特開 2025-24098 フレキシブル液晶表示装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2025024098

(43)【公開日】2025-02-19

(54)【発明の名称】フレキシブル液晶表示装置

(51)【国際特許分類】

   G02F 1/1333 20060101AFI20250212BHJP

   C08G 73/10 20060101ALI20250212BHJP

   G09F 9/30 20060101ALI20250212BHJP

   G09F 9/00 20060101ALI20250212BHJP

【ＦＩ】

G02F1/1333 500

C08G73/10

G09F9/30 338

G09F9/30 308Z

G09F9/30 349B

G09F9/00 338

【審査請求】有

【請求項の数】24

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2024199187

(22)【出願日】2024-11-14

(62)【分割の表示】P 2020119918の分割

【原出願日】2020-07-13

(31)【優先権主張番号】P 2019146348

(32)【優先日】2019-08-08

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(71)【出願人】

【識別番号】000000033

【氏名又は名称】旭化成株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100099759

【弁理士】

【氏名又は名称】青木 篤

(74)【代理人】

【識別番号】100123582

【弁理士】

【氏名又は名称】三橋 真二

(74)【代理人】

【識別番号】100108903

【弁理士】

【氏名又は名称】中村 和広

(74)【代理人】

【識別番号】100142387

【弁理士】

【氏名又は名称】齋藤 都子

(74)【代理人】

【識別番号】100135895

【弁理士】

【氏名又は名称】三間 俊介

(72)【発明者】

【氏名】奥田 敏章

(57)【要約】

【課題】本発明の課題は、ポリイミドが形成された基板を有するフレキシブル液晶表示装置において、レーザー剥離を用いることなく、プロセスコストの低減を図ると共に、液晶表示装置の機械強度を向上し、曲げ耐性を有する表示装置を実現することである。
【解決手段】薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）配線層（３００）、液晶層（５００）、カラーフィルター層（８００）、透明ポリイミド層（２００，９００）及びガラス基板（１００，１０００）を含むフレキシブル液晶表示装置（１）であって、ＴＦＴ配線層（３００）又はカラーフィルター層（８００）と、透明ポリイミド層（２００，９００）及びガラス基板（１００，１０００）の順序で積層された積層構造を有し、かつガラス基板（１００，１０００）の厚さが、１０～７０μｍであるフレキシブル液晶表示装置（１）が提供される。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）配線層、液晶層、カラーフィルター層、透明ポリイミド層及びガラス基板を含むフレキシブル液晶表示装置であって、
前記フレキシブル液晶表示装置が、前記ＴＦＴ配線層、前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板の順序で積層された積層構造を有し、かつ
前記ガラス基板の厚さが、１０～７０μｍであるフレキシブル液晶表示装置。

【請求項2】

前記ガラス基板の厚さが、１０～５０μｍである、請求項１に記載のフレキシブル液晶表示装置。

【請求項3】

前記ガラス基板の厚さが、１０～２４μｍである、請求項１又は２に記載のフレキシブル液晶表示装置。

【請求項4】

薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）配線層、液晶層、カラーフィルター層、透明ポリイミド層及びガラス基板を含むフレキシブル液晶表示装置であって、
前記フレキシブル液晶表示装置が、前記ＴＦＴ配線層、前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板の順序で積層された積層構造を有し、かつ
前記ガラス基板の化学的エッチング後の厚さが、１０～７０μｍであるフレキシブル液晶表示装置。

【請求項5】

前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板は、前記ＴＦＴ配線層の支持体である、請求項１～４のいずれか一項に記載のフレキシブル液晶表示装置。

【請求項6】

薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）配線層、液晶層、カラーフィルター層、透明ポリイミド層及びガラス基板を含むフレキシブル液晶表示装置であって、
前記フレキシブル液晶表示装置が、前記カラーフィルター層、前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板の順序で積層された積層構造を有し、かつ
前記ガラス基板の厚さが、１０～７０μｍであるフレキシブル液晶表示装置。

【請求項7】

前記ガラス基板の厚さが、１０～５０μｍである、請求項６に記載のフレキシブル液晶表示装置。

【請求項8】

前記ガラス基板の厚さが、１０～２４μｍである、請求項６又は７に記載のフレキシブル液晶表示装置。

【請求項9】

薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）配線層、液晶層、カラーフィルター層、透明ポリイミド層及びガラス基板を含むフレキシブル液晶表示装置であって、
前記フレキシブル液晶表示装置が、前記カラーフィルター層、前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板の順序で積層された積層構造を有し、かつ
前記ガラス基板の化学的エッチング後の厚さが、１０～７０μｍであるフレキシブル液晶表示装置。

【請求項10】

薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）配線層、液晶層、カラーフィルター層、透明ポリイミド層及びガラス基板を含むフレキシブル液晶表示装置であって、
前記フレキシブル液晶表示装置が、前記ＴＦＴ配線層、前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板の順序で積層された積層構造Ｉを有し、かつ
前記フレキシブル液晶表示装置が、前記カラーフィルター層、前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板の順序で積層された積層構造ＩＩを有し、かつ
前記ガラス基板の厚さが、１０～７０μｍであるフレキシブル液晶表示装置。

【請求項11】

前記ガラス基板の厚さが、１０～５０μｍである、請求項１０に記載のフレキシブル液晶表示装置。

【請求項12】

前記ガラス基板の厚さが、１０～２４μｍである、請求項１０又は１１に記載のフレキシブル液晶表示装置。

【請求項13】

薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）配線層、液晶層、カラーフィルター層、透明ポリイミド層及びガラス基板を含むフレキシブル液晶表示装置であって、
前記フレキシブル液晶表示装置が、前記ＴＦＴ配線層、前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板の順序で積層された積層構造Ｉを有し、かつ
前記フレキシブル液晶表示装置が、前記カラーフィルター層、前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板の順序で積層された積層構造ＩＩを有し、かつ
前記ガラス基板の化学的エッチング後の厚さが、１０～７０μｍであるフレキシブル液晶表示装置。

【請求項14】

前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板は、前記カラーフィルター層の支持体である、請求項６～１３のいずれか一項に記載のフレキシブル液晶表示装置。

【請求項15】

前記透明ポリイミド層に含まれるポリイミドが、ジアミンに由来する構成単位を有し、かつ前記ジアミンが、ジアミノジフェニルスルホン、４，４’－ジアミノジフェニルスルフィド、３，４’－ジアミノジフェニルスルフィド、３，３’－ジアミノジフェニルスルフィド、４，４’－ジアミノビフェニル、３，４’－ジアミノビフェニル、３，３’－ジアミノビフェニル、４，４’－ジアミノベンゾフェノン、３，４’－ジアミノベンゾフェノン、３，３’－ジアミノベンゾフェノン、４，４’－ジアミノジフェニルメタン、３，４’－ジアミノジフェニルメタン、３，３’－ジアミノジフェニルメタン、１，４－ビス（４－アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３－ビス（４－アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３－ビス（３－アミノフェノキシ）ベンゼン、ビス〔４－（４－アミノフェノキシ）フェニル〕スルホン、４，４－ビス（４－アミノフェノキシ）ビフェニル、４，４－ビス（３－アミノフェノキシ）ビフェニル、ビス〔４－（４－アミノフェノキシ）フェニル〕エーテル、ビス〔４－（３－アミノフェノキシ）フェニル〕エーテル、１，４－ビス（４－アミノフェニル）ベンゼン、１，３－ビス（４－アミノフェニル）ベンゼン、９，１０－ビス（４－アミノフェニル）アントラセン、２，２－ビス（４－アミノフェニル）プロパン、２，２－ビス（４－アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２－ビス〔４－（４－アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン、２，２－ビス〔４－（４－アミノフェノキシ）フェニル〕ヘキサフルオロプロパン、１，４－ビス（３－アミノプロピルジメチルシリル）ベンゼン、及び９，９－ビス(４－アミノフェニル)フルオレン（ＢＡＦＬ）から成る群から選択される少なくとも一つである、請求項１～１４のいずれか一項に記載のフレキシブル液晶表示装置。

【請求項16】

前記透明ポリイミド層に含まれるポリイミドが、酸無水物に由来する構成単位を有し、かつ前記酸無水物が、３，３’，４，４’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）、４，４’－オキシジフタル酸二無水物（ＯＤＰＡ）、ノルボルナン－２－スピロ－２’－シクロペンタノン－５’－スピロ－２’’－ノルボルナン－５，５’’，６，６’’－テトラカルボン酸二無水物（ＣｐＯＤＡ）、２，２’，３，３’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４，４’－（ヘキサフルオロイソプロピリデン）ジフタル酸無水物（６ＦＤＡ）、５－（２，５－ジオキソテトラヒドロ－３－フラニル）－３－メチル－シクロヘキセン－１，２－ジカルボン酸無水物、１，２，３，４－ベンゼンテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’－ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、メチレン－４，４’－ジフタル酸二無水物、１，１－エチリデン－４，４’－ジフタル酸二無水物、２，２－プロピリデン－４，４’－ジフタル酸二無水物、１，２－エチレン－４，４’－ジフタル酸二無水物、１，３－トリメチレン－４，４’－ジフタル酸二無水物、１，４－テトラメチレン－４，４’－ジフタル酸二無水物、１，５－ペンタメチレン－４，４’－ジフタル酸二無水物、４，４’－オキシジフタル酸二無水物、ｐ－フェニレンビス（トリメリテート無水物）、チオ－４，４’－ジフタル酸二無水物、スルホニル－４，４’－ジフタル酸二無水物、１，３－ビス（３，４－ジカルボキシフェニル）ベンゼン二無水物、１，３－ビス（３，４－ジカルボキシフェノキシ）ベンゼン二無水物、１，４－ビス（３，４－ジカルボキシフェノキシ）ベンゼン二無水物、１，３－ビス［２－（３，４－ジカルボキシフェニル）－２－プロピル］ベンゼン二無水物、１，４－ビス［２－（３，４－ジカルボキシフェニル）－２－プロピル］ベンゼン二無水物、ビス［３－（３，４－ジカルボキシフェノキシ）フェニル］メタン二無水物、ビス［４－（３，４－ジカルボキシフェノキシ）フェニル］メタン二無水物、２，２－ビス［３－（３，４－ジカルボキシフェノキシ）フェニル］プロパン二無水物、ビス（３，４－ジカルボキシフェノキシ）ジメチルシラン二無水物、１，３－ビス（３，４－ジカルボキシフェニル）－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン二無水物、３，４，９，１０－ペリレンテトラカルボン酸二無水物、２，３，６，７－アントラセンテトラカルボン酸二無水物、１，２，７，８－フェナントレンテトラカルボン酸二無水物、及びビシクロヘキシル－３，３’，９，９－ビス（３，４－ジカルボキシフェニル）フルオレン二酸無水物（ＢＰＡＦ）から成る群から選択される少なくとも一つである、請求項１～１５のいずれか一項に記載のフレキシブル液晶表示装置。

