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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2025026547
(43)【公開日】2025-02-21
(54)【発明の名称】表示装置
(51)【国際特許分類】
G09F 9/33 20060101AFI20250214BHJP
H10H 20/00 20250101ALI20250214BHJP
H10H 20/857 20250101ALI20250214BHJP
【ＦＩ】
G09F9/33
H10H20/00 L
H10H20/857
【審査請求】有
【請求項の数】1
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2024212233
(22)【出願日】2024-12-05
(62)【分割の表示】P 2024021725の分割
【原出願日】2019-04-26
(31)【優先権主張番号】P 2018095872
(32)【優先日】2018-05-18
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(71)【出願人】
【識別番号】000153878
【氏名又は名称】株式会社半導体エネルギー研究所
(72)【発明者】
【氏名】楠 紘慈
(72)【発明者】
【氏名】江口 晋吾
(72)【発明者】
【氏名】塚本 洋介
(72)【発明者】
【氏名】渡邉 一徳
(72)【発明者】
【氏名】豊高 耕平
(57)【要約】
【課題】精細度が高い表示装置を提供する。マイクロＬＥＤを表示素子に用いた表示装置
の製造コストを削減する。
【解決手段】基板、複数のトランジスタ、及び、複数の発光ダイオードを有する表示装置
である。複数の発光ダイオードは、基板にマトリクス状に設けられている。複数のトラン
ジスタは、それぞれ、複数の発光ダイオードの少なくとも一つと電気的に接続される。複
数の発光ダイオードは、複数のトランジスタよりも基板側に位置する。複数の発光ダイオ
ードは、基板とは反対側に光を発する。
【選択図】図１
の製造コストを削減する。
【解決手段】基板、複数のトランジスタ、及び、複数の発光ダイオードを有する表示装置
である。複数の発光ダイオードは、基板にマトリクス状に設けられている。複数のトラン
ジスタは、それぞれ、複数の発光ダイオードの少なくとも一つと電気的に接続される。複
数の発光ダイオードは、複数のトランジスタよりも基板側に位置する。複数の発光ダイオ
ードは、基板とは反対側に光を発する。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板、複数のトランジスタ、及び、複数の発光ダイオードを有し、
前記複数の発光ダイオードは、前記基板にマトリクス状に設けられており、
前記複数のトランジスタは、それぞれ、前記複数の発光ダイオードの少なくとも一つと電気的に接続され、
前記複数の発光ダイオードは、前記複数のトランジスタよりも前記基板側に位置し、
前記複数の発光ダイオードは、前記基板とは反対側に光を発する、表示装置。
前記複数の発光ダイオードは、前記基板にマトリクス状に設けられており、
前記複数のトランジスタは、それぞれ、前記複数の発光ダイオードの少なくとも一つと電気的に接続され、
前記複数の発光ダイオードは、前記複数のトランジスタよりも前記基板側に位置し、
前記複数の発光ダイオードは、前記基板とは反対側に光を発する、表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明の一態様は、表示装置、表示モジュール、電子機器、及びこれらの作製方法に関す
る。
る。
【0002】
なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本発明の一態様の技術分野と
しては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、電子機器、照明装置、
入力装置（例えば、タッチセンサなど）、入出力装置（例えば、タッチパネルなど）、そ
れらの駆動方法、又はそれらの製造方法を一例として挙げることができる。
しては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、電子機器、照明装置、
入力装置（例えば、タッチセンサなど）、入出力装置（例えば、タッチパネルなど）、そ
れらの駆動方法、又はそれらの製造方法を一例として挙げることができる。
【背景技術】
【0003】
近年、マイクロ発光ダイオード（マイクロＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉ
ｏｄｅ））を表示素子に用いた表示装置が提案されている（例えば特許文献１）。マイク
ロＬＥＤを表示素子に用いた表示装置は、高輝度、高コントラスト、長寿命などの利点が
あり、次世代の表示装置として研究開発が活発である。
ｏｄｅ））を表示素子に用いた表示装置が提案されている（例えば特許文献１）。マイク
ロＬＥＤを表示素子に用いた表示装置は、高輝度、高コントラスト、長寿命などの利点が
あり、次世代の表示装置として研究開発が活発である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】米国特許出願公開第２０１４／０３６７７０５号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
マイクロＬＥＤを表示素子に用いた表示装置は、ＬＥＤチップの実装にかかる時間が極め
て長く、製造コストの削減が課題となっている。例えば、ピック・アンド・プレイス方式
では、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）のＬＥＤをそれぞれ異なるウエハ上に作製し
、ＬＥＤを１つずつ切り出して回路基板に実装する。したがって、表示装置の画素数が多
いほど、実装するＬＥＤの個数が増え、実装に係る時間が長くなる。また、表示装置の精
細度が高いほど、ＬＥＤの実装の難易度が高くなる。
て長く、製造コストの削減が課題となっている。例えば、ピック・アンド・プレイス方式
では、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）のＬＥＤをそれぞれ異なるウエハ上に作製し
、ＬＥＤを１つずつ切り出して回路基板に実装する。したがって、表示装置の画素数が多
いほど、実装するＬＥＤの個数が増え、実装に係る時間が長くなる。また、表示装置の精
細度が高いほど、ＬＥＤの実装の難易度が高くなる。
【0006】
本発明の一態様は、精細度が高い表示装置を提供することを課題の一とする。本発明の一
態様は、表示品位の高い表示装置を提供することを課題の一とする。本発明の一態様は、
表示装置の薄型化及び軽量化を課題の一とする。
態様は、表示品位の高い表示装置を提供することを課題の一とする。本発明の一態様は、
表示装置の薄型化及び軽量化を課題の一とする。
【0007】
本発明の一態様は、マイクロＬＥＤを表示素子に用いた表示装置の製造コストを削減する
ことを課題の一とする。本発明の一態様は、高い歩留まりで、マイクロＬＥＤを表示素子
に用いた表示装置を製造することを課題の一とする。
ことを課題の一とする。本発明の一態様は、高い歩留まりで、マイクロＬＥＤを表示素子
に用いた表示装置を製造することを課題の一とする。
【0008】
なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。本発明の一態様は
、必ずしも、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。明細書、図面、請求
項の記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
、必ずしも、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。明細書、図面、請求
項の記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
【課題を解決するための手段】
【0009】
本発明の一態様の表示装置は、基板、複数のトランジスタ、及び、複数の発光ダイオード
を有する。複数の発光ダイオードは、基板にマトリクス状に設けられている。複数のトラ
ンジスタは、それぞれ、複数の発光ダイオードの少なくとも一つと電気的に接続される。
複数の発光ダイオードは、複数のトランジスタよりも基板側に位置する。複数の発光ダイ
オードは、基板とは反対側に光を発する。
を有する。複数の発光ダイオードは、基板にマトリクス状に設けられている。複数のトラ
ンジスタは、それぞれ、複数の発光ダイオードの少なくとも一つと電気的に接続される。
複数の発光ダイオードは、複数のトランジスタよりも基板側に位置する。複数の発光ダイ
オードは、基板とは反対側に光を発する。
【0010】
複数の発光ダイオードの少なくとも一つは、マイクロ発光ダイオードであることが好まし
い。
い。
【0011】
複数のトランジスタの少なくとも一つは、チャネル形成領域に金属酸化物を有することが
好ましい。
好ましい。
【0012】
複数の発光ダイオードは、互いに異なる色の光を呈する第１の発光ダイオード及び第２の
発光ダイオードを有することが好ましい。または、複数の発光ダイオードは、白色の光を
呈することが好ましい。
発光ダイオードを有することが好ましい。または、複数の発光ダイオードは、白色の光を
呈することが好ましい。
【0013】
複数のトランジスタの少なくとも一つは、可視光を透過する半導体層を有することが好ま
しい。半導体層は、チャネル形成領域と、一対の低抵抗領域を有する。一対の低抵抗領域
は、チャネル形成領域よりも抵抗が低い。発光ダイオードが発する光は、一対の低抵抗領
域の少なくとも一方を透過して、基板側に射出される。
しい。半導体層は、チャネル形成領域と、一対の低抵抗領域を有する。一対の低抵抗領域
は、チャネル形成領域よりも抵抗が低い。発光ダイオードが発する光は、一対の低抵抗領
域の少なくとも一方を透過して、基板側に射出される。
【0014】
本発明の一態様は、上記の構成の表示装置を有し、フレキシブルプリント回路基板（Ｆｌ
ｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ、以下、ＦＰＣと記す）もしくはＴＣＰ
（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）等のコネクタが取り付けられたモジュー
ル、またはＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式もしくはＣＯＦ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ
Ｆｉｌｍ）方式等により集積回路（ＩＣ）が実装されたモジュール等のモジュールであ
る。
ｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ、以下、ＦＰＣと記す）もしくはＴＣＰ
（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）等のコネクタが取り付けられたモジュー
ル、またはＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式もしくはＣＯＦ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ
Ｆｉｌｍ）方式等により集積回路（ＩＣ）が実装されたモジュール等のモジュールであ
る。
【0015】
本発明の一態様は、上記のモジュールと、アンテナ、バッテリ、筐体、カメラ、スピーカ
、マイク、及び操作ボタンのうち、少なくとも一つと、を有する電子機器である。
、マイク、及び操作ボタンのうち、少なくとも一つと、を有する電子機器である。
【0016】
本発明の一態様は、第１の基板上に、複数のトランジスタをマトリクス状に形成し、第２
の基板上に、複数の発光ダイオードをマトリクス状に形成し、第１の基板上または第２の
基板上に、複数のトランジスタの少なくとも一つまたは複数の発光ダイオードの少なくと
も一つと電気的に接続する第１の導電体を形成し、第１の導電体を介して、複数のトラン
ジスタの少なくとも一つと複数の発光ダイオードの少なくとも一つとが電気的に接続され
るように、第１の基板と第２の基板とを貼り合わせる、表示装置の作製方法である。
の基板上に、複数の発光ダイオードをマトリクス状に形成し、第１の基板上または第２の
基板上に、複数のトランジスタの少なくとも一つまたは複数の発光ダイオードの少なくと
も一つと電気的に接続する第１の導電体を形成し、第１の導電体を介して、複数のトラン
ジスタの少なくとも一つと複数の発光ダイオードの少なくとも一つとが電気的に接続され
るように、第１の基板と第２の基板とを貼り合わせる、表示装置の作製方法である。
【0017】
第１の導電体を第１の基板上に形成することで、第１の導電体と複数のトランジスタの少
なくとも一つとを電気的に接続させ、第２の基板上に、複数の発光ダイオードの少なくと
も一つと電気的に接続する第２の導電体を形成し、第１の導電体と第２の導電体とが接す
るように、第１の基板と第２の基板とを貼り合わせることが好ましい。
なくとも一つとを電気的に接続させ、第２の基板上に、複数の発光ダイオードの少なくと
も一つと電気的に接続する第２の導電体を形成し、第１の導電体と第２の導電体とが接す
るように、第１の基板と第２の基板とを貼り合わせることが好ましい。
【0018】
第１の基板と第２の基板とを貼り合わせた後、第１の基板を剥離してもよい。
【0019】
本発明の一態様は、第１の基板上に、剥離層を形成し、剥離層上に、絶縁層を形成し、絶
縁層の一部を開口し、絶縁層上に、複数のトランジスタをマトリクス状に形成し、剥離層
上に、絶縁層の開口と重なるように、導電層を形成し、複数のトランジスタを封止し、剥
離層を用いて第１の基板を剥離し、剥離層側から導電層を露出させ、第２の基板上に、複
数の発光ダイオードをマトリクス状に形成し、導電層を介して、複数のトランジスタの少
なくとも一つと複数の発光ダイオードの少なくとも一つとが電気的に接続されるように、
第２の基板上に複数のトランジスタを転載し、導電層は、複数のトランジスタの少なくと
も一つと電気的に接続する、または、複数のトランジスタの少なくとも一つのソースもし
くはドレインとして機能する、表示装置の作製方法である。
縁層の一部を開口し、絶縁層上に、複数のトランジスタをマトリクス状に形成し、剥離層
上に、絶縁層の開口と重なるように、導電層を形成し、複数のトランジスタを封止し、剥
離層を用いて第１の基板を剥離し、剥離層側から導電層を露出させ、第２の基板上に、複
数の発光ダイオードをマトリクス状に形成し、導電層を介して、複数のトランジスタの少
なくとも一つと複数の発光ダイオードの少なくとも一つとが電気的に接続されるように、
第２の基板上に複数のトランジスタを転載し、導電層は、複数のトランジスタの少なくと
