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特開2025-24621電子部品搭載基板およびその製造方法、電子部品被覆シート並びに積層シート
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2025024621
(43)【公開日】2025-02-20
(54)【発明の名称】電子部品搭載基板およびその製造方法、電子部品被覆シート並びに積層シート
(51)【国際特許分類】
H05K 3/28 20060101AFI20250213BHJP
C09D 201/00 20060101ALI20250213BHJP
H01L 23/28 20060101ALI20250213BHJP
H01L 21/56 20060101ALI20250213BHJP
【ＦＩ】
H05K3/28 C
H05K3/28 G
H05K3/28 F
C09D201/00
H01L23/28 E
H01L21/56 R
【審査請求】有
【請求項の数】9
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023128861
(22)【出願日】2023-08-07
(11)【特許番号】
(45)【特許公報発行日】2024-12-03
(71)【出願人】
【識別番号】000222118
【氏名又は名称】ａｒｔｉｅｎｃｅ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100103894
【弁理士】
【氏名又は名称】家入 健
(74)【代理人】
【識別番号】100124936
【弁理士】
【氏名又は名称】秦 恵子
(72)【発明者】
【氏名】日野 光晴
(72)【発明者】
【氏名】松戸 和規
【テーマコード（参考）】
4J038
4M109
5E314
5F061
【Ｆターム（参考）】
4J038DB002
4J038DG001
4J038DG111
4J038DG262
4J038HA446
4J038KA03
4J038KA08
4J038KA10
4J038MA13
4J038MA14
4J038NA01
4J038NA21
4J038PB09
4J038PC08
4M109AA01
4M109BA04
4M109CA26
4M109EA02
4M109EA07
4M109EB12
4M109GA02
5E314AA25
5E314AA27
5E314AA32
5E314AA33
5E314AA34
5E314AA36
5E314AA39
5E314BB02
5E314BB11
5E314CC15
5E314EE04
5E314FF01
5E314FF19
5E314GG19
5E314GG24
5F061AA01
5F061BA04
5F061CA26
5F061FA02
(57)【要約】 （修正有）
【課題】皺の発生、破断を改善でき、且つ被覆位置のズレを抑制できる品質の優れた被覆層を形成できる電子部品被覆シート、並びに被覆層を有する電子部品搭載基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１と、電子部品２と、被覆層３とを備える電子部品搭載基板１０の被覆層３を形成するためのＴＯＭ成形用等の電子部品被覆シートであって、当該被覆シートは、Ｔｇ～Ｔｇ＋４０℃における引張速度５０ｍｍ／分で測定する破断伸びを８００～２０００％、Ｔｇ～Ｔｇ＋４０℃における引張速度１０００ｍｍ／分で測定する破断伸びを５００～１５００％、ＪＩＳ Ｚ１７０７に準拠した突き刺し試験で測定した２３℃における単位膜厚あたりの突刺し強度を１０～２００Ｎ／ｍｍとする。
【選択図】図１
【解決手段】基板１と、電子部品２と、被覆層３とを備える電子部品搭載基板１０の被覆層３を形成するためのＴＯＭ成形用等の電子部品被覆シートであって、当該被覆シートは、Ｔｇ～Ｔｇ＋４０℃における引張速度５０ｍｍ／分で測定する破断伸びを８００～２０００％、Ｔｇ～Ｔｇ＋４０℃における引張速度１０００ｍｍ／分で測定する破断伸びを５００～１５００％、ＪＩＳ Ｚ１７０７に準拠した突き刺し試験で測定した２３℃における単位膜厚あたりの突刺し強度を１０～２００Ｎ／ｍｍとする。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板と、前記基板上に搭載された電子部品と、前記電子部品および前記基板の少なくとも一部を覆う被覆層と、を備える電子部品搭載基板の前記被覆層を形成するための電子部品被覆シートであって、
（ｉ）前記電子部品被覆シートを常温から電子部品被覆シートのＴｇ～Ｔｇ＋４０℃の雰囲気下に投入し、当該温度で引張速度５０ｍｍ／分で測定する破断伸びが８００～２０００％であり、
（ｉｉ）前記電子部品被覆シートを常温から電子部品被覆シートのＴｇ～Ｔｇ＋４０℃の雰囲気下に投入し、当該温度で引張速度１０００ｍｍ／分で測定する破断伸びが５００～１５００％であり、更に、
（ｉｉｉ）前記電子部品被覆シートを、ＪＩＳ Ｚ１７０７に準拠した突き刺し試験で測定した２３℃における単位膜厚あたりの突刺し強度が１０～２００Ｎ／ｍｍである、電子部品被覆シート。
（ｉ）前記電子部品被覆シートを常温から電子部品被覆シートのＴｇ～Ｔｇ＋４０℃の雰囲気下に投入し、当該温度で引張速度５０ｍｍ／分で測定する破断伸びが８００～２０００％であり、
（ｉｉ）前記電子部品被覆シートを常温から電子部品被覆シートのＴｇ～Ｔｇ＋４０℃の雰囲気下に投入し、当該温度で引張速度１０００ｍｍ／分で測定する破断伸びが５００～１５００％であり、更に、
（ｉｉｉ）前記電子部品被覆シートを、ＪＩＳ Ｚ１７０７に準拠した突き刺し試験で測定した２３℃における単位膜厚あたりの突刺し強度が１０～２００Ｎ／ｍｍである、電子部品被覆シート。
【請求項2】
前記電子部品被覆シートを常温から電子部品被覆シートのＴｇ～Ｔｇ＋４０℃の雰囲気下に投入し、当該温度で引張速度５０ｍｍ／分で測定するヤング率Ｅ５０と、
前記電子部品被覆シートを常温から電子部品被覆シートのＴｇ～Ｔｇ＋４０℃の雰囲気下に投入し、当該温度で引張速度１０００ｍｍ／分で測定するヤング率Ｅ１０００との比Ｅ１０００／Ｅ５０が０．８以上である、請求項１に記載の電子部品被覆シート。
前記電子部品被覆シートを常温から電子部品被覆シートのＴｇ～Ｔｇ＋４０℃の雰囲気下に投入し、当該温度で引張速度１０００ｍｍ／分で測定するヤング率Ｅ１０００との比Ｅ１０００／Ｅ５０が０．８以上である、請求項１に記載の電子部品被覆シート。
【請求項3】
熱硬化性樹脂と、硬化性化合物を含有し、
前記硬化性化合物は、
３官能以上であって、Ｎ原子を有する硬化性化合物（ｃ１）、並びに
２官能であって、Ｎ原子を有しない硬化性化合物（ｃ２）、を含有する請求項１に記載の電子部品被覆シート。
前記硬化性化合物は、
３官能以上であって、Ｎ原子を有する硬化性化合物（ｃ１）、並びに
２官能であって、Ｎ原子を有しない硬化性化合物（ｃ２）、を含有する請求項１に記載の電子部品被覆シート。
【請求項4】
支持層、および請求項１に記載の電子部品被覆シートを備える積層シート。
【請求項5】
前記支持層と前記電子部品被覆シートの間に離型層を有する請求項４記載の積層シート。
【請求項6】
前記支持層のガラス転移温度Ｔｇ２と前記電子部品被覆シートのＴｇ１が、
｜Ｔｇ２－Ｔｇ１｜≦２０℃
の関係にある、請求項４記載の積層シート。
｜Ｔｇ２－Ｔｇ１｜≦２０℃
の関係にある、請求項４記載の積層シート。
【請求項7】
基板と、前記基板上に搭載された電子部品と、前記電子部品および前記基板の少なくとも一部を覆う被覆層とを備える電子部品搭載基板であって、
前記被覆層は、請求項１～３のいずれかに記載の電子部品被覆シートを用いて形成された層である電子部品搭載基板。
前記被覆層は、請求項１～３のいずれかに記載の電子部品被覆シートを用いて形成された層である電子部品搭載基板。
【請求項8】
基板と、前記基板上に搭載された電子部品と、前記電子部品および前記基板の少なくとも一部を覆う被覆層とを備える電子部品搭載基板の製造方法であって、
請求項１～３のいずれかに記載の電子部品被覆シートを用いて前記被覆層を形成する被覆工程を有し、
前記被覆工程をＴＯＭ成形法、真空成形法、圧空成形法、真空圧空成形法、プレス成形法、射出成形法のいずれか一つの方法により行う電子部品搭載基板の製造方法。
請求項１～３のいずれかに記載の電子部品被覆シートを用いて前記被覆層を形成する被覆工程を有し、
前記被覆工程をＴＯＭ成形法、真空成形法、圧空成形法、真空圧空成形法、プレス成形法、射出成形法のいずれか一つの方法により行う電子部品搭載基板の製造方法。
【請求項9】
基板と、前記基板上に搭載された電子部品と、前記電子部品および前記基板の少なくとも一部を覆う被覆層とを備える電子部品搭載基板の製造方法であって、
請求項４～６のいずれかに記載の積層シートを用いて前記被覆層を形成する被覆工程と、
前記被覆工程後に、前記積層シートのうちの前記被覆層以外の層を除去する工程とを有し、
前記被覆工程をＴＯＭ成形法、真空成形法、圧空成形法、真空圧空成形法、プレス成形法、射出成形法のいずれか一つの方法により行う電子部品搭載基板の製造方法。
請求項４～６のいずれかに記載の積層シートを用いて前記被覆層を形成する被覆工程と、
前記被覆工程後に、前記積層シートのうちの前記被覆層以外の層を除去する工程とを有し、
前記被覆工程をＴＯＭ成形法、真空成形法、圧空成形法、真空圧空成形法、プレス成形法、射出成形法のいずれか一つの方法により行う電子部品搭載基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、電子部品搭載基板およびその製造方法に関する。また、電子部品被覆シートおよび積層シートに関する。
【背景技術】
【0002】
基板に搭載されたＩＣチップ等の電子部品は、被覆層により保護されている。被覆層により、基板の折り曲げ耐性を高めたり、物理的衝撃、或いは温度変化等から保護したりしている。
【0003】
被覆層の形成は、従来のコンフォーマルコーティングに代わり、熱溶融性の電子部品被覆シートに置き換わりつつある。例えば、特許文献１には、基板上に実装された電子部品を熱硬化性樹脂組成物からなるシートで被覆し、加熱硬化する電子部品の封止方法が開示されている。特許文献２には、絶縁層と電磁波シールド層を備える封止用フィルムの製造方法が開示されている。封止用フィルムは、軟化点における伸び率が１５０～３５００％であり、電子部品搭載基板に形成される凹凸に対応する凹凸を予め備える。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開２０１２－０５４３６３号公報
【特許文献2】特開２０１９－０２１７５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
立体形状にフィルムを貼付する方法として、例えば、ＴＯＭ成形（Three dimension Overlay Method：３次元表面被覆成形）法が知られている。ＴＯＭ成形法は、凹凸形状に追随するように被覆することができ、加飾性、絶縁性などの各種機能を付与できるので、自動車の内装部品などの加飾用途として利用されている。ＴＯＭ成形法は立体形状の被覆に適しているので、電子部品搭載基板の被覆層としても有望である。しかし、電子部品はサイズが小さい上、形状・高さの異なる電子部品が過密に搭載されるので、被覆層の皺、破断などの被覆不良が生じやすい。被覆不良は外観不良のみならず、品質劣化、性能劣化を招来する。絶縁性が求められる被覆層の場合、電子部品搭載基板の絶縁不良が生じる原因となり得る。また、電磁波シールド性が求められる被覆層の場合、シールド特性の低下が生じ得る。軽薄短小化により、これらの問題はより深刻になり得る。また、被覆層の形成位置ズレを防止できれば、被覆が必要な領域に限定して被覆するなどの選択肢も可能となる。更に、汎用性を格段に高めることも期待できる。
なお、上記においてはＴＯＭ成形における問題点において述べたが、真空成形用、圧空成形用、真空圧空成形用、プレス成形用、射出成形用等においても同様の課題が生じ得る。
なお、上記においてはＴＯＭ成形における問題点において述べたが、真空成形用、圧空成形用、真空圧空成形用、プレス成形用、射出成形用等においても同様の課題が生じ得る。
【0006】
本開示は上記問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、皺および破断を改善でき、且つ被覆位置のズレを抑制できる品質の優れた被覆層を形成できる電子部品被覆シート、積層シート並びに前記被覆層を有する電子部品搭載基板およびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明者らが鋭意検討を重ねたところ、以下の態様において、本開示の課題を解決し得ることを見出し、本開示を完成するに至った。
