2025-175778 基板処理装置、および基板処理方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2025175778

(43)【公開日】2025-12-03

(54)【発明の名称】基板処理装置、および基板処理方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/683 20060101AFI20251126BHJP

   H01L 21/31 20060101ALI20251126BHJP

   C23C 16/458 20060101ALI20251126BHJP

   C23C 14/50 20060101ALI20251126BHJP

【ＦＩ】

H01L21/68 N

H01L21/31 B

C23C16/458

C23C14/50 H

【審査請求】未請求

【請求項の数】9

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2024082035

(22)【出願日】2024-05-20

(71)【出願人】

【識別番号】000219967

【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100107766

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠重

(74)【代理人】

【識別番号】100070150

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠彦

(72)【発明者】

【氏名】田口 純之介

(72)【発明者】

【氏名】及川 拓也

(72)【発明者】

【氏名】竹内 靖

【テーマコード（参考）】

4K029

4K030

5F045

5F131

【Ｆターム（参考）】

4K029JA03

4K030EA05

4K030EA06

4K030GA06

4K030JA12

4K030KA02

5F045AA06

5F045AC15

5F045AC16

5F045BB15

5F045DP15

5F045DP27

5F045DQ12

5F045EB02

5F045EB10

5F045EE19

5F045EF03

5F045EF09

5F045EK07

5F045EM10

5F131AA02

5F131BA01

5F131CA12

5F131EA05

5F131EA24

5F131EB67

5F131EB72

5F131EB78

5F131EB81

5F131EB82

(57)【要約】

【課題】パーティクルを抑制できる技術を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、処理容器と、前記処理容器の内部に回転可能に設けられる回転テーブルと、前記回転テーブルと一体に回転可能、かつ前記回転テーブルの回転中心から離れた位置において前記回転テーブルと相対的に回転可能に設けられる載置台と、前記回転テーブルの回転および前記載置台の回転を制御する制御部と、を含む。前記制御部は、前記回転テーブルの回転に伴って生じる公転遠心力よりも前記載置台の回転に伴って生じる自転遠心力が大きくなるように、前記回転テーブルの回転および前記載置台の回転を制御する。
【選択図】図６

【特許請求の範囲】

【請求項1】

処理容器と、
前記処理容器の内部に回転可能に設けられる回転テーブルと、
前記回転テーブルと一体に回転可能、かつ前記回転テーブルの回転中心から離れた位置において前記回転テーブルと相対的に回転可能に設けられ、基板を載置する載置台と、
前記回転テーブルの回転および前記載置台の回転を制御する制御部と、を含み、
前記制御部は、
前記回転テーブルの回転に伴って生じる公転遠心力よりも前記載置台の回転に伴って生じる自転遠心力が大きくなるように、前記回転テーブルの回転および前記載置台の回転を制御する、
基板処理装置。

【請求項2】

前記載置台の回転における自転回転速度が、前記回転テーブルの回転における公転回転速度よりも速い、
請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項3】

前記自転回転速度は、前記公転回転速度の２．５倍以上である、
請求項２に記載の基板処理装置。

【請求項4】

前記公転回転速度は、４０ｒｐｍ以上であり、
前記自転回転速度は、前記公転回転速度の１０倍以上である、
請求項３に記載の基板処理装置。

【請求項5】

前記載置台の回転中心から基板の中心までの回転半径は、前記回転テーブルの回転中心から前記載置台の回転中心までの回転半径の１／１０以下である、前記
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の基板処理装置。

【請求項6】

前記載置台は、前記基板を載置する底壁と、前記底壁の外縁から突出し、前記基板の外縁が接触可能な側壁とを有し、当該底壁および当該側壁で囲われた凹部を備える、
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の基板処理装置。

【請求項7】

前記凹部は、平面視で正円状に形成され、かつ当該凹部の中心と前記載置台の回転中心とがずれている、
請求項６に記載の基板処理装置。

【請求項8】

前記凹部は、平面視で楕円状に形成されている、
請求項６に記載の基板処理装置。

【請求項9】

処理容器と、
前記処理容器の内部に回転可能に設けられる回転テーブルと、
前記回転テーブルと一体に回転可能、かつ前記回転テーブルの回転中心から離れた位置において前記回転テーブルと相対的に回転可能に設けられ、基板を載置する載置台と、を含む基板処理装置の基板処理方法であって、
前記回転テーブルおよび前記載置台を同時に回転させる工程において、前記回転テーブルの回転に伴って生じる公転遠心力よりも前記載置台の回転に伴って生じる自転遠心力を大きくする、
基板処理方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、基板処理装置、および基板処理方法に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、処理容器（真空容器）と、処理容器の内部に回転（公転）可能に設けられる回転テーブルと、を有する基板処理装置が開示されている。また、基板処理装置は、回転テーブルの回転中心から離れた位置の周方向上に、基板を載置する複数の載置台を備える。各載置台は、回転テーブルと一体に回転可能、かつ回転テーブルと相対的に回転（自転）可能に構成されている。

【0003】

基板処理装置の各載置台に載置された各基板は、回転テーブルの回転に伴う遠心力を受けて各載置台内を移動する。特に、基板処理装置は、載置台の回転により載置台内の基板の位置が変化することで、基板の移動機会が増加する。基板の移動によってパーティクルが発生し易くなる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２０２１－１１１７５８号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

本開示は、パーティクルを抑制できる技術を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本開示の一態様によれば、処理容器と、前記処理容器の内部に回転可能に設けられる回転テーブルと、前記回転テーブルと一体に回転可能、かつ前記回転テーブルの回転中心から離れた位置において前記回転テーブルと相対的に回転可能に設けられ、基板を載置する載置台と、前記回転テーブルの回転および前記載置台の回転を制御する制御部と、を含み、前記制御部は、前記回転テーブルの回転に伴って生じる公転遠心力よりも前記載置台の回転に伴って生じる自転遠心力が大きくなるように、前記回転テーブルの回転および前記載置台の回転を制御する、基板処理装置が提供される。

【発明の効果】

【0007】

一態様によれば、パーティクルを抑制できる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】実施形態に係る基板処理装置の構成例を示す縦断面図である。

