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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2025021522
(43)【公開日】2025-02-14
(54)【発明の名称】配線基板
(51)【国際特許分類】
H05K 3/46 20060101AFI20250206BHJP
H05K 1/11 20060101ALI20250206BHJP
H05K 3/40 20060101ALI20250206BHJP
H05K 3/16 20060101ALI20250206BHJP
【ＦＩ】
H05K3/46 T
H05K1/11 N
H05K3/40 K
H05K3/46 B
H05K3/46 N
H05K3/16
【審査請求】未請求
【請求項の数】15
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023125272
(22)【出願日】2023-08-01
(71)【出願人】
【識別番号】000000158
【氏名又は名称】イビデン株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100122622
【弁理士】
【氏名又は名称】森 徳久
(72)【発明者】
【氏名】桑原 雅
(72)【発明者】
【氏名】籠橋 進
(72)【発明者】
【氏名】酒井 純
(72)【発明者】
【氏名】吉川 恭平
(72)【発明者】
【氏名】伊西 拓弥
【テーマコード（参考）】
5E316
5E317
5E343
【Ｆターム（参考）】
5E316AA02
5E316AA04
5E316AA12
5E316AA32
5E316AA43
5E316BB02
5E316CC09
5E316CC18
5E316CC32
5E316CC34
5E316CC37
5E316DD17
5E316DD24
5E316DD47
5E316EE31
5E316FF07
5E316FF10
5E316FF14
5E316GG15
5E316GG17
5E316GG22
5E316GG23
5E316GG28
5E316HH40
5E317AA24
5E317BB02
5E317BB12
5E317BB15
5E317CC25
5E317CC33
5E317CD15
5E317CD32
5E317GG20
5E343AA02
5E343AA07
5E343AA17
5E343AA26
5E343BB24
5E343BB28
5E343BB44
5E343DD25
5E343DD43
5E343GG20
(57)【要約】
【課題】高い品質を有する配線基板の提供。
【解決手段】実施形態の配線基板は、ガラス製の基板と基板を貫通する貫通孔と貫通孔内に形成されているスルーホール導体とを有するコア基板と、コア基板上に形成されていて、第１面と第２面とビア導体用の開口を有する樹脂絶縁層と、樹脂絶縁層の第１面上に形成されている第１導体層と、開口内に形成されていて、スルーホール導体と電気的に繋がっているビア導体、とを有する。第１導体層とビア導体は、シード層と電解めっき層によって形成されており、シード層はスパッタリングによって形成されている。樹脂絶縁層は樹脂と無機粒子によって形成されており、無機粒子は樹脂に部分的に埋まっている第１無機粒子と樹脂に埋まっている第２無機粒子を含み、第１無機粒子は樹脂から突出する第１部分と樹脂に埋まっている第２部分で形成され、第１面は樹脂の上面と上面から露出する第１部分の露出面で形成されている。
【選択図】図３Ａ
【解決手段】実施形態の配線基板は、ガラス製の基板と基板を貫通する貫通孔と貫通孔内に形成されているスルーホール導体とを有するコア基板と、コア基板上に形成されていて、第１面と第２面とビア導体用の開口を有する樹脂絶縁層と、樹脂絶縁層の第１面上に形成されている第１導体層と、開口内に形成されていて、スルーホール導体と電気的に繋がっているビア導体、とを有する。第１導体層とビア導体は、シード層と電解めっき層によって形成されており、シード層はスパッタリングによって形成されている。樹脂絶縁層は樹脂と無機粒子によって形成されており、無機粒子は樹脂に部分的に埋まっている第１無機粒子と樹脂に埋まっている第２無機粒子を含み、第１無機粒子は樹脂から突出する第１部分と樹脂に埋まっている第２部分で形成され、第１面は樹脂の上面と上面から露出する第１部分の露出面で形成されている。
【選択図】図３Ａ
【特許請求の範囲】
【請求項1】
ガラス製の基板と前記基板を貫通する貫通孔と前記貫通孔内に形成されているスルーホール導体とを有するコア基板と、
前記コア基板上に形成されていて、第１面と前記第１面と反対側の第２面と前記第１面から前記第２面に至るビア導体用の開口を有する樹脂絶縁層と、
前記樹脂絶縁層の前記第１面上に形成されている第１導体層と、
前記開口内に形成されていて、前記スルーホール導体と電気的に繋がっているビア導体、とを有する配線基板であって、
前記第１導体層と前記ビア導体は、シード層と前記シード層上に形成される電解めっき層によって形成されており、前記シード層はスパッタリングによって形成されており、
前記樹脂絶縁層は樹脂と無機粒子によって形成されており、前記無機粒子は前記樹脂に部分的に埋まっている第１無機粒子と前記樹脂に埋まっている第２無機粒子を含み、前記第１無機粒子は前記樹脂から突出する第１部分と前記樹脂に埋まっている第２部分で形成され、前記第１面は前記樹脂の上面と前記上面から露出する前記第１部分の露出面で形成されている。
前記コア基板上に形成されていて、第１面と前記第１面と反対側の第２面と前記第１面から前記第２面に至るビア導体用の開口を有する樹脂絶縁層と、
前記樹脂絶縁層の前記第１面上に形成されている第１導体層と、
前記開口内に形成されていて、前記スルーホール導体と電気的に繋がっているビア導体、とを有する配線基板であって、
前記第１導体層と前記ビア導体は、シード層と前記シード層上に形成される電解めっき層によって形成されており、前記シード層はスパッタリングによって形成されており、
前記樹脂絶縁層は樹脂と無機粒子によって形成されており、前記無機粒子は前記樹脂に部分的に埋まっている第１無機粒子と前記樹脂に埋まっている第２無機粒子を含み、前記第１無機粒子は前記樹脂から突出する第１部分と前記樹脂に埋まっている第２部分で形成され、前記第１面は前記樹脂の上面と前記上面から露出する前記第１部分の露出面で形成されている。
【請求項2】
請求項１の配線基板であって、前記第１部分の体積と前記第１無機粒子の体積との比は０より大きく０．４以下である。
【請求項3】
請求項１の配線基板であって、前記無機粒子はガラス粒子である。
【請求項4】
請求項１の配線基板であって、前記無機粒子は前記開口の内壁面を形成する第３無機粒子をさらに含み、前記内壁面は前記第３無機粒子と前記樹脂によって形成されており、前記第３無機粒子は平坦部を有し、前記平坦部が前記内壁面を形成する。
【請求項5】
請求項４の配線基板であって、前記平坦部と前記内壁面を形成する前記樹脂の面は、ほぼ共通な面を形成する。
【請求項6】
請求項４の配線基板であって、前記第２無機粒子の形は球であり、前記第３無機粒子の形状は前記第２無機粒子を平面で切断することで得られる。
【請求項7】
請求項４の配線基板であって、前記開口を形成することは、前記開口の前記内壁面を形成する前記樹脂から突出する突出部分を有する前記無機粒子を形成することを含み、前記第３無機粒子は前記無機粒子の前記突出部分を除去することで形成される。
【請求項8】
請求項４の配線基板であって、前記開口を形成することは、前記第２無機粒子から突出部分を有する前記無機粒子を形成することを含み、前記開口の前記内壁面は前記突出部分を除去することで形成される前記第３無機粒子の露出面を含む。
【請求項9】
請求項１の配線基板であって、前記無機粒子は酸素元素を含む。
【請求項10】
請求項１の配線基板であって、前記シード層は第１層と前記第１層上に形成される第２層を有しており、前記第１層は銅とアルミニウムを含有する合金からなる。
【請求項11】
請求項１０の配線基板であって、前記合金はさらにケイ素を含む。
【請求項12】
請求項１の配線基板であって、前記開口の内壁面を覆う前記シード層は、ほぼ平滑な第１膜とほぼ平滑な第２膜を有しており、前記第１膜と前記第２膜は電気的に繋がっており、前記第１膜の一部が前記第２膜上に形成されている。
【請求項13】
請求項１２の配線基板であって、前記第１膜の先端が前記第２膜の後端上に形成されている。
【請求項14】
請求項１２の配線基板であって、前記第１膜と前記第２膜は同時に形成されている。
【請求項15】
請求項１２の配線基板であって、前記内壁面を覆う前記シード層の断面は略階段状の形状を有する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本明細書によって開示される技術は配線基板に関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献１はガラス材質のコアを有する多層基板を開示する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１５－１３３４７３号公報
【発明の概要】
【0004】
［特許文献１の課題］
特許文献１はガラス材質からなる第１絶縁層の光透過率を制御している。光透過率の制御方法の例として、特許文献１は第１絶縁層内に着色剤が含有されると述べている。ガラス材質からなる第１絶縁層が着色剤を均一に含有することは難しいと考えられる。