も一つと電気的に接続する、または、複数のトランジスタの少なくとも一つのソースもし
くはドレインとして機能する、表示装置の作製方法である。
【0020】
本発明の一態様は、第１の基板上に、剥離層を形成し、剥離層上に、絶縁層を形成し、絶
縁層の一部を開口し、絶縁層上に、複数のトランジスタをマトリクス状に形成し、複数の
トランジスタを封止し、複数のトランジスタの半導体層は、それぞれ、チャネル形成領域
と、一対の低抵抗領域と、を有し、チャネル形成領域は、絶縁層上に形成され、一対の低
抵抗領域の一方は、剥離層上に絶縁層の開口と重なるように形成され、剥離層を用いて第
１の基板を剥離し、剥離層側から一対の低抵抗領域の一方を露出させ、第２の基板上に、
複数の発光ダイオードをマトリクス状に形成し、一対の低抵抗領域の一方を介して、複数
のトランジスタの少なくとも一つと複数の発光ダイオードの少なくとも一つとが電気的に
接続されるように、第２の基板上に複数のトランジスタを転載する、表示装置の作製方法
である。
縁層の一部を開口し、絶縁層上に、複数のトランジスタをマトリクス状に形成し、複数の
トランジスタを封止し、複数のトランジスタの半導体層は、それぞれ、チャネル形成領域
と、一対の低抵抗領域と、を有し、チャネル形成領域は、絶縁層上に形成され、一対の低
抵抗領域の一方は、剥離層上に絶縁層の開口と重なるように形成され、剥離層を用いて第
１の基板を剥離し、剥離層側から一対の低抵抗領域の一方を露出させ、第２の基板上に、
複数の発光ダイオードをマトリクス状に形成し、一対の低抵抗領域の一方を介して、複数
のトランジスタの少なくとも一つと複数の発光ダイオードの少なくとも一つとが電気的に
接続されるように、第２の基板上に複数のトランジスタを転載する、表示装置の作製方法
である。
【発明の効果】
【0021】
本発明の一態様により、精細度が高い表示装置を提供できる。本発明の一態様により、表
示品位の高い表示装置を提供できる。本発明の一態様により、表示装置の薄型化及び軽量
化が可能となる。
示品位の高い表示装置を提供できる。本発明の一態様により、表示装置の薄型化及び軽量
化が可能となる。
【0022】
本発明の一態様により、マイクロＬＥＤを表示素子に用いた表示装置の製造コストを削減
できる。本発明の一態様により、高い歩留まりで、マイクロＬＥＤを表示素子に用いた表
示装置を製造できる。
できる。本発明の一態様により、高い歩留まりで、マイクロＬＥＤを表示素子に用いた表
示装置を製造できる。
【0023】
なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。本発明の一態様は
、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。明細書、図面、請求項の記載から
、これら以外の効果を抽出することが可能である。
、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。明細書、図面、請求項の記載から
、これら以外の効果を抽出することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【0024】
【発明を実施するための形態】
【0025】
実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定さ
れず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し
得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の
記載内容に限定して解釈されるものではない。
れず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し
得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の
記載内容に限定して解釈されるものではない。
【0026】
なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同
一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様の
機能を指す場合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。
一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様の
機能を指す場合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。
【0027】
また、図面において示す各構成の、位置、大きさ、範囲などは、理解の簡単のため、実際
の位置、大きさ、範囲などを表していない場合がある。このため、開示する発明は、必ず
しも、図面に開示された位置、大きさ、範囲などに限定されない。
の位置、大きさ、範囲などを表していない場合がある。このため、開示する発明は、必ず
しも、図面に開示された位置、大きさ、範囲などに限定されない。
【0028】
なお、「膜」という言葉と、「層」という言葉とは、場合によっては、又は、状況に応じ
て、互いに入れ替えることが可能である。例えば、「導電層」という用語を、「導電膜」
という用語に変更することが可能である。または、例えば、「絶縁膜」という用語を、「
絶縁層」という用語に変更することが可能である。
て、互いに入れ替えることが可能である。例えば、「導電層」という用語を、「導電膜」
という用語に変更することが可能である。または、例えば、「絶縁膜」という用語を、「
絶縁層」という用語に変更することが可能である。
【0029】
【0030】
［表示装置の概要］
本実施の形態の表示装置は、表示素子である発光ダイオードと、表示素子を駆動するトラ
ンジスタと、をそれぞれ複数有する。複数の発光ダイオードは、基板にマトリクス状に設
けられている。複数のトランジスタは、それぞれ、複数の発光ダイオードの少なくとも一
つと電気的に接続される。複数の発光ダイオードは、複数のトランジスタよりも基板側に
位置する。複数の発光ダイオードは、基板とは反対側に光を発する。
本実施の形態の表示装置は、表示素子である発光ダイオードと、表示素子を駆動するトラ
ンジスタと、をそれぞれ複数有する。複数の発光ダイオードは、基板にマトリクス状に設
けられている。複数のトランジスタは、それぞれ、複数の発光ダイオードの少なくとも一
つと電気的に接続される。複数の発光ダイオードは、複数のトランジスタよりも基板側に
位置する。複数の発光ダイオードは、基板とは反対側に光を発する。
【0031】
本実施の形態の表示装置は、互いに異なる基板上に形成された複数のトランジスタと複数
の発光ダイオードと、を貼り合わせることで形成される。
の発光ダイオードと、を貼り合わせることで形成される。
【0032】
本実施の形態の表示装置の作製方法では、複数の発光ダイオードと複数のトランジスタと
を一度に貼り合わせるため、画素数の多い表示装置や高精細な表示装置を作製する場合で
あっても、発光ダイオードを１つずつ回路基板に実装する方法に比べて、表示装置の製造
時間が短縮でき、また、製造の難易度を低くすることができる。
を一度に貼り合わせるため、画素数の多い表示装置や高精細な表示装置を作製する場合で
あっても、発光ダイオードを１つずつ回路基板に実装する方法に比べて、表示装置の製造
時間が短縮でき、また、製造の難易度を低くすることができる。
【0033】
本実施の形態の表示装置は、発光ダイオードを用いて映像を表示する機能を有する。本実
施の形態では、特に、発光ダイオードとして、マイクロＬＥＤを用いる場合の例について
説明する。なお、本実施の形態では、ダブルヘテロ接合を有するマイクロＬＥＤについて
説明する。ただし、発光ダイオードに特に限定はなく、例えば、量子井戸接合を有するマ
イクロＬＥＤ、ナノコラムを用いたＬＥＤなどを用いてもよい。
施の形態では、特に、発光ダイオードとして、マイクロＬＥＤを用いる場合の例について
説明する。なお、本実施の形態では、ダブルヘテロ接合を有するマイクロＬＥＤについて
説明する。ただし、発光ダイオードに特に限定はなく、例えば、量子井戸接合を有するマ
イクロＬＥＤ、ナノコラムを用いたＬＥＤなどを用いてもよい。
【0034】
表示素子としてマイクロＬＥＤを用いることで、表示装置の消費電力を低減することがで
きる。また、表示装置の薄型・軽量化が可能である。また、表示素子としてマイクロＬＥ
Ｄを用いた表示装置は、コントラストが高く視野角が広いため、表示品位を高めることが
できる。
きる。また、表示装置の薄型・軽量化が可能である。また、表示素子としてマイクロＬＥ
Ｄを用いた表示装置は、コントラストが高く視野角が広いため、表示品位を高めることが
できる。
【0035】
発光ダイオードの光を射出する領域の面積は、１ｍｍ２以下が好ましく、１００００μｍ
２以下がより好ましく、３０００μｍ２以下がより好ましく、７００μｍ２以下がさらに
好ましい。なお、本明細書等において、光を射出する領域の面積が１００００μｍ２以下
の発光ダイオードをマイクロＬＥＤと記す場合がある。
２以下がより好ましく、３０００μｍ２以下がより好ましく、７００μｍ２以下がさらに
好ましい。なお、本明細書等において、光を射出する領域の面積が１００００μｍ２以下
の発光ダイオードをマイクロＬＥＤと記す場合がある。
【0036】
表示装置が有するトランジスタは、チャネル形成領域に金属酸化物を有することが好まし
い。金属酸化物を用いたトランジスタは、消費電力を低くすることができる。そのため、
マイクロＬＥＤと組み合わせることで、極めて消費電力の低減された表示装置を実現する
ことができる。
い。金属酸化物を用いたトランジスタは、消費電力を低くすることができる。そのため、
マイクロＬＥＤと組み合わせることで、極めて消費電力の低減された表示装置を実現する
ことができる。
【0037】
［表示装置の構成例Ａ］
図１（Ａ）に、表示装置３８０Ａの断面図を示す。
図１（Ａ）に、表示装置３８０Ａの断面図を示す。
【0038】
表示装置３８０Ａは、回路基板３６０Ａと、ＬＥＤ基板３７０Ａと、が貼り合わされて構
成されている。
成されている。
【0039】
図１（Ｂ）に、ＬＥＤ基板３７０Ａの断面図を示す。
【0040】
ＬＥＤ基板３７０Ａは、基板３７１、発光ダイオード３０２ａ、発光ダイオード３０２ｂ
、導電体１１７ａ、導電体１１７ｂ、導電体１１７ｃ、導電体１１７ｄ、及び、保護層３
７３を有する。
、導電体１１７ａ、導電体１１７ｂ、導電体１１７ｃ、導電体１１７ｄ、及び、保護層３
７３を有する。
【0041】
発光ダイオード３０２ａは、電極１１２ａ、半導体層１１３ａ、発光層１１４ａ、半導体
層１１５ａ、及び電極１１６ａを有する。発光ダイオード３０２ｂは、電極１１２ｂ、半
導体層１１３ｂ、発光層１１４ｂ、半導体層１１５ｂ、及び電極１１６ｂを有する。
層１１５ａ、及び電極１１６ａを有する。発光ダイオード３０２ｂは、電極１１２ｂ、半
導体層１１３ｂ、発光層１１４ｂ、半導体層１１５ｂ、及び電極１１６ｂを有する。
【0042】
電極１１２ａは、半導体層１１３ａと導電体１１７ｂと電気的に接続されている。電極１
１６ａは、半導体層１１５ａと導電体１１７ａと電気的に接続されている。電極１１２ｂ
は、半導体層１１３ｂと導電体１１７ｄと電気的に接続されている。電極１１６ｂは、半
導体層１１５ｂと導電体１１７ｃと電気的に接続されている。保護層３７３は、基板３７
１、電極１１２ａ、１１２ｂ、半導体層１１３ａ、１１３ｂ、発光層１１４ａ、１１４ｂ
、半導体層１１５ａ、１１５ｂ、及び、電極１１６ａ、１１６ｂを覆うように設けられる
。保護層３７３は、導電体１１７ａ～１１７ｄの側面を覆っており、導電体１１７ａ～１
１７ｄの上面と重なる開口を有する。当該開口において、導電体１１７ａ～１１７ｄの上
面は露出している。
１６ａは、半導体層１１５ａと導電体１１７ａと電気的に接続されている。電極１１２ｂ
は、半導体層１１３ｂと導電体１１７ｄと電気的に接続されている。電極１１６ｂは、半
導体層１１５ｂと導電体１１７ｃと電気的に接続されている。保護層３７３は、基板３７
１、電極１１２ａ、１１２ｂ、半導体層１１３ａ、１１３ｂ、発光層１１４ａ、１１４ｂ
、半導体層１１５ａ、１１５ｂ、及び、電極１１６ａ、１１６ｂを覆うように設けられる
。保護層３７３は、導電体１１７ａ～１１７ｄの側面を覆っており、導電体１１７ａ～１
１７ｄの上面と重なる開口を有する。当該開口において、導電体１１７ａ～１１７ｄの上
面は露出している。
【0043】
発光層１１４ａは、半導体層１１３ａと半導体層１１５ａとに挟持されている。発光層１
１４ｂは、半導体層１１３ｂと半導体層１１５ｂとに挟持されている。発光層１１４ａ、
１１４ｂでは、電子と正孔が結合して光を発する。半導体層１１３ａ、１１３ｂと半導体
層１１５ａ、１１５ｂとのうち、一方はｎ型の半導体層であり、他方はｐ型の半導体層で
ある。半導体層１１３ａ、発光層１１４ａ、及び半導体層１１５ａを含む積層構造、及び
、半導体層１１３ｂ、発光層１１４ｂ、及び半導体層１１５ｂを含む積層構造は、それぞ
れ、赤色、黄色、緑色、または青色などの光を呈するように形成される。２つの積層構造
は異なる色の光を呈することが好ましい。これらの積層構造には、例えば、ガリウム・リ
ン化合物、ガリウム・ヒ素化合物、ガリウム・アルミニウム・ヒ素化合物、アルミニウム
・ガリウム・インジウム・リン化合物、ガリウム窒化物、インジウム・窒化ガリウム化合
物、セレン・亜鉛化合物等を用いることができる。上記のように、半導体層１１３ａ、発
光層１１４ａ、及び半導体層１１５ａを含む積層構造が赤色、黄色、緑色、または青色な
どの光を呈するように形成することにより、カラーフィルタなどの着色膜を形成する工程
が不要となる。したがって、表示装置の製造コストを抑制することができる。また、２つ
の積層構造が同じ色の光を呈してもよい。このとき、発光層１１４ａ、１１４ｂから発せ
られた光は、着色膜を介して、表示装置の外部に取り出されてもよい。
１４ｂは、半導体層１１３ｂと半導体層１１５ｂとに挟持されている。発光層１１４ａ、
１１４ｂでは、電子と正孔が結合して光を発する。半導体層１１３ａ、１１３ｂと半導体
層１１５ａ、１１５ｂとのうち、一方はｎ型の半導体層であり、他方はｐ型の半導体層で
ある。半導体層１１３ａ、発光層１１４ａ、及び半導体層１１５ａを含む積層構造、及び
、半導体層１１３ｂ、発光層１１４ｂ、及び半導体層１１５ｂを含む積層構造は、それぞ
れ、赤色、黄色、緑色、または青色などの光を呈するように形成される。２つの積層構造
は異なる色の光を呈することが好ましい。これらの積層構造には、例えば、ガリウム・リ
ン化合物、ガリウム・ヒ素化合物、ガリウム・アルミニウム・ヒ素化合物、アルミニウム
・ガリウム・インジウム・リン化合物、ガリウム窒化物、インジウム・窒化ガリウム化合
物、セレン・亜鉛化合物等を用いることができる。上記のように、半導体層１１３ａ、発
光層１１４ａ、及び半導体層１１５ａを含む積層構造が赤色、黄色、緑色、または青色な
どの光を呈するように形成することにより、カラーフィルタなどの着色膜を形成する工程
