特開 2025-23421 配線基板

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2025023421

(43)【公開日】2025-02-17

(54)【発明の名称】配線基板

(51)【国際特許分類】

   H05K 3/46 20060101AFI20250207BHJP

   H05K 3/16 20060101ALI20250207BHJP

   H05K 3/18 20060101ALI20250207BHJP

   H05K 1/09 20060101ALI20250207BHJP

【ＦＩ】

H05K3/46 N

H05K3/16

H05K3/18 G

H05K3/46 T

H05K1/09 C

【審査請求】未請求

【請求項の数】15

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023127525

(22)【出願日】2023-08-04

(71)【出願人】

【識別番号】000000158

【氏名又は名称】イビデン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110001542

【氏名又は名称】弁理士法人銀座マロニエ特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】桑原 雅

(72)【発明者】

【氏名】籠橋 進

(72)【発明者】

【氏名】酒井 純

(72)【発明者】

【氏名】吉川 恭平

【テーマコード（参考）】

4E351

5E316

5E343

【Ｆターム（参考）】

4E351AA01

4E351AA13

4E351BB33

4E351CC03

4E351CC06

4E351DD04

4E351DD10

4E351GG02

5E316AA04

5E316AA12

5E316AA32

5E316AA43

5E316CC08

5E316CC18

5E316CC32

5E316CC34

5E316DD17

5E316DD24

5E316DD47

5E316EE33

5E316FF03

5E316FF07

5E316FF14

5E316GG15

5E316GG17

5E316GG22

5E316GG23

5E316GG28

5E316HH40

5E343AA02

5E343AA07

5E343AA12

5E343AA26

5E343BB24

5E343BB28

5E343DD25

5E343DD43

5E343EE36

5E343ER12

5E343ER18

5E343FF16

5E343GG02

(57)【要約】

【課題】第３絶縁層と第３導体層との接続信頼性を高める。
【解決手段】コア基板ＣＳと、第１ビルドアップ部ＢＵ１と、第２ビルドアップ部ＢＵ２と、第３ビルドアップ部ＢＵ３と、第４ビルドアップ部ＢＵ４と、を有する配線基板であって、第３絶縁層は、上面と、上面から下層の第３導体層に至るビア開口と、ビア開口内に形成され、第３導体層と下層の第３導体層とを接続するビア導体と、を有し、第３導体層とビア導体とは、シード層とシード層上に形成される電解めっき層によって形成されており、シード層は、第１層と第１層上に形成される第２層とを有しており、第１層は、銅と特定卑金属を有する合金からなるスパッタ膜であり、特定卑金属は銅以外の卑金属であり、第２層は、銅からなるスパッタ膜である。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１面及び前記第１面と反対側の第２面を有するコア基板と、前記第１面上に形成され、交互に積層される複数の第１絶縁層及び複数の第１導体層を含む第１ビルドアップ部と、前記第２面上に形成され、交互に積層される複数の第２絶縁層及び複数の第２導体層を含む第２ビルドアップ部と、前記第１ビルドアップ部上に形成され、交互に積層される複数の第３絶縁層及び複数の第３導体層を含む第３ビルドアップ部と、前記第２ビルドアップ部上に形成され、交互に積層される少なくとも１層の第４絶縁層及び少なくとも１層の第４導体層を含む第４ビルドアップ部と、を有する配線基板であって、
前記配線基板の最も外側の面は、前記第３ビルドアップ部の最外面、及び、前記第４ビルドアップ部の最外面で構成されており、
前記第３導体層に含まれる配線における配線幅の最小値は、前記第１導体層、前記第２導体層、及び、前記第４導体層に含まれる配線における配線幅の最小値よりも小さく、
前記第３導体層に含まれる配線における配線間距離の最小値は、前記第１導体層、前記第２導体層、及び、前記第４導体層に含まれる配線における配線間距離の最小値よりも小さく、
前記第３絶縁層は、上面と、前記上面から下層の第３導体層に至るビア開口と、前記ビア開口内に形成され、前記第３導体層と前記下層の第３導体層とを接続するビア導体と、を有し、
前記第３導体層と前記ビア導体とは、シード層と前記シード層上に形成される電解めっき層によって形成されており、
前記シード層は、第１層と前記第１層上に形成される第２層とを有しており、
前記第１層は、銅と特定卑金属を有する合金からなるスパッタ膜であり、前記特定卑金属は銅以外の卑金属であり、
前記第２層は、銅からなるスパッタ膜である。

