2025-177090 プラズマ処理装置及び整合器

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2025177090

(43)【公開日】2025-12-05

(54)【発明の名称】プラズマ処理装置及び整合器

(51)【国際特許分類】

   H05H 1/46 20060101AFI20251128BHJP

   H01L 21/31 20060101ALI20251128BHJP

   H01L 21/318 20060101ALI20251128BHJP

【ＦＩ】

H05H1/46 R

H01L21/31 C

H01L21/318 B

【審査請求】未請求

【請求項の数】7

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2024083612

(22)【出願日】2024-05-22

(71)【出願人】

【識別番号】000219967

【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100107766

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠重

(72)【発明者】

【氏名】小林 健

【テーマコード（参考）】

2G084

5F045

5F058

【Ｆターム（参考）】

2G084AA05

2G084BB06

2G084BB22

2G084CC12

2G084CC33

2G084DD02

2G084DD12

2G084DD53

2G084DD57

2G084FF22

2G084HH23

2G084HH24

2G084HH32

2G084HH43

5F045AA08

5F045AA15

5F045AB33

5F045AC05

5F045AC12

5F045DP19

5F045DP28

5F045DQ05

5F045EB10

5F045EC05

5F045EE19

5F045EF03

5F045EF09

5F045EH18

5F045EK06

5F045EM09

5F045EM10

5F045GB04

5F058BC08

5F058BF07

5F058BF24

5F058BF30

5F058BF37

5F058BF39

(57)【要約】      （修正有）

【課題】整合器の調整時間を短縮するプラズマ処理装置、整合器を提供する。
【解決手段】高周波電源と、一対のプラズマ電極と、整合器とを備え、整合器は、高周波給電ラインと接地ラインと一方のプラズマ電極と接続される第１負荷ラインと、他方のプラズマ電極と接続される第２負荷ラインと、高周波給電ライン第１負荷ライン第２負荷ライン及び接地ラインと接続され、第１のリアクタンス素子を有するインピーダンス整合回路と、高周波給電ラインに設けられた高周波センサと、高周波センサの検出値が入力され、第１のリアクタンス素子を制御する整合器制御部を有し、第１のリアクタンス素子は、静電容量を連続的に可変可能な第１の可変キャパシタと、第１の可変キャパシタと並列に接続され、静電容量が第１の静電容量となる第１の状態と、静電容量が第２の静電容量となる第２の状態と、を切り替えることが可能な第２の可変キャパシタと、を備える。
【選択図】図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

処理ガスを供給するガス供給部と、
高周波電源と、
一対のプラズマ電極と、
一対の前記プラズマ電極と前記高周波電源との間に配置される整合器と、を備え、
前記整合器は、
前記高周波電源から高周波電力が供給される高周波給電ラインと、
接地される接地ラインと、
一方の前記プラズマ電極と接続される第１負荷ラインと、
他方の前記プラズマ電極と接続される第２負荷ラインと、
前記高周波給電ライン、前記第１負荷ライン、前記第２負荷ライン及び前記接地ラインと接続され、第１のリアクタンス素子を有するインピーダンス整合回路と、
前記高周波給電ラインに設けられ、前記高周波電力を検出する高周波センサと、
前記高周波センサの検出値が入力され、前記第１のリアクタンス素子を制御する整合器制御部と、を有し、
前記第１のリアクタンス素子は、
キャパシタンスを連続的に可変可能な第１の可変キャパシタと、
前記第１の可変キャパシタと並列に接続され、キャパシタンスが第１のキャパシタンスとなる第１の状態と、キャパシタンスが第２のキャパシタンスとなる第２の状態と、を切り替えることが可能な第２の可変キャパシタと、を備える、
プラズマ処理装置。

【請求項2】

前記第１のリアクタンス素子は、
前記高周波給電ラインと前記接地ラインとの間に配置される、
請求項１に記載のプラズマ処理装置。

【請求項3】

前記インピーダンス整合回路は、
前記第１負荷ラインと前記第１負荷ラインとの間に配置される第２のリアクタンス素子を更に有し、
前記第２のリアクタンス素子は、
キャパシタンスを連続的に可変可能な第３の可変キャパシタと、
前記第３の可変キャパシタと並列に接続され、キャパシタンスが第３のキャパシタンスとなる第３の状態と、キャパシタンスが第４のキャパシタンスとなる第４の状態と、を切り替えることが可能な第４の可変キャパシタと、
を備え、
前記整合器制御部は、
前記高周波センサの検出値が入力され、前記第１のリアクタンス素子及び前記第２のリアクタンス素子及びを制御する、
請求項２に記載のプラズマ処理装置。

【請求項4】

前記高周波給電ラインと前記第１負荷ラインとの間に配置される第３のリアクタンス素子と、
前記第２負荷ラインと前記接地ラインとの間に配置される第４のリアクタンス素子と、を更に有し、
前記第３のリアクタンス素子及び前記第４のリアクタンス素子は、インダクタである、
請求項３に記載のプラズマ処理装置。

【請求項5】

前記第１負荷ラインと前記第２負荷ラインとの電位差の波高値を検出する電圧センサをさらに有し、
前記整合器制御部は、
前記高周波センサ、前記電圧センサの検出値が入力され、前記第１のリアクタンス素子及び前記第２のリアクタンス素子及びを制御する、
請求項３に記載のプラズマ処理装置。

【請求項6】

前記整合器制御部は、
前記ガス供給部から第１の処理ガスを供給して第１のプラズマを生成する際、前記第２の可変キャパシタを前記第１の状態とし、
前記ガス供給部から前記第１の処理ガスとは異なる第２の処理ガスを供給して第２のプラズマを生成する際、前記第２の可変キャパシタを前記第２の状態とする、
請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。

