2025-176776 情報処理装置及びプロセス条件予測方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2025176776

(43)【公開日】2025-12-05

(54)【発明の名称】情報処理装置及びプロセス条件予測方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/31 20060101AFI20251128BHJP

   H01L 21/02 20060101ALI20251128BHJP

   C23C 16/52 20060101ALI20251128BHJP

【ＦＩ】

H01L21/31 B

H01L21/02 Z

C23C16/52

【審査請求】未請求

【請求項の数】7

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2024083079

(22)【出願日】2024-05-22

(71)【出願人】

【識別番号】000219967

【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100107766

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠重

(72)【発明者】

【氏名】山口 達也

【テーマコード（参考）】

4K030

5F045

【Ｆターム（参考）】

4K030KA05

4K030KA41

5F045AA06

5F045AD01

5F045AE01

5F045BB03

5F045BB10

5F045DP19

5F045DP28

5F045DQ05

5F045EF03

5F045EF09

5F045EK06

5F045GB12

5F045GB13

5F045GB17

(57)【要約】

【課題】より少ない枚数のウエハに対する成膜結果に基づいて、所望の膜厚とする為のプロセス条件を予測する技術を提供すること。
【解決手段】処理容器に高さ方向に複数の領域を形成し、領域ごとにガスの状態を制御可能な基板処理装置のプロセス条件を予測する情報処理装置であって、プロセス条件を予測する第１のウエハを処理容器において第１のレイアウトで成膜処理した第１の成膜結果を取得する取得部と、第１の成膜結果と、加工前の第２のウエハを処理容器において第１のレイアウトで成膜処理した第２の成膜結果とに基づき、第１のウエハ及び第２のウエハの膜厚の変化を計算する計算部と、第１のレイアウトよりも多い枚数の第２のウエハを処理容器において第２のレイアウトで成膜処理した第３の成膜結果と、計算した第１のウエハ及び第２のウエハの膜厚の変化とに基づき、第１のウエハを第２のレイアウトで成膜処理するときに所望の膜厚とする為のプロセス条件を予測する予測部と、を有する。
【選択図】図１２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

処理容器に高さ方向に複数の領域を形成し、前記領域ごとにガスの状態を制御可能な基板処理装置のプロセス条件を予測する情報処理装置であって、
前記プロセス条件を予測する第１のウエハを前記処理容器において第１のレイアウトで成膜処理した第１の成膜結果を取得する取得部と、
前記第１の成膜結果と、加工前の第２のウエハを前記処理容器において前記第１のレイアウトで成膜処理した第２の成膜結果とに基づき、前記第１のウエハ及び前記第２のウエハの膜厚の変化を計算する計算部と、
前記第１のレイアウトよりも多い枚数の前記第２のウエハを前記処理容器において第２のレイアウトで成膜処理した第３の成膜結果と、計算した前記第１のウエハ及び前記第２のウエハの膜厚の変化とに基づき、前記第１のウエハを前記第２のレイアウトで成膜処理するときに所望の膜厚とする為の前記プロセス条件を予測する予測部と、
を有する情報処理装置。

【請求項2】

前記計算部は、前記第１のウエハ及び前記第２のウエハの膜厚の差分から、前記第１のウエハ及び前記第２のウエハの膜厚が同一となる為に必要な、前記第１のウエハを成膜処理するときの前記ガスの流量と前記第２のウエハを成膜処理するときの前記ガスの流量との関係を算出し、
前記予測部は、前記計算部により算出された前記関係を、前記第３の成膜結果に反映させることで、前記第１のウエハを前記第２のレイアウトで成膜処理するときに所望の膜厚とする為の前記ガスの流量を予測する
請求項１記載の情報処理装置。

【請求項3】

前記予測部は、前記第１のレイアウトよりも多い枚数の前記第２のウエハを前記処理容器において第２のレイアウトで成膜処理した第３の成膜結果と、計算した前記第１のウエハ及び前記第２のウエハの膜厚の変化とに基づき、前記第１のウエハを前記第２のレイアウトで成膜処理するときの前記ガスの流量と前記第１のウエハの膜厚とを対応付けるモデルを作成し、前記モデルを用いて所望の膜厚とする為の前記ガスの流量を予測する
請求項２記載の情報処理装置。

【請求項4】

前記第１のレイアウトは、前記処理容器に収容され、基板保持具に１枚以上のモニタウエハのみが保持された状態である
請求項１乃至３の何れか一項に記載の情報処理装置。

【請求項5】

前記基板処理装置は、前記処理容器の側面から前記第１のウエハ又は前記第２のウエハの面内方向に沿ってガスを供給するガス供給部を有する
請求項１乃至３の何れか一項に記載の情報処理装置。

【請求項6】

前記基板処理装置は、前記ガス供給部に対向する前記処理容器の側面から前記ガスを排気するガス排気部を更に有する
請求項５記載の情報処理装置。

【請求項7】

処理容器に高さ方向に複数の領域を形成し、前記領域ごとにガスの状態を制御可能な基板処理装置のプロセス条件を情報処理装置が予測するプロセス条件予測方法であって、
前記プロセス条件を予測する第１のウエハを前記処理容器において第１のレイアウトで成膜処理した第１の成膜結果を取得することと、
前記第１の成膜結果と、加工前の第２のウエハを前記処理容器において前記第１のレイアウトで成膜処理した第２の成膜結果とに基づき、前記第１のウエハ及び前記第２のウエハの膜厚の変化を計算することと、
前記第１のレイアウトよりも多い枚数の前記第２のウエハを前記処理容器において第２のレイアウトで成膜処理した第３の成膜結果と、計算した前記第１のウエハ及び前記第２のウエハの膜厚の変化とに基づき、前記第１のウエハを前記第２のレイアウトで成膜処理するときに所望の膜厚とする為の前記プロセス条件を予測することと、
を有するプロセス条件予測方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、情報処理装置及びプロセス条件予測方法に関する。

