特開 2025-28743 キャパシタおよびその製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2025028743

(43)【公開日】2025-03-03

(54)【発明の名称】キャパシタおよびその製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01G 4/33 20060101AFI20250221BHJP

   H01G 4/38 20060101ALI20250221BHJP

   H01G 4/30 20060101ALI20250221BHJP

   H10D 1/68 20250101ALI20250221BHJP

【ＦＩ】

H01G4/33 102

H01G4/38

H01G4/30 541

H01G4/30 547

H01L27/04 C

【審査請求】未請求

【請求項の数】18

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2024036953

(22)【出願日】2024-03-11

(31)【優先権主張番号】10-2023-0108384

(32)【優先日】2023-08-18

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(71)【出願人】

【識別番号】594023722

【氏名又は名称】サムソン エレクトロ－メカニックス カンパニーリミテッド．

(74)【代理人】

【識別番号】100108453

【弁理士】

【氏名又は名称】村山 靖彦

(74)【代理人】

【識別番号】100110364

【弁理士】

【氏名又は名称】実広 信哉

(72)【発明者】

【氏名】朴 知勳

(72)【発明者】

【氏名】崔 正燮

(72)【発明者】

【氏名】李 ▲クァン▼默

(72)【発明者】

【氏名】元 俊九

(72)【発明者】

【氏名】崔 我榮

(72)【発明者】

【氏名】朴 洸杓

(72)【発明者】

【氏名】全 賢求

【テーマコード（参考）】

5E001

5E082

5F038

【Ｆターム（参考）】

5E001AH03

5E082CC02

5E082EE37

5E082FG03

5F038AC05

5F038AC10

5F038AC15

5F038AC16

5F038EZ20

(57)【要約】

【課題】高容量を有するキャパシタおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】一側面によるキャパシタは、基板；前記基板上に位置する第１キャパシタ部；および前記第１キャパシタ部上に位置する第２キャパシタ部を含み、前記第１キャパシタ部は、複数のトレンチを有する第１絶縁層；前記第１絶縁層上に位置する第１電極；前記第１電極上に位置する誘電層；および前記誘電層上に位置する第２電極を含む。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板；
前記基板上に位置する第１キャパシタ部；および
前記第１キャパシタ部上に位置する第２キャパシタ部を含み、
前記第１キャパシタ部は、
複数のトレンチを有する第１絶縁層；
前記第１絶縁層上に位置する第１電極；
前記第１電極上に位置する誘電層；および
前記誘電層上に位置する第２電極を含む、キャパシタ。

【請求項2】

前記第２キャパシタ部は、
前記第１キャパシタ部上に位置する第２絶縁層；
前記第２絶縁層の内側に位置し、板状構造を有する第１板状電極；
前記第２絶縁層の内側に位置し、板状構造を有する第２板状電極；および
前記第１板状電極と前記第２板状電極との間に位置する板状誘電層を含む、請求項１に記載のキャパシタ。

【請求項3】

前記第１板状電極と前記第２電極を接続する層間接続部をさらに含む、請求項２に記載のキャパシタ。

【請求項4】

前記第１板状電極は２つが提供され、互いに離隔して位置し、
前記層間接続部は、２つの前記第１板状電極のうち前記基板と隣接して位置するものと前記第２電極との間に位置する、請求項３に記載のキャパシタ。

【請求項5】

前記第２板状電極は、２つの前記第１板状電極の間に位置する、請求項３に記載のキャパシタ。

【請求項6】

前記第２板状電極は２つが提供され、互いに離隔して位置する、請求項５に記載のキャパシタ。

【請求項7】

２つの前記第２板状電極は、電極接続部によって接続される、請求項６に記載のキャパシタ。

【請求項8】

前記第１板状電極および前記第２板状電極は、複数で提供され、前記板状誘電層を間において積層される、請求項２に記載のキャパシタ。

【請求項9】

前記第２絶縁層上に位置し、前記第１電極および前記第２板状電極に接続する第１外部電極；および
前記第２絶縁層上に位置し、前記第２電極および前記第１板状電極に接続する第２外部電極をさらに含む、請求項２に記載のキャパシタ。

【請求項10】

前記第１外部電極と前記第２板状電極を接続する第１外部接続部；および
前記第２外部電極と前記第１板状電極を接続する第２外部接続部をさらに含む、請求項９に記載のキャパシタ。

【請求項11】

前記第１絶縁層内に位置し、前記第１電極に接続する導電層をさらに含む、請求項１０に記載のキャパシタ。

【請求項12】

前記第１外部接続部は、前記導電層に接続される、請求項１１に記載のキャパシタ。

【請求項13】

前記第１キャパシタ部は、領域を異ならせて基板上に複数が位置し、
前記第２キャパシタ部は、それぞれの前記第１キャパシタ部上に少なくとも一つ以上位置する、請求項１に記載のキャパシタ。

