特開2025-175425IP Force 特許公報全文掲載

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窒化物半導体装置の製造方法

要約特許出願時に添付された[要約書]

【課題】窒化物半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】方法は、窒化物半導体層２５の上方に、シリコンを含むアモルファスの保護膜３０を設ける段階と、熱間等方加圧装置１１０で、１ＭＰａ以上、１ＧＰａ以下の圧力条件及び１２００℃以上、１５００℃以下の温度条件において、保護膜が設けられた窒化物半導体層を熱処理する段階と、を備える。保護膜は、窒化物半導体層と接していてよく、ＳｉＯ２、ＳｉＮまたはＳｉＯＮの少なくとも１つを含む。
【選択図】図３Ｃ

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

窒化物半導体装置の製造方法において、熱処理する段階における窒化物半導体層の熱分解を抑制することが好ましい。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の第１の態様においては、窒化物半導体層の上方に、シリコンを含むアモルファスの保護膜を設ける段階と、１ＭＰａ以上、１ＧＰａ以下の圧力条件および、１２００℃以上、１５００℃以下の温度条件において、前記保護膜が設けられた前記窒化物半導体層を熱処理する段階とを備える、窒化物半導体装置の製造方法を提供する。

この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 窒化物半導体装置１００の、活性領域における断面の一例を示す。
【図2】 本例の窒化物半導体装置の製造方法の一例を示すフローチャートである。
【図3A】 本例の窒化物半導体装置１００の製造方法の一例を示す。
【図3B】 本例の窒化物半導体装置１００の製造方法の一例を示す。
【図3C】 本例の窒化物半導体装置１００の製造方法の一例を示す。
【図3D】 本例の窒化物半導体装置１００の製造方法の一例を示す。
【図4】 本例の窒化物半導体装置１００の製造方法の変形例を示す。
【図5】 本例の窒化物半導体装置１００の製造方法の変形例を示す。
【図6A】 比較例の製造方法において、保護膜３０および窒化物半導体層２５の内部におけるＧａ濃度の分布を示す。
【図6B】 本例の製造方法において、保護膜３０および窒化物半導体層２５の内部におけるＧａ濃度の分布を示す
【図7】 熱処理する段階Ｓ１４０の後における、窒化物半導体層２５のおもて面２１の算術平均粗さ（Ｒａ）を示す。

選択図 図3C出願人が指定した本件の代表的な図

１０・・・半導体基板、１２・・・Ｎ型領域、１３・・・Ｐ型領域、１４・・・ボディ領域、１５・・・コンタクト領域、２０・・・エピタキシャル領域、２１・・・おもて面、２３・・・裏面、２５・・・窒化物半導体層、３０・・・保護膜、３１・・・第１保護層、３２・・・第２保護層、３５・・・保護膜、４２・・・ゲート絶縁膜、５０・・・裏面側電極、５２・・・おもて面側電極、６０・・・マスク、１００・・・窒化物半導体装置、１１０・・・熱間等方加圧装置

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