2025-177420 基板処理システム、基板処理方法、プログラム、及び記憶媒体

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2025177420

(43)【公開日】2025-12-05

(54)【発明の名称】基板処理システム、基板処理方法、プログラム、及び記憶媒体

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/3065 20060101AFI20251128BHJP

   H01L 21/205 20060101ALI20251128BHJP

   H01L 21/31 20060101ALI20251128BHJP

   C23C 14/56 20060101ALI20251128BHJP

   C23C 16/44 20060101ALI20251128BHJP

【ＦＩ】

H01L21/302 101B

H01L21/205

H01L21/31 C

C23C14/56 G

C23C16/44 F

【審査請求】未請求

【請求項の数】19

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2024084242

(22)【出願日】2024-05-23

(71)【出願人】

【識別番号】000219967

【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100088155

【弁理士】

【氏名又は名称】長谷川 芳樹

(74)【代理人】

【識別番号】100113435

【弁理士】

【氏名又は名称】黒木 義樹

(74)【代理人】

【識別番号】100122507

【弁理士】

【氏名又は名称】柏岡 潤二

(74)【代理人】

【識別番号】100208878

【弁理士】

【氏名又は名称】吉田 弘智

(72)【発明者】

【氏名】高良 穣二

(72)【発明者】

【氏名】紀野國 祐太

【テーマコード（参考）】

4K029

4K030

5F004

5F045

【Ｆターム（参考）】

4K029DA03

4K029JA01

4K029KA01

4K030EA04

4K030FA03

4K030GA02

4K030GA12

4K030HA12

5F004AA16

5F004BA09

5F004BA14

5F004BA20

5F004BB12

5F004BB13

5F004BB14

5F004BB18

5F004BB22

5F004BB23

5F004BB24

5F004BB25

5F004BB26

5F004BB29

5F004BC02

5F004BC03

5F004BC05

5F004BC06

5F004BD04

5F004CA03

5F004CA06

5F004CB09

5F045AA08

5F045DP03

5F045DP28

5F045EB03

5F045EB08

5F045EB09

5F045EE04

5F045EF05

5F045EG02

5F045EG03

5F045EH14

5F045EJ03

5F045EK07

5F045EM05

5F045EM09

5F045EN04

5F045GB04

5F045GB15

(57)【要約】

【課題】基板処理システムにおいて基板がずれた期間を推定する技術を提供する。
【解決手段】
一つの例示的実施形態において、基板処理システムが提供される。基板処理システムは、プロセスモジュール、搬送モジュール、第１の測定器、第２の測定器、記憶部、及び制御部を備える。第１の測定器は、第１の期間における基板の第1の位置及び／又は第２の期間における基板の第２の位置を取得するように構成される。第２の測定器は、中間期間における基板の第３の位置を取得するように構成される。制御部は、第１の位置の第１のずれ量及び／又は第２の位置の第２のずれ量、並びに第３の位置の第３のずれ量を用いて、基板の位置ずれが、第１の期間及び／又は第２の期間、並びに中間期間のうち何れの期間で生じたかを推定するように構成される。
【選択図】図２０

【特許請求の範囲】

【請求項1】

処理チャンバ及び該処理チャンバ内に配置された基板支持部を有し、該基板支持部上の基板に対する処理を行うように構成されたプロセスモジュールと、
前記処理チャンバに接続された真空チャンバを有し、前記基板を搬送するように構成された搬送モジュールと、
前記搬送モジュールによって前記処理チャンバの外部から前記基板支持部の上方の領域に前記基板が搬送される第１の期間における該基板の第１の位置及び／又は該搬送モジュールによって該基板支持部の上方の該領域から該処理チャンバの外部に該基板が搬送される第２の期間における該基板の第２の位置を取得するように構成された第１の測定器と、
前記第１の期間と前記第２の期間との間の中間期間における前記基板支持部上での前記基板の第３の位置を取得するように構成された第２の測定器と、
前記第１の位置と比較されるべき前記基板の予め定められた第１の基準位置及び／又は前記第２の位置と比較されるべき該基板の予め定められた第２の基準位置、並びに前記第３の位置と比較されるべき該基板の予め定められた第３の基準位置を記憶するように構成された記憶部と、
前記第１の基準位置に対する前記第１の位置の第１のずれ量及び／又は前記第２の基準位置に対する前記第２の位置の第２のずれ量、並びに前記第３の基準位置に対する前記第３の位置の第３のずれ量を用いて、前記基板の位置ずれが、前記第１の期間及び／又は前記第２の期間、並びに前記中間期間のうち何れの期間で生じたかを推定するように構成された制御部と、
を備える、基板処理システム。

【請求項2】

前記制御部は、前記第１のずれ量が閾値よりも大きい場合には、前記基板の搬送条件を調整するように構成されている、請求項１に記載の基板処理システム。

【請求項3】

前記制御部は、前記第１のずれ量が閾値以下であり、前記第３のずれ量が閾値よりも大きい場合には、前記搬送条件及び／又は該第３のずれ量に関連付けられた制御パラメータを調整するように構成されている、請求項２に記載の基板処理システム。

【請求項4】

前記基板支持部は、
該基板支持部の上方の前記領域と該基板支持部上の領域との間で前記基板を昇降するように構成された複数のリフターピンと、
該基板支持部上に支持された前記基板を保持するための電圧が印加される静電電極を含んだ静電チャックと、を有し、
前記第３のずれ量に関連付けられた前記制御パラメータは、前記複数のリフターピンの降下条件及び／又は前記基板の前記静電チャックへの静電吸着条件を含む、
請求項３に記載の基板処理システム。

【請求項5】

前記搬送モジュールは、
その上に前記基板を支持するように構成されたエンドエフェクタと、
前記エンドエフェクタ上の前記基板を真空吸着するように構成された真空パッドと、を有し、
前記第３のずれ量に関連付けられた前記制御パラメータは、前記基板の前記真空パッドからの解放条件を含む、
請求項３に記載の基板処理システム。

【請求項6】

前記制御部は、前記第１のずれ量が閾値以下であり、前記第３のずれ量が閾値以下であり、前記第２のずれ量が閾値よりも大きい場合には、前記搬送条件及び／又は該第２のずれ量に関連付けられた制御パラメータを調整するように構成され、
前記第２のずれ量に関連付けられた前記制御パラメータは、前記基板の前記静電チャックからの解放条件及び／又は前記複数のリフターピンの上昇条件を含む、
請求項４に記載の基板処理システム。

【請求項7】

前記制御部は、前記第１のずれ量が閾値以下であり、前記第３のずれ量が閾値以下であり、前記第２のずれ量が閾値よりも大きい場合には、前記搬送条件及び／又は該第２のずれ量に関連付けられた制御パラメータを調整するように構成され、
前記第２のずれ量に関連付けられた前記制御パラメータは、前記基板の前記真空パッドへの真空吸着条件を含む、
請求項５に記載の基板処理システム。

【請求項8】

前記第１の測定器は、少なくとも二つの光学センサ又は該基板の画像を取得するように構成された画像センサを含む、
請求項１～７の何れか一項に記載の基板処理システム。

【請求項9】

前記第１の測定器は前記基板の中心位置を取得するように構成され、
前記第１の基準位置及び／又は第２の中心位置は、前記基板の中心位置で規定される、
請求項８に記載の基板処理システム。

【請求項10】

前記第１の測定器は、前記真空チャンバ内に測定領域を提供し、該測定領域を通過する前記基板の位置を測定するように構成され、
前記搬送モジュールは、前記第１の期間のうち前記真空チャンバから前記処理チャンバに前記基板が搬送される期間及び／又は前記第２の期間のうち該処理チャンバから該真空チャンバに該基板が搬送される期間において、前記測定領域に該基板を通過させるように構成されている、
請求項１～７の何れか一項に記載の基板処理システム。

【請求項11】

前記第２の測定器は、
前記基板の搬送経路を含む視野を有し、該基板の画像を取得するよう構成された撮像部と、
基板に対する処理が行われた前記基板の画像から、該基板の中心位置を反映するその中心を有する第１の特徴パターンを抽出し、且つ、基板に対する処理の実行時の前記基板支持部の中心位置を反映するその中心を有する第２の特徴パターンを抽出するように構成された抽出部と、
前記第１の特徴パターンと前記第２の特徴パターンとに基づいて、前記中間期間における前記基板支持部の位置と該基板支持部上での該基板の前記位置との間の位置関係を算出するよう構成された算出部と、を有する、
請求項１～７の何れか一項に記載の基板処理システム。

【請求項12】

前記算出部は、前記第１の特徴パターンから特定される第１の中心位置と前記第２の特徴パターンから特定される第２の中心位置とに基づいて、基板に対する処理が行われる前記期間における前記基板支持部の前記中心位置と前記基板の前記中心位置との間の位置関係を算出するよう構成されている、
請求項１１に記載の基板処理システム。

【請求項13】

前記基板支持部は、環形状を有し基板支持面を構成する上面を有する第１の凸部、各々が該基板支持面を構成する上面を有し該第１の凸部の内側に配置された複数の第２の凸部、前記基板と該基板支持面との間の間隙に連通する複数のガス孔、及び該基板用の複数のリフターピンが挿入された複数のピン孔、からなる群から選択される少なくとも一つを含み、
前記第２の特徴パターンは、前記群から選択された前記少なくとも一つのパターンを反映している、
請求項１２に記載の基板処理システム。

【請求項14】

前記真空チャンバに接続された減圧チャンバを有するロードロックモジュールと、
前記減圧チャンバに接続された大気チャンバを有する大気搬送モジュールと、
を更に備え、
前記第２の測定器は、前記減圧チャンバ又は前記大気チャンバに接続されている、
請求項１～７の何れか一項に記載の基板処理システム。

【請求項15】

前記制御部は、前記基板に位置ずれが生じないよう調整する少なくとも一つの対策を作業者に提示し該少なくとも一つの対策のうち該作業者によって選択された対策を取得するように構成されたユーザインタフェースを有する、
請求項１～７の何れか一項に記載の基板処理システム。

【請求項16】

該基板処理システムは、複数の基板を連続して処理するように構成され、
前記制御部は、前記複数の基板のうち少なくとも一つの基板に対して、前記基板の位置ずれが、前記第１の期間及び／又は前記第２の期間、並びに前記中間期間のうち何れの期間で生じたかを推定するように構成されている、
請求項１～７の何れか一項に記載の基板処理システム。

【請求項17】

（ａ）処理チャンバの外部から基板支持部の上方の領域に基板を搬送する工程と、
（ｂ）前記基板支持部上の前記基板に対する処理を行う工程と、
（ｃ）前記基板支持部の上方の前記領域から前記処理チャンバの外部に前記基板を搬送する工程と、
（ｄ）前記（ａ）の工程における前記基板の第１の位置ずれ量及び／又は前記（ｃ）の工程における該基板の第２の位置ずれ量を取得する工程と、
（ｄ）前記（ｂ）の工程における前記基板支持部上での前記基板の第３の位置ずれ量を取得する工程と、
（ｅ）前記第１のずれ量及び／又は前記第２のずれ量、並びに前記第３のずれ量を用いて、前記基板の位置ずれが、前記（ａ）の工程及び／又は前記（ｃ）の工程、並びに前記（ｂ）の工程のうち何れで生じたかを推定する工程と、を備える、
基板処理方法。

【請求項18】

請求項１７に記載の基板処理方法を基板処理システムによって実行させるよう、該基板処理システムのコンピュータによって実行されるプログラム。

【請求項19】

請求項１８に記載のプログラムを記憶した記憶媒体。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示の例示的実施形態は、基板処理システム、基板処理方法、プログラム、及び記憶媒体に関するものである。

【背景技術】

【0002】

基板処理システムが基板に対する処理において用いられている。特許文献１に開示された基板処理システムは、搬送モジュール、位置検出センサ、及び制御部を含む。プロセスモジュールは、チャンバ及びチャンバ内に配置された基板支持部を含む。搬送モジュールは、基板を基板支持部上に搬送する。位置検出センサは、基板のずれを検出する。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１０－０９３１６９号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本開示は、基板処理システムにおいて基板がずれた期間を推定する技術を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0005】

一つの例示的実施形態において、基板処理システムが提供される。基板処理システムは、プロセスモジュール、搬送モジュール、第１の測定器、第２の測定器、記憶部、及び制御部を備える。プロセスモジュールは、処理チャンバ及び基板支持部を有する。基板支持部は、処理チャンバ内に配置されている。プロセスモジュールは、基板支持部上の基板に対する処理を行うように構成されている。搬送モジュールは、真空チャンバを有する。真空チャンバは、処理チャンバに接続されている。搬送モジュールは、基板を搬送するように構成されている。第１の測定器は、基板の第１の位置及び／又は基板の第２の位置を取得するように構成されている。基板の第１の位置は、第１の期間における基板の位置である。第１の期間は、搬送モジュールによって処理チャンバの外部から基板支持部の上方の領域に基板が搬送される期間である。基板の第２の位置は、第２の期間における基板の位置である。第２の期間は、搬送モジュールによって基板支持部の上方の領域から処理チャンバの外部に基板が搬送される期間である。第２の測定器は、基板の第３の位置を取得するように構成されている。基板の第３の位置は、中間期間における基板支持部上での基板の位置である。中間期間は、第１の期間と第２の期間との間の期間である。記憶部は、第１の基準位置及び／又は第２の基準位置、並びに第３の基準位置を記憶するように構成されている。第１の基準位置は、第１の位置と比較されるべき基板の予め定められた位置である。第２の基準位置は、第２の位置と比較されるべき基板の予め定められた位置である。第３の基準位置は、第３の位置と比較されるべき基板の予め定められた位置である。制御部は、第１のずれ量及び／又は第２のずれ量、並びに第３のずれ量を用いて、基板の位置ずれが、第１の期間及び／又は第２の期間、並びに中間期間のうち何れの期間で生じたかを推定するように構成されている。第１のずれ量は、第１の基準位置に対する第１の位置のずれ量である。第２のずれ量は、第２の基準位置に対する第２の位置のずれ量である。第３のずれ量は、第３の基準位置に対する第３の位置のずれ量である。

【発明の効果】

【0006】

一つの例示的実施形態によれば、基板処理システムにおいて基板がずれた期間が推定される。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】一つの例示的実施形態に係る基板処理システムを示す図である。