【請求項7】

一対のプラズマ電極と高周波電源との間に配置される整合器であって、
前記高周波電源から高周波電力が供給される高周波給電ラインと、
接地される接地ラインと、
一方の前記プラズマ電極と接続される第１負荷ラインと、
他方の前記プラズマ電極と接続される第２負荷ラインと、
前記高周波給電ライン、前記第１負荷ライン、前記第２負荷ライン及び前記接地ラインと接続され、第１のリアクタンス素子を有するインピーダンス整合回路と、
前記高周波給電ラインに設けられ、前記高周波電力を検出する高周波センサと、
前記高周波センサの検出値が入力され、前記第１のリアクタンス素子を制御する整合器制御部と、を有し、
前記第１のリアクタンス素子は、
キャパシタンスを連続的に可変可能な第１の可変キャパシタと、
前記第１の可変キャパシタと並列に接続され、キャパシタンスが第１のキャパシタンスとなる第１の状態と、キャパシタンスが第２のキャパシタンスとなる第２の状態と、を切り替えることが可能な第２の可変キャパシタと、を備える、
整合器。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、プラズマ処理装置及び整合器に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、プラズマ処理装置であって、チャンバと、前記チャンバ内に設けられた、基板を支持する基板支持台と、前記基板支持台内部に設けられた第１の電極と、前記第１の電極に接続される整合器と、前記整合器に接続される高周波電源と、制御部と、を備え、前記整合器は、コンデンサとスイッチング素子からなる下位直列回路を複数並列接続して構成される下位回路と、コンデンサとスイッチング素子からなる上位直列回路を複数並列接続して構成される上位回路と、を有し、前記制御部は、前記下位直列回路または前記上位直列回路の前記スイッチング素子をオン状態またはオフ状態に設定して、前記下位回路または前記上位回路のうち、一方の回路を設定するよう前記整合器を制御するように構成され、前記制御部は、前記下位回路または前記上位回路の前記設定によって変化する前記整合器から前記チャンバ側を見たインピーダンスの変化量が安定するまで待機するよう前記整合器を制御するように構成され、前記制御部は、前記下位直列回路または前記上位直列回路の前記スイッチング素子をオン状態またはオフ状態に設定して、前記下位回路または前記上位回路のうち、前記一方の回路と異なる他方の回路を設定するよう前記整合器を制御するように構成される、プラズマ処理装置が開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０２２－７８４９５号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

一の側面では、本開示は、整合器の調整時間を短縮するプラズマ処理装置及び整合器を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0005】

上記課題を解決するために、一の態様によれば、処理ガスを供給するガス供給部と、高周波電源と、一対のプラズマ電極と、一対の前記プラズマ電極と前記高周波電源との間に配置される整合器と、を備え、前記整合器は、前記高周波電源から高周波電力が供給される高周波給電ラインと、接地される接地ラインと、一方の前記プラズマ電極と接続される第１負荷ラインと、他方の前記プラズマ電極と接続される第２負荷ラインと、前記高周波給電ライン、前記第１負荷ライン、前記第２負荷ライン及び前記接地ラインと接続され、第１のリアクタンス素子を有するインピーダンス整合回路と、前記高周波給電ラインに設けられ、前記高周波電力を検出する高周波センサと、前記高周波センサの検出値が入力され、前記第１のリアクタンス素子を制御する整合器制御部と、を有し、前記第１のリアクタンス素子は、キャパシタンスを連続的に可変可能な第１の可変キャパシタと、前記第１の可変キャパシタと並列に接続され、キャパシタンスが第１のキャパシタンスとなる第１の状態と、キャパシタンスが第２のキャパシタンスとなる第２の状態と、を切り替えることが可能な第２の可変キャパシタと、を備える、プラズマ処理装置が提供される。

【発明の効果】

【0006】

一の側面によれば、整合器の調整時間を短縮するプラズマ処理装置及び整合器を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】基板処理装置の構成例を示す概略図。

【図2】基板処理装置の動作を説明するフローチャートの一例。

【図3】プラズマ電極に高周波電力を供給する回路の一例を示す回路図。

【図4】第１の可変キャパシタの断面図の一例。

【図5】第１の可変キャパシタの断面図の一例。

【図6】第２の可変キャパシタの断面図の一例。

【図7】第２の可変キャパシタの断面図の一例。

【発明を実施するための形態】

【0008】

以下、図面を参照して本開示を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。

【0009】

〔基板処理装置〕
本実施形態に係る基板処理装置（プラズマ処理装置）１００の一例について、図１を用いて説明する。図１は、基板処理装置１００の構成例を示す概略図である。以下の説明において、基板処理装置１００は、例えばシリコン含有ガスと窒素含有ガスのプラズマとを用いてＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）プロセスで基板Ｗにシリコン窒化膜を形成する成膜装置である場合を例に説明する。

【0010】

基板処理装置１００は、下端が開口された有天井の円筒体状の処理容器１を有する。処理容器１の全体は、例えば石英により形成されている。処理容器１内の上端近傍には、石英により形成された天井板２が設けられており、天井板２の下側の領域が封止されている。処理容器１の下端の開口には、円筒体状に成形された金属製のマニホールド３がＯリング等のシール部材４を介して連結されている。

【0011】

マニホールド３は、処理容器１の下端を支持しており、マニホールド３の下方から基板として多数枚（例えば２５～１５０枚）の半導体ウエハ（以下「基板Ｗ」という。）を多段に載置したウエハボート５（基板保持具）が処理容器１内に挿入される。このように処理容器１内には、上下方向に沿って間隔を有して多数枚の基板Ｗが略水平に収容される。ウエハボート５は、例えば石英により形成されている。ウエハボート５は、３本のロッド６を有し（図１では２本を図示する。）、ロッド６に形成された溝（図示せず）により多数枚の基板Ｗが支持される。

【0012】

ウエハボート５は、石英により形成された保温筒７を介してテーブル８上に載置されている。テーブル８は、マニホールド３の下端の開口を開閉する金属（ステンレス）製の蓋体９を貫通する回転軸１０上に支持される。

【0013】

回転軸１０の貫通部には、磁性流体シール１１が設けられており、回転軸１０を気密に封止し、且つ回転可能に支持している。蓋体９の周辺部とマニホールド３の下端との間には、処理容器１内の気密性を保持するためのシール部材１２が設けられている。

【0014】

回転軸１０は、例えばボートエレベータ等の昇降機構（図示せず）に支持されたアーム１３の先端に取り付けられており、ウエハボート５と蓋体９とは一体として昇降し、処理容器１内に対して挿脱される。なお、テーブル８を蓋体９側へ固定して設け、ウエハボート５を回転させることなく基板Ｗの処理を行うようにしてもよい。

