特開 2025-21521 プリント配線板

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2025021521

(43)【公開日】2025-02-14

(54)【発明の名称】プリント配線板

(51)【国際特許分類】

   H05K 1/09 20060101AFI20250206BHJP

   H05K 1/11 20060101ALI20250206BHJP

【ＦＩ】

H05K1/09 C

H05K1/11 H

【審査請求】未請求

【請求項の数】15

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023125271

(22)【出願日】2023-08-01

(71)【出願人】

【識別番号】000000158

【氏名又は名称】イビデン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100122622

【弁理士】

【氏名又は名称】森 徳久

(72)【発明者】

【氏名】籠橋 進

(72)【発明者】

【氏名】酒井 純

(72)【発明者】

【氏名】吉川 恭平

(72)【発明者】

【氏名】伊西 拓弥

【テーマコード（参考）】

4E351

5E317

【Ｆターム（参考）】

4E351AA02

4E351BB01

4E351BB33

4E351CC03

4E351CC06

4E351DD04

4E351DD08

4E351DD10

4E351DD19

4E351DD21

4E351DD29

4E351GG02

5E317AA11

5E317BB01

5E317BB12

5E317BB15

5E317BB18

5E317CC33

5E317CC42

5E317GG03

5E317GG09

(57)【要約】

【課題】高い品質を有するプリント配線板の提供。
【解決手段】プリント配線板は、第１導体層と、第１面と第２面と開口を有し、第１導体層上に積層されている樹脂絶縁層と、樹脂絶縁層上に形成されている第２導体層と、開口内に形成されていて、第１導体層と第２導体層とを接続するビア導体、とを有する。第２導体層とビア導体は、シード層と電解めっき層とによって形成されている。シード層は第１層と第２層を有する。第１層は銅とアルミニウムを含有する合金からなる。第２層は銅からなる。樹脂絶縁層は樹脂と無機粒子を含み、無機粒子は樹脂に部分的に埋まっている第１無機粒子と樹脂に埋まっている第２無機粒子を含み、第１無機粒子は樹脂から突出する第１部分と樹脂に埋まっている第２部分で形成され、第１面は樹脂の上面と上面から露出する第１部分の露出面で形成されている。
【選択図】図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１導体層と、
第１面と前記第１面と反対側の第２面と前記第１面から前記第２面に至る開口とを有し、前記第２面が前記第１導体層と対向するように前記第１導体層上に積層されている樹脂絶縁層と、
前記樹脂絶縁層の前記第１面上に形成されている第２導体層と、
前記開口内に形成されていて、前記第１導体層と前記第２導体層とを接続するビア導体、とを有するプリント配線板であって、
前記第２導体層と前記ビア導体は、シード層と前記シード層上に形成される電解めっき層とによって形成されており、
前記シード層は第１層と前記第１層上に形成される第２層を有しており、
前記第１層は銅とアルミニウムを含有する合金からなり、前記第２層は銅からなり、
前記樹脂絶縁層は樹脂と無機粒子を含み、前記無機粒子は前記樹脂に部分的に埋まっている第１無機粒子と前記樹脂に埋まっている第２無機粒子を含み、前記第１無機粒子は前記樹脂から突出する第１部分と前記樹脂に埋まっている第２部分で形成され、前記第１面は前記樹脂の上面と前記上面から露出する前記第１部分の露出面で形成されている。

【請求項2】

請求項１のプリント配線板であって、前記第１部分の体積と前記第１無機粒子の体積との比は０より大きく０．４以下である。

【請求項3】

請求項１のプリント配線板であって、前記無機粒子はガラス粒子である。

【請求項4】

請求項１のプリント配線板であって、前記無機粒子は前記開口の内壁面を形成する第３無機粒子をさらに含み、前記内壁面は前記第３無機粒子と前記樹脂によって形成されており、前記第３無機粒子は平坦部を有し、前記平坦部が前記内壁面を形成する。

【請求項5】

請求項４のプリント配線板であって、前記平坦部と前記内壁面を形成する前記樹脂の面は、ほぼ共通な面を形成する。

【請求項6】

請求項４のプリント配線板であって、前記第２無機粒子の形は球であり、前記第３無機粒子の形状は前記第２無機粒子を平面で切断することで得られる。

【請求項7】

請求項４のプリント配線板であって、前記開口を形成することは、前記開口の前記内壁面を形成する前記樹脂から突出する突出部分を有する前記無機粒子を形成することを含み、前記第３無機粒子は前記無機粒子の前記突出部分を除去することで形成される。

【請求項8】

請求項４のプリント配線板であって、前記開口を形成することは、前記第２無機粒子から突出部分を有する前記無機粒子を形成することを含み、前記開口の前記内壁面は前記突出部分を除去することで形成される前記第３無機粒子の露出面を含む。

【請求項9】

請求項１のプリント配線板であって、前記無機粒子は酸素元素を含む。

【請求項10】

請求項１のプリント配線板であって、前記合金はさらにケイ素を含む。

【請求項11】

請求項１のプリント配線板であって、前記合金中のアルミニウムの含有量は１．０ａｔ％以上１５．０ａｔ％以下である。

【請求項12】

請求項１のプリント配線板であって、前記合金はさらに炭素を含有しており、前記合金中の炭素の含有量は５０ｐｐｍ以下である。

【請求項13】

請求項１のプリント配線板であって、前記合金はさらに酸素を含有しており、前記合金中の酸素の含有量は１００ｐｐｍ以下である。

【請求項14】

請求項１０のプリント配線板であって、前記合金中のアルミニウムの含有量は１．０ａｔ％以上１５．０ａｔ％以下であり、前記合金中のケイ素の含有量は０．５ａｔ％以上１０．０ａｔ％以下である。

【請求項15】

請求項１のプリント配線板であって、前記合金はさらに特定金属を含み、前記特定金属はニッケル、亜鉛、ガリウム、ケイ素、マグネシウムのうちの少なくとも１つである。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本明細書によって開示される技術はプリント配線板に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１は、樹脂基板と樹脂基板上に形成されている樹脂絶縁層と導体回路を有するプリント配線板を開示する。導体回路は、特定の金属を含む合金層を介して樹脂絶縁層上に形成されている。例えば、特許文献１の８段落に特定の金属は示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０００－１２４６０２号公報

【発明の概要】

【0004】

［特許文献１の課題］
特許文献１の合金層を備えるプリント配線板では、導体回路と樹脂絶縁層の密着力が十分ではないと考えられる。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本発明のプリント配線板は、第１導体層と、第１面と前記第１面と反対側の第２面と前記第１面から前記第２面に至る開口とを有し、前記第２面が前記第１導体層と対向するように前記第１導体層上に積層されている樹脂絶縁層と、前記樹脂絶縁層の前記第１面上に形成されている第２導体層と、前記開口内に形成されていて、前記第１導体層と前記第２導体層とを接続するビア導体、とを有する。前記第２導体層と前記ビア導体は、シード層と前記シード層上に形成される電解めっき層とによって形成されている。前記シード層は第１層と前記第１層上に形成される第２層を有している。前記第１層は銅とアルミニウムを含有する合金からなる。前記第２層は銅からなる。前記樹脂絶縁層は樹脂と無機粒子を含み、前記無機粒子は前記樹脂に部分的に埋まっている第１無機粒子と前記樹脂に埋まっている第２無機粒子を含み、前記第１無機粒子は前記樹脂から突出する第１部分と前記樹脂に埋まっている第２部分で形成され、前記第１面は前記樹脂の上面と前記上面から露出する前記第１部分の露出面で形成されている。