【図2】プラズマ基板処理システムの構成例を説明するための図である。

【図3】容量結合型のプラズマ処理装置の構成例を説明するための図である。

【図4】一つの例示的実施形態に係る静電チャックの上面図である。

【図5】図４に示す静電チャックの一つの例示的実施形態の部分拡大図である。

【図6】図６の（Ａ）～図６の（Ｅ）の各々は、第１の測定器によって第１の位置を測定する過程の一例を説明するため図である。

【図7】第１の測定器の測定領域と基板との位置関係の一例を説明するための図である。

【図8】図８の（Ａ）は、搬送ロボットの座標系での基板の移動の一例を説明するための図であり、図８の（Ｂ）は、基板の座標系での基板の移動の一例を説明するための図である。

【図9】基板の中心位置を算出する過程の一例を示す図である。

【図10】一つの例示的実施形態に係る基板及び静電チャックの部分拡大断面図である。

【図11】一つの例示的実施形態に係る第２の測定器の断面図である。

【図12】基板に対する処理が行われた一つの例示的実施形態に係る基板の画像を概略的に示す図である。

【図13】基板に対する処理が行われた別の例示的実施形態に係る基板の画像を概略的に示す図である。

【図14】基板に対する処理が行われた更に別の例示的実施形態に係る基板の画像を概略的に示す図である。

【図15】基板の中心位置と基板に対する処理の実行時の基板支持部の中心位置との間の位置関係を示す一つの例示的実施形態を示す図である。

【図16】別の例示的実施形態に係る撮像部の構成を示す図である。

【図17】基板に対する処理が行われた更に別の例示的実施形態に係る基板の画像を概略的に示す図である。

【図18】基板の位置とパターンの位置との位置関係を算出する過程の一例を示す図である。

【図19】基板の位置とパターンの位置との位置関係を算出する過程の別の一例を示す図である。

【図20】一つの例示的実施形態に係る基板処理方法を示す流れ図である。

【図21】別の例示的実施形態に係る基板処理システムを示す図である。

【図22】別の例示的実施形態に係る第１の測定器を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0008】

以下、図面を参照して種々の例示的実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。

【0009】

図１は、一つの例示的実施形態に係る基板処理システムを示す図である。図１に示すように、基板処理システムＰＳは、少なくとも一つのプロセスモジュール、搬送モジュールＴＭ、第１の測定器ＣＭ１、第２の測定器ＣＭ２、記憶部２ａ２、及び制御部２を備える。基板処理システムＰＳは、少なくとも一つのプロセスモジュールとして複数のプロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ６を備えてもよく、複数の第１の測定器ＣＭ１を備えていてもよい。基板処理システムＰＳは、ロードポートＬＰ１～ＬＰ４、アライナＡＮ、ロードロックモジュールＬＬ１，ＬＬ２、及びストレージＳＲを更に備えていてもよい。

【0010】

基板処理システムＰＳは、ローダモジュールＬＭを更に備えていてもよい。ローダモジュールＬＭは、大気搬送モジュールの一例である。ローダモジュールＬＭは、大気チャンバＡＣＨを含んでいる。ローダモジュールＬＭの大気チャンバＡＣＨ内の圧力は、大気圧に設定される。ローダモジュールＬＭは、ＦＦＵ（Ｆａｎ Ｆｉｌｔｅｒ Ｕｎｉｔ）を有していてもよい。ローダモジュールＬＭは、例えばＥＦＥＭ（Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ Ｆｒｏｎｔ Ｅｎｄ Ｍｏｄｕｌｅ）である。ローダモジュールＬＭは、ロードポートＬＰ１～ＬＰ４の各々とロードロックモジュールＬＬ１，ＬＬ２の各々との間に配置されている。ロードポートＬＰ１～ＬＰ４は、ローダモジュールＬＭの長手方向に沿った一対の縁部のうち一方に沿って配列されている。ロードロックモジュールＬＬ１，ＬＬ２は、ローダモジュールＬＭの長手方向に沿った一対の縁部のうち他方に沿って配列されている。ロードポートＬＰ１～ＬＰ４の各々は、その上に載置されるカセットＣＳＴを支持するように構成されている。カセットＣＳＴは、その中に複数の基板Ｗを収容する容器である。カセットＣＳＴは、例えばＦＯＵＰ（Ｆｒｏｎｔ－Ｏｐｅｎｉｎｇ Ｕｎｉｆｉｅｄ Ｐｏｄ）である。

【0011】

ローダモジュールＬＭは、搬送ロボットＴＲ３を含む。搬送ロボットＴＲ３は、ローダモジュールＬＭの大気チャンバＡＣＨの中に配置されている。搬送ロボットＴＲ３は、多関節アームＡＲ３１及びエンドエフェクタＦＫ３１を含んでいてもよい。エンドエフェクタＦＫ３１は、多関節アームＡＲ３１の先端に取り付けられており、その上に載置される基板Ｗを支持するように構成されている。搬送ロボットＴＲ３は、後述する制御部２が出力する動作指示に基づいて基板Ｗを搬送する。搬送ロボットＴＲ３は、基板Ｗを、ロードポートＬＰ１～ＬＰ４のうち少なくとも一つの上に載置されるカセットＣＳＴ、ロードロックモジュールＬＬ１，ＬＬ２、アライナＡＮ、ストレージＳＲ、及び後述する第２の測定器ＣＭ２のうち何れか二つの間で基板Ｗを搬送する。

【0012】

アライナＡＮは、ローダモジュールＬＭの短手方向に沿った一対の縁部のうち一方に沿って配置されている。アライナＡＮは、ローダモジュールＬＭの長手方向に沿った縁部に沿って配置されていてもよい。また、アライナＡＮは、ローダモジュールＬＭの大気チャンバＡＣＨの中に配置されていてもよい。アライナＡＮは、支持台、光学センサ等を有する。アライナＡＮの支持台は、回転可能であり、その上に載置される基板Ｗを支持する。アライナＡＮは、支持台上での基板Ｗのマーカー（例えばノッチ）の角度位置及び支持台上での基板Ｗの中心位置を、光学センサを用いて検出する。制御部２は、基板Ｗの角度位置のずれ量を補正するように、支持台上での基板Ｗのマーカー（例えばノッチ）の角度位置を基準角度位置に補正するよう、アライナＡＮの支持台の回転を制御する。また、制御部２は、エンドエフェクタＦＫ３１の所定位置上に基板Ｗの中心を位置させるために、アライナＡＮから基板ＷをエンドエフェクタＦＫ３１上に受け取る際のエンドエフェクタＦＫ３１の位置を制御する。

【0013】

ストレージＳＲは、ローダモジュールＬＭの長手方向に沿った縁部に沿って配置されている。ストレージＳＲは、ローダモジュールＬＭの短手方向に沿った縁部に沿って配置されていてもよい。また、ストレージＳＲは、ローダモジュールＬＭの内部に配置されていてもよい。ストレージＳＲは、基板Ｗをその中に収容するように構成されている。

【0014】

一実施形態において、第２の測定器ＣＭ２は、大気チャンバＡＣＨに接続されている。図１に示す例では、第２の測定器ＣＭ２は、ローダモジュールＬＭの長手方向に沿った縁部に沿って配置されている。第２の測定器ＣＭ２は、ローダモジュールＬＭの短手方向に沿った縁部に沿って配置されていてもよい。また、第２の測定器ＣＭ２は、ローダモジュールＬＭの内部に配置されていてもよい。第２の測定器ＣＭ２は、減圧チャンバに接続されていてもよい。第２の測定器ＣＭ２は、基板Ｗに対して画像検査を行うように構成されている。第２の測定器ＣＭ２の詳細については後述される。

【0015】

ロードロックモジュールＬＬ１，ＬＬ２の各々は、搬送モジュールＴＭとローダモジュールＬＭとの間に配置されている。ロードロックモジュールＬＬ１，ＬＬ２の各々は、減圧チャンバＤＣＨ１，ＤＣＨ２を提供している。ロードロックモジュールＬＬ１，ＬＬ２の各々とローダモジュールＬＭは、ゲートバルブＧ３を介して接続されている。ロードロックモジュールＬＬ１，ＬＬ２の各々と搬送モジュールＴＭは、ゲートバルブＧ２を介して接続されている。

【0016】

一実施形態において、搬送モジュールＴＭは、真空チャンバＶＣＨを含んでいてもよい。図１に示す例では、搬送モジュールＴＭは、真空チャンバＶＣＨ内の減圧された空間を介して基板Ｗを搬送するように構成されている。真空チャンバＶＣＨは、ゲートバルブＧ２を介してロードロックモジュールＬＬ１，ＬＬ２の各々と接続されている。真空チャンバＶＣＨには、プロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ６がゲートバルブＧ１を介して接続されている。

【0017】

一実施形態において、搬送モジュールＴＭは、真空チャンバＶＣＨ内に配置された搬送ロボットＴＲを含んでいてもよい。搬送ロボットＴＲは、多関節アームＡＲ１１，ＡＲ１２及びエンドエフェクタＦＫ１１,ＦＫ１２を含んでいてもよい。エンドエフェクタＦＫ１１は、多関節アームＡＲ１１の先端に取り付けられており、その上に載置される基板Ｗを支持するように構成されている。エンドエフェクタＦＫ１２は、多関節アームＡＲ１２の先端に取り付けられており、その上に載置される基板Ｗを支持するように構成されている。搬送ロボットＴＲは、後述する制御部２が出力する動作指示に基づいて基板Ｗを搬送する。

【0018】

搬送ロボットＴＲは、エンドエフェクタＦＫ１１，ＦＫ１２によって基板Ｗを保持する。搬送ロボットＴＲは、ロードロックモジュールＬＬ１，ＬＬ２、プロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ６、及び搬送モジュールＴＭの真空チャンバＶＣＨとの間のパスのうち何れか二つの間で、基板Ｗを搬送する。一実施形態において、搬送モジュールＴＭは、真空パッドを有していてもよい。真空パッドは、エンドエフェクタに含まれうる。真空パッドは、エンドエフェクタＦＫ１１，ＦＫ１２上の基板Ｗを真空吸着するように構成されている。

【0019】

一実施形態において、プロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ６の各々は、基板Ｗに対して専用の処理を行うように構成されている。プロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ６のうち少なくとも一つは、後述するプラズマ処理装置１のような基板処理システムである。

【0020】

制御部２は、例えばコンピュータである。制御部２は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、及び補助記憶装置等から構成され得る。ＣＰＵは、ＲＯＭ又は補助記憶装置に格納されたプログラムに基づいて動作し、基板処理システムＰＳの各部を制御する。

【0021】

なお、基板処理システムＰＳは、必ずしも図１に示すものに限定されない。例えば、基板処理システムにおけるプロセスモジュールの数及び／又は搬送モジュールの数は、図１に示すものとは異なっていてもよい。例えば、ロードポートの数は、５以上であってもよく、ロードポートの数は任意の数であり得る。また、基板処理システムは、各々がプロセスモジュールとロードロックモジュールを含む複数のモジュール群をローダモジュールに連結させたシステム（所謂ローダー型システム）であってもよい。また、基板処理システムは、搬送モジュールの周囲に二つ以上のプロセスモジュールを、該搬送モジュールを取り囲むように並べて連結したシステム（所謂クラスタ型システム）であってもよい。

【0022】

以下、図２及び図３を参照する。図２に示すプラズマ処理システムは、基板処理システムＰＳの一例である。図３に示すプラズマ処理装置の一例は、プロセスモジュールＰＭ１～１２のうち少なくとも一つのプロセスモジュールとして採用される。

【0023】

図２は、プラズマ処理システムの構成例を説明するための図である。一実施形態において、プラズマ処理システムは、プラズマ処理装置１及び制御部２を含む。プラズマ処理システムは、基板処理システムの一例であり、プラズマ処理装置１は、基板処理システムの一例である。プラズマ処理装置１は、プラズマ処理チャンバ１０、基板支持部１１及びプラズマ生成部１２を含む。プラズマ処理チャンバ１０は、プラズマ処理空間を有する。また、プラズマ処理チャンバ１０は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間に供給するための少なくとも１つのガス供給口と、プラズマ処理空間からガスを排出するための少なくとも１つのガス排出口とを有する。ガス供給口は、後述するガス供給部２０に接続され、ガス排出口は、後述する排気システム４０に接続される。基板支持部１１は、プラズマ処理空間内に配置され、基板を支持するための基板支持面１１ａを有する。

【0024】

プラズマ生成部１２は、プラズマ処理空間内に供給された少なくとも１つの処理ガスからプラズマを生成するように構成される。プラズマ処理空間において形成されるプラズマは、容量結合プラズマ（ＣＣＰ：ＣａｐａｃｉｔｉｖｅｌｙＣｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ）、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ：Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ）、ＥＣＲプラズマ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ－Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ－Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ Ｐｌａｓｍａ）、ヘリコン波励起プラズマ（ＨＷＰ：ＨｅｌｉｃｏｎＷａｖｅ Ｐｌａｓｍａ）、又は、表面波プラズマ（ＳＷＰ：Ｓｕｒｆａｃｅ Ｗａｖｅ Ｐｌａｓｍａ）等であってもよい。また、ＡＣ（Ａｌｔｅｒｎａｔｉｎｇ Ｃｕｒｒｅｎｔ）プラズマ生成部及びＤＣ（ＤｉｒｅｃｔＣｕｒｒｅｎｔ）プラズマ生成部を含む、種々のタイプのプラズマ生成部が用いられてもよい。一実施形態において、ＡＣプラズマ生成部で用いられるＡＣ信号（ＡＣ電力）は、１００ｋＨｚ～１０ＧＨｚの範囲内の周波数を有する。従って、ＡＣ信号は、ＲＦ（ＲａｄｉｏＦｒｅｑｕｅｎｃｙ）信号及びマイクロ波信号を含む。一実施形態において、ＲＦ信号は、１００ｋＨｚ～１５０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。

【0025】

制御部２は、本開示において述べられる種々の工程をプラズマ処理装置１に実行させるコンピュータ実行可能な命令を処理する。制御部２は、ここで述べられる種々の工程を実行するようにプラズマ処理装置１の各要素を制御するように構成され得る。一実施形態において、制御部２の一部又は全てがプラズマ処理装置１に含まれてもよい。制御部２は、処理部２ａ１、記憶部２ａ２及びインターフェース２ａ３を含んでもよい。制御部２は、例えばコンピュータ２ａにより実現される。処理部２ａ１は、記憶部２ａ２からプログラムを読み出し、読み出されたプログラムを実行することにより種々の制御動作を行うように構成され得る。このプログラムは、予め記憶部２ａ２に格納されていてもよく、必要なときに、媒体を介して取得されてもよい。取得されたプログラムは、記憶部２ａ２に格納され、処理部２ａ１によって記憶部２ａ２から読み出されて実行される。媒体は、コンピュータ２ａに読み取り可能な種々の記憶媒体であってもよく、インターフェース２ａ３に接続されている通信回線であってもよい。処理部２ａ１は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）であってもよい。記憶部２ａ２は、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ Ｄｉｓｋ Ｄｒｉｖｅ）、ＳＳＤ（Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｄｒｉｖｅ）、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。インターフェース２ａ３は、ＬＡＮ（Ｌｏｃａｌ Ａｒｅａ Ｎｅｔｗｏｒｋ）等の通信回線を介してプラズマ処理装置１との間で通信してもよい。

