特開 2025-18508 光デバイス、光送信装置及び光受信装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2025018508

(43)【公開日】2025-02-06

(54)【発明の名称】光デバイス、光送信装置及び光受信装置

(51)【国際特許分類】

   G02B 6/30 20060101AFI20250130BHJP

   G02B 6/42 20060101ALI20250130BHJP

   G02B 6/122 20060101ALI20250130BHJP

   G02B 6/12 20060101ALI20250130BHJP

   G02F 1/01 20060101ALI20250130BHJP

【ＦＩ】

G02B6/30

G02B6/42

G02B6/122

G02B6/12 301

G02F1/01 F

【審査請求】未請求

【請求項の数】6

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023122262

(22)【出願日】2023-07-27

(71)【出願人】

【識別番号】309015134

【氏名又は名称】富士通オプティカルコンポーネンツ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110002147

【氏名又は名称】弁理士法人酒井国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】柳田 百合香

(72)【発明者】

【氏名】三田村 宣明

【テーマコード（参考）】

2H137

2H147

2K102

【Ｆターム（参考）】

2H137AA01

2H137AA05

2H137AB05

2H137AB09

2H137BA01

2H137BA53

2H137BB12

2H137BC73

2H137BC76

2H137CA22A

2H137CA34

2H137CA73

2H137CA74

2H137CC01

2H137DA39

2H137EA02

2H137FA06

2H147AB02

2H147AB05

2H147BG14

2H147CA01

2H147CA30

2H147CC12

2H147EA02B

2H147EA13A

2H147EA13C

2H147EA14B

2H147FC08

2H147GA19

2K102AA21

2K102BA02

2K102BA03

2K102BA40

2K102BB04

2K102BC04

2K102BD01

2K102EA21

2K102EB16

2K102EB22

(57)【要約】

【課題】光導波路と光ファイバとの間の光結合損失を抑制できる。
【解決手段】光デバイスは、光素子と、光ファイバブロックとを有する。光素子は、光導波路と、前記光導波路の端面が配置された第１の端面と、前記第１の端面に対して突出する第２の端面とを有する。光ファイバブロックは、光ファイバと、前記光ファイバの端面が配置された第３の端面と、前記第３の端面に対してへこんでいる第４の端面とを有する。光デバイスは、前記第２の端面と前記第４の端面とが当て付けるように固定された状態で、前記第１の端面と前記第３の端面とがバットカップリングで接続して前記光導波路の端面と前記光ファイバの端面とを光結合する。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

光導波路と、前記光導波路の端面が配置された第１の端面と、前記第１の端面に対して突出する第２の端面とを有する光素子と、
光ファイバと、前記光ファイバの端面が配置された第３の端面と、前記第３の端面に対してへこんでいる第４の端面とを有する光ファイバブロックと、を有し、
前記第２の端面と前記第４の端面とが当て付けるように固定された状態で、前記第１の端面と前記第３の端面とがバットカップリングで接続して前記光導波路の端面と前記光ファイバの端面とを光結合することを特徴とする光デバイス。

【請求項2】

前記光ファイバブロックは、
前記第３の端面と前記第４の端面との間に開口部が配置されることを特徴とする請求項１に記載の光デバイス。

【請求項3】

前記光ファイバブロックは、
第１のガラスブロックと、前記第１のガラスブロックとは異なる第２のガラスブロックとを有し、
前記第４の端面は、
前記第２のガラスブロックの端面で構成することを特徴とする請求項１に記載の光デバイス。

【請求項4】

前記第１の端面と前記第２の端面との間の第１の段差は、前記第３の端面と前記第４の端面との間の第２の段差に略等しいことを特徴とする請求項１に記載の光デバイス。

【請求項5】

光導波路と、前記光導波路の端面が配置された第１の端面と、前記第１の端面に対して突出する第２の端面とを有する光変調器素子と、
光ファイバと、前記光ファイバの端面が配置された第３の端面と、前記第３の端面に対してへこんでいる第４の端面とを有する光ファイバブロックと、を有し、
前記第２の端面と前記第４の端面とが当て付けるように固定された状態で、前記第１の端面と前記第３の端面とがバットカップリングで接続して前記光導波路の端面と前記光ファイバの端面とを光結合することを特徴とする光送信装置。