【請求項2】

請求項１に記載の配線基板において、前記コア基板がガラスコアである。

【請求項3】

請求項１に記載の配線基板において、前記第３導体層に含まれる配線の最小の配線幅が３μｍ以下、最小の配線間隔が３μｍ以下である。

【請求項4】

請求項１に記載の配線基板において、前記第３導体層に含まれる配線のアスペクト比は２以上４以下である。

【請求項5】

請求項１に記載の配線基板において、前記第３導体層に含まれる配線の上面は研磨面である。

【請求項6】

請求項１に記載の配線基板において、前記第１絶縁層、前記第２絶縁層、及び、前記第３絶縁層のそれぞれは無機粒子を含んでおり、前記第３絶縁層に含まれる無機粒子の最大粒径は、前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層に含まれる無機粒子の最大粒径よりも小さい。

【請求項7】

請求項１に記載の配線基板において、前記第３導体層に含まれる配線は、前記第３絶縁層に形成された溝を充填する導体によって構成されている。

【請求項8】

請求項１に記載の配線基板において、前記第３ビルドアップ部を構成する第３絶縁層の体積と前記第４ビルドアップ部を構成する第４絶縁層の体積とは、略等しい。

【請求項9】

請求項１に記載の配線基板において、前記第３ビルドアップ部における第３導体が占める体積と前記第４ビルドアップ部における第４導体が占める体積とは、略等しい。

【請求項10】

請求項１に記載の配線基板において、前記第１層中の銅の含有率は９０ａｔ％より大きい。

【請求項11】

請求項１に記載の配線基板において、前記特定卑金属はアルミニウムである。

【請求項12】

請求項１に記載の配線基板において、前記第２層の銅の含有率は９９ａｔ％以上である。

【請求項13】

請求項１に記載の配線基板において、前記第３絶縁層は樹脂と無機粒子を含み、前記無機粒子は前記樹脂に部分的に埋まっている第１無機粒子と前記樹脂に完全に埋まっている第２無機粒子とを含み、前記第１無機粒子は前記樹脂から突出する第１部分と前記樹脂に埋まっている第２部分で形成され、前記第３絶縁層の上面は前記樹脂の上面と前記上面から露出する前記第１部分の露出面で形成されている。

【請求項14】

請求項１３に記載の配線基板において、前記無機粒子は前記ビア開口の内壁面を形成する第３無機粒子をさらに含み、前記内壁面は前記第３無機粒子と前記樹脂によって形成されており、前記第３無機粒子は平坦部を有し、前記平坦部が前記内壁面を形成する。

【請求項15】

請求項１に記載の配線基板において、前記ビア開口の底部の径は２０μｍ以上５０μｍ以下である。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、複数のビルドアップ部を有する配線基板に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１は、図４に示すように、樹脂絶縁層５２と導体回路５３およびビア導体５４とを含むプリント配線板５１を開示している。導体回路５３およびビア導体５４は、樹脂絶縁層５２上にシード層５５を介して形成されている。シード層５５は、銅合金製スパッタ膜からなる第１層５５－１と第１層５５－１上の無電解めっき層からなる第２層５５－２とで形成されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０２０－１２４６０２号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

