特開2025-184002IP Force 特許公報全文掲載

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技術分野

半導体装置

要約特許出願時に添付された[要約書]

【課題】トレンチ部と外周ウェル領域との距離が広がっても静耐圧を安定させる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、トレンチ配列方向に予め定められたピッチで配列された複数のゲートトレンチ部４０及びダミートレンチ部３０と、ドリフト領域１８の上方に設けられたＰ型のベース領域１４と、ドリフト領域よりもドーピング濃度が高いＮ＋型のエミッタ領域１２と、ドリフト領域の上方に設けられ、ベース領域よりもドーピング濃度が高いＰ＋型の複数のコンタクト領域１５と、複数のトレンチ部よりも半導体基板の外周に設けられたＰ＋型の外周ウェル領域１１と、層間絶縁膜３８に形成されたコンタクトホールを介してゲートトレンチ部と接続する外周ゲート配線１３０と、を備え、複数のトレンチ部は、外周ウェル領域と離間して設けられ、トレンチ延伸方向におけるゲートトレンチ部の端部とダミートレンチ部の端部との差分がピッチの２倍以下である。
【選択図】図７

この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 図１は、本発明の一つの半導体装置１００の一例を示す上面図である。
【図2】 図１における領域Ｄ１の拡大図である。
【図3】 図２におけるａ－ａ断面の一例を示す図である。
【図4】 図２におけるｂ－ｂ断面の一例を示す図である。
【図5】 境界領域２００におけるトレンチコンタクト部５８の周辺の拡大図である。
【図6】 図１における領域Ｄ２の拡大図である。
【図7】 図６におけるｃ－ｃ断面の一例を示す図である。
【図8】 図６におけるｄ－ｄ断面の一例を示す図である。
【図9】 図６におけるｅ－ｅ断面の一例を示す図である。
【図10】 図６におけるｆ－ｆ断面の一例を示す図である。
【図11】 図６におけるｃ－ｃ断面の他の一例を示す図である。
【図12】 図６におけるｄ－ｄ断面の他の一例を示す図である。
【図13】 図６におけるｆ－ｆ断面の他の一例を示す図である。
【図14】 半導体装置１００および比較例による、トレンチ部と外周ウェル領域との距離［ａ.ｕ.］に対する耐圧［ａ.ｕ.］の関係を示すグラフである。

選択図 図7出願人が指定した本件の代表的な図

１０ 半導体基板 １１ 外周ウェル領域 １２ エミッタ領域 １３ プラグ領域 １４ ベース領域 １５ コンタクト領域 １６ 蓄積領域 １７ アノード領域 １８ ドリフト領域 ２０ バッファ領域 ２１ おもて面 ２２ コレクタ領域 ２３ 下面 ２４ コレクタ電極 ２９ 延伸部分 ３０ ダミートレンチ部 ３１ 接続部分 ３２ ダミー絶縁膜 ３４ ダミー導電部 ３８ 層間絶縁膜 ３９ 延伸部分 ４０ ゲートトレンチ部 ４１ 接続部分 ４２ ゲート絶縁膜 ４４ ゲート導電部 ５２ エミッタ電極 ５３ バリアメタル ５４、５５、５６ コンタクトホール ５８ トレンチコンタクト部 ５９ プラグ部 ６０ メサ部 ６１ 第１メサ部 ６２ 第２メサ部 ６３ 第３メサ部 ６４ 第４メサ部 ７０ トランジスタ部 ８０ ダイオード部 ８１ 延長領域 ８２ カソード領域 ９０ エッジ終端構造部 ９２ ガードリング １００ 半導体装置 １３０ 外周ゲート配線 １３１ 活性側ゲート配線 １６０ 活性部 １６２ 端辺 １６４ ゲートパッド １７０ 中央部 １８０ 外周部 １８２ トレンチボトム領域 ２００ 境界領域 ２０１ 第１トランジスタ領域 ２０２ 第２トランジスタ領域 ２０４ 格子欠陥 ２０６ ライフタイム制御領域 ２０７ 非調整領域 ２０８ 調整領域

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