2025-23535 表示装置及び表示装置の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2025023535

(43)【公開日】2025-02-17

(54)【発明の名称】表示装置及び表示装置の製造方法

(51)【国際特許分類】

   G02F 1/1339 20060101AFI20250207BHJP

   G02F 1/1334 20060101ALI20250207BHJP

   G02F 1/13 20060101ALI20250207BHJP

【ＦＩ】

G02F1/1339 500

G02F1/1334

G02F1/13 505

【審査請求】未請求

【請求項の数】12

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023127742

(22)【出願日】2023-08-04

(71)【出願人】

【識別番号】502356528

【氏名又は名称】株式会社ジャパンディスプレイ

(74)【代理人】

【識別番号】110001737

【氏名又は名称】弁理士法人スズエ国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】岩壁 靖

(72)【発明者】

【氏名】井桁 幸一

【テーマコード（参考）】

2H088

2H189

【Ｆターム（参考）】

2H088FA03

2H088FA04

2H088FA09

2H088GA02

2H088GA10

2H088HA02

2H088HA03

2H088HA08

2H088KA20

2H088MA04

2H189AA04

2H189CA08

2H189EA03Y

2H189EA04Y

2H189EA05Y

2H189FA22

2H189FA44

2H189FA53

2H189GA47

2H189GA49

2H189LA03

2H189LA05

2H189LA10

(57)【要約】

【課題】表示ムラが生じず、表示品質が向上した表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置は、複数のスイッチング素子を有する、第１基板と、前記第１基板に対向して配置される、第２基板と、前記第１基板及び前記第２基板との間に配置される、シール材と、前記第１基板及び前記第２基板との間、並びに、前記シール材で囲まれる領域に配置される、ポリマー及び液晶分子を有する高分子分散液晶層と、を備え、前記高分子分散液晶層のネマティック－アイソトロピック転移温度は、前記シール材の硬化温度より高い。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

複数のスイッチング素子を有する、第１基板と、
前記第１基板に対向して配置される、第２基板と、
前記第１基板及び前記第２基板との間に配置される、シール材と、
前記第１基板及び前記第２基板との間、並びに、前記シール材で囲まれる領域に配置される、ポリマー及び液晶分子を有する高分子分散液晶層と、
を備え、
前記高分子分散液晶層のネマティック－アイソトロピック転移温度は、前記シール材の硬化温度より高い、表示装置。

【請求項2】

前記高分子分散液晶層の前記ネマティック－アイソトロピック転移温度は、１２０℃以上１５０℃以下である、請求項１に記載の表示装置。

【請求項3】

前記複数のスイッチング素子を含む、複数の画素と、
前記複数の画素を備える、表示領域と、
をさらに備え、
前記シール材は、前記表示領域を囲んで配置される、請求項１に記載の表示装置。

【請求項4】

前記高分子分散液晶層の前記液晶分子は、六員環を３つ有する三環式化合物又は六員環を４つ有する四環式化合物を含む、請求項１に記載の表示装置。

【請求項5】

第１基材上に、複数のスイッチング素子を形成して、第１基板を形成し、
前記複数のスイッチング素子を含む表示領域を囲って、シール材を形成し、
前記シール材に囲まれた領域に、液晶分子を含む液晶材料と、液晶モノマーと、を含む高分子分散液晶材料を滴下し、
前記第１基板に対向して、第２基板を配置し、
紫外光を照射することにより、前記シール材を硬化し、
紫外線を照射することにより、前記液晶モノマーを高分子化して、ポリマーを形成し、
前記紫外線の照射により硬化した前記シール材を加熱することにより、前記シール材を硬化し、
前記高分子分散液晶材料のネマティック－アイソトロピック転移温度は、前記シール材の加熱による硬化温度より高い、表示装置の製造方法。

【請求項6】

前記高分子分散液晶材料の前記ネマティック－アイソトロピック転移温度は、１２０℃以上１５０℃以下である、請求項５に記載の表示装置の製造方法。

【請求項7】

前記表示装置は、
前記複数のスイッチング素子を含む、複数の画素と、
前記複数の画素を備える、表示領域と、
をさらに備え、
前記シール材は、前記表示領域を囲んで配置される、請求項５に記載の表示装置の製造方法。

【請求項8】

前記高分子分散液晶材料の前記液晶分子は、六員環を３つ有する三環式化合物又は六員環を４つ有する四環式化合物を含む、請求項５に記載の表示装置の製造方法。

【請求項9】

第１基材上に、複数のスイッチング素子を形成して、第１基板を形成し、
前記複数のスイッチング素子を含む表示領域を囲って、シール材を形成し、
前記シール材に囲まれた領域に、液晶分子を含む液晶材料と、液晶モノマーと、を含む高分子分散液晶材料を滴下し、
前記第１基板に対向して、第２基板を配置し、
前記シール材を加熱することにより、前記シール材を硬化し、
紫外線を照射することにより、前記液晶モノマーを高分子化して、ポリマーを形成し、
紫外光を照射することにより、前記加熱により硬化した前記シール材を硬化し、
前記高分子分散液晶材料のネマティック－アイソトロピック転移温度は、前記シール材の加熱による硬化温度より高い、表示装置の製造方法。

【請求項10】

前記高分子分散液晶材料の前記ネマティック－アイソトロピック転移温度は、１２０℃以上１５０℃以下である、請求項９に記載の表示装置の製造方法。

【請求項11】

前記表示装置は、
前記複数のスイッチング素子を含む、複数の画素と、
前記複数の画素を備える、表示領域と、
をさらに備え、
前記シール材は、前記表示領域を囲んで配置される、請求項９に記載の表示装置の製造方法。

【請求項12】

前記高分子分散液晶材料の前記液晶分子は、六員環を３つ有する三環式化合物又は六員環を４つ有する四環式化合物を含む、請求項９に記載の表示装置の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明の実施形態は、表示装置及び表示装置の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

近年、入射光を散乱する散乱状態と入射光を透過する透過状態とを切り替え可能な高分子分散液晶を用いた表示装置が提案されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１９－２１９６０９号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本実施形態の目的は、表示ムラが生じず、表示品質が向上した表示装置を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0005】

一実施形態に係る表示装置は、
複数のスイッチング素子を有する、第１基板と、
前記第１基板に対向して配置される、第２基板と、
前記第１基板及び前記第２基板との間に配置される、シール材と、
前記第１基板及び前記第２基板との間、並びに、前記シール材で囲まれる領域に配置される、ポリマー及び液晶分子を有する高分子分散液晶層と、
を備え、
前記高分子分散液晶層のネマティック－アイソトロピック転移温度は、前記シール材の硬化温度より高い。