【請求項17】

前記ＴＦＴ配線層と前記カラーフィルター層の間に、前記液晶層がある、請求項１～１６のいずれか一項に記載のフレキシブル液晶表示装置。

【請求項18】

薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）配線層、液晶層、カラーフィルター層、透明ポリイミド層及びガラス基板を含むフレキシブル液晶表示装置の製造方法であって、以下の工程：
前記ＴＦＴ配線層、前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板の順序で積層された積層構造を形成する積層工程と、
前記積層構造において前記ガラス基板の厚さが１０～７０μｍの範囲内になるように前記ガラス基板をエッチングするエッチング工程と
を含む、フレキシブル液晶表示装置の製造方法。

【請求項19】

前記エッチング工程では、前記ガラス基板の厚さを１０～５０μｍの範囲内に調整する、請求項１８に記載のフレキシブル液晶表示装置の製造方法。

【請求項20】

前記エッチング工程では、前記ＴＦＴ配線層と前記透明ポリイミド層とをマスキングする、請求項１８又は１９に記載のフレキシブル液晶表示装置の製造方法。

【請求項21】

薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）配線層、液晶層、カラーフィルター層、透明ポリイミド層及びガラス基板を含むフレキシブル液晶表示装置の製造方法であって、以下の工程：
前記カラーフィルター層、前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板の順序で積層された積層構造を形成する積層工程と、
前記積層構造において前記ガラス基板の厚さが１０～７０μｍの範囲内になるように前記ガラス基板をエッチングするエッチング工程と
を含む、フレキシブル液晶表示装置の製造方法。

【請求項22】

前記エッチング工程では、前記ガラス基板の厚さを１０～５０μｍの範囲内に調整する、請求項２１に記載のフレキシブル液晶表示装置の製造方法。

【請求項23】

前記エッチング工程では、前記カラーフィルター層と前記透明ポリイミド層とをマスキングする、請求項２１又は２２に記載のフレキシブル液晶表示装置の製造方法。

【請求項24】

薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）配線層、液晶層、カラーフィルター層、透明ポリイミド層及びガラス基板を含むフレキシブル液晶表示装置の製造方法であって、以下の工程：
前記ＴＦＴ配線層、前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板の順序で積層された積層構造Ｉを形成する積層工程と、
前記カラーフィルター層、前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板の順序で積層された積層構造ＩＩを形成する積層工程と、
前記ＴＦＴ配線層と前記カラーフィルター層を、シール材を介して接合する工程と、
前記積層構造Ｉ及びＩＩにおいて前記ガラス基板の厚さが１０～７０μｍの範囲内になるように前記ガラス基板をエッチングするエッチング工程と
を含む、フレキシブル液晶表示装置の製造方法。

【請求項25】

前記エッチング工程では、前記ガラス基板の厚さを１０～５０μｍの範囲内に調整する、請求項２４に記載のフレキシブル液晶表示装置の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、表示装置に関し、より詳細にはフレキシブル液晶表示装置に関する。

【背景技術】

【0002】

従来の表示装置は、フレキシブル性がなく、リジッドタイプのものであった。近年、フレキシブル性を有する表示装置が開発され、フレキシブル表示装置としては、有機発光素子を用いたもの（ＯＬＥＤ）と、液晶素子を用いたもの（ＬＣＤ）がある。

【0003】

フレキシブル性を発現するためには、表示装置の基板として、ガラスに代替して樹脂を用いたものが提案されている。ここで、基板を樹脂のみで形成するために、ガラス基板上にポリイミド層を形成し、その後ディスプレイ形成プロセスを経た後、ガラス基板側からレーザーを照射することで、ガラス基板からポリイミド層を剥離することが検討されている（特許文献１）。しかしながら、この場合、ポリイミド層の機械強度が不十分なため、剥離する際に表示装置が破壊される問題、及び表示装置の巻き上げと巻き戻しを繰り返すうちに、表示装置が破壊される問題があった。

【0004】

他方、リジッドタイプの表示装置では、ガラス基板をエッチング処理することで薄膜化を行なってきたが、この表示装置は、上述のとおり、フレキシブル性がないものであった（特許文献２）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【特許文献1】特表２００７－５１２５６８号公報

【特許文献2】特開２０１８－１６５１８号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

特許文献１に記載されるようなレーザー剥離を用いた場合、非常に高価なプロセスコストが必要となる。また、一般に、有機発光表示装置の製造プロセスは、液晶表示装置の製造プロセスに比べて、コストが高額である。したがって、液晶表示装置の従来の製造プロセスを活用し、かつコストを抑えることが求められている。

【0007】

上記の要求に鑑みて、本発明は、ポリイミドが形成された基板を有するフレキシブル液晶表示装置において、レーザー剥離を用いることなく、プロセスコストの低減を図ると共に、液晶表示装置の機械強度を向上させ、かつ曲げ耐性を有する液晶表示装置を実現することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0008】