【請求項14】

前記第１絶縁層内に位置し、複数の前記第１キャパシタ部に含まれている前記第１電極全てに接続される導電層をさらに含む、請求項１３に記載のキャパシタ。

【請求項15】

前記第２キャパシタ部上に位置する複数の第１外部電極；
前記第２キャパシタ部上に位置する複数の第２外部電極；および
前記導電層と複数の前記第１外部電極のそれぞれに直接接触して接続される複数の第１外部接続部をさらに含む、請求項１４に記載キャパシタ。

【請求項16】

複数の前記第２キャパシタ部のそれぞれは、複数の前記第２外部電極のうち少なくとも一つと接続される、請求項１５に記載キャパシタ。

【請求項17】

基板上に第１絶縁層を形成し；
前記第１絶縁層にトレンチを形成し；
前記トレンチに第１電極、誘電層、第２電極を形成し、第１キャパシタ部を形成し；そして
第２絶縁層の内側に第１板状電極、第２板状電極を有する第２キャパシタ部を前記第１キャパシタ部上に形成する、キャパシタの製造方法。

【請求項18】

前記第１板状電極、前記第２板状電極は、蒸着工程を通して形成される、請求項１７に記載キャパシタ製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、キャパシタおよびその製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

電子機器に使用される電子部品として、キャパシタ、インダクタ、圧電素子、バリスタまたはサーミスターなどがある。このようなセラミック電子部品のうち積層型キャパシタは、小型であり高容量が保証され、実装が容易であるという長所により、様々な電子装置に使用することができる。

【0003】

例えば、積層型キャパシタは、液晶表示装置（ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ ｄｉｓｐｌａｙａｙ、ＬＣＤ）、プラズマ表示装置パネル（ｐｌａｓｍａ ｄｉｓｐｌａｙ ｐａｎｅｌ、ＰＤＰ）、有機発光ダイオード（ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ－ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ、ＯＬＥＤ）などの映像機器、コンピュータ、個人携帯用端末器およびスマートフォンなどの様々な電子製品の基板に装着され、電気を充電させたり放電させる役割を果たすチップ状のコンデンサに使用することができる。

【0004】

近年、電子製品の小型化および薄膜化傾向により、従来の積層型キャパシタより高容量のキャパシタに対する需要が増加している。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

実施例のうち少なくとも一つの実施例は、高容量を有するキャパシタおよびその製造方法を提供するためのものである。

【0006】

しかし、本発明の実施例が解決しようとする課題は、上述した課題に限定されず、本発明に含まれている技術的な思想の範囲で様々に拡張されることができる。

【課題を解決するための手段】

【0007】

一側面によるキャパシタは、基板；前記基板上に位置する第１キャパシタ部；および前記第１キャパシタ部上に位置する第２キャパシタ部を含み、前記第１キャパシタ部は、複数のトレンチを有する第１絶縁層；前記第１絶縁層上に位置する第１電極；前記第１電極上に位置する誘電層；および前記誘電層上に位置する第２電極を含むことができる。

【0008】

前記第２キャパシタ部は、前記第１キャパシタ部上に位置する第２絶縁層；前記第２絶縁層の内側に位置し、板状構造を有する第１板状電極；前記第２絶縁層の内側に位置し、板状構造を有する第２板状電極；および前記第１板状電極と前記第２板状電極との間に位置する板状誘電層を含むことができる。

【0009】

前記第１板状電極と前記第２電極を接続する層間接続部をさらに含むことができる。

【0010】

前記第１板状電極は、２つが提供され、互いに離隔して位置し、前記層間接続部は、２つの前記第１板状電極のうち、前記基板と隣接して位置するものと前記第２電極との間に位置することができる。

【0011】

前記第２板状電極は、２つの前記第１板状電極の間に位置することができる。

【0012】

前記第２板状電極は、２つが提供され、互いに離隔して位置することができる。

【0013】

２つの前記第２板状電極は、電極接続部によって接続されることができる。

【0014】

前記第１板状電極および前記第２板状電極は、複数で提供され、前記板状誘電層を間において積層されることができる。

【0015】

前記第２絶縁層上に位置し、前記第１電極および前記第２板状電極に接続する第１外部電極；および前記第２絶縁層上に位置し、前記第２電極および前記第１板状電極に接続する第２外部電極をさらに含むことができる。

【0016】

前記第１外部電極と前記第２板状電極を接続する第１外部接続部；および前記第２外部電極と前記第１板状電極を接続する第２外部接続部をさらに含むことができる。

【0017】

前記第１絶縁層内に位置し、前記第１電極に接続する導電層をさらに含むことができる。

【0018】

前記第１外部接続部は、前記導電層に接続されることができる。

【0019】

前記第１キャパシタ部は、領域を異ならせて基板上に複数が位置し、前記第２キャパシタ部は、それぞれの前記第１キャパシタ部上に少なくとも一つ以上位置することができる。

【0020】

前記第１絶縁層内に位置し、複数の前記第１キャパシタ部に含まれている前記第１電極全てに接続する導電層をさらに含むことができる。

【0021】

前記第２キャパシタ部上に位置する複数の第１外部電極；前記第２キャパシタ部上に位置する複数の第２外部電極；および前記導電層と複数の前記第１外部電極のそれぞれに直接接触して接続される複数の第１外部接続部をさらに含むことができる。

