特開 2025-156848 半導体装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2025156848

(43)【公開日】2025-10-15

(54)【発明の名称】半導体装置

(51)【国際特許分類】

   H10H 20/857 20250101AFI20251007BHJP

   H10H 20/852 20250101ALI20251007BHJP

【ＦＩ】

H01L33/62

H01L33/52

【審査請求】未請求

【請求項の数】7

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2024059567

(22)【出願日】2024-04-02

(71)【出願人】

【識別番号】000116024

【氏名又は名称】ローム株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110001195

【氏名又は名称】弁理士法人深見特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】相 ともみ

【テーマコード（参考）】

5F142

【Ｆターム（参考）】

5F142AA33

5F142BA32

5F142CA03

5F142CD02

5F142CD17

5F142CD44

5F142CD47

5F142CG03

5F142FA30

(57)【要約】

【課題】導体層が基材の切断面において露出することを抑制可能な半導体装置を提供するものである。
【解決手段】半導体装置（１００，３００）は、基板（１０）を備えている。基板は、基材（１１）と、第１導体層（１２）及び第２導体層（１３）とを有する。基材は、第１主面（１１ａ）と第１主面の反対面である第２主面（１１ｂ）とを有する。第１導体層及び第２導体層は、それぞれ第１主面上及び第２主面上に配置されている。平面視において、第１導体層は第１主面の外周縁から離間しており、かつ第２導体層は第２主面の外周縁から離間している。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板を備え、
前記基板は、基材と、第１導体層及び第２導体層とを有し、
前記基材は、第１主面と、前記第１主面の反対面である第２主面とを有し、
前記第１導体層及び前記第２導体層は、それぞれ前記第１主面上及び前記第２主面上に配置されており、
平面視において、前記第１導体層は前記第１主面の外周縁から離間しており、かつ前記第２導体層は前記第２主面の外周縁から離間している、半導体装置。

【請求項2】

前記基材は、前記第１主面及び前記第２主面に連なる側面をさらに有し、
前記第１主面、前記第２主面及び前記側面に沿った前記第１導体層と前記第２導体層との間の沿面距離の最小値は、前記基材の厚さの１．８倍以上である、請求項１に記載の半導体装置。

【請求項3】

前記基板は、第１無電解めっき層と、第２無電解めっき層とをさらに有し、
前記第１無電解めっき層及び前記第２無電解めっき層は、それぞれ前記第１導体層上及び前記第２導体層上に配置されている、請求項１に記載の半導体装置。

【請求項4】

半導体素子と、
ボンディングワイヤとをさらに備え、
前記第１導体層は、第１導体パターンと、第２導体パターンとを有し、
前記第１導体パターンは、第１ランドを有し、
前記第２導体パターンは、第２ランドを有し、
前記半導体素子は、前記第１ランド上に配置されており、
前記ボンディングワイヤは、一方端において前記半導体素子に接続されており、他方端において前記第２ランドに接続されている、請求項３に記載の半導体装置。

【請求項5】

前記第１導体パターンは、前記第１ランドと反対側の端に第３ランドを有し、
前記第２導体パターンは、前記第２ランドと反対側の端に第４ランドを有し、
平面視において、前記第３ランドの外周縁は、第１部分円弧を有し、
平面視において、前記第４ランドの外周縁は、第２部分円弧を有し、
前記第１部分円弧の中心角及び前記第２部分円弧の中心角は、１８０°以上である、請求項４に記載の半導体装置。

【請求項6】

封止樹脂をさらに備え、
前記封止樹脂は、前記半導体素子及び前記ボンディングワイヤを覆うように前記基板上に配置されている、請求項４に記載の半導体装置。

【請求項7】

前記半導体素子は、ＬＥＤであり、
前記封止樹脂は、前記ＬＥＤが発生させる光を透過させる樹脂材料で形成されている、請求項６に記載の半導体装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、半導体装置に関する。