特許文献１はガラス材質からなる第１絶縁層の光透過率を制御している。光透過率の制御方法の例として、特許文献１は第１絶縁層内に着色剤が含有されると述べている。ガラス材質からなる第１絶縁層が着色剤を均一に含有することは難しいと考えられる。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本発明の配線基板は、ガラス製の基板と前記基板を貫通する貫通孔と前記貫通孔内に形成されているスルーホール導体とを有するコア基板と、前記コア基板上に形成されていて、第１面と前記第１面と反対側の第２面と前記第１面から前記第２面に至るビア導体用の開口を有する樹脂絶縁層と、前記樹脂絶縁層の前記第１面上に形成されている第１導体層と、前記開口内に形成されていて、前記スルーホール導体と電気的に繋がっているビア導体、とを有する。前記第１導体層と前記ビア導体は、シード層と前記シード層上に形成される電解めっき層によって形成されており、前記シード層はスパッタリングによって形成されている。前記樹脂絶縁層は樹脂と無機粒子によって形成されており、前記無機粒子は前記樹脂に部分的に埋まっている第１無機粒子と前記樹脂に埋まっている第２無機粒子を含み、前記第１無機粒子は前記樹脂から突出する第１部分と前記樹脂に埋まっている第２部分で形成され、前記第１面は前記樹脂の上面と前記上面から露出する前記第１部分の露出面で形成されている。
【0006】
本発明の実施形態の配線基板では、コア基板はガラス製の基板を含む。ガラス製の基板は平坦性に優れる。そのため樹脂絶縁層の第１面は平坦性に優れる。第１面は平滑性に優れる。実施形態は樹脂絶縁層の第１面上に微細な配線を形成することができる。実施形態では樹脂絶縁層の第１面に凹部がほぼ形成されない。そのため、樹脂絶縁層上にスパッタリングによってシード層が形成される場合、スパッタリング製膜の厚みが薄くても実施形態は連続するシード層を形成することができる。その結果、シード層が除去される時、実施形態はエッチング量を少なくすることができる。実施形態は樹脂絶縁層上に微細な配線を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【図1】実施形態の配線基板を模式的に示す断面図。
【図2】実施形態の配線基板の一部を模式的に示す拡大断面図。
【図3A】実施形態の配線基板の一部を模式的に示す拡大断面図。
【図3B】内壁面の一部を模式的に示す拡大断面図。
【図3C】シード層の一部を模式的に示す拡大断面図。
【図4】実施形態の配線基板の一部を模式的に示す断面写真。
【図5A】実施形態の配線基板の製造方法を模式的に示す断面図。
【図5B】実施形態の配線基板の製造方法を模式的に示す断面図。
【図5C】実施形態の配線基板の製造方法を模式的に示す断面図。
【図5D】実施形態の配線基板の製造方法を模式的に示す断面図。
【図5E】実施形態の配線基板の製造方法を模式的に示す断面図。
【図5F】実施形態の配線基板の製造方法を模式的に示す断面図。
【図5G】実施形態の配線基板の製造方法を模式的に示す断面図。
【図5H】実施形態の配線基板の製造方法を模式的に示す拡大断面図。
【図5I】実施形態の配線基板の製造方法を模式的に示す断面図。
【図5J】実施形態の配線基板の製造方法を模式的に示す拡大断面図。
【図5K】実施形態の配線基板の製造方法を模式的に示す断面図。
【図5L】実施形態の配線基板の製造方法を模式的に示す拡大断面図。
【図5M】実施形態の配線基板の製造方法を模式的に示す断面図。
【図6】改変例の配線基板の製造方法を模式的に示す断面図。
【図7】改変例の配線基板の製造方法を模式的に示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【0008】
［実施形態］
図１は実施形態の配線基板２を示す断面図である。図２と図３Ａは実施形態の配線基板２の一部を示す拡大断面図である。図１に示されるように、配線基板２は、コア基板３と表側ビルドアップ層３００Ｆと裏側ビルドアップ層３００Ｂとを有する。
図１は実施形態の配線基板２を示す断面図である。図２と図３Ａは実施形態の配線基板２の一部を示す拡大断面図である。図１に示されるように、配線基板２は、コア基板３と表側ビルドアップ層３００Ｆと裏側ビルドアップ層３００Ｂとを有する。
【0009】
コア基板３は基板４と貫通孔６とスルーホール導体８を有する。基板４は表面５Ｆと表面５Ｆと反対側の裏面５Ｂを有する。基板４はガラス製である。貫通孔６は基板４を貫通する。貫通孔６の形状は略円柱である。貫通孔６の径はほぼ一定である。貫通孔６の形状は略円錐台であってもよい。貫通孔６の形状は２つの略円錐を繋げることで得られる形状でもよい。２つの円錐は表面側の円錐と裏面側の円錐である。表面側の円錐の底面は表面５Ｆに位置し、裏面側の円錐の底面は裏面５Ｂに位置する。この場合、貫通孔６の側面は表面５Ｆから裏面５Ｂに向かってテーパーしている面と裏面５Ｂから表面５Ｆに向かってテーパーしている面で形成される。
【0010】
スルーホール導体８は貫通孔６内に形成されている。スルーホール導体８は主に銅によって形成されている。スルーホール導体８は、貫通孔６の内壁面上に形成されるシード層１０ａとシード層１０ａ上に形成される電解めっき層１０ｂを含む。電解めっき層１０ｂは貫通孔６を充填する。シード層１０ａは無電解めっきによって形成される。スルーホール導体８は上端８Ｆと下端８Ｂを有する。上端８Ｆの面と表面５Ｆは実質的に同一な平面を形成する。下端８Ｂの面と裏面５Ｂは実質的に同一な平面を形成する。上端８Ｆは表面５Ｆから露出する。下端８Ｂは裏面５Ｂから露出する。
【0011】
表側ビルドアップ層３００Ｆは基板４の表面５Ｆ上に形成されている。表側ビルドアップ層３００Ｆは、表側の樹脂絶縁層と表側の導体層と表側の樹脂絶縁層を貫通する表側のビア導体を有する。表側の導体層と表側のビア導体はスルーホール導体８に電気的に繋がっている。表側の樹脂絶縁層と表側の導体層は交互に積層されている。図１中の表側の樹脂絶縁層は、第１樹脂絶縁層２０Ｆと第２樹脂絶縁層１２０Ｆである。表側の導体層は第１導体層３０Ｆと第２導体層１３０Ｆである。表側のビア導体は第１ビア導体４０Ｆと第２ビア導体１４０Ｆである。
【0012】
第１樹脂絶縁層２０Ｆは第１面２２Ｆと第１面２２Ｆと反対側の第２面２４Ｆを有する。第２面２４Ｆと表面５Ｆが対向するように、第１樹脂絶縁層２０Ｆは基板４の表面５Ｆ上に形成されている。図１の例では、第２面２４Ｆは表面５Ｆに接している。第２面２４Ｆは上端８Ｆの一部と接している。表面５Ｆと第２面２４Ｆとの間に導体回路は存在しない。表面５Ｆ上に導体回路は形成されていない。第１樹脂絶縁層２０Ｆはスルーホール導体８の上端８Ｆに至る第１開口２６Ｆを有する。第１開口２６Ｆは第１面２２Ｆ上の開口（トップ開口）と第２面２４Ｆ上の開口（ボトム開口）を有する。トップ開口とボトム開口の形状はほぼ円である。ボトム開口は上端８Ｆと表面５Ｆを同時に露出することができる。この場合、上端８Ｆの周りの表面５Ｆが露出される。ボトム開口は上端８Ｆの一部とその一部の周りの表面５Ｆを露出しても良い（第１例）。ボトム開口は上端８Ｆの全てと上端８Ｆの周りの表面５Ｆを露出しても良い（第２例）。図１に示されるように、ボトム開口は上端８Ｆのみを露出することができる（第３例）。第１例と第２例と第３例の内、２つの例が混在しても良い。第１例と第２例と第３例の全てが混在しても良い。第１例と第３例が混在することが好ましい。この場合、いくつかのスルーホール導体８の上端８Ｆは第１例の開口で露出され、残りのスルーホール導体８の上端８Ｆは第３例の開口で露出される。第１樹脂絶縁層２０Ｆは樹脂８０と樹脂８０内に分散されている多数の無機粒子９０で形成されている。樹脂８０はエポキシ系樹脂である。樹脂の例は熱硬化性樹脂と光硬化性樹脂である。無機粒子９０はガラス粒子である。無機粒子９０はアルミナであってもよい。第１樹脂絶縁層２０Ｆ中の無機粒子９０の含有量は７５ｗｔ％以上である。
【0013】
図１と図２に示されるように、無機粒子９０は樹脂８０に部分的に埋まっている第１無機粒子９１と樹脂８０内に埋まっている第２無機粒子９２を含む。第２無機粒子は樹脂８０内に完全に埋まっている。第１無機粒子９１と第２無機粒子９２の形は球である。図２に示されるように、第１無機粒子９１は樹脂８０から突出する第１部分９１ａと樹脂８０に埋まっている第２部分９１ｂで形成されている。第１樹脂絶縁層２０Ｆの第１面２２Ｆは樹脂８０の上面８０Ｒと樹脂８０の上面８０Ｒから露出する第１部分９１ａの露出面９１ａＲで形成されている。
【0014】
第１部分９１ａの体積と第１無機粒子９１の体積との比Ｒ（第１部分９１ａの体積／第１無機粒子９１の体積）は０より大きく０．４以下である。比Ｒは０．２以下であることが好ましい。比Ｒは０．１以下であることがより好ましい。比Ｒは０．０５以下であることが最も好ましい。樹脂８０から第１部分９１ａが突出すると第１樹脂絶縁層２０Ｆの第１面２２Ｆが僅かな凹凸を有する。しかし樹脂８０の上面８０Ｒは荒らされていない。第１樹脂絶縁層２０Ｆの第１面２２Ｆを形成する樹脂８０の上面８０Ｒはほぼ平坦である。樹脂８０の上面８０Ｒは凹部をほぼ有していない。そのため第１面２２Ｆは凹部をほぼ有していない。第１面２２Ｆの算術平均粗さ（Ｒａ）は０．０８μｍ未満である。第１面２２Ｆの粗さＲａは０．０５μｍ以下であることが好ましい。第１面２２Ｆの粗さＲａは０．０３μｍ以下であることがより好ましい。第１樹脂絶縁層２０Ｆの第１面２２Ｆを形成する樹脂８０の上面８０Ｒの算術平均粗さ（Ｒａ）は０．０８μｍ未満である。樹脂８０の上面８０Ｒの粗さＲａは０．０５μｍ以下であることが好ましい。樹脂８０の上面８０Ｒの粗さＲａは０．０３μｍ以下であることがより好ましい。
【0015】
図３Ａに示されるように、無機粒子９０は、開口（ビア導体用の開口）の内壁面を形成する第３無機粒子９３をさらに含む。第３無機粒子９３の形状は球を平面で切断することで得られる。第３無機粒子９３の形状は第２無機粒子９２を平面で切断することで得られる。第３無機粒子９３の形状はほぼ球欠である。第３無機粒子９３の形状と第２無機粒子９２の形状は異なる。第３無機粒子９３の形状と第１無機粒子９１の形状は異なる。第１無機粒子９１の形状と第２無機粒子９２の形状は同様である。