【背景技術】

【0002】

半導体ウエハ（以下、ウエハと呼ぶ）に対して成膜処理を行うバッチ式の基板処理装置が知られている。バッチ式の基板処理装置は、効率的にウエハを成膜処理することができるが、成膜結果の均一性を確保することが難しい。例えば特許文献１には、ガスの流量を調整し、ウエハの表面に成膜される膜厚の均一性を確保できる処理システム及び処理方法について開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特許第４４６４９７９号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本開示は、より少ない枚数のウエハに対する成膜結果に基づいて、所望の膜厚とする為のプロセス条件を予測する技術を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本開示の一態様は、処理容器に高さ方向に複数の領域を形成し、前記領域ごとにガスの状態を制御可能な基板処理装置のプロセス条件を予測する情報処理装置であって、前記プロセス条件を予測する第１のウエハを前記処理容器において第１のレイアウトで成膜処理した第１の成膜結果を取得する取得部と、前記第１の成膜結果と、加工前の第２のウエハを前記処理容器において前記第１のレイアウトで成膜処理した第２の成膜結果とに基づき、前記第１のウエハ及び前記第２のウエハの膜厚の変化を計算する計算部と、前記第１のレイアウトよりも多い枚数の前記第２のウエハを前記処理容器において第２のレイアウトで成膜処理した第３の成膜結果と、計算した前記第１のウエハ及び前記第２のウエハの膜厚の変化とに基づき、前記第１のウエハを前記第２のレイアウトで成膜処理するときに所望の膜厚とする為の前記プロセス条件を予測する予測部と、を有する。

【発明の効果】

【0006】

本開示によれば、より少ない枚数のウエハに対する成膜結果に基づいて、所望の膜厚とする為のプロセス条件を予測する技術を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】本実施形態に係る基板処理システムの一例の構成図である。

【図2】コンピュータの一例のハードウェア構成図である。

【図3】本実施形態に係る基板処理装置の一例のハードウェア構成図である。

【図4】本実施形態に係る基板処理装置の一例のハードウェア構成図である。

【図5】基板処理装置の一例の模式図である。

【図6】図５に示した処理容器内のガス濃度及びガス分解の状態が面間方向で一様でない基板処理装置において、フルチャージされたデバイスウエハを成膜処理で所望の膜厚とするためのガスの流量を予測する場合の課題を説明する一例の図である。

【図7】処理容器内のガス濃度及びガス分解の状態が面間方向で一様でない基板処理装置において、フルチャージされたデバイスウエハを成膜処理で所望の膜厚とするためのガスの流量を予測する場合の課題を説明する一例の図である。

【図8】処理容器内のガス濃度及びガス分解の状態が面間方向で一様である基板処理装置において、フルチャージされたデバイスウエハを成膜処理で所望の膜厚とするためのガスの流量を予測する場合について説明する一例の図である。

【図9】ガスの流量に対する膜厚のウエハの依存性の解消について説明する一例の図である。

【図10】ガスの流量に対する膜厚のウエハのレイアウトの依存性の解消について説明する一例の図である。

【図11】ガスの流量に対する膜厚のウエハの依存性の解消について説明する一例の図である。

【図12】本実施形態に係る装置コントローラの一例の機能ブロック図である。

【図13】ガスの流量と成膜結果の膜厚とを対応付けるモデルの一例について説明する図である。

【図14】本実施形態に係る基板処理システムの処理の一例を示すフローチャートである。

【発明を実施するための形態】

【0008】

以下、図面を参照して、本開示の限定的でない例示の実施形態について説明を行う。

【0009】

＜システム構成＞
図１は、本実施形態に係る基板処理システム１の一例の構成図である。図１の基板処理システム１は、基板処理装置１０、装置コントローラ１２、測定装置１４、サーバ装置１６、及び作業者端末１８を有する。基板処理装置１０、装置コントローラ１２、及び測定装置１４は、製造工場２に設置されている。サーバ装置１６及び作業者端末１８は、製造工場２に設置されてもよいし、製造工場２以外に設置されてもよい。

【0010】

作業者端末１８は、製造工場２に設置された基板処理装置１０の装置担当者などの作業者により操作されるＰＣ（Personal Computer）又はスマートフォンなどの情報処理端末である。

【0011】

基板処理装置１０、装置コントローラ１２、測定装置１４、サーバ装置１６、及び作業者端末１８は、インターネット又はＬＡＮ（Local Area Network）などのネットワーク２０及び２２を介して通信可能に接続されている。

【0012】

基板処理装置１０は、基板製造プロセスの各工程（成膜、エッチング、アッシング、クリーニングなど）に応じた処理を行う。基板処理装置１０は、例えば半導体製造装置、熱処理装置、又は成膜装置であってもよい。基板処理装置１０は、例えば装置コントローラ１２から出力された制御命令（プロセス条件）に従って、基板製造プロセスの各工程に応じた処理を実行する。

【0013】

プロセス条件は、基板製造プロセスの条件である。プロセス条件は、基板処理装置１０の制御対象（制御ノブ）を制御（調整）するパラメータの組み合わせである。プロセス条件には、ガスの流量を調整するパラメータが含まれる。

【0014】

装置コントローラ１２は、基板処理装置１０に対する指示を作業者から受け付けると共に、基板処理装置１０に関する情報を作業者に提供するマンマシンインタフェースの機能を有する。装置コントローラ１２は、基板処理装置１０に設置されている複数のセンサから出力されたセンサデータを受信する。装置コントローラ１２は、プロセス条件を基板処理装置１０に出力する。

【0015】

図１の装置コントローラ１２は、基板処理装置１０ごとに設けられているが、複数台の基板処理装置１０ごとに設けられていてもよい。装置コントローラ１２は、基板処理装置１０の筐体内に設けられていてもよいし、筐体の外に設けられていてもよい。

【0016】

測定装置１４は、膜厚測定器、シート抵抗測定器、パーティクル測定器など、基板処理装置１０がプロセス条件に従って成膜処理した成膜結果を測定する測定器である。例えば測定装置２４は、基板処理装置１０がプロセス条件に従って成膜処理したウエハ等の基板上の膜の付き具合（膜厚）を成膜結果の一例として測定する。成膜結果は、屈折率、不純物濃度、ラフネス、及び電気特性結果（比抵抗）等であってもよい。

【0017】

サーバ装置１６は、後述するように、プロセス条件に従って成膜処理を実行した基板処理装置１０のプロセス条件のデータと成膜結果のデータとを受信し、プロセスログとしてプロセスを行うごと（Ｒｕｎごと）に保存してもよい。サーバ装置１６は、測定装置１４から成膜結果のデータを受信してもよい。なお、プロセス条件に従って成膜処理を実行した基板処理装置１０のプロセス条件のデータと成膜結果のデータとは、装置コントローラ１２又は作業者端末１８が受信し、プロセスログとしてＲｕｎごとに保存してもよい。装置コントローラ１２又は作業者端末１８は、測定装置１４から成膜結果のデータを受信してもよい。