【0006】

本発明の実施形態のプリント配線板では、樹脂絶縁層の第１面に凹部がほぼ形成されない。そのため、樹脂絶縁層上にスパッタリングによってシード層が形成される場合、スパッタリング製膜の厚みが薄くても実施形態は連続するシード層を形成することができる。その結果、シード層が除去される時、実施形態はエッチング量を少なくすることができる。実施形態は樹脂絶縁層上に微細な配線を形成することができる。シード層の第１層は銅とアルミニウムを含有する合金によって形成されている。アルミニウムは高い延性と高い展性を有する。そのため、樹脂絶縁層とシード層間の密着力が高い。安定した性能を有するプリント配線板が得られる。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】実施形態のプリント配線板を模式的に示す断面図。

【図2】実施形態のプリント配線板の一部を模式的に示す拡大断面図。

【図3】実施形態のプリント配線板の一部を模式的に示す拡大断面図。

【図4A】実施形態のプリント配線板の一部を模式的に示す拡大断面図。

【図4B】内壁面の一部を模式的に示す拡大断面図。

【図4C】シード層の一部を模式的に示す拡大断面図。

【図5】実施形態のプリント配線板の一部を模式的に示す断面写真。

【図6A】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図6B】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図6C】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図6D】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図6E】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す拡大断面図。

【図6F】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図6G】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す拡大断面図。

【図6H】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図6I】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す拡大断面図。

【発明を実施するための形態】

【0008】

［実施形態］
図１は実施形態のプリント配線板２を示す断面図である。図１に示されるように、プリント配線板２は、絶縁層４と第１導体層１０と樹脂絶縁層２０と第２導体層３０とビア導体４０とを有する。ビア導体４０は樹脂絶縁層２０に形成されている開口２６内に形成されている。プリント配線板２は第１導体層１０上に接着層１００を有する。接着層１００は第１導体層１０と樹脂絶縁層２０で挟まれている。第１導体層１０と第２導体層３０は隣接している。第１導体層１０と第２導体層３０の間に導体層は存在しない。

【0009】

絶縁層４は熱硬化性樹脂を用いて形成される。絶縁層４は光硬化性樹脂でも良い。絶縁層４はシリカ等の無機粒子を含んでもよい。絶縁層４は、ガラスクロス等の補強材を含んでもよい。絶縁層４は、第３面６と第３面６と反対側の第４面８を有する。

【0010】

第１導体層１０は絶縁層４の第３面６上に形成されている。第１導体層１０は信号配線１２とパッド１４を含む。図に示されていないが、第１導体層１０は信号配線１２とパッド１４以外の導体回路も含んでいる。第１導体層１０は主に銅によって形成される。第１導体層１０は、絶縁層４上のシード層１０ａとシード層１０ａ上の電解めっき層１０ｂで形成されている。シード層１０ａはスパッタリングによって形成されている。シード層１０ａの厚みは０．５μｍ未満である。シード層１０ａは第３面６上の第１層１１ａと第１層１１ａ上の第２層１１ｂで形成されている。第１層１１ａの厚みと第２層１１ｂの厚みとの比（第１層の厚み／第２層の厚み）は０．２５以上、０．７以下である。第２層１１ｂの厚みは第１層１１ａの厚みより厚い。第１層１１ａは絶縁層４の第３面６に接している。例えば、シード層１０ａと第１層１１ａは銅合金で形成され、第２層１１ｂは銅で形成される。第２層１１ｂは必須ではない。第１層１１ａと第２層１１ｂはスパッタリングで形成される。両者はスパッタリング製膜である。

【0011】

第１層１１ａは銅とアルミニウムを含有する合金からなる。合金は、さらに、特定金属を有しても良い。特定金属の例は、ニッケル、亜鉛、ガリウム、ケイ素、マグネシウムである。合金は１種類の特定金属、または、２種類の特定金属、または、３種類の特定金属を含むことが好ましい。合金中のアルミニウムの含有量は１．０ａｔ％以上１５．０ａｔ％以下である。特定金属の例はケイ素である。合金中の特定金属の含有量は０．５ａｔ％以上１０．０ａｔ％以下である。第１層１１ａは不純物を含んでも良い。不純物の例は酸素と炭素である。第１層１１ａは酸素、または、炭素を含むことができる。第１層１１ａは酸素と炭素を含むことができる。実施形態では、合金はさらに炭素を含有している。合金中の炭素の含有量は５０ｐｐｍ以下である。合金はさらに酸素を含有している。合金中の酸素の含有量は１００ｐｐｍ以下である。上記各元素の含有量の値は一例である。第１層１１ａを形成する元素の中で銅の量が最も大きい。次いで、アルミニウムの量が大きい。特定金属の量はアルミニウムの量より小さい。従って、銅は主の金属であり、アルミニウムは第１の副の金属であり、特定金属は第２の副の金属である。不純物の量は特定金属の量より小さい。

【0012】

第２層１１ｂは銅で形成されている。第２層１１ｂを形成している銅の含有量は９９．９ａｔ％以上である。第２層１１ｂ中の銅の含有量は９９．９５ａｔ％以上であることが好ましい。電解めっき層１０ｂは銅で形成されている。電解めっき層１０ｂを形成している銅の含有量は９９．９ａｔ％以上である。電解めっき層１０ｂ中の銅の含有量は９９．９５ａｔ％以上であることが好ましい。

【0013】

第１導体層１０の表面は第１表面１４ａと第２表面１４ｂで形成される。パッド１４の表面は第１表面１４ａと第２表面１４ｂで形成される。第１表面１４ａは樹脂絶縁層２０に形成されている開口２６から露出している。第２表面１４ｂは第１表面１４ａ以外の表面である。第１表面１４ａは接着層１００で覆われていない。第２表面１４ｂは接着層１００で覆われている。信号配線１２の表面（上面と側面）は接着層１００で覆われている。第１導体層１０の側面は接着層１００で覆われている。

【0014】

接着層１００は樹脂で形成されている。接着層１００は有機製の材料（有機製樹脂）で形成されている。有機製の材料は窒素系有機化合物である。窒素系有機化合物は例えばテトラゾール化合物である。窒素系有機化合物の例は特開２０１５－５４９８７号公報に開示されている。接着層１００は第１導体層１０から露出する第３面６を覆っていない。接着層１００は第１導体層１０と樹脂絶縁層２０で挟まれている。接着層１００は第１導体層１０と樹脂絶縁層２０を接着している。

【0015】

図２は、パッド１４の第２表面１４ｂ上に形成されている接着層１００の一部を示す拡大断面図である。図２に示されるように、接着層１００は、ほぼ平滑な平滑膜１１０と平滑膜１１０から突出している複数の突出部１２０で形成されている。パッド１４の側面に形成されている接着層１００は、図２に示されている接着層１００と同様な平滑膜１１０と複数の突出部１２０で形成されている。形状も同様である。信号配線１２の上面と側面に形成されている接着層１００は、図２と同様な平滑膜１１０と複数の突出部１２０で形成されている。形状も同様である。