無電解銅めっき膜は、大気中で基板を溶液に浸漬することで形成される。そのため、第２層５５－２を形成する無電解銅めっき工程では、銅合金製スパッタ膜からなる第１層５５－１が酸化しやすい。第１層５５－１が酸化すると、第１層５５－１と無電解銅めっき膜からなる第２層５５－２との間の密着性が低下する。そのため、プリント配線板５１において、シード層５５を介して接続されている、樹脂絶縁層５２と導体回路５３およびビア導体５４との間の接続信頼性が低下する。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本発明に係る配線基板は、第１面及び前記第１面と反対側の第２面を有するコア基板と、前記第１面上に形成され、交互に積層される複数の第１絶縁層及び複数の第１導体層を含む第１ビルドアップ部と、前記第２面上に形成され、交互に積層される複数の第２絶縁層及び複数の第２導体層を含む第２ビルドアップ部と、前記第１ビルドアップ部上に形成され、交互に積層される複数の第３絶縁層及び複数の第３導体層を含む第３ビルドアップ部と、前記第２ビルドアップ部上に形成され、交互に積層される少なくとも１層の第４絶縁層及び少なくとも１層の第４導体層を含む第４ビルドアップ部と、を有する配線基板であって、前記配線基板の最も外側の面は、前記第３ビルドアップ部の最外面、及び、前記第４ビルドアップ部の最外面で構成されており、前記第３導体層に含まれる配線における配線幅の最小値は、前記第１導体層、前記第２導体層、及び、前記第４導体層に含まれる配線における配線幅の最小値よりも小さく、前記第３導体層に含まれる配線における配線間距離の最小値は、前記第１導体層、前記第２導体層、及び、前記第４導体層に含まれる配線における配線間距離の最小値よりも小さく、前記第３絶縁層は、上面と、前記上面から下層の第３導体層に至るビア開口と、前記ビア開口内に形成され、前記第３導体層と前記下層の第３導体層とを接続するビア導体と、を有し、前記第３導体層と前記ビア導体とは、シード層と前記シード層上に形成される電解めっき層によって形成されており、前記シード層は、第１層と前記第１層上に形成される第２層とを有しており、前記第１層は、銅と特定卑金属を有する合金からなるスパッタ膜であり、前記特定卑金属は銅以外の卑金属であり、前記第２層は、銅からなるスパッタ膜である。

【図面の簡単な説明】

【0006】

【図1】本発明に係る配線基板におけるビルドアップ部の一実施形態を模式的に示す断面図である。

【図2】本発明に係る配線基板における第３ビルドアップ部の各層の一実施形態における特徴部分を模式的に示す断面図である。

【図3A】第３ビルドアップ部の各層の製造方法の一実施形態を模式的に示す断面図である。

【図3B】第３ビルドアップ部の各層の製造方法の一実施形態を模式的に示す断面図である。

【図3C】第３ビルドアップ部の各層の製造方法の一実施形態を模式的に示す断面図である。

【図3D】第３ビルドアップ部の各層の製造方法の一実施形態を模式的に示す断面図である。

【図3E】第３ビルドアップ部の各層の製造方法の一実施形態を模式的に示す断面図である。

【図3F】第３ビルドアップ部の各層の製造方法の一実施形態を模式的に示す断面図である。

【図3G】第３ビルドアップ部の各層の製造方法の一実施形態を模式的に示す断面図である。

【図3H】第３ビルドアップ部の各層の製造方法の一実施形態を模式的に示す断面図である。

【図3I】第３ビルドアップ部の各層の製造方法の一実施形態を模式的に示す断面図である。

【図4】従来のプリント配線板の一例を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0007】

＜本発明の配線基板について＞
本発明の配線基板の一実施形態が、図面を参照して説明される。なお、図１～図４に示す例において、各部材の寸法、特に高さ方向の寸法については、本発明の特徴をより良く理解できるようにするために、実際の寸法とは異なる寸法で記載している。