【背景技術】

【0002】

特開２０２２－８１３００号公報（特許文献１）には、半導体装置が記載されている。特許文献１に記載の半導体装置は、基板を有している。

【0003】

基板は、基材と、第１導体層と、第２導体層と、第１電解めっき層と、第２電気めっき層とを有している。基材は、第１主面と、第１主面の反対面である第２主面とを有している。第１導体層及び第２導体層は、それぞれ、第１主面上及び第２主面上に配置されている。第１電解めっき層及び第２電解めっき層は、それぞれ、第１導体層上及び第２導体層上に配置されている。基板は、複数の基板が含まれている１つの切断前基板を切断することにより得られる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２０２２－８１３００号公報 ［概要］ 切断前基板に含まれている１つの基板を第１基板とし、第１基板に隣り合う他の１つの基板を第２基板とする。第１電解めっき層及び第２電解めっき層を電解めっきで形成するためには、第１基板上にある第１導体層と第２基板上にある第１導体層との間に接続箇所が存在していること又は第１基板上にある第２導体層と第２基板上にある第２導体層との間に接続箇所が存在していることが必要である。このことを別の観点から言えば、第１導体層が第１主面の外周縁に達していること及び第２導体層が第２主面の外周縁に達していることのいずれかが必要である。

【0005】

その結果、切断前基板を切断することにより、第１導体層又は第２導体層が切断面に存在することになる。第１導体層又は第２導体層が切断面に存在すると、バリの原因や第１導体層と第２導体層との間の短絡の原因となることがある。

【0006】

本開示の半導体装置は、基板を備える。基板は、基材と、第１導体層及び第２導体層とを有する。基材は、第１主面と、第１主面の反対面である第２主面とを有する。第１導体層及び第２導体層は、それぞれ第１主面上及び第２主面上に配置されている。平面視において、第１導体層は第１主面の外周縁から離間しており、かつ第２導体層は第２主面の外周縁から離間している。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】半導体装置１００の平面図である。

【図2】半導体装置１００の底面図である。

【図3】半導体装置１００の断面図である。

【図4】半導体装置１００の製造工程図である。

【図5】穴開け工程Ｓ２を説明する平面図である。

【図6A】導体層パターンニング工程Ｓ３を説明する平面図である。

【図6B】導体層パターンニング工程Ｓ３を説明する底面図である。

【図7】無電解めっき工程Ｓ４を説明する平面図である。

【図8A】無電解めっき工程Ｓ５を説明する平面図である。

【図8B】無電解めっき工程Ｓ５を説明する底面図である。

【図9】レジスト形成工程Ｓ６を説明する平面図である。

【図10】半導体素子搭載工程Ｓ７を説明する平面図である。

【図11】ワイヤボンディング工程Ｓ８を説明する平面図である。

【図12】樹脂封止工程Ｓ９を説明する断面図である。

【図13】半導体装置２００の平面図である。

【図14】半導体装置２００を製造する際の導体層パターンニング工程Ｓ３を説明する平面図である。

【図15】半導体装置３００の平面図である。

【図16】半導体装置３００の底面図である。

【0008】

［詳細な説明］
本開示の実施形態の詳細を、図面を参照しながら説明する。以下の図面では、同一又は相当する部分に同一の参照符号を付し、重複する説明は繰り返さないものとする。

【0009】

（第１実施形態）
第１実施形態に係る半導体装置を説明する。第１実施形態に係る半導体装置を、半導体装置１００とする。

【0010】

図１は、半導体装置１００の平面図である。なお、図１では、封止樹脂５０の図示が省略されている。図２は、半導体装置１００の底面図である。図３は、半導体装置１００の断面図である。図１から図３に示されているように、半導体装置１００は、基板１０と、レジスト２０と、半導体素子３０と、ボンディングワイヤ４０及びボンディングワイヤ４１と、封止樹脂５０とを有している。