【0026】

一実施形態において、インターフェース２ａ３は、ユーザインタフェースを提供してもよい。ユーザインタフェースは、外部機器ＣＵとの接続を提供する。外部機器ＣＵは、ディスプレイ、スピーカ、タッチスクリーン、キーボード、マウス、及び／又はその他の適切なデバイスを含んでいてもよい。

【0027】

一実施形態において、第２の測定器ＣＭ２は、抽出部２ｂ１及び算出部２ｂ２を備える。図２に示す例では、抽出部２ｂ１及び算出部２ｂ２は、処理部２ａ１に含まれる。抽出部２ｂ１及び算出部２ｂ２の詳細については後述する。

【0028】

以下に、プラズマ処理装置１の一例としての容量結合型のプラズマ処理装置の構成例について説明する。図３は、容量結合型のプラズマ処理装置の構成例を説明するための図である。

【0029】

容量結合型のプラズマ処理装置１は、プラズマ処理チャンバ１０、ガス供給部２０、電源３０及び排気システム４０を含む。また、プラズマ処理装置１は、基板支持部１１及びガス導入部を含む。ガス導入部は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理チャンバ１０内に導入するように構成される。ガス導入部は、シャワーヘッド１３を含む。基板支持部１１は、プラズマ処理チャンバ１０内に配置される。シャワーヘッド１３は、基板支持部１１の上方に配置される。一実施形態において、シャワーヘッド１３は、プラズマ処理チャンバ１０の天部（ｃｅｉｌｉｎｇ）の少なくとも一部を構成する。プラズマ処理チャンバ１０は、シャワーヘッド１３、プラズマ処理チャンバ１０の側壁１０ａ及び基板支持部１１により規定されたプラズマ処理空間１０ｓを有する。プラズマ処理チャンバ１０は接地される。シャワーヘッド１３及び基板支持部１１は、プラズマ処理チャンバ１０の筐体とは電気的に絶縁される。

【0030】

基板支持部１１は、本体部５及びリングアセンブリ１１２を含む。本体部５は、基板Ｗを支持するための中央領域５ａと、リングアセンブリ１１２を支持するための環状領域５ｂとを有する。ウェハは基板Ｗの一例である。本体部５の環状領域５ｂは、平面視で本体部５の中央領域５ａを囲んでいる。基板Ｗは、本体部５の中央領域５ａ上に配置され、リングアセンブリ１１２は、本体部５の中央領域５ａ上の基板Ｗを囲むように本体部５の環状領域５ｂ上に配置される。従って、中央領域５ａは、その上に載置される基板Ｗを支持する基板支持面１１ａを含み、環状領域５ｂは、その上に載置されるリングアセンブリ１１２を支持するリング支持面を含む。

【0031】

一実施形態において、本体部５は、基台５０及び静電チャック５１を含む。基台５０は、導電性部材を含む。基台５０の導電性部材は下部電極として機能し得る。静電チャック５１は、基台５０の上に配置される。静電チャック５１は、セラミック部材５１ａとセラミック部材５１ａ内に配置される静電電極５１ｂとを含む。静電電極５１ｂには、基板支持部１１上に支持された基板Ｗを保持するための電圧が印加される。セラミック部材５１ａは、中央領域５ａを有する。一実施形態において、セラミック部材５１ａは、環状領域５ｂも有する。なお、環状静電チャックや環状絶縁部材のような、静電チャック５１を囲む他の部材が環状領域５ｂを有してもよい。この場合、リングアセンブリ１１２は、環状静電チャック又は環状絶縁部材の上に配置されてもよく、静電チャック５１と環状絶縁部材の両方の上に配置されてもよい。また、後述するＲＦ電源３１及び／又はＤＣ電源３２に結合される少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極がセラミック部材５１ａ内に配置されてもよい。この場合、少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極が下部電極として機能する。後述するバイアスＲＦ信号及び／又はＤＣ信号が少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極に供給される場合、ＲＦ／ＤＣ電極はバイアス電極とも呼ばれる。なお、基台５０の導電性部材と少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極とが複数の下部電極として機能してもよい。また、静電電極５１ｂが下部電極として機能してもよい。従って、基板支持部１１は、少なくとも１つの下部電極を含む。

【0032】

リングアセンブリ１１２は、１又は複数の環状部材を含む。一実施形態において、１又は複数の環状部材は、１又は複数のエッジリングと少なくとも１つのカバーリングとを含む。エッジリングは、導電性材料又は絶縁材料で形成され、カバーリングは、絶縁材料で形成される。

【0033】

また、基板支持部１１は、静電チャック５１、リングアセンブリ１１２及び基板のうち少なくとも１つをターゲット温度に調節するように構成される温調モジュールを含んでもよい。温調モジュールは、ヒータ、伝熱媒体、流路５０ａ、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。流路５０ａには、ブラインやガスのような伝熱流体が流れる。一実施形態において、流路５０ａが基台５０内に形成され、１又は複数のヒータが静電チャック５１のセラミック部材５１ａ内に配置される。また、基板支持部１１は、基板Ｗの裏面と中央領域５ａとの間の間隙に伝熱ガスを供給するように構成された伝熱ガス供給部を含んでもよい。

【0034】

シャワーヘッド１３は、ガス供給部２０からの少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間１０ｓ内に導入するように構成される。シャワーヘッド１３は、少なくとも１つのガス供給口１３ａ、少なくとも１つのガス拡散室１３ｂ、及び複数のガス導入口１３ｃを有する。ガス供給口１３ａに供給された処理ガスは、ガス拡散室１３ｂを通過して複数のガス導入口１３ｃからプラズマ処理空間１０ｓ内に導入される。また、シャワーヘッド１３は、少なくとも１つの上部電極を含む。なお、ガス導入部は、シャワーヘッド１３に加えて、側壁１０ａに形成された１又は複数の開口部に取り付けられる１又は複数のサイドガス注入部（ＳＧＩ：Ｓｉｄｅ Ｇａｓ Ｉｎｊｅｃｔｏｒ）を含んでもよい。

【0035】

ガス供給部２０は、少なくとも１つのガスソース２１及び少なくとも１つの流量制御器２２を含んでもよい。一実施形態において、ガス供給部２０は、少なくとも１つの処理ガスを、それぞれに対応のガスソース２１からそれぞれに対応の流量制御器２２を介してシャワーヘッド１３に供給するように構成される。各流量制御器２２は、例えばマスフローコントローラ又は圧力制御式の流量制御器を含んでもよい。さらに、ガス供給部２０は、少なくとも１つの処理ガスの流量を変調又はパルス化する少なくとも１つの流量変調デバイスを含んでもよい。

【0036】

電源３０は、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介してプラズマ処理チャンバ１０に結合されるＲＦ電源３１を含む。ＲＦ電源３１は、少なくとも１つのＲＦ信号（ＲＦ電力）を少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に供給するように構成される。これにより、プラズマ処理空間１０ｓに供給された少なくとも１つの処理ガスからプラズマが形成される。従って、ＲＦ電源３１は、プラズマ生成部１２の少なくとも一部として機能し得る。また、バイアスＲＦ信号を少なくとも１つの下部電極に供給することにより、基板Ｗにバイアス電位が発生し、形成されたプラズマ中のイオン成分を基板Ｗに引き込むことができる。

【0037】

一実施形態において、ＲＦ電源３１は、第１のＲＦ生成部３１ａ及び第２のＲＦ生成部３１ｂを含む。第１のＲＦ生成部３１ａは、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介して少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に結合され、プラズマ生成用のソースＲＦ信号（ソースＲＦ電力）を生成するように構成される。一実施形態において、ソースＲＦ信号は、１０ＭＨｚ～１５０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。一実施形態において、第１のＲＦ生成部３１ａは、異なる周波数を有する複数のソースＲＦ信号を生成するように構成されてもよい。生成された１又は複数のソースＲＦ信号は、少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に供給される。

【0038】

第２のＲＦ生成部３１ｂは、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介して少なくとも１つの下部電極に結合され、バイアスＲＦ信号（バイアスＲＦ電力）を生成するように構成される。バイアスＲＦ信号の周波数は、ソースＲＦ信号の周波数と同じであっても異なっていてもよい。一実施形態において、バイアスＲＦ信号は、ソースＲＦ信号の周波数よりも低い周波数を有する。一実施形態において、バイアスＲＦ信号は、１００ｋＨｚ～６０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。一実施形態において、第２のＲＦ生成部３１ｂは、異なる周波数を有する複数のバイアスＲＦ信号を生成するように構成されてもよい。生成された１又は複数のバイアスＲＦ信号は、少なくとも１つの下部電極に供給される。また、種々の実施形態において、ソースＲＦ信号及びバイアスＲＦ信号のうち少なくとも１つがパルス化されてもよい。

【0039】

また、電源３０は、プラズマ処理チャンバ１０に結合されるＤＣ電源３２を含んでもよい。ＤＣ電源３２は、第１のＤＣ生成部３２ａ及び第２のＤＣ生成部３２ｂを含む。一実施形態において、第１のＤＣ生成部３２ａは、少なくとも１つの下部電極に接続され、第１のＤＣ信号を生成するように構成される。生成された第１のＤＣ信号は、少なくとも１つの下部電極に印加される。一実施形態において、第２のＤＣ生成部３２ｂは、少なくとも１つの上部電極に接続され、第２のＤＣ信号を生成するように構成される。生成された第２のＤＣ信号は、少なくとも１つの上部電極に印加される。

【0040】

種々の実施形態において、第１及び第２のＤＣ信号がパルス化されてもよい。この場合、電圧パルスのシーケンスが少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に印加される。電圧パルスは、矩形、台形、三角形又はこれらの組み合わせのパルス波形を有してもよい。一実施形態において、ＤＣ信号から電圧パルスのシーケンスを生成するための波形生成部が第１のＤＣ生成部３２ａと少なくとも１つの下部電極との間に接続される。従って、第１のＤＣ生成部３２ａ及び波形生成部は、電圧パルス生成部を構成する。第２のＤＣ生成部３２ｂ及び波形生成部が電圧パルス生成部を構成する場合、電圧パルス生成部は、少なくとも１つの上部電極に接続される。電圧パルスは、正の極性を有してもよく、負の極性を有してもよい。また、電圧パルスのシーケンスは、１周期内に１又は複数の正極性電圧パルスと１又は複数の負極性電圧パルスとを含んでもよい。なお、第１及び第２のＤＣ生成部３２ａ，３２ｂは、ＲＦ電源３１に加えて設けられてもよく、第１のＤＣ生成部３２ａが第２のＲＦ生成部３１ｂに代えて設けられてもよい。

【0041】

排気システム４０は、例えばプラズマ処理チャンバ１０の底部に設けられたガス排出口１０ｅに接続され得る。排気システム４０は、圧力調整弁及び真空ポンプを含んでもよい。圧力調整弁によって、プラズマ処理空間１０ｓ内の圧力が調整される。真空ポンプは、ターボ分子ポンプ、ドライポンプ又はこれらの組み合わせを含んでもよい。

【0042】

以下、図４及び図５を参照する。図４は、一つの例示的実施形態に係る静電チャックの上面図である。図５は、図４に示す静電チャックの一つの例示的実施形態の部分拡大図である。

【0043】

一実施形態において、静電チャック５１は、第１の凸部５１ｃ（又はシールリング）及び複数の第２の凸部５１ｄ（又はドット部）を含んでいてもよい。第１の凸部５１ｃ及び複数の第２の凸部５１ｄは、静電チャック５１の表面構造に含まれる。第１の凸部５１ｃは、環形状を有する。第１の凸部５１ｃは、基板支持面１１ａの一部を構成する上面を有する。図４に示すように、第１の凸部５１ｃは、基板支持面１１ａの外縁に沿う環形状を有していてもよい。この場合には、第１の凸部５１ｃのパターンは、基板支持面１１ａの外縁に沿う環形状である。

【0044】

複数の第２の凸部５１ｄの各々は、基板支持面１１ａの一部を構成する上面を有する。複数の第２の凸部５１ｄは、第１の凸部５１ｃの内側に配置されている。図４に示す例では、複数の第２の凸部５１ｄは、基板支持面１１ａの外縁の内側に配置されている。なお、図４においては、複数の第２の凸部５１ｄの各々は、図示を省略されている。図５に示すように、複数の第２の凸部５１ｄは、基板支持部１１の中心位置１１ｃをその中心とするパターンを形成していてもよい。図５に示す例では、複数の第２の凸部５１ｄは、基板支持部１１の中心位置１１ｃをその中心とする円周に沿って略等間隔に配置されている。複数の第２の凸部５１ｄは、基板支持部１１の中心位置１１ｃをその中心とする複数の同心円に沿って配置されていてもよく、基板支持部１１の中心位置１１ｃをその中心とする同心の複数の多角形に沿って配置されていてもよい。

【0045】

一実施形態において、基板支持部１１は、複数のガス孔５ｃを含んでいてもよい。複数のガス孔５ｃは、静電チャック５１の表面構造に含まれる。図４に示す例では、複数のガス孔５ｃは、１２個のガス孔５ｃから構成される。複数のガス孔５ｃは、基板Ｗと静電チャック５１との間の間隙に連通する。基板Ｗと静電チャック５１との間の間隙は、上述した基板Ｗの裏面と中央領域５ａとの間の間隙に相当する。一例において、複数のガス孔５ｃの各々は、互いに連通する静電チャック５１の貫通孔及び基台５０の貫通孔から構成される。伝熱ガス供給部は、複数のガス孔５ｃを介して、基板Ｗと静電チャック５１との間の間隙に伝熱ガスを供給するように構成され得る。

【0046】

図４に示すように、複数のガス孔５ｃは、基板支持部１１の中心位置１１ｃをその中心とするパターンを形成していてもよい。図４に示す例では、複数のガス孔５ｃは、基板支持部１１の中心位置１１ｃをその中心とする六角形の頂点に配置されている。この場合には、複数のガス孔５ｃのパターンは、六角形を含む。より詳細には、１２個のガス孔５ｃのうち６個のガス孔は、第１の正六角形の頂点に配置され、１２個のガス孔５ｃのうち別の６個のガス孔は、第１の正六角形の内側に位置する第２の正六角形の頂点に配置されている。