【0018】

装置コントローラ１２、サーバ装置１６、又は作業者端末１８は、保存しているプロセスログを利用することで、後述するように、ガスの消費量などが未知のウエハ（第１のウエハの一例）を成膜処理するときに所望の膜厚とする為のガスの流量などのプロセス条件を予測する。ガスの消費量などが未知のウエハは、例えばデバイスウエハ（製品ウエハの一例）である。

【0019】

装置コントローラ１２及びサーバ装置１６は、基板処理装置１０に関する情報を作業者端末１８に表示してもよいし、電子メール等を利用して作業者端末１８の作業者に通知してもよい。また、装置コントローラ１２、サーバ装置１６、及び作業者端末１８の少なくとも一つは、ウエハボートに積載されたデバイスウエハのレイアウトに基づき、そのレイアウトで成膜処理するときに所望の膜厚とする為の基板処理装置１０のプロセス条件を後述のように予測する機能を有している。ウエハボートに積載されたデバイスウエハのレイアウトは、例えばウエハボートに積載されたデバイスウエハの枚数であってもよいし、ウエハボートに積載されたデバイスウエハの配置であってもよい。図１の装置コントローラ１２、サーバ装置１６、及び作業者端末１８は、本実施形態に係る情報処理装置の一例である。

【0020】

なお、図１の基板処理システム１は一例であり、用途や目的に応じて様々なシステム構成例があることは言うまでもない。図１の基板処理装置１０、装置コントローラ１２、測定装置１４、サーバ装置１６、及び作業者端末１８のような装置の区分は一例である。

【0021】

例えば基板処理システム１は、基板処理装置１０、装置コントローラ１２、測定装置１４、サーバ装置１６、及び作業者端末１８の２つ以上が一体化された構成や、更に分割された構成など、様々な構成が可能である。

【0022】

＜ハードウェア構成＞
《装置コントローラ、サーバ装置、及び作業者端末》
図１に示す装置コントローラ１２、サーバ装置１６、及び作業者端末１８は、例えば図２に示すハードウェア構成のコンピュータにより実現してもよい。図２は、コンピュータ５００の一例のハードウェア構成図である。

【0023】

図２のコンピュータ５００は、入力装置５０１、出力装置５０２、外部Ｉ／Ｆ（インタフェース）５０３、ＲＡＭ（Random Access Memory）５０４、ＲＯＭ（Read Only Memory）５０５、ＣＰＵ（Central Processing Unit）５０６、通信Ｉ／Ｆ５０７、及びＨＤＤ（Hard Disk Drive）５０８などを備え、それぞれがバスＢで相互に接続されている。入力装置５０１及び出力装置５０２は、必要なときに接続して利用する形態であってもよい。

【0024】

入力装置５０１は、キーボードやマウス、タッチパネルなどであり、作業者が操作信号を入力する為に用いられる。出力装置５０２は、ディスプレイ等であり、コンピュータ５００による処理結果を表示する。通信Ｉ／Ｆ５０７は、コンピュータ５００を図１に示したネットワーク２０及び２２に接続するインタフェースである。ＨＤＤ５０８は、プログラムやデータを格納している不揮発性の記憶装置の一例である。

【0025】

外部Ｉ／Ｆ５０３は、外部装置とのインタフェースである。コンピュータ５００は、外部Ｉ／Ｆ５０３を介してＳＤ（Secure Digital）メモリカードなどの記録媒体５０３ａの読み取りを行うことができる。外部Ｉ／Ｆ５０３は、外部Ｉ／Ｆ５０３を介してＳＤメモリカードなどの記録媒体５０３ａへの書き込みを行うことができてもよい。

【0026】

ＲＯＭ５０５は、プログラム及びデータが格納された不揮発性の半導体メモリ（記憶装置）の一例である。ＲＡＭ５０４は、プログラム及びデータを一時保持する揮発性の半導体メモリ（記憶装置）の一例である。ＣＰＵ５０６は、ＲＯＭ５０５又はＨＤＤ５０８などの記憶装置からプログラム及びデータをＲＡＭ５０４上に読み出し、処理を実行することで、コンピュータ５００全体の制御及び機能を実現する演算装置である。

【0027】

図１に示した基板処理システム１の装置コントローラ１２、サーバ装置１６、及び作業者端末１８は、図２のコンピュータ５００でプログラムを実行することにより、後述の各種機能を実現する。

【0028】

《基板処理装置》
図１に示す基板処理装置１０は、例えば図３に示すハードウェア構成の基板処理装置１０Ａにより実現してもよい。図３は、本実施形態に係る基板処理装置１０Ａの一例のハードウェア構成図である。基板処理装置１０は、例えば、２種類以上の処理ガスを交互に供給してＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法により、ウエハ等の基板Ｗに膜を形成する成膜装置である。

【0029】

基板処理装置１０Ａは、下端が開口された有天井の円筒体状の反応管などの処理容器１１０を有する。処理容器１１０の全体は、例えば石英により形成されている。

【0030】

処理容器１１０の下端の開口には、円筒体状に成形された金属製のフランジ部１２０がＯリング等のシール部材（図示せず）を介して気密に接続されている。また、フランジ部１２０は、処理容器１１０の下端を支持する。

【0031】

フランジ部１２０の下方から多数枚（例えば２５～１５０枚）の基板Ｗを多段に載置できるウエハボート１３０が処理容器１１０内に挿入される。ウエハボート１３０は、基板保持具の一例である。このように処理容器１１０内には、上下方向に沿って間隔を有して多数枚の基板Ｗが略水平に収容できる。ウエハボート１３０は、例えば石英により形成されている。ウエハボート１３０は、例えば３本のロッド１３１を有し、ロッド１３１に形成された溝（図示せず）により多数枚の基板Ｗを支持できる。

【0032】

フランジ部１２０の下方側には、フランジ部１２０の下端の開口を開閉する金属製の蓋体１３２が設けられている。この蓋体１３２は、図示しないボートエレベータなどの昇降機構（図示せず）により、ウエハボート１３０と共に昇降自在に構成されている。蓋体１３２の周辺部とフランジ部１２０の下端との間には、処理容器１１０内の気密性を保持するためのシール部材（図示せず）が設けられている。

【0033】

ウエハボート１３０と蓋体１３２との間には、石英により形成された断熱体１３３が設けられている。回転機構１３４は、回転軸１３５を介してウエハボート１３０及び断熱体１３３を鉛直軸周りに回転させる。回転軸１３５は、蓋体１３２を気密に貫通し、回転機構１３４と断熱体１３３とを接続する。

【0034】

このように、ウエハボート１３０と蓋体１３２とは、昇降機構によって一体として昇降し、処理容器１１０内に対して挿脱される。また、ウエハボート１３０は、回転機構１３４によって鉛直軸周りに回転される。基板処理装置１０Ａは、ウエハボート１３０を回転させることなく基板Ｗの処理を行うようにしてもよい。

