特開 2025-19784 カバーガラス及び撮像装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2025019784

(43)【公開日】2025-02-07

(54)【発明の名称】カバーガラス及び撮像装置

(51)【国際特許分類】

   G02B 5/00 20060101AFI20250131BHJP

   C03C 17/36 20060101ALI20250131BHJP

   H04N 23/55 20230101ALI20250131BHJP

   G02B 1/115 20150101ALI20250131BHJP

【ＦＩ】

G02B5/00 B

C03C17/36

H04N23/55

G02B1/115

【審査請求】未請求

【請求項の数】8

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023123595

(22)【出願日】2023-07-28

(71)【出願人】

【識別番号】000232243

【氏名又は名称】日本電気硝子株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110001232

【氏名又は名称】弁理士法人大阪フロント特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】中室 友良

【テーマコード（参考）】

2H042

2K009

4G059

5C122

【Ｆターム（参考）】

2H042AA09

2H042AA15

2H042AA22

2K009AA02

2K009BB02

2K009CC03

4G059AA01

4G059AA08

4G059AC04

4G059AC20

4G059DA07

4G059DB02

4G059EA01

4G059EA04

4G059EA05

4G059EA12

4G059EB03

4G059EB04

4G059GA02

4G059GA05

4G059GA14

5C122DA03

5C122DA04

5C122EA12

5C122FB01

5C122FC01

5C122FC02

5C122GE01

(57)【要約】

【課題】撮像装置において、イメージセンサへの不要な光の入射を効果的に生じ難くすることができる、カバーガラスを提供する。
【解決手段】撮像装置に用いられ、隣接している透光部１Ａ及び遮光部１Ｂを有する、カバーガラス１であって、ガラス基板２と、遮光部１Ｂにおいて、ガラス基板２の主面２ａ上に設けられており、クロムを含む、遮光膜３と、透光部１Ａにおいて、ガラス基板２の主面２ａ上に設けられている、反射防止膜４とを備え、遮光膜３は、ガラス基板２側に配置されている、第１の主面３ａと、第１の主面３ａに対向している、第２の主面３ｂとを有し、第２の主面３ｂは、平面視において、ガラス基板２側の第１の主面３ａよりも透光部１Ａ側に延びている部分を有する、カバーガラス１。
【選択図】図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

撮像装置に用いられ、隣接している透光部及び遮光部を有する、カバーガラスであって、
ガラス基板と、
前記遮光部において、前記ガラス基板の主面上に設けられており、クロムを含む、遮光膜と、
前記透光部において、前記ガラス基板の主面上に設けられている、反射防止膜と、
を備え、
前記遮光膜は、
前記ガラス基板側に配置されている、第１の主面と、
前記第１の主面に対向している、第２の主面と、を有し、
前記第２の主面は、平面視において、前記ガラス基板側の前記第１の主面よりも前記透光部側に延びている部分を有する、カバーガラス。

【請求項2】

前記遮光膜は、前記透光部側の端部において、前記ガラス基板側の第１の主面から前記第２の主面に向かう方向に拡幅している、請求項１に記載のカバーガラス。

【請求項3】

前記ガラス基板の主面上において、前記遮光膜の端部と前記透光部との間に隙間が設けられており、
前記反射防止膜が、前記遮光膜の端部と前記透光部との間の前記隙間を埋めるように設けられている、請求項１又は２に記載のカバーガラス。

【請求項4】

前記反射防止膜が、前記遮光膜上にも設けられている、請求項１又は２に記載のカバーガラス。

【請求項5】

前記遮光膜の厚みが、１００ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下である、請求項１又は２に記載のカバーガラス。

【請求項6】

前記遮光膜が、
前記ガラス基板の主面上に設けられている、クロム層と、
前記クロム層上に設けられている、窒化クロム層と、
を有する、請求項１又は２に記載のカバーガラス。

【請求項7】

前記遮光膜が、前記窒化クロム層上に設けられている、酸窒化クロム層をさらに有する、請求項６に記載のカバーガラス。

【請求項8】

底部及び枠状の側壁部を有する、筐体と、
前記筐体の前記底部の上に設けられている、イメージセンサと、
前記筐体の前記側壁部の上に設けられている、請求項１又は２に記載のカバーガラスと、
を備え、
前記カバーガラスの前記透光部が、平面視において、前記イメージセンサと重なる位置に配置されており、
前記カバーガラスの前記遮光部が、平面視において、前記イメージセンサと重ならない位置に配置されており、
前記カバーガラスの前記遮光膜及び前記反射防止膜が、前記イメージセンサ側に面するように配置されている、撮像装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、カバーガラス及び該カバーガラスを用いた撮像装置に関する。

