特開 2025-24278 プリント配線板

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2025024278

(43)【公開日】2025-02-20

(54)【発明の名称】プリント配線板

(51)【国際特許分類】

   H05K 1/11 20060101AFI20250213BHJP

   H05K 3/42 20060101ALI20250213BHJP

   H05K 3/40 20060101ALI20250213BHJP

【ＦＩ】

H05K1/11 H

H05K3/42 630

H05K3/40 E

【審査請求】未請求

【請求項の数】16

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023128273

(22)【出願日】2023-08-07

(71)【出願人】

【識別番号】000000158

【氏名又は名称】イビデン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100122622

【弁理士】

【氏名又は名称】森 徳久

(72)【発明者】

【氏名】石田 敦

【テーマコード（参考）】

5E317

【Ｆターム（参考）】

5E317AA24

5E317BB02

5E317BB12

5E317BB30

5E317CC32

5E317CC33

5E317GG14

(57)【要約】

【課題】高い品質を有するプリント配線板の提供。
【解決手段】実施形態のプリント配線板は、第１導体層と、第１面と前記第１面と反対側の第２面と前記第１面から前記第２面に至る開口とを有し、前記第２面が前記第１導体層と対向するように前記第１導体層上に積層されている樹脂絶縁層と、前記樹脂絶縁層の前記第１面上に形成されている第２導体層と、前記開口内に形成されていて、前記第１導体層と前記第２導体層とを接続するビア導体、とを有する。前記樹脂絶縁層は樹脂と無機粒子を含み、前記無機粒子は前記第１面を形成する第１無機粒子と前記樹脂に埋まっている第２無機粒子を含み、前記第１無機粒子は実質的に平坦な露出部分を有し、前記樹脂は前記第１面を形成する上面を有し、前記第１面は前記樹脂の前記上面と前記第１無機粒子の前記露出部分で形成される。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１導体層と、
第１面と前記第１面と反対側の第２面と前記第１面から前記第２面に至る開口とを有し、前記第２面が前記第１導体層と対向するように前記第１導体層上に積層されている樹脂絶縁層と、
前記樹脂絶縁層の前記第１面上に形成されている第２導体層と、
前記開口内に形成されていて、前記第１導体層と前記第２導体層とを接続するビア導体、とを有するプリント配線板であって、
前記樹脂絶縁層は樹脂と無機粒子を含み、前記無機粒子は前記第１面を形成する第１無機粒子と前記樹脂に埋まっている第２無機粒子を含み、前記第１無機粒子は実質的に平坦な露出部分を有し、前記樹脂は前記第１面を形成する上面を有し、前記第１面は前記樹脂の前記上面と前記第１無機粒子の前記露出部分で形成される。

【請求項2】

請求項１のプリント配線板であって、前記第２無機粒子の形状は球であって、前記第１無機粒子は前記第２無機粒子から形成されている。

【請求項3】

請求項２のプリント配線板であって、前記第１無機粒子の体積と前記第１無機粒子から想定される球の体積との比（第１無機粒子の体積／第１無機粒子から想定される球の体積）は０．６以上である。

【請求項4】

請求項３のプリント配線板であって、前記比は０．８以上である。

【請求項5】

請求項１のプリント配線板であって、前記上面は実質的に平坦である。

【請求項6】

請求項５のプリント配線板であって、前記上面の算術平均粗さ（Ｒａ）は０．０８μｍ未満である。

【請求項7】

請求項１のプリント配線板であって、前記上面と前記露出部分との間に段差が形成されている。

【請求項8】

請求項１のプリント配線板であって、前記無機粒子は前記開口の内壁面を形成する第３無機粒子をさらに含み、前記内壁面は前記第３無機粒子と前記樹脂によって形成されており、前記第３無機粒子は平坦部を有し、前記平坦部が前記内壁面を形成する。

【請求項9】

請求項８のプリント配線板であって、前記平坦部と前記内壁面を形成する前記樹脂の面は、ほぼ共通な面を形成する。

【請求項10】

請求項８のプリント配線板であって、前記第２無機粒子の形は球であり、前記第３無機粒子の形状は前記第２無機粒子を平面で切断することで得られる。

【請求項11】

請求項８のプリント配線板であって、前記開口を形成することは、前記開口の前記内壁面を形成する前記樹脂から突出する突出部分を有する前記無機粒子を形成することを含み、前記第３無機粒子は前記無機粒子の前記突出部分を除去することで形成される。

【請求項12】

請求項８のプリント配線板であって、前記開口を形成することは、前記第２無機粒子から突出部分を有する前記無機粒子を形成することを含み、前記開口の前記内壁面は前記突出部分を除去することで形成される前記第３無機粒子の露出面を含む。

【請求項13】

請求項８のプリント配線板であって、前記無機粒子は酸素元素を含む。

【請求項14】

請求項１のプリント配線板であって、前記第２導体層は第１層と前記第１層上の第２層とからなるシード層と前記シード層上の電解めっき層で形成されていて、前記第１層と前記第２層はスパッタリング製膜であって、前記第１層は銅とアルミニウムを含有する合金からなり、前記第２層は銅で形成されている。

【請求項15】

請求項１４のプリント配線板であって、前記合金はさらにケイ素を含む。

【請求項16】

請求項１のプリント配線板であって、さらに、前記第２導体層上に形成されている接着層を有する。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本明細書によって開示される技術は、プリント配線板に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１は、第１導体層と、第１導体層上に形成されている絶縁層と、絶縁層上に形成されている第２導体層とを有するプリント配線板を開示している。絶縁層は第１導体層を露出するビア導体用の貫通孔を有する。貫通孔内に第１導体層と第２導体層を接続するビア導体が形成されている。ビア導体は無電解めっき層および電解めっき層で形成されている。絶縁層は樹脂と無機粒子を含む。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１５－１２６１０３号公報

【発明の概要】

【0004】

［特許文献１の課題］
特許文献１の図１７に示されるように、特許文献１は貫通孔の壁面（内周面）上に中間層を有する。中間層は、無機粒子間に形成されている隙間により、複雑な凹凸面を有する。中間層に含まれる無機粒子は絶縁層に含まれる無機粒子と同じである。特許文献１の図１８に示されるように、特許文献１は、貫通孔内に無電解めっき膜を形成する。無電解めっき膜は中間層に形成されている凹凸に追従している。もしくは、中間層に形成されている隙間が無電解めっき膜で充填される。しかしながら、凹凸が複雑であると、隙間を無電解めっき膜で完全に充填することは難しいと考えられる。無電解めっき膜が析出する時、反応により発生するガスが隙間を充填することを阻害すると考えらえる。隙間が無電解めっき膜で完全に充填されないと、貫通孔の壁面と無電解めっき膜との間にボイドが発生すると考えられる。熱でボイドが膨張すると、無電解めっき膜が貫通孔の壁面から剥がれると考えられる。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本発明のプリント配線板は、第１導体層と、第１面と前記第１面と反対側の第２面と前記第１面から前記第２面に至る開口とを有し、前記第２面が前記第１導体層と対向するように前記第１導体層上に積層されている樹脂絶縁層と、前記樹脂絶縁層の前記第１面上に形成されている第２導体層と、前記開口内に形成されていて、前記第１導体層と前記第２導体層とを接続するビア導体、とを有する。前記樹脂絶縁層は樹脂と無機粒子を含み、前記無機粒子は前記第１面を形成する第１無機粒子と前記樹脂に埋まっている第２無機粒子を含み、前記第１無機粒子は実質的に平坦な露出部分を有し、前記樹脂は前記第１面を形成する上面を有し、前記第１面は前記樹脂の前記上面と前記第１無機粒子の前記露出部分で形成される。

【0006】

本発明の実施形態のプリント配線板では、樹脂絶縁層の第１面に凹部がほぼ形成されない。そのため、樹脂絶縁層上にスパッタリングによってシード層が形成される場合、スパッタリング製膜の厚みが薄くても実施形態は連続するシード層を形成することができる。その結果、シード層が除去される時、実施形態はエッチング量を少なくすることができる。実施形態は微細な信号配線を形成することができる。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】実施形態のプリント配線板を模式的に示す断面図。

【図2】実施形態のプリント配線板の一部を模式的に示す拡大断面図。

【図3】実施形態のプリント配線板の一部を模式的に示す拡大断面図。

【図4】実施形態のプリント配線板の一部を模式的に示す拡大断面図。

【図5A】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図5B】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図5C】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図5D】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す拡大断面図。

