を被覆している。
【0015】
セラミック素体１１の一対の端面、一対の側面、及び一対の主面はいずれも、平坦面として構成される。本実施形態における平坦面とは、全体的に見たときに平坦と認識される面であれば厳密に平面でなくてもよく、例えば、表面の微小な凹凸形状や、所定の範囲に存在する緩やかな湾曲形状などを有する面も含まれる。
【0016】
第１外部電極１４及び第２外部電極１５は、セラミック素体１１を挟んで相互にＸ軸方向に対向している。第１外部電極１４及び第２外部電極１５はそれぞれ、セラミック素体１１の各端面から主面及び側面に延出している。これにより、第１外部電極１４及び第２外部電極１５では、Ｘ－Ｚ平面に平行な断面、及びＸ－Ｙ平面に平行な断面がいずれもＵ字状となっている。
【0017】
なお、第１外部電極１４及び第２外部電極１５の形状は、図１に示すものに限定されない。例えば、第１外部電極１４及び第２外部電極１５は、セラミック素体１１の両端面から一方の主面のみに延び、Ｘ－Ｚ平面に平行な断面がＬ字状となっていてもよい。また、第１外部電極１４及び第２外部電極１５は、いずれの主面及び側面にも延出していなくてもよい。
【0018】
第１外部電極１４及び第２外部電極１５は、電気の良導体により形成されている。第１外部電極１４及び第２外部電極１５を形成する電気の良導体としては、例えば、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、錫（Ｓｎ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）などを主成分とする金属又は合金が挙げられる。なお、本実施形態で主成分とは最も含有比率の高い成分を言うものとする。
【0019】
セラミック素体１１は、積層体１６と、一対のサイドマージン部１７と、を有する。積層体１６は、セラミック素体１１の一対の主面及び一対の端面を構成し、Ｙ軸に垂直な一対の側面Ｆを有する。一対のサイドマージン部１７はそれぞれ、積層体１６の一対の側面Ｆを被覆し、セラミック素体１１の一対の側面を構成する。
【0020】
積層体１６は、Ｘ－Ｙ平面に沿って延びる平板状の複数のセラミック層がＺ軸方向に積層された構成を有する。積層体１６は、容量形成部１８と、一対のカバー部１９と、を有する。一対のカバー部１９は、容量形成部１８をＺ軸方向上下から被覆しており、セラミック素体１１の一対の主面を構成している。複数のセラミック層は、容量形成部１８に含まれる複数の電極間セラミック層２１と、一対のカバー部１９に含まれる一対の最外セラミック層２２と、を有する。一対の最外セラミック層は、Ｚ軸方向で容量形成部１８を間に挟む。
【0021】
容量形成部１８は、Ｘ－Ｙ平面に沿って延びるシート状の複数の第１内部電極１２及び第２内部電極１３を有する。第１内部電極１２及び第２内部電極１３は複数のセラミック層の間に配置されている。第１内部電極１２及び第２内部電極１３は、Ｚ軸方向に沿って交互に配置されている。つまり、容量形成部１８では、第１内部電極１２及び第２内部電極１３がセラミック層を挟んでＺ軸方向に対向している。
【0022】
第１内部電極１２は、第１外部電極１４に覆われた端面に引き出されている。一方、第２内部電極１３は第２外部電極１５に覆われた端面に引き出されている。これにより、第１内部電極１２は第１外部電極１４のみに接続され、第２内部電極１３は第２外部電極１５のみに接続されている。
【0023】
第１内部電極１２及び第２内部電極１３は、容量形成部１８のＹ軸方向の全幅にわたって形成され、そのＹ軸方向の両端部が積層体１６の両側面Ｆ上に位置している。これにより、セラミック素体１１では、複数の第１内部電極１２及び第２内部電極１３のＹ軸方向の端部の位置が積層体１６の両側面Ｆ上においてＹ軸方向に０．５μｍ以内の範囲で揃っている。
【0024】
第１内部電極１２及び第２内部電極１３は、電気の良導体により形成されている。第１内部電極１２及び第２内部電極１３を形成する電気の良導体としては、典型的にはニッケル（Ｎｉ）が挙げられ、この他にも銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）などを主成分とする金属又は合金が挙げられる。
【0025】
このような構成により、積層セラミックコンデンサ１０では、第１外部電極１４と第２外部電極１５との間に電圧が印加されると、第１内部電極１２と第２内部電極１３との間の複数の電極間セラミック層２１に電圧が加わる。これにより、積層セラミックコンデンサ１０では、第１外部電極１４と第２外部電極１５との間の電圧に応じた電荷が蓄えられる。
【0026】
積層セラミックコンデンサ１０のセラミック素体１１では、容量形成部１８を構成する複数のセラミック層（電極間セラミック層２１）、一対のカバー部１９、及び一対のサイドマージン部１７がいずれも誘電体セラミックの多結晶体を主成分としている。
【0027】
セラミック素体１１では、容量形成部１８の各セラミック層の容量を大きくするため、高誘電率の誘電体セラミックが用いられる。高誘電率の誘電体セラミックとしては、例えば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）に代表される、バリウム（Ｂａ）及びチタン（Ｔｉ）を含むペロブスカイト構造の材料が挙げられる。
【0028】
なお、セラミック層は、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３）、チタン酸カルシウム（ＣａＴｉＯ３）、チタン酸マグネシウム（ＭｇＴｉＯ３）、ジルコン酸カルシウム（ＣａＺｒＯ３）、チタン酸ジルコン酸カルシウム（Ｃａ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３）、ジルコン酸バリウム（ＢａＺｒＯ３）、酸化チタン（ＴｉＯ２）などの組成系で構成してもよい。
【0029】
本実施形態では、積層体１６と一対のサイドマージン部１７との境界において、積層体１６から一対のサイドマージン部１７にかけてＳｉ濃度が不連続に増加する。図４は、第１実施形態における容量形成部１８とサイドマージン部１７との境界の近傍におけるＳｉ濃度の分布を示す図である。図５は、第１実施形態におけるカバー部１９とサイドマージン部１７との境界の近傍におけるＳｉ濃度の分布を示す図である。
【0030】
本実施形態では、詳細は後述するが、サイドマージン部１７の形成に焼結助剤として有機ケイ素化合物が用いられており、サイドマージン部１７にＳｉが含まれる。サイドマージン部１７は、Ｓｉを主成分とするガラス粒子を含んでいてもよい。一方、容量形成部１８に含まれる電極間セラミック層２１、及びカバー部１９に含まれる最外セラミック層２２の形成には有機ケイ素化合物が用いられておらず、電極間セラミック層２１及び最外セラミック層２２におけるＳｉ濃度はサイドマージン部１７におけるＳｉ濃度よりも低い。電極間セラミック層２１及び最外セラミック層２２に実質的にＳｉが含まれていなくてもよい。そして、図４に示すように、容量形成部１８と一対のサイドマージン部１７との境界において、容量形成部１８から一対のサイドマージン部１７にかけてＳｉ濃度が不連続に増加する。また、図５に示すように、カバー部１９と一対のサイドマージン部１７との境界において、カバー部１９から一対のサイドマージン部１７にかけてＳｉ濃度が不連続に増加する。容量形成部１８と一対のサイドマージン部１７との境界において、Ｓｉ濃度の差は、好ましくは４ａｔ％以上であり、より好ましくは５ａｔ％以上である。カバー部１９と一対のサイドマージン部１７との境界において、Ｓｉ濃度の差が４ａｔ％以上であってもよく、５ａｔ％以上であってもよい。本開示で、境界からサイドマージン部１７側に向かって３μｍまでの領域と境界からカバー部１９、もしくは容量形成部１８側に向かって３μｍまでの領域において測定した際に、境界の一方の側と他方の側との間でＳｉ濃度の差が４ａｔ％以上あれば、「Ｓｉ濃度が不連続に増加する」に該当する。