が不要となる。したがって、表示装置の製造コストを抑制することができる。また、２つ
の積層構造が同じ色の光を呈してもよい。このとき、発光層１１４ａ、１１４ｂから発せ
られた光は、着色膜を介して、表示装置の外部に取り出されてもよい。
【0044】
基板３７１としては、例えば、サファイヤ（Ａｌ２Ｏ３）基板、炭化ケイ素（ＳｉＣ）基
板、シリコン（Ｓｉ）基板、窒化ガリウム（ＧａＮ）基板などの単結晶基板を用いること
ができる。
板、シリコン（Ｓｉ）基板、窒化ガリウム（ＧａＮ）基板などの単結晶基板を用いること
ができる。
【0045】
図１（Ｃ）に、回路基板３６０Ａの断面図を示す。
【0046】
回路基板３６０Ａは、基板３６１、絶縁層３６７、トランジスタ３０３ａ、トランジスタ
３０３ｂ、絶縁層３１４、導電層１１１ａ、導電層１１１ｂ、導電層１１１ｃ、及び、導
電層１１１ｄを有する。
３０３ｂ、絶縁層３１４、導電層１１１ａ、導電層１１１ｂ、導電層１１１ｃ、及び、導
電層１１１ｄを有する。
【0047】
トランジスタ３０３ａ、３０３ｂは、それぞれ、ゲート、ゲート絶縁層３１１、半導体層
、バックゲート、ソース、及びドレインを有する。ゲート（下側のゲート）と半導体層は
、ゲート絶縁層３１１を介して重なる。バックゲート（上側のゲート）と半導体層は、絶
縁層３１２及び絶縁層３１３を介して重なる。半導体層は、酸化物半導体を有することが
好ましい。
、バックゲート、ソース、及びドレインを有する。ゲート（下側のゲート）と半導体層は
、ゲート絶縁層３１１を介して重なる。バックゲート（上側のゲート）と半導体層は、絶
縁層３１２及び絶縁層３１３を介して重なる。半導体層は、酸化物半導体を有することが
好ましい。
【0048】
絶縁層３１２、絶縁層３１３、及び絶縁層３１４のうち、少なくとも一層には、水または
水素などの不純物が拡散しにくい材料を用いることが好ましい。外部から不純物がトラン
ジスタに拡散することを効果的に抑制することが可能となり、表示装置の信頼性を高める
ことができる。絶縁層３１４は、平坦化層としての機能を有する。
水素などの不純物が拡散しにくい材料を用いることが好ましい。外部から不純物がトラン
ジスタに拡散することを効果的に抑制することが可能となり、表示装置の信頼性を高める
ことができる。絶縁層３１４は、平坦化層としての機能を有する。
【0049】
絶縁層３６７は、下地膜としての機能を有する。絶縁層３６７には、水または水素などの
不純物が拡散しにくい材料を用いることが好ましい。
不純物が拡散しにくい材料を用いることが好ましい。
【0050】
図１（Ａ）に示すように、ＬＥＤ基板３７０Ａに設けられた導電体１１７ａは、回路基板
３６０Ａに設けられた導電層１１１ａと接続されている。これにより、トランジスタ３０
３ａと発光ダイオード３０２ａとを電気的に接続することができる。電極１１６ａは、発
光ダイオード３０２ａの画素電極として機能する。また、ＬＥＤ基板３７０Ａに設けられ
た導電体１１７ｂと、回路基板３６０Ａに設けられた導電層１１１ｂと、が接続されてい
る。電極１１２ａは、発光ダイオード３０２ａの共通電極として機能する。
３６０Ａに設けられた導電層１１１ａと接続されている。これにより、トランジスタ３０
３ａと発光ダイオード３０２ａとを電気的に接続することができる。電極１１６ａは、発
光ダイオード３０２ａの画素電極として機能する。また、ＬＥＤ基板３７０Ａに設けられ
た導電体１１７ｂと、回路基板３６０Ａに設けられた導電層１１１ｂと、が接続されてい
る。電極１１２ａは、発光ダイオード３０２ａの共通電極として機能する。
【0051】
同様に、ＬＥＤ基板３７０Ａに設けられた導電体１１７ｃは、回路基板３６０Ａに設けら
れた導電層１１１ｃと接続されている。これにより、トランジスタ３０３ｂと発光ダイオ
ード３０２ｂとを電気的に接続することができる。電極１１６ｂは、発光ダイオード３０
２ｂの画素電極として機能する。また、ＬＥＤ基板３７０Ａに設けられた導電体１１７ｄ
と、回路基板３６０Ａに設けられた導電層１１１ｄと、が接続されている。電極１１２ｂ
は、発光ダイオード３０２ｂの共通電極として機能する。
れた導電層１１１ｃと接続されている。これにより、トランジスタ３０３ｂと発光ダイオ
ード３０２ｂとを電気的に接続することができる。電極１１６ｂは、発光ダイオード３０
２ｂの画素電極として機能する。また、ＬＥＤ基板３７０Ａに設けられた導電体１１７ｄ
と、回路基板３６０Ａに設けられた導電層１１１ｄと、が接続されている。電極１１２ｂ
は、発光ダイオード３０２ｂの共通電極として機能する。
【0052】
発光ダイオード３０２ａ、３０２ｂが発する光は、基板３６１側に取り出される。基板３
６１、絶縁層３６７、ゲート絶縁層３１１、絶縁層３１２、３１３、３１４、及び保護層
３７３は、それぞれ、当該光を透過する。
６１、絶縁層３６７、ゲート絶縁層３１１、絶縁層３１２、３１３、３１４、及び保護層
３７３は、それぞれ、当該光を透過する。
【0053】
なお、本実施の形態では、発光ダイオードの光を基板３７１側とは逆側に取り出す例を示
すが、基板３７１が可視光を透過する場合は、基板３７１側に光を取り出してもよい。ま
た、発光ダイオードの光を取り出さない側には、発光ダイオードの光を反射する反射層、
または、当該光を遮る遮光層を設けてもよい。
すが、基板３７１が可視光を透過する場合は、基板３７１側に光を取り出してもよい。ま
た、発光ダイオードの光を取り出さない側には、発光ダイオードの光を反射する反射層、
または、当該光を遮る遮光層を設けてもよい。
【0054】
導電体１１７ａ～１１７ｄには、例えば、銀、カーボン、銅などの導電性ペーストや、金
、はんだなどのバンプを好適に用いることができる。また、導電体１１７ａ～１１７ｄと
接続される電極１１２ａ、１１２ｂ、１１６ａ、１１６ｂ、及び導電層１１１ａ～１１１
ｄには、それぞれ、導電体１１７ａ～１１７ｄとのコンタクト抵抗の低い導電材料を用い
ることが好ましい。例えば、導電体１１７ａ～１１７ｄに銀ペーストを用いる場合、これ
らと接続される導電材料が、アルミニウム、チタン、銅、銀（Ａｇ）とパラジウム（Ｐｄ
）と銅（Ｃｕ）の合金（Ａｇ－Ｐｄ－Ｃｕ（ＡＰＣ））などであると、コンタクト抵抗が
低く好ましい。
、はんだなどのバンプを好適に用いることができる。また、導電体１１７ａ～１１７ｄと
接続される電極１１２ａ、１１２ｂ、１１６ａ、１１６ｂ、及び導電層１１１ａ～１１１
ｄには、それぞれ、導電体１１７ａ～１１７ｄとのコンタクト抵抗の低い導電材料を用い
ることが好ましい。例えば、導電体１１７ａ～１１７ｄに銀ペーストを用いる場合、これ
らと接続される導電材料が、アルミニウム、チタン、銅、銀（Ａｇ）とパラジウム（Ｐｄ
）と銅（Ｃｕ）の合金（Ａｇ－Ｐｄ－Ｃｕ（ＡＰＣ））などであると、コンタクト抵抗が
低く好ましい。
【0055】
なお、導電体１１７ａ～１１７ｄは、ＬＥＤ基板３７０Ａでなく、回路基板３６０Ａに設
けられていてもよい。
けられていてもよい。
【0056】
【0057】
ガラス基板など、耐熱性の高い基板上で、トランジスタを形成することで、電気特性及び
信頼性の高いトランジスタを形成することができる。そして、当該基板からトランジスタ
を剥離し、フィルムなど、可撓性を有する基板に転置することで、表示装置の薄型化及び
軽量化が実現できる。
信頼性の高いトランジスタを形成することができる。そして、当該基板からトランジスタ
を剥離し、フィルムなど、可撓性を有する基板に転置することで、表示装置の薄型化及び
軽量化が実現できる。
【0058】
【0059】
図２（Ｂ）に示すように、基板３５１上に剥離層３５３を形成し、剥離層３５３上に絶縁
層３６７を形成する。そして、絶縁層３６７上に、トランジスタ３０３ａ、絶縁層３１４
、導電層１１１ａ、１１１ｂを形成する。これにより、回路基板３６０Ｂを形成すること
ができる。
層３６７を形成する。そして、絶縁層３６７上に、トランジスタ３０３ａ、絶縁層３１４
、導電層１１１ａ、１１１ｂを形成する。これにより、回路基板３６０Ｂを形成すること
ができる。
【0060】
次に、図２（Ｃ）に示すように、回路基板３６０Ｂと、ＬＥＤ基板３７０Ａと、を貼り合
わせる。
わせる。
【0061】
そして、図２（Ｄ）に示すように、剥離層３５３を用いて、基板３５１を剥離する。その
後、露出した絶縁層３６７に、接着層３６３を用いて、可撓性を有する基板３６２を貼り
合わせることで、図２（Ａ）に示す表示装置３８０Ｂを作製することができる。
後、露出した絶縁層３６７に、接着層３６３を用いて、可撓性を有する基板３６２を貼り
合わせることで、図２（Ａ）に示す表示装置３８０Ｂを作製することができる。
【0062】
基板３５１は、搬送が容易となる程度に剛性を有し、かつ作製工程にかかる温度に対して
耐熱性を有する。基板３５１に用いることができる材料としては、例えば、ガラス、石英
、セラミック、サファイヤ、樹脂、半導体、金属または合金などが挙げられる。ガラスと
しては、例えば、無アルカリガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガ
ラス等が挙げられる。
耐熱性を有する。基板３５１に用いることができる材料としては、例えば、ガラス、石英
、セラミック、サファイヤ、樹脂、半導体、金属または合金などが挙げられる。ガラスと
しては、例えば、無アルカリガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガ
ラス等が挙げられる。
【0063】
剥離層３５３は、有機材料または無機材料を用いて形成することができる。
【0064】
剥離層３５３に用いることができる有機材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、アクリ
ル樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シロキサン樹脂、ベン
ゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂等が挙げられる。
ル樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シロキサン樹脂、ベン
ゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂等が挙げられる。
【0065】
剥離層３５３に用いることができる無機材料としては、タングステン、モリブデン、チタ
ン、タンタル、ニオブ、ニッケル、コバルト、ジルコニウム、亜鉛、ルテニウム、ロジウ
ム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、シリコンから選択された元素を含む金属、該
元素を含む合金、または該元素を含む化合物等が挙げられる。シリコンを含む層の結晶構
造は、非晶質、微結晶、多結晶のいずれでもよい。
ン、タンタル、ニオブ、ニッケル、コバルト、ジルコニウム、亜鉛、ルテニウム、ロジウ
ム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、シリコンから選択された元素を含む金属、該
元素を含む合金、または該元素を含む化合物等が挙げられる。シリコンを含む層の結晶構
造は、非晶質、微結晶、多結晶のいずれでもよい。
【0066】
剥離界面にレーザを照射することで、基板３５１を剥離してもよい。レーザとしては、エ
キシマレーザ、固体レーザなどを用いることができる。例えば、ダイオード励起固体レー
ザ（ＤＰＳＳ）を用いてもよい。または、垂直方向に引っ張る力をかけることにより基板
３５１を剥離してもよい。
キシマレーザ、固体レーザなどを用いることができる。例えば、ダイオード励起固体レー
ザ（ＤＰＳＳ）を用いてもよい。または、垂直方向に引っ張る力をかけることにより基板
３５１を剥離してもよい。
【0067】
なお、基板３５１、剥離層３５３、絶縁層３６７の材料の組み合わせによって、剥離界面
は変わることがある。例えば、基板３５１と剥離層３５３との界面、剥離層３５３中、剥
離層３５３と絶縁層３６７との界面などが、剥離界面となる。
は変わることがある。例えば、基板３５１と剥離層３５３との界面、剥離層３５３中、剥
離層３５３と絶縁層３６７との界面などが、剥離界面となる。
【0068】
［表示装置の構成例Ｃ］
図３（Ａ）に、表示装置３８０Ｃの断面図を示す。
図３（Ａ）に、表示装置３８０Ｃの断面図を示す。
【0069】
表示装置３８０Ｃは、回路基板３６０Ｃと、ＬＥＤ基板３７０Ｂと、が貼り合わされて構
成されている。表示装置３８０Ｃでは、１つのトランジスタに、２つの発光ダイオードが
電気的に接続されている。このように、１つのトランジスタに、複数の発光ダイオードが
電気的に接続されていてもよい。
成されている。表示装置３８０Ｃでは、１つのトランジスタに、２つの発光ダイオードが
電気的に接続されている。このように、１つのトランジスタに、複数の発光ダイオードが
電気的に接続されていてもよい。
【0070】
図３（Ｂ）に、ＬＥＤ基板３７０Ｂの断面図を示す。
【0071】
ＬＥＤ基板３７０Ｂは、基板３７１、発光ダイオード３０２ｃ、発光ダイオード３０２ｄ
、導電体１１７ａ、導電体１１７ｂ、導電体１１７ｃ、及び、保護層３７３を有する。
、導電体１１７ａ、導電体１１７ｂ、導電体１１７ｃ、及び、保護層３７３を有する。
【0072】
発光ダイオード３０２ｃ、３０２ｄは、同一の構成であり、それぞれ、電極１１２、半導
体層１１３、発光層１１４、半導体層１１５、及び電極１１６を有する。
体層１１３、発光層１１４、半導体層１１５、及び電極１１６を有する。
【0073】
電極１１２は、半導体層１１３と導電体１１７ｃと電気的に接続されている。電極１１６
は、半導体層１１５と導電体１１７ａまたは１１７ｂと電気的に接続されている。保護層
３７３は、基板３７１、電極１１２、半導体層１１３、発光層１１４、半導体層１１５、
及び、電極１１６を覆うように設けられる。保護層３７３は、導電体１１７ａ～１１７ｃ
の側面を覆っており、導電体１１７ａ～１１７ｃの上面と重なる開口を有する。当該開口
において、導電体１１７ａ～１１７ｃの上面は露出している。
は、半導体層１１５と導電体１１７ａまたは１１７ｂと電気的に接続されている。保護層
３７３は、基板３７１、電極１１２、半導体層１１３、発光層１１４、半導体層１１５、
及び、電極１１６を覆うように設けられる。保護層３７３は、導電体１１７ａ～１１７ｃ
の側面を覆っており、導電体１１７ａ～１１７ｃの上面と重なる開口を有する。当該開口
において、導電体１１７ａ～１１７ｃの上面は露出している。
【0074】
発光層１１４は発光層であり、半導体層１１３と半導体層１１５とのうち、一方はｎ型の
半導体層であり、他方はｐ型の半導体層である。発光ダイオード３０２ｃ、３０２ｄは、
同一の色の光を呈するように形成される。
半導体層であり、他方はｐ型の半導体層である。発光ダイオード３０２ｃ、３０２ｄは、
同一の色の光を呈するように形成される。
【0075】
図３（Ｃ）に、回路基板３６０Ｃの断面図を示す。
【0076】
回路基板３６０Ｃは、基板３６１、絶縁層３６７、トランジスタ３０３ａ、絶縁層３１４
、導電層１１１ａ、及び導電層１１１ｂを有する。