【0016】
図４は、第１開口２６Ｆの内壁面２７Ｆの一例を示す断面写真である。図３Ａと図４に示されるように、第１開口２６Ｆの内壁面２７Ｆは樹脂８０と第３無機粒子９３で形成されている。第３無機粒子９３は平坦部９３ａを有する。平坦部９３ａは内壁面２７Ｆを形成する。内壁面２７Ｆは樹脂８０と平坦部９３ａで形成されている。平坦部９３ａと内壁面２７Ｆを形成する樹脂８０の面は、ほぼ共通な面を形成する。内壁面２７Ｆを形成する樹脂８０上に凹凸が形成されない。内壁面２７Ｆを形成する樹脂８０の面は平滑である。平坦部９３ａの露出面（内壁面２７Ｆを形成する面）９３ｂ上に凹凸が形成されない。平坦部９３ａの露出面９３ｂは平滑である。内壁面２７Ｆは平滑に形成される。内壁面２７Ｆの算術平均粗さ（Ｒａ）は１．０μｍ以下である。図４に示されるように、樹脂８０の面８０ａと第３無機粒子９３の平坦部９３ａの境界部に段差２８が形成されている。段差２８の量は３．０μｍ以下であることが好ましい。段差２８の量は１．５μｍ以下であることがより好ましい。段差２８の量は０．５μｍ以下であることがさらに好ましい。例えば、露出面９３ｂと樹脂８０の面（内壁面２７Ｆを形成する面）８０ａとの間の距離が段差２８の量を示す。露出面９３ｂは樹脂８０の面８０ａに対し出っ張っている。あるいは、露出面９３ｂは樹脂８０の面８０ａに対し凹んでいる。出っ張っていることが好ましい。
【0017】
第３無機粒子９３の平坦部９３ａは第３無機粒子９３の周りに形成されている樹脂８０の面（内壁面２７Ｆを形成する面）８０ａを延長することで得られる面とほぼ一致する。図１と図３Ａ中に実質的な直線で描かれている平坦部９３ａは平面を意味している。図１と図３Ａに示される断面において平坦部９３ａは平面である。平坦部９３ａは完全な平面でなくてもよい。平坦部９３ａは実質的な平面であってほぼ平滑な面である。
【0018】
図３Ｂは図３Ａ中の内壁面２７Ｆの一部を示す拡大断面図である。図３Ｂに示されるように、内壁面２７Ｆを形成する２つの第３無機粒子９３の平坦部９３ａを結ぶ基準面２００に対し、その間に位置する樹脂８０の面８０ａは凹んでいても出っ張っていてもよい（破線部参照）。基準面２００を形成するための２つの第３無機粒子９３間に他の第３無機粒子９３がないことが好ましい。基準面２００と樹脂８０の面８０ａとの間の距離が段差２８の量の代表値として用いられても良い。
【0019】
図３Ａに示されるように、第１開口２６Ｆの内壁面２７Ｆは傾斜している。基板４の表面５Ｆと内壁面２７Ｆとの間の角度（傾斜角度）θ１は７０°以上８５°以下である。第１樹脂絶縁層２０Ｆの第１面２２Ｆと内壁面２７Ｆとの間の角度（傾斜角度）θ２は９５°以上１１０°以下である。
【0020】
図１と図３Ａに示される断面では、第１開口２６Ｆの形状は略逆台形に示されている。しかしながら、実際の第１開口２６Ｆの形状は略逆円錐台形状である。そのため実際の第１開口２６Ｆの内壁面（側壁）２７Ｆは略曲面である。すなわち、平坦部９３ａと樹脂８０で形成される共通な面は略曲面で形成される内壁面（側壁）２７Ｆを含む。
【0021】
図１に示されるように、第１導体層３０Ｆは第１樹脂絶縁層２０Ｆの第１面２２Ｆ上に形成されている。第１導体層３０Ｆは第１信号配線３２Ｆと第２信号配線３４Ｆとランド３６Ｆとを含む。図に示されていないが、第１導体層３０Ｆは第１信号配線３２Ｆと第２信号配線３４Ｆとランド３６Ｆ以外の導体回路も含んでいる。第１信号配線３２Ｆと第２信号配線３４Ｆはペア配線を形成している。第１導体層３０Ｆは主に銅によって形成される。第１導体層３０Ｆは、シード層３０Ｆａとシード層３０Ｆａ上の電解めっき層３０Ｆｂで形成されている。シード層３０Ｆａはスパッタリングによって形成されている。シード層３０Ｆａは第１面２２Ｆ上の第１層３１Ｆａと第１層３１Ｆａ上の第２層３１Ｆｂで形成されている。第１層３１Ｆａは第１面２２Ｆに接している。第２層３１Ｆｂは必須ではない。第１層３１Ｆａと第２層３１Ｆｂはスパッタリングで形成される。両者はスパッタリング製膜である。
【0022】
第１層３１Ｆａは銅とアルミニウムを含有する合金からなる。第１層３１Ｆａは、さらに、特定金属を有しても良い。特定金属の例は、ニッケル、亜鉛、ガリウム、ケイ素、マグネシウムである。合金は１種類の特定金属、または、２種類の特定金属、または、３種類の特定金属を含むことが好ましい。合金中のアルミニウムの含有量は１．０ａｔ％以上１５．０ａｔ％以下である。特定金属の例はケイ素である。合金中の特定金属の含有量は０．５ａｔ％以上１０．０ａｔ％以下である。第１層３１Ｆａは不純物を含んでも良い。不純物の例は酸素と炭素である。第１層３１Ｆａは酸素、または、炭素を含むことができる。第１層３１Ｆａは酸素と炭素を含むことができる。実施形態では、合金はさらに炭素を含有している。合金中の炭素の含有量は５０ｐｐｍ以下である。合金はさらに酸素を含有している。合金中の酸素の含有量は１００ｐｐｍ以下である。上記各元素の含有量の値は一例である。第１層３１Ｆａを形成する元素の中で銅の量が最も大きい。次いで、アルミニウムの量が大きい。特定金属の量はアルミニウムの量より小さい。従って、銅は主の金属であり、アルミニウムは第１の副の金属であり、特定金属は第２の副の金属である。不純物の量は特定金属の量より小さい。第１層３１Ｆａは銅合金である。
【0023】
第２層３１Ｆｂは銅で形成されている。第２層３１Ｆｂを形成している銅の含有量は９９．９ａｔ％以上である。第２層３１Ｆｂ中の銅の含有量は９９．９５ａｔ％以上であることが好ましい。シード層３０Ｆａは銅合金である。電解めっき層３０Ｆｂは銅で形成されている。電解めっき層３０Ｆｂを形成している銅の含有量は９９．９ａｔ％以上である。電解めっき層３０Ｆｂ中の銅の含有量は９９．９５ａｔ％以上であることが好ましい。
【0024】
第１樹脂絶縁層２０Ｆはガラス製の基板４上に形成される。ガラスは平坦性に優れるので、第１樹脂絶縁層２０Ｆの第１面２２Ｆも平坦性に優れる。表面５Ｆと第１樹脂絶縁層２０Ｆ間に導体回路が形成されないと、第１面２２Ｆが表面５Ｆに追従することができる。第１面２２Ｆは表面５Ｆと同等な平坦性を有することができる。実施形態は第１面２２Ｆ上に微細な配線を形成することができる。例えば、第１導体層３０Ｆは１．５μｍ以上、３．５μｍ以下の幅を有する配線を有することができる。隣接する配線間のスペースの幅は１．５μｍ以上、３．５μｍ以下である。
【0025】
第１ビア導体４０Ｆは第１開口２６Ｆ内に形成されている。第１ビア導体４０Ｆはスルーホール導体８と第１導体層３０Ｆを電気的に接続する。第１ビア導体４０Ｆはスルーホール導体８と第１ビア導体４０Ｆのランド３６Ｆを電気的に接続する。第１ビア導体４０Ｆはシード層３０Ｆａとシード層３０Ｆａ上の電解めっき層３０Ｆｂで形成されている。第１ビア導体４０Ｆを形成するシード層３０Ｆａと第１導体層３０Ｆを形成するシード層３０Ｆａは共通である。第１ビア導体４０Ｆを形成する電解めっき層３０Ｆｂと第１導体層３０Ｆを形成する電解めっき層３０Ｆｂは共通である。第１ビア導体４０Ｆを形成するシード層３０Ｆａは、第１開口２６Ｆの内壁面２７Ｆ上と第１開口２６Ｆから露出するスルーホール導体８の上端８Ｆ上に形成されている第１層３１Ｆａと第１層３１Ｆａ上の第２層３１Ｆｂで形成されている。第１ビア導体４０Ｆを形成する第１層３１Ｆａと第１導体層３０Ｆを形成する第１層３１Ｆａは共通である。第１ビア導体４０Ｆを形成する第２層３１Ｆｂと第１導体層３０Ｆを形成する第２層３１Ｆｂは共通である。図１では第１ビア導体４０Ｆは上端８Ｆに繋がっている。第１層３１Ｆａはスルーホール導体８の上端８Ｆと内壁面２７Ｆに接している。第１ビア導体４０Ｆは上端８Ｆの直上に形成されている。
【0026】
図３Ｃは図３Ａの内壁面２７Ｆ上のシード層３０Ｆａの一部を模式的に示す拡大断面図である。図４はシード層３０Ｆａの一例を示す。内壁面２７Ｆ上のシード層３０Ｆａは内壁面２７Ｆに接している。図３Ａと図３Ｃと図４に示されるように、第１ビア導体４０Ｆを形成するシード層３０Ｆａは、ほぼ平滑な第１膜６０とほぼ平滑な第２膜７０を有している。第１膜６０と第２膜７０は電気的に繋がっている。第１膜６０と第２膜７０は連続している。図４に示されるように、第１膜６０の一部が第２膜７０上に形成されている。第１膜６０の先端６２が第２膜７０の後端７２上に形成されている。第１膜６０と第２膜７０は同時に形成されている。内壁面２７Ｆを覆うシード層３０Ｆａの断面は略階段状の形状を有する。
【0027】
図３Ｃに示されるように、シード層３０Ｆａの第１層３１Ｆａは第１膜６０ａと第２膜７０ａを有している。第１膜６０ａと第２膜７０ａは電気的に繋がっている。第１膜６０ａと第２膜７０ａは連続している。第１膜６０ａの先端６２ａが第２膜７０ａの後端７２ａ上に形成されている。内壁面２７Ｆを覆う第１層３１Ｆａの断面は略階段状の形状を有する。内壁面２７Ｆ上の第１層３１Ｆａは内壁面２７Ｆに接している。
【0028】
シード層３０Ｆａの第２層３１Ｆｂは第１膜６０ｂと第２膜７０ｂを有している。第１膜６０ｂと第２膜７０ｂは電気的に繋がっている。第１膜６０ｂと第２膜７０ｂは連続している。第１膜６０ｂの先端６２ｂが第２膜７０ｂの後端７２ｂ上に形成されている。内壁面２７Ｆ上に形成されている第２層３１Ｆｂの断面は略階段状の形状を有する。
【0029】
実施形態では、第１膜６０の一部が第２膜７０上に積層される。第１膜６０の一部が第２膜７０上に重なっている。第１膜６０の先端６２が第２膜７０の後端７２上に積層される。第１膜６０の先端６２が第２膜７０の後端７２上に重なっている。
【0030】