【図5E】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す拡大断面図。

【図5F】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図6】実施形態の改変例を模式的に示す断面図。

【発明を実施するための形態】

【0008】

［実施形態］
図１は実施形態のプリント配線板２を示す断面図である。図２と図３は実施形態のプリント配線板２の一部を示す拡大断面図である。図１に示されるように、プリント配線板２は、絶縁層４と導体層（第１導体層）１０と樹脂絶縁層（第１樹脂絶縁層）２０と導体層（第２導体層）３０とビア導体４０と樹脂絶縁層（第２樹脂絶縁層）１２０と導体層（第３導体層）１３０とビア導体１４０を有する。

【0009】

絶縁層４は樹脂を用いて形成される。絶縁層４はシリカ等の無機粒子を含んでもよい。絶縁層４は、ガラスクロス等の補強材を含んでもよい。絶縁層４は、第３面６と第３面６と反対側の第４面８を有する。

【0010】

第１導体層１０は絶縁層４の第３面６上に形成されている。第１導体層１０は信号配線１２とパッド１４を含む。図に示されていないが、第１導体層１０は信号配線１２とパッド１４以外の導体回路も含んでいる。第１導体層１０は主に銅によって形成される。第１導体層１０は、絶縁層４上のシード層１０ａとシード層１０ａ上の電解めっき層１０ｂで形成されている。シード層１０ａの厚みは０．５μｍ未満である。シード層１０ａは第３面６上の第１層１１ａと第１層１１ａ上の第２層１１ｂで形成されている。第１層１１ａは絶縁層４に接している。第１層１１ａの厚みと第２層１１ｂの厚みとの比（第１層の厚み／第２層の厚み）は０．２５以上、０．７以下である。第２層１１ｂの厚みは第１層１１ａの厚みより厚いことが好ましい。

【0011】

第１層１１ａは銅と銅以外の金属を含む合金（銅合金）で形成されている。例えば、第１層１１ａは銅とアルミニウムを含む合金で形成される。第１層１１ａは銅とアルミニウムと特定金属を含む合金で形成される。特定金属の例は、ニッケル、亜鉛、ガリウム、ケイ素、マグネシウムである。合金は１種類の特定金属、または、２種類の特定金属、または、３種類の特定金属を含むことが好ましい。特定金属の例はケイ素である。合金中のアルミニウムの含有量は１．０ａｔ％以上１５．０ａｔ％以下である。合金が特定金属を含む場合、合金中の特定金属の含有量は０．５ａｔ％以上１０．０ａｔ％以下である。第１層１１ａは不純物を含んでも良い。不純物の例は酸素と炭素である。第１層１１ａは酸素、または、炭素を含むことができる。第１層１１ａは酸素と炭素を含むことができる。実施形態では、合金はさらに炭素を含有している。合金中の炭素の含有量は５０ｐｐｍ以下である。合金はさらに酸素を含有している。合金中の酸素の含有量は１００ｐｐｍ以下である。上記各元素の含有量の値は一例である。第１層１１ａを形成する元素の中で銅の量が最も大きい。次いで、アルミニウムの量が大きい。合金が特定金属を含む場合、特定金属の量はアルミニウムの量より小さい。従って、銅は主の金属であり、アルミニウムは第１の副の金属であり、特定金属は第２の副の金属である。不純物の量は特定金属の量より小さい。

【0012】

第２層１１ｂは銅で形成されている。電解めっき層１０ｂは銅で形成されている。

【0013】

第１層１１ａを形成している銅合金中の銅の含有量は９０ａｔ％より大きい。合金中の銅の含有量は９９ａｔ％未満である。銅合金中の銅の含有量は９８ａｔ％以下である。第２層１１ｂを形成している銅の含有量は９９．９ａｔ％以上である。第２層１１ｂ中の銅の含有量は９９．９５ａｔ％以上であることが好ましい。電解めっき層１０ｂは銅で形成されている。電解めっき層１０ｂを形成している銅の含有量は９９．９ａｔ％以上である。電解めっき層１０ｂ中の銅の含有量は９９．９５ａｔ％以上であることが好ましい。

【0014】

樹脂絶縁層（第１樹脂絶縁層）２０は絶縁層４の第３面６と第１導体層１０上に形成されている。第１樹脂絶縁層２０は第１面２２と第１面２２と反対側の第２面２４を有する。第１樹脂絶縁層２０の第２面２４は第１導体層１０と対向する。第１樹脂絶縁層２０はパッド１４を露出する開口（ビア導体用の開口）２６を有している。開口２６の底部の径は２０μｍ以上５０μｍ以下である。樹脂絶縁層（第１樹脂絶縁層）２０は樹脂８０と樹脂８０内に分散されている多数の無機粒子９０で形成されている。樹脂８０は上面８０Ｒと上面８０Ｒと反対側の下面８０Ｓを有する。上面８０Ｒは第１面２２を形成し、下面８０Ｓは第２面２４を形成する。樹脂８０はエポキシ系樹脂である。樹脂の例は熱硬化性樹脂と光硬化性樹脂である。無機粒子９０は例えばガラス粒子やアルミナ粒子である。無機粒子９０は酸素元素を含むことが好ましい。無機粒子９０の平均粒径は０．５μｍ以下である。樹脂絶縁層２０中の無機粒子９０の量は７５ｗｔ％以上である。

【0015】

図１と図２に示されるように、無機粒子９０は、第１面２２を形成する第１無機粒子９１と樹脂８０内に埋まっている第２無機粒子９２を含む。第２無機粒子９２は樹脂８０内に完全に埋まっている。第２無機粒子９２の形は球である。第１無機粒子９１は第２無機粒子９２から形成される。第１無機粒子９１は第２無機粒子９２の一部を除去することで形成される。第１無機粒子９１の形状と第２無機粒子９２の形状は異なる。第１無機粒子９１の形状は実質的に球欠である。第１無機粒子９１の表面の一部は実質的な平面であって、その平面はほぼ平坦である。その平面は球欠の切り口の面９１ｃを形成し第１面２２を向いている。あるいは、第１無機粒子９１の表面の一部は実質的な曲面であって、その曲面はほぼ平滑である。その曲面は球欠の切り口の面９１ｃを形成し第１面２２を向いている。切り口の面９１ｃが第１面２２を形成するように、第１無機粒子９１は樹脂８０内に埋まっている。第１無機粒子９１の切り口の面９１ｃと樹脂８０の上面８０Ｒで第１面２２が形成される。切り口の面９１ｃと上面８０Ｒは実質的に同一な面を形成する。切り口の面９１ｃは樹脂８０の上面８０Ｒから露出している。第１無機粒子９１の表面の内、樹脂８０の上面８０Ｒによって露出される部分は露出部分９１Ｐである。露出部分９１Ｐの面（露出面）９１ｘは第１面２２を形成する。露出面（第１露出面）９１ｘは実質的な平坦な面、あるいは、実質的な曲面である。第１露出面９１ｘはほぼ平坦である。第１露出面９１ｘはほぼ平滑である。第１露出面９１ｘと切り口の面９１ｃは実質的に同じ面である。第１露出面９１ｘと樹脂８０の上面８０Ｒで第１面２２が形成される。第１露出面９１ｘと上面８０Ｒは実質的に同一な面を形成する。

【0016】

第１面２２の算術平均粗さ（Ｒａ）は０．０８μｍ未満である。第１面２２の粗さＲａは０．０５μｍ以下であることが好ましい。第１面２２の粗さＲａは０．０３μｍ以下であることがより好ましい。上面８０Ｒの算術平均粗さ（Ｒａ）は０．０８μｍ未満である。上面８０Ｒの粗さＲａは０．０５μｍ以下であることが好ましい。上面８０Ｒの粗さＲａは０．０３μｍ以下であることがより好ましい。

【0017】

第１面２２は第１露出面９１ｘと上面８０Ｒとの間に段差（第１段差）を有することができる。第１露出面９１ｘは上面８０Ｒに対し出っ張っている。あるいは、第１露出面９１ｘは上面８０Ｒに対し凹んでいる。出っ張っていることが好ましい。段差（第１段差）の大きさ（第１露出面９１ｘと樹脂８０の上面８０Ｒとの間の距離）は５μｍ以下である。第１段差の大きさは３μｍ以下であることが好ましい。第１段差の大きさは１．５μｍ以下であることがより好ましい。段差（第１段差）が形成されていても、段差が小さいので、第１露出面９１ｘと樹脂８０の上面８０Ｒはほぼ共通な面を形成する。例えば、段差の大きさは最大値で代表される。

【0018】

第１無機粒子９１の体積と第１無機粒子９１から予測される球（仮想球）の体積との比Ｒ（第１無機粒子の体積／仮想球の体積）は０．６以上、１未満である。比Ｒは０．８以上であることが好ましい。比Ｒは０．９以上であることがより好ましい。比Ｒは０．９５以上であることが最も好ましい。比Ｒは０．９７以下であることが好ましい。上面８０Ｒ近くの樹脂８０の熱膨張係数が制御される。