【0006】

また、一実施形態に係る表示装置の製造方法では、
第１基材上に、複数のスイッチング素子を形成して、第１基板を形成し、
前記複数のスイッチング素子を含む表示領域を囲って、シール材を形成し、
前記シール材に囲まれた領域に、液晶分子を含む液晶材料と、液晶モノマーと、を含む高分子分散液晶材料を滴下し、
前記第１基板に対向して、第２基板を配置し、
紫外光を照射することにより、前記シール材を硬化し、
紫外線を照射することにより、前記液晶モノマーを高分子化して、ポリマーを形成し、
前記紫外線の照射により硬化した前記シール材を加熱することにより、前記シール材を硬化し、
前記高分子分散液晶材料のネマティック－アイソトロピック転移温度は、前記シール材の加熱による硬化温度より高い。

【0007】

一実施形態に係る表示装置の製造方法では、
第１基材上に、複数のスイッチング素子を形成して、第１基板を形成し、
前記複数のスイッチング素子を含む表示領域を囲って、シール材を形成し、
前記シール材に囲まれた領域に、液晶分子を含む液晶材料と、液晶モノマーと、を含む高分子分散液晶材料を滴下し、
前記第１基板に対向して、第２基板を配置し、
前記シール材を加熱することにより、前記シール材を硬化し、
紫外線を照射することにより、前記液晶モノマーを高分子化して、ポリマーを形成し、
紫外光を照射することにより、前記加熱により硬化した前記シール材を硬化し、
前記高分子分散液晶材料のネマティック－アイソトロピック転移温度は、前記シール材の加熱による硬化温度より高い。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】図１は、本実施形態における表示装置の概略的な構成を示す平面図である。

【図2】図２は、図１の表示装置の表示領域の概略的な構成を示す平面図である。

【図3】図３は、図１に示した表示パネルに適用し得る構成の一例を示す断面図である。

【図4】図４は、表示パネルの概略的な構成の一例を示す断面図である。

【図5】図５は、比較例１の表示パネルの平面図である。

【図6】図６は、比較例１の表示パネルの製造工程を示すフローチャートである。

【図7】図７は、比較例２の表示パネルの平面図である。

【図8】図８は、比較例２の表示パネルの製造工程を示すフローチャートである。

【図9】図９は、比較例３の表示パネルの平面図である。

【図10】図１０は、比較例３の表示パネルの製造工程を示すフローチャートである。

【図11】図１１は、実施形態の表示パネルの製造工程を示すフローチャートである。

【図12】図１２は、実施形態における表示装置の他の構成例のフローチャートである。

【発明を実施するための形態】

【0009】

以下に、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。

【0010】

本明細書で述べる実施形態は、一般的なものでなく、本発明の同一又は対応する特別な技術的特徴について説明する実施形態である。以下、図面を参照しながら一実施形態に係る表示装置について詳細に説明する。

【0011】

本実施形態においては、第１方向Ｘ、第２方向Ｙ、及び、第３方向Ｚは、互いに直交しているが、９０度以外の角度で交差していてもよい。第３方向Ｚの矢印の先端に向かう方向を上又は上方と定義し、第３方向Ｚの矢印の先端に向かう方向とは反対側の方向を下又は下方と定義する。なお第１方向Ｘ、第２方向Ｙ、及び、第３方向Ｚを、それぞれ、Ｘ方向、Ｙ方向、及び、Ｚ方向と呼ぶこともある。

【0012】

また、「第１部材の上方の第２部材」及び「第１部材の下方の第２部材」とした場合、第２部材は、第１部材に接していてもよく、又は第１部材から離れて位置していてもよい。後者の場合、第１部材と第２部材との間に、第３の部材が介在していてもよい。一方、「第１部材の上の第２部材」及び「第１部材の下の第２部材」とした場合、第２部材は第１部材に接している。

【0013】

また、第３方向Ｚの矢印の先端側に表示装置を観察する観察位置があるものとし、この観察位置から、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙで規定されるＸ－Ｙ平面に向かって見ることを平面視という。第１方向Ｘ及び第３方向Ｚによって規定されるＸ－Ｚ平面、あるいは第２方向Ｙ及び第３方向Ｚによって規定されるＹ－Ｚ平面における表示装置の断面を見ることを断面視という。

【0014】

［実施形態］
図１は、本実施形態における表示装置の概略的な構成を示す平面図である。図２は、図１の表示装置の表示領域の概略的な構成を示す平面図である。本実施形態において、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙは、表示装置ＤＳＰを構成する基板の主面と平行な方向に相当する。

【0015】

本実施形態においては、表示装置ＤＳＰとして、高分子分散液晶（Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｄｉｓｐｅｒｓｅｄ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ：ＰＤＬＣ）を適用した液晶表示装置を開示する。表示装置ＤＳＰは、表示パネルＰＮＬと、配線基板ＦＰＣと、ＩＣチップＩＣＰ（駆動回路）と、複数の光源ＬＳとを備えている。

【0016】

表示パネルＰＮＬは、基板ＳＵＢ１（アレイ基板）と、基板ＳＵＢ２（対向基板）と、液晶層ＬＣと、シール材ＳＡＬと、を備えている。基板ＳＵＢ１及び基板ＳＵＢ２は、Ｘ－Ｙ平面と平行な平板状に形成され、第３方向Ｚにおいて対向している。液晶層ＬＣは、基板ＳＵＢ１と基板ＳＵＢ２との間に配置されている。

【0017】

表示パネルＰＮＬは、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡを囲む額縁状の周辺領域ＰＡとを有している。シール材ＳＡＬは、表示領域ＤＡを囲んで配置されている。表示領域ＤＡは、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙにマトリクス状に配列された複数の画素ＰＸを備えている。

【0018】

後に詳述するが、シール材ＳＡＬは、光硬化樹脂及び熱硬化樹脂の混合物を硬化したものが用いられる。光硬化樹脂として、例えば、アクリル樹脂が用いられる。熱硬化樹脂として、例えば、エポキシ樹脂が挙げられる。アクリル樹脂は紫外光（ＵＶ）で硬化し、エポキシ樹脂は熱で硬化する。

【0019】

表示領域ＤＡには、第１方向Ｘに沿って延伸し、第２方向Ｙに沿って並んで配置される、複数の走査線ＧＬが設けられている。第１方向Ｘに沿って並んで配置され、第２方向Ｙに沿って延伸する、複数の信号線ＳＬが設けられている。複数の走査線ＧＬ及び複数の信号線ＳＬの交点には、それぞれ、画素ＰＸが設けられている。１つの画素ＰＸは、２本の走査線ＧＬ及び２本の信号線ＳＬに囲まれている領域に配置されている。