［１］： 基板と、前記基板上に搭載された電子部品と、前記電子部品および前記基板の少なくとも一部を覆う被覆層と、を備える電子部品搭載基板の前記被覆層を形成するための電子部品被覆シートであって、
（ｉ）前記電子部品被覆シートを常温から電子部品被覆シートのＴｇ～Ｔｇ＋４０℃の雰囲気下に投入し、当該温度で引張速度５０ｍｍ／分で測定する破断伸びが８００～２０００％であり、
（ｉｉ）前記電子部品被覆シートを常温から電子部品被覆シートのＴｇ～Ｔｇ＋４０℃の雰囲気下に投入し、当該温度で引張速度１０００ｍｍ／分で測定する破断伸びが５００～１５００％であり、更に、
（ｉｉｉ）前記電子部品被覆シートを、ＪＩＳ Ｚ１７０７に準拠した突き刺し試験で測定した２３℃における単位膜厚あたりの突刺し強度が１０～２００Ｎ／ｍｍである、電子部品被覆シート。
［２］： 前記電子部品被覆シートを常温から電子部品被覆シートのＴｇ～Ｔｇ＋４０℃の雰囲気下に投入し、当該温度で引張速度５０ｍｍ／分で測定するヤング率Ｅ５０と、
前記電子部品被覆シートを常温から電子部品被覆シートのＴｇ～Ｔｇ＋４０℃の雰囲気下に投入し、当該温度で引張速度１０００ｍｍ／分で測定するヤング率Ｅ１０００との比Ｅ１０００／Ｅ５０が０．８以上である、［１］に記載の電子部品被覆シート。
［３］： 熱硬化性樹脂と、硬化性化合物を含有し、前記硬化性化合物は、３官能以上であって、Ｎ原子を有する硬化性化合物（ｃ１）、並びに
２官能であって、Ｎ原子を有しない硬化性化合物（ｃ２）、を含有する［１］または［２］に記載の電子部品被覆シート。
［４］： 支持層、および［１］～［３］のいずれかに記載の電子部品被覆シートを備える積層シート。
［５］： 前記支持層と前記電子部品被覆シートの間に離型層を有する［４］に記載の積層シート。
［６］： 前記支持層のガラス転移温度Ｔｇ２と前記電子部品被覆シートのＴｇ１が、
｜Ｔｇ２－Ｔｇ１｜≦２０℃
の関係にある、［４］または［５］に記載の積層シート。
［７］： 基板と、前記基板上に搭載された電子部品と、前記電子部品および前記基板の少なくとも一部を覆う被覆層とを備える電子部品搭載基板であって、
前記被覆層は、［１］～［３］のいずれかに記載の電子部品被覆シートを用いて形成された層である電子部品搭載基板。
［８］： 基板と、前記基板上に搭載された電子部品と、前記電子部品および前記基板の少なくとも一部を覆う被覆層とを備える電子部品搭載基板の製造方法であって、
［１］～［３］のいずれかに記載の電子部品被覆シートを用いて前記被覆層を形成する被覆工程を有し、前記被覆工程をＴＯＭ成形法、真空成形法、圧空成形法、真空圧空成形法、プレス成形法、射出成形法のいずれか一つの方法により行う電子部品搭載基板の製造方法。
［９］： 基板と、前記基板上に搭載された電子部品と、前記電子部品および前記基板の少なくとも一部を覆う被覆層とを備える電子部品搭載基板の製造方法であって、［４］～［６］のいずれかに記載の積層シートを用いて前記被覆層を形成する被覆工程と、前記被覆工程後に、前記積層シートのうちの前記被覆層以外の層を除去する工程とを有し、前記被覆工程をＴＯＭ成形法、真空成形法、圧空成形法、真空圧空成形法、プレス成形法、射出成形法のいずれか一つの方法により行う電子部品搭載基板の製造方法。
［１］： 基板と、前記基板上に搭載された電子部品と、前記電子部品および前記基板の少なくとも一部を覆う被覆層と、を備える電子部品搭載基板の前記被覆層を形成するための電子部品被覆シートであって、
（ｉ）前記電子部品被覆シートを常温から電子部品被覆シートのＴｇ～Ｔｇ＋４０℃の雰囲気下に投入し、当該温度で引張速度５０ｍｍ／分で測定する破断伸びが８００～２０００％であり、
（ｉｉ）前記電子部品被覆シートを常温から電子部品被覆シートのＴｇ～Ｔｇ＋４０℃の雰囲気下に投入し、当該温度で引張速度１０００ｍｍ／分で測定する破断伸びが５００～１５００％であり、更に、
（ｉｉｉ）前記電子部品被覆シートを、ＪＩＳ Ｚ１７０７に準拠した突き刺し試験で測定した２３℃における単位膜厚あたりの突刺し強度が１０～２００Ｎ／ｍｍである、電子部品被覆シート。
［２］： 前記電子部品被覆シートを常温から電子部品被覆シートのＴｇ～Ｔｇ＋４０℃の雰囲気下に投入し、当該温度で引張速度５０ｍｍ／分で測定するヤング率Ｅ５０と、
前記電子部品被覆シートを常温から電子部品被覆シートのＴｇ～Ｔｇ＋４０℃の雰囲気下に投入し、当該温度で引張速度１０００ｍｍ／分で測定するヤング率Ｅ１０００との比Ｅ１０００／Ｅ５０が０．８以上である、［１］に記載の電子部品被覆シート。
［３］： 熱硬化性樹脂と、硬化性化合物を含有し、前記硬化性化合物は、３官能以上であって、Ｎ原子を有する硬化性化合物（ｃ１）、並びに
２官能であって、Ｎ原子を有しない硬化性化合物（ｃ２）、を含有する［１］または［２］に記載の電子部品被覆シート。
［４］： 支持層、および［１］～［３］のいずれかに記載の電子部品被覆シートを備える積層シート。
［５］： 前記支持層と前記電子部品被覆シートの間に離型層を有する［４］に記載の積層シート。
［６］： 前記支持層のガラス転移温度Ｔｇ２と前記電子部品被覆シートのＴｇ１が、
｜Ｔｇ２－Ｔｇ１｜≦２０℃
の関係にある、［４］または［５］に記載の積層シート。
［７］： 基板と、前記基板上に搭載された電子部品と、前記電子部品および前記基板の少なくとも一部を覆う被覆層とを備える電子部品搭載基板であって、
前記被覆層は、［１］～［３］のいずれかに記載の電子部品被覆シートを用いて形成された層である電子部品搭載基板。
［８］： 基板と、前記基板上に搭載された電子部品と、前記電子部品および前記基板の少なくとも一部を覆う被覆層とを備える電子部品搭載基板の製造方法であって、
［１］～［３］のいずれかに記載の電子部品被覆シートを用いて前記被覆層を形成する被覆工程を有し、前記被覆工程をＴＯＭ成形法、真空成形法、圧空成形法、真空圧空成形法、プレス成形法、射出成形法のいずれか一つの方法により行う電子部品搭載基板の製造方法。
［９］： 基板と、前記基板上に搭載された電子部品と、前記電子部品および前記基板の少なくとも一部を覆う被覆層とを備える電子部品搭載基板の製造方法であって、［４］～［６］のいずれかに記載の積層シートを用いて前記被覆層を形成する被覆工程と、前記被覆工程後に、前記積層シートのうちの前記被覆層以外の層を除去する工程とを有し、前記被覆工程をＴＯＭ成形法、真空成形法、圧空成形法、真空圧空成形法、プレス成形法、射出成形法のいずれか一つの方法により行う電子部品搭載基板の製造方法。
【発明の効果】
【0008】
本開示によれば、皺および破断を改善でき、且つ被覆位置のズレを抑制できる品質の優れた被覆層を形成できる電子部品被覆シート、積層シート並びに前記被覆層を有する電子部品搭載基板およびその製造方法を提供できるという優れた効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【図1】第１実施形態に係る電子部品搭載基板の一例を示す模式的断面図。
【図2】第１実施形態に係る電子部品被覆シートの一例を示す模式的断面図。
【図3】第１実施形態の製造工程の一例を示す模式的断面図。
【図4】第１実施形態の製造工程の一例を示す模式的断面図。
【図5】第１実施形態の製造工程の一例を示す模式的断面図。
【図6】第２実施形態に係る電子部品被覆シートの一例を示す模式的断面図。
【図7】第３実施形態に係る積層シートおよび製造工程の一例を示す模式的断面図。
【図8】第４実施形態に係る積層シートの一例を示す模式的断面図。
【図10】第５実施形態に係る電子部品搭載基板の一例を示す模式的断面図。
【図11】第５実施形態に係る積層シートの一例を示す模式的上面図。
【図12】実施例に係る電子部品が搭載された基板の一例を示す模式的側面図。
【発明を実施するための形態】
【0010】
以下、本開示を適用した実施形態の一例について説明する。各実施形態は、任意に組み合わせられる。なお、以降の図における各部材のサイズや比率は、説明の便宜上のものであり、これに限定されるものではない。また、本明細書において「任意の数Ａ～任意の数Ｂ」なる記載は、当該範囲に数Ａが下限値として、数Ｂが上限値として含まれる。また、シート、フィルムは同義とする。更に、本明細書において特定する数値は、実施形態または実施例に開示した方法により求められる値である。また、各成分は特に言及しない限り、一種単独でも二種以上を併用してもよい。
【0011】
１．第１実施形態
１－１．電子部品搭載基板
図１に、本開示の第一実施形態に係る電子部品搭載基板の模式的断面図の一例を示す。第一実施形態の電子部品搭載基板１０は、同図に示すように、基板１と、基板１上に搭載された電子部品２と、被覆層３とを備える。
１－１．電子部品搭載基板
図１に、本開示の第一実施形態に係る電子部品搭載基板の模式的断面図の一例を示す。第一実施形態の電子部品搭載基板１０は、同図に示すように、基板１と、基板１上に搭載された電子部品２と、被覆層３とを備える。
【0012】
基板１は、電子部品２を搭載可能であり、且つ各用途の成形プロセスに耐え得る基板であればよく。任意に選択できる。基板１には、電極・配線パターン、ビア（不図示）等を任意に設けることができる。基板はリジッド性を有するものでも、フレキシブル性を有するものでもよい。例えば銅箔等からなる導電パターンが表面および／又は内部に形成されたワークボード、実装モジュール基板、プリント配線板、ビルドアップ法等により形成されたビルドアップ基板が挙げられる。
【0013】
電子部品２は、基板１の主面上に搭載される。電子部品を複数搭載する場合、それぞれの形状および高さは同一でも、異なっていてもよい。電子部品２の具体例として、ＩＣチップ、積層セラミックチップコンデンサ（ＭＬＣＣ）、インダクタ、サーミスタが挙げられる。
【0014】
被覆層３は、電子部品２の上面から側面、更に、基板１の一主面の露出面全体に亘り被覆されている。つまり、電子部品２の搭載によって形成された段差部（凹凸部）に追随するように被覆され、基板１の一主面上の露出面全体に被覆層３が設けられている。被覆層３は、本開示の電子部品被覆シート（以下、本被覆シートともいう）を用いて形成される。本被覆シートから被覆層３を形成する方法は限定されないが、３次元表面被覆工法であるＴＯＭ（Three dimension Overlay Method）成形法、真空成形法、圧空成形法、真空圧空成形法、プレス成形法、射出成形法のいずれか一つの方法が好適である。これらの中でも、本被覆シートはＴＯＭ成形用として特に好適である。
【0015】
被覆層３は単層または複層より形成される。被覆層は、ニーズに応じて機能を付与できる。例えば、絶縁層、導電層、熱伝導層、防水層、遮蔽層、着色層、難燃層、ハードコート層、加飾層等により構成できる。例えば、単層または複層の絶縁層、単層または複層の導電層、絶縁層／導電層の被覆層が挙げられる。基板１の主面の露出面を被覆層３により保護する他、図１に示すように基板１の側面を被覆層３により保護してもよい。
【0016】
図１の例においては、基板１の一主面上に電子部品２を搭載する例を説明したが、基板の両主面に電子部品を搭載し、基板の両主面を被覆層により被覆してもよい。また、基板１の主面の露出面全体ではなく、後述する第５実施形態の電子部品搭載基板のように部分的に被覆層を設けてもよい。
【0017】
１－２．電子部品被覆シート
本開示の電子部品被覆シート（本被覆シート）は、上述の通り、電子部品搭載基板の被覆層を形成するためのシートである。本被覆シートは、電子部品を物理的に保護すると共に、特定の機能を付与できる。本被覆シートの好適例として、絶縁性を有する絶縁性シート、電磁波シールド層などとして機能する導電性シート、電子部品の熱を放熱する熱伝導性シート、電子部品が視認されないようにする或いは遮光する遮蔽シート、電子部品を湿気から保護する防湿性シート、加飾された加飾シート、難燃性が付与された難燃性シート、ハードコート性が付与された保護シート、これらの任意の組合せの機能を備えたシートが例示できる。複数の機能を有する被覆シートの好適例として、絶縁性と熱伝導性を兼ね備える被覆シート、絶縁性と遮蔽性を兼ね備える被覆シート、導電性と遮蔽性を兼ね備える被覆シート、絶縁性と防湿性を兼ね備える被覆シートが挙げられる。
本開示の電子部品被覆シート（本被覆シート）は、上述の通り、電子部品搭載基板の被覆層を形成するためのシートである。本被覆シートは、電子部品を物理的に保護すると共に、特定の機能を付与できる。本被覆シートの好適例として、絶縁性を有する絶縁性シート、電磁波シールド層などとして機能する導電性シート、電子部品の熱を放熱する熱伝導性シート、電子部品が視認されないようにする或いは遮光する遮蔽シート、電子部品を湿気から保護する防湿性シート、加飾された加飾シート、難燃性が付与された難燃性シート、ハードコート性が付与された保護シート、これらの任意の組合せの機能を備えたシートが例示できる。複数の機能を有する被覆シートの好適例として、絶縁性と熱伝導性を兼ね備える被覆シート、絶縁性と遮蔽性を兼ね備える被覆シート、導電性と遮蔽性を兼ね備える被覆シート、絶縁性と防湿性を兼ね備える被覆シートが挙げられる。