【0031】
容量形成部１８とサイドマージン部１７のＳｉ濃度比率は、容量形成部１８を１とするとサイドマージン部１７は６～９、また、カバー部１９とサイドマージン部１７のＳｉ濃度比率は、カバー部１９を１とするとサイドマージン部１７は２～６となる。
【0032】
［積層セラミックコンデンサの製造方法］
次に、積層セラミックコンデンサ１０の製造方法について説明する。図６は、第１実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１０の製造方法を示すフローチャートである。図７及び図８は、積層セラミックコンデンサ１０の製造過程を示す図である。以下、積層セラミックコンデンサ１０の製造方法について、図６に沿って、図７及び図８を適宜参照しながら説明する。
次に、積層セラミックコンデンサ１０の製造方法について説明する。図６は、第１実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１０の製造方法を示すフローチャートである。図７及び図８は、積層セラミックコンデンサ１０の製造過程を示す図である。以下、積層セラミックコンデンサ１０の製造方法について、図６に沿って、図７及び図８を適宜参照しながら説明する。
【0033】
（ステップＳ０１：積層体準備）
ステップＳ０１では、図７に示す未焼成の積層体１６を準備する。未焼成の積層体１６は、大判の複数のセラミックシートがＺ軸方向に積層された積層シートを用いて作製することができる。容量形成部１８に対応するセラミックシートには第１内部電極１２及び第２内部電極１３を形成するための導電性ペーストがパターニングされる。
ステップＳ０１では、図７に示す未焼成の積層体１６を準備する。未焼成の積層体１６は、大判の複数のセラミックシートがＺ軸方向に積層された積層シートを用いて作製することができる。容量形成部１８に対応するセラミックシートには第１内部電極１２及び第２内部電極１３を形成するための導電性ペーストがパターニングされる。
【0034】
未焼成の積層体１６は、上記の積層シートをＸ－Ｚ平面及びＹ－Ｚ平面に沿って切り分けることで得られる。積層シートの切断には、例えば、押し切り刃や回転刃などを備えた切断装置を用いることができる。これにより、積層体１６では、第１内部電極１２及び第２内部電極１３のＹ軸方向の両端部が揃って位置する切断面として一対の側面Ｆが得られる。
【0035】
（ステップＳ０２：サイドマージン部形成）
ステップＳ０２では、ステップＳ０１で作製した未焼成の積層体１６の一対の側面Ｆにそれぞれ未焼成の一対のサイドマージン部１７を設ける。これにより、図８に示すように、未焼成のサイドマージン部１７によって一対の側面が構成される未焼成のセラミック素体１１が得られる。
ステップＳ０２では、ステップＳ０１で作製した未焼成の積層体１６の一対の側面Ｆにそれぞれ未焼成の一対のサイドマージン部１７を設ける。これにより、図８に示すように、未焼成のサイドマージン部１７によって一対の側面が構成される未焼成のセラミック素体１１が得られる。
【0036】
未焼成のサイドマージン部１７には、焼結助剤として有機ケイ素化合物が混合されたセラミックスラリーを用いる。有機ケイ素化合物としては、シリコーンレジン及びシリコンオリゴマー等を用いることができる。セラミックスラリーは、次のようにして作製することができる。まず、有機ケイ素化合物とバインダーとが混合した分散液を準備する。バインダーとしては、ポリビニルブチラール（ＰＶＢ）を用いることができる。次に、チタン酸バリウム等のサイドマージン部１７を構成する誘電体セラミックのスラリーと分散液とを分散後、乳化させる。このようにして、有機ケイ素化合物が均一に分散したサイドマージン部１７用のセラミックスラリーを作製することができる。
【0037】
サイドマージン部１７は、任意の方法で形成可能である。サイドマージン部１７は、例えば、セラミックスラリーをシート状に成形したセラミックシートを用いて形成することができる。この場合、セラミックシートは、例えば、積層体１６の側面Ｆで打ち抜くことや、予め切断して積層体１６の側面Ｆに貼り付けることができる。
【0038】
また、サイドマージン部１７を形成するために、予めシート状に成形されたセラミックシートではなく、成形されていないセラミックスラリーをそのまま用いることもできる。この場合、セラミックスラリーは、例えば、積層体１６の側面Ｆを浸漬させることで、積層体１６の側面Ｆに塗布することができる。
【0039】
【0040】
（ステップＳ０４：外部電極形成）
ステップＳ０４では、ステップＳ０３で焼成されたセラミック素体１１のＸ軸方向両端部に第１外部電極１４及び第２外部電極１５を形成することにより、図１～図３に示す積層セラミックコンデンサ１０を作製する。ステップＳ０４における第１外部電極１４及び第２外部電極１５の形成方法は、公知の方法から任意に選択可能である。なお、素体に第１外部電極１４と第２外部電極１５を形成したのち同時に焼成してもよい。
ステップＳ０４では、ステップＳ０３で焼成されたセラミック素体１１のＸ軸方向両端部に第１外部電極１４及び第２外部電極１５を形成することにより、図１～図３に示す積層セラミックコンデンサ１０を作製する。ステップＳ０４における第１外部電極１４及び第２外部電極１５の形成方法は、公知の方法から任意に選択可能である。なお、素体に第１外部電極１４と第２外部電極１５を形成したのち同時に焼成してもよい。
【0041】
以上により、図１～図３に示す積層セラミックコンデンサ１０が完成する。この製造方法では、第１内部電極１２及び第２内部電極１３が露出した積層体１６の側面Ｆにサイドマージン部１７が形成されるため、セラミック素体１１における複数の第１内部電極１２及び第２内部電極１３のＹ軸方向の端部の位置が、Ｙ軸方向に０．５μｍ以内の範囲で揃う。
【0042】
第１実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１０では、サイドマージン部１７の焼結助剤として有機ケイ素化合物が用いられている。このため、サイドマージン部１７に高い緻密性が得られ、優れた耐湿性を得ることができる。従って、サイドマージン部１７が薄い場合でも、外部からサイドマージン部１７の内側への水分の侵入を抑制し、第１内部電極１２及び第２内部電極１３の酸化を抑制することができる。
【0043】
また、特にカバー部１９とサイドマージン部１７との界面の近傍に優れた耐湿性が得られることで、カバー部１９とサイドマージン部１７との間に若干の剥がれが生じたとしても、第１内部電極１２及び第２内部電極１３の酸化を抑制することができる。
【0044】
なお、緻密性の向上のためにサイドマージン部の焼結助剤としてＳｉＯ２を用いることも考えられる。しかしながら、ＳｉＯ２が用いられた場合、積層体とサイドマージン部との間のＳｉ濃度差に起因して、焼成中にＳｉイオンがサイドマージン部から積層体に拡散する。この結果、電極間セラミック層の結晶粒子径が設計値から変化し、設計通りの容量等の電気特性が得られなくなる。
【0045】