【0015】

また、基板処理装置１００は、処理容器１内へ処理ガス、パージガス等の所定のガスを供給するガス供給部２０（処理ガス供給部）を有する。

【0016】

ガス供給部２０は、ガス供給管２１，２２，２４を有する。ガス供給管２１は、例えば石英により形成されており、マニホールド３の側壁を内側へ貫通して上方へ屈曲されて垂直に延びる。ガス供給管２１の垂直部分には、ウエハボート５のウエハ支持範囲に対応する上下方向の長さに亘って、複数のガス孔２１ｇが所定間隔で形成されている。各ガス孔２１ｇは、水平方向にガスを吐出する。ガス供給管２２は、例えば石英により形成されており、マニホールド３の側壁を内側へ貫通して上方へ屈曲されて垂直に延びる。ガス供給管２２の垂直部分には、ウエハボート５のウエハ支持範囲に対応する上下方向の長さに亘って、複数のガス孔２２ｇが所定間隔で形成されている。各ガス孔２２ｇは、水平方向にガスを吐出する。ガス供給管２４は、例えば石英により形成されており、マニホールド３の側壁を貫通して設けられた短い石英管からなる。

【0017】

ガス供給管２１は、その垂直部分（ガス孔２１ｇが形成される垂直部分）が処理容器１内に設けられている。ガス供給管２１には、ガス配管を介してガス供給源２１ａから処理ガス（原料ガス）が供給される。ガス配管には、流量制御器２１ｂ及び開閉弁２１ｃが設けられている。これにより、ガス供給源２１ａからの処理ガスは、ガス配管及びガス供給管２１を介して処理容器１内に供給される。なお、ガス供給源２１ａから供給される処理ガス（原料ガス）は、例えば基板Ｗに吸着するプリカーサガスであり、例えばシリコン含有ガスである。シリコン含有ガスは、例えばＤＣＳ（ジクロロシラン、ＳｉＨ_２Ｃｌ_２）である。

【0018】

ガス供給管２２は、その垂直部分（ガス孔２２ｇが形成される垂直部分）が後述するプラズマ生成空間に設けられている。ガス供給管２２には、ガス配管を介してガス供給源２２ａから処理ガス（第１の処理ガス）が供給される。ガス配管には、流量制御器２２ｂ及び開閉弁２２ｃが設けられている。これにより、ガス供給源２２ａからの処理ガスは、ガス配管及びガス供給管２２を介してプラズマ生成空間に供給され、プラズマ生成空間においてプラズマ化されて処理容器１内に供給される。なお、ガス供給源２２ａから供給される処理ガス（第１の処理ガス）は、例えば基板Ｗに吸着したプリカーサガスと反応し膜（例えばシリコン窒化膜）を形成する反応ガスであり、例えば窒素含有ガスである。窒素含有ガスは、例えばＮＨ_３である。

【0019】

また、ガス供給管２２には、ガス配管を介してガス供給源２３ａから処理ガス（第２の処理ガス）が供給される。ガス配管には、流量制御器２３ｂ及び開閉弁２３ｃが設けられている。ガス供給源２３ａから供給される処理ガス（第２の処理ガス）は、ガス供給源２２ａから供給される処理ガス（第１の処理ガス）とは異なるガスである。これにより、ガス供給源２３ａからの処理ガスは、ガス配管及びガス供給管２２を介してプラズマ生成空間に供給され、プラズマ生成空間においてプラズマ化されて処理容器１内に供給される。なお、ガス供給源２３ａから供給される処理ガス（第２の処理ガス）は、例えば形成された膜を改質する改質ガスである。改質ガスは、例えばＨ_２である。

【0020】

なお、ガス供給源２１ａから供給される処理ガス（原料ガス）、ガス供給源２２ａから供給される処理ガス（第１の処理ガス、反応ガス）、ガス供給源２３ａから供給される処理ガス（第２の処理ガス、改質ガス）は、これに限られるものではない。

【0021】

ガス供給管２４には、ガス配管を介してパージガス供給源（図示せず）からパージガスが供給される。ガス配管（図示せず）には、流量制御器（図示せず）及び開閉弁（図示せず）が設けられている。これにより、パージガス供給源からのパージガスは、ガス配管及びガス供給管２４を介して処理容器１内に供給される。なお、パージガス供給源から供給されるパージガスは、例えばアルゴン（Ａｒ）、窒素（Ｎ_２）等の不活性ガスである。また、パージガスは、ガス供給管２４を介して処理容器１内に供給される場合を説明したが、これに限定されず、パージガスはガス供給管２１，２２のいずれかを介して処理容器１内に供給されてもよい。

【0022】

処理容器１の側壁の一部には、プラズマ生成機構３０が形成されている。プラズマ生成機構３０は、ガス供給源２２ａ，２３ａからの処理ガス（第１の処理ガス、第２の処理ガス）をプラズマ化する。

【0023】

プラズマ生成機構３０は、プラズマ区画壁３２と、一対のプラズマ電極３３（図１では１つを図示する。）と、給電ライン３４と、整合器３５と、同軸ケーブル３６と、高周波電源３７と、絶縁保護カバー３８と、を備える。

【0024】

プラズマ区画壁３２は、処理容器１の外壁に気密に溶接されている。プラズマ区画壁３２は、例えば石英により形成される。プラズマ区画壁３２は断面凹状をなし、処理容器１の側壁に形成された開口３１を覆う。開口３１は、ウエハボート５に支持されている全ての基板Ｗを上下方向にカバーできるように、上下方向に細長く形成される。プラズマ区画壁３２により規定されると共に処理容器１内と連通する内側空間、すなわち、プラズマ生成空間には、処理ガスを吐出するためのガス供給管２２が配置されている。なお、処理ガスを吐出するためのガス供給管２１は、プラズマ生成空間の外の処理容器１の内側壁に沿った基板Ｗに近い位置に設けられている。

【0025】

一対のプラズマ電極３３（図１では１つを図示する。）は、それぞれ細長い形状を有し、プラズマ区画壁３２の両側の壁の外面に、上下方向に沿って対向配置されている。各プラズマ電極３３は、例えばプラズマ区画壁３２の側面に設けられた保持部（図示せず）によって保持されている。各プラズマ電極３３の下端には、給電ライン３４が接続されている。

【0026】

給電ライン３４は、各プラズマ電極３３と整合器３５とを電気的に接続する。図示の例では、給電ライン３４は、一端が各プラズマ電極３３の下端に接続されており、他端が整合器３５と接続されている。

【0027】

整合器３５は、インピーダンス整合回路５１０（後述する図３参照）を有し、高周波電源３７と基板処理装置１００（一対のプラズマ電極３３）とのインピーダンス整合を行う装置である。

