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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2025001915
(43)【公開日】2025-01-09
(54)【発明の名称】電源制御装置
(51)【国際特許分類】
H02M 3/155 20060101AFI20241226BHJP
【ＦＩ】
H02M3/155 H
【審査請求】未請求
【請求項の数】8
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023101693
(22)【出願日】2023-06-21
(71)【出願人】
【識別番号】000116024
【氏名又は名称】ローム株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110001933
【氏名又は名称】弁理士法人 佐野特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】奥 浩典
【テーマコード（参考）】
5H730
【Ｆターム（参考）】
5H730AS05
5H730BB13
5H730BB81
5H730DD04
5H730EE13
5H730EE58
5H730FD61
5H730FF09
5H730XX04
5H730XX19
5H730XX24
5H730XX38
5H730XX42
5H730XX50
(57)【要約】
【課題】使用環境履歴の参照を可能とする電源制御装置を提供する。
【解決手段】入力電圧から出力電圧を生成する電源装置の動作を制御する電源制御装であって、当該電源制御装置の温度が複数の温度範囲（Ｒ［１］～Ｒ［５］）の何れに属するかを判定するよう構成された温度判定回路と、前記温度範囲ごとに、当該電源制御装置の温度が当該温度範囲に属する時間を計測する計測回路と、前記計測回路による計測結果を記憶する不揮発性メモリと、を備える。
【選択図】図１０
【解決手段】入力電圧から出力電圧を生成する電源装置の動作を制御する電源制御装であって、当該電源制御装置の温度が複数の温度範囲（Ｒ［１］～Ｒ［５］）の何れに属するかを判定するよう構成された温度判定回路と、前記温度範囲ごとに、当該電源制御装置の温度が当該温度範囲に属する時間を計測する計測回路と、前記計測回路による計測結果を記憶する不揮発性メモリと、を備える。
【選択図】図１０
【特許請求の範囲】
【請求項1】
入力電圧から出力電圧を生成する電源装置の動作を制御するよう構成された電源制御装置であって、
当該電源制御装置の温度が複数の温度範囲の何れに属するかを判定するよう構成された温度判定回路と、
前記温度範囲ごとに、当該電源制御装置の温度が当該温度範囲に属する時間を計測するよう構成された計測回路と、
前記計測回路による計測結果を記憶するよう構成された不揮発性メモリと、を備える
、電源制御装置。
当該電源制御装置の温度が複数の温度範囲の何れに属するかを判定するよう構成された温度判定回路と、
前記温度範囲ごとに、当該電源制御装置の温度が当該温度範囲に属する時間を計測するよう構成された計測回路と、
前記計測回路による計測結果を記憶するよう構成された不揮発性メモリと、を備える
、電源制御装置。
【請求項2】
前記不揮発性メモリは、前記温度範囲ごとに累積駆動時間を記憶し、
前記温度範囲ごとの前記累積駆動時間は、当該電源制御装置の駆動時間の内、当該電源制御装置の温度が当該温度範囲に属する時間の累積値を表す
、請求項１に記載の電源制御装置。
前記温度範囲ごとの前記累積駆動時間は、当該電源制御装置の駆動時間の内、当該電源制御装置の温度が当該温度範囲に属する時間の累積値を表す
、請求項１に記載の電源制御装置。
【請求項3】
当該電源制御装置の外部装置に対して特定信号を出力可能に構成された信号出力制御回路を更に備え、
前記信号出力制御回路は、前記不揮発性メモリに記憶された各累積駆動時間に基づき、前記特定信号を出力するかを決定する
、請求項２に記載の電源制御装置。
前記信号出力制御回路は、前記不揮発性メモリに記憶された各累積駆動時間に基づき、前記特定信号を出力するかを決定する
、請求項２に記載の電源制御装置。
【請求項4】
前記信号出力制御回路は、前記不揮発性メモリに記憶された各累積駆動時間に基づき当該電源制御装置が寿命に達したかを判定し、前記判定の結果に基づき前記特定信号を出力するかを決定する
、請求項３に記載の電源制御装置。
、請求項３に記載の電源制御装置。
【請求項5】
前記信号出力制御回路は、前記複数の温度範囲に対する複数の累積駆動時間を重み付け加算することで加重和を導出し、前記加重和と所定の閾値との比較結果に基づき当該電源制御装置が寿命に達したかを判定する
、請求項４に記載の電源制御装置。
、請求項４に記載の電源制御装置。
【請求項6】
当該電源制御装置の温度に応じた信号を出力するよう構成された温度センサと、
前記温度センサの出力信号に基づき当該電源制御装置の温度異常を検出するよう構成された温度異常検出回路と、を備え、
前記温度判定回路は、前記温度センサを用いて当該電源制御装置の温度が前記複数の温度範囲の何れに属するかを判定する
、請求項１～５の何れかに記載の電源制御装置。
前記温度センサの出力信号に基づき当該電源制御装置の温度異常を検出するよう構成された温度異常検出回路と、を備え、
前記温度判定回路は、前記温度センサを用いて当該電源制御装置の温度が前記複数の温度範囲の何れに属するかを判定する
、請求項１～５の何れかに記載の電源制御装置。
【請求項7】
所定の異常を検出するよう構成された異常検出回路を備え、
前記異常検出回路にて前記異常が検出されたとき、前記異常が検出された旨を示す情報が前記不揮発性メモリに記憶される
、請求項１～５の何れかに記載の電源制御装置。
前記異常検出回路にて前記異常が検出されたとき、前記異常が検出された旨を示す情報が前記不揮発性メモリに記憶される
、請求項１～５の何れかに記載の電源制御装置。
【請求項8】
前記電源装置は複数チャネルのレギュレータを有して、チャネルごとに前記入力電圧から前記出力電圧を生成し、
当該電源制御装置は前記チャネルごとに前記レギュレータの動作を制御する
、請求項１～５の何れかに記載の電源制御装置。