【0022】

複数の前記第２キャパシタ部のそれぞれは、複数の前記第２外部電極のうち少なくとも一つと接続することができる。

【0023】

他側面によるキャパシタ製造方法は、基板上に第１絶縁層を形成し；前記第１絶縁層にトレンチを形成し；前記トレンチに第１電極、誘電層、第２電極を形成し、第１キャパシタ部を形成し、そして、第２絶縁層の内側に第１板状電極、第２板状電極を有する第２キャパシタ部を前記第１キャパシタ部上に形成することができる。

【0024】

前記第１板状電極、前記第２板状電極は、蒸着工程を通して形成することができる。

【発明の効果】

【0025】

実施例のうち少なくとも一つの実施例によれば、高容量を有するキャパシタおよびその製造方法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0026】

【図1】一実施例によるキャパシタを示す図面である。

【図2】一実施例によるキャパシタの製造方法を示す図面である。

【図3】一実施例によるキャパシタの製造方法を示す図面である。

【図4】一実施例によるキャパシタの製造方法を示す図面である。

【図5】一実施例によるキャパシタの製造方法を示す図面である。

【図6】一実施例によるキャパシタの製造方法を示す図面である。

【図7】一実施例によるキャパシタの製造方法を示す図面である。

【図8】一実施例によるキャパシタの製造方法を示す図面である。

【図9】一実施例によるキャパシタの製造方法を示す図面である。

【図10】他の実施例によるキャパシタを示す図面である。

【図11】他の実施例によるキャパシタを示す図面である。

【発明を実施するための形態】

【0027】

以下、添付図面を参照して、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者が容易に実施できるように、本発明の実施例を詳細に説明する。図面において、本発明を明確に説明するために説明と関係のない部分は省略し、明細書全体を通じて同一または類似の構成要素については同一の参照符号を付した。また、添付図面において、一部の構成要素は誇張されたり、省略されたり、または概略的に示されており、各構成要素の大きさは実際の大きさを完全に反映するものではない。

【0028】

添付図面は、本明細書に開示された実施例を容易に理解できるようにするためのものであり、添付図面によって本明細書に開示された技術思想が限定されるものではなく、本発明の思想及び技術範囲に含まれるすべての変更、均等物又は代替物を含むものと理解されるべきである。

【0029】

第１、第２などのように序数を含む用語は、様々な構成要素を説明するために使用することができるが、前記構成要素は前記用語によって限定されない。前記用語は、一つの構成要素を他の構成要素から区別する目的でのみ使用される。

【0030】

また、層、膜、領域、プレートなどの部分が他の部分の「上に」または「の上に」ある場合、これは他の部分の「直上に」ある場合だけでなく、その間に別の部分がある場合も含む。逆に、ある部分が他の部分の「直上に」にあると言うときは、それらの間に他の部分がないことを意味する。また、基準となる部分の「上に」または「の上に」あるというのは、基準となる部分の上または下に位置することであり、必ずしも重力反対方向に向かって「上に」または「の上に」位置することを意味するものではない。

【0031】

明細書全体において、「含む」または「有する」などの用語は、明細書上に記載された特徴、数値、段階、動作、構成要素、部品、またはこれらを組み合わせたものが存在することを指定するものであって、一つまたはそれ以上の他の特徴や数値、段階、動作、構成要素、部品、またはこれらを組み合わせたものの存在または付加の可能性を予め排除しないものと理解されるべきである。したがって、ある部分がある構成要素を「含む」とするとき、これは、特に反対の記載がない限り、他の構成要素を除外するのではなく、他の構成要素をさらに含むことができることを意味する。

【0032】

また、明細書全体において、「平面上」とは、対象部分を上から見たときのことを意味し、「断面上」とは、対象部分を垂直に切った断面を横から見たときのことを意味する。

【0033】

また、明細書全体において、「接続される」とは、２つ以上の構成要素が直接的に接続されることだけを意味するのではなく、２つ以上の構成要素が他の構成要素を通じて間接的に接続されること、物理的に接続されるだけでなく、電気的に接続されること、または位置や機能に応じて異なる名称で呼ばれているが一体であることを意味することができる。

【0034】

明細書全体において、基板１００は、平面的に広く、断面的に薄い構造を持ち、「基板１００の平面方向」は、基板１００の広くて平らな面に平行な方向であり、「基板１００の厚さ方向」は、基板１００の広くて平らな面に垂直な方向を意味することができる。

【0035】

図１は、一実施例によるキャパシタを示す図面である。

【0036】

図１を参照すると、一実施例によるキャパシタ１０は、基板１００、第１キャパシタ部（ＣＡ１）および第２キャパシタ部（ＣＡ２）、第１外部電極１８０および第２外部電極１９０を含むことができる。