【0008】

図１は、本発明に係る配線基板におけるビルドアップ部の一実施形態を説明するための断面図である。図１において、ＣＳは、例えば図中上側の第１面ＣＳ１および下側の第２面ＣＳ２を有するコア基板である。ＢＵ１は、コア基板ＣＳの第１面ＣＳ１上に形成され、交互に積層される複数の第１絶縁層１２及び複数の第１導体層１１を含む第１ビルドアップ部である。ＢＵ２は、コア基板ＣＳの第２面ＣＳ２上に形成され、交互に積層される複数の第２絶縁層２２及び複数の第２導体層２１を含む第２ビルドアップ部である。ＢＵ３は、第１ビルドアップ部ＢＵ１上に形成され、交互に積層される複数の第３絶縁層３２及び複数の第３導体層３１を含む第３ビルドアップ部である。ＢＵ４は、第２ビルドアップ部ＢＵ２上に形成され、交互に積層される少なくとも１層の第４絶縁層４２及び少なくとも１層の第４導体層４１を含む第４ビルドアップ部である。本実施形態では、上記構成の配線基板１の第３ビルドアップ部ＢＵ３上に、チップ１およびチップ２が搭載されている。

【0009】

図１に示す本発明に係る配線基板においては、コア基板ＣＳとしてガラスコアを用いることが好ましい。コア基板としてガラスコアを用いると、他の材料のコア基板を用いた配線基板と比べて、高密度配線が形成し易くなる。ガラスコアとしては、従来から知られているいずれの材料をも使用できる。例えば、耐熱性と耐衝撃性に優れ、熱膨張係数がシリコンに近い、ホウ珪酸ガラスを用いることができる。

【0010】

本実施形態に係る配線基板の特徴は、第３ビルドアップ部ＢＵ３の構造にある。すなわち、第３導体層に含まれる配線における配線幅の最小値は、第１導体層、第２導体層、及び、第４導体層に含まれる配線における配線幅の最小値よりも小さく、第３導体層に含まれる配線における配線間距離の最小値は、第１導体層、第２導体層、及び、第４導体層に含まれる配線における配線間距離の最小値よりも小さく、第３絶縁層は、上面と、上面から下層の第３導体層に至るビア開口と、ビア開口内に形成され、第３導体層と下層の第３導体層とを接続するビア導体と、を有し、第３導体層とビア導体とは、シード層とシード層上に形成される電解めっき層によって形成されており、シード層は、第１層と前記第１層上に形成される第２層とを有しており、第１層は、銅と特定卑金属を有する合金からなるスパッタ膜であり、特定卑金属は銅以外の卑金属であり、第２層は、銅からなるスパッタ膜である。

【0011】

本実施形態に係る配線基板では、第３ビルドアップ部ＢＵ３が、上記構成を備えることで、第３ビルドアップ部ＢＵ３において、シード層の第１層の酸化を防ぎ、第１層と第２層との密着性を確保することができる。そのため、シード層を介して接続されている、第３絶縁層と第３導体層およびビア導体との設足信頼性を高く維持することが可能となる。

【0012】

図２は、本実施形態に係る配線基板における第３ビルドアップ部ＢＵ３の各層の一実施形態における特徴部分を説明するための模式図である。図２において、説明の対象となる層Ｌ１の下層Ｌ２は、層Ｌ１と同じ構成となっている。説明の対象となる層Ｌ１は下層Ｌ２上に連続して形成されている。

【0013】

本実施形態に係る配線基板では、第３ビルドアップ部ＢＵ３における各層が、図２に示す構成を含んでいる。図２において、下層Ｌ２の第３導体層３１と、この第３導体層３１上に形成されている層Ｌ１の第３絶縁層３２と、第３絶縁層３２に形成されている、下層Ｌ２の第３導体層３１の一部を導体パッド３１ａとして露出するビア開口３７と、第３絶縁層３２の上面３２ａおよびビア開口３７の内壁面３７ａ上に形成されているシード層３８と、シード層３８を介してビア開口３７内に形成されているビア導体３９、シード層３８を介して第３絶縁層３２の上面３２ａ上に形成されている層Ｌ１の第３導体層３１を示している。図２に示す例において、第３絶縁層３２は樹脂から形成されている。