【0035】

処理容器１１０の周囲には、円筒体状の加熱機構１４０が設けられている。処理容器１１０、フランジ部１２０、及び加熱機構１４０は、水平方向に伸びるベースプレート１４３によって支持される。

【0036】

加熱機構１４０は、下端が開口された有天井の円筒体状の断熱部材１４１と、断熱部材１４１の内周面に配置されたヒータ１４２と、を有する。加熱機構１４０は、ヒータ１４２からの輻射熱及び熱対流によって処理容器１１０を加熱する。加熱機構１４０は、処理容器１１０の温度が所望の温度となるように制御する。これにより、処理容器１１０内の基板Ｗは、処理容器１１０の壁面からの輻射熱等で加熱される。加熱機構１４０は、処理容器１１０及び基板Ｗを所望の温度に加熱する。

【0037】

また、基板処理装置１０Ａは、処理容器１１０内へガスを供給するガス供給部１５０Ａと、処理容器１１０内からガスを排気するガス排気部１６０Ａを有する。

【0038】

ここで、処理容器１１０は、有天井の円筒体状の処理容器本体１１１と、ガス供給室１１２と、供給側配管である配管１１３と、フランジ１１４と、を有する。処理容器本体１１１は、有天井の円筒体状であって、ウエハボート１３０が挿入される。

【0039】

ガス供給室１１２は、処理容器本体１１１の側面の一端側が処理容器本体１１１の長さ方向に沿って外側に膨らむように形成されている。ガス供給室１１２の内部空間は、処理容器本体１１１の内部空間と連通するように形成されている。

【0040】

配管１１３は、一端がガス供給室１１２と連通し、水平方向（処理容器本体１１１の径方向）に延び、他端が加熱機構１４０よりも外周側まで延びる。また、配管１１３の他端には、フランジ１１４が設けられている。

【0041】

ガス供給室１１２及び配管１１３には、インジェクタ１２００が配置される。ガス供給部１５０Ａは、ガス供給室１１２と、配管１１３と、インジェクタ１２００と、ガス供給源１５１と、流量調整部１５２と、開閉弁１５３と、供給路１５４と、ガスインジェクタヒータ（図示せず）と、を有する。

【0042】

ガス供給源１５１は、ガスを供給する。流量調整部１５２は、例えばマスフローコントローラであって、ガス供給源１５１から供給されるガスの流量を調整する。開閉弁１５３は、ガス供給源１５１から処理容器１１０内へのガスの供給または停止を切り替える。供給路１５４は、ガス供給源１５１と配管１１３とを接続し、その途中に流量調整部１５２及び開閉弁１５３が配置されている。

【0043】

供給路１５４と配管１１３とは、加熱機構１４０よりも外側で接続される。また、供給路１５４と配管１１３との接続部は、Ｏリング等のシール部材１５５を介して気密に接続されている。インジェクタ１２００は、ガス供給室１１２及び配管１１３にわたって配置される。インジェクタ１２００は、供給路１５４からガスが供給され、供給されたガスを処理容器１１０内に吐出する。ガスインジェクタヒータは、配管１１３を加熱する。

【0044】

ガス排気部１６０Ａは、フランジ部１２０の側壁に設けられた排気管１２５と、真空ポンプ１６１と、圧力調整部１６２と、排気路１６３と、を有する。これにより、処理容器１１０内のガスは、ガス排気部１６０Ａによって、処理容器１１０外に排気される。圧力調整部１６２は、処理容器１１０内の圧力を、所望の圧力に調整する。

【0045】

インジェクタ１２００は、吐出部１２１０Ａを有する。吐出部１２１０Ａは、ガスが通流可能な内部空間を有し、上端及び下端が閉塞された円筒形状を有する。基板処理装置１０Ａにインジェクタ１２００が取り付けられた際、吐出部１２１０Ａは、ガス供給室１１２内に配置され、処理容器１１０の高さ方向に延びる配管である。

【0046】

吐出部１２１０Ａには、内部空間と連通するガス吐出孔が設けられている。ガス吐出孔は、吐出部１２１０Ａにおいて、処理容器１１０の高さ方向に複数設けられている。吐出部１２１０Ａは、円筒形状であるものとして説明したが、例えば断面積が楕円の筒形状であってもよく、断面積が多角形の筒形状等であってもよい。このように、ガス供給源１５１から供給されたガスは、吐出部１２１０Ａのガス吐出孔から処理容器１１０内に供給される。

【0047】

また、処理容器本体１１１の高さ方向に配置される複数の配管１１３には、同種のガスが供給される。一方、処理容器本体１１１の周方向に配置される配管１１３のそれぞれには、異なるガスが供給されてもよい。

【0048】

また、配管１１３を側面から水平方向に設けることにより、インジェクタ１２００内のガスが処理容器本体１１１からの熱によって加熱されることを低減することができる。これにより、ガス吐出孔から吐出されるガスの温度の温度制御性が向上する。

【0049】

また、１つのガスに対して、複数の配管１１３から処理容器１１０内にガスを供給することにより、ガスの流量及び／又はガスの温度を高さ方向において、制御できる。このように、基板処理装置１０Ａは、高さ方向の領域（ゾーン）ごとに、ガスの流量及び／又はガスの温度を制御できるため、処理容器１１０内のガス濃度及びガス分解の状態を面間方向で揃えることができる。

【0050】

基板処理装置１０Ａによれば、処理容器１１０に供給するガスを調整できる。即ち、基板処理装置１０Ａは、処理容器１１０の高さ方向において、複数の領域（ゾーン）を形成する。そして、各領域には、それぞれインジェクタ１２００が対応する。基板処理装置１０Ａによれば、図３に示すように、高さ方向の各配管１１３に供給するガスの流量を流量調整部１５２によって個別に制御できる。これにより、基板処理装置１０Ａは、複数の領域ごとに供給するガスの流量を制御できる。

【0051】

また、基板処理装置１０Ａによれば、高さ方向の各配管１１３に対応して設けられたガスインジェクタヒータを個別に制御することにより、供給するガスの温度を個別に制御できる。これにより、基板処理装置１０Ａは、複数の領域ごとに供給するガスの温度を制御できる。