【0037】

基板１００は、予め設定された面積を有する。基板１００は、絶縁性素材で提供することができる。一例に、基板１００は、シリコン基板であってもよい。

【0038】

第１キャパシタ部（ＣＡ１）は、基板１００上に位置する。第１キャパシタ部（ＣＡ１）は、第１絶縁層１１０、第１電極１３１、誘電層１３２、第２電極１３３を含むことができる。

【0039】

第１絶縁層１１０は、基板１００上に位置する。第１絶縁層１１０は、予め設定された厚さを有する。第１絶縁層１１０の厚さは、１．８ｕｍ～２．２ｕｍであってもよい。第１絶縁層１１０は、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）層であってもよい。第１絶縁層１１０内には、導電層１１１が位置する。導電層１１１は、板状構造を有することができる。導電層１１１は、金属性素材で提供することができる。

【0040】

第１絶縁層１１０には、複数のトレンチ１２０が形成される。トレンチ１２０の下端は、導電層１１１と接続することができる。即ち、トレンチ１２０が満たされる前には、導電層１１１がトレンチ１２０を介して外部に露出されることができる。

【0041】

第１電極１３１は、トレンチ１２０が形成された領域の第１絶縁層１１０上に位置する。即ち、第１電極１３１は、トレンチ１２０上に位置することができる。また、第１電極１３１は、互いに隣接して位置するトレンチ１２０の間の第１絶縁層１１０上に位置することができる。第１電極１３１は、金属性素材であってもよい。第１電極１３１は、導電層１１１と接続される。第１電極１３１は、導電層１１１と直接接触する構造であり、導電層１１１に接続することができる。

【0042】

誘電層１３２は、第１電極１３１上に位置する。即ち、誘電層１３２は、トレンチ１２０の第１電極１３１上に位置することができる。また、誘電層１３２は、互いに隣接するトレンチ１２０の間の第１電極１３１上に位置することができる。誘電層１３２は、ＺｒＯ_２－Ａｌ_２Ｏ_３－ＺｒＯ_２複合層のＺＡＺで形成することができる。また、誘電層１３２は、Ａｌ_２Ｏ_３ＺｒＯ_２、ＨｆＯ_２などの酸化金属のうちいずれか一つで形成することができる。また、誘電層１３２は、Ａｌ_２Ｏ_３ＺｒＯ_２、ＨｆＯ_２などの酸化金属の組み合わせで形成することができる。

【0043】

第２電極１３３は、誘電層１３２上に位置する。即ち、第２電極１３３は、トレンチ１２０の誘電層１３２上に位置することができる。また、第２電極１３３は、互いに隣接するトレンチ１２０の間の誘電層１３２上に位置することができる。第２電極１３３は、トレンチ１２０の内部を満たす形態で形成され、トレンチ１２０の内部に空隙が発生することを防止することができる。第２電極１３３は、金属性素材であってもよい。第２電極１３３は、誘電層１３２を間において第１電極１３１と対向する。

【0044】

第２キャパシタ部（ＣＡ２）は、第１キャパシタ部（ＣＡ１）上に位置する。第２キャパシタ部（ＣＡ２）は、第２絶縁層１４０、第１板状電極１５０、第２板状電極１６０および板状誘電層１７０を含む。

【0045】

第２絶縁層１４０は、第１キャパシタ部（ＣＡ１）上に位置する。第２絶縁層１４０は、第２電極１３３を覆うことができる。また、第２絶縁層１４０は、第２電極１３３が位置した領域以外の領域で第１絶縁層１１０を覆うことができる。第２絶縁層１４０は、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）層であってもよい。

【0046】

第１板状電極１５０は、第２絶縁層１４０の内側に位置する。第１板状電極１５０は、予め設定された面積を有する板状構造を有することができる。第１板状電極１５０は、２つが上下方向に離隔して位置することができる。２つの第１板状電極１５０のうち、基板１００と隣接して位置する第１板状電極１５０は、上下方向に第２電極１３３と対向するように位置し、層間接続部１５１を介して第２電極１３３と接続することができる。層間接続部１５１は、第１板状電極１５０と第２電極１３３との間に位置することができる。層間接続部１５１は、第１板状電極１５０と第２電極１３３との間に第２絶縁層１４０を貫通するように位置し、両端がそれぞれ第１板状電極１５０と第２電極１３３に直接接触して接続されることができる。層間接続部１５１は、第１板状電極１５０と第２電極１３３との間に複数が位置することができる。層間接続部１５１は、ビア構造で提供することができる。

【0047】

第２板状電極１６０は、第２絶縁層１４０の内側に位置する。第２板状電極１６０は、予め設定された面積を有する板状構造を有することができる。第２板状電極１６０は、２つの第１板状電極１５０の間に位置することができる。第２板状電極１６０は、２つが上下方向に離隔して位置することができる。２つの第２板状電極１６０は、電極接続部１６１を介して接続することができる。電極接続部１６１は、第２板状電極１６０の間に位置することができる。即ち、電極接続部１６１は、２つの第２板状電極１６０の間に第２絶縁層１４０を貫通するように位置し、両端が互いに離隔して位置した２つの第２板状電極１６０にそれぞれ接続されることができる。電極接続部１６１は、２つの第２板状電極１６０の間に複数が位置することができる。電極接続部１６１は、ビア構造で提供することができる。