実施形態の内壁面２７Ｆはほぼ平滑な面で形成されている。もし、第１層３１Ｆａが内壁面２７Ｆの形状に追従すると、内壁面２７Ｆ上の第１層３１Ｆａはほぼ平滑な面を有する。第１層３１Ｆａの断面は線状の形状を有する。内壁面２７Ｆ上のシード層３０Ｆａはほぼ平滑な面を有する。シード層３０Ｆａの断面は線状の形状を有する。この場合、第１ビア導体４０Ｆを形成する電解めっき層３０Ｆｂが平滑な面上に形成される。例えば、配線基板２が大きな衝撃を受けると、内壁面２７Ｆ上の第１層３１Ｆａと第１層３１Ｆａ上の第２層３１Ｆｂ間で剥がれが発生する。あるいは、内壁面２７Ｆ上のシード層３０Ｆａと第１ビア導体４０Ｆを形成する電解めっき層３０Ｆｂ間で剥がれが発生する。それに対し、実施形態のシード層３０Ｆａと第１層３１Ｆａの断面は階段状の形状を有する。そのため、剥がれが発生しがたい。
【0031】
ビア導体用の開口が表面５Ｆを露出する場合、第１層３１Ｆａはガラス製の基板４に接する。第１例の開口と第２例の開口は表面５Ｆを露出する。さらに、第１例の開口と第２例の開口は上端８Ｆを露出する。第１層３１Ｆａがアルミニウムを含み、ガラスが酸素を含むので、第１層３１Ｆａと基板４間の接合強度が増すと考えられる。さらに、第１層３１Ｆａがケイ素を含むと、第１層３１Ｆａと基板４は同じ元素（ケイ素）を含む。さらに、第１層３１Ｆａと基板４間の接合強度が増すと考えられる。ビア導体を形成するシード層の一部がガラス製の基板４に接すると、配線基板２が熱衝撃を受けてもビア導体がスルーホール導体８から剥がれ難い。上端８Ｆに接しているビア導体は表面５Ｆに接することが好ましい。その場合、そのようなビア導体を形成するシード層（例えば、第１層３１Ｆａ）は上端８Ｆと表面５Ｆの両方に接する。同様に、下端８Ｂに接しているビア導体は裏面５Ｂに接することが好ましい。その場合、そのようなビア導体を形成するシード層（例えば、第１層）は下端８Ｂと裏面５Ｂの両方に接する。表面５Ｆと第２面２４Ｆの間に第１樹脂絶縁層２０Ｆなどの樹脂絶縁層と基板４を接着するための接着層が配置される場合、接着層は樹脂絶縁層の一部であってもよい。接着層は樹脂絶縁層に含まれる。接着層は有機製接着層と無機製接着層を含む。接着層は絶縁材料で形成される。
【0032】
第２樹脂絶縁層１２０Ｆは第１樹脂絶縁層２０Ｆの第１面２２Ｆと第１導体層３０Ｆ上に形成されている。第２樹脂絶縁層１２０Ｆと第１樹脂絶縁層２０Ｆとの間に第１導体層３０Ｆが形成されている。第２樹脂絶縁層１２０Ｆは第１面１２２Ｆと第１面１２２Ｆと反対側の第２面１２４Ｆを有する。第２樹脂絶縁層１２０Ｆの第２面１２４Ｆは第１導体層３０Ｆと対向する。第２樹脂絶縁層１２０Ｆは第１樹脂絶縁層２０Ｆと同様に樹脂８０と無機粒子（第１無機粒子９１、第２無機粒子９２、第３無機粒子９３）９０で形成されている。従って、第２樹脂絶縁層１２０Ｆの材質と第１樹脂絶縁層２０Ｆの材質は同様である。第２樹脂絶縁層１２０Ｆの第１面１２２Ｆと第１樹脂絶縁層２０Ｆの第１面２２Ｆは同様である。第２樹脂絶縁層１２０Ｆを形成する第１無機粒子９１は第１部分９１ａと第２部分９１ｂを有し、第１部分９１ａの露出面９１ａＲは第２樹脂絶縁層１２０Ｆの第１面１２２Ｆを形成する。第１樹脂絶縁層２０Ｆ中の第１無機粒子９１と第２樹脂絶縁層１２０Ｆ中の第１無機粒子９１は同様な比Ｒを有する。
【0033】
第２樹脂絶縁層１２０Ｆは第１導体層３０Ｆを露出する第２開口１２６Ｆを有している。第２開口１２６Ｆはランド３６Ｆを露出している。第２開口１２６Ｆは内壁面１２７Ｆを有する。第１開口２６Ｆと第２開口１２６Ｆは同様である。従って、第１開口２６Ｆの内壁面２７Ｆと第２開口１２６Ｆの内壁面１２７Ｆは同様である。
【0034】
第２導体層１３０Ｆは第２樹脂絶縁層１２０Ｆの第１面１２２Ｆ上に形成されている。第２導体層１３０Ｆは第１信号配線１３２Ｆと第２信号配線１３４Ｆとランド１３６Ｆとを含む。図に示されていないが、第２導体層１３０Ｆは第１信号配線１３２Ｆと第２信号配線１３４Ｆとランド１３６Ｆ以外の導体回路も含んでいる。第１信号配線１３２Ｆと第２信号配線１３４Ｆはペア配線を形成している。第２導体層１３０Ｆと第１導体層３０Ｆは同様である。従って、第２導体層１３０Ｆは、シード層１３０Ｆａとシード層１３０Ｆａ上の電解めっき層１３０Ｆｂで形成されている。シード層１３０Ｆａは第１層１３１Ｆａと第１層１３１Ｆａ上の第２層１３１Ｆｂで形成されている。第２導体層１３０Ｆを形成する第１層１３１Ｆａと第１導体層３０Ｆを形成する第１層３１Ｆａは同様である。第２導体層１３０Ｆを形成する第２層１３１Ｆｂと第１導体層３０Ｆを形成する第２層３１Ｆｂは同様である。第２導体層１３０Ｆを形成する電解めっき層１３０Ｆｂと第１導体層３０Ｆを形成する電解めっき層３０Ｆｂは同様である。
【0035】
第２ビア導体１４０Ｆは第２開口１２６Ｆ内に形成されている。第２ビア導体１４０Ｆは第１導体層３０Ｆと第２導体層１３０Ｆを電気的に接続する。図１では第２ビア導体１４０Ｆはランド３６Ｆとランド１３６Ｆを電気的に接続する。第２ビア導体１４０Ｆと第１ビア導体４０Ｆは同様である。従って、第２ビア導体１４０Ｆはシード層１３０Ｆａとシード層１３０Ｆａ上の電解めっき層１３０Ｆｂで形成されている。シード層１３０Ｆａは第１層１３１Ｆａと第１層１３１Ｆａ上の第２層１３１Ｆｂで形成されている。第２ビア導体１４０Ｆを形成する第１層１３１Ｆａと第１導体層３０Ｆを形成する第１層３１Ｆａは同様である。第２ビア導体１４０Ｆを形成する第２層１３１Ｆｂと第１導体層３０Ｆを形成する第２層３１Ｆｂは同様である。第２ビア導体１４０Ｆを形成する電解めっき層１３０Ｆｂと第１導体層３０Ｆを形成する電解めっき層３０Ｆｂは同様である。第２ビア導体１４０Ｆを形成する第１層１３１Ｆａと第２導体層１３０Ｆを形成する第１層１３１Ｆａは共通である。第２ビア導体１４０Ｆを形成する第２層１３１Ｆｂと第２導体層１３０Ｆを形成する第２層１３１Ｆｂは共通である。第２ビア導体１４０Ｆを形成する電解めっき層１３０Ｆｂと第２導体層１３０Ｆを形成する電解めっき層１３０Ｆｂは共通である。
【0036】
裏側ビルドアップ層３００Ｂは、裏側の樹脂絶縁層と裏側の導体層と裏側の樹脂絶縁層を貫通する裏側のビア導体を有する。裏側の樹脂絶縁層と裏側の導体層は交互に積層されている。裏側の導体層と裏側のビア導体はスルーホール導体８に電気的に繋がっている。図１中の裏側の樹脂絶縁層は、第１面２２Ｂと第２面２４Ｂを有する第１樹脂絶縁層２０Ｂと第１面１２２Ｂと第２面１２４Ｂを有する第２樹脂絶縁層１２０Ｂである。裏側の導体層は第１導体層３０Ｂと第２導体層１３０Ｂである。第１導体層３０Ｂと第２導体層１３０Ｂは第１信号配線３２Ｂ、１３２Ｂと第２信号配線３４Ｂ、１３４Ｂを含む。裏側のビア導体は第１ビア導体４０Ｂと第２ビア導体１４０Ｂである。
【0037】
表側ビルドアップ層３００Ｆと裏側ビルドアップ層３００Ｂは同様である。従って、表側ビルドアップ層３００Ｆを形成する表側の樹脂絶縁層と裏側ビルドアップ層３００Ｂを形成する裏側の樹脂絶縁層は同様である。各裏側の樹脂絶縁層は樹脂８０と無機粒子９０で形成される。各裏側の樹脂絶縁層は第１無機粒子９１と第２無機粒子９２と第３無機粒子９３を含む。各樹脂絶縁層の第１面は樹脂８０の上面８０Ｒと樹脂８０の上面８０Ｒから露出する第１部分９１ａの露出面９１ａＲで形成されている。表側の導体層と裏側の導体層は同様である。表側のビア導体用の開口と裏側のビア導体用の開口は同様である。各ビア導体用の開口の内壁面は樹脂８０の面（露出面）８０ａと無機粒子の露出面９３ｂで形成されている。樹脂８０の面８０ａと無機粒子の露出面９３ｂはほぼ共通な面を形成する。表側のビア導体と裏側のビア導体は同様である。
【0038】
配線基板２の各辺の長さは５０ｍｍ以上である。各辺の長さは１００ｍｍ以上であることが好ましい。各辺の長さは２５０ｍｍ以下である。実施形態によって形成される信号配線の長さは５ｍｍ以上である。信号配線の長さは１０ｍｍ以上、２０ｍｍ以下であってもよい。
【0039】
［実施形態の配線基板２の製造方法］
図５Ａ～図５Ｍは実施形態の配線基板２の製造方法を示す。図５Ａ～図５Ｇ、図５Ｉ、図５Ｋ、図５Ｍは断面図である。図５Ｈ、図５Ｊ、図５Ｌは拡大断面図である。図５Ａはガラス製の基板４を示す。基板４は表面５Ｆと裏面５Ｂを有する。図５Ｂに示されるように、表面５Ｆから裏面５Ｂに至る貫通孔６が形成される。貫通孔６は基板４を貫通する。基板４の表面５Ｆ側からレーザ光が照射される。その後、基板４はフッ酸に浸漬される。貫通孔６が形成される。
図５Ａ～図５Ｍは実施形態の配線基板２の製造方法を示す。図５Ａ～図５Ｇ、図５Ｉ、図５Ｋ、図５Ｍは断面図である。図５Ｈ、図５Ｊ、図５Ｌは拡大断面図である。図５Ａはガラス製の基板４を示す。基板４は表面５Ｆと裏面５Ｂを有する。図５Ｂに示されるように、表面５Ｆから裏面５Ｂに至る貫通孔６が形成される。貫通孔６は基板４を貫通する。基板４の表面５Ｆ側からレーザ光が照射される。その後、基板４はフッ酸に浸漬される。貫通孔６が形成される。
【0040】
図５Ｃに示されるようにシード層１０ａが形成される。シード層１０ａは無電解めっきによって形成される。シード層１０ａは貫通孔６の内壁面上と表面５Ｆ上と裏面５Ｂ上に形成される。
【0041】
図５Ｄに示されるように電解めっき層１０ｂが形成される。電解めっき層１０ｂはシード層１０ａ上に形成される。電解めっき層１０ｂは貫通孔６内を充填する。
【0042】
図５Ｅに示されるように、表面５Ｆ上の電解めっき層１０ｂとシード層１０ａが研磨で除去される。裏面５Ｂ上の電解めっき層１０ｂとシード層１０ａが研磨で除去される。基板４の表面５Ｆと裏面５Ｂが露出する。貫通孔６の内壁面上のシード層１０ａとシード層１０ａ上の電解めっき層１０ｂによってスルーホール導体８が形成される。スルーホール導体８の上端８Ｆは表面５Ｆから露出する。スルーホール導体８の下端８Ｂは裏面５Ｂから露出する。上端８Ｆを形成する面と表面５Ｆは同一平面を形成する。下端８Ｂを形成する面と裏面５Ｂは同一平面を形成する。コア基板３が形成される。コア基板３は表面５Ｆ上に導体回路を有していない。コア基板３は裏面５Ｂ上に導体回路を有していない。