本発明者らは、フレキシブル液晶表示装置において、ＴＦＴ配線層又はカラーフィルター層のためのガラス基板を維持し、かつ薄くすることによって、上記課題を解決することができることを見出して、本発明を完成させた。本発明の一態様を以下に例示する。
［１］
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）配線層、液晶層、カラーフィルター層、透明ポリイミド層及びガラス基板を含むフレキシブル液晶表示装置であって、
前記フレキシブル液晶表示装置が、前記ＴＦＴ配線層、前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板の順序で積層された積層構造を有し、かつ
前記ガラス基板の厚さが、１０～７０μｍであるフレキシブル液晶表示装置。
［２］
前記ガラス基板の厚さが、１０～５０μｍである、項目１に記載のフレキシブル液晶表示装置。
［３］
前記ガラス基板の厚さが、１０～２４μｍである、項目１又は２に記載のフレキシブル液晶表示装置。
［４］
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）配線層、液晶層、カラーフィルター層、透明ポリイミド層及びガラス基板を含むフレキシブル液晶表示装置であって、
前記フレキシブル液晶表示装置が、前記ＴＦＴ配線層、前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板の順序で積層された積層構造を有し、かつ
前記ガラス基板の化学的エッチング後の厚さが、１０～７０μｍであるフレキシブル液晶表示装置。
［５］
前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板は、前記ＴＦＴ配線層の支持体である、項目１～４のいずれか一項に記載のフレキシブル液晶表示装置。
［６］
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）配線層、液晶層、カラーフィルター層、透明ポリイミド層及びガラス基板を含むフレキシブル液晶表示装置であって、
前記フレキシブル液晶表示装置が、前記カラーフィルター層、前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板の順序で積層された積層構造を有し、かつ
前記ガラス基板の厚さが、１０～７０μｍであるフレキシブル液晶表示装置。
［７］
前記ガラス基板の厚さが、１０～５０μｍである、項目６に記載のフレキシブル液晶表示装置。
［８］
前記ガラス基板の厚さが、１０～２４μｍである、項目６又は７に記載のフレキシブル液晶表示装置。
［９］
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）配線層、液晶層、カラーフィルター層、透明ポリイミド層及びガラス基板を含むフレキシブル液晶表示装置であって、
前記フレキシブル液晶表示装置が、前記カラーフィルター層、前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板の順序で積層された積層構造を有し、かつ
前記ガラス基板の化学的エッチング後の厚さが、１０～７０μｍであるフレキシブル液晶表示装置。
［１０］
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）配線層、液晶層、カラーフィルター層、透明ポリイミド層及びガラス基板を含むフレキシブル液晶表示装置であって、
前記フレキシブル液晶表示装置が、前記ＴＦＴ配線層、前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板の順序で積層された積層構造Ｉを有し、かつ
前記フレキシブル液晶表示装置が、前記カラーフィルター層、前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板の順序で積層された積層構造ＩＩを有し、かつ
前記ガラス基板の厚さが、１０～７０μｍであるフレキシブル液晶表示装置。
［１１］
前記ガラス基板の厚さが、１０～５０μｍである、項目１０に記載のフレキシブル液晶表示装置。
［１２］
前記ガラス基板の厚さが、１０～２４μｍである、項目１０又は１１に記載のフレキシブル液晶表示装置。
［１３］
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）配線層、液晶層、カラーフィルター層、透明ポリイミド層及びガラス基板を含むフレキシブル液晶表示装置であって、
前記フレキシブル液晶表示装置が、前記ＴＦＴ配線層、前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板の順序で積層された積層構造Ｉを有し、かつ
前記フレキシブル液晶表示装置が、前記カラーフィルター層、前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板の順序で積層された積層構造ＩＩを有し、かつ
前記ガラス基板の化学的エッチング後の厚さが、１０～７０μｍであるフレキシブル液晶表示装置。
［１４］
前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板は、前記カラーフィルター層の支持体である、項目６～１３のいずれか一項に記載のフレキシブル液晶表示装置。
［１５］
前記透明ポリイミド層に含まれるポリイミドが、ジアミンに由来する構成単位を有し、かつ前記ジアミンが、ジアミノジフェニルスルホン、４，４’－ジアミノジフェニルスルフィド、３，４’－ジアミノジフェニルスルフィド、３，３’－ジアミノジフェニルスルフィド、４，４’－ジアミノビフェニル、３，４’－ジアミノビフェニル、３，３’－ジアミノビフェニル、４，４’－ジアミノベンゾフェノン、３，４’－ジアミノベンゾフェノン、３，３’－ジアミノベンゾフェノン、４，４’－ジアミノジフェニルメタン、３，４’－ジアミノジフェニルメタン、３，３’－ジアミノジフェニルメタン、１，４－ビス（４－アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３－ビス（４－アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３－ビス（３－アミノフェノキシ）ベンゼン、ビス〔４－（４－アミノフェノキシ）フェニル〕スルホン、４，４－ビス（４－アミノフェノキシ）ビフェニル、４，４－ビス（３－アミノフェノキシ）ビフェニル、ビス〔４－（４－アミノフェノキシ）フェニル〕エーテル、ビス〔４－（３－アミノフェノキシ）フェニル〕エーテル、１，４－ビス（４－アミノフェニル）ベンゼン、１，３－ビス（４－アミノフェニル）ベンゼン、９，１０－ビス（４－アミノフェニル）アントラセン、２，２－ビス（４－アミノフェニル）プロパン、２，２－ビス（４－アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２－ビス〔４－（４－アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン、２，２－ビス〔４－（４－アミノフェノキシ）フェニル〕ヘキサフルオロプロパン、１，４－ビス（３－アミノプロピルジメチルシリル）ベンゼン、及び９，９－ビス(４－アミノフェニル)フルオレン（ＢＡＦＬ）から成る群から選択される少なくとも一つである、項目１～１４のいずれか一項に記載のフレキシブル液晶表示装置。
［１６］
前記透明ポリイミド層に含まれるポリイミドが、酸無水物に由来する構成単位を有し、かつ前記酸無水物が、３，３’，４，４’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）、４，４’－オキシジフタル酸二無水物（ＯＤＰＡ）、ノルボルナン－２－スピロ－２’－シクロペンタノン－５’－スピロ－２’’－ノルボルナン－５，５’’，６，６’’－テトラカルボン酸二無水物（ＣｐＯＤＡ）、２，２’，３，３’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４，４’－（ヘキサフルオロイソプロピリデン）ジフタル酸無水物（６ＦＤＡ）、５－（２，５－ジオキソテトラヒドロ－３－フラニル）－３－メチル－シクロヘキセン－１，２－ジカルボン酸無水物、１，２，３，４－ベンゼンテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’－ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、メチレン－４，４’－ジフタル酸二無水物、１，１－エチリデン－４，４’－ジフタル酸二無水物、２，２－プロピリデン－４，４’－ジフタル酸二無水物、１，２－エチレン－４，４’－ジフタル酸二無水物、１，３－トリメチレン－４，４’－ジフタル酸二無水物、１，４－テトラメチレン－４，４’－ジフタル酸二無水物、１，５－ペンタメチレン－４，４’－ジフタル酸二無水物、４，４’－オキシジフタル酸二無水物、ｐ－フェニレンビス（トリメリテート無水物）、チオ－４，４’－ジフタル酸二無水物、スルホニル－４，４’－ジフタル酸二無水物、１，３－ビス（３，４－ジカルボキシフェニル）ベンゼン二無水物、１，３－ビス（３，４－ジカルボキシフェノキシ）ベンゼン二無水物、１，４－ビス（３，４－ジカルボキシフェノキシ）ベンゼン二無水物、１，３－ビス［２－（３，４－ジカルボキシフェニル）－２－プロピル］ベンゼン二無水物、１，４－ビス［２－（３，４－ジカルボキシフェニル）－２－プロピル］ベンゼン二無水物、ビス［３－（３，４－ジカルボキシフェノキシ）フェニル］メタン二無水物、ビス［４－（３，４－ジカルボキシフェノキシ）フェニル］メタン二無水物、２，２－ビス［３－（３，４－ジカルボキシフェノキシ）フェニル］プロパン二無水物、ビス（３，４－ジカルボキシフェノキシ）ジメチルシラン二無水物、１，３－ビス（３，４－ジカルボキシフェニル）－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン二無水物、３，４，９，１０－ペリレンテトラカルボン酸二無水物、２，３，６，７－アントラセンテトラカルボン酸二無水物、１，２，７，８－フェナントレンテトラカルボン酸二無水物、及びビシクロヘキシル－３，３’，９，９－ビス（３，４－ジカルボキシフェニル）フルオレン二酸無水物（ＢＰＡＦ）から成る群から選択される少なくとも一つである、項目１～１５のいずれか一項に記載のフレキシブル液晶表示装置。
［１７］
前記ＴＦＴ配線層と前記カラーフィルター層の間に、前記液晶層がある、項目１～１６のいずれか一項に記載のフレキシブル液晶表示装置。
［１８］
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）配線層、液晶層、カラーフィルター層、透明ポリイミド層及びガラス基板を含むフレキシブル液晶表示装置の製造方法であって、以下の工程：
前記ＴＦＴ配線層、前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板の順序で積層された積層構造を形成する積層工程と、
前記積層構造において前記ガラス基板の厚さが１０～７０μｍの範囲内になるように前記ガラス基板をエッチングするエッチング工程と
を含む、フレキシブル液晶表示装置の製造方法。
［１９］
前記エッチング工程では、前記ガラス基板の厚さを１０～５０μｍの範囲内に調整する、項目１８に記載のフレキシブル液晶表示装置の製造方法。
［２０］
前記エッチング工程では、前記ＴＦＴ配線層と前記透明ポリイミド層とをマスキングする、項目１８又は１９に記載のフレキシブル液晶表示装置の製造方法。
［２１］
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）配線層、液晶層、カラーフィルター層、透明ポリイミド層及びガラス基板を含むフレキシブル液晶表示装置の製造方法であって、以下の工程：
前記カラーフィルター層、前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板の順序で積層された積層構造を形成する積層工程と、
前記積層構造において前記ガラス基板の厚さが１０～７０μｍの範囲内になるように前記ガラス基板をエッチングするエッチング工程と
を含む、フレキシブル液晶表示装置の製造方法。
［２２］
前記エッチング工程では、前記ガラス基板の厚さを１０～５０μｍの範囲内に調整する、項目２１に記載のフレキシブル液晶表示装置の製造方法。
［２３］
前記エッチング工程では、前記カラーフィルター層と前記透明ポリイミド層とをマスキングする、項目２１又は２２に記載のフレキシブル液晶表示装置の製造方法。
［２４］
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）配線層、液晶層、カラーフィルター層、透明ポリイミド層及びガラス基板を含むフレキシブル液晶表示装置の製造方法であって、以下の工程：
前記ＴＦＴ配線層、前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板の順序で積層された積層構造Ｉを形成する積層工程と、
前記カラーフィルター層、前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板の順序で積層された積層構造ＩＩを形成する積層工程と、
前記ＴＦＴ配線層と前記カラーフィルター層を、シール材を介して接合する工程と、
前記積層構造Ｉ及びＩＩにおいて前記ガラス基板の厚さが１０～７０μｍの範囲内になるように前記ガラス基板をエッチングするエッチング工程と
を含む、フレキシブル液晶表示装置の製造方法。
［２５］
前記エッチング工程では、前記ガラス基板の厚さを１０～５０μｍの範囲内に調整する、項目２４に記載のフレキシブル液晶表示装置の製造方法。

【発明の効果】

【0009】

本発明によれば、レーザー剥離を用いることなく、プロセスコストの低減を図ると共に、液晶表示装置の機械強度を向上し、曲げ耐性を有するフレキシブル液晶表示装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0010】

【図1】本発明の一実施形態に係るフレキシブル液晶表示装置の模式断面図である。

【図2】ＴＦＴ配線層、透明ポリイミド層、及びガラス基板（厚さ：３００μｍ超）の順となる積層構造のエッチング工程前の模式断面図である。

【図3】ＴＦＴ配線層、透明ポリイミド層、及びガラス基板（厚さ：１０～７０μｍ）の順となる積層構造のエッチング工程後の模式断面図である。

【図4】カラーフィルター層、透明ポリイミド層、及びガラス基板（厚さ：３００μｍ超）の順となる積層構造のエッチング工程前の模式断面図である。

【図5】カラーフィルター層、透明ポリイミド層、及びガラス基板（厚さ：１０～７０μｍ）の順となる積層構造のエッチング工程後の模式断面図である。

【図6】第三実施形態に係るフレキシブル液晶表示装置の製造方法のフロー概略図である。

【発明を実施するための形態】

【0011】

以下に本発明に係る実施形態の詳細を説明する。
本発明に係るフレキシブル液晶表示装置は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）配線層、液晶層、カラーフィルター層、透明ポリイミド層、及び厚さが１０～７０μｍのガラス基板を含み、かつ下記積層構造Ｉ及び／又は積層構造ＩＩ；
Ｉ．ＴＦＴ配線層、透明ポリイミド層及びガラス基板の順序で積層された積層構造；
ＩＩ．カラーフィルター層、透明ポリイミド層及びガラス基板の順序で積層された積層構造；
を有する。本発明に係るフレキシブル液晶表示装置は、プロセスコストの低減と曲げ耐性を両立することができる。

【0012】

驚くべきことに、本発明によって、フレキシブル液晶表示装置は、有機発光表示装置（ＯＬＥＤ）と比べて、有意にプロセスコストが低く、かつ敢えて薄いガラス基板を維持することがプロセスコストの低減と曲げ耐性の両立に寄与し得ることが見出された。このような観点から、ガラス基板の厚さは、１０～７０μｍであり、好ましくは１０～５０μｍ、より好ましくは１０～２４μｍであり、更に好ましくは１０～２０μｍである。同様の観点から、透明ポリイミド層及びガラス基板は、ＴＦＴ配線層の支持体としてＴＦＴ配線層基板を構成することが好ましく、かつ／又はカラーフィルター層の支持体としてカラーフィルター層基板を構成することが好ましい。
ここで、フレキシブル液晶表示装置の“フレキシブル”の意味は、液晶表示装置を破壊なく曲率半径１５０ｍｍ以下に折り曲げることが可能であり、好ましくは曲率半径３ｍｍまで折り曲げられることであり、併せて柔軟性を有しているため、落下しても破壊され難いことを意味する。これは、従来のガラスのみを基板とするリジッドな液晶表示装置にはない特徴である。
また、本発明では、ディスプレイの製造工程の途中で、透明ポリイミド層及びガラス基板の積層体におけるガラス基板をエッチングして薄膜化することもできる。そのため、エッチングする前の工程では、厚いガラス基板を用いてディスプレイの製造を行うため、安定製造が可能であり、歩留まりが向上する利点もある。

【0013】

一実施形態では、積層構造Ｉ及び／又は積層構造ＩＩに含まれるガラス基板は、プロセスコストの低減と曲げ耐性の両立という観点から、化学的エッチング後の厚さが、１０～７０μｍであり、好ましくは１０～５０μｍ、より好ましくは１０～２４μｍであり、より更に好ましくは１０～２０μｍである。化学的エッチングされたガラス基板は、表面粗さ（Ｚ）が０．１～１．０ｎｍ（ＡＦＭで測定）であることが好ましく、アルカリ溶出量が０超１．０ｍｇ以下（ＪＩＳ Ｒ３５０２に準拠）であることが好ましく、マイクロスクラッチ（μｍ単位の寸法を有する異物）を含まないことが好ましく、かつ／又は平均粒径８０ｎｍ以下のシリカ粒子を含まないことが好ましい。

【0014】

所望により、フレキシブル液晶表示装置は、例えば配向膜、シール材、偏光膜、平面電極などの追加の構成要素を含んでよく、また積層構造Ｉ及びＩＩ以外の積層構造を画定したり、追加で有したりすることができる。

【0015】

図１は、本発明の一実施形態に係るフレキシブル液晶表示装置の模式断面図である。フレキシブル液晶表示装置（１）において、液晶層（５００）の側部は、シール材（６００）によりシールされることによって、液晶表示ユニットが構成される。液晶表示ユニット一面には、ＴＦＴ配線層（３００）、透明ポリイミド層（２００）及びガラス基板（１００）の順序で積層された積層構造Ｉが、ＴＦＴ配線層（３００）とシール材（６００）を接触させるように設けられている。液晶表示ユニット他面には、カラーフィルター層（８００）、透明ポリイミド層（９００）及びガラス基板（１０００）の順序で積層された積層構造ＩＩが、カラーフィルター層（８００）とシール材（６００）を接触させるように設けられている。液晶層（５００）の上部及び下部には、配向膜（４００，７００）が接触するように設けられてもよい。