【0016】

平滑膜１１０はほぼ均一な厚みＴを有する。平滑膜１１０の厚みＴは、１０ｎｍ以上、１２０ｎｍ以下である。突出部１２０から露出する平滑膜１１０の面積（Ｓ１）と接着層１００の面積（Ｓ２）との比（Ｓ１／Ｓ２）は０．１以上、０．５以下である。パッド１４の第２表面１４ｂ上の平滑膜１１０はパッド１４の第２表面１４ｂの形状にほぼ沿って形成されている。パッド１４の第２表面１４ｂにうねりが形成されている場合、平滑膜１１０はそのうねりに追随している。同様に信号配線１２の上面と側面上の平滑膜１１０は信号配線１２の上面と側面の形状にほぼ沿って形成されている。信号配線１２の上面と側面にうねりが形成されている場合、平滑膜１１０はそのうねりに追随している。

【0017】

突出部１２０は複数の突起１２２で形成されている。複数の突起１２２により、突出部１２０の上面に凹凸が形成される。１ｍｍ^２当たりの突起１２２の数は５以上、１５以下である。突出部１２０は、平滑膜１１０の上面と突出部１２０の頂部間に高さＨ１、Ｈ２を有する。高さＨ１、Ｈ２の最大値は、平滑膜１１０の厚みＴの１０倍以上３０倍以下である。高さＨ１、Ｈ２は、２００ｎｍ以上、４５０ｎｍ以下である。

【0018】

図１に示されるように、樹脂絶縁層２０は接着層１００を介して第１導体層１０上に形成されている。樹脂絶縁層２０は接着層１００によって第１導体層１０と接着している。樹脂絶縁層２０は第１面２２と第１面２２と反対側の第２面２４を有する。樹脂絶縁層２０の第２面２４は第１導体層１０と対向する。樹脂絶縁層２０は開口２６を有している。開口２６はパッド１４の第１表面１４ａを露出する。樹脂絶縁層２０は樹脂８０と樹脂８０内に分散されている多数の無機粒子９０で形成されている。樹脂８０はエポキシ系樹脂である。樹脂の例は熱硬化性樹脂と光硬化性樹脂である。無機粒子９０は例えばシリカやアルミナである。無機粒子９０の平均粒径は０．５μｍ以下である。樹脂絶縁層２０中の無機粒子９０の量は７５ｗｔ％以上である。

【0019】

図１と図３に示されるように、無機粒子９０は、樹脂８０に部分的に埋まっている第１無機粒子９１と、樹脂８０内に埋まっている第２無機粒子９２を含む。第２無機粒子は樹脂８０内に完全に埋まっている。第１無機粒子９１と第２無機粒子９２の形は球である。図３に示されるように、第１無機粒子９１は、樹脂８０から突出する第１部分９１ａと樹脂８０に埋まっている第２部分９１ｂで形成されている。樹脂絶縁層２０の第１面２２は樹脂８０の上面８０Ｒと樹脂８０の上面８０Ｒから露出する第１部分９１ａの露出面９１ａＲで形成されている。

【0020】

第１部分９１ａの体積と第１無機粒子９１の体積との比Ｒ（第１部分９１ａの体積／第１無機粒子９１の体積）は０より大きく０．４以下である。比Ｒは０．２以下であることが好ましい。比Ｒは０．１以下であることがより好ましい。比Ｒは０．０５以下であることが最も好ましい。樹脂８０から第１部分９１ａが突出すると樹脂絶縁層２０の第１面２２が僅かな凹凸を有する。しかし樹脂８０の上面８０Ｒは荒らされていない。樹脂絶縁層２０の第１面２２を形成する樹脂８０の上面８０Ｒはほぼ平坦である。樹脂８０の上面８０Ｒは凹部をほぼ有していない。そのため第１面２２は凹部をほぼ有していない。第１面２２の算術平均粗さ（Ｒａ）は０．０８μｍ未満である。第１面２２の粗さＲａは０．０５μｍ以下であることが好ましい。第１面２２の粗さＲａは０．０３μｍ以下であることがより好ましい。樹脂絶縁層２０の第１面２２を形成する樹脂８０の上面８０Ｒの算術平均粗さ（Ｒａ）は０．０８μｍ未満である。樹脂８０の上面８０Ｒの粗さＲａは０．０５μｍ以下であることが好ましい。樹脂８０の上面８０Ｒの粗さＲａは０．０３μｍ以下であることがより好ましい。

【0021】

図１と図４Ａに示されるように、無機粒子９０は、開口２６の内壁面２７を形成する第３無機粒子９３をさらに含む。第３無機粒子９３の形状は球を平面で切断することで得られる。第３無機粒子９３の形状は第２無機粒子９２を平面で切断することで得られる。第３無機粒子９３の形状は実質的に球欠である。第３無機粒子９３の形状と第２無機粒子９２の形状は異なる。第３無機粒子９３の形状と第１無機粒子９１の形状は異なる。第１無機粒子９１の形状と第２無機粒子９２の形状は同様である。

【0022】

図５は、開口２６の内壁面２７の一例を示す断面写真である。図４Ａと図５に示されるように、開口２６の内壁面２７は樹脂８０と第３無機粒子９３で形成されている。第３無機粒子９３は平坦部９３ａを有する。平坦部９３ａは内壁面２７を形成する。内壁面２７は樹脂８０と平坦部９３ａで形成されている。平坦部９３ａと内壁面２７を形成する樹脂８０の面は、ほぼ共通な面を形成する。内壁面２７を形成する樹脂８０上に凹凸が形成されない。内壁面２７を形成する樹脂８０の面は平滑である。平坦部９３ａの露出面（内壁面２７を形成する面）９３ｂ上に凹凸が形成されない。平坦部９３ａの露出面９３ｂは平滑である。内壁面２７は平滑に形成される。内壁面２７の算術平均粗さ（Ｒａ）は１．０μｍ以下である。内壁面２７を形成する樹脂８０の面８０ａの算術平均粗さ（Ｒａ）は１．０μｍ以下である。図５に示されるように、樹脂８０の面８０ａと第３無機粒子９３の平坦部９３ａの境界部に段差２８が形成されている。段差２８の量は３．０μｍ以下であることが好ましい。段差２８の量は１．５μｍ以下であることがより好ましい。段差２８の量は０．５μｍ以下であることがさらに好ましい。例えば、露出面９３ｂと樹脂８０の面８０ａとの間の距離が段差２８の量を示す。内壁面２７が段差２８を有したとしても、段差２８の量が小さいので、露出面９３ｂと樹脂８０の面（内壁面２７を形成する面）８０ａは実質的に共通な面を形成する。

【0023】

第３無機粒子９３の平坦部９３ａは第３無機粒子９３の周りに形成されている樹脂８０の面（内壁面２７を形成する面）８０ａを延長することで得られる面とほぼ一致する。図１と図４Ａ中に実質的な直線で描かれている平坦部９３ａは平面を意味している。図１と図４Ａに示される断面において平坦部９３ａは平面である。平坦部９３ａは完全な平面でなくてもよい。平坦部９３ａは実質的な平面であってほぼ平滑な面である。

【0024】

図４Ｂは図４Ａ中の内壁面２７の一部を示す拡大断面図である。図４Ｂに示されるように、内壁面２７を形成する２つの第３無機粒子９３の平坦部９３ａを結ぶ基準面２００に対し、その間に位置する樹脂８０の面８０ａは凹んでいても出っ張っていてもよい（破線部参照）。基準面２００を形成するための２つの第３無機粒子９３間に他の第３無機粒子９３がないことが好ましい。基準面２００と樹脂８０の面８０ａとの間の距離が段差２８の量の代表値として用いられても良い。