【0011】

基板１０は、基材１１と、導体層１２と、導体層１３と、導体層１４とを有している。基材１１は、主面１１ａと、主面１１ｂと、側面１１ｃとを有している。主面１１ｂは、主面１１ａの反対面である。主面１１ａ及び主面１１ｂは、基材１１の厚さ方向における端面である。主面１１ａ（主面１１ｂ）の法線方向を、第１方向ＤＲ１とする。第１方向ＤＲ１に沿って半導体装置１００を見る場合を、平面視という。基材１１は、平面視において長手方向が第２方向ＤＲ２に沿っている。第２方向ＤＲ２は、第１方向ＤＲ１に垂直な方向である。なお、第１方向ＤＲ１及び第２方向ＤＲ２に垂直な方向を、第３方向ＤＲ３とする。側面１１ｃは、主面１１ａ及び主面１１ｂに連なっている。基材１１は、電気絶縁性の材料で形成されている。基材１１は、例えば、ＢＴ（Bismaleimide－Triazine）レジンで形成されている。

【0012】

導体層１２は、主面１１ａ上に配置されている。導体層１２は、導電性の材料で形成されている。導体層１２は、例えば銅で形成されている。導体層１２は、導体パターン１２ａと、導体パターン１２ｂと、導体パターン１２ｃと、導体パターン１２ｄとを有している。導体層１２（導体パターン１２ａ、導体パターン１２ｂ、導体パターン１２ｃ、導体パターン１２ｄ）は、平面視において、主面１１ａの外周縁から離間している。このことを別の観点から言うと、導体層１２は、平面視において、主面１１ａの外周縁よりも内側に位置している。

【0013】

導体パターン１２ａは、ランド１２ａａと、ランド１２ａｂとを有している。平面視において、ランド１２ａａは導体パターン１２ａの一方端に位置しており、ランド１２ａｂは導体パターン１２ａの他方端に位置している。ランド１２ａｂの外周縁は、部分円弧を含んでいる。部分円弧の中心角は、例えば１８０°以上である。導体パターン１２ｂは、ランド１２ｂａと、ランド１２ｂｂとを有している。平面視において、ランド１２ｂａは導体パターン１２ｂの一方端に位置しており、ランド１２ｂｂは導体パターン１２ｂの他方端に位置している。ランド１２ｂｂの外周縁は、部分円弧を含んでいる。部分円弧の中心角は、例えば１８０°以上である。

【0014】

導体パターン１２ｃは、ランド１２ｃａと、ランド１２ｃｂとを有している。平面視において、ランド１２ｃａは導体パターン１２ｃの一方端に位置しており、ランド１２ｃｂは導体パターン１２ｃの他方端に位置している。ランド１２ｃｂの外周縁は、部分円弧を含んでいる。部分円弧の中心角は、例えば１８０°以上である。導体パターン１２ｄは、ランド１２ｄａと、ランド１２ｄｂとを有している。平面視において、ランド１２ｄａは導体パターン１２ｄの一方端に位置しており、ランド１２ｄｂは導体パターン１２ｄの他方端に位置している。ランド１２ｄｂの外周縁は、部分円弧を含んでいる。部分円弧の中心角は、例えば１８０°以上である。

【0015】

導体層１３は、主面１１ｂ上に配置されている。導体層１３は、導電性の材料で形成されている、導体層１３は、例えば銅で形成されている。導体層１３は、導体パターン１３ａと、導体パターン１３ｂと、導体パターン１３ｃと、導体パターン１３ｄとを有している。導体層１３（導体パターン１３ａ、導体パターン１３ｂ、導体パターン１３ｃ、導体パターン１３ｄ）は、平面視において、主面１１ｂの外周縁から離間している。このことを別の観点から言うと、導体層１３は、平面視において、主面１１ｂの外周縁よりも内側に位置している。

【0016】

導体パターン１３ａ、導体パターン１３ｂ、導体パターン１３ｃ及び導体パターン１３ｄは、平面視において、長手方向が第２方向ＤＲ２に沿う矩形状である。導体パターン１３ａ、導体パターン１３ｂ、導体パターン１３ｃ及び導体パターン１３ｄは、平面視において、ランド１２ａｂ、ランド１２ｂｂ、ランド１２ｃｂ及びランド１２ｄｂに重なっている。