【0016】

ＴＦＴ配線層（３００）とカラーフィルター層（８００）の間に液晶層（５００）がある。ガラス基板（１００）と透明ポリイミド層（２００）は、ＴＦＴ配線層基板として使用され、ガラス基板（１００）とＴＦＴ配線層（３００）の間に透明ポリイミド層（２００）がある。ガラス基板（１０００）と透明ポリイミド層（９００）は、カラーフィルター層基板として使用され、ガラス基板（１０００）とカラーフィルター層（８００）の間には透明ポリイミド層（９００）がある。フレキシブル液晶表示装置の各構成要素を以下に説明する。

【0017】

＜液晶表示ユニット＞
液晶表示ユニットには液晶が封入されている。液晶層は、液晶で構成されており、その周縁部はシール材でシールされる。所望により、液晶層の上部及び下部は、配向膜で覆われていてもよい。液晶表示ユニットは、気体又は液体などの異物が内部に侵入しないようにシールされることが好ましい。シール材及び配向膜は、例えば、既知の紫外線硬化型樹脂又は熱硬化型樹脂などから形成されることができ、その材料は、シール性、ＴＦＴ配線層又はカラーフィルター層との接合などに応じて決定されることができる。

【0018】

＜ガラス基板＞
一実施形態では、少なくとも一対のガラス基板が、液晶表示ユニットを挟んで配置されている。一対のガラス基板は、フレキシブル液晶表示装置の製造プロセス及びコストの観点から、同一寸法を有することができる。ガラス基板材料は、例えば、無アルカリガラス基板などであることができる。所望により、ガラス基板は、例えば、疎水化、親水化、平滑化、粗面化、化学的エッチングなどの各種の処理に供されることができる。

【0019】

ガラス基板の厚さを１０～７０μｍの範囲内に制御する手段としては、例えば、（ｉ）予め厚さ１０～７０μｍのガラス基板を用意しておいて使用すること、（ｉｉ）７０μｍを超える厚さ（例えば、厚さ３００μｍ超）のガラス基板を用意しておいて製造プロセス中に化学的エッチングにより１０～７０μｍの範囲内に調整することなどが挙げられる。中でも、上記（ｉｉ）は、ガラス基板の強度、フレキシブル液晶表示装置の曲げ耐性などの観点から好ましい。

【0020】

＜ＴＦＴ配線層＞
ＴＦＴ(thin-film-transistor)は薄膜トランジスタをスイッチング素子として使用する表示素子であり、液晶ディスプレイ又は薄型テレビに幅広く使用される。ＴＦＴは、基板上に形成され、従来のリジッドディスプレイの場合、基板として、ガラス基板を用いられてきた。近年、折り曲げ可能なディスプレイの検討に伴って、耐熱性ポリイミドの使用も検討されている。

【0021】

従来、ＴＦＴ基板として透明ポリイミドを用いる場合、ガラス基板上に透明ポリイミド層を形成し、さらにＴＦＴ配線層を形成した後、レーザー剥離を行ない、ポリイミドをガラス基板から剥離することが検討されてきた。しかしながら、レーザー剥離のプロセスが非常に高価であること、剥離後のＴＦＴ配線層及びポリイミドの機械強度が不十分であるため、破れが発生し、製造工程の歩留まりが悪いこと等の問題が報告された。

【0022】

これらの問題への対策として、本発明は、ＴＦＴ配線層の基板として、透明ポリイミド層及び厚さ１０～７０μｍのガラス基板を用いて、プロセスの低コスト化／歩留まり向上、及び良好な機械特性を両立するものである。ここで、ＴＦＴ配線層の基板としては、ガラス基板の厚さは、１０～７０μｍであり、１０～５０μｍが好ましく、２０～５０μｍがより好ましい。

【0023】

＜カラーフィルター層＞
カラーフィルターは、画像又は映像の色を生み出すフィルターであり、その基板上に赤（Ｒ）、緑（Ｇ）及び青（Ｂ）の３色のカラーレジストで構成されるパターンが形成され、隣接し合うカラーレジスト同士の混色を防ぐため、ブラックマトリクス（ＢＭ）によって境界が格子状に区切られている。このカラーフィルターの基板としては、従来のリジッドディスプレイの場合、基板として、ガラス基板を用いられてきた。近年、折り曲げ可能なディスプレイが検討され、耐熱性があるポリイミドの使用も検討されている。

【0024】

カラーフィルターの基板としてポリイミドを用いる場合、ガラス基板上にポリイミドを形成し、さらにカラーフィルターを形成した後、レーザー剥離を行ない、ポリイミドをガラス基板から剥離することが検討されてきた。しかしながら、レーザー剥離のプロセスが非常に高価であること、剥離後のカラーフィルター層の機械強度が不十分であるため、破れが発生し、製造工程の歩留まりが悪いこと等の問題が報告された。

【0025】

これらの問題への対策として、本発明は、カラーフィルター層の基板として、透明ポリイミド層及び厚さ１０～７０μｍのガラス基板を用いて、プロセスの低コスト化／歩留まり向上、及び良好な機械特性を両立するものである。ここで、カラーフィルター層の基板としては、ガラス基板の厚さは、１０～７０μｍであり、１０～５０μｍが好ましく、２０～５０μｍがより好ましい。

【0026】

＜透明ポリイミド層＞
透明ポリイミド層は、ポリイミドを含有し、かつ可視光線に対して透明な層である。透明ポリイミド層は、フレキシブル液晶表示装置に使用される観点から、無色透明であることができる。具体的には、従来の褐色のポリイミド（例：カプトン等）にはない、可視光領域４００ｎｍ～７５０ｎｍにおける、７０％以上（１０μｍ厚換算）の光線透過率を本実施形態に係る透明ポリイミド層が有することができる。透明ポリイミド層に含まれるポリイミドは、ジアミン化合物と酸二無水物化合物を反応して得られるポリイミド前駆体を加熱することにより得られる樹脂であり、液晶表示装置のプロセスに求められる高耐熱性の特性を有している。

【0027】

ジアミン化合物としては、例えば、ジアミノジフェニルスルホン（例えば４，４’－ジアミノジフェニルスルホン、３，３’－ジアミノジフェニルスルホンなど）、ｐ－フェニレンジアミン、ｍ－フェニレンジアミン、４，４’－ジアミノジフェニルスルフィド、３，４’－ジアミノジフェニルスルフィド、３，３’－ジアミノジフェニルスルフィド、４，４’－ジアミノビフェニル、３，４’－ジアミノビフェニル、３，３’－ジアミノビフェニル、４，４’－ジアミノベンゾフェノン、３，４’－ジアミノベンゾフェノン、３，３’－ジアミノベンゾフェノン、４，４’－ジアミノジフェニルメタン、３，４’－ジアミノジフェニルメタン、３，３’－ジアミノジフェニルメタン、１，４－ビス（４－アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３－ビス（４－アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３－ビス（３－アミノフェノキシ）ベンゼン、ビス〔４－（４－アミノフェノキシ）フェニル〕スルホン、４，４－ビス（４－アミノフェノキシ）ビフェニル、４，４－ビス（３－アミノフェノキシ）ビフェニル、ビス〔４－（４－アミノフェノキシ）フェニル〕エーテル、ビス〔４－（３－アミノフェノキシ）フェニル〕エーテル、１，４－ビス（４－アミノフェニル）ベンゼン、１，３－ビス（４－アミノフェニル）ベンゼン、９，１０－ビス（４－アミノフェニル）アントラセン、２，２－ビス（４－アミノフェニル）プロパン、２，２－ビス（４－アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２－ビス〔４－（４－アミノフェノキシ）フェニル）プロパン、２，２－ビス〔４－（４－アミノフェノキシ）フェニル）ヘキサフルオロプロパン、及び１，４－ビス（３－アミノプロピルジメチルシリル）ベンゼン、９，９－ビス(４－アミノフェニル)フルオレン（ＢＡＦＬ）等が挙げられる。

【0028】

上記ジアミン化合物の中でも、ジアミノジフェニルスルホン、４，４’－ジアミノジフェニルスルフィド、３，４’－ジアミノジフェニルスルフィド、３，３’－ジアミノジフェニルスルフィド、４，４’－ジアミノビフェニル、３，４’－ジアミノビフェニル、３，３’－ジアミノビフェニル、４，４’－ジアミノベンゾフェノン、３，４’－ジアミノベンゾフェノン、３，３’－ジアミノベンゾフェノン、４，４’－ジアミノジフェニルメタン、３，４’－ジアミノジフェニルメタン、３，３’－ジアミノジフェニルメタン、１，４－ビス（４－アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３－ビス（４－アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３－ビス（３－アミノフェノキシ）ベンゼン、ビス〔４－（４－アミノフェノキシ）フェニル〕スルホン、４，４－ビス（４－アミノフェノキシ）ビフェニル、４，４－ビス（３－アミノフェノキシ）ビフェニル、ビス〔４－（４－アミノフェノキシ）フェニル〕エーテル、ビス〔４－（３－アミノフェノキシ）フェニル〕エーテル、１，４－ビス（４－アミノフェニル）ベンゼン、１，３－ビス（４－アミノフェニル）ベンゼン、９，１０－ビス（４－アミノフェニル）アントラセン、２，２－ビス（４－アミノフェニル）プロパン、２，２－ビス（４－アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２－ビス〔４－（４－アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン、２，２－ビス〔４－（４－アミノフェノキシ）フェニル〕ヘキサフルオロプロパン、１，４－ビス（３－アミノプロピルジメチルシリル）ベンゼン、及びＢＡＦＬの少なくとも一つが好ましい。

【0029】

ポリイミド前駆体及びそれから得られるポリイミドは、下記一般式（１）：

【化1】

｛式中、Ｒ_１は、複数ある場合にはそれぞれ独立に、炭素数１～５の１価の脂肪族炭化水素基又は炭素数６～１０の１価の芳香族基を示し、Ｒ_２は、複数ある場合にはそれぞれ独立に、炭素数１～５の１価の脂肪族炭化水素基又は炭素数６～１０の１価の芳香族基を示し、そしてｍは、１～２００の整数を示す｝
で表される構造単位を含んでよい。