【0052】

また、インジェクタ１２００に対向するインナーチューブの側面には、排気スリット２０００が配置されている。よって、吐出部１２１０Ａのガス吐出孔から処理容器１１０内に供給されたガスは、ウエハボート１３０に支持された基板Ｗの間を排気スリット２０００に向かって通過し、排気管１２５を介して処理容器１１０外へと排気される。これにより、基板処理装置１０Ａは、サイドフローによって供給されるガスの流量及び温度の均一性を向上させることができ、基板処理の均一性を向上させることができる。

【0053】

図１に示す基板処理装置１０は、例えば図４に示すハードウェア構成の基板処理装置１０Ｂにより実現してもよい。図４は、本実施形態に係る基板処理装置１０Ｂの一例のハードウェア構成図である。なお、図４に示す基板処理装置１０Ｂは、一部を除いて図３に示した基板処理装置１０Ａと同様であるため、適宜説明を省略する。

【0054】

基板処理装置１０Ｂは、処理容器１１０内へガスを供給するガス供給部１５０Ａと、処理容器１１０内からガスを排気するガス排気部１６０Ｂとを有する。ガス供給部１５０Ａは、図３のガス供給部１５０Ａと同様である。処理容器１１０は、有天井の円筒体状の処理容器本体１１１と、ガス供給室１１２と、配管１１３と、フランジ１１４と、ガス排気室１１５と、排気側配管である配管１１６と、フランジ１１７と、を有する。

【0055】

ガス排気室１１５は、処理容器本体１１１の側面の他端側が処理容器本体１１１の長さ方向に沿って外側に膨らむように形成されている。ガス排気室１１５の内部空間は、処理容器本体１１１の内部空間と連通するように形成されている。

【0056】

配管１１６は、一端がガス排気室１１５と連通し、水平方向（処理容器本体１１１の径方向）に延びて加熱機構１４０の側面を貫通し、他端が加熱機構１４０よりも外周側まで延びる。また、配管１１６の他端にはフランジ１１７が設けられている。ガス排気室１１５及び配管１１６には、エジェクタ１３００が配置される。

【0057】

ガス排気部１６０Ｂは、ガス排気室１１５と、配管１１６と、真空ポンプ１６１と、圧力調整部１６２と、排気路１６３と、エジェクタ１３００と、を有する。処理容器１１０内のガスは、ガス排気部１６０Ｂによって、処理容器１１０外に排気される。圧力調整部１６２は、処理容器１１０内の圧力を、所望の圧力に調整する。配管１１６と排気路１６３とは、加熱機構１４０よりも外側で接続される。また、配管１１６と排気路１６３との接続部は、Ｏリング等のシール部材１６５を介して気密に接続されている。エジェクタ１３００は、ガス排気室１１５及び配管１１６にわたって配置される。

【0058】

エジェクタ１３００は、吸込部１３１０を有する。吸込部１３１０は、ガスが通流可能な内部空間を有し、上端及び下端が閉塞された円筒形状を有する。基板処理装置１０Ｂにエジェクタ１３００が取り付けられた際、吸込部１３１０は、ガス排気室１１５内に配置され、処理容器１１０の高さ方向に延びる配管である。吸込部１３１０には、内部空間と連通するガス吸込孔が設けられている。ガス吐出孔は、吸込部１３１０において、処理容器１１０の高さ方向に複数設けられている。なお、吸込部１３１０は、円筒形状であるものとして説明したが、例えば断面積が楕円の筒形状であってもよく、断面積が多角形の筒形状等であってもよい。

【0059】

搬送部１３２０は、ガスが通流可能な内部空間を有する配管であって、一端が吸込部１３１０とガスが通流可能に接続され、他端が吐出部とガスが通流可能に接続される。基板処理装置１０Ｂにエジェクタ１３００が取り付けられた際、搬送部１３２０は、配管１１６内に配置される。搬送部１３２０は、円筒形状であるものとして図示しているが、例えば断面積が楕円の配管であってもよく、断面積が多角形の配管等であってもよい。

【0060】

搬送部１３２０は、直管形状に形成されている。これにより、吸込部１３１０のガス吸込孔から吸い込まれたガスは、直管形状の搬送部１３２０を通過して、速やかに吐出部へと排気される。吐出部は、排気路１６３と接続される接続部であって、排気路１６３へとガスを排気する。このように、処理容器１１０内のガスは、エジェクタ１３００のガス吸込孔から吸込部１３１０、搬送部１３２０、吐出部の順番で流れ、排気路１６３に排気される。

【0061】

基板処理装置１０Ｂによれば、処理容器１１０に供給するガス及び処理容器１１０から排気するガスの流量を調整できる。即ち、基板処理装置１０Ｂは、処理容器１１０の高さ方向において、複数の領域（ゾーン）を形成する。各領域には、それぞれインジェクタ１２００及びエジェクタ１３００が対応する。基板処理装置１０Ｂによれば、図４に示すように、高さ方向の各配管１１３に供給するガスの流量を流量調整部１５２によって個別に制御できると共に、高さ方向の各配管１１６から排出するガスの流量をエジェクタ１３００によって制御できる。また、エジェクタ１３００は着脱可能となっている。形状等が異なるエジェクタ１３００と交換することによって、基板処理装置１０Ｂは、複数の領域ごとに排出するガスの流量を制御できる。

【0062】

よって、吐出部１２１０Ａのガス吐出孔から処理容器１１０内に供給されたガスは、ウエハボート１３０に支持された基板Ｗの間を通過し、吸込部１３１０のガス吸込孔を介して処理容器１１０外へと排気される。基板処理装置１０Ｂは、サイドフローによって供給されるガスの流量及び温度の均一性を向上させることができ、基板処理の均一性を向上させることができる。

【0063】

図１に示す基板処理装置１０は、従来、例えば図５に模式的に示すハードウェア構成の基板処理装置１０Ｃにより実現されてきた。図５は、基板処理装置１０Ｃの一例の模式図である。図５の基板処理装置１０Ｃは、図３に示した基板処理装置１０Ａ及び図４に示した基板処理装置１０Ｂと同様な部分について簡略化して図示している。

【0064】

図５では、処理容器１１０を、アウターチューブ１１０ａとインナーチューブ１１０ｂとに分けて図示している。また、図５の基板処理装置１０Ｃでは、インジェクタ１２００がトップインジェクタ１２００ａとセンタートップインジェクタ１２００ｂとセンターインジェクタ１２００ｃとセンターボトムインジェクタ１２００ｄとボトムインジェクタ１２００ｅとに分かれている。さらに、基板処理装置１０Ｃは、インナーチューブ１１０ｂ内のトップインジェクタ１２００ａ、センタートップインジェクタ１２００ｂ、センターインジェクタ１２００ｃ、センターボトムインジェクタ１２００ｄ、及びボトムインジェクタ１２００ｅに対向するインナーチューブ１１０ｂの側面に排気スリット２０００が配置されている。