当該電源制御装置は前記チャネルごとに前記レギュレータの動作を制御する
、請求項１～５の何れかに記載の電源制御装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、電源制御装置に関する。
【背景技術】
【0002】
入力電圧から出力電圧を生成する電源装置の動作を制御する装置として、様々な電源制御装置が実用化されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０２０－０８９０４３号公報
【0004】
[概要]
電源制御装置及び電源装置は様々な環境で使用される。電源制御装置及び電源装置の使用環境は、それらの寿命判定等に関わる重要な情報である。当該情報を参照可能とする技術は有益である。
電源制御装置及び電源装置は様々な環境で使用される。電源制御装置及び電源装置の使用環境は、それらの寿命判定等に関わる重要な情報である。当該情報を参照可能とする技術は有益である。
【0005】
本開示に係る電源制御装置は、入力電圧から出力電圧を生成する電源装置の動作を制御するよう構成された電源制御装置であって、当該電源制御装置の温度が複数の温度範囲の何れに属するかを判定するよう構成された温度判定回路と、前記温度範囲ごとに、当該電源制御装置の温度が当該温度範囲に属する時間を計測するよう構成された計測回路と、前記計測回路による計測結果を記憶するよう構成された不揮発性メモリと、を備える。
【図面の簡単な説明】
【0006】
【0007】
[詳細な説明]
以下、本開示の実施形態の例を、図面を参照して具体的に説明する。参照される各図において、同一の部分には同一の符号を付し、同一の部分に関する重複する説明を原則として省略する。尚、本明細書では、記述の簡略化上、情報、信号、物理量、機能部、回路、素子又は部品等を参照する記号又は符号を記すことによって、該記号又は符号に対応する情報、信号、物理量、機能部、回路、素子又は部品等の名称を省略又は略記することがある。例えば、後述の“２６”によって参照される不揮発性メモリは（図６参照）、不揮発性メモリ２６と表記されることもあるし、メモリ２６と略記されることもあり得るが、それらは全て同じものを指す。
以下、本開示の実施形態の例を、図面を参照して具体的に説明する。参照される各図において、同一の部分には同一の符号を付し、同一の部分に関する重複する説明を原則として省略する。尚、本明細書では、記述の簡略化上、情報、信号、物理量、機能部、回路、素子又は部品等を参照する記号又は符号を記すことによって、該記号又は符号に対応する情報、信号、物理量、機能部、回路、素子又は部品等の名称を省略又は略記することがある。例えば、後述の“２６”によって参照される不揮発性メモリは（図６参照）、不揮発性メモリ２６と表記されることもあるし、メモリ２６と略記されることもあり得るが、それらは全て同じものを指す。
【0008】
まず、本開示の実施形態の記述にて用いられる幾つかの用語について説明を設ける。グランドとは、基準となる０Ｖ（ゼロボルト）の電位を有する基準導電部を指す又は０Ｖの電位そのものを指す。基準導電部は金属等の導体を用いて形成されて良い。本開示の実施形態において、特に基準を設けずに示される電圧はグランドから見た電位を表す。
【0009】
ＭＯＳＦＥＴを含むＦＥＴ（電界効果トランジスタ）として構成された任意のトランジスタについて、オン状態とは、当該トランジスタのドレイン及びソース間が導通している状態を指し、オフ状態とは、当該トランジスタのドレイン及びソース間が非導通となっている状態（遮断状態）を指す。ＦＥＴに分類されないトランジスタについても同様である。ＭＯＳＦＥＴは、特に記述無き限り、エンハンスメント型のＭＯＳＦＥＴであると解される。ＭＯＳＦＥＴは“metal-oxide-semiconductor field-effect transistor”の略称である。また、特に記述なき限り、任意のＭＯＳＦＥＴにおいて、バックゲートはソースに短絡されていると考えて良い。以下、任意のトランジスタについて、オン状態、オフ状態を、単に、オン、オフと表現することもある。
【0010】
任意の回路素子、配線、ノードなど、回路を形成する複数の部位間についての接続とは、特に記述なき限り、電気的な接続を指すと解して良い。
【0011】
図１は本開示の実施形態に係る電源装置１の概略的な構成ブロック図である。電源装置１は、電源制御装置２と、電源制御装置２に対して外付け接続される複数のディスクリート部品から成るディスクリート部品群３と、を備える。電源制御装置２はＰＭＩＣ（Power Management IC）に分類される電子部品であって良い。
【0012】
図２に電源制御装置２の外観斜視図を示す。電源制御装置２は、半導体基板上に形成された半導体集積回路を有する半導体チップと、半導体チップを収容する筐体（パッケージ）と、筐体から電源制御装置２の外部に対して露出する複数の外部端子と、を備えた電子部品である。半導体チップを樹脂にて構成された筐体（パッケージ）内に封入することで電源制御装置２が形成される。尚、図２に示される電源制御装置２の外部端子の数及び電源制御装置２の筐体の種類は例示に過ぎず、それらを任意に設計可能である。
【0013】
図３に示す如く、電源装置１には、ｎチャネル分のレギュレータ４が設けられる、即ち、ｎ個のレギュレータ４が設けられる。各レギュレータ４には制御ブロック１０が設けられる。ｎは２以上の任意の整数を表す。ｎ個のチャネルは第１～第ｎチャネルから成る。各レギュレータ４は入力電圧ＶＩＮの供給を受け、入力電圧ＶＩＮを電力変換することで出力電圧ＶＯＵＴを生成する。各チャネルにおいて入力電圧ＶＩＮ及び出力電圧ＶＯＵＴは互いに異なる直流電圧である。各チャネルにおける入力電圧ＶＩＮ又は出力電圧ＶＯＵＴは負の直流電圧であり得るが、以下では、各チャネルにおける入力電圧ＶＩＮ及び出力電圧ＶＯＵＴは正の直流電圧であるとする。
【0014】