【0048】

板状誘電層１７０は、第１板状電極１５０と第２板状電極１６０との間に位置する。板状誘電層１７０は、ＺｒＯ_２－Ａｌ_２Ｏ_３－ＺｒＯ_２複合層のＺＡＺで形成することができる。また、板状誘電層１７０は、Ａｌ_２Ｏ_３ＺｒＯ_２、ＨｆＯ_２などの酸化金属のうちいずれか一つで形成することができる。また、板状誘電層１７０は、Ａｌ_２Ｏ_３ＺｒＯ_２、ＨｆＯ_２などの酸化金属の組み合わせで形成することができる。板状誘電層１７０は、誘電層１３２と同じ素材で提供することができる。

【0049】

第１外部電極１８０は、第１電極１３１および第２板状電極１６０に接続される。第１外部電極１８０は、第２キャパシタ部（ＣＡ２）上に位置することができる。第１外部電極１８０は、第２絶縁層１４０上に位置し、少なくとも一部領域が外部に露出される。第１外部電極１８０は、第１外部接続部１８１を介して第１電極１３１および第２板状電極１６０に接続することができる。第１外部接続部１８１は、第１外部電極１８０と導電層１１１との間に第１絶縁層１１０および第２絶縁層１４０を貫通するように位置し、両端がそれぞれ導電層１１１および第１外部電極１８０に接続することができる。第２板状電極１６０は、一側が第１外部接続部１８１と直接接触して接続されることができる。第２板状電極１６０は、板状誘電層１７０を間において、第１板状電極１５０と対向する領域の外側で第１外部接続部１８１と接続することができる。第１電極１３１は、導電層１１１を介して第１外部接続部１８１に接続される。第１外部接続部１８１は、第１絶縁層１１０および第２絶縁層１４０にわたってビア構造で提供することができる。

【0050】

第２外部電極１９０は、第２電極１３３および第１板状電極１５０に接続される。第２外部電極１９０は、第２キャパシタ部（ＣＡ２）上に位置することができる。第２外部電極１９０は、第２絶縁層１４０上に位置し、少なくとも一部領域が外部に露出される。第２外部電極１９０は、第２外部接続部１９１を介して第１板状電極１５０に接続することができる。第２外部接続部１９１は、第２絶縁層１４０の一部区間を貫通するように位置し、第２外部電極１９０、そしてそれぞれの第１板状電極１５０に直接接触して接続されることができる。この時、第１板状電極１５０は、板状誘電層１７０を間において、第２板状電極１６０が対向する領域の外側で第２外部接続部１９１に接続されることができる。第２電極１３３は、第１板状電極１５０を通じて第２外部電極１９０に接続される。第２外部接続部１９１は、ビア構造で提供することができる。

【0051】

一実施例によるキャパシタ１０は、第１キャパシタ部（ＣＡ１）および第２キャパシタ部（ＣＡ２）を含む。これにより、キャパシタ１０は高容量を有する。

【0052】

図２～図９は、一実施例によるキャパシタの製造方法を示す図面である。

【0053】

以下、図２～図８を参照して、一実施例によるキャパシタ１０の製造方法を説明する。

【0054】

図２を参照すると、基板１００上に第１キャパシタ部（ＣＡ１）を形成する。具体的に、基板１００上に第１絶縁層１１０、導電層１１１、第１絶縁層１１０を交互に形成する。第１絶縁層１１０、導電層１１１は、蒸着工程を通して形成することができる。第１絶縁層１１０の形成には、化学気相蒸着（ＣＶＤ、ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、原子層蒸着（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＡＬＤ）などが使用できる。導電層１１１の形成には、化学気相蒸着（ＣＶＤ、ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、原子層蒸着（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＡＬＤ）などが使用できる。

【0055】

この後、第１絶縁層１１０にトレンチ１２０が形成される。トレンチ１２０は、エッチング工程を通して形成することができる。エッチング工程は、マスクを利用して行うことができる。マスクはフォトレジスト（ＰＲ）を通じて形成することができる。

【0056】

その後、第１絶縁層１１０上に第１電極１３１が形成される。第１電極１３１は、蒸着工程を通して形成することができる。第１電極１３１の蒸着には、化学気相蒸着（ＣＶＤ、ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、原子層蒸着（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＡＬＤ）などが使用できる。

【0057】

その後、第１電極１３１上に誘電層１３２が形成される。誘電層１３２は、蒸着工程を通して形成することができる。誘電層１３２の蒸着には、化学気相蒸着（ＣＶＤ、ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、原子層蒸着（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＡＬＤ）などが使用できる。

【0058】

その後、誘電層１３２上に第２電極１３３が形成される。第２電極１３３は、蒸着工程を通して形成することができる。第２電極１３３の蒸着には、化学気相蒸着（ＣＶＤ、ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、原子層蒸着（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＡＬＤ）などが使用できる。