【0065】

基板処理装置１０Ｃによれば、処理容器１１０に供給するガス及び処理容器１１０から排気するガスの流量を調整できる。即ち、基板処理装置１０Ｃは、処理容器１１０の高さ方向において、複数の領域（ゾーン）を形成する。各領域には、トップインジェクタ１２００ａ、センターインジェクタ１２００ｂ、ボトムインジェクタ１２００ｃ、及び排気スリット２０００が対応する。

【0066】

基板処理装置１０Ｃは、図５に示すように、インナーチューブ１１０ｂの高さ方向に供給するガスの流量をトップインジェクタ１２００ａ、センタートップインジェクタ１２００ｂ、センターインジェクタ１２００ｃ、センターボトムインジェクタ１２００ｄ、ボトムインジェクタ１２００ｅによって個別に制御し、供給されたガスが排気スリット２０００に向かってウエハＷ上を流れていくように制御する。

【0067】

よって、トップインジェクタ１２００ａ、センタートップインジェクタ１２００ｂ、センターインジェクタ１２００ｃ、センターボトムインジェクタ１２００ｄ、ボトムインジェクタ１２００ｅから処理容器１１０内に供給されたガスは、ウエハボート１３０に支持された基板Ｗの間を通過し、排気スリット２０００を介して処理容器１１０外へと排気される。しかしながら、基板処理装置１０Ｃは、各ゾーンのインジェクタ１２００の長さが異なるため、各ゾーンのガスの状態が異なる場合があった。

【0068】

＜発明の概要＞
本実施形態では、加工前のウエハ（第２のウエハの一例）がベア（Ｂａｒｅ）ウエハであり、ガスの消費量などが未知のウエハ（第１のウエハの一例）がデバイス（Ｄｅｖｉｃｅ）ウエハである例を説明する。デバイスウエハは、表面形状及び表面膜種などによってガスの消費量が変わり、ベアウエハに成膜したときと成膜結果が異なる。また、デバイスウエハは、ウエハボート１３０に積載されたデバイスウエハのレイアウトによってもガスの消費量が変わり、ベアウエハに成膜したときと成膜結果が異なる。

【0069】

例えば、ウエハボート１３０に最大枚数のデバイスウエハが積載されたデバイスウエハのレイアウト（第２のレイアウトの一例）と、ウエハボート１３０に最大枚数よりも少ない枚数のデバイスウエハが積載されたデバイスウエハのレイアウト（第１のレイアウトの一例）と、では、ガスの消費量が変わり、成膜結果が異なる。以下では、ウエハボート１３０に最大枚数のベアウエハ又はデバイスウエハを積載することをフルチャージと呼ぶ。

【0070】

図６は、図５に示した処理容器１１０内のガス濃度及びガス分解の状態が面間方向で一様でない基板処理装置において、フルチャージされたデバイスウエハを成膜処理で所望の膜厚とするためのガスの流量を予測する場合の課題を説明する一例の図である。

【0071】

例えば、作業者は、図６（Ａ）に示すように、ウエハボート１３０にベアウエハをフルチャージしたときに、ベアウエハを目標の膜厚（５ｎｍ）にするためのガスの流量が、高さ方向の領域（ゾーン）ごとに、事前に分かっているものとする。

【0072】

しかしながら、図６（Ｂ）に示すように、ウエハボート１３０にデバイスウエハをフルチャージしたときに、デバイスウエハを目標の膜厚（５ｎｍ）にするためのガスの流量を予測することは、表面形状及び表面膜種などによってベアウエハとデバイスウエハとでガスの消費量が変わるため、困難であった。

【0073】

例えば、処理容器１１０内のガス濃度及びガス分解の状態が面間方向で一様でない基板処理装置では、以下の第１～第３の要因が合わさることにより、ウエハボート１３０にデバイスウエハをフルチャージしたときに、デバイスウエハを目標の膜厚（５ｎｍ）にするためのガスの流量を予測が困難となる。

【0074】

第１の要因は、インジェクタ１２００内のガスの滞留時間がゾーンで異なることなどにより処理容器１１０内のガスの状態の分布が一様でないことである。第２の要因は、ベアウエハとデバイスウエハとでガスの消費量が異なることである。第３の要因は、ウエハボート１３０に積載されたウエハのレイアウトによりガスの消費量が異なることである。

【0075】

したがって、ウエハボート１３０にデバイスウエハをフルチャージしたときに、デバイスウエハを目標の膜厚（５ｎｍ）にするためのガスの流量を予測するためには、デバイスウエハをフルチャージして成膜処理を行い、その成膜結果を得る必要があった。

【0076】

図７は、処理容器１１０内のガス濃度及びガス分解の状態が面間方向で一様でない基板処理装置において、フルチャージされたデバイスウエハを成膜処理で所望の膜厚とするためのガスの流量を予測する場合の課題を説明する一例の図である。

【0077】

例えば、作業者は、図７（Ａ）に示すように、ウエハボート１３０にデバイスウエハをフルチャージして成膜処理を行い、その成膜結果が目標の膜厚（５ｎｍ）となるようにガスの流量を高さ方向の領域（ゾーン）ごとに調整していた。したがって、作業者は、ウエハボート１３０にフルチャージしたデバイスウエハを目標の膜厚（５ｎｍ）にするためのガスの流量を予測するために、ウエハボート１３０にフルチャージしたデバイスウエハの成膜処理を繰り返す必要があった。

【0078】

例えば、デバイスウエハは、高価であることが多く、プロセス条件を予測するために大量に消費することはできない。また、デバイスウエハは、例えば開発段階において枚数が少なく、プロセス条件を予測するために大量に消費することはできない。

【0079】

したがって、ウエハボート１３０にフルチャージしたデバイスウエハを目標の膜厚（５ｎｍ）にするためのガスの流量を予測する場合は、できるだけ少ない枚数のデバイスウエハを使用して、プロセス条件を予測することが望まれている。

【0080】

そこで、本実施形態では、図３～図４に示したように、処理容器１１０内のガス濃度及びガス分解の状態を面間方向で揃えることができる基板処理装置１０Ａ～１０Ｂを用いることを前提としている。処理容器１１０内のガス濃度及びガス分解の状態を面間方向で揃えることができる基板処理装置１０Ａ～１０Ｂを用いることにより、上記した第１の要因は解消される。