【0014】

本実施形態に係る配線基板では、シード層３８は、第１層３８－１と第１層３８－１上に形成される第２層３８－２とを有している。第１層３８－１は、銅と特定卑金属を有する合金からなるスパッタ膜であり、特定卑金属は銅以外の卑金属である。特定卑金属は例えばアルミニウムであることが好ましい。第２層３８－２は、銅からなるスパッタ膜である。第１層３８－１を形成している銅合金中の銅の含有率は９０ａｔ％より大きいことが好ましい。第２層３８－２中の銅の含有率は９９ａｔ％以上であることが好ましい。

【0015】

図２の実施形態では、樹脂からなる第３絶縁層３２を示している。第３絶縁層３２は、樹脂と無機粒子とかを含むこともできる。好ましい実施形態として、無機粒子は、樹脂に部分的に埋まっている第１無機粒子と樹脂に完全に埋まっている第２無機粒子とを含むことが好ましい。第１無機粒子と第２無機粒子との形状は球であることが好ましい。第１無機粒子は、樹脂から突出する第１部分と樹脂に埋まっている第２部分とで形成されていることが好ましい。第３絶縁層３２の上面３２ａは、樹脂の上面と樹脂の上面から露出する第１部分の露出面とで形成されており、第３絶縁層３２の上面３２ａには凹部がほとんど形成されないことが好ましい。また、無機粒子は、ビア開口３７の内壁面３７ａを形成する第３無機粒子をさらに含むことが好ましい。ビア開口３７の内壁面３７ａは、第３無機粒子と樹脂とによって形成されており、第３無機粒子の平坦部と樹脂とにより、平坦な面となっていることが好ましい。

【0016】

図２に示す中間体においては、シード層３８を形成する際、銅と特定卑金属を有する合金をスパッタすることにより第１層３８－１を形成し、その後第１層３８－１上に銅をスパッタすることにより第２層３８－２を形成している。すなわち、第１層３８－１上にスパッタリングにより銅のスパッタ膜からなる第２層３８－２を形成している。そのため、第２層３８－２を形成する際、第１層３８－１が酸化することがなく、第１層３８－１と第２層３８－２との密着性が良好なシード層３８を形成することができる。その結果、第３絶縁層３２と第３導体層３１およびビア導体３９との間の接続信頼性を高めることができる。

【0017】

＜本発明の配線基板の特徴となる第３ビルドアップ部ＢＵ３の製造方法について＞
第１ビルドアップ部ＢＵ１、第２ビルドアップ部ＢＵ２、および、第４ビルドアップ部ＢＵ４については、交互に積層される複数の第１絶縁層１２及び複数の第１導体層１１の形成、交互に積層される複数の第２絶縁層２２及び複数の第２導体層２１の形成、および、交互に積層される少なくとも１層の第４絶縁層４２及び少なくとも１層の第４導体層４１の形成を、従来から公知の方法で行うことができる。ここでは、それらの詳細については説明を省いている。

【0018】

図３Ａ～図３Ｉを参照にして、本発明の配線基板の特徴となる第３ビルドアップ部ＢＵ３の製造方法について説明する。

【0019】

まず、図３Ａに示すように、下層Ｌ２上に、対象となる層Ｌ１の樹脂からなる第３絶縁層３２および保護膜３６を形成する。樹脂としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂またはこれらの複合樹脂を用いることが好ましい。保護膜３６としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）製のフィルムなどを用いることが好ましい。

【0020】

次に、図３Ｂに示されるように、保護膜３６の上からレーザ光が照射される。レーザ光は保護膜３６と第３絶縁層３２とを同時に貫通する。これにより、下層Ｌ２の第３導体層３１上にビア導体形成用のビア開口３７が形成される。レーザ光は、例えばＵＶレーザ光、ＣＯ_２レーザ光である。ビア開口３７により下層の第３導体層３１が露出される。ビア開口３７が形成される時、第３絶縁層３２の上面３２ａは保護膜３６で覆われている。そのため、ビア開口３７が形成される時、樹脂が飛散しても、第３絶縁層３２の上面３２ａへの樹脂の付着が抑制される。