【請求項6】

光導波路と、前記光導波路の端面が配置された第１の端面と、前記第１の端面に対して突出する第２の端面とを有する光受信器素子と、
光ファイバと、前記光ファイバの端面が配置された第３の端面と、前記第３の端面に対してへこんでいる第４の端面とを有する光ファイバブロックと、を有し、
前記第２の端面と前記第４の端面とが当て付けるように固定された状態で、前記第１の端面と前記第３の端面とがバットカップリングで接続して前記光導波路の端面と前記光ファイバの端面とを光結合することを特徴とする光受信装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、光デバイス、光送信装置及び光受信装置に関する。

【背景技術】

【0002】

近年、光導波路を備えた光デバイスでは、光データの伝送容量の大容量化が求められている。また、光送受信機能を備えた光トランシーバでは、小型集積化に適した光導波路が広く採用されている。

【0003】

図１９は、従来の光デバイス１００の一例を示す略断面図である。図１９に示す光デバイス１００は、光素子１１０と、光ファイバブロック１２０とを有する。光素子１１０は、ＳＯＩ(Silicon On Insulator)ウエハをベースとして作成された光学素子である。光素子１１０は、Ｓｉ基板１１１と、絶縁層１１２と、光導波路１１３と、パッシベーション層１１４とを有する。Ｓｉ基板１１１は、ＳＯＩウエハを構成する支持基板である。絶縁層１１２は、Ｓｉ基板１１１上に積層されたＳｉＯ_２で形成し、光導波路１１３の下部クラッド層として機能する。光導波路１１３は、絶縁層１１２上に形成されたＳｉの光導波路である。パッシベーション層１１４は、例えば、ＳｉＯ_２やＳｉ_３Ｎ_４等で形成され、光導波路１１３の上部クラッド層として機能する。

【0004】

光ファイバブロック１２０は、光ファイバ１２１と、ガラスブロック１２２とを有する。光ファイバ１２１は、コア１２１Ｂと、コア１２１Ｂを覆うクラッド１２１Ａと、を有する。光ファイバ１２１は、ガラスブロック１２２の中に挿入された状態で、光ファイバ１２１とガラスブロック１２２とが光学接着剤Ａで固定されている。

【0005】

光導波路１１３の端面１１３Ａ及び光ファイバ１２１のコア端面１２１Ｂ１は、光散乱を防ぐために、光学面（鏡面）となっている。そして、光通信波長域で透明な光学接着剤Ａを用いて、光導波路１１３の端面１１３Ａとコア端面１２１Ｂ１とをバットジョイント（Butt-Joint）で光結合している。この際、光導波路１１３と光ファイバ１２１のコア１２１Ｂとの間の光結合損失を十分に小さくするために、光導波路１１３の端面１１３Ａと光ファイバ１２１のコア端面１２１Ｂ１とは、上下左右方向に、ほぼ同じ位置に光軸調整される。更に、光導波路１１３の端面１１３Ａと光ファイバ１２１のコア端面１２１Ｂ１との間の距離も十分に短くしている。

【0006】

図２０は、従来の光素子１１０の切削工程の一例を示す略断面図である。光素子１１０は、図２０に示すように、回転する切断用ブレードＢ１を用いて、垂直にダイシングされることになる。図２１は、切削工程後の光素子１１０の一例を示す略断面図である。ダイシング後の光素子１１０では、図２１に示すように、光導波路１３の端面１１３Ａを含む切断面１１０Ａが粗く、このままでは光散乱が大きくなるため、光導波路１１３と光ファイバ１２１との間の光結合損失が大きくなる。