一方、有機ケイ素化合物が用いられた場合、有機ケイ素化合物から生じたＳｉイオンは焼成中にチタン酸バリウムのバリウム等の誘電体セラミックの構成元素と結合し、ＢａＳｉガラス等のガラス粒子を形成する。この反応は、反応エネルギ等の点で、ＳｉＯ２の生成及びＳｉイオンの積層体１６への拡散よりも優先的である。従って、本実施形態では、サイドマージン部１７から積層体１６へのＳｉイオンの拡散が防止される。この結果、容量形成部１８と一対のサイドマージン部１７との境界において、容量形成部１８から一対のサイドマージン部１７にかけてＳｉ濃度が不連続に増加する。また、カバー部１９と一対のサイドマージン部１７との境界において、カバー部１９から一対のサイドマージン部１７にかけてＳｉ濃度が不連続に増加する。このため、Ｓｉイオンの拡散に伴う電極間セラミック層２１の結晶粒子径の設計値から変化を抑制し、設計通りの容量等の電気特性を得ることができる。
【0046】
なお、ガラス粒子の大きさは有機ケイ素化合物中のシロキサン結合の大きさに依存し、チタン酸バリウム等のセラミックの結晶粒子の大きさと同等以上になりやすい。このため、ガラス粒子に含まれるＳｉの、セラミックの結晶粒子の粒界を超える拡散は生じにくく、この点でも積層体１６へのＳｉの拡散が抑制される。
【0047】
図９は、サイドマージン部１７の微細組織を模式的に示す部分断面図である。図９には、多結晶体を構成する複数の結晶粒子Ｃが低密度のドットパターンで示され、ガラス粒子Ｇが高密度のドットパターンで示されている。サイドマージン部１７は、ガラス粒子Ｇが結晶粒子Ｃと同等以上の大きさを有する特徴的な微細組織を有する。
【0048】
図９には、サイドマージン部１７に発生したクラックが太矢印で示す方向に進展しようとしている状態が示されている。図９に示すクラックの進展経路には、ガラス粒子Ｇが存在する。従って、図９に示す状態では、クラックの進展の推進力となるエネルギがガラス粒子Ｇに対して加わる。
【0049】
粘性の高いガラス粒子Ｇは、クラックから加わるエネルギを吸収する作用を有する。特に、サイドマージン部１７では、ガラス粒子Ｇが大きいため、クラックから加わるエネルギを充分に吸収することができる。このため、サイドマージン部１７では、クラックがガラス粒子Ｇにおいて推進力を失うことでクラックの進展が止まる。
【0050】
ここで、比較例として、サイドマージン部の形成に焼結助剤としてＳｉＯ２が用いられた積層セラミックコンデンサの特徴について説明する。図１０は、比較例における容量形成部とサイドマージン部との境界の近傍におけるＳｉ濃度の分布を示す図である。図１１は、比較例におけるカバー部とサイドマージン部との境界の近傍におけるＳｉ濃度の分布を示す図である。
【0051】
焼結助剤としてＳｉＯ２が用いられた場合、上述のように、焼成中にＳｉイオンの拡散が生じる。このため、図１０に示すように、容量形成部１８ｘと一対のサイドマージン部１７ｘとの境界において、容量形成部１８ｘから一対のサイドマージン部１７ｘにかけてＳｉ濃度が連続的に増加する。また、図１１に示すように、カバー部１９ｘと一対のサイドマージン部１７ｘとの境界において、カバー部１９ｘから一対のサイドマージン部１７ｘにかけてＳｉ濃度が連続的に増加する。
【0052】
図１２は、比較例におけるサイドマージン部１７ｘの微細組織を模式的に示す部分断面図である。サイドマージン部１７ｘでは、第１実施形態におけるサイドマージン部１７とは異なり、結晶粒子Ｃに比べてガラス粒子Ｇが大幅に小さく、ガラス粒子Ｇが結晶粒子Ｃの粒界ないし粒界三重点に存在する。
【0053】
サイドマージン部１７ｘでは、小さいガラス粒子Ｇによってクラックから加わるエネルギを充分に吸収することができず、ガラス粒子Ｇを介してその周囲の結晶粒子Ｃ及び粒界にエネルギが加わる。これにより、サイドマージン部１７ｘでは、クラックの進展がガラス粒子Ｇで止まらずに、クラックがガラス粒子Ｇを超えて進展しやすい。
【0054】
このように、本実施形態では、サイドマージン部１７のガラス粒子Ｇが結晶粒子Ｃと同等以上の大きさを有するため、比較例とは異なり、ガラス粒子Ｇによるクラックの進展を止める作用が有効に得られる。これにより、サイドマージン部１７では、大きいクラックの発生を抑制することができる。
【0055】
サイドマージン部１７では、ガラス粒子Ｇのメディアン径が０．２０μｍ以上であり、かつ多結晶体を構成する結晶粒子Ｃのメディアン径の９０％以上であることが好ましい。これにより、サイドマージン部１７では、ガラス粒子Ｇによってクラックの持つエネルギを吸収する作用を充分に得ることができる。
【0056】
メディアン径は、断面における所定の視野内に存在する粒子の粒径の中央値として定義され、例えば、サイドマージン部１７の断面における３０μｍ×４０μｍの矩形の視野において求めることができる。各粒子の粒径は、当該粒子の断面と面積が等しくなる円の直径として算出される円相当径として得ることができる。
【0057】
なお、サイドマージン部１７では、ガラス粒子Ｇが大きすぎると、柔軟性が高くなりすぎることで製造過程において外面の平坦性が損なわれるなど正常な形状を保つことが難しくなる。このため、サイドマージン部１７では、ガラス粒子Ｇのメディアン径を０．８０μｍ以下に留めることが好ましい。
【0058】
更に、サイドマージン部１７では、充分な量のガラス粒子Ｇを多結晶体中に均一に分散させることで、クラックの進展経路にガラス粒子Ｇが存在する確率を各段に高めることができる。これにより、サイドマージン部１７に発生したクラックの進展をガラス粒子Ｇによってより確実に阻むことができる。
【0059】
特に、サイドマージン部１７では、外面から発生したクラックがＹ軸方向に貫通することで積層体１６の側面Ｆまで到達することを防止することができる。これにより、積層セラミックコンデンサ１０では、水分がサイドマージン部１７のクラックを介して積層体１６の側面Ｆに侵入することによる絶縁不良の発生を防止することができる。
【0060】
積層セラミックコンデンサ１０では、Ｙ軸方向の寸法が小さいサイドマージン部１７ほどＹ軸方向に貫通するクラックが発生しやすい。従って、積層セラミックコンデンサ１０では、サイドマージン部１７のＹ軸方向の寸法が２０μｍ以下の構成において、絶縁不良の発生を防止する効果がより有効に得られる。
【0061】
具体的に、サイドマージン部１７では、多結晶体の存在する部分の合計体積に対するガラス粒子Ｇが存在する部分の合計体積の割合（合計体積率）が１％以上であることが好ましい。これにより、サイドマージン部１７では、クラックの進展経路にガラス粒子Ｇが存在する確率を充分に高めることができる。
【0062】
サイドマージン部１７における多結晶体に対するガラス粒子Ｇの合計体積率は、サイドマージン部１７の断面における所定の視野内に存在するガラス粒子Ｇの粒径から推測することができ、例えば、サイドマージン部１７の断面をＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）によって３０μｍ×４０μｍの矩形の視野を撮像した写真において求めることができる。
【0063】
具体的に、サイドマージン部１７の断面写真から、最大径が０．０５μｍ以上のガラス粒子Ｇそれぞれについて測定した面積を用いて各ガラス粒子Ｇの直径を円相当径として算出し、得られた直径から各ガラス粒子Ｇの球体相当の体積を算出する。これにより、ガラス粒子Ｇの平均体積が得られる。次に、面積が１μｍ２の正方形の領域中のガラス粒子Ｇの個数からサイドマージン部１７全体におけるガラス粒子Ｇの個数を概算で得ることができる。これにより、ガラス粒子Ｇについて平均体積と個数とを積算することで合計体積が求められる。そして、ガラス粒子Ｇの合計体積率は、サイドマージン部１７の全体積からガラス粒子Ｇの合計体積を引いて得られる多結晶体の体積に対するガラス粒子Ｇの合計体積の比率として求めることができる。
【0064】
なお、サイドマージン部１７では、多結晶体に対するガラス粒子Ｇの合計体積率が大きすぎると、柔軟性が高くなりすぎることで製造過程において外面の平坦性が損なわれるなど正常な形状を保つことが難しくなる。このため、サイドマージン部１７では、多結晶体に対するガラス粒子Ｇの合計体積の割合は２０％以下に留めることが好ましい。