【0019】

図１と図３に示されるように、無機粒子９０は、開口（ビア導体用の開口）２６の内壁面（第１内壁面）２７を形成する第３無機粒子９３をさらに含む。第３無機粒子９３の形状は球を平面で切断することで得られる。第３無機粒子９３の形状は第２無機粒子９２を平面で切断することで得られる。第３無機粒子９３は第２無機粒子９２から形成される。第２無機粒子９２の一部を除去することで第３無機粒子９３が得られる。第３無機粒子９３の形状は実質的に球欠である。第１無機粒子９１の形状と第３無機粒子９３の形状はほぼ同じである。第３無機粒子９３の形状と第２無機粒子９２の形状は異なる。第３無機粒子９３は平坦部９３ａを有する。平坦部９３ａは内壁面２７を形成する。内壁面２７は樹脂８０と平坦部９３ａで形成されている。平坦部９３ａと内壁面２７を形成する樹脂８０の面（第１の樹脂の面）８０ａは、ほぼ共通な面を形成する。内壁面２７を形成する樹脂８０上に凹凸が形成されない。内壁面２７を形成する樹脂８０の面８０ａはほぼ平滑である。平坦部９３ａの露出面（内壁面２７を形成する面）９３ｂ上に凹凸が形成されない。平坦部９３ａの露出面（第２露出面）９３ｂは平滑である。内壁面２７は平滑に形成される。内壁面２７の算術平均粗さ（Ｒａ）は１．０μｍ以下である。内壁面２７を形成する樹脂８０の面８０ａの粗さ（Ｒａ）は１．０μｍ以下である。

【0020】

内壁面２７は平坦部９３ａと内壁面２７を形成する樹脂８０の面８０ａとの間に段差（第２段差）を有することができる。平坦部９３ａの露出面（第２露出面）９３ｂは内壁面２７を形成する樹脂８０の面８０ａに対し出っ張っている。あるいは、平坦部９３ａの露出面９３ｂは内壁面２７を形成する樹脂８０の面８０ａに対し凹んでいる。出っ張っていることが好ましい。段差（第２段差）の大きさ（平坦部９３ａの露出面９３ｂと内壁面２７を形成する樹脂８０の面８０ａとの間の距離）は５μｍ以下である。第２段差の大きさは３μｍ以下であることが好ましい。第２段差の大きさは１．５μｍ以下であることがより好ましい。段差（第２段差）が形成されていても、段差が小さいので、平坦部９３ａの露出面９３ｂと内壁面２７を形成する樹脂８０の面８０ａはほぼ共通な面を形成する。第１露出面９１ｘが出っ張ると第２露出面９３ｂも出っ張る。第１露出面９１ｘが凹むと第２露出面９３ｂも凹む。

【0021】

図１に示されるように、第２導体層３０は樹脂絶縁層（第１樹脂絶縁層）２０の第１面２２上に形成されている。第２導体層３０は第１信号配線３２と第２信号配線３４とランド３６を含む。図に示されていないが、第２導体層３０は第１信号配線３２と第２信号配線３４とランド３６以外の導体回路も含んでいる。第１信号配線３２と第２信号配線３４はペア配線を形成している。第１信号配線３２と第２信号配線３４は隣り合っている。図２に示されるように、第１信号配線３２と第２信号配線３４との間の間隔Ｄ１は１．５μｍ以上１０μｍ以下である。間隔Ｄ１は１．５μｍ以上８μｍ以下であることが好ましい。第１信号配線３２は第１導体回路の一例であり、第２信号配線３４は第２導体回路の一例である。

【0022】

導体層（第２導体層）３０は主に銅によって形成される。第２導体層３０は、第１面２２上のシード層３０ａとシード層３０ａ上の電解めっき層３０ｂで形成されている。シード層３０ａは第１面２２上の第１層３１ａと第１層３１ａ上の第２層３１ｂで形成されている。シード層３０ａの厚みは０．５μｍ未満である。第１導体層１０と第２導体層３０は同様である。第１層３１ａの厚みと第２層３１ｂの厚みとの関係と第１層１１ａの厚みと第２層１１ｂの厚みとの関係は同様である。第１層３１ａと第２層３１ｂは第２導体層３０を形成し、第１層１１ａと第２層１１ｂは第１導体層１０を形成する。第１層３１ａは第１層１１ａと同様な合金（銅合金）で形成されている。第２層３１ｂは銅で形成されている。電解めっき層３０ｂは銅で形成されている。第１層３１ａは第１面２２に接している。

【0023】

ビア導体（第１ビア導体）４０は開口（ビア導体用の開口）２６内に形成されている。開口２６は第１樹脂絶縁層２０を貫通し第１導体層１０に至っている。ビア導体（第１ビア導体）４０は第１導体層１０と第２導体層３０を接続する。図１ではビア導体４０はパッド１４とランド３６を接続する。ビア導体４０はシード層３０ａとシード層３０ａ上の電解めっき層３０ｂで形成されている。ビア導体４０を形成するシード層３０ａと第２導体層３０を形成するシード層３０ａは共通である。ビア導体４０を形成する第１層３１ａと第２導体層３０を形成する第１層３１ａは共通である。第１層３１ａは内壁面２７に接している。ビア導体４０を形成する第２層３１ｂと第２導体層３０を形成する第２層３１ｂは共通である。ビア導体４０を形成する電解めっき層３０ｂと第２導体層３０を形成する電解めっき層３０ｂは共通である。

【0024】

第１導体層１０を形成する第１層１１ａと第２導体層３０を形成する第１層３１ａとビア導体４０を形成する第１層３１ａは同様である。両者１１ａ、３１ａは同様な元素で形成される。両者１１ａ、３１ａを形成する元素のそれぞれは同様な量を有する。第１導体層１０を形成する第２層１１ｂと第２導体層３０を形成する第２層３１ｂとビア導体４０を形成する第２層３１ｂは同様である。第２層１１ｂ、３１ｂのそれぞれは同様な元素で形成される。第２層１１ｂ、３１ｂのそれぞれはほぼ同量の元素で形成されている。第１導体層１０を形成する電解めっき層１０ｂと第２導体層３０を形成する電解めっき層３０ｂとビア導体４０を形成する電解めっき層３０ｂは同様である。電解めっき層１０ｂ、３０ｂのそれぞれは同様な元素で形成される。電解めっき層１０ｂ、３０ｂのそれぞれはほぼ同量の元素で形成されている。

【0025】

図１に示されるように、実施形態は、第２導体層３０の表面（上面と側面）上に接着層１００を形成することができる。接着層１００は必須ではない。第２導体層３０の表面は第１表面と第２表面で形成される。表面の内、第１表面はビア導体１４０用の開口１２６により露出される部分である。ビア導体１４０は第２樹脂絶縁層１２０を貫通し第２導体層３０に至っている。第２表面は第１表面以外の部分である。第１表面は接着層１００で覆われず、第２表面は接着層１００で覆われる。接着層１００は第２導体層３０に接している。接着層１００は第２導体層３０の第２表面に接している。接着層１００は樹脂で形成されている。接着層１００は有機製の材料（有機製樹脂）で形成されている。有機製の材料の例は窒素系有機化合物である。窒素系有機化合物は例えばテトラゾール化合物である。窒素系有機化合物の例は特開２０１５－５４９８７号公報に開示されている。接着層１００は第２導体層３０から露出する樹脂絶縁層２０の第１面２２を覆っていない。接着層１００は第２導体層３０と第２樹脂絶縁層１２０の間に形成されている。接着層１００は第２導体層３０と樹脂絶縁層（第２樹脂絶縁層）１２０で挟まれている。接着層１００は第２導体層３０と第２樹脂絶縁層１２０を接着している。

【0026】

図４は第２導体層３０の第２表面上に形成されている接着層１００の一部を示す拡大断面図である。図４に示されるように、接着層１００は、ほぼ平滑な平滑膜１０２と平滑膜１０２から突出している複数の突出部１０４で形成されている。

【0027】

平滑膜１０２はほぼ均一な厚みＴを有する。平滑膜１０２の厚みＴは、１０ｎｍ以上、１２０ｎｍ以下である。突出部１０４から露出する平滑膜１０２の面積（Ｓ１）と接着層１００の面積（Ｓ２）との比（Ｓ１／Ｓ２）は０．１以上、０．５以下である。第２導体層３０の第２表面上の平滑膜１０２は第２導体層３０の第２表面の形状にほぼ沿って形成されている。第２導体層３０の上面と側面にうねりが形成されている場合、平滑膜１０２はそのうねりに追随している。