【0043】
コア基板３上に表側ビルドアップ層３００Ｆと裏側ビルドアップ層３００Ｂは同様な方法で形成される。表側ビルドアップ層３００Ｆの形成方法が以下に示される。図には裏側ビルドアップ層３００Ｂも描かれている。
【0044】
図５Ｆに示されるように、基板４の表面５Ｆと上端８Ｆ上に第１樹脂絶縁層２０Ｆと保護膜５０Ｆが形成される。第１樹脂絶縁層２０Ｆの第２面２４Ｆが基板４の表面５Ｆと対向している。第１樹脂絶縁層２０Ｆの第１面２２Ｆ上に保護膜５０Ｆが形成されている。第１樹脂絶縁層２０Ｆは樹脂８０と無機粒子（第２無機粒子９２）９０を有する。無機粒子９０は樹脂８０内に埋まっている。第１樹脂絶縁層２０Ｆの第１面２２Ｆは樹脂８０のみで形成されている。第１面２２Ｆから無機粒子９０は露出しない。第１面２２Ｆは無機粒子９０の表面を含まない。第１樹脂絶縁層２０Ｆの第１面２２Ｆには凹凸が形成されていない。第１樹脂絶縁層２０Ｆは表面５Ｆと上端８Ｆで形成される平面上に形成される。そのため、第１面２２Ｆは実質的な平面で形成される。表面５Ｆと第１面２２Ｆはほぼ平行である。
【0045】
図５Ｇに示されるように、保護膜５０Ｆの上からレーザ光Ｌが照射される。レーザ光Ｌは保護膜５０Ｆと第１樹脂絶縁層２０Ｆを同時に貫通する。スルーホール導体８の上端８Ｆに至るビア導体用の第１開口２６Ｆが形成される。レーザ光Ｌは例えばＵＶレーザ光、ＣＯ２レーザ光である。第１開口２６Ｆによりスルーホール導体８の上端８Ｆが露出する。第１開口２６Ｆが形成される時、第１面２２Ｆは保護膜５０Ｆで覆われている。第１開口２６Ｆが形成される時、樹脂が飛散しても、第１面２２Ｆに樹脂が付着することが抑制される。
【0046】
第１面２２Ｆが平坦性に優れる。レーザ光Ｌが第１面２２Ｆに照射されるとき、レーザ光Ｌが乱反射しがたい。各第１開口２６Ｆが形成される時、レーザ光Ｌの焦点の位置が一致しやすい。実施形態は小さな径を有するビア導体用の開口を形成することができる。各ビア導体用の開口の径がほぼ等しい。例えば、実施形態は、１５μｍ以上、３５μｍ以下の径を有するビア導体用の開口を形成することができる。径の大きさは第１面２２Ｆ上で測定される。
【0047】
図５Ｈは、レーザ光照射後の第１開口２６Ｆの内壁面２７Ｆｂを示す。内壁面２７Ｆｂは樹脂８０と樹脂８０から突出している無機粒子９０で形成されている。内壁面の形状を制御するため、レーザ光照射後の内壁面２７Ｆｂは処理される。樹脂８０から突出している無機粒子９０を選択的に除去することが好ましい。これにより、無機粒子９０から第３無機粒子９３が形成される。例えば、レーザ光照射後の内壁面２７Ｆｂを薬品で処理することで、樹脂８０から突出している無機粒子９０が選択的に除去される。あるいは、レーザ光照射後の内壁面２７Ｆｂをプラズマで処理することで、樹脂８０から突出している無機粒子９０が選択的に除去される。選択的に除去することは、無機粒子９０のエッチング速度が樹脂８０のエッチング速度より大きいことを含む。例えば、両者のエッチング速度差は１０倍以上である。あるいは、両者のエッチング速度差は５０倍以上である。あるいは、両者のエッチング速度差は１００倍以上である。レーザ光照射後の内壁面２７Ｆｂを処理することで、平坦部９３ａを有する第３無機粒子９３が得られる。レーザ光照射後の内壁面２７Ｆｂを処理するための条件を制御することで、実施形態は内壁面２７Ｆの形状を制御することができる。条件の例は、温度、濃度、時間、ガスの種類や圧力である。無機粒子９０のエッチング速度と樹脂のエッチング速度が制御される。
【0048】
第１樹脂絶縁層２０Ｆにレーザ光Ｌを照射することで、樹脂８０に埋まっている第２無機粒子９２の一部がレーザ光照射後の内壁面２７Ｆｂを形成する。レーザ光照射後の内壁面２７Ｆｂを形成する第２無機粒子９２は、樹脂８０から突出している突出部分Ｐと樹脂８０に埋まっている部分Ｅで形成される。突出部分Ｐを有する無機粒子は突出粒子と称される。例えば、突出粒子に関しては突出部分Ｐが全く除去されていない。レーザ光照射後の内壁面２７Ｆｂが処理される。例えば、四フッ化メタンを含むガスのプラズマで内壁面２７Ｆｂが処理される。突出部分Ｐが選択的に除去され、実施形態の内壁面２７Ｆが形成される。第２無機粒子９２から第３無機粒子９３が形成される。突出部分Ｐを選択的に除去することで、平坦部９３ａを有する第３無機粒子９３が形成される。平坦部９３ａは平面である。球の形を持つ第２無機粒子９２が平面で切断されると、第３無機粒子９３の形状が得られる。第３無機粒子９３の形状は実質的に球欠である。内壁面２７Ｆは平坦部９３ａと樹脂８０の面８０ａで形成され、平坦部９３ａの露出面９３ｂと樹脂８０の面８０ａはほぼ同一平面上に位置する。図４に示されるように、内壁面２７Ｆを形成する樹脂８０の面８０ａと第３無機粒子９３の平坦部９３ａの境界部に段差２８が形成される。例えば、スパッタリングで内壁面２７Ｆｂ上にシード層３０Ｆａが形成されると、突出部分Ｐはスパッタ膜（スパッタリング製膜）の成長を阻害する。例えば、内壁面２７Ｆｂ上に連続しているシード層３０Ｆａが形成されない。あるいは、シード層３０Ｆａの厚みを厚くすることが必要である。プリント配線板が突出粒子を含むと、微細な導体回路を形成することは難しいと考えられる。実施形態では、突出部分Ｐが除去される。実施形態はスパッタリングで形成されるシード層３０Ｆａの厚みを薄くすることができる。スパッタリングで形成されるシード層３０Ｆａの厚みが薄くても、連続しているシード層３０Ｆａが得られる。段差２８が存在するとき、樹脂の面８０ａは平坦部９３ａの露出面９３ｂから凹んでいることが好ましい。樹脂の面８０ａは平坦部９３ａの露出面９３ｂから出っ張っていても良い。レーザ光照射後の内壁面２７Ｆｂを処理するための条件を制御することで、凹凸の大きさや段差２８の大きさが制御される。
【0049】
第１開口２６Ｆを形成することは、突出部分Ｐを有する無機粒子（第２無機粒子９２）９０を形成することを含む。突出部分Ｐは第１開口２６Ｆの内壁面２７Ｆｂを形成する樹脂８０から突出している。第３無機粒子９３は無機粒子（第２無機粒子９２）９０の突出部分Ｐを除去することで形成される。第１開口２６Ｆの内壁面２７Ｆは第３無機粒子９３の露出面９３ｂを含む。第３無機粒子９３の露出面９３ｂは突出部分Ｐを除去することで形成される。
【0050】
球の形を持つ第２無機粒子９２を平面で切断することで第３無機粒子９３の形状を得ることは、無機粒子９０の突出部分Ｐを除去することを含む。実際の第１開口２６Ｆの内壁面２７Ｆは略曲面である。突出部分Ｐを除去することで平坦部９３ａが形成されるので、平坦部９３ａの露出面９３ｂは曲面を含む。すなわち、平坦部９３ａと樹脂８０で共通な面を形成することは実質的な曲面で形成される内壁面２７Ｆを形成することを含む。
【0051】
第１開口２６Ｆ内が洗浄される。第１開口２６Ｆ内を洗浄することにより、第１開口２６Ｆ形成時に発生する樹脂残渣が除去される。第１開口２６Ｆ内の洗浄はプラズマによって行われる。即ち洗浄はドライプロセスで行われる。洗浄はデスミア処理を含む。
【0052】
第１開口２６Ｆ内が洗浄される時、第１樹脂絶縁層２０Ｆの第１面２２Ｆは保護膜５０Ｆで覆われている。第１面２２Ｆはプラズマの影響を受けない。第１面２２Ｆは樹脂８０のみで形成されている。第１面２２Ｆから無機粒子９０は露出しない。第１面２２Ｆは無機粒子９０の表面を含まない。第１樹脂絶縁層２０Ｆの第１面２２Ｆは凹凸を有さない。第１面２２Ｆは平滑に形成されている。
【0053】
レーザ光照射後の内壁面２７Ｆｂを処理することが第１開口２６Ｆ内を洗浄することを含む場合、実施形態は第１開口２６Ｆ内を洗浄することを削除することができる。
【0054】
図５Ｉに示されるように、第１開口２６Ｆ内を洗浄することの後に、第１樹脂絶縁層２０Ｆから保護膜５０Ｆが除去される。レーザ光照射後の内壁面２７Ｆｂを処理することが第１開口２６Ｆ内を洗浄することを含む場合、レーザ光照射後の内壁面２７Ｆｂを処理することの後に、第１樹脂絶縁層２０Ｆから保護膜５０Ｆが除去される。レーザ光照射後の内壁面２７Ｆｂが処理される時、保護膜５０Ｆは第１樹脂絶縁層２０Ｆの第１面２２Ｆを覆っている。保護膜５０Ｆ除去後、第１樹脂絶縁層２０Ｆの第１面２２Ｆを荒らすことは行われない。
【0055】
保護膜５０Ｆの除去後、第１樹脂絶縁層２０Ｆの第１面２２Ｆが洗浄される。第１面２２Ｆを形成する樹脂８０がドライプロセスで除去される。例えば、逆スパッタリングで第１樹脂絶縁層２０Ｆの第１面２２Ｆが洗浄される。例えば、第１樹脂絶縁層２０Ｆの第１面２２Ｆを洗浄することはアルゴンガスを用いるスパッタリング（アルゴンスパッタリング）によって行われる。図５Ｊ（ａ）（ｂ）は洗浄前後の第１樹脂絶縁層２０Ｆの第１面２２Ｆを模式的に示す。図５Ｊ（ａ）（ｂ）に示されるように、スパッタリング等による洗浄によって第１樹脂絶縁層２０Ｆを形成する樹脂８０が２０ｎｍ程度除去される。例えば、保護膜５０Ｆを第１樹脂絶縁層２０Ｆに接着するための接着材が除去される。洗浄によって樹脂８０が選択的に除去される。樹脂８０の厚みが薄くなる。無機粒子（第２無機粒子９２）９０の一部は、洗浄によって部分的に樹脂８０の上面から露出する。樹脂８０に埋まっている第２無機粒子９２を樹脂８０の上面から露出することで、第１無機粒子９１が得られる。第１無機粒子９１は第２無機粒子９２から形成される。第１無機粒子９１の形と第２無機粒子９２の形は同じである。両者の形は球である。図５Ｊ（ｂ）に示されるように、第１無機粒子９１は樹脂８０から突出する第１部分９１ａと樹脂８０に埋まっている第２部分９１ｂで形成されている。第１樹脂絶縁層２０Ｆの第１面２２Ｆは樹脂８０の上面８０Ｒと樹脂８０の上面８０Ｒから突出している第１部分９１ａの露出面９１ａＲで形成されている。洗浄によって第１部分９１ａの露出面９１ａＲが露出する。第１樹脂絶縁層２０Ｆの第１面２２Ｆは荒らされていない。そのため第１面２２Ｆには凹部がほぼ形成されない。第１面２２Ｆは凹部をほぼ有していない。樹脂８０の上面８０Ｒはほぼ平坦である。樹脂８０の上面８０Ｒは凹部を有していない。