【0065】
図１３及び図１４は、サイドマージン部１７におけるガラス粒子Ｇの存在する頻度の評価方法を説明するための図である。図１３は、サイドマージン部１７におけるガラス粒子の分布状態を模式的に示す部分断面図である。図１４は、サイドマージン部１７におけるガラス粒子の分布状態を模式的に示す図である。図１３には、サイドマージン部１７の断面上に格子状に区画された複数の正方形の領域Ｒが示されている。各領域Ｒの面積は１μｍ２である。複数の領域Ｒは、例えば、４行７列に配列することができる。
【0066】
図１４には、図１３と同様の視野において各領域Ｒで観察されるガラス粒子Ｇの個数が示されている。なお、各領域Ｒでは、ガラス粒子Ｇの一部のみが観察される場合にも１個としてカウントするものとする。本実施形態では、サイドマージン部１７におけるガラス粒子Ｇの存在する頻度を複数の領域Ｒにおけるガラス粒子Ｇの平均個数で評価する。
【0067】
具体的に、本実施形態におけるサイドマージン部１７では、配列されたすべての領域Ｒにおけるガラス粒子Ｇの平均個数が１μｍ２あたり０．５個以上２個以下であることが好ましい。また、サイドマージン部１７では、配列されたすべての領域Ｒのガラス粒子Ｇの１μｍ２あたりの個数の標準偏差が０．３０以下であることが好ましい。
【0068】
これにより、サイドマージン部１７では、結晶粒子Ｃで構成される多結晶体中において、ガラス粒子Ｇの高い分散性が得られ、ガラス粒子Ｇの存在する頻度が適切な構成となる。このため、サイドマージン部１７では、ガラス粒子Ｇによる柔軟性の上昇を抑えつつ、クラックの進展経路にガラス粒子Ｇが存在する確率を充分に高めることができる。
【0069】
積層セラミックコンデンサ１０の断面に白色光を照射すると、ガラス粒子Ｇからの反射のため、サイドマージン部１７が積層体１６よりも白く見える。また、カバー部１９がＳｉを含まない場合、カバー部１９は特に黒く見える。ただし、一対のカバー部１９が、一対のサイドマージン部１７と同様の材料から構成されていてもよく、この場合、サイドマージン部１７及びカバー部１９が容量形成部１８よりも白く見える。
【0070】
ここで、白く見えるのはＳｉ濃度が高いからであり、図１０及び図１１にＳｉ濃度の分布を示す比較例と比べると、本実施形態には分子量の大きいＳｉが含まれているため、容量形成部１８に拡散されずにサイドマージン部１７に残留するＳｉが多いことを示す。
【0071】
さらに、図３の断面図において、サイドマージン部１７を側表面から容量形成部１８に向かってＹ方向に見ていくと、側表面側の方が白く見え、容量形成部１８側のサイドマージン部１７は側表面側と比較すると白さが薄れているように見える。これは、容量形成部１８へＳｉが少し拡散するためである。
【0072】
一方、図１０及び図１１にＳｉ濃度の分布を示す比較例において、サイドマージン部１７ｘに添加したＳｉＯ２は容量形成部１８ｘへかなり拡散するので、側表面側と容量形成部１８側とで白さに大きな差が生まれる。これはサイドマージン部１７ｘに残留するＳｉが少なくなるためである。
【0073】
よって、本実施形態のサイドマージン部１７では、比較例のサイドマージン部１７ｘよりもＹ方向に亘って白さを保つことができる。
【0074】
また、容量形成部１８から一対のカバー部１９（最外セラミック層２２）にかけてＳｉ濃度が不連続に増加し、より優れた耐湿性を得ることができる。また、この場合、容量形成部１８と一対のカバー部１９との境界において、Ｓｉ濃度の差は、好ましくは４ａｔ％以上であり、より好ましくは５ａｔ％以上である。
【0075】
なお、第１内部電極１２及び第２内部電極１３のサイドマージン部１７に接触する端部が若干酸化していてもよい。図１５は、一部が酸化した内部電極を示す断面図である。ただし、第１内部電極１２及び第２内部電極１３の端部に形成された酸化領域４０のＹ軸方向の寸法Ｗは平均で１μｍ以下であることが好ましい。酸化領域の寸法Ｗは、例えば断面走査型電子顕微鏡（scanning electron microscope：ＳＥＭ）を用いて測定することができる。
【0076】
また、一対のサイドマージン部１７が、Ａサイトにバリウムを含み、Ｂサイトにチタンを含むペロブスカイト構造の多結晶体を含む場合、一対のサイドマージン部１７では、Ｂサイトのチタンに対するＳｉの原子比が９ａｔ％以下であることが好ましい。Ｂサイトのチタンに対するＳｉの原子比が９ａｔ％より大きい場合、サイドマージン部１７の形成に用いられる有機ケイ素化合物が過剰になり、焼結性が低下するおそれがあるためである。また、緻密性の向上の効果の観点から、Ｂサイトのチタンに対するＳｉの原子比は、好ましくは１ａｔ％以上であり、より好ましくは３ａｔ％以上である。
【0077】
各元素の定量分析は、例えばレーザアブレーション誘導結合プラズマ質量分析（Laser Ablation Inductively Coupled Plasma Mass Spectrometry：ＬＡ－ＩＣＰ－ＭＳ）法により行うことができる。
【0078】
（第２実施形態）
次に、第２実施形態について説明する。第２実施形態は、主としてサイドマージン部の形成方法及び構成の点で第１実施形態と相違する。図１６は、第２実施形態における容量形成部とサイドマージン部との境界の近傍におけるＳｉ濃度の分布を示す図である。図１７は、第２実施形態におけるカバー部とサイドマージン部との境界の近傍におけるＳｉ濃度の分布を示す図である。
次に、第２実施形態について説明する。第２実施形態は、主としてサイドマージン部の形成方法及び構成の点で第１実施形態と相違する。図１６は、第２実施形態における容量形成部とサイドマージン部との境界の近傍におけるＳｉ濃度の分布を示す図である。図１７は、第２実施形態におけるカバー部とサイドマージン部との境界の近傍におけるＳｉ濃度の分布を示す図である。
【0079】
第２実施形態に係る積層セラミックコンデンサは、第１実施形態における一対のサイドマージン部１７に代えて一対のサイドマージン部１７ｂを有する。一対のサイドマージン部１７ｂは、それぞれ主部３１と、被覆部３２と、を有する。被覆部３２は、主部３１の積層体１６に対向する面を被覆し、積層体１６と主部３１との間にある。例えば、主部３１は電極間セラミック層２１と同様の材料から構成され、被覆部３２はサイドマージン部１７と同様に積層体１６よりも高い濃度でＳｉを含有する。従って、図１６に示すように、容量形成部１８と一対の被覆部３２との境界において、容量形成部１８から一対の被覆部３２にかけてＳｉ濃度が不連続に増加する。また、図１７に示すように、カバー部１９と一対の被覆部３２との境界において、カバー部１９から一対の被覆部３２にかけてＳｉ濃度が不連続に増加する。
【0080】
第２実施形態の他の構成は第１実施形態と同様である。
【0081】
第２実施形態に係る積層セラミックコンデンサの製造に際しては、まず、第１実施形態と同様に、ステップＳ０１にて、積層体１６を準備する。
【0082】
次に、ステップＳ０２にて、未焼成のサイドマージン部１７に代えて未焼成の主部３１を準備する。また、未焼成の主部３１の積層体１６に対向する面に、スプレーコートにより有機ケイ素化合物とバインダー、およびバリウムを含む化合物が混合した分散液を塗布する。ここで、バリウムを含む化合物とは、例えば、炭酸バリウムである。そして、ステップＳ０２において、分散液が塗布された未焼成の主部３１を、未焼成の積層体１６の一対の側面Ｆにそれぞれ設ける。
【0083】
その後、第１実施形態と同様に、ステップＳ０３にて焼成を行い、ステップＳ０４にて第１外部電極１４及び第２外部電極１５を形成する。焼成の結果、分散液が塗布された部分に被覆部３２が形成される。