【図2】図１の基板処理装置の処理容器内の構成を示す平面図である。

【図3】図１の基板処理装置の回転テーブルおよび載置台の構成を示す斜視図である。

【図4】図４（Ａ）は、参考例に係る基板処理装置の回転テーブルおよび各載置台の回転状態を示す平面図である。図４（Ｂ）は、参考例に係る載置台における基板の状態を示す図である。

【図5】図５（Ａ）は、実施形態に係る基板処理装置の載置台を示す平面図である。図５（Ｂ）は、図５（Ａ）のＶＢ－ＶＢ線の断面図である。

【図6】図６（Ａ）は、実施形態に係る基板処理装置の回転テーブルおよび各載置台の回転状態を示す平面図である。図６（Ｂ）は、載置台における基板Ｗの状態を示す図である。

【図7】図７（Ａ）は、載置台の直径φを３０２ｍｍとした場合の回転テーブルの公転回転速度と載置台の自転回転速度との関係を示す表である。図７（Ｂ）は、載置台の直径φを３４０ｍｍとした場合の回転テーブルの公転回転速度と載置台の自転回転速度との関係を示す表である。

【図8】実施形態に係る基板処理方法のフローチャートである。

【図9】図９（Ａ）は、第１変形例に係る載置台を拡大して示す平面図である。図９（Ｂ）は、第２変形例に係る載置台を拡大して示す平面図である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

以下、図面を参照して本開示を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。

【0010】

［基板処理装置の基本構成］
図１～図３を参照して、実施形態に係る基板処理装置１について説明する。図１は、実施形態に係る基板処理装置１の構成例を示す縦断面図である。図２は、図１の基板処理装置１の処理容器１１内の構成を示す平面図である。なお、図２においては、説明の便宜上、天板の図示を省略している。図３は、図１の基板処理装置１の回転テーブル２１および載置台２１１の構成を示す斜視図である。

【0011】

基板処理装置１は、原子層堆積法（Atomic Layer Deposition：ＡＬＤ）や分子層堆積法（Molecular Layer Deposition：ＭＬＤ）により基板Ｗの表面に膜を成膜する成膜処理を行う装置に構成される。この基板処理装置１は、処理部１０、回転駆動装置２０、リフタ部３０および制御部９０を備える。

【0012】

処理部１０は、基板Ｗに膜を形成する成膜処理を実行する。処理部１０は、処理容器１１、ガス導入部１２、ガス排気部１３、搬送口１４、および加熱部１５を有する。

【0013】

処理容器１１は、内部の空間を減圧して真空雰囲気に切り替え可能な真空容器である。処理容器１１は、略円形の平面形状を有する扁平な筐体に形成され、複数の基板Ｗを内部の空間に収容できる。基板Ｗは、例えば、半導体ウエハであってよい。処理容器１１は、本体１１１、天板１１２、側壁体１１３および底板１１４を含む（図１）。本体１１１は、円筒形状を有する。天板１１２は、本体１１１の上面に離脱可能に装着される。本体１１１と天板１１２とは、シール部１１５によって気密に密着する。側壁体１１３は、円筒形状を有し、本体１１１の下面に気密に連結される。底板１１４は、側壁体１１３の底面に気密に連結される。

【0014】

ガス導入部１２は、原料ガスノズル１２１、反応ガスノズル１２２および分離ガスノズル１２３、１２４を含む（図２）。原料ガスノズル１２１、反応ガスノズル１２２および分離ガスノズル１２３、１２４は、後述する回転テーブル２１の上方において、処理容器１１の周方向（図２の矢印Ａで示される方向）に沿って互いに間隔を開けて配置される。図示例では、搬送口１４から時計回り（回転テーブル２１の回転方向）に、分離ガスノズル１２３、原料ガスノズル１２１、分離ガスノズル１２４および反応ガスノズル１２２が、この順に配置される。原料ガスノズル１２１、反応ガスノズル１２２および分離ガスノズル１２３、１２４の各々は、各種のガスを導入するためのガス導入ポート１２１ｐ、１２２ｐ、１２３ｐ、１２４ｐ（図２）を基端部に有する。ガス導入ポート１２１ｐ、１２２ｐ、１２３ｐ、１２４ｐは、本体１１１の側壁に固定され、本体１１１の外部に突出している。原料ガスノズル１２１、反応ガスノズル１２２および分離ガスノズル１２３、１２４は、本体１１１の側壁から処理容器１１内に挿入され、本体１１１の半径方向内側に延出している。原料ガスノズル１２１、反応ガスノズル１２２および分離ガスノズル１２３、１２４は、例えば石英により形成されて、回転テーブル２１に対して平行に配置されている。

【0015】

原料ガスノズル１２１は、配管および流量制御器等（不図示）を介して、原料ガスの供給源（不図示）に接続される。原料ガスとしては、例えば、シリコン含有ガス、金属含有ガスを利用できる。原料ガスノズル１２１には、回転テーブル２１に向かって開口する複数の吐出孔（不図示）が、原料ガスノズル１２１の軸方向に沿って間隔を開けて配列される。原料ガスノズル１２１の下方領域は、原料ガスを基板Ｗに吸着させるための原料ガス吸着領域Ｐ１となる。

【0016】

反応ガスノズル１２２は、配管および流量制御器等（不図示）を介して、反応ガスの供給源（不図示）に接続される。反応ガスとしては、例えば、酸化ガス、窒化ガスを利用できる。反応ガスノズル１２２には、回転テーブル２１に向かって開口する複数の吐出孔（不図示）が、反応ガスノズル１２２の軸方向に沿って間隔を開けて配列される。反応ガスノズル１２２の下方領域は、原料ガス吸着領域Ｐ１において基板Ｗに吸着された原料ガスを酸化または窒化させる反応ガス供給領域Ｐ２となる。本実施形態において、基板Ｗを処理する処理ガスは、以上の原料ガスおよび反応ガスが該当する。

【0017】

分離ガスノズル１２３、１２４は、いずれも配管および流量制御バルブ等（不図示）を介して、分離ガスの供給源（不図示）に接続される。分離ガスとしては、例えば、アルゴン（Ａｒ）ガス、窒素（Ｎ_２）ガス等の不活性ガスを利用できる。分離ガスノズル１２３、１２４には、回転テーブル２１に向かって開口する複数の吐出孔（不図示）が、分離ガスノズル１２３、１２４の軸方向に沿って間隔を開けて配列される。