、導電層１１１ａ、及び導電層１１１ｂを有する。
【0077】
図３（Ａ）に示すように、ＬＥＤ基板３７０Ｂに設けられた導電体１１７ａ、１１７ｂは
、回路基板３６０Ｃに設けられた導電層１１１ａと接続されている。これにより、トラン
ジスタ３０３ａと発光ダイオード３０２ｃ、３０２ｄとを電気的に接続することができる
。電極１１６は、発光ダイオード３０２ａ、３０２ｂの画素電極として機能する。また、
ＬＥＤ基板３７０Ｂに設けられた導電体１１７ｃと、回路基板３６０Ｃに設けられた導電
層１１１ｂと、が接続されている。電極１１２は、発光ダイオード３０２ｃ、３０２ｄの
共通電極として機能する。ＬＥＤ基板３７０Ａ（図１（Ｂ））では、共通電極が発光ダイ
オードごとに設けられているが、ＬＥＤ基板３７０Ｂに示すように、複数の発光ダイオー
ドにわたって共通電極（電極１１２）が設けられていてもよい。
、回路基板３６０Ｃに設けられた導電層１１１ａと接続されている。これにより、トラン
ジスタ３０３ａと発光ダイオード３０２ｃ、３０２ｄとを電気的に接続することができる
。電極１１６は、発光ダイオード３０２ａ、３０２ｂの画素電極として機能する。また、
ＬＥＤ基板３７０Ｂに設けられた導電体１１７ｃと、回路基板３６０Ｃに設けられた導電
層１１１ｂと、が接続されている。電極１１２は、発光ダイオード３０２ｃ、３０２ｄの
共通電極として機能する。ＬＥＤ基板３７０Ａ（図１（Ｂ））では、共通電極が発光ダイ
オードごとに設けられているが、ＬＥＤ基板３７０Ｂに示すように、複数の発光ダイオー
ドにわたって共通電極（電極１１２）が設けられていてもよい。
【0078】
［表示装置の構成例Ｄ、Ｅ、Ｆ］
図４（Ａ）に、表示装置３８０Ｄの断面図を示す。
図４（Ａ）に、表示装置３８０Ｄの断面図を示す。
【0079】
表示装置３８０Ｄは、回路アレイ３６０Ｄと、ＬＥＤ基板３７０Ｃと、が貼り合わされて
構成されている。後述するように、回路アレイ３６０Ｄは、基板上に剥離層を介して形成
される。そして、当該基板を剥離することで露出した回路アレイ３６０Ｄの面が、ＬＥＤ
基板３７０Ｃと貼り合わされている。
構成されている。後述するように、回路アレイ３６０Ｄは、基板上に剥離層を介して形成
される。そして、当該基板を剥離することで露出した回路アレイ３６０Ｄの面が、ＬＥＤ
基板３７０Ｃと貼り合わされている。
【0080】
図４（Ｂ）に、ＬＥＤ基板３７０Ｃの断面図を示す。
【0081】
ＬＥＤ基板３７０Ｃは、基板３７１、発光ダイオード３０２ｅ、発光ダイオード３０２ｆ
、導電体１１７ａ、導電体１１７ｂ、導電体１１７ｃ、及び、保護層３７３を有する。
、導電体１１７ａ、導電体１１７ｂ、導電体１１７ｃ、及び、保護層３７３を有する。
【0082】
発光ダイオード３０２ｅは、電極１１２、半導体層１１３ａ、発光層１１４ａ、半導体層
１１５ａ、及び電極１１６ａを有する。発光ダイオード３０２ｆは、電極１１２、半導体
層１１３ｂ、発光層１１４ｂ、半導体層１１５ｂ、及び電極１１６ｂを有する。
１１５ａ、及び電極１１６ａを有する。発光ダイオード３０２ｆは、電極１１２、半導体
層１１３ｂ、発光層１１４ｂ、半導体層１１５ｂ、及び電極１１６ｂを有する。
【0083】
電極１１２は、半導体層１１３ａ、１１３ｂ、及び導電体１１７ｃと電気的に接続されて
いる。電極１１６ａは、半導体層１１５ａと導電体１１７ａと電気的に接続されている。
電極１１６ｂは、半導体層１１５ｂと導電体１１７ｃと電気的に接続されている。保護層
３７３は、基板３７１、電極１１２、半導体層１１３ａ、１１３ｂ、発光層１１４ａ、１
１４ｂ、半導体層１１５ａ、１１５ｂ、及び、電極１１６ａ、１１６ｂを覆うように設け
られる。保護層３７３は、導電体１１７ａ～１１７ｄの側面を覆っており、導電体１１７
ａ～１１７ｄの上面と重なる開口を有する。当該開口において、導電体１１７ａ～１１７
ｄの上面は露出している。
いる。電極１１６ａは、半導体層１１５ａと導電体１１７ａと電気的に接続されている。
電極１１６ｂは、半導体層１１５ｂと導電体１１７ｃと電気的に接続されている。保護層
３７３は、基板３７１、電極１１２、半導体層１１３ａ、１１３ｂ、発光層１１４ａ、１
１４ｂ、半導体層１１５ａ、１１５ｂ、及び、電極１１６ａ、１１６ｂを覆うように設け
られる。保護層３７３は、導電体１１７ａ～１１７ｄの側面を覆っており、導電体１１７
ａ～１１７ｄの上面と重なる開口を有する。当該開口において、導電体１１７ａ～１１７
ｄの上面は露出している。
【0084】
【0085】
図５（Ａ）に示すように、基板３５１上に剥離層３５３を形成し、剥離層３５３上に絶縁
層３５５を形成する。そして、絶縁層３５５の一部を開口する。次に、絶縁層３５５上に
、トランジスタ３０３ｃ、３０３ｄ、及び導電層１１８ｃを形成する。そして、封止層３
１８により、トランジスタ３０３ｃ、３０３ｄ、及び導電層１１８ｃなどを封止する。
層３５５を形成する。そして、絶縁層３５５の一部を開口する。次に、絶縁層３５５上に
、トランジスタ３０３ｃ、３０３ｄ、及び導電層１１８ｃを形成する。そして、封止層３
１８により、トランジスタ３０３ｃ、３０３ｄ、及び導電層１１８ｃなどを封止する。
【0086】
トランジスタ３０３ｃ、３０３ｄは、それぞれ、バックゲート、ゲート絶縁層３１１、半
導体層、ゲート絶縁層、ゲート、絶縁層３１５、ソース、及びドレインを有する。半導体
層は、チャネル形成領域と一対の低抵抗領域とを有する。バックゲート（下側のゲート）
とチャネル形成領域は、ゲート絶縁層３１１を介して重なる。ゲート（上側のゲート）と
チャネル形成領域は、ゲート絶縁層を介して重なる。ソース及びドレインは、それぞれ、
絶縁層３１５に設けられた開口を介して、低抵抗領域と電気的に接続される。ソースまた
はドレインとして機能する導電層１１８ａ、１１８ｂは、絶縁層３５５に設けられた開口
を介して、剥離層３５３と接する。また、導電層１１８ａ、１１８ｂと同一の材料、同一
の工程で作製された導電層１１８ｃは、絶縁層３５５に設けられた開口を介して、剥離層
３５３と接する。
導体層、ゲート絶縁層、ゲート、絶縁層３１５、ソース、及びドレインを有する。半導体
層は、チャネル形成領域と一対の低抵抗領域とを有する。バックゲート（下側のゲート）
とチャネル形成領域は、ゲート絶縁層３１１を介して重なる。ゲート（上側のゲート）と
チャネル形成領域は、ゲート絶縁層を介して重なる。ソース及びドレインは、それぞれ、
絶縁層３１５に設けられた開口を介して、低抵抗領域と電気的に接続される。ソースまた
はドレインとして機能する導電層１１８ａ、１１８ｂは、絶縁層３５５に設けられた開口
を介して、剥離層３５３と接する。また、導電層１１８ａ、１１８ｂと同一の材料、同一
の工程で作製された導電層１１８ｃは、絶縁層３５５に設けられた開口を介して、剥離層
３５３と接する。
【0087】
封止層３１８としては、無機絶縁材料及び有機絶縁材料の一方または双方を用いることが
できる。封止層３１８の材料としては、接着層などに用いることができる樹脂、バリア性
の高い無機絶縁膜、可撓性を有する樹脂フィルムなどが挙げられる。
できる。封止層３１８の材料としては、接着層などに用いることができる樹脂、バリア性
の高い無機絶縁膜、可撓性を有する樹脂フィルムなどが挙げられる。
【0088】
次に、図５（Ｂ）に示すように、剥離層３５３を用いて、基板３５１を剥離する。図５（
Ｂ）では、剥離により、導電層１１８ａ、１１８ｂ、１１８ｃが露出する例を示す。基板
３５１を剥離した後に剥離層３５３が残存する場合は、剥離層３５３を除去することで、
導電層１１８ａ、１１８ｂ、１１８ｃを露出する。これにより、回路アレイ３６０Ｄを形
成することができる。
Ｂ）では、剥離により、導電層１１８ａ、１１８ｂ、１１８ｃが露出する例を示す。基板
３５１を剥離した後に剥離層３５３が残存する場合は、剥離層３５３を除去することで、
導電層１１８ａ、１１８ｂ、１１８ｃを露出する。これにより、回路アレイ３６０Ｄを形
成することができる。
【0089】
そして、回路アレイ３６０Ｄと、ＬＥＤ基板３７０Ｃと、を貼り合わせることで、図４（
Ａ）に示す表示装置３８０Ｄを作製することができる。
Ａ）に示す表示装置３８０Ｄを作製することができる。
【0090】
図４（Ａ）に示すように、ＬＥＤ基板３７０Ｃに設けられた導電体１１７ａは、回路アレ
イ３６０Ｄに設けられた導電層１１８ａと接続されている。これにより、トランジスタ３
０３ｅと発光ダイオード３０２ｅとを電気的に接続することができる。電極１１６ａは、
発光ダイオード３０２ｅの画素電極として機能する。
イ３６０Ｄに設けられた導電層１１８ａと接続されている。これにより、トランジスタ３
０３ｅと発光ダイオード３０２ｅとを電気的に接続することができる。電極１１６ａは、
発光ダイオード３０２ｅの画素電極として機能する。
【0091】
同様に、ＬＥＤ基板３７０Ｃに設けられた導電体１１７ｂは、回路アレイ３６０Ｄに設け
られた導電層１１８ｂと接続されている。これにより、トランジスタ３０３ｆと発光ダイ
オード３０２ｆとを電気的に接続することができる。電極１１６ｂは、発光ダイオード３
０２ｆの画素電極として機能する。
られた導電層１１８ｂと接続されている。これにより、トランジスタ３０３ｆと発光ダイ
オード３０２ｆとを電気的に接続することができる。電極１１６ｂは、発光ダイオード３
０２ｆの画素電極として機能する。
【0092】
また、ＬＥＤ基板３７０Ｄに設けられた導電体１１７ｃと、回路アレイ３６０Ｄに設けら
れた導電層１１８ｃと、が接続されている。電極１１２は、発光ダイオード３０２ｅ、３
０２ｆの共通電極として機能する。
れた導電層１１８ｃと、が接続されている。電極１１２は、発光ダイオード３０２ｅ、３
０２ｆの共通電極として機能する。
【0093】
発光ダイオード３０２ｅ、３０２ｆが発する光は、封止層３１８側に取り出される。封止
層３１８、絶縁層３５５、ゲート絶縁層３１１、絶縁層３１５は、それぞれ、当該光を透
過する。また、導電層１１８ａ、１１８ｂに、可視光を透過する導電材料を用いると、図
４（Ａ）に示す発光領域Ｌ１よりも、発光領域を広くすることができるため、好ましい。
層３１８、絶縁層３５５、ゲート絶縁層３１１、絶縁層３１５は、それぞれ、当該光を透
過する。また、導電層１１８ａ、１１８ｂに、可視光を透過する導電材料を用いると、図
４（Ａ）に示す発光領域Ｌ１よりも、発光領域を広くすることができるため、好ましい。
【0094】
また、図６に示す表示装置３８０Ｅのように、半導体層の低抵抗領域１１９ａ、１１９ｂ
が、絶縁層３５５に設けられた開口を介して、導電体１１７ａ、１１７ｂと接続されてい
てもよい。半導体層に酸化物半導体を用いる場合、半導体層の低抵抗領域１１９ａ、１１
９ｂは発光ダイオードの発光を透過することができるため、発光領域Ｌ２を、発光領域Ｌ
１に比べて広くすることができる。
が、絶縁層３５５に設けられた開口を介して、導電体１１７ａ、１１７ｂと接続されてい
てもよい。半導体層に酸化物半導体を用いる場合、半導体層の低抵抗領域１１９ａ、１１
９ｂは発光ダイオードの発光を透過することができるため、発光領域Ｌ２を、発光領域Ｌ
１に比べて広くすることができる。
【0095】
また、図７に示す表示装置３８０Ｆのように、同じ色（例えば白色）の光を呈する発光ダ
イオードがマトリクス状に配置されたＬＥＤ基板３７０Ｄと、着色層（着色層ＣＦＡ、Ｃ
ＦＢ）を有する回路アレイ３６０Ｆと、を貼り合わせることで、表示装置を作製してもよ
い。発光ダイオード３０２ｅと発光ダイオード３０２ｆは、同じ色の光を発する。発光ダ
イオード３０２ｅが発する光は、着色層ＣＦＡを介して表示装置３８０Ｆの外部に取り出
される。発光ダイオード３０２ｆが発する光は、着色層ＣＦＡとは異なる色の着色層ＣＦ
Ｂを介して表示装置３８０Ｆの外部に取り出される。例えば、赤色、緑色、青色の着色層
を回路アレイ３６０Ｆに設けることで、フルカラー表示が可能な表示装置を作製すること
ができる。
イオードがマトリクス状に配置されたＬＥＤ基板３７０Ｄと、着色層（着色層ＣＦＡ、Ｃ
ＦＢ）を有する回路アレイ３６０Ｆと、を貼り合わせることで、表示装置を作製してもよ
い。発光ダイオード３０２ｅと発光ダイオード３０２ｆは、同じ色の光を発する。発光ダ
イオード３０２ｅが発する光は、着色層ＣＦＡを介して表示装置３８０Ｆの外部に取り出
される。発光ダイオード３０２ｆが発する光は、着色層ＣＦＡとは異なる色の着色層ＣＦ
Ｂを介して表示装置３８０Ｆの外部に取り出される。例えば、赤色、緑色、青色の着色層
を回路アレイ３６０Ｆに設けることで、フルカラー表示が可能な表示装置を作製すること
ができる。
【0096】
なお、表示装置３８０Ｅ、３８０Ｆは、それぞれ、表示装置３８０Ｄの作製方法において
、基板３５１上に剥離層３５３を介して形成する回路アレイ３６０Ｄを、回路アレイ３６
０Ｅまたは回路アレイ３６０Ｆに変更することで、作製することができる。
、基板３５１上に剥離層３５３を介して形成する回路アレイ３６０Ｄを、回路アレイ３６
０Ｅまたは回路アレイ３６０Ｆに変更することで、作製することができる。
【0097】
［トランジスタ］
次に、表示装置に用いることができるトランジスタについて、説明する。
次に、表示装置に用いることができるトランジスタについて、説明する。
【0098】
表示装置が有するトランジスタの構造は特に限定されない。例えば、プレーナ型のトラン
ジスタとしてもよいし、スタガ型のトランジスタとしてもよいし、逆スタガ型のトランジ
スタとしてもよい。また、トップゲート構造またはボトムゲート構造のいずれのトランジ
スタ構造としてもよい。または、チャネルの上下にゲート電極が設けられていてもよい。
ジスタとしてもよいし、スタガ型のトランジスタとしてもよいし、逆スタガ型のトランジ
スタとしてもよい。また、トップゲート構造またはボトムゲート構造のいずれのトランジ
スタ構造としてもよい。または、チャネルの上下にゲート電極が設けられていてもよい。
【0099】
表示装置が有するトランジスタには、例えば、金属酸化物をチャネル形成領域に用いたト
ランジスタを用いることができる。これにより、極めてオフ電流の低いトランジスタを実
現することができる。
ランジスタを用いることができる。これにより、極めてオフ電流の低いトランジスタを実
現することができる。
【0100】
または、表示装置が有するトランジスタにシリコンをチャネル形成領域に有するトランジ
スタを適用してもよい。当該トランジスタとしては、例えば、アモルファスシリコンを有
するトランジスタ、結晶性のシリコン（代表的には、低温ポリシリコン）を有するトラン
ジスタ、単結晶シリコンを有するトランジスタなどが挙げられる。
スタを適用してもよい。当該トランジスタとしては、例えば、アモルファスシリコンを有
するトランジスタ、結晶性のシリコン（代表的には、低温ポリシリコン）を有するトラン
ジスタ、単結晶シリコンを有するトランジスタなどが挙げられる。
【0101】
図８（Ａ）、図８（Ｂ）に、トランジスタの構成例を示す。各トランジスタは、絶縁層１
４１と絶縁層２０８の間に設けられている。絶縁層１４１は、下地膜としての機能を有す
ることが好ましい。絶縁層２０８は、平坦化膜としての機能を有することが好ましい。
４１と絶縁層２０８の間に設けられている。絶縁層１４１は、下地膜としての機能を有す