【0084】
このようにして第２実施形態に係る積層セラミックコンデンサを製造することができる。
【0085】
第２実施形態によっても、第１実施形態と同様に、サイドマージン部１７ｂに高い緻密性が得られ、優れた耐湿性を得ることができる。従って、サイドマージン部１７ｂが薄い場合でも、外部からサイドマージン部１７ｂの内側への水分の侵入を抑制し、第１内部電極１２及び第２内部電極１３の酸化を抑制することができる。
【0086】
また、特にカバー部１９とサイドマージン部１７ｂとの界面の近傍に優れた耐湿性が得られることで、カバー部１９とサイドマージン部１７ｂとの間に若干の剥がれが生じたとしても、第１内部電極１２及び第２内部電極１３の酸化を抑制することができる。
【0087】
主部３１が第１実施形態のサイドマージン部１７と同様の材料から構成されていてもよい。この場合、より優れた耐湿性を得ることができる。
【0088】
なお、積層体１６と一対のサイドマージン部１７又は１７ｂとの境界の全体で積層体１６から一対のサイドマージン部１７又は１７ｂにかけてＳｉ濃度が不連続に増加している必要はない。積層体１６と一対のサイドマージン部１７又は１７ｂとの境界の少なくとも一部分において、積層体１６から一対のサイドマージン部１７又は１７ｂにかけてＳｉ濃度が不連続に増加していれば、従来の積層セラミックコンデンサよりも優れた耐湿性を得ることができる。
【0089】
例えば、カバー部１９と一対のサイドマージン部１７又は１７ｂとの境界において、カバー部１９から一対のサイドマージン部１７又は１７ｂにかけてＳｉ濃度が不連続に増加している場合、容量形成部１８と一対のサイドマージン部１７又は１７ｂとの境界において、容量形成部１８から一対のサイドマージン部１７又は１７ｂにかけてＳｉ濃度が不連続に増加していなくてもよい。この場合、カバー部１９とサイドマージン部１７又は１７ｂとの界面の近傍に優れた耐湿性が得られることで、カバー部１９とサイドマージン部１７又は１７ｂとの間に若干の剥がれが生じたとしても、第１内部電極１２及び第２内部電極１３の酸化を抑制することができる。
【0090】
逆に、容量形成部１８と一対のサイドマージン部１７又は１７ｂとの境界において、容量形成部１８から一対のサイドマージン部１７又は１７ｂにかけてＳｉ濃度が不連続に増加している場合、カバー部１９と一対のサイドマージン部１７又は１７ｂとの境界において、カバー部１９から一対のサイドマージン部１７又は１７ｂにかけてＳｉ濃度が不連続に増加していなくてもよい。この場合、容量形成部１８とサイドマージン部１７又は１７ｂとの界面の近傍に優れた耐湿性が得られることで、容量形成部１８に含まれる第１内部電極１２及び第２内部電極１３の酸化を抑制することができる。
【0091】
（第３実施形態）
次に、第３実施形態について説明する。第３実施形態は、主としてカバー部の構成の点で第１実施形態と相違する。図１８は、第３実施形態における容量形成部とカバー部との境界の近傍におけるＳｉ濃度の分布を示す図である。図１９は、第３実施形態におけるカバー部とサイドマージン部との境界の近傍におけるＳｉ濃度の分布を示す図である。図２０は、第３実施形態における容量形成部とサイドマージン部との境界の近傍におけるＳｉ濃度の分布を示す図である。
次に、第３実施形態について説明する。第３実施形態は、主としてカバー部の構成の点で第１実施形態と相違する。図１８は、第３実施形態における容量形成部とカバー部との境界の近傍におけるＳｉ濃度の分布を示す図である。図１９は、第３実施形態におけるカバー部とサイドマージン部との境界の近傍におけるＳｉ濃度の分布を示す図である。図２０は、第３実施形態における容量形成部とサイドマージン部との境界の近傍におけるＳｉ濃度の分布を示す図である。
【0092】
本実施形態では、サイドマージン部１７の形成だけでなく、カバー部１９に含まれる最外セラミック層２２の形成にも焼結助剤として有機ケイ素化合物が用いられており、サイドマージン部１７及び最外セラミック層２２にＳｉが含まれる。サイドマージン部１７及び最外セラミック層２２は、Ｓｉを主成分とするガラス粒子を含んでいてもよい。一方、容量形成部１８に含まれる電極間セラミック層２１の形成には有機ケイ素化合物が用いられておらず、電極間セラミック層２１におけるＳｉ濃度はサイドマージン部１７におけるＳｉ濃度及び最外セラミック層におけるＳｉ濃度よりも低い。電極間セラミック層２１に実質的にＳｉが含まれていなくてもよい。そして、図１８に示すように、容量形成部１８と一対のカバー部１９との境界において、容量形成部１８から一対のカバー部１９にかけてＳｉ濃度が不連続に増加する。また、図１９に示すように、一対のカバー部１９と一対のサイドマージン部１７との間でＳｉ濃度が等しい。また、図２０に示すように、容量形成部１８と一対のサイドマージン部１７との境界において、容量形成部１８から一対のサイドマージン部１７にかけてＳｉ濃度が不連続に増加する。容量形成部１８と一対のカバー部１９との境界において、Ｓｉ濃度の差は、好ましくは４ａｔ％以上であり、より好ましくは５ａｔ％以上である。本開示で、境界からカバー部１９側に向かって３μｍまでの領域と境界から容量形成部１８側に向かって３μｍまでの領域において測定した際に、境界の一方の側と他方の側との間でＳｉ濃度の差が４ａｔ％以上あれば、「Ｓｉ濃度が不連続に増加する」に該当する。
【0093】
第３実施形態の他の構成は第１実施形態と同様である。
【0094】
第３実施形態に係る積層セラミックコンデンサでは、カバー部１９の焼結助剤として有機ケイ素化合物が用いられ、容量形成部１８と一対のカバー部１９との境界において、容量形成部１８から一対のカバー部１９にかけてＳｉ濃度が不連続に増加する。このため、カバー部１９に高い緻密性が得られ、優れた耐湿性を得ることができる。従って、カバー部１９の内側への水分の侵入を抑制し、第１内部電極１２及び第２内部電極１３の酸化を抑制することができる。
【0095】
（第４実施形態）
次に、第４実施形態について説明する。第４実施形態は、主としてカバー部及びサイドマージン部の構成の点で第３実施形態と相違する。図２１は、第４実施形態における容量形成部とカバー部との境界の近傍におけるＳｉ濃度の分布を示す図である。図２２は、第４実施形態におけるカバー部とサイドマージン部との境界の近傍におけるＳｉ濃度の分布を示す図である。図２３は、第４実施形態における容量形成部とサイドマージン部との境界の近傍におけるＳｉ濃度の分布を示す図である。
次に、第４実施形態について説明する。第４実施形態は、主としてカバー部及びサイドマージン部の構成の点で第３実施形態と相違する。図２１は、第４実施形態における容量形成部とカバー部との境界の近傍におけるＳｉ濃度の分布を示す図である。図２２は、第４実施形態におけるカバー部とサイドマージン部との境界の近傍におけるＳｉ濃度の分布を示す図である。図２３は、第４実施形態における容量形成部とサイドマージン部との境界の近傍におけるＳｉ濃度の分布を示す図である。
【0096】
本実施形態でも、サイドマージン部１７の形成だけでなく、カバー部１９に含まれる最外セラミック層２２の形成にも焼結助剤として有機ケイ素化合物が用いられており、サイドマージン部１７及び最外セラミック層２２にＳｉが含まれる。一方、容量形成部１８に含まれる電極間セラミック層２１の形成には有機ケイ素化合物が用いられておらず、電極間セラミック層２１におけるＳｉ濃度はサイドマージン部１７におけるＳｉ濃度及び最外セラミック層におけるＳｉ濃度よりも低い。電極間セラミック層２１に実質的にＳｉが含まれていなくてもよい。また、最外セラミック層２２におけるＳｉ濃度はサイドマージン部１７におけるＳｉ濃度よりも高い。そして、図２１に示すように、容量形成部１８と一対のカバー部１９との境界において、容量形成部１８から一対のカバー部１９にかけてＳｉ濃度が不連続に増加する。また、図２２に示すように、一対のカバー部１９と一対のサイドマージン部１７との境界において、一対のサイドマージン部１７から一対のカバー部１９にかけてＳｉ濃度が不連続に増加する。また、図２３に示すように、容量形成部１８と一対のサイドマージン部１７との境界において、容量形成部１８から一対のサイドマージン部１７にかけてＳｉ濃度が不連続に増加する。