【0007】

図２２は、研磨工程の光素子１１０の一例を示す略断面図である。ダイシング後の光素子１１０では、図２２に示すように、切断面１１０Ａを下にした状態で、研磨機Ｂ２を用いて、光導波路１１３の端面１１３Ａを光学研磨することで、端面１１３Ａが光学面となる。また、光ファイバ１２１のコア端面１２１Ｂ１も同様に光学研磨の加工が必要となる。従って、光素子１１０では、切断（ダイシング）及び光学研磨の加工工程を経ることになるため、加工コストの増加やリードタイムが長くなる。

【0008】

そこで、近年、研磨砥粒をブレード側面に付けた特殊なブレードＢ３を用いるラップ加工なる手法が開発され、ブレードダイシング装置１台で切断工程と、端面研磨工程とを連続して実行することでリードタイムを短縮化できる。図２３は、光素子１１０のラップ加工工程の一例を示す略断面図である。例えば、ブレードＢ３を用いて光素子１１０のダイシングを実行した後、そのまま連続して、ブレードＢ３で切断された光素子１１０内の切断溝１１０Ｃに挿入して、ブレードＢ３で光素子１１０の上方にある光導波路１１３の端面１１３Ａを研磨加工することで切断面１１０Ａに端面１１０Ｂを形成する。その結果、光素子１１０の光導波路１１３の端面１１３Ａを含む端面１１０Ｂが光学面となる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0009】

【特許文献1】特開２０２０－１０６６７８号公報

【特許文献2】特開２００３－０５７４６７号公報

【特許文献3】特開２００７－１９９２５４号公報

【特許文献4】米国特許出願公開第２００２／０１５４８６６号明細書

【特許文献5】特開平９－０２６５２９号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0010】

しかし、ラップ加工で光素子１１０の切断面１１０Ａの全面を研磨しようとしても、その切断面１１０Ａに当て付けられたラップ加工のブレードＢ３は光素子１１０の端面からの反発力によって反ってしまう。その結果、光素子１１０の切断面１１０Ａにある光導波路１１３の端面１１３Ａと光ファイバ１２１のコア端面１２１Ｂ１との間の距離を短くできない。従って、光導波路１１３と光ファイバ１２１との間の光結合損失を抑制するのは困難である。

【0011】

開示の技術は、かかる点に鑑みてなされたものであって、光導波路と光ファイバとの間の光結合損失を抑制できる光デバイス等を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0012】

本願が開示する光デバイスは、１つの態様において、光素子と、光ファイバブロックとを有する。光素子は、光導波路と、前記光導波路の端面が配置された第１の端面と、前記第１の端面に対して突出する第２の端面とを有する。光ファイバブロックは、光ファイバと、前記光ファイバの端面が配置された第３の端面と、前記第３の端面に対してへこんでいる第４の端面とを有する。光デバイスは、前記第２の端面と前記第４の端面とが当て付けるように固定された状態で、前記第１の端面と前記第３の端面とがバットカップリングで接続して前記光導波路の端面と前記光ファイバの端面とを光結合する。