ることが好ましい。絶縁層２０８は、平坦化膜としての機能を有することが好ましい。
【0102】
【0103】
トランジスタの半導体には、酸化物半導体を用いることが好ましい。シリコンよりもバン
ドギャップが広く、且つキャリア密度の小さい半導体材料を用いると、トランジスタのオ
フ状態における電流を低減できるため好ましい。
ドギャップが広く、且つキャリア密度の小さい半導体材料を用いると、トランジスタのオ
フ状態における電流を低減できるため好ましい。
【0104】
トランジスタ２２０は、導電層２０１、絶縁層２０２、導電層２０３ａ、導電層２０３ｂ
、及び半導体層２０４を有する。導電層２０１は、ゲートとして機能する。絶縁層２０２
は、ゲート絶縁層として機能する。半導体層２０４は、絶縁層２０２を介して、導電層２
０１と重なる。導電層２０３ａ及び導電層２０３ｂは、それぞれ、半導体層２０４と電気
的に接続される。トランジスタ２２０は、絶縁層２１１と絶縁層２１２によって覆われて
いることが好ましい。絶縁層２１１及び絶縁層２１２には各種無機絶縁膜を用いることが
できる。特に、絶縁層２１１には、酸化物絶縁膜が好適であり、絶縁層２１２には、窒化
物絶縁膜が好適である。
、及び半導体層２０４を有する。導電層２０１は、ゲートとして機能する。絶縁層２０２
は、ゲート絶縁層として機能する。半導体層２０４は、絶縁層２０２を介して、導電層２
０１と重なる。導電層２０３ａ及び導電層２０３ｂは、それぞれ、半導体層２０４と電気
的に接続される。トランジスタ２２０は、絶縁層２１１と絶縁層２１２によって覆われて
いることが好ましい。絶縁層２１１及び絶縁層２１２には各種無機絶縁膜を用いることが
できる。特に、絶縁層２１１には、酸化物絶縁膜が好適であり、絶縁層２１２には、窒化
物絶縁膜が好適である。
【0105】
図８（Ｂ）に示すトランジスタ２３０は、半導体層にポリシリコンを有する、トップゲー
ト構造のトランジスタである。
ト構造のトランジスタである。
【0106】
トランジスタ２３０は、導電層２０１、絶縁層２０２、導電層２０３ａ、導電層２０３ｂ
、半導体層、及び絶縁層２１３を有する。導電層２０１は、ゲートとして機能する。絶縁
層２０２は、ゲート絶縁層として機能する。半導体層は、チャネル形成領域２１４ａ及び
一対の低抵抗領域２１４ｂを有する。半導体層はさらにＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏｐ
ｅｄ Ｄｒａｉｎ）領域を有していてもよい。図８（Ｂ）では、チャネル形成領域２１４
ａと低抵抗領域２１４ｂの間にＬＤＤ領域２１４ｃを有する例を示す。チャネル形成領域
２１４ａは、絶縁層２０２を介して、導電層２０１と重なる。導電層２０３ａは、絶縁層
２０２及び絶縁層２１３に設けられた開口を介して、一対の低抵抗領域２１４ｂの一方と
電気的に接続される。同様に、導電層２０３ｂは、一対の低抵抗領域２１４ｂの他方と電
気的に接続される。絶縁層２１３には、各種無機絶縁膜を用いることができる。特に、絶
縁層２１３には窒化物絶縁膜が好適である。
、半導体層、及び絶縁層２１３を有する。導電層２０１は、ゲートとして機能する。絶縁
層２０２は、ゲート絶縁層として機能する。半導体層は、チャネル形成領域２１４ａ及び
一対の低抵抗領域２１４ｂを有する。半導体層はさらにＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏｐ
ｅｄ Ｄｒａｉｎ）領域を有していてもよい。図８（Ｂ）では、チャネル形成領域２１４
ａと低抵抗領域２１４ｂの間にＬＤＤ領域２１４ｃを有する例を示す。チャネル形成領域
２１４ａは、絶縁層２０２を介して、導電層２０１と重なる。導電層２０３ａは、絶縁層
２０２及び絶縁層２１３に設けられた開口を介して、一対の低抵抗領域２１４ｂの一方と
電気的に接続される。同様に、導電層２０３ｂは、一対の低抵抗領域２１４ｂの他方と電
気的に接続される。絶縁層２１３には、各種無機絶縁膜を用いることができる。特に、絶
縁層２１３には窒化物絶縁膜が好適である。
【0107】
［金属酸化物］
半導体層には、酸化物半導体として機能する金属酸化物を用いることが好ましい。以下で
は、半導体層に適用可能な金属酸化物について説明する。
半導体層には、酸化物半導体として機能する金属酸化物を用いることが好ましい。以下で
は、半導体層に適用可能な金属酸化物について説明する。
【0108】
金属酸化物は、少なくともインジウムまたは亜鉛を含むことが好ましい。特に、インジウ
ム及び亜鉛を含むことが好ましい。また、それらに加えて、アルミニウム、ガリウム、イ
ットリウムまたは錫などが含まれていることが好ましい。また、ホウ素、チタン、鉄、ニ
ッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハ
フニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウムなどから選ばれた一種、または
複数種が含まれていてもよい。
ム及び亜鉛を含むことが好ましい。また、それらに加えて、アルミニウム、ガリウム、イ
ットリウムまたは錫などが含まれていることが好ましい。また、ホウ素、チタン、鉄、ニ
ッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハ
フニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウムなどから選ばれた一種、または
複数種が含まれていてもよい。
【0109】
ここでは、金属酸化物が、インジウム、元素Ｍ、及び亜鉛を有するＩｎ－Ｍ－Ｚｎ酸化物
である場合を考える。なお、元素Ｍは、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、または
錫などとする。そのほか、元素Ｍに適用可能な元素としては、ホウ素、チタン、鉄、ニッ
ケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフ
ニウム、タンタル、タングステン、マグネシウムなどがある。ただし、元素Ｍとして、前
述の元素を複数組み合わせても構わない場合がある。
である場合を考える。なお、元素Ｍは、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、または
錫などとする。そのほか、元素Ｍに適用可能な元素としては、ホウ素、チタン、鉄、ニッ
ケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフ
ニウム、タンタル、タングステン、マグネシウムなどがある。ただし、元素Ｍとして、前
述の元素を複数組み合わせても構わない場合がある。
【0110】
なお、本明細書等において、窒素を有する金属酸化物も金属酸化物（ｍｅｔａｌ ｏｘｉ
ｄｅ）と総称する場合がある。また、窒素を有する金属酸化物を、金属酸窒化物（ｍｅｔ
ａｌ ｏｘｙｎｉｔｒｉｄｅ）と呼称してもよい。例えば、亜鉛酸窒化物（ＺｎＯＮ）な
どの窒素を有する金属酸化物を、半導体層に用いてもよい。
ｄｅ）と総称する場合がある。また、窒素を有する金属酸化物を、金属酸窒化物（ｍｅｔ
ａｌ ｏｘｙｎｉｔｒｉｄｅ）と呼称してもよい。例えば、亜鉛酸窒化物（ＺｎＯＮ）な
どの窒素を有する金属酸化物を、半導体層に用いてもよい。
【0111】
なお、本明細書等において、ＣＡＡＣ（ｃ－ａｘｉｓ ａｌｉｇｎｅｄ ｃｒｙｓｔａｌ
）、及びＣＡＣ（Ｃｌｏｕｄ－Ａｌｉｇｎｅｄ Ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）と記載する場合が
ある。なお、ＣＡＡＣは結晶構造の一例を表し、ＣＡＣは機能、または材料の構成の一例
を表す。
）、及びＣＡＣ（Ｃｌｏｕｄ－Ａｌｉｇｎｅｄ Ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）と記載する場合が
ある。なお、ＣＡＡＣは結晶構造の一例を表し、ＣＡＣは機能、または材料の構成の一例
を表す。
【0112】
例えば、半導体層にはＣＡＣ（Ｃｌｏｕｄ－Ａｌｉｇｎｅｄ Ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）－Ｏ
Ｓを用いることができる。
Ｓを用いることができる。
【0113】
ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅとは、材料の一部では導電性の機能
と、材料の一部では絶縁性の機能とを有し、材料の全体では半導体としての機能を有する
。なお、ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅを、トランジスタの発光層
に用いる場合、導電性の機能は、キャリアとなる電子（またはホール）を流す機能であり
、絶縁性の機能は、キャリアとなる電子を流さない機能である。導電性の機能と、絶縁性
の機能とを、それぞれ相補的に作用させることで、スイッチングさせる機能（Ｏｎ／Ｏｆ
ｆさせる機能）をＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅに付与することが
できる。ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅにおいて、それぞれの機能
を分離させることで、双方の機能を最大限に高めることができる。
と、材料の一部では絶縁性の機能とを有し、材料の全体では半導体としての機能を有する
。なお、ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅを、トランジスタの発光層
に用いる場合、導電性の機能は、キャリアとなる電子（またはホール）を流す機能であり
、絶縁性の機能は、キャリアとなる電子を流さない機能である。導電性の機能と、絶縁性
の機能とを、それぞれ相補的に作用させることで、スイッチングさせる機能（Ｏｎ／Ｏｆ
ｆさせる機能）をＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅに付与することが
できる。ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅにおいて、それぞれの機能
を分離させることで、双方の機能を最大限に高めることができる。
【0114】
また、ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅは、導電性領域、及び絶縁性
領域を有する。導電性領域は、上述の導電性の機能を有し、絶縁性領域は、上述の絶縁性
の機能を有する。また、材料中において、導電性領域と、絶縁性領域とは、ナノ粒子レベ
ルで分離している場合がある。また、導電性領域と、絶縁性領域とは、それぞれ材料中に
偏在する場合がある。また、導電性領域は、周辺がぼけてクラウド状に連結して観察され
る場合がある。
領域を有する。導電性領域は、上述の導電性の機能を有し、絶縁性領域は、上述の絶縁性
の機能を有する。また、材料中において、導電性領域と、絶縁性領域とは、ナノ粒子レベ
ルで分離している場合がある。また、導電性領域と、絶縁性領域とは、それぞれ材料中に
偏在する場合がある。また、導電性領域は、周辺がぼけてクラウド状に連結して観察され
る場合がある。
【0115】
また、ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅにおいて、導電性領域と、絶
縁性領域とは、それぞれ０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは０．５ｎｍ以上３ｎｍ
以下のサイズで材料中に分散している場合がある。
縁性領域とは、それぞれ０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは０．５ｎｍ以上３ｎｍ
以下のサイズで材料中に分散している場合がある。
【0116】
また、ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅは、異なるバンドギャップを
有する成分により構成される。例えば、ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉ
ｄｅは、絶縁性領域に起因するワイドギャップを有する成分と、導電性領域に起因するナ
ローギャップを有する成分と、により構成される。当該構成の場合、キャリアを流す際に
、ナローギャップを有する成分において、主にキャリアが流れる。また、ナローギャップ
を有する成分が、ワイドギャップを有する成分に相補的に作用し、ナローギャップを有す
る成分に連動してワイドギャップを有する成分にもキャリアが流れる。このため、上記Ｃ
ＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅをトランジスタのチャネル形成領域に
用いる場合、トランジスタのオン状態において高い電流駆動力、つまり大きなオン電流、
及び高い電界効果移動度を得ることができる。
有する成分により構成される。例えば、ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉ
ｄｅは、絶縁性領域に起因するワイドギャップを有する成分と、導電性領域に起因するナ
ローギャップを有する成分と、により構成される。当該構成の場合、キャリアを流す際に
、ナローギャップを有する成分において、主にキャリアが流れる。また、ナローギャップ
を有する成分が、ワイドギャップを有する成分に相補的に作用し、ナローギャップを有す
る成分に連動してワイドギャップを有する成分にもキャリアが流れる。このため、上記Ｃ
ＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅをトランジスタのチャネル形成領域に
用いる場合、トランジスタのオン状態において高い電流駆動力、つまり大きなオン電流、
及び高い電界効果移動度を得ることができる。
【0117】
すなわち、ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅは、マトリックス複合材
（ｍａｔｒｉｘ ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）、または金属マトリックス複合材（ｍｅｔａｌ
ｍａｔｒｉｘ ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）と呼称することもできる。
（ｍａｔｒｉｘ ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）、または金属マトリックス複合材（ｍｅｔａｌ
ｍａｔｒｉｘ ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）と呼称することもできる。
【0118】
酸化物半導体（金属酸化物）は、単結晶酸化物半導体と、それ以外の非単結晶酸化物半導
体と、に分けられる。非単結晶酸化物半導体としては、例えば、ＣＡＡＣ－ＯＳ（ｃ－ａ