【背景技術】

【0002】

従来、筐体にイメージセンサが内蔵された撮像装置が広く用いられている。イメージセンサが、撮像装置の筐体内で反射した光等の不要な光を受光した場合には、フレアやゴースト等の不具合が生じることがある。このような問題を防ぐため、ガラス基板の一方側主面上に遮光膜が設けられたカバーガラス等が用いられることがある。この場合には、撮像装置において光を届かせることが不要な部分を遮光することができる。

【0003】

このようなカバーガラスの一例として、下記の特許文献１には、基体の上面における周囲領域に遮光膜が形成された光学フィルタ部材が開示されている。また、下記の特許文献２には、遮光部及び透光部を有し、遮光部において、ガラス基板の主面上に遮光膜及び反射防止膜が積層されたカバーガラスが開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２０１４－１７０１８２号公報

【特許文献2】特開２０２１－０９２６０５号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

しかしながら、特許文献１や特許文献２のようなカバーガラスにおいても、撮像装置におけるイメージセンサへの不要な光の入射を、なお十分に抑制することが難しいという問題がある。そのため、このようなカバーガラスを用いた撮像装置では、フレアやゴースト等の不具合をより確実に防止することが難しいという問題がある。

【0006】

本発明の目的は、撮像装置において、イメージセンサへの不要な光の入射を効果的に生じ難くすることができる、カバーガラス及び該カバーガラスを用いた撮像装置を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0007】

上記課題を解決するカバーガラス及び撮像装置の各態様について説明する。

【0008】

本発明の態様１に係るカバーガラスは、撮像装置に用いられ、隣接している透光部及び遮光部を有する、カバーガラスであって、ガラス基板と、前記遮光部において、前記ガラス基板の主面上に設けられており、クロムを含む、遮光膜と、前記透光部において、前記ガラス基板の主面上に設けられている、反射防止膜とを備え、前記遮光膜は、前記ガラス基板側に配置されている、第１の主面と、前記第１の主面に対向している、第２の主面とを有し、前記第２の主面は、平面視において、前記ガラス基板側の前記第１の主面よりも前記透光部側に延びている部分を有することを特徴としている。

【0009】

態様２のカバーガラスは、態様１において、前記遮光膜が、前記透光部側の端部において、前記ガラス基板側の第１の主面から第２の主面に向かう方向に拡幅していてもよい。

【0010】

態様３のカバーガラスは、態様１又は２において、前記ガラス基板の主面上において、前記遮光膜の端部と前記透光部との間に隙間が設けられていてもよい。この場合、前記反射防止膜が、前記遮光膜の端部と前記透光部との間の前記隙間を埋めるように設けられていることが好ましい。

【0011】

態様４のカバーガラスは、態様１～態様３のいずれかの態様において、前記反射防止膜が、前記遮光膜上にも設けられていてもよい。

【0012】

態様５のカバーガラスは、態様１～態様４のいずれかの態様において、前記遮光膜の厚みが、１００ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下であることが好ましい。

【0013】

態様６のカバーガラスは、態様１～態様５のいずれかの態様において、前記遮光膜が、前記ガラス基板の前記主面上に設けられている、クロム層と、前記クロム層上に設けられている、窒化クロム層とを有していてもよい。

【0014】

態様７のカバーガラスは、態様６において、前記遮光膜が、前記窒化クロム層上に設けられている、酸窒化クロム層をさらに有していてもよい。

【0015】

本発明の態様８に係る撮像装置は、底部及び枠状の側壁部を有する、筐体と、前記筐体の前記底部の上に設けられている、イメージセンサと、前記筐体の前記側壁部の上に設けられている、態様１～態様７のいずれかの態様のカバーガラスとを備え、前記カバーガラスの前記透光部が、平面視において、前記イメージセンサと重なる位置に配置されており、前記カバーガラスの前記遮光部が、平面視において、前記イメージセンサと重ならない位置に配置されており、前記カバーガラスの前記遮光膜及び前記反射防止膜が、前記イメージセンサ側に面するように配置されていることを特徴としている。

【発明の効果】

【0016】

本発明によれば、撮像装置において、イメージセンサへの不要な光の入射を効果的に生じ難くすることができる、カバーガラス及び該カバーガラスを用いた撮像装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0017】