【0025】

図４Ａに示されるように、開口２６の内壁面２７は、樹脂絶縁層２０の第１面２２からパッド１４の上面に向けてテーパーしている。内壁面２７とパッド１４との間の角度（傾斜角度）θは７０°以上９０°以下である。

【0026】

図１と図４Ａに示される断面では、開口２６の形状は略逆台形に示されている。しかしながら、実際の開口２６の形状は略逆円錐台形状である。そのため実際の開口２６の内壁面（側壁）２７は略曲面である。すなわち、平坦部９３ａと樹脂８０で形成される共通な面は略曲面で形成される内壁面（側壁）２７を含む。

【0027】

図１に示されるように、第２導体層３０は樹脂絶縁層２０の第１面２２上に形成されている。第２導体層３０は第１信号配線３２と第２信号配線３４とランド３６を含む。図に示されていないが、第２導体層３０は第１信号配線３２と第２信号配線３４とランド３６以外の導体回路も含んでいる。第１信号配線３２と第２信号配線３４はペア配線を形成している。第１信号配線３２と第２信号配線３４は隣り合っている。図３に示されるように、第１信号配線３２と第２信号配線３４との間の間隔Ｄ１は１．５μｍ以上１０μｍ以下である。間隔Ｄ１は１．５μｍ以上８μｍ以下であることが好ましい。

【0028】

第２導体層３０は主に銅によって形成される。第２導体層３０は、第１面２２上のシード層３０ａとシード層３０ａ上の電解めっき層３０ｂで形成されている。シード層３０ａは第１面２２上の第１層３１ａと第１層３１ａ上の第２層３１ｂで形成されている。シード層３０ａの厚みは０．５μｍ未満である。第１層３１ａの厚みと第２層３１ｂの厚みとの関係と第１層１１ａの厚みと第２層１１ｂの厚みとの関係は同様である。第１層３１ａと第２層３１ｂは第２導体層３０を形成し、第１層１１ａと第２層１１ｂは第１導体層１０を形成する。第２導体層３０を形成する第１層３１ａと第１導体層１０を形成する第１層１１ａは同様である。第２導体層３０を形成する第２層３１ｂと第１導体層１０を形成する第２層１１ｂは同様である。第２導体層３０を形成する電解めっき層３０ｂと第１導体層１０を形成する電解めっき層１０ｂは同様である。第１層３１ａは第１面２２に接している。

【0029】

ビア導体４０は開口２６内に形成されている。ビア導体４０は第１導体層１０と第２導体層３０を接続する。図１ではビア導体４０はパッド１４とランド３６を接続する。ビア導体４０はシード層３０ａとシード層３０ａ上の電解めっき層３０ｂで形成されている。ビア導体４０を形成するシード層３０ａは、開口２６の内壁面２７上と開口２６から露出するパッド１４上に形成されている第１層３１ａと第１層３１ａ上の第２層３１ｂで形成されている。第１層３１ａはパッド１４の上面と内壁面２７に接している。ビア導体４０を形成するシード層３０ａと第２導体層３０を形成するシード層３０ａは共通である。ビア導体４０を形成する第１層３１ａと第２導体層３０を形成する第１層３１ａは共通である。ビア導体４０を形成する第２層３１ｂと第２導体層３０を形成する第２層３１ｂは共通である。ビア導体４０を形成する電解めっき層３０ｂと第２導体層３０を形成する電解めっき層３０ｂは共通である。

【0030】

図４Ｃは図４Ａの内壁面２７上のシード層３０ａの一部を模式的に示す拡大断面図である。図５はシード層３０ａの一例を示す。内壁面２７上のシード層３０ａは内壁面２７に接している。図４Ａと図４Ｃと図５に示されるように、ビア導体４０を形成するシード層３０ａは、ほぼ平滑な第１膜６０とほぼ平滑な第２膜７０を有している。第１膜６０と第２膜７０は電気的に繋がっている。第１膜６０と第２膜７０は連続している。図５に示されるように、第１膜６０の一部が第２膜７０上に形成されている。第１膜６０の先端６２が第２膜７０の後端７２上に形成されている。第１膜６０と第２膜７０は同時に形成されている。内壁面２７を覆うシード層３０ａの断面は略階段状の形状を有する。

【0031】

図４Ｃに示されるように、シード層３０ａの第１層３１ａは第１膜６０ａと第２膜７０ａを有している。第１膜６０ａと第２膜７０ａは電気的に繋がっている。第１膜６０ａと第２膜７０ａは連続している。第１膜６０ａの先端６２ａが第２膜７０ａの後端７２ａ上に形成されている。内壁面２７を覆う第１層３１ａの断面は略階段状の形状を有する。内壁面２７上の第１層３１ａは内壁面２７に接している。

【0032】

シード層３０ａの第２層３１ｂは第１膜６０ｂと第２膜７０ｂを有している。第１膜６０ｂと第２膜７０ｂは電気的に繋がっている。第１膜６０ｂと第２膜７０ｂは連続している。第１膜６０ｂの先端６２ｂが第２膜７０ｂの後端７２ｂ上に形成されている。内壁面２７上に形成されている第２層３１ｂの断面は略階段状の形状を有する。

【0033】

実施形態では、第１膜６０の一部が第２膜７０上に積層される。第１膜６０の一部が第２膜７０上に重なっている。第１膜６０の先端６２が第２膜７０の後端７２上に積層される。第１膜６０の先端６２が第２膜７０の後端７２上に重なっている。

【0034】

実施形態の内壁面２７はほぼ平滑な面で形成されている。もし、第１層３１ａが内壁面２７の形状に追従すると、内壁面２７上の第１層３１ａはほぼ平滑な面を有する。第１層３１ａの断面は線状の形状を有する。内壁面２７上のシード層３０ａはほぼ平滑な面を有する。シード層３０ａの断面は線状の形状を有する。この場合、ビア導体４０を形成する電解めっき層３０ｂが平滑な面上に形成される。例えば、プリント配線板２が大きな衝撃を受けると、内壁面２７上の第１層３１ａと第１層３１ａ上の第２層３１ｂ間で剥がれが発生する。あるいは、内壁面２７上のシード層３０ａとビア導体４０を形成する電解めっき層３０ｂ間で剥がれが発生する。それに対し、実施形態のシード層３０ａと第１層３１ａの断面は階段状の形状を有する。そのため、剥がれが発生しがたい。

【0035】

プリント配線板２の各辺の長さは５０ｍｍ以上である。各辺の長さは１００ｍｍ以上であることが好ましい。各辺の長さは２５０ｍｍ以下である。実施形態によって形成される信号配線の長さは５ｍｍ以上である。信号配線の長さは１０ｍｍ以上、２０ｍｍ以下であってもよい。

【0036】

［実施形態のプリント配線板２の製造方法］
図６Ａ～図６Ｉは実施形態のプリント配線板２の製造方法を示す。図６Ａ～図６Ｄと図６Ｆ、図６Ｈ、図６Ｉは断面図である。図６Ｅと図６Ｇ、図６Ｉは拡大断面図である。図６Ａは絶縁層４と絶縁層４の第３面６上に形成されている第１導体層１０を示す。第１導体層１０はセミアディティブ法によって形成される。第１層１１ａと第２層１１ｂはスパッタリングで形成される。第１層１１ａと第２層１１ｂは真空中で形成される。電解めっき層１０ｂは電解めっきで形成される。