【0028】

突出部１０４は複数の突起１０６で形成されている。複数の突起１０６により、突出部１０４の上面に凹凸が形成される。１ｍｍ^２あたりの突起１０６の数は５以上、１５以下である。突出部１０４は、平滑膜１０２の上面と突出部１０４の頂部間に高さＨ１、Ｈ２を有する。高さＨ１、Ｈ２の最大値は、平滑膜１０２の厚みＴの１０倍以上３０倍以下である。高さＨ１、Ｈ２は、２００ｎｍ以上、４５０ｎｍ以下である。

【0029】

第２導体層３０と第１樹脂絶縁層２０の第１面２２上に第２樹脂絶縁層１２０が形成されている。第２樹脂絶縁層１２０は接着層１００を介して第２導体層３０上に形成されている。第２樹脂絶縁層１２０は第１面１２２と第１面１２２と反対側の第２面１２４を有する。第２樹脂絶縁層１２０の第２面１２４は第２導体層３０と対向している。第２樹脂絶縁層１２０は開口（ビア導体用の開口）１２６を有する。開口１２６は第２樹脂絶縁層１２０を貫通し、第２導体層３０に至る。

【0030】

第２樹脂絶縁層１２０は樹脂８０と無機粒子９０で形成される。第１樹脂絶縁層２０と第２樹脂絶縁層１２０は同様である。そのため、第２樹脂絶縁層１２０を形成する樹脂８０と第１樹脂絶縁層２０を形成する樹脂８０は同様である。第２樹脂絶縁層１２０を形成する無機粒子９０と第１樹脂絶縁層２０を形成する無機粒子９０は同様である。第１樹脂絶縁層２０と同様に、第２樹脂絶縁層１２０を形成する無機粒子９０は第１無機粒子９１と第２無機粒子９２と第３無機粒子９３を含む。第１樹脂絶縁層２０内の第１無機粒子９１と第２樹脂絶縁層１２０内の第１無機粒子９１は同様である。第１樹脂絶縁層２０内の第２無機粒子９２と第２樹脂絶縁層１２０内の第２無機粒子９２は同様である。第１樹脂絶縁層２０内の第３無機粒子９３と第２樹脂絶縁層１２０内の第３無機粒子９３は同様である。

【0031】

第１樹脂絶縁層２０の第１面２２と第２樹脂絶縁層１２０の第１面１２２は同様である。樹脂絶縁層（第２樹脂絶縁層）１２０の第１面１２２は、樹脂絶縁層（第２樹脂絶縁層）１２０を形成する樹脂８０の上面（第２上面）と樹脂絶縁層（第２樹脂絶縁層）１２０を形成する第１無機粒子９１の露出部分の露出面（第３露出面）で形成される。第２上面と第３露出面はほぼ共通な面を形成する。第１樹脂絶縁層２０の第１面２２と同様に、第２樹脂絶縁層１２０の第１面１２２は、第２上面と第３露出面との間に段差（第３段差）を有することができる。第１段差と第３段差は同様である。第１段差の大きさと第３段差の大きさは同様である。第１面１２２が段差を有しても、段差の大きさが小さいので、樹脂８０の上面（第２上面）と第１無機粒子９１の露出面（第３露出面）は実質的に同一面上に位置する。

【0032】

第２樹脂絶縁層１２０を貫通する開口（ビア導体用の開口）１２６と第１樹脂絶縁層２０を貫通する開口（ビア導体用の開口）２６は同様である。従って、開口１２６の内壁面（第２内壁面）１２７と開口２６の内壁面（第１内壁面）２７は同様である。第２内壁面１２７は樹脂８０と第３無機粒子９３の平坦部９３ａで形成される。第１内壁面２７と同様に、第２内壁面１２７は第２内壁面１２７を形成する樹脂８０の面（第２の樹脂の面）と第２樹脂絶縁層１２０を形成する第３無機粒子９３の平坦部で形成される。第１樹脂絶縁層２０を形成する第３無機粒子９３の平坦部９３ａと同様に、第２樹脂絶縁層１２０を形成する第３無機粒子９３の平坦部は露出面（第４露出面）を有する。第２の樹脂の面と内壁面１２７を形成する第４露出面はほぼ共通な面を形成する。第１内壁面２７と同様に、第２内壁面１２７は第２の樹脂の面と第４露出面の間に段差（第４段差）を有することができる。第２段差と第４段差は同様である。第４段差の大きさと第２段差の大きさは同様である。従って、第２内壁面１２７が第４段差を有しても、第２の樹脂の面と第４露出面は実質的に共通な面を形成する。

【0033】

図１に示されるように、第２樹脂絶縁層１２０の第１面１２２上に第３導体層１３０が形成されている。開口１２６内に第２導体層３０と第３導体層１３０を接続するビア導体（第２ビア導体）１４０が形成されている。第３導体層１３０と第２導体層３０は同様である。第２ビア導体１４０と第１ビア導体４０は同様である。第３導体層１３０と第２ビア導体１４０は第１層１３１ａと第１層１３１ａ上の第２層１３１ｂとからなるシード層１３０ａとシード層１３０ａ上の電解めっき層１３０ｂで形成されている。第３導体層１３０と第２ビア導体１４０を形成する第１層１３１ａと第２導体層３０の第１層３１ａは同様である。第３導体層１３０と第２ビア導体１４０を形成する第２層１３１ｂと第２導体層３０の第２層３１ｂは同様である。第３導体層１３０と第２ビア導体１４０を形成する電解めっき層１３０ｂと第２導体層３０の電解めっき層３０ｂは同様である。第１層１３１ａは第２樹脂絶縁層１２０の第１面１２２に接する。第１層１３１ａは内壁面（第２内壁面）１２７に接する。第２導体層３０を形成する各層（第１層３１ａ、第２層３１ｂ、電解めっき層３０ｂ）と第３導体層１３０を形成する各層（第１層１３１ａ、第２層１３１ｂ、電解めっき層１３０ｂ）は同様な厚みや組成を有する。第２導体層３０を形成する各層（第１層３１ａ、第２層３１ｂ、電解めっき層３０ｂ）と第３導体層１３０を形成する各層（第１層１３１ａ、第２層１３１ｂ、電解めっき層１３０ｂ）は同様な元素で形成される。第２導体層３０を形成する各層（第１層３１ａ、第２層３１ｂ、電解めっき層３０ｂ）に含まれる元素と第３導体層１３０を形成する各層（第１層１３１ａ、第２層１３１ｂ、電解めっき層１３０ｂ）に含まれる元素は同様な量を有する。

【0034】

プリント配線板２の各辺の長さは５０ｍｍ以上である。各辺の長さは１００ｍｍ以上であることが好ましい。各辺の長さは２５０ｍｍ以下である。

【0035】

プリント配線板２は第２樹脂絶縁層１２０の第１面１２２と第３導体層１３０上にソルダーレジスト層を有することができる。絶縁層４はコア材を形成してもよい。実施形態は第３導体層１３０の第２表面を覆う接着層１００を有しても良い。接着層１００は第３導体層１３０とソルダーレジスト層で挟まれる。

【0036】

［実施形態のプリント配線板２の製造方法］
図５Ａ～図５Ｆは実施形態のプリント配線板２の製造方法を示す。図５Ａ～図５Ｃと図５Ｆは断面図である。図５Ｄと図５Ｅは拡大断面図である。図５Ａは絶縁層４と絶縁層４の第３面６上に形成されている導体層（第１導体層）１０を示す。第１導体層１０はセミアディティブ法によって形成される。第１層１１ａと第２層１１ｂはスパッタリングで形成される。第１層１１ａと第２層１１ｂは真空中で形成される。電解めっき層１０ｂは電解めっきで形成される。

【0037】

図５Ｂに示されるように、絶縁層４と第１導体層１０上に樹脂絶縁層（第１樹脂絶縁層）２０と保護膜５０が形成される。樹脂絶縁層２０の第２面２４が絶縁層４の第３面６と対向している。第１樹脂絶縁層２０の第１面２２上に保護膜５０が形成されている。樹脂絶縁層２０は樹脂８０と無機粒子９０を有する。無機粒子９０は樹脂８０内に埋まっている。無機粒子９０の例はガラス粒子である。

【0038】

保護膜５０は樹脂絶縁層２０の第１面２２を完全に覆っている。保護膜５０の例は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）製のフィルムである。保護膜５０と樹脂絶縁層２０との間に離型剤が形成されている。

【0039】

図５Ｃに示されるように、保護膜５０の上からレーザ光Ｌが照射される。レーザ光Ｌは保護膜５０と樹脂絶縁層２０を同時に貫通する。第１導体層１０のパッド１４に至る開口（ビア導体用の開口）２６が形成される。レーザ光Ｌは例えばＵＶレーザ光、ＣＯ２レーザ光である。開口２６によりパッド１４が露出される。開口２６が形成される時、第１面２２は保護膜５０で覆われている。そのため、開口２６が形成される時、樹脂が飛散しても、第１面２２に樹脂が付着することが抑制される。