【0018】

また、図２に示すように、処理容器１１内には２つの凸状部１７が設けられる。凸状部１７は、分離ガスノズル１２３、１２４と共に分離領域Ｄを構成するため、回転テーブル２１に向かって突出するように天板１１２の裏面に取り付けられる。各凸状部１７は、頂部が円弧形状に切断された扇型の平面形状を有し、内円弧が突出部１８に連結し、外円弧が処理容器１１の側壁に沿うように配置される。

【0019】

ガス排気部１３は、第１の排気口１３１および第２の排気口１３２を含む（図２）。第１の排気口１３１は、原料ガス吸着領域Ｐ１に連通する第１の排気領域Ｅ１の底部に形成される。第２の排気口１３２は、反応ガス供給領域Ｐ２に連通する第２の排気領域Ｅ２の底部に形成される。第１の排気口１３１および第２の排気口１３２は、図示しない排気配管を介して排気装置（不図示）に接続される。

【0020】

搬送口１４は、本体１１１の側壁に設けられる（図２）。搬送口１４では、処理容器１１内の回転テーブル２１と、処理容器１１の外部の搬送装置１４ａとの間で基板Ｗの受け渡しが行われる。搬送口１４は、図示しないゲートバルブにより開閉される。

【0021】

加熱部１５は、固定軸１５１、ヒータ支持部１５２およびヒータ１５３を含む（図１）。なお、基板処理装置１は、加熱部１５に代えて（または加えて）基板Ｗを冷却する冷却部を備えてもよい。

【0022】

固定軸１５１は、処理容器１１の中心を中心軸とする円柱形状を有する。固定軸１５１は、後述する回転駆動装置２０の回転軸２３の内側で、処理容器１１の底板１１４を貫通している。

【0023】

回転駆動装置２０は、回転テーブル２１、収容ボックス２２、回転軸２３、公転用モータ２４および外筒２５を有する。

【0024】

回転テーブル２１は、処理容器１１内に設けられ、処理容器１１の中心に回転中心を有する。回転テーブル２１は、例えば円板形状を有し、石英により形成される。回転テーブル２１の上面には、回転方向（周方向）に沿って複数（例えば５つ）の載置台２１１が設けられる。回転テーブル２１は、接続部２１４を介して収容ボックス２２に接続される（図３）。

【0025】

各載置台２１１は、基板Ｗよりも僅かに大きい円板形状を有し、例えば石英により形成される。各載置台２１１は、自転軸２１２を介して自転用モータ２１３に接続され、回転テーブル２１に対して回転可能に構成される（図１）。

【0026】

自転軸２１２は、載置台２１１の下面と、収容ボックス２２内に収容される自転用モータ２１３とを接続し、自転用モータ２１３の動力を載置台２１１に伝達する。自転軸２１２は、載置台２１１の中心を回転中心として回転可能に構成される。自転軸２１２は、収容ボックス２２の天井部２２２および回転テーブル２１を貫通して設けられる。収容ボックス２２の天井部２２２の貫通部近傍には、シール部２６３が設けられ、収容ボックス２２内の気密状態が維持される。シール部２６３は、例えば磁性流体シールを含む。

【0027】

自転用モータ２１３は、自転軸２１２を介して、載置台２１１を回転テーブル２１に対して相対的に回転させることで、基板Ｗの中心回りに基板Ｗを自転させる。自転用モータ２１３は、例えばサーボモータを適用することが好ましい。

【0028】

接続部２１４は、回転テーブル２１の下面と収容ボックス２２の上面とを接続する（図３）。接続部２１４は、回転テーブル２１の周方向に沿って複数設けられる。

【0029】

収容ボックス２２は、処理容器１１内における回転テーブル２１の下方に設けられる。収容ボックス２２は、接続部２１４を介して回転テーブル２１に接続され、回転テーブル２１と一体に回転する。収容ボックス２２は、昇降機構（不図示）により処理容器１１内で昇降可能に構成されてもよい。収容ボックス２２は、本体部２２１および天井部２２２を有する。

【0030】

本体部２２１は、縦断面視で凹形状に形成され、回転テーブル２１の回転方向に沿ってリング状に形成される（図１）。

【0031】

天井部２２２は、本体部２２１の開口を覆うように、本体部２２１の上面に設けられる。これにより、本体部２２１および天井部２２２は、処理容器１１内から隔離された回転収容部２２３を形成する。

【0032】

回転収容部２２３は、縦断面視で矩形状に形成され、回転テーブル２１の回転方向に沿ってリング状を呈している。回転収容部２２３は、自転用モータ２１３（回転源）を収容する。本体部２２１には、回転収容部２２３と基板処理装置１の外部とを連通させる連通路２２４が形成される。これにより、回転収容部２２３に基板処理装置１の外部から大気が導入され、回転収容部２２３内が冷却されると共に、大気圧に維持される。この回転収容部２２３を回転可能に配置するために、処理容器１１は、側壁体１１３、底板１１４および加熱部１５により囲った回転源収容空間１９を有する。

【0033】

回転軸２３は、収容ボックス２２の下部に固定される。回転軸２３は、処理容器１１の底板１１４を貫通して設けられる。回転軸２３は、公転用モータ２４の動力を回転テーブル２１および収容ボックス２２に伝達し、回転テーブル２１および収容ボックス２２を一体に回転させる。固定軸１５１の外壁と回転駆動装置２０の回転軸２３の内壁との間には、シール部１５４が設けられる。これにより、回転軸２３は、処理容器１１内の気密状態を維持しながら、固定軸１５１に対して回転する。シール部１５４は、例えば、磁性流体シールを適用することができる。

【0034】

処理容器１１の底板１１４の中心側下面部には、回転駆動装置２０の外筒２５が連結されている。外筒２５は、処理容器１１の固定軸１５１と共に、処理容器１１を支持する。回転軸２３と外筒２５との間には、シール部１１６が設けられ、処理容器１１内の気密状態が維持される。シール部１１６は、例えば、磁性流体シールを適用することができる。

【0035】

回転軸２３の内部には、通路２３１が形成される。通路２３１は、収容ボックス２２の連通路２２４に接続され、収容ボックス２２内に大気を導入するための流体流路として機能する。また、通路２３１は、収容ボックス２２内に自転用モータ２１３を駆動させるための電力線および信号線を導入するための配線ダクトとしても機能する。通路２３１は、例えば、自転用モータ２１３と同じ数だけ設けられる。