【0037】

図６Ｂに示されるように、第１導体層１０の上面と側面上に、接着層１００が形成される。接着層１００は、図６Ａに示される途中基板を窒素系有機化合物を含む薬液に浸漬することによって形成される。薬液のｐｈは７以下である。途中基板を薬液に浸漬することで第１導体層１０の上面と側面上に平滑膜１１０と突出部１２０を有する接着層１００が形成される。途中基板が薬液に浸漬される前に第１導体層１０の上面と側面の酸化膜が除去される。改変例では接着層１００は、第１導体層１０上に薬液を塗布することによって形成される。接着層１００が形成されると、途中基板が薬液から取り出される。接着層１００が乾燥される。乾燥前の接着層１００の上面は平滑でもよい。その場合、乾燥により、接着層の一部が凝集する。凝集することで、平滑膜１１０と突出部１２０を含む接着層１００が形成される。

【0038】

図６Ｃに示されるように、接着層１００で覆われている第１導体層１０上に樹脂絶縁層２０と保護膜５０が形成される。樹脂絶縁層２０の第２面２４が絶縁層４の第３面６と対向している。樹脂絶縁層２０の第１面２２上に保護膜５０が形成されている。樹脂絶縁層２０は樹脂８０と無機粒子（第２無機粒子９２）９０を有する。無機粒子９０は樹脂８０内に埋まっている。

【0039】

保護膜５０は樹脂絶縁層２０の第１面２２を完全に覆っている。保護膜５０の例は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）製のフィルムである。保護膜５０と樹脂絶縁層２０との間に離型剤が形成されている。

【0040】

図６Ｄに示されるように、保護膜５０の上からレーザ光Ｌが照射される。レーザ光Ｌは保護膜５０と樹脂絶縁層２０を同時に貫通する。レーザ光Ｌはパッド１４を覆う接着層１００を貫通しパッド１４に至る。あるいは、レーザ光Ｌによって接着層１００が完全に除去されない。開口２６の底は接着層１００で形成される。パッド１４に至るビア導体用の開口２６が形成される。あるいは、接着層１００に至るビア導体用の開口２６が形成される。開口２６によりパッド１４を覆う接着層１００が露出される。レーザ光Ｌは例えばＵＶレーザ光、ＣＯ２レーザ光である。開口２６によりパッド１４が露出される。開口２６が形成される時、第１面２２は保護膜５０で覆われている。そのため、開口２６が形成される時、樹脂が飛散しても、第１面２２に樹脂が付着することが抑制される。

【0041】

図６Ｅは、レーザ光照射後の開口２６の内壁面２７ｂを示す。内壁面２７ｂは樹脂８０と樹脂８０から突出している無機粒子９０で形成されている。内壁面の形状を制御するため、レーザ光照射後の内壁面２７ｂは処理される。樹脂８０から突出している無機粒子９０を選択的に除去することが好ましい。これにより、無機粒子９０から第３無機粒子９３が形成される。例えば、レーザ光照射後の内壁面２７ｂを薬品で処理することで、樹脂８０から突出している無機粒子９０が選択的に除去される。あるいは、レーザ光照射後の内壁面２７ｂをプラズマで処理することで、樹脂８０から突出している無機粒子９０が選択的に除去される。選択的に除去することは、無機粒子９０のエッチング速度が樹脂８０のエッチング速度より大きいことを含む。例えば、両者のエッチング速度差は１０倍以上である。あるいは、両者のエッチング速度差は５０倍以上である。あるいは、両者のエッチング速度差は１００倍以上である。レーザ光照射後の内壁面２７ｂを処理することで、平坦部９３ａを有する第３無機粒子９３が得られる。レーザ光照射後の内壁面２７ｂを処理するための条件を制御することで、実施形態は内壁面２７の形状を制御することができる。条件の例は、温度、濃度、時間、ガスの種類や圧力である。無機粒子９０のエッチング速度と樹脂のエッチング速度が制御される。

【0042】

樹脂絶縁層２０にレーザ光Ｌを照射することで、樹脂８０に埋まっている第２無機粒子９２の一部がレーザ光照射後の内壁面２７ｂを形成する。レーザ光照射後の内壁面２７ｂを形成する第２無機粒子９２は、樹脂８０から突出している突出部分Ｐと樹脂８０に埋まっている部分Ｅで形成される。突出部分Ｐを有する粒子は突出粒子と称される。レーザ光照射後の内壁面２７ｂが処理される。例えば、四フッ化メタンを含むガスのプラズマで内壁面２７ｂが処理される。突出部分Ｐが選択的に除去され、実施形態の内壁面２７が形成される。第２無機粒子９２から第３無機粒子９３が形成される。突出部分Ｐを選択的に除去することで、平坦部９３ａを有する第３無機粒子９３が形成される。平坦部９３ａは平面である。球の形を持つ第２無機粒子９２が平面で切断されると、第３無機粒子９３の形状が得られる。第３無機粒子９３の形状は実質的に球欠である。内壁面２７は平坦部９３ａと樹脂８０の面８０ａで形成される。平坦部９３ａの露出面９３ｂと樹脂８０の面８０ａはほぼ同一平面上に位置する。図５に示されるように、内壁面２７を形成する樹脂８０の面８０ａと第３無機粒子９３の平坦部９３ａの境界部に段差２８が形成される。例えば、スパッタリングで内壁面２７ｂ上にシード層３０ａが形成されると、突出部分Ｐはスパッタリングで形成される膜の成長を阻害する。例えば、内壁面２７ｂ上に連続しているシード層３０ａが形成されない。あるいは、シード層３０ａの厚みを大きくすることが必要である。突出粒子を含むプリント配線板は微細な導体回路を形成することが難しいと考えられる。実施形態では、突出部分Ｐが除去される。実施形態はスパッタリングで形成されるシード層３０ａの厚みを薄くできる。スパッタリングで形成されるシード層３０ａの厚みが薄くても、連続しているシード層３０ａが得られる。段差２８が存在するとき、樹脂の面８０ａは平坦部９３ａの露出面９３ｂから凹んでいることが好ましい。

【0043】

開口２６を形成することは、突出部分Ｐを有する無機粒子（第２無機粒子９２）９０を形成することを含む。突出部分Ｐは開口２６の内壁面２７ｂを形成する樹脂８０から突出している。第３無機粒子９３は無機粒子（第２無機粒子９２）９０の突出部分Ｐを除去することで形成される。開口２６の内壁面２７は第３無機粒子９３の露出面９３ｂを含む。第３無機粒子９３の露出面９３ｂは突出部分Ｐを除去することで形成される。

【0044】

球の形を持つ第２無機粒子９２を平面で切断することで第３無機粒子９３の形状を得ることは、無機粒子９０の突出部分Ｐを除去することを含む。実際の開口２６の内壁面２７は略曲面である。突出部分Ｐを除去することで平坦部９３ａが形成されるので、平坦部９３ａの露出面９３ｂは曲面を含む。すなわち、平坦部９３ａと樹脂８０で共通な面を形成することは実質的な曲面で形成される内壁面２７を形成することを含む。