【0030】

ポリイミド前駆体及びそれから得られるポリイミドは、一般式（１）の構造単位を分子中のいずれの部位に有してもよいが、シロキサンモノマーの種類、コストの観点、及び得られるポリイミド前駆体の分子量の観点から、一般式（１）の構造は、ケイ素含有化合物、例えばケイ素含有ジアミンに由来することが好ましい。ケイ素含有ジアミンとしては、例えば、下記式（２）：

【化2】

｛式中、Ｐ_５は、それぞれ独立に、二価の炭化水素基を示し、同一でも異なっていてもよく、Ｐ_３及びＰ_４は、それぞれ一般式（１）で定義されたＲ_１及びＲ_２と同じであり、かつｌは、１～２００の整数を表す。｝
で表されるジアミノ（ポリ）シロキサンが好ましい。

【0031】

一般式（２）で表される化合物としては、具体的には、両末端アミン変性メチルフェニルシリコーンオイル（信越化学社製：Ｘ２２－１６６０Ｂ－３（数平均分子量４４００）、Ｘ２２－９４０９（数平均分子量１３４０））、両末端酸無水物変性メチルフェニルシリコーンオイル（信越化学社製：Ｘ２２－１６８－Ｐ５－Ｂ（数平均分子量４２００））、両末端エポキシ変性メチルフェニルシリコーンオイル（信越化学社製：Ｘ２２－２０００（数平均分子量１２４０））、両末端アミノ変性ジメチルシリコーン（信越化学社製：Ｘ２２－１６１Ａ（数平均分子量１６００）、Ｘ２２－１６１Ｂ（数平均分子量３０００）、ＫＦ８０２１（数平均分子量４４００）、東レダウコーニング製：ＢＹ１６－８３５Ｕ（数平均分子量９００）チッソ社製：サイラプレーンＦＭ３３１１（数平均分子量１０００））等が挙げられる。

【0032】

酸二無水物化合物としては、例えば、ピロメリット酸二無水物（ＰＭＤＡ）、３，３’，４，４’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）、４，４’－オキシジフタル酸二無水物（ＯＤＰＡ）、ノルボルナン－２－スピロ－２’－シクロペンタノン－５’－スピロ－２’’－ノルボルナン－５，５’’，６，６’’－テトラカルボン酸二無水物（ＣｐＯＤＡ）、２，２’，３，３’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４，４’－（ヘキサフルオロイソプロピリデン）ジフタル酸無水物（６ＦＤＡ）、５－（２，５－ジオキソテトラヒドロ－３－フラニル）－３－メチル－シクロヘキセン－１，２ジカルボン酸無水物、１，２，３，４－ベンゼンテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’－ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，２’，３，３’－ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’－ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、メチレン－４，４’－ジフタル酸二無水物、１，１－エチリデン－４，４’－ジフタル酸二無水物、２，２－プロピリデン－４，４’－ジフタル酸二無水物、１，２－エチレン－４，４’－ジフタル酸二無水物、１，３－トリメチレン－４，４’－ジフタル酸二無水物、１，４－テトラメチレン－４，４’－ジフタル酸二無水物、１，５－ペンタメチレン－４，４’－ジフタル酸二無水物、４，４’－オキシジフタル酸二無水物、ｐ－フェニレンビス（トリメリテート無水物）、チオ－４，４’－ジフタル酸二無水物、スルホニル－４，４’－ジフタル酸二無水物、１，３－ビス（３，４－ジカルボキシフェニル）ベンゼン二無水物、１，３－ビス（３，４－ジカルボキシフェノキシ）ベンゼン二無水物、１，４－ビス（３，４－ジカルボキシフェノキシ）ベンゼン二無水物、１，３－ビス［２－（３，４－ジカルボキシフェニル）－２－プロピル］ベンゼン二無水物、１，４－ビス［２－（３，４－ジカルボキシフェニル）－２－プロピル］ベンゼン二無水物、ビス［３－（３，４－ジカルボキシフェノキシ）フェニル］メタン二無水物、ビス［４－（３，４－ジカルボキシフェノキシ）フェニル］メタン二無水物、２，２－ビス［３－（３，４－ジカルボキシフェノキシ）フェニル］プロパン二無水物、２，２－ビス［４－（３，４－ジカルボキシフェノキシ）フェニル］プロパン二無水物、ビス（３，４－ジカルボキシフェノキシ）ジメチルシラン二無水物、１，３－ビス（３，４－ジカルボキシフェニル）－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン二無水物、２，３，６，７－ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，４，５，８－ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，２，５，６－ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、３，４，９，１０－ペリレンテトラカルボン酸二無水物、２，３，６，７－アントラセンテトラカルボン酸二無水物、及び１，２，７，８－フェナントレンテトラカルボン酸二無水物、ビシクロヘキシル－３，３’，９，９－ビス（３，４－ジカルボキシフェニル）フルオレン二酸無水物（ＢＰＡＦ）等が挙げられる。

【0033】

上記酸二無水物化合物の中でも、ＢＰＤＡ、ＯＤＰＡ、ＣｐＯＤＡ、２，２’，３，３’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、６ＦＤＡ、５－（２，５－ジオキソテトラヒドロ－３－フラニル）－３－メチル－シクロヘキセン－１，２－ジカルボン酸無水物、１，２，３，４－ベンゼンテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’－ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、メチレン－４，４’－ジフタル酸二無水物、１，１－エチリデン－４，４’－ジフタル酸二無水物、２，２－プロピリデン－４，４’－ジフタル酸二無水物、１，２－エチレン－４，４’－ジフタル酸二無水物、１，３－トリメチレン－４，４’－ジフタル酸二無水物、１，４－テトラメチレン－４，４’－ジフタル酸二無水物、１，５－ペンタメチレン－４，４’－ジフタル酸二無水物、４，４’－オキシジフタル酸二無水物、ｐ－フェニレンビス（トリメリテート無水物）、チオ－４，４’－ジフタル酸二無水物、スルホニル－４，４’－ジフタル酸二無水物、１，３－ビス（３，４－ジカルボキシフェニル）ベンゼン二無水物、１，３－ビス（３，４－ジカルボキシフェノキシ）ベンゼン二無水物、１，４－ビス（３，４－ジカルボキシフェノキシ）ベンゼン二無水物、１，３－ビス［２－（３，４－ジカルボキシフェニル）－２－プロピル］ベンゼン二無水物、１，４－ビス［２－（３，４－ジカルボキシフェニル）－２－プロピル］ベンゼン二無水物、ビス［３－（３，４－ジカルボキシフェノキシ）フェニル］メタン二無水物、ビス［４－（３，４－ジカルボキシフェノキシ）フェニル］メタン二無水物、２，２－ビス［３－（３，４－ジカルボキシフェノキシ）フェニル］プロパン二無水物、ビス（３，４－ジカルボキシフェノキシ）ジメチルシラン二無水物、１，３－ビス（３，４－ジカルボキシフェニル）－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン二無水物、３，４，９，１０－ペリレンテトラカルボン酸二無水物、２，３，６，７－アントラセンテトラカルボン酸二無水物、１，２，７，８－フェナントレンテトラカルボン酸二無水物、及びＢＰＡＦの少なくとも一つが好ましい。

【0034】

＜フレキシブル液晶表示装置の製造方法＞
本発明の別の態様は、ＴＦＴ配線層、液晶層、カラーフィルター層、透明ポリイミド層及びガラス基板を含むフレキシブル液晶表示装置の製造方法である。フレキシブル液晶表示装置の製造方法には、特に言及しないのであれば、フレキシブル液晶表示装置について上記で説明された構成要素、原料及びプロセス条件を、単独で又は組み合わせて使用してよい。

【0035】

フレキシブル液晶表示装置の製造方法に係る第一実施形態は、以下の工程：
（Ａ－Ｉ）ＴＦＴ配線層、透明ポリイミド層及びガラス基板の順序で積層された積層構造Ｉを形成する積層工程と、
（Ｂ－Ｉ）積層構造Ｉにおいて、ガラス基板の厚さが１０～７０μｍの範囲内になるように、ガラス基板をエッチングするエッチング工程と、
を含む。

【0036】

第一実施形態では、工程（Ａ－Ｉ）及び（Ｂ－Ｉ）によって、レーザー剥離を用いることなく、プロセスのコスト低減と歩留まり向上を図ると共に、フレキシブル液晶表示装置の曲げ耐性を確保し得る。また、工程（Ａ－Ｉ）前又は工程（Ａ－Ｉ）中、７０μｍを超える厚さ（例えば、厚さ３００μｍ超）のガラス基板をＴＦＴ配線層のために用意しておいて、工程（Ｂ－Ｉ）では、化学的エッチングによりガラス基板の厚さを１０～７０μｍの範囲内に調整するため、ガラス基板の強度とフレキシブル液晶表示装置の機械強度を向上させることができる。このような観点から、工程（Ｂ－Ｉ）ではガラス基板の厚さを１０～５０μｍの範囲内に調整することが好ましく、１０～２４μｍの範囲内に調整することがより好ましく、１０～２０μｍの範囲内に調整することが更に好ましい。

【0037】

図２及び図３を参照して、工程（Ａ－Ｉ）及び（Ｂ－Ｉ）を説明する。図２は、工程（Ｂ－Ｉ）より前に、例えば工程（Ａ－Ｉ）中に、ＴＦＴ配線層（３００）、透明ポリイミド層（２００）及び厚さ３００μｍ超のガラス基板（１００）を用いて形成された積層構造Ｉの模式断面図である。厚さ３００μｍ超のガラス基板（１００）上の透明ポリイミド層（２００）の形成は、例えば、窒素雰囲気下、ポリイミド前駆体樹脂組成物の塗布又は噴霧（その後、加熱してポリイミド化）、及びガラス基板（１００）と透明ポリイミド層（２００）の接着などにより行われることができる。また、透明ポリイミド層（２００）上のＴＦＴ配線層（３００）の形成は、金属（例えばＡｌなど）スパッタリング、リソグラフィ・パターニング、化学蒸着などにより行われることができる。

【0038】

図３は、例えば工程（Ｂ－Ｉ）中又は工程（Ｂ－Ｉ）後、ガラス基板（１００）の厚さが１０～７０μｍの範囲内になるまでエッチングされた積層構造Ｉの模式断面図である。エッチングは、厚さ１０μｍ以上のガラス基板（１００）を残すという観点から、化学的エッチングが好ましく、フッ化水素酸溶液によるエッチングがより好ましい。また、プロセスコストの低減と曲げ耐性の両立という観点から、エッチング液は、平均粒径８０ｎｍ以下のシリカ粒子を含まないことが好ましい。工程（Ｂ－Ｉ）では、積層構造ＩのＴＦＴ配線層（３００）と透明ポリイミド層（２００）とを例えばシール材などでマスキングして、露出したガラス基板（１００）をエッチングすることが好ましい。