【0097】
第４実施形態の他の構成は第３実施形態と同様である。
【0098】
第４実施形態に係る積層セラミックコンデンサでも、カバー部１９の焼結助剤として有機ケイ素化合物が用いられ、容量形成部１８と一対のカバー部１９との境界において、容量形成部１８から一対のカバー部１９にかけてＳｉ濃度が不連続に増加する。このため、第４実施形態によっても第３実施形態と同様の効果を得ることができる。
【0099】
（第５実施形態）
次に、第５実施形態について説明する。第５実施形態は、主としてカバー部及びサイドマージン部の構成の点で第３実施形態と相違する。図２４は、第５実施形態における容量形成部とカバー部との境界の近傍におけるＳｉ濃度の分布を示す図である。図２５は、第５実施形態におけるカバー部とサイドマージン部との境界の近傍におけるＳｉ濃度の分布を示す図である。図２６は、第５実施形態における容量形成部とサイドマージン部との境界の近傍におけるＳｉ濃度の分布を示す図である。
次に、第５実施形態について説明する。第５実施形態は、主としてカバー部及びサイドマージン部の構成の点で第３実施形態と相違する。図２４は、第５実施形態における容量形成部とカバー部との境界の近傍におけるＳｉ濃度の分布を示す図である。図２５は、第５実施形態におけるカバー部とサイドマージン部との境界の近傍におけるＳｉ濃度の分布を示す図である。図２６は、第５実施形態における容量形成部とサイドマージン部との境界の近傍におけるＳｉ濃度の分布を示す図である。
【0100】
本実施形態でも、サイドマージン部１７の形成だけでなく、カバー部１９に含まれる最外セラミック層２２の形成にも焼結助剤として有機ケイ素化合物が用いられており、サイドマージン部１７及び最外セラミック層２２にＳｉが含まれる。一方、容量形成部１８に含まれる電極間セラミック層２１の形成には有機ケイ素化合物が用いられておらず、電極間セラミック層２１におけるＳｉ濃度はサイドマージン部１７におけるＳｉ濃度及び最外セラミック層におけるＳｉ濃度よりも低い。電極間セラミック層２１に実質的にＳｉが含まれていなくてもよい。また、サイドマージン部１７におけるＳｉ濃度は最外セラミック層２２におけるＳｉ濃度よりも高い。そして、図２４に示すように、容量形成部１８と一対のカバー部１９との境界において、容量形成部１８から一対のカバー部１９にかけてＳｉ濃度が不連続に増加する。また、図２５に示すように、一対のカバー部１９と一対のサイドマージン部１７との境界において、一対のカバー部１９から一対のサイドマージン部１７にかけてＳｉ濃度が不連続に増加する。また、図２６に示すように、容量形成部１８と一対のサイドマージン部１７との境界において、容量形成部１８から一対のサイドマージン部１７にかけてＳｉ濃度が不連続に増加する。
【0101】
第５実施形態の他の構成は第３実施形態と同様である。
【0102】
第５実施形態に係る積層セラミックコンデンサでも、カバー部１９の焼結助剤として有機ケイ素化合物が用いられ、容量形成部１８と一対のカバー部１９との境界において、容量形成部１８から一対のカバー部１９にかけてＳｉ濃度が不連続に増加する。このため、第５実施形態によっても第３実施形態と同様の効果を得ることができる。
【0103】
［実施例及び比較例］
上記実施形態の実施例及び比較例として、サイドマージン（ＳＭ）部及びカバー部の構成が異なる積層セラミックコンデンサのサンプルを作製した。比較例１～２及び実施例３～２５に係るサンプルのサイズはいずれも、Ｘ軸方向の寸法が０．６ｍｍで、Ｙ軸方向の寸法が０．３ｍｍで、Ｚ軸方向の寸法が０．３ｍｍである０６０３サイズとした。また、サイドマージン部及びカバー部の主成分はチタン酸バリウムとした。
上記実施形態の実施例及び比較例として、サイドマージン（ＳＭ）部及びカバー部の構成が異なる積層セラミックコンデンサのサンプルを作製した。比較例１～２及び実施例３～２５に係るサンプルのサイズはいずれも、Ｘ軸方向の寸法が０．６ｍｍで、Ｙ軸方向の寸法が０．３ｍｍで、Ｚ軸方向の寸法が０．３ｍｍである０６０３サイズとした。また、サイドマージン部及びカバー部の主成分はチタン酸バリウムとした。
【0104】
比較例１～２では、サイドマージン部の形成に用いたサイドマージンシート（ＳＭシート）の厚さを１０μｍ又は２０μｍとし、焼結助剤に含まれるＳｉ源としてＳｉＯ２を用いた。実施例３～２５では、サイドマージン部の形成に用いたサイドマージンシートの厚さを５μｍ、１０μｍ、２０μｍ又は３０μｍとし、焼結助剤に含まれるＳｉ源として有機ケイ素化合物を用いた。
【0105】
なお、サイドマージンシートにおけるＳｉ濃度は、比較例１～２並びに実施例３～４、７～９、１３及び２０の間で同一とし、実施例１７では、それらよりも低くし、実施例５、１０、１４及び２１では、実施例１７よりも低くした。また、実施例６、１１、１８、２２及び２４では、実施例５、１０、１４及び２１よりも低くし、実施例１２、１５～１６、１９、２３及び２５では、実施例６、１１、１８、２２及び２４よりも低くした。
【0106】
また、カバー部におけるＳｉ濃度は、比較例１～２及び実施例１～８の間で同一とし、実施例２５では、それらよりも高くし、実施例２３及び２４では、実施例２５よりも高くし、実施例１２及び２２では、実施例２３及び２４よりも高くした。また、実施例１１、１９及び２１では、実施例１２及び２２よりも高くし、実施例１０及び１８では、実施例１１、１９及び２１よりも高くし、実施例２０では、実施例１０及び１８よりも高くした。また、実施例９及び１７では、実施例２０よりも高くし、実施例１３～１５では、実施例９及び１７よりも高くし、実施例１６では、実施例１３～１５よりも高くした。
【0107】
比較例１～２及び実施例３～２５について作製したサンプルについて下記の種々の特性を調査し、これらの結果から総合判定を行った。
【0108】
積層体及びサイドマージン部におけるＳｉ濃度をレーザアブレーション誘導結合プラズマ質量分析法により測定した。そして、積層体及びサイドマージン部におけるＳｉの分布の形態を調査し、積層体とサイドマージン部との境界におけるＳｉ濃度の差を算出した。Ｓｉの分布については、図４及び図５に示す分布と同様の形態になっているものを「Ａ」と評価し、図１０及び図１１に示す分布と同様の形態になっているものを「Ｂ」と評価した。また、図１８～図２０に示す分布と同様の形態になっているものを「Ｃ」と評価し、図２１～図２３に示す分布と同様の形態になっているものを「Ｄ」と評価し、図２４～図２６に示す分布と同様の形態になっているものを「Ｅ」と評価した。Ｓｉ濃度の差Ｘ１は、サイドマージン部内の容量形成部に最も近い測定点での濃度と容量形成部内のサイドマージン部に最も近い測定点での濃度との差である。Ｓｉ濃度の差Ｘ２は、サイドマージン部内のカバー部に最も近い測定点での濃度とカバー部内のサイドマージン部に最も近い測定点での濃度との差である。Ｓｉ濃度の差Ｘ３は、容量形成部内のカバー部に最も近い測定点での濃度とカバー部内の容量形成部に最も近い測定点での濃度との差である。
【0109】