【0056】
比Ｒは、例えば、図５Ｊ（ｂ）に示される第１無機粒子９１の断面図を用いて算出される。図５Ｊ（ｂ）は上面８０Ｒに垂直な面で第１樹脂絶縁層２０Ｆを切断することで得られる。図５Ｊ（ｂ）には、第１導体層３０Ｆが省略されている。図５Ｊ（ｂ）中の第１無機粒子９１上に第１導体層３０Ｆが形成されている。図５Ｊ（ｂ）中の露出面９１ａＲは第１導体層３０Ｆで覆われている。図５Ｊ（ｂ）を用いて、第１部分９１ａの断面積９１ａＳが求められる。同様に、第１無機粒子９１の断面積９１Ｓが求められる。例えば、比Ｒは断面積９１ａＳと断面積９１Ｓの比（第１部分９１ａの断面積９１ａＳ／第１無機粒子９１の断面積９１Ｓ）で代表される。例えば、比Ｒが評価される時、５０個の第１無機粒子９１が観察される。５０個の第１無機粒子９１が比Ｒを満足する。
【0057】
図５Ｋに示されるように、第１樹脂絶縁層２０Ｆの第１面２２Ｆ上にシード層３０Ｆａが形成される。シード層３０Ｆａはスパッタリングによって形成される。シード層３０Ｆａの形成はドライプロセスで行われる。シード層３０Ｆａは第１開口２６Ｆから露出するスルーホール導体８の上端８Ｆと第１開口２６Ｆの内壁面２７Ｆにも形成される。シード層３０Ｆａは主に銅で形成される。第１層３１Ｆａが第１面２２Ｆ上にスパッタリングで形成される。第１開口２６Ｆから露出する内壁面２７Ｆとスルーホール導体８の上端８Ｆ上に第１層３１Ｆａがスパッタリングで形成される。第２層３１Ｆｂが第１層３１Ｆａ上にスパッタリングで形成される。第１層３１Ｆａは銅とアルミニウムと特定金属（例えば、ケイ素）を含有する合金で形成される。第２層３１Ｆｂは銅で形成される。
【0058】
図５Ｌに示されるように、内壁面２７Ｆ上に形成される第１層３１Ｆａは、第１膜６０ａと第２膜７０ａを有する。第１膜６０ａと第２膜７０ａは同時に形成されている。第１膜６０ａと第２膜７０ａは電気的に繋がっている。第１膜６０ａの先端６２ａが第２膜７０ａの後端７２ａ上に形成されている。内壁面２７Ｆ上に形成されている第１層３１Ｆａの断面は略階段状の形状を有する。スパッタリングの条件の例が次に示される。ターゲットと第１樹脂絶縁層２０Ｆの第１面２２Ｆ間の距離が５０ｍｍ以上２５０ｍｍ以下である。電圧が１５ｅＶ以上５０ｅＶ以下である。ガス濃度が０．１Ｐａ以上１．０Ｐａ以下である。
【0059】
内壁面２７Ｆを覆う第１層３１Ｆａ上に形成される第２層３１Ｆｂは、第１膜６０ｂと第２膜７０ｂを有する。第１膜６０ｂと第２膜７０ｂは同時に形成されている。第１膜６０ｂと第２膜７０ｂは電気的に繋がっている。第１膜６０ｂの先端６２ｂが第２膜７０ｂの後端７２ｂ上に形成されている。内壁面２７Ｆ上に形成されている第２層３１Ｆｂの断面は略階段状の形状を有する。スパッタリングの各条件は上記とほぼ同様である。
【0060】
実施形態の内壁面２７Ｆは樹脂８０の面８０ａと第３無機粒子９３の露出面９３ｂで形成されている。両者はほぼ共通な面を形成する。樹脂の面８０ａと露出面９３ｂは異なる材料で形成される。そして、第１層３１Ｆａはスパッタリングで形成される。樹脂８０の面８０ａ上に形成される第１層３１Ｆａの成長と露出面９３ｂ上に形成される第１層３１Ｆａの成長が異なると考えられる。樹脂８０の面８０ａ上に形成されるシード層３０Ｆａの成長と露出面９３ｂ上に形成されるシード層３０Ｆａの成長が異なると考えられる。そのため、実施形態では、第１膜６０ａと第２膜７０ａが形成されると考えられる。第１膜６０ａの先端６２ａが第２膜７０ａの後端７２ａ上に形成されると考えられる。第１層３１Ｆａの断面は略階段状の形状を有すると考えられる。第２層３１Ｆｂは第１層３１Ｆａに追従すると考えられる。従って、第２層３１Ｆｂは第１膜６０ｂと第２膜７０ｂを有すると考えられる。第２層３１Ｆｂの第１膜６０ｂの先端６２ｂが第２層３１Ｆｂの第２膜７０ｂの後端７２ｂ上に形成されると考えられる。第２層３１Ｆｂの断面は略階段状の形状を有すると考えられる。同様に、シード層３０Ｆａは第１膜６０と第２膜７０を有すると考えられる。シード層３０Ｆａの第１膜６０の先端６２がシード層３０Ｆａの第２膜７０の後端７２上に形成されると考えられる。シード層３０Ｆａの断面は略階段状の形状を有すると考えられる。
【0061】
内壁面２７Ｆが図４に示される段差２８を有すると、スパッタリングを用いて第１膜６０ａと第２膜７０ａを有する第１層３１Ｆａが容易に形成される。実施形態は第１膜６０と第２膜７０を有するシード層３０Ｆａを容易に形成することができる。実施形態は第１膜６０ａの先端６２ａを第２膜７０ａの後端７２ａ上に形成することができる。実施形態は第１膜６０の先端６２を第２膜７０の後端７２上に形成することができる。実施形態は実質的に階段状の形状を有する第１層３１Ｆａを容易に形成することができる。実施形態は実質的に階段状の形状を有するシード層３０Ｆａを容易に形成することができる。
【0062】
内壁面２７Ｆ上の第１層３１Ｆａはほぼ平滑な内壁面２７Ｆ上に形成される。そのため、実施形態は第１層３１Ｆａの第１膜６０ａの表面と第１層３１Ｆａの第２膜７０ａの表面をほぼ平滑に形成することができる。同様に、第２層３１Ｆｂの第１膜６０ｂの表面と第２層３１Ｆｂの第２膜７０ｂの表面をほぼ平滑に形成することができる。シード層３０Ｆａの第１膜６０の表面とシード層３０Ｆａの第２膜７０の表面をほぼ平滑に形成することができる。表面が平滑なので、実施形態は伝送損失を小さくすることができる。
【0063】
シード層３０Ｆａの第１層３１Ｆａは銅とアルミニウムを含有する合金によって形成されている。アルミニウムは高い延性と高い展性を有する。そのため、第１樹脂絶縁層２０Ｆと第１層３１Ｆａ間の密着力が高い。ヒートサイクルにより第１樹脂絶縁層２０Ｆが伸縮したとしても、アルミニウムを含むシード層３０Ｆａがその伸縮に追従することができると考えられる。第１面２２Ｆが平滑であっても、シード層３０Ｆａは第１樹脂絶縁層２０Ｆから剥がれ難い。アルミニウムは酸化しやすいと考えられる。第３無機粒子９３が酸素（酸素元素）を含む無機粒子９０であると、第１開口２６Ｆの内壁面２７Ｆ上に形成される第１層３１Ｆａは内壁面２７Ｆを形成する無機粒子９０内の酸素を介して第３無機粒子９３に密着すると考えられる。第１層３１Ｆａと内壁面２７Ｆが強く接合される。実施形態は第１開口２６Ｆの内壁面２７Ｆと第１層３１Ｆａ間の密着力を高くすることができる。シード層３０Ｆａは内壁面２７Ｆから剥がれ難い。内壁面２７Ｆを形成する無機粒子９０は酸素元素を含むことが好ましい。第３無機粒子９３がガラス粒子であって、第１層３１Ｆａが、さらに、ケイ素を含むと、両者が共にケイ素を含む。この場合、第１層３１Ｆａが銅とアルミニウムとケイ素を含む合金で形成される。両者はケイ素を介して強く接着されると考えられる。そのため、第１層３１Ｆａと第３無機粒子９３間の接着力が、さらに、向上すると考えられる。
【0064】
第１面２２Ｆは平坦性に優れる。スパッタリングを用いて第１面２２Ｆ上にシード層３０Ｆａが形成されるとき、ターゲットと第１面２２Ｆ間の距離がほぼ一定である。実施形態はほぼ均一な厚みを有するシード層３０Ｆａを形成することができる。
【0065】
シード層３０Ｆａの第１層３１Ｆａは第１樹脂絶縁層２０Ｆの第１面２２Ｆを形成する第１無機粒子９１の第１部分９１ａの露出面９１ａＲに接する。第１層３１Ｆａがアルミニウムを有し、第１無機粒子９１が酸素を有すると、第１層３１Ｆａと第１無機粒子９１間の接着力が向上すると考えられる。酸素を含む無機粒子（第１無機粒子等）９０の例はガラス粒子とアルミナ製粒子である。そのため、第１層３１Ｆａが銅とアルミニウムを含む合金で形成されると、第１樹脂絶縁層２０Ｆの第１面２２Ｆが凹部をほぼ有していなくても、第１層３１Ｆａが第１樹脂絶縁層２０Ｆから剥がれ難い。第１層３１Ｆａ中のアルミニウムの量は１．０ａｔ％以上１５．０ａｔ％以下である。第１無機粒子９１を含む無機粒子（第１無機粒子９１、第２無機粒子９２、第３無機粒子９３）がガラス粒子であって、第１層３１Ｆａが、さらに、ケイ素を含むと、両者が共にケイ素を含む。この場合、第１層３１Ｆａが銅とアルミニウムとケイ素を含む合金で形成される。ケイ素の量は０．５ａｔ％以上１０．０ａｔ％以下である。両者はケイ素を介して強く接着されると考えられる。そのため、第１層３１Ｆａと第１無機粒子９１を含む無機粒子間の接着力が、さらに、向上すると考えられる。実施形態は微細な第１信号配線３２Ｆと第２信号配線３４Ｆを形成することができる。微細な第１信号配線３２Ｆと第２信号配線３４Ｆの幅は１μｍ以上３μｍ以下である。微細な第１信号配線３２Ｆと第２信号配線３４Ｆを有する配線基板２が熱衝撃を受けても、第１信号配線３２Ｆと第２信号配線３４Ｆが第１樹脂絶縁層２０Ｆから剥がれ難い。
【0066】
シード層３０Ｆａ上にめっきレジストが形成される。めっきレジストは、第１信号配線３２Ｆと第２信号配線３４Ｆとランド３６Ｆを形成するための開口を有する。第１面２２Ｆが凹部を有すると、その凹部に起因する空気がめっきレジストとシード層３０Ｆａ間に閉じ込められやすい。しかしながら、実施形態では、第１面２２Ｆは凹部をほとんど有していない。そのため、第１面２２Ｆ上のシード層３０Ｆａはほぼ平坦に形成される。シード層３０Ｆａがほぼ凹部を有さない。めっきレジストとシード層３０Ｆａの間に空気が残りがたい。めっきレジストとシード層３０Ｆａ間の接触面積が大きい。信号配線間の空間を形成するためのめっきレジストの幅が１０μｍ以下であっても、めっきレジストがシード層３０Ｆａの上面から剥がれがたい。めっきレジストの幅が３μｍ以上、８μｍ以下であっても、実施形態はめっきレジストをシード層３０Ｆａ上に形成することができる。めっきレジストの幅が６μｍ以下であっても、めっきレジストがシード層３０Ｆａから剥がれ難い。