【0017】

主面１１ａ、側面１１ｃ及び主面１１ｂに沿った導体層１２（導体パターン１２ａ、導体パターン１２ｂ、導体パターン１２ｃ、導体パターン１２ｄ）と導体層１３（導体パターン１３ａ、導体パターン１３ｂ、導体パターン１３ｃ、導体パターン１３ｄ）との間の沿面距離の最小値は、例えば、基材１１の厚さの１．８倍以上である。

【0018】

基板１０には、貫通穴１５ａと、貫通穴１５ｂと、貫通穴１５ｃと、貫通穴１５ｄとが形成されている。貫通穴１５ａは、第１方向ＤＲ１に沿って延在し、基材１１及びランド１２ａｂを貫通している。貫通穴１５ａからは、導体パターン１３ａが露出している。貫通穴１５ｂは、第１方向ＤＲ１に沿って延在し、基材１１及びランド１２ｂｂを貫通している。貫通穴１５ｂからは、導体パターン１３ｂが露出している。貫通穴１５ｃは、第１方向ＤＲ１に沿って延在し、基材１１及びランド１２ｃｂを貫通している。貫通穴１５ｃからは、導体パターン１３ｃが露出している。貫通穴１５ｄは、第１方向ＤＲ１に沿って延在し、基材１１及びランド１２ｄｂを貫通している。貫通穴１５ｄからは、導体パターン１３ｄが露出している。

【0019】

導体層１４は、貫通穴１５ａの内壁面上、貫通穴１５ａから露出している導体パターン１３ａ上、貫通穴１５ｂの内壁面上、貫通穴１５ｂから露出している導体パターン１３ｂ上、貫通穴１５ｃの内壁面上、貫通穴１５ｃから露出している導体パターン１３ｃ上、貫通穴１５ｄの内壁面上及び貫通穴１５ｄから露出している導体パターン１３ｄ上に配置されている。導体層１４は、導電性の材料で形成されている。導体層１４は、例えば銅で形成されている。導体層１４は、例えば無電解めっき層（無電解めっきにより形成されている層）である。

【0020】

導体層１４により、導体パターン１２ａ、導体パターン１２ｂ、導体パターン１２ｃ及び導体パターン１２ｄは、それぞれ、導体パターン１３ａ、導体パターン１３ｂ、導体パターン１３ｃ及び導体パターン１３ｄに電気的に接続されている。貫通穴１５ａ、貫通穴１５ｂ、貫通穴１５ｃ及び貫通穴１５ｄの内部には、樹脂層１６が埋め込まれていてもよい。なお、導体層１４の内部には、樹脂層１６が埋め込まれていてもよい。

【0021】

基板１０は、無電解めっき層１７と、無電解めっき層１８とをさらに有している。無電解めっき層１７は、導体層１２（導体パターン１２ａ、導体パターン１２ｂ、導体パターン１２ｃ、導体パターン１２ｄ）の表面（上面及び側面）を覆っている。無電解めっき層１８は、導体層１３（導体パターン１３ａ、導体パターン１３ｂ、導体パターン１３ｃ、導体パターン１３ｄ）の表面（上面及び側面）を覆っている。

【0022】

無電解めっき層１７及び無電解めっき層１８は、例えば、複数の層で構成されている。複数の層は、例えば、ニッケル層、ニッケル層上に形成されているパラジウム層及びパラジウム層上に形成されている金層である。複数の層は、ニッケル層及びニッケル層上に形成されている金層であってもよい。

【0023】

レジスト２０は、無電解めっき層１７を部分的に覆うように、主面１１ａ上に配置されている。レジスト２０は、少なくともランド１２ａｂ、ランド１２ｂｂ、ランド１２ｃｂ及びランド１２ｄｂの表面上に配置されている無電解めっき層１７を覆っていればよい。レジスト２０は、例えば、ソルダレジストで形成されている。

【0024】

図１から図３に示されている例では、半導体素子３０の数は、２つである。これら２つの半導体素子３０を、それぞれ、半導体素子３０Ａ及び半導体素子３０Ｂと呼ぶことがある。半導体素子３０は、例えば、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）である。但し、半導体素子３０は、これに限られるものではない。