ｘｉｓ ａｌｉｇｎｅｄ ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ ｏｘｉｄｅ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃ
ｔｏｒ）、多結晶酸化物半導体、ｎｃ－ＯＳ（ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ ｏｘｉ
ｄｅ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、擬似非晶質酸化物半導体（ａ－ｌｉｋｅ ＯＳ：
ａｍｏｒｐｈｏｕｓ－ｌｉｋｅ ｏｘｉｄｅ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、及び非晶
質酸化物半導体などがある。
体と、に分けられる。非単結晶酸化物半導体としては、例えば、ＣＡＡＣ－ＯＳ（ｃ－ａ
ｘｉｓ ａｌｉｇｎｅｄ ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ ｏｘｉｄｅ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃ
ｔｏｒ）、多結晶酸化物半導体、ｎｃ－ＯＳ（ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ ｏｘｉ
ｄｅ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、擬似非晶質酸化物半導体（ａ－ｌｉｋｅ ＯＳ：
ａｍｏｒｐｈｏｕｓ－ｌｉｋｅ ｏｘｉｄｅ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、及び非晶
質酸化物半導体などがある。
【0119】
ＣＡＡＣ－ＯＳは、ｃ軸配向性を有し、かつａ－ｂ面方向において複数のナノ結晶が連結
し、歪みを有した結晶構造となっている。なお、歪みとは、複数のナノ結晶が連結する領
域において、格子配列の揃った領域と、別の格子配列の揃った領域と、の間で格子配列の
向きが変化している箇所を指す。
し、歪みを有した結晶構造となっている。なお、歪みとは、複数のナノ結晶が連結する領
域において、格子配列の揃った領域と、別の格子配列の揃った領域と、の間で格子配列の
向きが変化している箇所を指す。
【0120】
ナノ結晶は、六角形を基本とするが、正六角形状とは限らず、非正六角形状である場合が
ある。また、歪みにおいて、五角形及び七角形などの格子配列を有する場合がある。なお
、ＣＡＡＣ－ＯＳにおいて、歪み近傍においても、明確な結晶粒界（グレインバウンダリ
ーともいう。）を確認することは難しい。すなわち、格子配列の歪みによって、結晶粒界
の形成が抑制されていることがわかる。これは、ＣＡＡＣ－ＯＳが、ａ－ｂ面方向におい
て酸素原子の配列が稠密でないことや、金属元素が置換することで原子間の結合距離が変
化することなどによって、歪みを許容することができるためである。
ある。また、歪みにおいて、五角形及び七角形などの格子配列を有する場合がある。なお
、ＣＡＡＣ－ＯＳにおいて、歪み近傍においても、明確な結晶粒界（グレインバウンダリ
ーともいう。）を確認することは難しい。すなわち、格子配列の歪みによって、結晶粒界
の形成が抑制されていることがわかる。これは、ＣＡＡＣ－ＯＳが、ａ－ｂ面方向におい
て酸素原子の配列が稠密でないことや、金属元素が置換することで原子間の結合距離が変
化することなどによって、歪みを許容することができるためである。
【0121】
また、ＣＡＡＣ－ＯＳは、インジウム、及び酸素を有する層（以下、Ｉｎ層）と、元素Ｍ
、亜鉛、及び酸素を有する層（以下、（Ｍ，Ｚｎ）層）とが積層した、層状の結晶構造（
層状構造ともいう）を有する傾向がある。なお、インジウムと元素Ｍは、互いに置換可能
であり、（Ｍ，Ｚｎ）層の元素Ｍがインジウムと置換した場合、（Ｉｎ，Ｍ，Ｚｎ）層と
表すこともできる。また、Ｉｎ層のインジウムが元素Ｍと置換した場合、（Ｉｎ，Ｍ）層
と表すこともできる。
、亜鉛、及び酸素を有する層（以下、（Ｍ，Ｚｎ）層）とが積層した、層状の結晶構造（
層状構造ともいう）を有する傾向がある。なお、インジウムと元素Ｍは、互いに置換可能
であり、（Ｍ，Ｚｎ）層の元素Ｍがインジウムと置換した場合、（Ｉｎ，Ｍ，Ｚｎ）層と
表すこともできる。また、Ｉｎ層のインジウムが元素Ｍと置換した場合、（Ｉｎ，Ｍ）層
と表すこともできる。
【0122】
ＣＡＡＣ－ＯＳは結晶性の高い金属酸化物である。一方、ＣＡＡＣ－ＯＳは、明確な結晶
粒界を確認することが難しいため、結晶粒界に起因する電子移動度の低下が起こりにくい
といえる。また、金属酸化物の結晶性は不純物の混入や欠陥の生成などによって低下する
場合があるため、ＣＡＡＣ－ＯＳは不純物や欠陥（酸素欠損（ＶＯ：ｏｘｙｇｅｎ ｖａ
ｃａｎｃｙともいう。）など）の少ない金属酸化物ともいえる。したがって、ＣＡＡＣ－
ＯＳを有する金属酸化物は、物理的性質が安定する。そのため、ＣＡＡＣ－ＯＳを有する
金属酸化物は熱に強く、信頼性が高い。
粒界を確認することが難しいため、結晶粒界に起因する電子移動度の低下が起こりにくい
といえる。また、金属酸化物の結晶性は不純物の混入や欠陥の生成などによって低下する
場合があるため、ＣＡＡＣ－ＯＳは不純物や欠陥（酸素欠損（ＶＯ：ｏｘｙｇｅｎ ｖａ
ｃａｎｃｙともいう。）など）の少ない金属酸化物ともいえる。したがって、ＣＡＡＣ－
ＯＳを有する金属酸化物は、物理的性質が安定する。そのため、ＣＡＡＣ－ＯＳを有する
金属酸化物は熱に強く、信頼性が高い。
【0123】
ｎｃ－ＯＳは、微小な領域（例えば、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の領域、特に１ｎｍ以上３
ｎｍ以下の領域）において原子配列に周期性を有する。また、ｎｃ－ＯＳは、異なるナノ
結晶間で結晶方位に規則性が見られない。そのため、膜全体で配向性が見られない。した
がって、ｎｃ－ＯＳは、分析方法によっては、ａ－ｌｉｋｅ ＯＳや非晶質酸化物半導体
と区別が付かない場合がある。
ｎｍ以下の領域）において原子配列に周期性を有する。また、ｎｃ－ＯＳは、異なるナノ
結晶間で結晶方位に規則性が見られない。そのため、膜全体で配向性が見られない。した
がって、ｎｃ－ＯＳは、分析方法によっては、ａ－ｌｉｋｅ ＯＳや非晶質酸化物半導体
と区別が付かない場合がある。
【0124】
なお、インジウムと、ガリウムと、亜鉛と、を有する金属酸化物の一種である、インジウ
ム－ガリウム－亜鉛酸化物（以下、ＩＧＺＯ）は、上述のナノ結晶とすることで安定な構
造をとる場合がある。特に、ＩＧＺＯは、大気中では結晶成長がし難い傾向があるため、
大きな結晶（ここでは、数ｍｍの結晶、または数ｃｍの結晶）よりも小さな結晶（例えば
、上述のナノ結晶）とする方が、構造的に安定となる場合がある。
ム－ガリウム－亜鉛酸化物（以下、ＩＧＺＯ）は、上述のナノ結晶とすることで安定な構
造をとる場合がある。特に、ＩＧＺＯは、大気中では結晶成長がし難い傾向があるため、
大きな結晶（ここでは、数ｍｍの結晶、または数ｃｍの結晶）よりも小さな結晶（例えば
、上述のナノ結晶）とする方が、構造的に安定となる場合がある。
【0125】
ａ－ｌｉｋｅ ＯＳは、ｎｃ－ＯＳと非晶質酸化物半導体との間の構造を有する金属酸化
物である。ａ－ｌｉｋｅ ＯＳは、鬆または低密度領域を有する。すなわち、ａ－ｌｉｋ
ｅ ＯＳは、ｎｃ－ＯＳ及びＣＡＡＣ－ＯＳと比べて、結晶性が低い。
物である。ａ－ｌｉｋｅ ＯＳは、鬆または低密度領域を有する。すなわち、ａ－ｌｉｋ
ｅ ＯＳは、ｎｃ－ＯＳ及びＣＡＡＣ－ＯＳと比べて、結晶性が低い。
【0126】
酸化物半導体（金属酸化物）は、多様な構造をとり、それぞれが異なる特性を有する。本
発明の一態様の酸化物半導体は、非晶質酸化物半導体、多結晶酸化物半導体、ａ－ｌｉｋ
ｅ ＯＳ、ｎｃ－ＯＳ、ＣＡＡＣ－ＯＳのうち、二種以上を有していてもよい。
発明の一態様の酸化物半導体は、非晶質酸化物半導体、多結晶酸化物半導体、ａ－ｌｉｋ
ｅ ＯＳ、ｎｃ－ＯＳ、ＣＡＡＣ－ＯＳのうち、二種以上を有していてもよい。
【0127】
半導体層として機能する金属酸化物膜は、不活性ガス及び酸素ガスのいずれか一方または
双方を用いて成膜することができる。なお、金属酸化物膜の成膜時における酸素の流量比
（酸素分圧）に、特に限定はない。ただし、電界効果移動度が高いトランジスタを得る場
合においては、金属酸化物膜の成膜時における酸素の流量比（酸素分圧）は、０％以上３
０％以下が好ましく、５％以上３０％以下がより好ましく、７％以上１５％以下がさらに
好ましい。
双方を用いて成膜することができる。なお、金属酸化物膜の成膜時における酸素の流量比
（酸素分圧）に、特に限定はない。ただし、電界効果移動度が高いトランジスタを得る場
合においては、金属酸化物膜の成膜時における酸素の流量比（酸素分圧）は、０％以上３
０％以下が好ましく、５％以上３０％以下がより好ましく、７％以上１５％以下がさらに
好ましい。
【0128】
金属酸化物は、エネルギーギャップが２ｅＶ以上であることが好ましく、２．５ｅＶ以上
であることがより好ましく、３ｅＶ以上であることがさらに好ましい。このように、エネ
ルギーギャップの広い金属酸化物を用いることで、トランジスタのオフ電流を低減するこ
とができる。
であることがより好ましく、３ｅＶ以上であることがさらに好ましい。このように、エネ
ルギーギャップの広い金属酸化物を用いることで、トランジスタのオフ電流を低減するこ
とができる。
【0129】
金属酸化物膜は、スパッタリング法により形成することができる。そのほか、ＰＬＤ法、
ＰＥＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、ＡＬＤ法、真空蒸着法などを用いてもよい。
ＰＥＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、ＡＬＤ法、真空蒸着法などを用いてもよい。
【0130】
なお、表示装置を構成する各種導電層に用いることができる材料としては、アルミニウム
、チタン、クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タン
タル、またはタングステンなどの金属、またはこれを主成分とする合金などが挙げられる
。またこれらの材料を含む膜を単層で、または積層構造として用いることができる。例え
ば、シリコンを含むアルミニウム膜の単層構造、チタン膜上にアルミニウム膜を積層する
二層構造、タングステン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、銅－マグネシウム－
アルミニウム合金膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜上に銅膜を積層する二層構造
、タングステン膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜または窒化チタン膜と、その上
に重ねてアルミニウム膜または銅膜を積層し、さらにその上にチタン膜または窒化チタン
膜を形成する三層構造、モリブデン膜または窒化モリブデン膜と、その上に重ねてアルミ
ニウム膜または銅膜を積層し、さらにその上にモリブデン膜または窒化モリブデン膜を形
成する三層構造等がある。なお、酸化インジウム、酸化錫または酸化亜鉛等の酸化物を用
いてもよい。また、マンガンを含む銅を用いると、エッチングによる形状の制御性が高ま
るため好ましい。
、チタン、クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タン
タル、またはタングステンなどの金属、またはこれを主成分とする合金などが挙げられる
。またこれらの材料を含む膜を単層で、または積層構造として用いることができる。例え
ば、シリコンを含むアルミニウム膜の単層構造、チタン膜上にアルミニウム膜を積層する
二層構造、タングステン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、銅－マグネシウム－
アルミニウム合金膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜上に銅膜を積層する二層構造
、タングステン膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜または窒化チタン膜と、その上
に重ねてアルミニウム膜または銅膜を積層し、さらにその上にチタン膜または窒化チタン
膜を形成する三層構造、モリブデン膜または窒化モリブデン膜と、その上に重ねてアルミ
ニウム膜または銅膜を積層し、さらにその上にモリブデン膜または窒化モリブデン膜を形
成する三層構造等がある。なお、酸化インジウム、酸化錫または酸化亜鉛等の酸化物を用
いてもよい。また、マンガンを含む銅を用いると、エッチングによる形状の制御性が高ま
るため好ましい。
【0131】
なお、表示装置を構成する各種絶縁層に用いることができる材料としては、アクリル、ポ
リイミド、エポキシ、シリコーンなどの樹脂、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸
化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの無機絶縁材料が挙げられる。
リイミド、エポキシ、シリコーンなどの樹脂、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸
化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの無機絶縁材料が挙げられる。
【0132】
以上のように、本実施の形態の表示装置は、複数の発光ダイオードと複数のトランジスタ
とを一度に貼り合わせることができるため、表示装置の製造コストの削減及び歩留まりの
向上を図ることができる。また、マイクロＬＥＤと、金属酸化物を用いたトランジスタを
組み合わせることで、消費電力の低減された表示装置を実現できる。
とを一度に貼り合わせることができるため、表示装置の製造コストの削減及び歩留まりの
向上を図ることができる。また、マイクロＬＥＤと、金属酸化物を用いたトランジスタを
組み合わせることで、消費電力の低減された表示装置を実現できる。
【0133】
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。また、本明細書にお
いて、１つの実施の形態の中に、複数の構成例が示される場合は、構成例を適宜組み合わ
せることが可能である。
いて、１つの実施の形態の中に、複数の構成例が示される場合は、構成例を適宜組み合わ
せることが可能である。
【0134】
【0135】
本実施の形態の電子機器は、表示部に本発明の一態様の表示装置を有する。本発明の一態
様の表示装置は、表示品位が高く、かつ、消費電力が低い。また、本発明の一態様の表示
装置は、高精細化及び大型化が容易である。したがって、様々な電子機器の表示部に用い
ることができる。
様の表示装置は、表示品位が高く、かつ、消費電力が低い。また、本発明の一態様の表示
装置は、高精細化及び大型化が容易である。したがって、様々な電子機器の表示部に用い