【発明の効果】

【0013】

本願が開示する光デバイスの１つの態様によれば、光導波路と光ファイバとの間の光結合損失を抑制できる。

【図面の簡単な説明】

【0014】

【図1】図１は、実施例１の光デバイスの一例を示す略断面図である。

【図2】図２は、光ファイバブロックのラップ加工工程の一例を示す略断面図である。

【図3】図３は、光ファイバブロックのラップ加工工程をＹ方向から見た説明図である。

【図4A】図４Ａは、ラップ加工工程後の光ファイバブロックの一例を示す略断面図である。

【図4B】図４Ｂは、ラップ加工工程後の光素子の一例を示す略断面図である。

【図5】図５は、実施例２の光デバイスの一例を示す略断面図である。

【図6】図６は、光ファイバブロックの第１のラップ加工工程の一例を示す略断面図である。

【図7】図７は、光ファイバブロックの第１のラップ加工工程をＹ方向から見た説明図である。

【図8】図８は、光ファイバブロックの第２のラップ加工工程の一例を示す略断面図である。

【図9】図９は、光ファイバブロックの第２のラップ加工工程をＹ方向から見た説明図である。

【図10】図１０は、実施例３の光デバイスの一例を示す略断面図である。

【図11】図１１は、光ファイバブロックのラップ加工工程の一例を示す略断面図である。

【図12】図１２は、第２のガラスブロック配置工程の一例を示す略断面図である。

【図13】図１３は、光ファイバブロックの一例を示す略断面図である。

【図14】図１４は、光ファイバブロックのＹ方向から見た説明図である。

【図15】図１５は、本実施例の光デバイスを採用した光トランシーバの一例を示す説明図である。

【図16】図１６は、比較例１の光デバイスの一例を示す略断面図である。

【図17】図１７は、比較例１の光素子の一例を示す略断面図である。

【図18】図１８は、比較例２の光デバイスの一例を示す略断面図である。

【図19】図１９は、従来の光デバイスの一例を示す略断面図である。

【図20】図２０は、従来の光素子の切削工程の一例を示す略断面図である。

【図21】図２１は、切削工程後の光素子の一例を示す略断面図である。

【図22】図２２は、研磨工程の光素子の一例を示す略断面図である。

【図23】図２３は、光素子のラップ加工工程の一例を示す略断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0015】

しかし、図２３に示すように光素子１１０の切断面１１０Ａに当て付けられたラップ加工のブレードＢ３が切断面１１０Ａでの反発力によって反ってしまうため、光素子１１０の切断面１１０Ａを全面研磨することができない。そこで、光素子１１０の光導波路１１３の端面１１３Ａ付近のみをラップ加工する方法も考えられる。図１６は、比較例１の光デバイス１００Ａの一例を示す略断面図、図１７は、比較例１の光素子１１０の一例を示す略断面図である。尚、説明の便宜上、Ｓｉ基板１１１の厚さは、例えば、６２５ｕｍとする。そこで、光素子１１０の切断面１１０Ａの全面をラップ加工せず、光素子１１０の光導波路１１３側の表面から８０ｕｍ程度の深さまでラップ加工を施すことで、光素子１１０の光導波路１１３側の表面から１０ｕｍ程度の深さまでの端面１１０Ｂを光学研磨する。その結果、光導波路１１３の端面１１３Ａを含む端面１１０Ｂが光学面となる。この際、光素子１１０の光導波路１１３の端面１１３Ａと切断面１１０Ａとの段差Ｌは、例えば、１０ｕｍ程度とする。

【0016】

図１６に示すように、光ファイバ１２１のコア端面１２１Ｂ１とガラスブロック１２２の端面とが同一平面となる光ファイバブロック１２０と光素子１１０とをバットジョイントで接続する。つまり、光素子１１０の切断面１１０Ａとガラスブロック１２２の端面とを当て付けた状態で光導波路１１３の端面１１３Ａと光ファイバ１２１のコア端面１２１Ｂ１とを光学接着剤Ａでバットジョイント接続する。その結果、光ファイバ１２１のコア端面１２１Ｂ１と光導波路１１３の端面１１３Ａとの間の距離は、光導波路１１３の端面１１３Ａと切断面１１０Ａとの段差Ｌである１０ｕｍとなる。

【0017】

しかしながら、上記ラップ加工された光導波路１１３の端面１１３Ａに直接、通常の光ファイバ１２１のコア端面１２１Ｂ１をバットジョイント接続した場合でも、光導波路１１３の端面１１３Ａとコア端面１２１Ｂ１との間の距離が１０ｕｍ以上離れる。その結果、光導波路１１３と光ファイバ１２１との間の光結合損失が大きく、例えば、約１．３５ｄＢとなる。