【0025】

半導体素子３０は、裏面電極３１と、表面電極３２とを有している。半導体素子３０Ａは、裏面電極３１が無電解めっき層１７及び接合材３３を介在させてランド１２ｂａと対向するように、ランド１２ｂａ上に配置されている。半導体素子３０Ｂは、裏面電極３１が無電解めっき層１７及び接合材３３を介在させてランド１２ｄａと対向するように、ランド１２ｄａ上に配置されている。これにより、半導体素子３０Ａが導体パターン１２ｂに電気的に接続されるとともに、半導体素子３０Ｂが導体パターン１２ｄに電気的に接続されている。接合材３３は、例えば、はんだ合金、導電性接着剤等である。

【0026】

ボンディングワイヤ４０は、一方端において半導体素子３０Ａの表面電極３２に接続されており、他方端においてランド１２ａａに接続されている。これにより、半導体素子３０Ａは、導体パターン１２ａに電気的に接続されている。ボンディングワイヤ４１は、一方端において半導体素子３０Ｂの表面電極３２に接続されており、他方端においてランド１２ｃａに接続されている。これにより、半導体素子３０Ａは、導体パターン１２ｃに電気的に接続されている。ボンディングワイヤ４０及びボンディングワイヤ４１は、例えば金で形成されている。

【0027】

封止樹脂５０は、半導体素子３０Ａ、半導体素子３０Ｂ、ボンディングワイヤ４０及びボンディングワイヤ４０を覆うように、基板１０（主面１１ａ）上に配置されている。封止樹脂５０は、樹脂材料で形成されている。半導体素子３０がＬＥＤである場合、封止樹脂５０は、ＬＥＤが発生させる光を透過させる樹脂材料で形成されている。

【0028】

＜半導体装置１００の製造方法＞
以下に、半導体装置１００の製造方法を説明する。

【0029】

図４は、半導体装置１００の製造工程図である。図４に示されているように、半導体装置１００の製造方法は、準備工程Ｓ１と、穴開け工程Ｓ２と、導体層パターンニング工程Ｓ３と、無電解めっき工程Ｓ４と、無電解めっき工程Ｓ５と、レジスト形成工程Ｓ６と、半導体素子搭載工程Ｓ７と、ワイヤボンディング工程Ｓ８と、樹脂封止工程Ｓ９と、個片化工程Ｓ１０を有している。

【0030】

準備工程Ｓ１では、基材６０が準備される。基材６０は、主面６０ａと主面６０ｂとを有している。主面６０ｂは、主面６０ａの反対面である。主面６０ａ及び主面６０ｂは、基材６０の厚さ方向における端面である。主面６０ａ上及び主面６０ｂ上には、それぞれ導体層１２及び導体層１３が配置されている。基材６０には、複数の基材１１が含まれている。

【0031】

図５は、穴開け工程Ｓ２を説明する平面図である。図５に示されているように、レーザ照射、ドリル等で穴開け加工が行われることで、貫通穴１５ａ、貫通穴１５ｂ、貫通穴１５ｃ及び貫通穴１５ｄが形成される。

【0032】

図６Ａは、導体層パターンニング工程Ｓ３を説明する平面図である。図６Ｂは、導体層パターンニング工程Ｓ３を説明する底面図である。図６Ａ及び図６Ｂに示されているように、導体層パターンニング工程Ｓ３では、導体層１２及び導体層１３に対するエッチングが行われることで、導体層１２及び導体層１３がパターンニングされる。これにより、導体層１２が導体パターン１２ａ、導体パターン１２ｂ、導体パターン１２ｃ及び導体パターン１２ｄを有するようになる。また、これにより、導体層１３が導体パターン１３ａ、導体パターン１３ｂ、導体パターン１２ｃ及び導体パターン１２ｄを有するようなる。上記のエッチングは、導体層１２上及び導体層１３上に形成されるレジストパターンをマスクとして行われる。レジストパターンは、導体層１２上及び導体層１３上にフォトレジストを成膜するとともに、成膜されたフォトレジストを露光・現像することで形成される。