【0040】

図５Ｄは、レーザ光照射後の開口２６の内壁面２７ｂを示す。樹脂絶縁層２０にレーザ光Ｌを照射することで、樹脂８０に埋まっている第２無機粒子９２の一部がレーザ光照射後の内壁面２７ｂを形成する。内壁面２７ｂは樹脂８０と樹脂８０から突出している無機粒子９０で形成されている。樹脂絶縁層２０に埋まっている第２無機粒子の中のいくつかが内壁面２７ｂから部分的に突出する。レーザ光照射後の内壁面２７ｂを形成する第２無機粒子９２は、樹脂８０から突出している突出部分Ｐと樹脂８０に埋まっている部分Ｅで形成される。内壁面２７ｂを形成する第２無機粒子９２は第３突出粒子と称される。

【0041】

保護膜が除去される。保護膜５０の除去後、樹脂絶縁層２０の第１面２２が洗浄される。第１面２２を形成する樹脂８０がドライプロセスで除去される。例えば、逆スパッタリングで樹脂絶縁層２０の第１面２２が洗浄される。例えば、樹脂絶縁層２０の第１面２２を洗浄することはアルゴンガスを用いるスパッタリング（アルゴンスパッタリング）によって行われる。図５Ｅ（ａ）（ｂ）は洗浄前後の樹脂絶縁層２０の第１面２２を模式的に示す。図５Ｅ（ａ）（ｂ）に示されるように、スパッタリング等による洗浄によって樹脂絶縁層２０を形成する樹脂８０が２０ｎｍ程度除去される。例えば、保護膜５０を樹脂絶縁層２０に接着するための接着材が除去される。洗浄によって樹脂８０が選択的に除去される。樹脂８０の厚みが薄くなる。無機粒子９０のいくつかは、洗浄によって樹脂８０の上面８０Ｒから部分的に露出する。第２無機粒子９２の一部分が樹脂８０の上面８０Ｒから露出する。図５Ｅ（ｂ）は洗浄後の第１面２２ｂを示す。図５Ｅ（ｂ）に示されるように、洗浄後の第１面２２ｂを形成する無機粒子（第２無機粒子９２）９０は樹脂８０から突出する第１部分９１ａと樹脂８０に埋まっている第２部分９１ｂで形成されている。洗浄後の第１面２２ｂを形成する第２無機粒子９２は第１突出粒子と称される。

【0042】

内壁面の形状を制御するため、レーザ光照射後の内壁面２７ｂは処理される。第１面の形状を制御するため、洗浄後の第１面２２ｂは処理される。第１突出粒子と第３突出粒子は選択的に除去されることが好ましい。これにより、無機粒子９０から第１無機粒子９１が形成される。無機粒子９０から第３無機粒子９３が形成される。例えば、レーザ光照射後の内壁面２７ｂと洗浄後の第１面２２ｂを薬品で処理することで、第１突出粒子と第３突出粒子が選択的に除去される。あるいは、レーザ光照射後の内壁面２７ｂと洗浄後の第１面２２ｂをプラズマで処理することで、第１突出粒子と第３突出粒子が選択的に除去される。選択的に除去することは、無機粒子９０のエッチング速度が樹脂８０のエッチング速度より大きいことを含む。例えば、両者のエッチング速度差は１０倍以上である。あるいは、両者のエッチング速度差は５０倍以上である。あるいは、両者のエッチング速度差は１００倍以上である。洗浄後の第１面２２ｂを処理することで、露出部分９１Ｐを有する第１無機粒子９１が得られる。レーザ光照射後の内壁面２７ｂを処理することで、平坦部９３ａを有する第３無機粒子９３が得られる。洗浄後の第１面２２ｂを処理するための条件を制御することで、実施形態は第１面２２の形状を制御することができる。レーザ光照射後の内壁面２７ｂを処理するための条件を制御することで、実施形態は内壁面２７の形状を制御することができる。条件の例は、温度、濃度、時間、ガスの種類や圧力である。無機粒子９０のエッチング速度と樹脂のエッチング速度が制御される。

【0043】

レーザ光照射後の内壁面２７ｂが処理される。例えば、四フッ化メタンを含むガスのプラズマで内壁面２７ｂが処理される。突出部分Ｐを選択的に除去することで、実施形態の内壁面２７が形成される。第２無機粒子９２から第３無機粒子９３が形成される。突出部分Ｐを選択的に除去することで、平坦部９３ａを有する第３無機粒子９３が形成される。平坦部９３ａを形成する面は略平面である。平坦部９３ａを形成する面は略曲面である。球の形を持つ第２無機粒子９２が平面で切断されると、第３無機粒子９３の形状が得られる。あるいは、第２無機粒子９２が曲面で切断される。第３無機粒子９３の形状はほぼ球欠である。内壁面２７は平坦部９３ａと樹脂８０の面８０ａで形成される。平坦部９３ａの露出面９３ｂと樹脂８０の面８０ａはほぼ同一平面上に位置する。例えば、スパッタリングで内壁面２７ｂ上にシード層３０ａが形成されると、突出部分Ｐはスパッタリング製膜の成長を阻害する。例えば、内壁面２７ｂ上に連続しているシード層３０ａを形成することが難しい。あるいは、シード層３０ａの厚みを厚くすることが必要である。第３突出粒子を有するプリント配線板は第１面２２上に微細な導体回路を形成することができないと考えられる。実施形態では、突出部分Ｐが除去される。実施形態はスパッタリングで形成されるシード層３０ａの厚みを薄くできる。スパッタリングで形成されるシード層３０ａの厚みが薄くても、連続しているシード層３０ａが得られる。シード層３０ａの厚みは０．０５μｍ以上、０．５μｍ未満である。

【0044】

開口２６を形成することは、突出部分Ｐを有する無機粒子（第２無機粒子９２）９０を形成することを含む。突出部分Ｐは開口２６の内壁面２７ｂを形成する樹脂８０から突出している。第３無機粒子９３は無機粒子（第２無機粒子９２）９０の突出部分Ｐを除去することで形成される。開口２６の内壁面２７は第３無機粒子９３の露出面９３ｂを含む。第３無機粒子９３の露出面９３ｂは突出部分Ｐを除去することで形成される。

【0045】

球の形を持つ第２無機粒子９２を平面で切断することで第３無機粒子９３の形状を得ることは、無機粒子９０の突出部分Ｐを除去することを含む。実際の開口２６の内壁面２７は略曲面である。突出部分Ｐを除去することで平坦部９３ａが形成されるので、平坦部９３ａの露出面９３ｂは曲面を含む。すなわち、平坦部９３ａと樹脂８０で共通な面を形成することは実質的な曲面で形成される内壁面２７を形成することを含む。

【0046】

洗浄後の第１面２２ｂが処理される。例えば、四フッ化メタンを含むガスのプラズマで第１面２２ｂが処理される。第１部分９１ａを選択的に除去することで、実施形態の第１面２２が形成される。第２無機粒子９２から第１無機粒子９１が形成される。図５Ｅ（ｃ）に示されるように、第１部分９１ａを選択的に除去することで、露出部分９１Ｐを有する第１無機粒子９１が形成される。露出部分９１Ｐの露出面（第１露出面）９１ｘは略平面である。第１露出面９１ｘは略曲面でもよい。球の形を持つ第２無機粒子９２が平面で切断されると、第１無機粒子９１の形状が得られる。あるいは、第２無機粒子９２が曲面で切断される。第１面２２は露出部分９１Ｐと樹脂８０の上面８０Ｒで形成される。露出部分９１Ｐの第１露出面９１ｘと樹脂８０の上面８０Ｒはほぼ同一平面上に位置する。例えば、スパッタリングで第１面２２ｂ上にシード層３０ａが形成されると、第１部分９１ａはスパッタリング製膜の成長を阻害する。例えば、第１面２２ｂ上に連続しているシード層３０ａを形成することが難しい。あるいは、シード層３０ａの厚みを厚くすることが必要である。第１突出粒子を有するプリント配線板は第１面２２上に微細な導体回路を形成することができないと考えられる。実施形態では、第１部分９１ａが除去される。実施形態はスパッタリングで形成されるシード層３０ａの厚みを薄くできる。スパッタリングで形成されるシード層３０ａの厚みが薄くても、連続しているシード層３０ａが得られる。シード層３０ａの厚みは０．０５μｍ以上、０．５μｍ未満である。