【0047】

一実施形態において、基板支持部１１は、基板Ｗ用の複数のリフターピン５ｅと、該複数のリフターピン５ｅが挿入された複数のピン孔５ｄを含んでいてもよい。複数のピン孔５ｄは、静電チャック５１の表面構造に含まれる。図４に示す例では、複数のピン孔５ｄは３個のピン孔５ｄから構成される。一例において、複数のピン孔５ｄの各々は、互いに連通する静電チャック５１の貫通孔及び基台５０の貫通孔から構成される。複数のピン孔５ｄには、基板Ｗを昇降可能に構成された複数のリフターピン５ｅが挿通される。

【0048】

図４に示すように、複数のピン孔５ｄは、基板支持部１１の中心位置１１ｃをその中心とする規則的なパターンを形成していてもよい。図４に示す例では、複数のピン孔５ｄは、基板支持部１１の中心位置１１ｃをその中心とする正三角形の頂点に配置されている。この場合には、複数のピン孔５ｄのパターンは、三角形を含む。

【0049】

搬送モジュールＴＭは、基板Ｗを基板支持部１１の上方の領域に搬送するように構成されている。一実施形態において、複数のリフターピン５ｅは、基板支持部１１の上方の領域と基板支持部１１上の領域との間で、基板Ｗを昇降するように構成されている。基板支持部１１の上方の領域は、上昇した複数のリフターピン５ｅ上の領域を含み得る。搬送モジュールＴＭは、処理チャンバ１０の外部から搬送する基板Ｗを、上昇した複数のリフターピン５ｅ上に載置してもよい。

【0050】

搬送モジュールＴＭによって処理チャンバ１０の外部から基板支持部１１の上方の領域に基板Ｗが搬送される期間は、第１の期間として規定され、第１の期間における基板Ｗの位置は、第１の位置として規定される。搬送モジュールＴＭによって基板支持部１１の上方の領域から処理チャンバ１０の外部に基板Ｗが搬送される期間は、第２の期間として規定され、第２の期間における基板Ｗの位置は、第２の位置として規定される。第１の測定器ＣＭ１は、基板Ｗの第１の位置及び／又は基板Ｗの第２の位置を取得するように構成されている。

【0051】

一実施形態において、第１の測定器ＣＭ１は、真空チャンバＶＣＨ内に測定領域を提供し、測定領域を通過する基板Ｗの位置を測定するように構成される。図１に示されるように、第１の測定器ＣＭ１は、真空チャンバＶＣＨ内に配置された二つの光学センサ（光学センサ８１ａ，８１ｂ）を含んでいてもよい。光学センサ８１ａ，８１ｂは、その上方に測定領域を提供する。光学センサ８１ａ，８１ｂは、真空チャンバＶＣＨにおいてゲートバルブＧ１の前に配置され得る。光学センサ８１ａ，８１ｂは、真空チャンバＶＣＨからゲートバルブＧ１を見て、右側に光学センサ８１ａが位置し、左側に光学センサ８１ｂが位置するように、互いに対向している。光学センサ８１ａと光学センサ８１ｂとは、基板Ｗの直径よりも小さい間隔で互いに離隔している。

【0052】

光学センサ８１ａ，８１ｂの各々は、投光部及び受光部を含んでいてもよい。投光部及び受光部は、上下方向に沿って互いに対向するように配置される。投光部は、受光部に向けて光を出射する。投光部が出射する光は、レーザ光又は拡散光を含みうる。投光部は、ＬＥＤを含んでいてもよく、ＬＥＤ以外の発光体を含んでいてもよい。光学センサ８１ａ，８１ｂは、プロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ６の各々の処理チャンバ１０と真空チャンバＶＣＨとの間に配置されていればよい。一例において、処理チャンバ１０が接続部を介して真空チャンバＶＣＨに接続されている場合には、光学センサ８１ａ，８１ｂは、ゲートバルブＧ１の奥に位置する接続部の中に配置されていてもよい。光学センサ８１ａ，８１ｂは、ゲートバルブＧ１に隣接した位置に配置されていればよい。

【0053】

一実施形態において、搬送モジュールＴＭは、第１の期間のうち真空チャンバＶＣＨから処理チャンバ１０に基板Ｗが搬送される期間及び／又は第２の期間のうち処理チャンバ１０から真空チャンバＶＣＨに基板Ｗが搬送される期間において、第１の測定器ＣＭ１の測定領域に基板Ｗを通過させるように構成されている。一例において、搬送モジュールＴＭは、光学センサ８１ａ，８１ｂの上方に提供される測定領域に基板Ｗを通過させる。

【0054】

図６の（Ａ）～図６の（Ｅ）の各々は、第１の測定器によって第１の位置を測定する過程の一例を説明するための図である。図６の（Ａ）～図６の（Ｅ）は、第１の期間のうち真空チャンバＶＣＨから処理チャンバ１０に基板Ｗが搬送される期間における、光学センサ８１ａ，８１ｂ、基板Ｗ、及びエンドエフェクタＦＫ１１の相対的な位置関係の変化を示している。なお、図６の（Ａ）～図６の（Ｅ）の各々では、エンドエフェクタＦＫ１１が示されているが、エンドエフェクタＦＫ１２が用いられてもよい。光学センサ８１ａ，８１ｂの各々は、測定領域を通過する基板Ｗのエッジを検知する。制御部２は、基板Ｗのエッジが測定領域を通過したときの、搬送ロボットＴＲの位置を取得し得る。一例において、制御部２は、搬送ロボットＴＲの位置として、エンドエフェクタＦＫ１１の重心位置の座標を取得する。なお、第１の測定器ＣＭ１は、制御部２とは別の制御部を含んでいてもよい。

【0055】

図６の（Ａ）～図６の（Ｅ）の各々では、基板Ｗは、光学センサ８１ａよりも光学センサ８１ｂの近くに位置している。最初に、図６の（Ｂ）に示すように、光学センサ８１ｂが基板Ｗを検知する。制御部２は、光学センサ８１ｂが基板Ｗを検知したときのエンドエフェクタＦＫ１１の重心位置８２ａを取得する。次に、図６の（Ｃ）に示すように、光学センサ８１ａが基板Ｗを検知する。制御部２は、光学センサ８１ａが基板Ｗを検知したときのエンドエフェクタＦＫ１１の重心位置８２ｂを取得する。次に、図６の（Ｄ）に示すように、光学センサ８１ａが基板Ｗを検知する。制御部２は、光学センサ８１ａが基板Ｗを検知したときのエンドエフェクタＦＫ１１の重心位置８２ｃを取得する。最後に、図６の（Ｅ）に示すように、光学センサ８１ｂが基板Ｗを検知する。制御部２は、光学センサ８１ｂが基板Ｗを検知したときのエンドエフェクタＦＫ１１の重心位置８２ｄを取得する。

【0056】

なお、図６の（Ｅ）から図６の（Ａ）まで逆順に参照すれば、第２の期間のうち処理チャンバ１０から真空チャンバＶＣＨに基板が搬送される期間における光学センサ８１ａ，８１ｂ、基板Ｗ、及びエンドエフェクタＦＫ１１の相対的な位置関係の変化が示される。上述した第１の測定器によって第１の位置を測定する過程の一例の逆順に沿って、第１の測定器によって第２の位置を測定する過程の一例が説明される。

【0057】

図７は、第１の測定器の測定領域と基板との位置関係の一例を説明するための図である。重心位置８２ａ，８２ｂ，８２ｃ，８２ｄの各々は、搬送ロボットＴＲの座標系での重心位置の移動を示している。制御部２は、重心位置８２ａを中心に基板Ｗの半径ｒと同じ長さの半径を有する円８３ａと、重心位置８２ｄを中心に基板Ｗの半径ｒと同じ長さの半径を有する円８３ｄとの交点を、搬送ロボットＴＲの座標系での基板Ｗの位置８４ｂとして取得する。制御部２は、重心位置８２ｂを中心に基板Ｗの半径ｒと同じ長さの半径を有する円８３ｂと、重心位置８２ｃを中心に基板Ｗの半径ｒと同じ長さの半径を有する円８３ｃとの交点を、搬送ロボットＴＲの座標系での基板Ｗの位置８４ａとして取得する。第１の期間における基板Ｗの第１の位置は、位置８４ａ，８４ｂを含んでいてもよい。第２の期間における基板Ｗの第２の位置は、位置８４ａ，８４ｂを含んでいてもよい。

【0058】

記憶部２ａ２は、第１の位置と比較されるべき基板Ｗの予め定められた第１の基準位置及び／又は第２の位置と比較されるべき基板Ｗの予め定められた第２の基準位置を記憶するように構成されている。第１の基準位置と第２の基準位置とは、同一であってもよい。制御部２は、第１の基準位置に対する第１の位置の第１のずれ量を取得する。一例において、制御部２は、第１のずれ量が閾値よりも大きい場合には、基板Ｗの位置ずれが生じたと判定する。制御部２は、第２の基準位置に対する第２の位置の第２のずれ量を取得する。一例において、制御部２は、第２のずれ量が閾値よりも大きい場合には、基板Ｗの位置ずれが生じたと判定する。制御部２は、第１の基準位置及び／又は第２の基準位置に対する、位置８４ａ，８４ｂの第１のずれ量及び／又は第２のずれ量を取得してもよい。

【0059】

一実施形態において、第１の測定器ＣＭ１は、基板Ｗの中心位置を取得するように構成されていてもよい。第１の基準位置は、基板Ｗの中心位置で規定されていてもよい。図８の（Ａ）は、搬送ロボットの座標系での基板の移動の一例を説明するための図であり、図８の（Ｂ）は、基板の座標系での基板の移動の一例を説明するための図である。図８の（Ａ）に示す搬送ロボットＴＲの座標系での原点８５ｃ、座標８５ａ、及び座標８５ｂは、図８の（Ｂ）に示す基板Ｗの座標系での原点８６ｃ、座標８６ａ、及び座標８６ｂにそれぞれ対応する。

【0060】

一例において、搬送ロボットＴＲは、エンドエフェクタＦＫ１１の重心位置を搬送ロボットＴＲの座標位置として教示されていてもよい。座標８５ａは、光学センサ８１ａが基板Ｗを最初に検知したときのエンドエフェクタＦＫ１１の重心位置である。座標８５ｂは、光学センサ８１ａが基板Ｗを次に検知したときのエンドエフェクタＦＫ１１の重心位置である。基板Ｗの座標系での原点８６ｃから座標８６ａへの移動ベクトルは、搬送ロボットＴＲの座標系での原点８５ｃから座標８５ａへの移動ベクトルの逆ベクトルとして算出される。基板Ｗの座標系での座標８６ａから座標８６ｂへの移動ベクトルは、搬送ロボットＴＲの座標系での座標８５ａから座標８５ｂへの移動ベクトルの逆ベクトルとして算出される。

【0061】

図９は、基板の中心位置を算出する過程の一例を示す図である。以下では、図９を参照して、基板Ｗの中心位置を取得する一例について説明する。最初に、座標８６ａと座標８６ｂとの間の中点の座標８６ｇが算出される。座標８６ａ及び座標８６ｂは、基板Ｗのエッジに対応するので、基板Ｗの中心位置８６ｈ、中点の座標８６ｇ、及びエッジの座標８６ａは、斜辺の長さが基板Ｗの半径ｒと等しい直角三角形を構成する。

【0062】

エッジの座標８６ａから中点の座標８６ｇへのベクトルをベクトル８７ａとし、中点の座標８６ｇから中心位置８６ｈへのベクトルをベクトル８７ｂとする。ベクトル８７ａのスカラー量は、エッジの座標８６ａ及び中点の座標８６ｇから算出される。したがって、ベクトル８７ａのスカラー量及び基板Ｗの半径ｒから、ベクトル８７ｂが算出され得る。制御部２は、中点の座標８６ｇからベクトル８７ｂだけ移動した位置を、基板Ｗの中心位置８６ｈとして取得し得る。第１の期間における基板Ｗの第１の位置は、中心位置８６ｈを含んでいてもよい。第２の期間における基板Ｗの第２の位置は、中心位置８６ｈを含んでいてもよい。

【0063】

第１の期間と第２の期間との間の期間は、中間期間として規定され、中間期間における基板支持部１１上での基板Ｗの位置は、第３の位置として規定される。一例において、基板支持部１１の上方の領域に搬送された基板Ｗは、複数のリフターピン５ｅ上に載置され、複数のリフターピン５ｅが降下することによって、基板支持部１１上の第３の位置に載置される。プラズマ処理装置１は、基板支持部１１上の第３の位置に載置された基板Ｗに対して処理を行うように構成されている。基板に対する処理は、エッチング処理、又は基板Ｗの表面上に堆積物を形成する処理（例えばプラズマＣＶＤ法）を含む。

【0064】

図１０は、一つの例示的実施形態に係る基板及び静電チャックの部分拡大断面図である。図１０に示す例では、基板に対する処理により基板Ｗの上面に形成された堆積物Ｗａのパターン、及び基板Ｗの下面において基板に対する処理によって形成される堆積物Ｗｂのパターンが示されている。堆積物Ｗｂのパターンは、基板Ｗの下面において基板Ｗのエッジに対して内側に内縁を有する。

【0065】

一例において、第３の位置は、静電チャック５１上の位置である。プラズマ処理装置１において、静電チャック５１上の基板Ｗに対して処理が行われる。一実施形態において、処理が行われた基板Ｗは、第２の測定器ＣＭ２に搬送される。第２の測定器ＣＭ２は、第３の位置を取得するように構成されている。

【0066】

以下、図１１を参照する。図１１は、一つの例示的実施形態に係る第２の測定器の断面図である。図１１に示す例では、第２の測定器ＣＭ２は、筐体６を含む。図１１に示すように、第２の測定器ＣＭ２は、撮像部６０、基板チャック６１、ガイドレール６２、光源６３、及びハーフミラー６４を更に備えていてもよい。撮像部６０、基板チャック６１、ガイドレール６２、光源６３、及びハーフミラー６４の各々は、筐体６内に配置されている。

【0067】

基板チャック６１は、その上に載置された基板Ｗを支持するように構成される。基板チャック６１は、ガイドレール６２上に配置されている。ガイドレール６２は、基板Ｗを支持している基板チャック６１を、筐体６内で移動させるように構成されている。図１１に示す例では、ガイドレール６２は、位置６ａから位置６ｂまで、基板チャック６１に支持された基板Ｗを搬送経路Ｐに沿って移動させるように構成されている。位置６ａは、ガイドレール６２の一端に隣接している。位置６ｂは、ガイドレール６２の他端に隣接している。一例において、位置６ａと位置６ｂとの間は、少なくとも基板Ｗの直径以上離れている。基板Ｗの搬送経路Ｐは、ガイドレール６２の一端とガイドレール６２の他端とを接続する直線に沿っていてもよい。