【0033】

図７は、無電解めっき工程Ｓ４を説明する平面図である。図７に示されているように、無電解めっき工程Ｓ４では、無電解めっきが行われることにより、貫通穴１５ａの内壁面上、貫通穴１５ａから露出している導体パターン１３ａ上、貫通穴１５ｂの内壁面上、貫通穴１５ｂから露出している導体パターン１３ｂ上、貫通穴１５ｃの内壁面上、貫通穴１５ｃから露出している導体パターン１３ｃ上、貫通穴１５ｄの内壁面上及び貫通穴１５ｄから露出している導体パターン１３ｄ上に導体層１４が形成される。導体層１４が形成された後、樹脂層１６が埋め込まれる。

【0034】

図８Ａは、無電解めっき工程Ｓ５を説明する平面図である。図８Ｂは、無電解めっき工程Ｓ５を説明する底面図である。図８Ａ及び図８Ｂに示されているように、無電解めっき工程Ｓ５では、無電解めっきが行われることにより、導体層１２の表面を覆うように無電解めっき層１７が形成され、導体層１３の表面を覆うように無電解めっき層１８が形成される。図９は、レジスト形成工程Ｓ６を説明する平面図である。図９に示されているように、レジスト形成工程Ｓ６では、レジスト２０の構成材料が塗布及び硬化されることにより、レジスト２０が形成される。

【0035】

図１０は、半導体素子搭載工程Ｓ７を説明する平面図である。図１０に示されているように、半導体素子搭載工程Ｓ７では、第１に、無電解めっき層１７及び接合材３３を介在させてランド１２ｂａ上に半導体素子３０Ａが配置されるともに、無電解めっき層１７及び接合材３３を介在させてランド１２ｄａ上に半導体素子３０Ｂが配置される。第２に、加熱が行われることにより、裏面電極３１と無電解めっき層１７とが接合される。

【0036】

図１１は、ワイヤボンディング工程Ｓ８を説明する平面図である。図１１に示されているように、ワイヤボンディング工程Ｓ８では、ワイヤボンディングが行われることで、半導体素子３０Ａの表面電極３２とランド１２ａａとがボンディングワイヤ４０で接続されるとともに、半導体素子３０Ｂの表面電極３２とランド１２ｃａとがボンディングワイヤ４１で接続される。

【0037】

図１２は、樹脂封止工程Ｓ９を説明する断面図である。図１２に示されているように、樹脂封止工程Ｓ９では、例えばトランスファモールドにより、半導体素子３０Ａ、半導体素子３０Ｂ、ボンディングワイヤ４０及びボンディングワイヤ４１が封止される。個片化工程Ｓ１０では、隣り合う基材１１の境界に沿って基材６０がダイシングされることにより、複数の半導体装置１００に個片化される。以上により、図１から図３に示されている半導体装置１００の構造が形成される。

【0038】

＜半導体装置１００の効果＞
半導体装置１００の効果を、比較例に係る半導体装置と対比しながら説明する。比較例に係る半導体装置を、半導体装置２００とする。

【0039】

図１３は、半導体装置２００の平面図である。図１３に示されているように、半導体装置２００では、導体層１２（導体パターン１２ａ、導体パターン１２ｂ、導体パターン１２ｃ、導体パターン１２ｄ）が、平面視において主面１１ａの外周縁に達している。半導体装置２００では、導体層１２の表面が、無電解めっき層１７ではなく、電解めっき層１９で覆われている。なお、図示されていないが、導体層１３（導体パターン１３ａ、導体パターン１３ｂ、導体パターン１３ｃ、導体パターン１３ｄ）の表面が、無電解めっき層１８ではなく電解めっき層で覆われている。これらの点に関して、半導体装置２００の構成は、半導体装置１００の構成と異なっている。

【0040】

図１４は、半導体装置２００を製造する際の導体層パターンニング工程Ｓ３を説明する平面図である。図１４に示されているように、半導体装置２００の製造方法では、導体層パターンニング工程Ｓ３において導体層１２がパターンニングされた後、１つの基材１１上にある導体層１２と当該１つの基材１１に隣り合う他の１つの基材１１の上にある導体層１２とが、互いに接続されている。これは、半導体装置２００の製造方法では、無電解めっき工程Ｓ５の代わりに電解めっき層１９を形成するために電解めっき工程が行われるが、当該電解めっき工程では、基材６０上にある導体層１２全体を導通させる必要があるからである。