【0028】

同軸ケーブル３６は、整合器３５と高周波電源３７とを電気的に接続する。

【0029】

高周波電源３７は、各プラズマ電極３３の下端に、同軸ケーブル３６、整合器３５及び給電ライン３４を介して接続され、一対のプラズマ電極３３に例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電力を供給する。これにより、プラズマ区画壁３２により規定されたプラズマ生成空間内に、高周波電力が供給される。ガス供給管２２から吐出された処理ガス（第１の処理ガス、第２の処理ガス）は、高周波電力が供給されたプラズマ生成空間内においてプラズマ化され、開口３１を介して処理容器１の内部へと供給される。

【0030】

絶縁保護カバー３８は、プラズマ区画壁３２の外側に、該プラズマ区画壁３２を覆うようにして取り付けられている。絶縁保護カバー３８の内側部分には、冷媒通路（図示せず）が設けられており、冷媒通路に冷却された窒素（Ｎ_２）ガス等の冷媒を流すことによりプラズマ電極３３が冷却される。また、プラズマ電極３３と絶縁保護カバー３８との間に、プラズマ電極３３を覆うようにシールド（図示せず）が設けられていてもよい。シールドは、例えば金属等の良導体により形成され、接地される。

【0031】

開口３１に対向する処理容器１の側壁部分には、処理容器１内を真空排気するための排気口４０（排気部）が設けられている。排気口４０は、ウエハボート５に対応して上下に細長く形成されている。処理容器１の排気口４０に対応する部分には、排気口４０を覆うように断面Ｕ字状に成形された排気口カバー部材４１が取り付けられている。排気口カバー部材４１は、処理容器１の側壁に沿って上方に延びている。排気口カバー部材４１の下部には、排気口４０を介して処理容器１を排気するための排気管４２が接続されている。排気管４２には、処理容器１内の圧力を制御する圧力制御バルブ４３及び真空ポンプ等を含む排気装置４４が接続されており、排気装置４４により排気管４２を介して処理容器１内が排気される。

【0032】

処理容器１の周囲には、円筒体状の加熱機構５０が設けられている。加熱機構５０は、処理容器１及びその内部の基板Ｗを加熱する。加熱機構５０は、処理容器１の温度が所望の温度となるように制御する。これにより、処理容器１内の基板Ｗは、処理容器１の壁面からの輻射熱等で加熱される。

【0033】

また、基板処理装置１００は、制御部６０を有する。制御部６０は、例えば基板処理装置１００の各部の動作の制御、例えば開閉弁２１ｃ，２２ｃの開閉による各ガスの供給・停止、流量制御器２１ｂ，２２ｂによるガス流量の制御、排気装置４４による排気制御を行う。また、制御部６０は、例えば高周波電源３７による高周波電力のオン・オフ制御、加熱機構５０による処理容器１及びその内部の基板Ｗの温度の制御を行う。また、制御部６０は、整合器３５の制御を行う。

【0034】

制御部６０は、例えばコンピュータ等であってよい。また、基板処理装置１００の各部の動作を行うコンピュータのプログラムは、記憶媒体に記憶されている。記憶媒体は、例えばフレキシブルディスク、コンパクトディスク、ハードディスク、フラッシュメモリ、ＤＶＤ等であってよい。

【0035】

なお、図１に示す基板処理装置１００では、処理容器１の側方に設けられたプラズマ生成機構３０で処理ガスのプラズマを生成し、活性化した処理ガスを処理容器１内の基板Ｗに供給する構成を例に説明したが、これに限られるものではない。基板処理装置１００は、処理容器１内で処理ガスのプラズマを生成し、活性化した処理ガスを処理容器１内の基板Ｗに供給する構成であってもよい。この場合、一対のプラズマ電極３３は、処理容器１を挟んで対向して配置される。また、処理容器１の壁面がプラズマ生成空間を区画するプラズマ区画壁となる。

【0036】

〔基板処理装置の基板処理プロセス〕
次に、基板処理装置１００の動作の一例について図２を用いて説明する。図２は、基板処理装置１００の動作を説明するフローチャートの一例である。

【0037】

ステップＳ１０１において、基板Ｗを準備する。ここでは、基板Ｗを載置したウエハボート５を処理容器１内に挿入する。

【0038】

ステップＳ１０２において、原料ガスを供給する。ここでは、制御部６０は、流量制御器２１ｂ及び開閉弁２１ｃを制御して、ガス供給源２１ａから処理容器１内に原料ガスを供給する。これにより、例えば、基板Ｗの表面にシリコン含有ガスが吸着される。

【0039】

ステップＳ１０３において、整合器３５を調整する。ここでは、後述するステップＳ１０４におけるプラズマの着火に好ましい静電容量となるように整合器３５の可変キャパシタ（図３を用いて後述する可変キャパシタ５１１Ａ，５１１Ｂ，５１２Ａ，５１２Ｂ）の静電容量を予め調整する。

【0040】

ステップＳ１０４において、第１のプラズマを生成する。ここでは、制御部６０は、流量制御器２２ｂ及び開閉弁２２ｃを制御して、ガス供給源２２ａからプラズマ生成空間内に第１の処理ガスを供給する。また、制御部６０は、高周波電源３７を制御して、プラズマ電極３３に高周波電力を供給する。これにより、ガス供給管２２から吐出された第１の処理ガスは、高周波電力が供給されたプラズマ生成空間内においてプラズマ化され、開口３１を介して処理容器１の内部へと供給される。また、整合器３５の整合器制御部５４０（後述する図３参照）は、高周波センサ５２０（後述する図３参照）で検出する反射波の電力がゼロに近づくように整合器３５の可変キャパシタ（図３を用いて後述する可変キャパシタ５１１Ａ，５１２Ａ）を微調整する。これにより、例えば、基板Ｗの表面に吸着されたシリコン含有ガスを窒化し、基板Ｗの表面にシリコン窒化膜を形成する。

【0041】

ステップＳ１０５において、整合器３５を調整する。ここでは、後述するステップＳ１０６におけるプラズマの着火に好ましい静電容量となるように整合器３５の可変キャパシタ（図３を用いて後述する可変キャパシタ５１１Ａ，５１１Ｂ，５１２Ａ，５１２Ｂ）の静電容量を予め調整する。