【0020】

複数の画素ＰＸは、それぞれ、スイッチング素子ＳＷと、画素電極ＰＥと、共通電極ＣＥとを備えている。スイッチング素子ＳＷは、例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）によって構成され、１本の走査線ＧＬ及び１本の信号線ＳＬと電気的に接続されている。１本の走査線ＧＬは、第１方向Ｘに並んだ複数の画素ＰＸのそれぞれにおけるスイッチング素子ＳＷと電気的に接続されている。１本の信号線ＳＬは、第２方向Ｙに並んだ複数の画素ＰＸのそれぞれにおけるスイッチング素子ＳＷと電気的に接続されている。

【0021】

画素電極ＰＥは、スイッチング素子ＳＷと電気的に接続されている。共通電極ＣＥは、複数の画素電極ＰＥに対して共通に設けられている。液晶層ＬＣは、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に生じる電界によって駆動される。容量ＣＳは、例えば共通電極ＣＥと同電位の電極および画素電極ＰＥと同電位の電極の間に形成される。

【0022】

走査線ＧＬ、信号線ＳＬ、スイッチング素子ＳＷ、及び画素電極ＰＥは、基板ＳＵＢ１に設けられ、共通電極ＣＥは基板ＳＵＢ２に設けられている。走査線ＧＬは、周辺領域ＰＡに延出し、配線基板ＦＰＣあるいはＩＣチップＩＣＰと電気的に接続されている。信号線ＳＬは、周辺領域ＰＡに延出し、配線基板ＦＰＣあるいはＩＣチップＩＣＰと電気的に接続されている。

【0023】

配線基板ＦＰＣは、基板ＳＵＢ１の延出部Ｅｘに配置された端子と電気的に接続されている。延出部Ｅｘは、基板ＳＵＢ１のうち基板ＳＵＢ２と対向しない部分に相当する。例えば、配線基板ＦＰＣは、フレキシブルプリント配線基板である。ＩＣチップＩＣＰは、配線基板ＦＰＣに実装されている。ＩＣチップＩＣＰは、例えば、画像表示に必要な信号を出力するディスプレイドライバなどを内蔵している。なお、ＩＣチップＩＣＰは、延出部Ｅｘに実装されてもよい。

【0024】

複数の光源ＬＳは、延出部Ｅｘに重畳している。これら光源ＬＳは、第１方向Ｘに沿って間隔をおいて並んでいる。複数の光源ＬＳのそれぞれは、例えば赤色（Ｒ）の光を放つ発光素子、緑色（Ｇ）の光を放つ発光素子、および青色（Ｂ）の光を放つ発光素子を含む。これら発光素子としては、例えば発光ダイオード（ＬＥＤ）を用いることができるが、この例に限定されない。

【0025】

図３は、図１に示した表示パネルに適用し得る構成の一例を示す断面図である。基板ＳＵＢ１は、基材ＢＡ１と、絶縁層ＩＮＳ１と、絶縁層ＩＮＳ２と、容量電極ＹＥと、配向膜ＡＬ１と、スイッチング素子ＳＷと、画素電極ＰＥと、を備えている。基材ＢＡ１は、面ＢＡ１ａと、第３方向Ｚに沿って面ＢＡ１ａの反対側に位置する面ＢＡ１ｂと、を有している。面ＢＡ１ａ及び面ＢＡ１ｂを、それぞれ、基材ＢＡ１の下面及び上面ともいう。

【0026】

スイッチング素子ＳＷは、面ＢＡ１ｂ側に配置されている。絶縁層ＩＮＳ１は、スイッチング素子ＳＷを覆っている。図３においてはスイッチング素子ＳＷを簡略化しているが、実際にはスイッチング素子ＳＷは半導体層や各種の電極を含む。また、図１に示した走査線ＧＬおよび信号線ＳＬは、基材ＢＡ１と絶縁層ＩＮＳ１との間に配置されているが、図３においては図示を省略している。

【0027】

容量電極ＹＥは、絶縁層ＩＮＳ１及び絶縁層ＩＮＳ２の間に配置されている。画素電極ＰＥは、絶縁層ＩＮＳ２と配向膜ＡＬ１との間において、画素ＰＸごとに配置されている。画素電極ＰＥは、容量電極ＹＥの開口部ＯＰを介してスイッチング素子ＳＷと電気的に接続されている。画素電極ＰＥは、容量電極ＹＥと対向し、上述の容量ＣＳを形成している。配向膜ＡＬ１は、画素電極ＰＥを覆っている。

【0028】

基板ＳＵＢ２は、基材ＢＡ２と、遮光層ＬＢと、オーバーコート層（絶縁層）ＯＣと、配向膜ＡＬ２と、共通電極ＣＥとを備えている。基材ＢＡ２は、基板ＳＵＢ１に対向する面ＢＡ２ａと、第３方向Ｚに沿って面ＢＡ２ａの反対側に位置する面ＢＡ２ｂと、を有している。面ＢＡ２ａ及び面ＢＡ２ｂを、それぞれ、基材ＢＡ２の下面及び上面ともいう。

【0029】

本開示では、基材ＢＡ１及び基材ＢＡ２を、それぞれ、第１基材及び第２基材ともいう。配向膜ＡＬ１及び配向膜ＡＬ２を、それぞれ、第１配向膜及び第２配向膜ともいう。

【0030】

遮光層ＬＢおよび共通電極ＣＥは、面ＢＡ２ａ側に配置されている。例えば、遮光層ＬＢは、スイッチング素子ＳＷ、走査線ＧＬ、及び信号線ＳＬと対向している。共通電極ＣＥは、複数の画素ＰＸに亘って配置され、第３方向Ｚにおいて複数の画素電極ＰＥと対向している。また、共通電極ＣＥは、遮光層ＬＢを覆っている。共通電極ＣＥは、容量電極ＹＥと同電位である。オーバーコート層ＯＣは、共通電極ＣＥを覆っている。配向膜ＡＬ２は、オーバーコート層ＯＣを覆っている。液晶層ＬＣは、配向膜ＡＬ１および配向膜ＡＬ２の間に配置され、これら配向膜ＡＬ１及び配向膜ＡＬ２に接している。なおオーバーコート層ＯＣを設けず、配向膜ＡＬ２が共通電極ＣＥを覆っていてもよい。