【0041】

半導体装置２００の製造方法では、１つの基材１１上にある導体層１２と当該１つの基材１１に隣り合う他の１つの基材１１の上にある導体層１２とが互いに接続されているため、個片化工程Ｓ１０におけるダイシングの切断により導体層１２が平面視において主面１１ａの外周縁に達することになり、ダイシングの際の切断面に導体層１２が露出する。その結果、導体層１２や導体層１３が硫化された際に析出する硫化銅により導体層１２と導体層１３とが短絡してしまうことがある。また、半導体装置２００の製造方法では、１つの基材１１上にある導体層１２と当該１つの基材１１に隣り合う他の１つの基材１１の上にある導体層１２との間をダイシングで切断するため、切断面において導体層１２にバリが生じてしまうことがある。

【0042】

他方で、半導体装置１００の製造方法では、導体層１２の表面が無電解めっき層１７で覆われるため、１つの基材１１上にある導体層１２と当該１つの基材１１に隣り合う他の１つの基材１１の上にある導体層１２とが互いに接続される必要がない。その結果、個片化工程Ｓ１０におけるダイシングの切断により導体層１２が平面視において主面１１ａの外周縁に達せず、ダイシングの際の切断面に導体層１２が露出することもない。

【0043】

このように、半導体装置１００によると、導体層１２と導体層１３との間の短絡や切断面において導体層１２からのバリ発生が抑制されることになる。主面１１ａ、側面１１ｃ及び主面１１ｂに沿った導体層１２と導体層１３との間の沿面距離の最小値が基材１１の厚さの１．８倍以上であれば、導体層１２と導体層１３との間の短絡をより確実に抑制することが可能である。

【0044】

（第２実施形態）
第２実施形態に係る半導体装置を説明する。第２実施形態に係る半導体装置を、半導体装置３００とする。

【0045】

＜半導体装置３００の構成＞
以下に、半導体装置３００の構成を説明する。

【0046】

図１５は、半導体装置３００の平面図である。図１５中では、封止樹脂５０の図示が省略されている。図１６は、半導体装置３００の底面図である。図１５及び図１６に示されているように、半導体装置３００では、導体層１２が導体パターン１２ｃ及び導体パターン１２ｄを有しておらず、導体層１３が導体パターン１３ｃ及び導体パターン１３ｄを有していない。また、半導体装置３００では、基板１０に貫通穴１５ｃ及び貫通穴１５ｄが形成されていない。さらに、半導体装置３００では、導体パターン１２ａ、導体パターン１２ｂ、導体パターン１３ａ及び導体パターン１３ｂが、平面視において長手方向が第２方向ＤＲ２に沿う矩形状である。これらの点を除いて、半導体装置３００の構成は、半導体装置１００の構成と共通している。

【0047】

＜半導体装置３００の効果＞
半導体装置３００でも、導体層１２が主面１１ａの外周縁から離間しているとともに導体層１３が主面１１ｂの外周縁から離間しているため、導体層１２と導体層１３との間の短絡や切断面において導体層１２からのバリ発生が抑制されることになる。また、半導体装置３００では、導体層１２を主面１１ａの外周縁に達するように延ばす必要がなく、導体層１３を主面１１ｂの外周縁に達するように延ばす必要がないため、導体パターン１２ａ、導体パターン１２ｂ、導体パターン１３ａ及び導体パターン１３ｃの面積を小さくすることができ、製造コストを低減可能である。

【0048】

（付記）
本開示の実施形態には、以下の構成が含まれている。

【0049】

＜付記１＞
基板を備え、
前記基板は、基材と、第１導体層及び第２導体層とを有し、
前記基材は、第１主面と、前記第１主面の反対面である第２主面とを有し、
前記第１導体層及び前記第２導体層は、それぞれ前記第１主面上及び前記第２主面上に配置されており、
平面視において、前記第１導体層は前記第１主面の外周縁から離間しており、かつ前記第２導体層は前記第２主面の外周縁から離間している、半導体装置。