【図1】図１は、本発明の第１の実施形態に係るカバーガラスを示す模式的平面図である。

【図2】図２は、図１のカバーガラスにおけるＸ－Ｘ線に沿う部分の模式的断面図である。

【図3】図３は、図２のカバーガラスにおける遮光膜が設けられる部分を拡大して示す模式的断面図である。

【図4】図４は、本発明の第１の実施形態に係るカバーガラスを備える撮像装置を示す模式的断面図である。

【図5】図５は、実験例で作製した遮光膜の端部を示す写真である。

【図6】図６は、図５の遮光膜を覆うように形成した反射防止膜を示す写真である。

【図7】図７は、本発明の第２の実施形態に係るカバーガラスを示す模式的断面図である。

【図8】図８は、本発明の第３の実施形態に係るカバーガラスを示す模式的断面図である。

【図9】図９は、比較例のカバーガラスを備える撮像装置を示す模式的断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0018】

以下、好ましい実施形態について説明する。但し、以下の実施形態は単なる例示であり、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。また、各図面において、実質的に同一の機能を有する部材は同一の符号で参照する場合がある。

【0019】

［第１の実施形態］
図１は、本発明の第１の実施形態に係るカバーガラスを示す模式的平面図である。図２は、図１のカバーガラスにおけるＸ－Ｘ線に沿う部分の模式的断面図である。また、図３は、図２のカバーガラスにおける遮光膜が設けられる部分を拡大して示す模式的断面図である。

【0020】

カバーガラス１は、撮像装置に用いられるカバーガラスである。カバーガラス１は、隣接している透光部１Ａ及び遮光部１Ｂを有する。透光部１Ａは、撮像装置におけるイメージセンサへの光を透過する部分である。また、遮光部１Ｂは、撮像装置内に入射する光を遮断する部分である。遮光部１Ｂを設けることにより、撮像装置におけるイメージセンサへの不要な光の入射を抑制することができる。図１に示すように、遮光部１Ｂは、平面視において、透光部１Ａの周囲領域に設けられている。もっとも、透光部１Ａ及び遮光部１Ｂの位置関係は、特に限定はされない。

【0021】

図２及び図３に示すように、カバーガラス１は、ガラス基板２と、遮光膜３と、反射防止膜４とを備える。ガラス基板２の主面２ａ上に、遮光膜３が設けられている。

【0022】

遮光膜３は、平面視において、遮光部１Ｂと重なる領域に設けられている。また、反射防止膜４は、平面視において、少なくとも透光部１Ａと重なる領域に設けられている。

【0023】

遮光膜３は、対向している第１の主面３ａ及び第２の主面３ｂを有する。遮光膜３の第１の主面３ａは、ガラス基板２の主面２ａと接している。従って、遮光膜３の第１の主面３ａは、ガラス基板２側に設けられている。また、遮光膜３の第２の主面３ｂは、ガラス基板２と反対側の外側に設けられている。本実施形態では、遮光膜３の第２の主面３ｂ上にも、反射防止膜４が設けられている。

【0024】

図２及び図３に示すように、遮光膜３の第２の主面３ｂは、平面視において、第１の主面３ａよりも透光部１Ａ側に延びている部分を有する。特に、本実施形態では、遮光膜３が、透光部１Ａ側の端部３ｃにおいて、ガラス基板２側の第１の主面３ａから反射防止膜４側の第２の主面３ｂに向かう方向に拡幅するように設けられている。

【0025】

本実施形態のカバーガラス１は、上記の構成を備えるので、撮像装置において、イメージセンサへの不要な光の入射を効果的に生じ難くすることができる。これについて、以下詳細に説明する。

【0026】

図９は、比較例のカバーガラスを備える撮像装置を示す模式的断面図である。

【0027】

図９に示すように、比較例のカバーガラス１０１では、遮光膜１０３及び反射防止膜１０４が設けられたガラス基板１０２の主面１０２ａ側が、イメージセンサ１０６に面するように配置されている。しかしながら、このようなカバーガラス１０１を用いた撮像装置１１０においても、イメージセンサ１０６への不要な光の入射を、なお十分に抑制することが難しく、フレアやゴースト等の不具合をより確実に防止することが難しいという問題があった。

【0028】

この点について、本発明者は、鋭意検討した結果、比較例のようなカバーガラス１０１では、遮光膜１０３の透光部１０１Ａ側の端部１０３ｃにおいて、不要な光Ａが反射し、その結果反射した光Ａがイメージセンサ１０６に入射する場合があることを見出した。そこで、本発明者は、図４に示すカバーガラス１のような構成とすることにより、上記の課題を解決し得ることを見出した。