【0039】

フレキシブル液晶表示装置の製造方法に係る第二実施形態は、以下の工程：
（Ａ－ＩＩ）カラーフィルター層、透明ポリイミド層及びガラス基板の順序で積層された積層構造ＩＩを形成する積層工程と、
（Ｂ－ＩＩ）積層構造ＩＩにおいて、ガラス基板の厚さが１０～７０μｍの範囲内になるように、ガラス基板をエッチングするエッチング工程と
を含む。

【0040】

第二実施形態では、工程（Ａ－ＩＩ）及び（Ｂ－ＩＩ）によって、レーザー剥離を用いることなく、プロセスコストの低減を図ると共に、フレキシブル液晶表示装置の曲げ耐性を確保し得る。また、工程（Ａ－ＩＩ）前又は工程（Ａ－ＩＩ）中、７０μｍを超える厚さ（例えば、厚さ３００μｍ超）のガラス基板をカラーフィルター層のために用意しておいて、工程（Ｂ－ＩＩ）では、化学的エッチングによりガラス基板の厚さを１０～７０μｍの範囲内に調整するため、ガラス基板の強度とフレキシブル液晶表示装置の機械強度を向上させることができる。このような観点から、工程（Ｂ－ＩＩ）ではガラス基板の厚さを１０～５０μｍの範囲内に調整することが好ましく、１０～２４μｍの範囲内に調整することがより好ましく、１０～２０μｍの範囲内に調整することが更に好ましい。

【0041】

図４及び図５を参照して、工程（Ａ－ＩＩ）及び（Ｂ－ＩＩ）を説明する。図４は、工程（Ｂ－ＩＩ）より前に、例えば工程（Ａ－ＩＩ）中に、カラーフィルター層（８００）、透明ポリイミド層（９００）及び厚さ３００μｍ超のガラス基板（１０００）を用いて形成された積層構造ＩＩの模式断面図である。厚さ３００μｍ超のガラス基板（１０００）上の透明ポリイミド層（９００）の形成は、例えば、窒素雰囲気下、ポリイミド前駆体樹脂組成物の塗布又は噴霧（その後、加熱してポリイミド化）、及びガラス基板（１０００）と透明ポリイミド層（９００）の接着などにより行われることができる。また、透明ポリイミド層（９００）上のカラーフィルター層（８００）の形成は、既知のカラーフィルター及びブラックマトリクス製法に従って行われることができる。

【0042】

図５は、例えば工程（Ｂ－ＩＩ）中又は工程（Ｂ－ＩＩ）後、ガラス基板（１０００）の厚さが１０～７０μｍの範囲内になるまでエッチングされた積層構造ＩＩの模式断面図である。エッチングは、厚さ１０μｍ以上のガラス基板（１０００）を残すという観点から、化学的エッチングが好ましく、フッ化水素酸溶液によるエッチングがより好ましい。また、プロセスコストの低減と曲げ耐性の両立という観点から、エッチング液は、平均粒径８０ｎｍ以下のシリカ粒子を含まないことが好ましい。工程（Ｂ－ＩＩ）では、積層構造ＩＩのカラーフィルター層（８００）と透明ポリイミド層（９００）とを例えばシール材などでマスキングして、露出したガラス基板（１０００）をエッチングすることが好ましい。

【0043】

フレキシブル液晶表示装置の製造方法に係る第三実施形態は、液晶表示ユニットを提供し、上記で説明された工程（Ａ－Ｉ）、（Ａ－ＩＩ）、（Ｂ－Ｉ）及び（Ｂ－ＩＩ）の全てを行ない、かつ液晶表示ユニットと積層構造Ｉと積層構造ＩＩとをシール材を介して接合して、積層構造ＩのＴＦＴ配線層と積層構造ＩＩのカラーフィルター層の間に液晶を注入し、液晶層を形成するものである。図６は、第三実施形態に係るフレキシブル液晶表示装置の製造方法のフロー概略図である。
また、上記で説明された工程（Ａ－Ｉ）、（Ｂ－Ｉ）を行い、かつ液晶表示ユニットと積層構造Ｉと積層構造ＩＩとをシール材を介して接合して、積層構造ＩのＴＦＴ配線層（３００）と積層構造ＩＩのカラーフィルター層（８００）の間に液晶を注入し、液晶層（５００）を形成することもできる（図６ａ）。その後、下記工程；
（Ｂ－ＩＩＩ）積層構造Ｉ及び積層構造ＩＩにおいて、ガラス基板の厚さが１０～７０μｍの範囲内になるように、ガラス基板をエッチングするエッチング工程を経て、積層構造Ｉ及び積層構造ＩＩのガラス基板（１００，１０００）をエッチングすることで（図６ｂ）、上記同様のフレキブル液晶表示装置（１）を得ることができる。

【0044】

工程（Ｂ－Ｉ）、（Ｂ－ＩＩ）、及び（Ｂ－ＩＩＩ）におけるガラス基板を薄膜化する方法としては、化学的エッチングと物理的研磨があるが、研磨の場合にはマイクロスクラッチが発生する可能性があり、光学補償の観点から、化学的エッチングの方が好ましい。

【0045】

第一、第二及び第三実施形態に係る製造方法によって、図１に示されるフレキシブル液晶表示装置（１）を得ることができる。

【実施例0046】

（透明ポリイミド前駆体の合成）
＜合成例１＞
撹拌棒付き３Ｌセパラブルフラスコに、窒素ガスを導入しながらＮ－メチルピロリドン（ＮＭＰ）２３３ｇを加え、ジアミンとしてＴＦＭＢ（２，２’－ビス（トリフルオロメチル）ベンジジン）３１．１ｇ、ケイ素含有化合物としてＸ－２２－１６６０Ｂ－３（両末端アミン変性メチルフェニルシリコーンオイル、数平均分子量４４００、信越化学社製）１３．２０ｇを撹拌しながら加え、続いて酸二無水物としてＢＰＡＦ（９，９－ビス（３，４－ジカルボキシフェニル）フルオレン二酸無水物）２２．９ｇ、ＰＭＤＡ（ピロメリット酸二無水物）１０．９ｇを加えた。ここでは、酸二無水物：ジアミンのモル比は、１００：９９であった。次に、オイルバスを用いてフラスコを８０℃に昇温し、３時間撹拌した後、オイルバスを外して室温に戻し、透明なポリアミド酸のＮＭＰ溶液（以下、ワニスＡとも記す）を得た。得られたワニスは冷凍庫で保管し、評価をする際は解凍して使用した。

【0047】

＜合成例２＞
撹拌棒付き３Ｌセパラブルフラスコに、窒素ガスを導入しながらＮＭＰ（４０５ｇ）を加え、ジアミンとしてＴＦＭＢ（１２．６ｇ）、ＢＡＦＬ（１，４－ビス（３－アミノプロピルジメチルシリル）ベンゼン、９，９－ビス（４－アミノフェニル）フルオレン）２０．５ｇを撹拌しながら加え、続いて酸二無水物としてＣｐＯＤＡ（ルボルナン－２－スピロ－２’－シクロペンタノン－５’－スピロ－２’’－ノルボルナン－５，５’’，６，６’’－テトラカルボン酸二無水物）３８．４ｇを加えた。ここでは、酸二無水物：ジアミンのモル比は、１００：９８であった。次に、オイルバスを用いてフラスコを８０℃に昇温し、３時間撹拌した後、オイルバスを外して室温に戻し、透明なポリアミド酸のＮＭＰ溶液（以下、ワニスＢとも記す）を得た。得られたワニスは冷凍庫で保管し、評価をする際は解凍して使用した。

【0048】

（試験サンプルの作製）
＜実施例１＞
縦３００ｍｍ×横３５０ｍｍ×厚さ０．７ｍｍの無アルカリガラス基板（以下、「ガラス基板」又は単に「基板」ともいう）に、ガラス基板の端から５ｍｍ内側のエリアに、合成例１のポリイミド前駆体組成物（ワニスＡ）を、イミド化後の膜厚が１０μｍになるように塗布した。塗布にはスリットコーター（ＬＣ－Ｒ３００Ｇ、ＳＣＲＥＥＮファインテックソリューションズ製）を用いた。得られた塗膜付きガラス基板から、減圧乾燥機（東京応化工業製）で８０℃、１００Ｐａ及び３０分間の条件下で溶媒を除去した。得られたポリイミド前駆体組成物の塗膜を有するガラス基板を、オーブン（ＩＮＨ－９Ｎ１ 光洋サーモシステム株式会社製）を用いて、窒素雰囲気下（酸素濃度３００ｐｐｍ以下）、４００℃で１時間加熱して、ガラス基板上にポリイミド層を形成し、ポリイミド層が透明なことを目視で確認した。

【0049】

次に、ポリイミド層が形成されたガラス基板全体に、アルミニウムを１００ｎｍの厚さでスパッタリング法により成膜し、その後、フォトリソグラフィ法によりパターニングを行い、アルミニウムパターンを形成した。続いて、基板全体に、ＣＶＤ法によりＳｉＮ層を厚さ２００ｎｍで成膜した。

【0050】

その後、基板のＳｉＮ層が形成された方の表面及び基板側面に、アクリル系のシール材を塗布した。

【0051】

ガラス基板をエッチングするため、シール材が塗布された基板を濃度５０ｗｔ％の高純度フッ化水素酸（ステラケミファ株式会社製）のエッチング漕に浸漬し、ガラス基板の膜厚が７０μｍになるまでエッチングを行い、超純水で洗浄を行った。ガラス基板の厚さは、基板を割断し、エポキシで包埋後、断面を光学顕微鏡で観察することにより評価した。

【0052】

その後、エッチングされたサンプルをアルカリ剥離液（ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム））に浸漬することでシール材を除去し、評価サンプルを得た。

【0053】

＜実施例２～４、比較例１，２＞
エッチング条件を調整することで、表１に記載のガラス基板の厚さにすること以外は、実施例１と同様にしてサンプルを作製した。

【0054】

＜実施例５～７、比較例４，５＞
用いるワニスをワニスＢに変更し、かつ表１に記載のガラス基板の厚さにすること以外は、実施例１と同様にしてサンプルを作製した。

【0055】

＜比較例３＞
実施例１において、ガラス基板のエッチング行う前のサンプルを用いて、ポリイミドが形成されたガラス基板のガラス基板の方から、エキシマレーザー（波長３０８ｎｍ）を照射し、ガラス基板からポリイミドを剥離した（ガラス基板なし）。

【0056】

＜比較例６＞
縦３００ｍｍ×横３５０ｍｍ×厚さ０．７ｍｍの無アルカリガラス基板（以下、「ガラス基板」又は単に「基板」ともいう）に、アルミニウムを１００ｎｍの厚さでスパッタリング法により成膜し、その後、フォトリソグラフィ法によりパターニングを行い、アルミニウムパターンを形成した。続いて、基板全体に、ＣＶＤ法によりＳｉＮ層を厚さ２００ｎｍで成膜し、ＰＩフィルム無しの基板を作製した。