【0050】

＜付記２＞
前記基材は、前記第１主面及び前記第２主面に連なる側面をさらに有し、
前記第１主面、前記第２主面及び前記側面に沿った前記第１導体層と前記第２導体層との間の沿面距離の最小値は、前記基材の厚さの１．８倍以上である、付記１に記載の半導体装置。

【0051】

＜付記３＞
前記基板は、第１無電解めっき層と、第２無電解めっき層とをさらに有し、
前記第１無電解めっき層及び前記第２無電解めっき層は、それぞれ前記第１導体層上及び前記第２導体層上に配置されている、付記１又は付記２に記載の半導体装置。

【0052】

＜付記４＞
半導体素子と、
ボンディングワイヤとをさらに備え、
前記第１導体層は、第１導体パターンと、第２導体パターンとを有し、
前記第１導体パターンは、第１ランドを有し、
前記第２導体パターンは、第２ランドを有し、
前記半導体素子は、前記第１ランド上に配置されており、
前記ボンディングワイヤは、一方端において前記半導体素子に接続されており、他方端において前記第２ランドに接続されている、付記３に記載の半導体装置。

【0053】

＜付記５＞
前記第１導体パターンは、前記第１ランドと反対側の端に第３ランドを有し、
前記第２導体パターンは、前記第２ランドと反対側の端に第４ランドを有し、
平面視において、前記第３ランドの外周縁は、第１部分円弧を有し、
平面視において、前記第４ランドの外周縁は、第２部分円弧を有し、
前記第１部分円弧の中心角及び前記第２部分円弧の中心角は、１８０°以上である、付記４に記載の半導体装置。

【0054】

＜付記６＞
封止樹脂をさらに備え、
前記封止樹脂は、前記半導体素子及び前記ボンディングワイヤを覆うように前記基板上に配置されている、付記４又は付記５に記載の半導体装置。

【0055】

＜付記７＞
前記半導体素子は、ＬＥＤであり、
前記封止樹脂は、前記ＬＥＤが発生させる光を透過させる樹脂材料で形成されている、付記６に記載の半導体装置。

【0056】

以上のように本開示の実施形態について説明を行ったが、上述の実施形態を様々に変形することも可能である。また、本発明の範囲は、上述の実施形態に限定されるものではない。本発明の範囲は、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内での全ての変更を含むことが意図される。

【符号の説明】

【0057】

１０ 基板、１１ 基材、１１ａ，１１ｂ 主面、１１ｃ 側面、１２ 導体層、１２ａ 導体パターン、１２ａａ，１２ａｂ ランド、１２ｂ 導体パターン、１２ｂａ，１２ｂｂ ランド、１２ｃ 導体パターン、１２ｃａ，１２ｃｂ ランド、１２ａ 導体パターン、１２ｄａ，１２ｄｂ ランド、１３ 導体層、１３ａ，１３ｂ，１３ｃ，１３ｄ 導体パターン、１４ 導体層、１５ａ，１５ｂ，１５ｃ，１５ｄ 貫通穴、１６ 樹脂層、１７ 無電解めっき層、１８ 無電解めっき層、１９ 電解めっき層、２０ レジスト、３０，３０Ａ，３０Ｂ 半導体素子、３１ 裏面電極、３２ 表面電極、３３ 接合材、４０ ボンディングワイヤ、４１ ボンディングワイヤ、５０ 封止樹脂、６０ 基材、６０ａ，６０ｂ 主面、１００，２００，３００ 半導体装置、ＤＲ１ 第１方向、ＤＲ２ 第２方向、ＤＲ３ 第３方向、Ｓ１ 準備工程、Ｓ２ 穴開け工程、Ｓ３ 導体層パターンニング工程、Ｓ４，Ｓ５ 無電解めっき工程、Ｓ６ レジスト形成工程、Ｓ７ 半導体素子搭載工程、Ｓ８ ワイヤボンディング工程、Ｓ９ 樹脂封止工程、Ｓ１０ 個片化工程。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6A】

【図6B】

【図7】

【図8A】

【図8B】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】