ることができる。
【0136】
本実施の形態の電子機器の表示部には、例えばフルハイビジョン、４Ｋ２Ｋ、８Ｋ４Ｋ、
１６Ｋ８Ｋ、またはそれ以上の解像度を有する映像を表示させることができる。
１６Ｋ８Ｋ、またはそれ以上の解像度を有する映像を表示させることができる。
【0137】
電子機器としては、例えば、テレビジョン装置、デスクトップ型もしくはノート型のパー
ソナルコンピュータ、コンピュータ用などのモニタ、デジタルサイネージ、パチンコ機な
どの大型ゲーム機などの比較的大きな画面を備える電子機器の他、デジタルカメラ、デジ
タルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情報端
末、音響再生装置、などが挙げられる。
ソナルコンピュータ、コンピュータ用などのモニタ、デジタルサイネージ、パチンコ機な
どの大型ゲーム機などの比較的大きな画面を備える電子機器の他、デジタルカメラ、デジ
タルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情報端
末、音響再生装置、などが挙げられる。
【0138】
本実施の形態の電子機器は、家屋もしくはビルの内壁もしくは外壁、または、自動車の内
装もしくは外装の曲面に沿って組み込むことができる。
装もしくは外装の曲面に沿って組み込むことができる。
【0139】
本実施の形態の電子機器は、アンテナを有していてもよい。アンテナで信号を受信するこ
とで、表示部で映像や情報等の表示を行うことができる。また、電子機器がアンテナ及び
二次電池を有する場合、アンテナを、非接触電力伝送に用いてもよい。
とで、表示部で映像や情報等の表示を行うことができる。また、電子機器がアンテナ及び
二次電池を有する場合、アンテナを、非接触電力伝送に用いてもよい。
【0140】
本実施の形態の電子機器は、センサ（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、
距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放
射線、流量、湿度、傾度、振動、においまたは赤外線を測定する機能を含むもの）を有し
ていてもよい。
距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放
射線、流量、湿度、傾度、振動、においまたは赤外線を測定する機能を含むもの）を有し
ていてもよい。
【0141】
本実施の形態の電子機器は、様々な機能を有することができる。例えば、様々な情報（静
止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダ
ー、日付または時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）を実行する
機能、無線通信機能、記録媒体に記録されているプログラムまたはデータを読み出す機能
等を有することができる。
止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダ
ー、日付または時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）を実行する
機能、無線通信機能、記録媒体に記録されているプログラムまたはデータを読み出す機能
等を有することができる。
【0142】
【0143】
表示部７０００に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。
【0144】
図９（Ａ）に示すテレビジョン装置７１００の操作は、筐体７１０１が備える操作スイッ
チや、別体のリモコン操作機７１１１により行うことができる。または、表示部７０００
にタッチセンサを備えていてもよく、指等で表示部７０００に触れることでテレビジョン
装置７１００を操作してもよい。リモコン操作機７１１１は、当該リモコン操作機７１１
１から出力する情報を表示する表示部を有していてもよい。リモコン操作機７１１１が備
える操作キーまたはタッチパネルにより、チャンネル及び音量の操作を行うことができ、
表示部７０００に表示される映像を操作することができる。
チや、別体のリモコン操作機７１１１により行うことができる。または、表示部７０００
にタッチセンサを備えていてもよく、指等で表示部７０００に触れることでテレビジョン
装置７１００を操作してもよい。リモコン操作機７１１１は、当該リモコン操作機７１１
１から出力する情報を表示する表示部を有していてもよい。リモコン操作機７１１１が備
える操作キーまたはタッチパネルにより、チャンネル及び音量の操作を行うことができ、
表示部７０００に表示される映像を操作することができる。
【0145】
なお、テレビジョン装置７１００は、受信機及びモデムなどを備えた構成とする。受信機
により一般のテレビ放送の受信を行うことができる。また、モデムを介して有線または無
線による通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）または双
方向（送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など）の情報通信を行うことも可能であ
る。
により一般のテレビ放送の受信を行うことができる。また、モデムを介して有線または無
線による通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）または双
方向（送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など）の情報通信を行うことも可能であ
る。
【0146】
図９（Ｂ）に、ノート型パーソナルコンピュータの一例を示す。ノート型パーソナルコン
ピュータ７２００は、筐体７２１１、キーボード７２１２、ポインティングデバイス７２
１３、外部接続ポート７２１４等を有する。筐体７２１１に、表示部７０００が組み込ま
れている。
ピュータ７２００は、筐体７２１１、キーボード７２１２、ポインティングデバイス７２
１３、外部接続ポート７２１４等を有する。筐体７２１１に、表示部７０００が組み込ま
れている。
【0147】
表示部７０００に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。
【0148】
【0149】
図９（Ｃ）に示すデジタルサイネージ７３００は、筐体７３０１、表示部７０００、及び
スピーカ７３０３等を有する。さらに、ＬＥＤランプ、操作キー（電源スイッチ、または
操作スイッチを含む）、接続端子、各種センサ、マイクロフォン等を有することができる
。
スピーカ７３０３等を有する。さらに、ＬＥＤランプ、操作キー（電源スイッチ、または
操作スイッチを含む）、接続端子、各種センサ、マイクロフォン等を有することができる
。
【0150】
【0151】
【0152】
表示部７０００が広いほど、一度に提供できる情報量を増やすことができる。また、表示
部７０００が広いほど、人の目につきやすく、例えば、広告の宣伝効果を高めることがで
きる。
部７０００が広いほど、人の目につきやすく、例えば、広告の宣伝効果を高めることがで
きる。
【0153】
表示部７０００にタッチパネルを適用することで、表示部７０００に画像または動画を表
示するだけでなく、使用者が直感的に操作することができ、好ましい。また、路線情報も
しくは交通情報などの情報を提供するための用途に用いる場合には、直感的な操作により
ユーザビリティを高めることができる。
示するだけでなく、使用者が直感的に操作することができ、好ましい。また、路線情報も
しくは交通情報などの情報を提供するための用途に用いる場合には、直感的な操作により
ユーザビリティを高めることができる。
【0154】
また、図９（Ｃ）、図９（Ｄ）に示すように、デジタルサイネージ７３００またはデジタ
ルサイネージ７４００は、ユーザが所持するスマートフォン等の情報端末機７３１１また
は情報端末機７４１１と無線通信により連携可能であることが好ましい。例えば、表示部
７０００に表示される広告の情報を、情報端末機７３１１または情報端末機７４１１の画
面に表示させることができる。また、情報端末機７３１１または情報端末機７４１１を操
作することで、表示部７０００の表示を切り替えることができる。
ルサイネージ７４００は、ユーザが所持するスマートフォン等の情報端末機７３１１また
は情報端末機７４１１と無線通信により連携可能であることが好ましい。例えば、表示部
７０００に表示される広告の情報を、情報端末機７３１１または情報端末機７４１１の画
面に表示させることができる。また、情報端末機７３１１または情報端末機７４１１を操
作することで、表示部７０００の表示を切り替えることができる。
【0155】
また、デジタルサイネージ７３００またはデジタルサイネージ７４００に、情報端末機７
３１１または情報端末機７４１１の画面を操作手段（コントローラ）としたゲームを実行
させることもできる。これにより、不特定多数のユーザが同時にゲームに参加し、楽しむ
ことができる。
３１１または情報端末機７４１１の画面を操作手段（コントローラ）としたゲームを実行
させることもできる。これにより、不特定多数のユーザが同時にゲームに参加し、楽しむ
ことができる。
【0156】
図１０（Ａ）は、ファインダー８１００を取り付けた状態のカメラ８０００の外観を示す
図である。
図である。
【0157】
カメラ８０００は、筐体８００１、表示部８００２、操作ボタン８００３、シャッターボ
タン８００４等を有する。またカメラ８０００には、着脱可能なレンズ８００６が取り付
けられている。なお、カメラ８０００は、レンズ８００６と筐体とが一体となっていても
よい。
タン８００４等を有する。またカメラ８０００には、着脱可能なレンズ８００６が取り付
けられている。なお、カメラ８０００は、レンズ８００６と筐体とが一体となっていても
よい。
【0158】
カメラ８０００は、シャッターボタン８００４を押す、またはタッチパネルとして機能す
る表示部８００２をタッチすることにより撮像することができる。
る表示部８００２をタッチすることにより撮像することができる。
【0159】
筐体８００１は、電極を有するマウントを有し、ファインダー８１００のほか、ストロボ
装置等を接続することができる。
装置等を接続することができる。
【0160】
ファインダー８１００は、筐体８１０１、表示部８１０２、ボタン８１０３等を有する。
【0161】
筐体８１０１は、カメラ８０００のマウントと係合するマウントにより、カメラ８０００
に取り付けられている。ファインダー８１００はカメラ８０００から受信した映像等を表
示部８１０２に表示させることができる。
に取り付けられている。ファインダー８１００はカメラ８０００から受信した映像等を表
示部８１０２に表示させることができる。
【0162】
ボタン８１０３は、電源ボタン等としての機能を有する。
【0163】
カメラ８０００の表示部８００２、及びファインダー８１００の表示部８１０２に、本発
明の一態様の表示装置を適用することができる。なお、ファインダーが内蔵されたカメラ
８０００であってもよい。
明の一態様の表示装置を適用することができる。なお、ファインダーが内蔵されたカメラ
８０００であってもよい。
【0164】
図１０（Ｂ）は、ヘッドマウントディスプレイ８２００の外観を示す図である。
【0165】
ヘッドマウントディスプレイ８２００は、装着部８２０１、レンズ８２０２、本体８２０
３、表示部８２０４、ケーブル８２０５等を有している。また装着部８２０１には、バッ
テリ８２０６が内蔵されている。
３、表示部８２０４、ケーブル８２０５等を有している。また装着部８２０１には、バッ
テリ８２０６が内蔵されている。
【0166】
ケーブル８２０５は、バッテリ８２０６から本体８２０３に電力を供給する。本体８２０
３は無線受信機等を備え、受信した映像情報を表示部８２０４に表示させることができる
。また、本体８２０３はカメラを備え、使用者の眼球やまぶたの動きの情報を入力手段と
して用いることができる。
３は無線受信機等を備え、受信した映像情報を表示部８２０４に表示させることができる
。また、本体８２０３はカメラを備え、使用者の眼球やまぶたの動きの情報を入力手段と
して用いることができる。
【0167】
また、装着部８２０１には、使用者に触れる位置に、使用者の眼球の動きに伴って流れる
電流を検知可能な複数の電極が設けられ、視線を認識する機能を有していてもよい。また
、当該電極に流れる電流により、使用者の脈拍をモニタする機能を有していてもよい。ま
た、装着部８２０１には、温度センサ、圧力センサ、加速度センサ等の各種センサを有し
ていてもよく、使用者の生体情報を表示部８２０４に表示する機能や、使用者の頭部の動
きに合わせて表示部８２０４に表示する映像を変化させる機能を有していてもよい。
電流を検知可能な複数の電極が設けられ、視線を認識する機能を有していてもよい。また
、当該電極に流れる電流により、使用者の脈拍をモニタする機能を有していてもよい。ま
た、装着部８２０１には、温度センサ、圧力センサ、加速度センサ等の各種センサを有し
ていてもよく、使用者の生体情報を表示部８２０４に表示する機能や、使用者の頭部の動
きに合わせて表示部８２０４に表示する映像を変化させる機能を有していてもよい。
【0168】
表示部８２０４に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。
【0169】
図１０（Ｃ）、図１０（Ｄ）、図１０（Ｅ）は、ヘッドマウントディスプレイ８３００の
外観を示す図である。ヘッドマウントディスプレイ８３００は、筐体８３０１と、表示部
８３０２と、バンド状の固定具８３０４と、一対のレンズ８３０５と、を有する。
外観を示す図である。ヘッドマウントディスプレイ８３００は、筐体８３０１と、表示部
８３０２と、バンド状の固定具８３０４と、一対のレンズ８３０５と、を有する。
【0170】
使用者は、レンズ８３０５を通して、表示部８３０２の表示を視認することができる。な
お、表示部８３０２を湾曲して配置させると、使用者が高い臨場感を感じることができる
ため好ましい。また、表示部８３０２の異なる領域に表示された別の画像を、レンズ８３
０５を通して視認することで、視差を用いた３次元表示等を行うこともできる。なお、表
示部８３０２を１つ設ける構成に限られず、表示部８３０２を２つ設け、使用者の片方の
目につき１つの表示部を配置してもよい。
お、表示部８３０２を湾曲して配置させると、使用者が高い臨場感を感じることができる
ため好ましい。また、表示部８３０２の異なる領域に表示された別の画像を、レンズ８３
０５を通して視認することで、視差を用いた３次元表示等を行うこともできる。なお、表
示部８３０２を１つ設ける構成に限られず、表示部８３０２を２つ設け、使用者の片方の
目につき１つの表示部を配置してもよい。
【0171】
表示部８３０２に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。本発明の一態様
の表示装置は極めて精細度が高いため、図１０（Ｅ）のようにレンズ８３０５を用いて表