【0029】

図４は、本発明の第１の実施形態に係るカバーガラスを備える撮像装置を示す模式的断面図である。

【0030】

図４に示すように、撮像装置１０は、本実施形態のカバーガラス１と、筐体５と、イメージセンサ６とを備える。筐体５は、底部５ａと、枠状の側壁部５ｂとを有する。側壁部５ｂは底部５ａ上に設けられている。側壁部５ｂ上に、筐体５の内部空間を封止するように、カバーガラス１が設けられている。これにより、イメージセンサ６を収納する筐体が構成されている。イメージセンサ６は、筐体５の底部５ａ上に配置されている。

【0031】

また、カバーガラス１では、遮光膜３及び反射防止膜４が設けられたガラス基板２の主面２ａ側が、イメージセンサ６に面するように配置されている。特に、カバーガラス１では、遮光膜３のイメージセンサ６側における第２の主面３ｂが、平面視において、ガラス基板２側の第１の主面３ａよりも透光部１Ａ側に延びている部分を有するので、透光部１Ａ側から入射した不要な光Ａを、遮光膜３の端部３ｃにおいて反射させることで外側へ進行させることができる。これにより、カバーガラス１を備える撮像装置１０では、遮光膜３の透光部１Ａ側の端部３ｃにおいて反射した不要な光Ａのイメージセンサ６への入射を確実に生じ難くすることができ、フレアやゴースト等の不具合をより確実に防止することができる。

【0032】

なお、図２及び図３に示すように、遮光膜３は、透光部１Ａ側の端部３ｃにおいて、ガラス基板２側の第１の主面３ａから反射防止膜４側の第２の主面３ｂに向かう方向に拡幅するように設けられていることが好ましい。この場合、不要な光Ａのイメージセンサへの入射をより確実に生じ難くすることができる。

【0033】

また、本実施形態では、ガラス基板２の主面２ａ上において、遮光膜３の端部３ｃと透光部１Ａとの間に隙間３ｄが設けられており、この隙間３ｄを埋めるように反射防止膜４が設けられている。そのため、不要な光Ａのイメージセンサへの入射をより確実に生じ難くすることができる。もっとも、本発明において、遮光膜３の端部３ｃと透光部１Ａとの間の隙間３ｄには、反射防止膜４が設けられていなくてもよい。

【0034】

以下、カバーガラス１における各部材の詳細について説明する。

【0035】

（ガラス基板）
ガラス基板２は、略矩形板状の形状を有する。もっとも、ガラス基板２は、略円板状の形状を有していてもよく、ガラス基板２の形状は特に限定されない。

【0036】

ガラス基板２の厚みは、光透過率などに応じて適宜設定することができる。ガラス基板２の厚みは、特に限定されず、例えば、０．１ｍｍ～１．２ｍｍとすることができる。

【0037】

ガラス基板２に用いられるガラスとしては、特に限定されないが、例えば、ホウケイ酸ガラス、無アルカリガラス、アルミノシリケートガラス、石英ガラス等を用いることができる。

【0038】

（遮光膜）
図３に示すように、遮光膜３では、ガラス基板２の主面２ａ上に、クロム層３Ａ、窒化クロム層３Ｂ、及び酸窒化クロム層３Ｃがこの順序で積層されている。なお、クロム層３Ａは、クロムを主成分とする膜である。窒化クロム層３Ｂは、窒化クロムを主成分とする膜である。また、酸窒化クロム層３Ｃは、酸窒化クロムを主成分とする膜である。なお、本明細書において、各材料を主成分とする膜とは、膜中にその材料を５０質量％以上含む膜のことをいい、各材料を主成分とする膜は、不純物を除いてその材料のみにより構成される膜であることが好ましい。

【0039】

遮光膜３では、クロム層３Ａが光を反射し、遮光部１Ｂにおいて不要な光が撮像装置内に入射することを抑制することができる。また、窒化クロム層３Ｂは、クロム層３Ａと反射防止膜４との間に設けられており、反射率調整層として機能する。具体的には、窒化クロム層３Ｂは、低屈折率層として働き、クロム層３Ａ（高屈折率層）と合わせて光学干渉することによって、反射率を低めることができる。これにより、遮光膜３で反射した不要な光が、イメージセンサに入射することを、より一層効果的に抑制することができる。また、酸窒化クロム層３Ｃも反射率調整層として機能する。そのため、酸窒化クロム層３Ｃを用いることにより、遮光膜３で反射した不要な光が、イメージセンサに入射することを、さらに一層効果的に抑制することができる。