第１～第ｎチャネルにおける１以上のチャネルのレギュレータ４はスイッチングレギュレータであって良い。スイッチングレギュレータとしてのレギュレータ４は、入力電圧ＶＩＮを降圧することで入力電圧ＶＩＮより低い出力電圧ＶＯＵＴを生成する降圧型のスイッチングレギュレータ、又は、入力電圧ＶＩＮを昇圧することで入力電圧ＶＩＮより高い出力電圧ＶＯＵＴを生成する昇圧型のスイッチングレギュレータであって良い。第１～第ｎチャネルにおける１以上のチャネルのレギュレータ４はリニアレギュレータであって良い。第１～第ｎチャネルにおける計ｎ個のレギュレータ４は、全てスイッチングレギュレータであっても良いし、全てリニアレギュレータであっても良い。第１～第ｎチャネルにおける計ｎ個のレギュレータ４の中に、１以上のスイッチングレギュレータと、１以上のリニアレギュレータと、が混在していても良い。
【0015】
第１～第ｎチャネルにおける計ｎ個の出力電圧ＶＯＵＴは互いに異なる直流電圧である。但し、第ｉＡチャネルにおける出力電圧ＶＯＵＴの値と、第ｉＢチャネルにおける出力電圧ＶＯＵＴの値とが一致する場合もあり得る。ここで、ｉＡ及びｉＢはｎ以下の互いに異なる任意の自然数を表す。
【0016】
第１～第ｎチャネルにおける計ｎ個の入力電圧ＶＩＮは互いに同じ直流電圧であり得る。即ち、共通の直流電圧が第１～第ｎチャネルの入力電圧ＶＩＮとして兼用され得る。第ｉＡチャネルにおける入力電圧ＶＩＮは第ｉＢチャネルにおける入力電圧ＶＩＮと同じである場合もあるし、異なる場合もある。第１～第ｎチャネルの何れかのチャネルの入力電圧ＶＩＮは電源制御装置２の電源電圧であって良い。
【0017】
第１～第ｎチャネルにおける計ｎ個の制御ブロック１０は電源制御装置２に設けられる。各チャネルにおいて、制御ブロック１０と制御ブロック１０に対して接続されたディスクリート部品にてレギュレータ４が形成される。図４に示す如く、第ｉチャネルにおけるレギュレータ４、制御ブロック１０、入力電圧ＶＩＮ、出力電圧ＶＯＵＴを、夫々、特にレギュレータ４［ｉ］、制御ブロック１０［ｉ］、入力電圧ＶＩＮ［ｉ］、出力電圧ＶＯＵＴ［ｉ］と表記する。ｉは任意の整数を表す（例えばｎ以下の任意の自然数を表す）。
【0018】
電源装置１は、チャネルごとに入力電圧ＶＩＮから出力電圧ＶＯＵＴを生成する動作（電力変換）を行う。電力制御装置２は電源装置１の動作（電力変換）を制御する。即ち、電力制御装置２はチャネルごとにレギュレータ４の動作（電力変換）を制御する。
【0019】
図５に、レギュレータ４［１］～４［ｎ］の内、任意の２つのレギュレータ４であるレギュレータ４［ｉＡ］及び４［ｉＢ］の構成例を示す。レギュレータ４［ｉＡ］は、制御ブロック１０［ｉＡ］と出力コイルＬ［ｉＡ］及び出力コンデンサＣ［ｉＡ］とを備えた降圧型のスイッチングレギュレータである。レギュレータ４［ｉＢ］は制御ブロック１０［ｉＢ］と出力コンデンサＣ［ｉＢ］とを備えたリニアレギュレータである。レギュレータ４［ｉＢ］はＬＤＯ（Low Dropout）レギュレータであって良い。制御ブロック１０［ｉＡ］及び１０［ｉＢ］は電源制御装置２に設けられる。出力コイルＬ［ｉＡ］並びに出力コンデンサＣ［ｉＡ］及びＣ［ｉＢ］はディスクリード部品群３（図１参照）の構成要素である。
【0020】
制御ブロック１０［ｉＡ］はトランジスタ１１及び１２と制御駆動回路１３を備える。トランジスタ１１はＰチャネル型のＭＯＳＦＥＴであり、トランジスタ１２はＮチャネル型のＭＯＳＦＥＴである。トランジスタ１１のソースに対して入力電圧ＶＩＮ［ｉＡ］が供給される。トランジスタ１１及び１２の各ドレインは出力コイルＬ［ｉＡ］の第１端に共通接続される。出力コイルＬ［ｉＡ］の第２端は出力ノードＯＵＴ［ｉＡ］に接続される。トランジスタ１２のソースはグランドに接続される。出力ノードＯＵＴ［ｉＡ］及びグランド間に出力コンデンサＣ［ｉＡ］が設けられる。即ち、出力コンデンサＣ［ｉＡ］の第１端は出力ノードＯＵＴ［ｉＡ］に接続され、出力コンデンサＣ［ｉＡ］の第２端はグランドに接続される。出力ノードＯＵＴ［ｉＡ］における電圧が出力電圧ＶＯＵＴ［ｉＡ］である。
【0021】
制御駆動回路１３に対して出力電圧ＶＯＵＴ［ｉＡ］の帰還情報が入力される。図５では、出力ノードＯＵＴ［ｉＡ］が制御駆動回路１３に接続されることで、出力電圧ＶＯＵＴ［ｉＡ］そのものが出力電圧ＶＯＵＴ［ｉＡ］の帰還情報として制御駆動回路１３に入力される。但し、出力電圧ＶＯＵＴ［ｉＡ］の帰還情報は出力電圧ＶＯＵＴ［ｉＡ］の分圧であっても良い。制御駆動回路１３はトランジスタ１１及び１２の各ゲートに接続され、トランジスタ１１及び１２の各ゲート電位を制御することでトランジスタ１１及び１２を個別にオン又はオフに制御する。制御駆動回路１３は、出力電圧ＶＯＵＴ［ｉＡ］の帰還情報に基づき、出力電圧ＶＯＵＴ［ｉＡ］が所定の目標電圧にて安定化されるよう、トランジスタ１１及び１２を交互にオン、オフに切り替えるスイッチング制御を行う。当該スイッチング制御により、トランジスタ１１及び１２間の接続ノードに矩形波電圧（概ね０Ｖと入力電圧ＶＩＮ［ｉＡ］との間で変動する矩形波電圧）が発生する。出力コイルＬ［ｉＡ］及び出力コンデンサＣ［ｉＡ］により当該矩形波電圧が整流及び平滑化されることで出力ノードＯＵＴ［ｉＡ］に出力電圧ＶＯＵＴ［ｉＡ］が生じる。
【0022】
制御ブロック１０［ｉＢ］はトランジスタ１４と制御駆動回路１５を備える。トランジスタ１４はＰチャネル型のＭＯＳＦＥＴである。トランジスタ１４のソースに対して入力電圧ＶＩＮ［ｉＢ］が供給される。トランジスタ１４のドレインは出力ノードＯＵＴ［ｉＢ］に接続される。出力ノードＯＵＴ［ｉＢ］及びグランド間に出力コンデンサＣ［ｉＢ］が設けられる。即ち、出力コンデンサＣ［ｉＢ］の第１端は出力ノードＯＵＴ［ｉＢ］に接続され、出力コンデンサＣ［ｉＢ］の第２端はグランドに接続される。出力ノードＯＵＴ［ｉＢ］における電圧が出力電圧ＶＯＵＴ［ｉＢ］である。
【0023】
制御駆動回路１５に対して出力電圧ＶＯＵＴ［ｉＢ］の帰還情報が入力される。図５では、出力ノードＯＵＴ［ｉＢ］が制御駆動回路１５に接続されることで、出力電圧ＶＯＵＴ［ｉＢ］そのものが出力電圧ＶＯＵＴ［ｉＢ］の帰還情報として制御駆動回路１５に入力される。但し、出力電圧ＶＯＵＴ［ｉＢ］の帰還情報は出力電圧ＶＯＵＴ［ｉＢ］の分圧であっても良い。制御駆動回路１５はトランジスタ１４のゲートに接続される。制御駆動回路１５は、出力電圧ＶＯＵＴ［ｉＢ］の帰還情報に基づきトランジスタ１４のゲート電位を制御することでトランジスタ１４を介して出力ノードＯＵＴ［ｉＢ］に供給される電流の大きさを制御し、これによって出力電圧ＶＯＵＴ［ｉＢ］を所定の目標電圧にて安定化させる。