【0018】
本被覆シートは、単層であっても複層であってもよい。複層とする場合、同一機能を有する層を複数積層してもよいし、機能の異なる層を積層してもよい。例えば、絶縁層／導電層、絶縁層／ハードコート層、絶縁層／防水層、熱伝導層／絶縁層の積層構成を有する被覆シートが例示できる。
【0019】
図２に、第一実施形態に係る電子部品被覆シートの一例の模式的断面図を示す。第１実施形態の被覆シート４は、同図に示すように、絶縁層３１と導電層３２の積層構成を有する。電子部品２側に絶縁層３１を配置して電子部品を絶縁保護し、その上層に設けられた導電層３２により例えば電磁波シールド性を付与できる。導電層３２と基板１のグランド（不図示）とをピン（不図示）などにより電気的に接続してもよい。上記態様に代えて、導電層３２を電子部品２側に配置し、その上層に絶縁層３１を配置してもよい。
【0020】
本被覆シートは、被覆層の前駆体物品であり、以下の（ｉ）～（ｉｉｉ）を満たす。複層の場合には、それぞれの層が（ｉ）～（ｉｉｉ）を満たしている必要はなく、被覆シートにおいて（ｉ）～（ｉｉｉ）を満たしていればよい。
（ｉ）電子部品被覆シートを常温からＴｇ～Ｔｇ＋４０℃の雰囲気下に投入し、当該温度で引張速度５０ｍｍ／分で測定したときの破断伸びが８００～２０００％である。
（ｉｉ）電子部品被覆シートを常温からＴｇ～Ｔｇ＋４０℃の雰囲気下に投入し、当該温度で引張速度１０００ｍｍ／分で測定したときの破断伸びが５００～１５００％である。
（ｉｉｉ）電子部品被覆シートを、ＪＩＳ Ｚ１７０７に準拠した突き刺し試験で測定した２３℃における単位膜厚あたりの突刺し強度が１０～２００Ｎ／ｍｍである。
なお、本開示のＴｇは本実施例の方法により得られる値である。また、「Ｔｇ～Ｔｇ＋４０℃」は、電子部品被覆シートの特性を示すための条件であって、被覆層を形成するときの温度をこの範囲に限定するものではない。また、上記（ｉ）～（ｉｉｉ）の数値は、後述する実施例に記載の方法・条件で行ったときの値である。
（ｉ）電子部品被覆シートを常温からＴｇ～Ｔｇ＋４０℃の雰囲気下に投入し、当該温度で引張速度５０ｍｍ／分で測定したときの破断伸びが８００～２０００％である。
（ｉｉ）電子部品被覆シートを常温からＴｇ～Ｔｇ＋４０℃の雰囲気下に投入し、当該温度で引張速度１０００ｍｍ／分で測定したときの破断伸びが５００～１５００％である。
（ｉｉｉ）電子部品被覆シートを、ＪＩＳ Ｚ１７０７に準拠した突き刺し試験で測定した２３℃における単位膜厚あたりの突刺し強度が１０～２００Ｎ／ｍｍである。
なお、本開示のＴｇは本実施例の方法により得られる値である。また、「Ｔｇ～Ｔｇ＋４０℃」は、電子部品被覆シートの特性を示すための条件であって、被覆層を形成するときの温度をこの範囲に限定するものではない。また、上記（ｉ）～（ｉｉｉ）の数値は、後述する実施例に記載の方法・条件で行ったときの値である。
【0021】
破断伸びとは、本被覆シートの引っ張り試験を行った場合に、被覆シートが破断した後の永久伸びの値をいう。破断伸びの値は、ＪＩＳＫ７１６１：１９９４により規定された方法により行った。
【0022】
本被覆シートにおいて上記（ｉ）の破断伸びを８００％以上とし、且つ上記（ｉｉ）の破断伸びを５００％以上とすることにより、被覆シートの伸びを良好にし、被覆層の破れを抑制できる。一方、上記（ｉ）の破断伸びを２０００％以下とし、且つ上記（ｉｉ）の破断伸びを１５００％以下とすることにより皺の発生を抑制できる。
本被覆シートにおいて上記（ｉ）および（ｉｉ）を満たすための制御は、本被覆シートを形成する組成物の硬化性化合物の種類により調整できる。具体的には、硬化性化合物の官能基数、当量により調整できる。また、組成物中の硬化性化合物の含有率によっても調整できる。更に、フィラーの種類、量、粒子径によっても調整できる。また、可塑剤、それ自体反応性の無い不活性な（イナートな）樹脂やオリゴマー、などの架橋に寄与しない柔軟性調整剤によっても調整できる。
本被覆シートにおいて上記（ｉ）および（ｉｉ）を満たすための制御は、本被覆シートを形成する組成物の硬化性化合物の種類により調整できる。具体的には、硬化性化合物の官能基数、当量により調整できる。また、組成物中の硬化性化合物の含有率によっても調整できる。更に、フィラーの種類、量、粒子径によっても調整できる。また、可塑剤、それ自体反応性の無い不活性な（イナートな）樹脂やオリゴマー、などの架橋に寄与しない柔軟性調整剤によっても調整できる。
【0023】
突刺し強度とは、ＪＩＳ Ｚ１７０７に準拠（２３℃）した突き刺し試験で得られた値であり、具体的には、ステンレス棒（直径１ｍｍ）を被覆シートに対して垂直に降下させて被覆シートが破れたときの強度である。単位膜厚あたりの突刺し強度は、前記突刺し強度を電子部品被覆シートの厚みで除したものである。単位膜厚あたりの突刺し強度が上記（ｉｉｉ）を満たすことで、電子部品のエッジ部などにおける被覆シートの破断を効果的に防止し、品質の優れた被覆シートを提供できる。
【0024】
上記（ｉｉｉ）を満たすための制御は、本被覆層の架橋密度により容易に調整できる。本被覆シートを形成するための組成物中の硬化性化合物の官能基数、当量を調整する方法が好適である。硬化性化合物は２官能以上であることが好ましく、３～４官能の硬化性化合物を含有することがより好ましい。前記組成物の硬化性化合物の含有率によっても調整できる。更に、フィラーの種類、量、粒子径によっても調整できる。また、可塑剤、それ自体反応性の無い不活性な（イナートな）樹脂やオリゴマー、などの架橋に寄与しない柔軟性調整剤の種類によっても調整できる。
【0025】
上記（ｉ）、（ｉｉ）を満たすことにより、ＴＯＭ成形等の減圧工程時に生じる被覆層の皺の発生を効果的に抑制できる。更に、上記（ｉ）、（ｉｉ）を満たし、更に（ｉｉｉ）を満たすことにより、被覆シートに熱および応力が加えられたとき、或いは電子部品搭載基板が衝撃を受けたときなどに、エッジ部におけるシートの破断を効果的に防止できる。また、積層位置のズレを抑制できる。これらの結果、被覆シートの品質を格段に高めることができる。また、外観不良を効果的に改善できる。このため、本被覆シートによれば、高さの異なる電子部品を搭載した基板等も含めて、優れた品質の被覆層を有する電子部品搭載基板を提供できる。
【0026】
上記（ｉ）の破断伸びは、被覆層の破れ抑制、皺抑制の観点から９００～１７００％がより好ましく、１０００～１５００％が更に好ましい。９００％以上とすることにより、被覆シートの強度をより高めて、被覆層の破れをより効果的に防止できる。
上記（ｉｉ）の破断伸びは、被覆層の破れ抑制、皺抑制の観点から６５０～１４００％がより好ましく、８００～１３００％が更に好ましい。上記（ｉｉｉ）の単位膜厚あたりの突刺し強度は、被覆層の破れ抑制の観点から５０～１７０Ｎ／ｍｍがより好ましく、７０～１５０Ｎ／ｍｍが更に好ましい。
上記（ｉｉ）の破断伸びは、被覆層の破れ抑制、皺抑制の観点から６５０～１４００％がより好ましく、８００～１３００％が更に好ましい。上記（ｉｉｉ）の単位膜厚あたりの突刺し強度は、被覆層の破れ抑制の観点から５０～１７０Ｎ／ｍｍがより好ましく、７０～１５０Ｎ／ｍｍが更に好ましい。
【0027】
本被覆シートが熱硬化性樹脂を含む場合、電子部品被覆シートの加熱による硬化プロセスを経て被覆層となる。電子部品被覆シートは表面保護のために、片面あるいは両面に剥離性シートを具備していてもよい。
【0028】
また、本被覆シートは、被覆層の破れ抑制、被着体への追従性向上の観点から、常温にある本被覆シートをＴｇ～Ｔｇ＋４０℃の雰囲気下に投入し、当該温度で引張速度５０ｍｍ／分で測定するヤング率Ｅ５０は１～１８ＧＰａが好ましく、３～１５ＧＰａがより好ましく、６～１２ＧＰａが更に好ましい。同じく常温にある本被覆シートをＴｇ～Ｔｇ＋４０℃の雰囲気下に投入し、当該温度で引張速度１０００ｍｍ／分で測定するヤング率Ｅ１０００は２～２０ＧＰａが好ましく、４～１８ＧＰａがより好ましく、６～１５ＧＰａが更に好ましい。高速引張時のヤング率を前記範囲とすることによりＴＯＭ成形時等にシートが撓まず、皺が抑制できると考えられる。
【0029】
ヤング率を上記範囲に調整する方法は、例えば、架橋密度により調整できる。具体的には、本被覆シートを形成するための組成物中の硬化性化合物の官能基数、当量の調整により行うことができる。また、前記組成物の硬化性化合物の含有率によっても調整できる。更に、フィラーの種類、量、粒子径によっても調整できる。また、可塑剤、それ自体反応性の無い不活性な（イナートな）樹脂やオリゴマー、などの架橋に寄与しない柔軟性調整剤の種類によっても調整できる。
【0030】
ヤング率Ｅ１０００とヤング率Ｅ５０の比Ｅ１０００／Ｅ５０は０．８以上が好ましい。比Ｅ１０００／Ｅ５０は０．９以上がより好ましい。比Ｅ１０００／Ｅ５０の上限値は１．４以下が好ましく、１．３以下がより好ましい。比Ｅ１０００／Ｅ５０を前述の範囲とすることにより、電子部品の凹凸部、特にエッジにおけるシートの破断を防止し、外観不良をより効果的に防止できる。
【0031】
本被覆シートのＴｇは被覆層の破れ抑制、皺抑制の観点より０～８０℃の範囲が好ましく、１５～４５℃がより好ましい。被覆シートが複層の場合には、各層のＴｇが前記範囲であることが好ましい。複層の場合のＴｇは、Ｔｇが最も高い層のＴｇを基準とする。
【0032】
本被覆シートの厚みは、用途により適宜設計し得る。薄型化が求められている用途には、電子部品の上面および側面を被覆する本被覆シートの厚みは、１０～１０００μｍの範囲が好ましく、１５～５００μｍであることがより好ましく、２０～２５０μｍであることが更に好ましい。
【0033】
本被覆シートを絶縁層とする場合、表面抵抗値が１．０×１０７Ω／□以上であることが好ましく、１．０×１０８Ω／□以上であることがより好ましく、１．０×１０９Ω／□以上であることがさらに好ましい。本被覆シートを導電層とする場合、表面抵抗値が１．０×１０５Ω／□以下であることが好ましく、１．０×１０３Ω／□以下であることがより好ましく、１．０×１０２Ω／□以下であることがさらに好ましい。
【0034】
本被覆シートは、バインダー成分を含む。バインダー成分は、被覆層の基体となる成分である。バインダー成分に用いる樹脂として、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂およびこれらの混合物が例示できる。これらの樹脂と架橋する硬化性化合物もバインダー成分に含まれる。熱硬化性樹脂は、自己架橋する熱硬化性樹脂の他、硬化性化合物と反応可能な熱硬化性樹脂が好適である。これらを組み合わせてもよい。バインダー樹脂としては、熱硬化性樹脂と硬化性化合物の組合せが好適である。硬化性化合物を用いる場合、硬化性化合物と反応可能な反応性官能基を有する熱硬化性樹脂が好ましい。バインダー樹脂は１種単独または２種類以上を併用できる。
【0035】
熱硬化性樹脂は、硬化性化合物、或いは自己架橋する反応性の官能基を有する。官能基は、フェノール性水酸基、酸無水物基、メトキシメチル基、カルボキシ基、アミノ基、エポキシ基、オキセタニル基、オキサゾリン基、オキサジン基、アジリジン基、チオール基、イソシアネート基、ブロック化イソシアネート基、ブロック化カルボキシ基、シラノール基等が挙げられる。
【0036】
熱硬化性樹脂は、例えば、ポリウレタン樹脂、ポリウレタンウレア樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエステルアミド樹脂、ポリエーテルエステル樹脂、アルキド樹脂、ポリイミド樹脂、ベンゾオキサジン樹脂、アミノ樹脂、ポリ乳酸樹脂、オキサゾリン樹脂、シリコーン樹脂およびフッ素樹脂が挙げられる。高温耐性を高める観点からは、これらの中でも、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリウレタンウレア樹脂、ポリカーボネート樹脂、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂およびポリアミド樹脂が好適である。
【0037】
熱硬化性樹脂の酸価は、エッジ被覆性を向上させる観点から３～３０ｍｇＫＯＨ／ｇが好ましい。より好ましくは４～２０ｍｇＫＯＨ／ｇであり、５～１０ｍｇＫＯＨ／ｇが更に好ましい。
【0038】