【0031】

基板ＳＵＢ１上（基材ＢＡ１上）の延出部Ｅｘには、上述したように、光源ＬＳ及び配線基板ＦＰＣが設けられている。なお光源ＬＳは、延出部Ｅｘに設けられていなくてもよい。光源ＬＳは、表示パネルＰＮＬの外側であって、第２方向Ｙと逆方向に沿って延出部Ｅｘの反対側に配置されていてもよい。

【0032】

基材ＢＡ１および基材ＢＡ２は、例えばガラス基板やプラスチック基板などの透明絶縁基材である。絶縁層ＩＮＳ１は、例えばシリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸窒化物またはアクリル樹脂などの透明な絶縁材料によって形成されている。一例では、絶縁層ＩＮＳ１は、無機絶縁膜および有機絶縁膜を含んでいる。絶縁層ＩＮＳ２は、例えばシリコン窒化物などの無機絶縁膜である。容量電極ＹＥ、画素電極ＰＥおよび共通電極ＣＥは、例えばインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの透明導電材料によって形成された透明電極である。

【0033】

なお、表示パネルＰＮＬの構成は、図１及び図２の例に限定されない。例えば、基板ＳＵＢ１は、容量電極ＹＥを備えなくてもよい。また、基板ＳＵＢ２は、遮光層ＬＢを備えなくてもよい。

【0034】

また、表示装置ＤＳＰは偏光板を備えていない。すなわち表示パネルＰＮＬの基板ＳＵＢ１の面ＢＡ１ａには偏光板が設けられておらず、基板ＳＵＢ２の面ＢＡ２ｂにも偏光板が設けられていない。

【0035】

図４は、表示パネルの概略的な構成の一例を示す断面図である。表示パネルＰＮＬは、基板ＳＵＢ１と基板ＳＵＢ２との間に、液晶層ＬＣを有している。本実施形態において、液晶層ＬＣは、ポリマー鎖を含むポリマーＰＭと、液晶分子ＭＣとを有している。液晶分子ＭＣは、ポリマーＰＭの隙間に分散されている。

【0036】

基板ＳＵＢ１は、基材ＢＡ１と、絶縁層ＩＮＳ１と、信号線ＳＬと、絶縁層ＩＮＳ２と、容量電極ＹＥと、画素電極ＰＥと、配向膜ＡＬ１と、を備えている。

【0037】

絶縁層ＩＮＳ１は、基材ＢＡ１の面ＢＡ１ｂ上に設けられている。信号線ＳＬは、絶縁層ＩＮＳ１上に設けられ、絶縁層ＩＬＹによって覆われている。容量電極ＹＥは、開口部ＯＰにおいて絶縁層ＩＮＳ１上に設けられ、絶縁層ＩＮＳ２によって覆われている。また、容量電極ＹＥは、絶縁層ＩＬＹに重なり、信号線ＳＬと対向している。

【0038】

画素電極ＰＥは、開口部ＯＰにおいて絶縁層ＩＮＳ２の上に設けられ、配向膜ＡＬ１によって覆
われている。つまり、容量電極ＹＥは、基材ＢＡ１及び画素電極ＰＥとの間に設けられている。画素電極ＰＥは、絶縁層ＩＮＳ２を挟んで容量電極ＹＥと対向し、画素ＰＸの容量ＣＳを形成している。配向膜ＡＬ１は、液晶層ＬＣに接している。

【0039】

基板ＳＵＢ２は、基材ＢＡ２と、共通電極ＣＥと、配向膜ＡＬ２と、を備えている。図３と同様に、共通電極ＣＥ及び配向膜ＡＬ２の間に、オーバーコート層を設けてもよい。共通電極ＣＥは、基材ＢＡ２の面ＢＡ２ａに接して設けられ、配向膜ＡＬ２によって覆われている。

【0040】

なお、基板ＳＵＢ２において、スイッチング素子ＳＷ、走査線ＧＬ、及び信号線ＳＬの直上にそれぞれ遮光層が設けられてもよい。また、基材ＢＡ２と共通電極ＣＥとの間に、透明な絶縁層（オーバーコート層）が設けられてもよい。共通電極ＣＥは、複数の画素電極ＰＥと対向している。また、共通電極ＣＥは、容量電極ＹＥと電気的に接続されており、容量電極ＹＥとは同電位である。配向膜ＡＬ２は、液晶層ＬＣに接している。

【0041】

ポリマーＰＭおよび液晶分子ＭＣのそれぞれは、光学異方性あるいは屈折率異方性を有している。ポリマーＰＭの電界に対する応答性は、液晶分子ＭＣの電界に対する応答性より低い。例えば、ポリマーＰＭの配向方向は、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥの間の電界にかかわらずほとんど変化しない。一方、液晶分子ＭＣの配向方向は、当該電界に応じて変化する。

【0042】

液晶層ＬＣに電界が作用していないか、あるいは当該電界が極めて弱い状態においては、ポリマーＰＭおよび液晶分子ＭＣのそれぞれの光軸は互いに略平行となる。液晶分子ＭＣとポリマーＰＭの屈折率が互いに実質的に等しくなる。換言すると、液晶分子ＭＣとポリマーＰＭの屈折率差が実質的に無くなる。したがって、液晶層ＬＣに入射した光は、液晶層ＬＣ内でほとんど散乱されることなく透過する。以下、このような状態を透明状態と呼ぶ。また、透明状態を実現するための画素電極ＰＥの電圧を透明電圧と呼ぶ。透明電圧は、共通電極ＣＥに印加される共通電圧と同じであってもよいし、共通電圧と僅かに異なる電圧であってもよい。

【0043】

一方、液晶層ＬＣに十分な電界が作用している状態では、ポリマーＰＭおよび液晶分子ＭＣのそれぞれの光軸は互いに交差する。したがって、液晶層ＬＣに入射した光は、液晶層ＬＣ内で散乱される。以下、このような状態を散乱状態と呼ぶ。また、散乱状態を実現するための画素電極ＰＥの電圧を散乱電圧と呼ぶ。散乱電圧は、透明電圧よりも共通電極ＣＥとの電位差が大きくなるような電圧である。

【0044】

ここで、比較例について説明する。図５は、比較例１の表示パネルの平面図である。図５に示す表示パネルＰＮＬｒ１（表示装置ＤＳＰｒ１）では、液晶層として、高分子分散液晶材料ではなく、例えば、ネマティック液晶材料が用いられている。図５に示す表示パネルＰＮＬｒ１について、図１に示す表示パネルＰＮＬと同じ構成要素は、同じ符号で示している。