【0021】

次に、図３Ｃに示されるように、第３絶縁層３２の上面３２ａを保護膜３６で覆った状態で、ビア開口３７内に対しドライプロセス（プラズマ）でデスミア処理を行う。これにより、ビア開口３７の内壁面３７ａは粗化されるが、第３絶縁層３２の上面３２ａは粗化されない。デスミア処理は、例えばフルオロカーボン系ガスを含む反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）により行うことができる。

【0022】

次に、図３Ｄに示されるように、第３絶縁層３２の上面３２ａから保護膜３６が除去される。保護膜３６の除去後、第３絶縁層３２の上面３２ａを荒らすことは行われない。保護膜３６の除去後、第３絶縁層３２の上面３２ａが、Ａｒスパッタリングによるドライエッチングにより、クリーニングされる。

【0023】

次に、図３Ｅに示されるように、第３絶縁層３２の上面３２ａ上にシード層３８が形成される。シード層３８はスパッタによって形成される。シード層３８の形成はドライプロセスで行われる。シード層３８はビア開口３７から露出する下層の第３導体層３１の上面とビア開口３７の内壁面３７ａにも形成される。本実施形態では、シード層３８は、銅とケイ素とアルミニウムを含む合金をスパッタすることにより形成される第１層３８－１と、その上に銅をスパッタすることで形成される第２層３８－２と、で構成されている。

【0024】

次に、図３Ｆに示されるように、シード層上にめっきレジスト４０が形成される。めっきレジスト４０は、導体パッド３１ａと配線３１ｂとからなる第３導体層３１を形成するための開口を有する。

【0025】

次に、図３Ｇに示されるように、めっきレジスト４０から露出するシード層３８上に電解めっき層３１ｄが形成される。電解めっき層３１ｄはビア開口３７を充填する。電解めっき層３１ｄは、めっきレジスト４０の高さより高く形成される。すなわち、例えば、図３Ｇに示されるように、電解めっき層３１ｄが、めっきレジスト４０の上面よりも外側に、上面が凸球面状を有するように形成される。

【0026】

次に、図３Ｈに示されるように、電解めっき層３１ｄ、及び、めっきレジスト４０の上側の一部が、研磨によって除去される。研磨は、電解めっき層３１ｄの厚さが求められる所望の厚さとなるまで行われる。研磨は、例えば化学機械研磨（ＣＭＰ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）により実施される。

【0027】

その後、めっきレジスト４０およびその下層のシード層３８が除去される。これにより、図３Ｉに示されるように、第３絶縁層３２の上面３２ａ上のシード層３８と電解めっき層３１ｄによって、配線３１ｂが形成される。ビア開口３７内のシード層３８と電解めっき層３１ｄによって、ビア開口３７内にビア導体と、その上に導体パッド３１ａが形成される。以上のようにして、図３Ｉに示されるように、本発明の一実施形態に係る配線基板が得られる。

【0028】

本発明の一実施形態に係る配線基板では、第３ビルドアップ部ＢＵ３において、シード層３８を形成する際、銅と特定卑金属を有する合金をスパッタすることにより第１層３８－１を形成し、その後第１層３８－１上に銅をスパッタすることにより第２層３８－２を形成している。すなわち、第１層３８－１上にスパッタリングにより銅のスパッタ膜からなる第２層３８－２を形成している。そのため、第２層３８－２を形成する際、第１層３８－１が酸化することがなく、第１層３８－１と第２層３８－２との密着性が良好なシード層３８を形成することができる。その結果、第３絶縁層３２と第３導体層３１およびビア導体３９との間の接続信頼性を高めることができる。

【0029】

以下、本発明に係る配線基板において、好適な実施形態について説明する。

【0030】

本発明の一実施形態に係る配線基板では、第３ビルドアップ部ＢＵ３における好適例として、第３導体層３１の配線３１ｂの最小の配線幅が３μｍ以下、最小の配線間隔が３μｍ以下であることが好ましい。さらに、第３導体層３１に含まれる配線３１ｂは、アスペクト比が２以上４以下となるように形成されていることが好ましい。このように、第３ビルドアップ部ＢＵ３が、配線幅及び配線間距離が比較的小さく、且つ、比較的高いアスペクト比を有する配線３１ｂを有していることにより、表層部に比較的高密度の配線３１ｂを有する配線基板が実現され得る。配線基板の表層部において搬送される電気信号に対応した、より適切な配線が提供される。