【0081】

図８は、処理容器１１０内のガス濃度及びガス分解の状態が面間方向で一様である基板処理装置１０Ａ～１０Ｂにおいて、フルチャージされたデバイスウエハを成膜処理で所望の膜厚とするためのガスの流量を予測する場合について説明する一例の図である。

【0082】

例えば、作業者は、図８（Ａ）に示すように、ウエハボート１３０にベアウエハをフルチャージしたときに、ベアウエハを目標の膜厚（５ｎｍ）にするためのガスの流量が、高さ方向の領域（ゾーン）ごとに、事前に分かっているものとする。処理容器１１０内のガス濃度及びガス分解の状態が面間方向で一様である基板処理装置１０Ａ～１０Ｂを用いたことにより、ガスの流量は「１ｓｌｍ」と揃っている。

【0083】

本実施形態では、図８（Ｂ）に示すように、ウエハボート１３０にデバイスウエハをフルチャージしたときに、デバイスウエハを目標の膜厚（５ｎｍ）にするためのガスの流量を予測する。本実施形態では、処理容器１１０内のガス濃度及びガス分解の状態が面間方向で一様である基板処理装置１０Ａ～１０Ｂを用いることにより、予測するガスの流量が各領域（ゾーン）で揃う。

【0084】

上記した第２の要因は、ベアウエハ及びデバイスウエハのガスの流量に対する膜厚の差を例えば図９に示すように求めることで解消する。図９は、ガスの流量に対する膜厚のウエハの依存性の解消について説明する一例の図である。

【0085】

例えば、作業者は、図９（Ａ）に示すように、ウエハボート１３０にベアウエハをモニタのみチャージ（フルチャージよりも少ない枚数のベアウエハをウエハボート１３０に積載）したときに、ベアウエハを目標の膜厚（６ｎｍ）にするためのガスの流量が「１ｓｌｍ」と揃っていることが、事前に分かっているものとする。

【0086】

また、作業者は、図９（Ｂ）に示すように、ウエハボート１３０にデバイスウエハをモニタのみチャージ（フルチャージよりも少ない枚数のデバイスウエハをウエハボート１３０に積載）して、図９（Ａ）と同じガスの流量で成膜処理を行い、その成膜結果である膜厚「４ｎｍ」を得る。

【0087】

図９の場合、作業者は、ガスの流量が「１ｓｌｍ」のときの図９（Ａ）に示すベアウエハの膜厚「６ｎｍ」と図９（Ｂ）に示すデバイスウエハの膜厚「４ｎｍ」とから、デバイスウエハのガスの流量に対する膜厚の感度が、ベアウエハの２／３倍であることを算出できる。したがって、作業者は、ガスの流量に対する膜厚のデバイスウエハの依存性を求めることができる。

【0088】

上記した第３の要因は、図１０に示すように、ウエハボート１３０にデバイスウエハをフルチャージしたときに、デバイスウエハを目標の膜厚（５ｎｍ）にするためのガスの流量を予測することで解消する。図１０は、ガスの流量に対する膜厚のウエハのレイアウトの依存性の解消について説明する一例の図である。

【0089】

図１０（Ａ）は、ウエハボート１３０にベアウエハをフルチャージしたときに、ベアウエハを目標の膜厚（５ｎｍ）にするためのガスの流量が、高さ方向の領域（ゾーン）ごとに「１ｓｌｍ」と揃っていることを示している。

【0090】

図９を用いて説明したように、デバイスウエハのガスの流量に対する膜厚の感度が、ベアウエハの２／３倍である。図９及び図１０の場合、作業者は、ウエハボート１３０にデバイスウエハをフルチャージしたときに、デバイスウエハを目標の膜厚（５ｎｍ）にするためのガスの流量を、ベアウエハを目標の膜厚（５ｎｍ）にするためのガスの流量「１ｓｌｍ」を１．５倍した「１．５ｓｌｍ」と算出できる。

【0091】

なお、図９に示したウエハボート１３０にベアウエハ又はデバイスウエハをモニタのみチャージした状態は、一例である。上記した第２の要因は、ベアウエハ及びデバイスウエハのガスの流量に対する膜厚の差を例えば図１１に示すように求めることで解消してもよい。図１１は、ガスの流量に対する膜厚のウエハの依存性の解消について説明する一例の図である。

【0092】

例えば、作業者は、図１１（Ａ）に示すように、ウエハボート１３０にベアウエハを１枚のモニタのみチャージしたときに、ベアウエハを目標の膜厚（６ｎｍ）にするためのガスの流量が「１ｓｌｍ」と揃っていることが、事前に分かっているものとする。

【0093】

また、作業者は、図１１（Ｂ）に示すように、ウエハボート１３０にデバイスウエハを１枚のモニタのみチャージして、図１１（Ａ）と同じガスの流量で成膜処理を行い、その成膜結果である膜厚「４ｎｍ」を得る。

【0094】

図１１の場合、作業者は、ガスの流量が「１ｓｌｍ」のときの図１１（Ａ）に示すベアウエハの膜厚「６ｎｍ」と図１１（Ｂ）に示すデバイスウエハの膜厚「４ｎｍ」とから、デバイスウエハのガスの流量に対する膜厚の感度が、ベアウエハの２／３倍であることを算出できる。したがって、作業者は、ガスの流量に対する膜厚のデバイスウエハの依存性を求めることができる。

【0095】

＜機能構成＞
本実施形態に係る基板処理システム１の装置コントローラ１２は、例えば図１２に示すような機能ブロックで実現される。図１２は、本実施形態に係る装置コントローラ１２の一例の機能ブロック図である。なお、図１２の機能ブロック図は、本実施形態の説明に不要な構成について図示を省略している。また、図１２の機能ブロック図は、サーバ装置１６又は作業者端末１８で実現してもよい。

【0096】

図１２の装置コントローラ１２は、プログラムを実行し、取得部３０、計算部３２、予測部３４、出力部３６、及びデータ記憶部３８を実現する。データ記憶部３８は、成膜結果記憶部４０及びモデル記憶部４２を実現する。

【0097】

取得部３０は、プロセス条件を予測するデバイスウエハを処理容器１１０内において例えば図９又は図１１のレイアウトで成膜処理した成膜結果（第１の成膜結果の一例）を取得する。例えば、取得部３０は、図９又は図１１のレイアウトで成膜処理した成膜結果の入力を作業者から受け付けることで、図９又は図１１のレイアウトで成膜処理した成膜結果を取得してもよい。