【0045】

表示パネルＰＮＬｒ１のシール材ＳＡＬには切り欠きが存在し、この部分に注入孔ＩＮＨが形成される。真空吸入によって液晶材料を表示パネルＰＮＬｒ１の内部に吸入した後、封止材ＨＳＺによって注入孔ＩＮＨを封止する。

【0046】

図６は、比較例１の表示パネルの製造工程を示すフローチャートである。図６では、特に液晶材料注入について説明する。

【0047】

表示パネルＰＮＬｒ１の基板ＳＵＢ１に走査線ＧＬ、スイッチング素子、信号線ＳＬ，画素電極、平坦化絶縁層等を形成後、配向膜材料を塗布する（Ｃｏａｔｉｎｇ ａｌｉｇｎｍｅｎｔ ｆｉｌｍ ｍｅｍｂｅｒ）（ステップＳＲ１０１）。配向膜材料として、例えば、ポリイミド樹脂が用いられる。

【0048】

配向膜材料をラビング又は光配向処理を行う（Ｒｕｂｂｉｎｇ ｏｒ ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ ｌｉｇｈｔ ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ）（ステップＳＲ１０２）。これにより、配向膜が形成される。

【0049】

表示領域ＤＡを囲って、基板ＳＵＢ１上にシール材ＳＡＬを塗布する（Ｃｏａｔｉｎｇ ｓｅａｌｉｎｇ ｍｅｍｂｅｒ）（ステップＳＲ１０３）。シール材ＳＡＬには、熱硬化樹脂、例えば、エポキシ樹脂が用いられる。シール材ＳＡＬには、上述のように、切り欠きを設ける。

【0050】

基板ＳＵＢ１上に基板ＳＵＢ２を重ね合わせる（Ｓｕｐｅｒｐｏｓｉｎｇ ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ）（ステップＳＲ１０４）。基板ＳＵＢ１及び基板ＳＵＢ２の間であり、シール材ＳＡＬで囲まれた領域（表示領域ＤＡ）内には、空間が生じる。

【0051】

シール材ＳＡＬを熱により硬化する（Ｃｕｒｉｎｇ ｓｅａｌｉｎｇ ｍｅｍｂｅｒ ｂｙ ｈｅａｔｉｎｇ）（ステップＳＲ１０５）。上述の切り欠きが、注入孔ＩＮＨとなる。

【0052】

表示パネルＰＮＬｒ１を真空チャンバ内に配置し、真空封入法により、注入孔ＩＮＨから上述の空間内（表示領域ＤＡ内）に液晶材料を注入する（Ｉｎｊｅｃｔｉｎｇ ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ ｍｅｍｂｅｒ）（ステップＳＲ１０６）。

【0053】

液晶材料を注入後、注入孔ＩＮＨを封止材ＨＳＺによって封止する（Ｓｅａｌｉｎｇ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｈｏｌｅ）（ステップＳＲ１０７）。以上により、表示パネルＰＮＬｒ１が完成する（Ｃｏｍｐｌｅｔｉｏｎ）（ステップＳＲ１０８）。

【0054】

真空封入法では、シール材ＳＡＬが完全に硬化した後に、シール材ＳＡＬが液晶材料と接触する。このため、液晶材料への汚染の問題が少ないという利点がある。しかしながら、液晶材料を真空にした表示パネルＰＮＬｒ１に毛細管現象で注入するため、基板ＳＵＢ１及び基板ＳＵＢ２のサイズが大きくなるにつれて、液晶材料の注入時間が長くなり、生産性が悪いという恐れがある。

【0055】

図７は、比較例２の表示パネルの平面図である。図７に示す表示パネルＰＮＬｒ２（表示装置ＤＳＰｒ２）では、液晶層として、高分子分散液晶材料ではなく、例えば、ネマティック液晶材料が用いられている。図７に示す表示パネルＰＮＬｒ２について、図１に示す表示パネルＰＮＬと同じ構成要素は、同じ符号で示している。

【0056】

表示パネルＰＮＬｒ２では、シール材ＳＡＬは、表示領域ＤＡを囲って隙間なく設けられている。表示パネルＰＮＬｒ２のシール材ＳＡＬには、切り欠けは設けられていない。

【0057】

図８は、比較例２の表示パネルの製造工程を示すフローチャートである。図８では、特に液晶材料滴下について説明する。

【0058】

ステップＳＲ１０１と同様に、配向膜材料を塗布する（Ｃｏａｔｉｎｇ ａｌｉｇｎｍｅｎｔ ｆｉｌｍ ｍｅｍｂｅｒ）（ステップＳＲ２０１）。

【0059】

ステップＳＲ１０２と同様に、配向膜材料をラビング又は光配向処理を行う（Ｒｕｂｂｉｎｇ ｏｒ ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ ｌｉｇｈｔ ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ）（ステップＳＲ２０２）。これにより、配向膜が形成される。

【0060】

表示領域ＤＡを隙間なく囲って、基板ＳＵＢ１上にシール材ＳＡＬを塗布する（Ｃｏａｔｉｎｇ ｓｅａｌｉｎｇ ｍｅｍｂｅｒ）（ステップＳＲ２０３）。シール材ＳＡＬには、光硬化樹脂及び熱硬化樹脂が用いられる。光硬化樹脂は、例えば、アクリル樹脂を用いればよい。熱硬化樹脂は、例えば、エポキシ樹脂を用いればよい。表示パネルＰＮＬｒ１と異なり、表示パネルＰＮＬｒ２のシール材ＳＡＬには、切り欠きを設けない。

【0061】

基板ＳＵＢ１のシール材ＳＡＬに囲まれた領域（表示領域ＤＡ）内に、液晶材料を滴下して注入する（Ｉｎｊｅｃｔｉｎｇ ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ ｍｅｍｂｅｒ ｂｙ ｄｒｏｐｐｉｎｇ）（ステップＳＲ２０４）。すなわち、ＯＤＦ（Ｏｎｅ Ｄｒｏｐ Ｆｉｌｌ）法により、液晶材料を充填する。

【0062】

基板ＳＵＢ１上に基板ＳＵＢ２を重ね合わせる（Ｓｕｐｅｒｐｏｓｉｎｇ ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ）（ステップＳＲ２０５）。基板ＳＵＢ１及び基板ＳＵＢ２の間であり、シール材ＳＡＬで囲まれた領域（表示領域ＤＡ）内には、液晶材料が充填されている。

【0063】

シール材ＳＡＬをＵＶ照射により硬化する（Ｃｕｒｉｎｇ ｓｅａｌｉｎｇ ｍｅｍｂｅｒ ｂｙ ＵＶ ｉｒｒａｄｉａｔｉｏｎ）（ステップＳＲ２０６）。これにより、シール材ＳＡＬに含まれる光硬化樹脂が硬化される。