【0031】

本発明の一実施形態に係る配線基板では、第３ビルドアップ部ＢＵ３における好適例として、第３導体層に含まれる配線の上面は研磨面であることが好ましい。第３導体層３１に含まれる配線の上面を研磨面とすることで、第３導体層３１の上面は粗さが比較的小さく平坦であり、よって、第３導体層３１は比較的均一な厚さとされている。

【0032】

本発明の一実施形態に係る配線基板では、第３ビルドアップ部ＢＵ３における好適例として、第３絶縁層３２が樹脂と無機粒子とで構成されている場合、第３絶縁層３２に含まれる無機粒子の最大粒径が、第１絶縁層１２及び第２絶縁層２２に含まれる無機粒子の最大粒径よりも小さいことが好ましい。比較的高密度に形成される配線３１ｂに接する第３絶縁層３２に無機粒子が含まれる場合に、隣り合う配線３１ｂ、３１ｂ間に粒径の比較的大きい無機粒子が位置すると、無機粒子の表面を介するマイグレーションにより配線３１ｂ、３１ｂ間の短絡が発生する場合がある。従って、第３絶縁層３２に含まれ得る無機粒子の最大の粒径が比較的小さいことで、配線３１ｂ、３１ｂにおける短絡の虞が低減することができる。

【0033】

本発明の一実施形態に係る配線基板では、第３ビルドアップ部ＢＵ３における好適例として、第３導体層３１が第３絶縁層３２に形成された溝を充填する導体で形成されていることが好ましい。本実施形態のシード層３８を介してトレンチ構造を形成することで、トレンチ部に形成した配線によって搬送される信号の挿入損失がより低減される。

【0034】

本発明の一実施形態に係る配線基板では、第３ビルドアップ部ＢＵ３における好適例として、第３ビルドアップ部ＢＵ３を構成する第３絶縁層３２の体積と第４ビルドアップ部ＢＵ４を構成する第４絶縁層４２の体積とは、略等しいことが好ましい。また、第３ビルドアップ部ＢＵ３における導体が占める体積と第４ビルドアップ部ＢＵ４における導体が占める体積とは、略等しいことが好ましい。これらの条件を満たすことで、配線基板１の反りを低減させることができる。

【0035】

本発明の一実施形態に係る配線基板では、第３ビルドアップ部ＢＵ３における好適例として、ビア開口３７の底部の径は２０μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。本発明のシード層３８を用いる効果は、ビア開口３７の側部の径が２０μｍ以上５０μｍ以下の小さい径のビア開口３７に対しより効果的である。

【符号の説明】

【0036】

１ 配線基板
１１ 第１導体層
１２ 第１絶縁層
２１ 第２導体層
２２ 第２絶縁層
３１ 第３導体層
３１ａ 導体パッド
３１ｂ 配線
３１ｄ 電解めっき層
３２ 第３絶縁層
３２ａ 上面
３６ 保護膜
３７ ビア開口
３７ａ 内壁面
３８ シード層
３８－１ 第１層
３８－２ 第２層
３９ ビア導体
４０ めっきレジスト
４１ 第４導体層
４２ 第４絶縁層
ＢＵ１ 第１ビルドアップ部
ＢＵ２ 第２ビルドアップ部
ＢＵ３ 第３ビルドアップ部
ＢＵ４ 第４ビルドアップ部
ＣＳ コア基板
ＣＳ１ 第１面
ＣＳ２ 第２面
Ｌ１ 対象となる層
Ｌ２ 下層

【図1】

【図2】

【図3A】

【図3B】

【図3C】

【図3D】

【図3E】

【図3F】

【図3G】

【図3H】

【図3I】

【図4】