【0042】

ステップＳ１０６において、第２のプラズマを生成する。ここでは、制御部６０は、流量制御器２３ｂ及び開閉弁２３ｃを制御して、ガス供給源２３ａからプラズマ生成空間内に第２の処理ガスを供給する。また、制御部６０は、高周波電源３７を制御して、プラズマ電極３３に高周波電力を供給する。これにより、ガス供給管２２から吐出された第２の処理ガスは、高周波電力が供給されたプラズマ生成空間内においてプラズマ化され、開口３１を介して処理容器１の内部へと供給される。また、整合器３５の整合器制御部５４０（後述する図３参照）は、高周波センサ５２０（後述する図３参照）で検出する反射波の電力がゼロに近づくように整合器３５の可変キャパシタ（図３を用いて後述する可変キャパシタ５１１Ａ，５１２Ａ）を微調整する。これにより、例えば、基板Ｗの表面に形成されたシリコン窒化膜を第２の処理ガスのプラズマで改質する。

【0043】

ステップＳ１０７において、繰り返し処理を終了するか否かを判定する。繰り返し処理を終了しない場合（Ｓ１０７・ＮＯ）、制御部６０の処理はステップＳ１０２に戻り、ステップＳ１０２からステップＳ１０６の処理を繰り返す。繰り返し処理を終了する場合（Ｓ１０７・ＹＥＳ）、制御部６０の処理を終了する。

【0044】

このように、図２に示す基板処理では、原料ガスを供給する工程（Ｓ１０２）、第１の処理ガスのプラズマ（第１のプラズマ）を生成して基板Ｗに処理を施す工程（Ｓ１０３，Ｓ１０４）、及び、第２の処理ガスのプラズマ（第２のプラズマ）を生成して基板Ｗに処理を施す工程（Ｓ１０５，Ｓ１０６）を１サイクルとし、このサイクルを所定回数繰り返すことで、基板Ｗに所望の膜厚のシリコン窒化膜を形成する。

【0045】

なお、基板処理は、図２に示基板処理に限られるものではない。基板処理は、少なくとも、第１の処理ガスのプラズマ（第１のプラズマ）を生成して基板Ｗに処理を施す工程と、第１の処理ガスとは異なる第２の処理ガスのプラズマ（第２のプラズマ）を生成して基板Ｗに処理を施す工程と、を含む。また、これらの工程を１サイクルとして、このサイクルを繰り返してもよい。

【0046】

ここで、第１の処理ガスのプラズマ（第１のプラズマ）を生成する際に反射波の電力をゼロに近づけるための整合器３５の可変キャパシタの静電容量と、第２の処理ガスのプラズマ（第２のプラズマ）を生成する際に反射波の電力をゼロに近づけるための整合器３５の可変キャパシタの静電容量とは、大きく異なる。このため、生成するプラズマを切り替える前に、整合器３５を調整するための時間（Ｓ１０３．Ｓ１０５の時間）を要する。また、可変キャパシタの可動域、可動回数が増えることで、可変キャパシタに設けられたベローズ（後述する図４，５に示すベローズ６３０）の寿命に影響を与え、整合器３５の定期交換サイクルを縮める要因となるおそれがある。

【0047】

〔整合器〕
次に、整合器３５について、図３を用いて更に説明する。図３は、プラズマ電極３３に高周波電力を供給する回路の一例を示す回路図である。なお、図３において、信号の流れを破線矢印で図示している。

【0048】

プラズマ電極３３は、一方のプラズマ電極３３１及び他方のプラズマ電極３３２を有する。一対のプラズマ電極３３１，３３２は、プラズマ区画壁３２の外側に対向配置されている。プラズマ区画壁３２の内側には、プラズマ３９を生成するプラズマ生成空間が形成されている。

【0049】

高周波電源３７は、電源４１０と、高周波センサ４２０と、電源制御部４３０と、を備える。また、高周波電源３７は、高周波ライン４５１を含む。

【0050】

高周波ライン４５１は、電源４１０から高周波電力が出力される。

【0051】

電源４１０は、例えば、高周波発振器と、アンプと、を含む。高周波発振器は、所定の周波数（例えば、１３．５６ＭＨｚ）の正弦波または基本波を発生する発振器である。アンプは、高周波発振器より出力される正弦波または基本波のパワーを可変制御可能な利得または増幅率で増幅するアンプである。電源４１０は、電源制御部４３０によって制御される。

【0052】

高周波（ＲＦ（radio frequency））センサ４２０は、高周波ライン４５１上に設けられ、高周波電源３７から出力される高周波電力を検出する。また、高周波センサ４２０は、高周波ライン４５１上に方向性結合器を備える。高周波センサ４２０は、高周波ライン４５１上を順方向に、即ち、高周波電源３７から整合器３５に伝搬する進行波の電力ＰＦ１を検出する。また、高周波センサ４２０は、高周波ライン４５１上を逆方向に、即ち、整合器３５から高周波電源３７に伝搬する反射波の電力ＲＦ１を検出する。そして、高周波センサ４２０は、検出結果を電源制御部４３０に出力する。

【0053】

電源制御部４３０は、制御部６０からの制御信号にしたがって電源４１０を制御する。また、電源制御部４３０は、高周波センサ４２０で検出した検出結果にしたがって、電源４１０を制御する。また、電源制御部４３０は、高周波センサ４２０で検出した検出結果を制御部６０に出力する。

【0054】

同軸ケーブル３６は、高周波電源３７と整合器３５とを接続する。具体的には、同軸ケーブル３６の内部導体（芯線）は、高周波電源３７の高周波ライン４５１と整合器３５の高周波給電ライン５５１と、を接続する。また、同軸ケーブル３６の外部導体（シールド）は、接地されている。

【0055】

整合器３５は、インピーダンス整合回路５１０と、高周波センサ５２０と、電圧センサ５３０と、整合器制御部５４０と、を備える。また、整合器３５は、高周波給電ライン５５１と、接地ライン５５２と、第１負荷ライン５５３と、第２負荷ライン５５４と、を含む。

【0056】

高周波給電ライン５５１は、同軸ケーブル３６を介して、高周波電源３７の高周波ライン４５１と接続される。即ち、高周波給電ライン５５１は、高周波電源３７から高周波電力が供給されるラインである。

【0057】

接地ライン５５２は、接地されるラインである。

【0058】

第１負荷ライン５５３は、給電ライン３４１を介して、一方のプラズマ電極３３１と接続される。第２負荷ライン５５４は、給電ライン３４２を介して、他方のプラズマ電極３３２と接続される。

【0059】

インピーダンス整合回路５１０は、複数のリアクタンス素子５１１～５１４を有する。また、インピーダンス整合回路５１０は、高周波給電ライン５５１、接地ライン５５２、第１負荷ライン５５３及び第２負荷ライン５５４と接続される。