【0047】

第１面２２を形成することは、第１部分９１ａを有する無機粒子（第２無機粒子９２）９０を形成することを含む。第１部分９１ａは樹脂８０の上面８０Ｒから突出している。第１無機粒子９１は無機粒子（第２無機粒子９２）９０の第１部分９１ａを除去することで形成される。第１面２２は第１無機粒子９１の露出面９１ｘを含む。第１無機粒子９１の露出面９１ｘは第１部分９１ａを除去することで形成される。

【0048】

球の形を持つ第２無機粒子９２を平面で切断することで第１無機粒子９１の形状を得ることは、無機粒子９０の第１部分９１ａを除去することを含む。第１部分９１ａを除去することで露出部分９１Ｐが形成されるので、露出部分９１Ｐの露出面９１ｘは曲面を含む。すなわち、露出面９１ｘは実質的な曲面を含む。

【0049】

例えば、図５Ｅ（ｃ）を用いて、比Ｒ（第１無機粒子の体積／仮想球の体積）が求められる。図５Ｅ中の断面図と第１面２２は垂直である。第１無機粒子９１の外周は実線と破線で描かれている。第１露出面９１ｘは破線で描かれ、第１露出面９１ｘ以外の部分の外周は実線で描かれている。図５Ｅ（ｃ）中の第１無機粒子９１の平面図を用いて円（仮想円）９１Ｍが想定される。仮想円９１Ｍの円周は点線と実線で描かれている。点線で示されている部分は第１無機粒子９１から予測される部分である。第１無機粒子９１の形状は球欠である。第１無機粒子９１の形状の起源は球なので、仮想円は比較的容易に予測される。図５Ｅ（ｃ）中の第１無機粒子９１の面積が求められる。図５Ｅ（ｃ）中の仮想円の面積が求められる。両者の比（第１無機粒子９１の面積／仮想円９１Ｍの面積）が比Ｒを代表することができる。例えば、比Ｒは０．９５である。図５Ｅ（ｃ）中の第１露出面９１ｘは導体層で覆われている。

【0050】

レーザ光照射後の内壁面２７ｂと洗浄後の第１面２２ｂは同時に処理される。あるいは、レーザ光照射後の内壁面２７ｂと洗浄後の第１面２２ｂは別々に処理される。別々に処理が行われる場合、両者は同じ方法で処理される。あるいは、両者は異なる方法で処理される。

【0051】

レーザ光照射後の内壁面２７ｂが処理される時、内壁面２７ｂはほとんど荒らされない。内壁面２７はほぼ凹凸を有していない。内壁面２７は平滑に形成される。内壁面２７を形成する樹脂８０の面８０ａは平滑に形成される。樹脂８０の面８０ａはほぼ凹凸を有していない。樹脂８０の面８０ａの算術平均粗さ（Ｒａ）は０．２μｍ以下である。レーザ光照射後の内壁面２７ｂを処理するための条件を制御することで、凹凸の大きさが制御される。

【0052】

洗浄後の第１面２２ｂが処理される時、第１面２２はほとんど荒らされない。第１面２２はほぼ凹凸を有していない。第１面２２は平滑に形成される。第１面２２を形成する樹脂８０の上面８０Ｒは平滑に形成される。樹脂８０の上面８０Ｒはほぼ凹凸を有していない。樹脂８０の上面８０Ｒの算術平均粗さ（Ｒａ）は０．２μｍ以下である。洗浄後の第１面２２ｂを処理するための条件を制御することで、凹凸の大きさが制御される。

【0053】

実施形態は開口２６内を洗浄することができる。開口２６内の洗浄はプラズマによって行われる。即ち洗浄はドライプロセスで行われる。洗浄はデスミア処理を含む。レーザ光照射後の内壁面２７ｂを処理することが開口２６内を洗浄することを含む場合、実施形態は開口２６内を洗浄することを削除することができる。洗浄後の第１面２２ｂを処理することが開口２６内を洗浄することを含む場合、実施形態は開口２６内を洗浄することを削除することができる。実施形態はデスミア処理を削除することができる。

【0054】

図５Ｆに示されるように、樹脂絶縁層２０の第１面２２上にシード層３０ａが形成される。シード層３０ａはスパッタリングによって形成される。シード層３０ａの形成はドライプロセスで行われる。第１層３１ａが第１面２２上にスパッタリングで形成される。同時に、開口２６から露出する内壁面２７とパッド１４上に第１層３１ａがスパッタリングで形成される。第１面２２上には凹部がほとんど形成されていない。そのため、第１面２２上の第１層３１ａはほぼ平坦に形成される。その後、第１層３１ａ上に第２層３１ｂがスパッタリングで形成される。第２層３１ｂはほぼ平坦に形成される。第１層３１ａと第２層３１ｂは真空中で形成される。シード層３０ａは開口２６から露出するパッド１４の上面と開口２６の内壁面２７にも形成される。第１層３１ａは銅とアルミニウムを含む合金で形成される。アルミニウムは高い延性と高い展性を有する。そのため、樹脂絶縁層２０と第１層３１ａ間の密着力が高い。ヒートサイクルにより樹脂絶縁層２０が伸縮したとしても、アルミニウムを含むシード層３０ａがその伸縮に追従することができると考えられる。樹脂絶縁層２０の第１面２２が平滑であっても、シード層３０ａは樹脂絶縁層２０から剥がれ難い。アルミニウムは酸化しやすいと考えられる。第３無機粒子９３が酸素（酸素元素）を含む無機粒子９０であると、内壁面２７上に形成される第１層３１ａは内壁面２７を形成する無機粒子９０内の酸素を介して第３無機粒子９３に密着すると考えられる。第１層３１ａと内壁面２７が強く接合される。実施形態は内壁面２７と第１層３１ａ間の密着力を高くすることができる。シード層３０ａは内壁面２７から剥がれ難い。内壁面２７を形成する第３無機粒子９３は酸素元素を含むことが好ましい。第１無機粒子９１が酸素（酸素元素）を含む無機粒子９０であると、第１面２２上に形成される第１層３１ａは第１面２２を形成する無機粒子９０内の酸素を介して第１無機粒子９１に密着すると考えられる。第１層３１ａと第１面２２が強く接合される。実施形態は第１面２２と第１層３１ａ間の密着力を高くすることができる。シード層３０ａは第１面２２から剥がれ難い。第１面２２を形成する第１無機粒子９１は酸素元素を含むことが好ましい。第１層３１ａはさらにケイ素を含むことができる。この場合、ケイ素は特定金属であり、第１層３１ａは銅とアルミニウムとケイ素を含む合金で形成される。無機粒子９０がガラス粒子であると、第１層３１ａと第１無機粒子９１が共にケイ素を含む。両者はケイ素を介して強く接着されると考えられる。実施形態は第１層３１ａと第１面２２間の接着力をさらに高くすることできると考えられる。第１層３１ａと第３無機粒子９３が共にケイ素を含む。両者はケイ素を介して強く接着されると考えられる。実施形態は第１層３１ａと内壁面２７間の接着力をさらに高くすることできると考えられる。第２層３１ｂは銅で形成される。

【0055】

第１面２２はほとんど凹部を有していない。内壁面２７はほとんど凹部を有していない。第１面２２はほぼ平滑に形成されている。内壁面２７はほぼ平滑に形成されている。そのためスパッタリング製膜（第１層３１ａ、第２層３１ｂ）の厚みが薄くても、実施形態は連続するシード層３０ａを形成することができる。その結果、実施形態は微細な配線を形成することができる。

【0056】

シード層３０ａ上にめっきレジストが形成される。めっきレジストは、第１信号配線３２と第２信号配線３４とランド３６を形成するための開口を有する。第１面２２が凹部を有すると、その凹部に起因する空気がめっきレジストとシード層３０ａ間に閉じ込められやすい。しかしながら、実施形態では、第１面２２は凹部をほとんど有していない。そのため、第１面２２上のシード層３０ａはほぼ平坦に形成される。シード層３０ａがほぼ凹部を有さない。めっきレジストとシード層３０ａの間に空気が残りがたい。めっきレジストとシード層３０ａ間の接触面積が大きい。第１信号配線３２と第２信号配線３４間の空間を形成するためのめっきレジストの幅が１０μｍ以下であっても、めっきレジストがシード層３０ａの上面から剥がれがたい。めっきレジストの幅が３μｍ以上、８μｍ以下であっても、実施形態は、めっきレジストをシード層３０ａ上に形成することができる。めっきレジストの幅が６μｍ以下であっても、めっきレジストがシード層３０ａから剥がれ難い。