【0040】

なお、遮光膜３は、酸窒化クロム層３Ｃを有していなくてもよい。あるいは、遮光膜３が、クロム層３Ａとガラス基板２との間に、別の窒化クロム層や酸窒化クロム層等を有していてもよい。例えば、ガラス基板２の主面２ａ上に、酸窒化クロム層、窒化クロム層、クロム層、窒化クロム層、及び酸窒化クロム層がこの順で積層されることにより、遮光膜３が形成されていてもよい。また、遮光膜３は、クロムを含んでいればよく、特に限定はされない。

【0041】

遮光膜３における各層の厚みは、特に限定されない。クロム層３Ａの厚みは、例えば、５０ｎｍ以上、２５０ｎｍ以下とすることができる。窒化クロム層３Ｂの厚みは、例えば、１５ｎｍ以上、８０ｎｍ以下とすることができる。また、酸窒化クロム層３Ｃの厚みは、例えば、１０ｎｍ以上、７０ｎｍ以下とすることができる。

【0042】

遮光膜３全体の厚みは、特に限定されないが、好ましくは１００ｎｍ以上、より好ましくは１５０ｎｍ以上、さらに好ましくは２００ｎｍ以上であり、好ましくは５５０ｎｍ以下、より好ましくは５００ｎｍ以下、さらに好ましくは４５０ｎｍ以下である。カバーガラス１では、遮光膜３の端部３ｃが上記の構造を有するので、遮光膜３全体の厚みを大きくした場合においても、イメージセンサへの不要な光の入射を効果的に生じ難くすることができる。従って、カバーガラス１では、遮光膜３の厚みを大きく設計することができる。

【0043】

（反射防止膜）
反射防止膜４は、屈折率が相対的に高い高屈折率層と、屈折率が相対的に低い低屈折率層とが積層された誘電体多層膜である。透光部１Ａにおいて、反射防止膜４を設けることにより、イメージセンサへの必要な光を効率よく透過させることができる。また、遮光部１Ｂにおいて、反射防止膜４を設けることにより、遮光膜３で反射した不要な光のイメージセンサへの入射を、より一層効果的に抑制することができる。

【0044】

反射防止膜４は、高屈折率層と低屈折率層とが交互に積層されている部分を有することが好ましい。特に、反射防止膜４では、高屈折率層と低屈折率層とが全て交互に積層されていることがより好ましい。また、反射防止膜４は、高屈折率層から順に積層されていることが好ましいが、低屈折率層から順に積層されていてもよい。なお、反射防止膜４は、上述した機能を有する限りにおいて、誘電体多層膜以外の他の機能膜により構成されていてもよい。

【0045】

高屈折率層の材料としては、例えば、酸化ニオブ、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化タンタル、窒化ケイ素、又は窒化アルミニウム等が挙げられる。また、低屈折率層の材料としては、例えば、酸化ケイ素、又は酸化アルミニウム等が挙げられる。

【0046】

反射防止膜４における各層の厚みは、特に限定されない。高屈折率層の厚みは、例えば、１ｎｍ以上、１５０ｎｍ以下とすることができる。低屈折率層の厚みは、例えば、１ｎｍ以上、２００ｎｍ以下とすることができる。また、反射防止膜４全体の厚みは、例えば、５０ｎｍ以上、４００ｎｍ以下とすることができる。

【0047】

反射防止膜４における各層の数は、特に限定されない。高屈折率層の数は、例えば、２以上、２０以下とすることができる。低屈折率層の数は、例えば、２以上、２０以下とすることができる。また、反射防止膜４全体の積層数は、例えば、４以上、４０以下とすることができる。

【0048】

以下、カバーガラス１の製造方法の一例について説明する。

【0049】

（製造方法）
まず、ガラス基板２を用意する。次に、ガラス基板２の主面２ａ上に、ポジ型のフォトリソグラフィにより、枠状の遮光膜３を形成する。

【0050】

具体的には、ガラス基板２の主面２ａにおける全面に、クロム層３Ａ、窒化クロム層３Ｂ、及び酸窒化クロム層３Ｃをこの順序で成膜する。クロム層３Ａ、窒化クロム層３Ｂ、及び酸窒化クロム層３Ｃの成膜方法としては、特に限定されず、従来公知の成膜方法を用いることができる。クロム層３Ａ、窒化クロム層３Ｂ、及び酸窒化クロム層３Ｃ（以下、クロム含有層と総称する場合がある）は、例えば、スパッタリング法又は蒸着法により成膜することができる。