【0045】

レーザ光照射後の内壁面２７ｂを処理するための条件を制御することで、凹凸の大きさや段差の大きさが制御される。

【0046】

開口２６内が洗浄される。接着層１００がレーザ光Ｌで完全に除去されない場合、開口２６内を洗浄することにより開口２６から露出する接着層１００が除去される。開口２６からパッド１４の第１表面１４ａが露出する。開口２６形成時に発生する樹脂残渣が除去される。開口２６内の洗浄はプラズマによって行われる。即ち洗浄はドライプロセスで行われる。洗浄はデスミア処理を含む。樹脂絶縁層２０の第１面２２は保護膜５０で覆われているため第１面２２はプラズマの影響を受けない。この時点で樹脂絶縁層２０の第１面２２には凹凸が形成されない。第１面２２に無機粒子９０が露出しない。第１面２２は荒らされていない。

【0047】

レーザ光照射後の内壁面２７ｂを処理することが開口２６内を洗浄することを含む場合、実施形態は開口２６内を洗浄することを削除することができる。

【0048】

図６Ｆに示されるように、開口２６内を洗浄することの後に、樹脂絶縁層２０から保護膜５０が除去される。レーザ光照射後の内壁面２７ｂを処理することが開口２６内を洗浄することを含む場合、レーザ光照射後の内壁面２７ｂを処理することの後に、樹脂絶縁層２０から保護膜５０が除去される。レーザ光照射後の内壁面２７ｂが処理される時、保護膜５０は樹脂絶縁層２０の第１面２２を覆っている。

【0049】

保護膜５０の除去後、樹脂絶縁層２０の第１面２２が洗浄される。第１面２２を形成する樹脂８０がドライプロセスで除去される。例えば、逆スパッタリングで樹脂絶縁層２０の第１面２２が洗浄される。例えば、樹脂絶縁層２０の第１面２２を洗浄することはアルゴンガスを用いるスパッタリング（アルゴンスパッタリング）によって行われる。図６Ｇ（ａ）（ｂ）は洗浄前後の樹脂絶縁層２０の第１面２２を模式的に示す。図６Ｇ（ａ）（ｂ）に示されるように、スパッタリング等による洗浄によって樹脂絶縁層２０を形成する樹脂８０が２０ｎｍ程度除去される。例えば、保護膜５０を樹脂絶縁層２０に接着するための接着材が除去される。洗浄によって樹脂８０が選択的に除去される。樹脂８０の厚みが薄くなる。無機粒子（第２無機粒子９２）９０の一部は、洗浄によって部分的に樹脂８０の上面８０Ｒから露出する。樹脂８０に埋まっている第２無機粒子９２を樹脂８０の上面８０Ｒから露出することで、第１無機粒子９１が得られる。第１無機粒子９１は第２無機粒子９２から形成される。第１無機粒子９１の形と第２無機粒子９２の形は同じである。両者の形は球である。図６Ｇ（ｂ）に示されるように、第１無機粒子９１は、樹脂８０から突出する第１部分９１ａと樹脂８０に埋まっている第２部分９１ｂで形成されている。樹脂絶縁層２０の第１面２２は樹脂８０の上面８０Ｒと樹脂８０の上面８０Ｒから突出している第１部分９１ａの露出面９１ａＲで形成されている。洗浄によって第１部分９１ａの露出面９１ａＲが露出する。樹脂絶縁層２０の第１面２２は荒らされていない。そのため第１面２２には凹部がほぼ形成されない。第１面２２は凹部をほぼ有していない。樹脂８０の上面８０Ｒはほぼ平坦である。樹脂８０の上面８０Ｒは凹部を有していない。

【0050】

比Ｒは、例えば、図６Ｇ（ｂ）に示される第１無機粒子９１の断面図を用いて算出される。図６Ｇ（ｂ）は上面８０Ｒに垂直な面で樹脂絶縁層２０を切断することで得られる。図６Ｇ（ｂ）には、第２導体層３０が省略されている。図６Ｇ（ｂ）中の第１無機粒子９１上に第２導体層３０が形成されている。図６Ｇ（ｂ）中の露出面９１ａＲは第２導体層３０で覆われている。図６Ｇ（ｂ）を用いて、第１部分９１ａの断面積９１ａＳが求められる。同様に、第１無機粒子９１の断面積９１Ｓが求められる。例えば、比Ｒは断面積９１ａＳと断面積９１Ｓの比（第１部分９１ａの断面積９１ａＳ／第１無機粒子９１の断面積９１Ｓ）で代表される。例えば、比Ｒが評価される時、５０個の第１無機粒子９１が観察される。５０個の第１無機粒子９１が比Ｒを満足する。

【0051】

図６Ｈに示されるように、樹脂絶縁層２０の第１面２２上にシード層３０ａが形成される。シード層３０ａはスパッタリングによって形成される。シード層３０ａの形成はドライプロセスで行われる。第１層３１ａが第１面２２上にスパッタリングで形成される。同時に、開口２６から露出する内壁面２７とパッド１４上に第１層３１ａがスパッタリングで形成される。第２層３１ｂが第１層３１ａ上にスパッタリングで形成される。開口２６の内壁面２７が第３無機粒子９３の露出面９３ｂと樹脂８０の面８０ａで形成される。露出面９３ｂと樹脂８０の面８０ａは実質的に同一面上に位置する。開口２６の内壁面２７は実質的に平坦である。そのため、実施形態は内壁面２７上の第１層３１ａの厚みと第２層３１ｂの厚みを薄くすることができる。厚みが薄いので、実施形態はシード層３０ａの厚みのバラツキを小さくすることができる。内壁面２７上の第１層３１ａと樹脂絶縁層２０の第１面２２上の第１層３１ａは同時に形成される。内壁面２７上の第２層３１ｂと樹脂絶縁層２０の第１面２２上の第２層３１ｂは同時に形成される。従って、実施形態は樹脂絶縁層２０の第１面２２上の第１層３１ａの厚みと第２層３１ｂの厚みを小さくすることができる。第１面２２上には凹部がほとんど形成されていない。そのため、第１面２２上の第１層３１ａはほぼ平坦に形成される。実施形態は樹脂絶縁層２０の第１面２２上の第１層３１ａの厚みのバラツキと第２層３１ｂの厚みのバラツキを小さくすることができる。樹脂絶縁層２０の第１面２２上の信号配線３２、３４の幅が目標値を満足する。隣接する信号配線３２、３４間のスペースの幅が目標値を満足する。実施形態は信号配線３２、３４の幅のバラツキを小さくすることができる。実施形態は信号配線間のスペースの幅のバラツキを小さくすることができる。樹脂絶縁層２０の第１面２２上に複数の信号配線３２、３４が形成されても、それぞれの信号配線３２、３４を介して伝送されるデータがほぼ遅延なく電子部品に至る。

【0052】

図６Ｉに示されるように、内壁面２７上に形成される第１層３１ａは、第１膜６０ａと第２膜７０ａを有する。第１膜６０ａと第２膜７０ａは同時に形成されている。第１膜６０ａと第２膜７０ａは電気的に繋がっている。第１膜６０ａの先端６２ａが第２膜７０ａの後端７２ａ上に形成されている。内壁面２７上に形成されている第１層３１ａの断面は略階段状の形状を有する。スパッタリングの条件の例が次に示される。ターゲットと樹脂絶縁層２０の第１面２２間の距離が５０ｍｍ以上２５０ｍｍ以下である。電圧が１５ｅＶ以上５０ｅＶ以下である。ガス濃度が０．１Ｐａ以上１．０Ｐａ以下である。