【0064】

シール材ＳＡＬを熱により硬化する（Ｃｕｒｉｎｇ ｓｅａｌｉｎｇ ｍｅｍｂｅｒ ｂｙ ｈｅａｔｉｎｇ）（ステップＳＲ２０７）。これにより、シール材ＳＡＬに含まれる熱硬化樹脂が硬化される。

【0065】

以上により、表示パネルＰＮＬｒ２が完成する（Ｃｏｍｐｌｅｔｉｏｎ）（ステップＳＲ２０８）。

【0066】

液晶滴下（ＯＤＦ）方式は、真空注入方式のように液晶材料の注入に時間がかかることはない。そのため、液晶滴下（ＯＤＦ）方式は、生産性の点で真空封入方式に比べて優れている。また、液晶滴下（ＯＤＦ）方式では、シール材ＳＡＬの外側に液晶材料が入り込むこともない。

【0067】

しかしながら、シール材ＳＡＬが未硬化の状態で液晶材料と接触するため、液晶材料や配向膜を汚染する恐れがある。

【0068】

上述のように、液晶滴下（ＯＤＦ）方式で用いられるシール材ＳＡＬは、一般的に、アクリル樹脂のような光硬化樹脂及びエポキシ樹脂のような熱硬化樹脂によって構成される。液晶滴下（ＯＤＦ）方式で用いられるシール材のＳＡＬの光硬化樹脂に対して、ＵＶ照射をしても、温度も低いため、液晶材料への汚染は少ない。

【0069】

一方、液晶滴下（ＯＤＦ）方式で用いられるシール材ＳＡＬの熱硬化温度は、１２０℃程度である。シール材ＳＡＬの熱硬化温度は、液晶材料のネマティック－アイソトロピック（ネマティック－等方相）転移温度（転移温度Ｔｎｉとする）よりも高い。シール材ＳＡＬの熱硬化の工程（ステップＳＲ２０７）において、転移温度Ｔｎｉよりも高い温度で液晶材料を加熱すると、液晶材料はネマティック相から流動性の高い等方性液体に相転移する。そのため、液晶材料がより汚染されやすくなる。

【0070】

図９は、比較例３の表示パネルの平面図である。図９に示す表示パネルＰＮＬｒ３（表示装置ＤＳＰｒ３）では、液晶層として、高分子分散液晶材料が用いられている。図９に示す表示パネルＰＮＬｒ３について、図１に示す表示パネルＰＮＬと同じ構成要素は、同じ符号で示している。

【0071】

表示パネルＰＮＬｒ３のシール材ＳＡＬには複数の注入孔ＩＮＨが形成される。真空吸入によって液晶材料を表示パネルＰＮＬｒ３の内部に吸入した後、封止材ＨＳＺによってそれぞれの注入孔ＩＮＨを封止する。

【0072】

図１０は、比較例３の表示パネルの製造工程を示すフローチャートである。図１０では、特に液晶材料注入について説明する。

【0073】

ステップＳＲ１０１と同様に、配向膜材料を塗布する（Ｃｏａｔｉｎｇ ａｌｉｇｎｍｅｎｔ ｆｉｌｍ ｍｅｍｂｅｒ）（ステップＳＲ３０１）。

【0074】

ステップＳＲ１０２と同様に、配向膜材料をラビング又は光配向処理を行う（Ｒｕｂｂｉｎｇ ｏｒ ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ ｌｉｇｈｔ ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ）（ステップＳＲ３０２）。これにより、配向膜が形成される。

【0075】

表示領域ＤＡを囲って、基板ＳＵＢ１上にシール材ＳＡＬを塗布する（Ｃｏａｔｉｎｇ ｓｅａｌｉｎｇ ｍｅｍｂｅｒ）（ステップＳＲ３０３）。シール材ＳＡＬには、熱硬化樹脂が用いられる。熱硬化樹脂は、例えば、エポキシ樹脂を用いられる。シール材ＳＡＬには、上述のように、複数の切り欠きを設ける。

【0076】

基板ＳＵＢ１上に基板ＳＵＢ２を重ね合わせる（Ｓｕｐｅｒｐｏｓｉｎｇ ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ）（ステップＳＲ３０４）。基板ＳＵＢ１及び基板ＳＵＢ２の間であり、シール材ＳＡＬで囲まれた領域（表示領域ＤＡ）内には、空間が生じる。

【0077】

シール材ＳＡＬの熱硬化樹脂を熱により硬化する（Ｃｕｒｉｎｇ ｓｅａｌｉｎｇ ｍｅｍｂｅｒ ｂｙ ｈｅａｔｉｎｇ）（ステップＳＲ３０５）。上述の複数の切り欠きが、複数の注入孔ＩＮＨとなる。

【0078】

表示パネルＰＮＬｒ３を真空チャンバ内に配置し、真空封入法により、複数の注入孔ＩＮＨから上述の空間内（表示領域ＤＡ内）に高分子分散液晶（ＰＤＬＣ）材料を注入する（Ｉｎｊｅｃｔｉｎｇ ＰＤＬＣ ｍｅｍｂｅｒ）（ステップＳＲ３０６）。

【0079】

高分子分散液晶（ＰＤＬＣ）材料には、液晶分子ＭＣを含む液晶材料、液晶モノマー、光ラジカル重合開始剤等が含まれている。

【0080】

液晶材料を注入後、注入孔ＩＮＨを封止材ＨＳＺによって封止する（Ｓｅａｌｉｎｇ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｈｏｌｅ）（ステップＳＲ３０７）。

【0081】

次いで、ＰＤＬＣ材料をＵＶ照射により硬化する（Ｃｕｒｉｎｇ ＰＤＬＣ ｍｅｍｂｅｒ ｂｙ ＵＶ ｉｒｒａｄｉａｔｉｏｎ）（ステップＳＲ３０８）。

【0082】

紫外光（ＵＶ）が照射されると、光ラジカル重合開始剤により重合が開始され、液晶性モノマーが高分子化（ポリマー化）される。これにより、ポリマー鎖を含むポリマーＰＭが形成される。高分子分散液晶（ＰＤＬＣ）材料に含まれる液晶材料の液晶分子ＭＣは、図４で説明した通り、ポリマーＰＭの隙間に分散されている。