【0024】
レギュレータ４［ｉＡ］と同等の構成を持つ２以上のレギュレータ４が電源装置１に設けられて良い。レギュレータ４［ｉＢ］と同等の構成を持つ２以上のレギュレータ４が電源装置１に設けられて良い。
【0025】
図６に、電源制御装置２の特徴的な機能を実現するためのブロック図であって、電源制御装置２の一部のブロック図を示す。電源制御装置２は、温度センサ２１、温度判定回路２２、計測回路２３、異常検出回路２４、メモリコントローラ２５、不揮発性メモリ２６、揮発性メモリ２７及び信号出力制御回路２８を備える。異常検出回路２４には温度異常検出回路２４ａが含まれる。また、図６には電源制御装置２の外部に設けられる外部装置５も図示される。外部装置５は例えばＭＰＵ（Micro Processing Unit）を含む。電源制御装置２及び外部装置５は所定の通信バスを通じて互いに双方向通信が可能に接続される。例えば、Ｉ２Ｃ（Inter-Integrated Circuit ）又はＳＰＩ（Serial Peripheral Interface）による通信バスを通じて、電源制御装置２及び外部装置５間の双方向通信が実現される。
【0026】
温度センサ２１は対象温度ＴＥＭＰを検出し、対象温度ＴＥＭＰに応じた温度信号ＳＴＥＭＰを出力する。対象温度ＴＥＭＰは電源制御装置２の温度である。より具体的には、対象温度ＴＥＭＰは電源制御装置２内における所定の測定対象位置での温度である。即ち、温度センサ２１は電源制御装置２内の所定の測定対象位置に設置され、測定対象位置における温度に応じた温度信号ＳＴＥＭＰを出力する。
【0027】
温度センサ２１は半導体のＰＮ接合により形成される温度検出用ダイオードを用いて温度信号ＳＴＥＭＰを生成する。より具体的には例えば、温度センサ２１は、温度検出用ダイオードと、温度検出用ダイオードに対し定電流を順方向に供給する定電流回路と、温度検出用ダイオードの順方向電圧Ｖｆに基づき温度信号ＳＴＥＭＰを生成する出力回路と、を備える（何れも不図示）。順方向電圧Ｖｆは、温度検出用ダイオードに対し定電流を順方向に供給している期間において、温度検出用ダイオードにて発生する順方向電圧である。温度信号ＳＴＥＭＰは、順方向電圧Ｖｆそのものあっても良いし、順方向電圧Ｖｆを増幅することで得られる信号であっても良い。順方向電圧Ｖｆは対象温度ＴＥＭＰに応じて増減するため、順方向電圧Ｖｆの検出を通じて温度信号ＳＴＥＭＰを生成できる。温度信号ＳＴＥＭＰは温度判定回路２２及び温度異常検出回路２４ａに供給される。
【0028】
温度判定回路２２は、温度信号ＳＴＥＭＰに基づき対象温度ＴＥＭＰが温度範囲Ｒ［１］～Ｒ［ｍ］の何れに属するかを判定する。ｍは２以上の任意の整数を表す。温度範囲Ｒ［１ ］～Ｒ［ｍ］は互いに重複しないｍ種類の温度範囲である。図７を参照する。温度判定回路２２において、所定の（ｍ－１）種類の温度である境界温度ＴＢ［１］～ＴＢ［ｍ－１］が定義される。境界温度ＴＢ［ｊ＋１］は境界温度ＴＢ［ｊ］よりも高い。ｊは任意の整数を表す。“２≦ｊ≦ｍ－１”を満たす任意の整数ｊについて、温度範囲Ｒ［ｊ］は境界温度ＴＢ［ｊ－１］以上且つ境界温度ＴＢ［ｊ］未満の温度範囲であるとする。境界温度ＴＢ［１］未満の温度は温度範囲Ｒ［１］に属する。境界温度ＴＢ［ｍ］以上の温度は温度範囲Ｒ［ｍ］に属する。
【0029】
温度判定回路２２はＡＤ変換器にて構成されていて良い。この場合、ＡＤ変換器は、アナログ電圧信号である温度信号ＳＴＥＭＰをデジタル信号に変換することで、温度信号ＳＴＥＭＰの電圧値を取得し、取得した電圧値に基づき対象温度ＴＥＭＰが温度範囲Ｒ［１］～Ｒ［ｍ］の何れに属するかを判定する。或いは、温度判定回路２２は（ｍ－１）個のコンパレータにて構成されていて良い。この場合、温度判定回路２２は、（ｍ－１）個のコンパレータを用いて温度信号ＳＴＥＭＰの電圧と（ｍ－１）種類の判定電圧とを比較し、温度信号ＳＴＥＭＰの電圧と（ｍ－１）種類の判定電圧との高低関係に基づき、対象温度ＴＥＭＰが温度範囲Ｒ［１］～Ｒ［ｍ］の何れに属するかを判定する。
【0030】
対象温度ＴＥＭＰが温度範囲Ｒ［１］～Ｒ［ｍ］の何れに属するかを示す分類信号ＳＣＬＳが温度判定回路２２から計測回路２３に出力される。
【0031】
計測回路２３は、分類信号ＳＣＬＳに基づき、温度範囲ごとに温度ＴＥＭＰが当該温度範囲に属する時間を計測する。便宜上、対象温度ＴＥＭＰが温度範囲Ｒ［ｊ］に属することを示す分類信号ＳＣＬＳを分類信号ＳＣＬＳ［ｊ］と称する。従って例えば、対象温度ＴＥＭＰが温度範囲Ｒ［１］に属する期間では温度判定回路２２から計測回路２３に分類信号ＳＣＬＳ［１］が出力され、対象温度ＴＥＭＰが温度範囲Ｒ［２］に属する期間では温度判定回路２２から計測回路２３に分類信号ＳＣＬＳ［２］が出力される。対象温度ＴＥＭＰが他の温度範囲に属する期間も同様である。計測回路２３をカウンタにて構成することができる。対象温度ＴＥＭＰが温度範囲Ｒ［ｊ］に属する時間を計測するためのカウント値をカウント値ＶＡＬ［ｊ］と称する。カウント値ＶＡＬ［ｊ］の初期値はゼロである。
【0032】
図８に、対象温度ＴＥＭＰが温度範囲Ｒ［ｊ］に属する期間におけるカウントＶＡＬ［ｊ］の変化の様子を示す。計測回路２３は分類信号ＳＣＬＳ［ｊ］が自身に供給される期間（即ち対象温度ＴＥＭＰが温度範囲Ｒ［ｊ］に属する期間）において、所定の微小時間が経過するごとにカウント値ＶＡＬ［ｊ］に１を加算する。計測回路２３は、カウント値ＶＡＬ［ｊ］が所定の上限値ＶＡＬＭＡＸに達すると、カウント値ＶＡＬ［ｊ］をリセットすると共にアップカウント信号ＵＰ［ｊ］をメモリコントローラ２５に出力する。そうすると、対象温度ＴＥＭＰが温度範囲Ｒ［ｊ］に属する期間において、単位時間ｔＵＮＩＴが経過するごとにアップカウント信号ＵＰ［ｊ］がメモリコントローラ２５に出力される。つまり例えば、対象温度ＴＥＭＰが温度範囲Ｒ［１］に属する期間では単位時間ｔＵＮＩＴが経過するごとアップカウント信号ＵＰ［１］が計測回路２３からメモリコントローラ２５に出力され、対象温度ＴＥＭＰが温度範囲Ｒ［２］に属する期間では単位時間ｔＵＮＩＴが経過するごとアップカウント信号ＵＰ［２］が計測回路２３からメモリコントローラ２５に出力される。対象温度ＴＥＭＰが他の温度範囲に属する期間も同様である。単位時間ｔＵＮＩＴは、上記微小時間と上限値ＶＡＬＭＡＸとの積に相当し、例えば数分～数時間である。アップカウント信号ＵＰ［ｊ］は例えばワンショットパルス信号であって良い。