【0051】

次に、クロム含有層を成膜したガラス基板２の上に、レジスト材（感光性物質）を塗布する。レジスト材は、例えば、スピンコート法により塗布することができる。次に、レジスト材塗布後のガラス基板２をプリベーグすることにより、溶剤を蒸発させ、レジスト材を固化させる。

【0052】

次に、ガラス基板２に固定したレジスト材に、光照射によりフォトマスクに描写されたパターンを転写する。この際、ガラス基板２のレジスト面とフォトマスクのマスク面とを密着させた状態で露光（コンタクト露光）することが望ましい。なお、フォトマスクとしては、例えば、ガラスマスクを用いることができる。

【0053】

次に、露光したレジスト部分を現像液により除去する。この際、ガラス基板２上で現像液をためて所定時間処理する表面ディップ方式により、露光したレジスト部分を現像液に浸してもよい。現像液に浸した後、水洗し、乾燥処理を施すことにより、露光したレジスト部分を除去することができる。

【0054】

次に、レジスト部分が除去された露出面に位置するクロム含有層を、エッチングにより除去する。

【0055】

エッチングは、例えば、ガラス基板２上でエッチング液をためて所定時間処理する表面ディップ方式により行うことができる。エッチング液としては、例えば、硝酸セリウムアンモニウム、過塩素酸、酢酸、硝酸等を含有する液体を用いることができる。

【0056】

エッチング液の液温は、例えば、１０℃以上、５０℃以下とすることができる。また、エッチング液への浸漬時間は、例えば、１分以上、５分以下とすることができる。

【0057】

カバーガラス１の製造方法では、上述のようなエッチング工程を経ることにより、遮光膜３の第２の主面３ｂが、平面視において、第１の主面３ａよりも透光部１Ａ側に延びている部分を有する構造を形成することができる。特に、図２及び図３に示すように、遮光膜３が、透光部１Ａ側の端部３ｃにおいて、ガラス基板２側の第１の主面３ａから反射防止膜４側の第２の主面３ｂに向かう方向に拡幅している構造を形成することができる。

【0058】

次に、クロム含有層の上に設けられているレジスト材を剥離し、ガラス基板２を洗浄する。これにより、枠状の遮光膜３を形成することができる。

【0059】

レジスト材の剥離及びガラス基板２の洗浄は、例えば、Ｎ－メチル－２－ピロリドン等の有機溶剤を用いて行うことができる。なお、レジスト材の剥離及びガラス基板２の洗浄は、上述の有機溶剤を用いて、超音波洗浄することにより、同時に行うこともできる。

【0060】

次に、ガラス基板２の主面２ａ上及び遮光膜３を覆うように、反射防止膜４を形成する。これにより、カバーガラス１を形成することができる。

【0061】

反射防止膜４は、高屈折率層及び低屈折率層をこの順に交互に積層することにより形成することができる。このように、反射防止膜４は、高屈折率層から順に積層することが好ましいが、低屈折率層から順に積層してもよい。高屈折率層及び低屈折率層は、それぞれ、蒸着法、スパッタリング法、又はＣＶＤ法等により成膜することができる。なかでも、高屈折率層及び低屈折率層は、スパッタリング法により成膜することが好ましい。

【0062】

スパッタリング法により高屈折率層及び低屈折率層を成膜する場合、ガラス基板２の温度は、例えば、２０℃以上、３００℃以下とすることができる。

【0063】

高屈折率層の成膜は、例えば、高屈折率層を構成する材料のターゲットを用い、キャリアガスとしてのアルゴンガスなどの不活性ガスの流量を５０ｓｃｃｍ～５００ｓｃｃｍとし、印加電力を０．５ｋＷ～４０ｋＷとして行うことができる。

【0064】

低屈折率層の成膜は、例えば、低屈折率層を構成する材料のターゲットを用い、キャリアガスとしてのアルゴンガスなどの不活性ガスの流量を５０ｓｃｃｍ～５００ｓｃｃｍとし、印加電力を０．５ｋＷ～４０ｋＷとして行うことができる。

【0065】

スパッタリング法により高屈折率層及び低屈折率層を成膜する場合、成膜圧力を０．０５Ｐａ以上、０．８Ｐａ以下とすることが好ましい。このように、成膜圧力を高めに設定する場合、遮光膜３の端部３ｃと透光部１Ａとの間の隙間３ｄにも、反射防止膜４を形成することができる。これは、成膜圧力を高めに設定する場合、スパッタ粒子とガスとの衝突により、遮光膜３の端部３ｃと透光部１Ａとの間の隙間３ｄにも、スパッタ粒子を回り込ませることができるためであると考えられる。また、成膜圧力を低めに設定する場合でも、印加電圧を高めに設定すれば、遮光膜３の端部３ｃと透光部１Ａとの間の隙間３ｄにも、反射防止膜４を形成することができる。なお、スパッタ装置に遮蔽板を設けないなど、スパッタ粒子を斜め方向に飛散させる他の手段によって、遮光膜３の端部３ｃと透光部１Ａとの間の隙間３ｄに、反射防止膜４を形成してもよい。