硬化性化合物は、熱硬化性樹脂と反応可能な官能基を有している。前記官能基は複数有することが好ましい。硬化性化合物は、エポキシ化合物、イソシアネート化合物、ポリカルボジイミド化合物、アジリジン化合物、酸無水物基含有化合物、ジシアンジアミド化合物、芳香族ジアミン化合物等のアミン化合物、フェノールノボラック樹脂等のフェノール化合物、有機金属化合物が例示できる。硬化性化合物は、樹脂であっても低分子化合物でもよい。硬化性化合物として樹脂を用いる場合、熱硬化性樹脂と硬化性化合物の区別は、含有量の多い方を熱硬化性樹脂とし、含有量の少ない方を硬化性化合物とする。硬化性化合物は、１種単独または２種以上を併用できる。
【0039】
被覆層の皺および破断を効果的に抑制する観点から、３官能以上であって、Ｎ原子を有する硬化性化合物（ｃ１）（以下、硬化性化合物（ｃ１）ともいう）と、２官能であって、官能基にＮ原子を含有しない硬化性化合物（ｃ２）（以下、硬化性化合物（ｃ２）ともいう）との組み合わせが好適である。硬化性化合物（ｃ１）を用いることにより硬化プロセス前の硬化反応をある程度促進させ、ＴＯＭ成形等において被覆シートの伸長時の破断を効果的に防止できる。一方、硬化性化合物（ｃ２）を用いることにより、架橋密度を抑え、架橋を緩やかに進行させられるので、ＴＯＭ成形時等の破断伸びを良好に保つことができる。
【0040】
硬化性化合物（ｃ１）の好適例として３官能以上のグリシジルアミン、３官能以上のアジリジンが挙げられる。また、硬化性化合物（ｃ２）の好適例として２官能のエポキシ化合物が例示できる。
【0041】
３官能以上のグリシジルアミンとしては、炭素数６～２０で、２～４個の活性水素原子をもつ芳香族アミン（アニリンおよびトルイジン等）とエピクロルヒドリンとの反応で得られるＮ－グリシジル化物等が挙げられる。具体的には、テトラグリシジルアミンフェニルメタン、トリグリシジル－ｐ－アミノフェノール、テトラグリシジル－ｍ－キシレンジアミンも好適である。市販品としては、スミエポキシＥＬＭ－１００、ＥＬＭ－１２０（住友化学工業社製）、ＭＹ７２１（チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製）、三菱ガス化学（株）製の商品名ＴＥＴＲＡＤ－Ｘ、ＴＥＴＲＡＤ－Ｃ、日本化薬（株）製の商品名ＧＡＮが例示できる。
【0042】
３官能以上のアジリジンとしては、トリメチロールプロパントリス（３－（２－メチル－１－アジリジル）プロピオン酸）エステル、トリメチロールプロパントリス（３－（１－アジリジル）プロピオン酸）エステル、ペンタエリスリトールトリス（３－（２－メチル－１－アジリジル）プロピオン酸）エステル、ペンタエリスリトールトリス（３－（１－アジリジル）プロピオン酸）エステル、ジペンタエリスルトールトリス（３－（１－アジリジル）プロピオン酸）エステルおよびソルビトールトリス（３－（１－アジリジル）プロピオン酸）エステル等の３官能アジリジン；ペンタエリスリトールテトラキス（３－（１－アジリジル）プロピオン酸）エステル、ソルビトールテトラキス（３－（１－アジリジル）プロピオン酸）エステルおよびジトリメチロールプロパンテトラキス（３－（１－アジリジル）プロピオン酸）エステル等の４官能アジリジン；ソルビトールペンタキス（３－（１－アジリジル）プロピオン酸）エステルおよびジペンタエリスリトールペンタキス（３－（１－アジリジル）プロピオン酸）エステルが等の５官能アジリジン；ジペンタエリスリトールヘキサキス（３－（１－アジリジル）プロピオン酸）エステルおよびソルビトールヘキサキス（３－（１－アジリジル）プロピオン酸）エステル等の６官能アジリジンが挙げられる。
【0043】
２官能のエポキシ化合物としては、ビスフェノールＡジグリシジルエーテル、ビスフェノールＦジグリシジルエーテル、ビスフェノールＥジグリシジルエーテル、ビスフェノールＺジグリシジルエーテル、ビスフェノールＳジグリシジルエーテル、ビスフェノールＡＤジグリシジルエーテル、ビスフェノールアセトフェノンジグリシジルエーテル、ビスフェノールトリメチルシクロヘキサンジグリシジルエーテル、ビスフェノールフルオレンジグリシジルエーテル、テトラメチルビスフェノールＡジグリシジルエーテル、テトラメチルビスフェノールＦジグリシジルエーテル、テトラ－ｔ－ブチルビスフェノールＡジグリシジルエーテル、テトラメチルビスフェノールＳジグリシジルエーテル等のビスフェノール系ジグリシジルエーテル類；ビフェノールジグリシジルエーテル、テトラメチルビフェノールジグリシジルエーテル、ジメチルビフェノールジグリシジルエーテル、テトラ－ｔ－ブチルビフェノールジグリシジルエーテル等のビフェノール系ジグリシジルエーテル類；ハイドロキノンジグリシジルエーテル、ジヒドロアントラセンジグリシジルエーテル、メチルハイドロキノンジグリシジルエーテル、ジブチルハイドロキノンジグリシジルエーテル、レゾルシンジグリシジルエーテル、メチルレゾルシンジグリシジルエーテル等のベンゼンジオール系ジグリシジルエーテル類；ジヒドロアントラハイドロキノンジグリシジルエーテル、ジヒドロキシジフェニルエーテルジグリシジルエーテル、チオジフェノールジグリシジルエーテル、ジヒドロキシナフタレンジグリシジルエーテル等の芳香族系ジグリシジルエーテル類；前記ビスフェノール系ジグリシジルエーテル類、ビフェノール系ジグリシジルエーテル類、ベンゼンジオール系ジグリシジルエーテル類および芳香族系ジグリシジルエーテル類から選ばれるジグリシジルエーテル類の芳香環に水素を添加したエポキシ化合物；アジピン酸、コハク酸、フタル酸、テトラヒドロフタル酸、メチルヘキサヒドロフタル酸、テレフタル酸、イソフタル酸、オルソフタル酸、ビフェニルジカルボン酸、ダイマー酸等の種々のカルボン酸類と、エピハロヒドリンとから製造されるエポキシ樹脂；エチレングリコールジグリシジルエーテル、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、プロピレングリコールジグリシジルエーテル、ポリプロピレングリコールジグリシジルエーテル、１，４－ブタンジオールジグリシジルエーテル、ポリテトラメチレングリコールジグリシジルエーテル、１，５－ペンタンジオールジグリシジルエーテル、ポリペンタメチレングリコールジグリシジルエーテル、１，６－ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、ポリヘキサメチレングリコールジグリシジルエーテル、１，７－ヘプタンジオールジグリシジルエーテル、ポリヘプタメチレングリコールジグリシジルエーテル、１，８－オクタンジオールジグリシジルエーテル、１，１０－デカンジオールジグリシジルエーテル、２，２－ジメチル－１，３－プロパンジオールジグリシジルエーテル等の鎖状構造のみからなる（ポリ）アルキレングリコールジグリシジルエーテル類；１，４－シクロヘキサンジメタノールジグリシジルエーテル等の環状構造を有するアルキレングリコールジグリシジルエーテル類が挙げられる。市販品としては、ＤＩＣ製のＥＰＩＣＬＯＮ８３０、８４０、８５０、８６０、１０５０、２０５０、３０５０、４０５０、７０５０、ＨＭ－０９１、１０１、ナガセケムテックス製デナコールＥＸ－２１１、２１２、２５２、７１１、７２１が例示できる。
【0044】
熱プレス等において、エポキシ化合物のエポキシ基が、熱硬化性樹脂のカルボキシ基や水酸基と熱架橋することにより、架橋構造を得ることができる。エポキシ化合物として、常温（２５℃）で液状のエポキシ化合物も好適である。具体例としては、三井化学社製の「Ｒ１４０Ｐ」（エポキシ当量１８８）、ダウケミカル社製の「ＤＥＲ３８３」、ジャパンエポキシレジン社製の「エピコート＃８０７」（エポキシ当量１７０）等の液状ビスフェノール型エポキシ樹脂が挙げられる。
【0045】
硬化性化合物（ｃ１）の含有量は、１００質量部の熱硬化性樹脂ｒに対して０．１～７質量部が好ましく、０．２～５質量部が好ましい。また、硬化性化合物（ｃ２）の含有量は、１００質量部の熱硬化性樹脂ｒに対して１～５０質量部が好ましく、５～３０質量部がより好ましい。また、硬化性化合物（ｃ２）／硬化性化合物（ｃ１）の比は３～１５０であることが好ましく、３～５０がより好ましい。上記範囲とすることで、被覆層に強固な架橋構造が形成すると共に、被覆層の過剰な硬化を抑制し、凹凸形状に対する追随性を高めることができる。更に、ＴＯＭ成形法等において、皺および破断を効果的に抑制できる被覆層を形成できる。
【0046】
本被覆シートは、更に、フィラーを含んでいてもよい。絶縁性が求められる場合には絶縁性フィラーを、導電性が求められる場合には導電性フィラーを、電磁波吸収性が求められる場合には電磁波吸収フィラーを用いる。フィラーの形状は適宜選定できる。例えば、フレーク状、針状、球状、デンドライト状、繊維状フィラーが挙げられる。形状の異なるフィラーを併用してもよい。好適例として、フレーク状フィラーとデンドライト状フィラーの組合せが挙げられる。
【0047】
フィラーの平均粒子径Ｄ５０は１～１００μｍが好ましく、２～８０μｍがより好ましい。更に好ましくは３～５０μｍであり、特に好ましくは５～２０μｍである。樹枝状導電性フィラーの平均粒子径Ｄ５０の好ましい範囲も同様に、２～１００μｍが好ましく、２～８０μｍがより好ましい。更に好ましくは３～５０μｍであり、特に好ましくは５～２０μｍである。
【0048】
フィラーの含有量は、被覆層の破れ抑制、皺抑制の観点から本被覆シート１００質量％に対して１～５０質量％含むことが好ましく、１．５～３５質量％含むことがより好ましい。複層の場合には、ｎ層のフィラーの含有率×ｎ層の膜厚／（被覆層全体の膜厚）、の全層の合計（但し、ｎは２以上の整数）が１～５０質量％含むことが好ましく、１．５～３５質量％含むことがより好ましい。
【0049】
絶縁性フィラーは、例えば、シリカ、アルミナ、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化ケイ素マグネシウム、炭化ケイ素、チタニア、ガラス、セラミック等の非金属無機フィラーが挙げられる。絶縁性フィラーは、１種単独又は２種以上を組み合わせて用いられる。
【0050】
導電性フィラーは、金属フィラー、導電性セラミックスフィラーおよびそれらの混合物が例示できる。金属フィラーは、金、銀、銅、ニッケル等の金属粉、ハンダ等の合金粉、銀コート銅粉、金コート銅粉、銀コートニッケル粉、金コートニッケル粉のコアシェル型フィラーが例示できる。優れた導電特性を得る観点から、銀を含有する導電性フィラーが好ましい。コストの観点からは、銀コート銅粉が特に好ましい。
【0051】
電磁波吸収フィラーとして、例えば、鉄、Ｆｅ－Ｎｉ合金、Ｆｅ－Ｃｏ合金、Ｆｅ－Ｃｒ合金、Ｆｅ－Ｓｉ合金、Ｆｅ－Ａｌ合金、Ｆｅ－Ｃｒ－Ｓｉ合金、Ｆｅ－Ｃｒ－Ａｌ合金、Ｆｅ－Ｓｉ－Ａｌ合金等の鉄合金、Ｍｇ－Ｚｎフェライト、Ｍｎ－Ｚｎフェライト、Ｍｎ－Ｍｇフェライト、Ｃｕ－Ｚｎフェライト、Ｍｇ－Ｍｎ－Ｓｒフェライト、Ｎｉ－Ｚｎフェライト等のフェライト系物質並びに、カーボンフィラーなどが挙げられる。カーボンフィラーは、アセチレンブラック、ケッチェンブラック、ファーネスブラック、カーボンブラック、カーボンファイバー、カーボンナノナノチューブからなるフィラー、グラフェンフィラー、グラファイトフィラーおよびカーボンナノウォールが例示できる。
【0052】
本被覆シートは、柔軟性調整剤を含んでいてもよい。柔軟性調整剤により、被覆シートの成形加工時の皺、破れを改善できる。柔軟性調整剤としては、可塑剤、イナートな熱可塑性樹脂が例示できる。
【0053】
前記可塑剤として、例えば脂肪酸エステル、フタル酸エステル、芳香族多価カルボン酸エステル、ポリエステルが挙げられる。
脂肪酸エステルとしては、トリメリット酸トリオクチル（TOTM）、三菱ガス化学トレーディング社製、ブチルステアレート、ユニスターＭ－９６７６、ユニスターＭ－２２２２ＳＬ、ユニスターＨ－４７６、ユニスターＨ－４７６Ｄ、パナセート８００Ｂ、パナセート８７５、パナセート８１０（以上、日油製）、ＤＢＡ、ＤＩＢＡ、ＤＢＳ、ＤＯＡ、ＤＩＮＡ、ＤＩＤＡ、ＤＯＳ、ＢＸＡ、ＤＯＺ、ＤＥＳＵ（以上、大八化学製）が例示できる。フタル酸エステルとしては、ＤＭＰ、ＤＥＰ、ＤＢＰ、＃１０、ＢＢＰ、ＤＯＰ、ＤＩＮＰ、ＤＩＤＰ（以下、大八化学製）、ＰＬ－２００、ＤＯＩＰ（以上、シージーエスター製）、サンソサイザーＤＵＰ（新日本理化製）が例示できる。芳香族多価カルボン酸エステルとしては、ＴＯＴＭ（大八化学製）、モノサイザーＷ－７０５（大八化学製）、ＵＬ－８０、ＵＬ－１００（ＡＤＥＫＡ製）が例示できる。ポリエステルとしては、ポリサイザーＴＤ－１７２０、ポリサイザーＳ－２００２、ポリサイザーＳ－２０１０（以上、ＤＩＣ製）、ＢＡＡ－１５（大八化学製）が例示できる。
これらの中でも、ＤＭＰ、ＤＥＰ、ＤＢＰ、ＤＯＰ、ＤＩＮＰ、ＤＩＤＰ、ＴＯＴＭがより好ましい。可塑剤は１種単独、若しくは２種以上を併用して用いられる。