【0036】

また図１に示すように、リフタ部３０は、搬送装置１４ａ（図２）が載置台２１１に基板Ｗを搬入および搬出する際に、複数（本実施形態では３つ）のリフトピン３１を昇降させ、搬送装置１４ａとの間で基板Ｗの受け取りおよび受け渡しを行う。基板処理装置１は、搬送口１４に隣接する載置台対向位置の鉛直方向下側にリフタ部３０を設置している。リフタ部３０は、複数のリフトピン３１をそれぞれ有する複数（３つ）の上側構造部４０と、複数のリフトピン３１を同時に昇降させる１つの下側動作部５０と、を処理容器１１に備える。

【0037】

各上側構造部４０は、ヒータ支持部１５２およびヒータ１５３を貫通するように設置されると共に、リフトピン３１を変位可能に収容する。下側動作部５０は、処理容器１１の底板１１４の下面に取り付けられている。下側動作部５０は、鉛直方向に沿って変位して各リフトピン３１の下端３２をそれぞれ押圧する複数（３つ）のプランジャ５１を有している。すなわち、リフタ部３０は、稼動する部材として、基板Ｗに接触する複数のリフトピン３１と、リフトピン３１を介して基板Ｗを間接的に昇降させる複数のプランジャ５１と、を鉛直方向に分離して備えた２段構造を呈している。

【0038】

下側動作部５０は、各プランジャ５１の他に、ケース５２と、プランジャ駆動部５３と、を備える。各プランジャ５１は、細長い中実の棒状に形成され、プランジャ駆動部５３により回転源収容空間１９内を移動する。リフタ部３０は、各プランジャ５１の上昇に伴い各上側構造部４０のリフトピン３１に接触することで、当該リフトピン３１を押し上げる。

【0039】

各上側構造部４０は、自転軸２１２から半径方向に間隔をあけた位置で、かつ載置台２１１の周方向に沿って設けられる。各上側構造部４０は、リフトピン３１を鉛直方向下側に脱落不能に支持する。また、載置台２１１は、各上側構造部４０の配置位置に対応して、各リフトピン３１が通過可能な貫通孔２１１ａを複数（３つ）備えている（図２も参照）。リフトピン３１は、直線状に延在する円柱形状の部材であり、上昇してきたプランジャ５１により下端が押し上げられることで上昇する。これにより、リフトピン３１の上端は、載置台２１１の貫通孔２１１ａを通して当該載置台２１１の上面に突出する。

【0040】

図１に戻り、制御部９０は、基板処理装置１の各部を制御するように構成される。制御部９０は、制御本体９１と、ユーザインタフェース９５と、を有する。制御本体９１は、プロセッサ９２、メモリ９３、図示しない入出力インタフェースおよび通信インタフェースを有するコンピュータである。プロセッサ９２は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＧＰＵ（Graphics Processing Unit）、ＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）、ＦＰＧＡ（Field-Programmable Gate Array）、複数のディスクリート半導体からなる回路等のうち１つまたは複数を組み合わせたものである。メモリ９３は、半導体メモリ等からなる主記憶装置、およびディスクや半導体メモリ（フラッシュメモリ）等からなる補助記憶装置を含む。言い換えれば、本開示において、制御部９０とは、ＣＰＵ、ＧＰＵ、ＡＳＩＣ、ＦＰＧＡ等を有する電子回路であり、メモリ９３に格納された命令コードを実行することにより、または特殊用途向けに回路設計されることにより、本願明細書に記載の各種制御動作を実行する。

【0041】

また、ユーザインタフェース９５は、制御本体９１の入出力インタフェースに接続される。このユーザインタフェース９５は、特に限定されるものでないが、例えば、タッチパネル、モニタ、キーボード、マウス等があげられる。

【0042】

以上のように構成される基板処理装置１は、回転テーブル２１の複数の載置台２１１の各々に基板Ｗを載置した状態で、回転テーブル２１を回転（公転）させると共に、各載置台２１１を回転（自転）させる。そして、基板処理装置１は、各基板Ｗの公転および自転の最中に、ガス導入部１２から処理容器１１内に処理ガスを供給することで、各基板Ｗに基板処理を施す。

【0043】

［基板処理時のパーティクルの発生について］
基板処理時に各基板Ｗを公転および自転させる構成では、各基板Ｗは、回転時の遠心力を受けて載置台内において移動する。以下、本開示の理解の容易化のために、まず参考例に係る基板処理装置１'について、図４（Ａ）および図４（Ｂ）を参照しながら説明する。図４（Ａ）は、参考例に係る基板処理装置１'の回転テーブル２１および各載置台２１１の回転状態を示す平面図である。図４（Ｂ）は、参考例に係る載置台２１１における基板Ｗの状態を示す図である。

【0044】

図４（Ａ）に示すように、回転テーブル２１の各載置台２１１に載置された各基板Ｗは、回転テーブル２１の回転に伴って遠心力を受ける。以下では、回転テーブル２１の回転に伴って生じる遠心力を公転遠心力ともいう。また、各載置台２１１の各基板Ｗは、当該載置台２１１の回転に伴って生じる遠心力も受ける。以下では、各載置台２１１の回転に伴って生じる遠心力を自転遠心力ともいう。ただし、参考例に係る基板処理装置１'は、基板処理において、回転テーブル２１の公転回転速度よりも各載置台２１１の自転回転速度を大幅に遅くしている。例えば、参考例に係る基板処理では、回転テーブル２１の回転速度を６０ｒｐｍとする一方で、各載置台２１１の回転速度を５．５ｒｐｍとしている。

【0045】

したがって、参考例に係る基板処理装置１'は、基板処理時の各基板Ｗに対して、公転遠心力＞自転遠心力の関係となった力を加える。この場合、図４（Ｂ）の左図に示すように、各基板Ｗは、回転テーブル２１から径方向外側に向かう公転遠心力を受けることで、各載置台２１１内で摩擦力に抗して回転テーブル２１の径方向外側に移動するようになる。例えば、基板Ｗは、載置台２１１内を移動して、載置台２１１を囲う内周面に接触する。また、図４（Ｂ）の中図に示すように、内周面に移動した基板Ｗは、載置台２１１の回転に連れて載置台２１１内を周回する。そして例えば、図４（Ｂ）の右図に示すように、基板Ｗは、回転テーブル２１の回転中心寄りに移動した位置で公転遠心力を受けることで、載置台２１１内の径方向外側に移動して、径方向外側の内周面に再び接触する。参考例に係る基板処理装置１'は、このような載置台２１１内での基板Ｗの移動を繰り返すことで、移動時の基板Ｗの擦れや衝突の機会が増加して、パーティクルが発生するようになる。