【0059】

図３を参照すると、第１キャパシタ部（ＣＡ１）上に第２絶縁層１４０の一部（ＩＭ）が形成される。そして、第２絶縁層１４０の一部（ＩＭ）に層間接続部１５１、第１板状電極１５０、そして第１外部接続部１８１の一部（ＶＡ１）が形成される。第２絶縁層１４０は、蒸着工程を通して形成することができる。第２絶縁層１４０の形成には、化学気相蒸着（ＣＶＤ、ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、原子層蒸着（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＡＬＤ）などが使用できる。

【0060】

層間接続部１５１、第１板状電極１５０、そして第１外部接続部１８１の一部（ＶＡ１）は、第２絶縁層１４０のエッチング後の蒸着工程を通して形成することができる。エッチング工程は、マスクを利用して行うことができる。層間接続部１５１、第１板状電極１５０、そして第１外部接続部１８１の一部（ＶＡ１）は、化学気相蒸着（ＣＶＤ、ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、原子層蒸着（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＡＬＤ）などにより形成することができる。

【0061】

図４を参照すると、第１板状電極１５０上に板状誘電層１７０が形成される。板状誘電層１７０は、蒸着工程を通して形成することができる。板状誘電層１７０の蒸着工程は、化学気相蒸着（ＣＶＤ、ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、原子層蒸着（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＡＬＤ）などにより行うことができる。第１板状電極１５０の一部領域には、板状誘電層１７０が蒸着されない。第１板状電極１５０で板状誘電層１７０が蒸着されない領域は、外側端部に位置することができる。

【0062】

図５を参照すると、板状誘電層１７０上に第２板状電極１６０が形成される。そして第１外部接続部１８１の一部（ＶＡ１）をさらに形成することができる。第２板状電極１６０、第１外部接続部１８１は、蒸着工程を通して形成することができる。第２板状電極１６０、第１外部接続部１８１の蒸着工程は、化学気相蒸着（ＣＶＤ、ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、原子層蒸着（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＡＬＤ）などにより行うことができる。第２板状電極１６０の形成は、第１外部接続部１８１の一部（ＶＡ１）と接触するように行われる。

【0063】

図６を参照すると、第２絶縁層１４０の一部（ＶＡ）がさらに形成される。そして、さらに形成された第２絶縁層１４０に電極接続部１６１、第２板状電極１６０、第１外部接続部１８１の一部（ＶＡ１）が形成される。また、第２外部接続部１９１の一部（ＶＡ２）がさらに形成される。第２絶縁層１４０は、蒸着工程を通して形成することができる。第２絶縁層１４０の形成には、化学気相蒸着（ＣＶＤ、ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、原子層蒸着（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＡＬＤ）などが使用できる。

【0064】

電極接続部１６１、第２板状電極１６０、第１外部接続部１８１の一部（ＶＡ１）、そして第２外部接続部１９１の一部（ＶＡ２）は、第２絶縁層１４０のエッチング後の蒸着工程を通して形成することができる。エッチング工程は、マスクを利用して行うことができる。電極接続部１６１、第２板状電極１６０、第１外部接続部１８１、そして第２外部接続部１９１の蒸着工程は、化学気相蒸着（ＣＶＤ、ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、原子層蒸着（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＡＬＤ）などにより行うことができる。第２板状電極１６０は、一側が第１外部接続部１８１の一部（ＶＡ１）と接続するように形成される。第２外部接続部１９１の一部（ＶＡ２）は、第１板状電極１５０と接続するように形成される。

【0065】

図７を参照すると、第２板状電極１６０上に板状誘電層１７０が形成される。板状誘電層１７０は、蒸着工程を通して形成することができる。板状誘電層１７０の蒸着工程は、化学気相蒸着（ＣＶＤ、ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、原子層蒸着（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＡＬＤ）などにより行うことができる。第２板状電極１６０の一部領域には、板状誘電層１７０が蒸着されない。第２板状電極１６０で板状誘電層１７０が蒸着されない領域は、第１外部接続部１８１の一部（ＶＡ１）と接続された外側端部に位置することができる。

【0066】

図８を参照すると、板状誘電層１７０上に第１板状電極１５０が形成される。そして、第１外部接続部１８１の一部（ＶＡ１）がさらに形成されることができる。第１板状電極１５０、第１外部接続部１８１の一部（ＶＡ１）は、蒸着工程を通して形成することができる。第１板状電極１５０、第１外部接続部１８１の一部（ＶＡ１）の蒸着工程は、化学気相蒸着（ＣＶＤ、ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、原子層蒸着（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＡＬＤ）などにより行うことができる。第１板状電極１５０の形成は、第２外部接続部１８１の一部（ＶＡ２）と接触するように行われる。