脂肪酸エステルとしては、トリメリット酸トリオクチル（TOTM）、三菱ガス化学トレーディング社製、ブチルステアレート、ユニスターＭ－９６７６、ユニスターＭ－２２２２ＳＬ、ユニスターＨ－４７６、ユニスターＨ－４７６Ｄ、パナセート８００Ｂ、パナセート８７５、パナセート８１０（以上、日油製）、ＤＢＡ、ＤＩＢＡ、ＤＢＳ、ＤＯＡ、ＤＩＮＡ、ＤＩＤＡ、ＤＯＳ、ＢＸＡ、ＤＯＺ、ＤＥＳＵ（以上、大八化学製）が例示できる。フタル酸エステルとしては、ＤＭＰ、ＤＥＰ、ＤＢＰ、＃１０、ＢＢＰ、ＤＯＰ、ＤＩＮＰ、ＤＩＤＰ（以下、大八化学製）、ＰＬ－２００、ＤＯＩＰ（以上、シージーエスター製）、サンソサイザーＤＵＰ（新日本理化製）が例示できる。芳香族多価カルボン酸エステルとしては、ＴＯＴＭ（大八化学製）、モノサイザーＷ－７０５（大八化学製）、ＵＬ－８０、ＵＬ－１００（ＡＤＥＫＡ製）が例示できる。ポリエステルとしては、ポリサイザーＴＤ－１７２０、ポリサイザーＳ－２００２、ポリサイザーＳ－２０１０（以上、ＤＩＣ製）、ＢＡＡ－１５（大八化学製）が例示できる。
これらの中でも、ＤＭＰ、ＤＥＰ、ＤＢＰ、ＤＯＰ、ＤＩＮＰ、ＤＩＤＰ、ＴＯＴＭがより好ましい。可塑剤は１種単独、若しくは２種以上を併用して用いられる。
【0054】
前記イナートな熱可塑性樹脂として、ポリオレフィン系樹脂、ビニル系樹脂、スチレン・アクリル系樹脂、ジエン系樹脂、テルペン樹脂、石油樹脂、セルロース系樹脂、ポリアミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリイミド樹脂、液晶ポリマー、フッ素樹脂が例示できる。特に限定するものではないが、耐熱性の観点から、ポリアミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリイミド樹脂、液晶ポリマー、フッ素樹脂がより好ましい。
【0055】
更に、本被覆シートは、基材との密着性向上のために粘着付与樹脂を含んでいてもよい。粘着付与樹脂とは、粘着力を補助的に向上させる成分であって、重量平均分子量が５，０００未満であり、上記熱可塑性樹脂、バインダー樹脂とは区別されるものである。粘着付与樹脂としては、ロジン系樹脂、テルペン系樹脂、脂環式系石油樹脂、および芳香族系石油樹脂が例示できる。
【0056】
本被覆シートは、更に、着色剤、難燃剤、滑剤、ブロッキング防止剤等を含んでいてもよい。難燃剤としては、例えば、ハロゲン含有難燃剤、りん含有難燃剤、窒素含有難燃剤、無機難燃剤等が挙げられる。滑剤としては、例えば、脂肪酸エステル、炭化水素樹脂、パラフィン、高級脂肪酸、脂肪酸アミド、脂肪族アルコール、金属石鹸、変性シリコーン等が挙げられる。ブロッキング防止剤としては、例えば、炭酸カルシウム、シリカ、ポリメチルシルセスキオサン、ケイ酸アルミニウム塩等が挙げられる。
【0057】
図２の例においては、絶縁層３１／導電層３２の複層からなる被覆シートの例を挙げたが、前述した通り、単層の被覆シートであってもよいし、同一機能の複層からなる被覆シートであってもよい。また、第一の層の任意の位置に第二の層をパターン形成してもよい。例えば、導電層３２の任意の位置に絶縁層３１をパターン形成した被覆シートを用いることにより、基板１の一主面の露出面の全体に導電層３２を形成し、絶縁保護が必要な箇所に絶縁層３１を有する被覆層を形成できる。本被覆シートによれば、被覆一のズレを効果的に防止できるので、被覆シートの設計自由度を格段に高めることができる。
【0058】
１－３．電子部品被覆シートの製造方法
本被覆シートの製造方法は、特に限定されないが、例えば、被覆層を形成する上記バインダー樹脂等の材料を溶媒等に溶解させた組成物を、剥離シートに塗布する方法が挙げられる。塗布方法として、例えば、グラビアコート方式、キスコート方式、ダイコート方式、リップコート方式、コンマコート方式、ブレード方式、ロールコート方式、ナイフコート方式、スプレーコート方式、バーコート方式、スピンコート方式、ディップコート方式、又は、各種印刷方式が挙げられる。複層の場合には、ラミネート法、易接着剤を介して積層する方法等、公知の方法を適用できる。
本被覆シートの製造方法は、特に限定されないが、例えば、被覆層を形成する上記バインダー樹脂等の材料を溶媒等に溶解させた組成物を、剥離シートに塗布する方法が挙げられる。塗布方法として、例えば、グラビアコート方式、キスコート方式、ダイコート方式、リップコート方式、コンマコート方式、ブレード方式、ロールコート方式、ナイフコート方式、スプレーコート方式、バーコート方式、スピンコート方式、ディップコート方式、又は、各種印刷方式が挙げられる。複層の場合には、ラミネート法、易接着剤を介して積層する方法等、公知の方法を適用できる。
【0059】
１－４．電子部品被覆シートの用途
本被覆シートは、電子部品搭載基板の被覆に特に好適に用いることができるが、その他の被覆対象物品を被覆するために用いてもよい。本被覆シートを使用した電子部品搭載基板は、液晶ディスプレイ、タッチパネル等のほか、ノートＰＣ、携帯電話、スマートフォン、タブレット端末等の電子機器に備えることが好ましい。
本被覆シートは、電子部品搭載基板の被覆に特に好適に用いることができるが、その他の被覆対象物品を被覆するために用いてもよい。本被覆シートを使用した電子部品搭載基板は、液晶ディスプレイ、タッチパネル等のほか、ノートＰＣ、携帯電話、スマートフォン、タブレット端末等の電子機器に備えることが好ましい。
【0060】
１－５．電子部品搭載基板の製造方法
本被覆シートを用いる電子部品搭載基板の製造方法としてＴＯＭ成形の一例について説明する。但し、本電子部品搭載基板の製造方法は以下に限定されない。本被覆シートをＴＯＭ成形法以外の方法（例えば、真空成形法、圧空成形法、真空圧空成形法、プレス成形法、射出成形法）により被覆層を形成してもよい。例えば、特許第７１９３０３１号に記載の方法により本被覆シートから被覆層を形成できる。
本被覆シートを用いる電子部品搭載基板の製造方法としてＴＯＭ成形の一例について説明する。但し、本電子部品搭載基板の製造方法は以下に限定されない。本被覆シートをＴＯＭ成形法以外の方法（例えば、真空成形法、圧空成形法、真空圧空成形法、プレス成形法、射出成形法）により被覆層を形成してもよい。例えば、特許第７１９３０３１号に記載の方法により本被覆シートから被覆層を形成できる。
【0061】
本電子部品搭載基板の製造方法は、１以上の電子部品を基板上に搭載する工程（工程Ａ）、所定のサイズにカットした電子部品被覆シートを用意する工程（工程Ｂ）、本被覆シート又は本被覆シートが積層された本積層シートを用いて被覆層を形成する被覆工程（工程Ｃ）等を経て、本開示の電子部品被覆シートから形成される被覆層により被覆保護した電子部品搭載基板が得られる。以下、工程Ｃについて図３～図５の模式的製造工程図を用いて説明する。
【0062】
まず、下部空間２１と上部空間２２を有するボックス２０内の下部空間２１のステージ５に電子部品２が搭載された基板１を配置する。次いで、上部空間２２と下部空間２１との間を仕切るように被覆シート４を仕切り板６上に配置する（図３参照）。そして、ボックス２０内を真空状態とし、被覆シート４のＴｇ周辺まで加熱源７により加熱して被覆シート４を軟化させる。Ｔｇ周辺とは、例えばＴｇ±２０℃の範囲である。なお、被覆シート４が複層の場合には、Ｔｇが最も高い層のＴｇを基準とする。なお、被覆シート４を固定できればよく、仕切り板に代えてシートを挟む固定治具などを用いてもよい。
【0063】
加熱源７による加温により被覆シート４のＴｇ周辺温度に近づくにつれ、被覆シート４の平坦性が失われてうねりが出現する（図４参照）。更に、加熱を続けると、被覆シート４のうねりが低減して自重により被覆シート４が中央部を中心にしなるようになる（図５参照）。この状態まで被覆シート４の加熱を行うことにより、被覆層に皺が生じるのを効果的に防止して品質を高めることができる。また、基板１および電子部品２への被覆層の密着性を高めるために、電子部品２が搭載された基板１を載置するステージ５の加温が好ましい。加温により、連続生産時の生産効率を高める効果が得られる。ステージ５の加温時の温度は、例えば、５０～１２０℃である。ステージ５の加温時の温度は、Ｔｇ±２０℃の範囲であることが、連続生産性向上の観点から好ましい。
【0064】
必要に応じて、下部空間２１に設置されたステージ５を上方に移動させ、被覆シート４の一部と電子部品２の上面とを接触または近接させる。その後、被覆シート４の表面を上部空間２２から大気または圧縮空気によって加圧する。すると、被覆シート４が、電子部品２が搭載された基板１の凹凸形状の表面に沿って追随する。次いで余剰の本被覆シートを除去する。バインダー樹脂として熱硬化性樹脂を用いている場合には熱硬化処理を、光硬化性樹脂を用いている場合には光硬化処理を行う。これらの工程を経て、図１に示すような、被覆層３を有する電子部品搭載基板１０が得られる。
【0065】
上記方法によれば、被覆面積に合わせて本被覆シートをカットすればよく、電子部品の形状、配置などによらずに汎用的に電子部品が搭載された基板に被覆層を形成できる。また、全面に被覆シートを被覆して被覆層を形成した後に余剰の被覆層をカットするので、被覆シートと電子部品が搭載された基板との精密な位置合わせが不要であるというメリットを有する。
【0066】
本被覆シートによれば、上記（ｉ）～（ｉｉｉ）を満たすことにより、軽薄短小化された電子部品に対しても品質の高い被覆層を形成できる。ＴＯＭ成形法によれば、本被覆シートを熱により加熱して軟化した状態で圧力差を利用して、３次元凹凸形状に追随させることができるため、生産性を格段に向上させることができる。
【0067】
２．第２実施形態
第２実施形態に係る電子部品被覆シートについて説明する。第２実施形態に係る電子部品被覆シートは、後述するように層構成において第１実施形態と相違するが、基本的な構成・製造方法は第１実施形態と同一である。なお、以降の図において、前出と同一の要素・部材は適宜、同一の符号を付す。
第２実施形態に係る電子部品被覆シートについて説明する。第２実施形態に係る電子部品被覆シートは、後述するように層構成において第１実施形態と相違するが、基本的な構成・製造方法は第１実施形態と同一である。なお、以降の図において、前出と同一の要素・部材は適宜、同一の符号を付す。
【0068】
図６に、第２実施形態に係る電子部品被覆シートの一例の模式的断面図を示す。電子部品被覆シート４ａは、いずれも絶縁層である第一層４１，第二層４２，第三層４３がこの順に積層されている。第一層４１、第二層４２および第三層４３は、それぞれ独立に、互いに同一機能を有する層であっても、異なる機能を有する層であってもよい。第一層、第二層および第三層の好適な成分、配合量、層の特性は第１実施形態と同様である。
【0069】
電子部品と対向するように配置される第一層４１は、反りを低減し、埋め込み性を向上させる役割を担う設計が好ましい。第二層４２は、ＴＯＭ成形等において電子部品の立体形状への追随性を高めると共に、反りを低減する設計が好ましい。このため、第一層および第二層の硬化性化合物に液状エポキシ化合物を含むことが好ましい。
【0070】
液状エポキシ化合物とは、２５℃において液体となるエポキシ化合物をいう。好適例として、例えばｊＥＲ（登録商標（以下省略））ＹＬ９８０、ｊＥＲＹＬ９８３Ｕ、ｊＥＲ１５２、ｊＥＲ６３０、ｊＥＲＹＸ８０００（以上商品名、三菱化学（株）製）、ＥＰＩＣＬＯＮ（登録商標）、ＨＰ－４０３２（以上商品名、ＤＩＣ（株）製）が挙げられる。液状エポキシ化合物は１種単独または２種以上を併用して用いられる。
【0071】
第三層４３は、主として膜厚を調整する役割の他、硬度を最適化し、被覆シートの耐久性を高める役割を担う設計が好ましい。耐久性を高めるためにフィラーを含むことが好ましい。
【0072】
第２実施形態によれば、３層構成とすることにより、各層の設計自由度を高めて、被覆層の高機能化を図ることができる。その結果、被覆シート４ａと電子部品２等との接合面の密着性を高めると共に追随性を高め、被覆層の皺の発生および被覆層のエッジ部等における破断を効果的に防止できる。
【0073】
第２実施形態においては、３層構成からなる被覆シートの例を挙げたが、本開示の趣旨を逸脱しない範囲で単層、複層（２層、４層以上）とすることができる。
【0074】
３．第３実施形態
第３実施形態に係る電子部品搭載基板の製造方法は、本被覆シートを有する積層シートを用いる点等において第１実施形態の製造方法と相違するが、電子部品搭載基板の基本的な構造、基本的な製造方法は第１実施形態と同一である。
第３実施形態に係る電子部品搭載基板の製造方法は、本被覆シートを有する積層シートを用いる点等において第１実施形態の製造方法と相違するが、電子部品搭載基板の基本的な構造、基本的な製造方法は第１実施形態と同一である。
【0075】
図７に、第３実施形態に係る電子部品搭載基板の製造工程の一例を示す模式図を示す。第１実施形態においては、被覆シート４を仕切り板６に載置していたが、第３実施形態では積層シート５０を仕切り板６に載置する。積層シート５０は、支持層８と、支持層８上に形成された被覆シート４を有する。被覆シート４のサイズは、被覆層を形成するために必要なサイズとする。この方法によれば、被覆層を形成後に不要な部分をカットする工程を省略することが可能となる。