内部電極の端部のＹ軸方向における酸化領域の寸法Ｗを測定し、その平均値から３段階評価を行った。酸化領域の寸法Ｗは、断面ＳＥＭを用いて測定した。実施例及び比較例毎に１００個のサンプルの測定を行い、その平均値を算出し、平均値が０μｍ以上１μｍ以下のものを「Ａ」と評価し、１μｍ超３μｍ以下のものを「Ｂ」と評価し、３μｍ超のものを「Ｃ」と評価した。
【0110】
電気特性としてＬＣＲメータを用いて容量の測定を行った。そして、容量の設計値からの低下量が０％以上５％以下のものを「Ａ」と評価し、５％超１０％以下のものを「Ｂ」とし、１０％以上のものを「Ｃ」と評価した。
【0111】
耐湿性の評価を行った。耐湿性の評価では、実施例及び比較例毎に１００個のサンプルについて、温度８５℃、湿度８５％の環境で１００時間保持し、保持後に容量の測定を行った。そして、容量の設計値からの低下量が０％以上５％以下であり、かつクラックが生じていないサンプルを良品、そうでないサンプルを不良品とし、不良品の発生割合が０％以上５％以下のものを「Ａ」とし、５％超１０％以下のものを「Ｂ」とし、１０％以上のものを「Ｃ」と評価した。
【0112】
そして、酸化領域の寸法Ｗの評価が「Ａ」又は「Ｂ」であり、電気特性の評価が「Ａ」であり、耐湿性の評価が「Ａ」であるものの総合評価を「Ａ」とした。酸化領域の寸法Ｗの評価、電気特性の評価、耐湿性の評価の少なくとも一つに「Ｃ」があるものの総合評価を「Ｃ」とした。総合評価が「Ａ」又は「Ｃ」でないものの総合評価を「Ｂ」とした。これらの結果を表１に示す。
【0113】
【表1】
【0114】
表１に示すように、実施例３～８では、いずれもＳｉの分布の形態が「Ａ」であり、総合評価が「Ａ」又は「Ｂ」であった。すなわち、実施例３～８では、サイドマージン部のＳｉ源として有機ケイ素化合物が用いられ、積層体と一対のサイドマージン部との境界において、積層体から一対のサイドマージン部にかけてＳｉ濃度が不連続に増加しており、優れた耐湿性及び電気特性が得られた。また、実施例３と実施例４、７及び８とを比較すると、サイドマージンシートが厚い実施例４、７及び８において実施例３よりも優れた耐湿性及び電気特性が得られた。また、サイドマージンシートの厚さが等しい実施例４～６の間では、サイドマージンシートに含まれるＳｉ濃度が高い実施例４及び５において実施例６よりも酸化領域の寸法Ｗが小さかった。
【0115】
更に、実施例３～１１、１３、１４、１７、１８、２０～２２及び２４と実施例１２、１５、１６、１９、２３及び２５とを比較すると、Ｓｉ濃度の差Ｘ１が３ａｔ％よりも高い実施例３～１１、１３、１４、１７、１８、２０～２２及び２４において、実施例１２、１５、１６、１９、２３及び２５よりも酸化領域の寸法Ｗが小さかった。
【0116】
一方、比較例１～２では、いずれもＳｉの分布の形態が「Ｂ」であり、総合評価が「Ｃ」であった。すなわち、比較例１では、Ｓｉ源としてＳｉＯ２が用いられ、積層体と一対のサイドマージン部との境界において、積層体から一対のサイドマージン部にかけてＳｉ濃度が連続して増加しており、耐湿性及び電気特性が低かった。また、比較例２では、サイドマージンシートが厚いために耐湿性の評価が「Ｂ」であったが、サイドマージン部から積層体へのＳｉの拡散が生じていたため、電気特性が低かった。
【0117】
［その他の実施形態］
以上、実施形態について詳述したが、本開示は特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された範囲内において、種々の変形および変更が可能である。
以上、実施形態について詳述したが、本開示は特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された範囲内において、種々の変形および変更が可能である。
【0118】
例えば、上記実施形態では積層セラミック電子部品の一例として積層セラミックコンデンサについて説明したが、本開示は積層セラミック電子部品全般に適用可能である。このような積層セラミック電子部品としては、例えば、チップバリスタ、チップサーミスタ、積層インダクタなどが挙げられる。
【0119】
本開示の態様は、例えば、以下のとおりである。
【0120】
＜１＞
第１軸方向に積層された複数のセラミック層と、前記複数のセラミック層の間に位置する複数の内部電極と、前記第１軸と直交する第２軸に垂直であり、前記複数の内部電極の前記第２軸方向の端部が位置する一対の側面と、を有する積層体と、前記一対の側面を被覆する一対のサイドマージン部と、を具備し、
前記積層体と前記一対のサイドマージン部との境界の少なくとも一部分において、前記積層体から前記一対のサイドマージン部にかけてＳｉ濃度が不連続に増加する
積層セラミック電子部品。
第１軸方向に積層された複数のセラミック層と、前記複数のセラミック層の間に位置する複数の内部電極と、前記第１軸と直交する第２軸に垂直であり、前記複数の内部電極の前記第２軸方向の端部が位置する一対の側面と、を有する積層体と、前記一対の側面を被覆する一対のサイドマージン部と、を具備し、
前記積層体と前記一対のサイドマージン部との境界の少なくとも一部分において、前記積層体から前記一対のサイドマージン部にかけてＳｉ濃度が不連続に増加する
積層セラミック電子部品。
【0121】
＜２＞
前記積層体は、
前記複数の内部電極と、前記複数のセラミック層のうちで前記複数の内部電極の間に位置する複数の電極間セラミック層と、を有する容量形成部と、
前記複数のセラミック層のうちで前記容量形成部を間に挟む一対の最外セラミック層を有するカバー部と、
を有し、
少なくとも前記容量形成部と前記一対のサイドマージン部との境界において、前記容量形成部から前記一対のサイドマージン部にかけてＳｉ濃度が不連続に増加する
＜１＞に記載の積層セラミック電子部品。
前記積層体は、
前記複数の内部電極と、前記複数のセラミック層のうちで前記複数の内部電極の間に位置する複数の電極間セラミック層と、を有する容量形成部と、
前記複数のセラミック層のうちで前記容量形成部を間に挟む一対の最外セラミック層を有するカバー部と、
を有し、
少なくとも前記容量形成部と前記一対のサイドマージン部との境界において、前記容量形成部から前記一対のサイドマージン部にかけてＳｉ濃度が不連続に増加する
＜１＞に記載の積層セラミック電子部品。
【0122】
＜３＞
前記容量形成部と前記一対のサイドマージン部との境界において、前記容量形成部から前記一対のサイドマージン部にかけてＳｉ濃度が不連続に増加し、
前記容量形成部から前記一対のカバー部にかけてＳｉ濃度が不連続に増加する
＜２＞に記載の積層セラミック電子部品。
前記容量形成部と前記一対のサイドマージン部との境界において、前記容量形成部から前記一対のサイドマージン部にかけてＳｉ濃度が不連続に増加し、
前記容量形成部から前記一対のカバー部にかけてＳｉ濃度が不連続に増加する
＜２＞に記載の積層セラミック電子部品。
【0123】
＜４＞
前記積層体は、
前記複数の内部電極と、前記複数のセラミック層のうちで前記複数の内部電極の間に位置する複数の電極間セラミック層と、を有する容量形成部と、
前記複数のセラミック層のうちで前記容量形成部を間に挟む一対の最外セラミック層を有するカバー部と、
を有し、
少なくとも前記一対のカバー部と前記一対のサイドマージン部との境界において、前記一対のカバー部から前記一対のサイドマージン部にかけてＳｉ濃度が不連続に増加する
＜１＞に記載の積層セラミック電子部品。
前記積層体は、
前記複数の内部電極と、前記複数のセラミック層のうちで前記複数の内部電極の間に位置する複数の電極間セラミック層と、を有する容量形成部と、
前記複数のセラミック層のうちで前記容量形成部を間に挟む一対の最外セラミック層を有するカバー部と、
を有し、