【0053】

内壁面２７を覆う第１層３１ａ上に形成される第２層３１ｂは、第１膜６０ｂと第２膜７０ｂを有する。第１膜６０ｂと第２膜７０ｂは同時に形成されている。第１膜６０ｂと第２膜７０ｂは電気的に繋がっている。第１膜６０ｂの先端６２ｂが第２膜７０ｂの後端７２ｂ上に形成されている。内壁面２７上に形成されている第２層３１ｂの断面は略階段状の形状を有する。スパッタリングの各条件は上記とほぼ同様である。

【0054】

実施形態の内壁面２７は樹脂８０の面８０ａと第３無機粒子９３の露出面９３ｂで形成されている。両者はほぼ共通な面を形成する。樹脂の面８０ａと露出面９３ｂは異なる材料で形成される。そして、第１層３１ａはスパッタリングで形成される。樹脂８０の面８０ａ上に形成される第１層３１ａの成長と露出面９３ｂ上に形成される第１層３１ａの成長が異なると考えられる。樹脂８０の面８０ａ上に形成されるシード層３０ａの成長と露出面９３ｂ上に形成されるシード層３０ａの成長が異なると考えられる。そのため、実施形態では、第１膜６０ａと第２膜７０ａが形成されると考えられる。第１膜６０ａの先端６２ａが第２膜７０ａの後端７２ａ上に形成されると考えられる。第１層３１ａの断面は略階段状の形状を有すると考えられる。第２層３１ｂは第１層３１ａに追従すると考えられる。従って、第２層３１ｂは第１膜６０ｂと第２膜７０ｂを有すると考えられる。第２層３１ｂの第１膜６０ｂの先端６２ｂが第２層３１ｂの第２膜７０ｂの後端７２ｂ上に形成されると考えられる。第２層３１ｂの断面は略階段状の形状を有すると考えられる。同様に、シード層３０ａは第１膜６０と第２膜７０を有すると考えられる。シード層３０ａの第１膜６０の先端６２がシード層３０ａの第２膜７０の後端７２上に形成されると考えられる。シード層３０ａの断面は略階段状の形状を有すると考えられる。

【0055】

内壁面２７が図５に示される段差２８を有すると、スパッタリングを用いて第１膜６０ａと第２膜７０ａを有する第１層３１ａが容易に形成される。実施形態は第１膜６０と第２膜７０を有するシード層３０ａを容易に形成することができる。実施形態は第１膜６０ａの先端６２ａを第２膜７０ａの後端７２ａ上に形成することができる。実施形態は第１膜６０の先端６２を第２膜７０の後端７２上に形成することができる。実施形態は実質的に階段状の形状を有する第１層３１ａを容易に形成することができる。実施形態は実質的に階段状の形状を有するシード層３０ａを容易に形成することができる。

【0056】

内壁面２７上の第１層３１ａはほぼ平滑な内壁面２７上に形成される。そのため、実施形態は第１層３１ａの第１膜６０ａの表面と第１層３１ａの第２膜７０ａの表面をほぼ平滑に形成することができる。同様に、実施形態は第２層３１ｂの第１膜６０ｂの表面と第２層３１ｂの第２膜７０ｂの表面をほぼ平滑に形成することができる。実施形態はシード層３０ａの第１膜６０の表面とシード層３０ａの第２膜７０の表面をほぼ平滑に形成することができる。表面が平滑であると伝送損失を小さくすることができる。

【0057】

例えば、第１層３１ａは銅合金で形成される。シード層３０ａの第１層３１ａは銅とアルミニウムを含有する合金によって形成されている。アルミニウムは高い延性と高い展性を有する。そのため、樹脂絶縁層２０と第１層３１ａ間の密着力が高い。ヒートサイクルにより樹脂絶縁層２０が伸縮したとしても、アルミニウムを含むシード層３０ａがその伸縮に追従することができると考えられる。樹脂絶縁層２０の第１面２２が平滑であっても、シード層３０ａは樹脂絶縁層２０から剥がれ難い。アルミニウムは酸化しやすいと考えられる。第３無機粒子９３が酸素（酸素元素）を含む無機粒子９０であると、内壁面２７上に形成される第１層３１ａは内壁面２７を形成する無機粒子９０内の酸素を介して第３無機粒子９３に密着すると考えられる。第１層３１ａと内壁面２７が強く接合される。実施形態は内壁面２７と第１層３１ａ間の密着力を高くすることができる。シード層３０ａは内壁面２７から剥がれ難い。内壁面２７を形成する無機粒子９０は酸素元素を含むことが好ましい。第３無機粒子９３がガラス粒子であって、第１層３１ａが、さらに、ケイ素を含むと、両者が共にケイ素を含む。この場合、第１層３１ａが銅とアルミニウムとケイ素を含む合金で形成される。そのため、第１層３１ａと第３無機粒子９３を含む無機粒子間の接着力が、さらに、向上すると考えられる。

【0058】

シード層３０ａの第１層３１ａは樹脂絶縁層２０の第１面２２を形成する第１無機粒子９１の第１部分９１ａの露出面９１ａＲに接する。第１層３１ａがアルミニウムを有し、第１無機粒子９１が酸素を有すると、第１層３１ａと第１無機粒子９１間の接着力が向上すると考えられる。酸素を含む無機粒子（第１無機粒子等）９０の例はガラス粒子とアルミナ製粒子である。そのため、第１層３１ａが銅とアルミニウムを含む合金で形成されると、樹脂絶縁層２０の第１面２２が凹部を有していなくても、第１層３１ａが樹脂絶縁層２０から剥がれ難い。第１層３１ａ中のアルミニウムの量は１．０ａｔ％以上１５．０ａｔ％以下である。第１無機粒子９１を含む無機粒子（第１無機粒子９１、第２無機粒子９２、第３無機粒子９３）９０がガラス粒子であって、第１層３１ａが、さらに、ケイ素を含むと、両者が共にケイ素を含む。この場合、第１層３１ａが銅とアルミニウムとケイ素を含む合金で形成される。ケイ素の量は０．５ａｔ％以上１０．０ａｔ％以下である。両者はケイ素を介して強く接着されると考えられる。そのため、第１層３１ａと第１無機粒子９１を含む無機粒子間の接着力が、さらに、向上すると考えられる。実施形態は微細な信号配線３２、３４を形成することができる。微細な信号配線３２、３４の幅は１μｍ以上３μｍ以下である。微細な信号配線３２、３４を有するプリント配線板２が熱衝撃を受けても、信号配線３２、３４が樹脂絶縁層２０から剥がれ難い。

【0059】

シード層３０ａ上にめっきレジストが形成される。めっきレジストは、第１信号配線３２と第２信号配線３４とランド３６を形成するための開口を有する。第１面２２が凹部を有すると、その凹部に起因する空気がめっきレジストとシード層３０ａ間に閉じ込められやすい。しかしながら、実施形態では、第１面２２は凹部をほとんど有していない。そのため、第１面２２上のシード層３０ａはほぼ平坦に形成される。シード層３０ａがほぼ凹部を有さない。めっきレジストとシード層３０ａの間に空気が残りがたい。めっきレジストとシード層３０ａ間の接触面積が大きい。第１信号配線３２と第２信号配線３４間の空間（スペース）を形成するためのめっきレジストの幅が１０μｍ以下であっても、めっきレジストがシード層３０ａの上面から剥がれがたい。めっきレジストの幅が３μｍ以上、８μｍ以下であっても、実施形態はめっきレジストをシード層３０ａ上に形成することができる。めっきレジストの幅が６μｍ以下であっても、めっきレジストがシード層３０ａから剥がれ難い。