【0067】
めっきレジストから露出するシード層３０Ｆａ上に電解めっき層３０Ｆｂが形成される。電解めっき層３０Ｆｂは第１開口２６Ｆを充填する。第１面２２Ｆ上のシード層３０Ｆａと電解めっき層３０Ｆｂによって、第１信号配線３２Ｆと第２信号配線３４Ｆとランド３６Ｆが形成される。第１導体層３０Ｆが形成される。第１開口２６Ｆ内のシード層３０Ｆａと電解めっき層３０Ｆｂによって、第１ビア導体４０Ｆが形成される。第１ビア導体４０Ｆは、スルーホール導体８とランド３６Ｆを接続する。第１信号配線３２Ｆと第２信号配線３４Ｆはペア配線を形成する。
【0068】
めっきレジストが除去される。電解めっき層３０Ｆｂから露出するシード層３０Ｆａが除去される。図５Ｍに示されるように、第１導体層３０Ｆと第１ビア導体４０Ｆが同時に形成される。
【0069】
第２樹脂絶縁層１２０Ｆが第１樹脂絶縁層２０Ｆの第１面２２Ｆと第１導体層３０Ｆ上に形成される。第２導体層１３０Ｆが第２樹脂絶縁層１２０Ｆの第１面１２２Ｆ上に形成される。第２ビア導体１４０Ｆが第２樹脂絶縁層１２０Ｆの第２開口１２６Ｆ内に形成される。第２樹脂絶縁層１２０Ｆは第１樹脂絶縁層２０Ｆと同様の手法で形成される。第２導体層１３０Ｆは第１導体層３０Ｆと同様の手法で形成される。第２ビア導体１４０Ｆは第１ビア導体４０Ｆと同様の手法で形成される。実施形態の配線基板２が得られる。
【0070】
実施形態の配線基板２のコア基板３はガラス製の基板４を含む。ガラス製の基板４は平坦性に優れる。第１樹脂絶縁層２０Ｆ、２０Ｂの第１面２２Ｆ、２２Ｂは平坦性と平滑性に優れる。実施形態は第１樹脂絶縁層２０Ｆ、２０Ｂの第１面２２Ｆ、２２Ｂ上に微細な信号配線３２Ｆ、３２Ｂ、３４Ｆ、３４Ｂを形成することができる。第２樹脂絶縁層１２０Ｆ、１２０Ｂの第１面１２２Ｆ、１２２Ｂも第１樹脂絶縁層２０Ｆ、２０Ｂの第１面２２Ｆ、２２Ｂと同様である。そのため、実施形態は第２樹脂絶縁層１２０Ｆ、１２０Ｂの第１面１２２Ｆ、１２２Ｂ上に微細な信号配線１３２Ｆ、１３２Ｂ、１３４Ｆ、１３４Ｂを形成することができる。実施形態によって形成される信号配線のＬ／Ｓは例えば５μｍ／５μｍ未満である。信号配線のＬ／Ｓは１．５μｍ／１．５μｍ以上３．５μｍ／３．５μｍ以下であることが好ましい。Ｌは信号配線の幅を意味し、Ｓは隣接する信号配線間のスペースの幅を意味する。
【0071】
実施形態ではビア導体用の開口の内壁面上に形成される第１層はスパッタリングによって形成されている。ガラス製の基板４上の樹脂絶縁層は反りがたい。ビア導体用の開口の内壁面を形成する樹脂８０と第３無機粒子９３間にスパッタリング製膜の成長を阻害する隙間が発生しがたい。開口の内壁面が大きなうねりや大きな凹凸を有しがたい。内壁面上のスパッタリング製膜の厚みが薄くても、実施形態は連続するスパッタリング製膜を形成することができる。
【0072】
ビア導体用の開口（第１開口、第２開口）の内壁面は樹脂８０と第３無機粒子９３の平坦部９３ａの露出面９３ｂで形成されている。第１層が形成されるとき、スパッタリング製膜を形成する粒子が第３無機粒子９３に付着すると考えられる。スパッタリング製膜を形成する粒子は第３無機粒子９３の中に埋まらないと考えられる。実施形態は内壁面上に薄くて連続するシード層を形成することができる。実施形態は第１面と内壁面上に薄くて連続するシード層を形成することができる。シード層が除去される時、エッチング量が少ない。そのため電解めっき層のエッチング量が少ない。信号配線が設計値通りの幅を有する。実施形態は微細な信号配線を形成することができる。高い品質を有する配線基板２が提供される。
【0073】
実施形態の配線基板２では、第１樹脂絶縁層２０Ｆの第１面２２Ｆは樹脂８０の上面８０Ｒと樹脂８０の上面８０Ｒから露出する第１部分９１ａの露出面９１ａＲで形成されている。第１面２２Ｆと上面８０Ｒが凹部をほとんど有していない。そのため、第１樹脂絶縁層２０Ｆ上にスパッタリングによってシード層３０Ｆａが形成される場合、スパッタリング製膜の厚みが薄くても実施形態は連続するシード層３０Ｆａを形成することができる。シード層３０Ｆａは薄く形成される。シード層３０Ｆａが除去される時、エッチング量が少ない。そのため、電解めっき層３０Ｆｂのエッチング量が少ない。信号配線が設計値通りの幅を有する。微細な配線が形成される。高い品質を有する配線基板２が提供される。
【0074】
実施形態は銅とアルミニウムを含む合金からなる第１層３１Ｆａの厚みを薄くすることができる。信号配線中のアルミニウムの含有率は小さく、銅の含有率は大きい。実施形態は低抵抗な信号配線を提供することができる。実施形態は樹脂絶縁層に対し高い密着力を有する信号配線を提供することができる。
【0075】
実施形態の配線基板２では第１樹脂絶縁層２０Ｆ、２０Ｂの第１面２２Ｆ、２２Ｂは凹部をほとんど有していない。第１樹脂絶縁層２０Ｆ、２０Ｂの第１面２２Ｆ、２２Ｂ近傍部分の比誘電率の標準偏差が大きくなることが抑制される。第１面２２Ｆ、２２Ｂの比誘電率は場所によって大きく変わらない。第１信号配線３２Ｆ、３２Ｂと第２信号配線３４Ｆ、３４Ｂが第１面２２Ｆ、２２Ｂに接していても、実施形態は第１信号配線３２Ｆ、３２Ｂと第２信号配線３４Ｆ、３４Ｂ間の電気信号の伝搬速度の差を小さくすることができる。そのため、実施形態の配線基板２ではノイズが抑制される。実施形態の配線基板２にロジックＩＣが実装されても、第１信号配線３２Ｆ、３２Ｂで伝達されるデータと第２信号配線３４Ｆ、３４Ｂで伝達されるデータがロジックＩＣにほぼ遅延なく到達する。実施形態はロジックＩＣの誤動作を抑制することができる。第１信号配線３２Ｆ、３２Ｂの長さと第２信号配線３４Ｆ、３４Ｂの長さが５ｍｍ以上であっても、実施形態は両者の伝搬速度の差を小さくすることができる。第１信号配線３２Ｆ、３２Ｂの長さと第２信号配線３４Ｆ、３４Ｂの長さが１０ｍｍ以上、２０ｍｍ以下であっても、実施形態はロジックＩＣの誤動作を抑制することができる。第２樹脂絶縁層１２０Ｆ、１２０Ｂの第１面１２２Ｆ、１２２Ｂも第１樹脂絶縁層２０Ｆ、２０Ｂの第１面２２Ｆ、２２Ｂと同様である。そのため第１信号配線１３２Ｆ、１３２Ｂと第２信号配線１３４Ｆ、１３４Ｂも第１信号配線３２Ｆ、３２Ｂと第２信号配線３４Ｆ、３４Ｂと同様の効果を有する。高い品質を有する配線基板２が提供される。
【0076】
実施形態では、ビア導体用の開口（第１開口、第２開口）の内壁面を覆うシード層の第１膜の一部が第２膜上に形成されている。第１膜と第２膜が部分的に重なっている。そのためシード層の強度が高い。ガラス製のコア基板３の熱膨張率と樹脂絶縁層の熱膨張率は大きく異なるため、配線基板２がヒートサイクルを受けると樹脂絶縁層とシード層間にストレスが働く。ヒートサイクルにより樹脂絶縁層が伸縮したとしても、第１膜と第２膜を部分的に重ねることによって応力が緩和されると考えられる。あるいは、シード層が伸縮に追従できると考えられる。そのためシード層が断線しがたい。シード層は、ほぼ平滑な第１膜とほぼ平滑な第２膜で形成される。そのため、高周波信号が伝送される時、伝送損失が小さい。高品質の配線基板２が提供される。
【0077】
第１層が特定金属としてケイ素を含み、無機粒子がガラス粒子であると、内壁面上の第１層と第３無機粒子９３はケイ素を含む。第１面上の第１層と第１無機粒子９１はケイ素を含む。両者はケイ素を介して強く接着されると考えられる。シード層が内壁面から剥がれ難い。シード層が第１面から剥がれ難い。そのため、第１層は銅とアルミニウムとケイ素を含む合金であることが好ましい。
【0078】
第１層がアルミニウムを含み、無機粒子（第１無機粒子９１、第２無機粒子９２、第３無機粒子９３）９０が酸素を含むと、第１層と無機粒子（ガラス粒子等の酸素を含む無機粒子）９０が強く接着されると考えられる。第１層がアルミニウムを含み、無機粒子９０が酸素を含む場合、第１層は特定金属を含まなくても良い。この場合、第１層は銅とアルミニウムと不純物で形成される。
【0079】
［実施形態の別例１］
実施形態の別例１では、第１層を形成する合金に含まれる特定金属は、ニッケル、亜鉛、ガリウム、ケイ素、マグネシウムのうちの少なくとも１つである。
実施形態の別例１では、第１層を形成する合金に含まれる特定金属は、ニッケル、亜鉛、ガリウム、ケイ素、マグネシウムのうちの少なくとも１つである。
【0080】
［実施形態の別例２］
実施形態の別例２では、第１層を形成する合金は炭素を含有していない。
実施形態の別例２では、第１層を形成する合金は炭素を含有していない。
【0081】
［実施形態の別例３］
実施形態の別例３では、第１層を形成する合金は酸素を含有していない。
実施形態の別例３では、第１層を形成する合金は酸素を含有していない。
【0082】
［実施形態の改変例］
改変例の配線基板は実施形態と同様にコア基板３と表側ビルドアップ層３００Ｆと裏側ビルドアップ層３００Ｂを有する。実施形態のコア基板３と改変例のコア基板３は異なる。実施形態の表側ビルドアップ層３００Ｆと改変例の表側ビルドアップ層３００Ｆは同様である。実施形態の裏側ビルドアップ層３００Ｂと改変例の裏側ビルドアップ層３００Ｂは同様である。改変例のコア基板３の断面が図６と図７に示される。図６と図７に示されるように、改変例のコア基板３はガラス製の基板４の表面５Ｆ上に導体層１０Ｆ、１１Ｆを有する。導体層１０Ｆ、１１Ｆはスルーホール導体８の上端８Ｆを覆うランド１４Ｆを含む。さらに、改変例のコア基板３は基板４の裏面５Ｂ上に導体層１０Ｂ、１１Ｂを有する。導体層１０Ｂ、１１Ｂはスルーホール導体８の下端８Ｂを覆うランド１４Ｂを含む。ランド１４Ｆとランド１４Ｂはスルーホール導体８によって電気的に接続されている。実施形態のコア基板３は表面５Ｆ上の導体層と裏面５Ｂ上の導体層を有していない。