【0033】
尚、カウント値ＶＡＬ［ｊ］のリセットとは、カウント値ＶＡＬ［ｊ］に対して初期値であるゼロを代入することを指す。上限値ＶＡＬＭＡＸはゼロより十分に大きな整数値（例えば２５５又は６５５３５を持つ）。
【0034】
異常検出回路２４は所定の異常を検出する（詳細には所定の異常の発生有無を検出する）。異常検出回路２４にて検出される異常は、電源制御装置２内の異常又は電源装置１内の異常である。異常検出回路２４による検出対象は少なくとも温度異常を含む。温度異常は温度異常検出回路２４ａにて検出される。温度異常として、対象温度ＴＥＭＰが所定のシャットダウン温度ＴＴＳＤに達する第１温度異常、及び、対象温度ＴＥＭＰが所定の警告温度ＴＴＷに達する第２温度異常がある（ＴＴＳＤ＞ＴＴＷ）。温度異常検出回路２４ａは温度信号ＳＴＥＭＰに基づき第１又は第２温度異常を検出する（詳細には第１又は第２温度異常の発生有無を検出する）。
【0035】
異常検出回路２４による検出対象は、チャネルごとの出力電圧異常を含む。異常検出回路２４は出力電圧ＶＯＵＴ［ｉ］の帰還情報に基づき第ｉチャネルの出力電圧異常を検出する。出力電圧ＶＯＵＴ［ｉ］の帰還情報は、出力電圧ＶＯＵＴ［ｉ］そのもの又は出力電圧ＶＯＵＴ［ｉ］の分圧である。チャネルごとの出力電圧異常として、ＯＶＰ異常、ＯＶＤ異常、ＵＶＰ異常及びＵＶＤ異常がある。第ｉチャネルのＯＶＰ異常は、出力電圧ＶＯＵＴ［ｉ］が所定の上方保護電圧ＶＯＶＰ［ｉ］以上となる状態を指す。第ｉチャネルのＯＶＤ異常は、出力電圧ＶＯＵＴ［ｉ］が所定の上方検出電圧ＶＯＶＤ［ｉ］以上となる状態を指す。第ｉチャネルのＵＶＤ異常は、出力電圧ＶＯＵＴ［ｉ］が所定の下方警告電圧ＶＵＶＤ［ｉ］以下となる状態を指す。第ｉチャネルのＵＶＰ異常は、出力電圧ＶＯＵＴ［ｉ］が所定の下方保護電圧ＶＵＶＰ［ｉ］以下となる状態を指す。ここで、“ＶＯＶＰ［ｉ］＞ＶＯＶＤ［ｉ］＞ＶＴＧ［ｉ］＞ＶＵＶＤ［ｉ］＞ＶＵＶＰ［ｉ］＞０”が成立する。ＶＴＧ［ｉ］は、出力電圧ＶＯＵＴ［ｉ］が安定化されるべき目標電圧を表す。
【0036】
この他、異常検出回路２４は様々な種類の異常を検出できて良い。例えば、電源制御装置２に供給される電源電圧が高すぎる又は低すぎる異常、外部装置５と電源制御装置２との間の通信異常、外部装置５又は他の回路と電源制御装置２とで利用されるウォッチドッグタイマの異常が、異常検出回路２４の検出対象に含まれる。異常検出回路２４は各種異常の検出結果をメモリコントローラ２５に出力する。
【0037】
メモリコントローラ２５は不揮発性メモリ２６に対して任意の情報を書き込むことができると共に揮発性メモリ２７に対して任意の情報を書き込むことができる。この際、メモリコントローラ２５は、計測回路２３による計測結果に応じた情報、又は、異常検出回路２４による各種異常の検出結果に応じた情報を、メモリ２６及び２７に書き込むことができる。また、メモリコントローラ２５はメモリ２６又は２７に記憶された任意の情報を読み出すこともできる。
【0038】
不揮発性メモリ２６は自身に記憶される情報を複数回書き換え可能なＭＴＰメモリ(Multi-Time Programmable Memory)である。不揮発性メモリ２６は、電源制御装置２に対する電源電圧の供給が途絶えているときでも、自身の記憶内容を保持する。これに対し、揮発性メモリ２７の記憶内容は、電源制御装置２に対する電源電圧の供給が途絶えれば、失われる。揮発性メモリ２７はＲＡＭ（Random access memory）であり、レジスタに分類されるメモリであって良い。信号出力制御回路２８はメモリ２６又は２７の記憶内容に基づく各種の情報を、上記通信バスを通じて外部装置５に出力できる。信号出力制御回路２８はメモリコントローラ２５を通じてメモリ２６又は２７の記憶内容を読み出して良い。
【0039】
メモリコントローラ２５は、異常検出回路２４にて何らかの異常が検出されたとき、その旨を、検出された異常の種類ごとに、メモリ２６及び２７に記憶させることができる。例えば、温度異常検出回路２４ａにて第１温度異常が検出されたとき、メモリコントローラ２５は、第１温度異常が検出された旨を示す情報をメモリ２６及び２７に記憶させる。第２温度異常が検出されたときも同様である。また例えば、異常検出回路２４にて第１チャネルのＯＶＰ異常が検出されたとき、メモリコントローラ２５は、第１チャネルのＯＶＰ異常が検出された旨を示す情報をメモリ２６及び２７に記憶させる。同様に異常検出回路２４にて第２チャネルのＯＶＰ異常が検出されたとき、メモリコントローラ２５は、第２チャネルのＯＶＰ異常が検出された旨を示す情報をメモリ２６及び２７に記憶させる。他のチャネルのＯＶＰ異常が検出された場合も同様である。任意のチャネルのＯＶＤ異常、ＵＶＰ異常又はＵＶＤ異常が検出された場合も同様である。他の種類の異常が検出された場合も同様である。
【0040】
加えて、メモリコントローラ２５は、不揮発性メモリ２６に温度履歴情報を記憶させる処理を行うことができる。図９に不揮発性メモリ２６に記憶される温度履歴情報の構造を示す。温度履歴情報は累積駆動時間ｔＡＣＭ［１］～ｔＡＣＭ［ｍ］を表す情報を含む。
【0041】
電源制御装置２に電源電圧が供給される期間においてのみ電源制御装置２は駆動する。電源制御装置２が駆動する時間の内、温度ＴＥＭＰが温度範囲Ｒ［ｊ］に属していた時間の累積値が、累積駆動時間ｔＡＣＭ［ｊ］に相当する。即ち例えば、累積駆動時間ｔＡＣＭ［１］は、電源制御装置２の駆動時間の内（詳細は総駆動時間の内）、温度ＴＥＭＰが温度範囲Ｒ［１］に属していた時間の累積値である。同様に例えば、累積駆動時間ｔＡＣＭ［２］は、電源制御装置２の駆動時間の内（詳細は総駆動時間の内）、温度ＴＥＭＰが温度範囲Ｒ［２］に属していた時間の累積値である。累積駆動時間ｔＡＣＭ［３］～ｔＡＣＭ［ｍ］についても同様である。換言すれば、累積駆動時間ｔＡＣＭ［ｊ］は、電源制御装置２の駆動時間の内（詳細は総駆動時間の内）、温度ＴＥＭＰが温度範囲Ｒ［ｊ］に属していた期間の長さの総和を表す。
【0042】