【0076】
積層シート５０の製造方法は限定されないが、支持層８の所望の位置に被覆シート４を貼付する方法が簡便である。好適な方法として、支持層８に被覆シート４を加熱して仮貼付する方法が例示できる。支持層８は、製造工程時に固定（本例においては仕切り板６に載置して固定）する役割と、被覆シートを支持する役割を有する。支持層は、被覆層形成後に剥離される点から剥離層ともいえる。積層シート５０を第１実施形態と同様の方法により電子部品２が搭載された基板１に被覆して被覆層３を形成し、その後、支持層８を剥離することにより電子部品搭載基板が得られる。
【0077】
支持層８は上記機能を有していればよく特に限定されない。好適例として、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ），ポリオレフィン等が挙げられる。支持層８の厚みは、被着体への追従性向上の観点から５～５００μｍが好ましく、１０～２５０μｍがより好ましい。支持層８のＴｇは、被着体への追従性向上の観点から３０～９０℃が好ましく、４０～８０℃がより好ましい。被覆シート４のＴｇ１と、支持層８のＴｇ２は
｜Ｔｇ２－Ｔｇ１｜≦２０℃
の関係にあることが好ましい。この範囲とすることにより、電子部品等による凹凸形状に対する追随性をより効果的に高められる。より好ましくは
｜Ｔｇ２－Ｔｇ１｜≦１０℃
である。支持層のＴｇ２は、樹脂の種類、その作製条件により調整できる。ボックス２０内の温度は、Ｔｇ１とＴｇ２のうち高い方±２０℃の範囲に設定することが好ましい。
｜Ｔｇ２－Ｔｇ１｜≦２０℃
の関係にあることが好ましい。この範囲とすることにより、電子部品等による凹凸形状に対する追随性をより効果的に高められる。より好ましくは
｜Ｔｇ２－Ｔｇ１｜≦１０℃
である。支持層のＴｇ２は、樹脂の種類、その作製条件により調整できる。ボックス２０内の温度は、Ｔｇ１とＴｇ２のうち高い方±２０℃の範囲に設定することが好ましい。
【0078】
電子部品が搭載された基板と、被覆シートとの位置合わせは、公知の方法を制限なく適用できる。例えば、支持層のマークをステージのマークと合わせることにより精密な位置合わせを行うことができる。
【0079】
第３実施形態に係る被覆シートによれば、ボックス２０の仕切り板６に載置できるサイズの被覆シート４を用いる必要がないので、被覆シート４のロスを無くしてコスト削減を図ることができる。また、電子部品が搭載された基板のサイズなどに応じて被覆シート４ａを所望のサイズに調整できるので汎用性を格段に高めることができる。また、支持層８により被覆シート４を支持できるので、被覆層の薄膜化を実現しやすいというメリットがある。
【0080】
４．第４実施形態
第４実施形態に係る積層シートは、支持層８と被覆シート４ａの間に離型層９を有する点において、離型層９を有しない第３実施形態の積層シートと相違する。図８に、第４実施形態に係る積層シートの一例を示す模式的平面図を、図９に図８のＩＸ－ＩＸ切断部断面図を示す。これらの図に示すように、支持層８、離型層９、被覆シート４ａがこの順に積層されている。各層の面積は、支持層８＞離型層９＞被覆シート４ａであり、上面視において、被覆シート４ａの外側に離型層９の額縁領域があり、離型層９の外側に支持層８の額縁領域がある。支持層８は、仕切り板６に載置できるサイズであり、被覆シート４ａは被覆層を形成する最適サイズとする。そして、離型層９は、被覆層形成後に剥離しやすさを考慮して被覆シート４ａの端部より延在された領域を有する。離型層９の好適例として、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリエチレン（ＰＥ）等が挙げられる。
第４実施形態に係る積層シートは、支持層８と被覆シート４ａの間に離型層９を有する点において、離型層９を有しない第３実施形態の積層シートと相違する。図８に、第４実施形態に係る積層シートの一例を示す模式的平面図を、図９に図８のＩＸ－ＩＸ切断部断面図を示す。これらの図に示すように、支持層８、離型層９、被覆シート４ａがこの順に積層されている。各層の面積は、支持層８＞離型層９＞被覆シート４ａであり、上面視において、被覆シート４ａの外側に離型層９の額縁領域があり、離型層９の外側に支持層８の額縁領域がある。支持層８は、仕切り板６に載置できるサイズであり、被覆シート４ａは被覆層を形成する最適サイズとする。そして、離型層９は、被覆層形成後に剥離しやすさを考慮して被覆シート４ａの端部より延在された領域を有する。離型層９の好適例として、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリエチレン（ＰＥ）等が挙げられる。
【0081】
離型層９の厚みは、例えば５～１０００μｍ程度である。被着体への追従性向上の観点から５～５００μｍが好ましく、１０～２５０μｍがより好ましい。離型層９のＴｇは－５０～５０℃が好ましく、－２０～２０℃がより好ましい。
【0082】
第４実施形態によれば離型層９を用いることにより、支持層８と被覆シート４ａとの密着を効果的に防止し、被覆層３の損傷を防止して製造歩留まりを高められる。また、支持層８の材料の選択肢を格段に増やすことが可能となる。また、積層位置ズレを効果的に改善できる。
【0083】
５．第５実施形態
第５実施形態においては、電子部品搭載基板の一主面の一部に被覆層を設けている点において、電子部品搭載基板の一主面の全面に被覆層を設けている第一実施形態と相違する。
図１０に、第５実施形態に係る電子部品搭載基板の一例の模式的断面図を示す。電子部品搭載基板１１に設けられた被覆層３ａは、基板１および電子部品２の一主面の露出面の一部に被覆されている。部分的に被覆された被覆層３ａは、例えば、第３実施形態または第４実施形態の積層シートを用いて形成できる。
第５実施形態においては、電子部品搭載基板の一主面の一部に被覆層を設けている点において、電子部品搭載基板の一主面の全面に被覆層を設けている第一実施形態と相違する。
図１０に、第５実施形態に係る電子部品搭載基板の一例の模式的断面図を示す。電子部品搭載基板１１に設けられた被覆層３ａは、基板１および電子部品２の一主面の露出面の一部に被覆されている。部分的に被覆された被覆層３ａは、例えば、第３実施形態または第４実施形態の積層シートを用いて形成できる。
【0084】
第５実施形態の電子部品搭載基板によれば、保護が必要な位置に被覆層を容易に形成できる。また、第３実施形態または第４実施形態の積層シートを用いることにより、位置ズレを効果的に防止できる。また、図１１に示すように、支持層８上に、複数の被覆シート４を積層してもよい。この方法によれば、電子部品搭載基板に求められる機能に応じて、必要な機能を有する複数の被覆層３を所望の位置に一括して形成できる。
【実施例0085】
以下、実施例、比較例を挙げて本開示を詳細に説明するが、本開示は以下の実施例のみに限定されるものではない。なお、以下の「部」および「％」は、それぞれ「質量部」および「質量％」に基づく値である。
【0086】
Ａ．被覆シート
実施例で使用した原料を以下に示す。
Ａ－１．熱硬化性樹脂
[熱硬化性樹脂ｒ１の合成]
攪拌機、温度計、還流冷却器、窒素導入管、減圧設備を備えたガラス製フラスコにテレフタル酸１６６部、アジピン酸１４６部、３－メチル－１，５－ペンタンジオール２１２部およびエチレングリコール２５部を仕込み、窒素ガスを通じながら攪拌した。常圧下で徐々に昇温し、２００～２３０℃にて約８時間反応させ酸価４３の液状物を得た。次いでテトラ－ｎ－ブトキシチタン０．０１部を仕込み、窒素置換後、密閉下で１８０℃にて３０分間攪拌した。次いで２３０℃、５ｍｍＨｇにて２時間反応させ、酸価１．１、水酸基価１１４．２、分子量９８２のポリエステルジオールを得た。
実施例で使用した原料を以下に示す。
Ａ－１．熱硬化性樹脂
[熱硬化性樹脂ｒ１の合成]
攪拌機、温度計、還流冷却器、窒素導入管、減圧設備を備えたガラス製フラスコにテレフタル酸１６６部、アジピン酸１４６部、３－メチル－１，５－ペンタンジオール２１２部およびエチレングリコール２５部を仕込み、窒素ガスを通じながら攪拌した。常圧下で徐々に昇温し、２００～２３０℃にて約８時間反応させ酸価４３の液状物を得た。次いでテトラ－ｎ－ブトキシチタン０．０１部を仕込み、窒素置換後、密閉下で１８０℃にて３０分間攪拌した。次いで２３０℃、５ｍｍＨｇにて２時間反応させ、酸価１．１、水酸基価１１４．２、分子量９８２のポリエステルジオールを得た。
【0087】
次いで、攪拌機、温度計、還流冷却器、滴下装置、窒素導入管を備えた反応容器に、前記ポリエステルジオールを７３４部、ジメチロールプロピオン酸２３．９部、トルエンジイソシアネート２１９部、およびトルエン２４２部を仕込み、窒素雰囲気下５０℃で８時間反応させた。これに、トルエン１２００部を加えて、末端にイソシアネート基を有するウレタンプレポリマー溶液を得た。
【0088】
次に得られたウレタンプレポリマー溶液を７０℃に加温し、その温度を保ちながら、１，３－ジアミノプロパン２０．０部、ベンジルアミン３．１部、２－プロノール６００部およびトルエン９６１部を混合した溶液を１時間かけて滴下した。滴下終了後、７０℃にて更に６時間反応させることで、分子量（Ｍｗ）が１３０，０００、酸価が１０ｍｇＫＯＨ／ｇ、Ｔｇが２０℃、固形分が２５％であるポリウレタン系樹脂を得た。
【0089】
Ａ－２．硬化性化合物
硬化性化合物（ｃ１）：多官能エポキシ樹脂「ＴＥＴＲＡＤ－Ｘ」、三菱ガス化学社製
硬化性化合物（ｃ２）：エポキシ樹脂「ｊＥＲ８２８」、２官能、三菱ケミカル社製
硬化性化合物（ｃ１）：多官能エポキシ樹脂「ＴＥＴＲＡＤ－Ｘ」、三菱ガス化学社製
硬化性化合物（ｃ２）：エポキシ樹脂「ｊＥＲ８２８」、２官能、三菱ケミカル社製
【0090】
Ａ－３．柔軟性調整剤
可塑剤ｐ１：トリメリット酸トリオクチル、三菱ガス化学トレーディング社製
Ａ－４．フィラー
フィラーｆ１：シリカ「ウルトラシルＵ３６０」（ＤＢＰ吸油量：２２０ｍＬ／１００ｇ、体積抵抗率：１．６×１０１６Ω・ｃｍ）ＮＡＮＯＣＹＬ社製
可塑剤ｐ１：トリメリット酸トリオクチル、三菱ガス化学トレーディング社製
Ａ－４．フィラー
フィラーｆ１：シリカ「ウルトラシルＵ３６０」（ＤＢＰ吸油量：２２０ｍＬ／１００ｇ、体積抵抗率：１．６×１０１６Ω・ｃｍ）ＮＡＮＯＣＹＬ社製
【0091】
Ｂ．支持層
支持層Ｘ１：ポリ塩化ビニル粉末（日本ゼオン社製）を溶融圧延法にて作製したポリ塩化ビニルシート、Ｔｇ：７６℃
支持層Ｘ２：ポリ塩化ビニル粉末（日本ゼオン社製）を溶媒法にて作製したポリ塩化ビニルシート、Ｔｇ：５４℃
支持層Ｘ１：ポリ塩化ビニル粉末（日本ゼオン社製）を溶融圧延法にて作製したポリ塩化ビニルシート、Ｔｇ：７６℃
支持層Ｘ２：ポリ塩化ビニル粉末（日本ゼオン社製）を溶媒法にて作製したポリ塩化ビニルシート、Ｔｇ：５４℃
【0092】
C．離型層
離型層Ｙ１：共押出法プロテクトフィルム エルテックＭＸ １５７Ｎ３Ｕ、日本マタイ社製、Ｔｇ：－１℃
離型層Ｙ１：共押出法プロテクトフィルム エルテックＭＸ １５７Ｎ３Ｕ、日本マタイ社製、Ｔｇ：－１℃
【0093】
Ｄ．測定方法
Ｄ－１．ガラス転移温度Ｔｇ
各実施例および比較例の測定試料（電子部品被覆シート）、離型層および支持層をＪＩＳ Ｋ７１９８に準拠して、動的粘弾性測定装置ＤＶＡ－２００（アイティー計測制御株式会社製）にてＴｇを測定した。測定は、各例の電子部品被覆シートを０．５ｃｍ×３ｃｍにカットし、剥離フィルムを剥がしたものを用いた。変形様式は引張で、歪み０．０８％、周波数１０Ｈｚ、昇温速度１０℃／ｍｉｎで測定される損失正接（ｔａｎδ）の主分散ピークの現れる温度をＴｇとした。
Ｄ－１．ガラス転移温度Ｔｇ
各実施例および比較例の測定試料（電子部品被覆シート）、離型層および支持層をＪＩＳ Ｋ７１９８に準拠して、動的粘弾性測定装置ＤＶＡ－２００（アイティー計測制御株式会社製）にてＴｇを測定した。測定は、各例の電子部品被覆シートを０．５ｃｍ×３ｃｍにカットし、剥離フィルムを剥がしたものを用いた。変形様式は引張で、歪み０．０８％、周波数１０Ｈｚ、昇温速度１０℃／ｍｉｎで測定される損失正接（ｔａｎδ）の主分散ピークの現れる温度をＴｇとした。
【0094】
Ｄ－２．破断伸びおよびヤング率
後述する方法により得た各実施例・比較例の剥離フィルム付電子部品被覆シートを幅２０ｍｍ×長さ６０ｍｍの大きさに切断した。次いで、剥離フィルムを剥離することにより被覆シートからなる測定試料（電子部品被覆シート）を得た。各測定試料（被覆シート）を常温からＴｇ＋４０℃の雰囲気下（大気中、５０％ＲＨ）に投入し、その１分後に当該温度で引張速度５０ｍｍ／分、相対湿度５０％の条件下、小型卓上試験機ＥＺ－ＴＥＳＴ（島津製作所社製）を用いて、有効引っ張りサイズ２０×２３ｍｍで引っ張り試験を実施し、引張速度５０ｍｍ／分の破断時の伸び率を求めた。また、前記引っ張り試験時の応力－ひずみ曲線において、降伏点以前の線形領域の接線を求め、ヤング率Ｅ５０とした。