【0057】

その後、基板のＳｉＮ層が形成された方の表面及び基板側面に、アクリル系のシール材を塗布して積層体を得た。

【0058】

ガラス基板の薄膜化をエッチングに替えて研磨することにより行った。具体的には、前記積層体のシール材を塗布した側を研磨装置の研磨用ヘッドに固定し、研磨用ヘッドを回転するとともに、研磨パッドも回転することにより、研磨を行なった。研磨スラリーとして平均粒径８０ｎｍ以下のコロイダルシリカを用いて、１００ｇ／ｃｍ^２の圧力で研磨を行った。その後、上記の研磨パッドとスラリーを仕上げ用の研磨パッドとスラリーに変更して仕上げ研磨を行い、ガラス基板の厚さが２４μｍになるまでエッチングを行い、超純水で洗浄を行った。ガラス基板の厚さは、基板を割断し、エポキシで包埋した後、基板の断面を光学顕微鏡で観察することにより評価した。

【0059】

その後、積層体をアルカリ剥離液（ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム））に浸漬することでシール材を除去し、評価サンプルを得た。

【0060】

（アルミ表面光学顕微鏡観察）
実施例及び比較例で得られた基板のアルミ表面を、光学顕微鏡で観察した（以下「ＯＭ観察」ともいう）。観察結果を下記基準で評価した。
Ａ（可）： アルミ表面に侵食が観察されない。
Ｂ（不可）： アルミ表面に侵食が観察される。

【0061】

侵食が観察されたのは、ガラス基板の厚さが５μｍ以下のサンプルであった。これは、ガラス基板に薄い箇所があり、そこでは、ポリイミドがフッ酸（ＨＦ）で侵食され、その後アルミニウムが侵食されたためと考えられる。

【0062】

（折り曲げ耐性評価）
実施例及び比較例で得られた基板の折り曲げ評価を行った。具体的には、基板にクラックが発生しない、最小の曲率半径の評価を行った。曲率半径を測定することで、折り曲げ耐性評価を下記基準で行った。
Ａ（優）： 曲率半径が３０ｍｍ以下
Ｂ（良）： 曲率半径が３０ｍｍ超４０ｍｍ以下
Ｃ（可）： 曲率半径が４０ｍｍ超５０ｍｍ以下
Ｄ（不可）： 曲率半径が５０ｍｍ超

【0063】

曲率半径が大きいのは、ガラス基板の厚さが１０μｍ以下のサンプルであった。これは、ガラス基板が厚いため、ガラスが割れたためと考えられる。
また、実施例７と比較例６の対比から、ガラス基板の厚さが同じ場合でも、ガラス基板のみでは折り曲げ耐性が無いが、ガラス基板とＰＩフィルムの複合材は、十分な折り曲げ耐性が確認された。

【0064】

（カール評価）
実施例及び比較例で得られた基板のカール評価を行った。具体的には、得られたサンプルを一昼夜２３℃、５０Ｒｈ％の恒温室に静置保存した。その後、平滑なガラス板の上にガラス基板側が下になるよう更に３０分間で静置した。サンプルがガラス板から浮いている箇所の最大量をカール量として測定し、以下の基準で評価を行った。
Ａ（可）： カール量が１５ｍｍ以下
Ｂ（不可）： カール量が１５ｍｍを超える、または筒状である

【0065】

カール量が大きいのは、ガラス基板の厚さが５μｍ以下のサンプル、又はガラス基板無しのサンプルであった。ポリイミドと無機膜の吸水による伸びの違い等により、カールが発生したと思われる。

【0066】

ポリイミド前駆体のワニス種類、ガラス基板の厚さ、各種の評価結果について、下記表１に示す。

【0067】

【表1】

【0068】

（フレキシブル液晶表示装置の製造）
上記実施例７（ガラス基板の厚さ：２４μｍ）のサンプルを用いて、ＳｉＮ膜上に１００ｎｍのＰｏｌｙ－Ｓｉ層をＣＶＤで形成した後、３８０℃でアニール処理を行った。さらに、ＴＦＴ配線層の上に配向膜を形成した。続いて、液晶セルの境界にアクリル系のシール材を形成し、シール材で囲まれた領域に液晶を滴下することで、ＴＦＴ基板を作製した。

【0069】

他方、別のガラス基板（厚さ：７００μｍ）上に上記実施例と同様にポリイミド層を形成した後、ポリイミド層表面にブラックマトリクス及びカラーフィルターを形成した。その後、カラーフィルター上に配向膜を形成した。続いて、配向膜上に実施例７と同様にして、ガラス基板が厚さ２４μｍになるようにエッチングを行うことで、カラーフィルター基板を作製した。

【0070】

シール材を介して、上記ＴＦＴ基板とカラーフィルター基板を接着し、フレキシブル液晶表示装置を製造した。なお、このフレキシブル液晶表示装置は、厚さ２４μｍのガラス基板とポリイミド層を基板とするＴＦＴ基板と、厚さ２４μｍのガラス基板とポリイミド層を基板とするカラーフィルター基板を備え、機械強度と曲げ耐性とカール性に優れる。

【符号の説明】

【0071】

１ フレキシブル液晶表示装置
１００ ガラス基板（ＴＦＴ配線層基板）
２００ 透明ポリイミド層（ＴＦＴ配線層基板）
３００ ＴＦＴ配線層
４００ 配向膜
５００ 液晶層
６００ シール材
７００ 配向膜
８００ カラーフィルター層
９００ 透明ポリイミド層（カラーフィルター層基板）
１０００ ガラス基板（カラーフィルター層基板）

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【手続補正書】

【提出日】2024-12-25

【手続補正1】

【補正対象書類名】特許請求の範囲

【補正対象項目名】全文

【補正方法】変更

【補正の内容】

【請求項1】

薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）配線層、液晶層、カラーフィルター層、透明ポリイミド層及びガラス基板を含むフレキシブル液晶表示装置であって、
前記フレキシブル液晶表示装置が、前記ＴＦＴ配線層、前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板の順序で積層された積層構造を有し、かつ
前記ガラス基板の厚さが、１０～７０μｍであるフレキシブル液晶表示装置。

【請求項2】

薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）配線層、液晶層、カラーフィルター層、透明ポリイミド層及びガラス基板を含むフレキシブル液晶表示装置であって、
前記フレキシブル液晶表示装置が、前記ＴＦＴ配線層、前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板の順序で積層された積層構造を有し、かつ
前記ガラス基板の化学的エッチング後の厚さが、１０～７０μｍであるフレキシブル液晶表示装置。

【請求項3】

前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板は、前記ＴＦＴ配線層の支持体である、請求項１又は２に記載のフレキシブル液晶表示装置。

【請求項4】

薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）配線層、液晶層、カラーフィルター層、透明ポリイミド層及びガラス基板を含むフレキシブル液晶表示装置であって、
前記フレキシブル液晶表示装置が、前記カラーフィルター層、前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板の順序で積層された積層構造を有し、かつ
前記ガラス基板の厚さが、１０～７０μｍであるフレキシブル液晶表示装置。

【請求項5】

薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）配線層、液晶層、カラーフィルター層、透明ポリイミド層及びガラス基板を含むフレキシブル液晶表示装置であって、
前記フレキシブル液晶表示装置が、前記カラーフィルター層、前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板の順序で積層された積層構造を有し、かつ
前記ガラス基板の化学的エッチング後の厚さが、１０～７０μｍであるフレキシブル液晶表示装置。

【請求項6】

薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）配線層、液晶層、カラーフィルター層、透明ポリイミド層及びガラス基板を含むフレキシブル液晶表示装置であって、
前記フレキシブル液晶表示装置が、前記ＴＦＴ配線層、前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板の順序で積層された積層構造Ｉを有し、かつ
前記フレキシブル液晶表示装置が、前記カラーフィルター層、前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板の順序で積層された積層構造ＩＩを有し、かつ
前記ガラス基板の厚さが、１０～７０μｍであるフレキシブル液晶表示装置。

【請求項7】

薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）配線層、液晶層、カラーフィルター層、透明ポリイミド層及びガラス基板を含むフレキシブル液晶表示装置であって、
前記フレキシブル液晶表示装置が、前記ＴＦＴ配線層、前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板の順序で積層された積層構造Ｉを有し、かつ
前記フレキシブル液晶表示装置が、前記カラーフィルター層、前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板の順序で積層された積層構造ＩＩを有し、かつ
前記ガラス基板の化学的エッチング後の厚さが、１０～７０μｍであるフレキシブル液晶表示装置。

【請求項8】

前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板は、前記カラーフィルター層の支持体である、請求項４～７のいずれか一項に記載のフレキシブル液晶表示装置。

【請求項9】

前記透明ポリイミド層の可視光領域４００ｎｍ～７５０ｎｍにおける光線透過率が７０％以上（１０μｍ厚換算）である、請求項１～８のいずれか一項に記載のフレキシブル液晶表示装置。

【請求項10】

前記透明ポリイミド層に含まれるポリイミドが、ジアミンに由来する構成単位を有し、かつ前記ジアミンが、ジアミノジフェニルスルホン、４，４’－ジアミノジフェニルスルフィド、３，４’－ジアミノジフェニルスルフィド、３，３’－ジアミノジフェニルスルフィド、４，４’－ジアミノビフェニル、３，４’－ジアミノビフェニル、３，３’－ジアミノビフェニル、４，４’－ジアミノベンゾフェノン、３，４’－ジアミノベンゾフェノン、３，３’－ジアミノベンゾフェノン、４，４’－ジアミノジフェニルメタン、３，４’－ジアミノジフェニルメタン、３，３’－ジアミノジフェニルメタン、１，４－ビス（４－アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３－ビス（４－アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３－ビス（３－アミノフェノキシ）ベンゼン、ビス〔４－（４－アミノフェノキシ）フェニル〕スルホン、４，４－ビス（４－アミノフェノキシ）ビフェニル、４，４－ビス（３－アミノフェノキシ）ビフェニル、ビス〔４－（４－アミノフェノキシ）フェニル〕エーテル、ビス〔４－（３－アミノフェノキシ）フェニル〕エーテル、１，４－ビス（４－アミノフェニル）ベンゼン、１，３－ビス（４－アミノフェニル）ベンゼン、９，１０－ビス（４－アミノフェニル）アントラセン、２，２－ビス（４－アミノフェニル）プロパン、２，２－ビス（４－アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２－ビス〔４－（４－アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン、２，２－ビス〔４－（４－アミノフェノキシ）フェニル〕ヘキサフルオロプロパン、１，４－ビス（３－アミノプロピルジメチルシリル）ベンゼン、及び９，９－ビス(４－アミノフェニル)フルオレン（ＢＡＦＬ）から成る群から選択される少なくとも一つである、請求項１～９のいずれか一項に記載のフレキシブル液晶表示装置。