【0098】

また、取得部３０は、ベアウエハを処理容器１１０内において例えば図９又は図１１のレイアウトで成膜処理した成膜結果（第２の成膜結果の一例）を取得する。なお、ベアウエハを処理容器１１０内において例えば図９又は図１１のレイアウトで成膜処理した成膜結果は、成膜結果記憶部４０に予め記憶しておいてもよい。

【0099】

計算部３２は、例えば図９又は図１１のレイアウトでデバイスウエハを成膜処理した成膜結果と、図９又は図１１のレイアウトでベアウエハを成膜処理した成膜結果とに基づいて、デバイスウエハ及びベアウエハの膜厚の変化（ベアウエハを基準としたデバイスウエハのガスの流量に対する膜厚の感度）を計算する。

【0100】

より具体的に、計算部３２は、デバイスウエハ及びベアウエハの膜厚の差分から、デバイスウエハ及びベアウエハの膜厚が同一となる為に必要な、デバイスウエハを成膜処理するときのガスの流量とベアウエハを成膜処理するときのガスの流量との関係（ガス流量の変化と膜厚の変化との関係；感度）を算出する。

【0101】

予測部３４は、例えば図９又は図１１のレイアウトよりも多い枚数のベアウエハがウエハボート１３０に積載された特定のレイアウト（第２のレイアウトの一例）で成膜処理した成膜結果（第３の成膜結果の一例）と、計算部３２が計算したデバイスウエハ及びベアウエハの膜厚の変化とに基づき、デバイスウエハを第２のレイアウトで成膜処理するときに所望の膜厚とする為のガス流量などのプロセス条件を予測する。フルチャージは、第２のレイアウトの一例である。

【0102】

より具体的に、予測部３４は、計算部３２により算出された関係を、第３の成膜結果に反映させることで、デバイスウエハを第２のレイアウトで成膜処理するときに所望の膜厚とする為のガスの流量を予測する。

【0103】

また、予測部３４は、ベアウエハを処理容器１１０において第２のレイアウトで成膜処理した第３の成膜結果と、計算したデバイスウエハ及びベアウエハの膜厚の変化とに基づいて、デバイスウエハを第２のレイアウトで成膜処理するときのガスの流量と膜厚とを対応付ける例えば図１３に示すようなモデルを作成し、モデルを用いて所望の膜厚とする為のガスの流量を予測する。

【0104】

図１３は、ガスの流量と成膜結果の膜厚とを対応付けるモデルの一例について説明する図である。図１３（Ａ）は、処理容器１１０内のガス濃度及びガス分解の状態が面間方向で一様でない基板処理装置のモデルの一例である。図１３（Ａ）は、ＢＡＳＥ条件での膜圧を基準に各ゾーンのインジェクタのガスの流量を「０．１ｓｌｍ」ずつ増やしたときの膜厚の変化量から作成される。図１３（Ａ）のモデルは、インジェクタ１２００の長さの違いによりゾーン間でのガスの状態が変わり、ゾーン間で成膜量が揃わないため、精度が出せない。

【0105】

図１３（Ｂ）は、処理容器１１０内のガス濃度及びガス分解の状態が面間方向で一様である基板処理装置１０Ａ～１０Ｂのモデルの一例である。図１３（Ｂ）のモデルは、サイドフローにより、ガスの流量と成膜結果の膜厚との関係が対角化される。図１３（Ｂ）のモデルは、ゾーン間でのガスの状態が変わらず、ゾーン間で成膜量が揃うため、計算の精度も高くなる。図１３（Ｂ）のモデルは、例えばモデル記憶部４２に記憶されている。

【0106】

出力部３６は、予測部３４が予測したデバイスウエハを第２のレイアウトで成膜処理するときに所望の膜厚とする為のガス流量などのプロセス条件を出力する。プロセス条件の出力は、例えば出力装置５０２に表示することで行う。

【0107】

＜処理＞
図１４は、本実施形態に係る基板処理システム１の処理の一例を示すフローチャートである。

【0108】

例えば、処理容器１１０内のガス濃度及びガス分解の状態が面間方向で一様である基板処理装置１０Ａ～１０Ｂを用いて、様々なレイアウト（第１のレイアウト及び第２のレイアウトを含む）でベアウエハを成膜処理した成膜結果が成膜結果記憶部４０に記憶されているものとする。また、成膜結果記憶部４０に記憶されている成膜結果の図１３（Ｂ）のモデルがモデル記憶部４２に記憶されているものとする。

【0109】

ステップＳ１０において、取得部３０は、プロセス条件を予測するデバイスウエハを処理容器１１０内において例えば図９又は図１１のレイアウトで成膜処理した成膜結果（第１の成膜結果の一例）を取得し、計算部３２に送信する。

【0110】

ステップＳ１２において、計算部３２は、ベアウエハを処理容器１１０内において例えば図９又は図１１のレイアウトで成膜処理した成膜結果（第２の成膜結果の一例）を成膜結果記憶部４０から取得する。

【0111】

ステップＳ１４において、計算部３２は、例えば図９又は図１１のレイアウトでデバイスウエハを成膜処理した成膜結果と、図９又は図１１のレイアウトでベアウエハを成膜処理した成膜結果とに基づいて、デバイスウエハとベアウエハとの膜厚の変化を計算する。

【0112】

ステップＳ１６において、予測部３４は、ベアウエハを処理容器１１０内において例えば図１０のレイアウトで成膜処理した成膜結果（第３の成膜結果の一例）を成膜結果記憶部４０から取得する。

【0113】

ステップＳ１８において、予測部３４は、第３の成膜結果と、計算部３２が計算したデバイスウエハ及びベアウエハの膜厚の変化とに基づき、デバイスウエハを第２のレイアウトで成膜処理するときに所望の膜厚とする為のガス流量などのプロセス条件を予測する。

【0114】

ステップＳ２０において、出力部３６は、予測部３４が予測したデバイスウエハを第２のレイアウトで成膜処理するときに所望の膜厚とする為のガス流量などのプロセス条件を出力する。

【0115】

本実施形態によれば、より少ない枚数のデバイスウエハに対する成膜処理の成膜結果に基づき、所望の膜厚とする為のプロセス条件を予測する技術を提供できるので、大量に消費することのできないウエハを目標の膜厚にするためのガスの流量を、精度よく予測することができる。

【0116】

今回開示された各実施形態は、すべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。上記の各実施形態は、添付の請求の範囲およびその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。

【符号の説明】

【0117】

１ 基板処理システム
１０ 基板処理装置
１２ 装置コントローラ
１４ 測定装置
１６ サーバ装置
１８ 作業者端末
３０ 取得部
３２ 計算部
３４ 予測部
３６ 出力部
３８ データ記憶部

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】