【0066】

以下、カバーガラス１の製造方法の具体例について、実験例を用いて説明する。

【0067】

（実験例）
まず、ガラス基板２の主面２ａにおける全面に、スパッタリング法により、クロム層３Ａ、窒化クロム層３Ｂ、及び酸窒化クロム層３Ｃをこの順序で成膜した。次に、クロム含有層を成膜したガラス基板２の上に、スピンコート法により、レジスト材（感光性物質）を塗布した。次に、レジスト材塗布後のガラス基板２を、１１０℃で９０秒間プリベーグすることにより、溶剤を蒸発させ、レジスト材を固化させた。

【0068】

次に、ガラス基板２に固定したレジスト材に、光照射によりフォトマスクに描写されたパターンを転写した。この際、ガラス基板２のレジスト面とフォトマスクのマスク面とを密着させた状態でコンタクト露光した。なお、フォトマスクとしては、ガラスマスクを用いた。また、光源としては、超高圧水銀灯による光（主波長：ｉ線（３６５ｎｍ）、ｈ線（４０５ｎｍ）、ｇ線（４３６ｎｍ））を用いた。

【0069】

次に、スプレー式スピン現像装置を用い、露光したレジスト部分に現像液をためて１分間処理する表面ディップ方式により、露光したレジスト部分を現像液に浸した。なお、現像液としては、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ、２．３８％）を用いた。現像液に浸した後、ガラス基板２を水洗し、乾燥処理を施すことにより、露光したレジスト部分を除去した。

【0070】

次に、露光したレジスト部分が除去された露出面に位置するクロム含有層を、エッチングにより除去した。エッチングは、スプレー式スピン現像装置を用い、ガラス基板２上でエッチング液をためて２分間処理する表面ディップ方式により行った。エッチング液としては、硝酸セリウムアンモニウム１７％及び硝酸５％を含有する液体を用いた。エッチング液の液温は、３０℃とし、エッチング液への浸漬時間は、２分間とした。

【0071】

次に、超音波洗浄装置を用いて、クロム含有層の上に設けられているレジスト材を剥離し、ガラス基板２を洗浄した。これにより、ガラス基板２の主面２ａ上に、枠状の遮光膜３を形成した。なお、レジスト材の剥離及び洗浄液としては、Ｎ－メチル－２－ピロリドンを用いた。

【0072】

図５は、実験例で作製した遮光膜の端部を示す写真である。

【0073】

図５に示すように、実験例で作製した遮光膜３の端部３ｃには、ガラス基板２側の第１の主面３ａから外側の第２の主面３ｂに向かう方向に拡幅している構造が形成されていることがわかる。

【0074】

次に、スパッタリング法を用いて、ガラス基板２の主面２ａ上及び遮光膜３を覆うように反射防止膜４を形成した。具体的には、スパッタリング法を用いて、遮光膜３の上に高屈折率層及び低屈折率層をこの順に交互に積層させることにより反射防止膜４を形成した。

【0075】

スパッタリングに際しては、まず、キャリアガスとしてアルゴンを用い、ニオブ（Ｎｂ）のターゲットをスパッタリングし、ガラス基板２の主面２ａ上及び遮光膜３を覆うように高屈折率層（酸化ニオブ膜）を成膜した。なお、この際、アルゴンガスの流量を３３０ｓｃｃｍとし、ターゲット印加電力（成膜電力）を４ｋＷとし、成膜圧力を０．３Ｐａとした。次に、キャリアガスとしてアルゴンを用い、シリコン（Ｓｉ）のターゲットをスパッタリングし、高屈折率層上を覆うように低屈折率層（酸化ケイ素膜）を成膜した。なお、この際、アルゴンガスの流量を３３０ｓｃｃｍとし、ターゲット印加電力（成膜電力）を５ｋＷとし、成膜圧力を０．３Ｐａとした。この操作を繰り返すことにより、合計６層の膜を有する誘電体多層膜（反射防止膜４）を形成した。

