特開2025-177166IP Force 特許公報全文掲載

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正極端子及び負極端子を備える半導体装置

要約特許出願時に添付された[要約書]

【課題】半導体装置において、正極端子及び負極端子の実装面積の増加を抑えながら、相互インダクタンスを増大させる。
【解決手段】半導体装置（１）は、半導体素子（１０）と、この半導体素子（１０）が実装された基板（２０）と、この基板（２０）の第１方向（Ｄ１）に延びる第１辺（２０ａ）側に配置された正極端子（３０）及び負極端子（４０）とを備える。正極端子（３０）及び負極端子（４０）のそれぞれは、基板（２０）における半導体素子（１０）の実装面に交差する方向に延びる立ち上がり部（３１，３２，４１，４２）を有し、正極端子（３０）の立ち上がり部（３１，３２）と、負極端子（４０）の立ち上がり部（４１，４２）とは、交互に対向して計３つ以上並んで位置する。
【選択図】図３

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

ところで、半導体装置において、サージ電圧の発生を抑制するために、正極端子と負極端子とを上下に重ねて対向面積を増加させることで、スイッチング時の相互インダクタンスを増大させることが考えられる。しかし、正極端子及び負極端子の対向面積が増加すると、実装面積が増加する。そして、正極端子及び負極端子の直下に配線を設けることができないため、基板上のパターンレイアウトの制約になる。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

１つの態様では、半導体装置は、半導体素子と、前記半導体素子が実装された基板と、前記基板の第１方向に延びる第１辺側に配置された正極端子及び負極端子とを備え、前記正極端子及び前記負極端子のそれぞれは、前記基板における前記半導体素子の実装面に交差する方向に延びる立ち上がり部を有し、前記正極端子の前記立ち上がり部と、前記負極端子の前記立ち上がり部とは、交互に対向して計３つ以上並んで位置する。

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

前記態様によれば、正極端子及び負極端子の実装面積の増加を抑えながら、相互インダクタンスを増大させることができる。

この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 一実施の形態に係る半導体装置を示す平面図である。
【図2】 一実施の形態における正極端子及び負極端子を示す平面図である。
【図3】 一実施の形態における正極端子及び負極端子を示す斜視図である。
【図4】 一実施の形態における正極端子及び負極端子を示す左側面図である。
【図5】 一実施の形態の変形例における正極端子及び負極端子を示す上面斜視図である。
【図6】 一実施の形態の変形例における正極端子及び負極端子を示す左側面斜視図である。
【図7】 比較例における正極端子及び負極端子を示す斜視図である。
【図8】 一実施の形態及び比較例の実装空間及び対向面積を説明するための説明図である。

選択図 図3出願人が指定した本件の代表的な図

１ 半導体装置 １０ 半導体素子 ２０ 積層基板（基板） ２０ａ 第１辺 ２０ｂ 第２辺 ２１ 絶縁基板 ２２ａ～２２ｎ 第１～第１４回路パターン ２３ 放熱層 ３０ 正極端子 ３１ 第１立ち上がり部 ３１ａ 被接合部 ３２ 第２立ち上がり部 ３２ａ 被接合部 ３３ 連結部分 ３４ 外部接続部分 ４０ 負極端子 ４１ 第１立ち上がり部 ４１ａ 被接合部 ４２ 第２立ち上がり部 ４２ａ 被接合部 ４３ 連結部分 ４４ 外部接続部分 ５０ 出力端子 ５１，５２ 被接合部 ５３，５４ 外部接続部分 ６１～６３，６５ 制御端子 ６４ センス端子 ６６，６７ 温度センス端子 ６８ 温度センス部 ７０ ケース １３０ 正極端子 １３１ 第１立ち上がり部 １３１ａ 被接合部 １３２ 第２立ち上がり部 １３２ａ 被接合部 １３３ 上端支持部分 １３４ 外部接続部分 １４０ 負極端子 １４１ 第１立ち上がり部 １４１ａ 被接合部 １４２ 第２立ち上がり部 １４２ａ 被接合部 １４３ 下端支持部分 １４４ 外部接続部分 ２３０ 正極端子 ２３１ 水平部 ２３１ａ，２３１ｂ 被接合部 ２３２ 外部接続部分 ２４０ 負極端子 ２４１ 水平部 ２４１ａ，２４１ｂ 被接合部 ２４２ 外部接続部分 Ｄ１ 第１方向 Ｄ２ 第２方向 Ｇ 隙間 Ｒ１～Ｒ３ 第１～第３中継部 Ｗ 配線 Ｗ１～Ｗ３ 第１～第３制御配線

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