【0060】

めっきレジストから露出するシード層３０ａ上に電解めっき層３０ｂが形成される。電解めっき層３０ｂは銅で形成される。電解めっき層３０ｂは開口２６を充填する。第１面２２上のシード層３０ａと電解めっき層３０ｂによって、第１信号配線３２と第２信号配線３４とランド３６が形成される。第２導体層３０が形成される。開口２６内のシード層３０ａと電解めっき層３０ｂによって、ビア導体４０が形成される。ビア導体４０は、パッド１４とランド３６を接続する。第１信号配線３２と第２信号配線３４はペア配線を形成する。

【0061】

めっきレジストが除去される。電解めっき層３０ｂから露出するシード層３０ａが除去される。シード層３０ａはウェットエッチングによって除去される。ウェットエッチングに用いられるエッチング液は過酸化水素水と硫酸を含む水溶液である。ウェットエッチングにより第１層３１ａと第２層３１ｂは同時に除去される。第２導体層３０とビア導体４０は同時に形成される。実施形態のプリント配線板２が得られる。

【0062】

実施形態のプリント配線板２では、樹脂絶縁層２０の第１面２２は樹脂８０の上面８０Ｒと樹脂８０の上面８０Ｒから露出する第１部分９１ａの露出面９１ａＲで形成されている。第１面２２が凹部を有していない。そのため、樹脂絶縁層２０上にスパッタリングによってシード層３０ａが形成される場合、スパッタリング製膜の厚みが薄くても実施形態は連続するシード層３０ａを形成することができる。シード層３０ａは薄く形成される。シード層３０ａが除去される時、エッチング量が少ない。そのため、電解めっき層３０ｂのエッチング量が少ない。第１信号配線３２と第２信号配線３４を有する第２導体層３０が設計値通りの幅を有する。微細な配線が形成される。高い品質を有するプリント配線板２が提供される。

【0063】

実施形態のプリント配線板２では、開口２６の内壁面２７は第３無機粒子９３の平坦部９３ａと樹脂８０によって形成される。平坦部９３ａと内壁面２７を形成する樹脂８０の面８０ａは共通な面を形成する。内壁面２７は平滑に形成される。そのため、開口２６の内壁面２７上に均一な厚みのシード層３０ａが形成される。シード層３０ａは薄く形成される。シード層３０ａが除去される時、エッチング量が少ない。そのため、電解めっき層３０ｂのエッチング量が少ない。第１信号配線３２と第２信号配線３４を有する第２導体層３０が設計値通りの幅を有する。微細な配線が形成される。高い品質を有するプリント配線板２が提供される。

【0064】

実施形態のプリント配線板２では、シード層３０ａの第１層３１ａと第２層３１ｂはスパッタリングで形成される。第１層３１ａと第２層３１ｂが十分に密着する。第２層３１ｂが第１層３１ａから剥がれがたい。開口２６の径が小さくてもビア導体４０とパッド１４間の接続信頼性が高い。ビア導体４０を介する接続抵抗が上昇しがたい。図６Ｆに示されるように、ビア導体４０の径（開口２６の直径）Ｄはパッド１４上で測定される。径Ｄは２０μｍ以上、５０μｍ以下である。プリント配線板２の各辺の長さが５０ｍｍを超えてもビア導体４０を介する接続抵抗が上昇しがたい。プリント配線板２の各辺の長さが１００ｍｍ以上であっても長期間接続抵抗が上昇しがたい。高い品質を有するプリント配線板２が提供される。

【0065】

実施形態のプリント配線板２では、開口２６の内壁面２７を覆うシード層３０ａの第１膜６０の一部が第２膜７０上に形成されている。第１膜６０と第２膜７０が部分的に重なっている。そのため、実施形態はシード層３０ａの強度を高くすることができる。シード層３０ａが断線しがたい。シード層３０ａは、ほぼ平滑な第１膜６０とほぼ平滑な第２膜７０で形成される。そのため、高周波信号が伝送される時、伝送損失が小さい。高品質のプリント配線板２が提供される。

【0066】

実施形態のプリント配線板２では樹脂絶縁層２０の第１面２２は凹部をほとんど有していない。樹脂絶縁層２０の第１面２２近傍部分の比誘電率の標準偏差が大きくなることが抑制される。第１面２２の比誘電率は場所によって大きく変わらない。第１信号配線３２と第２信号配線３４が第１面２２に接していても、実施形態は第１信号配線３２と第２信号配線３４間の電気信号の伝搬速度の差を小さくすることができる。そのため、実施形態のプリント配線板２ではノイズが抑制される。実施形態のプリント配線板２にロジックＩＣが実装されても、第１信号配線３２で伝達されるデータと第２信号配線で伝達されるデータがロジックＩＣにほぼ遅延なく到達する。実施形態はロジックＩＣの誤動作を抑制することができる。第１信号配線３２の長さと第２信号配線３４の長さが５ｍｍ以上であっても、実施形態は両者の伝搬速度の差を小さくすることができる。第１信号配線３２の長さと第２信号配線３４の長さが１０ｍｍ以上、２０ｍｍ以下であっても、実施形態はロジックＩＣの誤動作を抑制することができる。高い品質を有するプリント配線板２が提供される。プリント配線板２の各辺の長さは５０ｍｍ以上である。各辺の長さは１００ｍｍ以上であることが好ましい。各辺の長さは２５０ｍｍ以下である。

【0067】

［実施形態の別例１］
実施形態の別例１では、シード層１０ａ、３０ａの第１層１１ａ、３１ａを形成する合金に含まれる特定金属は、ニッケル、亜鉛、ガリウム、ケイ素、マグネシウムのうちの少なくとも１つである。

【0068】

［実施形態の別例２］
実施形態の別例２では、シード層１０ａ、３０ａの第１層１１ａ、３１ａを形成する合金は炭素を含有していない。

【0069】

［実施形態の別例３］
実施形態の別例３では、シード層１０ａ、３０ａの第１層１１ａ、３１ａを形成する合金は酸素を含有していない。

【0070】

本明細書内では、平面は内壁面２７の形状と平坦部９３ａの形状、第３無機粒子の形状に対し用いられている。これらに対し用いられている平面の意味は図１と図４Ａに示されている。すなわち、図１と図４Ａでは、内壁面２７はほぼまっすぐに描かれている。図１と図４Ａ中の内壁面２７の形状はほぼ直線である。本明細中の平面は、断面中に実質的な直線を含む。図１と図４Ａの第３無機粒子９３の断面に示されるように、断面では、平面で切断することは直線で切断することを含む。本明細書内の平面は完全な平面を意味せず実質的な平面を含む。実質的な平面は小さな凹凸を含んでもよい。

【符号の説明】

【0071】

２ ：プリント配線板
４ ：絶縁層
１０ ：第１導体層
２０ ：樹脂絶縁層
２２ ：第１面
２４ ：第２面
２６ ：開口
２７ ：内壁面
３０ ：第２導体層
３０ａ ：シード層
３１ａ ：第１層
３１ｂ ：第２層
４０ ：ビア導体
８０ ：樹脂
９０ ：無機粒子
９１ ：第１無機粒子
９１ａ ：第１部分
９１ｂ ：第２部分
９２ ：第２無機粒子
９３ ：第３無機粒子

【図1】

【図2】

【図3】

【図4A】

【図4B】

【図4C】

【図5】

【図6A】

【図6B】

【図6C】

【図6D】

【図6E】

【図6F】

【図6G】

【図6H】

【図6I】