【0076】

図６は、図５の遮光膜を覆うように形成した反射防止膜を示す写真である。

【0077】

図６に示すように、実験例で作製した反射防止膜４は、遮光膜３の端部３ｃにまで回り込んでおり、遮光膜３の端部３ｃにおける隙間３ｄを埋めるように形成されていることがわかる。

【0078】

［第２の実施形態］
図７は、本発明の第２の実施形態に係るカバーガラスを示す模式的断面図である。

【0079】

図７に示すように、カバーガラス２１においては、遮光膜３の端部３ｃと透光部１Ａとの間に形成される隙間３ｄに、反射防止膜４が設けられていない。その他の点は、第１の実施形態と同様である。

【0080】

第２の実施形態においても、遮光膜３の第２の主面３ｂが、平面視において、第１の主面３ａよりも透光部１Ａ側に延びている部分を有するので、撮像装置におけるイメージセンサへの不要な光の入射を効果的に生じ難くすることができる。

【0081】

第２の実施形態では、遮光膜３の端部３ｃと透光部１Ａとの間に形成される隙間３ｄに、反射防止膜４が設けられていない。この場合、第１の実施形態のように、スパッタ粒子を斜め方向に飛散させる必要がないことから、遮光膜３の第２の主面３ｂやガラス基板２の主面２ａに、より均一な反射防止膜４を形成することができる。

【0082】

なお、第１の実施形態のように、遮光膜３の端部３ｃと透光部１Ａとの間に形成される隙間３ｄを埋めるように反射防止膜４を形成すると、隙間３ｄが空隙である場合と比較して、遮光膜３と空気との界面における反射が生じ難くなる。そのため、隙間３ｄを埋めるように反射防止膜４を形成する場合、イメージセンサへの不要な光の入射をより確実に生じ難くすることができる。

【0083】

［第３の実施形態］
図８は、本発明の第３の実施形態に係るカバーガラスを示す模式的断面図である。

【0084】

図８に示すように、カバーガラス３１では、ガラス基板２の他方側における主面２ｂ上にも反射防止膜３４が設けられている。反射防止膜３４は、透光部１Ａ及び遮光部１Ｂにおいて、ガラス基板２の主面２ｂ上に直接的に設けられている。反射防止膜３４は、反射防止膜４と同様に、高屈折率層及び低屈折率層がこの順に積層された誘電体多層膜である。その他の点は、第１の実施形態と同様である。

【0085】

第３の実施形態においても、遮光膜３の第２の主面３ｂが、平面視において、第１の主面３ａよりも透光部１Ａ側に延びている部分を有するので、撮像装置におけるイメージセンサへの不要な光の入射を効果的に生じ難くすることができる。

【0086】

第３の実施形態のように、ガラス基板２の両側の主面上に、反射防止膜４，３４が設けられていてもよい。この場合、透光部１Ａにおいて、イメージセンサに必要な光をより確実に入射させつつ、反射等により生じるイメージセンサへの不要な光の入射をより効果的に生じ難くすることができる。

【0087】

なお、本発明においては、遮光部１Ｂにおいて、ガラス基板２の両側の主面上に、遮光膜３が設けられていてもよい。あるいは、ガラス基板２の少なくとも一方側の主面上に、遮光膜３や反射防止膜４，３４とは異なる他の膜が設けられていてもよい。他の膜は、ガラス基板２と遮光膜３との間に設けられていてもよく、遮光膜３と反射防止膜４との間に設けられていてもよい。また、他の膜は、反射防止膜４，３４の上に設けられていてもよい。他の膜としては、例えば、紫外線遮蔽膜、赤外線遮蔽膜、バンドパスフィルタ等を用いることができる。

【0088】

また、本発明においては、遮光部１Ｂにおいて反射防止膜４が設けられておらず、透光部１Ａのみに反射防止膜４が設けられていてもよい。反射防止膜４は、透光部１Ａにおけるガラス基板２の主面２ａ上から、遮光部１Ｂにおける遮光膜３の第２の主面３ｂ上に至るように連続的に設けられていてもよい。

【符号の説明】

【0089】

１，２１，３１…カバーガラス
１Ａ…透光部
１Ｂ…遮光部
２…ガラス基板
２ａ，２ｂ…主面
３…遮光膜
３ａ…第１の主面
３ｂ…第２の主面
３ｃ…端部
３ｄ…隙間
３Ａ…クロム層
３Ｂ…窒化クロム層
３Ｃ…酸窒化クロム層
４，３４…反射防止膜
５…筐体
５ａ…底部
５ｂ…側壁部
６…イメージセンサ
１０…撮像装置

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】