【0068】

撮像部６０は、基板Ｗの搬送経路Ｐを含む視野を有する。撮像部６０は、基板Ｗの画像を取得するよう構成されている。一実施形態において、撮像部６０は、ラインスキャンカメラであってもよい。撮像部６０の視野における搬送経路Ｐの方向と該ラインスキャンカメラの長手方向とは、互いに直交する。図１１に示す例では、撮像部６０は、光源６３から照射され基板Ｗの上面で反射された光Ｌをハーフミラー６４を介して取得することによって、基板Ｗの画像を取得する。光源６３及びハーフミラー６４は、搬送経路Ｐの上方に配置されていてもよい。撮像部６０は、ハーフミラー６４と水平方向で向かい合うように配置されていてもよい。一例において、光源６３は、位置６ａから位置６ｂまで搬送経路Ｐに沿って移動している基板Ｗに対して光Ｌを照射する。基板Ｗの上面によって反射された光Ｌは、ハーフミラー６４によって水平方向に反射される。ハーフミラー６４によって水平方向に反射された光Ｌは、撮像部６０で受光される。

【0069】

以下、図１２～図１４を参照する。図１２は、基板に対する処理が行われた一つの例示的実施形態に係る基板の画像を概略的に示す図である。図１３は、基板に対する処理が行われた別の例示的実施形態に係る基板の画像を概略的に示す図である。図１４は、基板に対する処理が行われた更に別の例示的実施形態に係る基板の画像を概略的に示す図である。

【0070】

一実施形態において、抽出部２ｂ１は、基板に対する処理が行われた基板Ｗの画像から、第１の特徴パターンを抽出し、且つ、第２の特徴パターンを抽出するよう構成されている。図１２に示す例では、抽出部２ｂ１は、基板に対する処理が行われた基板Ｗの画像７から、第１の特徴パターン７１を抽出し、且つ、第２の特徴パターン７２を抽出するよう構成されている。以下、図１２を参照して、画像７から、第１の特徴パターン７１を抽出し、且つ、第２の特徴パターン７２を抽出する一つの例示的実施形態について説明する。

【0071】

第１の特徴パターン７１は、基板Ｗの中心位置を反映するその中心を有する。一実施形態において、第１の特徴パターン７１は、基板Ｗのエッジ７０を反映していてもよい。一例において、抽出部２ｂ１は、画像７における基板Ｗの背景ＢＫとエッジ７０との間の明暗の差から第１の特徴パターン７１を抽出する。一実施形態において、抽出部２ｂ１は、画像７を二値化することによって第１の特徴パターン７１を抽出してもよい。二値化により、画像７における基板Ｗの背景ＢＫの領域の画素値は、画像７における基板Ｗの領域の画素値と異なる値に変換されるので、二値化された画像から基板Ｗのエッジ７０が第１の特徴パターン７１として抽出され得る。

【0072】

第２の特徴パターン７２は、基板に対する処理の実行時の基板支持部１１の中心位置１１ｃを反映するその中心を有する。一実施形態において、第２の特徴パターン７２は、静電チャック５１の表面構造のパターンを反映していてもよい。第２の特徴パターン７２は、基板に対する処理の実行時の静電チャック５１の中心位置を反映するその中心を有し得る。一実施形態において、抽出部２ｂ１は、画像７と画像７に対するぼかし処理により得られる画像との間の差分により、第２の特徴パターン７２を抽出するよう構成されていてもよい。ぼかし処理とは、画像を構成している複数の画素のうち一つの画素と、該一つの画素と隣り合う画素とを平均化する処理である。

【0073】

一実施形態において、第２の特徴パターン７２は、静電チャック５１の第１の凸部５１ｃ及び／又は複数の第２の凸部５１ｄのパターンを反映していてもよい。一実施形態において、第２の特徴パターン７２は、基板Ｗの上面に形成された堆積物Ｗａのパターンを反映していてもよい。基板Ｗにおいて、第１の凸部５１ｃ及び／又は複数の第２の凸部５１ｄ上に位置する第１の領域と、第１の凸部５１ｃ及び／又は複数の第２の凸部５１ｄ上に位置しない第２の領域との間には、温度差が生じ得る。第１の領域の上面に形成される堆積物Ｗａと、第２の領域の上面に形成される堆積物Ｗａとの間には、該温度差に応じた堆積物Ｗａの量の差が生じ得る。したがって、第２の特徴パターン７２は、該堆積物Ｗａの量の差を反映し得る。図１２に示す例では、第２の特徴パターン７２は、複数の第２の凸部５１ｄのパターン７５１ｄを反映するように基板Ｗの上面に形成された堆積物Ｗａのパターンを反映している。

【0074】

算出部２ｂ２は、第１の特徴パターンと第２の特徴パターンとに基づいて、基板に対する処理の実行時の基板支持部１１の位置と基板Ｗの位置との間の位置関係を算出するよう構成されている。図１２に示す例では、算出部２ｂ２は、第１の特徴パターン７１と第２の特徴パターン７２とに基づいて、基板に対する処理の実行時の基板支持部１１の位置と基板Ｗの位置との間の位置関係を算出するよう構成されている。

【0075】

一実施形態において、算出部２ｂ２は、第１の特徴パターン７１から特定される第１の中心位置７１ａと第２の特徴パターン７２から特定される第２の中心位置７２ａとに基づいて、基板に対する処理の実行時の基板支持部１１の中心位置１１ｃと基板Ｗの中心位置との間の位置関係を算出するよう構成されていてもよい。一例において、第１の特徴パターン７１は、基板Ｗのエッジ７０を反映しているので、基板Ｗの中心位置は第１の特徴パターン７１から特定される第１の中心位置７１ａとして算出される。

【0076】

一実施形態において、第１の中心位置７１ａが第３の基準位置として規定され、第２の中心位置７２ａが第３の位置として規定されてもよい。記憶部２ａ２は、第３の位置と比較されるべき基板Ｗの予め定められた第３の基準位置を記憶するように構成されている。制御部２は、基板に対する処理の実行時の基板支持部１１の中心位置１１ｃと基板Ｗの中心位置との間の位置関係から第３のずれ量を取得し得る。

【0077】

図１２に示す例では、第２の特徴パターン７２は、複数の第２の凸部５１ｄのパターン７５１ｄを反映しており、基板に対する処理の実行時の基板支持部１１の中心位置１１ｃを反映するその中心を有する円に沿って略等間隔に配置されている。したがって、基板に対する処理の実行時の基板支持部１１の中心位置１１ｃは、当該円の中心位置である第２の中心位置７２ａとして算出される。

【0078】

以下、図１３を参照して、画像７Ａから、第１の特徴パターン７１を抽出し、且つ、第２の特徴パターン７２Ａ及び／又は第２の特徴パターン７２Ｂを抽出する別の例示的実施形態について説明する。以下の説明では、別の例示的実施形態について、第１の特徴パターン７１及び第２の特徴パターン７２を画像７から抽出する上記例示的実施形態に対する相違点の観点から説明する。

【0079】

第２の特徴パターン７２Ａは、静電チャック５１の複数のガス孔５ｃのパターンを反映していてもよい。基板Ｗにおいて、複数のガス孔５ｃ上に位置する第１の領域と、複数のガス孔５ｃ上に位置しない第２の領域との間には、温度差が生じ得る。第１の領域の上面に形成される堆積物Ｗａと、第２の領域の上面に形成される堆積物Ｗａとの間には、該温度差に応じた堆積物Ｗａの量の差が生じ得る。したがって、第２の特徴パターン７２Ａは、該堆積物Ｗａの量の差を反映し得る。図１３に示す例では、第２の特徴パターン７２Ａは、複数のガス孔５ｃのパターン７５ｃを反映するように基板Ｗの上面に形成された堆積物Ｗａのパターンを反映している。

【0080】

図１３に示す例では、第２の特徴パターン７２Ａは、複数のガス孔５ｃのパターン７５ｃを反映しており、基板に対する処理の実行時の基板支持部１１の中心位置１１ｃを反映するその中心を有する六角形の頂点に配置されている。一例において、この六角形は正六角形である。基板に対する処理の実行時の基板支持部１１の中心位置１１ｃは、当該六角形の中心位置である第２の中心位置７２ａとして算出される。

【0081】

一実施形態において、第２の特徴パターン７２Ｂは、静電チャック５１の複数のピン孔５ｄのパターンを反映していてもよい。基板Ｗにおいて、複数のピン孔５ｄ上に位置する第１の領域と、複数のピン孔５ｄ上に位置しない第２の領域との間には、温度差が生じ得る。第１の領域の上面に形成される堆積物Ｗａと、第２の領域の上面に形成される堆積物Ｗａとの間には、該温度差に応じた堆積物Ｗａの量の差が生じ得る。したがって、第２の特徴パターン７２Ｂは、該堆積物Ｗａの量の差を反映し得る。図１３に示す例では、第２の特徴パターン７２Ｂは、複数のピン孔５ｄのパターン７５ｄを反映するように基板Ｗの上面に形成された堆積物Ｗａのパターンを反映している。

【0082】

図１３に示す例では、第２の特徴パターン７２Ｂは、複数のピン孔５ｄのパターン７５ｄを反映しており、基板に対する処理の実行時の基板支持部１１の中心位置１１ｃを反映するその中心を有する三角形の頂点に配置されている。一例において、この三角形は正三角形である。基板に対する処理の実行時の基板支持部１１の中心位置１１ｃは、当該三角形の中心位置である第２の中心位置７２ａとして算出される。

【0083】

以下、図１４を参照して、画像７Ｃから、第１の特徴パターン７１を抽出し、且つ、第２の特徴パターン７２Ｃを抽出する更に別の例示的実施形態について説明する。以下の説明では、更に別の例示的実施形態について、第１の特徴パターン７１及び第２の特徴パターン７２を画像７から抽出する上記例示的実施形態との相違点の観点から説明する。

【0084】

第２の特徴パターン７２Ｃは、静電チャック５１の第１の凸部５１ｃ及び／又は複数の第２の凸部５１ｄのパターンを反映していてもよい。一実施形態において、第２の特徴パターン７２Ｃは、基板に対する処理であるエッチング処理によって基板Ｗの上面に形成されるパターンを反映していてもよい。基板Ｗにおいて、第１の凸部５１ｃ及び／又は複数の第２の凸部５１ｄ上に位置する第１の領域と、第１の凸部５１ｃ及び／又は複数の第２の凸部５１ｄ上に位置しない第２の領域との間には、温度差が生じ得る。第１の領域のエッチング速度と、第２の領域のエッチング速度との間には、該温度差に応じたエッチング速度の差が生じ得る。したがって、第２の特徴パターン７２Ｃは、エッチング処理量の差を反映し得る。図１４に示す例では、第２の特徴パターン７２Ｃは、第１の凸部５１ｃのパターン７５１ｃを反映するようエッチング処理によって基板Ｗの上面に形成されるパターンを反映している。

【0085】

図１４に示す例では、第２の特徴パターン７２Ｃは、第１の凸部５１ｃのパターン７５１ｃを反映しており、基板に対する処理の実行時の基板支持部１１の中心位置１１ｃを反映するその中心を有する環形状を有している。第１の凸部５１ｃのパターン７５１ｃは、基板支持面１１ａの外縁に沿う環形状を有していてもよく、第２の特徴パターン７２Ｃは、当該環形状を反映していてもよい。基板に対する処理の実行時の基板支持部１１の中心位置１１ｃは、第２の特徴パターン７２Ｃの当該環形状の中心位置である第２の中心位置７２ａとして算出される。なお、基板に対する処理の実行時の基板支持部１１の中心位置１１ｃは、第１の凸部５１ｃのパターンの代わりに、又は、第１の凸部５１ｃのパターンに加えて、複数の第２の凸部５１ｄのパターンを反映する第２の特徴パターン７２Ｃから、算出されてもよい。

【0086】

図１５は、基板の中心位置とパターンの中心位置との間の位置関係を示す一つの例示的実施形態を示す図である。制御部２は、基板に対する処理の実行時の基板支持部１１の位置と基板Ｗの位置との間の位置関係に基づいて第３のずれ量を取得するよう構成されていてもよい。この場合、上述のように基板に対する処理の実行時の基板支持部１１の位置が第３の基準位置として規定され、パターンの中心位置が第３の位置として規定され得る。一実施形態において、制御部２は、基板に対する処理の実行時の基板支持部１１の中心位置１１ｃと基板Ｗの中心位置との間の位置関係に基づいて第３のずれ量を取得するよう構成されていてもよい。制御部２は、第３のずれ量が閾値よりも大きい場合には、基板Ｗの位置ずれが生じたと判定する。

【0087】

図１５に示す例では、第１の中心位置７１ａをその中心とするＸＹ直交座標系における第２の中心位置７２ａの位置が示されている。Ｘ軸方向において、第２の中心位置７２ａは、第１の中心位置７１ａに対して、Ｘ１だけずれている。Ｙ軸方向において、第２の中心位置７２ａは、第１の中心位置７１ａに対して、Ｙ１だけずれている。この場合、制御部２は、第３のずれ量としてＸ１，Ｙ１をそれぞれ取得してもよい。制御部２は、Ｘ１の二乗とＹ１の二乗との和の平方根により求められる第１の中心位置７１ａと第２の中心位置７２ａとの間の距離を、第３のずれ量として取得してもよい。

【0088】

図１６は、別の例示的実施形態に係る撮像部の構成を示す図である。第２の測定器ＣＭ２は、撮像部６５を含んでいてもよい。撮像部６５は、基板Ｗのエッジを含む視野を有する。撮像部６５は、基板Ｗの画像を取得するよう構成されている。図１６に示す例では、撮像部６５は、基板チャック６１に支持された基板Ｗの下方に配置されている。

【0089】

基板チャック６１は、その上に支持している基板Ｗを回転可能に構成される。図１６に示す例では、上方から見て、基板チャック６１は、その上に支持している基板Ｗを時計回りに回転させている。撮像部６５は、基板Ｗのエッジの一部を撮像可能な視野を有していてもよい。一例において、撮像部６５は、ラインスキャンカメラであってもよい。該ラインスキャンカメラの長手方向は、基板Ｗの接線方向と直交する。この場合において、撮像部６５は、基板チャック６１によって基板Ｗが回転されることにより、基板Ｗのエッジの全周をその視野に含めることができる。