【0083】

以上により、表示パネルＰＮＬｒ３が完成する（Ｃｏｍｐｌｅｔｉｏｎ）（ステップＳＲ３０９）。

【0084】

上述の通り、真空注入法では、基板ＳＵＢ１及び基板ＳＵＢ２のサイズが大きくなるにつれて、液晶材料の注入時間が長くなり、生産性が悪いという恐れがある。そこで本実施形態では、高分子分散液晶材料を液晶層ＬＣとして含む表示パネルの製造において、液晶滴下（ＯＤＦ）方式を用いる。これにより、表示装置の生産性を向上させることが可能である。

【0085】

図１１は、実施形態の表示パネルの製造工程を示すフローチャートである。図１１では、特に液晶滴下（ＯＤＦ）方式について説明する。図１１に示すフローチャートにより製造される表示パネルが、図１に示す表示パネルＰＮＬ（表示装置ＤＳＰ）である。

【0086】

ステップＳＲ１０１と同様に、配向膜材料を塗布する（Ｃｏａｔｉｎｇ ａｌｉｇｎｍｅｎｔ ｆｉｌｍ ｍｅｍｂｅｒ）（ステップＳＴ１０１）。

【0087】

ステップＳＲ１０２と同様に、配向膜材料をラビング又は光配向処理を行う（Ｒｕｂｂｉｎｇ ｏｒ ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ ｌｉｇｈｔ ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ）（ステップＳＴ１０２）。これにより、配向膜が形成される。

【0088】

表示領域ＤＡを隙間なく囲って、基板ＳＵＢ１上にシール材ＳＡＬを塗布する（Ｃｏａｔｉｎｇ ｓｅａｌｉｎｇ ｍｅｍｂｅｒ）（ステップＳＴ１０３）。シール材ＳＡＬには、光硬化樹脂及び熱硬化樹脂が用いられる。光硬化樹脂は、例えば、アクリル樹脂を用いればよい。熱硬化樹脂は、例えば、エポキシ樹脂を用いればよい。上述のように、表示領域ＤＡは、シール材ＳＡＬによって隙間なく囲まれており、切り欠きは存在しない。

【0089】

基板ＳＵＢ１のシール材ＳＡＬに囲まれた領域（表示領域ＤＡ）内に、高分子分散液晶（ＰＤＬＣ）材料を滴下して注入する（Ｉｎｊｅｃｔｉｎｇ ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ ｍｅｍｂｅｒ ｂｙ ｄｒｏｐｐｉｎｇ）（ステップＳＴ１０４）。すなわち、ＯＤＦ法により、高分子分散液晶（ＰＤＬＣ）材料を充填する。

【0090】

高分子分散液晶（ＰＤＬＣ）材料には、液晶分子ＭＣを含む液晶材料、液晶モノマー、光ラジカル重合開始剤等が含まれている。

【0091】

基板ＳＵＢ１上に基板ＳＵＢ２を重ね合わせる（Ｓｕｐｅｒｐｏｓｉｎｇ ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ）（ステップＳＴ１０５）。基板ＳＵＢ１及び基板ＳＵＢ２の間であり、シール材ＳＡＬで囲まれた領域（表示領域ＤＡ）内には、高分子分散液晶（ＰＤＬＣ）が充填されている。

【0092】

シール材ＳＡＬの光硬化樹脂をＵＶ照射により硬化する（Ｃｕｒｉｎｇ ｓｅａｌｉｎｇ ｍｅｍｂｅｒ ｂｙ ＵＶ ｉｒｒａｄｉａｔｉｏｎ）（ステップＳＴ１０６）。これにより、シール材ＳＡＬに含まれる光硬化樹脂が硬化される。

【0093】

次いで、高分子分散液晶（ＰＤＬＣ）材料をＵＶ照射により硬化する（Ｃｕｒｉｎｇ ＰＤＬＣ ｍｅｍｂｅｒ ｂｙ ＵＶ ｉｒｒａｄｉａｔｉｏｎ）（ステップＳＴ１０７）。

【0094】

紫外光（ＵＶ）が照射されると、光ラジカル重合開始剤により重合が開始され、液晶性モノマーが高分子化（ポリマー化）される。これにより、ポリマー鎖を含むポリマーＰＭが形成される。高分子分散液晶（ＰＤＬＣ）材料に含まれる液晶材料の液晶分子ＭＣは、図４で説明した通り、ポリマーＰＭの隙間に分散されている。

【0095】

次いで、シール材ＳＡＬの熱硬化樹脂を熱により硬化する（Ｃｕｒｉｎｇ ｓｅａｌｉｎｇ ｍｅｍｂｅｒ ｂｙ ｈｅａｔｉｎｇ）（ステップＳＴ１０８）。これにより、シール材ＳＡＬに含まれる熱硬化樹脂が硬化される。ステップＳＴ１０８での加熱温度を、温度Ｔｃとする。シール材ＳＡＬを温度Ｔｃで加熱することにより、シール材ＳＡＬが硬化する。よって、温度Ｔｃは、シール材ＳＡＬの硬化温度ともいう。温度Ｔｃは、転移温度Ｔｎｉより低い。

【0096】

以上により、表示パネルＰＮＬ（表示装置ＤＳＰ）が完成する（Ｃｏｍｐｌｅｔｉｏｎ）（ステップＳＴ１０９）。

【0097】

図１１に示すように、高分子分散液晶（ＰＤＬＣ）材料を適下注入（ステップＳＴ１０７）した後に、シール材ＳＡＬをＵＶ硬化させる（ステップＳＴ１０８）。このとき、シール材ＳＡＬ近傍の高分子分散液晶（ＰＤＬＣ）材料にも紫外光（ＵＶ）が当たる。高分子分散液晶（ＰＤＬＣ）材料に含まれる液晶性モノマーが重合し、紫外光が当たった部分が表示異常となる恐れがある。そのため、高分子分散液晶（ＰＤＬＣ）材料の適下注入後に、シール材ＳＡＬを熱硬化（ステップＳＴ１０８）させる。

【0098】

本実施形態の高分子分散液晶（ＰＤＬＣ）材料は、ステップＳＴ１０８でシール材ＳＡＬを加熱する温度Ｔｃ以上の転移温度Ｔｎｉを有する液晶材料を含む、高分子分散液晶（ＰＤＬＣ）材料である。より具体的には、本実施形態では、転移温度Ｔｎｉが１２０℃以上１５０℃以下の液晶材料を含む高分子分散液晶（ＰＤＬＣ）材料を用いる。転移温度Ｔｎｉがシール材ＳＡＬの加熱温度である温度Ｔｃより高ければ、ステップＳＴ１０８の加熱工程でも、液晶分子ＭＣを含む液晶材料は、等方性液体とならず、ネマティック相のままとなる。これにより、表示パネルＰＮＬ（表示装置ＤＳＰ）に表示ムラが発生しない。

