特開2025-175425窒化物半導体装置の製造方法

発明の名称　窒化物半導体装置の製造方法

出願人　富士電機株式会社　（識別番号 5234）

　　　　特許公開件数ランキング 52 位（470件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 36 位（531件）（共同出願を含む）

公報番号　特開-2025-175425

公報発行日　2025年12月3

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-P_A1-2025-175425

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