【0046】

［パーティクルを抑制するための構成について］
図５（Ａ）は、実施形態に係る基板処理装置１の載置台２１１を示す平面図である。図５（Ｂ）は、図５（Ａ）のＶＢ－ＶＢ線の断面図である。図６（Ａ）は、実施形態に係る基板処理装置１の回転テーブル２１および各載置台２１１の回転状態を示す平面図である。図６（Ｂ）は、載置台２１１における基板Ｗの状態を示す図である。そこで、実施形態に係る基板処理装置１は、図５（Ａ）および図５（Ｂ）に示すように各載置台２１１を凹状に形成すると共に、図６（Ａ）および図６（Ｂ）に示すように公転遠心力よりも自転遠心力を大きくする構成としている。

【0047】

具体的には、載置台２１１は、基板Ｗを載置する底壁２１１ｂと、この底壁２１１ｂの外縁から突出する側壁２１１ｓとを有する。底壁２１１ｂおよび側壁２１１ｓは、その内側に凹部２１１ｃを形成している。側壁２１１ｓは、平面視で、正円の円環形状に形成されている。側壁２１１ｓの高さは、特に限定されないが、基板Ｗの厚み以上に設定されることが好ましい。また、載置台２１１は、中心２１１ｏに連結された自転軸２１２によって、中心２１１ｏ回りに回転する構成となっている。実施形態では、載置台２１１の外形（側壁２１１ｓの外周面）の中心２１１ｏと凹部２１１ｃの中心とが一致している。

【0048】

載置台２１１の凹部２１１ｃに載置された基板Ｗは、遠心力を受けて底壁２１１ｂの面方向を移動すると、側壁２１１ｓに接触する。図５（Ａ）および図５（Ｂ）は、この基板Ｗが側壁２１１ｓに接触した形態を示している。側壁２１１ｓに接触した基板Ｗは、遠心力を受けてもそれ以上の移動が側壁２１１ｓにより規制され、また側壁２１１ｓにより載置台２１１からの離脱が阻止される。これにより、基板Ｗの中心Ｗｏは、載置台２１１の中心２１１ｏに対してずれた状態で回転する。公転遠心力よりも自転遠心力が大きい場合には、側壁２１１ｓに基板Ｗが接触しながら、載置台２１１の回転を継続することになる。つまり、図４（Ｂ）に示すような各載置台２１１内で各基板Ｗの移動の繰り返しが無くなる。

【0049】

具体的には、図６（Ａ）に示すように、基板処理装置１は、制御部９０により、回転テーブル２１の回転および各載置台２１１の回転を制御して、公転遠心力＜自転遠心力の関係を成立させる。上記したように自転遠心力が公転遠心力よりも大きい場合、基板Ｗは、各載置台２１１の側壁２１１ｓに一旦接触した後に、各載置台２１１と一体に回転するようになる。

【0050】

つまり、図６（Ｂ）の左図に示すように、各基板Ｗは、載置台２１１の凹部２１１ｃ内において回転テーブル２１の径方向外側に移動して側壁２１１ｓに接触する。そして、側壁２１１ｓに移動した基板Ｗは、載置台２１１の回転によって公転遠心力よりも大きな自転遠心力を受ける。これにより、基板Ｗは、図６（Ｂ）の中図に示す回転テーブル２１の回転方向の接線方向に移動した場合、または図６（Ｂ）の右図に示す回転テーブル２１の中心寄りに移動した場合でも、その位置をキープするようになる。言い換えれば、基板処理装置１は、公転遠心力＜自転遠心力の関係によって、載置台２１１内で基板Ｗを略固定して移動を繰り返さないようにする。このように載置台２１１内において基板Ｗの移動の機会を低減することで、基板処理装置１はパーティクルの発生を抑制できる。

【0051】

次に、公転遠心力＜自転遠心力の関係を成立させるための各種パラメータの設定について、図７（Ａ）および図７（Ｂ）を参照しながら説明する。図７（Ａ）は、載置台２１１の直径φを３０２ｍｍとした場合の回転テーブル２１の公転回転速度と載置台２１１の自転回転速度との関係を示す表である。図７（Ｂ）は、載置台２１１の直径φを３４０ｍｍとした場合の回転テーブル２１の公転回転速度と載置台２１１の自転回転速度との関係を示す表である。なお、載置台２１１の直径φとは、載置台２１１の中心２１１ｏを通る側壁２１１ｓの内周面間の距離、言い換えれば、中心２１１ｏから側壁２１１ｓまでの凹部２１１ｃの半径の２倍である。

【0052】

回転により生じる回転物の遠心力は、一般に、以下の式（１）により表される。

【0053】

Ｆ＝ｍω^２ｒ …（１）
なお、ｍは回転物の質量であり、ωは回転時の回転速度であり、ｒは回転半径である。

【0054】

したがって、回転テーブル２１から各載置台２１１に載置された基板Ｗが受ける公転遠心力Ｆ_１は、公転回転速度をω_１、回転テーブル２１の回転中心から各基板Ｗの中心Ｗｏまでの回転半径ｒ_１とした場合、以下の式（２）により表すことができる。

【0055】

Ｆ_１＝ｍω_１ ^２ｒ_１ …（２）
なお、ｍは基板Ｗの質量である。また、回転半径ｒ１は回転テーブル２１の回転中心から載置台２１１の中心２１１ｏまでの距離に近似できる。

【0056】

一方、載置台２１１から側壁２１１ｓに移動した基板Ｗが受ける自転遠心力Ｆ_２は、自転回転速度をω_２、載置台２１１の中心２１１ｏから基板Ｗの中心Ｗｏまでの回転半径ｒ_２とした場合、以下の式（３）により表すことができる。