【0060】

第１のリアクタンス素子５１１は、高周波給電ライン５５１と接地ライン５５２との間に配置される。第１のリアクタンス素子５１１は、キャパシタンス（静電容量）が調整可能な可変キャパシタ（可変コンデンサ）である。第１のリアクタンス素子５１１は、第１の可変キャパシタ５１１Ａと、第２の可変キャパシタ５１１Ｂと、を有する。第１の可変キャパシタ５１１Ａと第２の可変キャパシタ５１１Ｂとは、並列に接続されている。即ち、第１のリアクタンス素子５１１のキャパシタンス（静電容量）は、第１の可変キャパシタ５１１ＡのキャパシタンスＶＣ１と、第２の可変キャパシタ５１１ＢのキャパシタンスＦＶＣ１と、の和（ＶＣ１＋ＦＶＣ１）となる。第１の可変キャパシタ５１１Ａ及び第２の可変キャパシタ５１１Ｂは、整合器制御部５４０によって制御される。

【0061】

第１の可変キャパシタ５１１Ａは、キャパシタンス（静電容量）を連続的に（無段階で）可変可能なキャパシタである。なお、第１の可変キャパシタ５１１Ａについては、図４及び図５を用いて後述する。

【0062】

第２の可変キャパシタ５１１Ｂは、キャパシタンス（静電容量）が第１のキャパシタンスとなる第１の状態と、キャパシタンス（静電容量）が第２のキャパシタンスとなる第２の状態と、を切り替えることが可能なキャパシタである。なお、第２の可変キャパシタ５１１Ｂについては、図６及び図７を用いて後述する。

【0063】

第２のリアクタンス素子５１２は、第１負荷ライン５５３と第２負荷ライン５５４との間に配置される。第２のリアクタンス素子５１２は、キャパシタンス（静電容量）が調整可能な可変キャパシタ（可変コンデンサ）である。第２のリアクタンス素子５１２は、第３の可変キャパシタ５１２Ａと、第４の可変キャパシタ５１２Ｂと、を有する。第３の可変キャパシタ５１２Ａと第４の可変キャパシタ５１２Ｂとは、並列に接続されている。即ち、第２のリアクタンス素子５１２のキャパシタンス（静電容量）は、第３の可変キャパシタ５１２ＡのキャパシタンスＶＣ２と、第４の可変キャパシタ５１２ＢのキャパシタンスＦＶＣ２と、の和（ＶＣ２＋ＦＶＣ２）となる。第３の可変キャパシタ５１２Ａ及び第４の可変キャパシタ５１２Ｂは、整合器制御部５４０によって制御される。

【0064】

第３の可変キャパシタ５１２Ａは、キャパシタンス（静電容量）を連続的に（無段階で）可変可能なキャパシタである。なお、第３の可変キャパシタ５１２Ａについては、図４及び図５を用いて後述する。

【0065】

第４の可変キャパシタ５１２Ｂは、キャパシタンス（静電容量）が第３のキャパシタンスとなる第３の状態と、キャパシタンス（静電容量）が第４のキャパシタンスとなる第４の状態と、を切り替えることが可能なキャパシタである。なお、第４の可変キャパシタ５１２Ｂについては、図６及び図７を用いて後述する。

【0066】

第３のリアクタンス素子５１３は、高周波給電ライン５５１と第１負荷ライン５５３との間に配置される。第３のリアクタンス素子５１３は、インダクタンスＬ１を有するインダクタ（コイル）である。

【0067】

第４のリアクタンス素子５１４は、接地ライン５５２と第２負荷ライン５５４との間に配置される。第４のリアクタンス素子５１４は、インダクタンスＬ２を有するインダクタ（コイル）である。

【0068】

なお、リアクタンス素子５１１～５１４は、固定キャパシタ（例えば、寄生容量）、固定インダクタ（例えば、寄生インダクタンス）、固定抵抗（例えば、寄生抵抗）の少なくともいずれかが含まれていてもよい。

【0069】

高周波（ＲＦ（radio frequency））センサ５２０は、高周波給電ライン５５１上に設けられ、高周波電源３７から供給される高周波電力を検出する。また、高周波センサ５２０は、高周波給電ライン５５１上に方向性結合器を備える。高周波センサ５２０は、高周波給電ライン５５１上を順方向に、即ち、高周波電源３７から整合器３５に伝搬する進行波の電力ＰＦ２を検出する。また、高周波センサ５２０は、高周波給電ライン５５１上を逆方向に、即ち、整合器３５から高周波電源３７に伝搬する反射波の電力ＲＦ２を検出する。そして、高周波センサ５２０は、検出結果を整合器制御部５４０に出力する。

【0070】

電圧センサ５３０は、第１負荷ライン５５３と第２負荷ライン５５４との電位差を検出し、この電位差の波高値を検出する。そして、電圧センサ５３０は、検出結果を整合器制御部５４０に出力する。

【0071】

整合器制御部５４０は、制御部６０からの制御信号にしたがって、インピーダンス整合回路５１０の第１のリアクタンス素子５１１及び第２のリアクタンス素子５１２を制御する。また、整合器制御部５４０は、高周波センサ５２０、電圧センサ５３０で検出した検出結果にしたがって、インピーダンス整合回路５１０の第１のリアクタンス素子５１１及び第２のリアクタンス素子５１２を制御する。また、整合器制御部５４０は、高周波センサ５２０、電圧センサ５３０で検出した検出結果を制御部６０に出力する。

【0072】

給電ライン３４は、給電ライン３４１及び給電ライン３４２を含む。給電ライン３４１は、整合器３５の第１負荷ライン５５３と一方のプラズマ電極３３１とを接続する。給電ライン３４２は、整合器３５の第２負荷ライン５５４と他方のプラズマ電極３３２とを接続する。

【0073】

このような構成により、整合器３５は、整合器制御部５４０によって第１のリアクタンス素子５１１及び第２のリアクタンス素子５１２のキャパシタンス（静電容量）を制御可能に構成されている。

【0074】

このため、整合器制御部５４０は、高周波センサ５２０の検出結果に基づいて、反射波の電力ＲＦ２が低減する（ゼロに近づく）ように、第１のリアクタンス素子５１１及び第２のリアクタンス素子５１２のキャパシタンス（静電容量）を制御する。換言すれば、整合器制御部５４０は、インピーダンス整合回路５１０を含む負荷側のインピーダンスが所定のインピーダンスとなるように、第１のリアクタンス素子５１１及び第２のリアクタンス素子５１２のキャパシタンス（静電容量）を制御する。