【0018】

そこで、光結合損失を抑制すべく、光導波路１１３の端面１１３Ａと光ファイバ１２１のコア端面１２１Ｂ１との間にレンズを設ける方法も考えられる。図１８は、比較例２の光デバイス１００Ｂの一例を示す略断面図である。光導波路１１３の端面１１３Ａと光ファイバ１２１のコア端面１２１Ｂ１との間の光路１３０上に焦点距離２ｍｍの第１のレンズ１３１Ａと焦点距離２ｍｍの第２のレンズ１３１Ｂとをレンズ間距離、例えば、１．５ｍｍ離して配置する。光デバイス１００Ｂでは、光ファイバ１２１のコア端面１２１Ｂ１から出射する光を第１のレンズ１３１Ａ及び第２のレンズ１３１Ｂで集光し、光導波路１１３の端面１１３Ａに光結合する。しかし、光デバイス１００Ｂでは、第１のレンズ１３１Ａ及び第２のレンズ１３１Ｂの焦点距離とレンズ間距離とを加算した５．５ｍｍ分の長さ寸法を確保する必要がある。その結果、光デバイス１００Ｂが大型化し、レンズ分のコストが高くなる。

【0019】

そこで、ラップ加工された光素子の光導波路の端面と光ファイバのコア端面との間の光結合損失が抑制できる小型の光デバイスの実施の形態につき、実施例として以下に説明する。尚、本実施例により、開示技術が限定されるものではない。また、以下に示す各実施例は、矛盾を起こさない範囲で適宜組み合わせても良い。

【実施例0020】

図１は、実施例１の光デバイス１の一例を示す略断面図である。図１に示す光デバイス１は、光素子２と、光ファイバブロック３と、を有する。光素子２は、ＳＯＩ(Silicon On Insulator)ウエハをベースとして作成された光学素子である。光素子２は、Ｓｉ基板１１と、絶縁層１２と、光導波路１３と、パッシベーション層１４とを有する。Ｓｉ基板１１は、ＳＯＩウエハを構成する支持基板である。絶縁層１２は、Ｓｉ基板１１上に積層されたＳｉＯ_２で形成し、光導波路１３の下部クラッド層として機能する。光導波路１１３は、絶縁層１１２上に形成された、例えば、Ｓｉの光導波路である。パッシベーション層１１４は、例えば、ＳｉＯ_２やＳｉ_３Ｎ_４等で形成され、光導波路１１３の上部クラッド層として機能する。

【0021】

光ファイバブロック３は、光ファイバ２１と、ガラスブロック２２とを有する。光ファイバ２１は、コア２１Ｂと、コア２１Ｂを覆うクラッド２１Ａと、を有する。光ファイバ２１は、ガラスブロック２２の中に挿入された状態で、光ファイバ２１とガラスブロック２２とが光学接着剤Ａで固定されている。

【0022】

光素子２は、光導波路１３と、光導波路１３の端面１３Ａを含む第１の端面３１と、第１の端面３１に対して突出する第２の端面３２とを有する。第２の端面３２は、光導波路１３の軸方向へ突出する端面である。尚、第２の端面３２は、ラップ加工に使用するブレードＢで切断した光素子２の切断面３０で構成され、その切断面３０は粗い面である。更に、第１の端面３１は、ブレードＢの光研磨工程で端面１３Ａを含む切断面３０の箇所を光学研磨することで形成する。光素子２の切断面３０は、第１の端面３１と第２の端面３２との間の第１の段差Ｌ１を有する。

【0023】

光ファイバブロック３は、光ファイバ２１と、光ファイバ２１のコア端面２１Ｂ１を含む第３の端面４１と、第３の端面４１に対してへこんでいる第４の端面４２とを有する。光ファイバブロック３の第３の端面４１は、ラップ加工に使用するブレードＢで切断した光ファイバブロック３の切断面４０で構成する。第４の端面４２は、ブレードＢの切削工程で形成することで、光ファイバ２１のコア２１Ｂの軸方向へへこんでいる端面である。光ファイバブロック３の切断面４０は、第３の端面４１と第４の端面４２との間の第２の段差Ｌ２を有する。

【0024】

光素子２の第１の段差Ｌ１は、光ファイバブロック３の第２の段差Ｌ２と略等しくしている。第１の段差Ｌ１及び第２の段差Ｌ２の寸法は、通常のラップ加工で生じる段差１０ｕｍを解消することを考慮した場合、少なくとも３ｕｍ以下、例えば、１ｕｍ以下が望ましい。そして、光デバイス１は、第２の端面３２と第４の端面４２とが当て付けるように固定された状態で、第１の端面３１と第３の端面４１とが光学接着剤Ａでバットカップリング接続して光導波路１３の端面１３Ａと光ファイバ２１のコア端面２１Ｂ１とを光結合する。