【請求項11】

前記透明ポリイミド層に含まれるポリイミドが、ジアミンに由来する構成単位を有し、かつ前記ジアミンが、ジアミノジフェニルスルホン、３，４’－ジアミノジフェニルスルフィド、３，３’－ジアミノジフェニルスルフィド、３，４’－ジアミノビフェニル、３，３’－ジアミノビフェニル、４，４’－ジアミノベンゾフェノン、３，４’－ジアミノベンゾフェノン、３，３’－ジアミノベンゾフェノン、３，４’－ジアミノジフェニルメタン、３，３’－ジアミノジフェニルメタン、１，４－ビス（４－アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３－ビス（４－アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３－ビス（３－アミノフェノキシ）ベンゼン、ビス〔４－（４－アミノフェノキシ）フェニル〕スルホン、４，４－ビス（３－アミノフェノキシ）ビフェニル、ビス〔４－（４－アミノフェノキシ）フェニル〕エーテル、ビス〔４－（３－アミノフェノキシ）フェニル〕エーテル、１，４－ビス（４－アミノフェニル）ベンゼン、１，３－ビス（４－アミノフェニル）ベンゼン、９，１０－ビス（４－アミノフェニル）アントラセン、２，２－ビス〔４－（４－アミノフェノキシ）フェニル〕ヘキサフルオロプロパン、及び１，４－ビス（３－アミノプロピルジメチルシリル）ベンゼンから成る群から選択される少なくとも一つである、請求項１０に記載のフレキシブル液晶表示装置。

【請求項12】

前記透明ポリイミド層に含まれるポリイミドが、酸無水物に由来する構成単位を有し、かつ前記酸無水物が、３，３’，４，４’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）、４，４’－オキシジフタル酸二無水物（ＯＤＰＡ）、ノルボルナン－２－スピロ－２’－シクロペンタノン－５’－スピロ－２’’－ノルボルナン－５，５’’，６，６’’－テトラカルボン酸二無水物（ＣｐＯＤＡ）、２，２’，３，３’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４，４’－（ヘキサフルオロイソプロピリデン）ジフタル酸無水物（６ＦＤＡ）、５－（２，５－ジオキソテトラヒドロ－３－フラニル）－３－メチル－シクロヘキセン－１，２－ジカルボン酸無水物、１，２，３，４－ベンゼンテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’－ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、メチレン－４，４’－ジフタル酸二無水物、１，１－エチリデン－４，４’－ジフタル酸二無水物、２，２－プロピリデン－４，４’－ジフタル酸二無水物、１，２－エチレン－４，４’－ジフタル酸二無水物、１，３－トリメチレン－４，４’－ジフタル酸二無水物、１，４－テトラメチレン－４，４’－ジフタル酸二無水物、１，５－ペンタメチレン－４，４’－ジフタル酸二無水物、４，４’－オキシジフタル酸二無水物、ｐ－フェニレンビス（トリメリテート無水物）、チオ－４，４’－ジフタル酸二無水物、スルホニル－４，４’－ジフタル酸二無水物、１，３－ビス（３，４－ジカルボキシフェニル）ベンゼン二無水物、１，３－ビス（３，４－ジカルボキシフェノキシ）ベンゼン二無水物、１，４－ビス（３，４－ジカルボキシフェノキシ）ベンゼン二無水物、１，３－ビス［２－（３，４－ジカルボキシフェニル）－２－プロピル］ベンゼン二無水物、１，４－ビス［２－（３，４－ジカルボキシフェニル）－２－プロピル］ベンゼン二無水物、ビス［３－（３，４－ジカルボキシフェノキシ）フェニル］メタン二無水物、ビス［４－（３，４－ジカルボキシフェノキシ）フェニル］メタン二無水物、２，２－ビス［３－（３，４－ジカルボキシフェノキシ）フェニル］プロパン二無水物、ビス（３，４－ジカルボキシフェノキシ）ジメチルシラン二無水物、１，３－ビス（３，４－ジカルボキシフェニル）－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン二無水物、３，４，９，１０－ペリレンテトラカルボン酸二無水物、２，３，６，７－アントラセンテトラカルボン酸二無水物、１，２，７，８－フェナントレンテトラカルボン酸二無水物、及びビシクロヘキシル－３，３’，９，９－ビス（３，４－ジカルボキシフェニル）フルオレン二酸無水物（ＢＰＡＦ）から成る群から選択される少なくとも一つである、請求項１～１１のいずれか一項に記載のフレキシブル液晶表示装置。

【請求項13】

前記透明ポリイミド層に含まれるポリイミドが、酸無水物に由来する構成単位を有し、かつ前記酸無水物が、ノルボルナン－２－スピロ－２’－シクロペンタノン－５’－スピロ－２’’－ノルボルナン－５，５’’，６，６’’－テトラカルボン酸二無水物（ＣｐＯＤＡ）、５－（２，５－ジオキソテトラヒドロ－３－フラニル）－３－メチル－シクロヘキセン－１，２－ジカルボン酸無水物、１，２，３，４－ベンゼンテトラカルボン酸二無水物、メチレン－４，４’－ジフタル酸二無水物、１，１－エチリデン－４，４’－ジフタル酸二無水物、２，２－プロピリデン－４，４’－ジフタル酸二無水物、１，２－エチレン－４，４’－ジフタル酸二無水物、１，３－トリメチレン－４，４’－ジフタル酸二無水物、１，４－テトラメチレン－４，４’－ジフタル酸二無水物、１，５－ペンタメチレン－４，４’－ジフタル酸二無水物、ｐ－フェニレンビス（トリメリテート無水物）、チオ－４，４’－ジフタル酸二無水物、１，３－ビス（３，４－ジカルボキシフェニル）ベンゼン二無水物、１，３－ビス（３，４－ジカルボキシフェノキシ）ベンゼン二無水物、１，４－ビス（３，４－ジカルボキシフェノキシ）ベンゼン二無水物、１，３－ビス［２－（３，４－ジカルボキシフェニル）－２－プロピル］ベンゼン二無水物、１，４－ビス［２－（３，４－ジカルボキシフェニル）－２－プロピル］ベンゼン二無水物、ビス［３－（３，４－ジカルボキシフェノキシ）フェニル］メタン二無水物、ビス［４－（３，４－ジカルボキシフェノキシ）フェニル］メタン二無水物、２，２－ビス［３－（３，４－ジカルボキシフェノキシ）フェニル］プロパン二無水物、ビス（３，４－ジカルボキシフェノキシ）ジメチルシラン二無水物、１，３－ビス（３，４－ジカルボキシフェニル）－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン二無水物、３，４，９，１０－ペリレンテトラカルボン酸二無水物、２，３，６，７－アントラセンテトラカルボン酸二無水物、及び１，２，７，８－フェナントレンテトラカルボン酸二無水物から成る群から選択される少なくとも一つである、請求項１２に記載のフレキシブル液晶表示装置。

【請求項14】

前記透明ポリイミド層に含まれるポリイミドが、下記一般式（１）：

【化1】

｛式中、Ｒ _１ は、複数ある場合にはそれぞれ独立に、炭素数１～５の１価の脂肪族炭化水素基又は炭素数６～１０の１価の芳香族基を示し、Ｒ _２ は、複数ある場合にはそれぞれ独立に、炭素数１～５の１価の脂肪族炭化水素基又は炭素数６～１０の１価の芳香族基を示し、そしてｍは、１～ ２００の整数を示す｝
で表される構造単位を含む、請求項１～１３のいずれか一項に記載のフレキシブル液晶表示装置。

【請求項15】

前記ＴＦＴ配線層と前記カラーフィルター層の間に、前記液晶層がある、請求項１～１４のいずれか一項に記載のフレキシブル液晶表示装置。

【請求項16】

薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）配線層、液晶層、カラーフィルター層、透明ポリイミド層及びガラス基板を含むフレキシブル液晶表示装置の製造方法であって、以下の工程：
前記ＴＦＴ配線層、前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板の順序で積層された積層構造を形成する積層工程と、
前記積層構造において前記ガラス基板の厚さが１０～７０μｍの範囲内になるように前記ガラス基板をエッチングするエッチング工程と
を含む、フレキシブル液晶表示装置の製造方法。

【請求項17】

前記エッチング工程が、フッ化水素酸溶液により行われる、請求項１６に記載のフレキシブル液晶表示装置の製造方法。

【請求項18】

前記エッチング工程では、前記ガラス基板の厚さを１０～５０μｍの範囲内に調整する、請求項１６又は１７に記載のフレキシブル液晶表示装置の製造方法。

【請求項19】

前記エッチング工程では、前記ＴＦＴ配線層と前記透明ポリイミド層とをマスキングする、請求項１６～１８のいずれか一項に記載のフレキシブル液晶表示装置の製造方法。

【請求項20】

薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）配線層、液晶層、カラーフィルター層、透明ポリイミド層及びガラス基板を含むフレキシブル液晶表示装置の製造方法であって、以下の工程：
前記カラーフィルター層、前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板の順序で積層された積層構造を形成する積層工程と、
前記積層構造において前記ガラス基板の厚さが１０～７０μｍの範囲内になるように前記ガラス基板をエッチングするエッチング工程と
を含む、フレキシブル液晶表示装置の製造方法。

【請求項21】

前記エッチング工程では、前記ガラス基板の厚さを１０～５０μｍの範囲内に調整する、請求項２０に記載のフレキシブル液晶表示装置の製造方法。

【請求項22】

前記エッチング工程では、前記カラーフィルター層と前記透明ポリイミド層とをマスキングする、請求項２０又は２１に記載のフレキシブル液晶表示装置の製造方法。

【請求項23】

薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）配線層、液晶層、カラーフィルター層、透明ポリイミド層及びガラス基板を含むフレキシブル液晶表示装置の製造方法であって、以下の工程：
前記ＴＦＴ配線層、前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板の順序で積層された積層構造Ｉを形成する積層工程と、
前記カラーフィルター層、前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板の順序で積層された積層構造ＩＩを形成する積層工程と、
前記ＴＦＴ配線層と前記カラーフィルター層を、シール材を介して接合する工程と、
前記積層構造Ｉ及びＩＩにおいて前記ガラス基板の厚さが１０～７０μｍの範囲内になるように前記ガラス基板をエッチングするエッチング工程と
を含む、フレキシブル液晶表示装置の製造方法。

【請求項24】

前記エッチング工程では、前記ガラス基板の厚さを１０～５０μｍの範囲内に調整する、請求項２３に記載のフレキシブル液晶表示装置の製造方法。