【0090】

図１７は、基板に対する処理が行われた更に別の例示的実施形態に係る基板の画像を概略的に示す図である。図１７に示す画像７Ｄは、基板チャック６１上で回転している基板Ｗから撮像部６５が取得した画像である。画像７Ｄでは、基板Ｗの画像は、帯状に取得されている。以下、図１７を参照して、画像７Ｄから、第１の特徴パターン７１を抽出し、且つ、第２の特徴パターン７２Ｄを抽出する、更に別の例示的実施形態について説明する。以下の説明では、更に別の例示的実施形態について、第１の特徴パターン７１及び第２の特徴パターン７２を画像７から抽出する上記例示的実施形態に対する相違点の観点から説明する。

【0091】

一実施形態において、第２の特徴パターン７２Ｄは、堆積物Ｗｂのパターンを反映していてもよい。堆積物Ｗｂは、基板Ｗの下面において基板に対する処理によって形成される。上述のように、堆積物Ｗｂのパターンは、基板Ｗの下面において基板Ｗのエッジに対して内側に内縁を有する。この内縁は、基板に対する処理時の第１の凸部５１ｃの外縁により基板Ｗの下面に反映され得る。一実施形態において、抽出部２ｂ１は、画像７Ｄと、基板に対する処理が適用される前の基板Ｗの画像との間の差分により、第２の特徴パターン７２Ｄを抽出するよう構成されていてもよい。

【0092】

基板Ｗは、基板Ｗのエッジに切欠部Ｗｎを有していてもよい。切欠部Ｗｎは、例えば、ノッチ（Ｕ字形、Ｖ字形等の溝）であってもよい。図１７に示すように、撮像部６５は、画像７Ｄの一部として切欠部Ｗｎの画像７Ｗｎを取得する。撮像部６５は、切欠部Ｗｎの画像７Ｗｎを基準に、基板Ｗのエッジの全周にわたる画像７Ｄを取得する。

【0093】

図１８は、基板の位置とパターンの位置との位置関係を算出する過程の一例を示す図である。図１８に示す画像７Ｅは、画像７Ｄにおける基板Ｗが円形状になるように画像７Ｄを変換した画像である。図１９は、基板の位置とパターンの位置との位置関係を算出する過程の別の一例を示す図である。

【0094】

一実施形態において、算出部２ｂ２は、第１の特徴パターン７１のエッジ７０における三つ以上の径方向の各々において第２の特徴パターン７２Ｄにおける内縁と第１の特徴パターン７１におけるエッジ７０との間の距離を求めるよう構成されていてもよい。算出部２ｂ２は、該三つ以上の径方向の各々における該距離から、基板に対する処理の実行時の基板支持部１１の位置と基板Ｗの位置との間の位置関係を算出するように構成されていてもよい。

【0095】

図１８に示す例では、算出部２ｂ２は、エッジ７０における八つの径方向の各々において、第２の特徴パターン７２Ｄにおける内縁と第１の特徴パターン７１におけるエッジ７０との間の距離を求めるよう構成されている。八つの径方向は、径方向Ｄ１、径方向Ｄ２、径方向Ｄ３、径方向Ｄ４、径方向Ｄ５、径方向Ｄ６、径方向Ｄ７、及び径方向Ｄ８から構成される。八つの径方向Ｄ１～Ｄ８のうち互いに隣り合う二つの径方向の間の角度は、４５度である。径方向Ｄ１と径方向Ｄ５とは、１８０度対向する。径方向Ｄ５は、切欠部Ｗｎの画像７Ｗｎに対応する位置である。径方向Ｄ２と径方向Ｄ６とは、１８０度対向する。径方向Ｄ３と径方向Ｄ７とは、１８０度対向する。径方向Ｄ４と径方向Ｄ８とは、１８０度対向する。

【0096】

一実施形態において、算出部２ｂ２は、第２の特徴パターン７２Ｄにおける内縁と第１の特徴パターン７１におけるエッジ７０との間の平均距離を算出するように構成されていてもよい。図１８に示す例では、第２の特徴パターン７２Ｄにおける内縁と第１の特徴パターン７１におけるエッジ７０との間の平均距離を、径方向Ｄ２、径方向Ｄ４、径方向Ｄ６、及び径方向Ｄ８の各々から算出するように構成されていてもよい。制御部２は、該平均距離に基づいて第３のずれ量を取得するよう構成されていてもよい。この場合、径方向Ｄ２，Ｄ４，Ｄ６，Ｄ８の各々における、第２の特徴パターン７２Ｄの内縁と第１の特徴パターン７１のエッジ７０との間の平均距離が第３の位置として規定され得る。また、予め定められた平均距離が、第３の基準位置として規定され得る。

【0097】

図１９は、基板の位置とパターンの位置との位置関係を算出する過程の別の一例を示す図である。一実施形態において、算出部２ｂ２は、三つ以上の径方向の各々における第２の特徴パターン７２Ｄにおける内縁と第１の特徴パターン７１におけるエッジ７０との間の距離を算出するように構成されていてもよい。算出部２ｂ２は、第１の角度及び第２の角度を算出してもよい。第１の角度は、三つ以上の径方向のうち第１の径方向と該第１の径方向とは別の第２の径方向との間の角度である。第２の角度は、該第２の径方向と該第２の径方向とは別の第３の径方向の間の角度である。算出部２ｂ２は、三つ以上の径方向の各々における該距離、第１の角度、及び第２の角度を用いて、正弦波関数を算出してもよい。正弦波関数は、該第１の角度内での径方向における内縁とエッジとの間の距離、及び該第２の角度内での径方向における内縁とエッジとの間の距離を補間する。算出部２ｂ２は、該正弦波関数によって三つ以上の径方向の各々における距離を補正するように構成されていてもよい。

【0098】

図１９に示す例では、算出部２ｂ２は、径方向Ｄ１～Ｄ４，Ｄ６～Ｄ８の各々において第２の特徴パターン７２Ｄにおける内縁と第１の特徴パターン７１におけるエッジ７０との間の距離を算出するように構成されている。図１９におけるＮｏ．１～Ｎｏ．４，Ｎｏ．６～Ｎｏ．８の各々は、径方向Ｄ１～Ｄ４，Ｄ６～Ｄ８の各々における該距離を示している。なお、径方向Ｄ５における距離は、切欠部Ｗｎの画像７Ｗｎと干渉するので、測定されない。

【0099】

図１９に示す例では、八つの径方向Ｄ１～Ｄ８のうち互いに隣り合う二つの径方向の間の角度は、４５度である。結果として、算出部２ｂ２は、径方向Ｄ１～Ｄ４，Ｄ６～Ｄ８の各々における該距離、及び角度４５度に基づいて、正弦波関数を算出する。一例において、算出部２ｂ２は、径方向Ｄ１～Ｄ４，Ｄ６～Ｄ８の各々における該距離、及び角度４５度から、最小二乗法を用いて該正弦波関数を算出してもよい。径方向Ｄ１～Ｄ４，Ｄ６～Ｄ８の各々における該距離は、該正弦波関数によって補正され得る。算出部２ｂ２は、補正された該距離、及び角度４５度から、基板に対する処理の実行時の基板支持部１１の位置と基板Ｗの位置との間の位置関係を算出するように構成されていてもよい。

【0100】

制御部２は、第１のずれ量及び／又は第２のずれ量、並びに第３のずれ量を用いて、基板Ｗの位置ずれが、第１の期間及び／又は第２の期間、並びに中間期間のうち何れの期間で生じたかを推定するように構成されている。以下、図２０を参照して制御部２による基板処理システムＰＳの制御及び基板処理方法について説明する。図２０は、一つの例示的実施形態に係る基板処理方法を示す流れ図である。

【0101】

一実施形態において、図２０に示す処理方法（以下、「方法ＭＴ」という）は、工程ＳＴａで開始する。工程ＳＴａでは、処理チャンバ１０の外部から基板支持部１１の上方の領域に基板Ｗが搬送される。一例において、制御部２は、真空チャンバＶＣＨから複数のリフターピン５ｅ上の領域に基板Ｗを搬送するよう搬送モジュールＴＭを制御する。工程ＳＴｂでは、工程ＳＴａにおける基板Ｗの第１のずれ量が取得される。一例において、工程ＳＴｂでは、上述した第１の測定器ＣＭ１によって、工程ＳＴａにおける基板Ｗの第１のずれ量が取得される。一実施形態において、方法ＭＴは、工程ＳＴｃを含んでいてもよい。工程ＳＴｃでは、第１のずれ量が閾値よりも大きいかが判定される。一例において、制御部２は、第１のずれ量が予め定められた閾値よりも大きいか否かを判定する。工程ＳＴｃにおいて第１のずれ量が閾値よりも大きい場合には、制御部２は、基板Ｗの位置ずれが第１の期間で生じたと推定する。

【0102】

一実施形態において、制御部２は、第１のずれ量が閾値よりも大きい場合には、基板Ｗの搬送条件を調整するように構成されていてもよい。この場合、方法ＭＴは、工程ＳＴｄを含む。工程ＳＴｄは、工程ＳＴｃにおいて第１のずれ量が閾値よりも大きいと判定された場合（図２０の工程ＳＴｃにおける判定の結果が「ＹＥＳ」である場合）に実行される。工程ＳＴｄでは、基板Ｗの搬送条件が調整される。基板Ｗの搬送条件は、搬送の速度、搬送の加減速度、及び／又は搬送の経路を含みうる。制御部２は、第１の期間のうち第１のずれ量が取得される以前の搬送条件を調整してもよい。制御部２は、第１の期間及び第２の期間の搬送条件を調整してもよい。工程ＳＴｄにおいて、搬送条件が調整された後に、方法ＭＴは終了する。

【0103】

搬送条件の調整は、搬送の速度の低下、搬送の加減速度の低下、及び／又は搬送の軌道における旋回半径の変更を含みうる。一実施形態において、搬送の速度、搬送の加減速度、又は搬送の軌道における旋回半径と第１のずれ量との間の相関関係が予め取得されてもよい。この場合、搬送条件の調整では、該相関関係に基づいて第１のずれ量が閾値以下になるように搬送条件が調整される。該搬送条件の調整は、工程ＳＴｄ、工程ＳＴｊ、及び／又は工程ＳＴｍにおいて実行され得る。工程ＳＴｊ及び工程ＳＴｍについては後述する。

【0104】

一実施形態において、工程ＳＴｅは、工程ＳＴｃにおいて第１のずれ量が閾値以下と判定された場合（図２０の工程ＳＴｃにおける判定の結果が「ＮＯ」である場合）に実行される。搬送モジュールＴＭが真空パッドを含む場合には、工程ＳＴｅは、真空パッドから基板Ｗを解放するための真空吸着の解除を含んでいてもよい。一例において、工程ＳＴｅは、複数のリフターピン５ｅの降下及び／又は基板Ｗの静電チャック５１への静電吸着を含む。複数のリフターピン５ｅの降下では、複数のリフターピン５ｅ上に支持された基板Ｗは、基板支持部１１の上方の領域から基板支持部１１上の領域に移動する。基板Ｗの静電チャック５１への静電吸着では、静電電極５１ｂに電圧が印加される。工程ＳＴｅでは、基板支持部１１上の基板Ｗに対する処理が行われる。基板に対する処理とは、上述のように、エッチング処理、又は基板Ｗの表面上に堆積物を形成する処理を含む。

【0105】

工程ＳＴｆは、工程ＳＴｅの後に実行される。一例において、工程ＳＴｆは、静電チャック５１から基板Ｗを解放するための静電チャック５１の静電除去及び／又は複数のリフターピン５ｅの上昇を含む。静電チャック５１の静電除去では、最初に静電電極５１ｂへ静電吸着のための電圧の印加が停止され、次に静電電極５１ｂに静電吸着時の電圧とは異なる極性の電圧が印加され、最後に該異なる極性の電圧の印加が停止される。複数のリフターピン５ｅの上昇では、基板Ｗは、複数のリフターピン５ｅ上に支持されて、基板支持部１１上の領域から基板支持部１１の上方の領域に移動する。搬送モジュールＴＭが真空パッドを含む場合には、工程ＳＴｆは、基板Ｗの真空パッドへの真空吸着を含んでいてもよい。工程ＳＴｆでは、基板支持部１１の上方の領域から処理チャンバ１０の外部に基板Ｗが搬送される。一例において、制御部２は、複数のリフターピン５ｅ上の領域から真空チャンバＶＣＨに基板Ｗを搬送するよう搬送モジュールＴＭを制御する。

【0106】

工程ＳＴｇでは、工程ＳＴｆにおける基板Ｗの第２のずれ量が取得される。一例において、工程ＳＴｇでは、上述した第１の測定器ＣＭ１によって、工程ＳＴｆにおける基板Ｗの第２のずれ量が取得される。工程ＳＴｈでは、工程ＳＴｅにおける基板Ｗの第３のずれ量が取得される。一例において、工程ＳＴｈでは、上述した第２の測定器ＣＭ２によって、工程ＳＴｈにおける基板Ｗの第３のずれ量が取得される。工程ＳＴｈは、搬送モジュールＴＭ及びローダモジュールＬＭによる基板Ｗの第２の測定器ＣＭ２への搬送を含みうる。

【0107】

一実施形態において、方法ＭＴは、工程ＳＴｉを含んでいてもよい。工程ＳＴｉでは、第３のずれ量が閾値よりも大きいかが判定される。一例において、制御部２は、第３のずれ量が予め定められた閾値よりも大きいか否かを判定する。工程ＳＴｃにおいて第１のずれ量が閾値以下であり、工程ＳＴｉにおいて第３のずれ量が閾値よりも大きい場合には、制御部２は、基板Ｗの位置ずれが中間期間で生じたと推定する。

【0108】

一実施形態において、制御部２は、第１のずれ量が閾値以下であり、第３のずれ量が閾値よりも大きい場合には、搬送条件及び／又は第３のずれ量に関連付けられた制御パラメータを調整するように構成されていてもよい。この場合、方法ＭＴは、工程ＳＴｊを含む。工程ＳＴｊは、工程ＳＴｉにおいて第３のずれ量が閾値よりも大きいと判定された場合（図２０の工程ＳＴｉにおける判定の結果が「ＹＥＳ」である場合）に実行される。工程ＳＴｊでは、搬送条件及び／又は第３のずれ量に関連付けられた制御パラメータが調整される。工程ＳＴｊにおいて、搬送条件及び／又は第３のずれ量に関連付けられた制御パラメータが調整された後に、方法ＭＴは終了する。