【0075】

加えて、整合器制御部５４０は、電圧センサ５３０の検出結果に基づいて、プラズマ電極３３１，３３２間の電圧の波高値が所定の設定値となるように、第１のリアクタンス素子５１１及び第２のリアクタンス素子５１２のキャパシタンス（静電容量）を制御する。

【0076】

このように、図３に示す整合器３５は、インピーダンス整合を図るとともに、プラズマ電極３３１，３３２間の電圧の波高値を調整することができる。

【0077】

〔第１の可変キャパシタ５１１Ａ、第３の可変キャパシタ５１２Ａ〕
次に、第１のリアクタンス素子５１１を構成する第１の可変キャパシタ５１１Ａについて、図４から図５を用いて説明する。図４及び図５は、第１の可変キャパシタ５１１Ａの断面図の一例である。

【0078】

第２のリアクタンス素子５１２を構成する第３の可変キャパシタ５１２Ａは、第１の可変キャパシタ５１１Ａと同様の構造を有しており、重複する説明を省略する。なお、第１の可変キャパシタ５１１Ａと第３の可変キャパシタ５１２Ａとで、可変可能なキャパシタンス（静電容量）の範囲が異なっていてもよい。

【0079】

第１の可変キャパシタ５１１Ａは、電極６０１と、電極６０２と、支持体６１１と、回転軸６１２と、ナット６１３と、スリーブ６１４と、ベアリング６１５と、筐体６２０と、ベローズ６３０と、を有する。

【0080】

筐体６２０は、第１筐体６２１と、第２筐体６２２と、絶縁体６２３と、を有する。絶縁体６２３は、第１筐体６２１と第２筐体６２２との間に設けられ、第１筐体６２１と第２筐体６２２とを絶縁する。

【0081】

電極６０１は、キャパシタを構成する一方の電極である。電極６０１は、複数の円筒形状の導体で構成され、筐体６２０の第１筐体６２１に支持される。

【0082】

電極６０２は、キャパシタを構成する他方の電極である。電極６０２は、複数の円筒形状の導体で構成され、支持体６１１に支持される。電極６０１と電極６０２とは円筒の径が異なっており、隣接する電極６０１の間に電極６０２が挿入可能な径を有している。

【0083】

隣接する電極６０１の間に電極６０２を挿入することで、電極６０１と電極６０２とが対向する面積が変化する。図３の例では、電極６０１と電極６０２とが対向する面積が面積Ｓ_１となっている。図４の例では、電極６０１と電極６０２とが対向する面積が面積Ｓ_２となっている。

【0084】

回転軸６１２は、ベアリング６１５を介して筐体６２０の第２筐体６２２に回転可能に支持される。スリーブ６１４は、第２筐体６２２に固定される。スリーブ６１４は、ナット６１３が回転軸６１２の回転軸回りに回転することを防止するとともに、ナット６１３が回転軸６１２の回転軸の軸方向に移動することをガイドする。支持体６１１は、ナット６１３に固定される。

【0085】

回転軸６１２及びナット６１３は、回転軸６１２の回転運動をナット６１３の直線運動に変換する回転直動機構を構成する。なお、回転軸６１２には、回転軸６１２を回転させる駆動モータ（図示せず）と、回転軸６１２の回転を検出する回転センサ（図示せず、例えばポテンショメータ、エンコーダ等）と、が接続されている。整合器制御部５４０は、回転センサの検出値に基づいて、駆動モータを制御することにより、キャパシタンス（静電容量）を制御する。

【0086】

回転軸６１２を一の方向に回転させることで、ナット６１３が回転軸６１２の回転軸に沿って、伸びる方向（図４，５においては、紙面の左方向）に移動する。即ち、支持体６１１が電極６０１に近づく方向に移動する。換言すれば、隣接する電極６０１の間に電極６０２を挿入する方向に支持体６１１が移動する。これにより、電極６０１と電極６０２とが対向する面積が増加し、キャパシタンス（静電容量）が大きくなる。

【0087】

回転軸６１２を一の方向とは逆向きの他の方向に回転させることで、ナット６１３が回転軸６１２の回転軸に沿って、縮む方向（図４，５においては、紙面の右方向）に移動する。即ち、支持体６１１が電極６０１から離れる方向に移動する。換言すれば、隣接する電極６０１の間から電極６０２を引き抜く方向に支持体６１１が移動する。これにより、電極６０１と電極６０２とが対向する面積が減少し、キャパシタンス（静電容量）が小さくなる。

【0088】

〔第２の可変キャパシタ５１１Ｂ、第４の可変キャパシタ５１２Ｂ〕
次に、第１のリアクタンス素子５１１を構成する第２の可変キャパシタ５１１Ｂについて、図６から図７を用いて説明する。図６及び図７は、第２の可変キャパシタ５１１Ｂの断面図の一例である。

【0089】

第２のリアクタンス素子５１２を構成する第４の可変キャパシタ５１２Ｂは、第２の可変キャパシタ５１１Ｂと同様の構造を有しており、重複する説明を省略する。なお、第２の可変キャパシタ５１１Ｂと第４の可変キャパシタ５１２Ｂとで、可変可能なキャパシタンス（静電容量）の範囲が異なっていてもよい。

【0090】

第２の可変キャパシタ５１１Ｂは、電極７０１と、電極７０２と、支持体７１１と、駆動軸７１２と、スリーブ７１３と、磁性体７１４と、電磁石７１５と、弾性体７１６と、筐体７２０と、ベローズ７３０と、を有する。

【0091】

筐体７２０は、第１筐体７２１と、第２筐体７２２と、絶縁体７２３と、を有する。絶縁体７２３は、第１筐体７２１と第２筐体７２２との間に設けられ、第１筐体７２１と第２筐体７２２とを絶縁する。

【0092】

電極７０１は、キャパシタを構成する一方の電極である。電極７０１は、複数の円筒形状の導体で構成され、筐体７２０の第１筐体７２１に支持される。

【0093】

電極７０２は、キャパシタを構成する他方の電極である。電極７０２は、複数の円筒形状の導体で構成され、支持体７１１に支持される。電極７０１と電極７０２とは円筒の径が異なっており、隣接する電極７０１の間に電極７０２が挿入可能な径を有している。