【0067】

図９を参照すると、第２絶縁層１４０がさらに形成される。そして、第２絶縁層１４０上に第１外部電極１８０、第２外部電極１９０が形成される。第２絶縁層１４０は、蒸着工程を通して形成することができる。第２絶縁層１４０の形成には、化学気相蒸着（ＣＶＤ、ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、原子層蒸着（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＡＬＤ）などが使用できる。その後、第１外部電極１８０が第１外部接続部１８１に接続するように形成され、第２外部電極１９０が第２外部接続部１９１に接続するように形成される。第１外部電極１８０、第２外部電極１９０の形成に先立ち、第１外部接続部１８１、第２外部接続部１９１の露出のために第２絶縁層１４０がエッチングされることができる。また、第１外部電極１８０、第２外部電極１９０の形成に先立ち、第１外部接続部１８１の一部、第２外部接続部１９１の一部がさらに形成されることができる。第１外部電極１８０、第２外部電極１９０は、蒸着工程によって形成されることができる。第１外部電極１８０、第２外部電極１９０の蒸着は、化学気相蒸着（ＣＶＤ、ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、原子層蒸着（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＡＬＤ）、メッキなどにより行うことができる。

【0068】

図１０は、他の実施例によるキャパシタを示す図面である。

【0069】

図１０を参照すると、他の実施例によるキャパシタ２０は、基板２００、第１キャパシタ部（ＣＡ１）、第２キャパシタ部（ＣＡ２）、第１外部電極２８０および第２外部電極２９０を含むことができる。

【0070】

基板２００は、予め設定された面積を有する。基板２００は、絶縁性素材で提供される。一例に、基板２００は、シリコン基板であってもよい。

【0071】

第１キャパシタ部（ＣＡ１）は、基板２００上に位置する。第１キャパシタ部（ＣＡ１）は、第１絶縁層２１０、第１電極２３１、誘電層２３２、第２電極２３３を含むことができる。

【0072】

第１電極２３１、誘電層２３２、第２電極２３３は、第１絶縁層２１０で形成されたトレンチ２２０上に位置する。また、第１絶縁層２１０内には導電層２１１が位置する。

【0073】

第１キャパシタ部（ＣＡ１）の構造は、図１で上述したキャパシタ１０の第１キャパシタ部（ＣＡ１）と同一または類似するので反復された説明は省略する。

【0074】

第２キャパシタ部（ＣＡ２）は、第１キャパシタ部（ＣＡ１）上に位置する。第２キャパシタ部（ＣＡ２）は、第２絶縁層２４０、第１板状電極２５０、第２板状電極２６０および板状誘電層２７０を含む。

【0075】

第２絶縁層２４０は、第１キャパシタ部（ＣＡ１）上に位置する。第２絶縁層２４０は、第２電極２３３を覆うことができる。また、第２絶縁層２４０は、第２電極２３３が位置した領域以外の領域で第１絶縁層２１０を覆うことができる。第２絶縁層２４０は、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）層であってもよい。

【0076】

第１板状電極２５０、第２板状電極２６０、板状誘電層２７０は、第２絶縁層２４０の内側に位置する。

【0077】

第１板状電極２５０は、予め設定された面積を有する板状構造を有することができる。第１板状電極２５０は、複数が上下方向に離隔して位置することができる。複数の第１板状電極２５０のうち、基板２００と最も隣接して位置する第１板状電極２５０は、上下方向に第２電極２３３と対向するように位置し、層間接続部２５１を介して第２電極２３３と接続されることができる。層間接続部２５１は、第１板状電極２５０と第２電極２３３との間に位置することができる。即ち、層間接続部２５１は、第１板状電極２５０と第２電極２３３との間で第２絶縁層２４０を貫通するように位置し、両端がそれぞれ第１板状電極２５０と第２電極２３３に接続することができる。層間接続部２５１は、第１板状電極２５０と第２電極２３３との間に複数が位置することができる。層間接続部２５１は、ビア構造で提供することができる。

【0078】

第２板状電極２６０は、第２絶縁層２４０の内側に位置する。第２板状電極２６０は、予め設定された面積を有する板状構造を有することができる。第２板状電極２６０は、複数が上下方向に離隔して位置することができる。第１板状電極２５０と第２板状電極２６０は、板状誘電層２７０を間において積層される。一例に、第２板状電極２６０は、板状誘電層２７０を間において第１板状電極２５０と交互に積層できる。板状誘電層２７０は、ＺｒＯ_２－Ａｌ_２Ｏ_３－ＺｒＯ_２複合層のＺＡＺで形成することができる。また、板状誘電層２７０は、Ａｌ_２Ｏ_３ＺｒＯ_２、ＨｆＯ_２などの酸化金属のうちいずれか一つで形成することができる。また、板状誘電層２７０は、Ａｌ_２Ｏ_３ＺｒＯ_２、ＨｆＯ_２などの酸化金属の組み合わせで形成することができる。板状誘電層２７０は、誘電層２３２と同じ素材で提供することができる。