【0109】

一実施形態において、第３のずれ量に関連付けられた制御パラメータは、複数のリフターピン５ｅの降下条件及び／又は基板Ｗの静電チャック５１への静電吸着条件を含んでいてもよい。複数のリフターピン５ｅの降下条件は、複数のリフターピン５ｅの降下の速度、複数のリフターピン５ｅの降下の加減速度、又は複数のリフターピン５ｅの降下のタイミングを含みうる。基板Ｗの静電チャック５１への静電吸着条件は、静電電極５１ｂに印加する電圧の最大値、静電電極５１ｂに印加する電圧の時間に対する変化率、又は静電電極５１ｂに電圧を印加するタイミングを含みうる。

【0110】

工程ＳＴｊにおける制御パラメータの調整は、複数のリフターピン５ｅの降下の速度の低下、複数のリフターピン５ｅの降下の加減速度の低下、及び／又は複数のリフターピン５ｅの降下のタイミングの先延ばしを含みうる。一実施形態において、複数のリフターピン５ｅの降下の速度、又は複数のリフターピン５ｅの降下の加減速度と第３のずれ量との間の相関関係が予め取得されてもよい。この場合、工程ＳＴｊでは、該相関関係に基づいて第３のずれ量が閾値以下になるように制御パラメータが調整される。

【0111】

工程ＳＴｊにおける搬送条件の調整は、静電電極５１ｂに印加する電圧の最大値の低下、静電電極５１ｂに印加する電圧の時間に対する変化率の低下、及び／又は静電電極５１ｂに電圧を印加するタイミングの先延ばしを含みうる。一実施形態において、静電電極５１ｂに印加する電圧の最大値、又は静電電極５１ｂに印加する電圧の時間に対する変化率と第３のずれ量との間の相関関係が予め取得されてもよい。この場合、工程ＳＴｊでは、該相関関係に基づいて第３のずれ量が閾値以下になるように制御パラメータが調整される。

【0112】

一実施形態において、第３のずれ量に関連付けられた制御パラメータは、真空パッドから基板Ｗを解放するための真空吸着の解除条件を含んでいてもよい。この場合、基板Ｗは、エンドエフェクタＦＫ１１，１２上で真空パッドに真空吸着された状態で搬送される。基板Ｗの真空パッドからの真空吸着の解除条件は、真空吸着の最大陰圧、真空吸着の陰圧の時間に対する変化率、又は真空吸着から解除されるタイミングを含みうる。

【0113】

工程ＳＴｊにおける制御パラメータの調整は、真空吸着の最大陰圧の低下、真空吸着の陰圧の時間に対する変化率の低下、又は真空吸着から解除解放されるタイミングの先延ばしを含みうる。一実施形態において、真空吸着の最大陰圧、又は真空吸着の陰圧の時間に対する変化率と第３のずれ量との間の相関関係が予め取得されてもよい。この場合、工程ＳＴｊでは、該相関関係に基づいて第３のずれ量が閾値以下になるように制御パラメータが調整される。

【0114】

制御部２は、工程ＳＴｃにおいて第１のずれ量が閾値以下であり、工程ＳＴｉにおいて第３のずれ量が閾値よりも大きい場合には、基板Ｗの位置ずれが第１の期間で生じたと推定してもよい。一例において、制御部２は、第３のずれ量に関連付けられた制御パラメータを調整した後で別の基板Ｗを処理したときに、工程ＳＴｉにおいて第３のずれ量が閾値よりも大きい場合には、基板Ｗの位置ずれが第１の期間で生じたと推定してもよい。この場合、制御部２は、第１の期間のうち第１のずれ量が取得された以後の搬送条件を調整してもよい。

【0115】

一実施形態において、方法ＭＴは、工程ＳＴｋを含んでいてもよい。工程ＳＴｋは、工程ＳＴｉにおいて第３のずれ量が閾値よりも小さいと判定された場合（図２０の工程ＳＴｉにおける判定の結果が「ＮＯ」である場合）に実行される。工程ＳＴｋでは、第２のずれ量が閾値よりも大きいかが判定される。一例において、制御部２は、第２のずれ量が予め定められた閾値よりも大きいか否かを判定する。工程ＳＴｃにおいて第１のずれ量が閾値以下であり、工程ＳＴｉにおいて第３のずれ量が閾値以下であり、工程ＳＴｋにおいて第２のずれ量が閾値よりも大きい場合には、制御部２は、基板Ｗの位置ずれが第２の期間で生じたと推定する。

【0116】

一実施形態において、制御部２は、第１のずれ量が閾値以下であり、第３のずれ量が閾値以下であり、第２のずれ量が閾値よりも大きい場合には、搬送条件及び／又は該第２のずれ量に関連付けられた制御パラメータを調整するように構成されていてもよい。この場合、方法ＭＴは、工程ＳＴｍを含む。工程ＳＴｍは、工程ＳＴｋにおいて第２のずれ量が閾値よりも大きいと判定された場合（図２０の工程ＳＴｋにおける判定の結果が「ＹＥＳ」である場合）に実行される。工程ＳＴｍでは、搬送条件が及び／又は第２のずれ量に関連付けられた制御パラメータが調整される。工程ＳＴｍにおいて、搬送条件及び／又は第２のずれ量に関連付けられた制御パラメータが調整された後に、方法ＭＴは終了する。

【0117】

一実施形態において、第２のずれ量に関連付けられた制御パラメータは、静電チャック５１から基板Ｗを解放するための静電チャック５１の静電除去条件及び／又は複数のリフターピン５ｅの上昇条件を含んでいてもよい。静電チャック５１の静電除去条件は、静電電極５１ｂに印加する静電吸着時とは異なる極性の電圧の最大値、静電電極５１ｂに印加する該異なる極性の電圧の時間に対する変化率、又は該異なる極性の電圧の静電電極５１ｂへの印加を停止するタイミングを含みうる。複数のリフターピン５ｅの上昇条件は、複数のリフターピン５ｅの上昇の速度、複数のリフターピン５ｅの上昇の加減速度、又は複数のリフターピン５ｅの上昇のタイミングを含みうる。

【0118】

工程ＳＴｍにおける制御パラメータの調整は、複数のリフターピン５ｅの上昇の速度の低下、複数のリフターピン５ｅの上昇の加減速度の低下、及び／又は複数のリフターピン５ｅの上昇のタイミングの先延ばしを含みうる。一実施形態において、複数のリフターピン５ｅの上昇の速度、又は複数のリフターピン５ｅの上昇の加減速度と第２のずれ量との間の相関関係が予め取得されてもよい。この場合、工程ＳＴｍでは、該相関関係に基づいて第２のずれ量が閾値以下になるように制御パラメータが調整される。

【0119】

工程ＳＴｍにおける制御パラメータの調整は、静電電極５１ｂに印加する静電吸着時とは異なる極性の電圧の最大値の低下、静電電極５１ｂに印加する該異なる極性の電圧の時間に対する変化率の低下、又は該異なる極性の電圧の静電電極５１ｂへの印加を停止するタイミングの先延ばしを含みうる。一実施形態において、静電電極５１ｂに印加する静電吸着時とは異なる極性の電圧の最大値、又は静電電極５１ｂに印加する該異なる極性の電圧の時間に対する変化率と第２のずれ量との間の相関関係が予め取得されてもよい。この場合、工程ＳＴｍでは、該相関関係に基づいて第２のずれ量が閾値以下になるように制御パラメータが調整される。

【0120】

一実施形態において、第２のずれ量に関連付けられた制御パラメータは、真空パッドへ基板Ｗを真空吸着するための真空吸着条件を含んでいてもよい。この場合、基板Ｗは、エンドエフェクタＦＫ１１，１２上で真空パッドに真空吸着された状態で搬送される。基板Ｗの真空パッドへの真空吸着条件は、真空吸着の最大陰圧、真空吸着の陰圧の時間に対する変化率、又は真空吸着するタイミングを含みうる。

【0121】

工程ＳＴｍにおける制御パラメータの調整は、真空吸着の最大陰圧の低下、真空吸着の陰圧の時間に対する変化率の低下、又は真空吸着するタイミングの先延ばし含みうる。一実施形態において、真空吸着の最大陰圧、又は真空吸着の陰圧の時間に対する変化率と第２のずれ量との間の相関関係が予め取得されてもよい。この場合、工程ＳＴｍでは、該相関関係に基づいて第２のずれ量が閾値以下になるように制御パラメータが調整される。

【0122】

制御部２は、工程ＳＴｃにおいて第１のずれ量が閾値以下であり、工程ＳＴｉにおいて第３のずれ量が閾値以下であり、工程ＳＴｋにおいて第２のずれ量が閾値よりも大きい場合には、基板Ｗの位置ずれが第２の期間で生じたと推定してもよい。一例において、制御部２は、第２のずれ量に関連付けられた制御パラメータを調整した後で別の基板Ｗを処理したときに、工程ＳＴｋにおいて第２のずれ量が閾値よりも大きい場合には、基板Ｗの位置ずれが第２の期間で生じたと推定してもよい。この場合、制御部２は、第２の期間のうち第２のずれ量が取得される以前の搬送条件を調整してもよい。

【0123】

工程ＳＴｃにおいて第１のずれ量が閾値以下であり、工程ＳＴｉにおいて第３のずれ量が閾値以下であり、工程ＳＴｋにおいて第２のずれ量が閾値以下と判定された場合（図２０の工程ＳＴｋにおける判定の結果が「ＮＯ」である場合）には、方法ＭＴは、終了する。この場合、制御部２は、基板Ｗの位置ずれは生じていないと判定する。

【0124】

一実施形態において、インターフェース２ａ３は、基板Ｗに位置ずれが生じないよう調整する少なくとも一つの対策を作業者に提示してもよい。インターフェース２ａ３は、該少なくとも一つの対策のうち作業者によって選択された対策を取得してもよい。一実施形態において、インターフェース２ａ３は、工程ＳＴｄ、工程ＳＴｊ、及び／又は工程ＳＴｍにおいて、基板Ｗに位置ずれが生じないよう調整する少なくとも一つの対策を作業者に提示し得る。

【0125】

一例において、インターフェース２ａ３は、外部機器ＣＵに、搬送条件、第１のずれ量に関連付けられた制御パラメータ、及び／又は第２のずれ量に関連付けられた制御パラメータを調整する少なくとも一つの対策を表示する。さらに、インターフェース２ａ３は、に表示された少なくとも一つの対策から作業者によって選択された対策を、外部機器ＣＵを介して取得する。少なくとも一つの対策は、複数の対策を含んでいてもよい。作業者は、複数の対策のうち一部を選択してもよく、複数の対策の全てを選択してもよい。

【0126】

一実施形態において、基板Ｗは製品基板であり、基板処理システムＰＳは、製品基板である複数の基板Ｗを連続して処理するように構成されていてもよい。この場合、制御部２は、複数の基板Ｗのうち少なくとも一つの基板Ｗに対して、基板Ｗの位置ずれが、第１の期間及び／又は第２の期間、並びに中間期間のうち何れの期間で生じたかを推定するように構成されうる。方法ＭＴは、複数の基板Ｗのうち少なくとも一つの基板に対して実行されてもよい。一例において、方法ＭＴは、所定の数の基板Ｗ又は２以上の基板Ｗが連続的に処理される毎に実行されてもよい。一実施形態において、方法ＭＴでは、基板Ｗは、ダミー基板であってもよい。例えば、所定の数の基板Ｗ又は２以上の基板Ｗが連続的に処理される毎にダミー基板に対して方法ＭＴが実行されてもよい。基板処理システムＰＳのセットアップ、又は基板処理システムＰＳのメンテナンスにおいて、ダミー基板に対して方法ＭＴが実行されてもよい。

【0127】

以上、種々の例示的実施形態について説明してきたが、上述した例示的実施形態に限定されることなく、様々な追加、省略、置換、及び変更がなされてもよい。また、異なる実施形態における要素を組み合わせて他の実施形態を形成することが可能である。

【0128】

第１の測定器ＣＭ１は、搬送モジュールＶＴＭによって処理チャンバ１０の外部から基板支持部１１の上方の領域に基板Ｗが搬送される第１の期間における基板Ｗの第１の位置のみを取得するように構成されていてもよい。記憶部２ａ２は、第１の位置と比較されるべき基板Ｗの予め定められた第１の基準位置と、第３の位置と比較されるべき基板Ｗの予め定められた第３の基準位置のみを記憶するように構成されていてもよい。制御部２は、第１の基準位置に対する第１の位置の第１のずれ量と、第３の基準位置に対する第３の位置の第３のずれ量のみを用いて、基板Ｗの位置ずれ量が、第１の期間及び第３の期間のうち何れの期間で生じたかを推定するように構成されていてもよい。

【0129】

第２の測定器ＣＭ２は、搬送モジュールＶＴＭによって処理チャンバ１０の外部から基板支持部１１の上方の領域に基板Ｗが搬送される第２の期間における基板Ｗの第２の位置のみを取得するように構成されていてもよい。記憶部２ａ２は、第１の位置と比較されるべき基板Ｗの予め定められた第２の基準位置と、第３の位置と比較されるべき基板Ｗの予め定められた第３の基準位置のみを記憶するように構成されていてもよい。制御部２は、第２の基準位置に対する第２の位置の第２のずれ量と、第３の基準位置に対する第３の位置の第３のずれ量のみを用いて、基板Ｗの位置ずれ量が、第２の期間及び第３の期間のうち何れの期間で生じたかを推定するように構成されていてもよい。

【0130】

第２の測定器ＣＭ２は、真空チャンバＶＣＨに接続されていてもよく、減圧チャンバＤＣＨ１，ＤＣＨ２に接続されていてもよい。

【0131】

方法ＭＴは、工程ＳＴａにおける基板Ｗの第１のずれ量が取得される工程ＳＴｂと、工程ＳＴｆにおける基板Ｗの第２のずれ量が取得される工程ＳＴｇとの双方を含むが、工程ＳＴｂ又は工程ＳＴｇの一方を含んでいればよい。

【0132】

図１２に示す第２の特徴パターン７２は、静電チャック５１の複数の第２の凸部５１ｄのパターンを反映し、且つ、基板に対する処理であるエッチング処理によって基板Ｗの上面に形成されるパターンを反映していてもよい。図１３に示す第２の特徴パターン７２Ａは、静電チャック５１の複数のガス孔５ｃのパターンを反映し、且つ、基板に対する処理であるエッチング処理によって基板Ｗの上面に形成されるパターンを反映していてもよい。図１３に示す第２の特徴パターン７２Ｂは、静電チャック５１の複数のピン孔５ｄのパターンを反映し、且つ、基板に対する処理であるエッチング処理によって基板Ｗの上面に形成されるパターンを反映していてもよい。図１４に示す第２の特徴パターン７２Ｃは、静電チャック５１の第１の凸部５１ｃのパターンを反映し、且つ、基板Ｗの上面に形成された堆積物Ｗａのパターンを反映していてもよい。