【0057】

めっきレジストから露出するシード層３０ａ上に電解めっき層３０ｂが形成される。電解めっき層３０ｂは銅で形成される。電解めっき層３０ｂは開口２６を充填する。第１面２２上のシード層３０ａと電解めっき層３０ｂによって、第１信号配線３２と第２信号配線３４とランド３６が形成される。第２導体層３０が形成される。開口２６内のシード層３０ａと電解めっき層３０ｂによって、ビア導体（第１ビア導体）４０が形成される。ビア導体４０は、パッド１４とランド３６を接続する。第１信号配線３２と第２信号配線３４はペア配線を形成する。第１ビア導体４０は導体層（第１導体層）１０と導体層（第２導体層）３０を接続する。

【0058】

めっきレジストが除去される。電解めっき層３０ｂから露出するシード層３０ａが除去される。シード層３０ａはウェットエッチングによって除去される。ウェットエッチングに用いられるエッチング液は過酸化水素水と硫酸を含む水溶液である。ウェットエッチングにより第１層３１ａと第２層３１ｂは同時に除去される。第２導体層３０とビア導体４０は同時に形成される。

【0059】

第２導体層３０の上面と側面上に接着層１００が形成される。接着層１００は、第２導体層３０とビア導体４０を有する途中基板を窒素系有機化合物を含む薬液に浸漬することによって形成される。薬液のｐｈは７以下である。途中基板を薬液に浸漬することで第２導体層３０の上面と側面上に平滑膜１０２と突出部１０４を有する接着層１００が形成される。途中基板が薬液に浸漬される前に第２導体層３０の上面と側面の酸化膜が除去される。改変例では接着層１００は、第２導体層３０上に薬液を塗布することによって形成される。接着層１００が形成されると、途中基板が薬液から取り出される。接着層１００が乾燥される。乾燥前の接着層１００の上面は平滑でもよい。その場合、乾燥により、接着層の一部が凝集する。凝集することで、平滑膜１０２と突出部１０４を含む接着層１００が形成される。

【0060】

第１樹脂絶縁層２０の第１面２２と接着層１００で覆われている第２導体層３０上に樹脂絶縁層（第２樹脂絶縁層）１２０が第１樹脂絶縁層２０と同様な方法で形成される。第２樹脂絶縁層１２０は第１面１２２と第１面１２２と反対側の第２面１２４と開口（ビア導体用の開口）１２６を有する。第２樹脂絶縁層１２０の第２面１２４と第２導体層３０が向かい合っている。樹脂絶縁層１２０にレーザ光Ｌで開口１２６が形成される時、レーザ光Ｌは第２導体層３０を覆う接着層１００を除去する。あるいは、レーザ光Ｌによって接着層１００が完全に除去されない。その場合開口１２６内を洗浄することにより開口１２６の底の接着層１００が除去される。開口１２６によって第２導体層３０が露出される。第２樹脂絶縁層１２０の第１面１２２上に導体層（第３導体層）１３０が第２導体層３０と同様な方法で形成される。開口（第２開口）１２６内に第２導体層３０と第３導体層１３０を繋ぐビア導体（第２ビア導体）１４０が第１ビア導体４０と同様な方法で形成される。実施形態のプリント配線板２が得られる。

【0061】

各樹脂絶縁層は樹脂８０と無機粒子９０で形成される。各樹脂絶縁層を形成する樹脂と第１樹脂絶縁層２０を形成する樹脂８０は同様である。各樹脂絶縁層を形成する無機粒子と第１樹脂絶縁層２０を形成する無機粒子９０は同様である。各樹脂絶縁層は第１無機粒子と第２無機粒子と第３無機粒子を含み、各樹脂絶縁層内のそれらと第１樹脂絶縁層２０内のそれらは同様である。各樹脂絶縁層は第１面を有し、各樹脂絶縁層の第１面と第１樹脂絶縁層２０の第１面２２は同様である。各樹脂絶縁層は開口（ビア導体用の開口）を有し、各樹脂絶縁層を貫通する開口と第１樹脂絶縁層を貫通する開口２６は同様である。各樹脂絶縁層を貫通する開口の内壁面と第１樹脂絶縁層２０を貫通する開口２６の内壁面２７は同様である。

【0062】

各導体層はシード層とシード層上の電解めっき層で形成される。各導体層を形成するシード層と第２導体層３０を形成するシード層３０ａは同様である。各導体層を形成する第１層と第２導体層３０を形成する第１層３１ａは同様である。各導体層を形成する第２層と第２導体層３０を形成する第２層３１ｂは同様である。各導体層を形成する電解めっき層と第２導体層３０を形成する電解めっき層３０ｂは同様である。

【0063】

各ビア導体はシード層とシード層上の電解めっき層で形成される。各ビア導体を形成するシード層と第１ビア導体４０形成するシード層３０ａは同様である。各ビア導体を形成する第１層と第１ビア導体４０形成する第１層３１ａは同様である。各ビア導体を形成する第２層と第１ビア導体４０形成する第２層３１ｂは同様である。各ビア導体を形成する電解めっき層と第１ビア導体４０を形成する電解めっき層３０ｂは同様である。

【0064】

実施形態のプリント配線板２では、スパッタリング製膜の厚みが薄くても、実施形態は連続するシード層３０ａを形成することができる。開口２６の内壁面２７は第３無機粒子９３の平坦部９３ａと樹脂８０によって形成される。平坦部９３ａと内壁面２７を形成する樹脂８０の面８０ａは共通な面を形成する。内壁面２７は平滑に形成される。そのため、開口２６の内壁面２７上に均一な厚みのシード層３０ａが形成される。シード層３０ａは薄く形成される。第１面２２は第１無機粒子９１の露出部分９１Ｐと樹脂８０の上面８０Ｒで形成される。露出面９１ｘと樹脂８０の上面８０Ｒ共通な面を形成する。第１面２２は平滑に形成される。そのため、第１面２２上に均一な厚みのシード層３０ａが形成される。シード層３０ａは薄く形成される。シード層３０ａが除去される時、エッチング量が少ない。そのため、電解めっき層３０ｂのエッチング量が少ない。第１信号配線３２と第２信号配線３４を有する第２導体層３０が設計値通りの幅を有する。微細な配線が形成される。高い品質を有するプリント配線板２が提供される。

【0065】

シード層３０ａの第１層３１ａがアルミニウムを含み、第３無機粒子９３が酸素元素を含むと、実施形態は第１層３１ａと内壁面２７間の接着力を高くすることができる。開口２６の径が小さくてもビア導体４０が内壁面２７から剥がれ難い。そのため、ビア導体４０を介する接続抵抗が上昇しがたい。図５Ｆに示されるように、ビア導体４０の径（開口２６の直径）Ｄはパッド１４上で測定される。径Ｄは２０μｍ以上、５０μｍ以下である。プリント配線板２の各辺の長さが５０ｍｍを超えてもビア導体４０を介する接続抵抗が上昇しがたい。プリント配線板２の各辺の長さが１００ｍｍ以上であっても長期間接続抵抗が上昇しがたい。高い接続信頼性を有するプリント配線板２が提供される。

【0066】

実施形態はビア導体４０を形成する第１層３１ａの厚みを薄くすることができる。実施形態はビア導体４０を形成する第２層３１ｂの厚みを薄くすることができる。第１層３１ａと第２層３１ｂはシード層を３０ａ形成する。実施形態はシード層形成後のビア導体用の開口の体積を大きくすることができる。シード層形成後のビア導体用の開口はシード層形成後の開口と呼ばれてもよい。シード層形成後の開口内に電解めっき層を形成することでシード層と電解めっき層からなるビア導体が形成される。ビア導体用の開口の径が小さくても、シード層形成後のビア導体用の開口内に電解めっき液が入り込みやすい。ビア導体を形成する電解めっき層がボイドを含みがたい。低抵抗なビア導体が形成される。シード層形成後の開口２６０の例が図５Ｆに示されている。シード層形成後の開口２６０はシード層で囲まれている。開口２６０の底と側面はシード層に接している。

【0067】

実施形態はアルミニウムを含む合金からなる第１層３１ａの厚みを薄くすることができる。信号配線中のアルミニウムの含有量は小さく、銅の含有量は大きい。実施形態は低抵抗な信号配線を提供することができる。実施形態は樹脂絶縁層に対し高い密着力を有し低抵抗な信号配線を提供することができる。