【0079】

第１外部電極２８０は、第１電極２３１および第２板状電極２６０に接続される。第１外部電極２８０は、第２絶縁層２４０上に位置し、少なくとも一部領域が外部に露出される。第１外部電極２８０は、第１外部接続部２８１を介して第１電極２３１および第２板状電極２６０に接続することができる。第１外部接続部２８１は、第１外部電極２８０と導電層２１１との間で第１絶縁層２１０および第２絶縁層２４０を貫通するように位置し、両端がそれぞれ導電層２１１および第１外部電極２８０に接続することができる。第２板状電極２６０は、一側が第１外部接続部２８１と直接接触して接続されることができる。第２板状電極２６０は、板状誘電層２７０を間において第１板状電極２５０と対向する領域の外側で第１外部接続部２８１に接続することができる。第１電極２３１は、導電層２１１を介して第１外部接続部２８１に接続することができる。第１外部接続部２８１は、第１絶縁層２１０および第２絶縁層２４０にわたってビア構造で提供することができる。

【0080】

第２外部電極２９０は、第２電極２３３および第１板状電極２５０に接続される。第２外部電極２９０は、第２絶縁層２４０上に位置し、少なくとも一部領域が外部に露出される。第２外部電極２９０は、第２外部接続部２９１を通じて第１板状電極２５０に接続することができる。第２外部接続部２９１は、第２絶縁層２４０の一部区間を貫通するように位置し、第２外部電極２９０、そしてそれぞれの第１板状電極２５０に直接接触して接続されることができる。第１板状電極２５０は、板状誘電層２７０を間において第２板状電極２６０が対向する領域の外側で第２外部接続部２９１に接続することができる。第２電極２３３は、第１板状電極２５０を介して第２外部電極２９０に接続される。第２外部接続部２９１は、ビア構造で提供することができる。

【0081】

他の実施例によるキャパシタ２０は、第１キャパシタ部（ＣＡ１）および第２キャパシタ部（ＣＡ２）を含む。これにより、キャパシタ２０は高容量を有する。

【0082】

また、第２キャパシタ部（ＣＡ２）は、複数の第１板状電極２５０、複数の第２板状電極２６０が多層で積層され、高容量を有する。

【0083】

図１１は、また他の実施例によるキャパシタを示す図面である。

【0084】

図１１を参照すると、また他の実施例によるキャパシタ３０は、第１キャパシタ部（ＣＡ１）、第２キャパシタ部（ＣＡ２）を含む。第１キャパシタ部（ＣＡ１）は、図１のキャパシタ１０に含まれている第１キャパシタ部（ＣＡ１）と同一または類似しているので反復された説明は省略する。また、第２キャパシタ部（ＣＡ２）は、図１のキャパシタ１０に含まれている第２キャパシタ部（ＣＡ２）、または図１０のキャパシタ２０に含まれている第２キャパシタ部（ＣＡ２）と同一または類似しているので反復された説明は省略する。

【0085】

以下、図１のキャパシタ１０、または図１０のキャパシタ２０と差異点について説明する。

【0086】

また他の実施例によるキャパシタ３０は、複数の第１外部電極３８０および複数の第２外部電極３９０を含むことができる。

【0087】

第１キャパシタ部（ＣＡ１）は、領域を異ならせて基板上に複数が位置することができる。そして、導電層３１１は、複数の第１キャパシタ部（ＣＡ１）に含まれている第１電極１１１、２１１全てに対して接続するように形成することができる。導電層３１１には、領域を異ならせて複数の第１外部接続部３８１が接続される。そして、複数の第１外部接続部３８１のそれぞれには、第１外部電極３８０が接続される。この時、１つの第１キャパシタ部（ＣＡ１）には、少なくとも一つ以上の第１外部接続部３８１および第１外部電極３８０が接続されることができる。また、複数の第１外部接続部３８１のそれぞれは、隣接して位置する第２キャパシタ部（ＣＡ２）の第２板状電極１６０、２６０に接続される。複数の第１外部電極３８０は、導電層３１１を介して接続される。

【0088】

それぞれの第１キャパシタ部（ＣＡ１）上には少なくとも一つ以上の第２キャパシタ部（ＣＡ２）が位置することができる。それぞれの第２キャパシタ部（ＣＡ２）は、少なくとも一つ以上の第２外部接続部３９１と接続することができる。そして、それぞれの第２外部接続部３９１は、第２外部電極３９０と接続される。これにより、互いに相異なる第２キャパシタ部（ＣＡ２）は、並列構造を有する。

【0089】

また他の実施例によるキャパシタ３０は、複数の第１外部電極３８０および複数の第２外部電極３９０を有する。これにより、外部回路との接続を様々に調節することができる。

【0090】

以上、本発明の好ましい実施例について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、請求範囲と発明の説明および添付した図面の範囲内で様々に変形して実施することが可能であり、これも本発明の範囲に属することは当然である。

【符号の説明】

【0091】

１００ 基板
１１０ 第１絶縁層
１１１ 導電層
１２０ トレンチ
１３１ 第１電極
１３２ 誘電層
１３３ 第２電極
１４０ 第２絶縁層
１５０ 第１板状電極
１６０ 第２板状電極
１７０ 板状誘電層
１８０ 第１外部電極
１９０ 第２外部電極

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】