実際には、不揮発性メモリ２６に、累積駆動時間ｔＡＣＭ［１］～ｔＡＣＭ［ｍ］を示す累積駆動値ＮＡＣＭ［１］～ＮＡＣＭ［ｍ］が個別に記憶されて良い。累積駆動時間ｔＡＣＭ［１］～ｔＡＣＭ［ｍ］と累積駆動値ＮＡＣＭ［１］～ＮＡＣＭ［ｍ］は一対一で対応する。即ち、累積駆動値ＮＡＣＭ［ｊ］は累積駆動時間ｔＡＣＭ［ｊ］を示す情報である。初期状態の電源制御装置２において、累積駆動値ＮＡＣＭ［１］～ＮＡＣＭ［ｍ］は全てゼロである。メモリコントローラ２５は、計測回路２３からアップカウント信号ＵＰ［ｊ］（図８参照）を受けるたびに累積駆動値ＮＡＣＭ［ｊ］を１だけ増加させる。つまり例えば、メモリコントローラ２５は、計測回路２３からアップカウント信号ＵＰ［１］を受けるたびに累積駆動値ＮＡＣＭ［１］を１だけ増加させ、計測回路２３からアップカウント信号ＵＰ［２］を受けるたびに累積駆動値ＮＡＣＭ［２］を１だけ増加させる。累積駆動値ＮＡＣＭ［ｊ］と上記単位時間ｔＵＮＩＴとの積が累積駆動時間ｔＡＣＭ［ｊ］である。累積駆動値ＮＡＣＭ［ｊ］の記憶と累積駆動時間ｔＡＣＭ［ｊ］の記憶は等価である。
【0043】
図１０に或る注目時刻における温度履歴情報の例を示す。図１０の例では、“ｍ＝５”であって、且つ、境界温度ＴＢ［１］、ＴＢ［２］、ＴＢ［３］、ＴＢ［４］が、夫々、０℃、７５℃、１００℃、１２５℃であることが想定されている。初期状態を起点に注目時刻に至るまでの期間において、対象温度ＴＥＭＰが温度範囲Ｒ［１］に属する状態で電源制御装置２が計１時間だけ駆動し、対象温度ＴＥＭＰが温度範囲Ｒ［２］に属する状態で電源制御装置２が計２００時間だけ駆動し、対象温度ＴＥＭＰが温度範囲Ｒ［３］に属する状態で電源制御装置２が計１０時間だけ駆動し、対象温度ＴＥＭＰが温度範囲Ｒ［４］に属する状態で電源制御装置２が計５時間だけ駆動し、且つ、対象温度ＴＥＭＰが温度範囲Ｒ［５］に属する状態で電源制御装置２が計１時間だけ駆動したとする。そうすると、注目時刻において、累積駆動時間ｔＡＣＭ［１］、ｔＡＣＭ［２］、ｔＡＣＭ［３］、ｔＡＣＭ［４］、ｔＡＣＭ［５］が、夫々、１時間、２００時間、１０時間、５時間、１時間であることを示す温度履歴情報が不揮発性メモリ２６に記憶及び保持される。
【0044】
信号出力制御回路２８は、不揮発性メモリ２６に記憶された温度履歴情報を、上記通信バスを通じて外部装置５に出力可能である。外部装置５は温度履歴情報を要求するコマンドを電源制御装置２に送信することができ、当該コマンドが電源制御装置２にて受信されたことに応答して、信号出力制御回路２８は温度履歴情報を外部装置５に送信する。
【0045】
また、信号出力制御回路２８は、メモリ２６又は２７に記憶された任意の情報（例えば、異常検出回路２４による各種異常の検出結果に応じた情報）を、上記通信バスを通じて外部装置５に出力可能である。この場合も、外部装置５から所定のコマンドを受信したことに応答して、信号出力制御回路２８は当該コマンドにて指定された情報（メモリ２６又は２７内の情報）を外部装置５に送信する。
【0046】
上述のような温度履歴情報を不揮発性メモリ２６に保持させることにより、電源制御装置２への電源電圧の供給が度々遮断される場合であっても、電源制御装置２の使用環境のデータ蓄積が可能となり、電源制御装置２の寿命に関わる判断が可能となる。また、異常に関わる情報も不揮発性メモリ２６に保持させておくことにより、事後的な故障解析等が容易となる（即ち異常に関わる情報を故障解析等に役立てることができる）。
【0047】
信号出力制御回路２８に寿命判定処理を行わせることもできる。これについて説明する。寿命判定処理において、信号出力制御回路２８は、不揮発性メモリ２６に記憶された累積駆動時間ｔＡＣＭ［１］～ｔＡＣＭ［ｍ］に基づき電源制御装置２が寿命に達したかを判定する。
【0048】
電源制御装置２の設計段階において、電源制御装置２が仕様通りに駆動し続けることのできる駆動時間の設計値（以下、耐用設計時間と称する）が定められる。但し、耐用設計時間は電源制御装置２の使用温度によって変化する。基本的に、電源制御装置２の使用温度が高いほど耐用設計時間は短くなる。これを考慮し、寿命判定処理において、信号出力制御回路２８は、累積駆動時間ｔＡＣＭ［１］～ｔＡＣＭ［ｍ］を重み付け加算することで加重和ＷＳＵＭを導出し、加重和ＷＳＵＭと所定の寿命判定閾値との比較を通じて電源制御装置２の寿命に関わる判定を行う。加重和ＷＳＵＭがゼロから増大するにつれて、電源制御装置２の寿命に近づく。
【0049】
加重和ＷＳＵＭは下記式（１）に従って導出される。即ち、加重和ＷＳＵＭは第１～第ｍの積の総和である。第ｊの積は（ｋ［ｊ］×ｔＡＣＭ［ｊ］）である。ｋ［１］～ｋ［ｍ］は所定の係数を表す。係数ｋ［１］～ｋ［ｍ］は全て互いに異なる。但し、係数ｋ［１］～ｋ［ｍ］の内、一部の係数の値と他の一部の係数の値とは一致し得る。少なくとも、係数ｋ［１］～ｋ［ｍ］の中に、互いに異なる値を持つ２種類以上の係数が含まれる。例えば少なくとも係数ｋ［１］及びｋ［ｍ］は互いに異なる値を持つ。上述したように、電源制御装置２の使用温度が高いほど耐用設計時間は短くなる。このため、基本的には、係数ｋ［ｊ＋１］の値は係数ｋ［ｊ］の値よりも大きいと良い（少なくとも“ｋ［ｍ］＞ｋ［１］”である）。
【0050】
【数1】
【0051】
寿命判定処理において、信号出力制御回路２８は、加重和ＷＳＵＭを所定の寿命判定閾値ＴＨＬＩＭと比較し、加重和ＷＳＵＭが寿命判定閾値ＴＨＬＩＭ以上であるときに電源制御装置２が寿命に達したと判定する一方、加重和ＷＳＵＭが寿命判定閾値ＴＨＬＩＭ未満であるときには電源制御装置２が寿命に達したと判定しない。信号出力制御回路２８は、電源制御装置２が寿命に達したかの判定結果に基づき所定の寿命到達信号を外部装置５に出力（送信）するかを決定する。信号出力制御回路２８は、電源制御装置２が寿命に達したと判定した場合、所定の寿命到達信号を外部装置５に出力（送信）する。電源制御装置２が寿命に達したと判定されない場合、寿命到達信号の出力(送信）は実行されない。
【0052】