【0025】

次に実施例１の光デバイス１の製造方法について説明する。

【0026】

図２は、光ファイバブロック３のラップ加工工程の一例を示す略断面図、図３は、光ファイバブロック３のラップ加工工程をＹ方向から見た説明図である。光ファイバブロック３の光ファイバ２１のコア端面２１Ｂ１は、光路に影響のない範囲で、一部のクラッド２１Ａを切削加工する。具体的には、ブレードＢをＸ－Ｚ平面に設置し、Ｘ方向に動かして切削することで、光ファイバブロック３の切断面４０である第３の端面４１に第４の端面４２を形成する。そして、第３の端面４１と第４の端面４２との間に第２の段差Ｌ２を形成することになる。その結果、光ファイバブロック３の切断面４０には、ラップ加工された光素子２の光導波路１３の端面１３Ａを含む第１の端面３１と第２の端面３２との間の距離である第１の段差Ｌ１に略等しい第２の段差Ｌ２を容易に設けることができる。

【0027】

図４Ａは、ラップ加工工程後の光ファイバブロック３の一例を示す略断面図である。光ファイバブロック３のファイバ径は、例えば、２５０ｕｍ、光ファイバ２１のクラッド径は、例えば、１２５ｕｍ、光ファイバ２１のコア径（モードフィールド径）は、例えば、４ｕｍとする。第３の端面４１と第４の端面４２との間の第２の段差Ｌ２は、例えば、１０ｕｍ以上とする。更に、第４の端面４２付近の光ファイバ２１のクラッド２１Ａは、コア２１Ｂと第４の端面４２との間のクラッド残部２１Ａ１に相当し、コア２１Ｂから第４の端面４２のへこみ部４０Ａまでの寸法は、例えば、２ｕｍ～５０ｕｍの範囲とする。

【0028】

図４Ｂは、ラップ加工工程後の光素子２の一例を示す略断面図である。Ｓｉ基板１１の厚さは、例えば、６２５ｕｍとする。光素子２は、ラップ加工のブレードＢのダイシングで切断面３０となる第２の端面３２を形成し、切断面３０の内、光導波路１３の端面１３Ａ付近を光学研磨することで第１の端面３１を形成する。具体的には、光素子２の切断面３０の全面をラップ加工せず、光素子２の光導波路１３側の表面から８０ｕｍ程度の深さまでラップ加工を施すことで、光素子２の光導波路１３側の表面から１０ｕｍ程度の深さまでの切断面を光学研磨する。その結果、光導波路１３の端面１３Ａを含む第１の端面３１が光学面となる。そして、第１の端面３１と第２の端面３２との間に第１の段差Ｌ１を形成することになる。この際、第１の端面３１と第２の端面３２との間の第１の段差Ｌ１は、例えば、１０ｕｍ程度とする。

【0029】

そして、光デバイス１は、第２の端面３２と第４の端面４２とが当て付けるように固定された状態で、第１の端面３１と第３の端面４１とがバットカップリングで光学接着剤Ａを使用して接続する。光素子２内の光導波路１３の端面１３Ａと光ファイバブロック３内の光ファイバ２１のコア端面２１Ｂ１とが光結合することになる。切削した光ファイバ２１のクラッド残部２１Ａ１は、へこみ部４０Ａを光学接着剤Ａで充填されることで、クラッド２１Ａの一部切削による光屈折率への影響を軽減できる。