【0068】

実施形態のプリント配線板２では樹脂絶縁層２０の第１面２２は凹部をほとんど有していない。樹脂絶縁層２０の第１面２２近傍部分の比誘電率の標準偏差が大きくなることが抑制される。樹脂絶縁層２０の第１面２２の比誘電率は場所によって大きく変わらない。複数の信号配線が樹脂絶縁層２０の第１面２２に接していても、実施形態は信号配線間の電気信号の伝搬速度の差を小さくすることができる。そのため、実施形態のプリント配線板２ではノイズが抑制される。実施形態のプリント配線板２にロジックＩＣが実装されても、各信号配線で伝達されるデータがロジックＩＣにほぼ同時に到達する。実施形態はロジックＩＣの誤動作を抑制することができる。各信号配線の長さが５ｍｍ以上であっても、実施形態は伝搬速度の差を小さくすることができる。各信号配線の長さが１０ｍｍ以上、２０ｍｍ以下であっても、実施形態はロジックＩＣの誤動作を抑制することができる。第２樹脂絶縁層１２０の第１面１２２も樹脂絶縁層２０の第１面２２と同様である。そのため第３導体層１３０内の信号配線も第２導体層３０内の信号配線と同様の効果を有する。高い品質を有するプリント配線板２が提供される。

【0069】

実施形態のプリント配線板２は、導体層と樹脂絶縁層との間に接着層を有する。接着層は導体層と樹脂絶縁層を接着している。そのため、信号配線の上面と側面が平滑であっても樹脂絶縁層が信号配線から剥がれ難い。信号配線の上面と側面を荒らすことは行われないことが好ましい。接着層１００はほぼ平滑な平滑膜１０２と平滑膜１０２から突出している突出部１０４で形成されている。接着層１００が突出部１０４と平滑膜１０２によって形成される凹凸を有する。接着層１００は複数の突起１０６によって形成される凹凸を有する。そのため、第２導体層３０と第２樹脂絶縁層１２０が接着層１００を介して十分に密着する。高い品質を有するプリント配線板２が提供される。例えば、プリント配線板２の各辺の長さが５０ｍｍ以上であっても、第２樹脂絶縁層１２０が第２導体層３０から剥がれがたい。プリント配線板２の各辺の長さが１００ｍｍ以上であっても、接着層１００起因のクラックが第２樹脂絶縁層１２０内に発生しがたい。第２導体層３０が５μｍ以下の幅を有する導体回路を含んでも、第２樹脂絶縁層１２０が第２導体層３０から剥がれがたい。第２導体層３０が３μｍ以下の幅を有する導体回路を含んでも、接着層１００起因のクラックが第２樹脂絶縁層１２０内に発生しがたい。

【0070】

第１層が特定金属としてケイ素を含み、無機粒子がガラス粒子であると、内壁面上の第１層と第３無機粒子９３はケイ素を含む。第１面上の第１層と第１無機粒子９１はケイ素を含む。両者はケイ素を介して強く接着されると考えられる。銅とアルミニウムとケイ素を含む合金からなるシード層が内壁面から剥がれ難い。シード層が第１面から剥がれ難い。シード層が樹脂絶縁層から剥がれ難い。

【0071】

第１層がアルミニウムを含み、無機粒子（第１無機粒子９１、第２無機粒子９２、第３無機粒子９３）９０が酸素を含むと、第１層と無機粒子（ガラス粒子等の酸素を含む無機粒子）９０が強く接着されると考えられる。第１層がアルミニウムを含み、無機粒子９０が酸素を含む場合、第１層は銅とアルミニウムと不純物で形成されてもよい。

【0072】

［実施形態の別例１］
実施形態の別例１では、特定金属は、チタン、ニッケル、クロム、スズ、カルシウムの中から選ばれる。

【0073】

［実施形態の別例２］
実施形態の別例２では、シード層１０ａ、３０ａの第１層１１ａ、３１ａは、銅と第２元素で形成されている。第２元素は、ケイ素、アルミニウム、チタン、ニッケル、クロム、炭素、酸素、スズ、カルシウムの中から選ばれる。第１層１１ａ、３１ａは銅を含む合金で形成される。第２層１１ｂ、３１ｂは銅で形成される。第２層１１ｂ、３１ｂを形成している銅の量は９９．９ａｔ％以上である。銅の量は９９．９５ａｔ％以上であることが好ましい。

【0074】

［実施形態の改変例］
図６は実施形態の改変例を示す。図６に示されるように、改変例のプリント配線板５０２は絶縁層４上にビルドアップ層５００を有する。ビルドアップ層５００は複数の導体層と複数の樹脂絶縁層を有する。導体層と樹脂絶縁層は交互に積層される。ビルドアップ層５００は５層の導体層と４層の樹脂絶縁層を有する。５層の導体層は第１導体層１０と第２導体層３０、第３導体層１３０、第４導体層２３０、第５導体層３３０を含む。第１導体層１０と第２導体層３０と第３導体層１３０は実施形態のそれらと同様である。第４導体層２３０と第５導体層３３０は、第２導体層３０と共通する構成（シード層と電解めっき層）を有する。第４導体層２３０と第５導体層３３０は、第２導体層３０と同様の方法によって形成される。

【0075】

４層の樹脂絶縁層は第１樹脂絶縁層２０と第２樹脂絶縁層１２０、第３樹脂絶縁層２２０、第４樹脂絶縁層３２０を含む。第１樹脂絶縁層２０と第２樹脂絶縁層１２０は実施形態のそれらと同様である。第３樹脂絶縁層２２０と第４樹脂絶縁層３２０は、第１樹脂絶縁層２０と共通する構成（樹脂と無機粒子）を有する。第１樹脂絶縁層２０と第２樹脂絶縁層１２０、第３樹脂絶縁層２２０、第４樹脂絶縁層３２０は実施形態の樹脂絶縁層２０と同様の方法で形成される。第１樹脂絶縁層２０と第２樹脂絶縁層１２０、第３樹脂絶縁層２２０、第４樹脂絶縁層３２０は開口２６、１２６、２２６、３２６を有している。

【0076】

ビルドアップ層５００は４個のビア導体４０、１４０、２４０、３４０を有する。ビア導体４０は開口２６内に形成されており、第１導体層１０と第２導体層３０を接続する。ビア導体１４０は開口１２６内に形成されており、第２導体層３０と第３導体層１３０を接続する。ビア導体２４０は開口２２６内に形成されており、第３導体層１３０と第４導体層２３０を接続する。ビア導体２４０は開口２２６内に形成されており、第３導体層１３０と第４導体層２３０を接続する。ビア導体３４０は開口３２６内に形成されており、第４導体層２３０と第５導体層３３０を接続する。各樹脂絶縁層２０、１２０、２２０、３２０に形成されている各開口（ビア導体用の開口）２６、１２６、２２６、３２６は同様であり、各開口（ビア導体用の開口）２６、１２６、２２６、３２６は同様な内壁面を有する。３個のビア導体１４０、２４０、３４０はビア導体４０の直上に積層されている。４個のビア導体４０、１４０、２４０、３４０はスタックビアを形成する。

【0077】

改変例のプリント配線板５０２は５層の導体層１０、３０、１３０、２３０、３３０と、４個のビア導体４０、１４０、２４０、３４０で形成されるスタックビアを含んでいる。プリント配線板５０２の使用に伴って最も下のビア導体４０とパッド１４等の第１導体層１０との間の接続部分に大きい応力が加わる。しかしながら、改変例では、ビア導体４０と第１導体層１０間の接続信頼性は高い。ビア導体４０を介する接続抵抗が上昇しがたい。

【0078】

［改変例の別例］
ビルドアップ層５００は５層以上の導体層を有する。ビルドアップ層５００は１０層以上の導体層を有することが好ましい。導体層の数は２０以下である。

【0079】

第１面２２と垂直な面でプリント配線板２を切断することで各断面図は得られる。断面図が導体回路を含む場合、導体回路の側面と断面図は垂直である。

【0080】

本明細書内では、平面は内壁面２７の形状と平坦部９３ａの形状、第３無機粒子９３の形状に対し用いられている。これらに対し用いられている平面の意味は図１と図３に示されている。すなわち、図１と図３では、内壁面２７はほぼまっすぐに描かれている。図１と図３中の内壁面２７の形状はほぼ直線である。本明細中の平面は、断面中に実質的な直線を含む。図１と図３の第３無機粒子９３の断面に示されるように、断面では、平面で切断することは直線で切断することを含む。本明細書内の平面は完全な平面を意味せず実質的な平面を含む。実質的な平面は小さな凹凸を含んでもよい。

【符号の説明】

【0081】

２ ：プリント配線板
４ ：絶縁層
１０ ：第１導体層
２０ ：樹脂絶縁層
２２ ：第１面
２４ ：第２面
２６ ：開口
２７ ：内壁面
３０ ：第２導体層
３０ａ ：シード層
３１ａ ：第１層
３１ｂ ：第２層
４０ ：ビア導体
８０ ：樹脂
９０ ：無機粒子
９１ ：第１無機粒子
９２ ：第２無機粒子
９３ ：第３無機粒子

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5A】

【図5B】

【図5C】

【図5D】

【図5E】

【図5F】

【図6】