【0133】

一実施形態において、第１の測定器ＣＭ１は、光学センサ８１ａ，８１ｂに代えて基板Ｗの画像を取得するように構成された画像センサを含んでいてもよい。一例において、第１の測定器ＣＭ１は、画像センサとして、撮像部６０と同様の構成を含んでいてもよい。画像センサは、基板Ｗの搬送経路Ｐを含む視野を有する。画像センサは、ラインスキャンカメラであってもよい。画像センサの視野における搬送経路Ｐの方向と該ラインスキャンカメラの長手方向とは、互いに直交する。一実施形態において、第１の測定器ＣＭ１は、第１の期間での基板Ｗのエッジ７０を反映した第１の特徴パターン７１を第１の位置として取得してもよい。

【0134】

図２１は、別の例示的実施形態に係る基板処理システムを示す図である。図２２は、別の例示的実施形態に係る別の第１の測定器を示す図である。図２１に示す基板処理システムＰＳは、第１の測定器ＣＭ１Ａを備える。一実施形態において、第１の測定器ＣＭ１Ａは、真空チャンバＶＣＨに接続されている。図２１に示す例では、第１の測定器ＣＭ１Ａは、真空チャンバＶＣＨの短手方向に沿った縁部に沿って配置されている。第１の測定器ＣＭ１Ａは、真空チャンバＶＣＨの長手方向に沿った縁部に沿って配置されていてもよい。第１の測定器ＣＭ１Ａは、真空チャンバＶＣＨの内部に配置されていてもよい。

【0135】

一実施形態において、第１の測定器ＣＭ１Ａは、複数の画像センサを含む。一例において、複数の画像センサは、ラインスキャンカメラ９１，９２，９３から構成される。ラインスキャンカメラ９１，９２，９３は、各々の長手方向が基準点ＯＡにおいて交差するように配置される。図２２に示す例では、ラインスキャンカメラ９１，９２の各々の長手方向が成す角度ｄ１、ラインスキャンカメラ９２，９３の各々の長手方向が成す角度ｄ２、及びラインスキャンカメラ９３，９１の各々の長手方向が成す角度ｄ３は、１２０度である。各ラインスキャンカメラ９１，９２，９３は、基準点ＯＡから等間隔に配置されている。各ラインスキャンカメラ９１，９２，９３は、第１の測定器ＣＭ１Ａの測定領域を通過する基板Ｗのエッジを撮像するように構成されている。

【0136】

図２２に示す例では、基板Ｗは、切欠部Ｗｎとしてオリエンテーションフラットを含んでいる。一実施形態において、ラインスキャンカメラ９１，９２，９３は、切欠部Ｗｎを避けるように配置されている。切欠部Ｗｎと基準点ＯＡとを結ぶ線と、切欠部Ｗｎに最も近接したラインスキャンカメラ９１と基準点ＯＡとを結ぶ線とは、角度ｄを成す。角度ｄの大きさは、基板Ｗが第１の測定器ＣＭ１Ａを通過する際にラインスキャンカメラ９１が切欠部Ｗｎを撮像しないように定められる。

【0137】

各ラインスキャンカメラ９１，９２，９３は、基板Ｗのエッジの内側と基板Ｗのエッジの外側とを撮像する。ラインスキャンカメラ９１，９２，９３が撮像した画像におけるエッジの内側（又はエッジの外側）のそれぞれの長さが互いに等しいときには、基板Ｗは、基準点ＯＡと基板Ｗの中心位置とが重なるように位置している。制御部２は、ラインスキャンカメラ９１，９２，９３が撮像した画像におけるエッジの内側のそれぞれの長さを第１の位置として取得してもよい。記憶部２ａ２は、基準点ＯＡと基板Ｗの中心位置とが重なるときにラインスキャンカメラ９１，９２，９３が撮像した画像におけるエッジの内側の長さを、第１の基準位置として記憶してもよい。

【0138】

ここで、本開示に含まれる種々の例示的実施形態を、以下の［Ｅ１］～［Ｅ１９］に記載する。

【0139】

［Ｅ１］
処理チャンバ及び該処理チャンバ内に配置された基板支持部を有し、該基板支持部上の基板に対する処理を行うように構成されたプロセスモジュールと、
前記処理チャンバに接続された真空チャンバを有し、前記基板を搬送するように構成された搬送モジュールと、
前記搬送モジュールによって前記処理チャンバの外部から前記基板支持部の上方の領域に前記基板が搬送される第１の期間における該基板の第１の位置及び／又は該搬送モジュールによって該基板支持部の上方の該領域から該処理チャンバの外部に該基板が搬送される第２の期間における該基板の第２の位置を取得するように構成された第１の測定器と、
前記第１の期間と前記第２の期間との間の中間期間における前記基板支持部上での前記基板の第３の位置を取得するように構成された第２の測定器と、
前記第１の位置と比較されるべき前記基板の予め定められた第１の基準位置及び／又は前記第２の位置と比較されるべき該基板の予め定められた第２の基準位置、並びに前記第３の位置と比較されるべき該基板の予め定められた第３の基準位置を記憶するように構成された記憶部と、
前記第１の基準位置に対する前記第１の位置の第１のずれ量及び／又は前記第２の基準位置に対する前記第２の位置の第２のずれ量、並びに前記第３の基準位置に対する前記第３の位置の第３のずれ量を用いて、前記基板の位置ずれが、前記第１の期間及び／又は前記第２の期間、並びに前記中間期間のうち何れの期間で生じたかを推定するように構成された制御部と、
を備える、基板処理システム。

【0140】

［Ｅ２］
前記制御部は、前記第１のずれ量が閾値よりも大きい場合には、前記基板の搬送条件を調整するように構成されている、Ｅ１に記載の基板処理システム。

【0141】

［Ｅ３］
前記制御部は、前記第１のずれ量が閾値以下であり、前記第３のずれ量が閾値よりも大きい場合には、前記搬送条件及び／又は該第３のずれ量に関連付けられた制御パラメータを調整するように構成されている、Ｅ１又はＥ２に記載の基板処理システム。

【0142】

［Ｅ４］
前記基板支持部は、
該基板支持部の上方の前記領域と該基板支持部上の領域との間で前記基板を昇降するように構成された複数のリフターピンと、
該基板支持部上に支持された前記基板を保持するための電圧が印加される静電電極を含んだ静電チャックと、を有し、
前記第３のずれ量に関連付けられた前記制御パラメータは、前記複数のリフターピンの降下条件及び／又は前記基板の前記静電チャックへの静電吸着条件を含む、
Ｅ３に記載の基板処理システム。

【0143】

［Ｅ５］
前記搬送モジュールは、
その上に前記基板を支持するように構成されたエンドエフェクタと、
前記エンドエフェクタ上の前記基板を真空吸着するように構成された真空パッドと、を有し、
前記第３のずれ量に関連付けられた前記制御パラメータは、前記基板の前記真空パッドからの解放条件を含む、
Ｅ３又はＥ４に記載の基板処理システム。

【0144】

［Ｅ６］
前記制御部は、前記第１のずれ量が閾値以下であり、前記第３のずれ量が閾値以下であり、前記第２のずれ量が閾値よりも大きい場合には、前記搬送条件及び／又は該第２のずれ量に関連付けられた制御パラメータを調整するように構成され、
前記第２のずれ量に関連付けられた前記制御パラメータは、前記基板の前記静電チャックからの解放条件及び／又は前記複数のリフターピンの上昇条件を含む、
Ｅ４に記載の基板処理システム。

【0145】

［Ｅ７］
前記制御部は、前記第１のずれ量が閾値以下であり、前記第３のずれ量が閾値以下であり、前記第２のずれ量が閾値よりも大きい場合には、前記搬送条件及び／又は該第２のずれ量に関連付けられた制御パラメータを調整するように構成され、
前記第２のずれ量に関連付けられた前記制御パラメータは、前記基板の前記真空パッドへの真空吸着条件を含む、
Ｅ５に記載の基板処理システム。

【0146】

［Ｅ８］
前記第１の測定器は、少なくとも二つの光学センサ又は該基板の画像を取得するように構成された画像センサを含む、
Ｅ１～Ｅ７の何れか一項に記載の基板処理システム。

【0147】

［Ｅ９］
前記第１の測定器は前記基板の中心位置を取得するように構成され、
前記第１の基準位置及び／又は第２の中心位置は、前記基板の中心位置で規定される、
Ｅ１～Ｅ８の何れか一項に記載の基板処理システム。

【0148】

［Ｅ１０］
前記第１の測定器は、前記真空チャンバ内に測定領域を提供し、該測定領域を通過する前記基板の位置を測定するように構成され、
前記搬送モジュールは、前記第１の期間のうち前記真空チャンバから前記処理チャンバに前記基板が搬送される期間及び／又は前記第２の期間のうち該処理チャンバから該真空チャンバに該基板が搬送される期間において、前記測定領域に該基板を通過させるように構成されている、
Ｅ１～Ｅ９の何れか一項に記載の基板処理システム。

【0149】

［Ｅ１１］
前記第２の測定器は、
前記基板の搬送経路を含む視野を有し、該基板の画像を取得するよう構成された撮像部と、
基板に対する処理が行われた前記基板の画像から、該基板の中心位置を反映するその中心を有する第１の特徴パターンを抽出し、且つ、基板に対する処理の実行時の前記基板支持部の中心位置を反映するその中心を有する第２の特徴パターンを抽出するように構成された抽出部と、
前記第１の特徴パターンと前記第２の特徴パターンとに基づいて、前記中間期間における前記基板支持部の位置と該基板支持部上での該基板の前記位置との間の位置関係を算出するよう構成された算出部と、を有する、
Ｅ１～Ｅ１０の何れか一項に記載の基板処理システム。

【0150】

［Ｅ１２］
前記算出部は、前記第１の特徴パターンから特定される第１の中心位置と前記第２の特徴パターンから特定される第２の中心位置とに基づいて、基板に対する処理が行われる前記期間における前記基板支持部の前記中心位置と前記基板の前記中心位置との間の位置関係を算出するよう構成されている、
Ｅ１１に記載の基板処理システム。

【0151】

［Ｅ１３］
前記基板支持部は、環形状を有し基板支持面を構成する上面を有する第１の凸部、各々が該基板支持面を構成する上面を有し該第１の凸部の内側に配置された複数の第２の凸部、前記基板と該基板支持面との間の間隙に連通する複数のガス孔、及び該基板用の複数のリフターピンが挿入された複数のピン孔、からなる群から選択される少なくとも一つを含み、
前記第２の特徴パターンは、前記群から選択された前記少なくとも一つのパターンを反映している、
Ｅ１１又はＥ１２に記載の基板処理システム。

【0152】

［Ｅ１４］
前記真空チャンバに接続された減圧チャンバを有するロードロックモジュールと、
前記減圧チャンバに接続された大気チャンバを有する大気搬送モジュールと、
を更に備え、
前記第２の測定器は、前記減圧チャンバ内又は前記大気チャンバ内に配置されている、
Ｅ１～Ｅ１３の何れか一項に記載の基板処理システム。

【0153】

［Ｅ１５］
前記制御部は、前記基板に位置ずれが生じないよう調整する少なくとも一つの対策を作業者に提示し該少なくとも一つの対策のうち該作業者によって選択された対策を取得するように構成されたユーザインタフェースを有する、
Ｅ１～Ｅ１４の何れか一項に記載の基板処理システム。

【0154】

［Ｅ１６］
該基板処理システムは、複数の基板を連続して処理するように構成され、
前記制御部は、前記複数の基板のうち少なくとも一つの基板に対して、前記基板の位置ずれが、前記第１の期間及び／又は前記第２の期間、並びに前記中間期間のうち何れの期間で生じたかを推定するように構成されている、
Ｅ１～Ｅ１５の何れか一項に記載の基板処理システム。

【0155】

［Ｅ１７］
（ａ）処理チャンバの外部から基板支持部の上方の領域に基板を搬送する工程と、
（ｂ）前記基板支持部上の前記基板に対する処理を行う工程と、
（ｃ）前記基板支持部の上方の前記領域から前記処理チャンバの外部に前記基板を搬送する工程と、
（ｄ）前記（ａ）の工程における前記基板の第１の位置ずれ量及び／又は前記（ｃ）の工程における該基板の第２の位置ずれ量を取得する工程と、
（ｄ）前記（ｂ）の工程における前記基板支持部上での前記基板の第３の位置ずれ量を取得する工程と、
（ｅ）前記第１のずれ量及び／又は前記第２のずれ量、並びに前記第３のずれ量を用いて、前記基板の位置ずれが、前記（ａ）の工程及び／又は前記（ｃ）の工程、並びに前記（ｂ）の工程のうち何れで生じたかを推定する工程と、を備える、
基板処理方法。

【0156】

［Ｅ１８］
Ｅ１７に記載の基板処理方法を基板処理システムによって実行させるよう、該基板処理システムのコンピュータによって実行されるプログラム。

【0157】

［Ｅ１９］
Ｅ１８に記載のプログラムを記憶した記憶媒体。

【0158】

Ｅ１７に記載の基板処理方法は、Ｅ１～Ｅ１６の何れか一項に記載の基板処理システムによって実行されてもよい。

【符号の説明】

【0159】

２…制御部、Ｗ…基板、２ａ…コンピュータ、２ａ２…記憶部、２ｂ１…抽出部、２ｂ２…算出部、５ｃ…複数のガス孔、５ｄ…複数のピン孔、５ｅ…複数のリフターピン、７，７Ａ，７Ｃ，７Ｄ，７Ｅ…画像、１０…処理チャンバ、１１…基板支持部、７１ａ…第１の中心位置、７２ａ…第２の中心位置、５１…静電チャック、５１ｂ…静電電極、５１ｃ…第１の凸部、５１ｄ…第２の凸部、６０，６５…撮像部、７１，７２，７２Ａ，７２Ｂ，７２Ｃ，７２Ｄ…特徴パターン、７５ｃ，７５ｄ，７５１ｃ，７５１ｄ…パターン、８１ａ，８１ｂ…光学センサ、ＡＣＨ…大気チャンバ、ＣＭ１，ＣＭ１Ａ…第１の測定器、ＣＭ２…第２の測定器、ＤＣＨ１，ＤＣＨ２…減圧チャンバ、ＦＫ１１，ＦＫ１２…エンドエフェクタ、ＬＬ１，ＬＬ２…ロードロックモジュール、Ｐ…搬送経路、ＰＭ１～ＰＭ６…プロセスモジュール、ＰＳ…基板処理システム、ＴＭ…搬送モジュール、ＶＣＨ…真空チャンバ。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】

【図22】