同様に、被覆シートを常温からＴｇ＋４０℃の雰囲気下に投入し、その１分後に当該温度で引張速度１０００ｍｍ／分、相対湿度５０％の条件下、有効引っ張りサイズ２０×２３ｍｍで引っ張り試験を実施し、引張速度１０００ｍｍ／分の破断時の伸び率を求めた。更に、前記装置で同様の方法にて、試験速度を１０００ｍｍ／分のヤング率Ｅ１０００を求めた。
後述する方法により得た各実施例・比較例の剥離フィルム付電子部品被覆シートを幅２０ｍｍ×長さ６０ｍｍの大きさに切断した。次いで、剥離フィルムを剥離することにより被覆シートからなる測定試料（電子部品被覆シート）を得た。各測定試料（被覆シート）を常温からＴｇ＋４０℃の雰囲気下（大気中、５０％ＲＨ）に投入し、その１分後に当該温度で引張速度５０ｍｍ／分、相対湿度５０％の条件下、小型卓上試験機ＥＺ－ＴＥＳＴ（島津製作所社製）を用いて、有効引っ張りサイズ２０×２３ｍｍで引っ張り試験を実施し、引張速度５０ｍｍ／分の破断時の伸び率を求めた。また、前記引っ張り試験時の応力－ひずみ曲線において、降伏点以前の線形領域の接線を求め、ヤング率Ｅ５０とした。
同様に、被覆シートを常温からＴｇ＋４０℃の雰囲気下に投入し、その１分後に当該温度で引張速度１０００ｍｍ／分、相対湿度５０％の条件下、有効引っ張りサイズ２０×２３ｍｍで引っ張り試験を実施し、引張速度１０００ｍｍ／分の破断時の伸び率を求めた。更に、前記装置で同様の方法にて、試験速度を１０００ｍｍ／分のヤング率Ｅ１０００を求めた。
【0095】
Ｄ－３．突刺し強度
各実施例および比較例の電子部品被覆シート（１００ｍｍ×１００ｍｍ）を用意し、ＪＩＳ Ｚ１７０７に準拠した突き刺し試験で測定した２３℃における単位膜厚あたりの突刺し強度を求めた。具体的には、直径８０ｍｍの開口部を有するサンプル設置治具に挟み、測定プローブとして直径１ｍｍのステンレス棒（長さ１７ｍｍ）を備えたＴＥ－１００３低温高温槽付剥離試験機II型（テスター産業社製）に設置した。測定温度２３℃の条件にて、１００ｍｍ／分の速度でプローブを電子部品被覆シートに陥入させ、破断時の強度を記録し、突刺し強度とした。得られた突刺し強度の値を電子部品被覆シートの厚みで除することで単位膜厚あたりの突き刺し強度αを算出した。
各実施例および比較例の電子部品被覆シート（１００ｍｍ×１００ｍｍ）を用意し、ＪＩＳ Ｚ１７０７に準拠した突き刺し試験で測定した２３℃における単位膜厚あたりの突刺し強度を求めた。具体的には、直径８０ｍｍの開口部を有するサンプル設置治具に挟み、測定プローブとして直径１ｍｍのステンレス棒（長さ１７ｍｍ）を備えたＴＥ－１００３低温高温槽付剥離試験機II型（テスター産業社製）に設置した。測定温度２３℃の条件にて、１００ｍｍ／分の速度でプローブを電子部品被覆シートに陥入させ、破断時の強度を記録し、突刺し強度とした。得られた突刺し強度の値を電子部品被覆シートの厚みで除することで単位膜厚あたりの突き刺し強度αを算出した。
【0096】
Ｄ－４．膜厚
電子部品搭載基板における被覆層の厚みは、研磨法によって断面出しを行い、レーザー顕微鏡で電子部品の上面領域における最も厚みのある箇所の膜厚を測定した。異なる電子部品搭載基板の断面出しのサンプル５つについて同様に測定し、その平均値を厚みとした。
電子部品搭載基板における被覆層の厚みは、研磨法によって断面出しを行い、レーザー顕微鏡で電子部品の上面領域における最も厚みのある箇所の膜厚を測定した。異なる電子部品搭載基板の断面出しのサンプル５つについて同様に測定し、その平均値を厚みとした。
【0097】
Ｅ．電子部品被覆シートおよび積層シートの作製
[実施例１]
熱硬化性樹脂ｒ１（固形分）を１００部、硬化性化合物ｃ１を２部、硬化性化合物ｃ２を２０部、柔軟性調整剤を５部、およびフィラーｆ１を２２．４部、容器に仕込み、不揮発分濃度が４５質量％になるようトルエン：イソプロピルアルコール（質量比２：１）の混合溶剤を加え、ディスパーで１０分攪拌することで組成物を得た。この組成物を乾燥厚みが７０μｍになるようにドクターブレードを使用して剥離フィルム（離型処理されたポリエチレンテレフタレートフィルム、厚み５０μｍ）に塗工した。次いで、１００℃で２分間乾燥することで実施例１の剥離フィルム付電子部品被覆シートを得た。
得られた剥離フィルム付電子部品被覆シートを６０ｍｍ四方に切断した後、剥離フィルムを剥がし、剥離フィルムが積層されていた面に、剥離機能を有する支持層Ｘ１（３００ｍｍ四方）をラミネート積層することで、実施例１に係る積層シート（支持層付き電子部品被覆シート）を得た。電子部品被覆シートは、平面視上、支持層Ｘ１の中央部に配置した。
[実施例１]
熱硬化性樹脂ｒ１（固形分）を１００部、硬化性化合物ｃ１を２部、硬化性化合物ｃ２を２０部、柔軟性調整剤を５部、およびフィラーｆ１を２２．４部、容器に仕込み、不揮発分濃度が４５質量％になるようトルエン：イソプロピルアルコール（質量比２：１）の混合溶剤を加え、ディスパーで１０分攪拌することで組成物を得た。この組成物を乾燥厚みが７０μｍになるようにドクターブレードを使用して剥離フィルム（離型処理されたポリエチレンテレフタレートフィルム、厚み５０μｍ）に塗工した。次いで、１００℃で２分間乾燥することで実施例１の剥離フィルム付電子部品被覆シートを得た。
得られた剥離フィルム付電子部品被覆シートを６０ｍｍ四方に切断した後、剥離フィルムを剥がし、剥離フィルムが積層されていた面に、剥離機能を有する支持層Ｘ１（３００ｍｍ四方）をラミネート積層することで、実施例１に係る積層シート（支持層付き電子部品被覆シート）を得た。電子部品被覆シートは、平面視上、支持層Ｘ１の中央部に配置した。
【0098】
[実施例２～１８、比較例１～５]
表１～３の配合量を変更した以外は同様の方法により、実施例２～１８、比較例１～５に係る積層シート（支持層付き電子部品被覆シート）を得た。
表１～３の配合量を変更した以外は同様の方法により、実施例２～１８、比較例１～５に係る積層シート（支持層付き電子部品被覆シート）を得た。
【0099】
［実施例１９］
熱硬化性樹脂ｒ１（固形分）１００部、硬化性化合物ｃ１を２部、硬化性化合物ｃ２を２０部、柔軟性調整剤を５部、フィラーｆ１を２２．４部、容器に仕込み、不揮発分濃度が４５質量％になるようトルエン：イソプロピルアルコール（質量比２：１）の混合溶剤を加えディスパーで１０分攪拌することで組成物を得た。この組成物を乾燥厚みが７０μｍになるようにドクターブレードを使用して剥離フィルム（離型処理されたポリエチレンテレフタレートフィルム、厚み５０μｍ）に塗工した。そして、１００℃で２分間乾燥することで、剥離フィルム／第一層αの積層体を得た。
熱硬化性樹脂ｒ１（固形分）１００部、硬化性化合物ｃ１を２部、硬化性化合物ｃ２を２０部、柔軟性調整剤を５部、フィラーｆ１を２２．４部、容器に仕込み、不揮発分濃度が４５質量％になるようトルエン：イソプロピルアルコール（質量比２：１）の混合溶剤を加えディスパーで１０分攪拌することで組成物を得た。この組成物を乾燥厚みが７０μｍになるようにドクターブレードを使用して剥離フィルム（離型処理されたポリエチレンテレフタレートフィルム、厚み５０μｍ）に塗工した。そして、１００℃で２分間乾燥することで、剥離フィルム／第一層αの積層体を得た。
【0100】
次いで、熱硬化性樹脂ｒ１（固形分）１００部、硬化性化合物ｃ１を６．７部、硬化性化合物ｃ２を２０部、柔軟性調整剤を５部、およびフィラー１を２３．３部、容器に仕込み、不揮発分濃度が４５質量％になるようトルエン：イソプロピルアルコール（質量比２：１）の混合溶剤を加えディスパーで１０分攪拌することで組成物を得た。得られた組成物を、乾燥厚みが７０μｍになるようにドクターブレードを使用して、剥離フィルム／第一層αの第一層α上に塗工することにより第二層βを得た。そして、１００℃で２分間乾燥することで、剥離フィルム／第一層α／第二層βの積層体を得た。
【0101】
得られた剥離フィルム／第一層α／第二層βの積層体を６０ｍｍ四方に切断した後、剥離フィルムを剥がし、剥離フィルムが積層されていた面に、剥離機能を有する支持層Ｘ１（３００ｍｍ四方）を実施例１と同様の方法でラミネート積層することで、実施例１９の積層シート（支持層／第一層α／第二層β）を得た。第一層α／第二層βが電子部品被覆シートに該当する。
【0102】
［実施例２０］
実施例１９の配合量を変更した以外は同様の方法により、実施例２０の積層シートを得た。
実施例１９の配合量を変更した以外は同様の方法により、実施例２０の積層シートを得た。
【0103】
［実施例２１］
熱硬化性樹脂ｒ１（固形分）１００部、硬化性化合物ｃ１を６．７部、硬化性化合物ｃ２を２０部、柔軟性調整剤を５部、フィラー１を２３．３部、を容器に仕込み、不揮発分濃度が４５質量％になるようトルエン：イソプロピルアルコール（質量比２：１）の混合溶剤を加えディスパーで１０分攪拌することで得た。この組成物を、乾燥厚みが７０μｍになるようにドクターブレードを使用して、剥離フィルム／第一層α／第二層βの第二層β上に第三層γを形成した。そして、１００℃で２分間乾燥することで、剥離フィルム／第一層α／第二層β／第三層γからなる積層体を得た。
得られた剥離フィルム／第一層α／第二層β／第三層γからなる積層体を６０ｍｍ四方に切断した後、剥離フィルムを剥がし、剥離フィルムが積層されていた面に剥離層として支持層Ｘ１（３００ｍｍ四方）をラミネート積層することで、実施例２１の支持層／第一層α／第二層β／第三層γの積層シートを得た。
熱硬化性樹脂ｒ１（固形分）１００部、硬化性化合物ｃ１を６．７部、硬化性化合物ｃ２を２０部、柔軟性調整剤を５部、フィラー１を２３．３部、を容器に仕込み、不揮発分濃度が４５質量％になるようトルエン：イソプロピルアルコール（質量比２：１）の混合溶剤を加えディスパーで１０分攪拌することで得た。この組成物を、乾燥厚みが７０μｍになるようにドクターブレードを使用して、剥離フィルム／第一層α／第二層βの第二層β上に第三層γを形成した。そして、１００℃で２分間乾燥することで、剥離フィルム／第一層α／第二層β／第三層γからなる積層体を得た。
得られた剥離フィルム／第一層α／第二層β／第三層γからなる積層体を６０ｍｍ四方に切断した後、剥離フィルムを剥がし、剥離フィルムが積層されていた面に剥離層として支持層Ｘ１（３００ｍｍ四方）をラミネート積層することで、実施例２１の支持層／第一層α／第二層β／第三層γの積層シートを得た。
【0104】
［実施例２２］
表４の配合量を変更した以外は実施例２１と同様の方法により、実施例２２の積層シートを得た。
表４の配合量を変更した以外は実施例２１と同様の方法により、実施例２２の積層シートを得た。
【0105】
[実施例２３]
支持層Ｘ１に替えて、支持層Ｘ２の積層体を用いた以外は、実施例２１と同様の所作によって、実施例２３の積層シート（支持層Ｘ２／第一層α／第二層β／第三層γ）を得た。
支持層Ｘ１に替えて、支持層Ｘ２の積層体を用いた以外は、実施例２１と同様の所作によって、実施例２３の積層シート（支持層Ｘ２／第一層α／第二層β／第三層γ）を得た。
【0106】
[実施例２４]
支持層Ｘ２と第一層αの間に離型層Ｙ１を積層した以外は、実施例２３と同様の所作によって、実施例２４の積層シート（支持層Ｘ２／離型層Ｙ１／第一層α／第二層β／第三層γ）を得た。
支持層Ｘ２と第一層αの間に離型層Ｙ１を積層した以外は、実施例２３と同様の所作によって、実施例２４の積層シート（支持層Ｘ２／離型層Ｙ１／第一層α／第二層β／第三層γ）を得た。
【0107】
Ｆ．試験用基板の作製
ガラスエポキシからなる基板上に、モールド封止された電子部品（１ｃｍ×１ｃｍ）を５×５個アレイ状に搭載した基板を用意した。基板の厚みは０．３ｍｍであり、モールド封止厚、即ち基板上面からモールド封止材の頂面までの高さ（部品高さ）Ｈは０．７ｍｍである。その後、部品同士の間隙である溝に添ってハーフダイシングを行い、電子部品が搭載された基板を得た（図１２参照）。ハーフカット溝深さは０．８ｍｍ（基板１に記載の鎖延長のカット溝深さは０．１ｍｍ）、ハーフカット溝幅は２００μｍとした。電子部品が搭載された領域を中心とする６ｃｍ×６ｃｍの端部に線を引き、ずれ評価用の領域を特定した。
ガラスエポキシからなる基板上に、モールド封止された電子部品（１ｃｍ×１ｃｍ）を５×５個アレイ状に搭載した基板を用意した。基板の厚みは０．３ｍｍであり、モールド封止厚、即ち基板上面からモールド封止材の頂面までの高さ（部品高さ）Ｈは０．７ｍｍである。その後、部品同士の間隙である溝に添ってハーフダイシングを行い、電子部品が搭載された基板を得た（図１２参照）。ハーフカット溝深さは０．８ｍｍ（基板１に記載の鎖延長のカット溝深さは０．１ｍｍ）、ハーフカット溝幅は２００μｍとした。電子部品が搭載された領域を中心とする６ｃｍ×６ｃｍの端部に線を引き、ずれ評価用の領域を特定した。