少なくとも前記一対のカバー部と前記一対のサイドマージン部との境界において、前記一対のカバー部から前記一対のサイドマージン部にかけてＳｉ濃度が不連続に増加する
＜１＞に記載の積層セラミック電子部品。
【0124】
＜５＞
前記一対のカバー部と前記一対のサイドマージン部との境界においてのみ、前記一対のカバー部から前記一対のサイドマージン部にかけてＳｉ濃度が不連続に増加する
＜４＞に記載の積層セラミック電子部品。
前記一対のカバー部と前記一対のサイドマージン部との境界においてのみ、前記一対のカバー部から前記一対のサイドマージン部にかけてＳｉ濃度が不連続に増加する
＜４＞に記載の積層セラミック電子部品。
【0125】
＜６＞
第１軸方向に積層された複数のセラミック層と、前記複数のセラミック層の間に位置する複数の内部電極と、前記第１軸と直交する第２軸に垂直であり、前記複数の内部電極の前記第２軸方向の端部が位置する一対の側面と、を有する積層体を具備し、
前記積層体は、
前記複数の内部電極と、前記複数のセラミック層のうちで前記複数の内部電極の間に位置する複数の電極間セラミック層と、を有する容量形成部と、
前記複数のセラミック層のうちで前記容量形成部を間に挟む一対の最外セラミック層を有するカバー部と、
を有し、
前記容量形成部と前記一対のカバー部との境界において、前記容量形成部から前記一対のカバー部にかけてＳｉ濃度が不連続に増加する
積層セラミック電子部品。
第１軸方向に積層された複数のセラミック層と、前記複数のセラミック層の間に位置する複数の内部電極と、前記第１軸と直交する第２軸に垂直であり、前記複数の内部電極の前記第２軸方向の端部が位置する一対の側面と、を有する積層体を具備し、
前記積層体は、
前記複数の内部電極と、前記複数のセラミック層のうちで前記複数の内部電極の間に位置する複数の電極間セラミック層と、を有する容量形成部と、
前記複数のセラミック層のうちで前記容量形成部を間に挟む一対の最外セラミック層を有するカバー部と、
を有し、
前記容量形成部と前記一対のカバー部との境界において、前記容量形成部から前記一対のカバー部にかけてＳｉ濃度が不連続に増加する
積層セラミック電子部品。
【0126】
＜７＞
前記積層体は、前記第１軸と直交する第２軸に垂直であり、前記複数の内部電極の前記第２軸方向の端部が位置する一対の側面を有し、
前記一対の側面を被覆する一対のサイドマージン部を具備し、
前記一対のカバー部と前記一対のサイドマージン部との間でＳｉ濃度が等しい
＜６＞に記載の積層セラミック電子部品。
前記積層体は、前記第１軸と直交する第２軸に垂直であり、前記複数の内部電極の前記第２軸方向の端部が位置する一対の側面を有し、
前記一対の側面を被覆する一対のサイドマージン部を具備し、
前記一対のカバー部と前記一対のサイドマージン部との間でＳｉ濃度が等しい
＜６＞に記載の積層セラミック電子部品。
【0127】
＜８＞
前記積層体は、前記第１軸と直交する第２軸に垂直であり、前記複数の内部電極の前記第２軸方向の端部が位置する一対の側面を有し、
前記一対の側面を被覆する一対のサイドマージン部を具備し、
前記一対のカバー部と前記一対のサイドマージン部との境界において、前記一対のサイドマージン部から前記一対のカバー部にかけてＳｉ濃度が不連続に増加する
＜６＞に記載の積層セラミック電子部品。
前記積層体は、前記第１軸と直交する第２軸に垂直であり、前記複数の内部電極の前記第２軸方向の端部が位置する一対の側面を有し、
前記一対の側面を被覆する一対のサイドマージン部を具備し、
前記一対のカバー部と前記一対のサイドマージン部との境界において、前記一対のサイドマージン部から前記一対のカバー部にかけてＳｉ濃度が不連続に増加する
＜６＞に記載の積層セラミック電子部品。
【0128】
＜９＞
前記積層体は、前記第１軸と直交する第２軸に垂直であり、前記複数の内部電極の前記第２軸方向の端部が位置する一対の側面を有し、
前記一対の側面を被覆する一対のサイドマージン部を具備し、
前記一対のカバー部と前記一対のサイドマージン部との境界において、前記一対のカバー部から前記一対のサイドマージン部にかけてＳｉ濃度が不連続に増加する
＜６＞に記載の積層セラミック電子部品。
前記積層体は、前記第１軸と直交する第２軸に垂直であり、前記複数の内部電極の前記第２軸方向の端部が位置する一対の側面を有し、
前記一対の側面を被覆する一対のサイドマージン部を具備し、
前記一対のカバー部と前記一対のサイドマージン部との境界において、前記一対のカバー部から前記一対のサイドマージン部にかけてＳｉ濃度が不連続に増加する
＜６＞に記載の積層セラミック電子部品。
【0129】
＜１０＞
前記複数の内部電極の各々の前記端部に形成された酸化領域の前記第２軸方向の寸法は平均で１μｍ以下である
＜１＞乃至＜９＞のいずれかに記載の積層セラミック電子部品。
前記複数の内部電極の各々の前記端部に形成された酸化領域の前記第２軸方向の寸法は平均で１μｍ以下である
＜１＞乃至＜９＞のいずれかに記載の積層セラミック電子部品。
【0130】
＜１１＞
前記一対のサイドマージン部は、セラミックの多結晶体を主成分とし、前記多結晶体中に分散され、前記多結晶体に対する合計体積率が１％以上２０％以下である複数のガラス粒子を含み、
前記複数のガラス粒子のメディアン径は、０．２０μｍ以上０．８０μｍ以下であり、かつ前記多結晶体を構成する複数の結晶粒子のメディアン径の９０％以上であり、
前記一対のサイドマージン部の断面では、格子状に区画された１μｍ２の複数の領域それぞれに観察されるガラス粒子の平均個数が０．５個以上２個以下である
＜１＞乃至＜１０＞のいずれかに記載の積層セラミック電子部品。
前記一対のサイドマージン部は、セラミックの多結晶体を主成分とし、前記多結晶体中に分散され、前記多結晶体に対する合計体積率が１％以上２０％以下である複数のガラス粒子を含み、
前記複数のガラス粒子のメディアン径は、０．２０μｍ以上０．８０μｍ以下であり、かつ前記多結晶体を構成する複数の結晶粒子のメディアン径の９０％以上であり、
前記一対のサイドマージン部の断面では、格子状に区画された１μｍ２の複数の領域それぞれに観察されるガラス粒子の平均個数が０．５個以上２個以下である
＜１＞乃至＜１０＞のいずれかに記載の積層セラミック電子部品。
【0131】
＜１２＞
前記一対のサイドマージン部が、Ａサイトにバリウムを含み、Ｂサイトにチタンを含むペロブスカイト構造の多結晶体を含み、
前記一対のサイドマージン部では、Ｂサイトのチタンに対するＳｉの原子比が９ａｔ％以下である
＜１＞乃至＜１１＞のいずれかに記載の積層セラミック電子部品。
前記一対のサイドマージン部が、Ａサイトにバリウムを含み、Ｂサイトにチタンを含むペロブスカイト構造の多結晶体を含み、
前記一対のサイドマージン部では、Ｂサイトのチタンに対するＳｉの原子比が９ａｔ％以下である
＜１＞乃至＜１１＞のいずれかに記載の積層セラミック電子部品。
【符号の説明】
【0132】
１０ 積層セラミックコンデンサ
１１ セラミック素体
１２ 第１内部電極
１３ 第２内部電極
１４ 第１外部電極
１５ 第２外部電極
１６ 積層体
１７、１７ｂ サイドマージン部
１８ 容量形成部
１９ カバー部
２１ 電極間セラミック層
２２ 最外セラミック層
３１ 主部
３２ 被覆部
Ｃ 結晶粒子
Ｆ 側面
Ｇ ガラス粒子
１１ セラミック素体
１２ 第１内部電極
１３ 第２内部電極
１４ 第１外部電極
１５ 第２外部電極
１６ 積層体
１７、１７ｂ サイドマージン部
１８ 容量形成部
１９ カバー部
２１ 電極間セラミック層
２２ 最外セラミック層
３１ 主部
３２ 被覆部
Ｃ 結晶粒子
Ｆ 側面
Ｇ ガラス粒子
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】