【0057】

Ｆ_２＝ｍω_２ ^２ｒ_２ …（３）
なお、ｍは基板Ｗの質量である。

【0058】

したがって、上記した公転遠心力Ｆ_１＜自転遠心力Ｆ_２の関係が成立するためには、ω_１ ^２ｒ_１＜ω_２ ^２ｒ_２となるように、各パラメータを設定すればよいことになる。ただし、公転遠心力の各パラメータのうち回転半径ｒ_１は、回転テーブル２１に対する各載置台２１１の設置数および回転テーブル２１のサイズ等に依存する。つまり、回転半径ｒ_１は可及的に小さいほうがよいが、回転半径ｒ_１が小さい場合は、回転テーブル２１のサイズを小さくして、各載置台２１１の設置数を少なくすることになる。この場合、１回の基板処理において処理する基板Ｗの数が少なくなる。一方、自転遠心力の各パラメータのうち回転半径ｒ_２は、載置台２１１の直径φに依存して決まり、さらには回転テーブル２１に対する各載置台２１１の設置数にも影響が及ぶ。つまり、回転半径ｒ_２は可及的に大きいほうがよいが、回転半径ｒ_２が大きい場合は周方向に隣接する載置台２１１同士が重なる可能性が生じて、やはり各載置台２１１の設置数が少なくなる。よってこの場合も、１回の基板処理において処理する基板Ｗの数が少なくなる。

【0059】

上記のことから、回転半径ｒ_１、ｒ_２については、回転テーブル２１のサイズ、回転テーブル２１に搭載する載置台２１１の数を先に設定し、その後に回転半径ｒ_１、ｒ_２を設定するとよい。図７（Ａ）における載置台２１１の直径φは３０２ｍｍであり、基板Ｗの直径が３００ｍｍである場合に回転半径ｒ_２は１ｍｍとなる。図７（Ｂ）における載置台２１１の直径φは３４０ｍｍであり、基板Ｗの直径が３００ｍｍである場合に回転半径ｒ_２は２０ｍｍとなる。図７（Ａ）および図７（Ｂ）に示すように、載置台２１１の直径φが大きいほうが、パーティクルの抑制効果が大きくなる公転回転速度および自転回転速度の範囲（Ａの欄）が広がっている。つまり、同じ公転回転速度および自転回転速度であっても、載置台２１１の直径φ（言い換えれば、回転半径ｒ_２）が大きいほうが、公転遠心力＜自転遠心力の関係を築き易いと言える。

【0060】

ただし上記したように、載置台２１１の直径φ（回転半径ｒ_２）を大きくし過ぎると、周方向に隣接する各載置台２１１同士が重なる可能性が生じる。例えば、回転テーブル２１に各載置台２１１を５つ設置する設定とした場合、各載置台２１１の直径φの範囲としては、３０２ｍｍ～３５０ｍｍ程度の範囲とすることが好ましい。また、回転テーブル２１に各載置台２１１を５つ設置する場合、回転テーブル２１の回転半径ｒ_１と載置台２１１の回転半径ｒ_２との関係は、ｒ_１／１０≧ｒ_２程度となるように設定することが好ましい。このように回転テーブル２１のサイズ、および各載置台２１１の数に基づいて回転半径ｒ_１、ｒ_２を設定することで、各載置台２１１同士が重なることなく、各載置台２１１の直径φ（回転半径ｒ_２）を適切に設計することが可能となる。なお、各載置台２１１の設置数は、特に限定されず、４つ以下でもよく、６つ以上でもよい。

【0061】

また、公転遠心力＜自転遠心力の関係となる公転回転速度ω_１および自転回転速度ω_２の関係は、単純にはω_１＜ω_２である。ただし、基板Ｗをより確実に固定したい場合には、公転遠心力に対して自転遠心力をある程度大きく設定することが望ましい。したがって、パーティクルの抑制効果を充分に得られる公転回転速度ω_１と自転回転速度ω_２の関係としては、自転回転速度ω_２が公転回転速度ω_１の２．５倍以上（つまり、２．５×ω_１≦ω_２）であることが好ましい。これにより、基板処理装置１は、自転遠心力を充分に高めることができる。

【0062】

また、基板処理（成膜処理）では、公転回転速度およびまたは自転回転速度が大きくなる程、基板処理の効率性は向上するが、各基板Ｗに成膜される膜の膜質が低下する傾向がある。このため、公転回転速度および自転回転速度は、基板処理の効率性、各基板Ｗの膜質、および図７（Ａ）および図７（Ｂ）に示すようなパーティクルの抑制効果等を勘案して適切な速度を選択することが好ましい。

【0063】

一例として、基板処理の効率性を重視する場合には、公転回転速度を４０ｒｐｍ以上に設定することが好ましい。また、自転回転速度については、公転回転速度の１０倍以上に設定するとよい。これにより、基板処理を短い時間で行いながら、各載置台２１１に対して基板Ｗを固定することができ、パーティクルの抑制効果を高めることができる。特に、載置台２１１の直径φを３４０ｍｍにして回転半径ｒ_２を大きくする一方で、公転回転速度を１２０ｒｐｍ以上、自転回転速度を６００ｒｐｍ以上に設定すれば、基板処理をより短時間に行うことも可能となる。

【0064】

一方、基板処理の質（膜質）を重視する場合には、公転回転速度を２０ｒｐｍ以下に設定することが好ましい。図７（Ａ）および図７（Ｂ）に示すように、公転回転速度２０ｒｐｍ以下であれば、自転回転速度が５０ｒｐｍ以上のどのような値であってもパーティクルの抑制効果を高めることができる。

【0065】

［基板処理方法］
実施形態に係る基板処理装置１は、基本的には以上のように構成され、以下その動作（基板処理方法）について、図８を参照しながら説明する。図８は、実施形態に係る基板処理方法のフローチャートである。

【0066】

基板処理装置１の制御部９０は、基板処理方法において、図８に示すステップＳ１０１～Ｓ１０８を制御して、例えば、基板Ｗに所望の膜を成膜する基板処理（成膜処理）を実行する。

【0067】

制御部９０は、基板処理装置１および搬送装置１４ａを制御して、まず回転テーブル２１の５つの載置台２１１に対して基板Ｗを順に載置していく（ステップＳ１０１）。この際、基板Ｗの中心Ｗｏが載置台２１１の中心２１１ｏに一致するように、基板処理装置１は回転テーブル２１を回転させる一方で、搬送装置１４ａは載置台２１１の直上に基板Ｗを搬送する。そして、リフタ部３０は、各リフトピン３１を上昇させることで搬送装置１４ａから基板Ｗを受け取り、搬送装置１４ａの後退後に各リフトピン３１を下降させることで載置台２１１の凹部２１１ｃに基板Ｗを載置する。