【0108】
Ｇ．評価
Ｇ－１．ＴＯＭ適性
各実施例および比較例の積層シートの電子部品被覆シートの部分（６ｃｍ×６ｃｍ）と試験用基板上のずれ評価用の領域（６ｃｍ×６ｃｍ）のパターン位置が重なるように試料を配置し、ＴＯＭ成形機（布施真空社製）を用いて、設定温度Ｔｇ＋４０でオーバーレイ成形を行った。そして、剥離層（支持層、または支持層＋離型層）を剥離した後に１８０℃で６０分ポストベークを行い、電子部品搭載基板を得た。得られた電子部品搭載基板の外観について、皺、破れの観点で以下の基準で評価した。
Ｇ－１．ＴＯＭ適性
各実施例および比較例の積層シートの電子部品被覆シートの部分（６ｃｍ×６ｃｍ）と試験用基板上のずれ評価用の領域（６ｃｍ×６ｃｍ）のパターン位置が重なるように試料を配置し、ＴＯＭ成形機（布施真空社製）を用いて、設定温度Ｔｇ＋４０でオーバーレイ成形を行った。そして、剥離層（支持層、または支持層＋離型層）を剥離した後に１８０℃で６０分ポストベークを行い、電子部品搭載基板を得た。得られた電子部品搭載基板の外観について、皺、破れの観点で以下の基準で評価した。
【0109】
Ｇ－２．皺
電子部品搭載基板上の電子部品被覆層に存在する皺の個数、長さを測定し、以下の基準で評価した。
＋＋＋＋：皺の個数が０～２個であり、且つ各皺の長さが３ｍｍ未満である。
＋＋＋：皺の個数が０～２個であり、且つ各皺の長さが３ｍｍ以上、５ｍｍ未満である。
＋＋：皺の個数が３～１０個であり、且つ各皺の長さが３ｍｍ未満である。
＋：皺の個数が３～１０個であり、且つ各皺の長さが３ｍｍ以上、５ｍｍ未満である。（実用レベル）
ＮＧ：皺の個数が１１個以上である、または各皺の長さが５ｍｍ以上である。
電子部品搭載基板上の電子部品被覆層に存在する皺の個数、長さを測定し、以下の基準で評価した。
＋＋＋＋：皺の個数が０～２個であり、且つ各皺の長さが３ｍｍ未満である。
＋＋＋：皺の個数が０～２個であり、且つ各皺の長さが３ｍｍ以上、５ｍｍ未満である。
＋＋：皺の個数が３～１０個であり、且つ各皺の長さが３ｍｍ未満である。
＋：皺の個数が３～１０個であり、且つ各皺の長さが３ｍｍ以上、５ｍｍ未満である。（実用レベル）
ＮＧ：皺の個数が１１個以上である、または各皺の長さが５ｍｍ以上である。
【0110】
Ｇ－３．破れ
電子部品搭載基板上の電子部品被覆層に存在する破れの個数を数え、以下の基準で評価した。
＋＋＋＋：破れの個数が０～１個である。
＋＋＋：破れの個数が２～５個である。
＋＋：破れの個数が６～１０個である。
＋：破れの個数が１１～１５個である。（実用レベル）
ＮＧ：破れの個数が１６個以上である。
電子部品搭載基板上の電子部品被覆層に存在する破れの個数を数え、以下の基準で評価した。
＋＋＋＋：破れの個数が０～１個である。
＋＋＋：破れの個数が２～５個である。
＋＋：破れの個数が６～１０個である。
＋：破れの個数が１１～１５個である。（実用レベル）
ＮＧ：破れの個数が１６個以上である。
【0111】
Ｇ－４．積層位置ずれ
試験用基板上のずれ評価用の領域に対して、電子部品被覆層が最もはみ出して積層された部分の端部からずれ評価用の領域端部までの距離を測定した、そのズレ量に基づき、以下の基準で評価した。
＋＋＋＋：ズレ量が１ｍｍ未満である。
＋＋＋：ズレ量が１ｍｍ以上、３ｍｍ未満である。
＋＋：ズレ量が３ｍｍ以上、５ｍｍ未満である。
＋：ズレ量が５ｍｍ以上、７ｍｍ未満である。（実用レベル）
ＮＧ：ズレ量が７ｍｍ以上である。
試験用基板上のずれ評価用の領域に対して、電子部品被覆層が最もはみ出して積層された部分の端部からずれ評価用の領域端部までの距離を測定した、そのズレ量に基づき、以下の基準で評価した。
＋＋＋＋：ズレ量が１ｍｍ未満である。
＋＋＋：ズレ量が１ｍｍ以上、３ｍｍ未満である。
＋＋：ズレ量が３ｍｍ以上、５ｍｍ未満である。
＋：ズレ量が５ｍｍ以上、７ｍｍ未満である。（実用レベル）
ＮＧ：ズレ量が７ｍｍ以上である。
【0112】
Ｇ－５．離型性
各実施例および比較例の積層シートを２５ｍｍ×１００ｍｍにカットし、電子部品被覆シート側に厚さ７５μｍのポリイミドフィルム（「カプトン３００Ｈ」東レデユポン社製）を重ね合わせ、８０℃でラミネート処理した。次いで、得られた試料を、引張試験機を用いて、剥離速度５０ｍｍ／分で剥離層と電子部品被覆シート間で剥離し、剥離力を測定した。結果は以下の基準で評価した。
＋＋＋＋：剥離層と電子部品被覆シートの界面で剥離でき、且つ剥離力が１Ｎ／ｃｍ以下。
＋＋＋：剥離層と電子部品被覆シートの界面で剥離でき、且つ剥離力が１Ｎ／ｃｍより大きく、２Ｎ／ｃｍ以下。
＋＋：剥離層と電子部品被覆シートの界面で剥離でき、且つ剥離力が２Ｎ／ｃｍより大きく、３Ｎ／ｃｍ以下。
＋：剥離層と電子部品被覆シートの界面で剥離でき、且つ剥離力が３Ｎ／ｃｍより大きい。（実用レベル）
ＮＧ：剥離層と電子部品被覆シートの界面で剥離できない。
各実施例および比較例の積層シートを２５ｍｍ×１００ｍｍにカットし、電子部品被覆シート側に厚さ７５μｍのポリイミドフィルム（「カプトン３００Ｈ」東レデユポン社製）を重ね合わせ、８０℃でラミネート処理した。次いで、得られた試料を、引張試験機を用いて、剥離速度５０ｍｍ／分で剥離層と電子部品被覆シート間で剥離し、剥離力を測定した。結果は以下の基準で評価した。
＋＋＋＋：剥離層と電子部品被覆シートの界面で剥離でき、且つ剥離力が１Ｎ／ｃｍ以下。
＋＋＋：剥離層と電子部品被覆シートの界面で剥離でき、且つ剥離力が１Ｎ／ｃｍより大きく、２Ｎ／ｃｍ以下。
＋＋：剥離層と電子部品被覆シートの界面で剥離でき、且つ剥離力が２Ｎ／ｃｍより大きく、３Ｎ／ｃｍ以下。
＋：剥離層と電子部品被覆シートの界面で剥離でき、且つ剥離力が３Ｎ／ｃｍより大きい。（実用レベル）
ＮＧ：剥離層と電子部品被覆シートの界面で剥離できない。
【0113】
【表1】
【0114】
【表2】
【0115】
【表3】
【0116】
【表4】
【0117】
破断伸びが（ｉ）において８００％未満、および／又は（ｉｉ）において５００％未満である被覆シートは、比較例１、２、５に示すように、加工時に破れにおいて課題があることが確認された。一方、破断伸びが（ｉ）において２０００％越え、（ｉｉ）において１５００％越えである被覆シートは、比較例３に示すように、加工時に皺において課題があることが確認された。これに対し、上述した（ｉ）～（ｉｉｉ）を全て満たす本実施例の被覆シートは、加工時の皺および破れの抑制に優れ、積層位置ズレ、離型性にも優れることが確認された。
【符号の説明】
【0118】
１：基板
２：電子部品
３：被覆層
４：電子部品被覆シート
５：ステージ
６：仕切り板
７：加熱源
８：支持層
９：離型層
１０，１１：電子部品搭載基板
２０：ボックス
２１：下部空間
２２：上部空間
３１：絶縁層
３２：導電層
４１：第一層
４２：第二層
４３：第三層
５０～５２：積層シート
２：電子部品
３：被覆層
４：電子部品被覆シート
５：ステージ
６：仕切り板
７：加熱源
８：支持層
９：離型層
１０，１１：電子部品搭載基板
２０：ボックス
２１：下部空間
２２：上部空間
３１：絶縁層
３２：導電層
４１：第一層
４２：第二層
４３：第三層
５０～５２：積層シート
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【手続補正書】
【提出日】2024-09-03
【手続補正1】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板と、前記基板上に搭載された電子部品と、前記電子部品および前記基板の少なくとも一部を覆う被覆層と、を備える電子部品搭載基板の前記被覆層を形成するための電子部品被覆シートであって、
（ｉ）常温の前記電子部品被覆シートを、当該電子部品被覆シートのＴｇ～Ｔｇ＋４０℃の温度下に投入し、当該温度で引張速度５０ｍｍ／分で測定する破断伸びが８００～２０００％であり、
（ｉｉ）常温の前記電子部品被覆シートを、当該電子部品被覆シートのＴｇ～Ｔｇ＋４０℃の温度下に投入し、当該温度で引張速度１０００ｍｍ／分で測定する破断伸びが５００～１５００％であり、更に、
（ｉｉｉ）前記電子部品被覆シートを、ＪＩＳ Ｚ１７０７に準拠した突き刺し試験で測定した２３℃における単位膜厚あたりの突刺し強度が１０～２００Ｎ／ｍｍである、電子部品被覆シート。
（ｉ）常温の前記電子部品被覆シートを、当該電子部品被覆シートのＴｇ～Ｔｇ＋４０℃の温度下に投入し、当該温度で引張速度５０ｍｍ／分で測定する破断伸びが８００～２０００％であり、
（ｉｉ）常温の前記電子部品被覆シートを、当該電子部品被覆シートのＴｇ～Ｔｇ＋４０℃の温度下に投入し、当該温度で引張速度１０００ｍｍ／分で測定する破断伸びが５００～１５００％であり、更に、
（ｉｉｉ）前記電子部品被覆シートを、ＪＩＳ Ｚ１７０７に準拠した突き刺し試験で測定した２３℃における単位膜厚あたりの突刺し強度が１０～２００Ｎ／ｍｍである、電子部品被覆シート。
【請求項2】
常温の前記電子部品被覆シートを、当該電子部品被覆シートのＴｇ～Ｔｇ＋４０℃の温度下に投入し、当該温度で引張速度５０ｍｍ／分で測定するヤング率Ｅ５０と、
常温の前記電子部品被覆シートを、当該電子部品被覆シートのＴｇ～Ｔｇ＋４０℃の温度下に投入し、当該温度で引張速度１０００ｍｍ／分で測定するヤング率Ｅ１０００との比Ｅ１０００／Ｅ５０が０．８以上である、請求項１に記載の電子部品被覆シート。
常温の前記電子部品被覆シートを、当該電子部品被覆シートのＴｇ～Ｔｇ＋４０℃の温度下に投入し、当該温度で引張速度１０００ｍｍ／分で測定するヤング率Ｅ１０００との比Ｅ１０００／Ｅ５０が０．８以上である、請求項１に記載の電子部品被覆シート。
【請求項3】
熱硬化性樹脂と、硬化性化合物を含有し、
前記硬化性化合物は、
３官能以上であって、Ｎ原子を有する硬化性化合物（ｃ１）、並びに
２官能であって、Ｎ原子を有しない硬化性化合物（ｃ２）、を含有する請求項１に記載の電子部品被覆シート。
前記硬化性化合物は、
３官能以上であって、Ｎ原子を有する硬化性化合物（ｃ１）、並びに
２官能であって、Ｎ原子を有しない硬化性化合物（ｃ２）、を含有する請求項１に記載の電子部品被覆シート。
【請求項4】
支持層、および請求項１に記載の電子部品被覆シートを備える積層シート。
【請求項5】
前記支持層と前記電子部品被覆シートの間に離型層を有する請求項４記載の積層シート。
【請求項6】
前記支持層のＴｇをＴｇ２とし、前記電子部品被覆シートのＴｇをＴｇ１
としたときに、
｜Ｔｇ２－Ｔｇ１｜≦２０℃
の関係にある、請求項４記載の積層シート。
｜Ｔｇ２－Ｔｇ１｜≦２０℃
の関係にある、請求項４記載の積層シート。
【請求項7】
基板と、前記基板上に搭載された電子部品と、前記電子部品および前記基板の少なくとも一部を覆う被覆層とを備える電子部品搭載基板であって、
前記被覆層は、請求項１～３のいずれかに記載の電子部品被覆シートを用いて形成された層である電子部品搭載基板。
前記被覆層は、請求項１～３のいずれかに記載の電子部品被覆シートを用いて形成された層である電子部品搭載基板。
【請求項8】
基板と、前記基板上に搭載された電子部品と、前記電子部品および前記基板の少なくとも一部を覆う被覆層とを備える電子部品搭載基板の製造方法であって、
請求項１～３のいずれかに記載の電子部品被覆シートを用いて前記被覆層を形成する被覆工程を有し、
前記被覆工程をＴＯＭ成形法、真空成形法、圧空成形法、真空圧空成形法、プレス成形法、射出成形法のいずれか一つの方法により行う電子部品搭載基板の製造方法。
請求項１～３のいずれかに記載の電子部品被覆シートを用いて前記被覆層を形成する被覆工程を有し、
前記被覆工程をＴＯＭ成形法、真空成形法、圧空成形法、真空圧空成形法、プレス成形法、射出成形法のいずれか一つの方法により行う電子部品搭載基板の製造方法。
【請求項9】
基板と、前記基板上に搭載された電子部品と、前記電子部品および前記基板の少なくとも一部を覆う被覆層とを備える電子部品搭載基板の製造方法であって、
請求項４～６のいずれかに記載の積層シートを用いて前記被覆層を形成する被覆工程と、
前記被覆工程後に、前記積層シートのうちの前記被覆層以外の層を除去する工程とを有し、
前記被覆工程をＴＯＭ成形法、真空成形法、圧空成形法、真空圧空成形法、プレス成形法、射出成形法のいずれか一つの方法により行う電子部品搭載基板の製造方法。
請求項４～６のいずれかに記載の積層シートを用いて前記被覆層を形成する被覆工程と、
前記被覆工程後に、前記積層シートのうちの前記被覆層以外の層を除去する工程とを有し、
前記被覆工程をＴＯＭ成形法、真空成形法、圧空成形法、真空圧空成形法、プレス成形法、射出成形法のいずれか一つの方法により行う電子部品搭載基板の製造方法。