また、寿命判定処理において、信号出力制御回路２８は、加重和ＷＳＵＭを所定の寿命警報閾値ＴＨＷ及び寿命判定閾値ＴＨＬＩＭの夫々と比較し、“ＴＨＬＩＭ＞ＷＳＵＭ≧ＴＨＷ”の成立時において所定の寿命警報信号を外部装置５に出力（送信）して良い。寿命到達信号は電源制御装置２が寿命に達したことを示す信号であるのに対し、寿命警報信号は電源制御装置２がまもなく寿命に達することを示す信号である。寿命到達信号又は寿命警報信号を出力可能としておくことで、電源制御装置２の交換時期又は電源制御装置２を含む機器の交換時期を把握することが可能となる。
【0053】
メモリ２６及び２７の夫々に寿命到達情報及び寿命警報情報を記憶させて良い。寿命到達情報及び寿命警報情報は夫々に“１”又は“０”の値を持つ。寿命到達情報及び寿命警報情報の各初期値は“０”である。信号出力制御回路２８は、“ＷＳＵＭ≧ＴＨＷ”の成立時においてメモリコントローラ２５を介しメモリ２６及び２７内の各寿命警報情報に“１”を書き込む。信号出力制御回路２８は、“ＷＳＵＭ≧ＴＨＬＩＭ”の成立時においてメモリコントローラ２５を介しメモリ２６及び２７内の各寿命到達情報に“１”を書き込む。“１”の寿命警報情報は、電源制御装置２がまもなく寿命に達することを示す情報である。“１”の寿命到達情報は、電源制御装置２が寿命に達したことを示す情報である。
【0054】
寿命到達信号と寿命警報信号とは外部装置５にて互いに区別可能な信号であって良いが、以下のような信号出力構成が採用されても良い。即ち、オープンドレイン構成の信号出力回路を電源制御装置２に設け、信号出力回路を用いて電源制御装置２から外部装置５に対してエラー信号を出力可能にしておく。エラー信号は“１”又は“０”の値を表す二値化信号である。信号出力制御回路２８は、原則としてエラー信号に“０”の値を持たせ、“ＷＳＵＭ≧ＴＨＬＩＭ”の成立時において“１”のエラー信号を出力する。この際における“１”のエラー信号は寿命到達信号として機能する。或いは、信号出力制御回路２８は、原則としてエラー信号に“０”の値を持たせ、“ＷＳＵＭ≧ＴＨＷ”の成立時において“１”のエラー信号を出力する。この際における“１”のエラー信号は寿命警報信号として機能する。加えて、信号出力制御回路２８は異常検出回路２４にて特定の異常（例えば温度異常又は出力電圧異常）が検出されたときにも、“１”のエラー信号を出力する。そうすると、“１”のエラー信号を受信した段階では、外部装置５は、“１”のエラー信号の要因を詳細には判断できない。但し、外部装置５は“１”のエラー信号を受信した後、メモリ２６又は２７内の記憶情報を要求するコマンドを電源制御装置２に送信し、当該コマンドに応答して電源制御装置２から送信される情報（メモリ２６又は２７内の記憶情報）を受信することで、“１”のエラー信号の要因を詳細に判断できる。尚、外部装置５からの所定のエラーリセットコマンドが電源制御装置２にて受信されると、電源制御装置２にてエラー信号の値が“０”に戻されて良い。
【0055】
［応用・変形等］
上述の実施形態に対する幾つかの応用技術又は変形技術等を説明する。
上述の実施形態に対する幾つかの応用技術又は変形技術等を説明する。
【0056】
メモリコントローラ２５は対象温度ＴＥＭＰの時系列データを含む温度履歴情報を、不揮発性メモリ２６に記憶させるようにしても良い。即ち例えば、対象温度ＴＥＭＰが温度範囲Ｒ［１］に属する状態で電源制御装置２が計３時間だけ駆動した後、対象温度ＴＥＭＰが温度範囲Ｒ［２］に属する状態で電源制御装置２が計１０時間だけ駆動した場合を考える。この場合、対象温度ＴＥＭＰが温度範囲Ｒ［１］に属する状態で電源制御装置２が計３時間だけ駆動した後、対象温度ＴＥＭＰが温度範囲Ｒ［２］に属する状態で電源制御装置２が計１０時間だけ駆動したことを特定できる時系列データを、不揮発性メモリ２６に記憶させて良い。
【0057】
電源制御装置２に温度センサ２１を複数設けるようにしても良い。この場合、複数の温度センサ２１は電源制御装置２内における互いに異なる複数の測定対象位置に設置され、複数の温度センサ２１により複数の測定対象位置の温度が個別に検出される。複数の測定対象位置の温度は複数の対象温度ＴＥＭＰである。この際、対象温度ＴＥＭＰごとに上述の各動作を行うことで対象温度ＴＥＭＰごとに温度履歴情報を不揮発性メモリ２６に記憶させて良い。
【0058】
電源装置１に設けられるレギュレータ４の総数は１でも良い。即ち“ｎ＝１”であっても良い。
【0059】
電源装置１は自動車等の車両に搭載されて良い。この際、電源装置１への入力電圧ＶＩＮ及び電源制御装置２の電源電圧は、車両に搭載されたバッテリの出力電圧である、又は、当該バッテリの出力電圧に基づき生成される。但し、電源装置１の用途は車載用途に限定されず、任意である。
【0060】
各実施形態に示されたＦＥＴ（電界効果トランジスタ）のチャネルの種類は例示である。上述の主旨を損なわない形で、任意のＦＥＴのチャネルの種類はＰチャネル型及びＮチャネル型間で変更され得る。
【0061】
不都合が生じない限り、上述の任意のトランジスタは、任意の種類のトランジスタであって良い。例えば、ＭＯＳＦＥＴとして上述された任意のトランジスタを、不都合が生じない限り、接合型ＦＥＴ、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）又はバイポーラトランジスタに置き換えることも可能である。任意のトランジスタは第１電極、第２電極及び制御電極を有する。ＦＥＴにおいては、第１及び第２電極の内の一方がドレインで他方がソースであり且つ制御電極がゲートである。ＩＧＢＴにおいては、第１及び第２電極の内の一方がコレクタで他方がエミッタであり且つ制御電極がゲートである。ＩＧＢＴに属さないバイポーラトランジスタにおいては、第１及び第２電極の内の一方がコレクタで他方がエミッタであり且つ制御電極がベースである。
【0062】
本開示の実施形態は、特許請求の範囲に示された技術的思想の範囲内において、適宜、種々の変更が可能である。以上の実施形態は、あくまでも、本開示の実施形態の例であって、本開示ないし各構成要件の用語の意義は、以上の実施形態に記載されたものに制限されるものではない。上述の説明文中に示した具体的な数値は、単なる例示であって、当然の如く、それらを様々な数値に変更することができる。
【0063】
＜＜付記＞＞
上述の実施形態にて具体的構成例が示された本開示について付記を設ける。
上述の実施形態にて具体的構成例が示された本開示について付記を設ける。
【0064】