【0068】

各載置台２１１に基板Ｗが載置された後、制御部９０は、各自転用モータ２１３の回転を開始して、基板Ｗがそれぞれ載置された各載置台２１１を回転させる（ステップＳ１０２）。なお、制御部９０は、基板処理の実行前に、パーティクルの抑制効果が大きい自転回転速度である各載置台２１１の目標回転速度を、自動的にまたはユーザ入力に基づいて設定しておく。

【0069】

そして、制御部９０は、各載置台２１１の実際の自転回転速度が目標回転速度に到達したか否かを判定する（ステップＳ１０３）。自転回転速度が目標回転速度に到達した場合（ステップＳ１０３：ＹＥＳ）にステップＳ１０４に進み、自転回転速度が目標回転速度に到達していない場合（ステップＳ１０３：ＮＯ）にステップＳ１０３の監視を繰り返す。

【0070】

次に、制御部９０は、公転用モータ２４の回転を開始して、回転テーブル２１を回転させる（ステップＳ１０４）。なお、制御部９０は、回転テーブル２１の目標回転速度についても自動的またはユーザ入力に基づいて、基板処理の実行前に設定しておく。この回転テーブル２１の目標回転速度も、上記したように、パーティクルの抑制効果が大きい公転回転速度に対応して設定される。

【0071】

回転テーブル２１の公転回転速度が上昇すると、各載置台２１１内において各基板Ｗが回転テーブル２１の径方向外側に移動して側壁２１１ｓに接触する。ただし、公転遠心力＜自転遠心力の関係が成立していることで、各基板Ｗは、側壁２１１ｓに一旦接触した後、その位置を維持して各載置台２１１の回転に連れ回りする。これにより、各載置台２１１内において各基板Ｗが移動を繰り返すことがなくなり、パーティクルの発生が抑制される。

【0072】

そして、制御部９０は、回転テーブル２１の実際の公転回転速度が目標回転速度に到達したか否かを判定する（ステップＳ１０５）。公転回転速度が目標回転速度に到達した場合（ステップＳ１０５：ＹＥＳ）にステップＳ１０６に進み、公転回転速度が目標回転速度に到達していない場合（ステップＳ１０５：ＮＯ）にステップＳ１０３の監視を繰り返す。

【0073】

上記のステップＳ１０５まで行うによって、基板処理装置１は、回転テーブル２１および載置台２１１を同時に回転させる工程となる。この工程において、制御部９０は、ガス導入部１２により処理容器１１内に処理ガスを供給して、基板処理（成膜処理）を各基板Ｗに行う（ステップＳ１０６）。そして、基板処理時も、回転テーブル２１は目標回転速度である公転回転速度を維持すると共に、各載置台２１１は目標回転速度である自転回転速度を維持する。つまり、公転遠心力よりも自転遠心力が大きい関係が維持され、各載置台２１１の各基板Ｗの移動を規制することができ、パーティクルの発生を抑制できる。

【0074】

以上の基板処理の実行中に、制御部９０は、基板処理を終了するか否かを判定する（ステップＳ１０７）。例えば、制御部９０は、レシピ等により設定された基板処理の目標期間を経過したか否かを監視し、目標期間を経過した場合に基板処理の終了を判定する。制御部９０は、基板処理を終了する場合（ステップＳ１０７：ＹＥＳ）にステップＳ１０８に進み、基板処理を終了しない場合（ステップＳ１０７：ＮＯ）に基板処理を継続すると共にこの監視を繰り返す。

【0075】

最後に、制御部９０は、処理ガスの供給停止や回転テーブル２１および各載置台２１１の回転停止等を行うと共に、回転テーブル２１から各基板Ｗを取り出す等の終了処理を実行することで、今回の基板処理を終了する（ステップＳ１０８）。

【0076】

以上のように、基板処理方法は、基板Ｗにかかる公転遠心力よりも自転遠心力が大きいことで、各載置台２１１内での基板Ｗの移動を少なくすることができる。この結果、基板処理方法は、各載置台２１１内の基板Ｗに発生するパーティクルを抑制できる。

【0077】

［変形例］
なお、本開示に係る基板処理装置１および基板処理方法は、上記の実施形態に限定されず種々の変形例をとり得る。例えば、図８の基板処理方法では、各基板Ｗに自転遠心力を先に付与するために各載置台２１１を回転テーブル２１よりも先に回転させる構成とした。しかしながら、基板処理方法は、各載置台２１１よりも先に回転テーブル２１を回転させてもよい。あるいは、基板処理方法は、回転テーブル２１および各載置台２１１の回転を同時に開始してもよい。

【0078】

図９（Ａ）は、第１変形例に係る載置台２１１Ａを拡大して示す平面図である。図９（Ｂ）は、第２変形例に係る載置台２１１Ｂを拡大して示す平面図である。図９（Ａ）に示すように、第１変形例に係る載置台２１１Ａは、当該載置台２１１Ａ全体の外形に対して、基板Ｗを収容する凹部２１１ｃ１の位置をずらした点で、実施形態に係る載置台２１１とは異なる。具体的には、載置台２１１Ａは、平面視で正円状の凹部２１１ｃ１を有する。そして、この凹部２１１ｃ１を囲う側壁２１１ｓについて、一方側（図９（Ａ）の下側）を幅狭にする一方で、他方側（図９（Ａ）の上側）を幅広にしている。

【0079】

このように構成された載置台２１１Ａは、当該載置台２１１Ａの中心２１１ｏ（回転中心）と、凹部２１１ｃ１の中心（不図示）とが予めずれた位置に配置され、また凹部２１１ｃの直径を小さくできる。凹部２１１ｃ１に載置された基板Ｗは、凹部２１１ｃ１の中心が予めずれていることで、回転する載置台２１１Ａの自転遠心力を容易に受けるようになり、この凹部２１１ｃ１内の一方側に向かって短く移動する。公転遠心力を受けた場合も同様である。そして、載置台２１１Ａを有する基板処理装置１は、公転遠心力＜自転遠心力の関係が成立していることで、基板Ｗの位置を一方側に簡単に固定して回転を継続できる。したがって、パーティクルの抑制効果の向上を期待することができる。