【0094】

隣接する電極７０１の間に電極７０２を挿入することで、電極７０１と電極７０２とが対向する面積が変化する。図６の例では、電極７０１と電極７０２とが対向する面積が面積Ｓ_３となっている。図７の例では、電極７０１と電極７０２とが対向する面積が面積Ｓ_４となっている。

【0095】

スリーブ７１３は、第２筐体７２２に固定される。スリーブ７１３は、駆動軸７１２が駆動軸７１２の軸回りに回転することを防止するとともに、駆動軸７１２が駆動軸７１２の軸方向に移動することをガイドする。支持体７１１は、駆動軸７１２に固定される。また、磁性体７１４は、駆動軸７１２に固定される。弾性体７１６は、磁性体７１４が電磁石７１５から離れる方向に付勢する。整合器制御部５４０は、電磁石７１５への給電のＯＮ／ＯＦＦを制御する。

【0096】

電磁石７１５に電力を供給しない状態（第１の状態）において、図６に示すように、弾性体７１６によって磁性体７１４が電磁石７１５から離れる方向に付勢される。これにより、電極７０１と電極７０２とが対向する面積が面積Ｓ_３となり、キャパシタンス（静電容量）が大きくなる。

【0097】

電磁石７１５に電力を供給した状態（第２の状態）において、図７に示すように、弾性体７１６の付勢に逆らって磁性体７１４が電磁石７１５に吸着される。これにより、電極７０１と電極７０２とが対向する面積が面積Ｓ_４となり、キャパシタンス（静電容量）が小さくなる。

【0098】

このような構成により、第１のプラズマを形成する際にステップＳ１０３において、第２の可変キャパシタ５１１Ｂを第１の状態（図６または図７のいずれか一方の状態）とし、第４の可変キャパシタ５１２Ｂを第３の状態（図６または図７のいずれか一方の状態）とする。そして、ステップＳ１０４において、整合器制御部５４０は、高周波センサ５２０で検出する反射波の電力がゼロに近づくように第１の可変キャパシタ５１１Ａ、第３の可変キャパシタ５１２Ａを微調整する。

【0099】

また、第２のプラズマを形成する際にステップＳ１０５において、第２の可変キャパシタ５１１Ｂを第２の状態（図６または図７のうち第１の状態とは異なる他方の状態）とし、第４の可変キャパシタ５１２Ｂを第４の状態（図６または図７のうち第３の状態とは異なる他方の状態）とする。そして、ステップＳ１０６において、整合器制御部５４０は、高周波センサ５２０で検出する反射波の電力がゼロに近づくように第１の可変キャパシタ５１１Ａ、第３の可変キャパシタ５１２Ａを微調整する。

【0100】

ここで、第１のリアクタンス素子５１１を第１の可変キャパシタ５１１Ａのみで構成した場合、プラズマを切り替える際にキャパシタンス（静電容量）を大きく変更することとなり、切り替え時間を要する。また、ベローズ６３０の可動域が長くなり、ベローズ６３０の破断寿命に影響を与え、整合器３５の定期交換サイクルを縮める要因となるおそれがある。

【0101】

これに対し、第１のリアクタンス素子５１１として、第１の可変キャパシタ５１１Ａと第２の可変キャパシタ５１１Ｂとで構成することで、プラズマを切り替える際に第２の可変キャパシタ５１１Ｂの電磁石７１５の給電状態を切り替えることで高速にキャパシタンス（静電容量）を大きく変更することができ、切り替え時間を短縮することができる。

【0102】

また、ベローズ６３０の可動域を短くすることができるので、ベローズ６３０の破断寿命を延ばし、整合器３５の定期交換サイクルを延長することができる。

【0103】

なお、ベローズ７３０は、破断寿命を考慮して設計することができるので、整合器３５の寿命を長くすることができる。

【0104】

また、高周波給電ライン５５１には、プラズマを生成する大電力が供給されるため、スイッチングで接続するコンデンサを切り替える構成では、接点の摩耗やＯＮ／ＯＦＦ時のノイズが発生するおそれがある。これに対し、第２の可変キャパシタ５１１Ｂ、第４の可変キャパシタ５１２Ｂでは、スイッチングによる接点の摩耗がなく、ＯＮ／ＯＦＦ時のノイズもない。

【0105】

また、第１のリアクタンス素子５１１は、１つの第１のリアクタンス素子５１１に加え、１つの第２のリアクタンス素子５１２を並列に備えるものとして説明したが、これに限られるものではない。第１のリアクタンス素子５１１は、１つの第１のリアクタンス素子５１１に加え、複数の第２のリアクタンス素子５１２を並列に備える構成であってもよい。これにより、プラズマの状態を複数備える基板処理においても、各第２の可変キャパシタ５１１Ｂの状態を切り替えることで各プラズマに対応して第１のリアクタンス素子５１１のキャパシタンスを調整することができる。

【0106】

図３に示すインピーダンス整合回路５１０を有する整合器３５は、バッチ式の基板処理装置１００に適用する場合を例に説明したが、これに限られるものではない。枚葉式の基板処理装置の整合器に適用してもよい。

【0107】

なお、上記実施形態に挙げた構成等に、その他の要素との組み合わせ等、ここで示した構成に本発明が限定されるものではない。これらの点に関しては、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で変更することが可能であり、その応用形態に応じて適切に定めることができる。

【符号の説明】

【0108】

１ 処理容器
２０ ガス供給部
２１，２２，２３ ガス供給管
３０ プラズマ生成機構
３１ 開口
３２ プラズマ区画壁
３３，３３１，３３２ プラズマ電極
３４，３４１，３４２ 給電ライン
３５ 整合器
３６ 同軸ケーブル
３７ 高周波電源
３８ 絶縁保護カバー
３９ プラズマ
４０ 排気口
５０ 加熱機構
６０ 制御部
１００ 基板処理装置（プラズマ処理装置）
４１０ 電源
４２０ 高周波センサ
４３０ 電源制御部
４５１ 高周波ライン
５１０ インピーダンス整合回路
５１１～５１４ リアクタンス素子
５１１Ａ，５１１Ｂ，５１２Ａ，５１２Ｂ 可変キャパシタ
５２０ 高周波センサ
５３０ 電圧センサ
５４０ 整合器制御部
５５１ 高周波給電ライン
５５２ 接地ライン
５５３ 第１負荷ライン
５５４ 第２負荷ライン

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】