本開示の一側面に係る電源制御装置は、入力電圧（ＶＩＮ）から出力電圧（ＶＯＵＴ）を生成する電源装置（１）の動作を制御するよう構成された電源制御装置（２）であって、当該電源制御装置の温度（ＴＥＭＰ）が複数の温度範囲（Ｒ［１］～Ｒ［ｍ］）の何れに属するかを判定するよう構成された温度判定回路（２２）と、前記温度範囲ごとに、当該電源制御装置の温度が当該温度範囲に属する時間を計測するよう構成された計測回路（２３）と、前記計測回路による計測結果を記憶するよう構成された不揮発性メモリ（２６）と、を備える構成（第１の構成）である。
【0065】
これにより、電源制御装置への電源電圧の供給が度々遮断される場合であっても、電源制御装置の使用環境のデータ蓄積が可能となり、電源制御装置の寿命に関わる判断も可能となる。
【0066】
上記第１の構成に係る電源制御装置において、前記不揮発性メモリは、前記温度範囲ごとに累積駆動時間（ｔＡＣＭ［１］～ｔＡＣＭ［ｍ］）を記憶し、前記温度範囲ごとの前記累積駆動時間（ｔＡＣＭ［ｊ］）は、当該電源制御装置の駆動時間の内、当該電源制御装置の温度が当該温度範囲（Ｒ［ｊ］）に属する時間の累積値を表す構成（第２の構成）であっても良い。
【0067】
上記第２の構成に係る電源制御装置において、当該電源制御装置の外部装置（５）に対して特定信号（例えば寿命到達信号）を出力可能に構成された信号出力制御回路（２８）を更に備え、前記信号出力制御回路は、前記不揮発性メモリに記憶された各累積駆動時間に基づき、前記特定信号を出力するかを決定する構成（第３の構成）であっても良い。
【0068】
上記第３の構成に係る電源制御装置において、前記信号出力制御回路は、前記不揮発性メモリに記憶された各累積駆動時間に基づき当該電源制御装置が寿命に達したかを判定し、前記判定の結果に基づき前記特定信号を出力するかを決定する構成（第４の構成）であっても良い。
【0069】
これにより、電源制御装置が寿命に達したかを外部装置に知らせることができる。
【0070】
上記第４の構成に係る電源制御装置において、前記信号出力制御回路は、前記複数の温度範囲に対する複数の累積駆動時間を重み付け加算することで加重和（ＷＳＵＭ）を導出し、前記加重和と所定の閾値との比較結果に基づき当該電源制御装置が寿命に達したかを判定する構成（第５の構成）であっても良い。
【0071】
これにより、電源制御装置が寿命に達したかを良好に推定することができる。
【0072】
上記第１～第５の構成の何れかに係る電源制御装置において、当該電源制御装置の温度に応じた信号（ＳＴＥＭＰ）を出力するよう構成された温度センサ（２１）と、前記温度センサの出力信号に基づき当該電源制御装置の温度異常を検出するよう構成された温度異常検出回路（２４ａ）と、を備え、前記温度判定回路は、前記温度センサを用いて当該電源制御装置の温度が前記複数の温度範囲の何れに属するかを判定する構成（第６の構成）であっても良い。
【0073】
これにより、温度異常の検出のために用意された温度センサを流用して、不揮発性メモリへの情報記憶に向けた温度の分類等を行うことができる。
【0074】
上記第１～第５の構成の何れかに係る電源制御装置において、所定の異常を検出するよう構成された異常検出回路（２４）を備え、前記異常検出回路にて前記異常が検出されたとき、前記異常が検出された旨を示す情報が前記不揮発性メモリに記憶される構成（第７の構成）であっても良い。
【0075】
これにより、事後的な故障解析等が容易となる（即ち異常に関わる情報を故障解析等に役立てることができる）。
【0076】
上記第１～第７の構成の何れかに係る電源制御装置において、前記電源装置は複数チャネルのレギュレータ（４）を有して、チャネルごとに前記入力電圧から前記出力電圧を生成し、当該電源制御装置は前記チャネルごとに前記レギュレータの動作を制御する構成（第８の構成）であっても良い。
【符号の説明】
【0077】
１ 電源装置
２ 電源制御装置
３ ディスクリード部品群
４、４［１］～４［ｎ］、４［ｉＡ］、４［ｉＢ］ レギュレータ
５ 外部装置
１０、１０［１］～１０［ｎ］、１０［ｉＡ］、１０［ｉＢ］ 制御ブロック
１１、１２、１４ トランジスタ
１３、１５ 制御駆動回路
Ｌ［ｉＡ］ 出力コイル
Ｃ［ｉＡ］、Ｃ［ｉＢ］ 出力コンデンサ
ＶＩＮ、ＶＩＮ［１］～ＶＩＮ［ｎ］、ＶＩＮ［ｉＡ］、ＶＩＮ［ｉＢ］ 入力電圧
ＶＯＵＴ、ＶＯＵＴ［１］～ＶＯＵＴ［ｎ］、ＶＯＵＴ［ｉＡ］、ＶＯＵＴ［ｉＢ］ 出力電圧
ＯＵＴ［ｉＡ］、ＯＵＴ［ｉＢ］ 出力ノード
２１ 温度センサ
２２ 温度判定回路
２３ 計測回路
２４ 異常検出回路
２４ａ 温度異常検出回路
２５ メモリコントローラ
２６ 不揮発性メモリ
２７ 揮発性メモリ
２８ 信号出力制御回路
ＳＴＥＭＰ 温度信号
ＳＣＬＳ［ｊ］ 分類信号
ＵＰ［ｊ］ アップカウント信号
ＴＥＭＰ 対象温度
ＴＢ［１］～ＴＢ［ｍ－１］ 境界温度
Ｒ［１］～Ｒ［ｍ］ 温度範囲
ｔＡＣＭ［１］～ｔＡＣＭ［ｍ］ 累積駆動時間
ＮＡＣＭ［１］～ＮＡＣＭ［ｍ］ 累積駆動値
２ 電源制御装置
３ ディスクリード部品群
４、４［１］～４［ｎ］、４［ｉＡ］、４［ｉＢ］ レギュレータ
５ 外部装置
１０、１０［１］～１０［ｎ］、１０［ｉＡ］、１０［ｉＢ］ 制御ブロック
１１、１２、１４ トランジスタ
１３、１５ 制御駆動回路
Ｌ［ｉＡ］ 出力コイル
Ｃ［ｉＡ］、Ｃ［ｉＢ］ 出力コンデンサ
ＶＩＮ、ＶＩＮ［１］～ＶＩＮ［ｎ］、ＶＩＮ［ｉＡ］、ＶＩＮ［ｉＢ］ 入力電圧
ＶＯＵＴ、ＶＯＵＴ［１］～ＶＯＵＴ［ｎ］、ＶＯＵＴ［ｉＡ］、ＶＯＵＴ［ｉＢ］ 出力電圧
ＯＵＴ［ｉＡ］、ＯＵＴ［ｉＢ］ 出力ノード
２１ 温度センサ
２２ 温度判定回路
２３ 計測回路
２４ 異常検出回路
２４ａ 温度異常検出回路
２５ メモリコントローラ
２６ 不揮発性メモリ
２７ 揮発性メモリ
２８ 信号出力制御回路
ＳＴＥＭＰ 温度信号
ＳＣＬＳ［ｊ］ 分類信号
ＵＰ［ｊ］ アップカウント信号
ＴＥＭＰ 対象温度
ＴＢ［１］～ＴＢ［ｍ－１］ 境界温度
Ｒ［１］～Ｒ［ｍ］ 温度範囲
ｔＡＣＭ［１］～ｔＡＣＭ［ｍ］ 累積駆動時間
ＮＡＣＭ［１］～ＮＡＣＭ［ｍ］ 累積駆動値
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】