示を拡大して視認される場合でも、使用者に画素が視認されにくい。つまり、表示部８３
０２を用いて、使用者に現実感の高い映像を視認させることができる。
の表示装置は極めて精細度が高いため、図１０（Ｅ）のようにレンズ８３０５を用いて表
示を拡大して視認される場合でも、使用者に画素が視認されにくい。つまり、表示部８３
０２を用いて、使用者に現実感の高い映像を視認させることができる。
【0172】
図１１（Ａ）乃至図１１（Ｆ）に示す電子機器は、筐体９０００、表示部９００１、スピ
ーカ９００３、操作キー９００５（電源スイッチ、又は操作スイッチを含む）、接続端子
９００６、センサ９００７（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光
、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流
量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン
９００８、等を有する。
ーカ９００３、操作キー９００５（電源スイッチ、又は操作スイッチを含む）、接続端子
９００６、センサ９００７（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光
、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流
量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン
９００８、等を有する。
【0173】
図１１（Ａ）乃至図１１（Ｆ）に示す電子機器は、様々な機能を有する。例えば、様々な
情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、
カレンダー、日付または時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）に
よって処理を制御する機能、無線通信機能、記録媒体に記録されているプログラムまたは
データを読み出して処理する機能、等を有することができる。なお、電子機器の機能はこ
れらに限られず、様々な機能を有することができる。電子機器は、複数の表示部を有して
いてもよい。また、電子機器にカメラ等を設け、静止画や動画を撮影し、記録媒体（外部
またはカメラに内蔵）に保存する機能、撮影した画像を表示部に表示する機能、等を有し
ていてもよい。
情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、
カレンダー、日付または時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）に
よって処理を制御する機能、無線通信機能、記録媒体に記録されているプログラムまたは
データを読み出して処理する機能、等を有することができる。なお、電子機器の機能はこ
れらに限られず、様々な機能を有することができる。電子機器は、複数の表示部を有して
いてもよい。また、電子機器にカメラ等を設け、静止画や動画を撮影し、記録媒体（外部
またはカメラに内蔵）に保存する機能、撮影した画像を表示部に表示する機能、等を有し
ていてもよい。
【0174】
【0175】
図１１（Ａ）は、携帯情報端末９１０１を示す斜視図である。携帯情報端末９１０１は、
例えばスマートフォンとして用いることができる。なお、携帯情報端末９１０１は、スピ
ーカ９００３、接続端子９００６、センサ９００７等を設けてもよい。また、携帯情報端
末９１０１は、文字や画像情報をその複数の面に表示することができる。図１１（Ａ）で
は３つのアイコン９０５０を表示した例を示している。また、破線の矩形で示す情報９０
５１を表示部９００１の他の面に表示することもできる。情報９０５１の一例としては、
電子メール、ＳＮＳ、電話などの着信の通知、電子メールやＳＮＳなどの題名、送信者名
、日時、時刻、バッテリの残量、アンテナ受信の強度などがある。または、情報９０５１
が表示されている位置にはアイコン９０５０などを表示してもよい。
例えばスマートフォンとして用いることができる。なお、携帯情報端末９１０１は、スピ
ーカ９００３、接続端子９００６、センサ９００７等を設けてもよい。また、携帯情報端
末９１０１は、文字や画像情報をその複数の面に表示することができる。図１１（Ａ）で
は３つのアイコン９０５０を表示した例を示している。また、破線の矩形で示す情報９０
５１を表示部９００１の他の面に表示することもできる。情報９０５１の一例としては、
電子メール、ＳＮＳ、電話などの着信の通知、電子メールやＳＮＳなどの題名、送信者名
、日時、時刻、バッテリの残量、アンテナ受信の強度などがある。または、情報９０５１
が表示されている位置にはアイコン９０５０などを表示してもよい。
【0176】
図１１（Ｂ）は、携帯情報端末９１０２を示す斜視図である。携帯情報端末９１０２は、
表示部９００１の３面以上に情報を表示する機能を有する。ここでは、情報９０５２、情
報９０５３、情報９０５４がそれぞれ異なる面に表示されている例を示す。例えば使用者
は、洋服の胸ポケットに携帯情報端末９１０２を収納した状態で、携帯情報端末９１０２
の上方から観察できる位置に表示された情報９０５３を確認することもできる。使用者は
、携帯情報端末９１０２をポケットから取り出すことなく表示を確認し、例えば電話を受
けるか否かを判断できる。
表示部９００１の３面以上に情報を表示する機能を有する。ここでは、情報９０５２、情
報９０５３、情報９０５４がそれぞれ異なる面に表示されている例を示す。例えば使用者
は、洋服の胸ポケットに携帯情報端末９１０２を収納した状態で、携帯情報端末９１０２
の上方から観察できる位置に表示された情報９０５３を確認することもできる。使用者は
、携帯情報端末９１０２をポケットから取り出すことなく表示を確認し、例えば電話を受
けるか否かを判断できる。
【0177】
図１１（Ｃ）は、腕時計型の携帯情報端末９２００を示す斜視図である。携帯情報端末９
２００は、例えばスマートウォッチとして用いることができる。また、表示部９００１は
その表示面が湾曲して設けられ、湾曲した表示面に沿って表示を行うことができる。また
、携帯情報端末９２００は、例えば無線通信可能なヘッドセットと相互通信することによ
って、ハンズフリーで通話することもできる。また、携帯情報端末９２００は、接続端子
９００６により、他の情報端末と相互にデータ伝送を行うことや、充電を行うこともでき
る。なお、充電動作は無線給電により行ってもよい。
２００は、例えばスマートウォッチとして用いることができる。また、表示部９００１は
その表示面が湾曲して設けられ、湾曲した表示面に沿って表示を行うことができる。また
、携帯情報端末９２００は、例えば無線通信可能なヘッドセットと相互通信することによ
って、ハンズフリーで通話することもできる。また、携帯情報端末９２００は、接続端子
９００６により、他の情報端末と相互にデータ伝送を行うことや、充電を行うこともでき
る。なお、充電動作は無線給電により行ってもよい。
【0178】
図１１（Ｄ）、図１１（Ｅ）、図１１（Ｆ）は、折り畳み可能な携帯情報端末９２０１を
示す斜視図である。また、図１１（Ｄ）は携帯情報端末９２０１を展開した状態、図１１
（Ｆ）は折り畳んだ状態、図１１（Ｅ）は図１１（Ｄ）と図１１（Ｆ）の一方から他方に
変化する途中の状態の斜視図である。携帯情報端末９２０１は、折り畳んだ状態では可搬
性に優れ、展開した状態では継ぎ目のない広い表示領域により表示の一覧性に優れる。携
帯情報端末９２０１が有する表示部９００１は、ヒンジ９０５５によって連結された３つ
の筐体９０００に支持されている。例えば、表示部９００１は、曲率半径０．１ｍｍ以上
１５０ｍｍ以下で曲げることができる。
示す斜視図である。また、図１１（Ｄ）は携帯情報端末９２０１を展開した状態、図１１
（Ｆ）は折り畳んだ状態、図１１（Ｅ）は図１１（Ｄ）と図１１（Ｆ）の一方から他方に
変化する途中の状態の斜視図である。携帯情報端末９２０１は、折り畳んだ状態では可搬
性に優れ、展開した状態では継ぎ目のない広い表示領域により表示の一覧性に優れる。携
帯情報端末９２０１が有する表示部９００１は、ヒンジ９０５５によって連結された３つ
の筐体９０００に支持されている。例えば、表示部９００１は、曲率半径０．１ｍｍ以上
１５０ｍｍ以下で曲げることができる。
【0179】
本実施の形態は、他の実施の形態及び実施例と適宜組み合わせることができる。
【符号の説明】
【0180】
１１１ａ：導電層、１１１ｂ：導電層、１１１ｃ：導電層、１１１ｄ：導電層、１１２：
電極、１１２ａ：電極、１１２ｂ：電極、１１３：半導体層、１１３ａ：半導体層、１１
３ｂ：半導体層、１１４：発光層、１１４ａ：発光層、１１４ｂ：発光層、１１５：半導
体層、１１５ａ：半導体層、１１５ｂ：半導体層、１１６：電極、１１６ａ：電極、１１
６ｂ：電極、１１７ａ：導電体、１１７ｂ：導電体、１１７ｃ：導電体、１１７ｄ：導電
体、１１８ａ：導電層、１１８ｂ：導電層、１１８ｃ：導電層、１１９ａ：低抵抗領域、
１１９ｂ：低抵抗領域、１４１：絶縁層、２０１：導電層、２０２：絶縁層、２０３ａ：
導電層、２０３ｂ：導電層、２０４：半導体層、２０８：絶縁層、２１１：絶縁層、２１
２：絶縁層、２１３：絶縁層、２１４ａ：チャネル形成領域、２１４ｂ：低抵抗領域、２
１４ｃ：ＬＤＤ領域、２２０：トランジスタ、２３０：トランジスタ、３０２ａ：発光ダ
イオード、３０２ｂ：発光ダイオード、３０２ｃ：発光ダイオード、３０２ｄ：発光ダイ
オード、３０２ｅ：発光ダイオード、３０２ｆ：発光ダイオード、３０３ａ：トランジス
タ、３０３ｂ：トランジスタ、３０３ｃ：トランジスタ、３０３ｄ：トランジスタ、３０
３ｅ：トランジスタ、３０３ｆ：トランジスタ、３１１：ゲート絶縁層、３１２：絶縁層
、３１３：絶縁層、３１４：絶縁層、３１５：絶縁層、３１８：封止層、３５１：基板、
３５３：剥離層、３５５：絶縁層、３６０Ａ：回路基板、３６０Ｂ：回路基板、３６０Ｃ
：回路基板、３６０Ｄ：回路アレイ、３６０Ｅ：回路アレイ、３６０Ｆ：回路アレイ、３
６１：基板、３６２：基板、３６３：接着層、３６７：絶縁層、３７０Ａ：ＬＥＤ基板、
３７０Ｂ：ＬＥＤ基板、３７０Ｃ：ＬＥＤ基板、３７０Ｄ：ＬＥＤ基板、３７１：基板、
３７３：保護層、３８０Ａ：表示装置、３８０Ｂ：表示装置、３８０Ｃ：表示装置、３８
０Ｄ：表示装置、３８０Ｅ：表示装置、３８０Ｆ：表示装置、７０００：表示部、７１０
０：テレビジョン装置、７１０１：筐体、７１０３：スタンド、７１１１：リモコン操作
機、７２００：ノート型パーソナルコンピュータ、７２１１：筐体、７２１２：キーボー
ド、７２１３：ポインティングデバイス、７２１４：外部接続ポート、７３００：デジタ
ルサイネージ、７３０１：筐体、７３０３：スピーカ、７３１１：情報端末機、７４００
：デジタルサイネージ、７４０１：柱、７４１１：情報端末機、８０００：カメラ、８０
０１：筐体、８００２：表示部、８００３：操作ボタン、８００４：シャッターボタン、
８００６：レンズ、８１００：ファインダー、８１０１：筐体、８１０２：表示部、８１
０３：ボタン、８２００：ヘッドマウントディスプレイ、８２０１：装着部、８２０２：
レンズ、８２０３：本体、８２０４：表示部、８２０５：ケーブル、８２０６：バッテリ
、８３００：ヘッドマウントディスプレイ、８３０１：筐体、８３０２：表示部、８３０
４：固定具、８３０５：レンズ、９０００：筐体、９００１：表示部、９００３：スピー
カ、９００５：操作キー、９００６：接続端子、９００７：センサ、９００８：マイクロ
フォン、９０５０：アイコン、９０５１：情報、９０５２：情報、９０５３：情報、９０
５４：情報、９０５５：ヒンジ、９１０１：携帯情報端末、９１０２：携帯情報端末、９
２００：携帯情報端末、９２０１：携帯情報端末
電極、１１２ａ：電極、１１２ｂ：電極、１１３：半導体層、１１３ａ：半導体層、１１
３ｂ：半導体層、１１４：発光層、１１４ａ：発光層、１１４ｂ：発光層、１１５：半導
体層、１１５ａ：半導体層、１１５ｂ：半導体層、１１６：電極、１１６ａ：電極、１１
６ｂ：電極、１１７ａ：導電体、１１７ｂ：導電体、１１７ｃ：導電体、１１７ｄ：導電
体、１１８ａ：導電層、１１８ｂ：導電層、１１８ｃ：導電層、１１９ａ：低抵抗領域、
１１９ｂ：低抵抗領域、１４１：絶縁層、２０１：導電層、２０２：絶縁層、２０３ａ：
導電層、２０３ｂ：導電層、２０４：半導体層、２０８：絶縁層、２１１：絶縁層、２１
２：絶縁層、２１３：絶縁層、２１４ａ：チャネル形成領域、２１４ｂ：低抵抗領域、２
１４ｃ：ＬＤＤ領域、２２０：トランジスタ、２３０：トランジスタ、３０２ａ：発光ダ
イオード、３０２ｂ：発光ダイオード、３０２ｃ：発光ダイオード、３０２ｄ：発光ダイ
オード、３０２ｅ：発光ダイオード、３０２ｆ：発光ダイオード、３０３ａ：トランジス
タ、３０３ｂ：トランジスタ、３０３ｃ：トランジスタ、３０３ｄ：トランジスタ、３０
３ｅ：トランジスタ、３０３ｆ：トランジスタ、３１１：ゲート絶縁層、３１２：絶縁層
、３１３：絶縁層、３１４：絶縁層、３１５：絶縁層、３１８：封止層、３５１：基板、
３５３：剥離層、３５５：絶縁層、３６０Ａ：回路基板、３６０Ｂ：回路基板、３６０Ｃ
：回路基板、３６０Ｄ：回路アレイ、３６０Ｅ：回路アレイ、３６０Ｆ：回路アレイ、３
６１：基板、３６２：基板、３６３：接着層、３６７：絶縁層、３７０Ａ：ＬＥＤ基板、
３７０Ｂ：ＬＥＤ基板、３７０Ｃ：ＬＥＤ基板、３７０Ｄ：ＬＥＤ基板、３７１：基板、
３７３：保護層、３８０Ａ：表示装置、３８０Ｂ：表示装置、３８０Ｃ：表示装置、３８
０Ｄ：表示装置、３８０Ｅ：表示装置、３８０Ｆ：表示装置、７０００：表示部、７１０
０：テレビジョン装置、７１０１：筐体、７１０３：スタンド、７１１１：リモコン操作
機、７２００：ノート型パーソナルコンピュータ、７２１１：筐体、７２１２：キーボー
ド、７２１３：ポインティングデバイス、７２１４：外部接続ポート、７３００：デジタ
ルサイネージ、７３０１：筐体、７３０３：スピーカ、７３１１：情報端末機、７４００
：デジタルサイネージ、７４０１：柱、７４１１：情報端末機、８０００：カメラ、８０
０１：筐体、８００２：表示部、８００３：操作ボタン、８００４：シャッターボタン、
８００６：レンズ、８１００：ファインダー、８１０１：筐体、８１０２：表示部、８１
０３：ボタン、８２００：ヘッドマウントディスプレイ、８２０１：装着部、８２０２：
レンズ、８２０３：本体、８２０４：表示部、８２０５：ケーブル、８２０６：バッテリ
、８３００：ヘッドマウントディスプレイ、８３０１：筐体、８３０２：表示部、８３０
４：固定具、８３０５：レンズ、９０００：筐体、９００１：表示部、９００３：スピー
カ、９００５：操作キー、９００６：接続端子、９００７：センサ、９００８：マイクロ
フォン、９０５０：アイコン、９０５１：情報、９０５２：情報、９０５３：情報、９０
５４：情報、９０５５：ヒンジ、９１０１：携帯情報端末、９１０２：携帯情報端末、９
２００：携帯情報端末、９２０１：携帯情報端末
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】