【0099】

シール材ＳＡＬの熱硬化（ステップＳＴ１０８）の加熱温度が、液晶材料の転移温度Ｔｎｉより高いと、液晶材料はネマティック相から流動性の高い等方性液体に相転移する。そのため、液晶材料がより汚染しやすくなり、表示ムラが発生しやすくなる。

【0100】

転移温度Ｔｎｉが１２０℃以上１５０℃以下の液晶材料とは、例えば、分子量の大きい液晶材料である。より具体的には、シクロヘキサン又はベンゼン環という六員環が３つ含まれる三環式化合物又は六員環が４つ含まれる四環式化合物の割合が多い液晶材料であればよい。さらに、三環式化合物又は四環式化合物を有する液晶材料の割合が、六員環が２つ含まれる二環式化合物を有する液晶材料の割合より、大きくてもよい。

【0101】

分子量が大きい液晶材料は、粘度が高くなる。そのため、このような液晶材料を用いた液晶層の応答速度は遅くなる。しかしながら、本実施形態の液晶層ＬＣは、高分子分散液晶材料の液晶層である。高分子分散液晶材料の液晶層ＬＣでは、液晶分子ＭＣは、ポリマーＰＭの隙間（微小領域、ドロプレットともいう）に分散されている。したがって、液晶分子ＭＣの応答速度は速い。よって、分子量が大きい液晶材料の液晶分子ＭＣを用いても、本実施形態の表示パネルＰＮＬの液晶層ＬＣの応答速度は十分速い。本実施形態では、分子量の大きい液晶材料、すなわち、転移温度Ｔｎｉが１２０℃以上１５０℃以下の液晶材料を用いても、十分応答速度の速い表示パネルＰＮＬ（表示装置ＤＳＰ）を得ることが可能である。

【0102】

ただし、転移温度Ｔｎｉが上がると、スメクティック-ネマティック転移温度（転移温度Ｔｓｎとする）も上がってしまう。液晶材料が転移温度Ｔｓｎ以下になると、液晶材料はスメクティック相となってしまう。本実施形態の表示パネルＰＮＬでは、液晶層ＬＣ中の液晶分子ＭＣがスメクティック相となってしまうと、駆動しない恐れが生じる。

【0103】

本実施形態の液晶層ＬＣの液晶材料の転移温度Ｔｎｉが１２０℃以上１５０℃以下であれば、当該液晶材料の転移温度Ｔｓｎが高くなりすぎない。

【0104】

以上本実施形態により、表示ムラが起こらない表示装置及びその製造方法を得ることが可能である。本実施形態の表示装置ＤＳＰ（表示パネルＰＮＬ）は、表示ムラが生じないので、表示品質を向上させることが可能である。

【0105】

＜構成例１＞
図１２は、実施形態における表示装置の他の構成例のフローチャートである。図１２に示した構成例では、図１１に示した構成例と比較して、シール材ＳＡＬの加熱による硬化工程とＵＶ照射による硬化工程が逆であるという点で異なっている。

【0106】

本構成例において、ステップＳＴ１０１乃至ステップＳＴ１０５までは、実施形態と同様である（図１１参照）。本構成例では、実施形態のステップＳＴ１０１乃至ステップＳＴ１０５と同様の工程を、ステップＳＴ２０１乃至ステップＳＴ２０５とする。

【0107】

基板ＳＵＢ１上に基板ＳＵＢ２を重ね合わせた（ステップＳＴ２０５）後、シール材ＳＡＬの熱硬化樹脂を熱により硬化する（Ｃｕｒｉｎｇ ｓｅａｌｉｎｇ ｍｅｍｂｅｒ ｂｙ ｈｅａｔｉｎｇ）（ステップＳＴ２０６）。これにより、シール材ＳＡＬに含まれる熱硬化樹脂が硬化される。ステップＳＴ２０６での加熱温度である温度Ｔｃは、実施形態と同様に、転移温度Ｔｎｉより低い。

【0108】

なお、ステップＳＴ２０６において、光硬化樹脂も加熱により硬化してもよい。光硬化樹脂に熱ラジカル剤を添加しておけば、光硬化樹脂も熱によって硬化する。熱による光硬化樹脂の硬化は、全体に及んでいてもよいし、光硬化樹脂の一部のみに及んでいてもよい。

【0109】

次いで、高分子分散液晶（ＰＤＬＣ）材料をＵＶ照射により硬化する（Ｃｕｒｉｎｇ ＰＤＬＣ ｍｅｍｂｅｒ ｂｙ ＵＶ ｉｒｒａｄｉａｔｉｏｎ）（ステップＳＴ２０７）。これにより、実施形態と同様に、液晶性モノマーが高分子化（ポリマー化）される。

【0110】

シール材ＳＡＬの光硬化樹脂をＵＶ照射により硬化する（Ｃｕｒｉｎｇ ｓｅａｌｉｎｇ ｍｅｍｂｅｒ ｂｙ ＵＶ ｉｒｒａｄｉａｔｉｏｎ）（ステップＳＴ２０８）。これにより、シール材ＳＡＬに含まれる光硬化樹脂が硬化される。熱により光硬化樹脂の一部を硬化した場合は、ステップＳＴ２０８により、光硬化樹脂の全体が硬化する。

【0111】

以上により、表示パネルＰＮＬ（表示装置ＤＳＰ）が完成する（Ｃｏｍｐｌｅｔｉｏｎ）（ステップＳＴ２０９）。
本構成においても、実施形態と同様の効果を奏する。

【0112】

本開示では、基板ＳＵＢ１及び基板ＳＵＢ２を、それぞれ、第１基板及び第２基板とする。高分子分散液晶材料を有する液晶層ＬＣを、高分子分散液晶層とする。

【0113】

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

【符号の説明】

【0114】

ＤＡ…表示領域、ＤＳＰ…表示装置、ＨＳＺ…封止材、ＩＮＨ…注入孔、ＬＣ…液晶層、ＭＣ…液晶分子、ＰＭ…ポリマー、ＰＮＬ…表示パネル、ＳＡＬ…シール材、ＳＴ１０１…ステップ、ＳＴ１０２…ステップ、ＳＴ１０３…ステップ、ＳＴ１０４…ステップ、ＳＴ１０５…ステップ、ＳＴ１０６…ステップ、ＳＴ１０７…ステップ、ＳＴ１０８…ステップ、ＳＴ１０９…ステップ。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】