【0030】

実施例１の光デバイス１では、図４Ａに示すように、ラップ加工された光素子２の切断面３０に形成された第１の段差Ｌ１に略等しい距離の第２の段差Ｌ２を光ファイバブロック３の切断面４０に設けた。そして、光デバイス１は、光ファイバブロック３の第４の端面４２と光素子２の第２の端面３２とを当て付ける状態で、第１の端面３１と第３の端面４１とをバットジョイント接続で、光導波路１３の端面１３Ａと光ファイバ２１のコア端面２１Ｂ１とを光結合する。その結果、光ファイバ２１と光導波路１３との間の光結合損失は０．７４ｄＢとなり、比較例１の光デバイス１００Ａに比較して、光結合損失は０．６２ｄＢ改善する。また、本実施例の構成は、ラップ加工を用いて光素子２の導波路１３の端面を含む第１の端面３１を選択的に光学研磨することで、リードタイムの短縮化が可能となる。

【0031】

尚、光ファイバブロック３は、ブレードＢをＸ－Ｚ平面に設置し、Ｘ方向に動かして切削することで、光ファイバブロック３の切断面４０である第３の端面４１に第４の端面４２を形成する場合を例示した。しかしながら、これに限定されるものではなく、適宜変更可能である。従って、その実施の形態につき、実施例２として以下に説明する。

【実施例0032】

図５は、実施例２の光デバイス１Ａの一例を示す略断面図である。尚、実施例１の光デバイス１と同一の構成には同一符号を付すことで、その重複する構成及び動作の説明については省略する。光ファイバブロック３Ａは、第３の端面４１と、第４の端面４２Ａと、第３の端面４１と第４の端面４２Ａとの間に形成された開口部４３と、を有する。

【0033】

光デバイス１Ａは、第２の端面３２と第４の端面４２Ａとを当て付けるように固定された状態で、第１の端面３１と第３の端面４１とがバットカップリングで光学接着剤Ａを使用して接続する。そして、光素子２内の光導波路１３の端面１３Ａと光ファイバブロック３Ａ内の光ファイバ２１のコア端面２１Ｂ１とが光結合することになる。尚、開口部４３は、光学接着剤Ａで充填された状態である。

【0034】

次に実施例２の光デバイス１Ａの製造方法について説明する。光ファイバブロック３Ａは、光ファイバ２１の光路に影響のない部分を２段階切削加工で第４の端面４２Ａを形成する。図６は、光ファイバブロック３Ａの第１のラップ加工工程の一例を示す略断面図、図７は、光ファイバブロック３Ａの第１のラップ加工工程をＹ方向から見た説明図である。図６及び図７に示す第１のラップ加工工程では、ブレードＢをＸ－Ｙ平面に設置し、光路と水平（Ｘ方向）に切削することで切断面４０である第３の端面４１に開口部４３を形成する。

【0035】

図８は、光ファイバブロック３Ａの第２のラップ加工工程の一例を示す略断面図、図９は、光ファイバブロック３Ａの第２のラップ加工工程をＹ方向から見た説明図である。図８及び図９に示す第２のラップ加工工程では、ブレードＢをＸ－Ｚ平面に設置し、Ｘ方向に動かして切削することで、切断面４０に第４の端面４２Ａを形成する。その結果、より精度よくラップ加工された光素子２の第１の段差Ｌ１に略等しい第２の段差Ｌ２を光ファイバブロック３Ａの切断面４０に設けることができる。

【0036】

実施例２の光デバイス１Ａは、第２の端面３２と第４の端面４２Ａとが当て付けるように固定された状態で、第１の端面３１と第３の端面４１とがバットカップリングで光学接着剤Ａを使用して接続する。その結果、光素子２内の光導波路１３の端面１３Ａと光ファイバブロック３Ａ内の光ファイバ２１のコア端面２１Ｂ１とが光結合することになる。また、切削された光ファイバ２１のクラッド２１Ａの開口部４３は光学接着剤Ａで埋め込まれるため、クラッド２１Ａの一部切削による光屈折率への影響を軽減できる。

【0037】

光デバイス１Ａは、光ファイバ２１のコア端面２１Ｂ１と光導波路１３の端面１３Ａとの間の距離を短縮化できるため、光導波路１３と光ファイバ２１との間の光結合損失も最小限に抑制できる。また、光ファイバブロック３Ａの第４の端面４２Ａを形成する際の切削は短時間で容易に加工できる。