【0080】

図９（Ｂ）に示すように、第２変形例に係る載置台２１１Ｂは、当該載置台２１１Ｂ全体を平面視で正円状に形成する一方で、基板Ｗを収容する凹部２１１ｃ２を平面視で楕円状に形成した点で、上記の載置台２１１、２１１Ａとは異なる。載置台２１１Ｂは、この凹部２１１ｃ２を有することで、凹部２１１ｃ２に載置された基板Ｗを楕円形状の長軸方向に移動し易くする。このため、基板Ｗは、公転遠心力を受けた場合に、凹部２１１ｃ１の長軸の一端側にスムーズに移動できる。そして、載置台２１１Ｂを有する基板処理装置１も、公転遠心力＜自転遠心力の関係が成立していることで、基板Ｗの位置を長軸の一端側に簡単に固定して回転を継続できる。よってこの場合も、パーティクルの抑制効果の向上を期待することができる。

【0081】

以上の実施形態で説明した本開示の技術的思想および効果について以下に記載する。

【0082】

本開示の第１の態様に係る基板処理装置１は、処理容器１１と、処理容器１１の内部に回転可能に設けられる回転テーブル２１と、回転テーブル２１と一体に回転可能、かつ回転テーブル２１の回転中心から離れた位置において回転テーブル２１と相対的に回転可能に設けられ、基板Ｗを載置する載置台２１１、２１１Ａ、２１１Ｂと、回転テーブル２１の回転および載置台２１１、２１１Ａ、２１１Ｂの回転を制御する制御部９０と、を含み、制御部９０は、回転テーブル２１の回転に伴って生じる公転遠心力よりも載置台２１１、２１１Ａ、２１１Ｂの回転に伴って生じる自転遠心力が大きくなるように、回転テーブル２１の回転および載置台２１１、２１１Ａ、２１１Ｂの回転を制御する。

【0083】

上記によれば、基板処理装置１は、公転遠心力よりも自転遠心力が大きくなるように回転テーブル２１の回転および載置台２１１、２１１Ａ、２１１Ｂの回転を制御することで、パーティクルを抑制することができる。すなわち、載置台２１１、２１１Ａ、２１１Ｂに載置された基板Ｗは、この載置台２１１、２１１Ａ、２１１Ｂの回転に伴う自転遠心力によって載置台２１１、２１１Ａ、２１１Ｂ内での移動が抑制される。その結果、基板Ｗの移動による擦れや衝突に伴うパーティクルの発生を抑制することが可能となる。

【0084】

また、載置台２１１、２１１Ａ、２１１Ｂの回転における自転回転速度が、回転テーブル２１の回転における公転回転速度よりも速い。これにより、基板処理装置１は、公転遠心力よりも自転遠心力が大きい関係を容易に構築することが可能となり、パーティクルの発生を抑制しながら、この抑制に要するコスト増を回避できる。

【0085】

また、自転回転速度は、公転回転速度の２．５倍以上である。これにより、基板処理装置１は、公転遠心力よりも自転遠心力を一層大きくすることができ、パーティクルを大幅に抑制できる。

【0086】

また、公転回転速度は、４０ｒｐｍ以上であり、自転回転速度は、公転回転速度の１０倍以上である。これにより、基板処理装置１は、基板Ｗに対する基板処理の効率性を確保しながら、基板処理時にパーティクルを充分に抑制することが可能となる。

【0087】

また、載置台２１１、２１１Ａ、２１１Ｂの回転中心から基板Ｗの中心までの回転半径ｒ_２は、回転テーブル２１の回転中心から載置台２１１の回転中心までの回転半径ｒ_１の１／１０以下である。これにより、基板処理装置１は、載置台２１１、２１１Ａ、２１１Ｂの自転遠心力を得ながら、回転テーブル２１における載置台２１１、２１１Ａ、２１１Ｂの数を増やすことができる。

【0088】

また、載置台２１１、２１１Ａ、２１１Ｂは、基板Ｗを載置する底壁２１１ｂと、底壁２１１ｂの外縁から突出し、基板Ｗの外縁が接触可能な側壁２１１ｓとで囲われた凹部２１１ｃを有する。これにより、基板処理装置１は、載置台２１１、２１１Ａ、２１１Ｂにおいて基板Ｗが側壁２１１ｓに接触した後、自転遠心力により当該基板Ｗを側壁２１１ｓに押し付けた状態とし、その移動を抑制することができる。

【0089】

また、凹部２１１ｃは、平面視で正円状に形成され、かつ当該凹部２１１ｃの中心と載置台２１１Ａの回転中心とがずれている。これにより、基板処理装置１は、載置台２１１の回転中心から基板Ｗの中心Ｗｏを予めずらした位置に配置でき、回転半径を確保しながら基板Ｗの移動量を減らして、パーティクルをより低減することが可能となる。

【0090】

また、凹部２１１ｃは、平面視で楕円状に形成されている。これにより、基板処理装置１は、載置台２１１Ｂの凹部２１１ｃ内で基板Ｗを長軸方向に容易に移動させることができ、載置台２１１Ｂ内での基板Ｗの固定を促すことができる。

【0091】

また、本開示の第２の態様は、処理容器１１と、処理容器１１内に回転可能に設けられる回転テーブル２１と、回転テーブル２１と一体に回転可能、かつ回転テーブル２１の回転中心から離れた位置において回転テーブル２１と相対的に回転可能に設けられる載置台２１１、２１１Ａ、２１１Ｂと、を含む基板処理装置の基板処理方法であって、回転テーブル２１および載置台２１１を同時に回転させる工程において、回転テーブル２１の回転に伴って生じる公転遠心力よりも載置台２１１、２１１Ａ、２１１Ｂの回転に伴って生じる自転遠心力を大きくする。この場合でも、基板処理方法は、パーティクルを抑制することができる。

【0092】

今回開示された実施形態に係る基板処理装置１および基板処理方法は、すべての点において例示であって制限的なものではない。実施形態は、添付の請求の範囲およびその主旨を逸脱することなく、様々な形態で変形および改良が可能である。上記複数の実施形態に記載された事項は、矛盾しない範囲で他の構成も取り得ることができ、また、矛盾しない範囲で組み合わせることができる。

【符号の説明】

【0093】

１ 基板処理装置
１１ 処理容器
２１ 回転テーブル
９０ 制御部
２１１、２１１Ａ、２１１Ｂ 載置台
Ｗ 基板

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】