改変例の配線基板は実施形態と同様にコア基板３と表側ビルドアップ層３００Ｆと裏側ビルドアップ層３００Ｂを有する。実施形態のコア基板３と改変例のコア基板３は異なる。実施形態の表側ビルドアップ層３００Ｆと改変例の表側ビルドアップ層３００Ｆは同様である。実施形態の裏側ビルドアップ層３００Ｂと改変例の裏側ビルドアップ層３００Ｂは同様である。改変例のコア基板３の断面が図６と図７に示される。図６と図７に示されるように、改変例のコア基板３はガラス製の基板４の表面５Ｆ上に導体層１０Ｆ、１１Ｆを有する。導体層１０Ｆ、１１Ｆはスルーホール導体８の上端８Ｆを覆うランド１４Ｆを含む。さらに、改変例のコア基板３は基板４の裏面５Ｂ上に導体層１０Ｂ、１１Ｂを有する。導体層１０Ｂ、１１Ｂはスルーホール導体８の下端８Ｂを覆うランド１４Ｂを含む。ランド１４Ｆとランド１４Ｂはスルーホール導体８によって電気的に接続されている。実施形態のコア基板３は表面５Ｆ上の導体層と裏面５Ｂ上の導体層を有していない。
【0083】
改変例では、表側ビルドアップ層３００Ｆを形成する表側の樹脂絶縁層（コア基板直上の樹脂絶縁層）は導体層１０Ｆ、１１Ｆと表面５Ｆ上に形成される。コア基板直上の樹脂絶縁層（第１樹脂絶縁層２０Ｆ）はランド１４Ｆに至るビア導体用の開口（第１開口２６Ｆ）を有する。ビア導体用の開口内に実施形態と同様なビア導体（第１ビア導体４０Ｆ）が形成されている。コア基板直上の樹脂絶縁層を貫通するビア導体はランド１４Ｆに至るので、そのビア導体を形成するシード層（第１層３１Ｆａ）はランド１４Ｆの上面と開口の内壁面に接している。コア基板直上の樹脂絶縁層を貫通するビア導体はランド１４Ｆを介しスルーホール導体８に電気的に繋がっている。
【0084】
改変例では、裏側ビルドアップ層３００Ｂを形成する裏側の樹脂絶縁層（コア基板直下の樹脂絶縁層）は導体層１０Ｂ、１１Ｂと裏面５Ｂ上に形成される。コア基板直下の樹脂絶縁層（第１樹脂絶縁層２０Ｂ）はランド１４Ｂに至るビア導体用の開口（第１開口）を有する。ビア導体用の開口内に実施形態と同様なビア導体（第１ビア導体４０Ｂ）が形成されている。コア基板直下の樹脂絶縁層を貫通するビア導体はランド１４Ｂに至るので、そのビア導体を形成するシード層はランド１４Ｂの上面と開口の内壁面に接している。コア基板直下の樹脂絶縁層を貫通するビア導体はランド１４Ｂを介しスルーホール導体８に電気的に繋がっている。
【0085】
［改変例の配線基板の製造方法］
図６に示されるコア基板３は第１例のコア基板３である。第１例のコア基板３の製造方法が次に示される。図５Ｄに示される途中基板が準備される。サブトラクティブ法によって、表面５Ｆ上に導体層１０Ｆが形成される。裏面５Ｂ上に導体層１０Ｂが形成される。改変例の第１例にかかるコア基板３が得られる。
図６に示されるコア基板３は第１例のコア基板３である。第１例のコア基板３の製造方法が次に示される。図５Ｄに示される途中基板が準備される。サブトラクティブ法によって、表面５Ｆ上に導体層１０Ｆが形成される。裏面５Ｂ上に導体層１０Ｂが形成される。改変例の第１例にかかるコア基板３が得られる。
【0086】
導体層１０Ｆはシード層１０ａとシード層１０ａ上の電解めっき層１０ｂで形成されている。導体層１０Ｂはシード層１０ａとシード層１０ａ上の電解めっき層１０ｂで形成されている。シード層１０ａは無電解めっきによって形成される。導体層１０Ｆを形成するシード層１０ａと導体層１０Ｂを形成するシード層１０ａとスルーホール導体８を形成するシード層１０ａは共通である。導体層１０Ｆを形成する電解めっき層１０ｂと導体層１０Ｂを形成する電解めっき層１０ｂとスルーホール導体８を形成する電解めっき層１０ｂは共通である。導体層１０Ｆ、１０Ｂとスルーホール導体８は同時に形成されている。スルーホール導体８とランド１４Ｆ、１４Ｂは同時に形成される。スルーホール導体８とランド１４Ｆ、１４Ｂは一体的に形成される。上端８Ｆとランド１４Ｆ間にシード層が存在しない。下端８Ｂとランド１４Ｂ間にシード層が存在しない。
【0087】
図７に示されるコア基板３は第２例のコア基板３である。第２例のコア基板３の製造方法が次に示される。図５Ｅに示される途中基板が準備される。表面５Ｆ上と裏面５Ｂ上にシード層１１Ｆａ、１１Ｂａが形成される。シード層１１Ｆａ、１１Ｂａは無電解めっきによって形成される。シード層１１Ｆａ、１１Ｂａはスパッタリングで形成されてもよい。シード層１１Ｆａは基板４の表面５Ｆとスルーホール導体８の上端８Ｆを覆う。シード層１１Ｂａは基板４の裏面５Ｂとスルーホール導体８の下端８Ｂを覆う。シード層１１Ｆａ、１１Ｂａ上に電解めっき層１１Ｆｂ、１１Ｂｂが形成される。その後、サブトラクティブ法によって導体層１１Ｆ、１１Ｂが形成される。改変例の第２例にかかるコア基板３が得られる。
【0088】
導体層１１Ｆはシード層１１Ｆａとシード層１１Ｆａ上の電解めっき層１１Ｆｂで形成されている。導体層１１Ｂはシード層１１Ｂａとシード層１１Ｂａ上の電解めっき層１１Ｂｂで形成されている。シード層１１Ｆａは基板４の表面５Ｆ上に形成されている。シード層１１Ｆａはスルーホール導体８の上端８Ｆを覆っている。シード層１１Ｂａは基板４の裏面５Ｂ上に形成されている。シード層１１Ｂａはスルーホール導体８の下端８Ｂを覆っている。シード層１１Ｆａ、１１Ｂａは無電解めっきによって形成される。シード層１１Ｆａ、１１Ｂａはスパッタリングによって形成されてもよい。導体層１１Ｆ、１１Ｂを形成するシード層１１Ｆａ、１１Ｂａとスルーホール導体８を形成するシード層１０ａは異なる。導体層１１Ｆ、１１Ｂを形成する電解めっき層１１Ｆｂ、１１Ｂｂとスルーホール導体８を形成する電解めっき層１０ｂは異なる。導体層１１Ｆ、１１Ｂとスルーホール導体８は別々に形成されている。第２例では、上端８Ｆを形成する電解めっき層１０ｂとランド１４Ｆを形成する電解めっき層１１Ｆｂ間にランド１４Ｆを形成するシード層１１Ｆａが存在する。下端８Ｂを形成する電解めっき層１０ｂとランド１４Ｂを形成する電解めっき層１１Ｂｂ間にランド１４Ｂを形成するシード層１１Ｂａが存在する。それに対し、第１例（図６）では、上端８Ｆを形成する電解めっき層１０ｂとランド１４Ｆを形成する電解めっき層１０ｂが連続している。下端８Ｂを形成する電解めっき層１０ｂとランド１４Ｂを形成する電解めっき層１０ｂが連続している。
【0089】
改変例のコア基板３上に実施形態と同様な方法で表側ビルドアップ層３００Ｆと裏側ビルドアップ層３００Ｂが形成される。
【0090】
本明細書内では、平面は内壁面の形状と平坦部９３ａの形状、第３無機粒子９３の形状に対し用いられている。これらに対し用いられている平面の意味は図１と図３Ａに示されている。すなわち、図１と図３Ａでは、内壁面はほぼまっすぐに描かれている。図１と図３Ａ中の内壁面の形状はほぼ直線である。本明細書内の平面は、断面中に示されている実質的な直線を含む。図１と図３Ａの第３無機粒子９３の断面に示されるように、断面では、平面で切断することは直線で切断することを含む。本明細書内の平面は完全な平面を意味せず実質的な平面を含む。実質的な平面は小さな凹凸を含んでもよい。
【符号の説明】
【0091】
２：配線基板
３：コア基板
４：基板
５Ｆ：表面
５Ｂ：裏面
６：貫通孔
８：スルーホール導体
１０Ｆ、１０Ｂ：導体層
１１Ｆ、１１Ｂ：導体層
１４Ｆ、１４Ｂ：ランド
２０Ｆ、２０Ｂ：第１樹脂絶縁層
２２Ｆ、２２Ｂ：第１面
２４Ｆ、２４Ｂ：第２面
２６Ｆ：第１開口
２７Ｆ：内壁面
３０Ｆ、３０Ｂ：第１導体層
３０Ｆａ：シード層
３０Ｆｂ：電解めっき層
３２Ｆ、３２Ｂ：第１信号配線
３４Ｆ、３４Ｂ：第２信号配線
３６Ｆ：ランド
４０Ｆ、４０Ｂ：第１ビア導体
６０、６０ａ、６０ｂ：第１膜
６２、６２ａ、６２ｂ：先端
７０、７０ａ、７０ｂ：第２膜
７２、７２ａ、７２ｂ：後端
８０：樹脂
９０：無機粒子
９１：第１無機粒子
９２：第２無機粒子
９３：第３無機粒子
９３ａ：平坦部
９３ｂ：露出面
１２０Ｆ、１２０Ｂ：第２樹脂絶縁層
１２２Ｆ、１２２Ｂ：第１面
１２４Ｆ、１２４Ｂ：第２面
１２６Ｆ：第２開口
１２７Ｆ：内壁面
１３０Ｆ、１３０Ｂ：第２導体層
１３０Ｆａ：シード層
１３０Ｆｂ：電解めっき層
１３２Ｆ、１３２Ｂ：第１信号配線
１３４Ｆ、１３４Ｂ：第２信号配線
１３６Ｆ：ランド
１４０Ｆ、１４０Ｂ：第２ビア導体
３００Ｆ：表側ビルドアップ層
３００Ｂ：裏側ビルドアップ層
３：コア基板
４：基板
５Ｆ：表面
５Ｂ：裏面
６：貫通孔
８：スルーホール導体
１０Ｆ、１０Ｂ：導体層
１１Ｆ、１１Ｂ：導体層
１４Ｆ、１４Ｂ：ランド
２０Ｆ、２０Ｂ：第１樹脂絶縁層
２２Ｆ、２２Ｂ：第１面
２４Ｆ、２４Ｂ：第２面
２６Ｆ：第１開口
２７Ｆ：内壁面
３０Ｆ、３０Ｂ：第１導体層
３０Ｆａ：シード層
３０Ｆｂ：電解めっき層
３２Ｆ、３２Ｂ：第１信号配線
３４Ｆ、３４Ｂ：第２信号配線
３６Ｆ：ランド
４０Ｆ、４０Ｂ：第１ビア導体
６０、６０ａ、６０ｂ：第１膜
６２、６２ａ、６２ｂ：先端
７０、７０ａ、７０ｂ：第２膜
７２、７２ａ、７２ｂ：後端
８０：樹脂
９０：無機粒子
９１：第１無機粒子
９２：第２無機粒子
９３：第３無機粒子
９３ａ：平坦部
９３ｂ：露出面
１２０Ｆ、１２０Ｂ：第２樹脂絶縁層
１２２Ｆ、１２２Ｂ：第１面
１２４Ｆ、１２４Ｂ：第２面
１２６Ｆ：第２開口
１２７Ｆ：内壁面
１３０Ｆ、１３０Ｂ：第２導体層
１３０Ｆａ：シード層
１３０Ｆｂ：電解めっき層
１３２Ｆ、１３２Ｂ：第１信号配線
１３４Ｆ、１３４Ｂ：第２信号配線
１３６Ｆ：ランド
１４０Ｆ、１４０Ｂ：第２ビア導体
３００Ｆ：表側ビルドアップ層
３００Ｂ：裏側ビルドアップ層
【図1】
【図2】
【図3A】
【図3B】
【図3C】
【図4】
【図5A】
【図5B】
【図5C】
【図5D】
【図5E】
【図5F】
【図5G】
【図5H】
【図5I】
【図5J】
【図5K】
【図5L】
【図5M】
【図6】
【図7】